JP4013311B2 - 光学的情報の記録媒体と記録方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光線等の光学的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録・再生する光ディスクの構造とその記録方式に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザ光線を利用して高密度な情報の再生あるいは記録を行う技術は公知であり、おもに光ディスクとして実用化されている。
【０００３】
光ディスクは、再生専用型、追記型、書き換え型に大別することができる。
再生専用型は、例えばコンパクトディスクやレーザディスクとして、また追記型や書き換え型は文書ファイル、データファイル等として実用化されている。
【０００４】
また、書き換え型光ディスクの中には、おもに光磁気と相変化型がある。
相変化光ディスクは、記録層がレーザ光線等の照射によって、例えばアモルファスと結晶間、あるいは結晶とさらに異なる構造の結晶間の何れか等で、可逆的に状態変化を起こすことを利用する。これは、レーザ光照射により、薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少なくとも何れか一つが変化して記録を行い、この部分で透過光あるいは反射光の振幅が変化し、その結果検出系に至る透過光量あるいは反射光量が変化することを検出して信号を再生する。なお、アモルファスと結晶間で状態変化を起こす代表的な材料としては、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｂ等の合金が主に用いられている。
【０００５】
記録変調方式には、マーク間（マークポジションとも称される）変調とマーク長（マークエッジとも称される）変調の２種類がある。
【０００６】
マーク間変調記録は、マーク間隔を変化させて記録し、再生時にはマークの位置を検出して信号検出するものである。
【０００７】
マーク長変調記録は、種々の長さのマークを種々のマーク間隔で記録し、再生時にはマークの両端の位置を検出して信号を検出するものである。
【０００８】
マーク長変調記録におけるジッタの測定法の一つに、連続する２つの記録マークの前端部と前端部、後端部と後端部のそれぞれの位置を検出し、前端間位置、後端間位置のジッタをそれぞれ求める片エッジ検出法がある。記録されるマークの長さは記録パワーの変化によって変わるが、前端間の距離、後端間の距離はそれぞれマークの長さが変化しても変化量は小さいため、片エッジ検出はパワー変動に対して有効な信号検出方法である。
【０００９】
また、ＤＶＤ−ＲＡＭ規格で採用されている信号の変調方式８／１６、ＲＬＬ（２、１０）はマーク長が３Ｔ〜１１Ｔ（Ｔはデータクロック。データクロックとは入力信号のビット間隔のことを意味する。）の範囲で記録するものである。この信号変調方式を用いて記録した場合の信号の再生ジッタ値は、３Ｔ〜１１Ｔの各信号マークのジッタ値の標準偏差σの和σｓｕｍのウィンドウ幅Ｔｗに対する割合（σｓｕｍ／Ｔｗ）で表す。
【００１０】
相変化光ディスク上へのレーザ記録は、原理的にはヒートモードによるものであり、従って長いマークを記録する場合には、蓄熱効果によってマークの先端より終端が太くなってマークが涙状に歪み、結果として再生波形も歪みマークの両端の位置がずれてしまう。
【００１１】
そこで、マーク長変調方式においては、一つの記録マークを形成するための記録波形を、複数のパルスからなる記録パルス列で構成（マルチパルス記録とも称される）する記録方法が提案されている（例えば、特開平３ー１８５６２８号公報）。これにより、１つのマークを形成するのに、パルス列化しないで単パルスにより記録する方法に比べて記録膜が受ける熱が制御でき、マーク形状が単パルスの場合のようにマークの始終端で非対称にならず良好なマーク形状となる。
【００１２】
また、相変化光ディスクでは、記録マークの書き換えに１ビームオーバーライトを用いることができる。１ビームオーバーライトとは、記録信号によりレーザパワーを記録パワーと、この記録パワーよりも低いパワーの消去パワー（バイアスパワーとも称される）の間で変調して信号トラック上に照射することにより、既に記録されている古い信号を消去しながら新しい信号を記録する方法である。オーバーライト自体では記録パワーレベルと消去パワーレベルの２レベルで済むが、記録・消去・再生を考慮すると、記録パワーレベル、消去パワーレベル及び再生パワーレベルの３レベルが必要である。例えば結晶・アモルファス間の相変化光ディスクでは、記録パワーレベルで照射された領域は、元の状態がアモルファスか結晶かに関わらず、溶融後急速に冷却されるためアモルファスとなり、消去パワーレベルで照射された領域は、結晶化温度以上に昇温するため、元の状態に関わらず結晶化して、新しい信号がオーバーライトされる。
【００１３】
また、１ビームオーバーライトにおいて記録パルスを記録パワー、消去パワー、および記録パワーの直後に設けた消去パワーより低いパワーの３段階に変調する記録方法が提案されている（例えば、特開昭６３−１１３９３８号公報）。
【００１４】
さらに、マルチパルス記録方式に消去パワーより低いパワーでのレーザ光照射を付加した記録方法も提案されている（例えば、特開平６−２９５４４０号公報）。
【００１５】
光記録媒体の構成は、例えば図２に示すような多層膜構成のものが通常である。すなわち、ポリカーボネートやＰＭＭＡの樹脂、ガラス板等の基板１上に、ＺｎＳとＳｉＯ₂との混合物からなる誘電体材料からなる第１の誘電体層２、第２の誘電体層４で挟みこまれた相変化材料等からなる記録層３、さらに記録層３での光吸収効率を向上させたり、熱拡散層としての働きをする金属反射層５をスパッタリングや蒸着等の方法で積層する構成がとられる。ただし、レーザ光線は基板１側から入射させる。
【００１６】
誘電体材料からなる第１の誘電体層２、第２の誘電体層４の働きは、例えば、
（１）記録層を外部からの機械的ダメージから保護する、
（２）繰り返し記録の場合に起こる記録層の破れ等の熱的ダメージを低減し繰り返し回数を高める、
（３）多重反射による干渉効果を利用して光学的変化を高める、
（４）外気からの影響を遮断し、化学的な変化を防止する
等がある。
【００１７】
従来より、上記目的のために、ＳｉＯ₂等の酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄やＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＯＮ等の窒酸化物（例えば特開平３−１０４０３８号公報）、ＺｎＳ等の硫化物、ＳｉＣ等の炭化物あるいはこれらの混合物としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂（特開昭３−１０３４５３号公報）等の誘電体材料が用いられてきている。
【００１８】
また、特開平４−２１９６５０号公報は、光磁気記録媒体の例ではあるが、基板を通じての水分が記録へ侵入し、磁気記録膜の腐食を防止する役割としてＳｎ−Ｎ、Ｉｎ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ等の系の誘電体層が開示されている。
【００１９】
しかし、図２の構造で、第１の誘電体層２および第２の誘電体層４にＺｎＳ−ＳｉＯ₂を使った記録媒体では、記録消去を繰り返すと信号振幅が低下し、繰り返し記録後の再生ジッタが悪化するという課題があった。この課題に対して、誘電体層としてＳｉ₃Ｎ₄やＡｌＮに代表される窒化物薄膜を用いた場合に、多少改善される傾向がみられるものの、このような窒化物は記録層との接着性が低く、例えば、高温高湿の環境下において剥離が生じるという別の課題が生じる。
【００２０】
この課題に対して、図９に示すように、記録層３に接して記録層を構成する成分のＧｅ−Ｎを主成分とする窒化物層、あるいはＧｅ−Ｏ−Ｎを主成分とする窒酸化物層６、７を形成した特願平８−５２７７２号に示した構成もある。
【００２１】
また、図９の構成のＧｅ−Ｎを主成分とする窒化物層、あるいはＧｅ−Ｏ−Ｎを主成分とする窒酸化物層６、７にＴｉ、Ｖ、Ｃｒ等の材料成分を混合させることにより、耐候性を向上させた特願平９−７９４７７号に示すような構成もある。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９のように記録層の両側をＧｅ−Ｎを主成分とする窒化物、あるいはＧｅ−Ｏ−Ｎを主成分とする窒酸化物で挟んだり、その窒化物、あるいは窒酸化物層にＴｉ、Ｖ、Ｃｒ等の材料成分を添加した構成では、前端間ジッタと後端間ジッタ間にアンバランスを生じる。例えば、(前端間ジッタ)≧(後端間ジッタ)のような差が生じる。以下、前端間ジッタと後端間ジッタの２乗平均値を再生ジッタとすると、この再生ジッタが悪化するという新たな課題があることがわかった。特に、Ｇｅ−ＮやＧｅ−Ｏ−Ｎに添加するＴｉ、Ｖ、Ｃｒ等の材料成分の添加量を多くすると、前端間ジッタと後端間ジッタとのアンバランスがよりおおきくなることがわかった。
【００２３】
前端間ジッタ・後端間ジッタにアンバランスが生じる原因として以下のことが考えられる。
【００２４】
すなわち、相変化記録媒体では、記録マークを形成する場合、記録層をレーザ光等の手段を用いて溶融しアモルファス化するのだが、溶融部の場所により冷却スピードが異なるため、溶融した部分が総てアモルファスに変化するのではなく、溶融部の一部は再結晶化する。この再結晶化により、記録マーク形状が決まってくる。また、１つの記録マークを形成するための記録波形によって、マークの前端部あるいは後端部で記録層に与えられるレーザ光による熱量が異なる。一方、溶融部の冷え方によりアモルファス部（記録マーク）形状が異なる。溶融部の冷え方は、記録媒体を構成する各層の膜厚や材料そのものの冷却能で決まり、記録マークの前後端形状に影響を与える。例えば、記録層に接する層の冷却能が大きい場合、記録層に接する層の冷却能が大きいため、マーク前端では昇温しにくく溶融領域がせまくなり、その結果アモルファス（記録マーク）領域が狭くなる。この記録マークの前端部形状の歪みが片エッジ検出では大きく、ジッタ値として影響を与える。一方、マーク後端では、マークの前方から伝導熱とレーザ照射による熱により充分に昇温し、そのあと急冷されるため、アモルファス（記録マーク）がしっかりと形成され、ジッタ値としても良好なものが得られる。
【００２５】
このように前端間と後端間ジッタにアンバランスが生じた場合について、消去パワーを一定とし、記録パワーを変化させた時のジッタ値依存性を図８に示す。例えば、記録層に与えられる熱量がマーク前端部で小さく、後端部で大きく、記録層に接する層の冷却能が大きい場合を考える。図８に示すように、前端間ジッタが後端間ジッタに比べて悪く、記録パワーが低いほど前後端ジッタ差が大きくなる。以上のように、記録マークのジッタは、光記録媒体の構成を制御しなけれ良好なものは得られないことがわかった。
【００２６】
このような前端間ジッタ・後端間ジッタのアンバランスは、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を誘電体層としてもちいていた場合にはこのような問題は生じなかった。ところがＧｅ−ＮあるいはＧｅ−Ｏ−Ｎ誘電体層をもちいた場合には、これらの層自身の冷却能が大きすぎるため昇温が不充分で、記録マーク形状がバラツキやすくなってしまう。また、Ｇｅ−ＮあるいはＧｅ−Ｏ−Ｎ何れかにＴｉ、Ｖ、Ｃｒ等の材料成分を多く添加した場合にも同様の理由で、記録マーク形状がバラツクと考えられる。
【００２７】
その上、ディスクへの記録パワーの設定は、前端間ジッタと後端間ジッタの２乗平均値から算出するため（例えば、ドライブのデフォーカスやディスクのチルトを考慮して、前端間ジッタと後端間ジッタの２乗平均値が１３％未満となる記録パワーのＡ倍を実際にディスクに記録する場合の記録パワーとする）、前端間ジッタと後端間ジッタのどちらか一方でも大きくなると、記録感度が悪くなり、記録パワーの設定値が高くなる。そのため高い記録パワーで繰り返し記録を行うこととなり、膜劣化が生じ、繰り返し記録後のジッタ値が悪い光記録媒体となってしまう。
【００２８】
記録感度が悪いと、記録パワーを高く設定する必要があり、その場合、レーザを高出力にせねばならず、コスト面やレーザの寿命の面で問題となる。例えばＤＶＤ−ＲＡＭ規格によれば、板面でのレーザパワーの上限は１４ｍＷと規定されている。
【００２９】
また、ジッタ値については、再生ジッタが１３％以下であれば、実用上問題なく使用できる。
【００３０】
また、繰り返し記録は５０万回以上可能であれば、いかなる用途に採用しても何ら問題を生じない。
【００３１】
以上より、記録感度が良好で、記録パワーが１４ｍＷ以下であり、繰り返し初期から５０万回繰り返し記録後までの再生ジッタが、１３％以下である光記録媒体を開発することが望まれる。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明の光記録媒体は、
透明基板上に形成された第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の上面に形成された第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層の上面に形成されたエネルギービームの照射によって光学的に検出可能な可逆的変化を生ずる記録層と、前記記録層の上面に形成された第３の誘電体層と、前記第３の誘電体層の上面に形成された反射層とを備える、または反射層の上面に第４の誘電体層を備える何れかの光記録媒体であって、前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層がＧｅ−ＮあるいはＧｅ−Ｏ−Ｎの何れかを含み、前記第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内である。
【００３３】
上記構成の光記録媒体に対して、
記録層の膜厚が１４ｎｍ以上２６ｎｍ以下の範囲、
第１の誘電体層の膜厚が７０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の範囲、
第２の誘電体層の膜厚が４ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲、
第１の誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ₂の混合体、
第２の誘電体層あるいは、第３の誘電体層の少なくとも一方に、材料成分ＸとしてＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのうち少なくとも１つの元素を含む、
第２の誘電体層あるいは第３の誘電体層の少なくとも一方に、含まれる材料成分ＸとＧｅの原子数比（Ｘ／Ｇｅ）をｂとしたとき、ｂ≦１．０、
であることが好ましい。
【００３４】
また、第４の誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ₂との混合体、
第４の誘電体層の膜厚が２０ｎｍ以上にすることが好ましい。
【００３５】
なお、上記光記録媒体にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする記録層を適用、
反射層がＡｌを主成分とすることが好ましい。
【００３６】
また、本発明による上記の光記録媒体への記録方法は、１つの記録マークを形成するための記録波形が、レーザ光を前記記録媒体中の記録層が光学的に検出可能な可逆的変化を生ずるレーザ光パワー以上のパワーに予め設定した第１のパワーと、前記第１のパワーよりも低いパワーに予め設定した第２のパワーとの間で変調した複数のパルスからなる記録パルス列で構成された記録波形でレーザ光照射することにより記録マークを形成する。
【００３７】
上記記録パルス列後に、レーザ光パワーが第１のパワー未満である消去パワーよりもさらに低いパワーの冷却パワーでレーザ光照射する冷却パルスとを含み構成された記録波形で記録、
上記何れかの記録パルス列の始端部分と終端部分とは、一定の前記第１のパワーを照射し、記録パルス列の始端・終端パルス間は前記第１のパワーと前記第２のパワーのレーザ光を、データクロックの１周期以下の周期で交互に切り換えて照射する記録パルス列で記録、
上記記録パルス列の始端及び終端部分の長さを、データクロックの１周期とする記録パルス列で記録、
上記記録パルス列後の冷却パワーでのレーザ光照射時間を１周期とする、
ことが好ましい。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明の光学的情報記録媒体および記録方法によれば、記録感度が向上し、初期から５０万回繰り返し記録後の再生ジッタも良好なものが得られる。
【００３９】
以下、図面を用いて本発明の具体的実施の形態を挙げ、本発明をより詳細に説明する。
【００４０】
図９及び図１０において、基板１の材質は、ガラス、石英、ポリカーボネート、あるいは、ポリメチルメタクリレートを使用できる。また、基板は平滑な平板でも表面にトラッキングガイド用の溝状の凸凹があってもよい。
【００４１】
記録層３に用いる記録層材料としては、アモルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合金がよく知られており、例えばＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅＰｄ系、ＴｅＧｅＳｎＡｕ系、ＡｇＳｂＴｅ系、ＧｅＴｅ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＳｅ系、ＩｎＳｂＴｅＡｇ系等、例えば上記系統の合金の相変化特性または光学特性に影響を及ぼさない範囲で他の元素を含む合金等が使える。
【００４２】
第１の誘電体層２、反射層上に設ける保護層８としてはＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等あるいはこれらの混合物が使える。また、これらの成分からなる層を複数積層した構造も使える。
【００４３】
記録層３を挟み込んだ第２の誘電体層６、第３の誘電体層７に供される窒化物または窒酸化物層としては、Ｇｅ−ＮあるいはＧｅ−Ｏ−Ｎを主成分とし、これら窒化物または窒酸化物にＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのうち少なくとも１つの元素を含んだものが使える。
【００４４】
反射層５としてはＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属材料を主成分とした材料、あるいはこれらの混合物、さらには所定の波長における反射率の大きな誘電体多層膜等が使える。
【００４５】
（実施の形態１）
上記光学的情報記録媒体の材料の内、本実施の形態で用いたディスクは、φ１２０ｍｍ、厚さ６ｍｍ、グルーブ間隔が１．４８μｍ（グルーブとその間のランドに記録するためのトラックピッチは０．７４μｍ）のポリカーボネート製信号記録用トラックを持つ基板を用い、スパッタリングにより基板１上に第１の誘電体層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を膜厚１１０ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚２０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０．１とした。
【００４６】
また、記録層組成はＧｅ₁₈Ｓｂ₂₄Ｔｅ₅₈とし、記録層を２２ｎｍ形成し、その上にスパッタによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚１０〜６０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０．１とした。反射層５はＡｌ−Ｃｒ膜を膜厚３０〜２２０ｎｍスパッタリングにより成膜を行った。そしてその上にポリカーボネートの保護板を設けた。
【００４７】
次に本実施の形態で用いた光ディスク装置について、図３を用いて説明する。光ディスク１１は、スピンドルモータ１２取り付けられ回転している。光学ヘッド１３は半導体レーザを光源とし、コリメータレンズ、対物レンズ等により光ディスク上にレーザスポットを形成する。半導体レーザはレーザ駆動回路１４により駆動され入力される。
【００４８】
次に光記録媒体への信号の記録再生方法について説明する。記録特性の評価には、波長６５０ｎｍの半導体レーザ光源と、開口数０．６の対物レンズとを搭載した光ヘッドを用いた。信号方式は８／１６、ＲＬＬ（２、１０）変調、最短ビット長０．４１μｍ、線速度６．１ｍ／ｓで溝トラックにランダム信号のオーバーライトを行い、ジッタ値を調べた。
【００４９】
本実施の形態で用いた具体的な記録パルス列の一形状を図４に示す。但し、図４の記録パルス列はマーク長変調記録において、６Ｔマークを記録する場合の代表的な記録パルス列パターンを示す。記録パルス列の始端部、終端部は長さ１Ｔで、記録パワー（本実施の形態では前述の第１のパワーに相当）を照射し、始端及び終端間は１Ｔの周期で、０．５Ｔの長さずつ交互に記録パワー（第１のパワー）と再生パワー（本実施の形態では前述の第２のパワーに相当）を照射した。また、パルス列後に、冷却パワー（ここでは、再生パワーレベル）でのレーザ光照射を１Ｔの長さで行い、その後は消去パワーでのレーザ光照射を行った。
【００５０】
次に、マークを記録消去するための記録パワー（第１のパワー）と消去パワーとの決定方法は、
（１）消去パワーを５ｍＷと一定とし、記録パワーのみを変化させ、１０回オーバーライトした時の再生ジッタが１３％以下となる記録パワーの１．２倍の記録パワー（以下Ｐｐ１とする）を求め、
（２）記録パワーをＰｐ１と一定とし、消去パワーのみを変化させ、１０回オーバーライトした時の再生ジッタが１３％以下となる消去パワーマージンの中央値の消去パワー（以下Ｐｂ１とする）を求め、
（３）消去パワーをＰｂ１と一定とし、記録パワーのみを変化させ、１０回オーバーライトした時の再生ジッタが１３％以下となる記録パワーの１．２倍の記録パワー（以下Ｐｐ２とする）を求め、
（４）先ほど求めたＰｐ２を記録パワー、Ｐｂ１を消去パワーとした。
【００５１】
評価項目としては、（１）記録パワー、（２）１０回繰り返し記録後の再生ジッタ、（３）５０万回繰り返し記録後の再生ジッタの３つを種々の膜厚のディスクについて検討した。
【００５２】
評価項目（１）の記録パワーについては、ランド、グルーブの両方で記録パワーが１２ｍＷ以下のものを○、１２〜１４ｍＷ程度のものを△、１４ｍＷ以上のものを×とした。
【００５３】
評価項目（２）、（３）の１０回繰り返し記録後の再生ジッタ、５０万回繰り返し記録後の再生ジッタについては、ランド、グルーブの両方で再生ジッタが１３％以下のものを○、それ以上のものを×とした。
【００５４】
評価項目（１）、（２）及び（３）を総合的に判断して、評価項目（１）で記録パワーが１２ｍＷ以下かつ、評価項目（２）、（３）で１０回および５０万回繰り返し記録後の再生ジッタが１３％以下を満たすものを○とし、それ以外のものを×とした。
【００５５】
本実施の形態では、記録層上に形成した窒化物または窒酸化物層の膜厚を１０〜６０ｎｍ、反射層の膜厚を３０〜２２０ｎｍ変化させた場合について、評価項目（１）、（２）、（３）について検討した。
【００５６】
（表１）及び（表２）にその結果を示す。また、評価項目（１）の記録パワーの結果は図５に、評価項目（２）の１０回繰り返しジッタ結果を図６に、評価項目（３）の５０万回ジッタ結果は図７に、評価項目（１）、（２）、（３）の総合評価結果を図１に示す。
【００５７】
【表１】

【００５８】
【表２】

【００５９】
反射層膜厚が３０ｎｍでは、反射層をレーザ光が透過してしまい、光学設計的に異なる光記録媒体となり、前端間ジッタ、後端間ジッタともに繰り返し初期から悪く、そのため記録パワーも高くなっている。
【００６０】
反射層厚が５０〜８０ｎｍの範囲においては、第３の誘電体層の膜厚を薄くすると、繰り返し初期の前端間ジッタ、後端間ジッタにアンバランスが生じる（前端ジッタが悪化する）が、本実施の形態での膜厚範囲では再生ジッタは１３％以下であった。
【００６１】
また、第３の誘電体層の膜厚を薄くした場合、前端間ジッタが悪化した分、記録感度が低下し、記録パワーが高くなっている。また、５０万回繰り返し後は、第３の誘電体膜厚が厚すぎると、繰り返し記録時の放熱が充分ではなく、記録層の熱的ダメージにより膜劣化が生じるため、再生ジッタが悪化している。
【００６２】
反射層厚が１００〜２００ｎｍでは、第３の誘電体層の膜厚が薄くかつ反射層の膜厚が厚い場合、繰り返し初期から、前端間ジッタ、後端間ジッタにアンバランスが生じ（前端間ジッタが１３％を越す）ている。この前端間ジッタ、後端間ジッタのアンバランスにより、記録感度が低下し記録パワーが高くなっている。また、５０万回繰り返し後の再生ジッタは、第３の誘電体層を厚すぎると、繰り返し記録時の放熱が充分でなく、記録層の熱的ダメージにより膜劣化が生じ悪化している。
【００６３】
反射層厚が２２０ｎｍでは、繰り返し初期から、前端間ジッタ、後端間ジッタにアンバランスが生じ（前端間ジッタが１３％を越す）ている。記録パワー、繰り返し初期、５０万回繰り返し記録後のジッタも悪い結果であった。
【００６４】
以上の結果から、記録感度が１２ｍＷ以下かつ初期から５０万回繰り返し記録後までの再生ジッタが１３％以下を満たす反射層厚と第３の誘電体層厚の組み合わせは、前記第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内である。
【００６５】
なお、反射層の上面に形成された第４の誘電体保護層を膜厚２０ｎｍ以上形成した光記録媒体でも、記録感度、初期から５０万回繰り返し記録後までの再生ジッタが１３％以下を満たす第３の誘電体層の膜厚および反射層膜厚の範囲は同じ結果が得られた。これは、熱せられた記録層の冷却能は、第３の誘電体層厚と反射層厚およびその冷却能に依存している。そのため、反射層の上に形成した熱伝導率の悪い第４の誘電体保護層を形成することや、その膜厚には依存しないためであると考えられる。
【００６６】
ただし、第４の誘電体保護層を設けた場合は、記録領域の始端劣化及び終端劣化が大きく改善された。この記録領域の始端劣化及び終端劣化とは、データ領域の記録開始点と記録終了点で繰り返し記録後に反射率が大きく変動するという現象である。これは、記録消去を繰り返し行うことにより、基板上に形成した各層の熱収縮により記録層が流動し、記録層膜厚の薄い部分が生じ、再生信号品質が低下するものである。これを、反射層上に例えばアモルファスＺｎＳ保護層を設けることで各層の熱収縮を抑え込み、記録層の流動を抑制できる。例えば、実施の形態１の記録媒体で、反射層の膜厚が１００ｎｍ、第３の誘電体層の膜厚が４０ｎｍの場合、反射層の上に第４の誘電体層がない場合は、始端劣化長は３０μｍ及び終端劣化長は２５μｍであったのに対して、第４の誘電体層を５０ｎｍ設けた場合には、始端劣化長は５μｍ及び終端劣化長は５μｍとなった。
【００６７】
（実施の形態２）
次に、記録層の膜厚を１３〜２８ｎｍまで変化させた記録媒体について、その記録パワーと１０回繰り返し記録後、５０万回繰り返し記録後の再生ジッタ特性を検討した結果について述べる。
【００６８】
本実施の形態で用いたディスクは、φ１２０ｍｍ、厚さ６ｍｍの案内溝の間隔が０．７４μｍのポリカーボネート製信号記録用トラックを持つ基板を用い、スパッタリングにより基板１上に第１の誘電体層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を膜厚１１０ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚２０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０．１とした。
【００６９】
また、記録層組成はＧｅ₁₈Ｓｂ₂₄Ｔｅ₅₈とし、記録層の厚みを１３〜２８ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚３０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０．１とした。反射層５はＡｌ−Ｃｒ膜を膜厚１００ｎｍスパッタリングにより成膜を行った。そしてその上にポリカーボネートの保護板を設けた。
【００７０】
本実施の形態で用いた光ディスク装置、記録パルス列、光記録媒体への信号の記録再生方法、記録パワー、消去パワーの決定法及び光記録媒体の評価項目については、実施の形態１と同じである。
【００７１】
記録層の膜厚を１３〜２８ｎｍまで変化させた場合の、記録パワーと初期から１０回繰り返し記録後の再生ジッタ及び５０万回繰り返し記録後の再生ジッタの結果を（表３）に示す。
【００７２】
【表３】

【００７３】
なお、記録層膜厚が１４〜２６ｎｍの範囲では、記録パワーが１２ｍＷ以下と良好であった。
【００７４】
また、記録層膜厚が１３ｎｍの場合は、膜厚が薄すぎて繰り返し記録による少しの信号振幅低下でも再生ジッタが悪化してしまったため、５０万回繰り返し記録後の再生ジッタが悪化している。また、記録層膜厚が２８ｎｍでは、前端間ジッタと後端間ジッタが繰り返し記録の初期から５０万回繰り返し記録後までアンバランス（後端間ジッタが悪化）を生じていた。しかし、記録層膜厚が１４〜２６ｎｍの場合には、初期から５０万回繰り返し記録後までの再生ジッタが１３％以下と良好であった。
【００７５】
以上の結果から、記録感度が１２ｍＷ以下で、１０回繰り返し記録後および５０万回繰り返し記録後再生ジッタが１３％以下を満たす記録層膜厚は、１４〜２６ｎｍの範囲である。
【００７６】
なお、記録層の膜厚が１４〜２６ｎｍの範囲で、かつ反射層厚と第３の誘電体層厚の組み合わせが、前記第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内である場合には、同じ結果が得られた。
【００７７】
なお、反射層の上面に形成された第４の誘電体保護層を膜厚２０ｎｍ以上形成した光記録媒体でも、同じ結果が得られた。
【００７８】
（実施の形態３）
次に、第１の誘電体層の膜厚を５０〜１５０ｎｍまで変化させた記録媒体について、その記録パワーと１０回繰り返し記録後および５０万回繰り返し記録後の再生ジッタ特性を検討した結果について述べる。
【００７９】
本実施の形態で用いたディスクは、φ１２０ｍｍ、厚さ６ｍｍの案内溝の間隔が０．７４μｍのポリカーボネート製信号記録用トラックを持つ基板を用い、スパッタリングにより基板１上に第１の誘電体層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を膜厚５０〜１５０ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚２０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０．１とした。
【００８０】
また、記録層組成はＧｅ₁₈Ｓｂ₂₄Ｔｅ₅₈とし、記録層を２２ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚３０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０．１とした。反射層５はＡｌ−Ｃｒ膜を膜厚１００ｎｍスパッタリングにより成膜を行った。そしてその上にポリカーボネートの保護板を設けた。
【００８１】
本実施の形態で用いた光ディスク装置、記録パルス列、光記録媒体への信号の記録再生方法、記録パワー、消去パワーの決定法及び光記録媒体の評価項目については、実施の形態１と同じである。
【００８２】
第１の誘電体層の膜厚を５０〜１５０ｎｍまで変化させた場合の、記録パワーと１０回繰り返し記録後の再生ジッタおよび５０万回繰り返し記録後の再生ジッタの結果を（表４）に示す。
【００８３】
【表４】

【００８４】
第１の誘電体層膜厚が５０〜１５０ｎｍの範囲では、記録パワーが１２ｍＷ以下と良好であった。また、１０回繰り返し記録後の再生ジッタも１３％以下と良好であった。
【００８５】
第１の誘電体層膜厚が５０ｎｍでは繰り返し初期からアンバランスを生じていた（後端間ジッタが少し悪い）が、再生ジッタは１３％以下であった。しかし、５０万回繰り返し記録後に後端間ジッタがさらに悪化し、再生ジッタが１３％を越した。また、第１の誘電体層の膜厚１５０ｎｍでは繰り返し初期からアンバランスを生じていた（前端間ジッタが少し悪い）が、再生ジッタは１３％以下であった。しかし、５０万回繰り返し記録後に前端間ジッタがさらに悪化し、再生ジッタが１３％を越した。
【００８６】
以上の結果から、記録感度が１２ｍＷ以下で、１０回繰り返し記録および５０万回繰り返し記録後再生ジッタが１３％以下を満たす第１の誘電体層膜厚は、７０〜１３０ｎｍの範囲である。
【００８７】
なお、第１の誘電体層の膜厚が７０〜１３０ｎｍの範囲で、反射層厚と第３の誘電体層厚の組み合わせが、前記第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内である場合には、同じ結果が得られた。
【００８８】
なお、反射層の上面に形成された第４の誘電体保護層を膜厚２０ｎｍ以上形成した光記録媒体でも、同じ結果が得られた。
【００８９】
（実施の形態４）
次に、第２の誘電体層の膜厚を１〜５０ｎｍまで変化させた記録媒体について、その記録パワーと１０回繰り返し記録後および５０万回繰り返し記録後の再生ジッタ特性を検討した結果について述べる。
【００９０】
本実施の形態で用いたディスクは、φ１２０ｍｍ、厚さ６ｍｍの案内溝の間隔が０．７４μｍのポリカーボネート製信号記録用トラックを持つ基板を用い、スパッタリングにより基板１上に第１の誘電体層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を膜厚１１０ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚１〜５０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０．１とした。
【００９１】
また、記録層組成はＧｅ₁₈Ｓｂ₂₄Ｔｅ₅₈とし、記録層を２２ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚３０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０．１とした。反射層５はＡｌ−Ｃｒ膜を膜厚１００ｎｍスパッタリングにより成膜を行った。そしてその上にポリカーボネートの保護板を設けた。
【００９２】
本実施の形態で用いた光ディスク装置、記録パルス列、光記録媒体への信号の記録再生方法、記録パワー、消去パワーの決定法及び光記録媒体の評価項目については、実施の形態１と同じである。
【００９３】
第２の誘電体層の膜厚を１〜５０ｎｍまで変化させた場合の、記録パワーと１０回繰り返し記録後の再生ジッタおよび５０万回繰り返し記録後の再生ジッタの結果を（表５）に示す。
【００９４】
【表５】

【００９５】
第２の誘電体層膜厚が１〜５０ｎｍの範囲では、記録パワーが１２ｍＷ以下と良好であった。また、繰り返し初期再生ジッタも１３％以下と良好であった。
【００９６】
しかし、第２の誘電体層膜厚が３ｎｍ以下では、５０万回繰り返し記録後、第２の誘電体層膜厚が薄すぎて、繰り返し記録による第１の誘電体層から記録層へのＳ成分やＯ成分の相互拡散が抑えくれないため、ジッタ値が悪化している。
【００９７】
また、第２の誘電体層膜厚が５０ｎｍでは５０万回繰り返し記録後では、局所的な膜破壊と考えられるバーストエラーが発生し、再生ジッタが悪化している。これは、元々、反射層側に比べて、基板側は放熱しにくいのだが、基板側の誘電体層膜厚（第１の誘電体層の膜厚＋第２の誘電体層の膜厚）が厚い場合、ますます放熱しにくくなり、熱ストレスがかかるためではないかと考えらる。
【００９８】
しかし、第２の誘電体層膜厚が４〜４０ｎｍの場合には、５０万回繰り返し記録後の再生ジッタが１３％以下と良好であった。
【００９９】
以上の結果から、記録パワーが１２ｍＷ以下で、１０回繰り返し記録および５０万回繰り返し記録後再生ジッタが１３％以下を満たす第２の誘電体層膜厚は、４〜４０ｎｍの範囲である。
【０１００】
なお、第１の誘電体層の膜厚が４〜４０ｎｍの範囲で、かつ反射層厚と第３の誘電体層厚の組み合わせが、前記第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内である場合には、同じ結果が得られた。
【０１０１】
なお、反射層の上面に形成された第４の誘電体保護層を膜厚２０ｎｍ以上形成した光記録媒体でも、同じ結果が得られた。
【０１０２】
（実施の形態５）
次に、第２の誘電体層および第３の誘電体層に添加するＣｒ量を変化した記録媒体について、その記録パワーと１０回繰り返し記録後および５０万回繰り返し記録後の再生ジッタ特性を検討した結果について述べる。
【０１０３】
本実施の形態で用いたディスクは、φ１２０ｍｍ、厚さ６ｍｍの案内溝の間隔が０．７４μｍのポリカーボネート製信号記録用トラックを持つ基板を用い、スパッタリングにより基板１上に第１の誘電体層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を膜厚１１０ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚２０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０〜１．３とした。
【０１０４】
また、記録層組成はＧｅ₁₈Ｓｂ₂₄Ｔｅ₅₈とし、記録層を２２ｎｍ形成し、その上にスパッタリングによりＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を膜厚３０ｎｍ形成した。この時のＣｒ／Ｇｅ組成比は０〜１．３とした。本実施の形態では、第２と第３の誘電体層のＣｒ／Ｇｅ組成比は一致させながら、Ｃｒ／Ｇｅ組成比を０〜１．３まで変化させた。反射層５はＡｌ−Ｃｒ膜を膜厚１００ｎｍスパッタリングにより成膜を行った。そしてその上にポリカーボネートの保護板を設けた。
【０１０５】
本実施の形態で用いた光ディスク装置、記録パルス列、光記録媒体への信号の記録再生方法、記録パワー、消去パワーの決定法及び光記録媒体の評価項目については、実施の形態１と同じである。
【０１０６】
第２と第３の誘電体層のＣｒ／Ｇｅ組成比を０〜１．３まで変化させた際の、記録パワーと１０回繰り返し記録後の再生ジッタおよび５０万回繰り返し記録後の再生ジッタの結果を（表６）に示す。
【０１０７】
【表６】

【０１０８】
Ｃｒ／Ｇｅの組成比が１．０以下の範囲では、記録パワーが１２ｍＷ以下と良好であった。また、繰り返し初期、５０万回繰り返し記録後の再生ジッタも１３％以下と良好であった。
【０１０９】
しかし、Ｃｒ／Ｇｅ組成比が１．３では、繰り返し初期記録後で前端間ジッタと後端間ジッタにアンバランスが生じ（前端間ジッタが悪化）、再生ジッタが悪化している。
【０１１０】
以上の結果から、記録パワーが１２ｍＷ以下で、１０回繰り返し記録および５０万回繰り返し記録後再生ジッタが１３％以下を満たすＣｒ／Ｇｅの組成比は、１．０以下の範囲である。
【０１１１】
本実施の形態では、第２、第３の誘電体層のＣｒ／Ｇｅ組成比を同じとし変化させたが、Ｃｒ／Ｇｅ比を１．０以下の範囲で第２、第３の誘電体層で独立に変化させた場合にも同様の結果が得られた。
【０１１２】
なお、第２、第３の誘電体層に材料成分ＸとしてＴｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃを混合し、その材料成分ＸとＧｅの原子数比（Ｘ／Ｇｅ）をｂとしたとき、ｂ≦１．０の範囲の記録媒体の場合にも同様の結果が得られた。
【０１１３】
なお、第２、第３の誘電体層のＣｒ／Ｇｅ組成比が１．０以下の範囲で、かつ反射層厚と第３の誘電体層厚の組み合わせが、前記第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内である場合には、同じ結果が得られた。
【０１１４】
なお、反射層の上面に形成された第４の誘電体保護層を膜厚２０ｎｍ以上形成した光記録媒体でも、同じ結果が得られた。
【０１１５】
【発明の効果】
以上のように、第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内では、良好な記録感度と１０回繰り返し記録後および５０万回繰り返し記録後再生ジッタが得られる記録媒体がえられた。
【０１１６】
また、上記の構成の光記録媒体に対して、記録層の膜厚が１４〜２６ｎｍの範囲である、第１の誘電体層の膜厚が７０〜１３０ｎｍの範囲である、第２の誘電体層の膜厚が４〜４０ｎｍの範囲である、第２、第３の誘電体層のＣｒ／Ｇｅ比を１．０以下とした場合、良好な記録感度と５０万回繰り返し記録後再生ジッタが得られる記録媒体がえられた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の記録パワー、１０回繰り返し記録後および５０万回繰り返し記録後再生ジッタの総合評価結果の図
【図２】従来の光ディスクの構造図
【図３】本発明の実施の形態に用いた光ディスクの記録装置の図
【図４】本発明の実施の形態に用いた記録波形の図
【図５】本発明の実施の形態の記録パワーの結果の図
【図６】本発明の実施の形態の１０回繰り返し記録後再生ジッタの結果の図
【図７】本発明の実施の形態の５０万回繰り返し記録後再生ジッタの結果の図
【図８】前後端ジッタのアンバランス状態を説明するための図
【図９】本発明の一態様の光ディスクの断面構成図
【図１０】本発明の他の態様の光ディスクの断面構成図
【符号の説明】
１ 基板
２ 第１の誘電体層
３ 記録層
４ 第２の誘電体層
５ 反射層
６ 第２の誘電体層
７ 第３の誘電体層
８ 誘電体保護層
１１ 光ディスク
１２ スピンドルモータ
１３ 光学ヘッド
１４ レーザー駆動回路

Claims (17)

1. 透明基板上に形成された第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の上面に形成された第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層の上面に形成されたエネルギービームの照射によって光学的に検出可能な可逆的変化を生ずる記録層と、前記記録層の上面に形成された第３の誘電体層と、前記第３の誘電体層の上面に形成された反射層とを有する光記録媒体であって、前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層がＧｅ−ＮあるいはＧｅ−Ｏ−Ｎの何れかを含み、前記第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内であることを特徴とする光学的情報の記録媒体。
2. 透明基板上に形成された第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の上面に形成された第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層の上面に形成されたエネルギービームの照射によって光学的に検出可能な可逆的変化を生ずる記録層と、前記記録層の上面に形成された第３の誘電体層と、前記第３の誘電体層の上面に形成された反射層と、前記反射層の上面に形成された第４の誘電体層とを有する光記録媒体であって、前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層がＧｅ−ＮあるいはＧｅ−Ｏ−Ｎの何れかを含み、前記第３の誘電体層の膜厚をα、前記反射層の膜厚をβとし、膜厚単位をｎｍとした時、αとβが、β≧５０、１５≦α≦５０、β≦２α＋１００、β≧２αで囲まれた範囲内であることを特徴とする光学的情報の記録媒体。
3. 記録層の膜厚が１４ｎｍ以上２６ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光学的情報の記録媒体。
4. 第１の誘電体層の膜厚が７０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光学的情報の記録媒体。
5. 第２の誘電体層の膜厚が４ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光学的情報の記録媒体。
6. 第１の誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ₂の混合体であることを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光学的情報の記録媒体。
7. 第２の誘電体層と第３の誘電体層の少なくとも一方に、材料成分ＸとしてＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃのうち少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光学的情報の記録媒体。
8. 第２の誘電体層と第３の誘電体層の少なくとも一方に添加する材料成分ＸとＧｅの原子数比（Ｘ／Ｇｅ）をｂとしたとき、ｂの範囲が１．０以下であることを特徴とする請求項７記載の光学的情報の記録媒体。
9. 記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とすることを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光学的情報の記録媒体。
10. 反射層がＡｌを主成分とすることを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光学的情報の記録媒体。
11. 第４の誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ₂の混合体であることを特徴とする請求項２記載の光学的情報の記録媒体。
12. 第４の誘電体層の膜厚が２０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項２または１１何れかに記載の光学的情報の記録媒体。
13. 請求項１〜１２記載の記録媒体へ、複数パワーのレーザ光を切り換えて照射し、パルス幅変調されたデジタル信号を、光ビームを用いてオーバーライトする記録方法であって、１つの記録マークを形成するための記録波形が、前記レーザ光を、前記記録媒体が光学的に検出可能な可逆的変化を生ずるレーザ光パワー以上のパワーに予め設定した第１のパワーと、前記第１のパワーよりも低いパワーに予め設定した第２のパワーとの間で変調した複数のパルスからなる記録パルス列で構成されていることを特徴とする光学的情報の記録方法。
14. 記録パルス列後に、レーザ光パワーが第１のパワー未満である消去パワーよりもさらに低いパワーである冷却パワーでレーザ光照射する冷却パルスを含み構成された記録波形であることを特徴とする請求項１３記載の光学的情報の記録方法。
15. 記録パルス列の始端部分と終端部分は一定の第１のパワーを照射し、記録パルス列の始端・終端パルス間は前記第１のパワーと第２のパワーのレーザ光を、データクロックの１周期以下の周期で交互に切り換えて照射する記録パルス列であることを特徴とする請求項１３または１４何れかに記載の光学的情報の記録方法。
16. 記録パルス列の始端、終端部分の長さがデータクロックの１周期であることを特徴とする請求項１５記載の光学的情報の記録方法。
17. 記録パルス列後の冷却パルスでのレーザ照射時間が１周期であることを特徴とする請求項１４記載の光学的情報の記録方法

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