JP2005302297A - 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に対する情報記録方法であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な情報記録方法を提供する。
【解決手段】 積層された少なくともＬ０層２０及びＬ１層３０を備え、Ｌ０層２０がＬ０層３０よりも光入射面側に位置する光記録媒体１０に、光入射面から強度変調されたレーザビームを照射して、情報を記録する情報記録方法であって、レーザビームの波長をλとし、レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、
λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ
に設定し、且つ、Ｌ０層２０に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０を、Ｌ１層３０に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ１よりも短く設定して、情報を記録する。
【選択図】 図６

Description

本発明は、光記録媒体への情報記録方法に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体への情報記録方法に関する。また、本発明は、光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関する。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に関する。

従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要求される記録容量は年々増大し、これを達成するために種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、光記録媒体に含まれる情報記録層を２層構造とする手法が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。このような再生専用の光記録媒体においては、基板表面に形成されたプレピットが情報記録層となり、このような基板が中間層を介して積層された構造を有している。

また、近年、ユーザによるデータの書き換えが可能な光記録媒体（書き替え型光記録媒体）についても、情報記録層が２層構造であるタイプの光記録媒体が提案されている（特許文献１参照）。情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、記録膜及びこれを挟んで形成された誘電体膜（保護膜）が情報記録層となり、かかる情報記録層が中間層を介して積層された構造を有している。

書き替え型光記録媒体の記録膜としては、一般に相変化材料が用いられ、結晶状態である場合とアモルファス状態である場合の反射率差を利用してデータの記録が行われる。すなわち、未記録状態においては記録膜の実質的に全面が結晶状態となっており、データを記録する場合、記録膜の所定の部分がアモルファス状態に変化させられ、これが記録マークとなる。結晶状態である相変化材料をアモルファス状態に変化させるためには、融点以上の温度に加熱した後、急冷すればよい。逆に、アモルファス状態である相変化材料を結晶状態に変化させるためには、結晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すればよい。

このような加熱及び冷却は、レーザビームのパワー（出力）を調整することによって行うことができる。すなわち、レーザビームを強度変調することにより、未記録状態である記録膜にデータを記録するのみならず、既に何らかのデータが記録されている部分に異なるデータを直接上書き（ダイレクトオーバーライト）することが可能となる。一般に、記録膜を融点以上の温度に加熱するためには、レーザビームのパワーが記録パワー（Ｐｗ）から基底パワー（Ｐｂ）までの振幅を有するパルス波形で設定されたパワーとされ、記録膜を急冷するためには、レーザビームのパワーが基底パワー（Ｐｂ）に設定される。また、記録膜を結晶化温度以上の温度に加熱し、徐冷するためには、レーザビームのパワーが消去パワー（Ｐｅ）に設定される。この場合、消去パワー（Ｐｅ）は、記録膜が結晶化温度以上、融点未満の温度となるようなレベルに設定され、これによりいわゆる固相消去が行われる。

ここで、情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、レーザビームのフォーカスをいずれか一方の情報記録層に合わせることによってデータの記録／再生が行われることから、光入射面から遠い側の情報記録層（以下、「Ｌ１層」という）に対してデータの記録／再生を行う場合、光入射面から近い側の情報記録層（以下、「Ｌ０層」という）を介してレーザビームが照射されることになる。このため、Ｌ０層は十分な光透過率を有している必要があり、そのため、Ｌ０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合であってもその膜厚は非常に薄く設定されることが一般的である。
特開２００１−２７３６３８号公報

このように、情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、Ｌ０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合であってもその膜厚が非常に薄く設定されることから、十分な膜厚の反射膜を有するＬ１層に比べて放熱性が低く、再結晶化現象が起きやすいという問題が生じる。すなわち、反射膜の材料としては一般に金属が用いられるため、Ｌ１層においてはレーザビームの照射によって発生した熱が熱伝導性の高い反射膜を介して速やかに放熱される一方、Ｌ０層にはこのような熱伝導性の高い層が存在しないか、非常に薄い層であることからレーザビームの照射によって発生した熱が速やかに放熱されず、このため、Ｌ０層においては記録マーク（アモルファス状態）の形状が歪み、良好な再生信号が得られないという問題があった。

特に、近年、記録／再生に用いるレーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）を７００ｎｍ以下、例えば、ＮＡを０．７以上、特に０．８５程度まで大きくするとともに、かかるレーザビームの波長λを２００〜４５０ｎｍ程度まで短くすることによってレーザビームの集光スポット径を小さくし、これにより大容量のデジタルデータを記録する試みがなされている。このような、短波長のレーザビームを高ＮＡの対物レンズで集光することによってデータの記録／再生を行うシステムにおいては、集光されたレーザビームの単位面積当たりのエネルギーが非常に高いことから、上述したＬ０層における熱干渉の影響が顕著となり、再結晶化現象が発生しやすくなる。

したがって、本発明の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に対する情報記録方法であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な情報記録方法を提供することである。

また、本発明の他の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な情報記録装置を提供することである。

また、本発明のさらに他の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な光記録媒体を提供することである。

本発明のかかる目的は、積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置する光記録媒体に、前記光入射面から強度変調されたレーザビームを照射して、情報を記録する情報記録方法であって、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、
λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ
に設定し、且つ、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅よりも短く設定して、情報を記録することを特徴とする情報記録方法によって達成される。

本発明においては、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅の０．４８ないし０．５８倍に設定して、情報を記録することが好ましい。

本発明においては、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間よりも長く設定して、情報を記録することがさらに好ましい。

本発明においては、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間の１．２５ないし２．００倍に設定して、情報を記録することがさらに好ましい。

本発明においては、前記レーザビームの波長λが２００ないし４５０ｎｍであることがさらに好ましい。

本発明の前記目的はまた、積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置する光記録媒体に、光入射面から強度変調されたレーザビームを照射して、情報を記録する情報記録装置であって、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、
λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ
であり、且つ、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅よりも短く設定して情報の記録を行うことを特徴とする情報記録装置によって達成される。

本発明の前記目的はまた、積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置するとともに、前記光入射面から入射される強度変調されたレーザビームによって情報の記録が可能な光記録媒体であって、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、
λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ
に設定し、且つ、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅よりも短く設定して情報の記録を行うために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体によって達成される。

本発明の好ましい実施態様においては、前記レーザビームの光路となる光透過層を備え、前記光透過層の厚さが３０〜２００μｍである。

本発明によれば、いずれの情報記録層に対してダイレクトオーバーライトを行った場合においても、良好な形状の記録マークを形成することが可能となる。

本発明によれば、複数の情報記録層を有する光記録媒体に対してダイレクトオーバーライトを行った場合に、良好な形状の記録マークを形成することが可能となる。

尚、熱干渉の影響は、使用するレーザビームの波長が短いほど顕著になるとともに、レーザビームを集光する対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きいほど顕著となる。このため、本発明は、使用するレーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が７００ｎｍ以下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）であり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程度である場合に特に効果的である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。

図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、基体１１と、中間層１２と、光透過層１３と、中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ０層２０と、基体１１と中間層１２との間に設けられたＬ１層３０とを備える。Ｌ０層２０は、光入射面１３ａから近い側の情報記録層を構成し、第１の誘電体膜２１、Ｌ０記録膜２２及び第２の誘電体膜２３によって構成される。また、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａから遠い側の情報記録層を構成し、第３の誘電体膜３１、Ｌ１記録膜３２、第４の誘電体膜３３及び反射膜３４によって構成される。このように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、２層の情報記録層（Ｌ０層２０及びＬ１層３０）を有している。

基体１１は、光記録媒体１０の機械的強度を確保する役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるものではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０〜４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチとしては０．２〜０．４μｍに設定することが好ましい。基体１１の厚みは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては、特に限定されるものではないがポリカーボネートを用いることが好ましい。但し、基体１１は光入射面１３ａとは反対側の面を構成することから、特に光透過性を備える必要はない。

中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０とを十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられている。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。グルーブ１２ａの深さやピッチは、基体１１に設けられたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定すればよい。中間層１２の厚みとしては、約１０〜５０μｍに設定することが好ましい。また、中間層１２の材料としては、特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。中間層１２は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。

光透過層１３は、レーザビームの光路となるとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとしては、約３０〜２００μｍに設定することが好ましい。光透過層１３の材料としては、特に限定されるものではないが、中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３はレーザビームの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。

Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２は、いずれも相変化材料によって構成され、結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なることを利用してデータの記録が行われる。Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の具体的な材料としては、特に限定されるものではないがＳｂＴｅ系材料を用いることが好ましい。ＳｂＴｅ系材料としてはＳｂＴｅのみでもよいし、添加物としてＩｎ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ等を加えたＩｎＳｂＴｅＧｅやＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅＧｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ等を用いることができる。

ここで、Ｌ０記録膜２２は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの光路となることから、十分な光透過性を有している必要があり、このためＬ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜３２の膜厚と比べて十分に薄く設定される。具体的には、Ｌ１記録膜３２の膜厚としては、約３〜２０ｎｍに設定することが好ましく、Ｌ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜３２の膜厚に対して０．３〜０．８倍に設定することが好ましい。

Ｌ０記録膜２２を挟むように設けられた第１の誘電体膜２１及び第２の誘電体膜２３は、Ｌ０記録膜２２に対する保護膜として機能し、Ｌ１記録膜３２を挟むように設けられた第３の誘電体膜３１及び第４の誘電体膜３３は、Ｌ１記録膜３２に対する保護膜として機能する。第１の誘電体膜２１の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第２の誘電体膜２３の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第３の誘電体膜３１の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第４の誘電体膜３３の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましい。

また、これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３は、１層の誘電体膜からなる単層構造であってもよいし、２層以上の誘電体膜からなる積層構造であってもよい。これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３の材料としては特に限定されないが、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｏ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＴａＯ、ＺｎＳ、ＣｅＯ_２等、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｎの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いることが好ましい。

反射膜３４は、光入射面１３ａから入射されるレーザビームを反射し、再び光入射面１３ａから出射させる役割を果たし、その厚さとしては２０〜２００ｎｍに設定することが好ましい。反射膜３４の材料としては特に限定されないが、ＡｇやＡｌを主成分とする合金を用いることが好ましく、ＡｕやＰｔ等を用いることもできる。また、反射膜３４の腐食を防止するために、反射膜３４と基体１１との間に防湿膜を設けてもよい。かかる防湿膜としては、第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３と同様の材料を用いることができる。さらに、Ｌ０層２０は反射膜を備えていないが、３〜１５ｎｍ程度の薄い反射膜をＬ０層２０に設けても構わない。この場合、かかる反射膜の材料としては、反射膜３４と同じ材料を用いることができる。

このような構造を有する光記録媒体１０に記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａから２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射され、その反射光量が検出される。上述のとおり、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２は相変化材料によって構成され、結晶状態である場合とアモルファス状態である場合とで光反射率が異なっていることから、レーザビームを光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の一方にフォーカスを合わせ、その反射光量を検出することにより、レーザビームが照射された部分におけるＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結晶状態であるかアモルファス状態であるかを判別することができる。

光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合も、光入射面１３ａから２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射され、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２にフォーカスが合わせられ、記録すべきデータにしたがい、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を融点以上の温度に加熱した後、急冷すれば、当該部分の状態がアモルファス状態となり、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を結晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すれば、当該部分の状態が結晶状態となる。アモルファス状態となった部分は「記録マーク」と呼ばれ、記録データは、記録マークの始点から終点までの長さ及び終点から次の記録マークの始点までの長さに形成される。各記録マークの長さ及び記録マーク間の長さ（エッジ間）は、特に限定されるものではないが、（１，７）ＲＬＬの変調方式が採用される場合、２Ｔ〜８Ｔ（Ｔは、クロックの周期）に対応する長さのいずれかに設定される。尚、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについては後述する。

Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録膜３２に照射されることになる。このため、Ｌ０層２０は十分な光透過性を有している必要があり、上述のとおりＬ１記録膜３２の膜厚と比べて、Ｌ０記録膜２２の膜厚はかなり薄く設定されている。

次に、本実施態様にかかる光記録媒体１０の製造方法について説明する。

図２〜図５は、光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。

まず、図２に示されるように、スタンパ４０を用いて、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂを有する基体１１を射出成形する。次に、図３に示されるように、基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面に、スパッタリング法によって、反射膜３４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３２及び第３の誘電体膜３１を順次形成する。これにより、Ｌ１層３０が完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ１記録膜３２の状態は通常アモルファス状態である。

次に、図４に示されるように、Ｌ１層３０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、その表面にスタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外線を照射することにより、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂを有する中間層１２を形成する。次に、図５に示されるように、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成された中間層１２のほぼ全面に、スパッタリング法によって、第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の誘電体膜２１を順次形成する。これにより、Ｌ０層２０が完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ０記録膜２２の状態は通常アモルファス状態である。

そして、図１に示されるように、Ｌ０層２０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによって光透過層１３を形成する。以上により、全ての成膜工程が完了する。本明細書においては、成膜工程が完了した状態の光記録媒体を「光記録媒体前駆体」と呼ぶことがある。

次に、光記録媒体前駆体をレーザ照射装置の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転させながらトラックに沿った方向における長さが短く、且つ、トラックに垂直な方向における長さが長い矩形状のレーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらすことによって、矩形状のレーザビームをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のほぼ全面に照射する。これにより、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２を構成する相変化材料は結晶化温度以上の温度に加熱され、その後徐冷されることから、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の実質的に全面が結晶状態、すなわち、未記録状態となる。このような工程は、一般に「初期化工程」と呼ばれる。

かかる初期化工程が完了すると、光記録媒体１０が完成する。

このようにして製造された光記録媒体１０に対しては、上述の通り、レーザビームのフォーカスをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせて記録マークを形成することにより、所望のデジタルデータを記録することができる。また、光記録媒体１０のＬ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータを記録した後は、上述の通り、レーザビームのフォーカスをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせてその反射光量を検出することにより、記録されたデジタルデータを再生することができる。

次に、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて詳述する。

図６は、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。

図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施態様では、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ）、消去パワー（Ｐｅ）及び基底パワー（Ｐｂ）からなる３つの強度（３値）に変調される。記録パワー（Ｐｗ）の強度としては、照射によってＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が溶融するような高いレベルに設定され、Ｌ０記録膜２２に対する記録においてはＰｗ０に設定され、Ｌ１記録膜３２に対する記録においてはＰｗ１に設定される。また、消去パワー（Ｐｅ）の強度としては、照射によってＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結晶化温度以上の温度に達するようなレベルに設定され、Ｌ０記録膜２２に対する記録においてはＰｅ０に設定され、Ｌ１記録膜３２に対する記録においてはＰｅ１に設定される。さらに、基底パワー（Ｐｂ）の強度としては、照射されても、溶融しているＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が冷却されるような低いレベルに設定され、Ｌ０記録膜２２に対する記録においてはＰｂ０に設定され、Ｌ１記録膜３２に対する記録においてはＰｂ１に設定される。

これら記録パワー（Ｐｗ０、Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ０、Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ０、Ｐｂ１）の詳細については後述するものとし、単に記録パワー（Ｐｗ）、消去パワー（Ｐｅ）及び基底パワー（Ｐｂ）というときには、Ｌ０記録膜２２に対する記録にあってはそれぞれ記録パワー（Ｐｗ０）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）を指し、Ｌ１記録膜３２に対する記録にあってはそれぞれ記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）を指す。

まず、図６（ａ）に示すように、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対して２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。レーザビームのパルス数とは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ）まで高められた回数によって定義される。また、本明細書においては、レーザビームのパルスのうち、先頭パルスをトップパルス、最終パルスをラストパルス、トップパルスとラストパルスの間に存在するパルスをマルチパルスと定義する。但し、図６（ａ）に示すように、パルス数が「１」である場合には、当該パルスはトップパルスである。

また、冷却期間Ｔｃｌにおいては、レーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ）に設定される。このように、本明細書においては、レーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ）に設定される最後の期間を冷却期間と定義する。したがって、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ１１以前においては消去パワー（Ｐｅ）に設定され、タイミングｔ１１からタイミングｔ１２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐｗ）に設定され、タイミングｔ１２からタイミングｔ１３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ）に設定され、タイミングｔ１３以降においては消去パワー（Ｐｅ）に設定される。

また、図６（ｂ）に示すように、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対して３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ２１以前においては消去パワー（Ｐｅ）に設定され、タイミングｔ２１からタイミングｔ２２までの期間（Ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ２３からタイミングｔ２４までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ）に設定され、タイミングｔ２２からタイミングｔ２３までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ２４からタイミングｔ２５までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ）に設定され、タイミングｔ２５以降においては消去パワー（Ｐｅ）に設定される。

さらに、図６（ｃ）に示すように、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対して４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ３１以前においては消去パワー（Ｐｅ）に設定され、タイミングｔ３１からタイミングｔ３２までの期間（Ｔｔｏｐ）、タイミングｔ３３からタイミングｔ３４までの期間（Ｔｍｐ）及びタイミングｔ３５からタイミングｔ３６までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ）に設定され、タイミングｔ３２からタイミングｔ３３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ３４からタイミングｔ３５までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ３６からタイミングｔ３７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ）に設定され、タイミングｔ３７以降においては消去パワー（Ｐｅ）に設定される。

そして、図６（ｄ）に示すように、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対して５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数はそれぞれ「４」〜「７」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、マルチパルスの数は、５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合それぞれ「２」〜「５」に設定される。この場合も、Ｔｔｏｐ（タイミングｔ４１からタイミングｔ４２までの期間）、Ｔｍｐ（タイミングｔ４３からタイミングｔ４４までの期間、タイミングｔ４５からタイミングｔ４６までの期間等）及びＴｌｐの期間（タイミングｔ４７からタイミングｔ４８までの期間）においては記録パワー（Ｐｗ）に設定され、オフ期間Ｔｏｆｆ（タイミングｔ４２からタイミングｔ４３までの期間、タイミングｔ４６からタイミングｔ４７までの期間等）及び冷却期間Ｔｃｌ（タイミングｔ４８からタイミングｔ４９までの期間）においては基底パワー（Ｐｂ）に設定され、その他の期間においては消去パワー（Ｐｅ）に設定される。

以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信号）を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ）をもつレーザビームの照射によってＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結晶化温度以上の温度に加熱され、その後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。

ここで、Ｌ０記録膜２２に対する記録の場合、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ及び冷却期間Ｔｃｌは、いずれの記録信号（２Ｔ〜８Ｔ）を形成する場合においてもそれぞれ一定に設定される。以下、Ｌ０記録膜２２への記録を行う場合のトップパルスのパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ０、Ｔｍｐ０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０と呼ぶ。同様に、Ｌ１記録膜３２に対する記録の場合も、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ及び冷却期間Ｔｃｌは、いずれの記録信号（２Ｔ〜８Ｔ）を形成する場合においてもそれぞれ一定に設定され、以下、Ｌ１記録膜３２への記録を行う場合のトップパルスのパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１と呼ぶ。但し、単にＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌｐ及びＴｃｌというときには、Ｌ０記録膜２２に対する記録にあってはそれぞれＴｔｏｐ０、Ｔｍｐ０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０を指し、Ｌ１記録膜３２に対する記録にあってはそれぞれＴｔｏｐ１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１を指す。

上述のとおり、Ｌ０層２０には反射膜が設けられないか、設けられる場合であってもその膜厚が非常に薄く（３〜１５ｎｍ程度）設定される一方、Ｌ１層３０には厚さが２０〜２００ｎｍの反射膜３４が設けられることから、Ｌ０層２０はＬ１層に比べて放熱性が低く、再結晶化現象が起きやすい。

この点を考慮して、本実施態様においては、Ｌ０層２０における再結晶化現象を防止すべく、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う場合の記録パワー（Ｐｗ０）と消去パワー（Ｐｅ０）の比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）を、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合の記録パワー（Ｐｗ１）と消去パワー（Ｐｅ１）の比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）よりも小さく設定することによって、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉を緩和し、再結晶化現象を抑制している。この場合、Ｐｅ１／Ｐｗ１に対してＰｅ０／Ｐｗ０を小さく設定しすぎると、Ｌ０記録膜２２における消去率が低下してしまう一方で、Ｐｅ０／Ｐｗ０をＰｅ１／Ｐｗ１に近い値に設定すると、熱干渉が十分に緩和されず、再結晶化現象が発生してしまう。これらを考慮すれば、Ｐｅ０／Ｐｗ０を、Ｐｅ１／Ｐｗ１に対して０．３８〜０．６６倍程度に設定することが好ましく、０．４４〜０．５５倍程度に設定することがより好ましく、０．５０倍程度に設定することが特に好ましい。Ｐｅ０／Ｐｗ０とＰｅ１／Ｐｗ１との関係をかかる範囲に設定すれば、消去率を実用上問題のないレベルとすることができるとともに、熱干渉を効果的に緩和することが可能となる。

但し、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録膜３２に照射されることから、Ｌ１記録膜３２に到達するレーザビームはかなり減衰してしまう。したがって、Ｌ１記録膜３２を十分に溶融させるためには、記録パワー（Ｐｗ１）のレベルとして、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う場合に用いる記録パワー（Ｐｗ０）よりも高く設定する必要がある（Ｐｗ０＜Ｐｗ１）。

また、本実施態様においては、Ｌ０層２０における再結晶化現象を防止すべく、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う場合のトップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０を、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合のトップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ１よりも短く設定することによって、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉をさらに緩和し、再結晶化現象をより効果的に抑制している。この場合、Ｔｔｏｐ１に比べてＴｔｏｐ０を短く設定しすぎると、Ｌ０記録膜２２が融点に達しないおそれがある一方で、Ｔｔｏｐ０をＴｔｏｐ１に近い長さに設定すると、熱干渉が十分に緩和されず、再結晶化現象が発生してしまう。これらを考慮すれば、Ｔｔｏｐ０を、Ｔｔｏｐ１に対して０．４０〜０．７５倍程度に設定することが好ましく、０．４９〜０．５５倍程度に設定することがより好ましく、０．５５倍程度に設定することが特に好ましい。Ｔｔｏｐ０とＴｔｏｐ１との関係をかかる範囲に設定すれば、Ｌ０記録膜２２を融点以上の温度に十分加熱することができるとともに、熱干渉を効果的に緩和することが可能となる。尚、Ｔｌｐ０及びＴｌｐ１については、それぞれＴｔｏｐ０及びＴｔｏｐ１と同じ長さに設定すればよい。

さらに、本実施態様においては、Ｌ０層２０における再結晶化現象を防止すべく、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う場合のマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０を、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合のマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ１よりも短く設定することによって、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉をさらに緩和し、再結晶化現象をより効果的に抑制している。この場合、Ｔｍｐ１に比べてＴｍｐ０を短く設定しすぎると、Ｌ０記録膜２２が融点に達しないおそれがある一方で、Ｔｍｐ０をＴｍｐ１に近い長さに設定すると、熱干渉が十分に緩和されず、再結晶化現象が発生してしまう。これらを考慮すれば、Ｔｍｐ０を、Ｔｍｐ１に対して０．４８〜０．５８倍程度に設定することが好ましく、０．５０〜０．５３倍程度に設定することがより好ましく、０．５０倍程度に設定することが特に好ましい。Ｔｍｐ０とＴｍｐ１との関係をかかる範囲に設定すれば、Ｌ０記録膜２２を融点以上の温度に十分加熱することができるとともに、熱干渉を効果的に緩和することが可能となる。

さらに、本実施態様においては、Ｌ０層２０における再結晶化現象を防止すべく、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う場合の冷却期間Ｔｃｌ０を、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合の冷却期間Ｔｃｌ１よりも長く設定することによって、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉をさらに緩和し、再結晶化現象をより効果的に抑制している。この場合、Ｔｃｌ１に比べてＴｃｌ０を長く設定しすぎると、Ｌ０記録膜２２における消去率が低下してしまう一方で、Ｔｃｌ０をＴｃｌ１に近い長さに設定すると、熱干渉が十分に緩和されず、再結晶化現象が発生してしまう。これらを考慮すれば、Ｔｃｌ０をＴｃｌ１に対して１．２５〜２．００倍程度に設定することが好ましく、１．２５〜１．５０倍程度に設定することがより好ましく、１．２５倍程度に設定することが特に好ましい。Ｔｃｌ０とＴｃｌ１との関係をかかる範囲に設定すれば、消去率を実用上問題のないレベルとすることができるとともに、熱干渉を効果的に緩和することが可能となる。

以上説明したＬ０層２０及びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジを特定するための情報は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によりかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて記録ストラテジを決定することが可能となる。したがって、例えば、ユーザがＬ０層２０に対するデータの記録を指示した場合には、情報記録装置は記録パワー、消去パワー及び基底パワーをそれぞれＰｗ０、Ｐｅ０及びＰｂ０に設定するとともにトップパルスのパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ０、Ｔｍｐ０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０に設定してデータの記録を行い、ユーザがＬ１層３０に対するデータの記録を指示した場合には、情報記録装置は記録パワー、消去パワー及び基底パワーをそれぞれＰｗ１、Ｐｅ１及びＰｂ１に設定するとともにトップパルスのパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１に設定してデータの記録を行う。

記録条件設定情報としては、Ｌ０層２０及びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジのみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたものでもよく、Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することにより記録ストラテジの特定を間接的に行うものであっても構わない。

図７は、光記録媒体１０に対してデータの記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。

情報記録装置５０は、図７に示すように光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともにその反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。

さらに、図７に示すように、コントローラ５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォーカスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びトラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能及びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。

尚、これらフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９については、コントローラ５４内に組み込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行されるソフトウェアであっても構わない。

このような構成からなる情報記録装置５０を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて記録ストラテジが決定される。したがって、情報記録装置５０は、Ｌ０層２０に対してデータの記録を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、記録パワー、消去パワー及び基底パワーをそれぞれＰｗ０、Ｐｅ０及びＰｂ０に設定するとともにトップパルスのパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ０、Ｔｍｐ０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０に設定してデータの記録を行い、Ｌ１層３０に対してデータの記録を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、記録パワー、消去パワー及び基底パワーをそれぞれＰｗ１、Ｐｅ１及びＰｂ１に設定するとともにトップパルスのパルス幅、マルチパルスのパルス幅、ラストパルスのパルス幅及び冷却期間をそれぞれＴｔｏｐ１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１に設定してデータの記録を行う。

以上説明したように、本実施態様においては、光入射面１３ａに近いＬ０層２０に対してデータの記録を行う場合、レーザビームの記録パワーと消去パワーとの比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）を光入射面１３ａから遠いＬ１層３０に対してデータの記録を行う場合の当該比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）よりも小さく設定していることから、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉を緩和し、再結晶化現象を抑制することが可能となる。

また、本実施態様においては、光入射面１３ａに近いＬ０層２０に対してデータの記録を行う場合、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ０を、光入射面１３ａから遠いＬ１層３０に対してデータの記録を行う場合のこれら幅Ｔｔｏｐ１、Ｔｍｐ１及びＴｌｐ１よりも短く設定するとともに、Ｌ０層２０に対してデータの記録を行う場合の冷却期間Ｔｃｌ０をＬ１層３０に対してデータの記録を行う場合の冷却期間Ｔｃｌ１よりも長く設定していることから、冷却効果の低いＬ０層２０における熱干渉を緩和し、再結晶化現象を抑制することが可能となる。

以下、本発明の実施例について具体的に説明する。

光記録媒体１０の作製
まず、図２に示したスタンパ４０を用いたポリカーボネートの射出成形を行い、これによって、グルーブ１１ａの深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び０．３２μｍであり、厚さが１．１ｍｍである基体１１を作成した。

次に、基体１１をスパッタリング装置（図示せず）内に搬入し、基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面にＡｇ合金、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０）、ＡｇＳｂＴｅＧｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０）をこの順でスパッタリングすることによって、それぞれ厚さが１００ｎｍ、１５ｎｍ、１２ｎｍ及び８０ｎｍである反射膜３４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３２及び第３の誘電体膜３１（Ｌ１層３０）を成膜した。

次に、Ｌ１層３０が形成された基体１１をスパッタリング装置から搬出した後、第３の誘電体膜３１上に紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコートした。そして、スピンコートした紫外線硬化性アクリル樹脂の表面に、図４に示したスタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外線を照射した。これにより、グルーブ１２ａの深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び０．３２μｍであり、厚さが２０μｍである中間層１２を形成した。

次に、Ｌ１層３０及び中間層１２が形成された基体１１をスパッタリング装置内に搬入し、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成されている中間層１２のほぼ全面にＡｌ_２Ｏ_３、ＳｂＴｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０）をこの順でスパッタリングすることによって、それぞれ厚さが７０ｎｍ、８ｎｍ及び６０ｎｍである第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の誘電体膜２１（Ｌ０層２０）を成膜した。

次に、Ｌ１層３０、中間層１２及びＬ０層２０が形成された基体１１をスパッタリング装置から搬出した後、第１の誘電体膜２１上に紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによって、厚さが１００μｍである光透過層１３を形成した。これにより光記録媒体前駆体が完成した。

そして、かかる光記録媒体前駆体をレーザ照射装置の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転させながらトラックに沿った方向における長さが短く、且つ、トラックに垂直な方向における長さが長い矩形状のレーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらすことによって、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の実質的に全面を結晶状態に初期化した。これにより本実施例で用いる光記録媒体１０が完成した。

レーザパワーの設定
このようにして作製された光記録媒体１０のＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対し、記録パワー（Ｐｗ）及び消去パワー（Ｐｅ）を種々に変えて記録を行い、形成された記録マークのジッタを測定した。ジッタは、タイムインターバルアナライザによりクロックジッタを測定し、その再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、ウィンドウ幅をＴｗとして、
σ／Ｔｗ（％）
により算出した。記録においては、クロック周波数を６５．７ＭＨｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速度を５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの変調方式により混合信号の形成を行った。記録に用いたレーザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数は０．８５である。

また、Ｌ０記録膜２２への記録においては、Ｔｔｏｐ０、Ｔｍｐ０、Ｔｌｐ０及びＴｃｌ０をそれぞれ０．２Ｔ、０．２Ｔ、０．２Ｔ及び１．０Ｔに設定し、Ｌ１記録膜３２への記録においては、Ｔｔｏｐ１、Ｔｍｐ１、Ｔｌｐ１及びＴｃｌ１をそれぞれ０．４Ｔ、０．４Ｔ、０．５Ｔ及び０．８Ｔに設定した。

Ｌ０記録膜２２についての測定結果を表１に示す。

表１に示すように、Ｌ０記録膜２２への記録においては、記録パワー（Ｐｗ０）が４．５ｍＷ〜５．０ｍＷであり、消去パワー（Ｐｅ０）が１．３ｍＷ〜１．５ｍＷである場合に良好なジッタが得られている。尚、記録パワー（Ｐｗ０）及び消去パワー（Ｐｅ０）の値は、レーザビームを照射した際の盤面における値である（以下に示す基底パワー（Ｐｂ０）の値も同様）。これにより、Ｌ０記録膜２２への記録においては、記録パワー（Ｐｗ０）と消去パワー（Ｐｅ０）との比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）が０．２６〜０．３３程度である場合に良好なジッタが得られることが分かった。

図８は、記録パワー（Ｐｗ０）と消去パワー（Ｐｅ０）との比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）とジッタとの関係を示すグラフである。図８からは、記録パワー（Ｐｗ０）と消去パワー（Ｐｅ０）との比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）が０．２６〜０．３３程度である場合に良好なジッタが得られていることがより明確に確認できる。また、図８を参照すれば、Ｐｅ０／Ｐｗ０が０．３０程度である場合に、非常に良好なジッタが得られていることが確認できる。

Ｌ１記録膜３２についての測定結果を表２に示す。

表２に示すように、Ｌ１記録膜３２への記録においては、記録パワー（Ｐｗ１）が９．５ｍＷ〜１０．０ｍＷであり、消去パワー（Ｐｅ１）が５．０ｍＷ〜６．５ｍＷである場合に良好なジッタが得られている。尚、記録パワー（Ｐｗ１）及び消去パワー（Ｐｅ１）の値は、レーザビームを照射した際の盤面における値である（以下に示す基底パワー（Ｐｂ１）の値も同様）。これにより、Ｌ１記録膜３２への記録においては、記録パワー（Ｐｗ１）と消去パワー（Ｐｅ１）との比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）が０．５０〜０．６８程度である場合に良好なジッタが得られることが分かった。

図９は、記録パワー（Ｐｗ１）と消去パワー（Ｐｅ１）との比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）とジッタとの関係を示すグラフである。図９からは、記録パワー（Ｐｗ１）と消去パワー（Ｐｅ１）との比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）が０．５０〜０．６８程度である場合に良好なジッタが得られていることがより明確に確認できる。また、図９を参照すれば、Ｐｅ１／Ｐｗ１が０．６０程度である場合に、非常に良好なジッタが得られていることが確認できる。

以上より、Ｐｅ０／Ｐｗ０を、Ｐｅ１／Ｐｗ１に対して０．３８〜０．６６倍程度に設定することが好ましく、０．４４〜０．５５倍程度に設定することがより好ましく、０．５０倍程度に設定することが特に好ましいことが分かった。

パルス幅の設定
次に、上述のようにして作製された光記録媒体１０のＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対し、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ及び冷却期間Ｔｃｌを種々に変えて記録を行い、形成された記録マークのジッタを測定した。但し、本実施例では、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐとラストパルスのパルス幅Ｔｌｐとを同じ長さに設定していることから、以下の記載において、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐとは、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐをも指す。記録においては、上述したレーザパワーの設定時と同様、クロック周波数を６５．７ＭＨｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速度を５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの変調方式により混合信号の形成を行った。記録に用いたレーザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数は０．８５である。

また、Ｌ０記録膜２２への記録においては記録パワー（Ｐｗ０）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）をそれぞれ５．０ｍＷ、１．５ｍＷ及び０．１ｍＷに固定し、Ｌ１記録膜３２への記録においては記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）をそれぞれ１０．０ｍＷ、６．０ｍＷ及び０．１ｍＷに固定した。

測定においては、まず、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐを同じ長さに設定してこれを種々の長さに変化させる一方で、冷却期間Ｔｃｌの長さを固定して記録を行い、形成された記録マークのジッタを測定した。

Ｌ０記録膜２２についての測定結果を表３に、Ｌ１記録膜３２についての測定結果を表４に示す。

表３に示すように、Ｌ０記録膜２２への記録においては、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０が０．２０Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。また、表４に示すように、Ｌ１記録膜３２への記録においては、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ１及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ１が０．４０Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。

次に、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐの一方を、上述のようにして得られたパルス幅（Ｌ０記録膜２２については０．２０Ｔ、Ｌ１記録膜３２については０．４０Ｔ）に固定し、他方を変化させて記録を行い、形成された記録マークのジッタを測定した。

Ｌ０記録膜２２についての測定結果を表５に、Ｌ１記録膜３２についての測定結果を表６に示す。

表５に示すように、Ｌ０記録膜２２への記録においては、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０を０．２０Ｔに固定した場合には、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０が０．２０Ｔ〜０．２２Ｔである場合に良好なジッタが得られ、０．２０Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。また、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０を０．２０Ｔに固定した場合には、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０が０．１８Ｔ〜０．３０Ｔである場合に良好なジッタが得られ、０．２２Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。また、表６に示すように、Ｌ１記録膜３２への記録においては、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ１を０．４０Ｔに固定した場合には、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ１が０．３８Ｔ〜０．４２Ｔである場合に良好なジッタが得られ、０．４０Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。また、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ１を０．４０Ｔに固定した場合には、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ１が０．４０Ｔ〜０．４５Ｔである場合に良好なジッタが得られ、０．４０Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。

次に、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐを、上述のようにして得られた最適パルス幅（Ｌ０記録膜２２についてはそれぞれ０．２２Ｔ及び０．２０Ｔ、Ｌ１記録膜３２についてはいずれも０．４０Ｔ）に固定し、冷却期間Ｔｃｌを変化させて記録を行い、形成された記録マークのジッタを測定した。

Ｌ０記録膜２２についての測定結果を表７に、Ｌ１記録膜３２についての測定結果を表８に示す。

表７に示すように、Ｌ０記録膜２２への記録においては、冷却期間Ｔｃｌ０が１．０Ｔ〜１．２Ｔである場合に良好なジッタが得られ、１．０Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。また、表８に示すように、Ｌ１記録膜３２への記録においては、冷却期間Ｔｃｌ１が０．６Ｔ〜０．８Ｔである場合に良好なジッタが得られ、０．８Ｔである場合に最も良好なジッタが得られている。

このように、Ｌ０記録膜２２への記録においては、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ０（＝Ｔｌｐ０）を０．１８Ｔ〜０．３０Ｔ、特に０．２２Ｔに設定し、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０を０．２０Ｔ〜０．２２Ｔ、特に０．２０Ｔに設定し、冷却期間Ｔｃｌ０を１．０Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定することにより、良好なジッタが得られることが分かった。また、Ｌ１記録膜３２への記録においては、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ１（＝Ｔｌｐ１）を０．４０Ｔ〜０．４５Ｔ、特に０．４０Ｔに設定し、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ０を０．３８Ｔ〜０．４２Ｔ、特に０．４０Ｔに設定し、冷却期間Ｔｃｌ０を０．６Ｔ〜０．８Ｔ、特に０．８Ｔに設定することにより、良好なジッタが得られることが分かった。

以上より、Ｔｔｏｐ０（及びＴｌｐ０）をＴｔｏｐ１（及びＴｌｐ１）に対して０．４０〜０．７５倍程度に設定することが好ましく、０．４９〜０．５５倍程度に設定することがより好ましく、０．５５倍程度に設定することが特に好ましいことが分かった。また、Ｔｍｐ０をＴｍｐ１に対して０．４８〜０．５８倍程度に設定することが好ましく、０．５０〜０．５３倍程度に設定することがより好ましく、０．５０倍程度に設定することが特に好ましいことが分かった。さらに、Ｔｃｌ０をＴｃｌ１に対して１．２５〜２．００倍程度に設定することが好ましく、１．２５〜１．５０倍程度に設定することがより好ましく、１．２５倍程度に設定することが特に好ましいことが分かった。

本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上記実施態様においては、光記録媒体１０が２つの記録層（Ｌ０層２０、Ｌ１層３０）を備えている場合を例に説明したが、本発明の対象が記録層を２層のみ有する光記録媒体に限定されるものではなく、３層以上の記録層を有する光記録媒体に適用することも可能である。

この場合、レーザパワーの設定に関しては、光入射面１３ａから最も遠い記録層についてのＰｅ／Ｐｗに対して、その他の記録層のＰｅ／Ｐｗを小さく（０．３８〜０．６６倍程度）に設定すればよく、光入射面１３ａに近い記録層ほど、Ｐｅ／Ｐｗが段階的に小さくなるように設定することが好ましい。また、パルス幅の設定に関しては、光入射面１３ａから最も遠い記録層についてのＴｔｏｐに対してその他の記録層のＴｔｏｐ（及びＴｌｐ）を短く（０．４０〜０．７５倍程度）に設定し、光入射面１３ａから最も遠い記録層についてのＴｍｐに対してその他の記録層のＴｍｐを短く（０．４８〜０．５８倍程度）に設定し、光入射面１３ａから最も遠い記録層についてのＴｃｌに対してその他の記録層のＴｃｌを長く（１．２５〜２．００倍程度）に設定すればよく、光入射面１３ａに近い記録層ほど、Ｔｔｏｐ（及びＴｌｐ）及びＴｍｐが段階的に短くなり、Ｔｃｌが段階的に長くなるように設定することが好ましい。

本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。 光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。 光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。 光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。 光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。 Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。 光記録媒体１０に対してデータの記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。 記録パワー（Ｐｗ０）と消去パワー（Ｐｅ０）との比（Ｐｅ０／Ｐｗ０）とジッタとの関係を示すグラフである。 記録パワー（Ｐｗ１）と消去パワー（Ｐｅ１）との比（Ｐｅ１／Ｐｗ１）とジッタとの関係を示すグラフである。

符号の説明

１０ 光記録媒体
１１ 基体
１２ 中間層
１１ａ，１２ａ グルーブ
１１ｂ，１２ｂ ランド
１３ 光透過層
１３ａ 光入射面
２０ Ｌ０層
２１ 第１の誘電体膜
２２ Ｌ０記録膜
２３ 第２の誘電体膜
３０ Ｌ１層
３１ 第３の誘電体膜
３２ Ｌ１記録膜
３３ 第４の誘電体膜
３４ 反射膜
４０，４１ スタンパ
５０ 情報記録装置
５２ スピンドルモータ
５３ ヘッド
５４ コントローラ
５５ レーザ駆動回路
５６ レンズ駆動回路
５７ フォーカスサーボ追従回路
５８ トラッキングサーボ追従回路
５９ レーザコントロール回路

Claims (15)

1. 積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置する光記録媒体に、前記光入射面から強度変調されたレーザビームを照射して、情報を記録する情報記録方法であって、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、
   λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ
   に設定し、且つ、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅よりも短く設定して、情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
2. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅の０．４８ないし０．５８倍に設定して、情報を記録することを特徴とする請求項１に記載の情報記録方法。
3. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間よりも長く設定して、情報を記録することを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録方法。
4. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間の１．２５ないし２．００倍に設定して、情報を記録することを特徴とする請求項３に記載の情報記録方法。
5. 前記レーザビームの波長λが２００ないし４５０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の情報記録方法。
6. 積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置する光記録媒体に、光入射面から強度変調されたレーザビームを照射して、情報を記録する情報記録装置であって、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、
   λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ
   であり、且つ、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅よりも短く設定して情報の記録を行うことを特徴とする情報記録装置。
7. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅の０．４８ないし０．５８倍に設定して、情報を記録することを特徴とする請求項６に記載の情報記録装置。
8. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間よりも長く設定して、情報を記録することを特徴とする請求項５または６に記載の情報記録装置。
9. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間の１．２５ないし２．００倍に設定して、情報を記録することを特徴とする請求項８に記載の情報記録装置。
10. 前記レーザビームの波長λが２００ないし４５０ｎｍであることを特徴とする請求項５ないし９のいずれか１項に記載の情報記録装置。
11. 積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置するとともに、前記光入射面から入射される強度変調されたレーザビームによって情報の記録が可能な光記録媒体であって、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、
    λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍ
    に設定し、且つ、前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅よりも短く設定して情報の記録を行うために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体。
12. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合のマルチパルスのパルス幅の０．４８ないし０．５８倍に設定して、情報を記録するために必要な設定情報を有していることを特徴とする請求項１１に記載の光記録媒体。
13. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間よりも長く設定して、情報を記録するために必要な設定情報を有していることを特徴とする請求項１１または１２に記載の光記録媒体。
14. 前記第１の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間を、前記第２の情報記録層に情報を記録する場合の冷却期間の１．２５ないし２．００倍に設定して、情報を記録するために必要な設定情報を有していることを特徴とする請求項１３に記載の光記録媒体。
15. 前記レーザビームの光路となる光透過層を備え、前記光透過層の厚さが３０ないし２００μｍであることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の光記録媒体。
    

Images