JP2007080463A - 多層相変化型光記録媒体とその記録方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 多層相変化型光記録媒体の各記録層が受ける熱的なダメージを抑制して記録特性を良好にでき、かつ同じ記録ストラテジを用いて各記録層への記録を行なうことができる多層相変化型光記録媒体への記録方法の提供。
【解決手段】 相変化記録層をＮ層（Ｎは２以上の整数）有する相変化型光記録媒体に対して記録を行なうに際し、記録マークは、バイアスパワーＰｂと記録パワーＰｐの間で変調されることにより形成され、かつ消去パワーＰｅと、先頭パルス直前及び最終パルス直後のバイアスパワーの少なくとも一方との間に、冷却パワーＰｃ１〜ＰｃＭ（Ｍは１以上の整数、Ｐｐ＞Ｐｅ＞Ｐｃ１＞Ｐｃ＞・・・＞ＰｃＭ＞Ｐｂ）が設定されている記録方法を用いてＮ層の各記録層に情報を記録する方法であって、ε（Ｐｅ／Ｐｐ）及び／又はδ１（Ｐｃ１／Ｐｐ）〜δＭ（ＰｃＭ／Ｐｐ）を、記録層ごとに変えて記録を行なう多層相変化型光記録媒体への記録方法。
【選択図】 図１
【解決手段】 相変化記録層をＮ層（Ｎは２以上の整数）有する相変化型光記録媒体に対して記録を行なうに際し、記録マークは、バイアスパワーＰｂと記録パワーＰｐの間で変調されることにより形成され、かつ消去パワーＰｅと、先頭パルス直前及び最終パルス直後のバイアスパワーの少なくとも一方との間に、冷却パワーＰｃ１〜ＰｃＭ（Ｍは１以上の整数、Ｐｐ＞Ｐｅ＞Ｐｃ１＞Ｐｃ＞・・・＞ＰｃＭ＞Ｐｂ）が設定されている記録方法を用いてＮ層の各記録層に情報を記録する方法であって、ε（Ｐｅ／Ｐｐ）及び／又はδ１（Ｐｃ１／Ｐｐ）〜δＭ（ＰｃＭ／Ｐｐ）を、記録層ごとに変えて記録を行なう多層相変化型光記録媒体への記録方法。
【選択図】 図１
Description
本発明は、光ビームを照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせて情報の記録再生を行ない、かつ書き換えが可能な相変化記録層をＮ層（Ｎは２以上の整数）有する多層相変化型光記録媒体とその記録方法に関する。
ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク（相変化型光記録媒体）は、一般的にプラスチックの基板上に、相変化材料からなる記録層を設け、その上に記録層の光吸収率を向上させ、かつ熱拡散効果を有する反射放熱層を形成したものを基本構成とし、基板面側からレーザ光を照射して情報の記録再生を行なうものである。
相変化型記録材料は、レーザ光照射による加熱と冷却を繰り返すことにより、結晶状態とアモルファス状態の間を相変化し、急速加熱後に急冷するとアモルファスとなり、徐冷すると結晶化するものである。相変化型光記録媒体は、この性質を情報の記録に応用したものである。また情報の再生は、結晶状態とアモルファス状態の光学定数の違いから生じる反射率の差を利用する。
更に、光照射による加熱によって起こる記録層の酸化、蒸散又は変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層との間に下部保護層（下部誘電体層ともいう）が、記録層と反射層との間に上部保護層（上部誘電体層ともいう）が設けられている。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
相変化型記録材料は、レーザ光照射による加熱と冷却を繰り返すことにより、結晶状態とアモルファス状態の間を相変化し、急速加熱後に急冷するとアモルファスとなり、徐冷すると結晶化するものである。相変化型光記録媒体は、この性質を情報の記録に応用したものである。また情報の再生は、結晶状態とアモルファス状態の光学定数の違いから生じる反射率の差を利用する。
更に、光照射による加熱によって起こる記録層の酸化、蒸散又は変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層との間に下部保護層（下部誘電体層ともいう）が、記録層と反射層との間に上部保護層（上部誘電体層ともいう）が設けられている。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
近年、コンピュータ等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷのような書き換え型光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後更に高記録密度化の要求が高まることが予想される。
このような相変化型光記録媒体を用いて高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザ波長を青色領域まで短波長化すること、あるいは記録再生を行なうピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザ光のスポットサイズを小さくすることが提案され、研究、開発、更に実用化されるところまで来ている。
このような相変化型光記録媒体を用いて高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザ波長を青色領域まで短波長化すること、あるいは記録再生を行なうピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザ光のスポットサイズを小さくすることが提案され、研究、開発、更に実用化されるところまで来ている。
光記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法として、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を二つ重ねて、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着して作成される２層相変化型光記録媒体が各種提案されている。この情報層間の接着部分である中間層は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生に用いるレーザ光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、該レーザ光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
この２層相変化型光記録媒体については、未だ多くの課題が存在している。例えば、レーザ光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザ光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録しそれを再生できないために、第１情報層を構成する反射層は極薄な半透明反射層としなければならない。
この２層相変化型光記録媒体については、未だ多くの課題が存在している。例えば、レーザ光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザ光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録しそれを再生できないために、第１情報層を構成する反射層は極薄な半透明反射層としなければならない。
相変化型光記録媒体への記録は、記録層の相変化型材料にレーザ光を照射して融点以上に加熱・急冷し、結晶状態をアモルファス状態に変化させることによりマークを形成して行なわれる。また、情報の消去は、結晶化温度以上に昇温し徐冷してアモルファス状態を結晶状態に変化させることにより行なわれる。
具体的なレーザ発光波形としては、図５、図６に示されているようなＤＶＤ＋ＲＷ等で使用されているものがある。アモルファス状態からなるマークは、ピークパワー（Ｐｐ）光とバイアスパワー（Ｐｂ）光との交互繰り返しによるパルス照射によって形成され、結晶状態からなるスペースは、これらの中間レベルのイレースパワー（Ｐｅ）光を連続的に照射することにより形成される。
具体的なレーザ発光波形としては、図５、図６に示されているようなＤＶＤ＋ＲＷ等で使用されているものがある。アモルファス状態からなるマークは、ピークパワー（Ｐｐ）光とバイアスパワー（Ｐｂ）光との交互繰り返しによるパルス照射によって形成され、結晶状態からなるスペースは、これらの中間レベルのイレースパワー（Ｐｅ）光を連続的に照射することにより形成される。
ピークパワー光とバイアスパワー光とからなるパルス列が照射されると、記録層は溶融と急冷を繰り返しアモルファスマークが形成される。消去パワー光が照射されると記録層は溶融後に徐冷、あるいは固相状態のままアニールされて結晶化し、スペースが形成される。ピークパワー光とバイアスパワー光とからなるパルス列は通常、先頭パルス、中間パルス、最終パルスとに分けられ、最短の３Ｔマークは先頭パルスと最終パルスのみで記録され、４Ｔ以上のマークを形成するときは中間パルスも使用される。中間パルスはマルチパルスとも呼ばれ、１Ｔ周期で設けられ、マーク長が１Ｔ長くなるごとにパルスの数を１つずつ増やす方法が用いられる。この記録方法は、１Ｔ周期記録ストラテジと言われており、長さｎＴのマークを形成するときの記録パルスの個数は（ｎ−１）個である。ここでＴはクロック周期を意味する。ちなみに、ＤＶＤ＋ＲＷでは４倍速を超える速度で記録を行なう場合には、クロック周期が短くなるために２Ｔ周期での記録方法（２Ｔ周期記録ストラテジ）もよく用いられる。２Ｔ周期記録ストラテジでは、長さｎＴのマークを形成するときに、ｎが偶数のときはｎ／２個の記録パルスを用い、ｎが奇数のときは（ｎ−１）／２個の記録パルスを用いて記録を行なうものが一般的である。
従来の単層相変化型光記録媒体では、反射放熱層を充分に厚く成膜できるため、照射されたレーザ光の余熱を素早く逃がすことができ、それによって急冷効果が促進しアモルファス状態を形成し易くなっている。そして光記録媒体自身を改良して急冷効果を高めるには、反射放熱層の膜厚を考慮することで対処できる。
２層相変化型光記録媒体の第２情報層は光を透過させる必要が無いため、第２反射放熱層や第２記録層は上記従来の単層相変化型光記録媒体のような膜厚の構成で良く、第１情報層の透過率が高ければ良好な記録特性が得られ、再生も容易に行なうことができる。
しかし、２層相変化型光記録媒体の第１情報層へ記録を行なう際には、第１反射放熱層が１０ｎｍ程度の非常に薄い半透明のものであり、放熱効果が小さいため急冷させ難く、アモルファスマークを形成することが困難になってしまう。
２層相変化型光記録媒体の第２情報層は光を透過させる必要が無いため、第２反射放熱層や第２記録層は上記従来の単層相変化型光記録媒体のような膜厚の構成で良く、第１情報層の透過率が高ければ良好な記録特性が得られ、再生も容易に行なうことができる。
しかし、２層相変化型光記録媒体の第１情報層へ記録を行なう際には、第１反射放熱層が１０ｎｍ程度の非常に薄い半透明のものであり、放熱効果が小さいため急冷させ難く、アモルファスマークを形成することが困難になってしまう。
また、第２情報層の記録層に情報を記録し再生できるようにするために、第１情報層は光透過率が高いことが必要である。そのため、２層相変化型光記録媒体の第１情報層のアモルファスマークの記録や消去をするためには、反射放熱層を厚くすることのできる単層の相変化型光記録媒体の場合よりも記録又は消去パワーの高いレーザ光を照射することが必要となる。例えば、従来のＤＶＤの単層相変化型光記録媒体の消去パワーＰｅは、記録線速が３．５〜２７．９ｍ／ｓの範囲においては、約６〜９ｍＷ程度で特性が良好となることが分かっている。しかし、ＤＶＤの２層相変化型光記録媒体の第１情報層に照射されるべき消去パワーＰｅは、記録線速が３．５〜１１．５ｍ／ｓの範囲において約６〜９ｍＷ必要であり、単層型よりも記録線速が遅い状況でエネルギー密度の高い消去パワーを要する。
２層相変化型光記録媒体では、高い消去パワーＰｅが必要であるだけでなく第１反射放熱層の膜厚も薄いため、第１情報層は単層相変化型光記録媒体に比べて放熱性がかなり悪いので、ただでさえ極薄である第１記録層にかかる熱的影響が問題となる。また記録パワーＰｐについて実験を試みたところ、記録線速が３．５〜１１．５ｍ／ｓの範囲で記録を行なう際には、消去パワーよりも２倍程度又はそれ以上のパワーを要することが分った。高い記録パワーによって生じる余熱の効果により、更なる第１記録層への熱的なダメージがかかり、これを防がなければならないという課題が生じる。
特許文献１のような、記録マークを形成する直前の消去パワーを一時的に大きくする相変化型光記録媒体への記録方法で記録した場合も、熱のかかり過ぎが問題となる。
特許文献１のような、記録マークを形成する直前の消去パワーを一時的に大きくする相変化型光記録媒体への記録方法で記録した場合も、熱のかかり過ぎが問題となる。
特許文献２〜４のように、先頭パルスの直前にバイアスパワーＰｂのみを設定している方法では、単層の相変化型光記録媒体では充分に効果を発揮することができる。特に特許文献２に記載されているように、結晶スペースの形成から非晶質マークの形成への移行時には、一旦消去パワーよりも低いパワー光に変調させる記録ストラテジを用いることにより、一旦消去パワー光よりも低いパワー光を照射することで温度が一律に低下するので、その直後のピークパワー光の照射時に直前のマークの後端に熱が伝わり難くなって再結晶化を防止でき、ジッタ特性の劣化が防止できる。しかし、２層相変化型光記録媒体のように放熱性の悪い第１情報層へ記録消去を行なう場合は効果が充分でなく、良好な記録特性を得にくい。
また特許文献５には、書き換え可能な複数の情報記録層を有する光情報記録媒体に情報信号を良好に記録する方法として、光の入射側から最も遠い情報記録層よりも、光の入射側に近い情報記録層の方が、光ビームの集光による記録層の温度変化が時間的により急冷になるような記録パルスを用いて情報を記録する方法が開示されている。しかし、第１記録層と第２記録層への記録ストラテジが異なるようにして、それぞれの記録層の記録特性を良好にできるレーザ光の発光波形を選定しなければならないという課題がある。
また特許文献５には、書き換え可能な複数の情報記録層を有する光情報記録媒体に情報信号を良好に記録する方法として、光の入射側から最も遠い情報記録層よりも、光の入射側に近い情報記録層の方が、光ビームの集光による記録層の温度変化が時間的により急冷になるような記録パルスを用いて情報を記録する方法が開示されている。しかし、第１記録層と第２記録層への記録ストラテジが異なるようにして、それぞれの記録層の記録特性を良好にできるレーザ光の発光波形を選定しなければならないという課題がある。
本発明は、多層相変化型光記録媒体の各記録層が受ける熱的なダメージを抑制して記録特性を良好にでき、かつ同じ記録ストラテジを用いて各記録層への記録を行なうことができる多層相変化型光記録媒体とその記録方法の提供を目的とする。
前述したような熱的なダメージを低減させる多層相変化型光記録媒体への記録方法として、本出願人は、先に特願２００５−０５７７８１を出願した。この発明はバイアスパワーＰｂと消去パワーＰｅとの間に冷却パワーＰｃなるパワーレベルを設定することにより記録特性を改善させるものである。そして、第１情報層の熱的なダメージが低減し記録特性が良くなった実施例が示されているが、第２情報層への記録を行なった実施例は無い。
そこで本発明者らは、先願発明の記録方法を用いて、第１情報層への記録ストラテジと同条件で第２情報層への記録を実施した。その結果、第２情報層についても良好な記録特性を得ることができた。しかし、記録パワーと消去パワーの比率、及び／又は記録パワーと冷却パワーの比率を第１情報層と第２情報層とで変えることによって、更に記録特性が良くなることを新たに見出した。
即ち、上記課題は、次の１）〜２）の発明（以下、本発明１〜２という）によって解決される。
１） 基板上に少なくとも相変化記録層をＮ層（Ｎは２以上の整数）有する相変化型光記録媒体に記録マークを形成するに際し、記録に用いるレーザ光などの光ビームの発光波形を複数のパルスからなる記録パルス列とし、このパルス列を変調することによって記録を行なう方法において、記録マークは、バイアスパワーＰｂと記録パワーＰｐの間で変調されることにより形成され、かつ消去パワーＰｅと、先頭パルス直前及び最終パルス直後のバイアスパワーの少なくとも一方との間に、冷却パワーＰｃ１、Ｐｃ２、・・・、ＰｃＭ（Ｍは１以上の整数、Ｐｐ＞Ｐｅ＞Ｐｃ１＞Ｐｃ２＞・・・＞ＰｃＭ＞Ｐｂ）が設定されている記録方法を用いてＮ層の各記録層に情報を記録する方法であって、記録パワーＰｐと消去パワーＰｅの比率ε（＝Ｐｅ／Ｐｐ）及び／又は記録パワーＰｐと冷却パワーＰｃ１、Ｐｃ２、・・・、ＰｃＭの比率δ１、δ２、・・・δＭ（＝Ｐｃ１／Ｐｐ、Ｐｃ２／Ｐｐ、・・・ＰｃＭ／Ｐｐ）を、記録層ごとに変えて記録を行なうことを特徴とする多層相変化型光記録媒体への記録方法。
２） レーザ光束の照射によって相変化を起こすことにより情報を記録し得る相変化記録層を含む情報層がＮ層（Ｎは２以上の整数）設けられ、光束が照射される側から見て、Ｎ番目以外の各情報層が少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層で構成され、Ｎ番目の情報層が少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層で構成され、上記請求項１記載の記録方法に関する情報が所定領域にプリフォーマットされていることを特徴とする多層相変化型光記録媒体。
そこで本発明者らは、先願発明の記録方法を用いて、第１情報層への記録ストラテジと同条件で第２情報層への記録を実施した。その結果、第２情報層についても良好な記録特性を得ることができた。しかし、記録パワーと消去パワーの比率、及び／又は記録パワーと冷却パワーの比率を第１情報層と第２情報層とで変えることによって、更に記録特性が良くなることを新たに見出した。
即ち、上記課題は、次の１）〜２）の発明（以下、本発明１〜２という）によって解決される。
１） 基板上に少なくとも相変化記録層をＮ層（Ｎは２以上の整数）有する相変化型光記録媒体に記録マークを形成するに際し、記録に用いるレーザ光などの光ビームの発光波形を複数のパルスからなる記録パルス列とし、このパルス列を変調することによって記録を行なう方法において、記録マークは、バイアスパワーＰｂと記録パワーＰｐの間で変調されることにより形成され、かつ消去パワーＰｅと、先頭パルス直前及び最終パルス直後のバイアスパワーの少なくとも一方との間に、冷却パワーＰｃ１、Ｐｃ２、・・・、ＰｃＭ（Ｍは１以上の整数、Ｐｐ＞Ｐｅ＞Ｐｃ１＞Ｐｃ２＞・・・＞ＰｃＭ＞Ｐｂ）が設定されている記録方法を用いてＮ層の各記録層に情報を記録する方法であって、記録パワーＰｐと消去パワーＰｅの比率ε（＝Ｐｅ／Ｐｐ）及び／又は記録パワーＰｐと冷却パワーＰｃ１、Ｐｃ２、・・・、ＰｃＭの比率δ１、δ２、・・・δＭ（＝Ｐｃ１／Ｐｐ、Ｐｃ２／Ｐｐ、・・・ＰｃＭ／Ｐｐ）を、記録層ごとに変えて記録を行なうことを特徴とする多層相変化型光記録媒体への記録方法。
２） レーザ光束の照射によって相変化を起こすことにより情報を記録し得る相変化記録層を含む情報層がＮ層（Ｎは２以上の整数）設けられ、光束が照射される側から見て、Ｎ番目以外の各情報層が少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層で構成され、Ｎ番目の情報層が少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層で構成され、上記請求項１記載の記録方法に関する情報が所定領域にプリフォーマットされていることを特徴とする多層相変化型光記録媒体。
以下、上記本発明について詳しく説明する。
多層相変化型光記録媒体の各情報層への記録方法は従来でも検討されている。例えば、レーザ照射側から見て手前側の情報層と奥側の情報層への記録方法をそれぞれ変えることが検討されている。前記特許文献５にもあるように、レーザ照射側から見て手前側の情報層への記録を行なう際には、奥側に記録する場合よりも冷却効果を高めるようにする必要がある。また、手前側の情報層に記録することにより発生する熱的なダメージを減少させるようにする必要がある。したがって、熱が記録層にかかる時間を出来るだけ少なくしなければならない。その主な原因は、手前側の情報層に含まれている反射層は、単層の光記録媒体に比べて膜厚を１／１０〜１／２０程度に極薄にしなければならないことにある。これにより、光透過率を確保することができるが、その分、反射層の放熱効果が極端に減少してしまい、手前の情報層に記録することが難しくなるためである。
しかしながら、本発明１のように記録方法を設定することによって、レーザ照射側から見て手前側の情報層への記録が行ない易くなる。更に、手前側の情報層と奥側の情報層への記録ストラテジを変えずに、同じ記録ストラテジで記録を行なうことが可能となる。
また、多層相変化型光記録媒体のどの情報層についても、同じ記録ストラテジを用いて記録特性を良好にすることができるようになる。
多層相変化型光記録媒体の各情報層への記録方法は従来でも検討されている。例えば、レーザ照射側から見て手前側の情報層と奥側の情報層への記録方法をそれぞれ変えることが検討されている。前記特許文献５にもあるように、レーザ照射側から見て手前側の情報層への記録を行なう際には、奥側に記録する場合よりも冷却効果を高めるようにする必要がある。また、手前側の情報層に記録することにより発生する熱的なダメージを減少させるようにする必要がある。したがって、熱が記録層にかかる時間を出来るだけ少なくしなければならない。その主な原因は、手前側の情報層に含まれている反射層は、単層の光記録媒体に比べて膜厚を１／１０〜１／２０程度に極薄にしなければならないことにある。これにより、光透過率を確保することができるが、その分、反射層の放熱効果が極端に減少してしまい、手前の情報層に記録することが難しくなるためである。
しかしながら、本発明１のように記録方法を設定することによって、レーザ照射側から見て手前側の情報層への記録が行ない易くなる。更に、手前側の情報層と奥側の情報層への記録ストラテジを変えずに、同じ記録ストラテジで記録を行なうことが可能となる。
また、多層相変化型光記録媒体のどの情報層についても、同じ記録ストラテジを用いて記録特性を良好にすることができるようになる。
図１〜図４に、本発明１の記録方法の典型的なレーザ発光波形（記録波形）を示す。
図１は、冷却パワーＰｃが、先頭パルス直前のバイアスパワーと消去パワーとの間に、１レベル（図中のＰｃ１）だけ設定されたレーザ発光波形である。
図２は、冷却パワーＰｃが、先頭パルス直前のバイアスパワーと消去パワーとの間に、２レベル（図中のＰｃ１、Ｐｃ２）設定されたレーザ発光波形である。
図３は、冷却パワーＰｃが、最終パルス直後のバイアスパワーと消去パワーとの間に、１レベル（図中のＰｃ１）だけ設定されたレーザ発光波形である。
図４は、冷却パワーＰｃが、先頭パルス直前及び最終パルス直後のバイアスパワーと消去パワーとの間に１レベル（図中のＰｃ１）ずつ設定されたレーザ発光波形である。
図４のように前端と後端に冷却パワーレベルを設定するときは、前端と後端それぞれで冷却パワーレベルの個数が異なっていても構わない。
図５や図６のような従来の記録方法においても記録は可能であるが、レーザ光を照射したときに発生する余熱の度合いを出来るだけ低く抑えるためには、本発明１の記録方法が好ましい。
本発明１により、先頭記録パルスや最終記録パルスの余熱によって記録層にかかる熱的影響を低減させることができ、更に記録・消去を的確に行なうことができるようになるため、記録特性が向上する。そして、多層相変化型光記録媒体の各情報層に記録する際に、同一の記録方法を用いて各情報層に記録を行なうことが可能となる。
図１は、冷却パワーＰｃが、先頭パルス直前のバイアスパワーと消去パワーとの間に、１レベル（図中のＰｃ１）だけ設定されたレーザ発光波形である。
図２は、冷却パワーＰｃが、先頭パルス直前のバイアスパワーと消去パワーとの間に、２レベル（図中のＰｃ１、Ｐｃ２）設定されたレーザ発光波形である。
図３は、冷却パワーＰｃが、最終パルス直後のバイアスパワーと消去パワーとの間に、１レベル（図中のＰｃ１）だけ設定されたレーザ発光波形である。
図４は、冷却パワーＰｃが、先頭パルス直前及び最終パルス直後のバイアスパワーと消去パワーとの間に１レベル（図中のＰｃ１）ずつ設定されたレーザ発光波形である。
図４のように前端と後端に冷却パワーレベルを設定するときは、前端と後端それぞれで冷却パワーレベルの個数が異なっていても構わない。
図５や図６のような従来の記録方法においても記録は可能であるが、レーザ光を照射したときに発生する余熱の度合いを出来るだけ低く抑えるためには、本発明１の記録方法が好ましい。
本発明１により、先頭記録パルスや最終記録パルスの余熱によって記録層にかかる熱的影響を低減させることができ、更に記録・消去を的確に行なうことができるようになるため、記録特性が向上する。そして、多層相変化型光記録媒体の各情報層に記録する際に、同一の記録方法を用いて各情報層に記録を行なうことが可能となる。
図５や図６に示したような従来の記録方法においては、記録パワーＰｐと消去パワーＰｅの比率ε（＝Ｐｅ／Ｐｐ）を一定にして記録を行なう方法がよく用いられている。これは、記録パワーＰｐと消去パワーＰｅのバランスによってジッタやアシンメトリがより広い記録パワー範囲で良好に保たれるために考案された方法である。
ここでジッタとは、マークとスペースの反射率レベルをスライスレベルで２値化したとき、その境界とクロックとの時間的なずれをウィンドウ幅で規格化して表したものであり、この値が低いほど記録特性は良い。
またアシンメトリとは、１４Ｔスペースに相当する結晶質反射率Ｉ１４Ｈと１４Ｔマークに相当するアモルファス反射率Ｉ１４Ｌの平均値と、３Ｔスペースに相当する結晶質反射率Ｉ３Ｈと３Ｔマークに相当するアモルファス反射率Ｉ３Ｌの平均値とがどの程度ずれているかを表す特性値であり（図９参照）、次の式で表現される。
〔（Ｉ１４Ｈ＋Ｉ１４Ｌ）−（Ｉ３Ｈ＋Ｉ３Ｌ）〕／２（Ｉ１４Ｈ−Ｉ１４Ｌ）
反射率信号はスライスレベルにより２値化されるため、アシンメトリは０に近いほど良い。アシンメトリが崩れていると、マークとスペースの境界が正しく認識されない可能性が出てきてしまう。記録パワーＰｐが高すぎたり低すぎたりするか又は消去パワーＰｅが高すぎたり低すぎたりすることでアシンメトリが崩れ、結果としてジッタが悪くなる。そのため、それらの比率を固定してパワーのバランスを取ることで記録特性が悪化するのを防いでいる。
ここでジッタとは、マークとスペースの反射率レベルをスライスレベルで２値化したとき、その境界とクロックとの時間的なずれをウィンドウ幅で規格化して表したものであり、この値が低いほど記録特性は良い。
またアシンメトリとは、１４Ｔスペースに相当する結晶質反射率Ｉ１４Ｈと１４Ｔマークに相当するアモルファス反射率Ｉ１４Ｌの平均値と、３Ｔスペースに相当する結晶質反射率Ｉ３Ｈと３Ｔマークに相当するアモルファス反射率Ｉ３Ｌの平均値とがどの程度ずれているかを表す特性値であり（図９参照）、次の式で表現される。
〔（Ｉ１４Ｈ＋Ｉ１４Ｌ）−（Ｉ３Ｈ＋Ｉ３Ｌ）〕／２（Ｉ１４Ｈ−Ｉ１４Ｌ）
反射率信号はスライスレベルにより２値化されるため、アシンメトリは０に近いほど良い。アシンメトリが崩れていると、マークとスペースの境界が正しく認識されない可能性が出てきてしまう。記録パワーＰｐが高すぎたり低すぎたりするか又は消去パワーＰｅが高すぎたり低すぎたりすることでアシンメトリが崩れ、結果としてジッタが悪くなる。そのため、それらの比率を固定してパワーのバランスを取ることで記録特性が悪化するのを防いでいる。
本発明１の記録方法では、第１記録層と第２記録層に対して個別に設定される記録パワーＰｐと消去パワーＰｅの比率εだけではなく、記録パワーＰｐと冷却パワーＰｃ１、Ｐｃ２、・・・、ＰｃＭの比率δ１、・・・δＭ（＝Ｐｃ１／Ｐｐ、・・・ＰｃＭ／Ｐｐ）も、同時に個別に設定されている方が好ましい。
例えば、第１記録層と第２記録層に用いられる相変化記録材料及びその組成が同じである場合を考える。各情報層へ本発明１の記録方法を用いて同一の記録速度で記録する場合、ε、及びδ１、・・・δＭの値を各情報層で同じにした場合と異ならせた場合について検討した結果、図８のような結果が得られた。図８は後述する実施例１に記載した２層相変化型光記録媒体に、図１に示した記録ストラテジを用いて記録したときのデータである。
例えば、第１記録層と第２記録層に用いられる相変化記録材料及びその組成が同じである場合を考える。各情報層へ本発明１の記録方法を用いて同一の記録速度で記録する場合、ε、及びδ１、・・・δＭの値を各情報層で同じにした場合と異ならせた場合について検討した結果、図８のような結果が得られた。図８は後述する実施例１に記載した２層相変化型光記録媒体に、図１に示した記録ストラテジを用いて記録したときのデータである。
表１に、第１情報層と第２情報層のεとδ１を変えた場合の、最適な記録パワーにおけるジッタ（ボトムジッタ）を示す。
表から、第１情報層での最適なパワー比率（ε＝０．４５、δ１＝０．２３）と同一のパワー比率で第２情報層に記録を行なう場合よりも、異なったパワー比率（ε＝０．４３、δ１＝０．２６）で記録を行なった方が記録特性は優れていることが分かる。特に、ボトムジッタは、同一のパワー比率で記録した場合が８．７％であるのに対し、異なったパワー比率で記録した場合は８．１％である。各情報層ごとに最適なパワー比率が存在することが分かる。また、第２情報層への記録を（ε＝０．４３、δ１＝０．２３）のパワー比率で行なうと、ボトムジッタは８．３％となった。比率εのみではなく、比率δ１の効果も記録特性に影響を与えていることが分かる。
表から、第１情報層での最適なパワー比率（ε＝０．４５、δ１＝０．２３）と同一のパワー比率で第２情報層に記録を行なう場合よりも、異なったパワー比率（ε＝０．４３、δ１＝０．２６）で記録を行なった方が記録特性は優れていることが分かる。特に、ボトムジッタは、同一のパワー比率で記録した場合が８．７％であるのに対し、異なったパワー比率で記録した場合は８．１％である。各情報層ごとに最適なパワー比率が存在することが分かる。また、第２情報層への記録を（ε＝０．４３、δ１＝０．２３）のパワー比率で行なうと、ボトムジッタは８．３％となった。比率εのみではなく、比率δ１の効果も記録特性に影響を与えていることが分かる。
本発明１の記録方法を用いて記録を行なうことができる多層相変化型光記録媒体としては、本発明２のような層構成を有し、本発明１の記録方法に関する情報が所定領域にプリフォーマットされていることが好ましい。例えば相変化記録層を２層有する光記録媒体の構成例を図７に示す。
まず相変化記録層について説明する。
従来の記録層の材料開発には、大きく分けて２通りの流れがある。一つの流れは、追記型の記録層材料であるＧｅＴｅ、及び、可逆的に相変化可能なＳｂとＴｅとの合金であるＳｂ２Ｔｅ３、この２つの材料の固溶体又は共晶組成から発展したＧｅＳｂＴｅの三元合金からなる記録層材料である。もう一つの流れは、同じくＳｂとＴｅとの合金であるが、ＳｂとＳｂ２Ｔｅ３との共晶組成であるＳｂ含有量が７０％前後となるＳｂＴｅに、他の元素を添加した記録層材料である。
まず相変化記録層について説明する。
従来の記録層の材料開発には、大きく分けて２通りの流れがある。一つの流れは、追記型の記録層材料であるＧｅＴｅ、及び、可逆的に相変化可能なＳｂとＴｅとの合金であるＳｂ２Ｔｅ３、この２つの材料の固溶体又は共晶組成から発展したＧｅＳｂＴｅの三元合金からなる記録層材料である。もう一つの流れは、同じくＳｂとＴｅとの合金であるが、ＳｂとＳｂ２Ｔｅ３との共晶組成であるＳｂ含有量が７０％前後となるＳｂＴｅに、他の元素を添加した記録層材料である。
２層記録層を有する光記録媒体では、第１情報層は、第２情報層の記録及び再生のことを考慮すると透過率が高いことが要求され、そのために反射層の吸収率を少なくする取り組みと並行して、記録層を薄膜化することが要求される。記録層を薄くしていくと結晶化速度が低下するのは公知であるため、記録層材料自体を結晶化速度の速いものにすることが有利である。そこで、上記材料系列の流れの中では、後者のＳｂ含有量が７０％前後となるＳｂＴｅ共晶組成が好ましいとされる。具体的には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどが挙げられる。これら以外の相変化型記録材料として、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｇｅなども用いられる。
第１記録層の膜厚は、５〜１２ｎｍの範囲にあることが好ましい。５ｎｍよりも薄いと反射率が低くなりすぎて信号品質が低下するし、繰り返し記録特性が悪くなる。１２ｎｍよりも厚い場合は、光透過率が下がり好ましくない。
第２記録層の膜厚は、１０〜２０ｎｍの範囲にあることが好ましい。１０ｎｍよりも薄いと繰り返し記録特性が悪くなり、２０ｎｍよりも厚い場合は記録感度が悪くなる。
第１記録層の膜厚は、５〜１２ｎｍの範囲にあることが好ましい。５ｎｍよりも薄いと反射率が低くなりすぎて信号品質が低下するし、繰り返し記録特性が悪くなる。１２ｎｍよりも厚い場合は、光透過率が下がり好ましくない。
第２記録層の膜厚は、１０〜２０ｎｍの範囲にあることが好ましい。１０ｎｍよりも薄いと繰り返し記録特性が悪くなり、２０ｎｍよりも厚い場合は記録感度が悪くなる。
次に、反射層について説明する。
図７のように、記録層が２層含まれる相変化型光記録媒体では、第２情報層に記録再生用のレーザ光をできるだけ透過させることが必要不可欠である。したがって、第１反射層を考えた場合に考慮されるべき事項として、第１反射層においてレーザ光が吸収され難くかつ透過し易い材料が好ましい。具体的にはＡｇ、Ｃｕが挙げられる。ＡｇとＣｕの合金や、ＣｕにＭｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｕから選ばれる１つの金属元素を１重量％程度含有させたものでも良い。
第２反射層は、第１反射層のように半透明である必要はない。
第１反射層の膜厚は、６〜１２ｎｍの範囲にあることが好ましい。６ｎｍよりも薄いと反射率が低くなりすぎて信号品質が低下するし、放熱性が悪くなるため繰り返し記録特性が悪くなる。１２ｎｍよりも厚い場合は、光透過率が下がり好ましくない。
第２反射層の膜厚は、１００〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましい。１００ｎｍよりも薄いと、充分な放熱性が得られず繰り返し記録特性が悪くなる。また、２００ｎｍよりも厚い場合は、放熱性が変わらず無駄な膜厚を成膜することになるし、記録媒体自体の機械特性が悪くなる。
第１反射層及び第２反射層の成膜方法としては、各種の気相成長法が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などがある。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
図７のように、記録層が２層含まれる相変化型光記録媒体では、第２情報層に記録再生用のレーザ光をできるだけ透過させることが必要不可欠である。したがって、第１反射層を考えた場合に考慮されるべき事項として、第１反射層においてレーザ光が吸収され難くかつ透過し易い材料が好ましい。具体的にはＡｇ、Ｃｕが挙げられる。ＡｇとＣｕの合金や、ＣｕにＭｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｕから選ばれる１つの金属元素を１重量％程度含有させたものでも良い。
第２反射層は、第１反射層のように半透明である必要はない。
第１反射層の膜厚は、６〜１２ｎｍの範囲にあることが好ましい。６ｎｍよりも薄いと反射率が低くなりすぎて信号品質が低下するし、放熱性が悪くなるため繰り返し記録特性が悪くなる。１２ｎｍよりも厚い場合は、光透過率が下がり好ましくない。
第２反射層の膜厚は、１００〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましい。１００ｎｍよりも薄いと、充分な放熱性が得られず繰り返し記録特性が悪くなる。また、２００ｎｍよりも厚い場合は、放熱性が変わらず無駄な膜厚を成膜することになるし、記録媒体自体の機械特性が悪くなる。
第１反射層及び第２反射層の成膜方法としては、各種の気相成長法が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などがある。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
次に、保護層について説明する。
まず、単層相変化型光記録媒体で上部保護層に用いられる材料としては、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層の劣化変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有する金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。
例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それらの混合物が挙げられる。
これらの材料は単体で保護膜とすることもできるが互いの混合物としても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２を混合したＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯ２を混合したＴａ２Ｏ５−ＳｉＯ２が挙げられる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ２が良く用いられるが、その場合の混合比としては、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル比）が最も好ましい。
まず、単層相変化型光記録媒体で上部保護層に用いられる材料としては、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層の劣化変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有する金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。
例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それらの混合物が挙げられる。
これらの材料は単体で保護膜とすることもできるが互いの混合物としても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２を混合したＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯ２を混合したＴａ２Ｏ５−ＳｉＯ２が挙げられる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ２が良く用いられるが、その場合の混合比としては、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル比）が最も好ましい。
しかし、多層相変化型光記録媒体の場合、第１記録層に情報の記録を行なう際に、第１反射層の膜厚が薄いために放熱性が悪くなり記録しづらくなるという不具合が生じる。
そのため、第１上部保護層はできるだけ熱伝導性の高い材料を用いた方が良い。したがって、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりも放熱性が高い材料として、Ｓｎの酸化物を用いることが好ましい。またＳｎの酸化物に金属系酸化物（例えば、Ｔａ酸化物、Ａｌ酸化物）が含まれていても良い。Ｓｎの酸化物を用いることによって、第１反射放熱層の膜厚が比較的薄くても、第１記録層にアモルファスマークを形成させ易くなる。Ｓｎ酸化物、Ｔａ酸化物、Ａｌ酸化物は、それぞれが反射放熱層に対して劣化を促進しない材料であり、それぞれの組成比率は生産工程及びコスト、生産許容時間などにより選択する。但し、Ｓｎ酸化物が多い場合は記録に必要なパワーが大きくなる傾向にある。Ｔａ酸化物が多い場合は成膜速度を低下させない材料ではあるが第１情報層において記録特性が出にくくなる。Ａｌ酸化物が多い場合は成膜速度が低下する傾向にある。
第２上部保護層については、従来どおりＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いても良いし、Ｓｎの酸化物を用いても良い。理由は、第２記録層に記録する場合は、第２反射放熱層を充分厚く成膜できるため充分な放熱性が得られるためである。
第１上部保護層の膜厚は２〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。２ｎｍよりも薄いと反射率が高くなりすぎて変調度が低下する。３０ｎｍよりも厚い場合は光透過率が下がり好ましくないし、熱が篭り易くなって記録特性が悪くなる。
第２上部保護層の膜厚は３〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。３ｎｍよりも薄いと記録感度が悪くなり、３０ｎｍよりも厚い場合は熱が篭り易くなって記録特性が悪くなる。
そのため、第１上部保護層はできるだけ熱伝導性の高い材料を用いた方が良い。したがって、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりも放熱性が高い材料として、Ｓｎの酸化物を用いることが好ましい。またＳｎの酸化物に金属系酸化物（例えば、Ｔａ酸化物、Ａｌ酸化物）が含まれていても良い。Ｓｎの酸化物を用いることによって、第１反射放熱層の膜厚が比較的薄くても、第１記録層にアモルファスマークを形成させ易くなる。Ｓｎ酸化物、Ｔａ酸化物、Ａｌ酸化物は、それぞれが反射放熱層に対して劣化を促進しない材料であり、それぞれの組成比率は生産工程及びコスト、生産許容時間などにより選択する。但し、Ｓｎ酸化物が多い場合は記録に必要なパワーが大きくなる傾向にある。Ｔａ酸化物が多い場合は成膜速度を低下させない材料ではあるが第１情報層において記録特性が出にくくなる。Ａｌ酸化物が多い場合は成膜速度が低下する傾向にある。
第２上部保護層については、従来どおりＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いても良いし、Ｓｎの酸化物を用いても良い。理由は、第２記録層に記録する場合は、第２反射放熱層を充分厚く成膜できるため充分な放熱性が得られるためである。
第１上部保護層の膜厚は２〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。２ｎｍよりも薄いと反射率が高くなりすぎて変調度が低下する。３０ｎｍよりも厚い場合は光透過率が下がり好ましくないし、熱が篭り易くなって記録特性が悪くなる。
第２上部保護層の膜厚は３〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。３ｎｍよりも薄いと記録感度が悪くなり、３０ｎｍよりも厚い場合は熱が篭り易くなって記録特性が悪くなる。
第１下部保護層及び第２下部保護層は、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層の劣化変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有する金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。
例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それらの混合物が挙げられる。
これらの材料は単体で保護膜とすることもできるが互いの混合物としても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２を混合したＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯ２を混合したＴａ２Ｏ５−ＳｉＯ２が挙げられる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ２が良く用いられるが、その場合の混合比としては、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル比）が最も好ましい。この材料は屈折率ｎが高く消衰係数ｋがほぼゼロであるため、記録層の光の吸収効率を上げることができ、かつ、熱伝導率が小さいため光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができ、記録層を溶融可能な温度まで昇温することができる。
第１下部保護層の膜厚は４０〜８０ｎｍの範囲にあることが好ましい。４０ｎｍよりも薄いと繰り返し記録耐久性が悪くなり記録特性が悪くなる。８０ｎｍよりも厚い場合は光透過率が下がり好ましくない。
第２下部保護層の膜厚は１１０〜１６０ｎｍの範囲にあることが好ましい。１１０ｎｍよりも薄いと反射率が低くなり再生信号品質が悪くなる。１６０ｎｍよりも厚い場合は記録媒体自体の機械特性が悪くなる。
例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それらの混合物が挙げられる。
これらの材料は単体で保護膜とすることもできるが互いの混合物としても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２を混合したＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯ２を混合したＴａ２Ｏ５−ＳｉＯ２が挙げられる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ２が良く用いられるが、その場合の混合比としては、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル比）が最も好ましい。この材料は屈折率ｎが高く消衰係数ｋがほぼゼロであるため、記録層の光の吸収効率を上げることができ、かつ、熱伝導率が小さいため光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができ、記録層を溶融可能な温度まで昇温することができる。
第１下部保護層の膜厚は４０〜８０ｎｍの範囲にあることが好ましい。４０ｎｍよりも薄いと繰り返し記録耐久性が悪くなり記録特性が悪くなる。８０ｎｍよりも厚い場合は光透過率が下がり好ましくない。
第２下部保護層の膜厚は１１０〜１６０ｎｍの範囲にあることが好ましい。１１０ｎｍよりも薄いと反射率が低くなり再生信号品質が悪くなる。１６０ｎｍよりも厚い場合は記録媒体自体の機械特性が悪くなる。
以上のような第１上部保護層、第２上部保護層、第１下部保護層及び第２下部保護層の成膜方法としては、各種の気相成長法が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などがある。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
熱拡散層は、レーザ照射された第１記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の第２情報層が記録再生できるように、レーザ波長での吸収率が小さいことも望まれる。そこで熱拡散層の材料としては、窒化物、酸化物、硫化物、炭化物、弗化物の少なくとも一種を含んでいることが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ＢＮなどが挙げられる。中でも、ＩＺＯ、若しくはＩＴＯが最も好ましい。
まず、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）の酸化スズは、１〜１０重量％含まれていることが好ましい。この範囲を外れると、熱伝導率及び透過率が低下してしまう。また、保存安定性の向上などを目的に他の元素を添加しても良い。これらの元素は、光学的性質に影響を与えない範囲で添加することができ、０．１〜５重量％含まれていることが好ましい。０．１重量％よりも少ないと効果が得られなくなるし、５重量％よりも多いと光吸収が大きくなり透過率が減少してしまう。
まず、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）の酸化スズは、１〜１０重量％含まれていることが好ましい。この範囲を外れると、熱伝導率及び透過率が低下してしまう。また、保存安定性の向上などを目的に他の元素を添加しても良い。これらの元素は、光学的性質に影響を与えない範囲で添加することができ、０．１〜５重量％含まれていることが好ましい。０．１重量％よりも少ないと効果が得られなくなるし、５重量％よりも多いと光吸収が大きくなり透過率が減少してしまう。
また、情報の記録再生に用いるレーザ光の波長において、吸収係数が１．０以下であることが好ましく、更には、０．５以下であることが好ましい。１．０よりも大きいと第一情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録再生が困難になる。
また、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）の代りに、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）を用いると、光記録媒体中での内部応力が小さくなるため、極微少な膜厚の変化などが起こり難くなり好ましい。
熱拡散層の膜厚は４０〜８０ｎｍの範囲にあることが好ましい。４０ｎｍよりも薄いと放熱性が悪くなり繰り返し記録特性が悪くなる。８０ｎｍよりも厚い場合は光透過率が下がり好ましくない。
熱拡散層の成膜方法としては各種の気相成長法が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などがある。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
また、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）の代りに、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）を用いると、光記録媒体中での内部応力が小さくなるため、極微少な膜厚の変化などが起こり難くなり好ましい。
熱拡散層の膜厚は４０〜８０ｎｍの範囲にあることが好ましい。４０ｎｍよりも薄いと放熱性が悪くなり繰り返し記録特性が悪くなる。８０ｎｍよりも厚い場合は光透過率が下がり好ましくない。
熱拡散層の成膜方法としては各種の気相成長法が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などがある。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
第１基板は記録再生のために照射する光を十分透過するものであることが必要であり、当該技術分野において従来知られているものが用いられる。
第１基板の材料としては、通常ガラス、セラミックス又は樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
第１基板の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザ光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって、一般にグルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形される。第１基板の厚さは、１０〜６００μｍ程度が好ましい。
第２基板には、第１基板と同様の材料を用いても良いが、記録再生光に対して不透明な材料を用いてもよく、第１基板とは材質や溝形状が異なってもよい。
第２基板の厚さは特に限定されないが、第１基板の厚さとの合計が１．２ｍｍになるように厚さを選択することが好ましい。
第１基板の材料としては、通常ガラス、セラミックス又は樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
第１基板の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザ光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって、一般にグルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形される。第１基板の厚さは、１０〜６００μｍ程度が好ましい。
第２基板には、第１基板と同様の材料を用いても良いが、記録再生光に対して不透明な材料を用いてもよく、第１基板とは材質や溝形状が異なってもよい。
第２基板の厚さは特に限定されないが、第１基板の厚さとの合計が１．２ｍｍになるように厚さを選択することが好ましい。
中間層は、記録再生に用いる光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては成形性やコストの点で樹脂が好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
中間層には、第１基板と同様な、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていても良い。
中間層は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別できるように光学的に分離するものであり、厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍよりも薄いと、情報層間クロストークが生じるし、７０μｍより厚いと第２記録層を記録再生するときに球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
なお、レーザ光束が照射される側から見て一番奥側の情報層以外の各情報層の光透過率は３０〜７０％であることが好ましい。２層相変化型光記録媒体の第１情報層の光透過率が３０％よりも低いと、奥側の第２情報層への記録や消去及び再生が困難となる。また、第１情報層の光透過率が７０％よりも高いと、第１情報層への記録や消去及び再生が困難となる。より好ましくは第１情報層の光透過率は３５％以上である。
中間層には、第１基板と同様な、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていても良い。
中間層は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別できるように光学的に分離するものであり、厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍよりも薄いと、情報層間クロストークが生じるし、７０μｍより厚いと第２記録層を記録再生するときに球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
なお、レーザ光束が照射される側から見て一番奥側の情報層以外の各情報層の光透過率は３０〜７０％であることが好ましい。２層相変化型光記録媒体の第１情報層の光透過率が３０％よりも低いと、奥側の第２情報層への記録や消去及び再生が困難となる。また、第１情報層の光透過率が７０％よりも高いと、第１情報層への記録や消去及び再生が困難となる。より好ましくは第１情報層の光透過率は３５％以上である。
本発明の一例である２層相変化型光記録媒体は、例えば次のようにして製造される。
即ち、製造方法は、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。
成膜工程では、第１基板のグルーブが設けられた面に第１情報層を、第２基板のグルーブが設けられた面に第２情報層をそれぞれ成膜する。
第１情報層、第２情報層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でもスパッタリング方が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら反応スパッタリングさせても良い。
即ち、製造方法は、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。
成膜工程では、第１基板のグルーブが設けられた面に第１情報層を、第２基板のグルーブが設けられた面に第２情報層をそれぞれ成膜する。
第１情報層、第２情報層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でもスパッタリング方が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら反応スパッタリングさせても良い。
初期化工程では、第１情報層、第２情報層に対して、レーザ光などのエネルギー光を照射することにより全面を初期化する。即ち記録層を結晶化させる。繰り返し記録が可能な相変化型光記録媒体は、通常、成膜された時点ではアモルファス状態となっている。実際に光記録媒体として使用するためには、アモルファス状態にある記録層を結晶状態に相変化させる必要がある。これが初期化と呼ばれる工程である。つまり、結晶状態になっている記録層に記録や消去を行なう。
初期化工程の際にレーザ光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れのある場合には、初期化工程の前に、第１情報層、第２情報層の上にＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板側から第１情報層、第２情報層を初期化させても構わない。
密着工程では、第１情報層と第２情報層とを向かい合わせながら、第１基板と第２基板とを中間層を介して貼り合わせる。例えば、何れか一方の膜面にＵＶ樹脂を塗布し、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。
初期化工程の際にレーザ光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れのある場合には、初期化工程の前に、第１情報層、第２情報層の上にＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板側から第１情報層、第２情報層を初期化させても構わない。
密着工程では、第１情報層と第２情報層とを向かい合わせながら、第１基板と第２基板とを中間層を介して貼り合わせる。例えば、何れか一方の膜面にＵＶ樹脂を塗布し、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。
本発明によれば、多層相変化型光記録媒体の各記録層が受ける熱的なダメージを抑制して記録特性を良好にでき、かつ同じ記録ストラテジを用いて各記録層への記録を行なうことができる多層相変化型光記録媒体とその記録方法を提供できる。
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。スパッタリングには、バルザース社製の８チャンバー枚葉スパッタ装置を用いた。
評価装置は、シバソク社製ＤＶＤｔｅｓｔｅｒ ＬＭ３３０Ａで、記録時に照射されるレーザ波長は６６０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５である。また、再生光パワーは１．４ｍＷで行なった。記録は１トラックに行ない、そのトラックを再生することにより評価した。記録方法としては１Ｔ周期記録ストラテジを用い、特性評価の判断基準は３Ｔ〜１１Ｔ及び１４Ｔのマークとスペースをランダムに記録したときのジッタとした。ジッタの定義は前述したとおりである。
実施例及び比較例の記録特性結果を表２に示す。第１情報層及び第２情報層への記録に際し採用した記録速度、パワー比率条件（ε、δ）、記録波形（レーザ発光波形）を、記録特性（ボトムジッタ）と共に示した。なお、バイアスパワーＰｂは０．１ｍＷに固定して記録を行なった。マルチパルスの幅は０．４５Ｔとした。記録ストラテジは第１情報層で記録して最適化した。
評価装置は、シバソク社製ＤＶＤｔｅｓｔｅｒ ＬＭ３３０Ａで、記録時に照射されるレーザ波長は６６０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５である。また、再生光パワーは１．４ｍＷで行なった。記録は１トラックに行ない、そのトラックを再生することにより評価した。記録方法としては１Ｔ周期記録ストラテジを用い、特性評価の判断基準は３Ｔ〜１１Ｔ及び１４Ｔのマークとスペースをランダムに記録したときのジッタとした。ジッタの定義は前述したとおりである。
実施例及び比較例の記録特性結果を表２に示す。第１情報層及び第２情報層への記録に際し採用した記録速度、パワー比率条件（ε、δ）、記録波形（レーザ発光波形）を、記録特性（ボトムジッタ）と共に示した。なお、バイアスパワーＰｂは０．１ｍＷに固定して記録を行なった。マルチパルスの幅は０．４５Ｔとした。記録ストラテジは第１情報層で記録して最適化した。
（実施例１）
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．７４μｍの蛇行した連続溝からなるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂製の第１基板上に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）からなる膜厚６０ｎｍの第１下部保護層、Ｉｎ１５Ｓｂ８０Ｇｅ５からなる膜厚８ｎｍの第１記録層、ＳｎＯ２（９０モル％）−Ｔａ２Ｏ５（１０モル％）からなる膜厚１２．５ｎｍの第１上部保護層、Ｍｏを１．０重量％含有させたＣｕからなる膜厚８ｎｍの第１反射層、Ｉｎ２Ｏ３（９０モル％）−ＺｎＯ（１０モル％）からなる膜厚１４０ｎｍの熱拡散層の順に、Ａｒガス雰囲気中のスパッタリング法で成膜した。
次に、第１基板と同様の基板を第２基板として、その上に、Ａｇからなる膜厚１４０ｎｍの第２反射層、ＳｎＯ２（８０モル％）−Ｔａ２Ｏ５（４モル％）−Ａｌ２Ｏ３（１６モル％）からなる膜厚２０ｎｍの第２上部保護層、Ｉｎ１５Ｓｂ８０Ｇｅ５からなる膜厚１５ｎｍの第２記録層、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）からなる膜厚１２０ｎｍの第２下部保護層の順に、Ａｒガス雰囲気中のスパッタリング法で成膜した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザ光を照射し、初期化処理を行なった。初期化は、半導体レーザ（発光波長８１０±１０ｎｍ）から出射されるレーザ光を、光ピックアップ（開口数ＮＡ＝０．５５）により集光することにより行なった。第１記録層の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光記録媒体を回転させ、線速３ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、半径位置２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー７００ｍＷとした。第２記録層の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光記録媒体を回転させ、線速２ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、半径位置２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー６６０ｍＷとした。
初期化後の第１情報層の光透過率は３８％であり、充分な光透過率が得られている。光透過率の測定は、ＳＴＥＡＧ社製のエタオプティクスで行なった。
次に、第１情報層の膜面側に紫外線硬化樹脂（日本化薬製カヤラッドＤＶＤ５７６Ｍ）を塗布し、第２基板の第２情報層膜面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線光硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型光記録媒体を作成した。中間層の厚さは４５μｍとした。
上記２層相変化型光記録媒体に対し、図１の記録波形を採用し、記録速度８．４ｍ／ｓで記録を行なって評価した。表１に示したように、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．７４μｍの蛇行した連続溝からなるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂製の第１基板上に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）からなる膜厚６０ｎｍの第１下部保護層、Ｉｎ１５Ｓｂ８０Ｇｅ５からなる膜厚８ｎｍの第１記録層、ＳｎＯ２（９０モル％）−Ｔａ２Ｏ５（１０モル％）からなる膜厚１２．５ｎｍの第１上部保護層、Ｍｏを１．０重量％含有させたＣｕからなる膜厚８ｎｍの第１反射層、Ｉｎ２Ｏ３（９０モル％）−ＺｎＯ（１０モル％）からなる膜厚１４０ｎｍの熱拡散層の順に、Ａｒガス雰囲気中のスパッタリング法で成膜した。
次に、第１基板と同様の基板を第２基板として、その上に、Ａｇからなる膜厚１４０ｎｍの第２反射層、ＳｎＯ２（８０モル％）−Ｔａ２Ｏ５（４モル％）−Ａｌ２Ｏ３（１６モル％）からなる膜厚２０ｎｍの第２上部保護層、Ｉｎ１５Ｓｂ８０Ｇｅ５からなる膜厚１５ｎｍの第２記録層、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）からなる膜厚１２０ｎｍの第２下部保護層の順に、Ａｒガス雰囲気中のスパッタリング法で成膜した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザ光を照射し、初期化処理を行なった。初期化は、半導体レーザ（発光波長８１０±１０ｎｍ）から出射されるレーザ光を、光ピックアップ（開口数ＮＡ＝０．５５）により集光することにより行なった。第１記録層の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光記録媒体を回転させ、線速３ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、半径位置２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー７００ｍＷとした。第２記録層の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光記録媒体を回転させ、線速２ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、半径位置２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー６６０ｍＷとした。
初期化後の第１情報層の光透過率は３８％であり、充分な光透過率が得られている。光透過率の測定は、ＳＴＥＡＧ社製のエタオプティクスで行なった。
次に、第１情報層の膜面側に紫外線硬化樹脂（日本化薬製カヤラッドＤＶＤ５７６Ｍ）を塗布し、第２基板の第２情報層膜面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線光硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型光記録媒体を作成した。中間層の厚さは４５μｍとした。
上記２層相変化型光記録媒体に対し、図１の記録波形を採用し、記録速度８．４ｍ／ｓで記録を行なって評価した。表１に示したように、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
（比較例１）
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例１と同様にして評価した。
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例１と同様にして評価した。
（実施例２）
第１記録層及び第２記録層の材料をＩｎ１２Ｓｂ８３Ｇｅ５に変えた点以外は、実施例１と同様にして２層相変化型光記録媒体を作成した。
この２層相変化型光記録媒体に対し、図１の記録波形を採用し、記録速度９．９ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
第１記録層及び第２記録層の材料をＩｎ１２Ｓｂ８３Ｇｅ５に変えた点以外は、実施例１と同様にして２層相変化型光記録媒体を作成した。
この２層相変化型光記録媒体に対し、図１の記録波形を採用し、記録速度９．９ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
（比較例２）
実施例２と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例２と同様にして評価した。
実施例２と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例２と同様にして評価した。
（実施例３）
第１記録層及び第２記録層の材料をＩｎ１０Ｓｂ８５Ｇｅ５に変えた点以外は、実施例１と同様にして２層相変化型光記録媒体を作成した。
この２層相変化型光記録媒体に対し、図１の記録波形を採用し記録速度１１．５ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
第１記録層及び第２記録層の材料をＩｎ１０Ｓｂ８５Ｇｅ５に変えた点以外は、実施例１と同様にして２層相変化型光記録媒体を作成した。
この２層相変化型光記録媒体に対し、図１の記録波形を採用し記録速度１１．５ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
（比較例３）
実施例３と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例３と同様にして評価した。
実施例３と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例３と同様にして評価した。
（実施例４）
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、図３の記録波形を採用し、記録速度８．４ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、図３の記録波形を採用し、記録速度８．４ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
（比較例４）
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例４と同様にして評価した。
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例４と同様にして評価した。
（実施例５）
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、図４の記録波形を採用し、記録速度８．４ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、図４の記録波形を採用し、記録速度８．４ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１は異なっている。
（比較例５）
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例５と同様にして評価した。
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ１を同一にした点以外は、実施例５と同様にして評価した。
（実施例６）
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、図２の記録波形を採用し、記録速度８．４ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ２は異なっている。
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、図２の記録波形を採用し、記録速度８．４ｍ／ｓで記録を行なって評価した。第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ２は異なっている。
（比較例６）
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ２を同一にした点以外は、実施例６と同様にして評価した。
実施例１と同じ２層相変化型光記録媒体に対し、第１情報層及び第２情報層へ記録する際のパワー比率ε及びδ２を同一にした点以外は、実施例６と同様にして評価した。
Ｐｐ 記録パワー
Ｐｂ バイアスパワー
Ｐｅ 消去パワー
Ｐｃ１ 冷却パワー
Ｐｃ２ 冷却パワー
Ｉ３ ３Ｔ信号の振幅（Ｉ３Ｈ‐Ｉ３Ｌ）
Ｉ３Ｈ ３Ｔスペースに相当する結晶質反射率
Ｉ３Ｌ ３Ｔマークに相当するアモルファス反射率
Ｉ１４ １４Ｔ信号の振幅（Ｉ１４Ｈ‐Ｉ１４Ｌ）
Ｉ１４Ｈ １４Ｔスペースに相当する結晶質反射率
Ｉ１４Ｌ １４Ｔマークに相当するアモルファス反射率
Ｐｂ バイアスパワー
Ｐｅ 消去パワー
Ｐｃ１ 冷却パワー
Ｐｃ２ 冷却パワー
Ｉ３ ３Ｔ信号の振幅（Ｉ３Ｈ‐Ｉ３Ｌ）
Ｉ３Ｈ ３Ｔスペースに相当する結晶質反射率
Ｉ３Ｌ ３Ｔマークに相当するアモルファス反射率
Ｉ１４ １４Ｔ信号の振幅（Ｉ１４Ｈ‐Ｉ１４Ｌ）
Ｉ１４Ｈ １４Ｔスペースに相当する結晶質反射率
Ｉ１４Ｌ １４Ｔマークに相当するアモルファス反射率
Claims (2)
- 基板上に少なくとも相変化記録層をＮ層（Ｎは２以上の整数）有する相変化型光記録媒体に記録マークを形成するに際し、記録に用いるレーザ光などの光ビームの発光波形を複数のパルスからなる記録パルス列とし、このパルス列を変調することによって記録を行なう方法において、記録マークは、バイアスパワーＰｂと記録パワーＰｐの間で変調されることにより形成され、かつ消去パワーＰｅと、先頭パルス直前及び最終パルス直後のバイアスパワーの少なくとも一方との間に、冷却パワーＰｃ１、Ｐｃ２、・・・、ＰｃＭ（Ｍは１以上の整数、Ｐｐ＞Ｐｅ＞Ｐｃ１＞Ｐｃ２＞・・・＞ＰｃＭ＞Ｐｂ）が設定されている記録方法を用いてＮ層の各記録層に情報を記録する方法であって、記録パワーＰｐと消去パワーＰｅの比率ε（＝Ｐｅ／Ｐｐ）及び／又は記録パワーＰｐと冷却パワーＰｃ１、Ｐｃ２、・・・、ＰｃＭの比率δ１、δ２、・・・δＭ（＝Ｐｃ１／Ｐｐ、Ｐｃ２／Ｐｐ、・・・ＰｃＭ／Ｐｐ）を、記録層ごとに変えて記録を行なうことを特徴とする多層相変化型光記録媒体への記録方法。
- レーザ光束の照射によって相変化を起こすことにより情報を記録し得る相変化記録層を含む情報層がＮ層（Ｎは２以上の整数）設けられ、光束が照射される側から見て、Ｎ番目以外の各情報層が少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層で構成され、Ｎ番目の情報層が少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層で構成され、上記請求項１記載の記録方法に関する情報が所定領域にプリフォーマットされていることを特徴とする多層相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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