JPH04229429A - 光学記録媒体及び光学データ記録ディスクドライブシステム - Google Patents
光学記録媒体及び光学データ記録ディスクドライブシステムInfo
- Publication number
- JPH04229429A JPH04229429A JP3135413A JP13541391A JPH04229429A JP H04229429 A JPH04229429 A JP H04229429A JP 3135413 A JP3135413 A JP 3135413A JP 13541391 A JP13541391 A JP 13541391A JP H04229429 A JPH04229429 A JP H04229429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- recording medium
- optical recording
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 4
- 150000001786 chalcogen compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 127
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0055—Erasing
- G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/259—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学記録媒体に関するも
のであり、更に詳細には、光学位相変化媒体に関するも
のである。
のであり、更に詳細には、光学位相変化媒体に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】可逆的な光学記録として最もよく知られ
ている２つの方法は、光磁気記録及び位相変化記録であ
る。光磁気記録では、記録媒体はアクティブ層、すなわ
ち記録層を有する。この層は、レーザビームによって材
料がある温度以上に加熱されると、上方位置又は下方位
置のいずれかに磁化される。記録されたデータは、媒体
で反射されるような偏光を供与する低パワーレーザビー
ムを用いることによって、媒体から読み取られる。媒体
の磁化方向の違いによって、偏光面は一方又は他方の方
向へ回転させられる。これはカー（Ｋｅｒｒ）効果とし
て知られている。この回転における差異がデータ１及び
ゼロとして検出される。
ている２つの方法は、光磁気記録及び位相変化記録であ
る。光磁気記録では、記録媒体はアクティブ層、すなわ
ち記録層を有する。この層は、レーザビームによって材
料がある温度以上に加熱されると、上方位置又は下方位
置のいずれかに磁化される。記録されたデータは、媒体
で反射されるような偏光を供与する低パワーレーザビー
ムを用いることによって、媒体から読み取られる。媒体
の磁化方向の違いによって、偏光面は一方又は他方の方
向へ回転させられる。これはカー（Ｋｅｒｒ）効果とし
て知られている。この回転における差異がデータ１及び
ゼロとして検出される。
【０００３】光磁気記録に対して、位相変化記録は、媒
体の反射率における差異を直接利用してデータを検出す
る。位相変化媒体は通常、透明基板、下塗り層、アクテ
ィブ層及び上塗り層を含む。アクティブ層すなわち記録
層は、結晶状態、液相状態及びアモルファス状態を有す
る。アクティブ層は始めは結晶状態である。アモルファ
ス状態の形成は、アクティブ層の一部又はスポットを高
パワーレーザパルスで短時間その融点よりも高い温度へ
加熱し、液相状態へ変化させることによって行われる。 スポットが十分急速に冷却されると、アモルファス状態
に変化する。アモルファススポットがより低パワーのレ
ーザで加熱されると、アモルファス材料はその結晶状態
に戻る。媒体を読み取るために、非常に低パワーのレー
ザがアクティブ層から反射される。結晶状態はアモルフ
ァス状態よりも高い反射率を有し、この反射率における
差異がデータ１及びゼロとして検出される。
体の反射率における差異を直接利用してデータを検出す
る。位相変化媒体は通常、透明基板、下塗り層、アクテ
ィブ層及び上塗り層を含む。アクティブ層すなわち記録
層は、結晶状態、液相状態及びアモルファス状態を有す
る。アクティブ層は始めは結晶状態である。アモルファ
ス状態の形成は、アクティブ層の一部又はスポットを高
パワーレーザパルスで短時間その融点よりも高い温度へ
加熱し、液相状態へ変化させることによって行われる。 スポットが十分急速に冷却されると、アモルファス状態
に変化する。アモルファススポットがより低パワーのレ
ーザで加熱されると、アモルファス材料はその結晶状態
に戻る。媒体を読み取るために、非常に低パワーのレー
ザがアクティブ層から反射される。結晶状態はアモルフ
ァス状態よりも高い反射率を有し、この反射率における
差異がデータ１及びゼロとして検出される。
【０００４】光学媒体に関する先行技術のいくつかの例
として、米国特許第４、２１６、５０１号、米国特許第
４、５７６、８９５号、米国特許第４、６３５、２４５
号、米国特許第４、６４４、５１９号、米国特許第４、
６６０、１７５号、米国特許第４、７０９、３６３号、
米国特許第４、７１９、５９４号、及び米国特許第４、
８３９、８８３号が挙げられる。
として、米国特許第４、２１６、５０１号、米国特許第
４、５７６、８９５号、米国特許第４、６３５、２４５
号、米国特許第４、６４４、５１９号、米国特許第４、
６６０、１７５号、米国特許第４、７０９、３６３号、
米国特許第４、７１９、５９４号、及び米国特許第４、
８３９、８８３号が挙げられる。
【０００５】これら先行技術の位相変化媒体が遭遇した
１つの問題は、そのサイクル寿命が非常に制限されると
いう点である。ある回数の書込み及び消去サイクルの後
、媒体は劣化し始め、もはや信頼性のある書込み又は読
込みが不可能となる。書込み（アモルファス化）プロセ
スの間に繰り返し高温にさらされることが、この有限サ
イクル寿命の原因であると信じられている。
１つの問題は、そのサイクル寿命が非常に制限されると
いう点である。ある回数の書込み及び消去サイクルの後
、媒体は劣化し始め、もはや信頼性のある書込み又は読
込みが不可能となる。書込み（アモルファス化）プロセ
スの間に繰り返し高温にさらされることが、この有限サ
イクル寿命の原因であると信じられている。
【０００６】ディスクが書き込まれる（アモルファス化
される）とき、高パワーレーザの焦点が媒体上に合わせ
られる。媒体は始めは結晶状態である。媒体上に焦点を
合わせられたレーザ光は、ガウス型強度プロファイルを
有する。温度はディスク上のレーザスポットの中央部で
最も高く、溶融スポット縁部は媒体の融点である。一般
に、書き込まれたスポットの直径は、溶融スポットの直
径に等しく、またレーザビーム強度の半値全幅（ｆｕｌ
ｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷ
ＨＭ）とほぼ等しい。スポット中央部は、融点の２倍以
上の温度に達する。
される）とき、高パワーレーザの焦点が媒体上に合わせ
られる。媒体は始めは結晶状態である。媒体上に焦点を
合わせられたレーザ光は、ガウス型強度プロファイルを
有する。温度はディスク上のレーザスポットの中央部で
最も高く、溶融スポット縁部は媒体の融点である。一般
に、書き込まれたスポットの直径は、溶融スポットの直
径に等しく、またレーザビーム強度の半値全幅（ｆｕｌ
ｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷ
ＨＭ）とほぼ等しい。スポット中央部は、融点の２倍以
上の温度に達する。
【０００７】異なる状態の反射率における差異によって
、温度に関する付加的な問題が生じる。もしアクティブ
層がＧＴＳとして知られる（ＧｅＴｅ）８５Ｓｎ１５で
あれば、融点は７２５°Ｃである。ＧＴＳのアモルファ
ス状態の反射率は、結晶状態の４９％に較べて、２８％
に過ぎない。液相状態の反射率は、アモルファス状態の
反射率とほぼ等しい。これは、一旦スポットが液相又は
溶融状態になると、より多くの光を吸収し、より一層熱
くなることを意味する。
、温度に関する付加的な問題が生じる。もしアクティブ
層がＧＴＳとして知られる（ＧｅＴｅ）８５Ｓｎ１５で
あれば、融点は７２５°Ｃである。ＧＴＳのアモルファ
ス状態の反射率は、結晶状態の４９％に較べて、２８％
に過ぎない。液相状態の反射率は、アモルファス状態の
反射率とほぼ等しい。これは、一旦スポットが液相又は
溶融状態になると、より多くの光を吸収し、より一層熱
くなることを意味する。
【０００８】ＧＴＳで作製された媒体では、スポット中
央部の温度は１７４０°Ｃであると推定される。この温
度では、アクティブ層の蒸気圧のために媒体が沸騰し、
汚染物が、フィルム上に応力を生じさせる重要な因子と
なる。また、熱膨張の差異が重要になる。これらのいず
れかが、媒体の異層間の１つの界面で層間剥離を生じさ
せる原因となり得る。書込み及び消去のこの繰り返しプ
ロセスが媒体の寿命を制限する。
央部の温度は１７４０°Ｃであると推定される。この温
度では、アクティブ層の蒸気圧のために媒体が沸騰し、
汚染物が、フィルム上に応力を生じさせる重要な因子と
なる。また、熱膨張の差異が重要になる。これらのいず
れかが、媒体の異層間の１つの界面で層間剥離を生じさ
せる原因となり得る。書込み及び消去のこの繰り返しプ
ロセスが媒体の寿命を制限する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、改良されたサイクル寿命を有する位相変化媒体を提
供することである。
は、改良されたサイクル寿命を有する位相変化媒体を提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に従う光学位相変化媒体は、基板と、下塗り
層と、液相及び結晶状態を有するアクティブ層と、誘電
層と、反射層とを含む。アクティブ層は、入射光の透過
が可能である厚さを有する。誘電層は、アクティブ層を
通過する光が反射層によって反射されると共に、アクテ
ィブ層から直接反射される光と破壊的（ｄｅｓｔｒｕｃ
ｔｉｖｅｌｙ ）に干渉するような厚さを有する。これ
は、液相状態の反射率を結晶状態の反射率よりも高くす
る方法で行われる。その結果、溶融された媒体は光をあ
まり吸収しないので、媒体が書込みの間に経験する温度
は、大きく低下する。
に、本発明に従う光学位相変化媒体は、基板と、下塗り
層と、液相及び結晶状態を有するアクティブ層と、誘電
層と、反射層とを含む。アクティブ層は、入射光の透過
が可能である厚さを有する。誘電層は、アクティブ層を
通過する光が反射層によって反射されると共に、アクテ
ィブ層から直接反射される光と破壊的（ｄｅｓｔｒｕｃ
ｔｉｖｅｌｙ ）に干渉するような厚さを有する。これ
は、液相状態の反射率を結晶状態の反射率よりも高くす
る方法で行われる。その結果、溶融された媒体は光をあ
まり吸収しないので、媒体が書込みの間に経験する温度
は、大きく低下する。
【００１１】本発明の本質及び利点は、図面と共に以下
の詳細な記載を参照することによって、より一層理解で
きるであろう。
の詳細な記載を参照することによって、より一層理解で
きるであろう。
【００１２】
【実施例】図１は、広く参照番号１０で示される、先行
技術の光学位相変化媒体の一例の略断面図を示す。媒体
１０は、ガラス又はポリカーボネートのような透明プラ
スチックから成る基板１２を含む。基板１２の厚さは、
一般に１．２ｍｍである。任意の下塗り層１３が基板１
２上に配置される。層１３は誘電材料で作製され、その
厚さは一般に２０００Åである。
技術の光学位相変化媒体の一例の略断面図を示す。媒体
１０は、ガラス又はポリカーボネートのような透明プラ
スチックから成る基板１２を含む。基板１２の厚さは、
一般に１．２ｍｍである。任意の下塗り層１３が基板１
２上に配置される。層１３は誘電材料で作製され、その
厚さは一般に２０００Åである。
【００１３】層１３上部に、アクティブ層１４が配置さ
れる。アクティブ層１４はカルコゲン化合物材料で作製
される。バルクすなわち通常の状態で、この材料は、ア
モルファス又は液相状態よりも反射性の高い結晶状態を
有する。換言すると、結晶状態のバルク反射率は、アモ
ルファス状態のバルク反射率よりも大きい。ＧＴＳはこ
のような材料の１つである。アクティブ層１４の厚さは
一般に４００Å−１０００Åである。
れる。アクティブ層１４はカルコゲン化合物材料で作製
される。バルクすなわち通常の状態で、この材料は、ア
モルファス又は液相状態よりも反射性の高い結晶状態を
有する。換言すると、結晶状態のバルク反射率は、アモ
ルファス状態のバルク反射率よりも大きい。ＧＴＳはこ
のような材料の１つである。アクティブ層１４の厚さは
一般に４００Å−１０００Åである。
【００１４】上塗り層１６がアクティブ層１４の上に配
置される。上塗り層１６は、ガラスのような高融点を有
する低熱伝導性誘電材料で作製され、その厚さは一般に
約２０００Åである。上塗り層１６は、アクティブ層が
液相である間、流出するのを抑制する。
置される。上塗り層１６は、ガラスのような高融点を有
する低熱伝導性誘電材料で作製され、その厚さは一般に
約２０００Åである。上塗り層１６は、アクティブ層が
液相である間、流出するのを抑制する。
【００１５】媒体１０に書き込む（媒体１０をアモルフ
ァス化する）ために、レーザビームは基板１２を通過し
てアクティブ層１４へ達する。アクティブ層１４は始め
は結晶状態にある。レーザは、アクティブ層上のスポッ
トをその融点以上に加熱し、液相状態へ変化させる。一
旦レーザ光が取り除かれると、スポットはアモルファス
状態へ冷却し、データは後にそこから読み取られる。Ｇ
ＴＳの融点は７２５°Ｃである。ＧＴＳは、液相状態及
び結晶状態において、６４７ｎｍ光をそれぞれ２８％及
び４９％反射させる。液相及び結晶状態の吸収率は、そ
れぞれ７２％及び５１％である。材料の反射率（Ｒ）と
吸収率（Ａ）との和は、１に等しい。ディスク上のレー
ザビームパターンは、ガウス型強度プロファイルを有す
る。すなわち、ビーム強度は、ディスク上のスポットの
中央部で最も強く、スポット縁部で最も弱い。
ァス化する）ために、レーザビームは基板１２を通過し
てアクティブ層１４へ達する。アクティブ層１４は始め
は結晶状態にある。レーザは、アクティブ層上のスポッ
トをその融点以上に加熱し、液相状態へ変化させる。一
旦レーザ光が取り除かれると、スポットはアモルファス
状態へ冷却し、データは後にそこから読み取られる。Ｇ
ＴＳの融点は７２５°Ｃである。ＧＴＳは、液相状態及
び結晶状態において、６４７ｎｍ光をそれぞれ２８％及
び４９％反射させる。液相及び結晶状態の吸収率は、そ
れぞれ７２％及び５１％である。材料の反射率（Ｒ）と
吸収率（Ａ）との和は、１に等しい。ディスク上のレー
ザビームパターンは、ガウス型強度プロファイルを有す
る。すなわち、ビーム強度は、ディスク上のスポットの
中央部で最も強く、スポット縁部で最も弱い。
【００１６】記録されたスポットの直径は、強度の半値
全幅（ＦＷＨＭ）、すなわち、光がビーム中央部におけ
る光の最高強度の半分の強度である位置における、ビー
ムパターンの直径とほぼ等しい。中央部における温度は
、縁部における融点の少なくとも２倍の温度である。 液相及び結晶状態の相対的吸収は、温度を更に大きく上
昇させる。結晶状態が液相状態へ変化すると、吸収率は
５１％から７２％へ大きく上昇する。その結果、ビーム
パターン中央部におけるＧＴＳの温度は１７４０°Ｃへ
達する。この温度では、媒体の劣化が生じると共に、サ
イクル寿命が制限される。
全幅（ＦＷＨＭ）、すなわち、光がビーム中央部におけ
る光の最高強度の半分の強度である位置における、ビー
ムパターンの直径とほぼ等しい。中央部における温度は
、縁部における融点の少なくとも２倍の温度である。 液相及び結晶状態の相対的吸収は、温度を更に大きく上
昇させる。結晶状態が液相状態へ変化すると、吸収率は
５１％から７２％へ大きく上昇する。その結果、ビーム
パターン中央部におけるＧＴＳの温度は１７４０°Ｃへ
達する。この温度では、媒体の劣化が生じると共に、サ
イクル寿命が制限される。
【００１７】本発明の結果、液相又はアモルファス状態
で吸収される光の割合（Ａｌ）を、結晶状態で吸収され
る光の割合（Ａｘ）に対して最小限にする構造体を得る
ことができた。この比Ａｌ／ＡｘはＡｒとして示される
。
で吸収される光の割合（Ａｌ）を、結晶状態で吸収され
る光の割合（Ａｘ）に対して最小限にする構造体を得る
ことができた。この比Ａｌ／ＡｘはＡｒとして示される
。
【００１８】Ａｒの最小限化の結果、レーザ照射の間、
溶融領域の温度上昇を減少させるような加熱速度調整が
行われる。アクティブ層が、結晶状態よりも液相状態に
おいて小さい光吸収を示す光学干渉構造の一部であるよ
うに、本発明の構造体は設計されている。これによって
、レーザ光は結晶状態をその融点までより速く加熱する
ことができる。材料が溶融すると、より高抵抗率を有す
るスポットの溶融部分はレーザ光をあまり吸収しなくな
るので、加熱速度は急速に減少する。スポットの溶融部
分は、スポットの周囲の未溶融結晶領域ほど速くは加熱
し続けない。
溶融領域の温度上昇を減少させるような加熱速度調整が
行われる。アクティブ層が、結晶状態よりも液相状態に
おいて小さい光吸収を示す光学干渉構造の一部であるよ
うに、本発明の構造体は設計されている。これによって
、レーザ光は結晶状態をその融点までより速く加熱する
ことができる。材料が溶融すると、より高抵抗率を有す
るスポットの溶融部分はレーザ光をあまり吸収しなくな
るので、加熱速度は急速に減少する。スポットの溶融部
分は、スポットの周囲の未溶融結晶領域ほど速くは加熱
し続けない。
【００１９】図２は、広く参照番号１００で示される、
本発明の光学位相変化媒体の略断面図を示す。媒体１０
０は、ガラス又はポリカーボネート等の透明プラスチッ
クから成る基板１０２を含む。基板として用いられる他
の材料は、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポ
リオレフィン、ポリカーボネート／ポリスチレンのブレ
ンド、エポキシ、ポリカーボネート／モノマーのブレン
ド、及びメチルメタクリレートのブレンドを含む。基板
１００の厚さは、好ましくは１．２ｍｍである。任意の
下塗り層１０３は基板１０２上に配置される。層１０３
の好ましい具体例は、ガラス又は他の適切な誘電材料か
ら作製され、その厚さは好ましくは１５００から３５０
０Åである。
本発明の光学位相変化媒体の略断面図を示す。媒体１０
０は、ガラス又はポリカーボネート等の透明プラスチッ
クから成る基板１０２を含む。基板として用いられる他
の材料は、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポ
リオレフィン、ポリカーボネート／ポリスチレンのブレ
ンド、エポキシ、ポリカーボネート／モノマーのブレン
ド、及びメチルメタクリレートのブレンドを含む。基板
１００の厚さは、好ましくは１．２ｍｍである。任意の
下塗り層１０３は基板１０２上に配置される。層１０３
の好ましい具体例は、ガラス又は他の適切な誘電材料か
ら作製され、その厚さは好ましくは１５００から３５０
０Åである。
【００２０】アクティブ層１０４が層１０３の上部に配
置される。アクティブ層１０４はＧＴＳ等のカルコゲン
化合物材料から作製される。好ましい具体例において、
層１０４の厚さは１００Åである。
置される。アクティブ層１０４はＧＴＳ等のカルコゲン
化合物材料から作製される。好ましい具体例において、
層１０４の厚さは１００Åである。
【００２１】層１０４の上部には透明誘電層１０６が配
置される。誘電層１０６は７０５９ガラス又は他の適切
な誘電材料で作製され、その好ましい具体例における厚
さは１７５０Åである。
置される。誘電層１０６は７０５９ガラス又は他の適切
な誘電材料で作製され、その好ましい具体例における厚
さは１７５０Åである。
【００２２】層１０６の上部に反射層１０８が配置され
る。反射層１０８は、アルミニウム、銀又は銅等の金属
材料、あるいは他のより高反射性材料から作製される。 好ましい具体例において、反射層１０８の厚さは１００
０Åである。
る。反射層１０８は、アルミニウム、銀又は銅等の金属
材料、あるいは他のより高反射性材料から作製される。 好ましい具体例において、反射層１０８の厚さは１００
０Åである。
【００２３】層１０８の上部には上塗り層１１０が配置
される。層１１０の好ましい具体例はガラス又は他の適
切な誘電材料から作製され、その厚さは１ｍｍである。
される。層１１０の好ましい具体例はガラス又は他の適
切な誘電材料から作製され、その厚さは１ｍｍである。
【００２４】媒体１００は、各連続層１０３−１０８を
基板１０２上へ蒸着又はスパッタリングすることによっ
て作製される。次に、層１０８の上部に保護層１１０が
付着される。層１１０は層１０８へ適切な接着剤によっ
て取付けられる。
基板１０２上へ蒸着又はスパッタリングすることによっ
て作製される。次に、層１０８の上部に保護層１１０が
付着される。層１１０は層１０８へ適切な接着剤によっ
て取付けられる。
【００２５】実行において、レーザ光は基板１０２及び
層１０３を通過し、アクティブ層１０４に達する。光の
一部は層１０４で反射され、一部は層１０４で吸収され
る。残った光は層１０４及び誘電層１０６を通過し、反
射層１０８で反射される。この反射光は、層１０６及び
１０４を通って逆戻りした後、層１０４から直接反射さ
れた光と破壊的に干渉する。層１０６及び１０８の材料
及び厚さを選択することによって、１より小さいＡｒ値
が得られる。換言すると、液相及び結晶状態の反射率が
、バルク値及び先行技術の値と逆転する。上記の好まし
い具体例の媒体では、液相及び結晶状態の反射率は、そ
れぞれ６０％及び３５％である。反射率におけるこの差
異は、標準型ディスクドライブによるデータ検出にとっ
て十分である。同時に、媒体が溶融すると液相状態はよ
り多くの光を反射すると共により少ない光しか吸収しな
くなるので、媒体は温度を自動的に制限することになる
。レーザ光が取り除かれると、媒体は液相状態とほぼ同
一の反射率を有するアモルファス状態へ冷却される。
層１０３を通過し、アクティブ層１０４に達する。光の
一部は層１０４で反射され、一部は層１０４で吸収され
る。残った光は層１０４及び誘電層１０６を通過し、反
射層１０８で反射される。この反射光は、層１０６及び
１０４を通って逆戻りした後、層１０４から直接反射さ
れた光と破壊的に干渉する。層１０６及び１０８の材料
及び厚さを選択することによって、１より小さいＡｒ値
が得られる。換言すると、液相及び結晶状態の反射率が
、バルク値及び先行技術の値と逆転する。上記の好まし
い具体例の媒体では、液相及び結晶状態の反射率は、そ
れぞれ６０％及び３５％である。反射率におけるこの差
異は、標準型ディスクドライブによるデータ検出にとっ
て十分である。同時に、媒体が溶融すると液相状態はよ
り多くの光を反射すると共により少ない光しか吸収しな
くなるので、媒体は温度を自動的に制限することになる
。レーザ光が取り除かれると、媒体は液相状態とほぼ同
一の反射率を有するアモルファス状態へ冷却される。
【００２６】図３は異なる吸収比（Ａｒ）における、誘
電層厚に対するアクティブ層厚のグラフを示す。図３で
使用された媒体構造は、ガラス基板、ＧＴＳアクティブ
層、７０５９ガラス誘電層及び１０００Å厚のアルミニ
ウム反射層である。任意の下塗り層は存在させなかった
。波長６４７ｎｍの光が基板を通ってアクティブ層上へ
垂直に入射されると仮定した。アクティブ層及び誘電層
の厚さを系統的に変化させて、各厚さの組合せ毎に比率
Ａｒを計算した。
電層厚に対するアクティブ層厚のグラフを示す。図３で
使用された媒体構造は、ガラス基板、ＧＴＳアクティブ
層、７０５９ガラス誘電層及び１０００Å厚のアルミニ
ウム反射層である。任意の下塗り層は存在させなかった
。波長６４７ｎｍの光が基板を通ってアクティブ層上へ
垂直に入射されると仮定した。アクティブ層及び誘電層
の厚さを系統的に変化させて、各厚さの組合せ毎に比率
Ａｒを計算した。
【００２７】図３に示されるＡｒの結果、アクティブ層
が厚くなるほど、液相状態においてより多くの光を吸収
する。Ａｒが１に等しい、アクティブ層の厚さの値と誘
電層の厚さの値とのセットがある。Ａｒ＝１のライン上
にある厚さのアクティブ層及び誘電層で構成される構造
は、液相及び結晶状態で同一の吸収率を有する。しかし
ながら、これはコントラストが観察されない領域である
。実行のために最も良い領域は、Ａｒが最小のところで
ある。図２において、薄いアクティブ層及びおよそ１６
００Åと１８００Åとの中間の厚さの誘電層にとっては
、Ａｒは０．６よりも小さい。その結果、照射スポット
の溶融部分の加熱速度は、周囲の結晶領域の６０％より
も遅くなる。これは、溶融領域の加熱速度が結晶領域よ
りも６０％増大する従来の構造（Ａｒ＝１．５）と対照
的である。
が厚くなるほど、液相状態においてより多くの光を吸収
する。Ａｒが１に等しい、アクティブ層の厚さの値と誘
電層の厚さの値とのセットがある。Ａｒ＝１のライン上
にある厚さのアクティブ層及び誘電層で構成される構造
は、液相及び結晶状態で同一の吸収率を有する。しかし
ながら、これはコントラストが観察されない領域である
。実行のために最も良い領域は、Ａｒが最小のところで
ある。図２において、薄いアクティブ層及びおよそ１６
００Åと１８００Åとの中間の厚さの誘電層にとっては
、Ａｒは０．６よりも小さい。その結果、照射スポット
の溶融部分の加熱速度は、周囲の結晶領域の６０％より
も遅くなる。これは、溶融領域の加熱速度が結晶領域よ
りも６０％増大する従来の構造（Ａｒ＝１．５）と対照
的である。
【００２８】図３から、もしアクティブ層の厚さを１０
０Åと選択すると、Ａｒを最小にするためには誘電層の
厚さは約１７５０Åでなければならないことがわかる。 液相及び結晶状態の反射率は、それぞれ６０％及び３５
％である。アモルファス状態の反射率は液相状態の反射
率とほぼ等しい。これらの反射率は、ディスクドライブ
によって実際に行われる検出のために、十分適当である
。これによって、フォーカス、トラッキング及びデータ
検出のために十分な光が反射されることが可能になると
共に、データの書込み及び消去のために非常に高いパワ
ーを必要とすることがなくなる。
０Åと選択すると、Ａｒを最小にするためには誘電層の
厚さは約１７５０Åでなければならないことがわかる。 液相及び結晶状態の反射率は、それぞれ６０％及び３５
％である。アモルファス状態の反射率は液相状態の反射
率とほぼ等しい。これらの反射率は、ディスクドライブ
によって実際に行われる検出のために、十分適当である
。これによって、フォーカス、トラッキング及びデータ
検出のために十分な光が反射されることが可能になると
共に、データの書込み及び消去のために非常に高いパワ
ーを必要とすることがなくなる。
【００２９】図４は、結晶及び液相の２つの状態におけ
る、誘電層の厚さに対する反射率のグラフを示す。使用
された媒体は、図３に関して記載したものと同一であり
、１００Å厚のＧＴＳアクティブ層を有する。誘電層の
厚さが１７５０Åの点で、液相状態の反射率と結晶状態
の反射率との差異は最大である。
る、誘電層の厚さに対する反射率のグラフを示す。使用
された媒体は、図３に関して記載したものと同一であり
、１００Å厚のＧＴＳアクティブ層を有する。誘電層の
厚さが１７５０Åの点で、液相状態の反射率と結晶状態
の反射率との差異は最大である。
【００３０】図５は誘電層の厚さに対するコントラスト
比のグラフを示す。使用した媒体は図４に関して記載さ
れたものと同一である。コントラスト比とは、アモルフ
ァス状態の反射率（ＲＡ）から結晶状態の反射率（ＲＸ
）を減じた値を、アモルファス及び結晶状態の反射率の
和で除して得られた値のことである。コントラスト比は
、書込みを行われた後のディスクを読み取ることによっ
て決定される。従って、アモルファス状態及び液相でな
い状態が存在する。しかしながら、アモルファス状態の
反射率は液相状態の反射率にほぼ等しい。１７５０Å誘
電層厚では、最大コントラスト値０．２が得られる。
比のグラフを示す。使用した媒体は図４に関して記載さ
れたものと同一である。コントラスト比とは、アモルフ
ァス状態の反射率（ＲＡ）から結晶状態の反射率（ＲＸ
）を減じた値を、アモルファス及び結晶状態の反射率の
和で除して得られた値のことである。コントラスト比は
、書込みを行われた後のディスクを読み取ることによっ
て決定される。従って、アモルファス状態及び液相でな
い状態が存在する。しかしながら、アモルファス状態の
反射率は液相状態の反射率にほぼ等しい。１７５０Å誘
電層厚では、最大コントラスト値０．２が得られる。
【００３１】図６は誘電層の厚さに対する吸収比（Ａｒ
）のグラフを示す。媒体は、図４に関して記載されたも
のと同様である。
）のグラフを示す。媒体は、図４に関して記載されたも
のと同様である。
【００３２】いくつかの先行技術、例えば、米国特許第
４、２１６、５０１号においても、アクティブ層の背後
に誘電層及び反射層が使用されている。しかし、これら
先行技術のデバイスは全て、Ａｒ＞１であり、事実、デ
ータを１及びゼロにより良く識別するためにＡｒを最大
にするように設計されている。しかしながら、Ａｒを最
大にすることによって液相状態は結晶状態よりもはるか
に多くの光を吸収するので、先行技術の媒体は、先に論
議した温度に関する問題を持つ。
４、２１６、５０１号においても、アクティブ層の背後
に誘電層及び反射層が使用されている。しかし、これら
先行技術のデバイスは全て、Ａｒ＞１であり、事実、デ
ータを１及びゼロにより良く識別するためにＡｒを最大
にするように設計されている。しかしながら、Ａｒを最
大にすることによって液相状態は結晶状態よりもはるか
に多くの光を吸収するので、先行技術の媒体は、先に論
議した温度に関する問題を持つ。
【００３３】これに対して本発明は、Ａｒを最小にする
ためにアクティブ層、誘電層及び反射層の光学的性質を
利用する。本発明のアクティブ層の液相状態は、結晶状
態よりもはるかに少ない光しか吸収しない。これによっ
て温度に関する問題が解決され、より長い寿命を有する
媒体が可能になる。
ためにアクティブ層、誘電層及び反射層の光学的性質を
利用する。本発明のアクティブ層の液相状態は、結晶状
態よりもはるかに少ない光しか吸収しない。これによっ
て温度に関する問題が解決され、より長い寿命を有する
媒体が可能になる。
【００３４】誘電層の厚さは、液相状態の結晶状態に対
する光吸収比率（Ａｒ）を最小にするように選択される
。この厚さはλ／２ｎの整数倍で増加させてもよく（こ
こで、λは波長、ｎは誘電層１０６の屈折率である）、
それでもなお光学的効果が得られる（Ａｒ＜１）。光学
的干渉によって液相及び結晶状態の反射率をそのバルク
値から逆転させるために十分薄い厚さであるならば、製
造上の問題を満足するようにアクティブ層の厚さを調整
することが可能である。
する光吸収比率（Ａｒ）を最小にするように選択される
。この厚さはλ／２ｎの整数倍で増加させてもよく（こ
こで、λは波長、ｎは誘電層１０６の屈折率である）、
それでもなお光学的効果が得られる（Ａｒ＜１）。光学
的干渉によって液相及び結晶状態の反射率をそのバルク
値から逆転させるために十分薄い厚さであるならば、製
造上の問題を満足するようにアクティブ層の厚さを調整
することが可能である。
【００３５】本発明は、好ましい具体例で特定された材
料とは異なる材料も対象とする。アクティブ層厚及び誘
電層厚を選択するための手順は同一である。液相及び結
晶状態の光吸収比の計算は、選択された材料の光学定数
を用いて行う。層の厚さはこの比を最小にするように選
択される。反射層には、高反射率を有するどんな鏡面材
料でも使用可能である。例えば、アルミニウム、銀、金
、銅、白金及びクロムなどである。
料とは異なる材料も対象とする。アクティブ層厚及び誘
電層厚を選択するための手順は同一である。液相及び結
晶状態の光吸収比の計算は、選択された材料の光学定数
を用いて行う。層の厚さはこの比を最小にするように選
択される。反射層には、高反射率を有するどんな鏡面材
料でも使用可能である。例えば、アルミニウム、銀、金
、銅、白金及びクロムなどである。
【００３６】図７は、異なる反射層材料毎の、ＧＴＳア
クティブ層の厚さに対する最小吸収比のグラフを示す。 媒体は、ガラス基板、ＧＴＳアクティブ層、１７５０Å
厚の７０５９ガラス誘電層及び１０００Å厚の反射層を
有する。銀は最も低いＡｒ値を与える。例えば、アルミ
ニウム反射層を銀で置き換える以外は構造を同一に保つ
と、１００Å厚のアクティブ層に対して、より低いＡｒ
値０．４１が得られる。溶融状態の加熱速度は、結晶状
態の加熱速度の４１％である。
クティブ層の厚さに対する最小吸収比のグラフを示す。 媒体は、ガラス基板、ＧＴＳアクティブ層、１７５０Å
厚の７０５９ガラス誘電層及び１０００Å厚の反射層を
有する。銀は最も低いＡｒ値を与える。例えば、アルミ
ニウム反射層を銀で置き換える以外は構造を同一に保つ
と、１００Å厚のアクティブ層に対して、より低いＡｒ
値０．４１が得られる。溶融状態の加熱速度は、結晶状
態の加熱速度の４１％である。
【００３７】光学的干渉を生じさせるために適度の透明
性を有する限りは、多くの材料が誘電層として使用可能
である。いくつかの材料は、ＳｉＯ２ 、ＺｎＳ，Ｍｇ
Ｆ２ 及びＡｌ２ Ｏ３ 又はこれらの混合物を含む。
性を有する限りは、多くの材料が誘電層として使用可能
である。いくつかの材料は、ＳｉＯ２ 、ＺｎＳ，Ｍｇ
Ｆ２ 及びＡｌ２ Ｏ３ 又はこれらの混合物を含む。
【００３８】先行技術媒体のアクティブ層が１７４０°
Ｃもの温度に達することに注目した。銀反射板、１７５
０Å厚の７０５９ガラス誘電層及び１００Å厚のＧＴＳ
アクティブ層を有する本発明の構造を用いると、入射ビ
ームのＦＷＨＭ直径によって決定される縁部の温度が７
２５°Ｃになるときに、溶融スポット中央部における温
度は１０１５°Ｃにしか達しない。最高温度が７２５°
Ｃに低下したことは非常に重要であり、更に長い媒体寿
命をもたらす。これは、レーザパワーを減少させること
なく、また先行技術と同じ大きなスポットサイズを保持
することなく、達成される。
Ｃもの温度に達することに注目した。銀反射板、１７５
０Å厚の７０５９ガラス誘電層及び１００Å厚のＧＴＳ
アクティブ層を有する本発明の構造を用いると、入射ビ
ームのＦＷＨＭ直径によって決定される縁部の温度が７
２５°Ｃになるときに、溶融スポット中央部における温
度は１０１５°Ｃにしか達しない。最高温度が７２５°
Ｃに低下したことは非常に重要であり、更に長い媒体寿
命をもたらす。これは、レーザパワーを減少させること
なく、また先行技術と同じ大きなスポットサイズを保持
することなく、達成される。
【００３９】図８はアクティブ層上に焦点が合わせられ
たビームスポットの位置に対する温度のグラフを示す。 線１５０は先行技術媒体（Ａｒ＝１．５）を表す。１７
４０°Ｃの温度はスポット中央部で得られる。線１５２
は結晶及び液相状態の反射率が同一（Ａｒ＝１．０）で
ある媒体を表す。１４５０°Ｃの温度は中央部で得られ
る。線１５４は本発明の媒体１００（Ａｒ＝０．６）を
表す。中央部における温度は１０１５°Ｃにしか達しな
い。
たビームスポットの位置に対する温度のグラフを示す。 線１５０は先行技術媒体（Ａｒ＝１．５）を表す。１７
４０°Ｃの温度はスポット中央部で得られる。線１５２
は結晶及び液相状態の反射率が同一（Ａｒ＝１．０）で
ある媒体を表す。１４５０°Ｃの温度は中央部で得られ
る。線１５４は本発明の媒体１００（Ａｒ＝０．６）を
表す。中央部における温度は１０１５°Ｃにしか達しな
い。
【００４０】図９は、広く参照番号２００で示される、
データ記憶システムの略線図を示す。ドライブ２００は
本発明のディスク媒体と共に使用されるように設計され
ている。図示されているディスク２１０は、図２の媒体
１００と同様に作製される。
データ記憶システムの略線図を示す。ドライブ２００は
本発明のディスク媒体と共に使用されるように設計され
ている。図示されているディスク２１０は、図２の媒体
１００と同様に作製される。
【００４１】レーザダイオード２２０は、レンズのよう
な光学コリメータ２２２へ光を供給する。平行光は次に
偏光ビームスプリッタ２２４を通過すると共に、１／４
波長板２２６及び対物レンズ２２８を通るように方向付
けられている。対物レンズ２２８はディスク２１０上に
光の焦点を合わせる。
な光学コリメータ２２２へ光を供給する。平行光は次に
偏光ビームスプリッタ２２４を通過すると共に、１／４
波長板２２６及び対物レンズ２２８を通るように方向付
けられている。対物レンズ２２８はディスク２１０上に
光の焦点を合わせる。
【００４２】ディスク２１０から反射された光は、レン
ズ２２８、１／４波長板２２６及び偏光ビームスプリッ
タ２２４を通過して、検出レンズ２３０へ到達する。レ
ンズ２３０は光検出器２３２へリターン光の焦点を合わ
せる。光検出器２３２は受光した光強度の差異を検出す
る。この差異は、ディスク上に記録されたアモルファス
及び結晶領域に相当する。
ズ２２８、１／４波長板２２６及び偏光ビームスプリッ
タ２２４を通過して、検出レンズ２３０へ到達する。レ
ンズ２３０は光検出器２３２へリターン光の焦点を合わ
せる。光検出器２３２は受光した光強度の差異を検出す
る。この差異は、ディスク上に記録されたアモルファス
及び結晶領域に相当する。
【００４３】本発明において、アモルファス及び結晶状
態の反射率は先行技術のものと逆転する。検出器２３２
からの信号は、高速インバータ２４０を通過する。従っ
て、インバータ２４０から出てくる最終データ信号は、
先行技術のような通常の位相変化光ディスクドライブか
ら受信されるデータ信号と同様のものである。
態の反射率は先行技術のものと逆転する。検出器２３２
からの信号は、高速インバータ２４０を通過する。従っ
て、インバータ２４０から出てくる最終データ信号は、
先行技術のような通常の位相変化光ディスクドライブか
ら受信されるデータ信号と同様のものである。
【００４４】ドライブ２００における本発明のディスク
２１０の利用は、いくつかの利点を有する。書込みノイ
ズは、書込みデータスポットの位置又はサイズ変化の望
ましくない結果である。書込みノイズの１つの原因は、
予測できない温度変動である。これは、レーザパワー又
は媒体の光吸収が変化する結果である。本発明の反転構
造は、書込みノイズをそれほど感知しない。これは、液
相又はアモルファス状態が入射光をあまり多く吸収しな
いので、パワー又は光吸収の所定変動に対して少しの温
度変化（よってスポットサイズ変化）しか経験しないと
いう事実によるものである。
２１０の利用は、いくつかの利点を有する。書込みノイ
ズは、書込みデータスポットの位置又はサイズ変化の望
ましくない結果である。書込みノイズの１つの原因は、
予測できない温度変動である。これは、レーザパワー又
は媒体の光吸収が変化する結果である。本発明の反転構
造は、書込みノイズをそれほど感知しない。これは、液
相又はアモルファス状態が入射光をあまり多く吸収しな
いので、パワー又は光吸収の所定変動に対して少しの温
度変化（よってスポットサイズ変化）しか経験しないと
いう事実によるものである。
【００４５】ＧｅＴｅ又はＧｅＴｅＳｂのようなより急
速に結晶化する材料は、本発明のアクティブ層で使用す
ることができる。液相が到達する最高温度は従来構造ほ
ど高くないので、溶融スポットの冷却速度はより速くな
る。臨界ガラス転移温度へ冷却されて、アモルファス状
態へ急冷される前は、溶融スポットから少ししか熱が拡
散しないはずである。これによって、ＧｅＴｅ又はＧｅ
ＴｅＳｂのような材料は、急速に結晶化されるよりは、
アモルファス状態へ急冷される。本発明の以前は、これ
らの材料は非常に速く結晶化したので、アモルファス状
態へ変態することができなかった。従って、アクティブ
層で使用されるのに適さなかった。これらの材料を使用
したディスクはより速く回転することができ、より大き
な媒体速度を得ることができる。これによって、データ
を高速で記録することが可能となった。
速に結晶化する材料は、本発明のアクティブ層で使用す
ることができる。液相が到達する最高温度は従来構造ほ
ど高くないので、溶融スポットの冷却速度はより速くな
る。臨界ガラス転移温度へ冷却されて、アモルファス状
態へ急冷される前は、溶融スポットから少ししか熱が拡
散しないはずである。これによって、ＧｅＴｅ又はＧｅ
ＴｅＳｂのような材料は、急速に結晶化されるよりは、
アモルファス状態へ急冷される。本発明の以前は、これ
らの材料は非常に速く結晶化したので、アモルファス状
態へ変態することができなかった。従って、アクティブ
層で使用されるのに適さなかった。これらの材料を使用
したディスクはより速く回転することができ、より大き
な媒体速度を得ることができる。これによって、データ
を高速で記録することが可能となった。
【００４６】本発明の好ましい実施例の詳細を説明した
が、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸脱
することなく、これらの実施例に修正及び改正が行われ
得ることは当業者にとって明らかに違いない。
が、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸脱
することなく、これらの実施例に修正及び改正が行われ
得ることは当業者にとって明らかに違いない。
【００４７】
【発明の効果】本発明の光学記録媒体は、上述のように
、書込みの間に経験する温度が低下するため、改良され
たサイクル寿命を有することが可能である。
、書込みの間に経験する温度が低下するため、改良され
たサイクル寿命を有することが可能である。
【図１】先行技術の光学位相変化媒体の略断面図である
。
。
【図２】本発明の光学位相変化媒体の略断面図である。
【図３】異なる吸収比における誘電層厚に対するアクテ
ィブ層厚のグラフである。
ィブ層厚のグラフである。
【図４】本発明の誘電層厚に対する反射率のグラフであ
る。
る。
【図５】本発明の誘電層厚に対するコントラスト比のグ
ラフである。
ラフである。
【図６】本発明の誘電層厚に対する吸収比のグラフであ
る。
る。
【図７】本発明の様々な反射板材料毎の、誘電層厚に対
する最小吸収比のグラフである。
する最小吸収比のグラフである。
【図８】スポット位置に対する温度のグラフである。
【図９】本発明の媒体を用いるデータ記憶システムの略
線図である。
線図である。
１００ 光学位相変化媒体
１０２ 基板
１０３ 下塗り層
１０４ アクティブ層
１０６ 誘電層
１０８ 反射層
１１０ 上塗り層
２００ ドライブ
２１０ ディスク媒体
２２０ レーザダイオード
２２２ 光学コリメータ
２２４ 偏光ビームスプリッタ
２２６ １／４波長板
２２８ 対物レンズ
２３０ 検出レンズ
２３２ 光検出器
２４０ 高速インバータ
Claims (19)
- 【請求項１】 第１の状態と該第１の状態よりも高い
バルク反射率を持つ第２の状態とを有する材料を含むア
クティブ層と、媒体上の入射光に対して前記第１の状態
が前記第２の状態よりも高い反射率を有するような厚さ
である、前記アクティブ層を被覆する誘電層と、前記誘
電層を被覆する反射層と、を含む光学記録媒体。 - 【請求項２】 前記アクティブ層の一方の面に配置さ
れる基板を更に含む請求項１記載の光学記録媒体。 - 【請求項３】 前記アクティブ層が温度の変化によっ
て前記第２の状態から前記第１の状態へ転化する請求項
１記載の光学記録媒体。 - 【請求項４】 非結晶状態と結晶状態とを有する材料
で作製されるアクティブ層と、前記アクティブ層を被覆
する、実質的に透明な誘電層と、前記誘電層を被覆する
反射層と、を含む光学記録媒体であって、前記アクティ
ブ層を通過する光が前記反射層によって反射されると共
に前記アクティブ層から反射された光と破壊的に干渉す
るような厚さを前記誘電層が有する結果、前記非結晶状
態が前記結晶状態よりもより多くの光を反射するような
光学記録媒体。 - 【請求項５】 前記非結晶状態が液相状態である請求
項４記載の光学記録媒体。 - 【請求項６】 基板と、該基板と前記アクティブ層と
の間に配置される下塗り層と、前記反射層を被覆する上
塗り層と、を更に含む請求項４記載の光学記録媒体。 - 【請求項７】 前記アクティブ層がカルコゲン化合物
材料を含む請求項５記載の光学記録媒体。 - 【請求項８】 前記非結晶状態の吸収率を前記結晶状
態の吸収率で除した値が約０．６である請求項７記載の
光学記録媒体。 - 【請求項９】 前記誘電層が、前記非結晶状態と前記
結晶状態との反射率の差異が最大になるような厚さであ
る請求項４記載の光学記録媒体。 - 【請求項１０】 前記アクティブ層の厚さが約１００
Åであると共に、前記誘電層の厚さが約１７５０Åであ
る請求項４記載の光学記録媒体。 - 【請求項１１】 前記アクティブ層が（ＧｅＴｅ）８
５Ｓｎ１５で作製されると共に、前記誘電層がガラスで
作製される請求項４記載の光学記録媒体。 - 【請求項１２】 光学記録媒体を製造するための方法
であって、非結晶状態と結晶状態とを有する材料から作
製されるアクティブ層を、基板上へ付着させる工程と、
前記アクティブ層の非結晶状態が前記アクティブ層の結
晶状態よりもより多くの光を反射するような厚さを持つ
誘電層を、前記アクティブ層上へ付着させる工程と、前
記誘電層上へ反射層を付着させる工程と、を含む光学記
録媒体製造方法。 - 【請求項１３】 アクティブ層を付着させる前に、前
記基板上へ下塗り層を付着させる工程と、前記反射層上
へ上塗り層を取り付ける工程と、を更に含む請求項１２
記載の光学記録媒体製造方法。 - 【請求項１４】 前記誘電層の厚さが、前記非結晶状
態と前記結晶状態との反射率における差異がほぼ最大に
なるように定められる請求項１２記載の光学記録媒体製
造方法。 - 【請求項１５】 前記アクティブ層の厚さがほぼ１０
０Åであると共に、前記誘電層の厚さがほぼ１７５０Å
である請求項１２記載の光学記録媒体製造方法。 - 【請求項１６】 前記アクティブ層が（ＧｅＴｅ）８
５Ｓｎ１５で作製されると共に、前記誘電層がガラスで
作製される請求項１２記載の光学記録媒体製造方法。 - 【請求項１７】 光学データ記録ディスクドライブシ
ステムであって、基板、非結晶状態及び結晶状態を有す
る材料から成ると共に前記基板を被覆するアクティブ層
、前記アクティブ層を被覆する誘電層、及び前記誘電層
を被覆する反射層を含むと共に、前記結晶状態よりも前
記非結晶状態がより多くの光を反射するように前記誘電
層の厚さが定められている記録媒体と、平行化された第
１の光ビームを生成するための光発生手段と、前記第１
の光ビームを前記媒体へ方向付けるための光透過手段と
、前記第１の光ビームと前記媒体から反射された光ビー
ムとを受光すると共に、前記反射ビームから前記第ビー
ムを分離するための光分離手段と、前記光分離手段から
前記反射された光ビームを受光すると共に、それに応答
するデータ信号を発生するための光検出手段と、を含む
光学データ記録ディスクドライブシステム。 - 【請求項１８】 前記光検出手段へ接続された、前記
データ信号を反転するためのインバータを更に含む請求
項１７記載の光学データ記録ディスクドライブシステム
。 - 【請求項１９】 前記光透過手段及び光分離手段が、
偏光ビームスプリッタ、１／４波長板及びレンズを含む
請求項１７記載の光学データ記録ディスクドライブシス
テム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US55405290A | 1990-07-13 | 1990-07-13 | |
| US554052 | 1990-07-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229429A true JPH04229429A (ja) | 1992-08-18 |
| JP2750018B2 JP2750018B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=24211861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3135413A Expired - Lifetime JP2750018B2 (ja) | 1990-07-13 | 1991-04-17 | 光学記録媒体及び光学データ記録ディスクドライブシステム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0466670B1 (ja) |
| JP (1) | JP2750018B2 (ja) |
| DE (1) | DE69127411T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723410B2 (en) | 2000-06-16 | 2004-04-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
| KR100854953B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2008-08-28 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 재기록가능한 광학 데이터 저장매체와 이 매체의 용도 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69317459T2 (de) * | 1992-04-17 | 1998-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium und Verfahren zum Entwurf seiner Struktur |
| DE4302118A1 (de) * | 1993-01-27 | 1994-07-28 | Jenoptik Jena Gmbh | Anordnung zum Aufzeichnen, Speichern und Auslesen von Mikrostruktur-Informationen |
| JP2850754B2 (ja) * | 1994-05-20 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 相変化型光ディスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273756A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPH0233738A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Fujitsu Ltd | 光ディスク媒体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4718053A (en) * | 1984-11-09 | 1988-01-05 | Hitachi, Ltd. | Optical information apparatus and method of recording and erasing information |
| DE3675845D1 (de) * | 1985-08-15 | 1991-01-10 | Ibm | Optisches aufzeichnungsverfahren. |
| JPS6479973A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Sharp Kk | Digital signal reproducing device |
| JP2512087B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1996-07-03 | 株式会社日立製作所 | 光記録媒体および光記録方法 |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP3135413A patent/JP2750018B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-20 EP EP91850171A patent/EP0466670B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-20 DE DE69127411T patent/DE69127411T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273756A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPH0233738A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Fujitsu Ltd | 光ディスク媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723410B2 (en) | 2000-06-16 | 2004-04-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
| KR100854953B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2008-08-28 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 재기록가능한 광학 데이터 저장매체와 이 매체의 용도 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69127411T2 (de) | 1998-02-26 |
| JP2750018B2 (ja) | 1998-05-13 |
| EP0466670B1 (en) | 1997-08-27 |
| EP0466670A2 (en) | 1992-01-15 |
| DE69127411D1 (de) | 1997-10-02 |
| EP0466670A3 (en) | 1992-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2806274B2 (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| CA2220879C (en) | Optical data storage system with multiple write-once phase-change recording layers | |
| JP2512087B2 (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
| US5521901A (en) | Re-writable phase change type optical disk with suppressed recording mark distortion | |
| JP2000322770A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP2737666B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JP2812181B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JP4339999B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
| US5242784A (en) | System and method for optical phase change recording | |
| JP2750018B2 (ja) | 光学記録媒体及び光学データ記録ディスクドライブシステム | |
| US5449589A (en) | Method of making an optical information recording medium and method of recording/reproducing optical information | |
| JP3180813B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| US6845070B2 (en) | Initialization method for phase change type optical disc | |
| JP3639218B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JP2000187882A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4227278B2 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法およびその記録再生方法 | |
| JP3087454B2 (ja) | 光学的情報記録媒体およびその構造設計方法 | |
| JP3080844B2 (ja) | 相変化型光ディスク | |
| JP2000021016A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP2795057B2 (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP2002008265A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH06223413A (ja) | 光ディスク | |
| JPH08315416A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH06274938A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH11353708A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 14 |