JP2795057B2 - 光学情報記録媒体 - Google Patents

光学情報記録媒体

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JP2795057B2
JP2795057B2 JP4140815A JP14081592A JP2795057B2 JP 2795057 B2 JP2795057 B2 JP 2795057B2 JP 4140815 A JP4140815 A JP 4140815A JP 14081592 A JP14081592 A JP 14081592A JP 2795057 B2 JP2795057 B2 JP 2795057B2
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JP
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修一 大久保
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱履歴の違いにより誘
起される相変化にともなう光学定数の変化を利用して情
報の記録及び消去を行う光学情報記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光の照射によって情報の記録・消
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化型光ディスクなどが知られている。このう
ち、相変化型光ディスクでは、基板1上に下部保護層
2、記録層3、上部保護層4、反射層5がこの順に設け
られた図1に示すような4層構成が通常用いられる。情
報の記録消去は、レーザ光の照射による昇温・冷却の熱
履歴の違いによって誘起される記録層の非晶質・結晶間
などの相変化を利用して行われる。すなわち、記録層を
溶融し、急冷することにより非晶質化させ、記録を行
い、また、結晶化温度以上に一定時間保持することによ
り結晶化させ、消去を行う。下部保護層2、記録層3、
上部保護層4及び反射層5の膜厚は、感度、C/N、消
去率、書換え可能繰り返し回数などの観点から最適化さ
れる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】波長830nmの半導
体レーザを用いた書換え可能な光ディスクが現在市販さ
れているが、光ディスクにはさらなる高速化・高密度化
が要求されている。波長の短いレーザ光を用いること
は、高密度化の有力な手段の1つであるが、レーザ光の
短波長化に対して相変化光ディスクが有している大きな
問題点の1つは、結晶化温度以上に保持される時間が短
くなることである。つまり、情報の消去が確実に行えな
くなることである。したがって、情報の消去を確実に行
うには、レーザ光の短波長化にともない、上部保護層の
膜厚を十分に厚くしなければならない。その結果、従来
に比べ成膜時間が増加することになる。
【0004】さらに、短波長レーザに対して上部保護層
や反射層の膜厚を最適化した媒体では、長波長レーザに
対しては溶融後の冷却速度が小さくなり、記録層を非晶
質化させること、すなわち、情報の記録を行うことが困
難となる。その結果、現在市販されているドライブでは
記録を行うことができず、互換性を保つことができなく
なる。
【0005】本発明の目的は、波長の異なるレーザ光に
対して情報の記録・消去が可能な光学情報記録媒体を提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光の照
射による昇温・冷却の熱履歴の違いにより光学的性質の
変化する記録層を有し、基板上に下部保護層、記録層、
上部保護層、光反射層を順に積層した構造からなる光学
情報記録媒体において、前記上部保護層が、波長λ 1
対する消衰係数k 1 と波長λ 2 (λ 1 >λ 2 )に対する
消衰係数k 2 との間にk 1 <k 2 の関係を有して、波長
λ 1 ,波長λ 2 2種類のレーザ光に対して記録・消去
が可能なことを特徴としている。
【0007】
【0008】
【作用】830nmの光に対してはほとんど透明であ
り、500nm付近の光に対して吸収のある物質である
Si、Mg2 Si、Mg2 Ge、InAs等の物質を保
護層として用いると、波長500nmの光に対しては、
上部保護層で光を吸収し、温度が上昇するので、記録層
から反射層への熱の逃げが緩やかになり、記録層が結晶
化温度以上に保持される時間を長くすることができる。
【0009】また、波長830nmの光に対しては、上
部保護層で光の吸収がほとんどないので、記録層から反
射層への熱の逃げは大きく、十分な冷却速度を確保する
ことができる。
【0010】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0011】図1は、本発明に係る光学情報記録媒体の
一実施例の断面図である。本実施例は、基板1上に下部
保護層2、記録層3、上部保護層4、反射層5を順次積
層した構成となっており、基板1としてポリカーボネイ
ト(PC)を用い、下部保護層2としてSiNを100
nm、記録層3としてGe2 Sb2 Te5 を25nm、
上部保護層4としてMg2 Seを120nm、反射層5
としてAlを50nmを順次スパッタリングにより積層
して作成されている。Mg2 Seは600nm付近に吸
収端を有し、830nmの光に対しては透明である。
【0012】以上のような構成とすることにより、波長
500nm付近の光に対しては、上部保護層4で光を吸
収し、温度が上昇するので、記録層3から反射層5への
熱の逃げが緩やかになり、記録層3が結晶化温度以上に
保持される時間を長くすることができ、また、波長83
0nmの光に対しては、上部保護層4で光の吸収がほと
んどないので、記録層3から反射層5への熱の逃げは大
きく、十分な冷却速度を確保することができる。
【0013】上記ディスクを線速11.3m/sで回転
させ、波長830nmの半導体レーザ及び固体レーザの
2次高調波光を利用した波長532nmのレーザ光を用
いて記録消去を行った。
【0014】周波数2.12MHz、duty=50%
及び周波数8.47MHz、duty=50%の信号を
用いてオーバライトを行った結果を図2及び図3に示
す。830nmのレーザ光に対しては、記録パワ10m
W、消去パワ5〜6mWの時に、両周波数に対してC/
N45dB以上、消去率28dB以上の特性を示した。
また、532nmのレーザ光に対しては、記録パワ7m
W、消去パワ3〜4mWの時に、両周波数に対してC/
N48dB以上、消去率25dB以上の特性を示した。
【0015】このように、本実施例は、波長λ1 に対す
る消衰係数k1 と、波長λ2 (λ 1 >λ 2 に対する消
衰係数k2 との間に、k1 <k2 の関係を有する上部保
護層を用いることにより、異なる波長に対して記録消去
を行うことが可能になる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、波長λ1
に対する消衰係数k1 と、波長λ2 に対する消衰係数k
2 との間に、k1 <k2 の関係を有する保護層を用いる
ことにより、λ1 およびλ2 両波長に対して記録・消去
が可能になるという効果を有する。
【0017】また、上部保護層を厚くする必要がないの
で成膜時間の増加を防ぐことができるという効果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光学情報記録媒体の断面図である。
【図2】本発明の相変化光ディスクの830nmレーザ
光に対する記録消去特性を示す図である。
【図3】本発明の相変化光ディスクの532nmレーザ
光に対する記録消去特性を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2 下部保護層 3 記録層 4 上部保護層 5 反射層

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ光の照射による昇温・冷却の熱履歴
    の違いにより光学的性質の変化する記録層を有し、基板
    上に下部保護層、記録層、上部保護層、光反射層を順に
    積層した構造からなる光学情報記録媒体において、前記上部保護層が、波長λ 1 に対する消衰係数k 1 と波
    長λ 2 (λ 1 >λ 2 )に対する消衰係数k 2 との間にk
    1 <k 2 の関係を有して、波長λ 1 ,波長λ 2 2種類
    のレーザ光に対して記録・消去が可能なことを特徴とす
    る光学情報記録媒体。
JP4140815A 1992-06-02 1992-06-02 光学情報記録媒体 Expired - Lifetime JP2795057B2 (ja)

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JPH05334725A JPH05334725A (ja) 1993-12-17
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03286432A (ja) * 1990-03-31 1991-12-17 Taiyo Yuden Co Ltd 光情報記録媒体
JPH0562248A (ja) * 1991-09-04 1993-03-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 2波長使用光デイスク媒体
JP2650559B2 (ja) * 1992-02-28 1997-09-03 日本ビクター株式会社 光記録媒体

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JPH05334725A (ja) 1993-12-17

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