JP2003242643A - 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の情報記録層を有する書き替え型光記録
媒体に対する情報記録方法であって、良好な形状の記録
マークを形成することが可能な情報記録方法を提供す
る。 【解決手段】 積層された少なくともＬ０層２０及びＬ
１層３０を備える光記録媒体１０に対し、光入射面１３
ａから少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び消去パワー
（Ｐｅ）を含む複数のパワーに変調されたレーザビーム
を照射することによって情報を記録する情報記録方法で
あって、レーザビームの波長をλとし、レーザビームを
集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ に設定し、且つ、Ｌ０層２０に対して情報の記録を行う
場合の記録パワーと消去パワーとの比（Ｐｅ／Ｐｗ）
を、Ｌ１層３０に対して情報の記録を行う場合の記録パ
ワーと消去パワーとの比（Ｐｅ／Ｐｗ）よりも小さく設
定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体への情
報記録方法に関し、特に、複数の情報記録層を有する書
き替え型光記録媒体への情報記録方法に関する。また、
本発明は、光記録媒体に情報を記録するための情報記録
装置に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え
型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関
する。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、複
数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、デジタルデータを記録するた
めの記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録
媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要
求される記録容量は年々増大し、これを達成するために
種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、
光記録媒体に含まれる情報記録層を２層構造とする手法
が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−Ｖｉ
ｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。こ
のような再生専用の光記録媒体においては、基板表面に
形成されたプレピットが情報記録層となり、このような
基板が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００３】また、近年、ユーザによるデータの書き換
えが可能な光記録媒体（書き替え型光記録媒体）につい
ても、情報記録層が２層構造であるタイプの光記録媒体
が提案されている（特開２００１−２７３６３８号公報
参照）。情報記録層が２層構造である書き替え型光記録
媒体においては、記録膜及びこれを挟んで形成された誘
電体膜（保護膜）が情報記録層となり、かかる情報記録
層が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００４】書き替え型光記録媒体の記録膜としては、
一般に相変化材料が用いられ、結晶状態である場合とア
モルファス状態である場合の反射率差を利用してデータ
の記録が行われる。すなわち、未記録状態においては記
録膜の実質的に全面が結晶状態となっており、データを
記録する場合、記録膜の所定の部分がアモルファス状態
に変化させられ、これが記録マークとなる。結晶状態で
ある相変化材料をアモルファス状態に変化させるために
は、融点以上の温度に加熱した後、急冷すればよい。逆
に、アモルファス状態である相変化材料を結晶状態に変
化させるためには、結晶化温度以上の温度に加熱した
後、徐冷すればよい。
【０００５】このような加熱及び冷却は、レーザビーム
のパワー（出力）を調整することによって行うことがで
きる。すなわち、レーザビームを強度変調することによ
り、未記録状態である記録膜にデータを記録するのみな
らず、既に何らかのデータが記録されている部分に異な
るデータを直接上書き（ダイレクトオーバーライト）す
ることが可能となる。一般に、記録膜を融点以上の温度
に加熱するためには、レーザビームのパワーが記録パワ
ー（Ｐｗ）から基底パワー（Ｐｂ）までの振幅を有する
パルス波形で設定されたパワーとされ、記録膜を急冷す
るためには、レーザビームのパワーが基底パワー（Ｐ
ｂ）に設定される。また、記録膜を結晶化温度以上の温
度に加熱し、徐冷するためには、レーザビームのパワー
が消去パワー（Ｐｅ）に設定される。この場合、消去パ
ワー（Ｐｅ）は、記録膜が結晶化温度以上、融点未満の
温度となるようなレベルに設定され、これによりいわゆ
る固相消去が行われる。
【０００６】ここで、情報記録層が２層構造である書き
替え型光記録媒体においては、レーザビームのフォーカ
スをいずれか一方の情報記録層に合わせることによって
データの記録／再生が行われることから、光入射面から
遠い側の情報記録層（以下、「Ｌ１層」という）に対し
てデータの記録／再生を行う場合、光入射面から近い側
の情報記録層（以下、「Ｌ０層」という）を介してレー
ザビームが照射されることになる。このため、Ｌ０層は
十分な光透過率を有している必要があり、そのため、Ｌ
０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合であ
ってもその膜厚は非常に薄く設定されることが一般的で
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、情報記録
層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、
Ｌ０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合で
あってもその膜厚が非常に薄く設定されることから、十
分な膜厚の反射膜を有するＬ１層に比べて放熱性が低
く、再結晶化現象が起きやすいという問題が生じる。す
なわち、反射膜の材料としては一般に金属が用いられる
ため、Ｌ１層においてはレーザビームの照射によって発
生した熱が熱伝導性の高い反射膜を介して速やかに放熱
される一方、Ｌ０層にはこのような熱伝導性の高い層が
存在しないか、非常に薄い層であることからレーザビー
ムの照射によって発生した熱が速やかに放熱されず、こ
のため、Ｌ０層においては記録マーク（アモルファス状
態）の形状が歪み、良好な再生信号が得られないという
問題があった。
【０００８】特に、近年、記録／再生に用いるレーザビ
ームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物
レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）を７００ｎ
ｍ以下、例えば、ＮＡを０．７以上、特に０．８５程度
まで大きくするとともに、かかるレーザビームの波長λ
を２００〜４５０ｎｍ程度まで短くすることによってレ
ーザビームの集光スポット径を小さくし、これにより大
容量のデジタルデータを記録する試みがなされている。
このような、短波長のレーザビームを高ＮＡの対物レン
ズで集光することによってデータの記録／再生を行うシ
ステムにおいては、集光されたレーザビームの単位面積
当たりのエネルギーが非常に高いことから、上述したＬ
０層における熱干渉の影響が顕著となり、再結晶化現象
が発生しやすくなる。
【０００９】したがって、本発明の目的は、複数の情報
記録層を有する書き替え型光記録媒体に対する情報記録
方法であって、良好な形状の記録マークを形成すること
が可能な情報記録方法を提供することである。
【００１０】また、本発明の他の目的は、複数の情報記
録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するた
めの情報記録装置であって、良好な形状の記録マークを
形成することが可能な情報記録装置を提供することであ
る。
【００１１】また、本発明のさらに他の目的は、複数の
情報記録層を有する書き替え型光記録媒体であって、良
好な形状の記録マークを形成することが可能な光記録媒
体を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備え
る光記録媒体に対し、光入射面から少なくとも記録パワ
ー（Ｐｗ）及び消去パワー（Ｐｅ）を含む複数のパワー
に変調されたレーザビームを照射することによって情報
を記録する情報記録方法であって、前記レーザビームの
波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物
レンズの開口数をＮＡとした場合に λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ に設定し、且つ、前記第１の情報記録層に対して情報の
記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーとの
比（Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報記録層に対して情
報の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワー
との比（Ｐｅ／Ｐｗ）よりも小さく設定して情報の記録
を行うことを特徴とする情報記録方法によって達成され
る。
【００１３】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記
光入射面側に位置している。
【００１４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の情報記録層に対して情報の記録を行う場
合のトップパルスのパルス幅及びマルチパルスのパルス
幅の少なくとも一方を、前記第２の情報記録層に対して
情報の記録を行う場合のトップパルスのパルス幅及びマ
ルチパルスのパルス幅の対応するものよりも短く設定し
て情報の記録を行う。
【００１５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第１の情報記録層に対して情報の記録を行う場
合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に対して情報の
記録を行う場合の冷却期間よりも長く設定して情報の記
録を行う。
【００１６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍで
ある。
【００１７】本発明の前記目的はまた、積層された少な
くとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に
対し、光入射面から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び
消去パワー（Ｐｅ）を含む複数のパワーに変調されたレ
ーザビームを照射することによって情報を記録する情報
記録方法であって、前記第１の情報記録層に対して情報
の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーと
の比（Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報記録層に対して
情報の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワ
ーとの比（Ｐｅ／Ｐｗ）に対して０．３８〜０．６６倍
に設定して情報の記録を行うことを特徴とする情報記録
方法によって達成される。
【００１８】本発明の前記目的はまた、積層された少な
くとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に
対し、光入射面から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び
消去パワー（Ｐｅ）を含む複数のパワーに変調されたレ
ーザビームを照射することによって情報を記録する情報
記録装置であって、前記レーザビームの波長をλとし、
前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数
をＮＡとした場合に λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ であり、且つ、前記第１の情報記録層に対して情報の記
録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーとの比
（Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報記録層に対して情報
の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーと
の比（Ｐｅ／Ｐｗ）よりも小さく設定して情報の記録を
行うことを特徴とする情報記録装置によって達成され
る。
【００１９】本発明の前記目的はまた、積層された少な
くとも第１及び第２の情報記録層を備え、光入射面から
入射される少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び消去パワ
ー（Ｐｅ）を含む複数のパワーに変調されたレーザビー
ムを照射することによって情報の記録が可能な光記録媒
体であって、前記レーザビームの波長をλとし、前記レ
ーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡ
とした場合に λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ に設定し、且つ、前記第１の情報記録層に対して情報の
記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーとの
比（Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報記録層に対して情
報の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワー
との比（Ｐｅ／Ｐｗ）よりも小さく設定して情報の記録
を行うために必要な設定情報を有していることを特徴と
する光記録媒体によって達成される。
【００２０】本発明の好ましい実施態様においては、前
記レーザビームの光路となる光透過層を備え、前記光透
過層の厚さが３０〜２００μｍである。
【００２１】本発明によれば、いずれの情報記録層に対
してダイレクトオーバーライトを行った場合において
も、良好な形状の記録マークを形成することが可能とな
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２３】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００２４】図１に示されるように、本実施態様にかか
る光記録媒体１０は、基体１１と、中間層１２と、光透
過層１３と、中間層１２と光透過層１３との間に設けら
れたＬ０層２０と、基体１１と中間層１２との間に設け
られたＬ１層３０とを備える。Ｌ０層２０は、光入射面
１３ａから近い側の情報記録層を構成し、第１の誘電体
膜２１、Ｌ０記録膜２２及び第２の誘電体膜２３によっ
て構成される。また、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａか
ら遠い側の情報記録層を構成し、第３の誘電体膜３１、
Ｌ１記録膜３２、第４の誘電体膜３３及び反射膜３４に
よって構成される。このように、本実施態様にかかる光
記録媒体１０は、２層の情報記録層（Ｌ０層２０及びＬ
１層３０）を有している。
【００２５】基体１１は、光記録媒体１０の機械的強度
を確保する役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ
及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１
１ａ及び／又はランド１１ｂは、Ｌ１層３０に対してデ
ータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガ
イドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるも
のではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０〜４
０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピ
ッチとしては０．２〜０．４μｍに設定することが好ま
しい。基体１１の厚みは約１．１ｍｍに設定され、その
材料としては、特に限定されるものではないがポリカー
ボネートを用いることが好ましい。但し、基体１１は光
入射面１３ａとは反対側の面を構成することから、特に
光透過性を備える必要はない。
【００２６】中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０と
を十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表
面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられてい
る。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、
Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合にお
けるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果た
す。グルーブ１２ａの深さやピッチは、基体１１に設け
られたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定す
ればよい。中間層１２の厚みとしては、約１０〜５０μ
ｍに設定することが好ましい。また、中間層１２の材料
としては、特に限定されるものではないが、紫外線硬化
性アクリル樹脂を用いることが好ましい。中間層１２
は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合
にレーザビームの光路となることから、十分に高い光透
過性を有している必要がある。
【００２７】光透過層１３は、レーザビームの光路とな
るとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとして
は、約３０〜２００μｍに設定することが好ましい。光
透過層１３の材料としては、特に限定されるものではな
いが、中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を
用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３は
レーザビームの光路となることから、十分に高い光透過
性を有している必要がある。
【００２８】Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２は、い
ずれも相変化材料によって構成され、結晶状態である場
合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが
異なることを利用してデータの記録が行われる。Ｌ０記
録膜２２及びＬ１記録膜３２の具体的な材料としては、
特に限定されるものではないがＳｂＴｅ系材料を用いる
ことが好ましい。ＳｂＴｅ系材料としてはＳｂＴｅのみ
でもよいし、添加物としてＩｎ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ等を
加えたＩｎＳｂＴｅＧｅやＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂ
ＴｅＧｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ等を用いることができ
る。
【００２９】ここで、Ｌ０記録膜２２は、Ｌ１層３０に
対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの
光路となることから、十分な光透過性を有している必要
があり、このためＬ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜
３２の膜厚と比べて十分に薄く設定される。具体的に
は、Ｌ１記録膜３２の膜厚としては、約３〜２０ｎｍに
設定することが好ましく、Ｌ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ
１記録膜３２の膜厚に対して０．３〜０．８倍に設定す
ることが好ましい。
【００３０】Ｌ０記録膜２２を挟むように設けられた第
１の誘電体膜２１及び第２の誘電体膜２３は、Ｌ０記録
膜２２に対する保護膜として機能し、Ｌ１記録膜３２を
挟むように設けられた第３の誘電体膜３１及び第４の誘
電体膜３３は、Ｌ１記録膜３２に対する保護膜として機
能する。第１の誘電体膜２１の厚みとしては２〜２００
ｎｍに設定することが好ましく、第２の誘電体膜２３の
厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好まし
く、第３の誘電体膜３１の厚みとしては２〜２００ｎｍ
に設定することが好ましく、第４の誘電体膜３３の厚み
としては２〜２００ｎｍに設定することが好ましい。
【００３１】また、これら第１の誘電体膜２１〜第４の
誘電体膜３３は、１層の誘電体膜からなる単層構造であ
ってもよいし、２層以上の誘電体膜からなる積層構造で
あってもよい。これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電
体膜３３の材料としては特に限定されないが、Ｓｉ
Ｏ２、Ｓｉ３Ｏ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＴａＯ、Ｚｎ
Ｓ、ＣｅＯ２等、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｎの酸化物、窒
化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いる
ことが好ましい。
【００３２】反射膜３４は、光入射面１３ａから入射さ
れるレーザビームを反射し、再び光入射面１３ａから出
射させる役割を果たし、その厚さとしては２０〜２００
ｎｍに設定することが好ましい。反射膜３４の材料とし
ては特に限定されないが、ＡｇやＡｌを主成分とする合
金を用いることが好ましく、ＡｕやＰｔ等を用いること
もできる。また、反射膜３４の腐食を防止するために、
反射膜３４と基体１１との間に防湿膜を設けてもよい。
かかる防湿膜としては、第１の誘電体膜２１〜第４の誘
電体膜３３と同様の材料を用いることができる。さら
に、Ｌ０層２０は反射膜を備えていないが、３〜１５ｎ
ｍ程度の薄い反射膜をＬ０層２０に設けても構わない。
この場合、かかる反射膜の材料としては、反射膜３４と
同じ材料を用いることができる。
【００３３】このような構造を有する光記録媒体１０に
記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａから
２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射さ
れ、その反射光量が検出される。上述のとおり、Ｌ０記
録膜２２及びＬ１記録膜３２は相変化材料によって構成
され、結晶状態である場合とアモルファス状態である場
合とで光反射率が異なっていることから、レーザビーム
を光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２２及びＬ１
記録膜３２の一方にフォーカスを合わせ、その反射光量
を検出することにより、レーザビームが照射された部分
におけるＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結晶状
態であるかアモルファス状態であるかを判別することが
できる。
【００３４】光記録媒体１０に対してデータの記録を行
う場合も、光入射面１３ａから２００〜４５０ｎｍの波
長を持つレーザビームが照射され、Ｌ０記録膜２２また
はＬ１記録膜３２にフォーカスが合わせられ、記録すべ
きデータにしたがい、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜
３２の所定の部分を融点以上の温度に加熱した後、急冷
すれば、当該部分の状態がアモルファス状態となり、Ｌ
０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を結晶
化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すれば、当該部分
の状態が結晶状態となる。アモルファス状態となった部
分は「記録マーク」と呼ばれ、記録データは、記録マー
クの始点から終点までの長さ及び終点から次の記録マー
クの始点までの長さに形成される。各記録マークの長さ
及び記録マーク間の長さ（エッジ間）は、特に限定され
るものではないが、（１，７）ＲＬＬの変調方式が採用
される場合、２Ｔ〜８Ｔ（Ｔは、クロックの周期）に対
応する長さのいずれかに設定される。尚、Ｌ０記録膜２
２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ及
びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記
録ストラテジについては後述する。
【００３５】Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を
行う場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録
膜３２に照射されることになる。このため、Ｌ０層２０
は十分な光透過性を有している必要があり、上述のとお
りＬ１記録膜３２の膜厚と比べて、Ｌ０記録膜２２の膜
厚はかなり薄く設定されている。
【００３６】次に、本実施態様にかかる光記録媒体１０
の製造方法について説明する。
【００３７】図２〜図５は、光記録媒体１０の製造方法
を示す工程図である。
【００３８】まず、図２に示されるように、スタンパ４
０を用いて、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂを有する
基体１１を射出成形する。次に、図３に示されるよう
に、基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが
形成されている面のほぼ全面に、スパッタリング法によ
って、反射膜３４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３
２及び第３の誘電体膜３１を順次形成する。これによ
り、Ｌ１層３０が完成する。尚、スパッタリング直後に
おけるＬ１記録膜３２の状態は通常アモルファス状態で
ある。
【００３９】次に、図４に示されるように、Ｌ１層３０
上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、その表面に
スタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外
線を照射することにより、グルーブ１２ａ及びランド１
２ｂを有する中間層１２を形成する。次に、図５に示さ
れるように、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成さ
れた中間層１２のほぼ全面に、スパッタリング法によっ
て、第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の誘
電体膜２１を順次形成する。これにより、Ｌ０層２０が
完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ０記録膜
２２の状態は通常アモルファス状態である。
【００４０】そして、図１に示されるように、Ｌ０層２
０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、紫外線を
照射することによって光透過層１３を形成する。以上に
より、全ての成膜工程が完了する。本明細書において
は、成膜工程が完了した状態の光記録媒体を「光記録媒
体前駆体」と呼ぶことがある。
【００４１】次に、光記録媒体前駆体をレーザ照射装置
の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転させながら
トラックに沿った方向における長さが短く、且つ、トラ
ックに垂直な方向における長さが長い矩形状のレーザビ
ームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転する
ごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらす
ことによって、矩形状のレーザビームをＬ０記録膜２２
及びＬ１記録膜３２のほぼ全面に照射する。これによ
り、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２を構成する相変
化材料は結晶化温度以上の温度に加熱され、その後徐冷
されることから、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の
実質的に全面が結晶状態、すなわち、未記録状態とな
る。このような工程は、一般に「初期化工程」と呼ばれ
る。
【００４２】かかる初期化工程が完了すると、光記録媒
体１０が完成する。
【００４３】このようにして製造された光記録媒体１０
に対しては、上述の通り、レーザビームのフォーカスを
Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせ
て記録マークを形成することにより、所望のデジタルデ
ータを記録することができる。また、光記録媒体１０の
Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータを記
録した後は、上述の通り、レーザビームのフォーカスを
Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせ
てその反射光量を検出することにより、記録されたデジ
タルデータを再生することができる。
【００４４】次に、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記
録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対
してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて
詳述する。
【００４５】図６は、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３
２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを
示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録
ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の
記録ストラテジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場
合の記録ストラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信
号を形成する場合の記録ストラテジである。
【００４６】図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施
態様では、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対して
データの記録を行う場合、レーザビームの強度は、記録
パワー（Ｐｗ）、消去パワー（Ｐｅ）及び基底パワー
（Ｐｂ）からなる３つの強度（３値）に変調される。記
録パワー（Ｐｗ）の強度としては、照射によってＬ０記
録膜２２またはＬ１記録膜３２が溶融するような高いレ
ベルに設定され、Ｌ０記録膜２２に対する記録において
はＰｗ０に設定され、Ｌ１記録膜３２に対する記録にお
いてはＰｗ１に設定される。また、消去パワー（Ｐｅ）
の強度としては、照射によってＬ０記録膜２２またはＬ
１記録膜３２が結晶化温度以上の温度に達するようなレ
ベルに設定され、Ｌ０記録膜２２に対する記録において
はＰｅ０に設定され、Ｌ１記録膜３２に対する記録にお
いてはＰｅ１に設定される。さらに、基底パワー（Ｐ
ｂ）の強度としては、照射されても、溶融しているＬ０
記録膜２２またはＬ１記録膜３２が冷却されるような低
いレベルに設定され、Ｌ０記録膜２２に対する記録にお
いてはＰｂ０に設定され、Ｌ１記録膜３２に対する記録
においてはＰｂ１に設定される。
【００４７】これら記録パワー（Ｐｗ０、Ｐｗ１）、消
去パワー（Ｐｅ０、Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ０、
Ｐｂ１）の詳細については後述するものとし、単に記録
パワー（Ｐｗ）、消去パワー（Ｐｅ）及び基底パワー
（Ｐｂ）というときには、Ｌ０記録膜２２に対する記録
にあってはそれぞれ記録パワー（Ｐｗ０）、消去パワー
（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）を指し、Ｌ１記録
膜３２に対する記録にあってはそれぞれ記録パワー（Ｐ
ｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ
１）を指す。
【００４８】まず、図６（ａ）に示すように、Ｌ０記録
膜２２及びＬ１記録膜３２に対して２Ｔ信号を形成する
場合、レーザビームのパルス数は「１」に設定され、そ
の後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。レーザビームのパ
ルス数とは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ）
まで高められた回数によって定義される。また、本明細
書においては、レーザビームのパルスのうち、先頭パル
スをトップパルス、最終パルスをラストパルス、トップ
パルスとラストパルスの間に存在するパルスをマルチパ
ルスと定義する。但し、図６（ａ）に示すように、パル
ス数が「１」である場合には、当該パルスはトップパル
スである。
【００４９】また、冷却期間Ｔｃｌにおいては、レーザ
ビームの強度が基底パワー（Ｐｂ）に設定される。この
ように、本明細書においては、レーザビームの強度が基
底パワー（Ｐｂ）に設定される最後の期間を冷却期間と
定義する。したがって、２Ｔ信号を形成する場合、レー
ザビームの強度は、タイミングｔ１１以前においては消
去パワー（Ｐｅ）に設定され、タイミングｔ１１からタ
イミングｔ１２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録
パワー（Ｐｗ）に設定され、タイミングｔ１２からタイ
ミングｔ１３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワ
ー（Ｐｂ）に設定され、タイミングｔ１３以降において
は消去パワー（Ｐｅ）に設定される。
【００５０】また、図６（ｂ）に示すように、Ｌ０記録
膜２２及びＬ１記録膜３２に対して３Ｔ信号を形成する
場合、レーザビームのパルス数は「２」に設定され、そ
の後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、３Ｔ
信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミン
グｔ２１以前においては消去パワー（Ｐｅ）に設定さ
れ、タイミングｔ２１からタイミングｔ２２までの期間
（Ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ２３からタイミングｔ２
４までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ）
に設定され、タイミングｔ２２からタイミングｔ２３ま
での期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ２４からタイミ
ングｔ２５までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー
（Ｐｂ）に設定され、タイミングｔ２５以降においては
消去パワー（Ｐｅ）に設定される。
【００５１】さらに、図６（ｃ）に示すように、Ｌ０記
録膜２２及びＬ１記録膜３２に対して４Ｔ信号を形成す
る場合、レーザビームのパルス数は「３」に設定され、
その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、４
Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミ
ングｔ３１以前においては消去パワー（Ｐｅ）に設定さ
れ、タイミングｔ３１からタイミングｔ３２までの期間
（Ｔｔｏｐ）、タイミングｔ３３からタイミングｔ３４
までの期間（Ｔｍｐ）及びタイミングｔ３５からタイミ
ングｔ３６までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー
（Ｐｗ）に設定され、タイミングｔ３２からタイミング
ｔ３３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ３４から
タイミングｔ３５までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミン
グｔ３６からタイミングｔ３７までの期間（Ｔｃｌ）に
おいては基底パワー（Ｐｂ）に設定され、タイミングｔ
３７以降においては消去パワー（Ｐｅ）に設定される。
【００５２】そして、図６（ｄ）に示すように、Ｌ０記
録膜２２及びＬ１記録膜３２に対して５Ｔ信号〜８Ｔ信
号を形成する場合、レーザビームのパルス数はそれぞれ
「４」〜「７」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが
挿入される。したがって、マルチパルスの数は、５Ｔ信
号〜８Ｔ信号を形成する場合それぞれ「２」〜「５」に
設定される。この場合も、Ｔｔｏｐ（タイミングｔ４１
からタイミングｔ４２までの期間）、Ｔｍｐ（タイミン
グｔ４３からタイミングｔ４４までの期間、タイミング
ｔ４５からタイミングｔ４６までの期間等）及びＴｌｐ
の期間（タイミングｔ４７からタイミングｔ４８までの
期間）においては記録パワー（Ｐｗ）に設定され、オフ
期間Ｔｏｆｆ（タイミングｔ４２からタイミングｔ４３
までの期間、タイミングｔ４６からタイミングｔ４７ま
での期間等）及び冷却期間Ｔｃｌ（タイミングｔ４８か
らタイミングｔ４９までの期間）においては基底パワー
（Ｐｂ）に設定され、その他の期間においては消去パワ
ー（Ｐｅ）に設定される。
【００５３】以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信
号）を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ）
をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜
２２またはＬ１記録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急
冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域
においては、消去パワー（Ｐｅ）をもつレーザビームの
照射によってＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結
晶化温度以上の温度に加熱され、その後レーザビームが
遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００５４】ここで、Ｌ０記録膜２２に対する記録の場
合、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスの
パルス幅Ｔｍｐ、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ及び冷
却期間Ｔｃｌは、いずれの記録信号（２Ｔ〜８Ｔ）を形
成する場合においてもそれぞれ一定に設定される。以
下、Ｌ０記録膜２２への記録を行う場合のトップパルス
のパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラストパルスの
パルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ０、Ｔｍｐ
０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０と呼ぶ。同様に、Ｌ１記録膜
３２に対する記録の場合も、トップパルスのパルス幅Ｔ
ｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ、ラストパルス
のパルス幅Ｔｌｐ及び冷却期間Ｔｃｌは、いずれの記録
信号（２Ｔ〜８Ｔ）を形成する場合においてもそれぞれ
一定に設定され、以下、Ｌ１記録膜３２への記録を行う
場合のトップパルスのパルス幅、マルチパルスのパルス
幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却期間をそれぞれＴ
ｔｏｐ１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１と呼ぶ。但
し、単にＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌｐ及びＴｃｌというと
きには、Ｌ０記録膜２２に対する記録にあってはそれぞ
れＴｔｏｐ０、Ｔｍｐ０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０を指
し、Ｌ１記録膜３２に対する記録にあってはそれぞれＴ
ｔｏｐ１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１を指す。
【００５５】上述のとおり、Ｌ０層２０には反射膜が設
けられないか、設けられる場合であってもその膜厚が非
常に薄く（３〜１５ｎｍ程度）設定される一方、Ｌ１層
３０には厚さが２０〜２００ｎｍの反射膜３４が設けら
れることから、Ｌ０層２０はＬ１層に比べて放熱性が低
く、再結晶化現象が起きやすい。
【００５６】この点を考慮して、本実施態様において
は、Ｌ０層２０における再結晶化現象を防止すべく、Ｌ
０記録膜２２に対して記録を行う場合の記録パワー（Ｐ
ｗ０）と消去パワー（Ｐｅ０）の比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）
を、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合の記録パワ
ー（Ｐｗ１）と消去パワー（Ｐｅ１）の比（Ｐｅ１／Ｐ
ｗ１）よりも小さく設定することによって、冷却効果の
低いＬ０層２０における熱干渉を緩和し、再結晶化現象
を抑制している。この場合、Ｐｅ１／Ｐｗ１に対してＰ
ｅ０／Ｐｗ０を小さく設定しすぎると、Ｌ０記録膜２２
における消去率が低下してしまう一方で、Ｐｅ０／Ｐｗ
０をＰｅ１／Ｐｗ１に近い値に設定すると、熱干渉が十
分に緩和されず、再結晶化現象が発生してしまう。これ
らを考慮すれば、Ｐｅ０／Ｐｗ０を、Ｐｅ１／Ｐｗ１に
対して０．３８〜０．６６倍程度に設定することが好ま
しく、０．４４〜０．５５倍程度に設定することがより
好ましく、０．５０倍程度に設定することが特に好まし
い。Ｐｅ０／Ｐｗ０とＰｅ１／Ｐｗ１との関係をかかる
範囲に設定すれば、消去率を実用上問題のないレベルと
することができるとともに、熱干渉を効果的に緩和する
ことが可能となる。
【００５７】但し、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う
場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録膜３
２に照射されることから、Ｌ１記録膜３２に到達するレ
ーザビームはかなり減衰してしまう。したがって、Ｌ１
記録膜３２を十分に溶融させるためには、記録パワー
（Ｐｗ１）のレベルとして、Ｌ０記録膜２２に対して記
録を行う場合に用いる記録パワー（Ｐｗ０）よりも高く
設定する必要がある（Ｐｗ０＜Ｐｗ１）。
【００５８】また、本実施態様においては、Ｌ０層２０
における再結晶化現象を防止すべく、Ｌ０記録膜２２に
対して記録を行う場合のトップパルスのパルス幅Ｔｔｏ
ｐ０を、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合のトッ
プパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ１よりも短く設定すること
によって、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉を
さらに緩和し、再結晶化現象をより効果的に抑制してい
る。この場合、Ｔｔｏｐ１に比べてＴｔｏｐ０を短く設
定しすぎると、Ｌ０記録膜２２が融点に達しないおそれ
がある一方で、Ｔｔｏｐ０をＴｔｏｐ１に近い長さに設
定すると、熱干渉が十分に緩和されず、再結晶化現象が
発生してしまう。これらを考慮すれば、Ｔｔｏｐ０を、
Ｔｔｏｐ１に対して０．４０〜０．７５倍程度に設定す
ることが好ましく、０．４９〜０．５５倍程度に設定す
ることがより好ましく、０．５５倍程度に設定すること
が特に好ましい。Ｔｔｏｐ０とＴｔｏｐ１との関係をか
かる範囲に設定すれば、Ｌ０記録膜２２を融点以上の温
度に十分加熱することができるとともに、熱干渉を効果
的に緩和することが可能となる。尚、Ｔｌｐ０及びＴｌ
ｐ１については、それぞれＴｔｏｐ０及びＴｔｏｐ１と
同じ長さに設定すればよい。
【００５９】さらに、本実施態様においては、Ｌ０層２
０における再結晶化現象を防止すべく、Ｌ０記録膜２２
に対して記録を行う場合のマルチパルスのパルス幅Ｔｍ
ｐ０を、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合のマル
チパルスのパルス幅Ｔｍｐ１よりも短く設定することに
よって、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉をさ
らに緩和し、再結晶化現象をより効果的に抑制してい
る。この場合、Ｔｍｐ１に比べてＴｍｐ０を短く設定し
すぎると、Ｌ０記録膜２２が融点に達しないおそれがあ
る一方で、Ｔｍｐ０をＴｍｐ１に近い長さに設定する
と、熱干渉が十分に緩和されず、再結晶化現象が発生し
てしまう。これらを考慮すれば、Ｔｍｐ０を、Ｔｍｐ１
に対して０．４８〜０．５８倍程度に設定することが好
ましく、０．５０〜０．５３倍程度に設定することがよ
り好ましく、０．５０倍程度に設定することが特に好ま
しい。Ｔｍｐ０とＴｍｐ１との関係をかかる範囲に設定
すれば、Ｌ０記録膜２２を融点以上の温度に十分加熱す
ることができるとともに、熱干渉を効果的に緩和するこ
とが可能となる。
【００６０】さらに、本実施態様においては、Ｌ０層２
０における再結晶化現象を防止すべく、Ｌ０記録膜２２
に対して記録を行う場合の冷却期間Ｔｃｌ０を、Ｌ１記
録膜３２に対して記録を行う場合の冷却期間Ｔｃｌ１よ
りも長く設定することによって、冷却効果の低いＬ０層
２０における熱干渉をさらに緩和し、再結晶化現象をよ
り効果的に抑制している。この場合、Ｔｃｌ１に比べて
Ｔｃｌ０を長く設定しすぎると、Ｌ０記録膜２２におけ
る消去率が低下してしまう一方で、Ｔｃｌ０をＴｃｌ１
に近い長さに設定すると、熱干渉が十分に緩和されず、
再結晶化現象が発生してしまう。これらを考慮すれば、
Ｔｃｌ０をＴｃｌ１に対して１．２５〜２．００倍程度
に設定することが好ましく、１．２５〜１．５０倍程度
に設定することがより好ましく、１．２５倍程度に設定
することが特に好ましい。Ｔｃｌ０とＴｃｌ１との関係
をかかる範囲に設定すれば、消去率を実用上問題のない
レベルとすることができるとともに、熱干渉を効果的に
緩和することが可能となる。
【００６１】以上説明したＬ０層２０及びＬ１層３０に
それぞれ対応する記録ストラテジを特定するための情報
は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内
に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設
定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが
実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によりか
かる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて記
録ストラテジを決定することが可能となる。したがっ
て、例えば、ユーザがＬ０層２０に対するデータの記録
を指示した場合には、情報記録装置は記録パワー、消去
パワー及び基底パワーをそれぞれＰｗ０、Ｐｅ０及びＰ
ｂ０に設定するとともにトップパルスのパルス幅、マル
チパルスのパルス幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却
期間をそれぞれＴｔｏｐ０、Ｔｍｐ０、Ｔｌｐ０及びＴ
ｃｌ０に設定してデータの記録を行い、ユーザがＬ１層
３０に対するデータの記録を指示した場合には、情報記
録装置は記録パワー、消去パワー及び基底パワーをそれ
ぞれＰｗ１、Ｐｅ１及びＰｂ１に設定するとともにトッ
プパルスのパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラスト
パルスのパルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ１、
Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１に設定してデータの記
録を行う。
【００６２】記録条件設定情報としては、Ｌ０層２０及
びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジのみな
らず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合
に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必
要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設
定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたもの
でもよく、Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２に
データとして記録されたものでもよい。また、データの
記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情
報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のい
ずれかを指定することにより記録ストラテジの特定を間
接的に行うものであっても構わない。
【００６３】図７は、光記録媒体１０に対してデータの
記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に
示す図である。
【００６４】情報記録装置５０は、図７に示すように光
記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２
と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともに
その反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ
５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４
と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動
回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレ
ンズ駆動回路５６とを備えている。
【００６５】さらに、図７に示すように、コントローラ
５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキング
サーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が
含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化
すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォー
カスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回
路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している
信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動
追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びト
ラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲイン
を自動調整するためのオートゲインコントロール機能及
びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲイ
ンコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、
レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５に
より供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、
光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基
づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
【００６６】尚、これらフォーカスサーボ追従回路５
７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコント
ロール回路５９については、コントローラ５４内に組み
込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別
個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的
な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行さ
れるソフトウェアであっても構わない。
【００６７】このような構成からなる情報記録装置５０
を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデ
ータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０
に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これ
に基づいて記録ストラテジが決定される。したがって、
情報記録装置５０は、Ｌ０層２０に対してデータの記録
を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、
記録パワー、消去パワー及び基底パワーをそれぞれＰｗ
０、Ｐｅ０及びＰｂ０に設定するとともにトップパルス
のパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラストパルスの
パルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ０、Ｔｍｐ
０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０に設定してデータの記録を行
い、Ｌ１層３０に対してデータの記録を行う場合、読み
出された記録条件設定情報に基づき、記録パワー、消去
パワー及び基底パワーをそれぞれＰｗ１、Ｐｅ１及びＰ
ｂ１に設定するとともにトップパルスのパルス幅、マル
チパルスのパルス幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却
期間をそれぞれＴｔｏｐ１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴ
ｃｌ１に設定してデータの記録を行う。
【００６８】以上説明したように、本実施態様において
は、光入射面１３ａに近いＬ０層２０に対してデータの
記録を行う場合、レーザビームの記録パワーと消去パワ
ーとの比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）を光入射面１３ａから遠い
Ｌ１層３０に対してデータの記録を行う場合の当該比
（Ｐｅ１／Ｐｗ１）よりも小さく設定していることか
ら、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉を緩和
し、再結晶化現象を抑制することが可能となる。
【００６９】また、本実施態様においては、光入射面１
３ａに近いＬ０層２０に対してデータの記録を行う場
合、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０、マルチパルス
のパルス幅Ｔｍｐ０及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ
０を、光入射面１３ａから遠いＬ１層３０に対してデー
タの記録を行う場合のこれら幅Ｔｔｏｐ１、Ｔｍｐ１及
びＴｌｐ１よりも短く設定するとともに、Ｌ０層２０に
対してデータの記録を行う場合の冷却期間Ｔｃｌ０をＬ
１層３０に対してデータの記録を行う場合の冷却期間Ｔ
ｃｌ１よりも長く設定していることから、冷却効果の低
いＬ０層２０における熱干渉を緩和し、再結晶化現象を
抑制することが可能となる。
【００７０】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
【００７１】光記録媒体１０の作製 まず、図２に示したスタンパ４０を用いたポリカーボネ
ートの射出成形を行い、これによって、グルーブ１１ａ
の深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び０．３２μｍ
であり、厚さが１．１ｍｍである基体１１を作成した。
【００７２】次に、基体１１をスパッタリング装置（図
示せず）内に搬入し、基体１１のうちグルーブ１１ａ及
びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面にＡｇ合
金、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）、ＡｇＳｂＴｅＧ
ｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）をこの順でスパ
ッタリングすることによって、それぞれ厚さが１００ｎ
ｍ、１５ｎｍ、１２ｎｍ及び８０ｎｍである反射膜３
４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３２及び第３の誘
電体膜３１（Ｌ１層３０）を成膜した。
【００７３】次に、Ｌ１層３０が形成された基体１１を
スパッタリング装置から搬出した後、第３の誘電体膜３
１上に紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコートした。
そして、スピンコートした紫外線硬化性アクリル樹脂の
表面に、図４に示したスタンパ４１を被せた状態でスタ
ンパ４１を介して紫外線を照射した。これにより、グル
ーブ１２ａの深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び
０．３２μｍであり、厚さが２０μｍである中間層１２
を形成した。
【００７４】次に、Ｌ１層３０及び中間層１２が形成さ
れた基体１１をスパッタリング装置内に搬入し、グルー
ブ１２ａ及びランド１２ｂが形成されている中間層１２
のほぼ全面にＡｌ２Ｏ３、ＳｂＴｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ
２（８０：２０）をこの順でスパッタリングすることに
よって、それぞれ厚さが７０ｎｍ、８ｎｍ及び６０ｎｍ
である第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の
誘電体膜２１（Ｌ０層２０）を成膜した。
【００７５】次に、Ｌ１層３０、中間層１２及びＬ０層
２０が形成された基体１１をスパッタリング装置から搬
出した後、第１の誘電体膜２１上に紫外線硬化性アクリ
ル樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによっ
て、厚さが１００μｍである光透過層１３を形成した。
これにより光記録媒体前駆体が完成した。
【００７６】そして、かかる光記録媒体前駆体をレーザ
照射装置の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転さ
せながらトラックに沿った方向における長さが短く、且
つ、トラックに垂直な方向における長さが長い矩形状の
レーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１
回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向
にずらすことによって、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜
３２の実質的に全面を結晶状態に初期化した。これによ
り本実施例で用いる光記録媒体１０が完成した。
【００７７】レーザパワーの設定 このようにして作製された光記録媒体１０のＬ０記録膜
２２及びＬ１記録膜３２に対し、記録パワー（Ｐｗ）及
び消去パワー（Ｐｅ）を種々に変えて記録を行い、形成
された記録マークのジッタを測定した。ジッタは、タイ
ムインターバルアナライザによりクロックジッタを測定
し、その再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、ウィンド
ウ幅をＴｗとして、σ／Ｔｗ（％）により算出した。記
録においては、クロック周波数を６５．７ＭＨｚに設定
し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速度を５．７ｍ／
ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの変調方式により
混合信号の形成を行った。記録に用いたレーザビームの
波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集束するため
の対物レンズの開口数は０．８５である。
【００７８】また、Ｌ０記録膜２２への記録において
は、Ｔｔｏｐ０、Ｔｍｐ０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０をそ
れぞれ０．２Ｔ、０．２Ｔ、０．２Ｔ及び１．０Ｔに設
定し、Ｌ１記録膜３２への記録においては、Ｔｔｏｐ
１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１をそれぞれ０．４
Ｔ、０．４Ｔ、０．５Ｔ及び０．８Ｔに設定した。
【００７９】Ｌ０記録膜２２についての測定結果を表１
に示す。
【００８０】
【表１】 表１に示すように、Ｌ０記録膜２２への記録において
は、記録パワー（Ｐｗ０）が４．５ｍＷ〜５．０ｍＷで
あり、消去パワー（Ｐｅ０）が１．３ｍＷ〜１．５ｍＷ
である場合に良好なジッタが得られている。尚、記録パ
ワー（Ｐｗ０）及び消去パワー（Ｐｅ０）の値は、レー
ザビームを照射した際の盤面における値である（以下に
示す基底パワー（Ｐｂ０）の値も同様）。これにより、
Ｌ０記録膜２２への記録においては、記録パワー（Ｐｗ
０）と消去パワー（Ｐｅ０）との比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）
が０．２６〜０．３３程度である場合に良好なジッタが
得られることが分かった。
【００８１】図８は、記録パワー（Ｐｗ０）と消去パワ
ー（Ｐｅ０）との比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）とジッタとの関
係を示すグラフである。図８からは、記録パワー（Ｐｗ
０）と消去パワー（Ｐｅ０）との比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）
が０．２６〜０．３３程度である場合に良好なジッタが
得られていることがより明確に確認できる。また、図８
を参照すれば、Ｐｅ０／Ｐｗ０が０．３０程度である場
合に、非常に良好なジッタが得られていることが確認で
きる。
【００８２】Ｌ１記録膜３２についての測定結果を表２
に示す。
【００８３】
【表２】 表２に示すように、Ｌ１記録膜３２への記録において
は、記録パワー（Ｐｗ１）が９．５ｍＷ〜１０．０ｍＷ
であり、消去パワー（Ｐｅ１）が５．０ｍＷ〜６．５ｍ
Ｗである場合に良好なジッタが得られている。尚、記録
パワー（Ｐｗ１）及び消去パワー（Ｐｅ１）の値は、レ
ーザビームを照射した際の盤面における値である（以下
に示す基底パワー（Ｐｂ１）の値も同様）。これによ
り、Ｌ１記録膜３２への記録においては、記録パワー
（Ｐｗ１）と消去パワー（Ｐｅ１）との比（Ｐｅ１／Ｐ
ｗ１）が０．５０〜０．６８程度である場合に良好なジ
ッタが得られることが分かった。
【００８４】図９は、記録パワー（Ｐｗ１）と消去パワ
ー（Ｐｅ１）との比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）とジッタとの関
係を示すグラフである。図９からは、記録パワー（Ｐｗ
１）と消去パワー（Ｐｅ１）との比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）
が０．５０〜０．６８程度である場合に良好なジッタが
得られていることがより明確に確認できる。また、図９
を参照すれば、Ｐｅ１／Ｐｗ１が０．６０程度である場
合に、非常に良好なジッタが得られていることが確認で
きる。
【００８５】以上より、Ｐｅ０／Ｐｗ０を、Ｐｅ１／Ｐ
ｗ１に対して０．３８〜０．６６倍程度に設定すること
が好ましく、０．４４〜０．５５倍程度に設定すること
がより好ましく、０．５０倍程度に設定することが特に
好ましいことが分かった。
【００８６】パルス幅の設定 次に、上述のようにして作製された光記録媒体１０のＬ
０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対し、トップパルス
のパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ、
ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ及び冷却期間Ｔｃｌを種
々に変えて記録を行い、形成された記録マークのジッタ
を測定した。但し、本実施例では、トップパルスのパル
ス幅Ｔｔｏｐとラストパルスのパルス幅Ｔｌｐとを同じ
長さに設定していることから、以下の記載において、ト
ップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐとは、ラストパルスのパ
ルス幅Ｔｌｐをも指す。記録においては、上述したレー
ザパワーの設定時と同様、クロック周波数を６５．７Ｍ
Ｈｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速度を
５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの変調
方式により混合信号の形成を行った。記録に用いたレー
ザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集
束するための対物レンズの開口数は０．８５である。
【００８７】また、Ｌ０記録膜２２への記録においては
記録パワー（Ｐｗ０）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底
パワー（Ｐｂ０）をそれぞれ５．０ｍＷ、１．５ｍＷ及
び０．１ｍＷに固定し、Ｌ１記録膜３２への記録におい
ては記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び
基底パワー（Ｐｂ１）をそれぞれ１０．０ｍＷ、６．０
ｍＷ及び０．１ｍＷに固定した。
【００８８】測定においては、まず、トップパルスのパ
ルス幅Ｔｔｏｐ及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐを同
じ長さに設定してこれを種々の長さに変化させる一方
で、冷却期間Ｔｃｌの長さを固定して記録を行い、形成
された記録マークのジッタを測定した。
【００８９】Ｌ０記録膜２２についての測定結果を表３
に、Ｌ１記録膜３２についての測定結果を表４に示す。
【００９０】
【表３】
【００９１】
【表４】 表３に示すように、Ｌ０記録膜２２への記録において
は、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０及びマルチパル
スのパルス幅Ｔｍｐ０が０．２０Ｔである場合に最も良
好なジッタが得られている。また、表４に示すように、
Ｌ１記録膜３２への記録においては、トップパルスのパ
ルス幅Ｔｔｏｐ１及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ１
が０．４０Ｔである場合に最も良好なジッタが得られて
いる。
【００９２】次に、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及
びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐの一方を、上述のよう
にして得られたパルス幅（Ｌ０記録膜２２については
０．２０Ｔ、Ｌ１記録膜３２については０．４０Ｔ）に
固定し、他方を変化させて記録を行い、形成された記録
マークのジッタを測定した。
【００９３】Ｌ０記録膜２２についての測定結果を表５
に、Ｌ１記録膜３２についての測定結果を表６に示す。
【００９４】
【表５】
【００９５】
【表６】 表５に示すように、Ｌ０記録膜２２への記録において
は、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０を０．２０Ｔに
固定した場合には、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０が
０．２０Ｔ〜０．２２Ｔである場合に良好なジッタが得
られ、０．２０Ｔである場合に最も良好なジッタが得ら
れている。また、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０を
０．２０Ｔに固定した場合には、トップパルスのパルス
幅Ｔｔｏｐ０が０．１８Ｔ〜０．３０Ｔである場合に良
好なジッタが得られ、０．２２Ｔである場合に最も良好
なジッタが得られている。また、表６に示すように、Ｌ
１記録膜３２への記録においては、トップパルスのパル
ス幅Ｔｔｏｐ１を０．４０Ｔに固定した場合には、マル
チパルスのパルス幅Ｔｍｐ１が０．３８Ｔ〜０．４２Ｔ
である場合に良好なジッタが得られ、０．４０Ｔである
場合に最も良好なジッタが得られている。また、マルチ
パルスのパルス幅Ｔｍｐ１を０．４０Ｔに固定した場合
には、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ１が０．４０Ｔ
〜０．４５Ｔである場合に良好なジッタが得られ、０．
４０Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。
【００９６】次に、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及
びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐを、上述のようにして
得られた最適パルス幅（Ｌ０記録膜２２についてはそれ
ぞれ０．２２Ｔ及び０．２０Ｔ、Ｌ１記録膜３２につい
てはいずれも０．４０Ｔ）に固定し、冷却期間Ｔｃｌを
変化させて記録を行い、形成された記録マークのジッタ
を測定した。
【００９７】Ｌ０記録膜２２についての測定結果を表７
に、Ｌ１記録膜３２についての測定結果を表８に示す。
【００９８】
【表７】
【００９９】
【表８】 表７に示すように、Ｌ０記録膜２２への記録において
は、冷却期間Ｔｃｌ０が１．０Ｔ〜１．２Ｔである場合
に良好なジッタが得られ、１．０Ｔである場合に最も良
好なジッタが得られている。また、表８に示すように、
Ｌ１記録膜３２への記録においては、冷却期間Ｔｃｌ１
が０．６Ｔ〜０．８Ｔである場合に良好なジッタが得ら
れ、０．８Ｔである場合に最も良好なジッタが得られて
いる。
【０１００】このように、Ｌ０記録膜２２への記録にお
いては、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０（＝Ｔｌｐ
０）を０．１８Ｔ〜０．３０Ｔ、特に０．２２Ｔに設定
し、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０を０．２０Ｔ〜
０．２２Ｔ、特に０．２０Ｔに設定し、冷却期間Ｔｃｌ
０を１．０Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定すること
により、良好なジッタが得られることが分かった。ま
た、Ｌ１記録膜３２への記録においては、トップパルス
のパルス幅Ｔｔｏｐ１（＝Ｔｌｐ１）を０．４０Ｔ〜
０．４５Ｔ、特に０．４０Ｔに設定し、マルチパルスの
パルス幅Ｔｍｐ０を０．３８Ｔ〜０．４２Ｔ、特に０．
４０Ｔに設定し、冷却期間Ｔｃｌ０を０．６Ｔ〜０．８
Ｔ、特に０．８Ｔに設定することにより、良好なジッタ
が得られることが分かった。
【０１０１】以上より、Ｔｔｏｐ０（及びＴｌｐ０）を
Ｔｔｏｐ１（及びＴｌｐ１）に対して０．４０〜０．７
５倍程度に設定することが好ましく、０．４９〜０．５
５倍程度に設定することがより好ましく、０．５５倍程
度に設定することが特に好ましいことが分かった。ま
た、Ｔｍｐ０をＴｍｐ１に対して０．４８〜０．５８倍
程度に設定することが好ましく、０．５０〜０．５３倍
程度に設定することがより好ましく、０．５０倍程度に
設定することが特に好ましいことが分かった。さらに、
Ｔｃｌ０をＴｃｌ１に対して１．２５〜２．００倍程度
に設定することが好ましく、１．２５〜１．５０倍程度
に設定することがより好ましく、１．２５倍程度に設定
することが特に好ましいことが分かった。
【０１０２】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
【０１０３】例えば、上記実施態様においては、光記録
媒体１０が２つの記録層（Ｌ０層２０、Ｌ１層３０）を
備えている場合を例に説明したが、本発明の対象が記録
層を２層のみ有する光記録媒体に限定されるものではな
く、３層以上の記録層を有する光記録媒体に適用するこ
とも可能である。
【０１０４】この場合、レーザパワーの設定に関して
は、光入射面１３ａから最も遠い記録層についてのＰｅ
／Ｐｗに対して、その他の記録層のＰｅ／Ｐｗを小さく
（０．３８〜０．６６倍程度）に設定すればよく、光入
射面１３ａに近い記録層ほど、Ｐｅ／Ｐｗが段階的に小
さくなるように設定することが好ましい。また、パルス
幅の設定に関しては、光入射面１３ａから最も遠い記録
層についてのＴｔｏｐに対してその他の記録層のＴｔｏ
ｐ（及びＴｌｐ）を短く（０．４０〜０．７５倍程度）
に設定し、光入射面１３ａから最も遠い記録層について
のＴｍｐに対してその他の記録層のＴｍｐを短く（０．
４８〜０．５８倍程度）に設定し、光入射面１３ａから
最も遠い記録層についてのＴｃｌに対してその他の記録
層のＴｃｌを長く（１．２５〜２．００倍程度）に設定
すればよく、光入射面１３ａに近い記録層ほど、Ｔｔｏ
ｐ（及びＴｌｐ）及びＴｍｐが段階的に短くなり、Ｔｃ
ｌが段階的に長くなるように設定することが好ましい。
【０１０５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の情報記録層を有する光記録媒体に対してダイレク
トオーバーライトを行った場合に、良好な形状の記録マ
ークを形成することが可能となる。
【０１０６】尚、熱干渉の影響は、使用するレーザビー
ムの波長が短いほど顕著になるとともに、レーザビーム
を集光する対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きいほど顕
著となる。このため、本発明は、使用するレーザビーム
の波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レン
ズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が７００ｎｍ以
下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）で
あり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程度
である場合に特に効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体
１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図であ
る。
【図３】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図であ
る。
【図４】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図であ
る。
【図５】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図であ
る。
【図６】Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対してデ
ータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であ
り、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジ
であり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラ
テジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ス
トラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成す
る場合の記録ストラテジである。
【図７】光記録媒体１０に対してデータの記録を行うた
めの情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図であ
る。
【図８】記録パワー（Ｐｗ０）と消去パワー（Ｐｅ０）
との比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）とジッタとの関係を示すグラ
フである。
【図９】記録パワー（Ｐｗ１）と消去パワー（Ｐｅ１）
との比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）とジッタとの関係を示すグラ
フである。
【符号の説明】
１０ 光記録媒体 １１ 基体 １２ 中間層 １１ａ，１２ａ グルーブ １１ｂ，１２ｂ ランド １３ 光透過層 １３ａ 光入射面 ２０ Ｌ０層 ２１ 第１の誘電体膜 ２２ Ｌ０記録膜 ２３ 第２の誘電体膜 ３０ Ｌ１層 ３１ 第３の誘電体膜 ３２ Ｌ１記録膜 ３３ 第４の誘電体膜 ３４ 反射膜 ４０，４１ スタンパ ５０ 情報記録装置 ５２ スピンドルモータ ５３ ヘッド ５４ コントローラ ５５ レーザ駆動回路 ５６ レンズ駆動回路 ５７ フォーカスサーボ追従回路 ５８ トラッキングサーボ追従回路 ５９ レーザコントロール回路

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 積層された少なくとも第１及び第２の情
    報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面から少な
    くとも記録パワー（Ｐｗ）及び消去パワー（Ｐｅ）を含
    む複数のパワーに変調されたレーザビームを照射するこ
    とによって情報を記録する情報記録方法であって、前記
    レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光
    するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ に設定し、且つ、前記第１の情報記録層に対して情報の
    記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーとの
    比（Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報記録層に対して情
    報の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワー
    との比（Ｐｅ／Ｐｗ）よりも小さく設定して情報の記録
    を行うことを特徴とする情報記録方法。
  2. 【請求項２】 前記第１の情報記録層が前記第２の情報
    記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特徴
    とする請求項１に記載の情報記録方法。
  3. 【請求項３】 前記第１の情報記録層に対して情報の記
    録を行う場合のトップパルスのパルス幅及びマルチパル
    スのパルス幅の少なくとも一方を、前記第２の情報記録
    層に対して情報の記録を行う場合のトップパルスのパル
    ス幅及びマルチパルスのパルス幅の対応するものよりも
    短く設定して情報の記録を行うことを特徴とする請求項
    １または２に記載の情報記録方法。
  4. 【請求項４】 前記第１の情報記録層に対して情報の記
    録を行う場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に対
    して情報の記録を行う場合の冷却期間よりも長く設定し
    て情報の記録を行うことを特徴とする請求項１乃至３の
    いずれか１項に記載の情報記録方法。
  5. 【請求項５】 前記レーザビームの波長λが２００〜４
    ５０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいず
    れか１項に記載の情報記録方法。
  6. 【請求項６】 積層された少なくとも第１及び第２の情
    報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面から少な
    くとも記録パワー（Ｐｗ）及び消去パワー（Ｐｅ）を含
    む複数のパワーに変調されたレーザビームを照射するこ
    とによって情報を記録する情報記録方法であって、前記
    第１の情報記録層に対して情報の記録を行う場合の前記
    記録パワーと前記消去パワーとの比（Ｐｅ／Ｐｗ）を、
    前記第２の情報記録層に対して情報の記録を行う場合の
    前記記録パワーと前記消去パワーとの比（Ｐｅ／Ｐｗ）
    に対して０．３８〜０．６６倍に設定して情報の記録を
    行うことを特徴とする情報記録方法。
  7. 【請求項７】 前記第１の情報記録層が前記第２の情報
    記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特徴
    とする請求項６に記載の情報記録方法。
  8. 【請求項８】 前記第１の情報記録層に対して情報の記
    録を行う場合のトップパルスのパルス幅及びマルチパル
    スのパルス幅の少なくとも一方を、前記第２の情報記録
    層に対して情報の記録を行う場合のトップパルスのパル
    ス幅及びマルチパルスのパルス幅の対応するものよりも
    短く設定して情報の記録を行うことを特徴とする請求項
    ６または７に記載の情報記録方法。
  9. 【請求項９】 前記第１の情報記録層に対して情報の記
    録を行う場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に対
    して情報の記録を行う場合の冷却期間よりも長く設定し
    て情報の記録を行うことを特徴とする請求項６乃至８の
    いずれか１項に記載の情報記録方法。
  10. 【請求項１０】 前記レーザビームの波長をλとし、前
    記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数を
    ＮＡとした場合に λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ に設定して情報の記録を行うことを特徴とする請求項６
    乃至９のいずれか１項に記載の情報記録方法。
  11. 【請求項１１】 前記レーザビームの波長λが２００〜
    ４５０ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載の
    情報記録方法。
  12. 【請求項１２】 積層された少なくとも第１及び第２の
    情報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面から少
    なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び消去パワー（Ｐｅ）を
    含む複数のパワーに変調されたレーザビームを照射する
    ことによって情報を記録する情報記録装置であって、前
    記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集
    光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ であり、且つ、前記第１の情報記録層に対して情報の記
    録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーとの比
    （Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報記録層に対して情報
    の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーと
    の比（Ｐｅ／Ｐｗ）よりも小さく設定して情報の記録を
    行うことを特徴とする情報記録装置。
  13. 【請求項１３】 前記第１の情報記録層が前記第２の情
    報記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特
    徴とする請求項１２に記載の情報記録装置。
  14. 【請求項１４】 前記レーザビームの波長λが２００〜
    ４５０ｎｍであることを特徴とする請求項１２または１
    ３に記載の情報記録装置。
  15. 【請求項１５】 前記第１の情報記録層に対して情報の
    記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーとの
    比（Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報記録層に対して情
    報の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワー
    との比（Ｐｅ／Ｐｗ）に対して０．３８〜０．６６倍に
    設定して情報の記録を行うことを特徴とする請求項１２
    乃至１４のいずれか１項に記載の情報記録装置。
  16. 【請求項１６】 積層された少なくとも第１及び第２の
    情報記録層を備え、光入射面から入射される少なくとも
    記録パワー（Ｐｗ）及び消去パワー（Ｐｅ）を含む複数
    のパワーに変調されたレーザビームを照射することによ
    って情報の記録が可能な光記録媒体であって、前記レー
    ザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光する
    ための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ に設定し、且つ、前記第１の情報記録層に対して情報の
    記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワーとの
    比（Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報記録層に対して情
    報の記録を行う場合の前記記録パワーと前記消去パワー
    との比（Ｐｅ／Ｐｗ）よりも小さく設定して情報の記録
    を行うために必要な設定情報を有していることを特徴と
    する光記録媒体。
  17. 【請求項１７】 前記第１の情報記録層が前記第２の情
    報記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特
    徴とする請求項１６に記載の光記録媒体。
  18. 【請求項１８】 前記設定情報が、前記第１の情報記録
    層に対して情報の記録を行う場合の前記記録パワーと前
    記消去パワーとの比（Ｐｅ／Ｐｗ）を、前記第２の情報
    記録層に対して情報の記録を行う場合の前記記録パワー
    と前記消去パワーとの比（Ｐｅ／Ｐｗ）に対して０．３
    ８〜０．６６倍に設定して情報の記録を行うために必要
    な設定情報を含んでいることを特徴とする請求項１６ま
    たは１７に記載の光記録媒体。
  19. 【請求項１９】 前記レーザビームの光路となる光透過
    層を備え、前記光透過層の厚さが３０〜２００μｍであ
    ることを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか１項
    に記載の光記録媒体。
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