JP5507580B2 - 光学的情報記録方法、光学的情報記録装置、光学的情報再生方法、光学的情報再生装置および光学的情報記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、レーザビームの照射によって光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録方法及び光学的情報記録装置、レーザビームの照射によって光学的情報記録媒体から情報を再生する光学的情報再生方法及び光学的情報再生装置、２つ以上の情報層を備えた光学的情報記録媒体に関するものである。

基板上に成膜した相変化記録材料等の薄膜からなる記録層にレーザ光を照射し局所的な加熱を行うとき、照射条件の違いにより光学定数の異なる状態に当該記録層を変化させることが可能である。このように、光学的情報記録媒体（以下では光記録媒体とも記す）は、レーザ光を用いて光学的に情報が記録、消去、書換、又は再生される。光記録媒体は広く研究開発及び商品化されている。

相変化型の光記録媒体では、レーザ光の照射によって発生する熱により記録層を構成する相変化材料を、たとえば結晶相と非晶質相との間で状態変化させることによって、情報が記録される。また、情報の再生は結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを検出することにより行われる。

光記録媒体のうち書換型光記録媒体は、可逆的相変化を生じる相変化記録材料を記録層に用いることにより、情報の消去又は書換が可能である。書換型光記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は結晶相である。情報を記録する場合には、高パワーのレーザ光を照射し記録層を溶融し、その後、急激に冷却することによってレーザ照射部を非晶質相にする。一方、情報を消去する場合には、記録時に比べ低パワーのレーザ光を照射し記録層を昇温し、その後、ゆるやかに冷却することによってレーザ照射部を結晶相にする。また、高パワーと低パワーとでパワー変調させたレーザ光を記録層に照射することで、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録すること、すなわち書換が可能である。書換型光記録媒体においては、非晶質部がマークであり、結晶部がスペースである。

また、可逆的相変化を生じない材料を記録層に用いた追記型光記録媒体では、情報の書換は不可能であり、１回のみ情報を記録することができる。

書換型光記録媒体および追記型光記録媒体のどちらにしても、記録時の熱の冷却を効率よく行う目的で熱伝導率の高い金属層を用いることが一般的である。

光記録媒体に記録された情報の再生は、結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを調べることにより行われる。具体的には、情報の再生は、ある一定の再生パワーに設定したレーザ光を光記録媒体に照射した時に、光記録媒体からの反射光の強度を信号として検出することで行われる。

光記録媒体を大容量化するための技術として、様々な技術が検討されている。例えば、マーク長およびスペース長の最小サイズを小さくし、記録密度を高める方法がある。この方法では再生信号におけるＳ／Ｎ比が低下するという問題に加え、マークを記録する際に発生した熱がスペース部分を伝播し隣り合うマークの冷却過程に影響を与える現象、すなわち熱干渉が発生する。熱干渉が発生すると、マークのエッジ位置が変動することになり、再生時の誤り率が増加するという問題がある。

また、正確な長さのマークおよびスペースが形成されていても、光スポットのサイズで決まる再生光学系の周波数特性が原因で再生時に検出される短いマークおよびスペースのエッジ位置が、理想値と異なって再生されるという問題が発生する。この検出エッジと理想値とのずれを一般に符号間干渉という。マークおよびスペースのサイズが光スポットに比べて小さくなると、符号間干渉が顕著になり、再生時のジッタを増大させて、誤り率を増加するという問題があった。

そこで、レーザパワーを２値で駆動し、マークの始端部分の位置を、記録するマークのマーク長および当該マークの直前のスペースのスペース長に応じて変化させるとともに、マークの終端部分の位置を、記録するマークのマーク長および当該マークの直後のスペースのスペース長に応じて変化させて記録する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。このように、マーク記録時に選択される記録パルスの制御パラメータを調節することで、高密度記録時のマーク間の熱干渉および再生時の周波数特性による符号間干渉の発生を補償している。

一方、光記録媒体を大容量化するための別の取り組みとして、２つの情報層を備える書換型光記録媒体を用いて、書換型光記録媒体の片側の面から入射するレーザ光によって２つの情報層に情報を記録又は再生する方法がある。２つの情報層を用いることによって、光記録媒体の記録容量を２倍にすることができる。

光記録媒体の片側の面から入射するレーザ光によって２つの情報層に情報を記録又は再生する光記録媒体において、入射側から遠い情報層（以下、第１情報層）への情報の記録又は再生は、入射側に近い情報層（以下、第２情報層）を透過したレーザ光によって行われる。つまり、第２情報層の透過率が低いと、第１情報層へ到達するレーザ光のエネルギーが減衰するため、第１情報層からの反射率が実質的に小さくなり、再生する際の情報の品質が悪化する。同様に、第１情報層に好適に情報を記録するために必要となるレーザパワーがより大きくなり、そのレーザパワーが記録装置の限界を超えた場合は、好適な記録ができなくなり、記録する際の情報の品質が悪化する。

従って、第２情報層はできるだけ高い透過率を有することが好ましい。また、大容量化のために情報層の数を増やし、例えば３つまたは４つの情報層を備えた光記録媒体を実現するためにはレーザ光入射側の情報層（第３情報層、または第４情報層）の透過率をさらに上げなければならない。金属層材料は一般に消衰係数が大きいため、レーザ光入射側の情報層に高い透過率をもたせるためにはレーザ光入射側の情報層の金属層の厚さは薄いほうが良い。

しかし、記録可能な光記録媒体において、一般的に金属層の厚さを薄くすると記録時に発生した熱の冷却速度が遅くなる。そのため、レーザ光照射領域外への熱伝播が大きくなり、マークとスペースとの境界がぼやけることにより再生信号が悪化する。そこで、レーザ光入射側に近い情報層を記録する時には、最も遠い情報層を記録する時より温度変化が急冷になるような記録パルスを用いることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。

しかしながら、特許文献２の技術では、光記録媒体の高記録密度化および多層化による、熱干渉の影響の増加に対応できず、全ての情報層で記録特性を良好にすることが困難であるという課題がある。

特許第２６７９５９６号公報 特開２００３−１７８４４８号公報

本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、光学的情報記録媒体の全ての情報層で情報を高品質に記録又は再生することができる光学的情報記録方法、光学的情報記録装置、光学的情報再生方法、光学的情報再生装置および光学的情報記録媒体を提供することを目的とするものである。

本発明の一局面に係る光学的情報記録方法は、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録層を有する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）備えた光学的情報記録媒体に、複数のパワー間で変調した記録パルス列に応じたレーザビームを照射することによりマークを形成し、前記マークおよび前記マーク間のスペースのエッジ位置により情報を記録する光学的情報記録方法であって、前記マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータを、前記マークのマーク長と、前記マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、前記マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する工程と、選択された前記制御パラメータによる記録パルス列によってマークを記録する工程とを含み、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、前記第１のスペース長はｍ種類（ｍは整数）に分類され、前記第２のスペース長はｎ種類（ｎは整数）に分類され、前記ｍと前記ｎとの少なくとも一方は２以上であり、前記制御パラメータは、前記第１のスペース長と前記第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対応する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含み、前記Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりも前記レーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される前記（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、前記第１の情報層への記録時に選択される前記（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

この構成によれば、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータが、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択される。そして、選択された制御パラメータによる記録パルス列によってマークが記録される。記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、第１のスペース長はｍ種類（ｍは整数）に分類され、第２のスペース長はｎ種類（ｎは整数）に分類される。ｍとｎとの少なくとも一方は２以上である。制御パラメータは、第１のスペース長と第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対応する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含む。Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりもレーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、第１の情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

本発明によれば、Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりもレーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される記録パルス列の制御パラメータの変化量が大きくなるので、レーザビームの入射側の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録ができる。これにより、レーザビームの入射側の情報層の金属層を薄くすることで高い透過率が実現でき、光学的情報記録媒体の全ての情報層で情報を高品質に記録又は再生することができる。

本発明の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

本発明の実施の形態に係る光記録再生装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態に係る光記録再生装置における記録符号列のマーク及びスペースと、マーク及びスペースを記録する記録波形発生動作の一例を説明するための図である。 マークのマーク長と記録パルス信号の記録波形との関係を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る光記録再生装置における光学的情報記録方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態に係る光学的情報記録方法における記録パルス列の制御の例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る光学的情報記録方法における記録補償テーブルを作成する方法について説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態に係る波形等化器の周波数特性を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態に係る光学的情報再生方法における再生信号波形を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る光学的情報記録媒体を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態に係る光学的情報記録媒体の各情報層をさらに詳細に示す部分断面図である。 本発明の実施例において、２Ｔマークを記録する場合のマーク配列及び記録パルス信号の例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。本実施の形態では記録媒体として可逆的相変化を利用した書換型光記録媒体を例にとって説明するが、追記型光記録媒体にも共通の技術である。また、以下の実施の形態では、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。

図１は、本発明の実施の形態に係る光記録再生装置の構成を示すブロック図である。図１に示す光記録再生装置は、記録系として、符号器１１３と、基準時間発生器１１９と、カウンタ２００と、分類器２０１と、記録波形発生器１１２と、記録補償器１１８と、レーザ駆動回路１１１と、パワー設定器１１４と、レーザ光源１１０と、対物レンズ１１６等を含む記録光学系とを備える。また、図１に示す光記録再生装置は、再生系として、検出レンズ１０６等を含む再生光学系と、光検出器１００と、プリアンプ１０１と、波形等化器１０３と、２値化器１０４と、復号器１０５と、再生シフト測定器１７０とを備える。なお、上記記録光学系は、対物レンズ１１６、コリメートレンズ１０９及びハーフミラー１０８を含み、上記再生光学系は、検出レンズ１０６、対物レンズ１１６及びハーフミラー１０８を含む。

まず、図１に示す光記録再生装置の各構成部材について説明する。符号器１１３は、記録される記録データ１２７を、光ディスク１１７上に形成されるマーク及びスペースのマーク長及びスペース長と、マーク及びスペースの先頭位置情報とを表す記録符号列（ＮＲＺＩ系列）１２６に変換する。記録符号列１２６は、分類器２０１と記録波形発生器１１２とカウンタ２００とに伝達される。

分類器２０１は、記録符号列１２６の各マークを、マークのマーク長（符号長）、当該マークの直前のスペースのスペース長および当該マークの直後のスペースのスペース長に基づいて所定の規則にしたがって分類する。分類器２０１は、分類した結果を分類信号２０４として記録波形発生器１１２に出力する。

カウンタ２００は、記録符号列１２６を参照し、基準時間発生器１１９によって発生される基準時間信号１２８を単位としてマークの先頭位置からの時間を計時し、カウント信号２０５を生成する。なお、符号器１１３及び記録波形発生器１１２は、それぞれ基準時間信号１２８に同期して動作する。基準時間信号１２８は、光ディスク１１７上のウォブルから読み出された信号にＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）をかけて同期した信号から生成される。

記録補償器１１８は、光ディスク１１７上の特定の領域にあらかじめ記録されている情報を読み出し、各マークの各マーク長、各マークの直前のスペース長および各マークの直後のスペース長に応じた、記録波形発生器１１２で発生させる各記録パルス波形のパルス位置移動量である記録補償テーブルデータを保持している。記録補償器１１８は、記録補償テーブルデータを記録波形発生器１１２に送出する。

記録波形発生器１１２は、記録符号列（ＮＲＺＩ系列）１２６、分類信号２０４、および記録補償テーブルデータに応じてパルス状の波形を時間軸上で補償する。これによって、記録符号列１２６は、記録波形に対応した記録パルス信号１２５に変換される。記録パルス信号１２５は、レーザパワーレベルに応じて３段階のレベルで構成されている。

記録波形発生器１１２は、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータを、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する。

制御パラメータは、記録パルス列の始端のパルスエッジの位置、記録パルス列の始端から２番目のパルスエッジの位置、記録パルス列の終端のパルスエッジの位置、及び記録パルス列の終端から２番目のパルスエッジの位置の少なくとも１つである。

記録補償器１１８は、後述するように記録パルス信号１２５のパルスエッジの位置を変化させるエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２に関する記録補償テーブルを格納している。記録補償器１１８は、記録補償テーブルを記録波形発生器１１２に送出し、記録波形発生器１１２は、上記分類信号２０４に応じて各マーク長のパルスを分類し、各記録パルスの位置および幅が補償された記録パルス信号１２５をレーザ駆動回路１１１に送出する。

レーザ駆動回路１１１は、パワー設定器１１４で設定されたパワーレベルで記録パルス信号１２５の３つのレベル（ピークパワーレベルＰｗ、イレーズパワーレベルＰｅ及びボトムパワーレベルＰｂ）のそれぞれに応じたレーザパワーを設定し、レーザ駆動電流１２４によりレーザ光源１１０を駆動する。レーザ光源１１０は、光ディスク１１７上にパルス状の光を照射して記録マークを形成する。レーザ駆動回路１１１は、選択された制御パラメータによる記録パルス列によってマークを記録する。

なお、本実施の形態において、光記録再生装置が光学的情報記録装置及び光学的情報再生装置の一例に相当し、記録波形発生器１１２が選択部の一例に相当し、レーザ駆動回路１１１が記録部の一例に相当する。

次に、光記録再生装置の記録系における光ディスク１１７への情報の記録方法について説明する。

記録パルス信号１２５は、レーザ駆動回路１１１に送出される。レーザ駆動回路１１１は、記録パルス信号１２５と、パワー設定器１１４で設定されたパワーとを参照して、記録パルス信号１２５のレベルに応じてレーザ駆動電流１２４を発生し、レーザ光源１１０を記録パルス信号１２５の所定の記録波形にしたがって発光させる。レーザ光源１１０から放出されたレーザ光１２３は、コリメートレンズ１０９、ハーフミラー１０８及び対物レンズ１１６を通って光ディスク１１７上に集光され、記録層を加熱してマーク及びスペースを形成する。

次に、光記録再生装置の再生系における光ディスク１１７からの情報の再生方法について説明する。

情報の再生時には、レーザ光源１１０は、記録されたマークを破壊しない程度の低いパワーレベルのレーザ光１２３を出射し、光ディスク１１７上のマーク列を走査する。光ディスク１１７からの反射光は、対物レンズ１１６及びハーフミラー１０８を通って、検出レンズ１０６に入射する。レーザ光は、検出レンズ１０６を通って光検出器１００上に集光される。集光された光は、光検出器１００上の光強度分布の強弱に応じて、電気信号に変換される。電気信号は、各々の光検出器１００に設けられたプリアンプ１０１によって増幅され、光ディスク１１７上の走査位置におけるマークの有無に対応した再生信号１２０となる。再生信号１２０は、波形等化器１０３によって波形等化処理が行われる。波形等化処理が行われた再生信号１２０は、２値化器１０４において、“０”又は“１”の２値のデータに変換されるとともにＰＬＬによる同期が行われて、２値化再生信号１２１に変換される。さらに、復号器１０５は、２値化再生信号１２１に対して符号器１１３における変換の逆変換を施して再生データ１２２を生成する。

ここで、例えば、基準時間信号１２８の周波数は、１３２ＭＨｚであり、Ｔｗ（チャネルクロック周期）は約７．５ｎｓｅｃである。光ディスク１１７は、線速度一定の７．３８ｍ／ｓｅｃで回転させる。レーザ光源１１０は、半導体レーザ光源で構成され、波長４０５ｎｍのレーザ光を出射する。対物レンズ１１６のＮＡは、０．８５である。光ディスク１１７は、複数の情報層を有する多層ディスクであって、２層ディスク、３層ディスク又は４層ディスクでもよい。また、光ディスク１１７は、相変化記録材料を用いた書換型の光ディスク媒体の他に、１度だけ追記できる追記型の光ディスク媒体であってもよい。符号化方式は、（１―７）変調である。（１―７）変調では最短の符号長は２Ｔｗである。

図２は、本発明の実施の形態に係る光記録再生装置における記録符号列のマーク及びスペースと、マーク及びスペースを記録する記録波形発生動作の一例を説明するための図である。

図２の基準時間信号１２８は、記録動作の時間基準を表す信号であり、Ｔｗの周期である。図２の記録符号列１２６は、記録データ１２７を符号器１１３でＮＲＺＩ変換した結果を表している。ここで、Ｔｗは検出窓幅であり、記録符号列１２６におけるマーク長およびスペース長の変化量の最小単位である。図２のマーク配列３００は、光ディスク１１７上に実際に記録されるマーク３０１及びスペース３０２のイメージを示したものである。レーザ光のスポットは、図２の紙面を左から右へ走査する。マーク３０１は、記録符号列１２６中の“１”レベルに１対１で対応しており、その期間に比例した長さで形成される。図２のカウント信号２０５は、マーク３０１およびスペース３０２の先頭からの時間をＴｗ単位で計時する。

図２の分類信号２０４は、本実施の形態の光記録再生装置における分類信号を模式的に示しており、本例では各マークのマーク長の値と、各マークの直前のスペースのスペース長と、各マークの直後のスペースのスペース長との３つの値の組み合わせによって分類している。例えば、図２の分類信号２０４において“４−５−２”とは、マーク長が５Ｔｗのマークについて、当該マークの直前のスペースのスペース長が４Ｔｗであり、当該マークの直後のスペースのスペース長が２Ｔｗであることを表している。なお、本実施の形態において、４Ｔｗ及び２Ｔｗの“ｗ”を省略してそれぞれ４Ｔ及び２Ｔと表す場合がある。また、スペース長については４Ｔｓと表し、マーク長については２Ｔｍと表す場合がある。

図２の記録パルス信号１２５は、図２の記録符号列１２６に対応した記録パルス信号であり、実際に記録される光波形の一例である。これらの記録パルス信号１２５は、カウント信号２０５、記録符号列１２６、分類信号２０４および記録補償器１１８から送出される記録補償テーブルデータを参照して生成される。

次に、本実施の形態の光記録再生装置における記録補償方法について説明する。

図３は、マークのマーク長と記録パルス信号１２５の記録波形との関係を示す概略図である。図３の基準時間信号１２８は、記録動作の時間基準となる信号であり、Ｔｗの周期である。図３のカウント信号２０５は、カウンタ２００によって発生する信号であり、マークの先頭からの時間を基準時間信号１２８の基準時間Ｔｗ単位で計時する。カウント信号２０５が０に移行するタイミングはマークもしくはスペースの先頭に対応する。図３の記録パルス信号１２５は、記録マーク形成時の記録パルス信号である。図３では、２Ｔｗ（Ｔｍ）マークの記録パルス信号１２５、３Ｔｗ（Ｔｍ）マークの記録パルス信号１２５、４Ｔｗ（Ｔｍ）マークの記録パルス信号１２５及び５Ｔｗ（Ｔｍ）マークの記録パルス信号１２５をそれぞれ表している。記録パルス信号１２５は、レベル変調されており、最も高いレベルであるピークパワーレベル（Ｐｗ）、中間レベルのイレーズパワーレベル（Ｐｅ）、最も低いレベルであるボトムパワーレベル（Ｐｂ）の３値で変調されている。また、最終パルスの後、冷却パルスがボトムパワーレベルで形成される。

ただし、ここではパワーレベルを３値変調としているが、最終パルスの後の冷却パルスのボトムパワーレベルと、中間パルスの間のボトムパワーレベルとを互いに異なるレベルとして、合計４値のパワー変調としてもよい。また、図３では、ボトムパワーレベルをイレーズパワーレベルよりも低いパワーレベルとしているが、ボトムパワーレベルは、イレーズパワーレベルとピークパワーレベルとの間のパワーレベルでもよい。また、図３では、４Ｔｗマークの記録パルス信号は中間パルスが１つであるが、５Ｔｗ及び６Ｔｗというようにマーク長（符号長）が１Ｔｗずつ長くなるとそれに応じて中間パルスの個数が１つずつ増えていく。

本実施の形態の記録補償（適応補償）では、各マークについて、マークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長と、当該マークの直後のスペースのスペース長とによって分類する。そして、各マークを記録する記録パルス列のパルスエッジの位置が、上記分類結果に応じて、エッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２だけ変化される。このように記録パルス信号１２５が制御されるので、光ディスク１１７に形成するマークの始端位置又は後端位置を精密に制御することができる。さらに、記録するマークのマーク長だけでなく、当該マークの直前のスペースのスペース長と、当該マークの直後のスペースのスペース長とに応じてパルスエッジを制御するので、符号間干渉を考慮して、マークの始端位置又は後端位置をさらに精密に制御できる。

本実施の形態の光記録方法における記録補償方法について、図４のフローチャートを用いて説明する。図４は、本発明の実施の形態に係る光記録再生装置における光学的情報記録方法を説明するためのフローチャートである。

まず、符号器１１３は、記録データを符号化してマーク及びスペースの組み合わせである符号化データを作成する（ステップＳ１）。この符号化データは、図２の記録符号列１２６に対応する。

次に、分類器２０１は、マークについて、当該マークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長と、当該マークの直後のスペースのスペース長との組み合わせに基づいて分類する（ステップＳ２）。図２の分類信号２０４では、２Ｔマークについては“２−２−３”に分類され、３Ｔマークについては“３−３−４”に分類され、５Ｔマークについては“４−５−２”に分類され、６Ｔマークについては“２−６−２”に分類されている。分類信号２０４は、それぞれ、“前スペース長”、“マーク長”及び“後スペース長”の順で組み合わせている。なお、“前スペース長”とは、マークの直前のスペースのスペース長を表し、“後スペース長”とは、マークの直後のスペースのスペース長を表す。

記録波形発生器１１２は、マークを形成するための記録パルス列のパルスエッジの位置を分類結果に対応して変化させることにより、記録パルス列を制御する（ステップＳ３）。記録波形発生器１１２は、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータを、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する。

例えば、図３の４Ｔｍマークの記録パルス信号１２５において、記録波形発生器１１２は、始端のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ１、始端から２番目のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ２、終端のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＥ１、及び終端から２番目のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＥ２だけ変化させる。

次に、レーザ駆動回路１１１は、記録波形発生器１１２によって発生された記録パルス信号１２５に応じてレーザ駆動電流１２４を生成し、生成したレーザ駆動電流１２４をレーザ光源１１０へ出力する。レーザ光源１１０は、記録パルス列に応じたレーザビームを光ディスク１１７に照射してマークを形成する（ステップＳ４）。

図５は、本発明の実施の形態に係る光学的情報記録方法における記録パルス列の制御の例を示す図である。図５では、マーク長が４Ｔであるマーク３０１を記録する場合に、記録パルス列のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２だけ変化させる場合について示している。図５の基準時間信号１２８は、記録動作の時間基準となる信号であり、図５のカウント信号２０５は、カウンタ２００によって発生する信号である。図５の記録パルス信号（記録パルス列）１２５は、パルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２だけ変化させている。図５のマーク配列３００は、図５の記録パルス信号（記録パルス列）１２５によって記録されたマーク長が４Ｔであるマーク３０１のイメージを示している。図５では、マーク３０１の始端位置を精密に制御できることを示している。

始端のエッジ変化量ｄＴＳ１は、下記の表１に示すように、記録するマークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長（前スペース長）と、当該マークの直後のスペースのスペース長（後スペース長）とによって分類した結果に基づいて規定されている。表１は、始端のエッジ変化量ｄＴＳ１に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

始端のエッジ変化量ｄＴＳ１は、記録するマークのマーク長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、マーク長が２Ｔのときのみ、後スペース長が２Ｔ及び３Ｔ以上の２通りに分け、前スペース長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、それぞれについて（４＋１）×４＝２０通りに分類して規定されている。

エッジ変化量ｄＴＳ１は、始端のパルスエッジの位置であるため、前スペース（マークの直前のスペース）の影響が支配的であるが、マーク長が２Ｔのときは後スペース（マークの直後のスペース）の影響も無視できないため、このように分類されている。

なお、ここでは、エッジ変化量ｄＴＳ１について、マーク長について４通り、前スペース長について４通り、後スペース長について２通りに分類しているが、この場合に限定されるものではない。例えば、マーク長について２通り、３通り、５通り、又は６通り以上に分類してもよく、前スペース長及び後スペース長についてそれぞれ２通り、３通り、４通り、５通り、又は６通り以上に分類してもよい。エッジ変化量ｄＴＳ１は、例えば、ａ１＝２ｎｓｅｃのように絶対時間で規定してもよく、あるいは基準時間信号１２８に基づいてＴｗ／１６の整数倍の値で規定してもよい。

すなわち、記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、マーク長はｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類される。なお、マーク長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類されてもよく、マーク長はｋ、ｋ＋１及びｋ＋２以上の少なくとも３種類に分類されてもよい。なお、本実施の形態において、最短マーク長が２Ｔである場合、ｋ＋１のマーク長は、３Ｔのマーク長を意味し、ｋ＋２のマーク長は、４Ｔのマーク長を意味し、ｋ＋３のマーク長は、５Ｔのマーク長を意味する。

また、記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、第１のスペース長（前スペース長）及び第２のスペース長（後スペース長）のそれぞれはｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類される。なお、第１のスペース長及び第２のスペース長のそれぞれはｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類されてもよい。

記録波形発生器１１２は、マーク長と第１のスペース長と第２のスペース長との組み合わせと、制御パラメータとを対応付けた記録補償テーブルを参照して、記録パルス列を制御する。

始端から２番目のエッジ変化量ｄＴＳ２についてもエッジ変化量ｄＴＳ１と同様であり、下記の表２に示すように、記録するマークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長（前スペース長）と、当該マークの直後のスペースのスペース長（後スペース長）とによって分類した結果に基づいて規定されている。表２は、始端から２番目のエッジ変化量ｄＴＳ２に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

終端のエッジ変化量ｄＴＥ１は、下記の表３に示すように、記録するマークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長（前スペース長）と、当該マークの直後のスペースのスペース長（後スペース長）とによって分類した結果に基づいて規定されている。表３は、終端のエッジ変化量ｄＴＥ１に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

終端のエッジ変化量ｄＴＥ１は、記録するマークのマーク長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、マーク長が２Ｔのときのみ、前スペース長が２Ｔ及び３Ｔ以上の２通りに分け、後スペース長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、それぞれについて（４＋１）×４＝２０通りに分類して規定されている。

エッジ変化量ｄＴＥ１は、終端のパルスエッジの位置であるため、後スペースの影響が支配的であるが、マーク長が２Ｔのときは前スペースの影響も無視できないため、このように分類されている。

なお、ここでは、エッジ変化量ｄＴＥ１について、マーク長について４通り、後スペース長について４通り、前スペース長について２通りに分類しているが、この場合に限定されるものではない。例えば、マーク長について２通り、３通り、５通り、又は６通り以上に分類してもよく、前スペース長及び後スペース長についてそれぞれ２通り、３通り、４通り、５通り、又は６通り以上に分類してもよい。エッジ変化量ｄＴＥ１は、例えば、ｉ１＝２ｎｓｅｃのように絶対時間で規定してもよく、あるいは基準時間信号１２８に基づいてＴｗ／１６の整数倍の値で規定してもよい。

終端から２番目のエッジ変化量ｄＴＥ２は、下記の表４に示すように、記録するマークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長（前スペース長）と、当該マークの直後のスペースのスペース長（後スペース長）とによって分類した結果に基づいて規定されている。表４は、終端から２番目のエッジ変化量ｄＴＥ２に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

終端から２番目のエッジ変化量ｄＴＥ２は、記録するマークのマーク長については、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の３通りに分け、後スペース長については、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔ以上の４通りに分け、それぞれについて３×４＝１２通りに分類して規定されている。

エッジ変化量ｄＴＥ２は、終端から２番目のパルスエッジの位置である。２Ｔマークのエッジ変化量ｄＴＥ２は、始端から２番目のエッジ変化量ｄＴＳ２と一致するため定義しない。

なお、ここでは、エッジ変化量ｄＴＥ２について、マーク長について３通り、後スペース長について４通りに分類しているが、この場合に限定されるものではない。例えば、マーク長について２通り、４通り、又は５通り以上としてもよく、後スペース長について２通り、３通り、５通り、又は６通り以上としてもよい。エッジ変化量ｄＴＥ２は、例えば、ｐ１＝２ｎｓｅｃのように絶対時間で規定してもよく、あるいは基準時間信号１２８に基づいてＴｗ／１６の整数倍の値で規定してもよい。

上述のように、記録パルス信号１２５の始端のパルスエッジの位置をエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２分だけ変化させることによってマーク３０１の始端位置をより精密に制御できる。さらに、記録するマークのマーク長だけでなく前スペース長に応じてパルスエッジを制御するので、符号間干渉を考慮して、マーク３０１の始端位置をさらに精密に制御できる。

なお、記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、第１のスペース長（前スペース長）はｍ種類（ｍは整数）に分類され、第２のスペース長（後スペース長）はｎ種類（ｎは整数）に分類される。ｍとｎとの少なくとも一方は２以上である。制御パラメータは、第１のスペース長と第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対応する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含む。Ｎ層の情報層のうちの所定の第１情報層よりもレーザビームの入射側にある第２情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、第１情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

また、各エッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２について、下記の表５〜表８のように前スペース長及び後スペース長の分類を２Ｔ及び３Ｔ以上の２通りに簡略化してもよい。表５は、始端のエッジ変化量ｄＴＳ１に関する記録補償テーブルの一例を示す表であり、表６は、始端から２番目のエッジ変化量ｄＴＳ２に関する記録補償テーブルの一例を示す表であり、表７は、終端のエッジ変化量ｄＴＥ１に関する記録補償テーブルの一例を示す表であり、表８は、終端から２番目のエッジ変化量ｄＴＥ２に関する記録補償テーブルの一例を示す表である。

光ディスク１１７にレーザ光を絞って高密度記録を行う場合には、最小の記録マーク及びスペースは光スポットと同じぐらい小さくなる。そのため、光学的なＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）の影響により最短マークと最短スペースとに関する信号が符号間干渉をおこして正確なエッジ位置に記録もしくは再生できないことが起こる。したがって、最も短い２Ｔのスペース長とそれ以外のスペース長とに分けるだけで符号間干渉を考慮した十分な記録特性を得ることが可能な場合には、上記のように簡略化して分類することで、記録補償テーブルを簡便化できるので装置を簡略化できるというメリットがある。

さらに、上記各エッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２、ｄＴＥ１及びｄＴＥ２に関する記録補償テーブルについて説明する。

記録補償器１１８内に保持されている記録補償テーブルは、以下の２つの方法のいずれかにより取得される。第１の方法では、記録補償器１１８は、光ディスク１１７のリードインエリアとよばれる領域にディスク製造時あるいはディスク製造後にあらかじめ記録されている記録補償テーブルを読み出し、読み出した記録補償テーブルを記憶する。第２の方法では、記録補償器１１８は、光ディスク１１７上の試し書き領域に実際に所定の記録パルス信号による試し書きを行って、その試し書きされたマーク及びスペースを再生してエッジシフト量を測定し、最も信号品質が良好な条件を探索する過程で求まる学習結果によって記録補償テーブルを取得する。

第１の方法では、光ディスク１１７の所定領域に記録された記録補償テーブルは、再生データとして得られ、記録補償器１１８に格納される。

次に、第２の方法において、光ディスク１１７に所定の記録符号列の試し書きを行って、記録補償テーブルを作成する方法について図６のフローチャートを用いて説明する。図６は、本発明の実施の形態に係る光学的情報記録方法における記録補償テーブルを作成する方法について説明するためのフローチャートである。

まず、光記録再生装置は、マークについて、当該マークのマーク長と、当該マークの直前のスペースのスペース長と、当該マークの直後のスペースのスペース長との組み合わせに基づいて分類し、その分類されたマークを光ディスク１１７上の試し書き領域に試し書きする（ステップＳ１１）。このとき、光記録再生装置は、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔのそれぞれのマーク長を有するマークを試し書きするとともに、各マークのそれぞれに対して、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔのスペース長を有する前スペースと、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ及び５Ｔのスペース長を有する後スペースとを試し書きする。

次に、光記録再生装置は、試し書きしたマーク及びスペースを再生して再生信号を得る（ステップＳ１２）。

次に、光記録再生装置は、再生信号に基づいて、マークのマーク長と、マークの直前のスペースのスペース長と、マークの直後のスペースのスペース長との組み合わせにエッジ変化量を対応付けた記録補償テーブルを作成する（ステップＳ１３）。その結果、光記録再生装置は、表１〜表４に示す記録補償テーブル、又は表５〜表８に示す記録補償テーブルを作成する。光検出器１００によって光電変換された電気信号は、プリアンプ１０１で増幅され再生信号１２０となり、波形等化器１０３及び２値化器１０４を経て２値化再生信号１２１となる。得られた２値化再生信号１２１は、復号器１０５だけでなく、再生シフト測定器１７０にも送られる。再生シフト測定器１７０は、ＰＬＬによって同期化された２値化再生信号と、同期化される前の２値化再生信号とを比較して、各マークおよびスペースごとのシフト量（エッジ変化量）を測定し、測定結果を記録補償器１１８へ送信する。

なお、このように光ディスク１１７上の試し書き領域での試し記録を行う場合には、光記録再生装置は、測定されたエッジ変化量に応じて記録補償テーブルデータを随時更新し、再度前述の記録動作を行い、再生時のＰＬＬクロックと２値化再生信号とのエッジシフトを低減するような記録補償テーブルを探索すべく記録動作を繰り返し行ってもよい。

また、マーク長またはスペース長が小さいためエッジシフトの検出が困難となり、ＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）法によって信号パターンを判定する場合には、通常のエッジのシフト量に変えてＭＬＳＥ（Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎ）値のシフト成分を測定してもよい。

なお、本実施の形態の記録パルスは、記録するマーク長が１つ増えるとパルスの数が１つ増えるとしているが、重要なのはパルスエッジの位置であり、パルスの数の規則は異なっていてもよい。例えば、記録パルスは、記録するマーク長が２つ増えるとパルスの数が１つ増えるものでもよいし、最終パルスの後の冷却パルスがないものでもよい。

続いて、本発明の実施の形態に係る光記録再生装置による光学的情報再生方法について説明する。実施の形態の光学的情報再生方法では、図７に示す周波数特性を有する波形等化を行うことを特徴とする。

本実施の形態の光学的情報再生方法では、光ディスク１１７に記録されたマークがレーザ光で読み取られ、検出レンズ１０６、光検出器１００及びプリアンプ１０１を用いて再生信号１２０が生成される。再生信号１２０は、波形等化器１０３で周波数特性を補正した信号となる。さらに、周波数特性が補正された再生信号１２０は、２値化器１０４で２値化再生信号１２１に変換され、復号器１０５によって逆変換を施して再生データ１２２が生成される。

２Ｔｗ信号、３Ｔｗ信号、４Ｔｗ信号、及び８Ｔｗ信号等の中で、２Ｔｗ信号など周波数の高い信号ほど小さなマークであるため、再生される信号の振幅が小さくなるという、周波数に依存する光学的出力の減衰が観測される。そこで、このような出力の減衰を補正するために、本実施の形態の光学的情報再生方法では、周波数の高い信号ほど出力振幅を大きくするようにイコライザ特性が設定される。

図７は、本発明の実施の形態に係る波形等化器（イコライザ）１０３の周波数特性を模式的に示す図であり、入力信号に対する出力信号の振幅比を表すものである。図７において、横軸は、再生信号周波数であり、２Ｔｗ信号、３Ｔｗ信号、４Ｔｗ信号及び８Ｔｗ信号の周波数を模式的に示す。縦軸は、波形等化器１０３の出力振幅の対数表示である。この波形等化器１０３としては、高域通過型フィルター（Ｈｉｇｈ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、２Ｔｗより少し高い周波数にピークを持たせたバンドパスフィルター（Ｂａｎｄ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、または、高域通過型フィルターとバンドパスフィルターと増幅器とを組み合わせたものを用いることができる。

従って、マーク又はスペースが２Ｔｗ信号のような周波数の高い信号である場合の出力振幅と、マーク又はスペースが８Ｔｗのような周波数の低い信号である場合の出力振幅との差、すなわち特性曲線の傾きは、最短マーク長が短くなるほど大きくなる。それに伴い、例えば４Ｔｗ信号の周波数における出力振幅と、８Ｔｗ信号の周波数における出力振幅との差も大きくなる。

そこで、再生信号特性は、再生周波数特性のピークシフトを防止し、ノイズの周波数分布を変化させ、再生信号のＳＮＲ（信号対雑音比）を良くし、再生信号のエラーレートを改善できる特性にすることが望ましい。

図８は、本発明の実施の形態に係る光学的情報再生方法における再生信号波形を示す概略図である。図８は、マーク形状の違いによる再生信号特性の違いを示す概略図である。図８のマーク配列３００ａ，３００ｂは、光スポットが図面の左から右へ走査し、記録マークが形成された後のマーク形状を表している。図８の再生信号１２０ａ，１２０ｂは、マーク配列３００ａ，３００ｂのそれぞれのマーク形状が形成された後、記録したマークを消去しない程度の強さの光でマークを読み出した後の再生信号を示す。

図８のマーク配列３００ａは、相変化を利用した書き換え型ディスクの代表的なマーク形状を示している。マーク配列３００ａでは、最も小さい２Ｔｗマーク４０１がイチョウ型のマークとして形成されている。冷却パルスによってマーク終端部が後から再結晶化されることによって、２Ｔｗマーク４０１は、イチョウ型マーク形状となっている。図８の再生信号１２０ａは、図８のマーク配列３００ａのマークを再生した時の再生信号である。図８のように２Ｔｗマーク４０１と２Ｔｗスペース４０２とが隣接している場合、最も再生信号振幅が小さくなる。この場合、Ｉ２が最小振幅となる。

一方、図８のマーク配列３００ｂは、相変化を利用した追記型ディスクにおいて形成されるマーク形状の一例を示している。図８の再生信号１２０ｂは、図８のマーク配列３００ｂのマークを再生した時の再生信号である。追記型ディスクでは、冷却パルスによる再結晶化を経ないでマークが形成される。そのため、２Ｔｗマーク４０３は、円形であって、他の長いマークに比べて幅方向に細く形成されることがある。このように、２Ｔｗマーク４０３の大きさが他のマークの大きさに比べて、幅方向に小さく形成される場合、図８の再生信号１２０ｂの最小振幅Ｉ２は、ＭＴＦの影響を受けて図８の再生信号１２０ａにおける最小振幅Ｉ２よりも小さくなる。そのため、２Ｔｗマーク４０３の符号間干渉が増大し、再生ピークシフトが生じる。

図７に示す波形等化器１０３の再生周波数特性において、ピークブースト値（Ｂｐ）を大きくすると、再生信号１２０の振幅を大きくするのと同時にノイズを増大させることとなる。特に、過ブースト状態となると、信号帯域よりも高域側のノイズを増大させることとなり、この場合、再生信号１２０のＳ／Ｎが悪くなるという弊害がある。また、過ブースト状態では、信号成分のうち低域側（４Ｔｗ〜８Ｔｗ）の符号間干渉を増大させるため、かえって再生特性を悪くしてしまう。このように、２Ｔｗマークなどの記録マークが他のマークに比べ特に小さく形成される場合、マーク長のみの記録補償では、２Ｔｗのマークの符号間干渉を補償することができるが、スペースに関する符号間干渉が残ってしまい再生信号の特性を悪くする。

そこで、上述の実施の形態で説明したように、マーク記録時において、特に２Ｔｗスペースを考慮して、記録パルス信号１２５のパルスエッジを、マーク長と前スペース長と後スペース長とに応じたエッジ変化量ｄＴＳ１、ｄＴＳ２及びｄＴＥ１だけ変化させ、さらに記録パルス信号１２５の始端又は終端エッジを補償する。これにより、特に２Ｔｗスペースで生じていた符号間干渉を低減でき、低いブースト値でも再生信号１２０の特性を向上させることができる。

また、記録補償を行うときのターゲットブースト値は、追記型記録媒体など図８のマーク配列３００ｂのような記録マークが形成される光記録媒体にデータを記録する場合、記録補償の補償精度にも依存する。例えばＴｗ／１６程度の補償精度で記録補償を行う場合は、ブースト値を１ｄＢ〜２ｄＢ程度増加させて記録することが望ましい。また、試し書きの際、初めにスペース補償をしない状態で記録を行い、エラーレートなどの再生信号特性が基準値を満たしていない場合に限り、スペース補償を含めた記録動作を行ってもよい。

また、あらかじめ記録する信号から最短マーク長を除いた符号系列で第１の試し書きを行い、３Ｔｗ以上のマーク長の記録補償テーブルを作成した後、２Ｔｗ信号を含んだ符号系列で第２の試し書きを行い、２Ｔｗのマーク長を含めた記録補償テーブルを作成してもよい。図８の再生信号１２０ｂのように再生信号振幅が極めて小さい場合、２Ｔｗ信号の記録マーク位置が正しくなければ、３Ｔｗ以上の長いマーク及びスペースの位置を正しく合わせるのが困難となる場合がある。前述のような非常に符号間干渉の大きい信号を再生する場合、初めに３Ｔｗ以上の符号長のマークを記録し、３Ｔｗ以上のマーク及びスペースのエッジ位置を正確に記録補償しておき、その後２Ｔｗ信号を含む信号を記録して、２Ｔｗのマーク及びスペースの記録位置を正確に補償する。これにより、より正確にかつ効率よく情報を記録することができ、再生信号品質を向上させることができる。

また、上記のように３Ｔｗ以上の符号長の信号を記録する際には、再生イコライザのブースト値を、２Ｔｗ信号を含んだ通常の記録符号列を記録するときに比べて１ｄＢから２ｄＢ下げて、記録補償を行ってもよい。この場合、２Ｔｗ信号を含まないため、再生信号の振幅は比較的大きく符号間干渉の発生はゆるやかである。そのため、通常のブースト値よりもやや低めのブースト値で、マーク長の長いマークのエッジ位置を調整することで、エッジシフトの少ない信号を記録できる。

なお、本発明の実施の形態では、記録パワーを３値のレーザパワーレベルで変調する場合の例について説明しているが、中間パルス内のボトムパワーとは異なるパワーレベルを有する冷却パルスをさらに含む４値のレーザパワーレベルで変調にしたときにも同様の効果が得られることは言うまでもない。

すなわち、記録パルス列は、レーザビームの強さが３値以上のパワーで切り替えられて変調される。

記録された信号を再生したときのエラーレートは、シンボルエラーレートが４．２×１０^−３以下であれば、実用上問題ないレベルである。

続いて、本発明の実施の形態に係る光学的情報記録媒体の一例を説明する。図９は、本発明の実施の形態に係る光学的情報記録媒体１１を示す部分断面図である。光学的情報記録媒体１１は、例として、対物レンズ３２で集光したレーザ光３１を照射することによって情報の記録又は再生が可能な３層多層光記録媒体であるとする。

レーザ光３１の波長λが短いほど、対物レンズ３２によって小さなスポット径に集光できるが、波長λが短すぎると、透明層２３などによるレーザ光３１の光吸収が大きくなる。そのため、レーザ光３１の波長λは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

光学的情報記録媒体１１には、基板２１上に、分離層２２、２８を介して順次積層された、第１情報層４１、第２情報層４２及び第３情報層４３の３個の情報層、及び透明層２３がこの順に設けられている。

この光学的情報記録媒体１１に対し、対物レンズ３２は、透明層２３側からレーザ光３１を各情報層に集光して、情報が記録又は再生される。

光学的情報記録媒体１１では、第３情報層４３よりも基板２１に近い側にある情報層に到達するレーザ光およびその反射光は、その情報層よりレーザ光３１入射側の情報層を透過することにより減衰してしまう。そのため、第１情報層４１及び第２情報層４２は高い記録感度と高い反射率とを有する必要があり、第２情報層４２層及び第３情報層４３は高い透過率を有する必要がある。

基板２１は、円盤状の形状をしており、第１情報層４１から透明層２３までの各層を保持するために用いられる。基板２１の第１情報層４１側の面には、レーザ光３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２１の第１情報層４１側に対して反対側の面は、平滑であることが好ましい。基板２１の材料は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせた材料等を用いることができる。特にポリカーボネート樹脂は、転写性及び量産性に優れ、低コストであることから、基板２１の材料として好ましい。

分離層２２及び分離層２８は、光学的情報記録媒体１１の第１情報層４１、第２情報層４２及び第３情報層４３のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設けられる層である。分離層２２及び分離層２８の厚さは、対物レンズ３２の開口数ＮＡとレーザ光３１の波長λとにより決定される焦点深度以上であることが望ましい。一方、分離層２２及び分離層２８が厚すぎると、光学的情報記録媒体１１のレーザ光３１の入射面から第１情報層４１までの距離が長くなり、光学的情報記録媒体１１が傾いたときのコマ収差が大きくなるため、第１情報層４１に正しく集光できなくなってしまう。その点では、分離層２２及び分離層２８は薄いほうが良い。仮に、レーザ光３１の波長λが４０５ｎｍであり、対物レンズ３２の開口数ＮＡが０．８５である場合には、分離層２２及び分離層２８の厚さは５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。

分離層２２及び分離層２８は、レーザ光３１に対して光吸収が小さいことが好ましい。分離層２２及び分離層２８のレーザ光３１の照射側の面には、レーザ光３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。分離層２２及び分離層２８の材料は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルポルレン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、遅効性熱硬化樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせた材料等を用いることができる。

透明層２３は、第３情報層４３のレーザ光３１の入射側にあり、第３情報層４３を保護する。透明層２３は、レーザ光３１に対して光吸収が小さいことが好ましい。透明層２３の材料は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、遅効性熱硬化樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせた材料等を用いることができる。また、透明層２３の材料は、これらの材料よりなるシートを用いてもよい。

透明層２３の厚さが薄すぎると、第３情報層４３を保護する機能が発揮できなくなる。また、透明層２３の厚さが厚すぎると、分離層２２及び分離層２８の場合と同様に、光学的情報記録媒体１１のレーザ光３１の入射面から第１情報層４１までの距離が長くなり、光学的情報記録媒体１１が傾いたときのコマ収差が大きくなるため、第１情報層４１に正しく集光できなくなってしまう。仮に、対物レンズ３２の開口数ＮＡが０．８５である場合には、透明層２３の厚さは５μｍ〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、４０μｍ〜１１０μｍの範囲内であることがより好ましい。

また、図１０は、本発明の実施の形態に係る光学的情報記録媒体１１の各情報層をさらに詳細に示す部分断面図である。

図１０に示すように、第１情報層４１には、基板２１に近い側から、金属層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、金属層４１２と第１の誘電体層４１４との間に金属層側界面層４１３を設けてもよく、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層４１５を設けてもよく、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層４１７を設けてもよい。なお、金属層側界面層４１３、第１の界面層４１５及び第２の界面層４１７の図示は省略している。

同様に、第２情報層４２には、基板２１に近い側から、透過率調整層４２１、金属層４２２、第１の誘電体層４２４、記録層４２６及び第２の誘電体層４２８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、金属層４２２と第１の誘電体層４２４との間に金属層側界面層４２３を設けてもよく、第１の誘電体層４２４と記録層４２６との間に第１の界面層４２５を設けてもよく、第２の誘電体層４２８と記録層４２６との間に第２の界面層４２７を設けてもよい。なお、金属層側界面層４２３、第１の界面層４２５及び第２の界面層４２７の図示は省略している。

同様に、第３情報層４３には、基板２１に近い側から、透過率調整層４３１、金属層４３２、第１の誘電体層４３４、記録層４３６及び第２の誘電体層４３８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、金属層４３２と第１の誘電体層４３４との間に金属層側界面層４３３を設けてもよく、第１の誘電体層４３４と記録層４３６との間に第１の界面層４３５を設けてもよく、第２の誘電体層４３８と記録層４３６との間に第２の界面層４３７を設けてもよい。なお、金属層側界面層４３３、第１の界面層４３５及び第２の界面層４３７の図示は省略している。

次に、第１情報層４１を構成する各層について説明する。

記録層４１６は、レーザ光３１の照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす層である。記録層４１６の材料としては、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３、ＧｅＴｅ−Ｂｉ_２Ｔｅ_３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ_２Ｔｅ_３、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）_２Ｔｅ_３、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ―Ｂｉ）_２Ｔｅ_３、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）_２Ｔｅ_３、（Ｇｅ―Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）_２Ｔｅ_３、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｇｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｇａ及び（Ｓｂ−Ｔｅ）―Ｇａのいずれかを含む材料を用いることができる。記録層４１６は、記録中のレーザ光照射時には非晶質相から結晶相に容易に変化できること及びレーザ光非照射時には非晶質相から結晶相に変化しないことが好ましい。

記録層４１６の厚さが薄すぎると、十分な反射率、反射率変化および消去率が得られなくなる。また、記録層４１６の厚さが厚すぎると、熱容量が大きくなるため記録感度が低下する。そのため、記録層４１６の厚さは、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

金属層４１２は、記録層４１６に吸収される光量を増やすという光学的な機能と、記録層４１６で生じた熱を拡散させるという熱的な機能とを持つ。金属層４１２の材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、およびＡｌのうちの少なくとも１つの元素を含んだものを用いることができる。金属層４１２の材料としては、例えば、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｒ、Ａｕ−Ｃｒ、又はＡｇ−Ｉｎといった合金を用いることができる。特に、Ａｇ合金は熱伝導率が大きいため金属層４１２の材料として好ましい。金属層４１２の厚さは厚いほど熱拡散機能が高い。しかしながら、金属層４１２の厚さが厚すぎると熱拡散機能が高すぎて記録層４１６の記録感度が低下する。そのため、金属層４１２の厚さは、３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましく、７０ｎｍ〜１４０ｎｍであることがより好ましい。

第１の誘電体層４１４は、記録層４１６と金属層４１２との間にあり、記録層４１６から金属層４１２への熱拡散を調節する熱的な機能と、反射率及び吸収率などを調節する光学的な機能とを持つ。第１の誘電体層４１４の材料としては、例えば、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、又はＤｙＯ_２等の酸化物、ＺｎＳ又はＣｄＳ等の硫化物、ＳｉＣなどの炭化物の単体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。混合物としては、例えばＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２、又はＳｎＯ_２−ＳｉＣを用いることができる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、第１の誘電体層４１４の材料として優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性および耐湿性が良好であることによる。

第１の誘電体層４１４の厚さが厚すぎると、金属層４１２の冷却効果が弱くなり、記録層４１６からの熱拡散が小さくなってしまうため非晶質化しにくくなってしまう。また、第１の誘電体層４１４の厚さが薄すぎると、金属層４１２の冷却効果が強くなり、記録層４１６からの熱拡散が大きくなって感度が低下してしまう。そのため、第１の誘電体層４１４の厚さは、２ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

金属層側界面層４１３は、第１の誘電体層４１４の材料によって、金属層４１２が腐食または破壊されるのを防ぐ働きを持つ。具体的には、金属層側界面層４１３は、金属層４１２に銀（Ａｇ）を含んだ材料を用い、かつ、第１の誘電体層４１４に硫黄（Ｓ）を含んだ材料（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を用いたとき、ＡｇがＳと反応することによって腐食してしまうことを防ぐ。

金属層側界面層４１３の材料としては、Ａｇ以外の金属、例えばＡｌ、またはＡｌ合金を用いることができる。

また、金属層側界面層４１３の材料としては、硫黄（Ｓ）を含まない誘電体材料、例えば、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、又はＤｙＯ_２等の酸化物、ＳｉＣなどの炭化物の単体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。混合物としては、例えばＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_２、ＨｆＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、又はＳｎＯ_２−ＳｉＣを用いることができる。または、金属層側界面層４１３の材料としては、炭素（Ｃ）などを用いることができる。

金属層側界面層４１３の厚さが厚すぎると、第１の誘電体層４１４の熱的及び光学的な働きを妨げる。また、金属層側界面層４１３の厚さが薄すぎると、金属層４１２の腐食及び破壊を防ぐ機能が低下する。そのため、金属層側界面層４１３の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第１の界面層４１５は、繰り返し記録によって第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間で生じる物質移動を防止する働きを持つ。第１の界面層４１５は、記録の際に融けない程度の高融点を持ち、記録層４１６との密着性が良い材料であることが好ましい。第１の界面層４１５の材料としては、例えば、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＤｙＯ_２等の酸化物、ＺｎＳ、又はＣｄＳ等の硫化物、ＳｉＣなどの炭化物の単体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。混合物としては、例えばＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２−ＳｉＯ_３−Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２、又はＳｎＯ_２−ＳｉＣを用いることができる。または、第１の界面層４１５の材料としては、炭素（Ｃ）などを用いることができる。特にＧａ_２Ｏ_３、ＺｎＯ又はＩｎ_２Ｏ_３などは、第１の界面層４１５の材料として好ましい。Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｎＯ又はＩｎ_２Ｏ_３は、記録層４１６との密着性が良いことによる。

第１の界面層４１５の厚さが薄すぎると、界面層としての効果を発揮できなくなる。また、第１の界面層４１５の厚さが厚すぎると、第１の誘電体層４１４の熱的および光学的な働きを妨げてしまう。そのため、第１の界面層４１５の厚さは、０．３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第２の誘電体層４１８は、記録層４１６よりもレーザ光入射側にあり、記録層４１６の腐食及び変形などを防止する機能と、反射率又は吸収率などを調整する光学的な機能とを持つ。また、第２の誘電体層４１８の材料としては、第１の誘電体層４１４と同様の材料を用いることができる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、第２の誘電体層４１８の材料として優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性および耐湿性が良好であることによる。

第２の誘電体層４１８の厚さが薄すぎると、記録層４１６の腐食及び変形などを防止する機能が低下する。また、第２の誘電体層４１８の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、記録層４１６が結晶相である場合と非晶質相である場合との反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。第２の誘電体層４１８の厚さは、２０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

第２の界面層４１７は、第１の界面層４１５と同様に、繰り返し記録によって第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間で生じる物質移動を防止する働きを持つ。従って、第２の界面層４１７の材料としては、第１の界面層４１５と同様の性能を持つ材料であることが好ましい。

第２の界面層４１７の厚さは、第１の界面層４１５と同様に、０．３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第１情報層４１は、金属層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８で構成され、さらに必要に応じて金属層側界面層４１３、第１の界面層４１５及び第２の界面層４１７が加えられる。

次に、第２情報層４２を構成する各層について説明する。

記録層４２６の材料としては、第１情報層４１の記録層４１６と同様の材料を用いることができる。記録層４２６の厚さは、第２情報層４２の透過率を高くするために、１０ｎｍ以下であることが好ましく、４ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

金属層４２２は、第１情報層４１の金属層４１２と同様の機能を持つ。すなわち、金属層４２２は、記録層４２６に吸収される光量を増やすという光学的な機能と、記録層４２６で生じた熱を拡散させるという熱的な機能とを持つ。そのため、金属層４２２の材料としては、第１情報層４１の金属層４１２と同様の材料を用いることができる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため金属層４２２の材料として好ましい。

金属層４２２の厚さは、第２情報層４２の透過率を高くするために、２０ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内であることがより好ましい。金属層４２２の厚さが３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内にあることにより、金属層４２２の光学的及び熱的な機能が十分になる。

第１の誘電体層４２４は、第１情報層４１の第１の誘電体層４１４と同様の機能を持つ。すなわち、第１の誘電体層４２４は、記録層４２６から金属層４２２への熱拡散を調節する熱的な機能と、反射率又は吸収率などを調節する光学的な機能とを持つ。そのため、第１の誘電体層４２４の材料としては、第１情報層４１の第１の誘電体層４１４と同様の材料を用いることができる。

第１の誘電体層４２４の厚さは、光学的及び熱的な機能が十分となるように、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、４ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第２の誘電体層４２８は、第１情報層４１の第２の誘電体層４１８と同様の機能を持つ。すなわち、第２の誘電体層４２８は、記録層４２６の腐食及び変形などを防止する機能と、反射率又は吸収率などを調整する光学的な機能とを持つ。そのため、第２の誘電体層４２８の材料としては、第１情報層４１の第２の誘電体層４１８と同様の材料を用いることができる。第２の誘電体層４２８の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、記録層４２６が結晶相である場合と非晶質相である場合との反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。

透過率調整層４２１は、誘電体からなり、第２情報層４２の透過率を調節する機能を持つ。この透過率調整層４２１によって、記録層４２６が結晶相である場合の第２情報層４２の透過率Ｔｃ（％）と、記録層４２６が非晶質相である場合の第２情報層４２の透過率Ｔａ（％）とを共に高くすることができる。

透過率調整層４２１の材料としては、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３、又はＢｉ_２Ｏ_３等の酸化物、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、又はＡｌ−Ｎ等の窒化物、ＺｎＳなど硫化物の単体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。透過率調整層４２１の屈折率ｎｔと消衰係数ｋｔとは、透過率Ｔｃおよび透過率Ｔａを高めるために、ｎｔ≧２．４、かつ、ｋｔ≦０．１であることが好ましい。そのため、透過率調整層４２１の材料としては、上記の材料中でも、ＴｉＯ_２またはＴｉＯ_２を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は、屈折率ｎｔが大きく（ｎｔ＝２．６〜２．８）、消衰係数ｋｔが小さい（ｋｔ＝０．０〜０．１）。そのため、これらの材料を用いて形成した透過率調整層４２１は第２情報層４２の透過率を効果的に高める。

透過率調整層４２１の厚さが略λ／８ｎｔ（ただし、λはレーザ光３１の波長であり、ｎｔは透過率調整層４２１の材料の屈折率である）であるとき、透過率Ｔｃおよび透過率Ｔａを高める効果が大きい。仮に、レーザ光３１の波長λが４０５ｎｍであり、透過率調整層４２１の材料の屈折率ｎｔが２．６である場合には、透過率調整層４２１の厚さは、反射率など他の条件も考慮して、５ｎｍ〜３６ｎｍの範囲内であることが好ましい。

金属層側界面層４２３、第１の界面層４２５及び第２の界面層４２７は、それぞれ第１情報層４１の金属層側界面層４１３、第１の界面層４１５及び第２の界面層４１７と同様の機能を持つ。また、金属層側界面層４２３、第１の界面層４２５及び第２の界面層４２７は、それぞれ第１情報層４１の金属層側界面層４１３、第１の界面層４１５及び第２の界面層４１７と同様の材料を用いることができる。

次に、第３情報層４３を構成する各層について説明する。

第３情報層４３を構成する各層は、それぞれに対応する、第２情報層４２を構成する各層と同等の機能を持つ。また、第３情報層４３を構成する各層は、それぞれに対応する、第２情報層４２を構成する各層と同等の材料を用いることができる。

光学的情報記録媒体１１は、以下に説明する方法によって製造できる。

まず、厚さが例えば１．１ｍｍの基板２１上に第１情報層４１が積層される。第１情報層４１は多層膜からなるが、第１情報層４１の各層は、順次スパッタリングすることによって形成できる。なお、基板２１の材料によっては、基板２１は高い吸湿性を持つ。そのため、必要に応じて、スパッタリングをする前に水分を除去する基板アニール工程を実施してもよい。

第１情報層４１の各層は、Ａｒガス、ＫｒガスまたはＸｅガスなどの希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガス（酸素ガス及び窒素ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中で、各層を構成する材料のスパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって形成できる。スパッタリング方法としては、ＤＣスパッタリング法とＲＦスパッタリング法とを必要に応じて使い分ける。通常はＤＣスパッタリング法の方が成膜レートを高められるため好ましいが、誘電体材料など導電性の低い材料はＤＣスパッタリング法ではスパッタリングできない場合がある。そのため、導電性の低い材料を含む層は、ＲＦスパッタリング法によってスパッタリングされる。なお、誘電体材料であっても導電性の高い材料、又はスパッタリングターゲット作製時に工夫して導電性を高めた材料などは、ＤＣスパッタリング法又はパルスＤＣスパッタリング法によってスパッタリングできる。

スパッタリングによって成膜される各層の組成は、もとのスパッタリングターゲットの組成と完全には一致しないことがある。例えば、酸化物の場合、スパッタリングによって酸素欠損がおこりやすい。その場合、反応ガスとして酸素ガスを用いることで酸素欠損を補うことができる。スパッタリングターゲットの組成は、スパッタリングによって成膜された膜が所望の組成となるように決定される。なお、スパッタリングターゲットおよびスパッタリングによって成膜された膜は、例えばＸ線マイクロアナライザーで分析して組成を確認することができる。

光学的情報記録媒体１１の製造では、具体的には、まず、基板２１上に金属層４１２が成膜される。金属層４１２は、金属層４１２を構成する金属又は合金からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でＤＣスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、必要に応じて金属層４１２上に、金属層側界面層４１３が成膜される。金属層側界面層４１３は、金属層側界面層４１３を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。金属層側界面層４１３の材料が、金属など導電性の高い材料の場合はＤＣスパッタリング法を用い、酸化物など導電性の低い材料の場合はＲＦスパッタリング法を用いればよい。

続いて、金属層側界面層４１３上、または、金属層４１２上に、第１の誘電体層４１４が成膜される。第１の誘電体層４１４は、第１の誘電体層４１４を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で主にＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。ＲＦスパッタリング法が使用されるのは、第１の誘電体層４１４を構成する材料は導電性が低い材料が多く、ＤＣスパッタリングが適していないことによる。

続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４１４上に、第１の界面層４１５が成膜される。第１の界面層４１５は、第１の界面層４１５を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で主にＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、第１の界面層４１５上、または、第１の誘電体層４１４上に、記録層４１６が成膜される。記録層４１６は、記録層４１６を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中で主にＤＣスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、必要に応じて、記録層４１６上に、第２の界面層４１７が成膜される。第２の界面層４１７は、第２の界面層４１７を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で主にＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、第２の界面層４１７上、または、記録層４１６上に、第２の誘電体層４１８が成膜される。第２の誘電体層４１８は、第２の誘電体層４１８を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で主にＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

このようにして、基板２１上に第１情報層４１が積層され、その後、第１情報層４１上に分離層２２が形成される。分離層２２は、以下のように形成できる。まず、紫外線硬化樹脂（例えばアクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化樹脂が第１情報層４１上に塗布される。次に、全体を回転させて樹脂が均一に延ばされ（スピンコート）、その後、この樹脂が硬化される。なお、分離層２２がレーザ光３１の案内溝を備える場合、まず、溝が形成された基板（型）が硬化前の樹脂に密着される。その状態で全体を回転させてスピンコートされ、樹脂が硬化された後、基板（型）がはがされる。このようにして、分離層２２に案内溝が形成できる。

第１情報層４１の記録層４１６は、通常、成膜したままの状態（アズデポ（ａｓ−ｄｅｐｏ）の状態）では非晶質状態である。よって、必要に応じてレーザ光を照射するなどして、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。

続いて、分離層２２上に第２情報層４２が形成される。

具体的には、まず分離層２２上に透過率調整層４２１が成膜される。透過率調整層４２１は、透過率調整層４２１を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でＲＦスパッタリング法またはＤＣスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。

続いて、透過率調整層４２１上に、金属層４２２が成膜される。金属層４２２は、第１情報層４１の金属層４１２と同様の方法で形成できる。

続いて、必要に応じて金属層４２２上に、金属層側界面層４２３が成膜される。金属層側界面層４２３は、第１情報層４１の金属層側界面層４１３と同様の方法で形成できる。

続いて、金属層側界面層４２３上、または、金属層４２２上に、第１の誘電体層４２４が成膜される。第１の誘電体層４２４は、第１情報層４１の第１の誘電体層４１４と同様の方法で形成できる。

続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４２４上に、第１の界面層４２５が成膜される。第１の界面層４２５は、第１情報層４１の第１の界面層４１５と同様の方法で形成できる。

続いて、第１の界面層４２５上、または、第１の誘電体層４２４上に、記録層４２６が成膜される。記録層４２６は、第１情報層４１の記録層４１６と同様の方法で形成できる。

続いて、必要に応じて、記録層４２６上に、第２の界面層４２７が成膜される。第２の界面層４２７は、第１情報層４１の第２の界面層４１７と同様の方法で形成できる。

続いて、第２の界面層４２７上、または、記録層４２６上に、第２の誘電体層４２８が成膜される。第２の誘電体層４２８は、第１情報層４１の第２の誘電体層４１８と同様の方法で形成できる。

このようにして、分離層２２上に第２情報層４２が積層され、その後、第２情報層４２上に分離層２８が形成される。分離層２８は、分離層２２と同様の方法により形成できる。

なお、第２の誘電体層４２８を成膜した後、または分離層２８を形成した後、必要に応じてレーザ光を照射するなどして記録層４２６を結晶化する初期化工程をおこなっても良い。

続いて、分離層２８上に第３情報層４３が積層される。

具体的には、分離層２８上に、透過率調整層４３１、金属層４３２、第１の誘電体層４３４、記録層４３６及び第２の誘電体層４３８がこの順序で成膜される。このとき、必要に応じて、金属層４３２と第１の誘電体層４３４との間に金属層側界面層４３３が成膜され、第１の誘電体層４３４と記録層４３６との間に第１の界面層４３５が成膜され、第２の誘電体層４３８と記録層４３６との間に第２の界面層４３７が成膜されてもよい。第３情報層４３の各層は、第２情報層４２の各層と同様の方法で形成できる。

このようにして、分離層２８上に第３情報層４３が積層された後、第３情報層４３上に透明層２３が形成される。

透明層２３は、以下のように形成できる。まず、第３情報層４３上に紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化樹脂が塗布されてスピンコートされた後、この樹脂が硬化される。また、透明層２３は、円盤状のポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、又はノルボルネン系樹脂を用いて形成してもよい。また、透明層２３は、ガラスなどからなる、円盤状の板またはシートを用いて形成してもよい。この場合、透明層２３は、第３情報層４３上に紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化性樹脂が塗布されて、塗布した樹脂に板またはシートを密着させてからスピンコートされた後、硬化性樹脂が硬化されることによって形成できる。なお、別の形成方法として、板またはシートに粘着性の樹脂が予め均一に塗布された後、板またはシートを第２の誘電体層４３８に密着させることもできる。

なお、第２の誘電体層４３８が成膜された後、または透明層２３が形成された後、必要に応じてレーザ光を照射するなどして記録層４３６を結晶化する初期化工程をおこなっても良い。

以上のようにして、光学的情報記録媒体１１を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いたが、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、又はＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いることも可能である。

また、本実施の形態では３つの情報層を備える、光学的情報記録媒体１１について述べたが、情報層の数が２つである場合又は情報層の数が４つ以上である場合も、上記と同様の方法で製造できる。

また、本実施の形態では、記録層４１６，４２６，４３６は、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす層であり、光学的情報記録媒体１１は、書換型光記録媒体であるが、光学的情報記録媒体１１は追記型光記録媒体であってもよい。その場合、記録層４１６，４２６，４３６は、不可逆な変化を起こす層であってもよい。不可逆な変化を起こす層の材料としては、例えばＴｅ−Ｏ−Ｐｄなどを用いることができる。その場合、第１情報層４１の記録層４１６の厚さは、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、第２情報層４２の記録層４２６および第３情報層４３の記録層４３６の厚さは、６ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

書換型光記録媒体および追記型光記録媒体のどちらにしても、記録時の熱の冷却を効率よく行う目的で熱伝導率の高い金属層が用いられており、熱干渉を抑えるためには金属層を厚くすることが好ましい。しかし、透過率を高くするためには金属層は薄くしすぎることができず、レーザ光照射側の情報層ほど金属層が薄く、熱の冷却性が低下する傾向にある。

（実施例）
以下、具体的な実施例により本発明をさらに具体的に説明する。

実施例では、発明者らは、図９の光学的情報記録媒体１１を作製し、第１情報層４１、第２情報層４２および第３情報層４３の各情報層の記録特性および再生特性を調べた。

サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２１として、レーザ光３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。

そして、そのポリカーボネート基板上に、金属層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ_２）_５０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６として（ＧｅＴｅ）_９７（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_３層（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層４１７（図示せず）として（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ金属層４１２を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４１４を成膜する（ＺｒＯ_２）_５０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０スパッタリングターゲット、記録層４１６を成膜する（ＧｅＴｅ）_９７（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_３スパッタリングターゲット、第２の界面層４１７を成膜する（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０スパッタリングターゲット、及び第２の誘電体層４１８を成膜する（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０スパッタリングターゲットを備える。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。

金属層４１２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．３Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１の誘電体層４１４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。記録層４１６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第２の界面層４１７の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２の誘電体層４１８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。

次に、第２の誘電体層４１８上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させた。これによって、均一な樹脂層が形成される。そして、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザ光３１を導く案内溝が第２情報層４２側に形成された、厚さ２５μｍの分離層２２が得られた。

その後、分離層２２の上に、透過率調整層４２１としてＴｉＯ_２層（厚さ：２０ｎｍ）、金属層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、第１の誘電体層４２４として（ＺｒＯ_２）_５０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０層（厚さ：１５ｎｍ）、記録層４２６として（ＧｅＴｅ）_９６（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_４層（厚さ：７ｎｍ）、第２の界面層４２７（図示せず）として（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０層（厚さ：４０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４２１を成膜するＴｉＯ_２スパッタリングターゲット、金属層４２２を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４２４を成膜する（ＺｒＯ_２）_５０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０スパッタリングターゲット、記録層４２６を成膜する（ＧｅＴｅ）_９７（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_３スパッタリングターゲット、第２の界面層４２７を成膜する（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０スパッタリングターゲット、及び第２の誘電体層４２８を成膜する（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０スパッタリングターゲットを備える。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。

透過率調整層４２１の成膜は、Ａｒと酸素との混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。金属層４２２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．３Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１の誘電体層４２４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。記録層４２６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第２の界面層４２７の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２の誘電体層４２８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。

次に、第２の誘電体層４２８上に紫外線硬化樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させて回転させた。これによって、均一な樹脂層が形成される。そして、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザ光３１を導く案内溝が第３情報層４３側に形成された、厚さ１８μｍの分離層２８が得られた。

その後、分離層２８の上に、透過率調整層４３１としてＴｉＯ_２層（厚さ：３０ｎｍ）、金属層４３２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第２の誘電体層４３４として（ＺｒＯ_２）_５０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４３６として（ＧｅＴｅ）_９６（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_４層（厚さ：６ｎｍ）、第２の界面層４３７（図示せず）として（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４３８として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。

上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４３１を成膜するＴｉＯ_２スパッタリングターゲット、金属層４３２を成膜するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４３４を成膜する（ＺｒＯ_２）_５０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０スパッタリングターゲット、記録層４３６を成膜する（ＧｅＴｅ）_９６（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_４スパッタリングターゲット、第２の界面層４３７を成膜する（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０スパッタリングターゲット、及び第２の誘電体層４３８を成膜する（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０スパッタリングターゲットを備える。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍである。

透過率調整層４３１の成膜は、Ａｒと酸素との混合ガス雰囲気（全体に対して３％の割合の酸素ガス）で、圧力を０．３Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。金属層４３２の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．３Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１の誘電体層４３４の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。記録層４３６の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第２の界面層４３７の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２の誘電体層４３８の成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．１Ｐａとし、ＲＦ電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。

最後に、紫外線硬化性樹脂を第２の誘電体層４３８上に塗布して回転させて、均一な樹脂層を形成した。その後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ５７μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４１６、記録層４２６及び記録層４３６をレーザ光で結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、第３情報層４３の記録層４３６の厚さ及び第２の誘電体層４３８の厚さがそれぞれ異なる複数のサンプルを製造した。

このようにして得られたサンプルについて、図１の光記録再生装置を用いて各情報層のシンボルエラーレートを測定した。このとき、１層あたりの容量を３３．４ＧＢとする記録方法にて記録を実施し、最短マーク長（２Ｔ）は０．１１２μｍとした。また、記録時および測定時のサンプルの線速度は７．３８ｍ／ｓとした。再生信号はＰＲ（１２２２１）でＰＲＭＬ処理しシンボルエラーレートを測定した。

その際、光記録再生装置は、試し書きによって、記録パルスのパルスエッジの位置を決める。光記録再生装置は、試し書きの際、初めにスペース補償をしない状態で記録を行い、シンボルエラーレートが基準値（４．２×１０^−３）を満たしていない場合に限り、スペース補償によるエッジ変化量を徐々に大きくして記録動作を行う。光記録再生装置は、シンボルエラーレートが基準値を満たしたところでエッジ変化量の記録補償テーブルを得て、パルスエッジの位置を決定する。

本実施例では、上記の表５、表６、表７及び表８に示す簡略化された記録補償テーブルを用いる。記録補償テーブルの値を制御パラメータとし、その制御パラメータの前スペース長及び後スペース長による変化量を次の１６個の指標（Δ１〜Δ１６）で規定する。

Δ１＝｜Ａ１−Ａ０｜
Δ２＝｜Ａ２−Ａ０｜
Δ３＝｜Ａ３−Ａ０｜
Δ４＝｜Ａ１−Ａ２｜
Δ５＝｜Ｂ１−Ｂ０｜
Δ６＝｜Ｅ１−Ｅ０｜
Δ７＝｜Ｅ２−Ｅ０｜
Δ８＝｜Ｅ３−Ｅ０｜
Δ９＝｜Ｅ１−Ｅ２｜
Δ１０＝｜Ｆ１−Ｆ０｜
Δ１１＝｜Ｉ１−Ｉ０｜
Δ１２＝｜Ｉ２−Ｉ０｜
Δ１３＝｜Ｉ３−Ｉ０｜
Δ１４＝｜Ｉ１−Ｉ２｜
Δ１５＝｜Ｊ１−Ｊ０｜
Δ１６＝｜Ｐ１−Ｐ０｜

表９は、各情報層について、シンボルエラーレートが基準を満たした時の、スペース補償の制御パラメータの変化量を示す表である。本実施例では制御パラメータは、Ｔｗ／３２単位で変化させた。

表９に示すように、レーザ光３１入射側に近い第３情報層４３および第２情報層４２のスペース補償の制御パラメータの変化量は、レーザ光３１入射側から最も遠い第１情報層４１のスペース補償の制御パラメータの変化量よりも大きくなる。

特に、２Ｔマークに関係する制御パラメータの変化量が大きくなっている。これは、レーザ光３１入射側に近い情報層は透過率を高くするために、薄い金属層を有し、冷却速度が遅くなったことと、３３．４ＧＢという高密度記録によって、最小マーク長（２Ｔ）が非常に小さくなった（０．１１２μｍ）こととによって、熱干渉の影響が大きくなったためである。

また、第１情報層４１は高い透過率を有する必要がないため金属層を十分に厚くすることが可能であり、他の情報層に比べ著しく冷却速度を高めることができる。それにより、記録パルスの条件が大きく変わることが想定される。例えば、図３で説明しているボトムパワーレベル（Ｐｂ）が無い記録パルスの条件でも良好な記録が行える場合がある。このように、記録パルスの条件が大きく異なると、制御パラメータの傾向が変化してしまう。

表１０は、第１情報層４１のみボトムパワーレベル（Ｐｂ）が無い記録パルスを使用した場合のスペース補償の制御パラメータの変化量を示す表である。

表１０に示すように、第１情報層４１のみボトムパワーレベル（Ｐｂ）が無い記録パルスを使用した場合、レーザ光３１入射側に近い第３情報層４３および第２情報層４２のスペース補償の制御パラメータの変化量よりも、レーザ光３１入射側から最も遠い第１情報層４１のスペース補償の制御パラメータの変化量が大きくなる場合がある。

以上のように、上記実施の形態および実施例の光学的情報記録方法は、光学的情報記録媒体に、複数のパワー間で変調した記録パルス列に応じたレーザビームを照射することによりマークを形成し、マークおよびマーク間のスペースのエッジ位置により情報を記録する。このとき、光学的情報記録方法は、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータを、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する工程と、選択された制御パラメータによる記録パルス列によってマークを記録する工程とを含む。なお、光学的情報記録媒体は、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録層を有する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）備える。

このとき、記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、第１のスペース長はｍ種類（ｍは整数）に分類され、第２のスペース長はｎ種類（ｎは整数）に分類される。ｍとｎとの少なくとも一方は２以上である。制御パラメータは、第１のスペース長と第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含む。このとき、Ｎ層の情報層のうちの所定の第１情報層よりもレーザビームの入射側にある第２情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、第１情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

例えば、表５に示すエッジ変化量ｄＴＳ１の場合であれば、前スペース長（第１のスペース長）は、“２Ｔ”と“３Ｔ以上”との２種類に分類されている。すなわち、ｍ＝２の場合である。また、後スペース長（第２のスペース長）は、“２Ｔ”と“３Ｔ以上”の２種類に分類されている。すなわち、ｎ＝２の場合である。このとき、制御パラメータは、前スペース長と後スペース長とのそれぞれの組合せに対する（ｍ×ｎ）個、つまり、２×２＝４個の制御パラメータを含む。すなわち、制御パラメータは、４個の制御パラメータＡ０，Ａ１，Ａ２，Ａ３を含む。このとき、（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値とは、４個の制御パラメータＡ０，Ａ１，Ａ２，Ａ３のうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値である。２つの制御パラメータの差の絶対値は、例えば、表９に示される、Δ１＝｜Ａ１−Ａ０｜、Δ２＝｜Ａ２−Ａ０｜、Δ３＝｜Ａ３−Ａ０｜、又はΔ４＝｜Ａ１−Ａ２｜である。

所定の第１情報層よりもレーザビームの入射側にある第２情報層への記録時に選択される所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、第１情報層への記録時に選択される所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。例えば、表９に示されるように、第３情報層４３への記録時に選択される所定の２つの制御パラメータの差の絶対値Δ１，Δ２，Δ３，Δ４は、それぞれ、第２情報層４２への記録時に選択される所定の２つの制御パラメータの差の絶対値Δ１，Δ２，Δ３，Δ４以上である。

以上の構成により、手前の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録ができる。これにより、手前の情報層の金属層を薄くすることで高い透過率が実現でき、情報を高品質に再生することができる。

なお、表９に示される例では、第３情報層４３の制御パラメータの差の絶対値Δ１，Δ２，Δ３，Δ４はそれぞれ、第１情報層４１の制御パラメータの差の絶対値Δ１，Δ２，Δ３，Δ４以上の値となっている。さらに、第２情報層４２の制御パラメータの差の絶対値Δ１，Δ２，Δ３，Δ４も、それぞれ、第１情報層４１の制御パラメータの差の絶対値Δ１，Δ２，Δ３，Δ４以上の値となっている。しかし、これらの関係は必須ではない。

上述したように、表１０に示されるような場合であれば、第３情報層４３の制御パラメータの差の絶対値Δ１，Δ２，Δ３，Δ４がそれぞれ、第２情報層４２の制御パラメータの差の絶対値Δ１，Δ２，Δ３，Δ４以上の値であれば、上述した効果を得ることができる。

すなわち、Ｎ層の情報層のうちの１つの情報層である第１情報層と、第１情報層よりもレーザビームの入射側にある第２情報層との少なくとも１つの組合せにおいて、第２情報層の記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、第１情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上であれば良い。

また、表９において、２Ｔマークに関係する制御パラメータの変化量の中でも、特に、Δ４、Δ９、Δ１４の値が大きい。これは、２Ｔマークの前スペースの前スペース長が２Ｔであり、かつ２Ｔマークの後スペースの後スペース長が３Ｔ以上である場合と、２Ｔマークの前スペースの前スペース長が３Ｔ以上であり、かつ２Ｔマークの後スペースの後スペース長が２Ｔである場合との差を表している。すなわち、この制御パラメータの差は、表５、表６及び表７において、２Ｔマーク長に対応する制御パラメータの前スペース長と後スペース長との条件が非対称である場合の対角位置成分の制御パラメータの差である。つまり、この制御パラメータを大きく変化させることが、熱干渉の影響による記録特性の悪化を抑制するのに効果的であることがわかる。

上記の理由について、図１１を用いて説明する。図１１は、本発明の実施例において、２Ｔマークを記録する場合のマーク配列及び記録パルス信号の例を示す図である。図１１では、２Ｔマークを記録するための記録パルスが前スペース長及び後スペース長によって変化することを表している。なお、図１１のマーク配列５００ａ〜５００ｄでは、記録すべき２Ｔマーク５０１の直前のマーク５０２のマーク長（前マーク長）と、記録すべき２Ｔマーク５０１の直後のマーク５０２のマーク長（後マーク長）とは２Ｔにしているが、３Ｔ以上であってもよい。前マーク長と後マーク長とが３Ｔ以上であっても、以下に説明する効果は同様である。

図１１のマーク配列５００ａは、２Ｔマーク５０１の直前のスペース（前スペース）５０４のスペース長（前スペース長）と、２Ｔマーク５０１の直後のスペース（後スペース）５０５のスペース長（後スペース長）とがともに３Ｔ以上である。また、図１１の記録パルス信号５１０ａは、マーク配列５００ａに示す記録マーク形成時の記録パルス信号である。この場合、熱干渉の影響は小さい。

図１１のマーク配列５００ｂは、２Ｔマーク５０１の直前のスペース（前スペース）５０４のスペース長（前スペース長）が２Ｔであり、２Ｔマーク５０１の直後のスペース（後スペース）５０５のスペース長（後スペース長）が３Ｔ以上である。また、図１１の記録パルス信号５１０ｂは、マーク配列５００ｂに示す記録マーク形成時の記録パルス信号である。この場合、前マーク５０２からの熱干渉が大きくなり、記録パルス信号５１０ｂのパルスエッジが変化する。ここでは、記録パルス信号５１０ｂが全体的に前側に変化した例を示している。

図１１のマーク配列５００ｃは、２Ｔマーク５０１の直前のスペース（前スペース）５０４のスペース長（前スペース長）が３Ｔ以上であり、２Ｔマーク５０１の直後のスペース（後スペース）５０５のスペース長（後スペース長）が２Ｔである。また、図１１の記録パルス信号５１０ｃは、マーク配列５００ｃに示す記録マーク形成時の記録パルス信号である。この場合、後マーク５０３からの熱干渉が大きくなり、記録パルス信号５１０ｃのパルスエッジが変化する。このとき、図１１の記録パルス信号５１０ｂに示した前マーク５０２からの作用とは逆方向の作用により、記録パルス信号５１０ｃは全体的に後側に変化することになる。

図１１のマーク配列５００ｄは、２Ｔマーク５０１の直前のスペース（前スペース）５０４のスペース長（前スペース長）と、２Ｔマーク５０１の直後のスペース（後スペース）５０５のスペース長（後スペース長）とがともに２Ｔである。また、図１１の記録パルス信号５１０ｄは、マーク配列５００ｄに示す記録マーク形成時の記録パルス信号である。この場合、前マーク５０２及び後マーク５０３からの熱干渉が大きくなる。前マーク５０２からの作用と後マーク５０３からの作用は、互いに打ち消しあい、結果的に、記録パルス信号５１０ｄは、図１１の記録パルス信号５１０ａのパルスエッジに近いパルス波形になる。

つまり、前スペース長が２Ｔであり、かつ後スペース長が３Ｔ以上である場合の制御パラメータと、前スペース長が３Ｔ以上であり、かつ後スペース長が２Ｔである場合の制御パラメータとの差が最も大きくなるのである。

言い換えると、このようなスペース補償の制御パラメータの変化量が設定されることによって、高密度記録が行われる２層以上の情報層を有する光学的情報記録媒体において良好な記録性能および再生性能が得られる薄膜設定が可能になる。

以上のように、上記実施の形態および実施例で示した構成によれば、記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長および最短スペース長を例えば２Ｔとしたとき、マークの直前のスペースの前スペース長は、２Ｔ及び３Ｔ以上の少なくとも２種類に分類されても良い。また、マークの直後のスペースの後スペース長は、２Ｔ及び３Ｔ以上の少なくとも２種類に分類されても良い。ここで、前スペース長が２Ｔであり、後スペース長が２Ｔよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、前スペース長が２Ｔよりも大きく、後スペース長が２Ｔである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、所定の第１情報層よりもレーザビームの入射側にある第２情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値は、第１情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きい。

すなわち、記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短スペース長をｋとしたとき、第１のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、第２のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類される。第１のスペース長がｋであり、第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、第１のスペース長がｋよりも大きく、第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、第２情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値は、第１情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きい。

なお、第１の制御パラメータとは、例えば、上記の表５、表６及び表７における“Ａ１”、“Ｅ１”及び“Ｉ１”である。また、第２の制御パラメータとは、例えば、上記の表５、表６及び表７における“Ａ２”、“Ｅ２”及び“Ｉ２”である。したがって、上記の第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値とは、例えば、上記の表９における“Δ４＝｜Ａ１−Ａ２｜”、“Δ９＝｜Ｅ１−Ｅ２｜”及び“Δ１４＝｜Ｉ１−Ｉ２｜”の値である。

例えば、表９に示されるように、第３情報層の制御パラメータの差の絶対値Δ４，Δ９，Δ１４は、それぞれ、第２情報層の制御パラメータの差の絶対値Δ４，Δ９，Δ１４よりも大きい。

以上の構成により、熱干渉の影響による記録特性の悪化を抑制することができる。すなわち、手前の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録ができる。言い換えると、このようなスペース補償の制御パラメータの変化量が設定されることによって、高密度記録が行われる２層以上の情報層を有する光学的情報記録媒体において良好な記録性能および再生性能が得られる薄膜設定が可能になる。これにより、手前の情報層の金属層を薄くすることで高い透過率が実現でき、情報を高品質に再生することができる。

なお、表９に示される例では、第３情報層の制御パラメータの差の絶対値Δ４，Δ９，Δ１４は、それぞれ、第１情報層の制御パラメータの差の絶対値Δ４，Δ９，Δ１４よりも大きい値となっている。さらに、第２情報層の制御パラメータの差の絶対値Δ４，Δ９，Δ１４も、それぞれ、第１情報層の制御パラメータの差の絶対値Δ４，Δ９，Δ１４よりも大きい値となっている。しかし、これらの関係は必須ではない。

上述したように、表１０に示されるような場合において、第３情報層の制御パラメータの差の絶対値Δ４，Δ９，Δ１４が、それぞれ、第２情報層の制御パラメータの差の絶対値Δ４，Δ９，Δ１４よりも大きい値であれば、上述した効果を得ることができる。

すなわち、Ｎ層の情報層のうちの所定の第１情報層と、第１情報層よりもレーザビームの入射側にある第２情報層との少なくとも１つの組合せにおいて、第２情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値は、第１情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きければ良い。

なお、上記実施の形態および実施例で挙げた材料および膜厚は、本発明を実現するための種々の材料および膜厚の一例であって、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る光学的情報記録媒体は、上記実施の形態および実施例で挙げた材料以外の材料を用いてもよいし、また、上記実施形態および実施例で挙げた各層の厚さ以外の厚さに設定してもよい。

また、上記実施の形態および実施例の構成は、ＳＩＬ（ソリッドイマージョンレンズ）を用いた光記録再生装置に用いてもよい。また、上記実施の形態および実施例の構成は、プラズモン共鳴を利用した近接場記録による光記録再生装置に用いてもよい。

なお、上述した具体的実施形態には以下の構成を有する発明が主に含まれている。

本発明の一局面に係る光学的情報記録方法は、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録層を有する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）備えた光学的情報記録媒体に、複数のパワー間で変調した記録パルス列に応じたレーザビームを照射することによりマークを形成し、前記マークおよび前記マーク間のスペースのエッジ位置により情報を記録する光学的情報記録方法であって、前記マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータを、前記マークのマーク長と、前記マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、前記マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する工程と、選択された前記制御パラメータによる記録パルス列によってマークを記録する工程とを含み、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、前記第１のスペース長はｍ種類（ｍは整数）に分類され、前記第２のスペース長はｎ種類（ｎは整数）に分類され、前記ｍと前記ｎとの少なくとも一方は２以上であり、前記制御パラメータは、前記第１のスペース長と前記第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対応する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含み、前記Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりも前記レーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される前記（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、前記第１の情報層への記録時に選択される前記（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

この構成によれば、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータが、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択される。そして、選択された制御パラメータによる記録パルス列によってマークが記録される。記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、第１のスペース長はｍ種類（ｍは整数）に分類され、第２のスペース長はｎ種類（ｎは整数）に分類される。ｍとｎとの少なくとも一方は２以上である。制御パラメータは、第１のスペース長と第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対応する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含む。Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりもレーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、第１の情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

したがって、Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりもレーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される記録パルス列の制御パラメータの変化量が大きくなるので、レーザビームの入射側の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録ができる。これにより、レーザビームの入射側の情報層の金属層を薄くすることで高い透過率が実現でき、光学的情報記録媒体の全ての情報層で情報を高品質に記録又は再生することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短スペース長をｋとしたとき、前記第１のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、前記第２のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、前記第１のスペース長がｋであり、前記第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、前記第１のスペース長がｋよりも大きく、前記第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、前記第２の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値は、前記第１の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きいことが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、最短スペース長をｋとしたとき、第１のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、第２のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類される。第１のスペース長がｋであり、第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、第１のスペース長がｋよりも大きく、第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、第２の情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値は、第１の情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きい。

したがって、熱干渉の影響による記録特性の悪化を抑制することができ、レーザビームの入射側の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録又は再生ができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記制御パラメータは、前記記録パルス列の始端のパルスエッジの位置、前記記録パルス列の始端から２番目のパルスエッジの位置、前記記録パルス列の終端のパルスエッジの位置、及び前記記録パルス列の終端から２番目のパルスエッジの位置の少なくとも１つであることが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の始端のパルスエッジの位置、記録パルス列の始端から２番目のパルスエッジの位置、記録パルス列の終端のパルスエッジの位置、及び記録パルス列の終端から２番目のパルスエッジの位置の少なくとも１つを変化させることにより、マークの始端位置を精密に制御することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記記録パルス列は、レーザビームの強さが３値以上のパワーで切り替えられて変調されることが好ましい。この構成によれば、記録パルス列を３値以上のパワーレベルで変調することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記マーク長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類されることが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、最短マーク長をｋとしたとき、マーク長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類されるので、少なくとも２種類のマーク長に応じた制御パラメータを選択することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記マーク長はｋ、ｋ＋１及びｋ＋２以上の少なくとも３種類に分類されることが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、最短マーク長をｋとしたとき、マーク長はｋ、ｋ＋１及びｋ＋２以上の少なくとも３種類に分類されるので、少なくとも３種類のマーク長に応じた制御パラメータを選択することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記マーク長はｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類されることが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、最短マーク長をｋとしたとき、マーク長はｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類されるので、少なくとも４種類のマーク長に応じた制御パラメータを選択することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記第１のスペース長及び前記第２のスペース長のそれぞれはｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類されることが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、最短マーク長をｋとしたとき、第１のスペース長及び第２のスペース長のそれぞれはｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類されるので、少なくとも２種類の第１のスペース長及び第２のスペース長に応じた制御パラメータを選択することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記第１のスペース長及び前記第２のスペース長のそれぞれはｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類されることが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、最短マーク長をｋとしたとき、第１のスペース長及び第２のスペース長のそれぞれはｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類されるので、少なくとも４種類の第１のスペース長及び第２のスペース長に応じた制御パラメータを選択することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、前記マーク長と前記第１のスペース長と前記第２のスペース長との組み合わせと、制御パラメータとを対応付けた記録補償テーブルを参照して、前記記録パルス列が制御されることが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、マーク長と第１のスペース長と第２のスペース長との組み合わせと、制御パラメータとを対応付けた記録補償テーブルを参照して、記録パルス列が制御されるので、制御パラメータを容易に選択することができる。

また、上記の光学的情報記録方法において、前記マーク長と前記第１のスペース長と前記第２のスペース長との組み合わせによって前記マークを分類し、分類された前記マークの試し書きを行う工程と、前記試し書きしたマーク及びスペースを再生して再生信号を得る工程と、前記再生信号に基づいて、前記マーク長と前記第１のスペース長と前記第２のスペース長との組み合わせと、制御パラメータとを対応付けた記録補償テーブルを作成する工程とをさらに含むことが好ましい。

この構成によれば、マーク長と第１のスペース長と第２のスペース長との組み合わせによってマークが分類され、分類されたマークの試し書きが行われる。そして、試し書きしたマーク及びスペースが再生されて再生信号が得られる。再生信号に基づいて、マーク長と第１のスペース長と第２のスペース長との組み合わせと、制御パラメータとを対応付けた記録補償テーブルが作成される。

したがって、マークの試し書きにより、記録補償テーブルが作成されるので、光学的情報記録媒体に応じた制御パラメータを設定することができる。

本発明の他の局面に係る光学的情報記録装置は、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録層を有する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）備えた光学的情報記録媒体に、複数のパワー間で変調した記録パルス列に応じたレーザビームを照射することによりマークを形成し、前記マークおよび前記マーク間のスペースのエッジ位置により情報を記録する光学的情報記録装置であって、前記マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータを、前記マークのマーク長と、前記マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、前記マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する選択部と、選択された前記制御パラメータによる記録パルス列によってマークを記録する記録部とを備え、前記選択部は、前記第１のスペース長をｍ種類（ｍは整数）に分類し、前記第２のスペース長をｎ種類（ｎは整数）に分類し、前記ｍと前記ｎとの少なくとも一方は２以上であり、前記制御パラメータは、前記第１のスペース長と前記第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対応する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含み、前記Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりも前記レーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される前記（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、前記第１の情報層への記録時に選択される前記（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

この構成によれば、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータが、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択される。そして、選択された制御パラメータによる記録パルス列によってマークが記録される。記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、第１のスペース長はｍ種類（ｍは整数）に分類され、第２のスペース長はｎ種類（ｎは整数）に分類される。ｍとｎとの少なくとも一方は２以上である。制御パラメータは、第１のスペース長と第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対応する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含む。Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりもレーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、第１の情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

したがって、Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりもレーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される記録パルス列の制御パラメータの変化量が大きくなるので、レーザビームの入射側の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録ができる。これにより、レーザビームの入射側の情報層の金属層を薄くすることで高い透過率が実現でき、光学的情報記録媒体の全ての情報層で情報を高品質に記録又は再生することができる。

また、上記の光学的情報記録装置において、前記選択部は、最短スペース長をｋとしたとき、前記第１のスペース長をｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類し、前記第２のスペース長をｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類し、前記第１のスペース長がｋであり、前記第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、前記第１のスペース長がｋよりも大きく、前記第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、前記第２の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値は、前記第１の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きいことが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、最短スペース長をｋとしたとき、第１のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、第２のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類される。第１のスペース長がｋであり、第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、第１のスペース長がｋよりも大きく、第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、第２の情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値は、第１の情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きい。

したがって、熱干渉の影響による記録特性の悪化を抑制することができ、レーザビームの入射側の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録又は再生ができる。

本発明の他の局面に係る光学的情報再生方法は、上記のいずれかに記載の光学的情報記録方法によって前記マークが記録された光学的情報記録媒体から情報を再生する光学的情報再生方法であって、前記光学的情報記録媒体にレーザビームを照射して前記情報を再生する工程を含む。

この構成によれば、上記のいずれかに記載の光学的情報記録方法によってマークが記録された光学的情報記録媒体から情報が再生されるので、光学的情報記録媒体の全ての情報層で情報を高品質に再生することができる。

本発明の他の局面に係る光学的情報再生装置は、上記のいずれかに記載の光学的情報記録方法によって前記マークが記録された光学的情報記録媒体から情報を再生する光学的情報再生装置であって、前記光学的情報記録媒体にレーザビームを照射して前記情報を再生する再生部を備える。

この構成によれば、上記のいずれかに記載の光学的情報記録方法によってマークが記録された光学的情報記録媒体から情報が再生されるので、光学的情報記録媒体の全ての情報層で情報を高品質に再生することができる。

本発明の他の局面に係る光学的情報記録媒体は、複数のパワー間で変調した記録パルス列に応じたレーザビームを照射することによりマークが形成され、前記マークおよび前記マーク間のスペースのエッジ位置により情報が記録される光学的情報記録媒体であって、レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録層を有する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）備え、前記マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータは、前記マークのマーク長と、前記マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、前記マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択され、前記マークは、選択された前記制御パラメータによる記録パルス列によって記録され、前記記録パルス列の制御パラメータが選択されるときに、前記第１のスペース長はｍ種類（ｍは整数）に分類され、前記第２のスペース長はｎ種類（ｎは整数）に分類され、前記ｍと前記ｎとの少なくとも一方は２以上であり、前記制御パラメータは、前記第１のスペース長と前記第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含み、前記Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりも前記レーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される前記（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、前記第１の情報層への記録時に選択される前記（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

この構成によれば、マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータが、マークのマーク長と、マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択される。そして、選択された制御パラメータによる記録パルス列によってマークが記録される。記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、第１のスペース長はｍ種類（ｍは整数）に分類され、第２のスペース長はｎ種類（ｎは整数）に分類される。ｍとｎとの少なくとも一方は２以上である。制御パラメータは、第１のスペース長と第２のスペース長とのそれぞれの組合せに対応する（ｍ×ｎ）個の制御パラメータを含む。Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりもレーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値は、第１の情報層への記録時に選択される（ｍ×ｎ）個の制御パラメータのうちの所定の２つの制御パラメータの差の絶対値以上である。

したがって、Ｎ層の情報層のうちの所定の第１の情報層よりもレーザビームの入射側にある第２の情報層への記録時に選択される記録パルス列の制御パラメータの変化量が大きくなるので、レーザビームの入射側の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録ができる。これにより、レーザビームの入射側の情報層の金属層を薄くすることで高い透過率が実現でき、光学的情報記録媒体の全ての情報層で情報を高品質に記録又は再生することができる。

また、上記の光学的情報記録媒体において、前記記録パルス列の制御パラメータが選択されるときに、最短スペース長をｋとしたとき、前記第１のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、前記第２のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、前記第１のスペース長がｋであり、前記第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、前記第１のスペース長がｋよりも大きく、前記第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、前記第２の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値は、前記第１の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きいことが好ましい。

この構成によれば、記録パルス列の制御パラメータが選択される際に、最短スペース長をｋとしたとき、第１のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、第２のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類される。第１のスペース長がｋであり、第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、第１のスペース長がｋよりも大きく、第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、第２の情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値は、第１の情報層への記録時に選択される第１の制御パラメータと第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きい。

したがって、熱干渉の影響による記録特性の悪化を抑制することができ、レーザビームの入射側の情報層の熱伝導率が低い場合でも高品質な情報の記録又は再生ができる。

なお、発明を実施するための形態の項においてなされた具体的な実施態様または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と特許請求事項との範囲内で、種々変更して実施することができるものである。

本発明に係る光学的情報記録方法、光学的情報記録装置、光学的情報再生方法、光学的情報再生装置および光学的情報記録媒体は、光学的情報記録媒体の全ての情報層で情報を高品質に記録又は再生することができ、レーザビームの照射によって光学的情報記録媒体に情報を記録する光学的情報記録方法及び光学的情報記録装置、レーザビームの照射によって光学的情報記録媒体から情報を再生する光学的情報再生方法及び光学的情報再生装置、２つ以上の情報層を備えた光学的情報記録媒体に有用である。

Claims (11)

1. レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録層を有する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）備えた光学的情報記録媒体に、複数のパワー間で変調した記録パルス列に応じたレーザビームを照射することによりマークを形成し、前記マークおよび前記マーク間のスペースのエッジ位置により情報を記録する光学的情報記録方法であって、
   前記マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータを、前記マークのマーク長と、前記マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、前記マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する工程と、
   選択された前記制御パラメータによる記録パルス列によってマークを記録する工程とを含み、
   前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短スペース長をｋとしたとき、前記第１のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、前記第２のスペース長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類され、
   前記第１のスペース長がｋであり、前記第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、
   前記第１のスペース長がｋよりも大きく、前記第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、
   前記Ｎ層の情報層のうちの第２の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値は、前記Ｎ層の情報層のうちの第１の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きく、
   前記第２の情報層は、前記第１の情報層よりもレーザビームの入射側にあることを特徴とする光学的情報記録方法。
2. 前記制御パラメータは、前記記録パルス列の始端のパルスエッジの位置、前記記録パルス列の始端から２番目のパルスエッジの位置、前記記録パルス列の終端のパルスエッジの位置、及び前記記録パルス列の終端から２番目のパルスエッジの位置の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の光学的情報記録方法。
3. 前記記録パルス列は、レーザビームの強さが３値以上のパワーで切り替えられて変調されることを特徴とする請求項１又は２記載の光学的情報記録方法。
4. 前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記マーク長はｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光学的情報記録方法。
5. 前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記マーク長はｋ、ｋ＋１及びｋ＋２以上の少なくとも３種類に分類されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光学的情報記録方法。
6. 前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記マーク長はｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光学的情報記録方法。
7. 前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長がｋであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光学的情報記録方法。
8. 前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、最短マーク長をｋとしたとき、前記第１のスペース長及び前記第２のスペース長のそれぞれはｋ、ｋ＋１、ｋ＋２及びｋ＋３以上の少なくとも４種類に分類されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光学的情報記録方法。
9. 前記記録パルス列の制御パラメータを選択する工程において、前記マーク長と前記第１のスペース長と前記第２のスペース長との組み合わせと、制御パラメータとを対応付けた記録補償テーブルを参照して、前記記録パルス列が制御されることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光学的情報記録方法。
10. 前記マーク長と前記第１のスペース長と前記第２のスペース長との組み合わせによって前記マークを分類し、分類された前記マークの試し書きを行う工程と、
    前記試し書きしたマーク及びスペースを再生して再生信号を得る工程と、
    前記再生信号に基づいて、前記マーク長と前記第１のスペース長と前記第２のスペース長との組み合わせと、制御パラメータとを対応付けた記録補償テーブルを作成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光学的情報記録方法。
11. レーザビームの集光による局所的な温度変化によって物理的な状態の変化を生じる記録層を有する情報層をＮ層（Ｎは２以上の整数）備えた光学的情報記録媒体に、複数のパワー間で変調した記録パルス列に応じたレーザビームを照射することによりマークを形成し、前記マークおよび前記マーク間のスペースのエッジ位置により情報を記録する光学的情報記録装置であって、
    前記マークを形成するための記録パルス列の制御パラメータを、前記マークのマーク長と、前記マークの直前の第１のスペースの第１のスペース長と、前記マークの直後の第２のスペースの第２のスペース長との組み合わせによって選択する選択部と、
    選択された前記制御パラメータによる記録パルス列によってマークを記録する記録部とを備え、
    前記選択部は、最短スペース長をｋとしたとき、前記第１のスペース長をｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類し、前記第２のスペース長をｋ及びｋ＋１以上の少なくとも２種類に分類し、
    前記第１のスペース長がｋであり、前記第２のスペース長がｋよりも大きい場合における記録パルス列の制御パラメータを第１の制御パラメータとし、
    前記第１のスペース長がｋよりも大きく、前記第２のスペース長がｋである場合における記録パルス列の制御パラメータを第２の制御パラメータとすると、
    前記Ｎ層の情報層のうちの第２の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値は、前記Ｎ層の情報層のうちの第１の情報層への記録時に選択される前記第１の制御パラメータと前記第２の制御パラメータとの差の絶対値よりも大きく、
    前記第２の情報層は、前記第１の情報層よりもレーザビームの入射側にあることを特徴とする光学的情報記録装置。

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