JPH07262612A

JPH07262612A - 相変化形光情報記録媒体

Info

Publication number: JPH07262612A
Application number: JP6053496A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Suzuki; 克己鈴木; Masafumi Yokota; 雅史横田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-03-24
Filing date: 1994-03-24
Publication date: 1995-10-13

Abstract

(57)【要約】【目的】比較的簡単な構成で非晶質部と結晶部の吸収率
を逆転させて、変調歪の発生を防止し、もって古いマー
クの上に新しいマークを形成したときにも、マークが歪
むことなく綺麗に形成される相変化形光ディスクを提供
する。【構成】透光性基板４１上に形成した第１の誘電体膜４
２と、第１の誘電体膜上に形成し、光ビームの選択的照
射によって非晶質と結晶質とに可逆的に相変化を生じ、
非晶質と結晶質との相変化により記録する相変化記録膜
４３と、この記録膜上に形成した第２の誘電体膜４４
と、この第２の誘電体膜上に形成した第３の誘電体膜４
５とを備え、相変化記録膜の光ビームに対する非晶質の
吸収率が結晶質の吸収率以下であることを特徴とする相
変化形光情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレーザビーム等の光ビー
ムを照射することにより、記録膜の反射率の変化を引き
起こして記録を行う光情報記録媒体（光ディスク）に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報の大容量化に伴い、これを保
存するメモリとして光ディスクが注目を浴びている。光
ディスクは直径約１μｍに集光したレーザビームにより
記録膜上に同じサイズの記録マークを形成するため極め
て高密度の記録が可能である。

【０００３】光ディスクは、ＣＤやＬＤで代表される再
生専用型、電子ファイリング装置等で代表される１回書
き込みのみ可能な追記型とＨＤＤやＦＤＤと同じように
書換可能なリライタブル型に大別される。更にリライタ
ブル型の光ディスクは、垂直磁化膜に対して、磁界とレ
ーザビームを照射して記録・消去を行う光磁気記録方式
とレーザビームの照射により、記録膜を非晶質と結晶質
とに選択的に変化させれることにより記録・消去を行う
相変化記録方式（Phase Change）とがある。相変化光デ
ィスクの記録膜は、照射されたレーザ光の強弱のみに依
存して、非晶質又は結晶質になる。

【０００４】図７は、従来の相変化型光情報記録媒体
（相変化光ディスク）の断面図である。この光ディスク
は、透明基板１上に誘電体膜２、相変化記録膜３、誘電
体膜４、金属反射膜５をこの順に積層した膜構成になっ
ている。

【０００５】記録膜３は、レーザ光６等の光ビームの照
射によって、膜中の温度が記録膜材料の融点を越えた場
合、記録膜は溶融し冷却後非晶質状態の記録マーク７を
形成する。非晶質マーク部は周囲の結晶質部８と光学定
数が異なることから、弱いレーザ光の照射すると反射光
量の違いとして検出することができる。非晶質マーク７
を消去するためには、レーザ光６の照射強度を弱め、記
録膜中の温度が結晶化温度より上でかつ融点よりも下に
なるように設定する。このことにより、非晶質のマーク
部は再び結晶化され、周囲の結晶部と光学的に区別がつ
かなくなり、消去される。相変化光ディスクは、記録膜
のどの部分が非晶質になり、結晶質になるかは、照射さ
れたレーザ光の強弱にのみ依存し、レーザ光を走査する
前の記録膜の記録状態とは無関係であるため、レーザ光
の強弱変調によって重ね書き（以下オーバライトと記
す）が可能であるという利点がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】相変化光ディスクは、
オーバライトを行うと、本来はレーザ光を走査する前の
記録膜の履歴に依存することなく、新しい情報が重ね書
きされて、古いマーク情報の痕跡が無くなっていなけれ
ばならない。しかし、実際には記録膜の履歴若干依存し
て、新しく書いたマークが古いマークの痕跡によって歪
んでしまうことである。このことは特にディスクの回転
数が速くなるにつれて顕著になることが判明している。

【０００７】この原因は、一般的に図７の膜構成の相変
化光ディスクでは、レーザ光に対して非晶質部分の吸収
係数が、結晶質の吸収係数より大きくなってしまうこと
であると考えられる。すなわち、図８のＡに示すよう
に、古い記録マーク１２の上に新しいマークを書くため
にパルスレーザの集光されたスポット１１、１３を走査
すると、古いマーク１２とパルス集光スポットが重なら
ない時は問題ないが、古いマーク１２とパルス集光スポ
ット１３が重なった部分１３ａ、１３ｂでは、古いマー
クの内側は非晶質であるため、周囲の結晶質よりもレー
ザ光吸収係数が大きいことから、図８のＢに示すよう
に、記録膜内の温度上昇をグラフにすると、１３ａ，１
３ｂに相当する部分のみがより多くのレーザ光を吸収し
てしまい、その分温度が高くなってしまう。結果的に
は、新しく形成された非晶質マークは図８のＣに示すよ
うに、古いマークとパルス集光スポットが重ならないで
出来たマーク１４は綺麗に形成されるが、重なって出来
たマーク１５、１６は重なった部分が膨れて歪んでしま
う（以後、変調歪と記す。）このような変調歪は、実際上は記録マークから信号を再
生する時、再生信号も歪んで、結果的には２値化時にジ
ッターが大きくなるという問題を生じた。

【０００８】この問題を解決するために、反射膜５の膜
厚を薄く設定する方法が提案されている。すなわち、図
７は、相変化光ディスクにレーザ光を照射したときの一
般的な、透過、反射、吸収の様子を示す。入射レーザ光
の総光量Ｉは、透明な基板１や誘電体膜２ではほとんど
吸収されず、記録膜３では、吸収される分Ａｌと反射さ
れる分Ｒ１とそのほか（透過分）になる。記録膜３を透
過したレーザ光は、透明な誘電体膜４を透過後、反射膜
５で反射分Ｒ２と透過分Ｔとなる。反射分Ｒ２の内記録
膜３を通過するとき再度Ａ２だけ吸収される。Ａ１とＡ
２を加えたものをＡとし、Ｒ１とＲ２を加えたものをＲ
とすると、入射総光量Ｉは、ＡとＲとＴを加えたものに
等しいからＩ＝Ａ＋Ｒ＋Ｔである。

【０００９】一般に、金属反射膜５は、再生信号を増幅
する目的ではほとんど全反射するくらい厚く設定されて
いるため、事実上Ｔは０である。従って、図９のＡに示
すごとく、入射総光Ｉは、反射Ｒと吸収Ａを加えたもの
である。この図からも明かなように記録膜の吸収を変化
させるためには、透過量を増やせば図９のＢに示すごと
く、相対的に吸収を小さくできる。反射膜５の膜厚を薄
く設定することにより、透過量を増やすことができる。
しかしこの場合、膜厚のコントロールが難しく量産には
不向きである。

【００１０】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、金属反射膜に代えて誘電体膜を設け、レーザ光に対
する非晶質マーク内の吸収率を周囲の結晶質の吸収率と
同じか、または小さくなるように膜構成を設計すること
により、古いマークの上に新しいマークを形成したとき
にも、変調歪が生じずに綺麗に形成される相変化形光情
報記録媒体を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の相変化形光情報
記録媒体は、透光性基板上に形成した第１の誘電体膜
と、第１の誘電体膜上に形成し、光ビームの選択的照射
によって非晶質と結晶質とに可逆的に相変化を生じ、非
晶質と結晶質との相変化により記録する相変化記録膜
と、この記録膜上に形成した第２の誘電体膜と、この第
２の誘電体膜上に形成した第３の誘電体膜とを備え、相
変化記録膜の光ビームに対する非晶質の吸収率が結晶質
の吸収率以下となるように層構成している。具体的に
は、第３の誘電体膜の屈折率は、第２の誘電体膜の屈折
率より大きく、屈折率を２よりも大きくし、さらに各層
の材質は第１の誘電体膜がＺｎＳとＳｉＯ₂ の混合膜か
ら成り、相変化記録膜がＧｅＳｂＴｅの３元合金からな
り、第２の誘電体膜が前記ＺｎＳとＳｉＯ₂ の混合膜か
ら成り、第３の誘電体膜がＣｅＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ｔｉ
Ｏ₂ 、及びＡｌＮの群から選択された材料からなる。

【００１２】

【作用】この相変化光ディスクによれば、パルス集光ス
ポットを走査して古い記録マークの上に新しいマークを
書くと、古いマークとパルス集光スポットが重なった場
合、古いマークの内側は非晶質であり、周囲は結晶質で
あるが、非晶質のレーザ光吸収率が周囲の結晶質のレー
ザ光吸収率以下であるので、記録膜内の温度上昇をグラ
フにすると、古いマークとパルス集光スポットが重なっ
た部分にレーザ光が多く吸収されることはない。すなわ
ち、古いマークとパルス集光スポットが重なった部分の
温度が高くなってしまうことはない。その結果、新しく
形成された非晶質マークは、綺麗に形成される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
発明の相変化光ディスクの膜構成を示す。透明基板４１
上に誘電体膜４２、記録膜４３、誘電体膜４４及び誘電
体膜４２や４４よりも高い屈折率を有する誘電体膜４５
をこの順に積層した構成になっている。

【００１４】透明基板４１としては、一般にガラスやポ
リカーボネート、アクリル、ポリオレフィン等の樹脂が
用いられ、厚さとしては通常、１．２ｍｍ、１．５ｍ
ｍ、０．６ｍｍが一般的である。

【００１５】記録膜４３の相変化材料としては、ＧｅＴ
ｅ、Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ 、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｂ、ＧｅＳｂＴ
ｅ、ＩｎＳｂＴｅ等が知られている。記録膜３の厚さと
しては、レーザ光照射によって穴が明かないほど厚く、
加熱が容易であるくらい薄いことが必要で、通常５ｎｍ
から２００ｎｍに設定される。

【００１６】第１、第２誘電体膜４２、４４の役割は３
つあり、１つは、レーザ光６による記録時に記録膜４３
は溶融し液状となるが、この時記録膜材料が蒸発して穴
が形成されるのを防いでいる。２つめは、特に誘電体膜
４の役割であるが、弱いレーザ光による再生時に、反射
膜５から反射されてくるレーザ光と記録膜３で反射され
るレーザ光とを光学的に干渉させて、再生信号をエンハ
ンス（増大）させる効果がある。３つめは、これも特に
誘電体膜４の役割だが、レーザ光照射による記録時に、
記録膜中で発生した熱を熱伝導率が良い金属反射膜５へ
できるだけ逃がすことによって、記録膜を急冷し、非晶
質のマークを形成し易くする。（非晶質、いわゆるガラ
ス状態は、材料を融点以上に加熱し液状化した後、急冷
＝クゥエンチングすることで、液化したランダム構造を
そのまま凍結することで形成される。誘電体膜４２、４
４の材料としては、高温で熱的に安定であり、かつ、干
渉効果を大きくするために、光学的屈折率が比較的大き
な材料、例えば、ＳｉＯ₂、ＺｎＳ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｓｉ
Ｎ、あるいはこれらの混合物（ＺｎＳ）（ＳｉＯ₂）等
が一般的に使われている。誘電体膜４２、４４は材質は
同じであっても良い。誘電体膜２の厚さとしては、通
常、記録膜３の温度上昇によって基板がダメージを受け
ないよう、通常、２０ｎｍから５００ｎｍに設定され
る。誘電体膜４の厚さは、記録膜が溶融穴明きを防止す
るくらい厚く、光学的干渉が可能で、かつ金属反射膜と
の距離をできるだけ近づけて記録膜を急冷するくらい薄
くする必要があり、通常２ｎｍから１００ｎｍに設定さ
れる。

【００１７】高屈折率の第３の誘電体膜４５は、屈折率
が２を越え、第２の誘電体膜よりも大きな屈折率を有す
る材料が好ましい。具体的には、ＣｅＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ
₅ 、ＴｉＯ₂ 、及びＡｌＮの群から選択された材料が挙
げられる。第３の誘電体膜４５は、それより低屈折率の
第２の誘電体膜４４との界面で反射をさせる一方、安定
に透過させる。従って、従来の誘電体膜の上に金属反射
膜を積層した構成の場合、図９のＡのように透過Ｔが無
くて、Ｉ＝Ｒ＋Ａであるのに反して、本発明の膜構成で
は、図９のＢのようにＩ＝Ｒ＋Ａ＋Ｔとなる。この構成
では非晶質部と結晶部のレーザ光吸収率を逆転できる。

【００１８】この様な構成の相変化光ディスク２１は、
図２に示すディスクドライブ装置にかけて、オーバライ
ト記録される。図２の装置で相変化光ディスクをスピン
ドルモータ２２によって３６００ｒｐｍの回転数まで回
転させる。相変化光ディスク２１は、図示しないが渦巻
状のグループ溝が形成されており、光学ヘッド２０はこ
のグループ溝とディスクの面振れに追従して動く様に、
フォーカス駆動制御３１、トラック駆動制御３２のそれ
ぞれの回路で制御されている。記録すべき情報入力信号
２７は、変調回路２６によって１，０のデジタル信号へ
変換され、レーザドライバ２５によって光学ヘッド２０
からのレーザ出力の強弱に変換される。言い替えれば、
非晶質の記録マークを形成したい部分は膜材料の融点を
越えるに足る強いレーザ光を照射し、既に記録して合っ
たマークを消去したいときは膜材料の結晶化温度を越え
るが融点は越えないくらいの中くらいのレーザ光を照射
する。相変化光ディスク上には、図７のＢの様に結晶質
のバックグラウンド８の中に非晶質のマーク７が形成さ
れる。

【００１９】次に、本発明の記録媒体によるシミュレー
ションの結果を示す。図３は、シミュレーションの結果
を示し、表１は記録媒体の構成、特性等を示す。

【００２０】比較のため、従来の相変化光ディスクの膜
構成の場合も同様に計算した。まず従来の相変化光ディ
スクでは、図７のＡと同じで、屈折率１．５５のポリカ
ーボネート製の基板１上に（ＺｎＳ）（ＳｉＯ₂ ）混合
膜２を２７００Ａ（Ａはオンダストロームを示す。以下
同じ）、その上にＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ の相変化形記録膜
３を２００Ａ積層し、更にその上に、（ＺｎＳ）（Ｓｉ
Ｏ₂ ）混合膜４を２００Ａ、Ａｌ反射膜５を２０００Ａ
積層した膜構成になっている。以後この構成の従来例の
相変化光ディスクを試料Ａと言う。

【００２１】混合膜２，４の屈折率は１．８でありＧｅ
₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ の記録膜３は、非晶質状態ａ（amorphas
e ）のとき屈折率ｎが４．２９、消衰係数ｋが１．８３
であり、結晶状態ｃ（crystal ）のとき屈折率ｎが４．
１、消衰係数が３．６であり、Ａｌ反射膜５の屈折率が
１．９、消衰係数が６．９であることは周知の事実であ
る。

【００２２】これらの物質定数を入れて、入射レーザ光
のエネルギーの吸収の様子を図３のＡに示す。入射エネ
ルギーを１として正規化して、各膜中での透過量を、非
晶質の場合を実線で、結晶質の場合を点線で示してい
る。この結果によれば、エネルギーは記録膜３で急激な
減衰し、反射膜５ではほとんど反射して０になっている
ことがわかる。この時、非晶質部での吸収率は計算から
８４．９８％、結晶部の吸収率は７３．３６３％となっ
た。

【００２３】

【表１】

【００２４】図３のＢには、本発明の膜構成のときのシ
ミュレーション結果を示す。相変化光ディスクの膜構成
は、図１と同じでポリカーボネート基板４１上に（Ｚｎ
Ｓ）（ＳｉＯ₂ ）混合膜４２を２７００Ａ（Ａはオング
ストロームを示す、以下同じ）、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ の
記録膜４３を２００Ａ、（ＺｎＳ）（ＳｉＯ₂ ）混合膜
４４をこの順に積層し、更に本発明の高屈折率の誘電体
膜４５としてＴｉＯ₂を用いて１７５０Ａ積層した構造
になっている。以後、本発明による、これと同じ膜構
成、膜厚の相変化光ディスクを試料Ｂと言う。

【００２５】混合膜の屈折率と記録膜の非晶質状態ａと
結晶状態ｃの屈折率ｎと消衰係数ｋは、従来と同じ物質
定数を代入し、高屈折率材料のＴｉＯ₂ の屈折率は２．
３であるからこれを代入して、光学計算を行った。図３
のＢを見ると、入射レーザ光のエネルギーは、記録膜４
３中で吸収されるが、反射膜が無いため、高屈折率誘電
体膜４５中でもかなり残っていて透過しているる。ま
た、この状態での非晶質部と結晶部の吸収率を計算する
と、それぞれ４４．９０１％と４９．８６６％となっ
て、従来相変化光ディスクの場合とは逆になっているこ
とがわかる。

【００２６】

【表２】

【００２７】図４には、（ＺｎＳ）（ＳｉＯ₂ ）混合膜
４２．４４の膜厚、及び記録膜４３の膜厚は上記の値で
一定として、高屈折率誘電体膜４５（ＴｉＯ₂ ）の膜厚
を変化させたときの、非晶質部ａからの反射率（実線で
示す）と結晶質部からの反射率（破線で示す）の結果、
及びその差ｃ−ａ（再生信号の大きさ）を示している。
これによれば、ＴｉＯ₂ 膜の膜厚が０．１７μｍ（１７
００Ａ）、０．４７μｍ（４７００Ａ）、０．７７μｍ
（７７００Ａ）の時再生信号が最大値をとることが分か
った。

【００２８】

【表３】

【００２９】以下、実際の実験例によって、本発明の効
果を説明する。（実験例の１）従来例の光ディスクとして、上記試料Ａ
を用い、本発明の光ディスクの１例としては上記試料Ｂ
を用いて、図２に示すドライブ装置にて以下に示す実験
を行った。ディスク２１は回転数３６００ｒｐｍで回転
させ、変調歪が起こり易い場所としてできるだけ線速度
が速い外周部でオーバライトを行い、特に変調歪が観測
しやすいように、できるだけ異なる記録パターンとして
記録マークが最疎でかかれるパターンの上に、最密のパ
ターンをオーバライトした。変調方式としては、（２，
７）ピット位置記録を採用しているため、最疎パターン
は８Ｔ間隔、最密パターンは３Ｔ間隔になる。細密パタ
ーンで記録した時これに対応した記録マークの物理的な
最短ピッチは、ディスク全体の記録容量に依存するが、
今回これを０．９６μｍとなるように、クロックの周波
数を設定した。

【００３０】まず、試料Ａをスピンドルモータで３６０
０ｒｐｍの回転数に上げて信号入力２７としては、８Ｔ
に相当するデューティー５０％の単一周波数を設定し、
１回記録した。この時光学ヘッド２０のレーザ出力は、
記録に対しては１３ｍＷ、消去に対しては７ｍＷに設定
した。次に、１回記録させた同じ部分に対してレーザの
出力は全く同じで、３Ｔに相当するデューティー５０％
の別の周波数でオーバライトした。一連の動作で、フォ
ーカス駆動３１、トラック駆動３２は制御系３４によっ
てサーボがかけられていることは言うまでもない。

【００３１】以上のようにして、８Ｔ記録を行った上に
３Ｔ記録でオーバライトしたトラックを、レーザ出力１
ｍＷで連続再生したところ、プリアンプ２８を経た生信
号は図５のＡのように３Ｔ信号の中に明らかに一部不規
則性が見られた。

【００３２】この不規則性を定量的に把握するため、３
Ｔに相当する細密パターンの最短マークピッチを変化さ
せながら、本来マークの中心があるべき位置に対して、
変調歪が起きたとき、実際の中心値ずれ量をパターンピ
ークシフトと定義して測定した。マークの中心位置を測
定したのは、ピット位置記録を想定したためである。

【００３３】図６の白丸印で結果を示す。物理的な最短
マークピッチが１．０μｍから０．９６、０．９２μｍ
と詰まって来るに従って、パターンピークシフト量が大
きくなって、２値化を行う時にエラーとなる可能性が大
きくなることがわかる。

【００３４】一方、全く同じ実験を本発明に係る試料Ｂ
に対して行った結果を、図５のＢと図６の黒丸印で示
す。プリアンプ後の生の再生信号には、不規則性は無
く、最短マークピッチが詰まってきても、パターンピー
クシフト量が変化していないことがわかる。

【００３５】本発明では、高屈折率の誘電体膜として、
屈折率が２．３のＴｉＯ₂ を用いたが、他の高屈折率の
誘電体膜材料としては、ＣｅＯ₂ が２．２、Ｔａ₂ Ｏ₅
が２．４であり、実験の結果では全く同じ効果が検証さ
れた。

【００３６】なお、本発明は、上記のように高屈折率の
値が限定されるものではなく、記録膜を挟む誘電体膜の
屈折率よりも相対的に大きい屈折率を有する別の誘電体
膜を積層すれば良い。以下にこの実験例を示す。

【００３７】（実験例の２）基板４１の上に屈折率が
１．５のＳｉＯ₂ 誘電体膜４２を１０００Ａ成膜し、記
録膜としては、Ｉｎ₃ ＳｂＴｅ₅ の記録膜４３を２００
Ａ積層し、更にＳｉＯ₂ 膜を２００Ａ積層し、相対的に
屈折率が大きい誘電体膜４５として屈折率が２．０のＡ
ｌ₃ Ｎを１０００Ａ積層した相変化ディスクを試作し、
試料Ｃとした。

【００３８】この試料Ｃを用いて、図２のドライブ装置
にて、実験例の１と同じ実験を行った。その結果は、信
号の極性や振幅の大きさは異なるものの、図５のＢと図
６の黒丸印と同じで、変調歪の痕跡は現れなかった。

【００３９】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明による、
レーザ光等の光ビームに対して透明な基板上に第１の誘
電体膜、結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化する相
変化記録膜、更に第１の誘電体膜と同じ膜、もしくは別
の第２の誘電体膜を積層し、その上に第１、第２の誘電
体膜の屈折率よりも相対的に大きな屈折率を有する第３
の誘電体膜を積層した相変化光ディスクでは、記録マー
ク部の非晶質の吸収率が周囲の結晶質の吸収率よりも小
さくなることにより、従来の相変化ディスクで問題とな
った高速・高密度で記録時に生ずる変調歪が無く、安定
したオーバライト特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る相変化光ディスクの作用を説明し
た断面図。

【図２】光ディスクドライブ装置の動作説明図。

【図３】入射光量の減衰の様子のシミュレーション結果
を示す図で、（Ａ）は従来相変化ディスクの場合，
（Ｂ）は本発明の相変化ディスクの層構成の場合を示
す。

【図４】本発明に係る相変化光ディスクにより高屈折率
誘電体膜の膜厚を変化させた時の反射光量（信号振幅）
の変化のシミュレーション結果を示す図。

【図５】再生信号を示す図で、（Ａ）は従来相変化ディ
スクの変調歪に基づく再生信号の歪みを示し、（Ｂ）は
本発明の膜構成の相変化ディスクで変調歪が無くなった
再生信号を示す。

【図６】本発明の層構成の相変化ディスクのパターンピ
ークシフト量を、従来の相変化ディスクのパターンピー
クシフト量と比較して示した図。

【図７】ディスクに対する入射総光量Ｉと反射光量Ｒ、
透過光量Ｔ、吸収量Ａの関係を説明した図。

【図８】変調歪の説明図で、（Ａ）は古い記録マークを
新しくオーバライトする時のスポットの位置を示し、
（Ｂ）は温度分布を示し、（Ｃ）は新しい記録マークに
古いマークの履歴が残ってしまい、新しいマークが歪む
ことを示す。

【図９】相変化ディスクの反射光量と吸収量と透過光量
との関係の説明図で、（Ａ）は従来相変化ディスクの反
射光量と吸収量の関係、（Ｂ）は透過光量を増やして吸
収量を減らす方法を示す。

【符号の説明】

１２…古い記録マーク１３…新しい記録マーク１３ａ，１３ｂ…古い記録マークと新しい記録マークと
が重なる部分１５，１６…新しくできたマークの変調歪２０…光学ヘッド２４…リニアモータ２５…レーザドライバ２８…プリアンプ４１…透光性のディスク状基板４２…第１の誘電体膜４３…相変化記録膜４４…第２の誘電体膜４５…第３の誘電体膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板上に形成した第１の誘電体膜
と、第１の誘電体膜上に形成し、光ビームの選択的照射
によって非晶質と結晶質とに可逆的に相変化を生じ、非
晶質と結晶質との相変化により記録する相変化記録膜
と、この記録膜上に形成した第２の誘電体膜と、この第
２の誘電体膜上に形成した第３の誘電体膜とを備え、相
変化記録膜の光ビームに対する非晶質の吸収率が結晶質
の吸収率以下であることを特徴とする相変化形光情報記
録媒体。
【請求項２】第３の誘電体膜は、屈折率が第２の誘電
体膜の屈折率より大きいことを特徴とする請求項１に記
載の相変化形光情報記録媒体。
【請求項３】第３の誘電体膜は、屈折率が２よりも大
きいことを特徴とする請求項１又は２の相変化形光情報
記録媒体。
【請求項４】第１の誘電体膜はＺｎＳとＳｉＯ₂ の混
合膜から成り、相変化記録膜はＧｅＳｂＴｅの３元合金
からなり、第２の誘電体膜は前記ＺｎＳとＳｉＯ₂ の混
合膜から成り、第３の誘電体膜はＣｅＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ
₅ 、ＴｉＯ₂ 、及びＡｌＮの群から選択された材料から
なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載
の相変化形光情報記録媒体。