JP2000187882A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JP2000187882A JP2000187882A JP11035090A JP3509099A JP2000187882A JP 2000187882 A JP2000187882 A JP 2000187882A JP 11035090 A JP11035090 A JP 11035090A JP 3509099 A JP3509099 A JP 3509099A JP 2000187882 A JP2000187882 A JP 2000187882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- thickness
- recording medium
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録密度、高転送レートに対応可能とし、
同時に良好なダイレクトオーバーライトを実現可能とす
る。 【解決手段】 基板上に反射層、記録層がこの順に積層
形成されるとともに、記録層上に厚さ０．３ｍｍ以下の
光透過層が形成され、上記光透過層側から記録再生光が
照射される光記録媒体である。この光記録媒体におい
て、上記記録層が結晶状態にあるときの吸収率Ａｃとア
モルファス状態にあるときの吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａ
は１．１以上である。厚さ０．３ｍｍ以下の光透過層側
からの記録再生光の照射と吸収率制御とを併用すること
により、結晶とアモルファスの物理的性質の差が確実に
補償され、高線速化と良好なダイレクトオーバーライト
が同時に実現される。
同時に良好なダイレクトオーバーライトを実現可能とす
る。 【解決手段】 基板上に反射層、記録層がこの順に積層
形成されるとともに、記録層上に厚さ０．３ｍｍ以下の
光透過層が形成され、上記光透過層側から記録再生光が
照射される光記録媒体である。この光記録媒体におい
て、上記記録層が結晶状態にあるときの吸収率Ａｃとア
モルファス状態にあるときの吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａ
は１．１以上である。厚さ０．３ｍｍ以下の光透過層側
からの記録再生光の照射と吸収率制御とを併用すること
により、結晶とアモルファスの物理的性質の差が確実に
補償され、高線速化と良好なダイレクトオーバーライト
が同時に実現される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体に関するものであり、高速ダイレクトオーバーライ
ト可能な相変化型光記録媒体に関するものである。
媒体に関するものであり、高速ダイレクトオーバーライ
ト可能な相変化型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】相変化記録材料を用いた書き換え可能な
光ディスクの実用例として、いわゆるＤＶＤ−ＲＡＭが
市販されており、線速６ｍ／秒、ビット長０．４１μｍ
／秒、トラックピッチ０．７４μｍ、レーザ波長およそ
６５０ｎｍ、データ転送レート１１Ｍｂｐｓ、記録容量
２．６ＧＢが実現されている。
光ディスクの実用例として、いわゆるＤＶＤ−ＲＡＭが
市販されており、線速６ｍ／秒、ビット長０．４１μｍ
／秒、トラックピッチ０．７４μｍ、レーザ波長およそ
６５０ｎｍ、データ転送レート１１Ｍｂｐｓ、記録容量
２．６ＧＢが実現されている。
【０００３】これをさらに上回る大容量、高転送レート
を実現するためには、記録レーザのスポットサイズを小
さくし、記録線速を上げることが有効である。ここで、
記録レーザのスポットサイズを小さくする具体的手法と
しては、レーザ波長を短くする方法や、対物レンズの開
口数を大きくする方法が挙げられる。
を実現するためには、記録レーザのスポットサイズを小
さくし、記録線速を上げることが有効である。ここで、
記録レーザのスポットサイズを小さくする具体的手法と
しては、レーザ波長を短くする方法や、対物レンズの開
口数を大きくする方法が挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スポッ
トサイズを小さくして記録線速を高くすると、相変化記
録に特有の問題であるダイレクトオーバーライト時のア
モルファスと結晶の吸収率の差に起因する波形歪みを助
長することになる。
トサイズを小さくして記録線速を高くすると、相変化記
録に特有の問題であるダイレクトオーバーライト時のア
モルファスと結晶の吸収率の差に起因する波形歪みを助
長することになる。
【０００５】すなわち、いわゆる相対的高線速記録にお
いては、既に書き込まれている記録マークに重ねて次の
マークがオーバーライトされる場合には、何も書かれて
いない結晶状態の部分に新しく書き込まれる場合より
も、記録マークが大きくなる傾向にある。これは、アモ
ルファスと結晶の物理的性質（光学定数、熱伝導度、溶
解時の潜熱の有無）の差によるものである。
いては、既に書き込まれている記録マークに重ねて次の
マークがオーバーライトされる場合には、何も書かれて
いない結晶状態の部分に新しく書き込まれる場合より
も、記録マークが大きくなる傾向にある。これは、アモ
ルファスと結晶の物理的性質（光学定数、熱伝導度、溶
解時の潜熱の有無）の差によるものである。
【０００６】したがって、通常の４層構造の相変化記録
ディスクでは、高密度、高転送レートを実現すること
は、事実上、困難である。
ディスクでは、高密度、高転送レートを実現すること
は、事実上、困難である。
【０００７】一方、光ディスクの記録密度を高める一手
段として、対物レンズの開口数ＮＡを上げて光りスポッ
ト径を小さくする方法がある。しかしながら、対物レン
ズの開口数ＮＡを上げると、例えばディスクの傾き、す
なわちスキューに対する許容度が小さくなり、光学シス
テムとして不安定となる。
段として、対物レンズの開口数ＮＡを上げて光りスポッ
ト径を小さくする方法がある。しかしながら、対物レン
ズの開口数ＮＡを上げると、例えばディスクの傾き、す
なわちスキューに対する許容度が小さくなり、光学シス
テムとして不安定となる。
【０００８】この問題に対しては、透明基板の厚さを薄
くすることで対処可能であり、これによりスキューに対
する許容度を広げることができる。例えば、対物レンズ
の開口数ＮＡ＝０．８５に対し、透明基板の厚さを０．
１ｍｍとすることによりスキューマージンを確保したま
ま高記録密度を得ることができる。
くすることで対処可能であり、これによりスキューに対
する許容度を広げることができる。例えば、対物レンズ
の開口数ＮＡ＝０．８５に対し、透明基板の厚さを０．
１ｍｍとすることによりスキューマージンを確保したま
ま高記録密度を得ることができる。
【０００９】しかしながら、いわゆるコンパクトディス
ク（ＣＤ）等で用いられている射出成形法、すなわちイ
ンジェクション法で厚さ０．１ｍｍの薄型透明基板を精
度良く作製することは、現状では困難である。また、仮
にこのような薄型透明基板が作製可能であるとしても、
非常に薄くて反りやすいために、成膜プロセスやＵＶ保
護膜塗布工程等での取り扱いに多大な注意を要する。
ク（ＣＤ）等で用いられている射出成形法、すなわちイ
ンジェクション法で厚さ０．１ｍｍの薄型透明基板を精
度良く作製することは、現状では困難である。また、仮
にこのような薄型透明基板が作製可能であるとしても、
非常に薄くて反りやすいために、成膜プロセスやＵＶ保
護膜塗布工程等での取り扱いに多大な注意を要する。
【００１０】そこで、これまで用いられてきた厚さ０．
３ｍｍ以上の基板、例えば厚さ１．２ｍｍや０．６ｍｍ
の基板の上に、従来とは逆の順番、すなわち反射層、誘
電体層、記録層、誘電体層の順に成膜し、最後に厚さ
０．３ｍｍ以下（例えば厚さ０．１ｍｍ）の透明層（以
下、光透過保護層と呼ぶ。）を形成する方法が提案され
ている。光透過保護層は、スピンコートにより紫外線硬
化樹脂を塗布する方法や、厚さ０．１ｍｍのシートを接
着する方法等により形成可能である。また、レーザビー
ムは光透過保護層側から入射する。
３ｍｍ以上の基板、例えば厚さ１．２ｍｍや０．６ｍｍ
の基板の上に、従来とは逆の順番、すなわち反射層、誘
電体層、記録層、誘電体層の順に成膜し、最後に厚さ
０．３ｍｍ以下（例えば厚さ０．１ｍｍ）の透明層（以
下、光透過保護層と呼ぶ。）を形成する方法が提案され
ている。光透過保護層は、スピンコートにより紫外線硬
化樹脂を塗布する方法や、厚さ０．１ｍｍのシートを接
着する方法等により形成可能である。また、レーザビー
ムは光透過保護層側から入射する。
【００１１】しかしながら、このように従来のものに比
べて非常に微細な（開口数ＮＡの高い）光スポット径で
信号を記録する上記構造の光記録媒体の場合、記録線速
を高くしたとき、上述したアモルファスと結晶の吸収率
の差に起因する波形歪みがより顕著になり、従来の光学
系を用いたものよりも高転送レート化がさらに困難にな
るという問題がある。レーザ波長が４００ｎｍ台の青色
レーザとなると、スポット径はより小さくなるので、高
記録線速化はさらに困難となる。
べて非常に微細な（開口数ＮＡの高い）光スポット径で
信号を記録する上記構造の光記録媒体の場合、記録線速
を高くしたとき、上述したアモルファスと結晶の吸収率
の差に起因する波形歪みがより顕著になり、従来の光学
系を用いたものよりも高転送レート化がさらに困難にな
るという問題がある。レーザ波長が４００ｎｍ台の青色
レーザとなると、スポット径はより小さくなるので、高
記録線速化はさらに困難となる。
【００１２】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、前記構造の光記録媒体におい
て、スポットサイズの微小化や記録線速の向上による高
記録密度、高転送レートに対応可能とし、良好なダイレ
クトオーバーライトを実現可能とすることを目的とす
る。
提案されたものであり、前記構造の光記録媒体におい
て、スポットサイズの微小化や記録線速の向上による高
記録密度、高転送レートに対応可能とし、良好なダイレ
クトオーバーライトを実現可能とすることを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の光記録媒体は、基板上に反射層、記録層
がこの順に積層形成されるとともに、記録層上に厚さ
０．３ｍｍ以下の光透過層が形成され、上記光透過層側
から記録再生光が照射される光記録媒体において、上記
記録層が結晶状態にあるときの吸収率Ａｃとアモルファ
ス状態にあるときの吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａが１．１
以上であることを特徴とする。
めに、本発明の光記録媒体は、基板上に反射層、記録層
がこの順に積層形成されるとともに、記録層上に厚さ
０．３ｍｍ以下の光透過層が形成され、上記光透過層側
から記録再生光が照射される光記録媒体において、上記
記録層が結晶状態にあるときの吸収率Ａｃとアモルファ
ス状態にあるときの吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａが１．１
以上であることを特徴とする。
【００１４】本発明は、厚さ０．３ｍｍ以下の光透過保
護層及び逆順成膜に特徴付けられる光ディスク構造と吸
収率制御とを併用するというのが基本的な考えであり、
これらを組み合わせることで、高記録密度（高ＮＡ化、
あるいは短波長化）且つ高記録線速においても結晶とア
モルファスの物理的性質の差が確実に補償され、良好な
ダイレクトオーバーライトが実現される。
護層及び逆順成膜に特徴付けられる光ディスク構造と吸
収率制御とを併用するというのが基本的な考えであり、
これらを組み合わせることで、高記録密度（高ＮＡ化、
あるいは短波長化）且つ高記録線速においても結晶とア
モルファスの物理的性質の差が確実に補償され、良好な
ダイレクトオーバーライトが実現される。
【００１５】通常の４層構造の光ディスクにおいては、
上記Ａｃ／Ａａは０．８〜０．９に設定されている。こ
れに対し、アモルファスの方が結晶より高い吸収率を光
学的薄膜の積層構成を制御することにより逆転させる，
いわゆる吸収率制御の手法は、既に提唱されているもの
であるが、厚さ０．３ｍｍ以下の光透過保護層及び逆順
成膜と組み合わせた例はない。
上記Ａｃ／Ａａは０．８〜０．９に設定されている。こ
れに対し、アモルファスの方が結晶より高い吸収率を光
学的薄膜の積層構成を制御することにより逆転させる，
いわゆる吸収率制御の手法は、既に提唱されているもの
であるが、厚さ０．３ｍｍ以下の光透過保護層及び逆順
成膜と組み合わせた例はない。
【００１６】本発明では、上記構造の光記録媒体との併
用を考え、これまでの手法とは異なる見地から異なる範
囲（１．１以上）にＡｃ／Ａａを設定するものであり、
従来のものとは全く異なる技術と言える。
用を考え、これまでの手法とは異なる見地から異なる範
囲（１．１以上）にＡｃ／Ａａを設定するものであり、
従来のものとは全く異なる技術と言える。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明を適用した光ディスクの最
も基本的な構成を示すもので、例えば厚さ０．３ｍｍ以
上の基板１上に、反射層２、記録層３、光透過保護層４
が順次形成されてなるものである。
も基本的な構成を示すもので、例えば厚さ０．３ｍｍ以
上の基板１上に、反射層２、記録層３、光透過保護層４
が順次形成されてなるものである。
【００１９】したがって、この光ディスクでは、光透過
保護層４側から記録再生光が照射され、記録層３に対す
る記録・再生が行われる。
保護層４側から記録再生光が照射され、記録層３に対す
る記録・再生が行われる。
【００２０】上述の構成の光ディスクにおいて、基板１
は、ポリカーボネート等のプラスチック材料を例えば射
出成型することにより作製される透明基板であり、記録
層３が形成される側の面に、案内溝等が形成されていて
もよい。あるいは、２Ｐレジン（紫外線硬化樹脂）を用
いたガラス２Ｐ法等により形成されてもよい。また、基
板１は必ずしも透明基板でなくともよく、その場合に
は、上記プラスチック材料ではなく、光を吸収する別の
材料を用いることもできる。
は、ポリカーボネート等のプラスチック材料を例えば射
出成型することにより作製される透明基板であり、記録
層３が形成される側の面に、案内溝等が形成されていて
もよい。あるいは、２Ｐレジン（紫外線硬化樹脂）を用
いたガラス２Ｐ法等により形成されてもよい。また、基
板１は必ずしも透明基板でなくともよく、その場合に
は、上記プラスチック材料ではなく、光を吸収する別の
材料を用いることもできる。
【００２１】記録層３は、相変化材料よりなるものであ
り、相変化材料としては、カルコゲナイト、すなわちカ
ルコゲン化合物あるいは単体のカルコゲン等、公知のも
のがいずれも使用可能である。例示するならば、Ｔｅ、
Ｓｅの各単体、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ
Ａｇ、ＩｎＳｅ（−ＴｌＣｏ）、ＩｎＳｂＳｅ、Ｂｉ2
Ｔｅ3 、ＢｉＳｅ、Ｓｂ2Ｓｅ3、Ｓｂ2Ｔｅ3等カルコゲ
ナイト系材料を挙げることができる。
り、相変化材料としては、カルコゲナイト、すなわちカ
ルコゲン化合物あるいは単体のカルコゲン等、公知のも
のがいずれも使用可能である。例示するならば、Ｔｅ、
Ｓｅの各単体、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ
Ａｇ、ＩｎＳｅ（−ＴｌＣｏ）、ＩｎＳｂＳｅ、Ｂｉ2
Ｔｅ3 、ＢｉＳｅ、Ｓｂ2Ｓｅ3、Ｓｂ2Ｔｅ3等カルコゲ
ナイト系材料を挙げることができる。
【００２２】光透過保護層４は、例えば紫外線硬化樹脂
を塗布することによって形成することもできるし、光透
過性フィルムを紫外線硬化樹脂で貼り合わせることによ
っても形成することができる。光透過層４の厚さを０．
３ｍｍ以下、例えば１０〜１７７μｍとし、高ＮＡの光
学系と組み合わせることで、これまでにない高記録密度
を実現することができる。
を塗布することによって形成することもできるし、光透
過性フィルムを紫外線硬化樹脂で貼り合わせることによ
っても形成することができる。光透過層４の厚さを０．
３ｍｍ以下、例えば１０〜１７７μｍとし、高ＮＡの光
学系と組み合わせることで、これまでにない高記録密度
を実現することができる。
【００２３】一方、反射層２は、熱伝導率が０．０００
４Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）から２．２Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・
ｓ）なる値を有する金属元素、半金属元素、半導体元
素、及びそれらの化合物、あるいは混合物を用いること
ができるが、吸収率制御の観点から、ある程度光を透過
する透過型反射膜とすることが好ましい。具体的には、
半導体レーザ波長域において吸収能を有し且つ透過率３
％以上のものを光透過型反射膜と定義する。
４Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）から２．２Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・
ｓ）なる値を有する金属元素、半金属元素、半導体元
素、及びそれらの化合物、あるいは混合物を用いること
ができるが、吸収率制御の観点から、ある程度光を透過
する透過型反射膜とすることが好ましい。具体的には、
半導体レーザ波長域において吸収能を有し且つ透過率３
％以上のものを光透過型反射膜と定義する。
【００２４】通常、反射層２は、Ａｌ等の金属のある程
度厚さが厚い膜が用いられる。この場合、記録再生光
は、この反射層２によりほとんど全てが反射され、記録
層３が結晶状態にあるときの吸収率Ａｃとアモルファス
状態にあるときの吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａが０．８〜
０．９程度である。
度厚さが厚い膜が用いられる。この場合、記録再生光
は、この反射層２によりほとんど全てが反射され、記録
層３が結晶状態にあるときの吸収率Ａｃとアモルファス
状態にあるときの吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａが０．８〜
０．９程度である。
【００２５】本発明では、反射層２を上記のようにある
程度光を透過する透過型反射層とし、その膜厚、記録層
３の膜厚、さらには後述の誘電体層の厚さ等を制御する
ことにより、記録層３が結晶状態にあるときの吸収率Ａ
ａとアモルファス状態にあるときの吸収率Ａｃの比Ａｃ
／Ａａを１．１以上とする。
程度光を透過する透過型反射層とし、その膜厚、記録層
３の膜厚、さらには後述の誘電体層の厚さ等を制御する
ことにより、記録層３が結晶状態にあるときの吸収率Ａ
ａとアモルファス状態にあるときの吸収率Ａｃの比Ａｃ
／Ａａを１．１以上とする。
【００２６】具体的には、例えば反射層２にＳｉを用
い、その厚さｄを０ｎｍ＜ｄ＜１００ｎｍとなるように
制御する。あるいは、反射層２にＡｕを用い、その厚さ
ｄを０ｎｍ＜ｄ＜３０ｎｍとなるように制御する。その
他、Ａｌ、Ａｇ等の金属、半金属、半導体、さらには各
種合金等も、厚さを薄く設定し、光透過型反射膜とする
ことにより、使用可能である。金属元素、半金属元素、
半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物等の化合物の場合
や、それらの混合物の場合も同様である。
い、その厚さｄを０ｎｍ＜ｄ＜１００ｎｍとなるように
制御する。あるいは、反射層２にＡｕを用い、その厚さ
ｄを０ｎｍ＜ｄ＜３０ｎｍとなるように制御する。その
他、Ａｌ、Ａｇ等の金属、半金属、半導体、さらには各
種合金等も、厚さを薄く設定し、光透過型反射膜とする
ことにより、使用可能である。金属元素、半金属元素、
半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物等の化合物の場合
や、それらの混合物の場合も同様である。
【００２７】上述のように吸収率の比Ａｃ／Ａａを１．
１以上とすることにより、相対的に結晶部分が加熱され
易くなり、何も書かれていない結晶状態の部分に書かれ
る記録マークの大きさを、アモルファス状態にある記録
マークに重ねて書かれる記録マークの大きさに近づける
ことができる。
１以上とすることにより、相対的に結晶部分が加熱され
易くなり、何も書かれていない結晶状態の部分に書かれ
る記録マークの大きさを、アモルファス状態にある記録
マークに重ねて書かれる記録マークの大きさに近づける
ことができる。
【００２８】ただし、上記吸収率の比Ａｃ／Ａａを大き
くする方向は、反射層２の厚さを薄くする方向でもあ
り、ヒートシンクの点で問題が生ずるので、適正な範囲
に抑えることが好ましい。
くする方向は、反射層２の厚さを薄くする方向でもあ
り、ヒートシンクの点で問題が生ずるので、適正な範囲
に抑えることが好ましい。
【００２９】すなわち、通常、反射層２は、先にも述べ
たとおり、ある程度厚さの厚い金属膜からなり、ヒート
シンクの役割を果たしている。これに対し、反射層２に
Ｓｉを用いたり、厚さを薄くすると、このヒートシンク
の役割を十分に果たせなくなり、熱が逃げにくくなる。
その結果、徐冷構造となり、繰り返し特性等の劣化を招
く。
たとおり、ある程度厚さの厚い金属膜からなり、ヒート
シンクの役割を果たしている。これに対し、反射層２に
Ｓｉを用いたり、厚さを薄くすると、このヒートシンク
の役割を十分に果たせなくなり、熱が逃げにくくなる。
その結果、徐冷構造となり、繰り返し特性等の劣化を招
く。
【００３０】そこで、上記吸収率の比Ａｃ／Ａａには、
自ずと許容範囲（上限）が決まってくるが、この許容範
囲は記録再生光の波長によっても異なり、例えば、現状
の波長域（６５０ｎｍ前後）では、上記吸収率の比Ａｃ
／Ａａを２．０以下にすることが好ましい。
自ずと許容範囲（上限）が決まってくるが、この許容範
囲は記録再生光の波長によっても異なり、例えば、現状
の波長域（６５０ｎｍ前後）では、上記吸収率の比Ａｃ
／Ａａを２．０以下にすることが好ましい。
【００３１】ところで、上記結晶状態にあるときの吸収
率Ａｃは、記録再生用レーザの波長に対し、記録層が結
晶状態にあるときの記録層における吸収率である。同様
に、アモルファス状態にあるときの吸収率Ａａは、記録
層がアモルファス状態にあるときの記録層における吸収
率である。
率Ａｃは、記録再生用レーザの波長に対し、記録層が結
晶状態にあるときの記録層における吸収率である。同様
に、アモルファス状態にあるときの吸収率Ａａは、記録
層がアモルファス状態にあるときの記録層における吸収
率である。
【００３２】これらの値は、多層構造においては直接測
定することはできない。多層膜による多重干渉の結果、
記録層に吸収される光強度を計算し、これを入射光強度
で割る必要がある。
定することはできない。多層膜による多重干渉の結果、
記録層に吸収される光強度を計算し、これを入射光強度
で割る必要がある。
【００３３】そこで、本発明においては、吸収率Ａｃや
吸収率Ａａを次のように定義する。
吸収率Ａａを次のように定義する。
【００３４】先ず、図２に示すような多層膜（ｍ層）を
考えた場合、ディスクの反射率Ｒ、ディスクの透過率
Ｔ、ディスクの吸収率Ａ、ｌ2 層（例えば記録層）にお
ける吸収率Ａl2、ｌm-1 層（例えば反射層）における吸
収率Ａlm-1は、下記のように定義する。
考えた場合、ディスクの反射率Ｒ、ディスクの透過率
Ｔ、ディスクの吸収率Ａ、ｌ2 層（例えば記録層）にお
ける吸収率Ａl2、ｌm-1 層（例えば反射層）における吸
収率Ａlm-1は、下記のように定義する。
【００３５】ただし、ここでは垂直入射（斜め入射成分
は無視）のみと仮定し、また各界面は平滑（グルーブ等
の凹凸の影響は無視）と仮定する。また、多層膜での多
重干渉のみを考えることとし、基準となる入射光強度Ｉ
は、実際の入射光強度Ｉｘから最表面での反射光強度Ｉ
ｙを差し引いた値とする。
は無視）のみと仮定し、また各界面は平滑（グルーブ等
の凹凸の影響は無視）と仮定する。また、多層膜での多
重干渉のみを考えることとし、基準となる入射光強度Ｉ
は、実際の入射光強度Ｉｘから最表面での反射光強度Ｉ
ｙを差し引いた値とする。
【００３６】 ディスクの反射率Ｒ：１００×Ｉｒ／Ｉ（％） ディスクの透過率Ｔ：１００×Ｉｔ／Ｉ（％） ディスクの吸収率Ａ：１００×（Ｉ−Ｉｒ−Ｉｔ）
（％） ｌ2 層（例えば記録層）における吸収率Ａl2：１００×
Ｉl2／Ｉ（％） ｌm-1 層（例えば反射層）における吸収率Ａlm-1：１０
０×Ｉlm-1／Ｉ（％） ただし、Ｉｒは多層膜から反射される反射光強度、Ｉｔ
は多層膜を透過する透過光強度であり、Ｉl2はｌ2 層
（例えば記録層）に吸収される光強度、Ｉlm-1はｌm-1
層（例えば反射層）に吸収される光強度である。
（％） ｌ2 層（例えば記録層）における吸収率Ａl2：１００×
Ｉl2／Ｉ（％） ｌm-1 層（例えば反射層）における吸収率Ａlm-1：１０
０×Ｉlm-1／Ｉ（％） ただし、Ｉｒは多層膜から反射される反射光強度、Ｉｔ
は多層膜を透過する透過光強度であり、Ｉl2はｌ2 層
（例えば記録層）に吸収される光強度、Ｉlm-1はｌm-1
層（例えば反射層）に吸収される光強度である。
【００３７】上記吸収率Ａｃや吸収率Ａａは、多層膜に
よる多重干渉の結果、記録層（結晶状態あるいはアモル
ファス状態）に吸収される光強度を多重膜への入射光強
度Ｉで割った値である。
よる多重干渉の結果、記録層（結晶状態あるいはアモル
ファス状態）に吸収される光強度を多重膜への入射光強
度Ｉで割った値である。
【００３８】このような多重干渉の計算は、レーザ波
長、各層の膜厚、複素屈折率（ｎ−ｉｋ）が分かれば特
性マトリクスを導入することにより可能である。
長、各層の膜厚、複素屈折率（ｎ−ｉｋ）が分かれば特
性マトリクスを導入することにより可能である。
【００３９】かかる多重干渉の計算方法に関する文献は
多数出版されており、例えば培風館発行、鶴田匡夫著、
「応用光学II」（４−３−２章：多層膜）や、共立出版
発行、藤原史郎編、光学技術シリーズII「光学薄膜」
（第３章：多層膜の光学的性質）等を挙げることができ
る。
多数出版されており、例えば培風館発行、鶴田匡夫著、
「応用光学II」（４−３−２章：多層膜）や、共立出版
発行、藤原史郎編、光学技術シリーズII「光学薄膜」
（第３章：多層膜の光学的性質）等を挙げることができ
る。
【００４０】これらの文献にも記載されるように、例え
ばＪ番目の境界上の電場と磁場の接線成分と、（Ｊ−
１）番目のそれらとの関係が分かる。
ばＪ番目の境界上の電場と磁場の接線成分と、（Ｊ−
１）番目のそれらとの関係が分かる。
【００４１】光エネルギーＩは、ポインティングベクト
ルＳの絶対値の平均＜｜Ｓ｜＞で表すことができ、Ｊ番
目の層の吸収ＡJ はＡJ ＝ＩJ-1−ＩJ、吸収率は（Ｉ
J-1−ＩJ）／Ｉ0（Ｉ0は表面反射分を引いた後の入射エ
ネルギー）で表すことができる。
ルＳの絶対値の平均＜｜Ｓ｜＞で表すことができ、Ｊ番
目の層の吸収ＡJ はＡJ ＝ＩJ-1−ＩJ、吸収率は（Ｉ
J-1−ＩJ）／Ｉ0（Ｉ0は表面反射分を引いた後の入射エ
ネルギー）で表すことができる。
【００４２】これらの計算を行うソフトウエアが市販さ
れており、これらを用いることにより容易に算出可能で
ある。
れており、これらを用いることにより容易に算出可能で
ある。
【００４３】以上が本発明を適用した光ディスクの基本
構成であるが、層構成は任意に変更することが可能であ
る。
構成であるが、層構成は任意に変更することが可能であ
る。
【００４４】例えば、図３に示すように、光透過保護層
４と記録層３の間に第１の誘電体層５を配し、記録層３
と反射層２の間に第２の誘電体層６を配してもよい。さ
らには、図４に示すように、反射層２と透明基板１の間
に第３の誘電体層７を配することも可能である。
４と記録層３の間に第１の誘電体層５を配し、記録層３
と反射層２の間に第２の誘電体層６を配してもよい。さ
らには、図４に示すように、反射層２と透明基板１の間
に第３の誘電体層７を配することも可能である。
【００４５】各誘電体層には、Ａｌ、Ｓｉ等の金属及び
半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物等を用いることが
できる。例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3、ＺｎＳ、ＭｇＦ2 等を用いることができる。ただ
し、半導体レーザ波長域において吸収の無いものである
ことが条件となる。
半金属元素の窒化物、酸化物、硫化物等を用いることが
できる。例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3、ＺｎＳ、ＭｇＦ2 等を用いることができる。ただ
し、半導体レーザ波長域において吸収の無いものである
ことが条件となる。
【００４６】これら誘電体層５，６，７を配し、その膜
厚を調整することにより、光学特性を制御することが可
能となり、上記吸収率制御が容易になる。
厚を調整することにより、光学特性を制御することが可
能となり、上記吸収率制御が容易になる。
【００４７】あるいは、図５に示すように、反射層を第
１の反射層２Ａと第２の反射層２Ｂの２層膜とすること
も可能である。反射層２を２層以上の多層構造とするこ
とにより、やはり吸収率制御がし易くなる。例えば、第
１の反射層２Ａを半導体レーザ波長域において吸収を有
し且つ透過率３％以上のものを光透過型反射膜とし、第
２の反射膜２Ｂを従来同様の厚さが４０ｎｍ以上の例え
ばＡｌ合金とすることにより、光学特性と熱特性のバラ
ンスを図ることが可能となる。さらに、図６に示しよう
に、第１の反射層２Ａと第２の反射層２Ｂの間に第３の
誘電体層７を設けた構造としてもよい。
１の反射層２Ａと第２の反射層２Ｂの２層膜とすること
も可能である。反射層２を２層以上の多層構造とするこ
とにより、やはり吸収率制御がし易くなる。例えば、第
１の反射層２Ａを半導体レーザ波長域において吸収を有
し且つ透過率３％以上のものを光透過型反射膜とし、第
２の反射膜２Ｂを従来同様の厚さが４０ｎｍ以上の例え
ばＡｌ合金とすることにより、光学特性と熱特性のバラ
ンスを図ることが可能となる。さらに、図６に示しよう
に、第１の反射層２Ａと第２の反射層２Ｂの間に第３の
誘電体層７を設けた構造としてもよい。
【００４８】また、上記の例では、記録再生光照射側か
ら見たときに記録層３の背後に位置する反射層２を光透
過型反射膜とすることにより吸収率制御を行うようにし
たが、図７に示すように、記録層３よりも記録再生光照
射側に半導体レーザ波長域において吸収能を有し且つ透
過率３％以上の吸収率制御層８を設け、これにより吸収
率を制御するようにしてもよい。
ら見たときに記録層３の背後に位置する反射層２を光透
過型反射膜とすることにより吸収率制御を行うようにし
たが、図７に示すように、記録層３よりも記録再生光照
射側に半導体レーザ波長域において吸収能を有し且つ透
過率３％以上の吸収率制御層８を設け、これにより吸収
率を制御するようにしてもよい。
【００４９】この場合の吸収率制御層８としては、先の
反射層２による吸収率制御の場合と同様、ＳｉやＡｕを
用いることができ、Ｓｉを用いたときには、その厚さｄ
を０ｎｍ＜ｄ＜１００ｎｍとなるように、またＡｕを用
いたときには、その厚さｄを０ｎｍ＜ｄ＜３０ｎｍとな
るように制御すればよい。その他、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、
Ｇｅ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇａ等の金属、
半金属、半導体や、これらの合金を用いることができ
る。
反射層２による吸収率制御の場合と同様、ＳｉやＡｕを
用いることができ、Ｓｉを用いたときには、その厚さｄ
を０ｎｍ＜ｄ＜１００ｎｍとなるように、またＡｕを用
いたときには、その厚さｄを０ｎｍ＜ｄ＜３０ｎｍとな
るように制御すればよい。その他、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、
Ｇｅ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇａ等の金属、
半金属、半導体や、これらの合金を用いることができ
る。
【００５０】あるいは、図８に示すように、吸収率制御
層を誘電体層９，１０の多層膜で構成することも可能で
ある。誘電体多層膜では、誘電体の種類を変える（例え
ば屈折率の異なる誘電体）ことで、多層膜全体の反射
率、屈折率等の光学特性を調整することができる。ま
た、例えば、図８において、第５の誘電体層１０を第１
及び第２の誘電体層５，６と同一材料とする構成として
もよい。
層を誘電体層９，１０の多層膜で構成することも可能で
ある。誘電体多層膜では、誘電体の種類を変える（例え
ば屈折率の異なる誘電体）ことで、多層膜全体の反射
率、屈折率等の光学特性を調整することができる。ま
た、例えば、図８において、第５の誘電体層１０を第１
及び第２の誘電体層５，６と同一材料とする構成として
もよい。
【００５１】あるいは、図９に示すように、図７の吸収
率制御層８と光透過保護層４の間に、第６の誘電体層１
１を設けた構成としてもよい。その上で更に、基板１と
反射層２の間に第７の誘電体層を設けた構成としてもよ
い（図示は省略する。）。
率制御層８と光透過保護層４の間に、第６の誘電体層１
１を設けた構成としてもよい。その上で更に、基板１と
反射層２の間に第７の誘電体層を設けた構成としてもよ
い（図示は省略する。）。
【００５２】このように記録再生光照射側に吸収率制御
層８を設ける場合、反射層２は通常の反射層とすること
ができ、従来と同等のヒートシンク効果を維持すること
ができる。
層８を設ける場合、反射層２は通常の反射層とすること
ができ、従来と同等のヒートシンク効果を維持すること
ができる。
【００５３】なお、上記図１〜図９のいずれの構成の場
合においても、反射層、各誘電体層、記録層、吸収率制
御層の各層を連続する２層以上の多層膜とする構成とし
てもよい。
合においても、反射層、各誘電体層、記録層、吸収率制
御層の各層を連続する２層以上の多層膜とする構成とし
てもよい。
【００５４】また、上記図１〜図９のいずれの構成の場
合も、基板側から順次各層を積層し、最後に光透過保護
層を形成する作製法により特徴付けられる。
合も、基板側から順次各層を積層し、最後に光透過保護
層を形成する作製法により特徴付けられる。
【００５５】
【実施例】次に、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００５６】実施例１ 図４に示す構成の光ディスクを作製した。各層に使用し
た材料、厚さは下記の通りである。この光ディスクのＡ
ｃ／Ａａは約１．２である。
た材料、厚さは下記の通りである。この光ディスクのＡ
ｃ／Ａａは約１．２である。
【００５７】 基板１ ： ポリカーボネート基板（厚さ１．２ｍｍ） 反射層２ ： Ｓｉ（厚さ４０ｎｍ） 記録層３ ： Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（厚さ１４ｎｍ） 光透過保護層４ ： 紫外線硬化樹脂（厚さ０．１ｍｍ） 第１の誘電体層５ ： ＺｎＳ−ＳｉＯ2（厚さ６０ｎｍ） 第２の誘電体層６ ： ＺｎＳ−ＳｉＯ2（厚さ１８ｎｍ） 第３の誘電体層７ ： ＺｎＳ−ＳｉＯ2（厚さ１００ｎｍ）比較例１ 図３に示す構成において、反射層２として光を透過しな
い程度に十分に厚い（１００ｎｍ）Ａｌ合金を用いた構
造の光ディスクを作製した。なお、各層の材料、厚さは
下記の通りである。この光ディスクのＡｃ／Ａａは約
０．８５である。
い程度に十分に厚い（１００ｎｍ）Ａｌ合金を用いた構
造の光ディスクを作製した。なお、各層の材料、厚さは
下記の通りである。この光ディスクのＡｃ／Ａａは約
０．８５である。
【００５８】 透明基板１ ： ポリカーボネート基板（厚さ１．２ｍｍ） 反射層２ ： Ａｌ合金（厚さ１００ｎｍ） 記録層３ ： Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（厚さ２０ｎｍ） 光透過保護層４ ： 紫外線硬化樹脂（厚さ０．１ｍｍ） 第１の誘電体層５ ： ＺｎＳ−ＳｉＯ2（厚さ９０ｎｍ） 第２の誘電体層６ ： ＺｎＳ−ＳｉＯ2（厚さ２０ｎｍ）特性評価 これら実施例１及び比較例１について、記録再生特性を
調べた。測定したのは、消去比と記録再生線速の関係で
ある。結果を図１０に示す。
調べた。測定したのは、消去比と記録再生線速の関係で
ある。結果を図１０に示す。
【００５９】なお、記録再生線速は５〜１０ｍ／秒の範
囲で１ｍ／秒刻みで振った。消去比は、マーク長０．７
μｍのマークを記録しておき、その上にマーク長０．３
μｍのマークをオーバーライトしたときのマーク長０．
７μｍに対応する信号（キャリア）レベルの減少分で定
義した。
囲で１ｍ／秒刻みで振った。消去比は、マーク長０．７
μｍのマークを記録しておき、その上にマーク長０．３
μｍのマークをオーバーライトしたときのマーク長０．
７μｍに対応する信号（キャリア）レベルの減少分で定
義した。
【００６０】この図１０からも明らかなように、実施例
１の光ディスクでは、記録再生線速の上昇と共に消去比
が上昇している。これに対して、比較例１の光ディスク
では、高線速条件になると消去比が減少し、消去特性の
劣化が見られた。
１の光ディスクでは、記録再生線速の上昇と共に消去比
が上昇している。これに対して、比較例１の光ディスク
では、高線速条件になると消去比が減少し、消去特性の
劣化が見られた。
【００６１】次に、記録再生線速１０ｍ／秒、ユーザー
データ転送レート３５Ｍｂｐｓなる条件で、（１，７）
変調によるランダム信号を１００回オーバーライトした
ときのジッター値を測定した。
データ転送レート３５Ｍｂｐｓなる条件で、（１，７）
変調によるランダム信号を１００回オーバーライトした
ときのジッター値を測定した。
【００６２】その結果、実施例１の光ディスクでは、ジ
ッター値は１１％以下であった。一方、比較例１の光デ
ィスクの場合は、ジッター値が１５％以上であり、良好
な信号再生が困難であった。
ッター値は１１％以下であった。一方、比較例１の光デ
ィスクの場合は、ジッター値が１５％以上であり、良好
な信号再生が困難であった。
【００６３】以上の説明からも明らかなように、本発明
によれば、スポットサイズの微小化や記録線速の向上に
よる高記録密度、高転送レートに対応可能であり、良好
なダイレクトオーバーライトが実現可能な光記録媒体を
提供することが可能である。
によれば、スポットサイズの微小化や記録線速の向上に
よる高記録密度、高転送レートに対応可能であり、良好
なダイレクトオーバーライトが実現可能な光記録媒体を
提供することが可能である。
【図１】本発明を適用した光ディスクの基本的な構成例
を示す要部概略断面図である。
を示す要部概略断面図である。
【図２】多層膜における反射率、透過率、吸収率を定義
するための模式図である。
するための模式図である。
【図３】第１，第２の誘電体層を設けた光ディスクの一
構成例を示す要部概略断面図である。
構成例を示す要部概略断面図である。
【図４】第３の誘電体層を設けた光ディスクの一構成例
を示す要部概略断面図である。
を示す要部概略断面図である。
【図５】反射層を２層構成とした光ディスクの一構成例
を示す要部概略断面図である。
を示す要部概略断面図である。
【図６】反射層を２層構成とし、その間に第３の誘電体
層を設けた光ディスクの一構成例を示す要部概略断面図
である。
層を設けた光ディスクの一構成例を示す要部概略断面図
である。
【図７】吸収率制御層を設けた光ディスクの一構成例を
示す要部概略断面図である。
示す要部概略断面図である。
【図８】吸収率制御層を誘電体層の多層膜とした光ディ
スクの一構成例を示す要部概略断面図である。
スクの一構成例を示す要部概略断面図である。
【図９】吸収率制御層と光透過保護層の間に誘電体層を
設けた光ディスクの一構成例を示す要部概略断面図であ
る。
設けた光ディスクの一構成例を示す要部概略断面図であ
る。
【図１０】消去比と記録再生線速の関係を示す特性図で
ある。
ある。
１ 透明基板、２ 反射層、３ 記録層、４ 光透過保
護層、５，６，７ 誘電体層、８ 吸収率制御層
護層、５，６，７ 誘電体層、８ 吸収率制御層
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に反射層、記録層がこの順に積層
形成されるとともに、記録層上に厚さ０．３ｍｍ以下の
光透過層が形成され、上記光透過層側から記録再生光が
照射される光記録媒体において、 上記記録層が結晶状態にあるときの吸収率Ａｃとアモル
ファス状態にあるときの吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａが
１．１以上であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 上記光透過層と記録層の間に第１の誘電
体層を設けるとともに、記録層と反射層の間に第２の誘
電体層を設けたことを特徴とする請求項１記載の光記録
媒体。 - 【請求項３】 上記基板と反射層の間に第３の誘電体層
を設けたことを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 上記反射層に半導体レーザ波長域に吸収
能を有し且つ透過率が３％以上である透過型反射膜を用
いたことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 上記反射層にＳｉを用い、その厚さｄを
０ｎｍ＜ｄ＜１００ｎｍとしたことを特徴とする請求項
４記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 上記反射膜にＡｕを用い、その厚さｄを
０ｎｍ＜ｄ＜３０ｎｍとしたことを特徴とする請求項４
記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 上記光透過層と第１の誘電体層の間に半
導体レーザ波長域に吸収能を有し且つ透過率が３％以上
である吸収率制御層を設けたことを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 上記吸収率制御層にＳｉを用い、その厚
さｄを０ｎｍ＜ｄ＜１００ｎｍとしたことを特徴とする
請求項７記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 上記吸収率制御層にＡｕを用い、その厚
さｄを０ｎｍ＜ｄ＜３０ｎｍとしたことを特徴とする請
求項７記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035090A JP2000187882A (ja) | 1998-02-24 | 1999-02-12 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042587 | 1998-02-24 | ||
| JP10-42587 | 1998-10-12 | ||
| JP28982698 | 1998-10-12 | ||
| JP10-289826 | 1998-10-12 | ||
| JP11035090A JP2000187882A (ja) | 1998-02-24 | 1999-02-12 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000187882A true JP2000187882A (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=27288645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11035090A Withdrawn JP2000187882A (ja) | 1998-02-24 | 1999-02-12 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000187882A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003016687A (ja) * | 2000-07-13 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた記録再生方法 |
| JP2003085766A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Tdk Corp | 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体 |
| WO2003025924A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| KR100617136B1 (ko) | 2005-05-27 | 2006-09-01 | 엘지전자 주식회사 | 광기록매체 |
| US7277379B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-10-02 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier |
| US7411873B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-08-12 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7505393B2 (en) | 2001-09-20 | 2009-03-17 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and method of reproducing the same |
| KR100910127B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2009-08-03 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 재기록가능한 광 저장매체와 이 매체의 용도 |
| US7761887B2 (en) | 2001-06-15 | 2010-07-20 | Lg Electronics Inc. | Recording medium having a reflector to prevent traveling of beam to recording layer |
-
1999
- 1999-02-12 JP JP11035090A patent/JP2000187882A/ja not_active Withdrawn
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003016687A (ja) * | 2000-07-13 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた記録再生方法 |
| JP4509431B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体 |
| US7457207B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-11-25 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7729210B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-06-01 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US8228767B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-07-24 | JVC Kenwood Corporation | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7961564B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-06-14 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7411873B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-08-12 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7907483B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-03-15 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US8238205B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-08-07 | JVC Kenwood Corporation | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7903509B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-03-08 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7729211B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-06-01 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7761887B2 (en) | 2001-06-15 | 2010-07-20 | Lg Electronics Inc. | Recording medium having a reflector to prevent traveling of beam to recording layer |
| JP2003085766A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Tdk Corp | 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体 |
| US7236440B2 (en) | 2001-09-13 | 2007-06-26 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| WO2003025924A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US7505393B2 (en) | 2001-09-20 | 2009-03-17 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and method of reproducing the same |
| US7796497B2 (en) | 2001-09-20 | 2010-09-14 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and method of reproducing the same |
| US7796496B2 (en) | 2001-09-20 | 2010-09-14 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and method of reproducing the same |
| US7643402B2 (en) | 2001-09-20 | 2010-01-05 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and method of reproducing the same |
| US7643403B2 (en) | 2001-09-20 | 2010-01-05 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and method of reproducing the same |
| US7420911B2 (en) | 2001-09-26 | 2008-09-02 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US7751301B2 (en) | 2001-09-26 | 2010-07-06 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US7729230B2 (en) | 2001-09-26 | 2010-06-01 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US7652974B2 (en) | 2001-09-26 | 2010-01-26 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US7440390B2 (en) | 2001-09-26 | 2008-10-21 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US7911924B2 (en) | 2001-09-26 | 2011-03-22 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US7382716B2 (en) | 2001-09-26 | 2008-06-03 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US8036097B2 (en) | 2001-09-26 | 2011-10-11 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US8077590B2 (en) | 2001-09-26 | 2011-12-13 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier and information reproducing apparatus for the same |
| US7277379B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-10-02 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording carrier |
| KR100910127B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2009-08-03 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 재기록가능한 광 저장매체와 이 매체의 용도 |
| KR100617136B1 (ko) | 2005-05-27 | 2006-09-01 | 엘지전자 주식회사 | 광기록매체 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU758976B2 (en) | Optical recording medium | |
| JP3250989B2 (ja) | 光学情報記録媒体、その記録再生方法、その製造法及び光学情報記録再生装置 | |
| JP2806274B2 (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| US6449239B1 (en) | Optical information recording medium with thermal diffusion layer | |
| WO1997002564A1 (en) | Optical data storage system with multiple write-once phase-change recording layers | |
| WO1999044199A1 (fr) | Support d'enregistrement optique | |
| JP2000322770A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP4339999B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
| CA2298456C (en) | Optical recording medium | |
| KR100365675B1 (ko) | 광학적정보 기록매체와 그 제조방법, 기록재생방법 및기록재생장치 | |
| JPH06243507A (ja) | 光情報キャリア | |
| JP2000187882A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2003281780A (ja) | 光記録媒体 | |
| WO2001013370A1 (en) | Rewritable optical information recording medium | |
| JP2003123315A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3012734B2 (ja) | 光学的情報記録媒体及びその構造設計方法 | |
| JP3639218B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JP3087454B2 (ja) | 光学的情報記録媒体およびその構造設計方法 | |
| US20040228259A1 (en) | Optical information recording medium and method for producing the same | |
| JP2001028148A (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
| KR20050026477A (ko) | 다층 광 데이터 저장매체와 이 매체의 용도 | |
| JPH0821176B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JP3523799B2 (ja) | 相変化記録媒体 | |
| JPH07141695A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH06131695A (ja) | 光情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |