1272599 ⑴ 玖、發明說明 發明所屬之技術領域 本發明係關於對於光記錄媒體之資訊記錄方法，特別 是關於對於具有多數的資訊記錄層之覆寫型光記錄媒體之 資訊記錄方法。另外，本發明係關於在光記錄媒體記錄資 訊用之資訊記錄裝置，特別是關於在具有多數的資訊記錄 層之覆寫型光記錄媒體記錄資訊用之資訊記錄裝置。另 外，本發明係關於光記錄媒體，特別是關於具有多數的資 訊記錄層之覆寫型光記錄媒體。 先前技術 以往以來，以CD或DVD所代表之光記錄媒體被廣 泛利用爲記錄數位資料用之記錄媒體。要求於此種光記錄 媒體之記錄容量年年增加，爲了達成此要求，有種種之提 案被提出。被提出之此種提案之一爲將含於光記錄媒體之 資訊記錄層做成2層構造之手法，在再生專用之光記錄媒 體的DVD-Video或DVD-ROM中被實用化。於此種再生 專用的光記錄媒體中，形成在基板表面之預設凹坑便成爲 資訊記錄層，此種基板係具有介由中間層而積層之構造。 另外，近年來關於可由使用者進行資料重寫之光記錄 媒體（覆寫型光記錄媒體），資訊記錄層爲2層構造之形 式的光記錄媒體也被提出（參考日本專利特開 2001 -273 63 8號公報）。在資訊記錄層爲2層構造之覆寫型光 記錄媒體中，記錄膜及夾住其而形成之介電質膜（保護 •6- 1272599 (2) 膜）成爲資訊記錄層，此種資訊記錄層具有介由中間層而 積層之構造。 覆寫型光記錄媒體之記錄膜一般係使用相變化材料， 利用結晶狀態時和非晶質狀態時之反射率差，以進行資料 之記錄。即在未記錄狀態中，記錄膜之全面實質上爲結晶 狀態，在記錄資料時，記錄膜之特定部份變化爲非晶質狀 態，此成爲記錄標記。爲了使結晶狀態之相變化材料改變 爲非晶質狀態，可將其加熱至融點以上之溫度後，加以急 冷便可。反之，爲了將非晶質狀態之相變化材料改變爲結 晶狀態，可將其加熱至結晶化溫度以上之溫度後，予以急 冷即可。 此種加熱及急冷，可藉由調整雷射光束之功率（輸 出）而進行。即藉由調變雷射光束之強度，不單在未記錄 狀態之記錄膜記錄資料，也可在已經記錄某種資料之部份 直接覆寫（direct overwrite)不同資料。一般爲了將記錄 膜加熱至融點以上之溫度，雷射光束之功率被設爲以具有 記錄功率（Pw )至基底功率（Pb )之振幅的脈衝波形所 設定之功率，爲了急冷記錄膜，雷射光束之功率被設定爲 基底功率（Pb )。另外，爲了將記錄膜加熱至結晶化溫度 以上的溫度而予以徐冷，雷射光束之功率被設定爲消去功 率（Pe )。在此情形下，消去功率（Pe )係被設定爲記錄 膜結晶化溫度以上而未滿融點之溫度的等級，藉由此以進 行所謂之固相消去。 此處，在資訊記錄層爲2層構造之覆寫型光記錄媒體 -7- 1272599 (3) 中，藉由將雷射光束的焦點調整於其中一方的資訊記錄 層，以進行資料之記錄/再生，所以對於遠離光入射面側 之資訊記錄層（以下，稱爲「L1層」），在進行資料記 錄/再生時，成爲介由接近光入射面側之資訊記錄層（以 下，稱爲「L0層」）而照射雷射光。因此，L0層需要具 有足夠之光透過率，爲此，一般不在L0層設置反射膜， 或者即使設置反射膜時，其膜厚也被設定爲非常薄。 如此，在資訊記錄層爲2層構造之覆寫型光記錄媒體 中，由於不在L0層設置反射膜，或者即使有設置時，其 之膜厚也被設定爲非常薄，因此，與具有足夠膜厚之反射 膜的L1層層相比，會產生散熱性低，容易引起再結晶化 現象之問題。即反射膜之材料一般使用金屬，所以在L1 層層中，由雷射光束之照射所產生的熱，可介由熱傳導性 高的反射膜而快速散掉，反之，L0層不存在此種熱傳導 性高的層，或者爲非常薄之層，所以由雷射光束之照射所 產生的熱無法快速散掉，因此，在L0層中，記錄標記 (非晶質狀態）之形狀變形，而有無法獲得良好之再生信 號的問題。 特別是近年來，用於記錄/再生之雷射光束的波長 (λ )和聚焦雷射光束用之物鏡的數値孔徑（NA )之比 (λ / N A )在7 0 0 n m以下，例如ν Α在0.7以上，特別是 大至〇· 85之程度，而且藉由使此種雷射光束之波長λ短 至200〜45 Onm之程度’使雷射光束之聚光光點直徑小， 藉由此，以嘗試記錄大容量之數位資料。在此種藉由以高 -8- (4) 1272599 ΝΑ之物鏡以聚光短波常之雷射光束，以進行資料記錄/ 再生之系統中，聚光之雷射光束的每一單位面積之能量非 常高，所以上述L0層之熱干涉的影響變得顯著，容易產 生再結晶化現象。 發明內容 發明揭示 因此，本發明之目的在於提供：一種對於具有多數的 資訊記錄層之覆寫型光記錄媒體之資訊記錄方法，可形成 良好形狀之記錄標記的資訊記錄方法。 另外，本發明之其他目的在於提供：一種在具有多數 的資訊記錄層之覆寫型光記錄媒體記錄資訊用之資訊記錄 裝置，可形成良好形狀之記錄標記的資訊記錄裝置。 另外，本發明之進而其他的目的在於提供：一種具有 多數的資訊記錄層之覆寫型光記錄媒體，可以形成良好形 狀之記錄標記的光記錄媒體。 本發明之此種目的係藉由一種資訊記錄方法而達成， 係對於具備積層之至少第1及第2資訊記錄層之光記錄媒 體’藉由由光入射面照射被調變爲至少含記錄功率 (Pw )及消去功率（Pe )之多數功率的雷射光束，以記 錄資訊之資訊記錄方法，其特徵爲：設上述雷射光束之波 長爲λ ’聚光上述雷射光束用之物鏡的數値孔徑爲ΝΑ 時，設定爲： λ / ΝΑ $ 7〇〇nm， 1272599 (5) 而且，將對於上述第1資訊記錄層進行資訊記錄時的 上述記錄功率和上述消去功率之比（Pe/Pw )設定爲比對 於上述第2資訊記錄層進行資訊記錄時的上述記錄功率和 上述消去功率之比（Pe/Pw )小，以進行資訊記錄。 在本發明之合適的實施形態中，上述第1資訊記錄層 比上述第2資訊記錄層更位於上述光入射面側。 在本發明之另外的合適實施形態中，將對於上述第1 資訊記錄層進行資訊記錄時的頂級脈衝的脈衝寬及多脈衝 的脈衝寬的至少一方設定爲比對於上述第2資訊記錄層進 行資訊記錄時的頂級脈衝的脈衝寬及多脈衝的脈衝寬之相 對應者短，以進行資訊記錄。 在本發明之另外合適實施形態中，將對於上述第1資 訊記錄層進行資訊記錄時的冷卻期間設定爲比對於上述第 2資訊記錄層進行資訊記錄時的冷卻期間長，以進行資訊 記錄。 在本發明之另外合適實施形態中，上述雷射光束之波 長；I 爲 200〜450nm。 本發明之上述目的另外藉由一種資訊記錄方法而達 成，係對於具備積層之至少第1及第2資訊記錄層之光記 錄媒體，藉由由光入射面照射被調變爲至少含記錄功率 (Pw )及消去功率（Pe )之多數功率的雷射光束，以記 錄資訊之資訊記錄方法，其特徵爲··將對於上述第1資訊 記錄層進行資訊記錄時的上述記錄功率和上述消去功率之 比（Pe/Pw )設定爲對於上述第2資訊記錄層進行資訊記 -10 - 1272599 (6) 錄時的上述記錄功率和上述消去功率之比（Pe/Pw )爲 〇 · 3 8〜〇 · 6 6倍，以進行資訊記錄。 本發明之上述目的另外藉由一種資訊記錄裝置而達 成’係對於具備積層之至少第1及第2資訊記錄層之光記 錄媒體，藉由由光入射面照射被調變爲至少含記錄功率 (pw )及消去功率（pe )之多數功率的雷射光束，以記 錄資訊之資訊記錄裝置，其特徵爲：設上述雷射光束之波 長爲λ ，聚光上述雷射光束用之物鏡的數値孔徑爲ΝΑ 時’設定爲： λ / N A $ 700nm， 而且，將對於上述第1資訊記錄層進行資訊記錄時的 上述記錄功率和上述消去功率之比（Pe/Pw )設定爲比對 於上述第2資訊記錄層進行資訊記錄時的上述記錄功率和 上述消去功率之比（Pe/Pw )小，以進行資訊記錄。 本發明之上述目的另外藉由一種光記錄媒體而達成， 係具備積層之至少第1及第2資訊記錄層，藉由由光入射 面照射被調變爲至少含記錄功率（Pw )及消去功率 (Pe )之多數功率的雷射光束，可以記錄資訊之光記錄媒 體，其特徵爲具有··設上述雷射光束之波長爲λ ，聚光上 述雷射光束用之物鏡的數値孔徑爲ΝΑ時，設定爲： 入 / NAS 700nm， -11- 1272599 ⑺ 而且’將對於上述第1資訊記錄層進行資訊記錄時的 上述記錄功率和上述消去功率之比（Pe/Pw )設定爲比對 於上述第2資訊記錄層進行資訊記錄時的上述記錄功率和 上述消去功率之比（Pe/Pw )小，以進行資訊記錄所必要 之設定資訊。 在本發明之合適實施形態中，具備成爲上述雷射光束 的光路之光透過層，上述光透過層之厚度爲 30〜200 // 如依據本發明，即使在對於其中之一的資訊記錄層進 行直接覆寫時，也可以形成良好形狀之記錄標記。 實施方式 發明之實施形態 以下，一面參考所附圖面，一面詳細說明本發明之合 適實施形態。 第1圖係槪略顯示關於本發明之合適實施形態的光記 錄媒體1 〇之構造剖面圖。 如第1圖所示，關於本實施形態之光記錄媒體10係 具備：基體11、及中間層12、及光透過層13、及設置在 中間層12和光透過層13之間的L0層20、及設置在基體 11和中間層1 2之間的L1層3 0。L0層2 0係構成接近光 入射面13a側之資訊記錄層’係由第1介電質膜21、L0 記錄膜2 2及第2介電質膜2 3所構成。另外’ L1層3 0係 -12- (8) 1272599 膜 構 層 之 及 L1 功 爲 利 而 樹 特 不 距 台 20 溝 槽 爲 構成遠離光入射面1 3 a側之資訊記錄層，由第3介電質 31、L1記錄膜32、第4介電質膜33及反射膜34所 成。如此，關於本實施形態之光記錄媒體10係具有2 之資訊記錄層（L0層20及L1層30 )。 基體1 1係發揮確保光記錄媒體10的機械強度功能 厚度約1.1mm的圓盤狀基板，在其表面設置溝槽lla 平台lib。這些溝槽11a及/或者平台lib係發揮對於 層3 0進行資料記錄/再生時的雷射光束之導引磁軌之 能。雖無特別限制，但是溝槽1 1 a之深度以設定爲10 40nm爲佳，溝槽 11a之軌距以設定爲 0.2〜0.4// m 佳。基體11之材料可以使用種種之材料，例如，可以 用玻璃、陶瓷或者樹脂。在這些當中，由成形之容易性 言，以樹脂爲佳。此種樹脂可舉：聚碳酸酯樹脂、烯 脂、丙烯樹脂、環氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂 聚丙烯樹脂、矽樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、尿烷樹脂等 其中由加工性等之方面而言，以聚碳酸酯樹脂或烯樹脂 別好。但是，基體11並不成爲雷射光束之光路，所以 需要具有高的光透過性。 中間層12爲發揮使L0層20和L1層30具有足夠 離而分離之功能，在其表面設置溝槽12a及/或平 12b。這些溝槽12a及/或平台12b係發揮對於L0層 進行資料記錄/再生時的雷射光束之導引磁軌的功能。 槽12a之深度或軌距可設定爲與設置在基體之溝 11 a的深度或軌距相同程度。中間層1 2之厚度以設定 -13- 1272599 Ο) 約10〜50 // m爲佳。另外，中間層12之材料雖無特別限 制，但是以利用紫外線硬化性丙烯樹脂爲佳。中間層12 由於成爲對於L1層30進行資料記錄/再生時的雷射光束 的光路，所以需要具有足夠之光透過性。 光透過層13係成爲雷射光束之光路，同時也構成光 入射面l3a，其厚度以設定爲約30〜200 // m爲佳。光透 過層13之材料雖無特別限制，但是與中間層12相同，以 利用紫外線硬化性丙烯樹脂爲佳。如上述般，光透過層 13成爲雷射光束之光路，所以需要具有足夠之高光透過 性。 L0記錄膜22及L1記錄膜32兩者都是由相變化材料 所構成，利用在結晶狀態時的反射率和在非晶質狀態時的 反射率不同，以進行資料記錄。L0記錄膜22及L1記錄 膜32之具體材料雖無特別限制，但是以使用SbTe系材料 爲佳。SbTe系材料可以只爲SbTe，也可以利用添加In、 Te、Ge、Ag 等作爲添加物之 InSbTeGe 或 AglnSbTe、 AgSbTeGe、AglnSbTeGe 等。 此處，L0記錄膜22係在對於L1層30進行資料記錄 /再生時，成爲雷射光束之光路，所以需要具有足夠之光 透過性，因此，L0記錄膜22之膜厚與L1記錄膜32之膜 厚相比，係設定爲十分薄。具體爲，L1記錄膜3 2之膜厚 以設定爲約3〜20nm爲佳，L0記錄膜22之膜厚對於L1 記錄膜3 2之膜厚，以設定爲〇 · 3〜0.8倍爲佳。 夾住L0記錄膜22而設置的第1介電質膜21及第2 -14- 1272599 (10) 介電質膜23係作用爲L0記錄膜22之保護膜，夾住Ll 記錄膜32而設之第3介電質膜31及第4介電質膜33係 作用爲L1記錄膜32之保護膜。第1介電質膜21之厚度 以設定爲2〜200 nm爲佳，第2介電質膜23之厚度以設 定爲2〜200nm爲佳。第3介電質膜31之厚度以設定爲2 〜200nm爲佳，第 4介電質膜 33之厚度以設定爲 2~200nm 爲佳 。 另外，這些第1介電質膜21〜第4介電質膜33可以 爲由1層介電質膜所形成之單層構造，也可由2層以上之 介電質膜所形成之積層構造。這些第1介電質膜21〜第4 介電質膜 33之材料並無特別限制，以使用：Si02、 Si304、Al2〇3、AIN、TaO、ZnS、Ce02 等、Si、Al、Ta、 Zn之氧化物、氮化物、硫化物、碳化物或者彼等之混合 物爲佳。 反射膜34係發揮反射由光入射面13a射入之雷射光 束，再度由光入射面13a射出之功能，其厚度以設定爲 2 0〜2 0 0 n m爲佳。反射膜3 4之材料雖無特別限制，但是 以使用以Ag或A1爲主成分的合金爲佳，也可以使用Au 或Pt等。另外，爲了防止反射膜34之腐蝕，也可在反射 膜34和基體1 1之間設置防濕膜。此種防濕膜可以利用與 第1介電質膜21〜第4介電質膜33相同之材料。另外， L〇層20雖不具備反射膜，但是在L0層20設置3〜15nm 程度之薄反射膜也沒有關係。在此情形下，此種反射膜之 材料可以使用與反射膜34相同之材料。 -15- 1272599 (11) 於再生記錄於具有此種構造的光記錄媒體10之資料 時，由光入射面13a照射具有200〜45 Onm之波長的雷射 光束，檢測出該反射光量。如上述般，L0記錄膜22及 L1記錄膜32係由相變化材料所構成，在結晶狀態時和非 晶質狀態時，光反射率不同，所以由光入射面1 3 a照射雷 射光，使聚焦於L0記錄膜22及L1記錄膜32之一方， 藉由檢測出其之反射光量，可以判別被照射到雷射光束之 •部份的L0記錄膜22或者L1記錄膜32係屬結晶狀態或 者非晶質狀態。 在對於光記錄媒體10進行資料記錄時，也由光入射 面13a照射具有200〜450nm波長之雷射光束，使聚焦於 L0記錄膜22或者L1記錄膜32，依據應記錄之資料，如 加熱L0記錄膜22或者L1記錄膜32之特定部份成爲融 點以上之溫度後，予以急冷，如將該部份之狀態變成非晶 質狀態，L0記錄膜22或者L1記錄膜32之特定部份加熱 爲結晶化溫度以上之溫度後，予以急冷，該部份之狀態變 成結晶狀態。成爲非晶質狀態之部份稱爲「記錄標記」， 記錄資料係形成在由記錄標記的起始點至終點爲止的長度 及由終點至下一記錄標記的起始點爲止之長度。各記錄標 記之長度及記錄標記間的長度（邊緣間）並無特別限制， 但是在採用（1、7 ) RLL之調變方式時，係設定爲對應 2T〜8T(T爲時鐘週期）之長度之一。另外，在之後對對於 L0記錄膜22進行資料時的脈衝列樣式及對於L1記錄膜 32記錄資料時之脈衝列樣式才加以敘述。 -16- 1272599 (12) 在對於L1層30進行資料記錄/再生時，雷射光束透 過LO層20而照射於L1記錄膜32。因此，L0層20需要 具有足夠之光透過性，如上述般，與L1記錄膜32之膜厚 相比，L0記錄膜22之膜厚需要設定爲相當薄。 接著，說明關於本實施形態之光記錄媒體1 〇的製造 方法。 第2圖〜第5圖係顯示光記錄媒體10之製造方法的 工程圖。 首先，如第2圖所示，利用壓模40以射出成形具有 溝槽11a及平台lib之基體11。接著，如第3圖所示， 藉由濺鍍法在基體11之中的形成溝槽11a及平台lib之 面的幾乎全面依序形成反射膜34、第4介電質膜33、L1 記錄膜32及第3介電質膜31。藉由此，完成L1層30。 另外，在濺鍍後的L1記錄膜32之狀態通常係非晶質狀 態。 接著’如第4圖所示，在L1層30上旋轉塗佈紫外線 硬化性樹脂，在其表面覆蓋壓模4 1之狀態下，藉由透過 壓模4 1而照射紫外線，形成具有溝槽1 2 a及平台1 2 b之 中間層12。接著，如第5圖所示，藉由濺鍍法在形成有 溝槽12a及平台12b之中間層12的幾乎全面依序形成第 2介電質膜23、L0記錄膜22及第〗介電質膜21。藉由 此’完成L0層20。另外，濺鍍後的l〇記錄膜22的狀態 通常爲非晶質狀態。 而且’如第1圖所示般，在L0層2 0上旋轉塗佈紫外 -17· 1272599 (13) 線硬化性樹脂，藉由照射紫外線，形成光透過層13。藉 由以上工程，完成全部之成膜工程。在本說明書中，將完 成成膜工程之狀態的光記錄媒體稱爲「光記錄媒體前驅 體」。 接著，將光記錄媒體前驅體載置於雷射照射裝置之旋 轉盤（未圖示出），一面旋轉一面連續照射沿著磁軌方向之 長度短，且垂直於磁軌方向之長度長的矩形狀的雷射光 束，藉由光記錄媒體前驅體每一旋轉便將照射位置對於磁 軌在垂直方向錯開，於L0記錄膜22及L1記錄膜32之 幾乎全面照射矩形狀的雷射光束。藉由此，構成L0記錄 膜22及L1記錄膜3 2。相變化材料被加熱至結晶化溫度 以上的溫度，之後慢慢冷卻之故，L0記錄膜22及L1記 錄膜32之全面實質上成爲結晶狀態，即成爲未記錄狀 態。此種工程一般稱爲「起始化工程」。 此種起始化工程一結束，便完成光記錄媒體1 0。 對於如此製造之光記錄媒體1〇，如上所述’藉由將 雷射光束之焦點對準L0記錄膜22及L1記錄膜32之其 一，而形成記錄標記，可以記錄所期望之數位資料。另 外，在光記錄媒體10之L0記錄膜22及/或L1記錄膜 32記錄資料後，如上所述，將雷射光束之焦點對準L0記 錄膜22及L1記錄膜32之其一，藉由檢測其之反射光 量，可以再生所記錄之數位資料。 接著，說明對於L0記錄膜22進行資料記錄時之脈衝 列樣式及對於L1記錄膜32進行資料記錄時之脈衝列樣 -18- 1272599 (14) 式。 第6圖係顯示對於L0記錄膜22及L1記錄膜32進 行資料記錄時的脈衝列樣式之波形圖，（a )係形成2T信 號時，（b )係形成3T信號時，（c )係形成4T信號時’ (d )係形成5T信號〜8T信號時。 如第6 ( a )〜（d)圖所示，在本實施形態中，在對於 L0記錄膜22及L1記錄膜32進行資料記錄時’雷射光束 之強度係調變爲由記錄功率（)、消去功率（Pe )及 基底功率（Pb )所形成之3種強度（3値）。記錄功率 (Pw )之強度係設定爲藉由照射，L0記錄膜22或L1記 錄膜32融化之高位準，在對於L0記錄膜22之記錄中’ 係設定爲PwO，在對於L1記錄膜32之記錄中，係設定爲 P w 1。另外，消去功率（Pe )之強度係設定爲藉由照射’ LO記錄膜2 2或L1記錄膜3 2到達結晶化溫度以上之溫度 的位準，在對於L0記錄膜22之記錄中，設定爲PeO，在 對於L1記錄膜32之記錄中，設定爲Pel。另外，基底功 率（Pb )之強度係設定爲即使被照射，融化之L0記錄膜 22或L1記錄膜32也會冷卻之低位準，在對於L0記錄膜 2 2之記錄中，設定爲P b 0，在對於L1記錄膜3 2之記錄 中，設定爲Pbl。 在以後敘述這些記錄功率（PwO、Pwl )、消去功率 (PeO、Pel )、及基底功率（PbO、Pbl )的詳細，在只單 單指記錄功率（Pw )、消去功率（Pe )及基底功率 (Pb )時，於對於L0記錄膜22之記錄時，係分別指記錄 -19- 1272599 (15) 功率（PwO )、消去功率（Pe〇 )及基底功率（PbO )，在 對於L1記錄膜32之記錄時，分別指記錄功率（Pwl )、 消去功率（Pel )及基底功率（Pbl )。 首先，如第6 ( a )圖所示，在對於L0記錄膜22及. L1記錄膜3 2形成2T信號時，雷射光束之脈衝數係設定 爲「1」，之後，插入冷卻期間Tel。雷射光束之脈衝數 係由雷射光束之強度被提高至記錄功率（Pw )之次數所 定義。另外，在本詳細說明書中，雷射光束之脈衝中，定 義前端脈衝爲第一脈衝（top pulse )，最終脈衝爲最後脈 衝，存在於第一脈衝和最後脈衝之間的脈衝爲多脈衝。但 是，如第6 ( a )圖所示，脈衝數爲「1」時，該脈衝即爲 第一脈衝。 另外，在冷卻期間Tel中，設定雷射光束之強度爲基 底功率（Pb )。如此，在本詳細說明書中，將雷射光束之 強度設定爲基底功率（Pb )之最後的期間定義爲冷卻期 間。因此，在形成2T信號時，雷射光束之強度在時序 til以前，係設定爲消去功率（Pe)，在時序til至時序 T12之期間（Ttop )中，設定爲記錄功率（Pw )，時序 tl2至時序U3之期間（Tci )中，設定爲基底功率 (Pb)，在時序U3以後，設定爲消去功率（Pe)。 另外’如第6 ( b )圖所示，在對於L0記錄膜22及 L1記錄膜32形成3T信號時，雷射光束之脈衝數係設定 爲「2」，之後，插入冷卻期間Tel。因此，在形成3T信 號時’雷射光束之強度在時序t2 1以前，設定爲消去功率 -20- (16) 1272599 (Pe)，在時序t21至時序t22之期間（Ttop)及t23至 時序t24之期間（Tip )中，設定爲記錄功率（Pw )，時 序t22至時序t23之期間（Toff)及時序t24至時序t25 之期間（Tel )中，設定爲基底功率（Pb )，在時序t25 以後，設定爲消去功率（P e )。 另外如第6 ( c )圖所示，在對於L0記錄膜22及L1 記錄膜3 2形成4T信號時，雷射光束之脈衝數設定爲 「3」，之後，插入冷卻期間Tel。因此，在形成4T信號 時，雷射光束之強度在時序t3 1以前，設定爲消去功率 (Pe )，在時序t31至時序t32之期間（Ttop )、時序 t33至時序t34之期間（Tmp )及時序t35至時序t36之期 間（Tip)中，設定爲記錄功率（Pw)，時序t32至時序t33 之期間（Toff)、時序t34至時序t35之期間（Toff)及 時序t36至時序t37之期間（Tel)中，設定爲基底功率 (Pb )，時序t37以後，設定爲消去功率（pe )。 而且，如第6 ( d )圖所示，在對於L0記錄膜22及 L1記錄膜32形成5T信號〜8T信號時，雷射光束之脈衝 數分別設定爲「4」〜「7」，之後，插入冷卻期間Tel。 因此，多脈衝之數目在形成5 T信號〜8 T信號時，分別設 定爲「2」〜「5」。在此情形下，Ttop(時序t41至時序 t42之期間）、Tmp(時序t43至時序t44之期間、時序t45 至時序t46之期間等）及Tip之期間（時序t47至時序t48 之期間）中，設定爲記錄功率（Pw )，在關閉期間 Toff(時序M2至時序t43之期間、時序t46至時序t.47之 -21 - 1272599 (17) 期間等）及冷卻期間Tel(時序t48至時序t49之期間）中， 設定爲基底功率（Pb )，在其他期間中，設定爲消去功率 (Pe )。 藉由·以上，在應形成記錄信號（2T信號〜8T信號） 之區域中，藉由具有記錄功率（Pw)之雷射光束的照射而融 化之L0記錄膜22或L1記錄膜32在冷卻期間Tel中被急 冷’成爲非晶質狀態。另一方面，在其他區域中，藉由具 有消去功率（Pe )之雷射光束的照射，L0記錄膜22或者 L1記錄膜32被加熱至結晶化溫度以上之溫度，之後，藉 由雷射光束遠離而被逐漸冷卻，而成爲結晶狀態。 此處，在對於L0記錄膜22記錄時，第一脈衝之脈衝 寬Ttop、多脈衝之脈衝寬Tmp、最後脈衝之脈衝寬τίρ及 冷卻期間Tel在形成任一種記錄信號（2T〜8T)時，都分 別設定爲一定。以下，將對L0記錄膜22進行記錄時的第 一脈衝的脈衝寬、多脈衝的脈衝寬、最後脈衝的脈衝寬及 冷卻期間分別稱爲TtopO、TmpO、TlpO及TclO。同樣 地，在對於L1記錄膜32之記錄時，第一脈衝之脈衝寬 Ttop、多脈衝之脈衝寬Tmp、最後脈衝之脈衝寬Tip及冷 卻期間Tel在形成任—種記錄信號（2T〜8T)時，都分別 設定爲一定，以下，將對L1記錄膜32進行記錄時的第一 脈衝的脈衝寬、多脈衝的脈衝寬、最後脈衝的脈衝寬及冷 卻期間分別稱爲Ttop 1、Tmp 1、Tip 1及Tell。但是，在 單單稱爲Ttop、Tmp、τίρ及Tel時，在對於L0記錄膜 22之5己錄時’保分別指Tt〇p〇、TmpO、TlpO及TclO，在 -22- 1272599 (18) 對於L1記錄膜32之記錄時，分別指Ttopl、Tmpl、Tlpl 及 Tell。 如上述般，在L0層20不設置反射膜，或者即使設置 時.，其膜厚也設定爲非常薄（3〜15nm .程度），另一方 面，在L1層30設置厚度20〜20Onm之反射膜34，所以 L0層20與L1層相比，散熱性低，容易引起再結晶化現 象。 考慮此點，在本實施形態中，爲了防止L0層20之再 結晶化現象，藉由將對於L0記錄膜22進行記錄時的記錄 功率（PwO)和消去功率（pe〇)之比（pe0/pw0)設定爲 比對於L1記錄膜32進行記錄時之記錄功率（Pwl )和消 去功率（Pel )之比（Pel/Pwl )小，緩和冷卻效果低之 L0層20的熱干涉，得以抑制再結晶化現象。在此情形， 對於Pel/Pwl，如設定Pe0/Pw0成爲太小時，L0記錄膜 22的消去率降低外，反之，如將pe〇/Pw0設定爲接近 Pel/Pwl之値，熱干涉無法足夠得到緩和，會發生再結晶 化現象。如考慮及此，以將Pe0/Pw0對於Pel/Pwl設定爲 0.38〜0.66倍之程度爲佳，如設定爲0.44〜0.55倍之程度 更好，如設定爲〇 · 5 0倍之程度特別好。如將p e 〇 / p w 〇和 P e 1 /Pw 1之關係設定在此種範圍，可使消去率成爲實用上 沒有問題之水準，同時，可以有效緩和熱干涉。 但是’在對於L1記錄膜32進行記錄時，雷射光束係 透過L0層20而照射於L1記錄膜32，所以到達li記錄 膜32之雷射光束有相當衰減。因此，爲了使L1記錄膜 -23- 1272599 (19) 於 高 晶 衝 的 低 此 記 接 晶 • 40 更 之 融 於 長 晶 的 多 L0 情 膜 3 2充分融化，記錄功率（pw 1 )之位準需要設定爲比對 L0 錄膜22進行記錄時所使用的記錄功率（pw〇)還 (PwO<Pwl) 〇 另外，在本實施形態中，爲了防止L0層20之再結 化現象’藉由將對於L0記錄膜22進行記錄時的第一脈 的脈衝寬TtopO設定爲比對於L1記錄膜32進行記錄時 第一脈衝的脈衝寬T t ο p 1還短，可進一步緩和冷卻效果 的L0層20之熱干涉，可更有效抑制再結晶化現象。在 情形，與Ttopl相比，如將TtopO設定爲太短，有L0 錄膜22無法達到融點之虞，反之，如將TtopO設定爲 近Ttop 1之長度，則熱干涉無法充分緩和，會發生再結 化現象。如考慮及此，以將TtopO對於Ttopl設定爲〇 〜〇·75倍之程度爲佳，如設定爲0.49〜0.55倍之程度 號，如設定爲〇 · 5 5倍則特別好。如將τ t ο p 0和T t ο p 1 關係設定爲此種範圍，可以將L0記錄膜2 2充分加熱至 點以上之溫度，同時’可以有效緩和熱干涉。另外，關 TlpO及Tlpl，可以分別設定爲與TtopO及Ttop 1相同 度。 另外，在本實施形態中，爲了防止L0層20之再結 化現象，藉由將對於L0記錄膜22進行記錄時的多脈衝 脈衝寬Τ p 0設定爲比對於L 1記錄膜3 2進行記錄時的 脈衝的脈衝寬T m p 1短，可以進~步緩和冷卻效果低之 層2 0的熱干涉’得以更有效抑制再結晶化現象。在此 形，與Tmpl相比，如將TmpO設定爲太短，有l〇言己錄 -24- 1272599 (20) 22未達融點之虞，反之，如將TmpO設定爲接近Tmpl之 長度’熱干涉無法充分緩和，會發生再結晶化現象。如考 慮及此，以將TmpO對U Tmpl設定爲0.48〜0.58倍之程 度爲佳，如設定爲0.50〜0.53倍之程度更好，如齔定爲 0.50倍之程度特別好。如將TmpO和Tmpl之關係設定爲 此種範圍，可將L0記錄膜22充分加熱至融點以上之溫 度，同時可以有效緩和熱干涉。 另外，在本實施形態中，爲了防止L0層20之再結晶 化現象，藉由將對於L0記錄膜22進行記錄時的冷卻期間 TclO設定爲比對於L1記錄膜32進行記錄時的冷卻期間 Tell長，可進一步緩和冷卻效果低之L0層20的熱干 涉，得以更有效抑制再結晶化現象。在此情形，與Tel 1 相比，如將TclO設定爲太長，則L0記錄膜22之消去率 降低，反之，如將TclO設定爲接近Tell之長度，則熱干 涉無法充分緩和，會發生再結晶化現象。如考慮及此，以 將TclO對於Tell設定爲1.25〜2.00倍程度爲佳，如設定 爲 1.25〜1.50倍之程度更好，如設定爲1.25倍則特別 好。如將TclO和Tell之關係設定在此種範圍，可使消去 率成爲實用上沒有問題之水準，同時，可以有效緩和熱干 涉。 界定分別對應以上說明之L0層20及L1層30的脈 衝列樣式用之資訊最好以「記錄條件設定資訊」而保存在 該光記錄媒體1〇內。如將此種記錄條件設定資訊保存在 光記錄媒體1 〇內，使用者在實際進行資料記錄時，由資 -25- 1272599 (21) 訊記錄裝置讀出此種記錄條件設定資訊，基於此，可決定 脈衝列樣式。因此，例如使用者在指示對於L0層20之資 料記錄時，資訊記錄裝置將記錄功率、消去功率及基底功 率分別設定爲PwO、PeO及PbO，同時將第一脈衝之脈衝 寬、多脈衝之脈衝寬、最後脈衝之脈衝寬及冷卻期間分別 設定爲TtopO、TmpO、TlpO及TclO以進行資料記錄，在 使用者指示對於L1層30之資料記錄時，資訊記錄裝置將 記錄功率、消去功率及基底功率分別設定爲Pwl、Pel及 Pb 1，同時將第一脈衝之脈衝寬、多脈衝之脈衝寬、最後 脈衝之脈衝寬及冷卻期間分別設定爲Ttopl、Tmpl、Tlpl 及Tell以進行資料記錄。 記錄條件設定資訊不單是分別對應L0層20及L1層 30之脈衝列樣式，以含有界定在對於光記錄媒體10進行 資料記錄時所必要的各種條件（記錄線速度等）所必要之 資訊更好。記錄條件設定資訊可以擺動或預設凹坑予以記 錄，也可在L0記錄膜22及/或L1記錄膜32以資料方 式予以記錄。另外，不單是直接顯示資料記錄所必要之各 條件，也可藉由指定預先儲存在資訊記錄裝置內之各種條 件之一，而間接進行脈衝列樣式之界定。 第7圖係槪略顯示對於光記錄媒體10進行資料記錄 之資訊記錄裝置5 0的主要部位圖。 如第7圖所示，資訊記錄裝置50係具備：旋轉光記 錄媒體10用之主軸馬達5 2，及對光記錄媒體10照射雷 射光束，同時接收其之反射光的雷射頭5 3，及控制主軸 -26- 53 1272599 (22) 馬達52及雷射頭53的動作之控制器54，及對雷射頭 供給雷射驅動信號的雷射驅動電路55，及對雷射頭53 給透鏡驅動信號的透鏡驅動電路5 6。 另外，如第7圖所示，控制器54中含：聚焦伺服 蹤電路5 7、追跡伺服追蹤電路5 8及雷射控制電路5 9。 焦伺服追蹤電路5 7 —經活化，即成爲在旋轉的光記錄 體1 〇之記錄面對焦之狀態，追跡伺服追蹤電路5 8 —經 化，雷射光束之光點對於光記錄媒體1〇之偏心的信號 軌成爲自動追蹤狀態。聚焦伺服追蹤電路5 7及追跡伺 追蹤電路5 8係分別具備：自動調整聚焦增益用的自動 益控制機能及自動調整追跡增益用之自動增益控制機能 另外，雷射控制電路5 9係產生由雷射驅動電路5 5所供 之雷射驅動信號的電路，基於記錄在光記錄媒體1〇之 錄條件設定資訊，產生適當之雷射驅動信號。 另外，關於這些聚焦伺服追蹤電路5 7、追跡伺服 蹤電路5 8及雷射控制電路5 9，並不需要爲組裝在控制 54內之電路，也可有別於控制器54而爲另外的構件。 外，這些也不必要爲實體電路，也可以爲在控制器5 4 所實行的軟體。 利用此種構造之資訊記錄裝置5 0而對本實施形態 光記錄媒體10進行資料記錄時，如上述般’讀出記錄 光記錄媒體1 〇之記錄條件設定資訊，基於此’決定脈 列樣式。因此，資訊記錄裝置50在對於L0層20進行 料記錄時，基於所讀出之記錄條件設定資訊’分別將記 供 追 聚 媒 活 磁 服 增 〇 給 記 追 器 另 內 之 在 衝 資 錄 -27- 1272599 (23) 功率、消去功率及基底功率設定爲Pw〇、Pe〇及Pb〇，同 時將第一脈衝的脈衝寬、多脈衝的脈衝寬、最後脈衝的脈 衝寬及冷卻期間分別設定爲 TtopO、TmpO、TlpO及 TclO ’以進行資料記錄，在對於L1層30進行資料記錄 時’基於所讀出之記錄條件設定資訊，分別將記錄功率、 消去功率及基底功率設定爲Pwl、Pel及Pbl，同時將第 一脈衝的脈衝寬、多脈衝的脈衝寬、最後脈衝的脈衝寬及 冷卻期間分別設定爲Ttopl、Tmpl、Tlpl及Tell，以進 行資料記錄。 如以上說明的，在本實施形態中，在對於接近光入射 面1 3 a之L0層20進行資料記錄時，將雷射光束之記錄功 率和消去功率之比（PeO/PwO )設定爲比對於遠離光入射 面13a之L1層30進行資料記錄時的該比（Pel/Pwl )還 小，所以可緩和冷卻效果低之L0層20的熱干涉，能夠抑 制再結晶化現象。 另外，在本實施形態中，在對於接近光入射面13 a之 L0層20進行資料記錄時，將第一脈衝的脈衝寬TtopO、 多脈衝的脈衝寬TmpO及最後脈衝的脈衝寬TlpO設定爲 比對於遠離光入射面13a之L1層30進行資料記錄時的這 些脈衝寬Ttopl、Tmpl及Tlpl還短’同時，將對於L0 層20進行資料記錄時之冷卻期間Tcl0設定爲比對於L1 層3 0進行資料記錄時的冷卻期間T cl 1還長’所以可緩和 冷卻效果低之L0層20的熱千涉’可以抑制再結晶化現 象。 -28- 1272599 (24) 本發明並不限定於以上之實施形態，在申請專利範圍 所記載之發明的範圍內，可有種種之變更，彼等不用說也 含於本發明之範圍內。 例如，在上述實施形態中，光記錄媒體10雖以具備 2種資訊記錄層（L0層20、L1層30 )時爲例而做說明， 但是本發明之對象並不限定於只具有2層資訊記錄層之光 記錄媒體，也可以適用於具有3層以上之資訊記錄層的光 記錄媒體。 在此情形下，關於雷射功率之設定，對於最遠離光入 射面13a之資訊記錄層的Pe/Pw，可將其他資訊記錄層之 Pe/Pw設定爲小（0.38〜0.66倍之程度），愈接近光入射 面13a之資訊記錄層其Pe/Pw以設定爲階段地變小爲佳。 另外，關於脈衝寬之設定，對於最遠離光入射面1 3 a之資 訊記錄層的Ttop，將其他之資訊記錄層之Ttop(及Tip)設 定爲短（0·40〜0.75倍程度），對於最遠離光入射面13a 之資訊記錄層的Tmp，將其他之資訊記錄層的Tmp設定 爲短（0.48〜0.58倍之程度），對於最遠離光入射面13a 之資訊記錄層之Tel，將其他資訊記錄層之Tel設定爲長 (1.25〜2.00倍之程度）即可，愈接近光入射面13a之資 訊記錄層，以其Ttop(及T】p)及Tmp階段地變短，Tel階 段地變長而做設定爲佳。 如以上說明過的，如依據本發明，在對於具有多數的 資訊記錄層的光記錄媒體，進行直接覆寫時，可以形成良 好形狀之記錄標記。 -29- 1272599 (25) 另外，熱千涉之影響在使用之雷射光束的波長愈短而 變得愈顯著，同時，聚焦雷射光束之物鏡的數値孔徑 (N A )愈大而變得愈顯著。因此，本發明在使用之雷射 光束的波長（λ )和聚焦雷射光束用之物鏡的數値孔徑 (N A )的比（又/ N A )爲7 0 0 n m以下，例如ν Α爲0 · 7 以上（特別是0.85之程度），雷射光束之波長又爲〗^〜 450nm之程度時，特別有效。 實施例 以下，具體說明本發明之實施例。 光記錄媒體1〇之製作 首先，進行利用第2圖所示之壓模4 0的聚碳酸酯的 射出成形，藉由此，製作完成溝槽1 1 a之深度及軌距分別 爲34nm及0.32//m，厚度爲1.1mm之基體11。 接著，將基體11搬入濺鍍裝置（未圖示出），在基 體11中，於形成有溝槽11a及平台lib之面的幾乎全面 將Ag合金、ZnS和Si02之混合物（莫耳比=8〇:20)、 AgSbTeGe及ZnS和Si02之混合物（莫耳比= 80: 20)以 此順序予以濺鍍，分別形成厚度1 0 0 n m、1 5 n m、1 2 n m及 8 Onm之反射膜34、第4介電質膜33、LI記錄膜32及第 3介電質膜31(L1層30)。 接著，將形成L1層30之基體由濺鍍裝置搬出 後’在第3介電質膜3 1上旋轉塗佈紫外線硬化性丙烯樹 月旨。而且，在旋轉塗佈之紫外線硬化性丙烯樹脂的表面覆 -30- 1272599 (26) 蓋第4圖所示之壓模4 1的狀態下’透過壓模4 1而照射紫 外線。藉由此，形成溝槽l2a之深度及軌距分別爲34nm 及〇.32//m，厚度20//m之中間層12。 接著，將形成有L1層30及中間層12的基體11搬入 濺鍍裝置內，在形成有溝槽12a及平台12b之中間層12 的幾乎全面將Al2〇3、SbTe及ZnS和Si02之混合物（莫 耳比=80 : 20 )以此順序予以濺鍍，分別形成厚度7〇nm、 8nm及60nm之第2介電質膜23、L0記錄膜22及第1介 電質膜21 ( L0層20)。 接著，將形成有L1層30、中間層I2及L0層2〇之 基體11由濺鍍裝置搬出後，在第1介電質膜21上旋轉塗 佈紫外線硬化性丙烯樹脂，藉由照射紫外線，形成厚度 1〇〇 // m之光透過層13。藉由此，完成光記錄媒體前驅 體。 而且，將此種光記錄媒體前驅體載置於雷射照射裝置 的旋轉盤（未圖示出），一面旋轉一面連續照射沿著磁軌 方向之長度短，且垂直於磁軌方向之長度長的矩形狀的雷 射光束，藉由光記錄媒體前驅體每一旋轉便將照射位置對 於磁軌在垂直方向錯開，將L0記錄膜22及L1記錄膜32 之幾乎全面起始化爲結晶狀態。藉由此，完成本實施例所 使用之光記錄媒體1 〇。 雷射功率之設定 對於如此製作之光記錄媒體10的L0記錄膜22及L1 -31 - 1272599 (27) 記錄膜3 2，種種改變記錄功率（pw )及消去功率（) 以進行記錄，測量所形成之記錄標記的抖動。抖動係由時 間間隔分析儀以測量時鐘抖動，求得該再生信號的「偏差 値（C7 )」’將視窗Μ設爲Tw’而藉由/ Tw(%)而算 出。記錄中，將時鐘頻率設定爲 65.7MHz (T = 15.2nsec)，記錄線速度設定爲5.7m/sec，以（1、 7 ) RLL之調變方式進行混合信號的形成。使用於記錄之 雷射光束的波長爲405 nm，聚焦雷射光束用之物鏡的數値 孔徑爲0.8 5。 另外，在對於L0記錄膜22之記錄中，將TtopO、 TmpO、TlpO 及 TclO 分別設定爲 0 · 2 T、0.2 T、〇 · 2 T 及 1·0Τ，在對於L1記錄膜32之記錄中，將Ttopl、Tmpl、 Tlpl 及 Tell 分別設定爲 0.4T、0.4T、0.5T 及 〇·8Τ。 表1係顯示關於L0記錄膜22之測量結果。 -32- 1272599 (28) 表1
PwO(m W) PeO( mW) PeO/PwO 抖動 (%) 5.5 1.8 0· .327 16.8 5.5 1 . ‘5 0. ,27 3 13 , .1 5.5 1.3 0. .236 12. .4 5. 5 1.0 0. .182 14.1 5.5 0. ,8 0_ ,145 17. .0 5.0 2. .0 0. ,400 17. .7 5. 0 1.8 0 ,360 14. .0 5 · 0 1.5 0. ,300 11. _7 5· ,0 1.3 0. .260 11. .1 5. .0 1.0 0· .200 11.9 5. .0 0, .8 0, .160 12, .3 5, .0 0, .5 0. .100 14. ,7 4.5 2, .0 0, .444 18, .3 4, .5 1.8 0, .400 14, .9 4 .5 1.5 0 .333 11 .4 4 .5 1 .3 0 .289 11 ,7 4 .5 1.0 0 .222 13, .1 4.5 0.8 0 .178 15 .4 如表1所示，在對L0記錄膜22之記錄中，記錄功率 (P w 0 )爲 4·5ηι W 〜5 .Om W，消去功率（PeO )爲 1.3mW 〜 1.5mW時，可以獲得良好之抖動。另外，記錄功率 •33- 1272599 (29) (PwO )及消去功率（pe〇 )之値爲照射雷射 面之値（以下所示之基底功率（PbO )之値也 由此，在對於L0記錄膜22之記錄中，記錄 和消去功率（PeO)之比（PeO/PwO)在 0.26/ 度時，知道可以獲得良好之抖動。 第 8圖係顯示記錄功率（PwO )和消去ξ 之比（PeO/PwO )和抖動之關係的曲線圖。由| 明確確認在記錄功率（PwO )和消去功率（ (PeO/PwO )爲 0.26〜0.33之程度時，可以獲 動。另外，如參考第 8圖，在PeO/PwO爲（ 時，可以確認能夠獲得非常良好之抖動。 表2係顯示關於L1記錄膜32之測量結果 光束時的盤 相同）。藉 ]率(PwO ) 〜〇 . 3 3之程 !]率（PeO ) I 8圖可更 P e 0 )之比 得良好之抖 )·30之程度 -34- 1272599 (30) 如表2所示，在對L1記錄膜3 2之記錄中，記錄功率 表2 P w 1 ( m W) Pel(mW) Pel/Pwl 抖動 (%) 10 • 0 7, .0 0 .700 11 .6 10 • 0 6_ • 5 0, .650 10.1 10 • 0 6. .0 0, ,600 9.7 10 • 0 5.5 0, .550 10 .2 10 • 0 5 , .0 0, .500 10 .8 10 • 0 4, .5 0, .450 11, .1 10 • 0 4, .0 0. .400 11, .2 10 • 0 3. .8 0_ ,380 11, .6 10 • 0 3, ,5 0 ‘ .350 12, .6 10 • 0 3, ,2 0. ,320 14, .2 9. 5 Ί、 .0 0· .737 13, • 9 9. 5 6 .5 0‘ .684 lli .0 9. 5 6 .0 0 ‘ ,632 10· .2 9. 5 5.5 0. .579 10.1 9.5 5.0 0, .526 10. .9 9.5 4 .5 0, .474 11, ,2 9.5 4 .0 0, ,421 11 ‘ .6 9.5 3.8 0, ,400 12, ,1 9.5 3.5 0 .368 13, .7 9.5 3.2 0 .337 14.9 -35- 1272599 (31) (Pw 1 )爲 9.5mW~10.0mW，消去功率（Pel)爲 5.0mW 〜6 · 5 m W時’可以獲得良好之抖動。另外，記錄功率 (Pwl )及消去功率（Pel )之値爲照射雷射光束時的盤 面之値（以下所示之基底功率（Pb 1 )之値也相同）。藉 由此，在對於L1記錄膜32之記錄中，記錄功率（Pwl ) 和消去功率（Pel )之比（Pel/Pwl )在 0.50〜0.68之程 度時，知道可以獲得良好之抖動。 第9圖係顯示記錄功率（Pwl )和消去功率（Pei ) 之比（Pel/Pwl )和抖動之關係的曲線圖。由第9圖可更 明確確認在記錄功率（Pwl )和消去功率（Pel )之比 (Pel/ Pwl )爲0.50〜0.68之程度時，可以獲得良好之 抖動。另外，如參考第9圖，在Pel/Pwl爲0.60之程度 時，可以確認能夠獲得非常良好之抖動。 由以上，得知以將PeO/PwO對於Pel/Pwl在設定爲 0.38〜0.66倍之程度爲佳，如設定在0.44〜0.55倍之程度 更好，如設定爲0.50倍之程度則更特別好。 脈衝寬之設定 接著，對於如上述所製作之光記錄媒體10的L0記錄 膜22及 L1記錄膜32，種種改變第一脈衝的脈衝寬 Ttop、多脈衝的脈衝寬Tmp、最後脈衝的脈衝寬Tip及冷 卻期間Tel以進行記錄，測量所形成之記錄標記的抖動。 但是，在本實施例中，由於將第一脈衝的脈衝寬Tt op和 最後脈衝的脈衝寬Tip設定爲相同長度，所以在以下的記 -36- 1272599 (32) 載中，所謂第一脈衝的脈衝寬Ttop，也指最後脈衝的脈 衝負i Tip。在冗錄中》與上述之雷射功率的設定相同，時 鐘頻率也設定爲 65.7MHz(T = 15.2nsec)，記錄線速度設定 爲5.7m/sec，以（1、7 ) RLL調變方式進行混合信號的形 成。利用於記錄之雷射光束的波長爲405 nm，聚焦雷射光 束用之物鏡的數値孔徑爲0.85。 另外，在對於L0記錄膜22之記錄中，分別將記錄功 率（PwO )、消去功率（Pe〇)及基底功率（Pb〇)固定爲 5.0mW、1.5mW及O.lmW，在對於L1記錄膜32之記錄 中，將記錄功率（Pwl)、消去功率（Pel)及基底功率 (Pbl )分別固定爲 lO.OmW、6.0mW 及 O.lmW。 在測量中，首先，將第一脈衝的脈衝寬Ttop及多脈 衝的脈衝寬Tmp設定爲相同長度，將其改變爲種種長 度，另一方面，將冷卻期間Tel之長度固定，進行記錄， 測量形成之記錄標記的抖動。 表3係顯示關於L0記錄膜22之測量結果，表4係顯 示關於L1記錄膜32之測量結果。 -37- 1272599 (33) 表3 T t ο ρ 0 TmpO TclO 抖動（％ ) 0.16T 0.16T 1 ·0Τ 17.1 0.18T 0.18T 1 ·0Τ 12.6 0.20T 0.20T 1 ·0Τ 10.9 0.22T 0.22T 1 ·0Τ 11.9 0.24T 0.24T 1.0Τ 13.5 0.26T 0.26T 1.0Τ 15.3 表4 Τ t ο ρ 1 Tmpl Tell 抖動（％ ) 0.30Τ 0.30Τ 0.8Τ 14.1 0.35Τ 0.35Τ 0.8Τ 12.3 0.38Τ 0.38Τ 0.8Τ 11.8 0.40Τ 0.40Τ 0.8Τ 10.9 0.42Τ 0.42Τ 0.8Τ 11.6 0.45Τ 0.45Τ 0.8Τ 12.7 0.50Τ 0.50Τ 0.8Τ 14.4 如表3所示’在對L0記錄膜22之記錄中，第一脈衝 的脈衝寬Ttop及多脈衝的脈衝寬Tmp0爲0·2〇τ時，可以 獲得最良好之抖動。另外，如表4所示，在對於記錄 膜32之記錄中，第〜脈衝的脈衝寬Tt〇pl及多脈衝的脈 衝寬Tmpl爲0.4〇T時，可以獲得最好之抖動。 -38- 1272599 (34) 接著，將第一脈衝的脈衝寬Ttop及多脈衝的脈衝寬 Tmp之一方固定爲如此獲得之脈衝寬（關於l〇記錄膜22 爲0.20T’關於LI g己錄膜32爲0.40T)，改變另一'方而 進行記錄’測量所形成之記錄標記的抖動。 表5係顯示關於L0記錄膜22之測量結果，表6係顯 示關於L1記錄膜32之測量結果。 表5 T t ο p 0 TmpO TclO 抖動 0.20T 0.18T 1·0Τ 12.2 0.20T 0.20T 1.0Τ 10.9 0.20T 0.22T 1.0Τ 11.7 0.20T 0.24T 1 ·0Τ 13.1 0.20T 0.26T 1.0T 13.4 0.18T 0.20T 1 ·οτ 11.6 0.2 2 T 0.20T 1 ·οτ 10.6 0.24T 0.20T 1 ·οτ 10.9 0.26T 0.20T 1 .οτ 11.2 0.30T 0.20T 1 .οτ 11.5 0.35T 0.20T 1 .οτ 11.9 0.40T 0.20T 1 .οτ 12.4 -39- (35) 1272599 表6
Ttopl Tmpl Tell 抖動（％) 0.40T 0.35T 0.8T 12.1 0.40T 0.38T 0.8T 11.1 0.40T 0.40T 0.8T 10.9 0.40T 0.42T 0.8T 11.4 0.40T 0.45T 0.8T 12.3 0.35T 0.40T 0·8Τ 11.7 0.38T 0.40T 0.8Τ 11.6 0.42T 0.40T 0.8Τ 11.1 0.45T 0.40T 0.8Τ 11.4 如表5所示，在對於L0記錄膜22之記錄中，於將第 一脈衝的脈衝寬TtopO固定爲0.20T時，多脈衝的脈衝寬 TmpO在 0.20T〜0.22T時可以獲得良好抖動，於 0.20T 時，可以獲得最好之抖動。另外，在將多脈衝的脈衝寬 TmpO固定爲 0.20T時，第一脈衝的脈衝寬 TtopO爲 0.18T〜0.30T時可以獲得良好抖動，爲0.22T時，可以獲 得最良好之抖動。另外，如表6所示，在對於L1記錄膜 32之記錄時，於將第一脈衝的脈衝寬Ttopl固定爲0.40丁 時，在多脈衝的脈衝寬Tmpl爲0.38T〜0.42T時，可以獲 得良好抖動，爲0.40T時，可以獲得最好之抖動。另外， 在將多脈衝的脈衝寬Tmpl固定爲〇·4〇Τ時，第一脈衝的 脈衝寬Ttopl爲〇·4〇Τ〜0·45Τ時，可以獲得良好之抖動， -40- 1272599 (36) 爲ο·4〇τ時，可以獲得最好之抖動。 接著，將第一脈衝的脈衝寬Ttop及多脈衝的脈衝寬 Tmp固定爲由上述所獲得之最適當脈衝寬（關於L0記錄 膜22，分別爲0.22T及0.20T，關於L1記錄膜32，都是 爲0.40T)，改變冷卻期間Tel以進行記錄，測量所形成 之記錄標記的抖動。 表7係顯示關於L0記錄膜22之測量結果，表8係顯 示關於L1記錄膜32之測量結果。 表7
TtopO TmpO TclO 抖動 0.22T 0.20T 0.8T 12.3 0.22T 0.20T 1.0T 10.6 0.22T 0.20T 1.2T 11.3 0.22T 0.20T 1.5T 13.3 表8 T t op 1 Tm p 1 Tell 抖動（) 0.40T 0.40T 0.4T 13.2 0.40T 0.40T 0.6T 11.7 0.40T 0.40T 0.8T 10.9 0.40T 0.40T 1.0T 12.4 0.40T 0.40T 1.2T 13.1 0.40T 0.40T 1.4T 14.3 0.40T 0.40T 1.6T 16.4 -41 - 1272599 (37) 如表7所示，在對於L1記錄膜3 2之記錄中，冷卻期 間TclO爲1·〇Τ〜1·2Τ時，可以獲得良好之抖動，在ι·〇τ 時，可以獲得最好之抖動。另外，如表8所示，在對於 L1記錄膜32之記錄中，冷卻期間Tell爲0·6Τ~0.8Τ時， 可以獲得良好之抖動，在0.8 Τ時，可以獲得最良好之抖 動。 如此，在對於L1記錄膜3 2之記錄中’將第一脈衝的 脈衝寬TtopO(= TlpO)設定爲0.18Τ〜0.30Τ，特別是設 定爲 0.22T，將多脈衝的脈衝寬 TmpO 設定爲 0.20T〜0.22T，特別是設定爲0.20T，將冷卻期間TclO設 定爲1·0Τ~1·2Τ，特別是設定爲1·〇Τ，知道可以獲得良好 之抖動。另外，在對於L1記錄膜3 2之記錄中’將第一脈 衝的脈衝寬Ttopl(= Tlpl)設定爲〇·4〇Τ〜0.45Τ’特別 是設定爲 0.40Τ，將多脈衝的脈衝寬 TmpO設定爲 0.38T~0.42T，特別是設定爲〇·4〇Τ，將冷卻期間TclO設 定爲0·6Τ~0·8Τ，特別是設定爲〇·8Τ’知道可以獲得良好 之抖動。 由以上，知道將TtopO (及TlpO )對於Ttopl (及 Tlpl)設定爲〇·40〜0.75倍爲佳’如設定爲〇·49〜〇·55 倍更好，如設定爲〇 · 5 5倍則特別好°另外’知道以將 TmpO對於Tmpl設定爲〇·48〜〇·58倍之程度爲佳，如設 定爲〇·5〇〜0.53倍更好，如設定爲〇·5〇倍之程度則特別 好。另外，知道以將T c 1 〇對於T c 11設定爲1 · 2 5〜2 · 0 〇倍 之程度爲佳，如設定爲1.25〜1.50倍之程度更好’如設 -42- 1272599 (38) 定爲1.25倍則特別好。 圖式簡單說明 第1圖係槪略顯示關於本發明之合適實施形態的光記 錄媒體10的構造剖面圖。 第2圖係顯示光記錄媒體1 〇的製造工程之一部份 (基體11的形成）。 第3圖係顯示光記錄媒體χ 〇之製造工程的一部份 (L1層3 0的形成）。 第4圖係顯示光記錄媒體1 〇之製造工程的一部份 (透明中間層12的形成）。 第5圖係顯示光記錄媒體10之製造工程的一部份 (L0層20的形成）。 第6圖係顯示對於L0記錄膜22及L1記錄膜32進 行資料記錄時的脈衝列樣式的波形圖，（a )係形成2T信 號時，（b )係形成3 Τ信號時，（c )係形成4 T信號時， (d)係形成5T〜8T信號時。 第7圖係槪略顯示對於光記錄媒體1〇進行^ _記_ 用的資訊記錄裝置50之主要部位圖。 第8圖係顯示記錄功率（PwO )和消去功率 e 〇 ) 之比（PeO/PwO )與抖動之關係曲線圖。 第9圖係顯示記錄功率（P w 1 )和消去功$ f 之比（Pel/Pwl )與抖動之關係曲線圖。 -43- 1272599 (39) 主要 元件對 照 表 10 光記 錄 媒 體 11 基體 12 中間 層 13 光透 過 層 20 L0層 21 第1 介 電 質 膜 22 L0記錄膜 23 第2 介 電 質 膜 30 L1層 3 1 第3 介 電 質 膜 32 L1記錄膜 33 第4 介 電 質 膜 34 反射 膜 50 資訊 記 錄 裝 置 52 主軸 馬 達 53 雷射 頭 54 控制 器 55 雷射 驅 動 電 路 56 透鏡 驅 動 電 路 57 聚焦 伺 服 追 蹤 電 路 58 追跡 伺 服 追 蹤 電 路 59 雷射 控 制 電 路 -44-