JP2004311011A - 光学的情報記録媒体とその製造方法、この媒体を用いた情報の記録方法及び記録装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明基板1上に多層膜21が設けられている。多層膜21は、透明基板1に近い側から順に、少なくとも、光ビームの照射により光学的に検出可能な互いに異なる2以上の状態間で変化する記録層3と、光吸収層5とを含む。記録層3は、式Gex(BiySb1-y)2Tex+3(但し、x≧5かつ0<y≦1)で表される材料を主成分とする。このような記録層3を含む多層膜21は、透明基板1上に、透明基板1に近い側から順に配置された第1情報層〜第N情報層(Nは2以上の整数)を含む多層記録媒体にも適用でき、この場合は、第1情報層〜第N情報層の少なくとも一つを上記多層膜21と同じ構成とする。
【選択図】 図1
Description
上記の記録層3と光吸収層5とを組合せて用いることで、広い線速度範囲においてC/N比も消去率も高く保つことができる。
実施例1では、図2に示す構成の光学的情報記録媒体を作製した。透明基板として、ポリカーボネイト樹脂からなり、直径12cm、厚さ0.6mm、グルーブピッチ1.23μm、グルーブ深さ約55nmの基板を準備した。この透明基板のグルーブが形成された表面上に、(ZnS)80(SiO2)20からなる膜厚130nmの下側誘電体層、(ZrO2)25(SiO2)25(Cr2O3)50からなる膜厚2nmの下側界面層、様々な材料組成からなる膜厚9nmの記録層、(ZrO2)25(SiO2)25(Cr2O3)50からなる膜厚2nmの上側界面層、(ZnS)80(SiO2)20からなる膜厚40nmの上側誘電体層、CrSi2からなる膜厚25nmの光吸収層、Ag98Pd1Cu1からなる膜厚80nmの反射層の各層をスパッタリング法により順次積層した。下側誘電体層に用いた材料の屈折率nは2.1である。
実施例1のディスク3及びディスク7の下側誘電体層の膜厚を100nm〜150nmの範囲で変えたディスクを実施例1と同様の方法で作製し、実施例1と同様の評価を行った。その結果を(表2)に示す。
2 下側誘電体層
3 記録層
4 上側誘電体層
5 光吸収層
6 反射層
7 保護基板
8 レーザー光
9 対物レンズ
10 下側界面層
11 上側界面層
12 分離層
13 第1情報層
14 第2情報層
15 第n情報層
16 レーザーダイオード
17 ハーフミラー
18 モーター
19 光学的情報記録媒体
20 フォトディテクター
21 多層膜
Claims (24)
- 透明基板と、前記透明基板上に設けられた多層膜とを含み、
前記多層膜が、前記透明基板に近い側から順に、少なくとも、光ビームの照射により光学的に検出可能な互いに異なる2以上の状態間で変化する記録層と、光吸収層とを含み、
前記記録層が、式Gex(BiySb1-y)2Tex+3(但し、x≧5かつ0<y≦1)で表される材料を主成分とすることを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 前記透明基板上に、前記透明基板に近い側から順に配置された第1情報層〜第N情報層(Nは2以上の整数)を含み、
前記第1情報層〜第N情報層の少なくとも一つが前記多層膜である請求項1に記載の光学的情報記録媒体。 - 前記光吸収層の屈折率をn1、前記光吸収層の消衰係数をk1とすると、3≦n1≦6、かつ、1≦k1≦4である請求項1に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記光吸収層が、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Os、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、Pb、Sb及びBiから選ばれる少なくとも1つの元素を含む請求項1に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記光吸収層が、Si及びGeから選ばれる少なくとも1つの元素を含む請求項4に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記多層膜が、前記記録層に対して前記透明基板に近い側に配置された下側誘電体層をさらに含む請求項1に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記下側誘電体層の膜厚が135nm以下である請求項6に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記下側誘電体層の膜厚をd、前記下側誘電体層の屈折率をn2、記録または再生に用いる光ビームの波長をλとすると、n2d≦7λ/16である請求項6に記載の光学的情報記録媒体。
- 0<n2d≦3λ/16またはλ/4≦n2d≦7λ/16である請求項8に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記多層膜が、前記下側誘電体層と前記記録層との間に、さらに下側界面層を含む請求項6に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記下側界面層が、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及びSiから選ばれる少なくとも1種の酸化物を主成分とする材料からなる請求項10に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記多層膜が、前記記録層に対して前記透明基板と反対側に配置された上側誘電体層をさらに含む請求項1に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記上側誘電体層の膜厚が15nm以上80nm以下である請求項12に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記上側誘電体層の膜厚が25nm以上60nm以下である請求項13に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記多層膜が、前記記録層と前記上側誘電体層との間に、さらに上側界面層をさらに含む請求項12に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記上側界面層が、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及びSiから選ばれる少なくとも1種の酸化物を主成分とする材料からなる請求項15に記載の光学的情報記録媒体。
- 前記多層膜が、前記光吸収層に対して前記透明基板と反対側に配置された反射層をさらに含む請求項1に記載の光学的情報記録媒体。
- 透明基板上に、前記透明基板に近い側から順に、少なくとも、光ビームの照射により光学的に検出可能な互いに異なる2以上の状態間で変化する記録層と、光吸収層とを含む多層膜を含む光学的情報記録媒体を製造する方法であって、
前記記録層を、式Gex(BiySb1-y)2Tex+3(但し、x≧5かつ0<y≦1)で表される材料を主成分とするように成膜することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。 - 前記透明基板上に、前記透明基板に近い側から順に配置された第1情報層〜第N情報層(Nは2以上の整数)を含む光学的情報記録媒体を製造する方法であって、
前記第1情報層〜第N情報層の少なくとも一つを、前記多層膜とするように成膜する請求項18に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。 - 前記多層膜において、前記記録層に対して前記透明基板に近い側に配置される下側誘電体層を、膜厚が135nm以下となるように成膜する請求項18に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
- 透明基板上に、前記透明基板に近い側から順に、少なくとも、光ビームの照射により光学的に検出可能な互いに異なる2以上の状態間で変化する記録層と、光吸収層とを含む多層膜を含む光学的情報記録媒体への情報の記録方法であって、
前記記録層が、式Gex(BiySb1-y)2Tex+3(但し、x≧5かつ0<y≦1)で表される材料を主成分とし、
前記媒体を回転させながら、前記媒体の線速度が高くなるほど発光パワーの時間積分を最大発光パワーで割った値が高くなるように設定したレーザーパワー変調パルス波形を用いて前記情報を記録することを特徴とする情報の記録方法。 - 前記光学的情報記録媒体が、前記透明基板上に、前記透明基板に近い側から順に配置された第1情報層〜第N情報層(Nは2以上の整数)を含み、前記第1情報層〜第N情報層の少なくとも一つが前記多層膜である請求項21に記載の情報の記録方法。
- 透明基板上に、前記透明基板に近い側から順に、少なくとも、光ビームの照射により光学的に検出可能な互いに異なる2以上の状態間で変化する記録層と、光吸収層とを含む多層膜を含む光学的情報記録媒体へ情報を記録する情報の記録装置であって、
前記記録層が、式Gex(BiySb1-y)2Tex+3(但し、x≧5かつ0<y≦1)で表される材料を主成分とし、
前記媒体を回転させながら、前記媒体の線速度が高くなるほど発光パワーの時間積分を最大発光パワーで割った値が高くなるように設定したレーザーパワー変調パルス波形を用いて前記情報を記録することを特徴とする情報の記録装置。 - 前記光学的情報記録媒体が、前記透明基板上に、前記透明基板に近い側から順に配置された第1情報層〜第N情報層(Nは2以上の整数)を含み、前記第1情報層〜第N情報層の少なくとも一つが前記多層膜である請求項23に記載の情報の記録装置。
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