JP3220020B2 - 相変化型光ディスク媒体と情報の記録・再生方法 - Google Patents
相変化型光ディスク媒体と情報の記録・再生方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録・再生
が可能な高記録密度光ディスク媒体に関し、特に記録す
べき情報が正確に記録されたか否かの確認を記録と同時
に行う、いわゆる記録同時ベリファイを行うのに適した
光ディスク媒体と、それに対する情報の記録・再生方法
に関する。
が可能な高記録密度光ディスク媒体に関し、特に記録す
べき情報が正確に記録されたか否かの確認を記録と同時
に行う、いわゆる記録同時ベリファイを行うのに適した
光ディスク媒体と、それに対する情報の記録・再生方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザビームスポットの照射により情報
の記録や再生が可能な光ディスク媒体として、結晶と非
晶質の間のような転移を利用したいわゆる相変化型光デ
ィスクが知られている。この相変化型光ディスクは、光
磁気ディスクでは困難な単一ビームによるダイレクトオ
ーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系構成も
より単純である。このような相変化型情報記録媒体にお
ける記録同時ベリファイの方法が、特開昭６０−１４５
５３７号公報、特開昭６３−１８３６２４号公報、特開
平６−３４９０６７号公報にそれぞれ提案されている。
この方法は、相変化型情報記録媒体に記録パルスを照射
した時に、照射とほぼ同時にその反射光強度が変化する
ことを反射光あるいはこれから得られるＲＦ信号により
検出し記録が正常に行われたことを確認するというもの
である。
の記録や再生が可能な光ディスク媒体として、結晶と非
晶質の間のような転移を利用したいわゆる相変化型光デ
ィスクが知られている。この相変化型光ディスクは、光
磁気ディスクでは困難な単一ビームによるダイレクトオ
ーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系構成も
より単純である。このような相変化型情報記録媒体にお
ける記録同時ベリファイの方法が、特開昭６０−１４５
５３７号公報、特開昭６３−１８３６２４号公報、特開
平６−３４９０６７号公報にそれぞれ提案されている。
この方法は、相変化型情報記録媒体に記録パルスを照射
した時に、照射とほぼ同時にその反射光強度が変化する
ことを反射光あるいはこれから得られるＲＦ信号により
検出し記録が正常に行われたことを確認するというもの
である。
【０００３】すなわち、相変化型光ディスク媒体におけ
る記録過程は大まかに、未記録部（結晶状態）へのレー
ザ光照射による記録膜の加熱、記録膜の温度上昇、記録
膜の溶融、記録膜の冷却時の非晶質化、となっている。
したがって、未記録部と記録部とで相状態が異なること
によりその反射率が相違され、記録時におけるレーザ光
の反射光強度もこの相状態によって変化されることを利
用したものである。
る記録過程は大まかに、未記録部（結晶状態）へのレー
ザ光照射による記録膜の加熱、記録膜の温度上昇、記録
膜の溶融、記録膜の冷却時の非晶質化、となっている。
したがって、未記録部と記録部とで相状態が異なること
によりその反射率が相違され、記録時におけるレーザ光
の反射光強度もこの相状態によって変化されることを利
用したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、記録膜が溶
融した時の記録ビームスポット内の状態は図１０のよう
になることが知られており、ビームスポットの進行方向
の後ろ側領域が溶融され、先頭側領域では未だに溶融が
行われないため、ビームスポット内が全面溶融している
わけではない。また、記録膜の非晶質化は、溶融しなけ
れば起こり得ないので、このビームスポット内では記録
部と未記録部との反射率が混在された状態の反射率とな
り、記録部と未記録部とに明確に区別することが困難で
あり、この反射率の変化だけでは、厳密な記録同時ベリ
ファイを行うことが難しくなる。そのため、従来では、
記録を行った後にもう一度ベリファイ動作を行わなくて
はならず、記録同時ベリファイが実質的には不可能にな
るという問題がある。
融した時の記録ビームスポット内の状態は図１０のよう
になることが知られており、ビームスポットの進行方向
の後ろ側領域が溶融され、先頭側領域では未だに溶融が
行われないため、ビームスポット内が全面溶融している
わけではない。また、記録膜の非晶質化は、溶融しなけ
れば起こり得ないので、このビームスポット内では記録
部と未記録部との反射率が混在された状態の反射率とな
り、記録部と未記録部とに明確に区別することが困難で
あり、この反射率の変化だけでは、厳密な記録同時ベリ
ファイを行うことが難しくなる。そのため、従来では、
記録を行った後にもう一度ベリファイ動作を行わなくて
はならず、記録同時ベリファイが実質的には不可能にな
るという問題がある。
【０００５】本発明の目的は、結晶部反射率、非晶質部
反射率、記録膜が溶融した時の溶融部を含む記録ビーム
スポット領域の反射率の関係を各層の膜厚を調整するこ
とにより変化させ、記録膜層が溶融したという情報を相
変化型光ディスク媒体からの反射光量あるいはＲＦ信号
から取り出すことにより厳密な記録同時ベリファイを行
えるような相変化型光ディスク媒体を提供することであ
る。また、本発明の他の目的は、前記した相変化型光デ
ィスク媒体を用いて記録同時ベリファイを可能にした情
報の記録・再生方法を提供することにある。
反射率、記録膜が溶融した時の溶融部を含む記録ビーム
スポット領域の反射率の関係を各層の膜厚を調整するこ
とにより変化させ、記録膜層が溶融したという情報を相
変化型光ディスク媒体からの反射光量あるいはＲＦ信号
から取り出すことにより厳密な記録同時ベリファイを行
えるような相変化型光ディスク媒体を提供することであ
る。また、本発明の他の目的は、前記した相変化型光デ
ィスク媒体を用いて記録同時ベリファイを可能にした情
報の記録・再生方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の相変化型光ディ
スク媒体は、記録膜における結晶部の反射率Ｒｃ、非晶
質部の反射率Ｒａ、溶融部を含む記録ビームスポット領
域の反射率Ｒｍの関係が、Ｒｃ＞Ｒｍ＞Ｒａとなるよう
に基板上に形成した下部保護膜、記録膜、上部保護膜等
の各膜の膜厚を定めることを特徴とする。この場合、記
録膜として少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる膜を用
い、下部保護膜層ならびに上部保護膜層としてＺｎＳ−
ＳｉＯ2 を含む材料を用い、金属反射膜層としてＡｌを
主成分とする金属材料を用いた構成とする。
スク媒体は、記録膜における結晶部の反射率Ｒｃ、非晶
質部の反射率Ｒａ、溶融部を含む記録ビームスポット領
域の反射率Ｒｍの関係が、Ｒｃ＞Ｒｍ＞Ｒａとなるよう
に基板上に形成した下部保護膜、記録膜、上部保護膜等
の各膜の膜厚を定めることを特徴とする。この場合、記
録膜として少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる膜を用
い、下部保護膜層ならびに上部保護膜層としてＺｎＳ−
ＳｉＯ2 を含む材料を用い、金属反射膜層としてＡｌを
主成分とする金属材料を用いた構成とする。
【０００７】また、本発明の情報の記録・再生方法は、
前記した本発明の相変化型光ディスク媒体を用い、記録
膜に対して記録ビームスポットを照射し、かつその反射
光をモニタし、前記モニタにより得られるＲＦ信号の波
形に基づいて記録が正常に行われたか判断することを特
徴とする。例えば、所定の光強度の記録ビームスポット
を照射し、その照射直後からその反射光量が急激に低下
することを前記ＲＦ信号の波形から確認することにより
記録が正常に行われたと判断する方法とされる。
前記した本発明の相変化型光ディスク媒体を用い、記録
膜に対して記録ビームスポットを照射し、かつその反射
光をモニタし、前記モニタにより得られるＲＦ信号の波
形に基づいて記録が正常に行われたか判断することを特
徴とする。例えば、所定の光強度の記録ビームスポット
を照射し、その照射直後からその反射光量が急激に低下
することを前記ＲＦ信号の波形から確認することにより
記録が正常に行われたと判断する方法とされる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図１は本発明の相変化型光デ
ィスク媒体の第１の実施形態の模式断面図である。透明
なディスク基板１１には回転中心に対してスパイラル状
または同芯円状に案内溝が形成されており、この基板１
１上に、下部保護膜１２であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１
６０ｎｍ、記録膜１３であるＧｅＳｂＴｅ膜を１５ｎ
ｍ、上部保護膜１４であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２５ｎ
ｍ、金属反射膜１５であるＡｌ膜を５０ｎｍを順次スパ
ッタ法により積層し、さらにその上にＵＶ樹脂保護膜１
６を形成し、相変化型光ディスク媒体とした。
図面を参照して説明する。図１は本発明の相変化型光デ
ィスク媒体の第１の実施形態の模式断面図である。透明
なディスク基板１１には回転中心に対してスパイラル状
または同芯円状に案内溝が形成されており、この基板１
１上に、下部保護膜１２であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１
６０ｎｍ、記録膜１３であるＧｅＳｂＴｅ膜を１５ｎ
ｍ、上部保護膜１４であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２５ｎ
ｍ、金属反射膜１５であるＡｌ膜を５０ｎｍを順次スパ
ッタ法により積層し、さらにその上にＵＶ樹脂保護膜１
６を形成し、相変化型光ディスク媒体とした。
【０００９】ここで、前記記録膜１３においては、その
相状態が結晶状態のときの反射率Ｒｃ、非晶質状態のと
きの反射率Ｒａ、溶融状態と結晶状態または非晶質状態
とが混在される状態での反射率Ｒｍの関係が、Ｒｃ＞Ｒ
ｍ＞Ｒａとなるように、前記下部保護膜１２、記録膜１
３、上部保護膜１４のそれぞれの膜厚を定めている。す
なわち基板１１側から照射されたレーザビームは、下部
保護膜１２、記録膜１３、上部保護膜１４を透過し、あ
るいは一部は記録膜１３で反射され、さらに透過した光
は金属反射膜１５で反射された後、逆の方向に透過され
るため、これらの膜厚を適宜に設定することで、結果と
して記録膜における反射率をこれらの膜の厚さによって
設定することが可能となる。
相状態が結晶状態のときの反射率Ｒｃ、非晶質状態のと
きの反射率Ｒａ、溶融状態と結晶状態または非晶質状態
とが混在される状態での反射率Ｒｍの関係が、Ｒｃ＞Ｒ
ｍ＞Ｒａとなるように、前記下部保護膜１２、記録膜１
３、上部保護膜１４のそれぞれの膜厚を定めている。す
なわち基板１１側から照射されたレーザビームは、下部
保護膜１２、記録膜１３、上部保護膜１４を透過し、あ
るいは一部は記録膜１３で反射され、さらに透過した光
は金属反射膜１５で反射された後、逆の方向に透過され
るため、これらの膜厚を適宜に設定することで、結果と
して記録膜における反射率をこれらの膜の厚さによって
設定することが可能となる。
【００１０】この構成の相変化型光ディスク媒体を、線
速６ｍ／ｓ、消去パワー６ｍＷで記録膜１３を結晶化さ
せた（初期化した）後、記録・再生を行った。記録動作
時のレーザ光発光波形は図２のようになっており、再生
パワー、消去パワー、記録パワーの各レベルがある。そ
して、以下の条件で記録した時の、キャリアレベル、ノ
イズレベル、２ｎｄＨ／Ｃ等のＣ／Ｎ比の記録パワー依
存性を図３に示す。また、その記録中における反射光か
ら得られるＲＦ信号の変化を図４に示す。記録条件は、
線速６ｍ／ｓ、記録周波数２ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比５０
％、再生パワー１．０ｍＷ、消去パワー５．５ｍＷであ
り、記録パワーは７．０〜１３．０ｍＷの範囲で変化さ
せている。
速６ｍ／ｓ、消去パワー６ｍＷで記録膜１３を結晶化さ
せた（初期化した）後、記録・再生を行った。記録動作
時のレーザ光発光波形は図２のようになっており、再生
パワー、消去パワー、記録パワーの各レベルがある。そ
して、以下の条件で記録した時の、キャリアレベル、ノ
イズレベル、２ｎｄＨ／Ｃ等のＣ／Ｎ比の記録パワー依
存性を図３に示す。また、その記録中における反射光か
ら得られるＲＦ信号の変化を図４に示す。記録条件は、
線速６ｍ／ｓ、記録周波数２ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比５０
％、再生パワー１．０ｍＷ、消去パワー５．５ｍＷであ
り、記録パワーは７．０〜１３．０ｍＷの範囲で変化さ
せている。
【００１１】この結果、この実施形態の光ディスク媒体
では、未記録部（結晶部）反射率Ｒｃと記録部（非晶質
部）反射率Ｒａの差が最大となるように各層の膜厚を選
択しているので、高Ｃ／Ｎ比が得られている。また、記
録中のＲＦ信号の様子をみると、記録パワー９．０ｍＷ
以上の場合と、記録パワー９．０ｍＷ未満の場合とで、
波形が大きく異なっている。図２の発光波形、図３の結
果と合わせて考えると、記録パワー９．０ｍＷ以上の記
録良好の場合、記録パワー照射直後に記録膜が溶融し反
射率が低下し反射光量の低下を起こしている。さらに、
レーザパワーが消去パワーレベルに変化すると、溶融部
を含む記録ビームスポット領域の反射率Ｒｍが未記録状
態の反射率Ｒｃよりも低いので、アンダーシュートを起
こしたかのような特徴的な波形になる。一方、記録パワ
ーが９．０ｍＷ以下の記録不良の場合、レーザが記録パ
ワーレベルになっても、記録膜が溶融しないので、反射
光量の低下は起こしていない。このように、記録中のＲ
Ｆ信号をモニタすることにより、記録良好、記録不良を
判断できることになる。
では、未記録部（結晶部）反射率Ｒｃと記録部（非晶質
部）反射率Ｒａの差が最大となるように各層の膜厚を選
択しているので、高Ｃ／Ｎ比が得られている。また、記
録中のＲＦ信号の様子をみると、記録パワー９．０ｍＷ
以上の場合と、記録パワー９．０ｍＷ未満の場合とで、
波形が大きく異なっている。図２の発光波形、図３の結
果と合わせて考えると、記録パワー９．０ｍＷ以上の記
録良好の場合、記録パワー照射直後に記録膜が溶融し反
射率が低下し反射光量の低下を起こしている。さらに、
レーザパワーが消去パワーレベルに変化すると、溶融部
を含む記録ビームスポット領域の反射率Ｒｍが未記録状
態の反射率Ｒｃよりも低いので、アンダーシュートを起
こしたかのような特徴的な波形になる。一方、記録パワ
ーが９．０ｍＷ以下の記録不良の場合、レーザが記録パ
ワーレベルになっても、記録膜が溶融しないので、反射
光量の低下は起こしていない。このように、記録中のＲ
Ｆ信号をモニタすることにより、記録良好、記録不良を
判断できることになる。
【００１２】一方、図５は比較例としての相変化型光デ
ィスク媒体の模式断面図であり、ディスク基板２１上
に、下部保護膜２２であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１００
ｎｍ、記録膜２３であるＧｅＳｂＴｅ膜を１０ｎｍ、上
部保護膜２４であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０ｎｍ、金属
反射膜２５であるＡｌ膜を６０ｎｍを順次スパッタ法に
より積層し、さらにその上にＵＶ樹脂保護膜２６を形成
し、相変化型光ディスク媒体とした。
ィスク媒体の模式断面図であり、ディスク基板２１上
に、下部保護膜２２であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１００
ｎｍ、記録膜２３であるＧｅＳｂＴｅ膜を１０ｎｍ、上
部保護膜２４であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０ｎｍ、金属
反射膜２５であるＡｌ膜を６０ｎｍを順次スパッタ法に
より積層し、さらにその上にＵＶ樹脂保護膜２６を形成
し、相変化型光ディスク媒体とした。
【００１３】この相変化型光ディスク媒体を線速６ｍ／
ｓ、消去パワー６ｍＷで記録膜層を結晶化させた（初期
化した）後、記録・再生を行った。記録動作時のレーザ
光発光波形は図２と同じである。この比較例の相変化型
光ディスク媒体に対して、先の実施形態の場合と同様に
以下の条件で記録した時のＣ／Ｎ比の記録パワー依存性
を図６に、記録中のＲＦ信号の変化を図７に示す。記録
条件は、線速６ｍ／ｓ、記録周波数２ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
比５０％、再生パワー１．０ｍＷ、消去パワー５．５ｍ
Ｗ、記録パワー７．０〜１３．０ｍＷである。
ｓ、消去パワー６ｍＷで記録膜層を結晶化させた（初期
化した）後、記録・再生を行った。記録動作時のレーザ
光発光波形は図２と同じである。この比較例の相変化型
光ディスク媒体に対して、先の実施形態の場合と同様に
以下の条件で記録した時のＣ／Ｎ比の記録パワー依存性
を図６に、記録中のＲＦ信号の変化を図７に示す。記録
条件は、線速６ｍ／ｓ、記録周波数２ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
比５０％、再生パワー１．０ｍＷ、消去パワー５．５ｍ
Ｗ、記録パワー７．０〜１３．０ｍＷである。
【００１４】この結果、比較例の相変化型光ディスク媒
体では、未記録部（結晶部）反射率Ｒｃと記録部（非晶
質部）反射率Ｒａがほぼ同じ程度になるように各層の膜
厚を選択しているが、記録部と未記録部で位相差がある
ので、Ｃ／Ｎ比が得られている。記録中のＲＦ信号の様
子をみると、記録パワー９．０ｍＷ以上の場合と記録パ
ワー９．０ｍＷ未満の場合とで波形がほぼ同一となって
いる。図６の結果から、記録パワー９．０ｍＷ以上では
記録状態は良好であると思われるが、記録パワー照射直
後に記録膜が溶融しても、溶融部を含む記録ビームスポ
ット領域の反射率Ｒｍが、未記録部反射率Ｒｃおよび記
録部反射率Ｒａと同等の値となっているので、本発明媒
体で見られたようなアンダーシュートを起こしたかのよ
うな特徴的な波形は見られない。一方、記録パワーが
９．０ｍＷ以下の記録不良の場合、レーザが記録パワー
レベルになっても記録膜が溶融しないので、反射光量の
低下は起こしていない。このように、記録中のＲＦ信号
をモニタしても、記録良好と記録不良を区別することは
困難である。
体では、未記録部（結晶部）反射率Ｒｃと記録部（非晶
質部）反射率Ｒａがほぼ同じ程度になるように各層の膜
厚を選択しているが、記録部と未記録部で位相差がある
ので、Ｃ／Ｎ比が得られている。記録中のＲＦ信号の様
子をみると、記録パワー９．０ｍＷ以上の場合と記録パ
ワー９．０ｍＷ未満の場合とで波形がほぼ同一となって
いる。図６の結果から、記録パワー９．０ｍＷ以上では
記録状態は良好であると思われるが、記録パワー照射直
後に記録膜が溶融しても、溶融部を含む記録ビームスポ
ット領域の反射率Ｒｍが、未記録部反射率Ｒｃおよび記
録部反射率Ｒａと同等の値となっているので、本発明媒
体で見られたようなアンダーシュートを起こしたかのよ
うな特徴的な波形は見られない。一方、記録パワーが
９．０ｍＷ以下の記録不良の場合、レーザが記録パワー
レベルになっても記録膜が溶融しないので、反射光量の
低下は起こしていない。このように、記録中のＲＦ信号
をモニタしても、記録良好と記録不良を区別することは
困難である。
【００１５】本発明の他の実施形態について、図面を参
照して以下に詳細に説明する。基板上に形成する膜構造
としては図１に示した第１の実施形態と同じであるた
め、図１を再び参照すると、ディスク基板１１上に、下
部保護膜１２であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１７０ｎｍ、
記録膜１３であるＧｅＳｂＴｅ膜を１５ｎｍ、上部保護
膜１４であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１５ｎｍ、金属反射膜
１５であるＡｌ膜を５０ｎｍを順次スパッタ法により積
層し、さらにその上にＵＶ樹脂保護膜１６を形成し、相
変化型光ディスク媒体とした。
照して以下に詳細に説明する。基板上に形成する膜構造
としては図１に示した第１の実施形態と同じであるた
め、図１を再び参照すると、ディスク基板１１上に、下
部保護膜１２であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１７０ｎｍ、
記録膜１３であるＧｅＳｂＴｅ膜を１５ｎｍ、上部保護
膜１４であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１５ｎｍ、金属反射膜
１５であるＡｌ膜を５０ｎｍを順次スパッタ法により積
層し、さらにその上にＵＶ樹脂保護膜１６を形成し、相
変化型光ディスク媒体とした。
【００１６】この相変化型光ディスク媒体を線速６ｍ／
ｓ、消去パワー６ｍＷで記録膜層を結晶化させた（初期
化した）後、記録・再生を行った。記録動作時のレーザ
光発光波形は、図２と同じである。この光ディスクに以
下の条件で記録した時の、Ｃ／Ｎ比の記録パワー依存性
を図８に、記録中のＲＦ信号の変化を図９に示す。記録
条件は、線速６ｍ／ｓ、記録周波数４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
比５０％、再生パワー１．０ｍＷ、消去パワー５．５ｍ
Ｗ、記録パワー９．０〜１４．０ｍＷである。
ｓ、消去パワー６ｍＷで記録膜層を結晶化させた（初期
化した）後、記録・再生を行った。記録動作時のレーザ
光発光波形は、図２と同じである。この光ディスクに以
下の条件で記録した時の、Ｃ／Ｎ比の記録パワー依存性
を図８に、記録中のＲＦ信号の変化を図９に示す。記録
条件は、線速６ｍ／ｓ、記録周波数４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ
比５０％、再生パワー１．０ｍＷ、消去パワー５．５ｍ
Ｗ、記録パワー９．０〜１４．０ｍＷである。
【００１７】この結果、この光ディスク媒体では、未記
録部（結晶部）反射率Ｒｃと記録部（非晶質部）反射率
Ｒａの差が最大となるように各層の膜厚を選択している
ので、高Ｃ／Ｎ比が得られている。また、記録中のＲＦ
信号の様子をみると、記録パワー１０．０ｍＷ以上の場
合と、記録パワー１０．０ｍＷ未満の場合とで、波形が
大きく異なっている。図２の発光波形、図８の結果と合
わせて考えると、記録パワー１０．０ｍＷ以上の記録良
好の場合、記録パワー照射直後に記録膜が溶融し反射率
が低下し反射光量の低下を起こしている。さらに、レー
ザパワーが消去パワーレベルに変化すると、溶融部を含
む記録ビームスポット領域の反射率Ｒｍが未記録状態の
反射率Ｒｃよりも低いので、アンダーシュートを起こし
たかのような特徴的な波形になる。一方、記録パワーが
１０．０ｍＷ以下の記録不良の場合、レーザが記録パワ
ーレベルになっても、記録膜が溶融しないので、反射光
量の低下は起こしていない。このように、記録中のＲＦ
信号をモニタすることにより、記録良好、記録不良を判
断できることになる。
録部（結晶部）反射率Ｒｃと記録部（非晶質部）反射率
Ｒａの差が最大となるように各層の膜厚を選択している
ので、高Ｃ／Ｎ比が得られている。また、記録中のＲＦ
信号の様子をみると、記録パワー１０．０ｍＷ以上の場
合と、記録パワー１０．０ｍＷ未満の場合とで、波形が
大きく異なっている。図２の発光波形、図８の結果と合
わせて考えると、記録パワー１０．０ｍＷ以上の記録良
好の場合、記録パワー照射直後に記録膜が溶融し反射率
が低下し反射光量の低下を起こしている。さらに、レー
ザパワーが消去パワーレベルに変化すると、溶融部を含
む記録ビームスポット領域の反射率Ｒｍが未記録状態の
反射率Ｒｃよりも低いので、アンダーシュートを起こし
たかのような特徴的な波形になる。一方、記録パワーが
１０．０ｍＷ以下の記録不良の場合、レーザが記録パワ
ーレベルになっても、記録膜が溶融しないので、反射光
量の低下は起こしていない。このように、記録中のＲＦ
信号をモニタすることにより、記録良好、記録不良を判
断できることになる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、記録膜に
おける結晶状態、非晶質状態、溶融部を含む領域のそれ
ぞれにおける反射率が所定の関係となるように、下部保
護膜、記録膜、上部保護膜の膜厚を適切に設定している
ことにより、記録・再生動作に対応した記録感度を実現
しながら、かつ反射光をモニタするＲＦ信号の波形に基
づくことで、記録同時ベリファイが可能となり、高再生
出力であり、高速アクセス可能、高密度記録可能な光デ
ィスク媒体が得られ、かつその記録・再生が可能とな
る。
おける結晶状態、非晶質状態、溶融部を含む領域のそれ
ぞれにおける反射率が所定の関係となるように、下部保
護膜、記録膜、上部保護膜の膜厚を適切に設定している
ことにより、記録・再生動作に対応した記録感度を実現
しながら、かつ反射光をモニタするＲＦ信号の波形に基
づくことで、記録同時ベリファイが可能となり、高再生
出力であり、高速アクセス可能、高密度記録可能な光デ
ィスク媒体が得られ、かつその記録・再生が可能とな
る。
【図１】本発明の第１および第２の実施形態の光ディス
ク媒体の模式断面図である。
ク媒体の模式断面図である。
【図２】記録動作時のレーザ光の発光波形を示す模式図
である。
である。
【図３】第１の実施形態におけるキャリアレベル、ノイ
ズレベル、２ｎｄＨ／Ｃの記録パワーに対する変化特性
を示す図である。
ズレベル、２ｎｄＨ／Ｃの記録パワーに対する変化特性
を示す図である。
【図４】第１の実施形態におけるＲＦ信号波形図であ
る。
る。
【図５】第１の実施形態に対する比較例の光ディスク媒
体の模式断面図である。
体の模式断面図である。
【図６】比較例におけるキャリアレベル、ノイズレベ
ル、２ｎｄＨ／Ｃの記録パワーに対する変化特性を示す
図である。
ル、２ｎｄＨ／Ｃの記録パワーに対する変化特性を示す
図である。
【図７】比較例におけるＲＦ信号波形図である。
【図８】本発明の他の実施形態におけるキャリアレベ
ル、ノイズレベル、２ｎｄＨ／Ｃの記録パワーに対する
変化特性を示す図である。
ル、ノイズレベル、２ｎｄＨ／Ｃの記録パワーに対する
変化特性を示す図である。
【図９】本発明の他の実施形態におけるＲＦ信号波形図
である。
である。
【図１０】記録動作中におけるレーザスポット領域の状
態を模式的に示す図である。
態を模式的に示す図である。
１１，２１ ディスク基板 １２，２２ 下部保護膜 １３，２３ 記録膜 １４，２４ 上部保護膜 １５，２５ 金属反射膜 １６，２６ ＵＶ樹脂保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】透明基板上に下部保護膜、記録膜、上部保
護膜、金属反射膜が順次積層され、前記記録膜は記録ビ
ームスポットの照射によりその相状態が変化されて情報
の記録、消去または再生が可能な相変化型光ディスク媒
体において、前記記録膜における結晶部の反射率Ｒｃ、
非晶質部の反射率Ｒａ、溶融部を含む記録ビームスポッ
ト領域の反射率Ｒｍの関係が、Ｒｃ＞Ｒｍ＞Ｒａとなる
ように基板上の前記各膜の膜厚を定めることを特徴とす
る相変化型光ディスク媒体。 - 【請求項２】記録膜として少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
からなる膜を用い、下部保護膜層ならびに上部保護膜層
としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を含む材料を用い、金属反射膜
層としてＡｌを主成分とする金属材料を用いてなる請求
項１記載の相変化型光ディスク媒体。 - 【請求項３】請求項１又は２のいずれかに記載の相変化
型光ディスク媒体を用い、記録膜に対して記録ビームス
ポットを照射し、かつその反射光をモニタし、前記モニ
タにより得られるＲＦ信号の波形に基づいて記録が正常
に行われたか判断することを特徴とする情報の記録・再
生方法。 - 【請求項４】前記ＲＦ信号の波形から、所定の光強度の
記録ビームスポットを照射し、その照射直後からその反
射光量が急激に低下することを確認することにより記録
が正常に行われたと判断する請求項３記載の情報の記録
・再生方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24294996A JP3220020B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 相変化型光ディスク媒体と情報の記録・再生方法 |
| EP97306943A EP0829867B1 (en) | 1996-09-13 | 1997-09-08 | Phase-change type optical recording medium and method of optically recording with the same |
| US08/925,534 US6252844B1 (en) | 1996-09-13 | 1997-09-08 | Phase-change type optical recording medium and method of optically recording with the same |
| KR1019970047751A KR100298972B1 (ko) | 1996-09-13 | 1997-09-12 | 상변화형광기록매체및광기록매체에광학적으로기록하는방법 |
| US09/710,601 US6768707B1 (en) | 1996-09-13 | 2000-11-09 | Phase-change type optical recording medium and method of optically recording with the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24294996A JP3220020B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 相変化型光ディスク媒体と情報の記録・再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092012A JPH1092012A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3220020B2 true JP3220020B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=17096628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24294996A Expired - Fee Related JP3220020B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 相変化型光ディスク媒体と情報の記録・再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220020B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR100571908B1 (ko) | 1999-09-10 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 니어필드 기록/재생용 광디스크 |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP24294996A patent/JP3220020B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1092012A (ja) | 1998-04-10 |
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