JPWO2012124313A1 - 光学的情報記録装置、光学的情報記録方法及び光学的情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

ライトパルスのパワーをピークパワーとし、ボトムパルスのパワーをボトムパワーとしたとき、パワー設定器（１１４）は、光記録媒体（１１）の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが下記の式を満たすように、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ

Description

本発明は、レーザビームの照射によって光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録装置及び光学的情報記録方法、２つ以上の情報層を備えた光学的情報記録媒体に関するものである。

基板上に成膜した相変化記録材料等の薄膜からなる記録膜にレーザビームを照射し局所的な加熱を行うとき、照射条件の違いにより光学定数の異なる状態に当該記録膜を変化させることが可能である。このように、光学的情報記録媒体（以下では光記録媒体とも記す）は、レーザビームを用いて光学的に情報が記録、消去、書換、又は再生される。光記録媒体は広く研究開発され、ＢＤ（ブルーレイディスク）、ＤＶＤ及びＣＤなどが商品化されている。

相変化型の光記録媒体では、レーザビームの照射によって発生する熱により記録膜を構成する相変化材料を、例えば結晶相と非晶質相との間で状態変化させることによって、情報が記録される。また、情報の再生は結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを検出することにより行われる。

光記録媒体のうち書換型光記録媒体は、可逆的相変化を生じる相変化記録材料を記録膜に用いることにより、情報の消去又は書換が可能である。書換型光記録媒体においては、一般に記録膜の初期状態は結晶相である。情報を記録する場合には、高パワーのレーザビームを照射し記録膜を溶融し、その後、急激に冷却することによってレーザ照射部を非晶質相にする。一方、情報を消去する場合には、記録時に比べ低パワーのレーザビームを照射し記録膜を昇温し、その後、ゆるやかに冷却することによってレーザ照射部を結晶相にする。また、高パワーと低パワーとでパワー変調させたレーザビームを記録膜に照射することで、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録すること、すなわち書換が可能である。書換型光記録媒体においては、非晶質部がマークであり、結晶部がスペースである。

また、可逆的相変化を生じない材料を記録膜に用いた追記型光記録媒体では、情報の書換は不可能であり、１回のみ情報を記録することができる。

書換型光記録媒体及び追記型光記録媒体のどちらにしても、記録時の熱の冷却を効率よく行う目的で熱伝導率の高い金属膜が、記録膜に加えて一般的に用いられる。

光記録媒体に記録された情報の再生は、結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを調べることにより行われる。具体的には、情報の再生は、ある一定の再生パワーに設定したレーザビームを光記録媒体に照射した時に、光記録媒体からの反射光の強度を信号として検出することで行われる。

光記録媒体を大容量化するための技術として、様々な技術が検討されている。例えば、マーク長及びスペース長の最小サイズを小さくし、記録密度を高める方法がある。この方法では再生信号におけるＳ／Ｎ比が低下するという問題に加え、マークを記録する際に発生した熱がスペース部分を伝播し前後に隣り合うマークの冷却過程に影響を与える現象、すなわち熱干渉が発生する。熱干渉が発生すると、マークのエッジ位置が変動することになり、再生時の誤り率が増加するという問題がある。

そこで、レーザパワーを高パワー及び低パワーの２値で駆動してマークとスペースとを形成する場合に、マークの始端部分の位置を、記録するマークのマーク長及び当該マークの直前のスペースのスペース長に応じて変化させるとともに、マークの終端部分の位置を、記録するマークのマーク長及び当該マークの直後のスペースのスペース長に応じて変化させて記録する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。このように、マーク記録時に選択される記録パルスの制御パラメタを調節することで、高密度記録時のマーク間の熱干渉によるマークのエッジ位置の変動を補償している。

また、正確な長さのマーク及びスペースが形成されていても、光スポットのサイズで決まる再生光学系の周波数特性が原因で、再生時に検出される短いマーク及びスペースのエッジ位置が、理想値と異なって再生されるという問題が発生する。この検出エッジと理想値とのずれを一般に符号間干渉という。マーク及びスペースのサイズが光スポットに比べて小さくなると、符号間干渉が顕著になり、再生時のジッタが増大して、誤り率が増加するという問題があった。このため、最尤復号法の１つであるＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）法と呼ばれる信号処理方式によって、光記録媒体から得られる再生信号の波形から、最も確からしい信号系列を決定する方法が提案されている。

例えば、波長が４０５ｎｍであるレーザビーム及びＮＡ（開口数）が０．８５である対物レンズを用いた光学系において、直径が１２ｃｍであるＢＤに１面あたり２５ＧＢの容量で情報を記録し、記録された情報を正しく再生するためには、ＰＲ（１，２，２，１）ＭＬ方式を採用することが望ましい。また、上記と同じ光学系を用い、１面あたり３３．４ＧＢの容量で情報を記録するためには、マーク長を短くして線密度を高密度化する必要がある。この場合、再生信号の処理はＰＲ（１，２，２，２，１）ＭＬ方式を採用すること望ましい。

また、特許文献２は、再生信号のジッタではなく、ＰＲＭＬ方式を用いて、情報を記録する際の記録パルスの制御パラメタを最適化する記録制御方法を開示している。特許文献２の記録制御方法によれば、ＰＲＭＬ方式によって、再生信号波形から信号波形を推定し、エラーの発生確率が最小となるように、記録パルスの制御パラメタが最適化される。

一方、光記録媒体を大容量化するための別の取り組みとして、複数の情報層を備える書換型光記録媒体の片側の面から入射するレーザビームによって複数の情報層に情報を記録又は再生する方法がある。

例えば光記録媒体が２つの情報層を備えていれば、記録容量は２倍になる。光記録媒体の片側の面から入射するレーザビームによって２つの情報層に情報を記録又は再生する光記録媒体において、入射面から遠い情報層（以下、第１情報層）への情報の記録又は再生は、入射面に近い情報層（以下、第２情報層）を透過したレーザビームによって行われる。つまり、第２情報層の透過率が低いと、第１情報層へ到達するレーザビームのエネルギーが減衰するため、第１情報層からの反射率が実質的に小さくなり、再生する際の情報の信号品質が悪化する。なお、以下の説明では、反射率とは他の情報層を透過したことによる減衰を含んだ実質的な反射率のことを指す。また、他の情報層を透過したことによる減衰を含まない反射率は膜反射率と呼ぶ。

さらに、第２情報層の透過率が低いと、第１情報層に好適に情報を記録するために必要となるレーザパワーは、より大きくなる。レーザパワーが記録装置の限界を超えた場合は、好適な記録ができなくなり、記録する際の情報の品質が悪化する。従って、第２情報層はできるだけ高い透過率を有することが好ましい。

レーザビームの入射面側の情報層が高い透過率を有するためには、レーザビームの入射面側の情報層において、消衰係数が大きい金属膜の厚さは薄いほうが良い。しかし、記録可能な光記録媒体において、金属膜の厚さを薄くすると、記録時に発生した熱の冷却速度が遅くなる。そのため、レーザビーム照射領域外への熱伝播が大きくなり、マークとスペースとの境界がぼやけることにより再生信号が悪化する。そこで、レーザビームの入射面に近い情報層に情報を記録する時には、入射面から最も遠い情報層に情報を記録する時より温度変化が急冷になるような記録パルスを用いることが提案されている（特許文献３参照）。

また、特許文献４は、光記録媒体の好適な記録のための記録パルスの制御パラメタに関する情報を光記録媒体の所定の領域内の情報ユニットに記録することを開示している。

また、特許文献５は、複数の情報層を有する光記録媒体において、レベルの異なる複数のパワーで変調される記録パルスの各パワーのパラメタが情報層ごとに算出され、各情報層の特定のパワーと最もレベルの高いパワーとの比に関する情報が光記録媒体の所定の領域内の情報ユニットに記録されることを開示している。

しかしながら、特許文献３の技術では、さらなる大容量化に向けて、３つ以上の情報層を備えた光記録媒体に情報が記録される場合、消去性能が悪化するという課題があった。すなわち、透過率をより高めるために、金属膜と同様に消衰係数が大きい相変化材料からなる記録膜の厚さは薄くする必要がある。しかしながら、一般的に、書換型光記録媒体において、相変化材料からなる記録膜の厚さを薄くすると、結晶化速度が遅くなる。そのため、非晶質相から結晶相への相変化が生じにくくなり、情報の消去性能が悪化する。

２つの情報層を備えた光記録媒体の第２情報層においては、消去性能の悪化の影響は実用上の問題にならない。しかしながら、３つの情報層を備えた光記録媒体を実現するためには、最もレーザビームの入射面側にある情報層（以下、第３情報層）の透過率は、第２情報層の透過率よりもさらに上げなければならない。そのため、第３情報層の記録膜の厚さは、第２情報層の記録膜の厚さよりも薄くなり、第３情報層の消去性能は実用上の求められるレベルを満足することが困難になっていた。

また、３つの情報層を備えた光記録媒体では、第２情報層に記録された信号の再生は、第３情報層を透過して光量が減衰したレーザビームによって行われる。そのため、第２情報層の実質的な反射率は低くなる。一般的に、異なる２つの情報層の反射率の比は０．５以上且つ２．０以下であるのが望ましい。そのためには、第２情報層の膜反射率は第３情報層の膜反射率よりも高くする必要がある。しかし、光透過性が求められる情報層においては、膜反射率を高くすると、結晶相である記録膜の反射率と非晶質である記録膜の反射率との比が小さくなる傾向がある。そのため、信号振幅が小さくなり、第２情報層の再生信号品質が悪くなってしまうという課題があった。

特許第２６７９５９６号公報 特開２００８−１５９２３１号公報 特開２００６−３１９３６号公報 特開２００６−３１３６２１号公報 特許第４５６０００９号公報

本発明は、上記の課題を解決するものであり、２つ以上の情報層を備えた光記録媒体において、全ての情報層に高品質な情報を記録することができる光学的情報記録装置、光学的情報記録方法及び光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の一局面に係る光学的情報記録装置は、Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備える光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録装置であって、前記Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有し、前記レーザビームを出射する光源と、前記記録膜に記録マークを形成するための記録パルス列を生成する記録パルス列生成部と、前記記録パルス列の各パルスのパワーを設定するパワー設定部と、前記記録パルス列生成部によって生成された前記記録パルス列に応じた前記レーザビームを、前記パワー設定部によって設定されたパワーで出射するように前記光源を駆動する駆動部とを備え、前記記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、前記ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含み、前記ライトパルスのパワーをピークパワーとし、前記ボトムパルスのパワーをボトムパワーとしたとき、前記パワー設定部は、前記光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが下記の式を満たすように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定する。

ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ

本発明によれば、Ｎ層の情報層のうち光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮに対するボトムパワーＰｂＮの比を、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭに対するボトムパワーＰｂＭの比よりも高くなるように、記録パルス列の各パルスのパワーが設定されるので、第Ｍ情報層における記録時の温度変化が相対的に急冷になり、非晶質相である記録マークを容易に形成することができる。そのため、反射率を高くすることによって結晶相である記録膜の反射率と非晶質である記録膜の反射率との比が小さくなる傾向にある第Ｍ情報層においても、信号振幅を大きくすることができ、再生信号品質を向上することができる。

また、第Ｎ情報層における記録時の温度変化が相対的に徐冷になり、非晶質相である記録マークがより小さく形成されるので、情報の書換が容易になる。そのため、透過率を高くするために記録膜の厚さが薄くなり消去性能が悪化しやすい第Ｎ情報層においても、実用上で求められる消去性能を確保することができる。

このように、２つ以上の情報層を備えた光記録媒体において、全ての情報層に高品質な情報を記録することができる。

本発明の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

本発明の実施の形態に係る光記録再生装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態に係る光記録再生装置における記録符号列のマーク及びスペースと、マーク及びスペースを記録する記録波形発生動作の一例を説明するための図である。 マークのマーク長と記録パルス信号の記録波形との関係を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る光記録再生装置における光学的情報記録方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態に係る光学的情報記録方法における記録パルス列の制御の例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る光学的情報記録方法における記録補償テーブルを作成する方法について説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態において、記録するマーク長が２つ増えるとパルスの数が１つ増える記録パルスの例について説明するための図である。 本発明の実施の形態において、Ｎ／２記録ストラテジの各パラメタを設定するための記録補償テーブルの一例を示す図である。 本発明の実施の形態に係るパワー情報の一例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る波形等化器の周波数特性を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態に係る光学的情報再生方法における再生信号波形を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る光学的情報記録媒体を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態に係る光学的情報記録媒体の各情報層をさらに詳細に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態に係る光記録媒体の第１情報層の記録補償テーブルの一例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る光記録媒体の第２情報層の記録補償テーブルの一例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る光記録媒体の第３情報層の学習前の記録補償テーブルの一例を示す図である。 本実施の形態における各情報層の記録パルス列の一例を示す図である。 本実施の形態の第１の変形例における各情報層の記録パルス列の一例を示す図である。 本実施の形態の第２の変形例における各情報層の記録パルス列の一例を示す図である。 本実施の形態の第３の変形例における各情報層の記録パルス列の一例を示す図である。 本実施の形態の第４の変形例に係る光記録再生装置の構成を示すブロック図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。

図１は、本発明の実施の形態に係る光記録再生装置の構成を示すブロック図である。図１に示す光記録再生装置は、記録系として、符号器１１３と、基準時間発生器１１９と、カウンタ２００と、分類器２０１と、記録波形発生器１１２と、記録補償器１１８と、レーザ駆動回路１１１と、パワー設定器１１４と、レーザビーム源１１０と、対物レンズ１１６等を含む記録光学系とを備える。

また、図１に示す光記録再生装置は、再生系として、検出レンズ１０６等を含む再生光学系と、光検出器１００と、プリアンプ１０１と、波形等化器１０３と、２値化器１０４と、復号器１０５と、再生シフト測定器１７０とを備える。なお、上記記録光学系は、対物レンズ１１６、コリメートレンズ１０９及びハーフミラー１０８を含み、上記再生光学系は、検出レンズ１０６、対物レンズ１１６及びハーフミラー１０８を含む。

光記録再生装置は、光記録媒体１１に情報を記録する。光記録媒体１１は、Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備える。Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有する。なお、本実施の形態の光記録媒体１１は、３層の情報層のみを備える。

まず、図１に示す光記録再生装置の各構成部材について説明する。符号器１１３は、記録される記録データ１２７を、光記録媒体１１上に形成されるマーク及びスペースのマーク長及びスペース長と、マーク及びスペースの先頭位置情報とを表す記録符号列（ＮＲＺＩ（Ｎｏｎ Ｒｅｔｕｒｎ ｔｏ Ｚｅｒｏ Ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）系列）１２６に変換する。記録符号列１２６は、分類器２０１と記録波形発生器１１２とカウンタ２００とに伝達される。

分類器２０１は、記録符号列１２６の各マークを、マークのマーク長（符号長）、当該マークの直前のスペースのスペース長及び当該マークの直後のスペースのスペース長に基づいて所定の規則にしたがって分類する。分類器２０１は、分類した結果を分類信号２０４として記録波形発生器１１２に出力する。

カウンタ２００は、記録符号列１２６を参照し、基準時間発生器１１９によって発生される基準時間信号１２８を単位としてマークの先頭位置からの時間を計時し、カウント信号２０５を生成する。なお、符号器１１３及び記録波形発生器１１２は、それぞれ基準時間信号１２８に同期して動作する。基準時間信号１２８は、光記録媒体１１上のウォブルから読み出された信号にＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）を行って同期した信号から生成される。

記録補償器１１８は、光記録媒体１１上の特定の領域にあらかじめ記録されている情報を読み出し、各マークの各マーク長、各マークの直前のスペース長及び各マークの直後のスペース長に応じた、記録波形発生器１１２で発生させる各記録パルス波形のパルス位置移動量である記録補償テーブルデータを保持している。記録補償器１１８は、記録補償テーブルデータを記録波形発生器１１２に送出する。

記録波形発生器１１２は、記録符号列（ＮＲＺＩ系列）１２６、分類信号２０４、及び記録補償テーブルデータに応じてパルス状の波形を時間軸上で補償する。これによって、記録符号列１２６は、記録波形に対応した記録パルス信号１２５に変換される。記録パルス信号１２５は、レーザパワーレベルに応じて３段階のレベルで構成されている。

記録波形発生器１１２は、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメタを、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する。

制御パラメタは、記録パルス列の始端のパルスエッジの位置、記録パルス列の始端から２番目のパルスエッジの位置、記録パルス列の終端のパルスエッジの位置、及び記録パルス列の終端から２番目のパルスエッジの位置の少なくとも１つである。

記録補償器１１８は、後述するように記録パルス信号１２５のパルスエッジの位置を変化させるエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２に関する記録補償テーブルを格納している。記録補償器１１８は、記録補償テーブルを記録波形発生器１１２に送出し、記録波形発生器１１２は、上記分類信号２０４に応じて各マーク長のパルスを分類し、各記録パルスの位置及び幅が補償された記録パルス信号１２５をレーザ駆動回路１１１に送出する。記録波形発生器１１２は、記録膜に記録マークを形成するための記録パルス列を生成する。

パワー設定器１１４は、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含む。ライトパルスのパワーをピークパワーとし、ボトムパルスのパワーをボトムパワーとし、クーリングパルスのパワーをクーリングパワーとしたとき、パワー設定器１１４は、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。

なお、記録波形発生器１１２は、２つの連続する記録パルス列の間に消去パルスを生成する。消去パルスのパワーは、イレースパワーとする。パワー設定器１１４は、記録パルス列及び消去パルスの各パルスのパワーを設定する。

レーザ駆動回路１１１は、記録波形発生器１１２によって生成された記録パルス列に応じたレーザビームを、パワー設定器１１４によって設定されたパワーで出射するようにレーザビーム源１１０を駆動する。

レーザ駆動回路１１１は、パワー設定器１１４で設定されたパワーレベルで記録パルス信号１２５の３つのレベル（ピークパワーＰｗ、イレースパワーＰｅ及びボトムパワーＰｂ）のそれぞれに応じたレーザパワーを設定し、レーザ駆動電流１２４によりレーザビーム源１１０を駆動する。レーザビーム源１１０は、光記録媒体１１上にパルス状の光を照射して記録マークを形成する。レーザ駆動回路１１１は、選択された制御パラメタによる記録パルス列によってマークを記録する。

読出部１３０は、プリアンプ１０１、波形等化器１０３、２値化器１０４及び復号器１０５で構成される。読出部１３０は、光記録媒体１１から各情報層のピークパワー及び各情報層のボトムパワーを含むパワー情報を読み出す。光記録媒体１１は、各情報層のライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層のボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを記録している。

なお、本実施の形態において、光記録再生装置が光学的情報記録装置の一例に相当し、レーザビーム源１１０が光源の一例に相当し、記録波形発生器１１２が記録パルス列生成部の一例に相当し、パワー設定器１１４がパワー設定部の一例に相当し、レーザ駆動回路１１１が駆動部の一例に相当し、読出部１３０が読出部の一例に相当する。

次に、光記録再生装置の記録系における光記録媒体１１への情報の記録方法について説明する。

記録パルス信号１２５は、レーザ駆動回路１１１に送出される。レーザ駆動回路１１１は、記録パルス信号１２５と、パワー設定器１１４で設定されたパワーとを参照して、記録パルス信号１２５のレベルに応じてレーザ駆動電流１２４を発生し、レーザビーム源１１０を記録パルス信号１２５の所定の記録波形にしたがって発光させる。レーザビーム源１１０から放出されたレーザビーム１２３は、コリメートレンズ１０９、ハーフミラー１０８及び対物レンズ１１６を通って光記録媒体１１上に集光され、記録膜を加熱してマーク及びスペースを形成する。

次に、光記録再生装置の再生系における光記録媒体１１からの情報の再生方法について説明する。

情報の再生時には、レーザビーム源１１０は、記録されたマークを破壊しない程度の低いパワーレベルのレーザビーム１２３を出射し、光記録媒体１１上のマーク列を走査する。光記録媒体１１からの反射光は、対物レンズ１１６及びハーフミラー１０８を通って、検出レンズ１０６に入射する。レーザビームは、検出レンズ１０６を通って光検出器１００上に集光される。集光された光は、光検出器１００上の光強度分布の強弱に応じて、電気信号に変換される。電気信号は、各々の光検出器１００に設けられたプリアンプ１０１によって増幅され、光記録媒体１１上の走査位置におけるマークの有無に対応した再生信号１２０となる。再生信号１２０は、波形等化器１０３によって波形等化処理が行われる。波形等化処理が行われた再生信号１２０は、２値化器１０４において、“０”又は“１”の２値のデータに変換されるとともにＰＬＬによる同期が行われて、２値化再生信号１２１に変換される。さらに、復号器１０５は、２値化再生信号１２１に対して符号器１１３における変換の逆変換を施して再生データ１２２を生成する。

ここで、例えば、基準時間信号１２８の周波数は、１３２ＭＨｚであり、Ｔｗ（チャネルクロック周期）は約７．５ｎｓｅｃである。光記録媒体１１は、線速度一定の７．３８ｍ／ｓｅｃで回転させる。レーザビーム源１１０は、半導体レーザビーム源で構成され、波長４０５ｎｍのレーザビームを出射する。対物レンズ１１６のＮＡは、０．８５である。光記録媒体１１は、複数の情報層を有する多層ディスクであって、２層ディスク、３層ディスク又は４層ディスクでもよい。また、光記録媒体１１は、相変化記録材料を用いた書換型の光ディスク媒体の他に、１度だけ追記できる追記型の光ディスク媒体であってもよい。符号化方式は、（１―７）変調である。（１―７）変調では最短の符号長は２Ｔｗである。

図２は、本発明の実施の形態に係る光記録再生装置における記録符号列のマーク及びスペースと、マーク及びスペースを記録する記録波形発生動作の一例を説明するための図である。

図２の基準時間信号１２８は、記録動作の時間基準を表す信号であり、Ｔｗの周期である。図２の記録符号列１２６は、記録データ１２７を符号器１１３でＮＲＺＩ変換した結果を表している。ここで、Ｔｗは検出窓幅であり、記録符号列１２６におけるマーク長及びスペース長の変化量の最小単位である。図２のマーク配列３００は、光記録媒体１１上に実際に記録されるマーク３０１及びスペース３０２のイメージを示したものである。レーザビームのスポットは、図２の紙面を左から右へ走査する。マーク３０１は、記録符号列１２６中の“１”レベルに１対１で対応しており、その期間に比例した長さで形成される。図２のカウント信号２０５は、マーク３０１及びスペース３０２の先頭からの時間をＴｗ単位で計時する。このように、Ｔｗを単位としたマーク及びスペースの長さは、一般にラン長と呼ばれる。

図２の分類信号２０４は、本実施の形態の光記録再生装置における分類信号を模式的に示しており、本例では各マークのマーク長の値と、各マークの直前のスペースのスペース長と、各マークの直後のスペースのスペース長との３つの値の組み合わせによって分類している。例えば、図２の分類信号２０４において“４−５−２”とは、マーク長が５Ｔｗのマークについて、当該マークの直前のスペースのスペース長が４Ｔｗであり、当該マークの直後のスペースのスペース長が２Ｔｗであることを表している。なお、本実施の形態において、４Ｔｗ及び２Ｔｗの“ｗ”を省略してそれぞれ４Ｔ及び２Ｔと表す場合がある。また、スペース長については４Ｔｓのようにラン長の末尾に“ｓ”を付け、マーク長については２Ｔｍのようにラン長の末尾に“ｍ”を付ける場合がある。

図２の記録パルス信号１２５は、図２の記録符号列１２６に対応した記録パルス信号であり、実際に記録される光波形の一例である。これらの記録パルス信号１２５は、カウント信号２０５、記録符号列１２６、分類信号２０４及び記録補償器１１８から送出される記録補償テーブルデータを参照して生成される。

次に、本実施の形態の光記録再生装置における記録補償方法について説明する。

図３は、マークのマーク長と記録パルス信号１２５の記録波形との関係を示す概略図である。図３の基準時間信号１２８は、記録動作の時間基準となる信号であり、Ｔｗの周期である。図３のカウント信号２０５は、カウンタ２００によって発生する信号であり、マークの先頭からの時間を基準時間信号１２８の基準時間Ｔｗ単位で計時する。カウント信号２０５が０に移行するタイミングはマークもしくはスペースの先頭に対応する。図３の記録パルス信号１２５は、記録マーク形成時の記録パルス信号である。図３では、２Ｔｗ（Ｔｍ）マークの記録パルス信号１２５、３Ｔｗ（Ｔｍ）マークの記録パルス信号１２５、４Ｔｗ（Ｔｍ）マークの記録パルス信号１２５及び５Ｔｗ（Ｔｍ）マークの記録パルス信号１２５をそれぞれ表している。記録パルス信号１２５は、レベル変調されており、最も高いレベルであるピークパワー（Ｐｗ）、中間レベルのイレースパワー（Ｐｅ）、及び最も低いレベルであるボトムパワー（Ｐｂ）の３値で変調されている。また、最終パルスの後、冷却パルスがボトムパワーで形成される。

ただし、ここではパワーレベルを３値変調としているが、最終パルスの後の冷却パルスのボトムパワーと、中間パルスの間のボトムパワーとを互いに異なるレベルとして、合計４値のパワー変調としてもよい。このとき、冷却パルスのパワーは、クーリングパワー（Ｐｃ）と呼ぶ。また、図３では、ボトムパワーをイレースパワーよりも低いパワーレベルとしているが、ボトムパワーは、イレースパワーとピークパワーとの間のパワーレベルでもよい。また、図３では、４Ｔｗマークの記録パルス信号は中間パルスが１つであるが、５Ｔｗ及び６Ｔｗというようにマーク長（符号長）が１Ｔｗずつ長くなるとそれに応じて中間パルスの個数が１つずつ増えていく。

本実施の形態の記録補償（適応補償）では、各マークについて、マークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長と、当該マークの直後のスペースのスペース長とによって分類する。そして、各マークを記録する記録パルス列のパルスエッジの位置が、上記分類結果に応じて、エッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２だけ変化される。このように記録パルス信号１２５が制御されるので、光記録媒体１１に形成するマークの始端位置又は後端位置を精密に制御することができる。さらに、記録するマークのマーク長だけでなく、当該マークの直前のスペースのスペース長と、当該マークの直後のスペースのスペース長とに応じてパルスエッジを制御するので、符号間干渉を考慮して、マークの始端位置又は後端位置をさらに精密に制御できる。

本実施の形態の光記録方法における記録補償方法について、図４のフローチャートを用いて説明する。図４は、本発明の実施の形態に係る光記録再生装置における光学的情報記録方法を説明するためのフローチャートである。

まず、符号器１１３は、記録データを符号化してマーク及びスペースの組み合わせである符号化データを作成する（ステップＳ１）。この符号化データは、図２の記録符号列１２６に対応する。

次に、分類器２０１は、マークについて、当該マークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長と、当該マークの直後のスペースのスペース長との組み合わせに基づいて分類する（ステップＳ２）。図２の分類信号２０４では、２Ｔマークについては“２−２−３”に分類され、３Ｔマークについては“３−３−４”に分類され、５Ｔマークについては“４−５−２”に分類され、６Ｔマークについては“２−６−２”に分類されている。分類信号２０４は、それぞれ、“前スペース長”、“マーク長”及び“後スペース長”の順で組み合わせている。なお、“前スペース長”とは、マークの直前のスペースのスペース長を表し、“後スペース長”とは、マークの直後のスペースのスペース長を表す。

記録波形発生器１１２は、マークを形成するための記録パルス列のパルスエッジの位置を分類結果に対応して変化させることにより、記録パルス列を制御する（ステップＳ３）。記録波形発生器１１２は、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメタを、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する。

例えば、図３の４Ｔｍマークの記録パルス信号１２５において、記録波形発生器１１２は、始端のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ１、始端から２番目のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ２、終端のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＥ１、及び終端から２番目のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＥ２だけ変化させる。

次に、パワー設定器１１４は、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する（ステップＳ４）。

次に、レーザ駆動回路１１１は、パワー設定器１１４によって設定されたパワー及び記録波形発生器１１２によって発生された記録パルス信号１２５に応じてレーザ駆動電流１２４を生成し、生成したレーザ駆動電流１２４をレーザビーム源１１０へ出力する。レーザビーム源１１０は、記録パルス列に応じたレーザビームを光記録媒体１１に照射してマークを形成する（ステップＳ５）。

図５は、本発明の実施の形態に係る光学的情報記録方法における記録パルス列の制御の例を示す図である。図５では、マーク長が４Ｔであるマーク３０１を記録する場合に、記録パルス列のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２だけ変化させる場合について示している。図５の基準時間信号１２８は、記録動作の時間基準となる信号であり、図５のカウント信号２０５は、カウンタ２００によって発生する信号である。図５の記録パルス信号（記録パルス列）１２５は、パルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２だけ変化させている。図５のマーク配列３００は、図５の記録パルス信号（記録パルス列）１２５によって記録されたマーク長が４Ｔであるマーク３０１のイメージを示している。図５では、マーク３０１の始端位置を精密に制御できることを示している。

始端のエッジ変化量ｄＴＳ１は、下記の表１に示すように、記録するマークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長（前スペース長）と、当該マークの直後のスペースのスペース長（後スペース長）とによって分類した結果に基づいて規定されている。表１は、始端のエッジ変化量ｄＴＳ１に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

始端のエッジ変化量ｄＴＳ１は、記録するマークのマーク長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、マーク長が２Ｔのときのみ、後スペース長が２Ｔ及び３Ｔ以上の２通りに分け、前スペース長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、それぞれについて（４＋１）×４＝２０通りに分類して規定されている。

エッジ変化量ｄＴＳ１は、始端のパルスエッジの位置であるため、前スペース（マークの直前のスペース）の影響が支配的であるが、マーク長が２Ｔのときは後スペース（マークの直後のスペース）の影響も無視できないため、このように分類されている。

なお、ここでは、エッジ変化量ｄＴＳ１について、マーク長について４通り、前スペース長について４通り、後スペース長について２通りに分類しているが、この場合に限定されるものではない。例えば、マーク長について２通り、３通り、５通り、又は６通り以上に分類してもよく、前スペース長及び後スペース長についてそれぞれ２通り、３通り、４通り、５通り、又は６通り以上に分類してもよい。エッジ変化量ｄＴＳ１は、例えば、ａ１＝２ｎｓｅｃのように絶対時間で規定してもよく、あるいは基準時間信号１２８に基づいてＴｗ／３２の整数倍の値で規定してもよい。

すなわち、記録パルス列の制御パラメタを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、マーク長はｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類される。なお、マーク長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類されてもよく、マーク長はｋ、ｋ＋１及びｋ＋２以上の少なくとも３種類に分類されてもよい。なお、本実施の形態において、最短マーク長が２Ｔである場合、ｋ＋１のマーク長は、３Ｔのマーク長を意味し、ｋ＋２のマーク長は、４Ｔのマーク長を意味し、ｋ＋３のマーク長は、５Ｔのマーク長を意味する。

また、記録パルス列の制御パラメタを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、第１のスペース長（前スペース長）及び第２のスペース長（後スペース長）のそれぞれはｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類される。なお、第１のスペース長及び第２のスペース長のそれぞれはｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類されてもよい。

記録波形発生器１１２は、マーク長と第１のスペース長と第２のスペース長との組み合わせと、制御パラメタとを対応付けた記録補償テーブルを参照して、記録パルス列を制御する。

始端から２番目のエッジ変化量ｄＴＳ２についてもエッジ変化量ｄＴＳ１と同様であり、下記の表２に示すように、記録するマークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長（前スペース長）と、当該マークの直後のスペースのスペース長（後スペース長）とによって分類した結果に基づいて規定されている。表２は、始端から２番目のエッジ変化量ｄＴＳ２に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

終端のエッジ変化量ｄＴＥ１は、下記の表３に示すように、記録するマークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長（前スペース長）と、当該マークの直後のスペースのスペース長（後スペース長）とによって分類した結果に基づいて規定されている。表３は、終端のエッジ変化量ｄＴＥ１に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

終端のエッジ変化量ｄＴＥ１は、記録するマークのマーク長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、マーク長が２Ｔのときのみ、前スペース長が２Ｔ及び３Ｔ以上の２通りに分け、後スペース長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、それぞれについて（４＋１）×４＝２０通りに分類して規定されている。

エッジ変化量ｄＴＥ１は、終端のパルスエッジの位置であるため、後スペースの影響が支配的であるが、マーク長が２Ｔのときは前スペースの影響も無視できないため、このように分類されている。

なお、ここでは、エッジ変化量ｄＴＥ１について、マーク長について４通り、後スペース長について４通り、前スペース長について２通りに分類しているが、この場合に限定されるものではない。例えば、マーク長について２通り、３通り、５通り、又は６通り以上に分類してもよく、前スペース長及び後スペース長についてそれぞれ２通り、３通り、４通り、５通り、又は６通り以上に分類してもよい。エッジ変化量ｄＴＥ１は、例えば、ｉ１＝２ｎｓｅｃのように絶対時間で規定してもよく、あるいは基準時間信号１２８に基づいてＴｗ／３２の整数倍の値で規定してもよい。

終端から２番目のエッジ変化量ｄＴＥ２は、下記の表４に示すように、記録するマークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長（前スペース長）と、当該マークの直後のスペースのスペース長（後スペース長）とによって分類した結果に基づいて規定されている。表４は、終端から２番目のエッジ変化量ｄＴＥ２に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

終端から２番目のエッジ変化量ｄＴＥ２は、記録するマークのマーク長については、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の３通りに分け、後スペース長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、それぞれについて３×４＝１２通りに分類して規定されている。

エッジ変化量ｄＴＥ２は、終端から２番目のパルスエッジの位置である。２Ｔマークのエッジ変化量ｄＴＥ２は、始端から２番目のエッジ変化量ｄＴＳ２と一致するため定義しない。

なお、ここでは、エッジ変化量ｄＴＥ２について、マーク長について３通り、後スペース長について４通りに分類しているが、この場合に限定されるものではない。例えば、マーク長について２通り、４通り、又は５通り以上としてもよく、後スペース長について２通り、３通り、５通り、又は６通り以上としてもよい。エッジ変化量ｄＴＥ２は、例えば、ｐ１＝２ｎｓｅｃのように絶対時間で規定してもよく、あるいは基準時間信号１２８に基づいてＴｗ／３２の整数倍の値で規定してもよい。

上述のように、記録パルス信号１２５の始端のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２分だけ変化させることによってマーク３０１の始端位置をより精密に制御できる。さらに、記録するマークのマーク長だけでなく前スペース長に応じてパルスエッジを制御するので、符号間干渉を考慮して、マーク３０１の始端位置をさらに精密に制御できる。

なお、以上の例では、始端から２番目まで及び終端から２番目までのパルスエッジの位置を変化させているが、始端から３番目以降及び終端から３番目以降のパルスエッジの位置を変化させるようにしてもよい。

また、各エッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２について、下記の表５〜表８のように前スペース長及び後スペース長の分類を２Ｔ及び３Ｔ以上の２通りに簡略化してもよい。表５は、始端のエッジ変化量ｄＴＳ１に関する記録補償テーブルの一例を示す表であり、表６は、始端から２番目のエッジ変化量ｄＴＳ２に関する記録補償テーブルの一例を示す表であり、表７は、終端のエッジ変化量ｄＴＥ１に関する記録補償テーブルの一例を示す表であり、表８は、終端から２番目のエッジ変化量ｄＴＥ２に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

光記録媒体１１にレーザビームを絞って高密度記録を行う場合には、最小の記録マーク及びスペースは光スポットと同じぐらい小さくなる。そのため、光学的なＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）の影響により最短マークと最短スペースとに関する信号が符号間干渉をおこして正確なエッジ位置に記録もしくは再生できないことが起こる。したがって、最も短い２Ｔのスペース長とそれ以外のスペース長とに分けるだけで符号間干渉を考慮した十分な記録特性を得ることが可能な場合には、上記のように簡略化して分類することで、記録補償テーブルを簡便化できるので装置を簡略化できるというメリットがある。

さらに、上記各エッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２に関する記録補償テーブルについて説明する。

記録補償器１１８内に保持されている記録補償テーブルは、以下の２つの方法のいずれかにより取得される。第１の方法では、記録補償器１１８は、光記録媒体１１のリードインエリアとよばれる領域にディスク製造時あるいはディスク製造後にあらかじめ記録されている記録補償テーブルを読み出し、読み出した記録補償テーブルを記憶する。第２の方法では、記録補償器１１８は、光記録媒体１１上の試し書き領域に実際に所定の記録パルス信号による試し書きを行って、その試し書きされたマーク及びスペースを再生してエッジシフト量を測定し、最も信号品質が良好な条件を探索する過程で求まる学習結果によって記録補償テーブルを取得する。

第１の方法では、光記録媒体１１の所定領域に記録された記録補償テーブルは、再生データとして得られ、記録補償器１１８に格納される。

次に、第２の方法において、光記録媒体１１に所定の記録符号列の試し書きを行って、記録補償テーブルを作成する方法について図６のフローチャートを用いて説明する。図６は、本発明の実施の形態に係る光学的情報記録方法における記録補償テーブルを作成する方法について説明するためのフローチャートである。

まず、光記録再生装置は、マークについて、当該マークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長と、当該マークの直後のスペースのスペース長との組み合わせに基づいて分類し、その分類されたマークを光記録媒体１１上の試し書き領域に試し書きする（ステップＳ１１）。このとき、光記録再生装置は、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔのそれぞれのマーク長を有するマークを試し書きするとともに、各マークのそれぞれに対して、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔのスペース長を有する前スペースと、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔのスペース長を有する後スペースとを試し書きする。

次に、光記録再生装置は、試し書きしたマーク及びスペースを再生して再生信号を得る（ステップＳ１２）。

次に、光記録再生装置は、再生信号に基づいて、マークのマーク長と、マークの直前のスペースのスペース長と、マークの直後のスペースのスペース長との組み合わせにエッジ変化量を対応付けた記録補償テーブルを作成する（ステップＳ１３）。その結果、光記録再生装置は、表１〜表４に示す記録補償テーブル、又は表５〜表８に示す記録補償テーブルを作成する。光検出器１００によって光電変換された電気信号は、プリアンプ１０１で増幅され再生信号１２０となり、波形等化器１０３及び２値化器１０４を経て２値化再生信号１２１となる。得られた２値化再生信号１２１は、復号器１０５だけでなく、再生シフト測定器１７０にも送られる。再生シフト測定器１７０は、ＰＬＬによって同期化された２値化再生信号と、同期化される前の２値化再生信号とを比較して、各マーク及びスペースごとのシフト量（エッジ変化量）を測定し、測定結果を記録補償器１１８へ送信する。

なお、このように光記録媒体１１上の試し書き領域での試し記録を行う場合には、光記録再生装置は、測定されたエッジ変化量に応じて記録補償テーブルデータを随時更新し、再度前述の記録動作を行い、再生時のＰＬＬクロックと２値化再生信号とのエッジシフトを低減するような記録補償テーブルを探索すべく記録動作を繰り返し行ってもよい。

また、マーク長又はスペース長が小さいためエッジシフトの検出が困難となり、ＰＲＭＬ方式によって信号パターンを判定する場合には、通常のエッジのシフト量に変えてＭＬＳＥ（Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎ）値のシフト成分を測定してもよい。

なお、本発明の実施の形態では、記録パワーを３値のレーザパワーレベルで変調する場合の例について説明しているが、中間パルス内のボトムパワーとは異なるパワーレベルを有する冷却パルスをさらに含む４値のレーザパワーレベルで変調にしたときにも同様の効果が得られることは言うまでもない。すなわち、記録パルス列は、レーザビームの強さが３値以上のパワーで切り替えられて変調される。

記録パワーは、パワー設定器１１４に一時的に記憶される。読出部１３０は、光記録媒体１１のリードインエリアと呼ばれる領域にディスク製造時又はディスク製造後にあらかじめ記録されているパワー情報を読み出し、読み出したパワー情報をパワー設定器１１４に一時的に記憶する。パワー設定器１１４は、読出部１３０によって読み出されたパワー情報の値に基づいて、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。なお、パワー情報は、各情報層のピークパワー、ボトムパワー、クーリングパワー及びイレースパワーを含む。また、パワー情報は、各情報層のピークパワー、ボトムパワー、クーリングパワー及びイレースパワーを、ピークパワー（Ｐｗ）に対する比で表した情報であってもよい。

また、パワー設定器１１４は、光記録媒体１１上の試し書き領域に試し書きするようレーザ駆動回路１１１に指示し、試し書きされた信号を再生した信号に基づいて、適当な条件を探索する過程で求まる学習結果によってピークパワーを再設定してもよい。パワー設定器１１４は、各情報層は、再設定されたピークパワーと、あらかじめ記憶されているピークパワーに対する比を用いて、イレースパワー、ボトムパワー及びクーリングパワーを再設定してもよい。

また、本実施の形態の記録パルスは、記録するマーク長が１つ増えるとパルスの数が１つ増えるとしているが、パルスの数の規則は異なっていてもよい。例えば、記録パルスは、記録するマーク長が２つ増えるとパルスの数が１つ増えるものでもよいし、最終パルスの後の冷却パルスがないものでもよい。

以下、記録するマーク長が２つ増えるとパルスの数が１つ増える記録パルスの例について説明する。図７は、本発明の実施の形態において、記録するマーク長が２つ増えるとパルスの数が１つ増える記録パルスの例について説明するための図である。なお、以降、記録するマーク長が２つ増えるとパルスの数が１つ増える記録パルスのことをＮ／２記録ストラテジと呼ぶ。

Ｎ／２記録ストラテジでは、最短マーク（２Ｔ）及び２番目に短いマーク（３Ｔ）を記録するための記録波形は、１つのパルス（トップパルス）のみからなる。また、３番目に短いマーク（４Ｔ）及び４番目に短いマーク（５Ｔ）を記録するための記録波形は、２つのパルス（前から、トップパルス及びラストパルス）からなる。また、５番目に短いマーク（６Ｔ）及び６番目に短いマーク（７Ｔ）を記録するための記録波形は、３つのパルス（前から、トップパルス、中間パルス及びラストパルス）からなる。７番目に短いマーク（８Ｔ）及び７番目に短いマークよりも長いマークを記録するための記録波形は、マーク長が２つ増える毎に中間パルスが１つ増える。

ここで、このＮ／２記録ストラテジの各パラメタは、図８に示すように記録マークの長さに応じて分類されて設定されてもよい。図８は、本発明の実施の形態において、Ｎ／２記録ストラテジの各パラメタを設定するための記録補償テーブルの一例を示す図である。

まず、トップパルスの立ち上がり位置ｄＴｔｏｐ及びトップパルスの幅Ｔｔｏｐは、例えば、記録マークの長さに対して「２Ｔ」、「３Ｔ」、「４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ」及び「５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ」の４つに分類されて設定されてもよい。

また、ラストパルスの立ち上がり位置ｄＴｌｐ及びラストパルスの幅Ｔｌｐは、例えば、記録マークの長さに対して「４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ」及び「５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ」の２つに分類されて設定されてもよい。

また、クーリングパワーＰｃの設定を終了する位置（イレースパワーＰｅの開始位置）ｄＴｅは、記録マークの長さに対して「２Ｔ」、「３Ｔ」、「４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ」及び「５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ」の４つに分類されて設定されてもよい。なお、ラストパルスの立ち下がりとイレースパワーＰｅの開始位置が一致するように、位置ｄＴｅが設定されることで、記録パルス列がクーリングパルスを有しないようにすることもできる。

また、中間パルスの立ち上がり位置は、記録マークの長さに対して「６Ｔ，８Ｔ」及び「７Ｔ，９Ｔ」の２つに分類されてもよい。前者の分類では、中間パルスの立ち上がりは、基準クロック位置と一致させる。後者の分類では、中間パルスの立ち上がりは、基準クロックからＴ／２ずらす。さらに、中間パルスの幅Ｔｍｐは、記録マークの長さに対して「６Ｔ，７Ｔ，８Ｔ，９Ｔ」の全てで同一の設定でもよい。

これらの記録マークの長さに応じて分類されるパラメタは、さらに記録マークの前後のスペース長によって分類されてもよい。

例えば、位置ｄＴｔｏｐ及び幅Ｔｔｏｐは、前スペース（記録マークの直前のスペース）の長さに対して「２Ｔ」、「３Ｔ」、「４Ｔ」及び「５Ｔ以上」の４つに分類されてもよい。さらに、位置ｄＴｔｏｐ及び幅Ｔｔｏｐは、２Ｔマークにおいては後スペース（記録マークの直後のスペース）の長さに対して「２Ｔ」及び「３Ｔ以上」の２つに分類されてもよい。

また、位置ｄＴｌｐ及び幅Ｔｌｐは、後スペースの長さに対して「２Ｔ」、「３Ｔ」、「４Ｔ」及び「５Ｔ以上」の４つに分類されてもよい。

また、位置ｄＴｅは、後スペースの長さに対して「２Ｔ」、「３Ｔ」、「４Ｔ」及び「５Ｔ以上」の４つに分類されてもよい。さらに、位置ｄＴｅは、２Ｔマークにおいては前スペースの長さに対して「２Ｔ」及び「３Ｔ以上」の２つに分類されてもよい。

また、幅Ｔｍｐは、記録マークの長さに対して「６Ｔ，７Ｔ，８Ｔ，９Ｔ」の全てで同一の設定でもよい。

以上の分類に基づき、Ｎ／２記録ストラテジの各パラメタを設定するための記録補償テーブルは図８のように示される。なお、図８に示す記録補償テーブルでは、各パラメタの具体的な値については省略している。

図９は、本発明の実施の形態に係るパワー情報の一例を示す図である。図９に示すように、パワー情報は、ピークパワーＰｗ、イレースパワーＰｅ、ボトムパワーＰｂ及びクーリングパワーＰｃの値で設定されてもよいし、それぞれのパワーレベルのピークパワーに対する比で設定されてもよい。なお、図９に示すパワー情報では、各パワーの具体的な値については省略している。

続いて、本発明の実施の形態に係る光記録再生装置による光学的情報再生方法について説明する。一般に、良好に情報を再生するためには、光記録媒体１１の各情報層の反射率が大きいこと、結晶相である記録膜の反射率と非晶質である記録膜の反射率との比が大きいこと、及び、再生時のレーザパワーが大きいことが重要である。加えて、本実施の形態で説明する光学的情報再生方法では、図１０に示す周波数特性を有する波形等化を行うことを特徴とする。

本実施の形態の光学的情報再生方法では、光記録媒体１１に記録されたマークがレーザビームで読み取られ、検出レンズ１０６、光検出器１００及びプリアンプ１０１を用いて再生信号１２０が生成される。再生信号１２０は、波形等化器１０３で周波数特性を補正した信号となる。さらに、周波数特性が補正された再生信号１２０は、２値化器１０４で２値化再生信号１２１に変換される。復号器１０５は、２値化再生信号１２１に逆変換を施して再生データ１２２を生成する。

２Ｔｗ信号、３Ｔｗ信号、４Ｔｗ信号、及び８Ｔｗ信号等の中で、２Ｔｗ信号など周波数の高い信号ほど小さなマークであるため、再生される信号の振幅が小さくなるという、周波数に依存する光学的出力の減衰が観測される。そこで、このような出力の減衰を補正するために、本実施の形態の光学的情報再生方法では、周波数の高い信号ほど出力振幅を大きくするようにイコライザ特性が設定される。

図１０は、本発明の実施の形態に係る波形等化器（イコライザ）１０３の周波数特性を模式的に示す図であり、入力信号に対する出力信号の振幅比を表すものである。図１０において、横軸は、再生信号周波数であり、２Ｔｗ信号、３Ｔｗ信号、４Ｔｗ信号及び８Ｔｗ信号の周波数を模式的に示す。縦軸は、波形等化器１０３の出力振幅の対数表示である。波形等化器１０３としては、高域通過型フィルター（Ｈｉｇｈ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、２Ｔｗより少し高い周波数にピークを持たせたバンドパスフィルター（Ｂａｎｄ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、又は、高域通過型フィルターとバンドパスフィルターと増幅器とを組み合わせたものを用いることができる。

従って、マーク又はスペースが２Ｔｗ信号のような周波数の高い信号である場合の出力振幅と、マーク又はスペースが８Ｔｗのような周波数の低い信号である場合の出力振幅との差、すなわち特性曲線の傾きは、最短マーク長が短くなるほど大きくなる。それに伴い、例えば４Ｔｗ信号の周波数における出力振幅と、８Ｔｗ信号の周波数における出力振幅との差も大きくなる。

そこで、再生信号特性は、再生周波数特性のピークシフトを防止し、ノイズの周波数分布を変化させ、再生信号品質を良くし、再生信号のエラーレートを改善できる特性にすることが望ましい。

図１１は、本発明の実施の形態に係る光学的情報再生方法における再生信号波形を示す概略図である。図１１は、マーク形状の違いによる再生信号特性の違いを示す概略図である。図１１のマーク配列３００ａ，３００ｂは、光スポットが図面の左から右へ走査し、記録マークが形成された後のマーク形状を表している。図１１の再生信号１２０ａ，１２０ｂは、マーク配列３００ａ，３００ｂのそれぞれのマーク形状が形成された後、記録したマークを消去しない程度の強さの光でマークを読み出した後の再生信号を示す。

図１１のマーク配列３００ａは、相変化を利用した書き換え型ディスクの代表的なマーク形状を示している。マーク配列３００ａでは、最も小さい２Ｔｗマーク４０１がイチョウ型のマークとして形成されている。冷却パルスによってマーク終端部が後から再結晶化されることによって、２Ｔｗマーク４０１のマーク形状は、イチョウ型となっている。図１１の再生信号１２０ａは、図１１のマーク配列３００ａのマークを再生した時の再生信号である。図１１のように２Ｔｗマーク４０１と２Ｔｗスペース４０２とが隣接している場合、最も再生信号振幅が小さくなる。この場合、Ｉ２が最小振幅となる。

一方、図１１のマーク配列３００ｂは、相変化を利用した追記型ディスクにおいて形成されるマーク形状の一例を示している。図１１の再生信号１２０ｂは、図１１のマーク配列３００ｂのマークを再生した時の再生信号である。追記型ディスクでは、冷却パルスによる再結晶化を経ないでマークが形成される。そのため、２Ｔｗマーク４０３は、円形であって、他の長いマークに比べて幅方向に細く形成されることがある。このように、２Ｔｗマーク４０３の大きさが他のマークの大きさに比べて、幅方向に小さく形成される場合、図１１の再生信号１２０ｂの最小振幅Ｉ２は、ＭＴＦの影響を受けて図１１の再生信号１２０ａにおける最小振幅Ｉ２よりも小さくなる。そのため、２Ｔｗマーク４０３の符号間干渉が増大し、再生ピークシフトが生じる。

図１０に示す波形等化器１０３の再生周波数特性において、ピークブースト値（Ｂｐ）を大きくすると、再生信号１２０の振幅を大きくするのと同時にノイズを増大させることとなる。特に、過ブースト状態となると、信号帯域よりも高域側のノイズを増大させることとなり、この場合、再生信号１２０の品質が悪くなるという弊害がある。また、過ブースト状態では、信号成分のうち低域側（４Ｔｗ〜８Ｔｗ）の符号間干渉を増大させるため、かえって再生特性を悪くしてしまう。このように、２Ｔｗマークなどの記録マークが他のマークに比べ特に小さく形成される場合、マーク長のみの記録補償では、２Ｔｗのマークの符号間干渉を補償することができるが、スペースに関する符号間干渉が残ってしまい再生信号の特性を悪くする。

そこで、上述の実施の形態で説明したように、マーク記録時において、特に２Ｔｗスペースを考慮して、記録パルス信号１２５のパルスエッジを、マーク長と前スペース長と後スペース長とに応じたエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２及びｄＴＥ１だけ変化させ、さらに記録パルス信号１２５の始端又は終端エッジを補償する。これにより、特に２Ｔｗスペースで生じていた符号間干渉を低減でき、低いブースト値でも再生信号１２０の特性を向上させることができる。

また、記録補償を行うときのターゲットブースト値は、追記型記録媒体など図１１のマーク配列３００ｂのような記録マークが形成される光記録媒体にデータを記録する場合、記録補償の補償精度にも依存する。例えばＴｗ／３２程度の補償精度で記録補償を行う場合は、ブースト値を１ｄＢ〜２ｄＢ程度増加させて記録することが望ましい。また、試し書きの際、初めにスペース補償をしない状態で記録を行い、エラーレートなどの再生信号特性が基準値を満たしていない場合に限り、スペース補償を含めた記録動作を行ってもよい。

また、あらかじめ記録する信号から最短マーク長を除いた符号系列で第１の試し書きを行い、３Ｔｗ以上のマーク長の記録補償テーブルを作成した後、２Ｔｗ信号を含んだ符号系列で第２の試し書きを行い、２Ｔｗのマーク長を含めた記録補償テーブルを作成してもよい。図１１の再生信号１２０ｂのように再生信号振幅が極めて小さい場合、２Ｔｗ信号の記録マーク位置が正しくなければ、３Ｔｗ以上の長いマーク及びスペースの位置を正しく合わせるのが困難となる場合がある。前述のような非常に符号間干渉の大きい信号を再生する場合、初めに３Ｔｗ以上の符号長のマークを記録し、３Ｔｗ以上のマーク及びスペースのエッジ位置を正確に記録補償しておき、その後２Ｔｗ信号を含む信号を記録して、２Ｔｗのマーク及びスペースの記録位置を正確に補償する。これにより、より正確にかつ効率よく情報を記録することができ、再生信号品質を向上させることができる。

また、上記のように３Ｔｗ以上の符号長の信号を記録する際には、再生イコライザのブースト値を、２Ｔｗ信号を含んだ通常の記録符号列を記録するときに比べて１ｄＢから２ｄＢ下げて、記録補償を行ってもよい。この場合、２Ｔｗ信号を含まないため、再生信号の振幅は比較的大きく符号間干渉の発生はゆるやかである。そのため、通常のブースト値よりもやや低めのブースト値で、マーク長の長いマークのエッジ位置を調整することで、エッジシフトの少ない信号を記録できる。

また、書換型の光記録媒体では、複数回の書換により記録された信号も正しく再生できなければならない。記録された信号を再生したときのエラーレートは、シンボルエラーレート（ＳＥＲ）が２．０×１０^−４以下であれば、実用上問題ないレベルである。

続いて、本発明の実施の形態に係る光学的情報記録媒体の一例を説明する。図１２は、本発明の実施の形態に係る光記録媒体１１を示す部分断面図である。光記録媒体１１は、例として、対物レンズ３２で集光したレーザビーム３１を照射することによって情報の記録又は再生が可能な３層多層光記録媒体であるとする。

レーザビーム３１の波長λが短いほど、対物レンズ３２によって小さなスポット径に集光できるが、波長λが短すぎると、透明層２３などによるレーザビーム３１の光吸収が大きくなる。そのため、レーザビーム３１の波長λは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

光記録媒体１１には、基板２１上に、分離層２２、２８を介して順次積層された、第１情報層４１、第２情報層４２及び第３情報層４３の３個の情報層、及び透明層２３がこの順に設けられている。

この光記録媒体１１に対し、対物レンズ３２は、透明層２３側からレーザビーム３１を各情報層に集光して、情報が記録又は再生される。

光記録媒体１１では、第３情報層４３よりも基板２１に近い側にある情報層に到達するレーザビーム及びその反射光は、その情報層よりレーザビーム３１の入射面側の情報層を透過することにより減衰してしまう。そのため、第１情報層４１及び第２情報層４２は高い記録感度と高い反射率とを有する必要があり、第２情報層４２層及び第３情報層４３は高い透過率を有する必要がある。

基板２１は、円盤状の形状をしており、第１情報層４１から透明層２３までの各層を保持するために用いられる。基板２１の第１情報層４１側の面には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２１の第１情報層４１側に対して反対側の面は、平滑であることが好ましい。基板２１の材料は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせた材料等を用いることができる。特にポリカーボネート樹脂は、転写性及び量産性に優れ、低コストであることから、基板２１の材料として好ましい。

分離層２２及び分離層２８は、光記録媒体１１の第１情報層４１、第２情報層４２及び第３情報層４３のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設けられる層である。分離層２２及び分離層２８の厚さは、対物レンズ３２の開口数ＮＡとレーザビーム３１の波長λとにより決定される焦点深度以上であることが望ましい。一方、分離層２２及び分離層２８が厚すぎると、光記録媒体１１のレーザビーム３１の入射面から第１情報層４１までの距離が長くなり、光記録媒体１１が傾いたときのコマ収差が大きくなるため、第１情報層４１に正しく集光できなくなってしまう。その点では、分離層２２及び分離層２８は薄いほうが良い。仮に、レーザビーム３１の波長λが４０５ｎｍであり、対物レンズ３２の開口数ＮＡが０．８５である場合には、分離層２２及び分離層２８の厚さは５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。

分離層２２及び分離層２８は、レーザビーム３１に対して光吸収が小さいことが好ましい。分離層２２及び分離層２８のレーザビーム３１の照射側の面には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。分離層２２及び分離層２８の材料は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルポルレン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、遅効性熱硬化樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせた材料等を用いることができる。

透明層２３は、第３情報層４３のレーザビーム３１の入射面側にあり、第３情報層４３を保護する。透明層２３は、レーザビーム３１に対して光吸収が小さいことが好ましい。透明層２３の材料は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、遅効性熱硬化樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせた材料等を用いることができる。また、透明層２３の材料は、これらの材料よりなるシートを用いてもよい。

透明層２３の厚さが薄すぎると、第３情報層４３を保護する機能が発揮できなくなる。また、透明層２３の厚さが厚すぎると、分離層２２及び分離層２８の場合と同様に、光記録媒体１１のレーザビーム３１の入射面から第１情報層４１までの距離が長くなり、光記録媒体１１が傾いたときのコマ収差が大きくなるため、第１情報層４１に正しく集光できなくなってしまう。仮に、対物レンズ３２の開口数ＮＡが０．８５である場合には、透明層２３の厚さは５μｍ〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、４０μｍ〜１１０μｍの範囲内であることがより好ましい。

また、図１３は、本発明の実施の形態に係る光記録媒体１１の各情報層をさらに詳細に示す部分断面図である。

図１３に示すように、第１情報層４１には、基板２１に近い側から、金属膜４１２、第１の誘電体膜４１４、記録膜４１６及び第２の誘電体膜４１８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、金属膜４１２と第１の誘電体膜４１４との間に金属膜側界面膜４１３を設けてもよく、第１の誘電体膜４１４と記録膜４１６との間に第１の界面膜４１５を設けてもよく、第２の誘電体膜４１８と記録膜４１６との間に第２の界面膜４１７を設けてもよい。なお、金属膜側界面膜４１３、第１の界面膜４１５及び第２の界面膜４１７の図示は省略している。

同様に、第２情報層４２には、基板２１に近い側から、透過率調整膜４２１、金属膜４２２、第１の誘電体膜４２４、記録膜４２６及び第２の誘電体膜４２８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、金属膜４２２と第１の誘電体膜４２４との間に金属膜側界面膜４２３を設けてもよく、第１の誘電体膜４２４と記録膜４２６との間に第１の界面膜４２５を設けてもよく、第２の誘電体膜４２８と記録膜４２６との間に第２の界面膜４２７を設けてもよい。なお、金属膜側界面膜４２３、第１の界面膜４２５及び第２の界面膜４２７の図示は省略している。

同様に、第３情報層４３には、基板２１に近い側から、透過率調整膜４３１、金属膜４３２、第１の誘電体膜４３４、記録膜４３６及び第２の誘電体膜４３８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、金属膜４３２と第１の誘電体膜４３４との間に金属膜側界面膜４３３を設けてもよく、第１の誘電体膜４３４と記録膜４３６との間に第１の界面膜４３５を設けてもよく、第２の誘電体膜４３８と記録膜４３６との間に第２の界面膜４３７を設けてもよい。なお、金属膜側界面膜４３３、第１の界面膜４３５及び第２の界面膜４３７の図示は省略している。

次に、第１情報層４１を構成する各膜について説明する。

記録膜４１６は、レーザビーム３１の照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす膜である。記録膜４１６の材料としては、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３、ＧｅＴｅ−Ｂｉ_２Ｔｅ_３、ＧｅＴｅ−Ｉｎ_２Ｔｅ_３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ_２Ｔｅ_３、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）_２Ｔｅ_３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ―Ｂｉ）_２Ｔｅ_３、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）_２Ｔｅ_３、（Ｇｅ―Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）_２Ｔｅ_３、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｇｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｇａ及び（Ｓｂ−Ｔｅ）―Ｇａのいずれかを含む材料を用いることができる。記録膜４１６は、記録中のレーザビーム照射時には非晶質相から結晶相に容易に変化できること及びレーザビーム非照射時には非晶質相から結晶相に変化しないことが好ましい。

記録膜４１６の厚さが薄すぎると、十分な反射率、反射率変化及び消去率が得られなくなる。また、記録膜４１６の厚さが厚すぎると、熱容量が大きくなるため記録感度が低下する。そのため、記録膜４１６の厚さは、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

金属膜４１２は、記録膜４１６に吸収される光量を増やすという光学的な機能と、記録膜４１６で生じた熱を拡散させるという熱的な機能とを持つ。金属膜４１２の材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、及びＡｌのうちの少なくとも１つの元素を含んだものを用いることができる。金属膜４１２の材料としては、例えば、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｒ、Ａｕ−Ｃｒ、又はＡｇ−Ｉｎといった合金を用いることができる。特に、Ａｇ合金は熱伝導率が大きいため金属膜４１２の材料として好ましい。金属膜４１２の厚さは厚いほど熱拡散機能が高い。しかしながら、金属膜４１２の厚さが厚すぎると熱拡散機能が高すぎて記録膜４１６の記録感度が低下する。そのため、金属膜４１２の厚さは、３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましく、７０ｎｍ〜１４０ｎｍであることがより好ましい。

第１の誘電体膜４１４は、記録膜４１６と金属膜４１２との間にあり、記録膜４１６から金属膜４１２への熱拡散を調節する熱的な機能と、反射率及び吸収率などを調節する光学的な機能とを持つ。第１の誘電体膜４１４の材料としては、例えば、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、又はＤｙＯ_２等の酸化物、ＺｎＳ又はＣｄＳ等の硫化物、ＳｉＣなどの炭化物の単体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。混合物としては、例えばＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２、又はＳｎＯ_２−ＳｉＣを用いることができる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、第１の誘電体膜４１４の材料として優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性及び耐湿性が良好であることによる。

第１の誘電体膜４１４の厚さが厚すぎると、金属膜４１２の冷却効果が弱くなり、記録膜４１６からの熱拡散が小さくなってしまうため非晶質化しにくくなってしまう。また、第１の誘電体膜４１４の厚さが薄すぎると、金属膜４１２の冷却効果が強くなり、記録膜４１６からの熱拡散が大きくなって感度が低下してしまう。そのため、第１の誘電体膜４１４の厚さは、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

金属膜側界面膜４１３は、第１の誘電体膜４１４の材料によって、金属膜４１２が腐食又は破壊されるのを防ぐ働きを持つ。具体的には、金属膜側界面膜４１３は、金属膜４１２に銀（Ａｇ）を含んだ材料を用い、かつ、第１の誘電体膜４１４に硫黄（Ｓ）を含んだ材料（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を用いたとき、ＡｇがＳと反応することによって腐食してしまうことを防ぐ。

金属膜側界面膜４１３の材料としては、Ａｇ以外の金属、例えばＡｌ、又はＡｌ合金を用いることができる。

また、金属膜側界面膜４１３の材料としては、硫黄（Ｓ）を含まない誘電体材料、例えば、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、又はＤｙＯ_２等の酸化物、ＳｉＣなどの炭化物の単体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。混合物としては、例えばＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、又はＳｎＯ_２−ＳｉＣを用いることができる。または、金属膜側界面膜４１３の材料としては、炭素（Ｃ）などを用いることができる。

金属膜側界面膜４１３の厚さが厚すぎると、第１の誘電体膜４１４の熱的及び光学的な働きを妨げる。また、金属膜側界面膜４１３の厚さが薄すぎると、金属膜４１２の腐食及び破壊を防ぐ機能が低下する。そのため、金属膜側界面膜４１３の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第１の界面膜４１５は、繰り返し記録によって第１の誘電体膜４１４と記録膜４１６との間で生じる物質移動を防止する働きを持つ。第１の界面膜４１５は、記録の際に融けない程度の高融点を持ち、記録膜４１６との密着性が良い材料であることが好ましい。第１の界面膜４１５の材料としては、例えば、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＤｙＯ_２等の酸化物、ＺｎＳ、又はＣｄＳ等の硫化物、ＳｉＣなどの炭化物の単体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。混合物としては、例えばＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２、又はＳｎＯ_２−ＳｉＣを用いることができる。または、第１の界面膜４１５の材料としては、炭素（Ｃ）などを用いることができる。特にＧａ_２Ｏ_３、ＺｎＯ又はＩｎ_２Ｏ_３などは、第１の界面膜４１５の材料として好ましい。Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｎＯ又はＩｎ_２Ｏ_３は、記録膜４１６との密着性が良いことによる。

第１の界面膜４１５の厚さが薄すぎると、界面膜としての効果を発揮できなくなる。また、第１の界面膜４１５の厚さが厚すぎると、第１の誘電体膜４１４の熱的及び光学的な働きを妨げてしまう。そのため、第１の界面膜４１５の厚さは、０．３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第２の誘電体膜４１８は、記録膜４１６よりもレーザビームの入射面側にあり、記録膜４１６の腐食及び変形などを防止する機能と、反射率又は吸収率などを調整する光学的な機能とを持つ。また、第２の誘電体膜４１８の材料としては、第１の誘電体膜４１４と同様の材料を用いることができる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、第２の誘電体膜４１８の材料として優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性及び耐湿性が良好である。

第２の誘電体膜４１８の厚さが薄すぎると、記録膜４１６の腐食及び変形などを防止する機能が低下する。また、第２の誘電体膜４１８の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、結晶相である記録膜４１６と非晶質相である記録膜４１６との反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。第２の誘電体膜４１８の厚さは、２０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

第２の界面膜４１７は、第１の界面膜４１５と同様に、繰り返し記録によって第２の誘電体膜４１８と記録膜４１６との間で生じる物質移動を防止する働きを持つ。従って、第２の界面膜４１７の材料としては、第１の界面膜４１５と同様の性能を持つ材料であることが好ましい。

第２の界面膜４１７の厚さは、第１の界面膜４１５と同様に、０．３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第１情報層４１は、金属膜４１２、第１の誘電体膜４１４、記録膜４１６及び第２の誘電体膜４１８で構成され、さらに必要に応じて金属膜側界面膜４１３、第１の界面膜４１５及び第２の界面膜４１７が加えられる。

次に、第２情報層４２を構成する各膜について説明する。

記録膜４２６の材料としては、第１情報層４１の記録膜４１６と同様の材料を用いることができる。記録膜４２６の厚さは、第２情報層４２の透過率を高くするために、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ〜９ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

金属膜４２２は、第１情報層４１の金属膜４１２と同様の機能を持つ。すなわち、金属膜４２２は、記録膜４２６に吸収される光量を増やすという光学的な機能と、記録膜４２６で生じた熱を拡散させるという熱的な機能とを持つ。そのため、金属膜４２２の材料としては、第１情報層４１の金属膜４１２と同様の材料を用いることができる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため金属膜４２２の材料として好ましい。

金属膜４２２の厚さは、第２情報層４２の透過率を高くするために、２０ｎｍ以下であることが好ましく、６ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内であることがより好ましい。金属膜４２２の厚さが６ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内にあることにより、金属膜４２２の光学的及び熱的な機能が十分になる。

第１の誘電体膜４２４は、第１情報層４１の第１の誘電体膜４１４と同様の機能を持つ。すなわち、第１の誘電体膜４２４は、記録膜４２６から金属膜４２２への熱拡散を調節する熱的な機能と、反射率又は吸収率などを調節する光学的な機能とを持つ。そのため、第１の誘電体膜４２４の材料としては、第１情報層４１の第１の誘電体膜４１４と同様の材料を用いることができる。

第１の誘電体膜４２４の厚さは、光学的及び熱的な機能が十分となるように、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、４ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第２の誘電体膜４２８は、第１情報層４１の第２の誘電体膜４１８と同様の機能を持つ。すなわち、第２の誘電体膜４２８は、記録膜４２６の腐食及び変形などを防止する機能と、反射率又は吸収率などを調整する光学的な機能とを持つ。そのため、第２の誘電体膜４２８の材料としては、第１情報層４１の第２の誘電体膜４１８と同様の材料を用いることができる。第２の誘電体膜４２８の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、結晶相である記録膜４２６と非晶質相である記録膜４２６との反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。

透過率調整膜４２１は、誘電体からなり、第２情報層４２の透過率を調節する機能を持つ。この透過率調整膜４２１によって、記録膜４２６が結晶相である場合の第２情報層４２の透過率Ｔｃ（％）と、記録膜４２６が非晶質相である場合の第２情報層４２の透過率Ｔａ（％）とを共に高くすることができる。

透過率調整膜４２１の材料としては、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３、又はＢｉ_２Ｏ_３等の酸化物、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、又はＡｌ−Ｎ等の窒化物、ＺｎＳなど硫化物の単体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。透過率調整膜４２１の屈折率ｎｔと消衰係数ｋｔとは、透過率Ｔｃ及び透過率Ｔａを高めるために、ｎｔ≧２．４、かつ、ｋｔ≦０．１であることが好ましい。そのため、透過率調整膜４２１の材料としては、上記の材料中でも、ＴｉＯ_２又はＴｉＯ_２を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は、屈折率ｎｔが大きく（ｎｔ＝２．６〜２．８）、消衰係数ｋｔが小さい（ｋｔ＝０．０〜０．１）。そのため、これらの材料を用いて形成した透過率調整膜４２１は第２情報層４２の透過率を効果的に高める。

透過率調整膜４２１の厚さが略λ／８ｎｔ（ただし、λはレーザビーム３１の波長であり、ｎｔは透過率調整膜４２１の材料の屈折率である）であるとき、透過率Ｔｃ及び透過率Ｔａを高める効果が大きい。仮に、レーザビーム３１の波長λが４０５ｎｍであり、透過率調整膜４２１の材料の屈折率ｎｔが２．６である場合には、透過率調整膜４２１の厚さは、反射率など他の条件も考慮して、５ｎｍ〜３６ｎｍの範囲内であることが好ましい。

金属膜側界面膜４２３、第１の界面膜４２５及び第２の界面膜４２７は、それぞれ第１情報層４１の金属膜側界面膜４１３、第１の界面膜４１５及び第２の界面膜４１７と同様の機能を持つ。また、金属膜側界面膜４２３、第１の界面膜４２５及び第２の界面膜４２７は、それぞれ第１情報層４１の金属膜側界面膜４１３、第１の界面膜４１５及び第２の界面膜４１７と同様の材料を用いることができる。

次に、第３情報層４３を構成する各膜について説明する。

第３情報層４３を構成する各膜は、それぞれに対応する、第２情報層４２を構成する各膜と同等の機能を持つ。また、第３情報層４３を構成する各膜は、それぞれに対応する、第２情報層４２を構成する各膜と同等の材料を用いることができる。

第３情報層４３は第２情報層４２よりも高い透過率が求められるため、記録膜及び金属膜などの消衰係数の大きい材料を使用する膜は膜厚を薄くする必要がある。そのため、第３情報層４３の記録膜４３６の膜厚は、第２情報層４２の記録膜４２６の膜厚よりも薄くすることが好ましい。

光記録媒体１１は、以下に説明する方法によって製造できる。

まず、厚さが例えば１．１ｍｍの基板２１上に第１情報層４１が積層される。第１情報層４１は多層膜からなるが、第１情報層４１の各膜は、順次スパッタリングすることによって形成できる。なお、基板２１の材料によっては、基板２１は高い吸湿性を持つ。そのため、必要に応じて、スパッタリングをする前に水分を除去する基板アニール工程を実施してもよい。

第１情報層４１の各膜は、Ａｒガス、Ｋｒガス又はＸｅガスなどの希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガス（酸素ガス及び窒素ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中で、各膜を構成する材料のスパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって形成できる。スパッタリング方法としては、ＤＣスパッタリング法とＲＦスパッタリング法とを必要に応じて使い分ける。通常はＤＣスパッタリング法の方が成膜レートを高められるため好ましいが、誘電体材料など導電性の低い材料はＤＣスパッタリング法ではスパッタリングできない場合がある。そのため、導電性の低い材料を含む膜は、ＲＦスパッタリング法によってスパッタリングされる。なお、誘電体材料であっても導電性の高い材料、又はスパッタリングターゲット作製時に工夫して導電性を高めた材料などは、ＤＣスパッタリング法又はパルスＤＣスパッタリング法によってスパッタリングできる。

スパッタリングによって成膜される各膜の組成は、もとのスパッタリングターゲットの組成と完全には一致しないことがある。例えば、酸化物の場合、スパッタリングによって酸素欠損がおこりやすい。その場合、反応ガスとして酸素ガスを用いることで酸素欠損を補うことができる。スパッタリングターゲットの組成は、スパッタリングによって成膜された膜が所望の組成となるように決定される。なお、スパッタリングターゲット及びスパッタリングによって成膜された膜は、例えばＸ線マイクロアナライザーで分析して組成を確認することができる。

光記録媒体１１の製造では、具体的には、まず、基板２１上に金属膜４１２が成膜される。金属膜４１２は、金属膜４１２を構成する金属又は合金からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でＤＣスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、必要に応じて金属膜４１２上に、金属膜側界面膜４１３が成膜される。金属膜側界面膜４１３は、金属膜側界面膜４１３を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。金属膜側界面膜４１３の材料が、金属など導電性の高い材料の場合はＤＣスパッタリング法を用い、酸化物など導電性の低い材料の場合はＲＦスパッタリング法を用いればよい。

続いて、金属膜側界面膜４１３上又は金属膜４１２上に、第１の誘電体膜４１４が成膜される。第１の誘電体膜４１４は、第１の誘電体膜４１４を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で主にＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。ＲＦスパッタリング法が使用されるのは、第１の誘電体膜４１４を構成する材料は導電性が低い材料が多く、ＤＣスパッタリングが適していないことによる。

続いて、必要に応じて、第１の誘電体膜４１４上に、第１の界面膜４１５が成膜される。第１の界面膜４１５は、第１の界面膜４１５を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で主にＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、第１の界面膜４１５上又は第１の誘電体膜４１４上に、記録膜４１６が成膜される。記録膜４１６は、記録膜４１６を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中で主にＤＣスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、必要に応じて、記録膜４１６上に、第２の界面膜４１７が成膜される。第２の界面膜４１７は、第２の界面膜４１７を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で主にＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、第２の界面膜４１７上又は記録膜４１６上に、第２の誘電体膜４１８が成膜される。第２の誘電体膜４１８は、第２の誘電体膜４１８を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で主にＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

このようにして、基板２１上に第１情報層４１が積層され、その後、第１情報層４１上に分離層２２が形成される。分離層２２は、以下のように形成できる。まず、紫外線硬化樹脂（例えばアクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂）又は遅効性熱硬化樹脂が第１情報層４１上に塗布される。次に、全体を回転させて樹脂が均一に延ばされ（スピンコート）、その後、この樹脂が硬化される。なお、分離層２２がレーザビーム３１の案内溝を備える場合、まず、溝が形成された基板（型）が硬化前の樹脂に密着される。その状態で全体を回転させてスピンコートされ、樹脂が硬化された後、基板（型）がはがされる。このようにして、分離層２２に案内溝が形成できる。

第１情報層４１の記録膜４１６は、通常、成膜したままの状態（アズデポ（ａｓ−ｄｅｐｏ）の状態）では非晶質状態である。よって、必要に応じてレーザビームを照射するなどして、記録膜４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。なお、初期化工程は、他の情報層の形成が終わった後に行ってもよい。

また、初期化によって記録膜が非晶質状態から結晶状態に変化することにより、記録膜の膜厚が薄くなることがある。一般的に、初期化することにより記録膜の膜厚は元の膜厚に比べて２％〜９％程度薄くなる。

続いて、分離層２２上に第２情報層４２が形成される。

具体的には、まず分離層２２上に透過率調整膜４２１が成膜される。透過率調整膜４２１は、透過率調整膜４２１を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でＲＦスパッタリング法又はＤＣスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、透過率調整膜４２１上に、金属膜４２２が成膜される。金属膜４２２は、第１情報層４１の金属膜４１２と同様の方法で形成できる。

続いて、必要に応じて金属膜４２２上に、金属膜側界面膜４２３が成膜される。金属膜側界面膜４２３は、第１情報層４１の金属膜側界面膜４１３と同様の方法で形成できる。

続いて、金属膜側界面膜４２３上又は金属膜４２２上に、第１の誘電体膜４２４が成膜される。第１の誘電体膜４２４は、第１情報層４１の第１の誘電体膜４１４と同様の方法で形成できる。

続いて、必要に応じて、第１の誘電体膜４２４上に、第１の界面膜４２５が成膜される。第１の界面膜４２５は、第１情報層４１の第１の界面膜４１５と同様の方法で形成できる。

続いて、第１の界面膜４２５上又は第１の誘電体膜４２４上に、記録膜４２６が成膜される。記録膜４２６は、第１情報層４１の記録膜４１６と同様の方法で形成できる。

続いて、必要に応じて、記録膜４２６上に、第２の界面膜４２７が成膜される。第２の界面膜４２７は、第１情報層４１の第２の界面膜４１７と同様の方法で形成できる。

続いて、第２の界面膜４２７上又は記録膜４２６上に、第２の誘電体膜４２８が成膜される。第２の誘電体膜４２８は、第１情報層４１の第２の誘電体膜４１８と同様の方法で形成できる。

このようにして、分離層２２上に第２情報層４２が積層され、その後、第２情報層４２上に分離層２８が形成される。分離層２８は、分離層２２と同様の方法により形成できる。

なお、第２の誘電体膜４２８を成膜した後、又は分離層２８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射するなどして記録膜４２６を結晶化する初期化工程を行っても良い。なお、初期化工程は、他の情報層の形成が終わった後に行ってもよい。

続いて、分離層２８上に第３情報層４３が積層される。

具体的には、分離層２８上に、透過率調整膜４３１、金属膜４３２、第１の誘電体膜４３４、記録膜４３６及び第２の誘電体膜４３８がこの順序で成膜される。このとき、必要に応じて、金属膜４３２と第１の誘電体膜４３４との間に金属膜側界面膜４３３が成膜され、第１の誘電体膜４３４と記録膜４３６との間に第１の界面膜４３５が成膜され、第２の誘電体膜４３８と記録膜４３６との間に第２の界面膜４３７が成膜されてもよい。第３情報層４３の各膜は、第２情報層４２の各膜と同様の方法で形成できる。

このようにして、分離層２８上に第３情報層４３が積層された後、第３情報層４３上に透明層２３が形成される。

透明層２３は、以下のように形成できる。まず、第３情報層４３上に紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂）又は遅効性熱硬化樹脂が塗布されてスピンコートされた後、この樹脂が硬化される。また、透明層２３は、円盤状のポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、又はノルボルネン系樹脂を用いて形成してもよい。また、透明層２３は、ガラスなどからなる、円盤状の板又はシートを用いて形成してもよい。この場合、透明層２３は、第３情報層４３上に紫外線硬化性樹脂又は遅効性熱硬化性樹脂が塗布されて、塗布した樹脂に板又はシートを密着させてからスピンコートされた後、硬化性樹脂が硬化されることによって形成できる。なお、別の形成方法として、板又はシートに粘着性の樹脂が予め均一に塗布された後、板又はシートを第２の誘電体膜４３８に密着させることもできる。

なお、第２の誘電体膜４３８が成膜された後、又は透明層２３が形成された後、必要に応じてレーザビームを照射するなどして記録膜４３６を結晶化する初期化工程を行っても良い。また、第１情報層の記録膜４１６及び第２情報層の記録膜４２６を結晶化する初期化工程は、透明層２３が形成された後、第３情報層の記録膜４３６を結晶化する初期化工程の前に行っても良い。

以上のようにして、光記録媒体１１を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各膜の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、又はＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いることも可能である。

また、本実施の形態では３つの情報層を備える、光記録媒体１１について述べたが、情報層の数が２つである場合又は情報層の数が４つ以上である場合も、上記と同様の方法で製造できる。

複数の情報層を備える光学的情報記録媒体においては、各情報層の透過率は、レーザビームの入射面側の情報層ほど高くする必要がある。例として、波長が４０５ｎｍであるレーザビーム及びＮＡが０．８５である対物レンズを用いて情報が記録又は再生される場合、直径が１２ｃｍであり、１面当たりの記録容量が３３．４ＧＢである情報層を３つ備えたブルーレイディスクにおいては、第２情報層の透過率は４０％〜５５％であり、第３情報層の透過率は４５％〜６５％であることが好ましい。

高い透過率を得るためには、消衰係数が大きい相変化材料からなる記録膜を薄くする必要がある。しかしながら、一般的に、書換型光記録媒体において、相変化材料からなる記録膜の厚さが薄くなると、結晶化速度が遅くなる。そのため、非晶質相から結晶相への相変化が生じにくくなり、情報の消去性能が悪化する。第３情報層の透過率を第２情報層の透過率よりも高くするためには、第３情報層の記録膜の厚さは、第２情報層の記録膜の厚さよりも薄くする。このとき、第３情報層の消去性能が実用上の求められるレベルを満足するためには、記録方法に工夫が必要になる。

また、各情報層の実質的な反射率は、他の情報層を透過したことによる減衰を含まない膜反射率に、各情報層の透過率を２回乗算することにより算出され、レーザビームの入射面から遠い情報層の反射率は低くなる傾向がある。しかし、一般的に、異なる２つの情報層の反射率の比は０．５以上且つ２．０以下であることが望ましい。また、第２情報層おいては、高い透過率を持つことに加え、膜反射率は第３情報層の膜反射率よりもかなり高く（３倍程度に）する必要がある。

しかし、光透過性が求められる情報層においては、膜反射率を高くすると、結晶相である記録膜の反射率と非晶質である記録膜の反射率との比が小さくなる傾向があるため、信号振幅が小さくなる。第２情報層の再生信号品質を良くするためには、記録方法に工夫が必要になる。

（実施例）
以下、具体的な実施例により本発明をさらに具体的に説明する。

実施例では、発明者らは、図１２の光記録媒体１１を作製し、第１情報層４１、第２情報層４２及び第３情報層４３の各情報層の記録特性及び再生特性を調べた。

光記録媒体のサンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。

そして、そのポリカーボネート基板上に、金属膜４１２としてＡｇ−Ｇａ−Ｃｕ膜（厚さ：１００ｎｍ）、第１の誘電体膜４１４としてＺｒＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３膜（厚さ：１８ｎｍ）、記録膜４１６としてＧｅＴｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３膜（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面膜４１７（図示せず）としてＺｒＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３膜（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体膜４１８としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜（厚さ：６５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。

次に、第２の誘電体膜４１８上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させた。これによって、均一な樹脂層が形成される。そして、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第２情報層４２側に形成された、厚さ２５μｍの分離層２２が得られた。

その後、分離層２２の上に、透過率調整膜４２１としてＴｉＯ_２膜（厚さ：２０ｎｍ）、金属膜４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜（厚さ：１０ｎｍ）、第１の誘電体膜４２４としてＺｒＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３膜（厚さ：１１ｎｍ）、記録膜４２６としてＧｅＴｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３膜（厚さ：８ｎｍ）、第２の界面膜４２７（図示せず）としてＺｒＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３膜（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体膜４２８としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。

次に、第２の誘電体膜４２８上に紫外線硬化樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させた。これによって、均一な樹脂層が形成される。そして、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第３情報層４３側に形成された、厚さ１８μｍの分離層２８が得られた。

その後、分離層２８の上に、透過率調整膜４３１としてＴｉＯ_２膜（厚さ：１８ｎｍ）、金属膜４３２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜（厚さ：８ｎｍ）、第１の誘電体膜４３４としてＺｒＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３膜（厚さ：１０ｎｍ）、記録膜４３６としてＧｅＴｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３膜（厚さ：７ｎｍ）、第２の界面膜４３７（図示せず）としてＺｒＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３膜（厚さ：４ｎｍ）、第２の誘電体膜４３８としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜（厚さ：３３ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。

最後に、紫外線硬化性樹脂を第２の誘電体膜４３８上に塗布して回転させて、均一な樹脂層を形成した。その後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ５７μｍの透明層２３を形成した。その後、記録膜４１６、記録膜４２６及び記録膜４３６をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、サンプルを製造した。

このようにして得られたサンプルについて、まず、各情報層の反射率が測定され、異なる２つの情報層の反射率の比は０．５以上且つ２．０以下であることが確かめられた。

すなわち、光記録媒体１１の光入射面に最も近い第Ｎ情報層が有する記録膜の厚さＤＮは、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）が有する記録膜の厚さＤＭより小さい。また、第Ｎ情報層からの反射率ＲＮは、第Ｍ情報層からの反射率ＲＭの２倍よりも小さい。

次に、このサンプルについて、図１の光記録再生装置を用いて各情報層のシンボルエラーレート（ＳＥＲ）を測定した。このとき、１層あたりの容量を３３．４ＧＢとする記録方法にて記録を実施し、最短マーク長（２Ｔ）は０．１１２μｍとした。また、記録時及び測定時のサンプルの線速度は７．３８ｍ／ｓとした。再生パワーは情報層によって切り替え、第１情報層及び第２情報層を再生する際は再生パワーを１．４４ｍＷとし、第３情報層を再生する際には再生パワーを１．００ｍＷとした。再生信号はＰＲ（１，２，２，２，１）でＰＲＭＬ処理した。また、未記録状態から１回だけ記録され、書換が行われていない状態（ＤＯＷ０）と、未記録状態から１１回記録され、１０回の書換が行われた状態（ＤＯＷ１０）とのそれぞれについて、ＳＥＲが測定された。ＳＥＲは基準値（２．０×１０^−４）以下であることが好ましい。

その際、光記録再生装置は、試し書きによって、記録パルスのパルスエッジの位置を決める。光記録再生装置は、試し書きの際、初めに光記録媒体１１のリードインエリアと呼ばれる領域にディスク製造時又はディスク製造後にあらかじめ記録されている記録パルスのパラメタを用いて試し書きを行う。なお、光記録再生装置は、他に最適なパラメタがある場合には、例えばパルスエッジの位置などを学習し、新しいエッジ変化量の記録補償テーブルを得て、パルスエッジの位置を決定してもよい。

本実施例では、図８に示すＮ／２記録ストラテジの記録補償テーブル、及び図９に示すパワー情報により記録が行われる。

図１４は、本発明の実施の形態に係る光記録媒体の第１情報層の記録補償テーブルの一例を示す図であり、図１５は、本発明の実施の形態に係る光記録媒体の第２情報層の記録補償テーブルの一例を示す図であり、図１６は、本発明の実施の形態に係る光記録媒体の第３情報層の学習前の記録補償テーブルの一例を示す図である。本実施例では制御パラメタは、Ｔｗ／３２単位で変化させた。後述するように、記録パワーのパワー比を変化させたときの、記録再生特性が測定されており、記録補償テーブルはパワー比に応じて最適化させてよい。

ここで、第１情報層の２ＴマークのイレースパワーＰｅの開始位置ｄＴｅはクーリングパルスを持たないように設定されている。これは、金属膜が厚い第１情報層においては、記録パルスがクーリングパルスを持つとマークが大きくなりすぎることにより、最短マーク長（２Ｔ）が０．１１２μｍになるように記録することが困難になるからである。なお、３Ｔ以上のマークを形成するための記録パルスはクーリングパルスを持つように設定されている。

表９は、第１情報層に情報を記録するための記録パワーの一例と、当該記録パワーで記録された信号のＳＥＲとを示す表である。ＳＥＲは、ＤＯＷ０及びＤＯＷ１０のそれぞれについて測定された。また、表９における判定は、ＳＥＲが基準値（２．０×１０^−４）以下である場合は「可」とし、ＳＥＲが基準値（２．０×１０^−４）を超える場合は「不可」とした。

表９に示すように、第１情報層の記録再生特性は基準を大きく満足することが可能であることがわかった。

表１０及び表１１は、第２情報層及び第３情報層に情報を記録するための記録パワーの一例と、当該記録パワーで記録した信号のＳＥＲとを示す表である。表１０及び表１１では、参考のため、表９で示した、第１情報層の結果を併記している。ＳＥＲは状態ＤＯＷ０及び状態ＤＯＷ１０のそれぞれについて測定された。また、表１０及び表１１における判定は、ＳＥＲが基準値（２．０×１０^−４）以下である場合は「可」とし、ＳＥＲが基準値（２．０×１０^−４）を超える場合は「不可」とした。また、総合判定は、各情報層の判定がすべて「可」である場合は「可」とし、１つでも「不可」がある場合は「不可」とした。

まず、表１０に示す記録パワーが設定された場合、第２情報層のＳＥＲは、状態ＤＯＷ０及び状態ＤＯＷ１０の両方で基準値を超えている。一方、表１１に示す記録パワーが設定された場合、第２情報層のＳＥＲは、状態ＤＯＷ０及び状態ＤＯＷ１０の両方で基準値を満足している。すなわち、表１１に示す記録パワーでは、第２情報層のボトムパワーＰｂ２が高いため、記録時の温度変化が急冷になり、非晶質相であるマーク部が形成しやすくなる。そのため、反射率を高くすることによって結晶相である記録膜の反射率と非晶質である記録膜の反射率との比が小さくなる傾向がある第２情報層においても、信号振幅を大きくし、再生信号品質を向上させることができる。

次に、表１０に示す記録パワーが設定された場合、第３情報層のＳＥＲは、状態ＤＯＷ０で基準値以下であるが、状態ＤＯＷ１０で基準値を超えている。一方、表１１に示す記録パワーが設定された場合、第３情報層のＳＥＲは、状態ＤＯＷ０及び状態ＤＯＷ１０の両方で基準値を満足している。すなわち、表１１に示す記録パワーでは、第３情報層のボトムパワーＰｂ３が高いため、記録時の温度変化が徐冷になり、非晶質相であるマーク部が小さめに形成され、書換を容易にする効果が得られる。そのため、透過率を高くするために記録膜の厚さが薄くなって消去性能が悪化しやすい第３情報層においても、実用上の求められる消去性能を確保し、再生信号品質を向上させることができる。

図１７は、本実施の形態における各情報層の記録パルス列の一例を示す図である。図１７では、第１〜第３情報層のそれぞれの記録パルス列を表している。

図１７に示される各パワーは表１１のように設定されることが好ましい。すなわち、第３情報層のピークパワーＰｗ３、第３情報層のボトムパワーＰｂ３、第２情報層のピークパワーＰｗ２及び第２情報層のボトムパワーＰｂ２は下記の式を満たしている。

Ｐｂ３／Ｐｗ３＞Ｐｂ２／Ｐｗ２

すなわち、光記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭは下記の式を満たす。

ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ

また、第３情報層のボトムパワーＰｂ３が、第３情報層のクーリングパワーＰｃ３よりも大きくなり、第２情報層のボトムパワーＰｂ２が、第２情報層のクーリングパワーＰｃ２と等しくなる。

すなわち、第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮが、第Ｎ情報層のクーリングパワーＰｃＮよりも大きくなり、第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが、第Ｍ情報層のクーリングパワーＰｃＭと等しくなる。

また、光記録媒体の光入射面から最も遠い第１情報層のボトムパワーＰｂ１は、第１情報層のクーリングパワーＰｃ１と等しくなる。

さらに、第１情報層の記録膜に、最も短い記録マーク（２Ｔマーク）が形成される場合、クーリングパルスを含まない記録パルス列が生成される。

なお、表１１の例では、ボトムパワーＰｂのみを高くしているが、クーリングパワーＰｃを高くしても、書換を容易にする効果を得ることができる。Ｎ／２記録ストラテジにおいては、クーリングパワーＰｃを低くすることにより、最短マーク（２Ｔ）記録時の温度変化が急冷になる。そのため、最短マークが形成しやすくなり、信号品質が向上する。ここで、最短マークが大きくなったとしても、長いマークに比べて書換性能への影響は小さい。そのため、Ｎ／２記録ストラテジにおいて、第３情報層のボトムパワーＰｂ３はクーリングパワーＰｃ３よりも大きくすることが有効である。

表１１によれば、第３情報層のピークパワーＰｗ３に対するボトムパワーＰｂ３の比を、第２情報層のピークパワーＰｗ２に対するボトムパワーＰｂ２の比よりも大きくすることにより、全ての情報層で情報の記録及び再生を高品質に行うことができることがわかる。

また、表１２は、第２情報層及び第３情報層に情報を記録するための記録パワーの一例と、ピークパワーに対するボトムパワーの比が、第２情報層及び第３情報層ともに０．１００である記録パワーで記録した信号のＳＥＲとを示す表である。判定の方法は、表１０及び表１１と同様である。

表１２によると、第２情報層及び第３情報層ともに、ピークパワーに対するボトムパワーの比が０．１００である場合、良好な記録再生特性が得られていない。すなわち、第２情報層におけるピークパワーに対するボトムパワーの比は、０．１００よりも小さくする必要があり、第３情報層におけるピークパワーに対するボトムパワーの比は、０．１００よりも大きくする必要がある。

このことからも、第３情報層のピークパワーＰｗ３に対するボトムパワーＰｂ３の比を、第２情報層のピークパワーＰｗ２に対するボトムパワーＰｂ２の比よりも大きくすることが、全ての情報層で情報の記録及び再生を高品質に行うために必要であることがわかる。

なお、本実施例では、記録するマーク長が２つ増えるとパルスの数が１つ増えることを特徴とした記録パルスである、Ｎ／２記録ストラテジを使用しているが、記録するマーク長が１つ増えるとパルスの数が１つ増える記録パルスを使用してもよい。

なお、本実施例では、光記録媒体は、第１情報層、第２情報層及び第３情報層の３つの情報層を備えているが、４つの情報層を備える光記録媒体であっても本実施例と同様の効果が得られる。

図１８は、本実施の形態の第１の変形例における各情報層の記録パルス列の一例を示す図である。本実施の形態の第１の変形例における光記録媒体は、４つの情報層を備えている。図１８では、第１〜第４情報層のそれぞれの記録パルス列を表している。図１８に示すように、本実施の形態の第１の変形例では、第２情報層の記録パルス列と、第３情報層の記録パルス列とが同じである。

また、第１の変形例における第１情報層の記録パルス列と、図１７に示す第１情報層の記録パルス列とが同じであり、第１の変形例における第２情報層及び第３情報層の記録パルス列と、図１７に示す第２情報層の記録パルス列とが同じであり、第１の変形例における第４情報層の記録パルス列と、図１７に示す第３情報層の記録パルス列とが同じである。

図１８に示すように、第４情報層のピークパワーＰｗ４、第４情報層のボトムパワーＰｂ４、第３情報層のピークパワーＰｗ３及び第３情報層のボトムパワーＰｂ３は下記の式を満たしている。

Ｐｂ４／Ｐｗ４＞Ｐｂ３／Ｐｗ３

また、Ｐｂ３／Ｐｗ３は、Ｐｂ２／Ｐｗ２と等しい。

図１９は、本実施の形態の第２の変形例における各情報層の記録パルス列の一例を示す図である。本実施の形態の第２の変形例における光記録媒体は、４つの情報層を備えている。図１９では、第１〜第４情報層のそれぞれの記録パルス列を表している。図１９に示すように、本実施の形態の第２の変形例では、第３情報層の記録パルス列と、第４情報層の記録パルス列とが同じである。

また、第２の変形例における第１情報層の記録パルス列と、図１７に示す第１情報層の記録パルス列とが同じであり、第２の変形例における第２情報層の記録パルス列と、図１７に示す第２情報層の記録パルス列とが同じであり、第２の変形例における第３情報層及び第４情報層の記録パルス列と、図１７に示す第３情報層の記録パルス列とが同じである。

図１９に示すように、第４情報層のピークパワーＰｗ４、第４情報層のボトムパワーＰｂ４、第２情報層のピークパワーＰｗ２及び第２情報層のボトムパワーＰｂ２は下記の式を満たしている。

Ｐｂ４／Ｐｗ４＞Ｐｂ２／Ｐｗ２

また、Ｐｂ４／Ｐｗ４は、Ｐｂ３／Ｐｗ３と等しい。

なお、図１９に示す第２の変形例では、第３情報層のボトムパワーＰｂ３と、第４情報層のボトムパワーＰｂ４とが同じであるが、本発明は特にこれに限定されず、第３情報層のボトムパワーＰｂ３を、第４情報層のボトムパワーＰｂ４よりも小さくしてもよい。すなわち、第４情報層のピークパワーＰｗ４、第４情報層のボトムパワーＰｂ４、第３情報層のピークパワーＰｗ３、第３情報層のボトムパワーＰｂ３、第２情報層のピークパワーＰｗ２及び第２情報層のボトムパワーＰｂ２は下記の式を満たしてもよい。

Ｐｂ４／Ｐｗ４＞Ｐｂ３／Ｐｗ３＞Ｐｂ２／Ｐｗ２

また、２つの情報層を備える光記録媒体であっても本実施例と同様の効果が得られる。

図２０は、本実施の形態の第３の変形例における各情報層の記録パルス列の一例を示す図である。本実施の形態の第３の変形例における光記録媒体は、２つの情報層を備えている。図２０では、第１及び第２情報層のそれぞれの記録パルス列を表している。図２０に示すように、第３の変形例における第１情報層の記録パルス列と、図１７に示す第２情報層の記録パルス列とが同じであり、第３の変形例における第２情報層の記録パルス列と、図１７に示す第３情報層の記録パルス列とが同じである。

図２０に示すように、第２情報層のピークパワーＰｗ２、第２情報層のボトムパワーＰｂ２、第１情報層のピークパワーＰｗ１及び第１情報層のボトムパワーＰｂ１は下記の式を満たしている。

Ｐｂ２／Ｐｗ２＞Ｐｂ１／Ｐｗ１

このように、光記録媒体は、Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備える。また、Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有する。また、記録パルス列に応じたレーザビームが照射されることで記録膜に記録マークが形成される。

さらに、本実施の形態では、パワー設定器１１４は、パワー情報を光記録媒体１１から読み出しているが、本発明は特にこれに限定されず、パワー設定器１１４は、パワー情報をメモリから読み出してもよい。図２１は、本実施の形態の第４の変形例に係る光記録再生装置の構成を示すブロック図である。なお、図２１において、図１と同じ構成については同じ符号を付し、説明を省略する。

メモリ１３１は、各情報層のライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層のボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを予め記憶する。なお、メモリ１３１は、ピークパワー及びボトムパワーだけでなく、クーリングパワー及びイレースパワーも記憶する。メモリ１３１は、ピークパワー、ボトムパワー、クーリングパワー及びイレースパワーをパワー情報として記憶する。

メモリ１３１に記憶されるパワー情報は、光記録再生装置の製造時に予め記憶してもよい。また、メモリ１３１に記憶されるパワー情報は、読出部１３０によって光記録媒体から読み出されたパワー情報を、光記録媒体を識別する識別情報と対応付けて記憶してもよい。なお、本実施の形態において、メモリ１３１が記憶部の一例に相当する。

パワー設定器１１４は、メモリ１３１に記憶されている各情報層のピークパワー及び各情報層のボトムパワーに基づいて、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。

なお、上記実施の形態及び実施例で挙げた材料及び膜厚は、本発明を実現するための種々の材料及び膜厚の一例であって、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る光学的情報記録媒体は、上記実施の形態及び実施例で挙げた材料以外の材料を用いてもよいし、また、上記実施形態及び実施例で挙げた各層の厚さ以外の厚さに設定してもよい。

なお、上述した具体的実施形態には以下の構成を有する発明が主に含まれている。

本発明の一局面に係る光学的情報記録装置は、Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備える光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録装置であって、前記Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有し、前記レーザビームを出射する光源と、前記記録膜に記録マークを形成するための記録パルス列を生成する記録パルス列生成部と、前記記録パルス列の各パルスのパワーを設定するパワー設定部と、前記記録パルス列生成部によって生成された前記記録パルス列に応じた前記レーザビームを、前記パワー設定部によって設定されたパワーで出射するように前記光源を駆動する駆動部とを備え、前記記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、前記ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含み、前記ライトパルスのパワーをピークパワーとし、前記ボトムパルスのパワーをボトムパワーとしたとき、前記パワー設定部は、前記光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが下記の式を満たすように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定する。

ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ

この構成によれば、光源は、レーザビームを出射する。記録パルス列生成部は、記録膜に記録マークを形成するための記録パルス列を生成する。パワー設定部は、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。駆動部は、記録パルス列生成部によって生成された記録パルス列に応じたレーザビームを、パワー設定部によって設定されたパワーで出射するように光源を駆動する。記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含む。ライトパルスのパワーをピークパワーとし、ボトムパルスのパワーをボトムパワーとしたとき、パワー設定部は、光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが上記の式を満たすように、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。

したがって、Ｎ層の情報層のうち光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮに対するボトムパワーＰｂＮの比を、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭに対するボトムパワーＰｂＭの比よりも高くなるように、記録パルス列の各パルスのパワーが設定されるので、第Ｍ情報層における記録時の温度変化が相対的に急冷になり、非晶質相である記録マークを容易に形成することができる。そのため、反射率を高くすることによって結晶相である記録膜の反射率と非晶質である記録膜の反射率との比が小さくなる傾向にある第Ｍ情報層においても、信号振幅を大きくすることができ、再生信号品質を向上することができる。

また、第Ｎ情報層における記録時の温度変化が相対的に徐冷になり、非晶質相である記録マークがより小さく形成されるので、情報の書換が容易になる。そのため、透過率を高くするために記録膜の厚さが薄くなり消去性能が悪化しやすい第Ｎ情報層においても、実用上で求められる消去性能を確保することができる。

このように、２つ以上の情報層を備えた光記録媒体において、全ての情報層に高品質な情報を記録することができる。

また、上記の光学的情報記録装置において、前記記録パルス列は、前記クーリングパルスのパワーをクーリングパワーとしたとき、前記パワー設定部は、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮが、前記第Ｎ情報層のクーリングパワーＰｃＮよりも大きくなり、前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが、前記第Ｍ情報層のクーリングパワーＰｃＭと等しくなるように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定することが好ましい。

この構成によれば、クーリングパルスのパワーをクーリングパワーとしたとき、パワー設定部は、第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮが、第Ｎ情報層のクーリングパワーＰｃＮよりも大きくなり、第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが、第Ｍ情報層のクーリングパワーＰｃＭと等しくなるように、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。

したがって、第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮを、第Ｎ情報層のクーリングパワーＰｃＮよりも大きくすることにより、最短マーク記録時の温度変化を急冷にすることができる。そのため、最短マークが形成しやすくなり、信号品質を向上させることができる。

また、Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが第Ｍ情報層のクーリングパワーＰｃＭと等しくなるので、ピークパワー、ボトムパワー、及び消去パルスのパワーであるイレースパワーの３値のパワーレベルでレーザビームを変調することができる。

また、上記の光学的情報記録装置において、前記光学的情報記録媒体は、３層以上の情報層を備え、前記クーリングパルスのパワーをクーリングパワーとしたとき、前記パワー設定部は、前記光学的情報記録媒体の光入射面から最も遠い第１情報層のボトムパワーＰｂ１が、前記第１情報層のクーリングパワーＰｃ１と等しくなるように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定し、前記記録パルス列生成部は、前記第１情報層の記録膜に、最も短い記録マークを形成する場合、前記クーリングパルスを含まない記録パルス列を生成することが好ましい。

この構成によれば、光学的情報記録媒体は、３層以上の情報層を備える。クーリングパルスのパワーをクーリングパワーとしたとき、パワー設定部は、光学的情報記録媒体の光入射面から最も遠い第１情報層のボトムパワーＰｂ１が、第１情報層のクーリングパワーＰｃ１と等しくなるように、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。記録パルス列生成部は、第１情報層の記録膜に、最も短い記録マークを形成する場合、クーリングパルスを含まない記録パルス列を生成する。

したがって、第１情報層の記録膜に、最も短い記録マークを形成する場合、クーリングパルスを含まない記録パルス列が生成されるので、金属膜が厚い第１情報層において記録マークを小さくすることができる。

また、上記の光学的情報記録装置において、前記Ｎ層の情報層は、３層の情報層のみを含むことが好ましい。

この構成によれば、３層の情報層のみを備える光学的情報記録媒体において、第１及び第２情報層の信号振幅を大きくすることができ、再生信号品質を向上することができ、第３情報層の実用上で求められる消去性能を確保することができる。

また、上記の光学的情報記録装置において、前記光学的情報記録媒体は、各情報層の前記ライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層の前記ボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを記録し、前記光学的情報記録媒体から各情報層の前記ピークパワー及び各情報層の前記ボトムパワーを読み出す読出部をさらに備え、前記パワー設定部は、前記読出部によって読み出された各情報層の前記ピークパワー及び各情報層の前記ボトムパワーに基づいて、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定することが好ましい。

この構成によれば、光学的情報記録媒体は、各情報層のライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層のボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを記録している。読出部は、光学的情報記録媒体から各情報層のピークパワー及び各情報層のボトムパワーを読み出す。そして、パワー設定部は、読出部によって読み出された各情報層のピークパワー及び各情報層のボトムパワーに基づいて、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。

したがって、光学的情報記録媒体から読み出された各情報層のピークパワー及び各情報層のボトムパワーに基づいて、記録パルス列の各パルスのパワーを設定することができる。

また、上記の光学的情報記録装置において、各情報層の前記ライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層の前記ボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを予め記憶する記憶部をさらに備え、前記パワー設定部は、前記記憶部に記憶されている各情報層の前記ピークパワー及び各情報層の前記ボトムパワーに基づいて、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定することが好ましい。

この構成によれば、記憶部は、各情報層のライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層のボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを予め記憶する。パワー設定部は、記憶部に記憶されている各情報層のピークパワー及び各情報層のボトムパワーに基づいて、記録パルス列の各パルスのパワーを設定する。

したがって、記憶部から読み出された各情報層のピークパワー及び各情報層のボトムパワーに基づいて、記録パルス列の各パルスのパワーを設定することができる。

本発明の他の局面に係る光学的情報記録方法は、Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備える光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録方法であって、前記Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有し、前記記録膜に記録マークを形成するための記録パルス列を生成する記録パルス列生成ステップと、前記記録パルス列の各パルスのパワーを設定するパワー設定ステップと、前記記録パルス列生成ステップにおいて生成された前記記録パルス列に応じた前記レーザビームを、前記パワー設定ステップにおいて設定されたパワーで出射するように光源を駆動する駆動ステップと、前記レーザビームを前記光源から出射するレーザビーム出射ステップとを含み、前記記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、前記ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含み、前記ライトパルスのパワーをピークパワーとし、前記ボトムパルスのパワーをボトムパワーとしたとき、前記パワー設定ステップは、前記光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが下記の式を満たすように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定する。

ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ

この構成によれば、記録パルス列生成ステップにおいて、記録膜に記録マークを形成するための記録パルス列が生成される。次に、パワー設定ステップにおいて、記録パルス列の各パルスのパワーが設定される。次に、駆動ステップにおいて、記録パルス列生成ステップで生成された記録パルス列に応じたレーザビームを、パワー設定ステップで設定されたパワーで出射するように光源が駆動される。次に、レーザビーム出射ステップにおいて、レーザビームが光源から出射される。記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含む。ライトパルスのパワーをピークパワーとし、ボトムパルスのパワーをボトムパワーとしたとき、パワー設定ステップにおいて、光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが下記の式を満たすように、記録パルス列の各パルスのパワーが設定される。

したがって、Ｎ層の情報層のうち光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮに対するボトムパワーＰｂＮの比を、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭに対するボトムパワーＰｂＭの比よりも高くなるように、記録パルス列の各パルスのパワーが設定されるので、第Ｍ情報層における記録時の温度変化が相対的に急冷になり、非晶質相である記録マークを容易に形成することができる。そのため、反射率を高くすることによって結晶相である記録膜の反射率と非晶質である記録膜の反射率との比が小さくなる傾向にある第Ｍ情報層においても、信号振幅を大きくすることができ、再生信号品質を向上することができる。

また、第Ｎ情報層における記録時の温度変化が相対的に徐冷になり、非晶質相である記録マークがより小さく形成されるので、情報の書換が容易になる。そのため、透過率を高くするために記録膜の厚さが薄くなり消去性能が悪化しやすい第Ｎ情報層においても、実用上で求められる消去性能を確保することができる。

このように、２つ以上の情報層を備えた光記録媒体において、全ての情報層に高品質な情報を記録することができる。

本発明の他の局面に係る光学的情報記録媒体は、Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備え、前記Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有し、記録パルス列に応じたレーザビームが照射されることで前記記録膜に記録マークが形成され、前記光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層が有する記録膜の厚さＤＮは、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）が有する記録膜の厚さＤＭより小さく、前記第Ｎ情報層からの反射率ＲＮは、前記第Ｍ情報層からの反射率ＲＭの２倍よりも小さく、前記記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、前記ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含み、前記Ｎ層の情報層のうちの少なくとも１つの情報層は、各情報層の前記ライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層の前記ボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを記録し、前記第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、前記第Ｍ情報層のピークパワーＰｗＭ及び前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭは下記の式を満たす。

ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ

この構成によれば、光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層が有する記録膜の厚さＤＮは、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）が有する記録膜の厚さＤＭより小さい。また、第Ｎ情報層からの反射率ＲＮは、第Ｍ情報層からの反射率ＲＭの２倍よりも小さい。記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含む。Ｎ層の情報層のうちの少なくとも１つの情報層は、各情報層のライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層のボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを記録している。そして、第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層のピークパワーＰｗＭ及び第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭは上記の式を満たす。

したがって、Ｎ層の情報層のうち光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮに対するボトムパワーＰｂＮの比が、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭに対するボトムパワーＰｂＭの比よりも高いので、第Ｍ情報層における記録時の温度変化が相対的に急冷になり、非晶質相である記録マークを容易に形成することができる。そのため、反射率を高くすることによって結晶相である記録膜の反射率と非晶質である記録膜の反射率との比が小さくなる傾向にある第Ｍ情報層においても、信号振幅を大きくすることができ、再生信号品質を向上することができる。

また、第Ｎ情報層における記録時の温度変化が相対的に徐冷になり、非晶質相である記録マークがより小さく形成されるので、情報の書換が容易になる。そのため、透過率を高くするために記録膜の厚さが薄くなり消去性能が悪化しやすい第Ｎ情報層においても、実用上で求められる消去性能を確保することができる。

このように、２つ以上の情報層を備えた光記録媒体において、全ての情報層に高品質な情報を記録することができる。

なお、発明を実施するための形態の項においてなされた具体的な実施態様又は実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と特許請求事項との範囲内で、種々変更して実施することができるものである。

本発明に係る光学的情報記録装置、光学的情報記録方法及び光学的情報記録媒体は、２つ以上の情報層を備える情報記録媒体において、全ての情報層に高品質な情報を記録することができ、レーザビームの照射によって光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録装置及び光学的情報記録方法、２つ以上の情報層を備えた光学的情報記録媒体に有用である。

Claims (8)

1. Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備える光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録装置であって、
   前記Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有し、
   前記レーザビームを出射する光源と、
   前記記録膜に記録マークを形成するための記録パルス列を生成する記録パルス列生成部と、
   前記記録パルス列の各パルスのパワーを設定するパワー設定部と、
   前記記録パルス列生成部によって生成された前記記録パルス列に応じた前記レーザビームを、前記パワー設定部によって設定されたパワーで出射するように前記光源を駆動する駆動部とを備え、
   前記記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、前記ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含み、
   前記ライトパルスのパワーをピークパワーとし、前記ボトムパルスのパワーをボトムパワーとしたとき、
   前記パワー設定部は、前記光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが下記の式を満たすように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定する光学的情報記録装置。
   ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ
2. 前記クーリングパルスのパワーをクーリングパワーとしたとき、
   前記パワー設定部は、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮが、前記第Ｎ情報層のクーリングパワーＰｃＮよりも大きくなり、前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが、前記第Ｍ情報層のクーリングパワーＰｃＭと等しくなるように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定する請求項１記載の光学的情報記録装置。
3. 前記光学的情報記録媒体は、３層以上の情報層を備え、
   前記クーリングパルスのパワーをクーリングパワーとしたとき、
   前記パワー設定部は、前記光学的情報記録媒体の光入射面から最も遠い第１情報層のボトムパワーＰｂ１が、前記第１情報層のクーリングパワーＰｃ１と等しくなるように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定し、
   前記記録パルス列生成部は、前記第１情報層の記録膜に、最も短い記録マークを形成する場合、前記クーリングパルスを含まない記録パルス列を生成する請求項１又は２記載の光学的情報記録装置。
4. 前記Ｎ層の情報層は、３層の情報層のみを含む請求項１〜３のいずれかに記載の光学的情報記録装置。
5. 前記光学的情報記録媒体は、各情報層の前記ライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層の前記ボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを記録し、
   前記光学的情報記録媒体から各情報層の前記ピークパワー及び各情報層の前記ボトムパワーを読み出す読出部をさらに備え、
   前記パワー設定部は、前記読出部によって読み出された各情報層の前記ピークパワー及び各情報層の前記ボトムパワーに基づいて、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定する請求項１〜４のいずれかに記載の光学的情報記録装置。
6. 各情報層の前記ライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層の前記ボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを予め記憶する記憶部をさらに備え、
   前記パワー設定部は、前記記憶部に記憶されている各情報層の前記ピークパワー及び各情報層の前記ボトムパワーに基づいて、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定する請求項１〜４のいずれかに記載の光学的情報記録装置。
7. Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備える光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録方法であって、
   前記Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有し、
   前記記録膜に記録マークを形成するための記録パルス列を生成する記録パルス列生成ステップと、
   前記記録パルス列の各パルスのパワーを設定するパワー設定ステップと、
   前記記録パルス列生成ステップにおいて生成された前記記録パルス列に応じた前記レーザビームを、前記パワー設定ステップにおいて設定されたパワーで出射するように光源を駆動する駆動ステップと、
   前記レーザビームを前記光源から出射するレーザビーム出射ステップとを含み、
   前記記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、前記ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含み、
   前記ライトパルスのパワーをピークパワーとし、前記ボトムパルスのパワーをボトムパワーとしたとき、
   前記パワー設定ステップは、前記光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）のピークパワーＰｗＭ及び前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭが下記の式を満たすように、前記記録パルス列の各パルスの前記パワーを設定する光学的情報記録方法。
   ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ
8. Ｎ層（Ｎは２以上の整数）の情報層を備え、
   前記Ｎ層の情報層のそれぞれは、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録膜を有し、
   記録パルス列に応じたレーザビームが照射されることで前記記録膜に記録マークが形成され、
   前記光学的情報記録媒体の光入射面に最も近い第Ｎ情報層が有する記録膜の厚さＤＮは、第Ｍ情報層（ＭはＮ＞Ｍ≧１の整数）が有する記録膜の厚さＤＭより小さく、
   前記第Ｎ情報層からの反射率ＲＮは、前記第Ｍ情報層からの反射率ＲＭの２倍よりも小さく、
   前記記録パルス列は、最も高いパワーを有する少なくとも１つのライトパルスと、前記ライトパルスが複数ある場合に複数のライトパルスの間に形成されるボトムパルスと、最後尾のライトパルスに後続して形成されるクーリングパルスとを含み、
   前記Ｎ層の情報層のうちの少なくとも１つの情報層は、各情報層の前記ライトパルスのパワーを表すピークパワー及び各情報層の前記ボトムパルスのパワーを表すボトムパワーを記録し、
   前記第Ｎ情報層のピークパワーＰｗＮ、前記第Ｎ情報層のボトムパワーＰｂＮ、前記第Ｍ情報層のピークパワーＰｗＭ及び前記第Ｍ情報層のボトムパワーＰｂＭは下記の式を満たす光学的情報記録媒体。
   ＰｂＮ／ＰｗＮ＞ＰｂＭ／ＰｗＭ

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