JP3514708B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
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Description
ク、レーザディスクなどの再生専用型光ディスクの再生
を行なう光学的再生装置または追記型、書換可能型など
の光ディスクに記録再生を行なう光学的記録再生装置に
おいて使用される光ピックアップ装置に関する。
集光させる対物レンズの瞳面での光量分布は、集光する
スポット径に大きな影響を与え、光学式ピックアップ装
置の性能を左右する。
数(NA)、光の発振波長λおよびレンズ端光強度(Ri
m Intensity中心強度に対する端光強度の割合)に依存
することが知られており、たとえばRim=1.0(レ
ンズ入射強度が面内で均一)の場合、中心強度の1/e
2以上の強度を持つ集光ビーム半径をrとすると、半径
rは、下記の数式(1)により表わされる。
振波長λを小さく、対物レンズのNAを大きくする必要
がある。
きに成立する関係式であって、Rimが1.0より小さ
くなると、ビームスポット径は数式(1)よりも大きく
なることも一般によく知られている。
には、レンズ端光強度(Rim)を大きくしてレンズ入
射光の強度分布も周辺部まで均一にすることが望ましい
とされている。
照射光をできるだけ損失なく対物レンズにカップリング
することが望ましい。
とレンズ端光強度(Rim)が小さくなり、図5(d)
に示す光量分布となる。このとき、瞳面上光量分布は図
5(e)のように、瞳径内の中央部に対する周辺部の光
量比が低くなる。この場合、図5(f)のように記録媒
体の記録面に集光される光スポットの径が大きくなって
しまい、高周波領域でのMTF(モジュレーション・ト
ランスファー・ファンクション)が低下する。すなわ
ち、再生に必要な分解能が低下する。
能の低下を防ぐために、レンズ端光強度(Rim)があ
る程度大きくなるよう光学系を構成する。これにより、
図5(a)に示すようにカップリング効率はある程度低
くなるが、瞳面上光量分布は、図5(b)のとおり瞳径
内の中央部に対するその周辺部の光量比が高くなるの
で、光量分布はほぼ均一となる。したがって、図5
(c)のように記録媒体の記録面に集光される光スポッ
トの径は小さくなり、再生に必要な分解能が高くなる。
りカップリング効率を落とし、レンズ端光強度(Ri
m)を大きくすることにより瞳径内の光量分布を比較的
平坦にでき、記録媒体の記録面上での光スポットが最良
になるようにしている。
の光の偏光方向を考慮した場合、特にディスク入射面に
垂直な偏光光(S偏光)はディスクへの入射角が大きく
なるほどフレネル反射と呼ばれる反射光が発生しやすく
なり、ディスク内へ透過する光が損失する。
入射させた場合、対物レンズ外周からの光ほどディスク
への入射角が大きくなり、最外周部からの光ではレンズ
NA相当の入射角(Sin-1(NA))となる。
損失が大きくなり、実質のRimが小さくなることにな
る。
ストなどの問題のため施されておらず、対物レンズから
の光はディスク表面での反射の影響が大きく、その反射
率は光の偏光方向によって異なる。
ス材の反射面は光の入射角と偏光方向により異なること
が知られている。図7に、n=1.51の屈折率を持つ
ディスク基板に対して発振波長655nmの光が入射し
たときの反射率と入射角度の関係を示す。
るにつれ反射率は増大するとともにディスク基板に対し
てS偏光の光の方がP偏光の光より高い反射率を示して
いる。
ある光磁気ディスク記録再生装置の光学ピックアップ装
置の具体的構成を示している。
ザ1から出射した655nmの波長の光ビームを平行光
にし、対物レンズ8は、NAが0.47の集光レンズで
あって、光ビームを光磁気ディスク9の記録面に集光さ
せる。
記録再生装置の動作を説明する。半導体レーザ1から出
射した光ビームは、コリメータレンズ5によって平行光
とされた後、対物レンズ8によって光磁気ディスク9の
記録面上に集光される。このとき、光ピックアップでは
可能な限りカップリング効率を落とし、レンズ端光強度
(Rim)をできるだけ小さくすることにより瞳径内の
光量分布を比較的平坦にし、記録媒体の記録面上での光
スポットが最良になるようにしている。
射する入射角θは対物レンズ外周にいくほど大きくなる
が、NAが0.47の場合θは最大Sin-1(0.4
7)=28度程度で図7のグラフからわかるようにディ
スク表面での反射はP,S偏光の違いでほとんど変わら
ず、その反射率も極めて小さい。
ほとんどなく、Rimはほぼ設計どおりで集光する。
在開発が進んでいる高密度光磁気ディスク記録再生装置
は、対物レンズの高NA化とレーザダイオードの短波長
化により小スポット化を図っている。このため、対物レ
ンズのNAはたとえば0.65以上のものを採用するこ
とが検討されている。
に入射する入射角θは最大Sin-1(0.65)=4
0.5度程度となり、図7のグラフからもわかるように
ディスク表面での反射はP,S偏光の違いで大きく異な
り、特にS偏光の光の反射率が大きくなる。
ロスが大きくなり、RimはS偏光方向に対して小さく
なり、その結果集光スポット径はS偏光方向に大きくな
ってしまうという問題があった。
かかわらず光ディスク内での集光スポットが所望の大き
さにならず、ディスクへの記録密度を上げられず、再生
信号も良好なものが得にくくなるという問題があった。
タイプの対物レンズを使ったときに顕著に現れる。
号公報では、ディスク表面に反射防止膜を形成してい
る。しかし、これはコストアップになるとともに、ディ
スク入射光の入射角が0度からSin-1(NA)度であ
るため、広域の入射角に対応する反射防止膜を形成する
必要があり膜作製が困難であるとともに、反射防止膜の
歩留まりを上げるのが困難であるという問題が生じる。
ためになされたものである。本発明の目的は、記録媒体
表面に反射防止膜を形成することなく、記録媒体におけ
る集光スポット径を所望の方向(記録媒体がディスクの
場合には半径方向やトラック方向)に小さく絞ることに
より、当該方向における高密度記録を可能とすることに
ある。
ップ装置は、光発生手段と、光発生手段から出射された
光を記録媒体の記録面に集光させる対物レンズとを備
え、対物レンズに入射する光の波面の振動方向が、記録
媒体のトラック方向と同一方向である。なお、トラック
方向は、半径(ラジアル)方向と直交する方向である。
以上である。また、記録媒体におけるデータがピットに
より形成されていることが好ましい。また、記録媒体
は、相変化記録媒体であってもよく、光磁気記録媒体で
あってもよい。
状である場合には、楕円の長軸方向と上記振動方向が同
一方向であることが好ましい。
の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、これら
の図において同一部品には同一番号を付している。
ピックアップ装置の模式図であり、(a)は平面図、
(b)および(c)は側面図である。
は高NAの対物レンズを採用し、特にディスク上にて集
光スポットのラジアル方向の径をできるだけ小さくし、
トラック幅をできるだけ狭くすることでディスク記録密
度を上げようとするものである。
導体レーザ1から出射された光は、第1の回折素子2に
よりディスク上にメインスポットと2つのサブスポット
を形成する0次光と±1次光の3つの光に分離される。
その後、第2の回折素子3を透過した後、ビームスプリ
ッタ4を透過しコリメータレンズ5によって平行光に変
換され、整形プリズム6により光が拡大され、立上げミ
ラー7を介して高NA(たとえばNA:0.65)の対
物レンズ8に入射し、記録媒体である光ディスク9内で
集光スポットを形成する。整形プリズム6では、コリメ
ータレンズ5により平行にされた直後の光の断面強度分
布の楕円の短軸方向を拡大し、理想的には真円形状にす
るのが望ましい。こうすることで、対物レンズで絞られ
たとき、集光ビーム形状は小さな真円形状にできる効果
がある。
は真円ではなくても最初の楕円形状より少しでも真円に
近づいた形状になっていれば、真円に近い形状でしかも
小さくなる効果がある。
5により平行にされた直後の光断面強度分布の楕円の長
軸方向を縮小して、真円形状あるいは真円ではなくても
最初の楕円形状より少しでも真円に近づいた形状にする
光学系としても同様な効果が得られる。
ズ8により平行光となり、整形プリズム6により縮小整
形され、コリメータレンズ5を通過し、一部の光はビー
ムスプリッタ4を反射して光ディスク9の信号を再生す
るための信号検出系10に向かう。このとき光ディスク
9が光磁気媒体で構成されている場合、信号検出系10
は磁気光学効果を利用した光磁気ディスクの信号を再生
するための検光子および光を電気信号に変換する受光素
子などにより形成される光磁気信号検出系により光磁気
ディスク9に記録された情報が再生される。
折素子3によって回折され、1次回折光が受光素子12
により受光され、サーボ信号(フォーカス誤差信号:F
ES、トラッキング信号:TES)が検出される。
ディスクであった場合、情報信号の再生は受光素子12
から行なうこともできるし、ビームスプリッタ4の反射
光を受ける信号検出系10で行なうこともできる。
方向の関係について説明する。図1(b)において、半
導体レーザ1から出た光は紙面手前、奥方向に振動する
S偏光である。同ピックアップを図1(b)の側面から
見た図1(c)では、半導体レーザ1から出た光は紙面
左右方向に振動するP偏光と言える。
る光の波面の振動方向を、光ディスク9の半径(ラジア
ル)方向と同一方向としている。このように光の波面の
振動方向を制御するには、半導体レーザから出射される
光の振動方向は、一意に決まっているので、本例では、
半導体レーザの出射光の振動方向がディスク面に平行に
なるよう半導体レーザを配置すればよい。
aに入射する光は図1(b)においてS偏光の光となり
集光ビームの光軸Lより離れるほど反射し、入射角0度
の光軸近傍では反射率5%程度、最外周部ではθ=Si
n-1(0.65)=40.5度の入射角になり、その反
射率は図7より9%程度となる。つまり、ディスク入射
光のRimは、対物レンズ出射光のRimに比べて9%
−5%=4%小さくなることになる。
レンズ8により集光してディスク面9aに入射する光は
P偏光の光となり、集光ビームが光軸Lより離れ、ディ
スク入射角が大きくなるほど図7からわかるように反射
率が低下し、最外周部にてθ=Sin-1(0.65)=
40.5度の入射角にて入射しその反射率は2%程度と
なる。つまりディスク入射光のRimは対物レンズ出射
光のRimに比べて5%−2%=3%大きくなることに
なる。
(b)から見たディスク入射光のRimは、図1(c)
から見たディスク入射光のRimに比べ4%+3%=7
%小さくなることとなる。
スなく理想的に絞った集光スポット形状に対して本実施
の形態の実際のディスク面反射を考慮した集光スポット
形状は、図2(b)のようにディスクラジアル方向が短
くトラック方向に長い形に絞れる効果がある。
するほど顕著に表われる。これを示すのが図8である。
図8は、図7のデータのS反射率とP反射率の差の増加
率をプロットし、2本の直線で線形近似したものであ
る。図よりわかるように、S反射−P反射の増加率は、
NA:0.65近傍を変曲点にしてそれ以上のNAにて
増加率が大きくなっている。
対物レンズのNAが0.65以上のときにより効果的で
あることがわかる。
ビーム整形をし、対物レンズ入射光の強度分布を真円に
した場合の例であるが、たとえばビーム整形率が小さく
対物レンズ入射光の強度分布が若干楕円状、あるいはビ
ーム整形をしない場合では図2(c)のように対物レン
ズ集光光をロスなく理想的に絞ったラジアル方向に長い
楕円の集光スポット形状に対してさらにラジアル方向の
Rimが大きくなりトラック方向のRimが小さくなる
効果は同じである。その結果、図2(c)の場合に比
べ、図2(d)のようにディスクラジアル方向は長くな
らず、トラック方向が長い形となる。
向に対してディスクを考慮せず、理想的に絞った程度ま
で小さく絞れるため、ラジアル方向をディスクのトラッ
クピッチを狭くしても隣接トラックからのデータの漏れ
込みを抑えることができ、高密度記録再生が可能な光ピ
ックアップが実現できる。
について考えてみると、同様にトラック方向の反射光が
外周に行くほど光ディスクで反射ロスしてしまう。その
ため、対物レンズ8の入射光の強度分布が楕円状である
とき、トラック方向が楕円強度分布の短軸方向であれ
ば、短軸方向が外周部ほど光量が少ないため光ディスク
内でロスする光量が少ない。
スクあるいは相変化ディスクである場合、情報信号の含
まれる反射光の光ディスク9でのロスを最小限に抑える
ことができ、その光量ロス分を補正するために半導体レ
ーザ1の出射パワーを増大することを極力抑えることが
でき、消費電力低減、コスト削減ができるとともに再生
信号の劣化が少なくできる効果がある。
である場合、光ディスク反射による偏光のカ−回転成分
光のロスを減らすことができ、良好な光磁気信号の再生
を行なうことができる。
態2について説明する。図3は、本発明の実施の形態2
における光ピックアップ装置の模式図であり、(a)は
平面図、(b)および(c)は側面図である。
NAの対物レンズを採用し、特にディスク上にて集光ス
ポットのトラック方向(ラジアル方向と直交する方向)
の径をできるだけ小さくし、データ記録線密度をできる
だけ上げることでディスク記録密度を向上しようとした
ものである。
成は、図1(a)に示すものと同様であるので、重複説
明は省略する。
る光の波面の振動方向を、光ディスク9のトラック方向
と同一方向としている。このように光の波面の振動方向
を制御するには、半導体レーザの出射光の振動方向がデ
ィスク面と垂直になるように半導体レーザを配置する。
光方向の関係について説明する。図3(b)において半
導体レーザ1から出た光は紙面上下方向に振動すP偏光
である。これにより対物レンズ8により集光してディス
ク面9aに入射する光は図面内においてP偏光の光とな
る。また光ピックアップ装置をもう1つの側面から見た
図3(c)では、半導体レーザ1から出た光の対物レン
ズ8への入射光は紙面前後方向に振動するS偏光と言え
る。
光ディスク面9aに入射する光は図3(c)においてS
偏光の光となり、集光ビームの光軸Lより離れるほど反
射し、入射角0度の光軸近傍では反射率5%程度、最外
周部ではθ=Sin-1(0.65)=40.5度の入射
角になり、その反射率は図7より9%と程度となる。つ
まり、ディスク入射光のRimは、対物レンズ出射光の
Rimに比べて9%−5%=4%小さくなることにな
る。
対物レンズ8により集光してディスク面9aに入射する
光はP偏光の光となり、集光ビームが光軸Lより離れ、
ディスク入射角が大きくなるほど図7からわかるように
反射率が低下し、最外周部にてθ=Sin-1(0.6
5)=40.5度の入射角にて入射しその反射率は2%
程度となる。つまり、ディスク入射光のRimは対物レ
ンズ出射光のRimに比べて5%−2%=3%大きくな
ることになる。
図3(c)から見た入射光のRimは図3(b)から見
たディスク入射光のRimに比べ4%+3%=7%小さ
くなることとなる。
想的に絞った図4(a)の集光スポット形状に対して本
実施の形態の実際のディスク面反射を考慮した集光スポ
ット形状は図4(b)のようにディスクラジアル方向が
長く、トラック方向に短い形となる。
プはビーム整形をし、対物レンズ入射光の強度分布を真
円にした場合の例であるが、たとえばビーム整形率が小
さく対物レンズ入射光の強度分布が若干楕円状、あるい
はビーム整形をしない場合では図4(c)のように対物
レンズ集束光をロスなく理想的に絞ったラジアル方向に
長い楕円の集光スポット形状に対してさらにラジアル方
向のRimが小さくなる効果は同じである。その結果、
図4(c)の場合に比べ、図4(d)のようにディスク
トラック方向が長くならず、ラジアル方向がさらに長い
形となる。
度を上げることができ、高周波領域でのMTF(モジュ
レーション・トランスファー・ファンクション)の低下
が防げる。すなわち、再生に必要な分解能が十分得られ
る。
について考えてみると、同様にトラック方向の反射光が
外周に行くほど光ディスクで反射ロスしてしまう。その
ため、対物レンズ入射光の強度分布が楕円であるとき、
トラック方向が楕円強度分布の短軸方向であれば、短軸
方向は外周部ほど光量が少ないため、光ディスクでロス
する光量が少ない。
スクあるいは相変化ディスクである場合、情報信号の含
まれる反射光のディスクでのロスを最小限に抑えること
ができ、その光量ロス分を補正するために半導体レーザ
1の出射パワーを増大することを極力抑えることがで
き、消費電力低減およびコスト削減ができるとともに、
再生信号の劣化を少なくできる効果がある。
である場合、ディスク反射による偏光のカー回転成分光
のロスを減らすことができ、良好な光磁気信号を再生す
ることが可能となる。
説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべて
の点で例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示
され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのす
べての変更が含まれることが意図される。
波面の振動方向を、記録媒体のトラック方向と同一方向
としているので、集光ビームスポット径をトラック方向
に小さく絞ることができる。それにより、記録媒体のト
ラック記録密度を向上することができ、高周波領域での
MTF(モジュレーション・トランスファー・ファンク
ション)の低下を防げる。つまり、再生に必要な分解能
が十分得られる。
ことにより、集光ビームスポット径の広がりをより効果
的に抑制でき、記録密度をさらに向上することができ
る。
成されている場合には、情報信号の含まれる反射光の記
録媒体でのロスを最小限に抑えることができ、その光量
ロス分を補正するために光発生手段の出射パワーを増大
することを極力抑えることができる。それにより、消費
電力低減、コスト削減ができるとともに、再生信号の劣
化を少なくすることができる。
録媒体での反射による偏光のカー回転成分光のロスを低
減することができ、良好な光磁気信号の再生を行なうこ
とができる。
状であり、この楕円の長軸方向と振動方向が同一方向で
ある場合にも、情報信号の含まれる反射光の記録媒体で
のロスを最小限に抑えることができ、その光量ロス分を
補正するために光発生手段の出射パワーを増大すること
を極力抑えることができる。それにより、消費電力低
減、コスト削減ができるとともに、再生信号の劣化を少
なくすることができる。
ックアップ装置の概略構成を示す平面図である。(b)
および(c)は、(a)に示す光ピックアップ装置の側
面図である。
ピックアップ装置の光ディスク上でのビームスポット形
状を説明するための図である。
ックアップ装置の概略構成を示す平面図である。(b)
および(c)は、(a)に示す光ピックアップ装置の側
面図である。
ピックアップ装置の光ディスク上でのビームスポット形
状を説明するための図である。
ある。
図である。
示す図である。
である。
折素子、4 ビームスプリッタ、5 コリメータレン
ズ、6 整形プリズム、7 立上げミラー、8対物レン
ズ、9 光ディスク、10 信号検出系、12 受光素
子。
Claims (5)
- 【請求項1】 光発生手段と、前記光発生手段から出射
された光を記録媒体の記録面に集光させる対物レンズと
を備え、前記対物レンズに入射する光の波面の振動方向
が、前記記録媒体のトラック方向と同一方向であり、前
記対物レンズの開口数が0.65以上1以下である、光
ピックアップ装置。 - 【請求項2】 前記記録媒体におけるデータがピットに
より形成されている、請求項1に記載の光ピックアップ
装置。 - 【請求項3】 前記記録媒体は、相変化記録媒体であ
る、請求項1に記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項4】 前記記録媒体は、光磁気記録媒体であ
る、請求項1に記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項5】 前記対物レンズに入射する光の強度分布
が楕円状であり、前記楕円の長軸方向と前記振動方向が
同一方向である、請求項1に記載の光ピックアップ装
置。
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