JP2003016687A - 情報記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２つの記録層を備え高密度記録が可能な情報
記録媒体、およびその製造方法、ならびにその記録再生
方法を提供する。 【解決手段】 第１の基板１１と、第１の基板１１に対
向するように配置された第２の基板１２と、第１の基板
１１と第２の基板１２との間に配置された第１の情報層
１３と、第１の情報層１３と第２の基板１２との間に配
置された第２の情報層１４と、第１の情報層１３と第２
の情報層１４との間に配置された中間層１５とを備え
る。第１の情報層１３は、レーザビーム３５によって結
晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第１の
記録層１８を含み、第２の情報層１４は、レーザビーム
３５によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態
を起こす第２の記録層２７を含む。第１の記録層１８
は、ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとを含み且つ厚さが９ｎｍ
以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報を記
録、消去、書き換え、再生する情報記録媒体およびその
製造方法、ならびにその記録再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】相変化型の情報記録媒体は、結晶相と非
晶質相との間で可逆的に相変態を起こす記録層を利用し
て、情報の記録、消去および書き換えを行う。この記録
層に高パワーのレーザビームを照射したのちに急冷する
と、照射された部分が非晶質相となる。また、記録層の
非晶質部分に低パワーのレーザビームを照射したのちに
徐冷すると、照射された部分が結晶相となる。したがっ
て、相変化型の情報記録媒体では、高パワーレベルと低
パワーレベルとの間でパワーを変調させたレーザビーム
を記録層に照射することによって、記録層を非晶質相ま
たは結晶相に自由に変化させることができる。この情報
記録媒体では、非晶質相における反射率と結晶相におけ
る反射率との差を利用して情報の記録を行う。

【０００３】近年、情報記録媒体の記録密度を向上させ
るために、さまざまな技術が研究されている。たとえ
ば、青紫色レーザビームを使用してより小さい記録マー
クを記録する技術や、光入射側の基板を薄くするととも
に開口数が大きいレンズを使用してより小さい記録マー
クを記録する技術が研究されている。また、片側から入
射したレーザビームを用いて２つの記録層の記録・再生
を行う技術も研究されている（特開平１２−３６１３０
号公報参照）。

【０００４】記録マークを小さくするためには、記録層
の相変化に要するレーザビームの照射時間を短くする必
要がある。したがって、記録層の結晶化速度が速いこと
が必要とされる。また、２つの記録層を用いて記録・再
生を行うためには、光入射側の記録層を薄くして、後方
の記録層に十分な光が到達するようにする必要がある。
しかしながら、記録層を薄くすると、記録層に含まれる
原子の数が減り、また、相変化に伴う原子の移動が抑制
されるため、結晶化速度が低下するという問題がある。
そのため、薄くても信頼性よく記録が可能な記録層を形
成できる材料が求められていた。

【０００５】従来から、記録層の材料としては、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系材料が使われてきた。その中でも、ＧｅＴ
ｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃の擬二元系組成は最も結晶化速度が速
く、（ＧｅＴｅ）：（Ｓｂ₂Ｔｅ₃）＝２：１であるＧｅ
₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅は、非常に優れた特性を有することが発明
者らの実験で分かっている。また、Ｕｎｏらは、厚さ６
ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層を用いた記録再生実験を
報告している（Ｍ．Ｕｎｏ， Ｋ．Ｎａｇａｔａ ａｎ
ｄ Ｎ．Ｙａｍａｄａ， ”Ｔｈｉｎｎｉｎｇｌｉｍｉ
ｔａｔｉｏｎ ｏｆ Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ ｒｅｃｏｒｄｉ
ｎｇ ｆｉｌｍｆｏｒ ｈｉｇｈ ｔｒａｎｓｍｉｔｔ
ａｎｃｅ ｍｅｄｉａ” Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＰＣＯＳ’
９９， ８３-８８）。この実験では、波長が６６０ｎ
ｍのレーザを用いて９ｍ／ｓの線速度で記録の消去を行
い、３０ｄＢという良好な消去率が得られた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者
らが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料について波長４０５ｎｍ
の青紫色レーザを用いて実験したところ、この材料では
光入射側の材料として不十分であることがわかった。そ
のため、従来の記録層では、青紫色レーザを用いて記録
・再生を行う２層構造の情報記録媒体を実現することは
困難であった。

【０００７】特開平２−１４７２８９号公報では、記録
層としてＴｅ−Ｇｅ−ＳｎにＳｂを添加して各元素の含
有量を限定することによって、記録消去の繰り返し特性
が優れ、消去率の経時変動も少ない情報記録媒体が得ら
れることが報告されている。しかしながら、この情報記
録媒体に含まれる記録層は１層のみであり、記録層の厚
さが３０ｎｍ〜１００ｎｍと厚い場合における実験結果
である。この公報には、記録層を薄くした場合のＳｎの
添加効果については示されていない。

【０００８】上記の事実に鑑み、本発明は、２つの記録
層を備え高密度記録が可能な情報記録媒体、およびその
製造方法、ならびにその記録再生方法を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の情報記録媒体は、第１の基板と、前記第１
の基板に対向するように配置された第２の基板と、前記
第１の基板と前記第２の基板との間に配置された第１の
情報層と、前記第１の情報層と前記第２の基板との間に
配置された第２の情報層と、前記第１の情報層と前記第
２の情報層との間に配置された中間層とを備え、前記第
１の情報層が、前記第１の基板側から照射されるレーザ
ビームによって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変
態を起こす第１の記録層を含み、前記第２の情報層が、
前記レーザビームによって結晶相と非晶質相との間で可
逆的に相変態を起こす第２の記録層を含み、前記第１の
記録層が、ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとを含み且つ厚さが
９ｎｍ以下であることを特徴とする。この情報記録媒体
は、２つの記録層を備え高密度記録が可能である。

【００１０】上記情報記録媒体では、前記第１の記録層
が、組成式 （Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ_BＴｅ_3+A （ただし、２≦Ａ≦２２、２≦Ｂ≦４）で表される材料
からなるものでもよい。この組成式は、ＧｅとＳｎと
が、合計で１００＊Ａ／（２Ａ＋Ｂ＋３）原子％含まれ
ることを示す。この構成によれば、第１の記録層を薄く
しても、青紫色レーザを用いて良好な記録・消去特性が
得られる。２≦Ａとすることによって、信号の振幅を大
きくできる。また、Ａ≦２２とすることによって結晶化
速度の低下を防止できる。２≦Ｂとすることによって、
結晶相と非晶質相との間の相変態の際に融点が低いＴｅ
が析出してしまうことを防止できる。また、２＜Ｂの場
合には、（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ₂Ｔｅ_3+Aで表される材料
に過剰なＳｂが添加される。この過剰なＳｂは、結晶化
温度を上げて記録マークの熱的安定性を高める作用と、
繰り返し記録時に物質の移動を抑制する作用とを有す
る。

【００１１】上記情報記録媒体では、前記第１の記録層
中のＳｎの含有量が２５原子％以下であってもよい。こ
の構成によれば、第１の記録層を薄くしても、青紫色レ
ーザを用いて良好な消去率が得られる。また、第１の記
録層中のＳｎの含有量とＢとを調整することによって、
第１の記録層の結晶化速度および結晶化温度を制御でき
る。なお、Ｓｎの含有量は０．１原子％以上であること
が好ましい。

【００１２】上記情報記録媒体では、前記第１の記録層
が結晶相である場合の前記第１の情報層の透過率Ｔｃ
（％）と、前記第１の記録層が非晶質相である場合の前
記第１の情報層の透過率Ｔａ（％）とが、波長３９０ｎ
ｍ〜４３０ｎｍの範囲内のレーザビームに対して、４０
≦（Ｔｃ＋Ｔａ）／２を満たしてもよい。この構成によ
れば、第２の情報層についても良好な記録・消去特性が
得られる。

【００１３】上記情報記録媒体では、前記透過率Ｔｃ
（％）と前記透過率Ｔａ（％）とが、波長３９０ｎｍ〜
４３０ｎｍの範囲内のレーザビームに対して、０≦｜Ｔ
ｃ−Ｔａ｜／Ｔｃ≦０．１５（より好ましくは、０≦｜
Ｔｃ−Ｔａ｜／Ｔｃ≦０．０５）を満たしてもよい。こ
の構成によれば、第１の情報層の記録状態に拘わらず、
第２の情報層の記録感度の変化を小さくできる。 上記
情報記録媒体では、前記第１の情報層が第１および第２
の誘電体層と第１の反射層とをさらに含み、前記第１の
反射層、前記第２の誘電体層、前記第１の記録層、およ
び前記第１の誘電体層が、前記中間層側から前記第１の
基板側に向かってこの順序で配置されていてもよい。こ
の構成によれば、誘電体層および反射層の材料や厚さを
変化させることによって、第１の記録層の光吸収率や、
第１の情報層の透過率および反射率を制御できる。

【００１４】上記情報記録媒体では、前記第１の情報層
が、前記第１の反射層と前記中間層との間に配置された
第３の誘電体層をさらに備えてもよい。この構成によれ
ば、第３の誘電体層の材料や厚さを変化させることによ
って、第１の情報層の透過率を高くすることができる。

【００１５】上記情報記録媒体では、前記第３の誘電体
層の屈折率が、波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの光に対し
て２．３以上であってもよい。

【００１６】上記情報記録媒体では、前記中間層にトラ
ッキング制御用のグルーブが形成されていてもよい。

【００１７】上記情報記録媒体では、前記第１の情報層
が、前記第１の誘電体層と前記第１の記録層との間の界
面、前記第１の記録層と前記第２の誘電体層との間の界
面、前記第２の誘電体層と前記第１の反射層との間の界
面、および、前記第１の反射層と前記第３の誘電体層と
の間の界面から選ばれる少なくとも１つの界面に配置さ
れた界面層をさらに備えてもよい。この構成によれば、
層間の物質移動が抑制されるため、信頼性が高い情報記
録媒体が得られる。

【００１８】上記情報記録媒体では、前記第１の反射層
の厚さが、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であってもよい。
この構成によれば、第１の情報層の透過率Ｔｃ（％）お
よびＴａ（％）を高めることができ、また、第１の記録
層で生じた熱を速やかに拡散させて非晶質化しやすくす
ることができる。第１の反射層を形成する場合には、薄
いと熱拡散機能が不十分であり、厚いと第１の情報層の
透過率が不十分となるため、その厚さは、５ｎｍ〜１５
ｎｍの範囲内とすることが好ましい。

【００１９】上記情報記録媒体では、前記第１の基板の
厚さが１０μｍ〜７００μｍの範囲内であってもよい。
この構成によれば、対物レンズの開口数ＮＡを変えるこ
とによって、第１の基板のグルーブの形状や記録消去再
生条件に合わせて、記録マークの長さや記録マーク間の
間隔を最適化できる。

【００２０】上記情報記録媒体では、前記第１の基板に
トラッキング制御用のグルーブが形成されていてもよ
い。

【００２１】上記情報記録媒体では、前記第２の基板の
厚さが５００μｍ〜１３００μｍの範囲内であってもよ
い。この構成によれば、対物レンズの開口数ＮＡをかえ
ることによって、第２の基板のグルーブの形状や記録消
去再生条件に合わせて記録マークの長さや記録マーク間
の間隔を最適化できる。第２の基板の厚さは、情報記録
媒体の厚さが約１２００μｍとなるように選択する。第
１の基板の厚さが約１００μｍである場合は、第２の基
板の厚さを約１１００μｍとする。また、第１の基板の
厚さが約６００μｍの場合は、第２の基板の厚さを約６
００μｍとする。

【００２２】上記情報記録媒体では、前記第２の基板に
トラッキング制御用のグルーブが形成されていてもよ
い。

【００２３】上記情報記録媒体では、前記第２の情報層
が第４および第５の誘電体層と第２の反射層とをさらに
含み、前記第２の反射層、前記第５の誘電体層、前記第
２の記録層、および前記第４の誘電体層が、前記第２の
基板側から前記中間層側に向かってこの順序で配置され
ていてもよい。この構成によれば、誘電体層や反射層の
材料や厚さを変化させることによって、第２の記録層の
光吸収率や第２の情報層の反射率を制御できる。

【００２４】上記情報記録媒体では、前記第２の情報層
が、前記第４の誘電体層と前記第２の記録層との間の界
面、前記第２の記録層と前記第５の誘電体層との間の界
面、および、前記第５の誘電体層と前記第２の反射層と
の間の界面から選ばれる少なくとも１つの界面に配置さ
れた界面層をさらに備えてもよい。

【００２５】また、情報記録媒体を製造するための本発
明の製造方法は、第１および第２の基板と、第１および
第２の情報層と、中間層とを備える情報記録媒体の製造
方法であって、（ａ）前記第２の基板上に前記第２の情
報層を形成する工程と、（ｂ）前記第２の情報層上に前
記中間層を形成する工程と、（ｃ）前記中間層上に前記
第１の情報層を形成する工程と、（ｄ）前記第１の情報
層上に前記第１の基板を接着層する工程とを含み、前記
第１の情報層が、前記第１の基板側から照射されるレー
ザビームによって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相
変態を起こす第１の記録層を含み、前記第２の情報層
が、前記レーザビームによって結晶相と非晶質相との間
で可逆的に相変態を起こす第２の記録層を含み、前記
（ｃ）の工程は、前記第１の記録層を、ＧｅとＳｎとＳ
ｂとＴｅとを含む母材を用いて厚さが９ｎｍ以下となる
ように形成する工程を含むことを特徴とする。この製造
方法によれば、本発明の情報記録媒体を容易に製造でき
る。また、この製造方法では、第２の情報層および第１
の情報層を形成してから第１の基板を積層するため、薄
い第１の基板を備える情報記録媒体を容易に製造でき
る。

【００２６】上記製造方法では、前記（ｃ）の工程にお
いて、前記第１の記録層を、アルゴンガスまたはクリプ
トンガスを含むスパッタリングガスを用いたスパッタリ
ング法で形成してもよい。この構成によれば、繰り返し
記録特性が優れた情報記録媒体を容易に形成できる。

【００２７】上記製造方法では、前記スパッタリングガ
スが、酸素および窒素から選ばれる少なくとも１つのガ
スをさらに含んでもよい。

【００２８】上記製造方法では、前記第１の記録層を、
０．１ｎｍ／秒〜１０ｎｍ／秒の範囲内の成膜速度で成
膜してもよい。この構成によれば、第１の記録層の膜厚
ばらつきを少なくでき、また、短時間で生産性よく第１
の記録層を製造できる。

【００２９】上記製造方法では、前記（ｂ）の工程は、
前記中間層の表面にトラッキング制御用のグルーブを形
成する工程を含んでもよい。

【００３０】また、上記製造方法では、前記第１の情報
層が前記第１の記録層よりも前記中間層側に配置された
第１の反射層をさらに含み、前記（ｃ）の工程が、前記
第１の反射層を５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内となるように
形成する工程を含んでもよい。

【００３１】また、本発明の記録再生方法は、情報記録
媒体にレーザビームを照射することによって情報信号の
記録および再生を行う記録再生方法であって、前記情報
記録媒体が上記本発明の情報記録媒体であり、前記レー
ザビームは前記情報記録媒体の前記第１の情報層側から
入射し、前記情報記録媒体の前記第２の情報層では、前
記第１の情報層を透過してきた前記レーザビームによっ
て情報が記録再生され、前記レーザビームの波長が３９
０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内であることを特徴とする。
この記録再生方法によれば、信頼性よく高密度記録が可
能である。

【００３２】上記記録再生方法では、情報を記録再生す
る際の前記情報記録媒体の線速度が、１ｍ／秒〜５０ｍ
／秒の範囲内であってもよい。この構成によれば、情報
記録媒体の構成や、記録・再生の条件に合わせて記録マ
ークの長さや記録マークの間隔を最適化でき、高転送レ
ートを実現できる。

【００３３】上記記録再生方法では、前記レーザビーム
は、開口数ＮＡが０．４〜１．１の範囲内の対物レンズ
で集光されたレーザビームであってもよい。この構成に
よれば、第１の基板または第２の基板の厚さやグルーブ
の形状、記録消去再生条件にあわせて、記録マークの長
さや記録マーク間の間隔を最適化でき、高い転送レート
が得られる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形
態は一例であり、本発明は以下の実施形態に限定されな
い。

【００３５】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
情報記録媒体について一例を説明する。実施形態１の情
報記録媒体１０について、一部断面図を図１に示す。

【００３６】図１を参照して、情報記録媒体１０は、第
１の基板１１（ハッチングは省略する）と第１の基板１
１に対向するように配置された第２の基板１２と、第１
の基板１１と第２の基板１２との間に配置された第１の
情報層１３と、第１の情報層１３と第２の基板１２との
間に配置された第２の情報層１４と、第１の情報層１３
と第２の情報層１４との間に配置された中間層１５とを
備える。情報記録媒体１０は、第１の基板１１側から入
射するレーザビーム３５によって情報の記録および再生
を行う。

【００３７】第１の基板１１および第２の基板１２は、
それぞれ、円盤状の透明な基板である。図１に示すよう
に、第１の基板１１および第２の基板１２の内側（中間
層１５側）の表面には、必要に応じてトラッキング制御
用のグルーブ（溝）が形成されていてもよい。第１の基
板１１および第２の基板１２の外側の表面は、一般的に
平滑である。基板にグルーブが形成されている場合、情
報は、グルーブ１１ａ（レーザビーム３５の入射側に近
い方の溝面）に記録してもよいし、グルーブ１１ａ間の
部分（レーザビーム３５の入射側から遠い方の溝面であ
り、以下、ランド１１ｂという）に記録してもよい。ま
た、グルーブ１１ａとランド１１ｂとの両方に記録して
もよい。

【００３８】第１の基板１１および第２の基板１２は、
ガラスや、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフ
ィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）と
いった樹脂を用いて形成できる。この中でも、グルーブ
の形成が容易で生産性がよいことからポリカーボネート
樹脂が好ましい。第１の基板１１は、波長３９０ｎｍ〜
４３０ｎｍの範囲内の光における複屈折が小さいことが
好ましい。第１の基板１１の厚さは、１０μｍ〜７００
μｍ（より好ましくは、５０μｍ〜１５０μｍ）の範囲
内であることが好ましい。第１の基板１１が薄いほど、
対物レンズの開口数を大きくできレーザビーム３５を絞
り込むことができる。たとえば、第１の基板１１の厚さ
が１００μｍの場合には、開口数が０．８５の対物レン
ズを用いて良好に記録・消去を行うことができる。ま
た、第１の基板１１の厚さが６００μｍの場合には、開
口数が０．６の対物レンズを用いて良好に記録・消去を
行うことができる。第２の基板１２の厚さは、５００μ
ｍ〜１３００μｍ（より好ましくは、９００μｍ〜１３
００μｍ）の範囲内であることが好ましい。

【００３９】第１の情報層１３は、中間層１５側から第
１の基板１１側に順に配置された、第３の誘電体層２
４、第４の界面層２３、第１の反射層２２、第３の界面
層２１、第２の誘電体層２０、第２の界面層１９、第１
の記録層１８、第１の界面層１７、および第１の誘電体
層１６を備える。また、第２の情報層１４は、第２の基
板１２側から中間層１５側に順に配置された、第２の反
射層３１、第７の界面層３０、第５の誘電体層２９、第
６の界面層２８、第２の記録層２７、第５の界面層２
６、および第４の誘電体層２５を備える。

【００４０】第１の記録層１８が結晶相である場合の第
１の情報層１３の透過率Ｔｃ（％）と、第１の記録層１
８が非晶質相である場合の第１の情報層１３の透過率Ｔ
ａ（％）とは、波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内の
レーザビームに対して、４０≦（Ｔｃ＋Ｔａ）／２を満
たすことが好ましい。また、ＴｃおよびＴａは、０≦｜
Ｔｃ−Ｔａ｜／Ｔｃ≦０．１５（より好ましくは、０≦
｜Ｔｃ−Ｔａ｜／Ｔｃ≦０．０５）を満たすことが好ま
しい。

【００４１】第１、第２および第３の誘電体層１６、２
０および２４は、第１の記録層１８を環境から保護する
機能を有する。また、各層の厚さや材料を選択すること
によって、光の干渉を利用して、第１の記録層１８の光
吸収率（％）、ならびに第１の情報層１３の光反射率お
よび光透過率を制御することができる。

【００４２】これらの誘電体層の厚さは、たとえばマト
リクス法（たとえば、久保田広著「波動光学」岩波書
店，１９７１年，第３章を参照）に基づく計算を用いて
決定できる。具体的には、｜Ｒｃ−Ｒａ｜またはＲｃ／
Ｒａがより大きく、且つＴｃおよびＴａがより大きくな
る条件を満足するように厳密に決定することができる。
ここで、ＲｃおよびＴｃは、それぞれ、第１の記録層１
８が結晶相である場合の第１の情報層１３の反射率
（％）および透過率（％）である。また、ＲａおよびＴ
ａは、それぞれ、第１の記録層１８が非晶質相である場
合の第１の情報層１３の反射率（％）および透過率
（％）である。

【００４３】また、これらの誘電体層の波長４００ｎｍ
近傍における、複素屈折率は、第１の記録層１８の光吸
収率や、第１の情報層１３の反射率および透過率を決定
する重要な要素である。複素屈折率は、屈折率ｎと消衰
係数ｋとを用いて、（ｎ−ｋ・ｉ）で表される。大きな
ＴｃおよびＴａを確保するためには、誘電体層の透明性
が高いことが望ましく、具体的には消衰係数ｋが０．１
以下であることが望ましい。

【００４４】誘電体層の屈折率について、発明者らは、
マトリクス法を用いたシミュレーションを行うことによ
って、第１の誘電体層１６の屈折率ｎ１と、第２の誘電
体層２０の屈折率ｎ２と、第３の誘電体層２４の屈折率
ｎ３とが、第１の情報層１３の反射率および透過率に与
える影響について調べた。このシミュレーションは、第
１の記録層１８の厚さを６ｎｍと仮定し、第１の反射層
２２の厚さを１０ｎｍと仮定して行った。その結果、屈
折率ｎ１、ｎ２およびｎ３が、それぞれ、１．７≦ｎ１
≦２．５、１．７≦ｎ２≦２．８、２．０≦ｎ３の関係
を満足する場合には、｜Ｒｃ−Ｒａ｜またはＲｃ／Ｒａ
が大きく、且つ、４０≦（Ｔｃ＋Ｔａ）／２を満たす誘
電体層の厚さを決定できるという結果が得られた。さら
に、２．１≦ｎ１≦２．４、２．０≦ｎ２≦２．８、お
よび２．２≦ｎ３を満足する場合には、Ｒａをより小さ
くできるため、Ｒｃ／Ｒａがより大きく、且つ、５０≦
（Ｔｃ＋Ｔａ）／２を満たす誘電体層の厚さを決定でき
るという結果が得られた。

【００４５】このように、第１、第２および第３の誘電
体層１６、２０および２４は、第１の情報層１３の透過
率（ＴｃおよびＴａ）を大きくするという機能を有す
る。この中でも、第３の誘電体層２４が特に重要であ
り、第３の誘電体層２４を屈折率が大きい材料、たとえ
ば屈折率が２．３以上の材料で形成することが好まし
い。第３の誘電体層２４がある場合には、それがない場
合と比較して、透過率が絶対値で５％〜１０％上昇する
ことも計算で確かめられた。

【００４６】次に、誘電体層の好ましい熱的特性につい
て説明する。第１の記録層１８に良好な記録マークを形
成するためには、光吸収によって第１の記録層１８に発
生した熱を、速やかに膜厚方向に逃がして第１の記録層
１８を急冷することが重要である。そのため、第１の誘
電体層１６および第２の誘電体層２０には、相対的に熱
伝導率が小さい材料を用いることが好ましい。熱伝導率
が大きい材料を用いると、熱が面内方向に逃げやすくな
り、急冷速度が相対的に低下する。一方、第１の反射層
２２上に形成された第３の誘電体層２４には、急冷速度
を大きくするために、相対的に熱伝導率が大きい材料を
用いることが好ましい。 第１、第２および第３の誘電
体層１６、２０および２４は、上記の光学的および熱的
な条件を満足するような材料を用いて形成される。これ
らの誘電体層は、酸化物、窒化物、酸化窒化物、硫化
物、炭化物、およびこれらを組み合わせた混合物で形成
できる。酸化物としては、たとえば、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂
Ｏ₅、ＳｎＯ、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ₂、Ｔ
ｅＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅を用いること
ができる。窒化物としては、たとえば、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ
−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｚｒ−ＮまたはＧｅ−Ｎを
用いることができる。酸化窒化物としては、たとえば、
Ａｌ−Ｏ−ＮまたはＳｉ−Ｏ−Ｎを用いることができ
る。硫化物としては、たとえばＺｎＳを用いることがで
きる。炭化物としては、たとえばＳｉＣを用いることが
できる。混合物としては、たとえばＺｎＳ−ＳｉＯ₂を
用いることができる。

【００４７】これらの中でも、第１の誘電体層１６およ
び第２の誘電体層２０には、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂が適して
いる。ＺｎＳ−ＳｉＯ₂は、屈折率が約２．３の透明な
非晶質材料であり、成膜速度も速く、機械的特性および
耐湿性に優れている。また、第３の誘電体層２４には、
ＴｅＯ₂、ＺｎＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂、またはＴｉＯ₂
といった屈折率が２．３よりも大きい材料が適してい
る。

【００４８】第１の界面層１７および第２の界面層１９
は、第１の誘電体層１６と第１の記録層１８との間、お
よび第１の記録層１８と第２の誘電体層２０との間で物
質が移動することを防止する機能を有する。また、第３
の界面層２１および第４の界面層２３は、第２の誘電体
層２０と第１の反射層２２との間、および第１の反射層
２２と第３の誘電体層２４との間で物質が移動すること
を防止する。たとえば、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる誘電
体層を用いた場合に、誘電体層中の硫黄が第１の記録層
１８や第１の反射層２２に拡散することを防止する。こ
れらの界面層は省略することが可能であるが、硫化物か
らなる誘電体層を用いる場合には、界面層を形成するこ
とが好ましい。第１の情報層１３の透過率を大きくする
ためには、界面層の数ができるだけ少ない方が好まし
い。

【００４９】これらの界面層の材料には、Ｓｉ−Ｎ、Ａ
ｌ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｔａ−Ｎとい
った窒化物、またはこれらを含む窒化酸化物を用いるこ
とができる。また、ＣまたはＳｉＣといった炭化物を用
いることもできる。これらの中でも、Ｇｅ−Ｎを含む材
料は、反応性スパッタリングで容易に形成でき、機械的
特性および耐湿性にも優れている。これら界面層の厚さ
が厚いと、第１の情報層１３の反射率や吸収率が大きく
変化してしまうため、これらの界面層の厚さは１ｎｍ〜
１０ｎｍ（より好ましくは３ｎｍ〜７ｎｍ）の範囲内が
好ましい。

【００５０】第１の記録層１８は、レーザビームの照射
によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を生
ずる相変化材料からなる。具体的には、第１の記録層１
８は、ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとを含む。より具体的に
は、Ｇｅ_AＳｂ_BＴｅ_3+Aで表される材料のＧｅの一部を
Ｓｎで置換した材料、すなわち、組成式が（Ｇｅ−Ｓ
ｎ）_AＳｂ_BＴｅ_3+A（ただし、２≦Ａ≦２２、２≦Ｂ≦
４）で表される材料を用いることができる。この組成式
は、第１の記録層１８中に、ＧｅおよびＳｎが、合計で
１００＊Ａ／（２Ａ＋Ｂ＋３）原子％含まれることを示
す。繰り返し記録性能に優れた情報記録媒体を得るため
に、Ａは、２≦Ａ≦１０を満たすことがより好ましい。
第１の記録層１８の厚さは、９ｎｍ以下であり、好まし
くは、３ｎｍ〜９ｎｍの範囲内である。

【００５１】ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬二元系組成は、結
晶化速度が速い材料として従来から用いられているが、
これにＳｎＴｅまたはＰｂＴｅを固溶させることによっ
てさらに結晶化速度をさらに速くできる。ＳｎＴｅおよ
びＰｂＴｅは、ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬二元系と同様
に、結晶構造が岩塩型である。また、ＳｎＴｅおよびＰ
ｂＴｅは、結晶化速度が速く、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅと固溶
しやすい。本発明者らは、ＳｎＴｅが、ＧｅＴｅ−Ｓｂ
₂Ｔｅ₃擬二元系組成に固溶させる材料として好ましいこ
とを見いだした。この材料を用いることによって、小さ
なレーザビームスポットで、より小さな記録マークをよ
り短い間隔で記録層に記録できる。なお、ＳｎＴｅの代
わりにＰｂＴｅを加えることも有用である。この場合、
好ましいＰｂの量は、好ましいＳｎの量と同様である。

【００５２】以上説明したように、ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔ
ｅ₃擬二元系組成にＳｎＴｅを混ぜたＧｅＴｅ−ＳｎＴ
ｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃を第１の記録層１８の材料として用いる
ことができる。この場合には、Ｇｅの一部がＳｎで置換
され（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ ₂Ｔｅ₃となり、結晶化速
度が大きくなる。さらに、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ₂
Ｔｅ₃に過剰なＳｂを加えて（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ₂
Ｔｅ₃−Ｓｂとすることによって、結晶化速度を大きく
するとともに結晶化温度を向上させることができ、その
結果、記録マークの熱的安定性を向上させることができ
る。さらに、過剰なＳｂは結晶格子に入らずに非晶質Ｓ
ｂとなるため、繰り返し記録時における物質の移動を抑
制する機能も有する。

【００５３】組成式が（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ_BＴｅ_3+Aで
表される材料を用いる場合、２≦Ａとすることによって
青紫色の波長域で十分な信号振幅が得られる。また、Ａ
≦２２とすることによって、融点の上昇、および結晶化
速度の低下を防止できる。また、２≦Ａ≦１０とするこ
とによって、繰り返し記録特性に優れた情報記録媒体が
得られる。

【００５４】次に、組成式が（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ_BＴｅ
_3+Aで表される材料を用いる場合において、材料中に含
まれるＳｎの含有量について説明する。Ａ＝Ｂ＝２の場
合、第１の記録層１８中に含まれるＳｎの含有量Ｙ（原
子％）は、０＜Ｙ≦１１を満たすことが好ましい。ま
た、Ａ＝２でＢ＝４の場合、０＜Ｙ≦１５であることが
好ましい。また、Ａ＝２２でＢ＝２の場合、０＜Ｙ≦２
２であることが好ましい。また、Ａ＝２２でＢ＝４の場
合、０＜Ｙ≦２５であることが好ましい。したがって、
上記材料中のＳｎの含有量は、２５原子％以下であるこ
とが好ましい。Ｓｎ濃度が多すぎると、第１の記録層１
８の結晶相と非晶質相との間の屈折率変化が小さくな
り、記録特性が低下する場合がある。

【００５５】図２を参照しながら、第１の記録層１８の
好ましい組成範囲について説明する。図２は、（Ｇｅ−
Ｓｎ）の濃度（原子％）、Ｓｂの濃度（原子％）、Ｔｅ
の濃度（原子％）の座標からなる。点ａは、［（Ｇｅ−
Ｓｎ），Ｓｂ，Ｔｅ］（以下、この順で表示）＝（５
０，０，５０）で、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅを示す。点ｂ
は、座標が（０，４０，６０）で、Ｓｂ₂Ｔｅ₃を示す。
従って、線ａ−ｂは、（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ₂Ｔｅ_3+Aの
組成を示す。点ｃは、（０，５７．１，４２．９）で、
Ｓｂ₄Ｔｅ₃を示す。従って、線ａ−ｃは、（Ｇｅ−Ｓ
ｎ）_AＳｂ₄Ｔｅ_3+Aの組成を示す。点ｄは、座標が（４
４．９，４．１，５１．０）であり、Ａ＝２２でＢ＝２
の組成を示す。点ｅは、座標が（４０，８，５２）であ
り、Ａ＝１０でＢ＝２の組成を示す。点ｆは、座標が
（２２．２，２２．２，５５．６）であり、Ａ＝２でＢ
＝２の組成を示す。点ｇは、座標が（１８．２，３６．
４，４５．４）であり、Ａ＝２でＢ＝４の組成を示す。
点ｈは、座標が（３７，１４．８，４８．２）であり、
Ａ＝１０でＢ＝４の組成を示す。点ｊは、座標が（４
３．１，７．８，４９．１）であり、Ａ＝２２でＢ＝４
の組成を示す。したがって、ｄ−ｆ−ｇ−ｊで囲まれる
範囲は、２≦Ａ≦２２で２≦Ｂ≦４の組成を示す。ｅ−
ｆ−ｇ−ｈで囲まれる範囲は、２≦Ａ≦１０で２≦Ｂ≦
４の組成を示す。線ｄ−ｆは、２≦Ａ≦２２でＢ＝２の
組成を示す。線ｅ−ｆは、２≦Ａ≦１０でＢ＝２の組成
を示す。

【００５６】組成式（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ_BＴｅ_3+Aで表
される材料を用いて厚さが６ｎｍの第１の記録層１８を
形成したところ、Ａ、ＢおよびＳｎの濃度を選択するこ
とによって、３９０ｎｍ〜４３０ｎｍという短波長のレ
ーザビームを用いた場合でも、良好な記録消去性能が得
られた。

【００５７】なお、第１の記録層１８の材料として、
（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ_BＴｅ_3+Aに他の元素を加えた材料
を用いてもよい。このような、材料は、組成式［（Ｇｅ
−Ｓｎ）_AＳｂ_BＴｅ_3+A］_100-CＭ_C（ただし、０＜Ｃ≦
２０）で表される。元素Ｍには、窒素、Ａｇ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｃｕ、
Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ
ｅ、Ｂｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｇｄ、Ｔｂ、およびＤｙからなる群より選ばれる少なく
とも１つの元素を用いることができる。この場合にも、
Ｓｎ濃度を変えることによって結晶化速度を最適化する
ことができる。

【００５８】第１の反射層２２は、光学的には、第１の
記録層１８に吸収される光量を増大させる働きを有し、
熱的には、第１の記録層１８で発生した熱を速やかに拡
散させ第１の記録層１８を非晶質化しやすくするという
働きを有する。また、第１の反射層２２は、多層膜を使
用環境から保護する働きも有する。第１の反射層２２の
材料としては、たとえば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはＣ
ｕといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができ
る。また、これらの金属を主成分とし、耐湿性の向上ま
たは熱伝導率の調整のために１つ以上の他の元素を添加
した合金材料を用いることもできる。具体的には、Ａｌ
−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｇ−
Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、またはＣ
ｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。これらの
合金は、いずれも耐食性および熱伝導率が高い材料であ
る。中でも、Ａｇ合金は、熱伝導率が高い。また、Ａｇ
合金は、それ自体の光吸収率を小さくする光学設計がし
やすいので、Ａｕ系の材料またはＡｌ系の材料を用いる
場合よりも光を透過光に配分しやすい。第１の記録層１
８の光吸収率と、第１の情報層１３の透過率とのバラン
スを考慮すると、第１の反射層２２の厚さは、５ｎｍ〜
１５ｎｍ（より好ましくは、８ｎｍ〜１２ｎｍ）が好ま
しい。厚さを５ｎｍ以上とすることによって、十分な放
熱機能が得られる。また、厚さを１５ｎｍ以下とするこ
とによって、第１の情報層１３の透過率が低くなりすぎ
ることを防止できる。

【００５９】次に、第２の情報層１４について説明す
る。第４および第５の誘電体層２５および２９は、第２
の記録層２７を環境から保護する機能を有する。また、
これらの誘電体層の厚さと屈折率とを選択することによ
って、第２の記録層２７の光吸収効率を高めることがで
き、また、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号
振幅を大きくすることができる。これらの誘電体層は、
第１、第２および第３の誘電体層１６、２０および２４
について説明した材料で形成できる。これらの誘電体層
は、異なる材料で形成してもよいし、同一の材料で形成
してもよい。

【００６０】第５の界面層２６および第６の界面層２８
は、第４の誘電体層２５と第２の記録層２７との間、お
よび第２の記録層２７と第５の誘電体層２９との間で物
質が移動することを防止する。第７の界面層３０は、第
５の誘電体層２９と第２の反射層３１との間で物質が移
動することを防止する。これらの界面層は、第１および
第２の界面層１７および１９と同様の材料で形成でき、
好ましい厚さも同様である。

【００６１】第２の記録層２７には、第１の情報層１３
を透過したレーザビーム３５によって情報の記録、消去
および再生が行われる。第２の記録層２７に記録された
情報の再生は、第２の情報層１４によって反射されたレ
ーザビームを用いて行うため、第２の情報層１４の反射
率が高いことが好ましい。

【００６２】第２の記録層２７は、レーザビームの照射
によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を生
ずる相変化材料からなる。具体的には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、またはＡｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅといった材料を用いることができる。あるい
は、これらの材料に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｉ
ｎ、Ｌａ、Ｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、ＮｂおよびＶからなる群より選ばれる少なくとも１
つの元素を加えた材料を用いることもできる。あるい
は、これらの材料にさらに窒素または酸素を添加した材
料を用いることもできる。

【００６３】また、第２の記録層２７の材料として、第
１の記録層１８と同じＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の材料
を用いてもよい。この場合、第２の記録層２７は第１の
記録層１８よりも厚いため、Ｓｎの含有量は第１の記録
層１８よりも少なくてよい。組成式（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳ
ｂ_BＴｅ_3+Aで表される材料を用いる場合には、２≦Ａ≦
１０で２≦Ｂ≦４であることが好ましい。第２の記録層
２７に入射するレーザビームは弱いため、第２の記録層
２７は、融点が低い材料で形成されることが好ましい。
Ａ＝１５の場合には、融点が高くなって記録感度が低下
する。Ａ＝２の場合には、Ｓｎの含有量Ｙ（原子％）
は、０＜Ｙ≦５であることが好ましい。また、Ａ＝１０
の場合には、０＜Ｙ≦１５であることが好ましい。

【００６４】第２の記録層２７が薄すぎると、第２の情
報層１４の反射率が低下する。また、第２の記録層２７
が厚すぎると、第２の記録層２７で発生した熱が面方向
に拡散しやすくなるため小さい記録マークが形成されに
くくなる。したがって、第２の記録層２７の厚さは、８
ｎｍ〜１５ｎｍであることが好ましい。

【００６５】第２の反射層３１は、第２の記録層２７に
吸収される光量をを増大させる。また、第２の記録層２
７で発生した熱を速やかに拡散させ、第２の記録層２７
の非晶質化を容易にするという機能を有する。第２の反
射層３１は、第１の反射層２２で説明した材料で形成で
きる。第２の反射層３１の厚さは、３０ｎｍ〜１５０ｎ
ｍ（より好ましくは、７０ｎｍ〜９０ｎｍ）の範囲内で
あることが好ましい。第２の反射層３１が３０ｎｍより
薄いと熱拡散機能が小さくなって第２の記録層２７が非
晶質化しにくくなる。また、第２の反射層３１が１５０
ｎｍより厚いと熱拡散機能が大きくなりすぎて第２の記
録層２７の記録感度が低下する。

【００６６】中間層１５は、第１の記録層１８のフォー
カス位置と第２の記録層２７のフォーカス位置とを区別
するために形成される。中間層１５には、トラッキング
制御用のグルーブが形成されていてもよい。中間層１５
は、光硬化性樹脂または遅効性樹脂を用いて形成でき
る。中間層１５の材料は、レーザビーム３５の波長λに
おいて、光吸収が少ないことが好ましい。中間層１５の
厚さは、レーザビーム３５を集光する対物レンズの開口
数ＮＡと、レーザビーム３５の波長λ（ｎｍ）とで決定
される焦点深度ΔＺ以上である。焦光点の強度を無収差
の場合の８０％とする場合、焦点深度ΔＺはΔＺ＝λ／
｛２（ＮＡ）²｝の式で近似できる。λ＝４００ｎｍ、
ＮＡ＝０．６のとき、ΔＺ＝０．５５６μｍとなる。こ
の場合、±０．６μｍ以内は焦点深度内となるので、中
間層１５の厚さは１μｍ以上でなければならない。一
方、第１の記録層１８と第２の記録層２７との両方にレ
ーザビーム３５を集光させることができるように、中間
層１５の厚さは５０μｍ以下とすることが好ましい。

【００６７】なお、図１に示した情報記録媒体は一例で
ある。たとえば、本発明の情報記録媒体は、図３に示す
情報記録媒体１０ａを含む。また、本発明の情報記録媒
体では、各誘電体層の材料、各界面層の材料、各反射層
の材料は、それぞれ、同じでも異なってもよい。

【００６８】（実施形態２）実施形態２では、情報記録
媒体を製造するための本発明の製造方法について説明す
る。なお、実施形態１で説明した部分と同様の部分につ
いては同一の符号を付して重複する説明を省略する。

【００６９】実施形態２の製造方法で製造される情報記
録媒体１０ａについて、断面図を図３に示す。この製造
方法では、まず、第２の基板１２上に第２の情報層１４
を形成する（工程（ａ））。以下に、第２の情報層１４
の形成方法を説明する。

【００７０】最初に、トラッキング制御用のグルーブが
形成された第２の基板１２（たとえば、厚さ１．１ｍ
ｍ）を用意し、この基板を成膜装置内に配置する。そし
て、第２の基板１２のグルーブが形成された側に、第２
の反射層３１、第７の界面層３０、第５の誘電体層２
９、および第６の界面層２８を順に形成する。第２の反
射層３１は、金属からなる母材をＡｒガス雰囲気中でス
パッタリングすることによって形成できる。各界面層お
よび誘電体層は、スパッタリング法（たとえば反応性ス
パッタリング法）によって形成できる。スパッタリング
ガスには、Ａｒガス、またはＡｒガスと反応性ガスとの
混合ガスを用いることができる。

【００７１】次に、第２の記録層２７を形成する。第２
の記録層２７は、スパッタリング法によって形成でき
る。母材には、形成する第２の記録層２７の組成に応じ
た母材（たとえば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金）を用いる。
スパッタリングガスには、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ａｒガ
スと反応性ガス（Ｎ₂またはＯ₂から選ばれる少なくとも
１つのガスである。以下、同様である。）との混合ガ
ス、またはＫｒガスと反応性ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。

【００７２】次に、第５の界面層２６と第４の誘電体層
２５を順に形成する。これらの層は、上述した方法で形
成できる。第４の誘電体層２５の形成後に、必要に応じ
て第２の記録層２７を結晶化させる初期化工程を行って
もよい。

【００７３】次に、第２の情報層１４上に中間層１５を
形成する（工程（ｂ））。図３に示すように、この実施
形態では、中間層１５の第１の基板１１側の表面にトラ
ッキング制御用のグルーブを形成する場合について説明
する。まず、第４の誘電体層２５上に、中間層１５の材
料となる硬化前の紫外線硬化性樹脂を塗布する。紫外線
硬化性樹脂は、たとえばスピンコート法で塗布できる。
次に、トラッキング制御用のグルーブの形状が転写され
た透明な基板（たとえばポリカーボネート基板）を用意
する。そして、この基板のグルーブが形成された面を樹
脂に密着させたのち、紫外線を照射して紫外線硬化性樹
脂を硬化させ、グルーブを転写する。その後、基板を剥
離することによって、トラッキング制御用のグルーブが
形成された中間層１５を形成できる。

【００７４】次に、中間層１５上に、第１の情報層１３
を形成する（工程（ｃ））。以下に、第１の情報層１３
の形成方法について説明する。

【００７５】まず、中間層１５上に、第３の誘電体層２
４、第４の界面層２３、第１の反射層２２、第３の界面
層２１、第２の誘電体層２０、および第２の界面層１９
を順に形成する。これらの層は、第２の情報層１４で説
明した方法で形成できる。

【００７６】次に、第２の界面層１９上に第１の記録層
１８を形成する。第１の記録層１８の組成は、実施形態
１で説明したものと同様である。第１の記録層１８は、
ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとを含む母材を用いて厚さが９
ｎｍ以下となるように形成される。具体的には、Ｇｅ−
Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の母材をスパッタリングすること
によって形成できる。また、Ｇｅ、Ｓｎ、ＳｂおよびＴ
ｅの４つの母材を４つの電源を用いて同時にスパッタリ
ングすることによっても形成できる。また、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅのうち複数を含む化合物からなる母材を
用いてもよい。スパッタリングガスには、Ａｒガス、Ｋ
ｒガス、Ａｒガスと反応性ガスとの混合ガス、またはＫ
ｒガスと反応性ガスとの混合ガスを用いることができ
る。第１の記録層１８は、０．１ｎｍ／秒〜１０ｎｍ／
秒の範囲内の成膜速度で形成することが好ましい。成膜
速度は、電極に印加するパワーによって制御できる。成
膜速度を０．１ｎｍ／秒以上とすることによって、スパ
ッタリングガスが記録層に過剰に混入することを防止で
きる。また、成膜速度を１０ｎｍ／秒以下とすることに
よって、記録層の厚さの制御が容易になる。

【００７７】上記方法によれば、母材の組成や形状に依
らず、形成された第１の記録層１８について反応性ガス
成分を除いた組成が、（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ_BＴｅ_3+Aに
なっていれば、特に優れた情報記録媒体が得られる。

【００７８】次に、第１の記録層１８上に、第１の界面
層１７および第１の誘電体層１６を順に形成する。これ
らは、上述した方法で形成できる。第１の誘電体層１６
を形成したのちに、第１の記録層１８にレーザビームを
照射して、第１の記録層１８の全体を結晶化する初期化
工程を行ってもよい。

【００７９】その後、第１の情報層１３上に、第１の基
板１１を接着する（工程（ｄ））。まず、第１の誘電体
層１６上に、硬化前の樹脂を塗布する。樹脂には、紫外
線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂を用いることができ
る。樹脂は、スピンコート法などによって塗布できる。
この樹脂は、硬化によって接着層３６となる。接着層３
６の厚さは、５μｍ〜４０μｍの範囲内であることが好
ましい。その後、硬化前の樹脂上に第１の基板１１を密
着させ、紫外線や電子線を照射することによって樹脂を
硬化させる。このようにして、接着層３６によって第１
の誘電体層１６と第１の基板１１とを接着する。なお、
接着層３６の材料として、遅効性樹脂を用いてもよい。
また、第１の基板１１上に、傷を防止するためのハード
コート層を形成してもよい。ハードコート層は、たとえ
ば紫外線硬化性樹脂によって形成できる。

【００８０】このようにして、実施形態１で説明した情
報記録媒体を製造できる。なお、実施形態１で説明した
情報記録媒体は、他の方法でも製造できる。たとえば、
第１の基板１１上に第１の情報層１３を形成し、第２の
基板１２上に第２の情報層１４を形成し、これらを中間
層１５を介して貼りあわせてもよい。各層については、
上述した方法で形成できる。

【００８１】（実施形態３）実施形態３では、本発明の
情報記録媒体の記録再生方法について説明する。

【００８２】本発明の記録再生方法に用いる記録再生装
置について一例を図４に示す。図４を参照して、記録再
生装置４０は、情報記録媒体１０を回転させるスピンド
ルモータ４１と光ヘッド４２とを備える。光ヘッド４２
は、レーザビーム４３を出射する半導体レーザ４４と、
レーザビーム４３を集光する対物レンズ４５と、情報記
録媒体１０によって反射されたレーザビーム４３を検出
するフォトダイオード（図示せず）とを備える。

【００８３】情報記録媒体１０は、実施形態１で説明し
た本発明の情報記録媒体である。レーザビーム４３の波
長は、３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内である。対物レ
ンズ４５は、開口数が０．４〜１．１の範囲内である。

【００８４】実施形態３の記録再生方法では、情報記録
媒体１０を１ｍ／秒〜５０ｍ／秒の範囲内の線速度にな
るように回転させることによって情報の記録、再生、お
よび消去を行うことが好ましい。

【００８５】情報記録媒体１０がトラッキング制御用の
グルーブを備える場合、情報は、グルーブ１１ａの部分
のみに記録してもよいし、ランド１１ｂの部分のみに記
録してもよい（図１参照）。また、情報は、グルーブ１
１ａとランド１１ｂの両方に記録してもよい。たとえ
ば、第１の情報層１３および第２の情報層１４にともに
グルーブが形成されている場合、第１の情報層１３／第
２の情報層１４への情報記録は、グルーブ記録／グルー
ブ記録、グルーブ記録／ランド記録、ランド記録／グル
ーブ記録、またはランド記録／ランド記録のいずれでも
よい。

【００８６】情報は、照射するレーザビーム４３を高い
方のピークパワーＰｐ（ｍＷ）と低い方のバイアスパワ
ーＰｂ（ｍＷ）とに変調させることによって記録する。
Ｐｐのレーザビームの照射によって非晶質相が形成さ
れ、これが記録マークとなる。記録マーク間には、Ｐｂ
のレーザビームの照射によって、結晶相が形成される。

【００８７】第１の情報層１３を記録再生する際には、
第１の記録層１８に焦点を合わせてレーザビーム４３を
照射する。情報の再生は、第１の記録層１８から反射し
てきたレーザビーム４３を検出することによって行う。
第２の情報層１４を記録再生する際には、第２の記録層
２７に焦点を合わせてレーザビーム４３を照射する。情
報の再生は、第２の記録層２７によって反射され、中間
層１５と第１の情報層１３とを透過してきたレーザビー
ム４３を検出することによって行う。

【００８８】

【実施例】次に、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。

【００８９】（実施例１）実施例１では、記録層の材料
と特性との関係について評価した。まず、図５に示すサ
ンプル５０を作製した。図５のサンプル５０は、第１の
基板５１上に形成された第１の情報層１３ａを備える。
第１の情報層１３ａは、接着層５２によってダミー基板
５３に接着されている。以下に、サンプル５０の作製方
法を説明する。

【００９０】まず、基板５１として、１２ｍｍ×１８ｍ
ｍのポリカーボネート基板（厚さ：０．６ｍｍ）を用意
した。そして、基板５１上に、第１の誘電体層１６（厚
さ：９０ｎｍ）、第１の界面層１７（厚さ：３ｎｍ）、
第１の記録層１８、第２の界面層１９（厚さ：３ｎ
ｍ）、第２の誘電体層２０（厚さ：３６ｎｍ）、第３の
界面層２１（厚さ：３ｎｍ）、および第１の反射層２２
（厚さ：１０ｎｍ）を順にスパッタリング法によって形
成した。

【００９１】実施例１では、各誘電体層にＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂（ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）を用い、各界面層にＧｅ
−Ｎを用い、第１の反射層２２にＡｇ合金を用いた。ま
た、第１の記録層１８は、組成式（Ｇｅ−Ｓｎ）₄Ｓｂ₂
Ｔｅ₇で表される材料（ＧｅとＳｎの含有量が合計で３
０．８原子％）で形成した。第１の記録層１８は、初期
化は行わず、非晶質状態のままとした。実施例１では、
第１の記録層１８中のＧｅの含有量Ｘ（原子％）とＳｎ
の含有量Ｙ（原子％）とを変化させて複数のサンプルを
作製した。

【００９２】第１の記録層１８の厚さは、３ｎｍ〜１２
ｎｍの範囲内で変化させた。第１および第２の誘電体層
１６および２０の厚さは、波長４０５ｎｍにおける第１
の記録層１８の反射率変化が大きく且つ第１の記録層１
８の光吸収率が大きくなるように、マトリクス法に基づ
く計算によって決定した。

【００９３】各誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂の母材
（直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ）をＡｒ雰囲気中で高周
波スパッタリング（パワー：４００Ｗ）することによっ
て形成した。各界面層は、Ｇｅの母材（直径１００ｍ
ｍ、厚さ６ｍｍ）をＡｒガスと窒素ガスとの混合ガス雰
囲気中で高周波スパッタリング（パワー：３００Ｗ）す
ることによって形成した。第１の記録層１８は、Ｇｅ−
Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の母材（直径１００ｍｍ、厚さ６
ｍｍ）をＡｒガス雰囲気中で直流スパッタリング（パワ
ー：５０Ｗ）することによって形成した。第１の記録層
１８の成膜速度は、０．５ｎｍ／秒であった。第１の反
射層２２は、銀合金の母材（直径１００ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍ）を直流スパッタリング（パワー：２００Ｗ）するこ
とによって形成した。

【００９４】次に、第１の反射層２２上に、接着層５２
となる紫外線硬化性樹脂を塗布し、ダミー基板５３を密
着させて樹脂を硬化させ、第１の反射層２２とダミー基
板５３とを接着層５２で接着した。初期化は行わず、第
１の記録層１８は、成膜後の非晶質相（ａｓ−ｄｅｐｏ
非晶質相）のままとした。このようにして、複数のサン
プル５０を作製した。

【００９５】このようにして作製したサンプルについ
て、図６に示す評価装置を用いて評価を行った。図６の
評価装置は、ステージ６１と光ヘッド６２とを備える。
光ヘッド６２は、波長４０５ｎｍのレーザビーム６３を
出射する半導体レーザ６４と、開口数が０．６５の対物
レンズ６５とを備える。

【００９６】次に、サンプルの評価方法について説明す
る。まず、サンプル５０をステージ６１に固定した。そ
して、サンプル５０に、３．５ｍＷで５００ｎｓのパル
スレーザを照射し、第１の記録層１８をａｓ−ｄｅｐｏ
非晶質相から結晶相に変化させた。次に、サンプル５０
に、７ｍＷで４０ｎｓのパルスレーザを照射し、第１の
記録層１８を結晶相から一旦溶かして非晶質相に変化さ
せた。その後、３ｍＷのパルスレーザを、照射時間が１
０ｎｓ〜５００ｎｓの範囲内で照射し、非晶質相を結晶
相に変化させるのに必要な時間を測定した。なお、相変
化が生じたかどうかは、反射率で決定した。測定結果を
表１に示す。

【００９７】

【表１】

【００９８】表１中、結晶化時間とは、非晶質相を結晶
相に変化させるのに必要とされるレーザの照射時間であ
る。この結晶化時間が短いほど、第１の記録層１８の結
晶化速度が速い。

【００９９】表１に示すように、Ｓｎの濃度が高くなる
ほど結晶化時間が短くなる傾向があった。また、記録層
が薄くなるほど、その傾向が大きくなった。このよう
に、記録層が薄い場合であっても、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅに
Ｓｎを添加することによって、結晶化時間を短くでき
た。

【０１００】（実施例２）実施例２では、図１に示した
第１の情報層１３を作製し、その透過率を測定した。

【０１０１】まず、第１の基板１１として、直径１２０
ｍｍで厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート基板を用意し
た。そして、この基板上に、第１の誘電体層１６（厚
さ：１１０ｎｍ）、第１の界面層１７（厚さ：３ｎ
ｍ）、第１の記録層１８、第２の界面層１９（厚さ：３
ｎｍ）、第２の誘電体層２０（厚さ：２２ｎｍ）、第３
の界面層２１（厚さ：３ｎｍ）、第１の反射層２２（厚
さ：１０ｎｍ）、第４の界面層２３（厚さ：３ｎｍ）、
および第３の誘電体層２４（厚さ：１７ｎｍ）を順にス
パッタリング法によって形成した。第１の記録層１８の
厚さは、３ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内で変化させた。第１
および第２の誘電体層１６および２０の厚さは、波長４
０５ｎｍにおける第１の記録層１８の反射率変化が大き
く且つ第１の記録層１８の光吸収率が大きくなるよう
に、マトリクス法に基づく計算によって決定した。ま
た、第３の誘電体層２４の厚さは、第１の情報層１３の
記録・再生特性に影響を与えることなく第１の情報層１
３の透過率が高くなるように決定した。

【０１０２】各界面層には、実施例１と同様にＧｅ−Ｎ
を用いた。各誘電体層には、実施例１と同様にＺｎＳ−
ＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）を用いた。第１の記
録層１８には、組成式（Ｇｅ−Ｓｎ）₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇（Ｇ
ｅ：２０．８原子％、Ｓｎ：１０原子％）で表される材
料を用いた。

【０１０３】このようにして得られた第１の情報層１３
を、紫外線硬化性樹脂を用いてダミー基板に貼りあわせ
た。このようにして、透過率測定用のサンプルを得た。

【０１０４】これらのサンプルについて、第１の記録層
１８が非晶質相であるときの透過率Ｔａを測定した。そ
の後、第１の記録層１８を結晶化して、透過率Ｔｃを測
定した。透過率は、波長４０５ｎｍにおける値を分光器
で測定した。測定結果を表２に示す。

【０１０５】

【表２】

【０１０６】第２の情報層１４に十分な量のレーザビー
ムを入射させるには、第１の情報層１３の透過率が、４
０≦（Ｔｃ＋Ｔａ）／２を満たすことが好ましい。表２
から明らかなように、第１の記録層１８の厚さを９ｎｍ
以下とすることによってこの条件を満たすことができ、
６ｎｍ以下とすることによって、５０≦（Ｔｃ＋Ｔａ）
／２を満たすことができる。したがって、第１の記録層
１８の厚さは、９ｎｍ以下が好ましい。

【０１０７】（実施例３）実施例３では、図１に示した
情報記録媒体１０を製造し、第１の記録層１８の組成お
よび厚さと、特性との関係について調べた。

【０１０８】まず、第１の基板１１として、直径１２０
ｍｍで厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート基板を用意し
た。そして、この基板上に、第１の誘電体層１６（厚
さ：４５ｎｍ）、第１の界面層１７（厚さ：３ｎｍ）、
第１の記録層１８、第２の界面層１９（厚さ：３ｎ
ｍ）、第２の誘電体層２０（厚さ：１１ｎｍ）、第３の
界面層２１（厚さ：３ｎｍ）、第１の反射層２２（厚
さ：１０ｎｍ）、第４の界面層２３（厚さ：３ｎｍ）、
および第３の誘電体層２４（厚さ：２３ｎｍ）を順にス
パッタリング法によって形成した。第１の記録層１８の
厚さは、３ｎｍ〜９ｎｍの範囲内で変化させた。

【０１０９】界面層および誘電体層については、それぞ
れ、実施例２のサンプルと同様の材料で形成した。第１
の記録層１８は、組成式（Ｇｅ−Ｓｎ）₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇で
表される材料を用い、Ｓｎの含有量を０〜２０原子％の
範囲で変化させた。各層は、実施例１と同様の方法で作
製した。

【０１１０】次に、第２の基板１２として、直径１２０
ｍｍで厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を用意し
た。そして、この基板上に、第２の反射層３１（厚さ：
８０ｎｍ）、第７の界面層３０（厚さ：３ｎｍ）、第５
の誘電体層２９（厚さ：１１ｎｍ）、第６の界面層２８
（厚さ：３ｎｍ）、第２の記録層２７（厚さ：１２ｎ
ｍ）、第５の界面層２６（厚さ：３ｎｍ）、および第４
の誘電体層２５（厚さ：６５ｎｍ）をスパッタリング法
によって形成した。各誘電体層の厚さは、第２の記録層
２７の記録・再生特性がよくなるように、マトリクス法
に基づく計算によって決定した。

【０１１１】第２の反射層３１には、Ａｇ合金を用い
た。各界面層には、Ｇｅ−Ｎを用いた。各誘電体層に
は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）を用い
た。第２の記録層２７には、組成式Ｇｅ₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇で
表される材料を用いた。誘電体層、界面層および反射層
は、それぞれ、実施例１で説明した方法で形成した。第
２の記録層２７は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の母材をＡｒ
ガスとＮ₂ガスとの混合ガス雰囲気中で直流スパッタリ
ング（パワー：１００Ｗ）することによって形成した。

【０１１２】次に、第１の記録層１８と第２の記録層２
７とを、それぞれ初期化、すなわち結晶化した。その
後、第１の情報層１３と第２の情報層１４とを紫外線硬
化性樹脂を用いて接着した。このようにして、第１の記
録層１８の組成および厚さが異なる複数のサンプルを作
製した。

【０１１３】このようにして得られたサンプルについ
て、記録マークの消去率と、ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ
ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）とを測定した。この測
定には、図４に示した記録再生装置を用いた。具体的に
は、波長が４０５ｎｍのレーザビームを用い、開口数が
０．８５の対物レンズを用いた。消去率およびＣＮＲ測
定時における情報記録媒体１０の線速度は、８．６ｍ／
ｓとした。信号は、ランド部分（図１のランド１１ｂ参
照）に記録した。測定結果を表３に示す。

【０１１４】

【表３】

【０１１５】情報記録媒体では、消去率は２０ｄＢ以上
であることが好ましく、３０ｄＢ以上であることがより
好ましい。また、ＣＮＲは、４０ｄＢ以上であることが
好ましく、５０ｄＢ以上であることがより好ましい。

【０１１６】表３に示すように、Ｓｎを添加していない
サンプル３−１〜３−７では、消去率およびＣＮＲがと
もに低く、特に、層厚が６ｎｍ以下の場合には消去率が
１０ｄＢ以下であった。Ｓｎを添加すると消去率が向上
し、厚さが６ｎｍで１０原子％のＳｎを含有する第１の
記録層１８を用いたサンプル３−１８では、消去率が３
４ｄＢでＣＮＲが５２ｄＢという良好な結果が得られ
た。

【０１１７】実施例３の結果では、Ｇｅの含有量Ｘ（原
子％）と、Ｓｎの含有量Ｙ（原子％）とが、約Ｘ／５≦
Ｙ≦約２Ｘを満たす場合に、良好な記録消去特性が得ら
れた。特に、約Ｘ／２≦Ｙ≦約Ｘを満たす場合には、消
去率およびＣＮＲがともに優れた特性を示した。

【０１１８】なお、実施例３の結果は、情報記録媒体の
線速度が８．６ｍ／ｓの場合の結果であり、線速度を遅
くすると消去率およびＣＮＲは高くなる。

【０１１９】なお、実施形態２の製造方法で情報記録媒
体１０ａを作製し、本実施例を実施したところ同様の結
果が得られた（以下の実施例５、６、７、８、１０およ
び１１についても、同様であった）。

【０１２０】（実施例４）実施例４では、第１の記録層
１８が異なることを除いて実施例１と同様のサンプルを
作製し、実施例１と同様の評価を行った。

【０１２１】実施例４では、第１の記録層１８の厚さを
６ｎｍとし、組成式（Ｇｅ−Ｓｎ） _AＳｂ₂Ｔｅ_3+Aで表
される材料を用いた。そして、Ａの値を変化させた複数
のサンプルを作製し、組成と結晶化時間との関係を評価
した。Ｓｎの含有量Ｙ（原子％）は、Ｇｅの含有量Ｘ
（原子％）の約半分とした。結晶化時間の測定結果を表
４に示す。

【０１２２】

【表４】

【０１２３】表４から明らかなように、Ａの値を大きく
すると結晶化時間が長くなる傾向があることがわかっ
た。

【０１２４】（実施例５）実施例５では、第１の記録層
１８が異なることを除いて実施例３と同様のサンプルを
作製し、実施例３と同様の方法でＣＮＲおよび消去率を
測定した。第１の記録層１８は、厚さを６ｎｍとし、組
成式（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ₂Ｔｅ_3+Aで表される材料を用
いて形成した。そして、Ａの値を変化させた複数のサン
プルを作製した。Ｓｎの含有量Ｙ（原子％）は、Ｇｅの
含有量Ｘ（原子％）の約半分とした。測定結果を表５に
示す。

【０１２５】

【表５】

【０１２６】表５に示すように、Ａの値が小さいとＣＮ
Ｒが低くなり、Ａの値が大きいと消去率が低下する傾向
があった。この傾向は、実施例４の結果と一致してい
る。実施例５の記録層を用いた場合には、Ａが、２≦Ａ
≦１０を満たすことが好ましい。

【０１２７】（実施例６）実施例６では、第１の記録層
１８が異なることを除いて実施例３と同様のサンプルを
作製し、実施例３と同様の方法でＣＮＲおよび消去率を
測定した。第１の記録層１８は、厚さを６ｎｍとし、組
成式（Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ₂Ｔｅ_3+Aで表される材料を用
いて形成した。そして、Ａの値を変化させた複数のサン
プルを作製した。実施例５とは異なり、Ｓｎの含有量Ｙ
（原子％）は、Ｇｅの含有量Ｘ（原子％）とほぼ同じと
した。測定結果を表６に示す。

【０１２８】

【表６】

【０１２９】表６から明らかなように、実施例６の記録
層を用いた場合には、Ａが、２≦Ａ≦２２を満たすこと
が好ましい。

【０１３０】（実施例７）実施例７では、第１の記録層
１８が異なることを除いて実施例３と同様のサンプルを
作製した。第１の記録層１８は、膜厚を６ｎｍとし、組
成式（Ｇｅ−Ｓｎ）₂₂Ｓｂ_BＴｅ₂₅で表される材料で形
成した。実施例７では、Ｂの値を変えた複数のサンプル
を作製した。

【０１３１】これらのサンプルについて、図５の装置を
用いてサイクル寿命回数（以下、記録サイクル性能とい
う場合がある）と、記録保存性とを評価した。サイクル
寿命回数は、３Ｔ信号とランダム信号とを繰り返し記録
し、３Ｔ信号が３ｄＢ低下するまでの回数とした。記録
保存性は、３Ｔ信号を記録したサンプルを温度が９０℃
で相対湿度が２０％の環境下に１００時間放置し、３Ｔ
信号の振幅の低下を測定して評価した。評価結果を表７
に示す。

【０１３２】

【表７】

【０１３３】表７中、Ａ１〜Ｄ１はサイクル寿命回数を
示す。具体的には、Ｄ１＜１０００、１０００≦Ｃ１＜
５０００、５０００≦Ｂ１＜１００００、１００００≦
Ａ１である。また、Ａ２〜Ｅ２は、３Ｔ信号の振幅の低
下量を示す。具体的には、３ｄＢ≦Ｄ２、１ｄＢ≦Ｃ２
＜３ｄＢ、０ｄＢ＜Ｂ２＜１ｄＢ、Ａ２＝０ｄＢであ
る。また、Ｅ２は、結晶化速度が遅く、消去率が１０ｄ
Ｂ未満であったことを示す。

【０１３４】表７に示すように、記録層中のＳｂの濃度
が高い方がサイクル性能が向上した。また、Ｓｂの濃度
とＳｎの濃度とをともに増やすことによって、サイクル
性能と記録保存性とがともに良好になる組成範囲が広が
った。したがって、実施例７の記録層（Ａ＝２２）を用
いる場合、Ｓｎの含有量Ｙ（原子％）とＢとが、それぞ
れ、０＜Ｙ≦２５、２≦Ｂ≦４を満たすことが好まし
い。

【０１３５】（実施例８）実施例８では、第１の記録層
１８の組成のみが実施例７とは異なるサンプルを作製
し、実施例７と同様の測定を行った。具体的には、組成
式（Ｇｅ−Ｓｎ）₂Ｓｂ_BＴｅ₅で表される材料を用いて
第１の記録層１８を形成した。その結果、実施例８の記
録層（Ａ＝２）を用いた場合、ＢおよびＹが、それぞ
れ、２≦Ｂ≦４、０＜Ｙ≦１５を満たすことが好ましか
った。

【０１３６】（実施例９）実施例９では、第１の記録層
１８および第１の反射層２２が異なることを除いて実施
例２と同様のサンプルを作製した。具体的には、第１の
記録層１８は、組成式が（Ｇｅ−Ｓｎ）₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇で
表される材料を用い、膜厚を１ｎｍ〜９ｎｍの範囲内で
変化させた。第１の反射層２２にはＡｇ合金を用い、厚
さを３、５、７、１０、１２、１５、１７、２０ｎｍと
した。

【０１３７】作製した複数のサンプルについて、反射
率、透過率、および３Ｔ信号の振幅を測定した。その結
果、第１の反射層２２の厚さは、５ｎｍ〜１５ｎｍの範
囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内
であることがより好ましいことがわかった。第１の反射
層２２がない場合には、第１の情報層１３の反射率が低
下した。また、第１の反射層２２が５ｎｍより薄いと、
熱の拡散機能が低下して３Ｔ信号の振幅が小さくなっ
た。また、１５ｎｍより厚いと、第１の情報層１３の透
過率が低下した。

【０１３８】（実施例１０）実施例１０では、第１の記
録層１８および情報信号の記録位置を変化させたことを
除いて実施例３と同様の方法でサンプルを作製した。具
体的には、第１の記録層１８は、厚さを６ｎｍとし、組
成式が（Ｇｅ−Ｓｎ）₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇（ただし、Ｓｎ：１
０原子％）で表される材料で形成した。情報は、トラッ
キング制御のために形成したグルーブ（レーザビームの
入射側に近い方の溝面）またはランド（レーザビームの
入射側から遠い方の溝面）のいずれかに記録した。

【０１３９】これらのサンプルの第１の情報層１３の透
過率は、平均で５０％であった。これらのサンプルにつ
いて消去率とＣＮＲとを実施例３と同様の方法で測定し
た。なお、実施例１０では、記録マーク（非晶質相）を
形成する際のレーザビームのパワーＰｐと、結晶相を形
成する際のレーザビームのパワーＰｂとについても変化
させた。測定結果を表８に示す。

【０１４０】

【表８】

【０１４１】表８から明らかなように、第１の情報層１
３の記録位置がグルーブの部分であるかランドの部分で
あるか、および第２の情報層１４の記録位置がグルーブ
の部分であるかランドの部分であるかに拘わらず、３０
ｄＢ≦（消去率）、および５０ｄＢ≦ＣＮＲの良好な結
果が得られた。すなわち、信号の記録位置に拘わらず、
第１の情報層１３および第２の情報層１４の特性はとも
に良好であった。

【０１４２】（実施例１１）実施例１１では、第１の記
録層１８および第２の記録層２７の形成方法とが異なる
ことを除いて、実施例３のサンプル３−１８と同様にサ
ンプルを作製した。具体的には、第１の記録層１８およ
び第２の記録層２７は、クリプトンガス雰囲気中で直流
スパッタリングを行うことによって形成した。このよう
にして得られたサンプルについて、ランド部分（図１の
ランド１１ｂ参照）に信号を記録し、記録サイクル性能
を評価した。記録サイクル性能の評価では、３Ｔ信号の
ＣＮＲを測定することによって行い、初期のＣＮＲ値か
ら３ｄＢ低下するまでの回数を記録サイクル寿命とし
た。評価結果を表９に示す。

【０１４３】

【表９】

【０１４４】表９から明らかなように、アルゴンガス雰
囲気中で記録層を形成したサンプル３−１８に比べて、
クリプトンガス雰囲気中で記録層を形成したサンプル９
−１は、サイクル性能が約１．５倍に改善された。

【０１４５】（実施例１２）実施例１２では、Ｓｂおよ
びＳｎの添加が、結晶化温度および結晶化時間に与える
影響を調べた。結晶化温度測定用に石英基板上に第１の
記録層１８として（Ｇｅ−Ｓｎ）₄Ｓｂ_BＴｅ₇層を６ｎ
ｍ成膜し、その上にＧｅ−Ｎ層を５ｎｍ成膜した。Ａ＝
４で一定とし、ＢとＹの値を変えたサンプルを５種類製
造した。これらのサンプルについて、結晶化温度を測定
した。結晶化温度は、結晶化に伴う急激な透過率低下が
生じた温度で定義した。透過率変化は、サンプルをレー
ザビームで昇温しながら測定した。結晶化時間は、実施
例１と同様に、図５のサンプル５０を作製し、図６の評
価装置を用いて測定した。その際、結晶化温度測定用の
サンプルと第１の記録層１８の組成が同じであるサンプ
ルを５種類測定した。第１の記録層１８の厚さは６ｎｍ
とした。測定結果を表１０に示す。

【０１４６】

【表１０】

【０１４７】試料番号１−４、１−２４、１−３４を比
較すると、Ｂ＝２でＳｎのみ添加すると、結晶化時間
は、９０ｎｓ→５０ｎｓ→２０ｎｓと短くなり、それに
伴って、結晶化温度は２００℃→１８０℃→１７０℃
と、３０℃低下した。結晶化温度の低下は、記録マーク
の熱的な安定性を損なう。これに対し、Ｓｂを増やして
Ｂ＝３にすると、結晶化時間は９０ｎｓ→５５ｎｓ→２
２ｎｓとほぼ同等に短くなるが、結晶化温度は２００℃
→１９５℃→１８５℃と、１５℃の低下に抑えられた。
このように、Ｓｎのみ添加するよりも、ＳｂとＳｎを添
加した方が、熱安定性を確保しつつ、結晶化時間を短く
することが可能となる。

【０１４８】（実施例１３）実施例１３では、第１の情
報層のＴｃ、Ｔａおよび｜ΔＴ｜／Ｔｃ（ここで、ΔＴ
＝Ｔｃ−Ｔａ）の値と第２の情報層の記録特性との関係
を調べた。

【０１４９】図３の情報記録媒体１０ａを実施形態２の
方法に準じて製造した。製造したサンプルについて図４
の評価装置を用いて、第１の情報層１３が初期状態（全
面結晶）または記録状態（結晶状態と非晶質状態の混
在）である場合の第２の情報層１４の記録感度の変化を
測定した。第１の誘電体層１６、第２の誘電体層２０、
および第３の誘電体層２４の厚さを変えて、Ｔｃおよび
Ｔａが異なる情報記録媒体１０ａを製造した。

【０１５０】まず、第２の基板１２として、直径１２０
ｍｍで厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を用意し
た。そして、この基板上に、第２の情報層１４を形成し
た。具体的には、第２の反射層３１（厚さ：８０ｎ
ｍ）、第７の界面層３０（厚さ：３ｎｍ）、第５の誘電
体層２９（厚さ：１１ｎｍ）、第６の界面層２８（厚
さ：３ｎｍ）、第２の記録層２７（厚さ：１２ｎｍ）、
第５の界面層２６（厚さ：３ｎｍ）、および第４の誘電
体層２５（厚さ：６５ｎｍ）を、順にスパッタリング法
によって形成した。第２の記録層２７は、組成式Ｇｅ₈
Ｓｂ_2.6Ｔｅ₁₁で表される材料で形成した。その他の層
は、実施例３のサンプルと同様の材料で形成した。

【０１５１】次に、第２の情報層１４にレーザビームを
照射することによって、第２の記録層２７を非晶質相か
ら結晶相に変化させる初期化を行った。

【０１５２】次に、第４の誘電体層２５上に、グルーブ
が転写された中間層１５を紫外線硬化性樹脂で形成し
た。

【０１５３】次に、中間層１５上に第１の情報層１３を
形成した。具体的には、第３の誘電体層２４、第４の界
面層２３（厚さ：３ｎｍ）、第１の反射層２２（厚さ：
１０ｎｍ）、第３の界面層２１（厚さ：３ｎｍ）、第２
の誘電体層２０、第２の界面層１９（厚さ：３ｎｍ）、
第１の記録層１８（厚さ：６ｎｍ）、第１の界面層１７
（厚さ：３ｎｍ）、および第１の誘電体層１６を順にス
パッタリング法によって形成した。次に、第１の情報層
１３にレーザビームを照射することによって、第１の記
録層１８を非晶質相から結晶相に変化させる初期化を行
った。

【０１５４】第１の記録層１８は、組成式（Ｇｅ−Ｓ
ｎ）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁（Ｓｎ：１０原子％）で表される材料
で形成した。その他の層については、実施例３と同様の
材料で形成した。

【０１５５】次に、紫外線硬化性樹脂を用いて、第１の
情報層１３と第１の基板１１とを接着した。第１の基板
１１には、直径が１２０ｍｍで厚さが０．０９ｍｍのポ
リカーボネート基板を用いた。接着層３６の厚さと第１
の基板１１の厚さとの合計は、０．１ｍｍであった。

【０１５６】図４の評価装置を用いて、第１の情報層１
３が初期化状態の時、第２の情報層１４に線速度５ｍ／
ｓで３Ｔ信号をグルーブの部分に記録した。５０ｄＢの
ＣＮＲが得られるＰｐ（ｍＷ）とＰｂ（ｍＷ）とを測定
した。次に、第１の情報層１３のグルーブの部分に３Ｔ
信号を記録し、その記録部分を透過したレーザビームが
集光する、第２の情報層１４のグルーブの部分に３Ｔ信
号を記録し、測定した。

【０１５７】ＴｃおよびＴａは、第１の情報層１３のみ
を成膜したディスク試料を作製して、実施例２と同様に
分光器で測定した。測定結果を表１１に示す。

【０１５８】なお、表中のＤ１、Ｄ２およびＤ３は、そ
れぞれ、第１、第２および第３の誘電体層１６、２０お
よび２４の厚さを示している。

【０１５９】

【表１１】

【０１６０】表１１に示すように、｜ΔＴ｜／Ｔｃが小
さい方が、第２の情報層１４は、第１の情報層１３の状
態に依らず、記録感度変化が小さいことが検証できた。
また、ユーザが情報記録媒体を使用して、新しいファイ
ルを保存していくにつれて、記録された領域が増えてい
くので、透過率の低下が伴わないようにＴｃ＜Ｔａを満
足することがより好ましい。サンプル１１−３は、（Ｔ
ｃ＋Ｔａ）／２＝４１（％）で透過率が小さく、且つ、
｜ΔＴ｜／Ｔｃ＝０．１６でＴｃとＴａとの差が大きい
構成である。この構成では、第１の情報層１３が初期化
状態での、第２の情報層１４の記録感度が１３ｍＷ近く
あり、透過率はほぼ下限であると考えられた。また、Ｔ
ｃとＴａとの差が大きいので、第１の情報層１３が記録
状態の場合には、第２の情報層１４の３Ｔ信号の振幅に
ムラが生じた。よって、｜ΔＴ｜／Ｔｃは、０．１５以
下であることが好ましく、０．０５以下であることがよ
り好ましい。

【０１６１】なお、本実施例では、第１の情報層１３お
よび第２の情報層１４の初期化は、第１の基板１１を接
着する前に行ったが、初期化の工程は他の時期に行って
もよい。たとえば、第１の基板１１を接着したのちに初
期化を行ってもよく、その場合でも、同様の結果と効果
が得られる。

【０１６２】（実施例１４）実施例１４では、マトリク
ス法に基づく計算を行い、第３の誘電体層２４の材料お
よび厚さと、第１の情報層１３の透過率との関係につい
て調べた。

【０１６３】計算は、ポリカーボネート基板／第１の誘
電体層１６／第１の界面層１７（厚さ：３ｎｍ）／第１
の記録層１８（厚さ：６ｎｍ）／第２の界面層１９（厚
さ：３ｎｍ）／第２の誘電体層２０（厚さ：２３ｎｍ）
／第３の界面層２１（厚さ：３ｎｍ）／第１の反射層２
２（厚さ：１０ｎｍ）／第４の界面層２３（厚さ：３ｎ
ｍ）／第３の誘電体層２４という構造を仮定して行っ
た。なお、第３の誘電体層２４がない場合の計算では、
第４の界面層２３もないものとして計算した。

【０１６４】第１の誘電体層１６の厚さＤ１（ｎｍ）
と、第３の誘電体層２４の材料および厚さを変化させた
ときのＴｃ、Ｔａ、ＡｃおよびＡａについて、計算を行
った。ＴｃおよびＡｃは、それぞれ、第１の記録層１８
が結晶相である場合の、第１の情報層１３の透過率およ
び第１の記録層１８の光吸収率を示す。また、Ｔａおよ
びＡａは、それぞれ、第１の記録層１８が非晶質相であ
る場合の、第１の情報層１３の透過率および第１の記録
層１８の光吸収率を示す。計算結果を表１２に示す。表
１２の結果は、第１の記録層１８が結晶相である場合の
第１の情報層１３の反射率Ｒｃ（％）と、第１の記録層
１８が非晶質相である場合の第１の情報層１３の反射率
Ｒａ（％）とが、Ｒａ≦１、且つ５≦Ｒｃ／Ｒａを満た
すように誘電体層の厚さを設定したときの値である。

【０１６５】

【表１２】

【０１６６】表１２に示すように、第３の誘電体層２４
がない場合には、ＴｃおよびＴａは４２％以下であっ
た。これに対し、第３の誘電体層２４を形成することに
よって、ＴｃおよびＴａを４５％以上とすることができ
た。また、屈折率が大きいほどＴｃおよびＴａを大きく
できることが計算で確かめられた。透過率を５０％以上
にするためには、屈折率が２．３以上の材料で第３の誘
電体層２４を形成することが好ましい。

【０１６７】次に、計算結果を検証するために、実際に
第１の情報層１３を作製して透過率を分光器で測定し
た。

【０１６８】第１の情報層１３は、以下の方法で作製し
た。まず、直径１２０ｍｍで厚さ１．１ｍｍのポリカー
ボネート基板を用意した。この基板上に、第３の誘電体
層２４、第４の界面層２３（厚さ：３ｎｍ）、第１の反
射層２２（厚さ：１０ｎｍ）、第３の界面層２１（厚
さ：３ｎｍ）、第２の誘電体層２０（厚さ：２３ｎ
ｍ）、第２の界面層１９（厚さ：３ｎｍ）、第１の記録
層１８（厚さ：６ｎｍ）、第１の界面層１７（厚さ：３
ｎｍ）、および第１の誘電体層１６を順に積層した。第
３の誘電体層２４を除く誘電体層および界面層は、実施
例３のサンプルと同様の材料で形成した。第１の記録層
１８は、組成式（Ｇｅ−Ｓｎ）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁（Ｓｎ：１
０原子％）で表される材料で形成した。そして、第３の
誘電体層２４の材料および厚さ、ならびに第１の誘電体
層１６の厚さを変化させた複数のサンプルを作製した。
また、比較のために、第４の界面層２３および第３の誘
電体層２４を形成しないサンプルも作製した。これらの
サンプルについて第１の情報層１３の透過率Ｔｃおよび
Ｔａを測定した結果を表１３に示す。

【０１６９】

【表１３】

【０１７０】表１３に示すように、ほぼ計算通りの結果
が得られた。サンプル１３−７〜１３−１３では５０％
以上の透過率が得られた。このように、第３の誘電体層
２４を形成することによって、第１の情報層１３の透過
率が飛躍的に向上した。

【０１７１】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。

【０１７２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の情報記録
媒体およびその製造方法によれば、２つの記録層を備え
高密度記録が可能な情報記録媒体が得られる。

【０１７３】また、本発明の記録再生方法によれば、高
密度記録が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の情報記録媒体について一例を示す一
部断面図である。

【図２】 本発明の情報記録媒体について第１の記録層
の組成範囲を示す図である。

【図３】 本発明の情報記録媒体について他の一例を示
す一部断面図である。

【図４】 本発明の記録再生方法に用いる記録再生装置
について一例の構成を模式的に示す図である。

【図５】 本発明の情報記録媒体の評価に用いたサンプ
ルの構成を示す一部断面図である。

【図６】 本発明の情報記録媒体の評価に用いた評価装
置の構成を模式的に示す図である。

【符号の説明】

１０、１０ａ 情報記録媒体 １１ 第１の基板 １１ａ 溝 １１ｂ ランド １２ 第２の基板 １３、１３ａ 第１の情報層 １４ 第２の情報層 １５ 中間層 １６ 第１の誘電体層 １７ 第１の界面層 １８ 第１の記録層 １９ 第２の界面層 ２０ 第２の誘電体層 ２１ 第３の界面層 ２２ 第１の反射層 ２３ 第４の界面層 ２４ 第３の誘電体層 ２５ 第４の誘電体層 ２６ 第５の界面層 ２７ 第２の記録層 ２８ 第６の界面層 ２９ 第５の誘電体層 ３０ 第７の界面層 ３１ 第２の反射層 ３５、４３、６３ レーザビーム ３６ 接着層 ４０ 記録再生装置 ４１ スピンドルモータ ４２、６２ 光ヘッド ４４、６４ 半導体レーザ ４５、６５ 対物レンズ ５０ サンプル ５１ 基板 ５２ 接着層 ５３ ダミー基板 ６１ ステージ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３１Ｚ ５３３ ５３３Ｈ ５３３Ｌ ５３５ ５３５Ｃ ５３５Ｈ ５３８ ５３８Ｆ ５４１ ５４１Ｂ ５４１Ｄ Ｂ４１Ｍ 5/26 7/004 Ｚ Ｇ１１Ｂ 7/004 7/26 7/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA32 EA43 FA02 FA11 FA12 FA21 FB05 FB06 FB09 FB12 FB30 GA01 GA03 5D029 HA04 JA01 JB13 JB18 JB31 JB35 JB46 JB47 JC04 KB03 LB04 LB11 LC06 MA14 MA15 NA15 NA21 RA01 RA12 RA50 5D090 AA01 BB05 BB12 CC12 CC14 DD01 EE01 EE05 FF11 FF21 GG10 KK06 KK20 5D121 AA01 AA03 AA07 DD20 EE03 EE07 EE17 EE18

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板と、前記第１の基板に対向す
   るように配置された第２の基板と、前記第１の基板と前
   記第２の基板との間に配置された第１の情報層と、前記
   第１の情報層と前記第２の基板との間に配置された第２
   の情報層と、前記第１の情報層と前記第２の情報層との
   間に配置された中間層とを備え、 前記第１の情報層が、前記第１の基板側から照射される
   レーザビームによって結晶相と非晶質相との間で可逆的
   に相変態を起こす第１の記録層を含み、 前記第２の情報層が、前記レーザビームによって結晶相
   と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第２の記録
   層を含み、 前記第１の記録層が、ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとを含み
   且つ厚さが９ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録
   媒体。
2. 【請求項２】 前記第１の記録層が、組成式 （Ｇｅ−Ｓｎ）_AＳｂ_BＴｅ_3+A （ただし、２≦Ａ≦２２、２≦Ｂ≦４）で表される材料
   からなる請求項１に記載の情報記録媒体。
3. 【請求項３】 前記第１の記録層中のＳｎの含有量が２
   ５原子％以下である請求項１または２に記載の情報記録
   媒体。
4. 【請求項４】 前記第１の記録層が結晶相である場合の
   前記第１の情報層の透過率Ｔｃ（％）と、前記第１の記
   録層が非晶質相である場合の前記第１の情報層の透過率
   Ｔａ（％）とが、波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内
   のレーザビームに対して、４０≦（Ｔｃ＋Ｔａ）／２を
   満たす請求項１ないし３のいずれかに記載の情報記録媒
   体。
5. 【請求項５】 前記透過率Ｔｃ（％）と前記透過率Ｔａ
   （％）とが、波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲内のレ
   ーザビームに対して、０≦｜Ｔｃ−Ｔａ｜／Ｔｃ≦０．
   １５を満たす請求項４に記載の情報記録媒体。
6. 【請求項６】 前記第１の情報層が第１および第２の誘
   電体層と第１の反射層とをさらに含み、前記第１の反射
   層、前記第２の誘電体層、前記第１の記録層、および前
   記第１の誘電体層が、前記中間層側から前記第１の基板
   側に向かってこの順序で配置されている請求項１ないし
   ５のいずれかに記載の情報記録媒体。
7. 【請求項７】 前記第１の情報層が、前記第１の反射層
   と前記中間層との間に配置された第３の誘電体層をさら
   に備える請求項６に記載の情報記録媒体。
8. 【請求項８】 前記第３の誘電体層の屈折率が、波長３
   ９０ｎｍ〜４３０ｎｍの光に対して２．３以上である請
   求項７に記載の情報記録媒体。
9. 【請求項９】 前記中間層にトラッキング制御用のグル
   ーブが形成されている請求項１ないし８のいずれかに記
   載の情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 前記第１の情報層が、前記第１の誘電
    体層と前記第１の記録層との間の界面、前記第１の記録
    層と前記第２の誘電体層との間の界面、前記第２の誘電
    体層と前記第１の反射層との間の界面、および、前記第
    １の反射層と前記第３の誘電体層との間の界面から選ば
    れる少なくとも１つの界面に配置された界面層をさらに
    備える請求項７に記載の情報記録媒体。
11. 【請求項１１】 前記第１の反射層の厚さが、５ｎｍ〜
    １５ｎｍの範囲内である請求項６に記載の情報記録媒
    体。
12. 【請求項１２】 前記第１の基板の厚さが１０μｍ〜７
    ００μｍの範囲内である請求項１ないし１１のいずれか
    に記載の情報記録媒体。
13. 【請求項１３】 前記第１の基板にトラッキング制御用
    のグルーブが形成されている請求項１２に記載の情報記
    録媒体。
14. 【請求項１４】 前記第２の基板の厚さが５００μｍ〜
    １３００μｍの範囲内である請求項１ないし１１のいず
    れかに記載の情報記録媒体。
15. 【請求項１５】 前記第２の基板にトラッキング制御用
    のグルーブが形成されている請求項１４に記載の情報記
    録媒体。
16. 【請求項１６】 前記第２の情報層が第４および第５の
    誘電体層と第２の反射層とをさらに含み、前記第２の反
    射層、前記第５の誘電体層、前記第２の記録層、および
    前記第４の誘電体層が、前記第２の基板側から前記中間
    層側に向かってこの順序で配置されている請求項７に記
    載の情報記録媒体。
17. 【請求項１７】 前記第２の情報層が、前記第４の誘電
    体層と前記第２の記録層との間の界面、前記第２の記録
    層と前記第５の誘電体層との間の界面、および、前記第
    ５の誘電体層と前記第２の反射層との間の界面から選ば
    れる少なくとも１つの界面に配置された界面層をさらに
    備える請求項１６に記載の情報記録媒体。
18. 【請求項１８】 第１および第２の基板と、第１および
    第２の情報層と、中間層とを備える情報記録媒体の製造
    方法であって、 （ａ）前記第２の基板上に前記第２の情報層を形成する
    工程と、 （ｂ）前記第２の情報層上に前記中間層を形成する工程
    と、 （ｃ）前記中間層上に前記第１の情報層を形成する工程
    と、 （ｄ）前記第１の情報層上に前記第１の基板を接着する
    工程とを含み、 前記第１の情報層が、前記第１の基板側から照射される
    レーザビームによって結晶相と非晶質相との間で可逆的
    に相変態を起こす第１の記録層を含み、 前記第２の情報層が、前記レーザビームによって結晶相
    と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第２の記録
    層を含み、 前記（ｃ）の工程は、前記第１の記録層を、ＧｅとＳｎ
    とＳｂとＴｅとを含む母材を用いて厚さが９ｎｍ以下と
    なるように形成する工程を含むことを特徴とする情報記
    録媒体の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記（ｃ）の工程において、前記第１
    の記録層を、アルゴンガスまたはクリプトンガスを含む
    スパッタリングガスを用いたスパッタリング法で形成す
    る請求項１８に記載の情報記録媒体の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記スパッタリングガスが、酸素およ
    び窒素から選ばれる少なくとも１つのガスをさらに含む
    請求項１９に記載の情報記録媒体の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記第１の記録層を、０．１ｎｍ／秒
    〜１０ｎｍ／秒の範囲内の成膜速度で成膜する請求項１
    ９または２０に記載の情報記録媒体の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記（ｂ）の工程は、前記中間層の表
    面にトラッキング制御用のグルーブを形成する工程を含
    む請求項１８ないし２１のいずれかに記載の情報記録媒
    体の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記第１の情報層が前記第１の記録層
    よりも前記中間層側に配置された第１の反射層をさらに
    含み、 前記（ｃ）の工程が、前記第１の反射層を５ｎｍ〜１５
    ｎｍの範囲内となるように形成する工程を含む請求項１
    ８ないし２２のいずれかに記載の情報記録媒体の製造方
    法。
24. 【請求項２４】 情報記録媒体にレーザビームを照射す
    ることによって情報信号の記録および再生を行う記録再
    生方法であって、 前記情報記録媒体が請求項１に記載の情報記録媒体であ
    り、 前記レーザビームは前記情報記録媒体の前記第１の情報
    層側から入射し、 前記情報記録媒体の前記第２の情報層では、前記第１の
    情報層を透過してきた前記レーザビームによって情報が
    記録再生され、 前記レーザビームの波長が３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範
    囲内であることを特徴とする情報記録媒体の記録再生方
    法。
25. 【請求項２５】 情報を記録再生する際の前記情報記録
    媒体の線速度が、１ｍ／秒〜５０ｍ／秒の範囲内である
    請求項２４に記載の情報記録媒体の記録再生方法。
26. 【請求項２６】 前記レーザビームは、開口数ＮＡが
    ０．４〜１．１の範囲内の対物レンズで集光されたレー
    ザビームである請求項２４に記載の情報記録媒体の記録
    再生方法。