CN102656634A

CN102656634A - 光学信息记录方法、光学信息记录装置、光学信息再生方法、光学信息再生装置以及光学信息记录介质

Info

Publication number: CN102656634A
Application number: CN2010800565651A
Authority: CN
Inventors: 高冈友康; 古宫成; 中村敦史
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2009-12-18
Filing date: 2010-12-16
Publication date: 2012-09-05
Anticipated expiration: 2030-12-16
Also published as: CN102656634B; WO2011074267A1; US20120294135A1; JPWO2011074267A1; US8509046B2; JP5507580B2

Abstract

本发明在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息。记录波形发生器(112)根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成标记的记录脉冲串的控制参数，激光驱动电路(111)利用基于所选择的控制参数的记录脉冲串记录标记，第一间隔长被分类为m种(m为整数)，第二间隔长被分类为n种(n为整数)，在对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

Description

光学信息记录方法、光学信息记录装置、光学信息再生方法、光学信息再生装置以及光学信息记录介质

技术领域

本发明涉及通过激光光束的照射在光学信息记录介质上记录信息的光学信息记录方法以及光学信息记录装置、通过激光光束的照射从光学信息记录介质再生信息的光学信息再生方法以及光学信息再生装置、以及具有两层以上信息层的光学信息记录介质。

背景技术

在对由成膜于基板上的相变记录材料等的薄膜构成的记录层照射激光、进行局部加热时，能够利用照射条件的差异使该记录层变化为光学常数不同的状态。这样，光学信息记录介质(以下也记为光记录介质)利用激光而被光学地记录、删除、擦写、或再生信息。光记录介质得到广泛的研究开发及商品化。

对于相变型的光记录介质而言，通过利用由激光照射产生的热使构成记录层的相变材料在例如结晶相(crystalline phase)与非晶质相(amorphous phase)之间发生状态改变，来记录信息。另外，通过检测结晶相与非晶质相之间的反射率的差异，进行信息的再生。

光记录介质中的可擦写型光记录介质通过将产生可逆的相变的相变记录材料用于记录层，能够实现信息的删除或擦写。在可擦写型光记录介质中，一般而言记录层的初始状态为结晶相。在记录信息时，通过照射高功率的激光使记录层熔融，随后急剧冷却，由此使激光照射部成为非晶质相。另一方面，在删除信息时，通过照射低于记录时的低功率的激光使记录层升温，随后缓慢冷却，由此使激光照射部成为结晶相。另外，通过对记录层照射以高功率和低功率进行了功率调制的激光，能够一边删除已记录的信息一边记录新的信息，即能够进行擦写。在可擦写型光记录介质中，非晶质部为标记(mark)，结晶部为间隔(space)。

另外，对于将不产生可逆的相变的材料用于记录层的可写入型光记录介质而言，不能进行信息的擦写，只能记录一次信息。

无论是可擦写型光记录介质还是可写入型光记录介质，为了高效地进行记录时的热的冷却，一般都使用导热率高的金属层。

光记录介质上记录的信息的再生通过检查结晶相与非晶质相之间的反射率的差异而进行。具体而言，在对光记录介质照射被设定为某个恒定的再生功率的激光时，将来自光记录介质的反射光的强度作为信号检测，由此进行信息的再生。

作为用于使光记录介质大容量化的技术，各种技术正在被研究。例如，有减小标记长以及间隔长的最小尺寸，提高记录密度的方法。对于该方法而言，除了再生信号中的S/N比降低的问题以外，还产生记录标记时产生的热在间隔部分传播、对相邻标记的冷却过程带来影响的现象，即产生热干扰。若产生热干扰，则标记的边缘位置发生变动，存在再生时的错误率增加的问题。

另外，即使形成正确长度的标记以及间隔，由于由光点的大小决定的再生光学系统的频率特性，也会产生再生时检测的较短的标记以及间隔的边缘位置与理想值不同而被再生的问题。该检测边缘与理想值的偏差一般称为码间干扰。若标记以及间隔的尺寸与光点相比较小，则码间干扰变得显著，使再生时的抖动增大，存在错误率增加的问题。

对此，公开了一种方法，即以二值(binary)驱动激光功率，使标记的起始端部分的位置根据记录的标记的标记长以及该标记之前的间隔的间隔长而变化，并且使标记的终端部分的位置根据记录的标记的标记长以及该标记之后的间隔的间隔长而变化，从而进行记录(例如参照专利文献1)。这样，通过调节记录标记时所选择的记录脉冲的控制参数，补偿高密度记录时的标记间的热干扰以及再生时的频率特性造成的码间干扰的产生。

另一方面，作为用于使光记录介质大容量化的其他对策，有使用具有两层信息层的可擦写型光记录介质，利用从可擦写型光记录介质的一侧的面入射的激光在两层信息层上记录或再生信息的方法。通过使用两层信息层，能够使光记录介质的记录容量变为两倍。

在利用从光记录介质的一侧的面入射的激光在两层信息层上记录或再生信息的光记录介质中，对远离入射侧的信息层(以下称为第一信息层)的信息的记录或再生是由透过接近入射侧的信息层(以下称为第二信息层)的激光来进行的。即，若第二信息层的透过率低，则到达第一信息层的激光的能量衰减，因此来自第一信息层的反射率实质上变小，再生时的信息的质量恶化。同样，在第一信息层上适当地记录信息所需要的激光功率变得更大，如果该激光功率超过记录装置的界限，则无法进行适当的记录，记录时的信息的质量恶化。

因此，较为理想的是，第二信息层具有尽可能高的透过率。另外，为了进行大容量化，增加信息层的数量，例如实现具有三层或四层信息层的光记录介质，为此，必须进一步提高激光入射侧的信息层(第三信息层或第四信息层)的透过率。金属层材料一般而言消光系数较大，因此为了使激光入射侧的信息层具有高透过率，最好使激光入射侧的信息层的金属层的厚度较薄。

但是，在能够记录的光记录介质中，一般而言在使金属层的厚度变薄后，记录时产生的热的冷却速度变慢。因此，向激光照射区域外的热传播增大，标记与间隔的边界模糊，由此再生信号发生恶化。于是，提出了一种在对接近激光入射侧的信息层进行记录时，使用温度变化与记录最远的信息层时相比更为快速冷却的记录脉冲的方案(例如参照专利文献2)。

但是，在专利文献2的技术中，存在无法应对由光记录介质的高记录密度化以及多层化造成的热干扰的影响的增大，难以在全部信息层中使记录特性良好的问题。

专利文献1：日本专利公报特许第2679596号

专利文献2：日本专利公开公报特开2003-178448号

发明内容

本发明是为了解决上述问题，其目的在于提供能够在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息的光学信息记录方法、光学信息记录装置、光学信息再生方法、光学信息再生装置以及光学信息记录介质。

本发明所提供的光学信息记录方法，通过对包括N层(N为2以上的整数)具有因激光光束的聚光引起的局部温度变化而产生物理状态变化的记录层的信息层的光学信息记录介质，照射与在多个功率之间调制的记录脉冲串相对应的激光光束形成标记，并利用所述标记以及所述标记间的间隔的边缘位置记录信息，该光学信息记录方法包括：根据所述标记的标记长、所述标记之前的第一间隔的第一间隔长、所述标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成所述标记的记录脉冲串的控制参数的工序；以及利用基于所选择的所述控制参数的记录脉冲串记录标记的工序，其中，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，所述第一间隔长被分类为m种(m为整数)，所述第二间隔长被分类为n种(n为整数)，所述m与所述n的至少其中之一为2以上，所述控制参数包括分别对应于所述第一间隔长和所述第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数，在对所述N层信息层中与指定的第一信息层相比位于所述激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的所述(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于在对所述第一信息层进行记录时选择的所述(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

根据该结构，用于形成标记的记录脉冲串的控制参数根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合而选择。然后，利用基于所选择的控制参数的记录脉冲串记录标记。在选择记录脉冲串的控制参数时，第一间隔长被分类为m种(m为整数)，第二间隔长被分类为n种(n为整数)。m与n的至少其中之一为2以上。控制参数包括分别对应于第一间隔长和第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数。在对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

根据本发明，由于对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的记录脉冲串的控制参数的变化量增大，因此，即使在激光光束入射侧的信息层的导热率低的情况下，也能够进行高质量的信息的记录。由此，能够通过使激光光束入射侧的的信息层的金属层变薄而实现较高的透过率，从而能够在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息。

本发明的目的、特征以及优点通过以下的详细说明与附图变得更加清楚。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的光记录再生装置的结构的方框图。

图2是用于说明本发明的实施方式所涉及的光记录再生装置中的记录编码串的标记和间隔、以及记录标记和间隔的记录波形发生动作的一例的图。

图3是表示标记的标记长与记录脉冲信号的记录波形的关系的概略图。

图4是用于说明本发明的实施方式所涉及的光记录再生装置中的光学信息记录方法的流程图。

图5是表示本发明的实施方式所涉及的光学信息记录方法中的记录脉冲串的控制例的图。

图6是用于说明本发明的实施方式所涉及的光学信息记录方法中的制作记录补偿表的方法的流程图。

图7是示意性地表示本发明的实施方式所涉及的波形均衡器的频率特性的图。

图8是表示本发明的实施方式所涉及的光学信息再生方法中的再生信号波形的概略图。

图9是表示本发明的实施方式所涉及的光学信息记录介质的部分剖视图。

图10是更详细地表示本发明的实施方式所涉及的光学信息记录介质的各信息层的部分剖视图。

图11是表示在本发明的实施例中记录2T标记时的标记排列以及记录脉冲信号的例子的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。此外，以下的实施方式为一例，本发明不限于以下的实施方式。在本实施方式中，作为记录介质以利用可逆相变的可擦写型光记录介质(rewritable optical recording medium)为例进行说明，但该技术也通用于可写入型光记录介质(recordable optical recording medium)。另外，在以下的实施方式中，对相同部分标注相同的符号，有时省略重复的说明。

图1是表示本发明的实施方式所涉及的光记录再生装置的结构的方框图。图1所示的光记录再生装置作为记录系统包括具备编码器113、基准时间发生器119、计数器200、分类器201、记录波形发生器112、记录补偿器118、激光驱动电路111、功率设定器114、激光光源110以及物镜116等的记录光学系统。另外，图1所示的光记录再生装置作为再生系统包括具备检测透镜106等的再生光学系统、光检测器100、前置放大器101、波形均衡器103、二值化器(binarization device)104、解码器105以及再生移位测定器170。此外，上述记录光学系统包括物镜116、准直透镜109以及半透明反射镜(half-mirror)108，上述再生光学系统包括检测透镜106、物镜116以及半透明反射镜108。

首先，对图1所示的光记录再生装置的各构成部件进行说明。编码器113将要记录的记录数据127转换为表示在光盘117上形成的标记和间隔的标记长和间隔长、以及标记和间隔的头部位置信息的记录编码串(NRZI序列)126。记录编码串126被传递到分类器201、记录波形发生器112、以及计数器200。

分类器201将记录编码串126的各标记基于标记的标记长(编码长)、该标记之前的间隔的间隔长、以及该标记之后的间隔的间隔长按照指定的规则进行分类。分类器201将分类后的结果作为分类信号204输出到记录波形发生器112。

计数器200参照记录编码串126，以由基准时间发生器119产生的基准时间信号128为单位，对从标记的头部位置起的时间进行计时，生成计数信号205。此外，编码器113以及记录波形发生器112分别与基准时间信号128同步地动作。基准时间信号128是由对从光盘117上的颤动读出的信号施加PLL(Phase Locked Loop，锁相环)而成同步的信号生成的。

记录补偿器118读出事先记录在光盘117上的指定区域中的信息，保存作为与各标记的标记长、各标记之前的间隔长以及各标记之后的间隔长相对应的、由记录波形发生器112产生的各记录脉冲波形的脉冲位置移位量的记录补偿表数据。记录补偿器118将记录补偿表数据发送至记录波形发生器112。

记录波形发生器112根据记录编码串(NRZI序列)126、分类信号204、以及记录补偿表数据在时间轴上补偿脉冲状的波形。由此，记录编码串126被转换为与记录波形相对应的记录脉冲信号125。记录脉冲信号125按激光功率级别(laser power level)由三个级别构成。

记录波形发生器112根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成标记的记录脉冲串的控制参数。

控制参数是记录脉冲串的起始端的脉冲边缘的位置、记录脉冲串的从起始端起第二个脉冲边缘的位置、记录脉冲串的终端的脉冲边缘的位置、以及记录脉冲串的从终端起倒数第二个脉冲边缘的位置的至少其中之一。

记录补偿器118存储关于如后所述使记录脉冲信号125的脉冲边缘的位置发生变化的边缘变化量dTS1、dTS2、dTE1以及dTE2的记录补偿表。记录补偿器118将记录补偿表发送至记录波形发生器112，记录波形发生器112根据上述分类信号204对各标记长的脉冲进行分类，将各记录脉冲的位置以及宽度被补偿的记录脉冲信号125发送至激光驱动电路111。

激光驱动电路111用由功率设定器114设定的功率级别设定与记录脉冲信号125的三个级别(峰值功率级别(peak power level)Pw、擦除功率级别(erase power level)Pe、以及保底功率级别(bottom power level)Pb)的各自相对应的激光功率，利用激光驱动电流124驱动激光光源110。激光光源110将脉冲状的光照射在光盘117上形成记录标记。激光驱动电路111利用基于所选择的控制参数的记录脉冲串记录标记。

此外，在本实施方式中，光记录再生装置相当于光学信息记录装置以及光学信息再生装置的一例，记录波形发生器112相当于选择部的一例，激光驱动电路111相当于记录部的一例。

接着，对光记录再生装置的记录系统在光盘117上记录信息的记录方法进行说明。

记录脉冲信号125被发送至激光驱动电路111。激光驱动电路111参照记录脉冲信号125及由功率设定器114设定的功率，根据记录脉冲信号125的级别产生激光驱动电流124，使激光光源110按照记录脉冲信号125的指定的记录波形发光。从激光光源110射出的激光123通过准直透镜109、半透明反射镜108、以及物镜116在光盘117上聚光，加热记录层以形成标记和间隔。

接着，对光记录再生装置的再生系统从光盘117再生信息的再生方法进行说明。

在信息再生时，激光光源110射出不会损坏已被记录的标记的程度的低功率级别的激光123，扫描光盘117上的标记串。来自光盘117的反射光通过物镜116及半透明反射镜108，射入检测透镜106。激光通过检测透镜106在光检测器100上聚光。聚光后的光按照光检测器100上的光强度分布的强弱被转换为电信号。电信号由设置于各光检测器100的前置放大器101放大，成为与光盘117上的扫描位置处的标记有无相对应的再生信号120。再生信号120由波形均衡器103进行波形均衡处理。进行了波形均衡处理的再生信号120在二值化器104中被转换为“0”或“1”的二进制数据(binary data)，并且进行基于PLL的同步，转换为二值化再生信号121。进而，解码器105对二值化再生信号121实施与编码器113中的转换相反的逆转换，以生成再生数据122。

此处，例如，基准时间信号128的频率为132MHz，Tw(信道时钟周期)约为7.5nsec。光盘117以线速度恒定的7.38m/sec旋转。激光光源110包括半导体激光光源，射出波长为405nm的激光。物镜116的NA为0.85。光盘117是具有多层信息层的多层盘，可以是二层盘、三层盘、或者四层盘。另外，光盘117除了使用相变记录材料的可擦写型光盘介质以外，还可以是只能写入一次的可写入型光盘介质。编码方式为(1-7)调制。在(1-7)调制中最短的编码长为2Tw。

图2的基准时间信号128是表示记录动作的时间基准的信号，周期为Tw。图2的记录编码串126表示用编码器113对记录数据127进行了NRZI转换的结果。此处，Tw为检测窗宽度，是记录编码串126中的标记长及间隔长的变化量的最小单位。图2的标记排列300表示在光盘117上实际记录的标记301及间隔302的示意图。激光的光点从左向右扫描图2的纸面。标记301与记录编码串126中的“1”级别一一对应，以与其期间成比例的长度形成。图2的计数信号205以Tw为单位对从标记301及间隔302的头部起的时间进行计时。

图2的分类信号204示意性地表示本实施方式的光记录再生装置中的分类信号，在本例中，根据各标记的标记长的值、各标记之前的间隔的间隔长、各标记之后的间隔的间隔长这三值的组合进行分类。例如，在图2的分类信号204中，“4-5-2”表示对于标记长为5Tw的标记，该标记之前的间隔的间隔长为4Tw，该标记之后的间隔的间隔长为2Tw。此外，在本实施方式中，有时省略4Tw及2Tw的“w”而分别表示为4T及2T。另外，有时对间隔长表示为4Ts，对标记长表示为2Tm。

图2的记录脉冲信号125是与图2的记录编码串126对应的记录脉冲信号，是实际记录的光波形的一例。这些记录脉冲信号125通过参照计数信号205、记录编码串126、分类信号204、以及从记录补偿器118发送的记录补偿表数据而生成。

接着，对本实施方式的光记录再生装置中的记录补偿方法进行说明。

图3是表示标记的标记长与记录脉冲信号125的记录波形的关系的概略图。图3的基准时间信号128是成为记录动作的时间基准的信号，周期为Tw。图3的计数信号205是由计数器200发生的信号，以基准时间信号128的基准时间Tw为单位对从标记的头部起的时间进行计时。计数信号205转至0的时机对应于标记或间隔的头部。图3的记录脉冲信号125是记录标记形成时的记录脉冲信号。在图3中，分别示出2Tw(Tm)标记的记录脉冲信号125、3Tw(Tm)标记的记录脉冲信号125、4Tw(Tm)标记的记录脉冲信号125、以及5Tw(Tm)标记的记录脉冲信号125。记录脉冲信号125被进行级别调制，用作为最高级别的峰值功率级别(Pw)、中间级别的擦除功率级别(Pe)、作为最低级别的保底功率级别(Pb)这三值进行调制。另外，在最终脉冲之后，冷却脉冲以保底功率级别形成。

此处，采用功率级别的三值调制，但也可以使最终脉冲之后的冷却脉冲的保底功率级别与中间脉冲之间的保底功率级别为相互不同的级别，以进行合计共四值的功率调制。另外，在图3中，使保底功率级别为低于擦除功率级别的功率级别，但保底功率级别也可以是擦除功率级别与峰值功率级别之间的功率级别。另外，在图3中，4Tw标记的记录脉冲信号有一个中间脉冲，但如5Tw及6Tw这样标记长(编码长)每变长1Tw，则相应地中间脉冲的个数每次增加1个。

在本实施方式的记录补偿(适应补偿)中，对各标记，根据标记的标记长、该标记之前的间隔的间隔长、以及该标记之后的间隔的间隔长进行分类。并且，记录各标记的记录脉冲串的脉冲边缘的位置根据上述分类结果，以边缘变化量dTS1、dTS2、dTE1、以及dTE2发生变化。由于以此方式控制记录脉冲信号125，因而能够精密地控制在光盘117上形成的标记的起始端位置或后端位置。此外，由于不仅根据记录的标记的标记长，还根据该标记之前的间隔的间隔长与该标记之后的间隔的间隔长控制脉冲边缘，因而能够考虑码间干扰，进一步精密地控制标记的起始端位置或后端位置。

用图4的流程图说明本实施方式的光记录方法中的记录补偿方法。图4是用于说明本发明的实施方式所涉及的光记录再生装置中的光学信息记录方法的流程图。

首先，编码器113对记录数据进行编码，制作作为标记和间隔的组合的编码数据(步骤S1)。该编码数据对应于图2的记录编码串126。

接着，分类器201对标记，基于该标记的标记长、该标记之前的间隔的间隔长、以及该标记之后的间隔的间隔长的组合进行分类(步骤S2)。在图2的分类信号204中，2T标记被分类为“2-2-3”，3T标记被分类为“3-3-4”，5T标记被分类为“4-5-2”，6T标记被分类为“2-6-2”。分类信号204分别按照“前间隔长”、“标记长”及“后间隔长”的顺序组合。此外，“前间隔长”表示标记之前的间隔的间隔长，“后间隔长”表示标记之后的间隔的间隔长。

记录波形发生器112通过使用于形成标记的记录脉冲串的脉冲边缘的位置与分类结果对应地变化，控制记录脉冲串(步骤S3)。记录波形发生器112根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成标记的记录脉冲串的控制参数。

例如，在图3的4Tm标记的记录脉冲信号125中，记录波形发生器112使起始端的脉冲边缘的位置变化边缘变化量dTS1，使从起始端起第二个脉冲边缘的位置变化边缘变化量dTS2，使终端的脉冲边缘的位置变化边缘变化量dTE1，使从终端起倒数第二个脉冲边缘的位置变化边缘变化量dTE2。

接着，激光驱动电路111根据由记录波形发生器112产生的记录脉冲信号125生成激光驱动电流124，将生成的激光驱动电流124向激光光源110输出。激光光源110将对应于记录脉冲串的激光光束照射到光盘117以形成标记(步骤S4)。

图5是表示本发明的实施方式所涉及的光学信息记录方法中的记录脉冲串的控制例的图。在图5中，示出在记录标记长为4T的标记301时，使记录脉冲串的脉冲边缘的位置以边缘变化量dTS1、dTS2、dTE1以及dTE2发生变化的情况。图5的基准时间信号128是成为记录动作的时间基准的信号，图5的计数信号205是由计数器200产生的信号。图5的记录脉冲信号(记录脉冲串)125的脉冲边缘的位置以边缘变化量dTS1、dTS2、dTE1、以及dTE2发生变化。图5的标记排列300表示由图5的记录脉冲信号(记录脉冲串)125记录的标记长为4T的标记301的示意图。在图5中示出能够精密地控制标记301的起始端位置。

如下面的表1所示，起始端的边缘变化量dTS1基于根据记录的标记的标记长、该标记之前的间隔的间隔长(前间隔长)、以及该标记之后的间隔的间隔长(后间隔长)进行分类的结果来规定。表1是表示有关起始端的边缘变化量dTS1的记录补偿表的一例的表。

(表1)

起始端的边缘变化量dTS1通过将记录的标记的标记长分为2T、3T、4T以及5T以上这四种，并仅在标记长为2T时将后间隔长分为2T以及3T以上这两种，将前间隔长分为2T、3T、4T以及5T以上这四种，合计分类为(4+1)×4＝20种来加以规定。

边缘变化量dTS1是起始端的脉冲边缘的位置，因此前间隔(标记之前的间隔)的影响是突出的，但在标记长为2T时后间隔(标记之后的间隔)的影响也不能忽略，因此以此方式进行分类。

另外，此处对于边缘变化量dTS1，将标记长分类为四种，前间隔长分类为四种，后间隔长分类为两种，但并不限定于此情况。例如，标记长也可以被分类为两种、三种、五种、或者六种以上，前间隔长及后间隔长也可以分别分类为两种、三种、四种、五种、或者六种以上。边缘变化量dTS1例如可以如a1＝2nsec那样用绝对时间规定，或者也可以基于基准时间信号128用Tw/16的整数倍的值来规定。

即，在选择记录脉冲串的控制参数的工序中，当设最短的标记长为k时，标记长被分类为k、k+1、k+2、以及k+3以上的至少四种。此外，标记长也可以被分类为k以及k+1以上的至少两种，标记长还可以被分类为k、k+1、以及k+2以上的至少三种。此外，在本实施方式中，在最短标记长为2T的情况下，k+1的标记长意味着3T的标记长，k+2的标记长意味着4T的标记长，k+3的标记长意味着5T的标记长。

另外，在选择记录脉冲串的控制参数的工序中，当设最短的标记长为k时，第一间隔长(前间隔长)以及第二间隔长(后间隔长)分别被分类为k以及k+1以上的至少两种。此外，第一间隔长以及第二间隔长也可以被分别分类为k、k+1、k+2、以及k+3以上的至少四种

记录波形发生器112参照将标记长和第一间隔长及第二间隔长的组合与控制参数对应起来的记录补偿表，控制记录脉冲串。

如下面的表2所示，从起始端起第二个边缘变化量dTS2也与边缘变化量dTS1同样，基于根据记录的标记的标记长、该标记之前的间隔的间隔长(前间隔长)、以及该标记之后的间隔的间隔长(后间隔长)进行分类的结果来规定。表2是表示有关从起始端起第二个边缘变化量dTS2的记录补偿表的一例的表。

(表2)

如下面的表3所示，终端的边缘变化量dTE1基于根据记录的标记的标记长、该标记之前的间隔的间隔长(前间隔长)、以及该标记之后的间隔的间隔长(后间隔长)进行分类的结果来规定。表3是表示有关终端的边缘变化量dTE1的记录补偿表的一例的表。

(表3)

终端的边缘变化量dTE1通过将记录的标记的标记长分为2T、3T、4T以及5T以上这四种，并仅在标记长为2T时将前间隔长分为2T以及3T以上这两种，将后间隔长分为2T、3T、4T以及5T以上这四种，合计分类为(4+1)×4＝20种来加以规定。

边缘变化量dTE1是终端的脉冲边缘的位置，因此后间隔的影响是突出的，但在标记长为2T时前间隔的影响也不能忽略，因此以此方式进行分类。

另外，此处对于边缘变化量dTE1，将标记长分类为四种，后间隔长分类为四种，前间隔长分类为两种，但并不限定于此情况。例如，标记长也可以被分类为两种、三种、五种、或者六种以上，前间隔长及后间隔长也可以分别被分类为两种、三种、四种、五种、或者六种以上。边缘变化量dTE1例如可以如i1＝2nsec那样用绝对时间规定，或者也可以基于基准时间信号128用Tw/16的整数倍的值来规定。

如下面的表4所示，从终端起倒数第二个边缘变化量dTE2基于根据记录的标记的标记长、该标记之前的间隔的间隔长(前间隔长)、以及该标记之后的间隔的间隔长(后间隔长)进行分类的结果来规定。表4是表示有关从终端起倒数第二个边缘变化量dTE2的记录补偿表的一例的表。

(表4)

从终端起倒数第二个边缘变化量dTE2通过将记录的标记的标记长分为3T、4T以及5T以上这三种，将后间隔长分为2T、3T、4T以及5T以上这四种，合计分类为3×4＝12种来加以规定。

边缘变化量dTE2是从终端起倒数第二个脉冲边缘的位置。由于2T标记的边缘变化量dTE2与从起始端起倒数第二个边缘变化量dTS2一致，因此不进行定义。

另外，此处对于边缘变化量dTE2，将标记长分类为三种，后间隔长分类为四种，但并不限定于此情况。例如，标记长也可以为两种、四种、或者五种以上，后间隔长也可以为两种、三种、五种、或者六种以上。边缘变化量dTE2例如可以如p1＝2nsec那样用绝对时间规定，或者也可以基于基准时间信号128用Tw/16的整数倍的值来规定。

如上所述，通过使记录脉冲信号125的起始端的脉冲边缘的位置以边缘变化量dTS1、dTS2、dTE1、以及dTE2发生变化，能够更精密地控制标记301的起始端位置。此外，由于不仅根据记录的标记的标记长，还根据前间隔长来控制脉冲边缘，因此能够考虑码间干扰，进一步精密地控制标记301的起始端位置。

此外，在选择记录脉冲串的控制参数的工序中，第一间隔长(前间隔长)被分类为m种(m为整数)，第二间隔长(后间隔长)被分类为n种(n为整数)。m和n的至少其中之一为2以上。控制参数包括分别对应于第一间隔长和第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数。对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

另外，关于各边缘变化量dTS1、dTS2、dTE1、以及dTE2，如下述的表5至表8所示，也可以将前间隔长及后间隔长的分类简化为2T及3T以上这两种。表5是表示有关起始端的边缘变化量dTS1的记录补偿表的一例的表，表6是表示有关从起始端起第二个边缘变化量dTS2的记录补偿表的一例的表，表7是表示有关终端的边缘变化量dTE1的记录补偿表的一例的表，表8是表示有关从终端起倒数第二个边缘变化量dTE2的记录补偿表的一例的表。

(表5)

(表6)

(表7)

(表8)

在将激光汇聚于光盘117以进行高密度记录的情况下，最小的记录标记和间隔变得与光点同样小。因此，由于光学的MTF(Modulation Transfer Function，调制转换函数)的影响，关于最短标记与最短间隔的信号产生码间干扰，从而产生无法在正确的边缘位置进行记录或再生的现象。因此，在仅划分为最短的2T的间隔长与除此以外的间隔长就能够获得考虑了码间干扰的充分的记录特性的情况下，通过如上所述进行简化分类，能够简化记录补偿表，因而具有能够简化装置的优点。

此外，对有关上述各边缘变化量dTS1、dTS2、dTE1、以及dTE2的记录补偿表进行说明。

记录补偿器118内保存的记录补偿表通过以下两种方法的任一种而取得。在第一方法中，记录补偿器118读出在光盘制造时或者光盘制造后事先记录在光盘117的称为导入区(lead-in area)的区域中的记录补偿表，并存储读出的记录补偿表。在第二方法中，记录补偿器118在光盘117上的试写区域中实际进行基于指定的记录脉冲信号的试写，再生该试写的标记和间隔以测定边缘移位量，根据在探索信号质量最良好的条件的过程中求取的学习结果取得记录补偿表。

在第一方法中，记录在光盘117的指定区域中的记录补偿表作为再生数据而得到，并被存储到记录补偿器118中。

接着，用图6的流程图说明在第二方法中对光盘117进行指定的记录编码串的试写来制作记录补偿表的方法。图6是用于说明本发明的实施方式所涉及的光学信息记录方法中的制作记录补偿表的方法的流程图。

首先，光记录再生装置对标记，基于该标记的标记长、该标记之前的间隔的间隔长、该标记之后的间隔的间隔长的组合进行分类，将该分类的标记试写到光盘117上的试写区域(步骤S11)。此时，光记录再生装置试写具有2T、3T、4T以及5T的各标记长的标记，并且对各标记分别试写具有2T、3T、4T以及5T的间隔长的前间隔和具有2T、3T、4T以及5T的间隔长的后间隔。

接着，光记录再生装置再生试写的标记和间隔以获得再生信号(步骤S12)。

接着，光记录再生装置基于再生信号，制作将边缘变化量与标记的标记长、标记之前的间隔的间隔长、标记之后的间隔的间隔长的组合对应起来的记录补偿表(步骤S13)。其结果是，光记录再生装置作成表1至表4所示的记录补偿表或者表5至表8所示的记录补偿表。通过光检测器100而被光电转换的电信号由前置放大器101放大，成为再生信号120，经由波形均衡器103及二值化器104而成为二值化再生信号121。得到的二值化再生信号121不仅被发送到解码器105，还被发送到再生移位测定器170。再生移位测定器170比较通过PLL而被同步化的二值化再生信号与同步化之前的二值化再生信号，测定各标记和间隔各自的移位量(边缘变化量)，并将测定结果向记录补偿器118发送。

此外，在以此方式在光盘117上的试写区域中进行试记录(test recording)的情况下，光记录再生装置可以根据测定到的边缘变化量随时更新记录补偿表数据，再次进行所述的记录动作，为了探索减少再生时的PLL时钟与二值化再生信号的边缘移位的记录补偿表，反复进行记录动作。

另外，由于标记长或者间隔长小，所以边缘移位的检测困难，在利用PRML(PartialResponse Maximum Likelihood，部分响应最大似然)法判定信号模式(signal pattern)的情况下，可以代替通常的边缘的移位量而测定MLSE(Maximum Likelihood SequenceEstimation，最大似然序列估计)值的移位成分。

此外，在本实施方式的记录脉冲中，若记录的标记长增加1则脉冲的数增加1，但重要的是脉冲边缘的位置，脉冲的数的规则也可以不同。例如，记录脉冲也可以是记录的标记长增加2则脉冲的数增加1的脉冲，还可以是最终脉冲之后的冷却脉冲不存在的脉冲。

接着，对本发明的实施方式所涉及的光记录再生装置的光学信息再生方法进行说明。在实施方式的光学信息再生方法中，以进行具有图7所示的频率特性的波形均衡为特征。

在本实施方式的光学信息再生方法中，利用激光读取记录在光盘117上的标记，使用检测透镜106、光检测器100、以及前置放大器101生成再生信号120。再生信号120通过波形均衡器103成为频率特性已被补正的信号。此外，频率特性被补正的再生信号120由二值化器104转换为二值化再生信号121，通过解码器105实施逆转换，生成再生数据122。

在2Tw信号、3Tw信号、4Tw信号以及8Tw信号等中，由于2Tw信号等频率高的信号为小标记，因此观测到再生的信号的振幅减小这一依赖于频率的光学输出的衰减。于是，为了补正这种输出衰减，在本实施方式的光学信息再生方法中，以信号频率越高则输出振幅越大的方式设定均衡化器特性。

图7是示意性地表示本发明的实施方式所涉及的波形均衡器(equalizer)103的频率特性的图，是表示输出信号相对于输入信号的振幅比的图。在图7中，横轴是再生信号频率，示意性地示出2Tw信号、3Tw信号、4Tw信号、以及8Tw信号的频率。纵轴是波形均衡器103的输出振幅的对数表示。作为该波形均衡器103，可以使用高通滤波器(HighPass Filter)、在比2Tw稍高的频率处具有峰值的带通滤波器(Band Pass Filter)、或者组合了高通滤波器、带通滤波器与放大器的结构。

因此，在标记或间隔为2Tw信号这种频率高的信号时的输出振幅与标记或间隔为8Tw这种频率低的信号时的输出振幅的差，即特性曲线的斜率随着最短标记长变短而增大。与之相伴，例如4Tw信号的频率下的输出振幅与8Tw信号的频率下的输出振幅的差也增大。

因此，再生信号特性最好为能够防止再生频率特性的峰值移位，改变噪声的频率分布，优化再生信号的SNR(信噪比)，改善再生信号的错误率的特性。

图8是表示本发明的实施方式所涉及的光学信息再生方法中的再生信号波形的概略图。图8是表示由标记形状的差异产生的再生信号特性的差异的概略图。图8的标记排列300a、300b表示光点从图的左边向右边扫描，形成记录标记后的标记形状。图8的再生信号120a、120b表示在标记排列300a、300b的各自的标记形状形成后，用不会删除已记录的标记的强度的光读出标记后的再生信号。

图8的标记排列300a表示利用了相变的可擦写型光盘的代表性标记形状。在标记排列300a中，最小的2Tw标记401形成为银杏型的标记。标记终端部通过冷却脉冲而从后部再结晶化，由此使2Tw标记401成为银杏型的标记形状。图8的再生信号120a是再生图8的标记排列300a的标记时的再生信号。如图8所示那样在2Tw标记401与2Tw间隔402相邻的情况下，再生信号振幅变得最小。在此情况下，I2为最小振幅。

另一方面，图8的标记排列300b表示在利用了相变的可写入型光盘中形成的标记形状的一例。图8的再生信号120b是再生图8的标记排列300b的标记时的再生信号。在可写入型光盘中，不经过冷却脉冲的再结晶化而形成标记。因此，2Tw标记403为圆形，有时与其他较长的标记相比在宽度方向上较细地形成。如上所述，在2Tw标记403的大小与其他标记的大小相比，在宽度方向上较小地形成的情况下，图8的再生信号120b的最小振幅I2受到MTF的影响，变得比图8的再生信号120a的最小振幅I2小。因此，2Tw标记403的码间干扰增大，产生再生峰值移位。

在图7所示的波形均衡器103的再生频率特性中，如果增大峰值提升(peak boost)值(Bp)，则在增大再生信号120的振幅的同时使噪声增大。尤其是，若成为过提升状态(over-boost state)，则使与信号频带相比高频侧的噪声增大，在此情况下具有再生信号120的S/N变差的弊端。另外，由于在过提升状态下，会使信号成分中的低频侧(4Tw至8Tw)的码间干扰增大，因而反而使再生特性变差。这样，在2Tw标记等记录标记与其他标记相比特别小地形成的情况下，对于仅对标记长的记录补偿而言，虽然能够补偿2Tw的标记的码间干扰，但关于间隔的码间干扰会残留下来，从而使再生信号的特性变差。

于是，如在上述实施方式中说明的那样，在记录标记时，特别考虑2Tw间隔，使记录脉冲信号125的脉冲边缘以与标记长、前间隔长和后间隔长相对应的边缘变化量dTS1、dTS2、以及dTE1发生变化，进一步补偿记录脉冲信号125的起始端或终端边缘。由此，能够降低尤其由2Tw间隔产生的码间干扰，即使是低提升值也能提高再生信号120的特性。

另外，在将数据记录于可写入型记录介质等形成图8的标记排列300b这种记录标记的光记录介质的情况下，进行记录补偿时的目标提升值(target boost value)还依赖于记录补偿的补偿精度。例如，在以Tw/16程度的补偿精度进行记录补偿时，最好使提升值增加1dB至2dB左右来进行记录。另外，在试写时，可以最初以不进行间隔补偿的状态进行记录，仅在错误率等再生信号特性不满足基准值的情况下，才进行包含间隔补偿的记录动作。

另外，可以用从要记录的信号中事先除去了最短标记长的编码序列进行第一试写，在作成3Tw以上的标记长的记录补偿表之后，用包含有2Tw信号的编码序列进行第二试写，制作包含2Tw的标记长的记录补偿表。在像图8的再生信号120b那样再生信号振幅极小的情况下，若2Tw信号的记录标记位置不正确，则有时难以正确地调准3Tw以上的长标记和间隔的位置。在再生上述的码间干扰非常大的信号时，最初记录3Tw以上的编码长的标记，正确地记录补偿3Tw以上的标记和间隔的边缘位置，然后记录包含2Tw信号的信号，正确地补偿2Tw的标记和间隔的记录位置。由此，能够更加正确且高效地记录信息，从而能够提高再生信号质量。

另外，在如上所述记录3Tw以上的编码长的信号时，可以通过使再生均衡化器的提升值与记录包含2Tw信号的通常的记录编码串时相比下降1dB至2dB来进行记录补偿。在此情况下，由于不包含2Tw信号，所以再生信号的振幅比较大，码间干扰的产生缓慢。因此，通过用比通常的提升值稍低的提升值调整标记长较长的标记的边缘位置，能够记录边缘移位少的信号。

此外，在本发明的实施方式中，对用三值的激光功率级别调制记录功率的情况的例子进行说明，但不用说，在用还包含具有与中间脉冲内的保底功率不同的功率级别的冷却脉冲的四值的激光功率级别进行调制时也能得到同样的效果。

即，记录脉冲串通过以三值以上的功率切换激光光束的强度而被调制。

再生已记录的信号时的错误率只要误码率(symbol error rate)在4.2×10^-3以下，则为实用上不存在问题的级别。

接着，对本发明的实施方式所涉及的光学信息记录介质的一例进行说明。图9是表示本发明的实施方式所涉及的光学信息记录介质11的部分剖视图。作为例子，假设光学信息记录介质11是通过照射由物镜32聚光的激光31能够进行信息的记录或再生的三层多层光记录介质。

激光31的波长λ越短，能够通过物镜32聚光成越小的光点直径，但若波长λ过短，则透明层23等对激光31的光吸收增大。因此，较为理想的是，激光31的波长λ在350nm至450nm的范围内。

在光学信息记录介质11中，经由分离层22、28依次层压的第一信息层41、第二信息层42及第三信息层43这三层信息层以及透明层23按此顺序被设置在基板21上。

在该光学信息记录介质11上，物镜32从透明层23侧使激光31聚光于各信息层以记录或再生信息。

在光学信息记录介质11中，到达与第三信息层43相比位于接近基板21侧的信息层的激光及其反射光由于透过与该信息层相比位于激光31入射侧的信息层而发生衰减。因此，第一信息层41及第二信息层42需要具有较高的记录灵敏度和较高的反射率，第二信息层42及第三信息层43需要具有较高的透过率。

基板21呈圆盘状的形状，被用于保持从第一信息层41到透明层23的各层。在基板21的第一信息层41侧的面上，也可以形成用于引导激光31的导向槽。较为理想的是，基板21的第一信息层41侧相反侧的面是平滑的。基板21的材料可以采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、玻璃、或者适当组合了上述材料的材料等。尤其是，由于聚碳酸酯树脂的转印性及批量生产性良好，成本低，因此作为基板21的材料较为理想。

分离层22及分离层28是为了区分光学信息记录介质11的第一信息层41、第二信息层42及第三信息层43的各层的聚焦位置而设置的层。分离层22及分离层28的厚度最好为由物镜32的数值孔径NA与激光31的波长λ决定的焦点深度以上。另一方面，若分离层22及分离层28过厚，则从光学信息记录介质11的激光31的入射面到第一信息层41的距离变长，光学信息记录介质11倾斜时的彗形像差(coma aberration)变大，因此导致无法在第一信息层41上正确地聚光。从这一点来看，分离层22及分离层28较薄为宜。假设激光31的波长λ为405nm，物镜32的数值孔径NA为0.85，则分离层22及分离层28的厚度在5μm至50μm的范围内较为理想。

较为理想的是，分离层22及分离层28对激光31的光吸收小。在分离层22及分离层28的激光31的照射侧的面上，也可以形成用于引导激光31的导向槽。分离层22及分离层28的材料可以使用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、紫外线固化性树脂、迟效性热固化树脂、玻璃、或者适当组合了上述材料的材料等。

透明层23位于第三信息层43的激光31的入射侧，用来保护第三信息层43。较为理想的是，透明层23对激光31的光吸收小。透明层23的材料可以使用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、紫外线固化性树脂、迟效性热固化树脂、玻璃、或者适当组合了上述材料的材料等。另外，透明层23的材料也可以使用由上述材料形成的片材。

若透明层23的厚度过薄，则无法发挥保护第三信息层43的功能。另外，若透明层23的厚度过厚，则与分离层22及分离层28的情况相同，从光学信息记录介质11的激光31的入射面到第一信息层41的距离变长，光学信息记录介质11倾斜时的彗形像差变大，因此导致无法在第一信息层41上正确地聚光。假设物镜32的数值孔径NA为0.85，则透明层23的厚度在5μm至150μm的范围内较为理想，在40μm至110μm的范围内更为理想。

另外，图10是更详细地表示本发明的实施方式所涉及的光学信息记录介质11的各信息层的部分剖视图。

如图10所示，在第一信息层41中，从接近基板21侧起，金属层412、第一电介质层414、记录层416以及第二电介质层418按此顺序而设置。另外，根据需要，也可以在金属层412与第一电介质层414之间设置金属层侧界面层413，在第一电介质层414与记录层416之间设置第一界面层415，在第二电介质层418与记录层416之间设置第二界面层417。此外，金属层侧界面层413、第一界面层415以及第二界面层417的图示省略。

同样，在第二信息层42中，从接近基板21侧起，透过率调整层421、金属层422、第一电介质层424、记录层426以及第二电介质层428按此顺序而设置。另外，根据需要，也可以在金属层422与第一电介质层424之间设置金属层侧界面层423，在第一电介质层424与记录层426之间设置第一界面层425，在第二电介质层428与记录层426之间设置第二界面层427。此外，金属层侧界面层423、第一界面层425以及第二界面层427的图示省略。

同样，在第三信息层43中，从接近基板21侧起，透过率调整层431、金属层432、第一电介质层434、记录层436以及第二电介质层438按此顺序而设置。另外，根据需要，也可以在金属层432与第一电介质层434之间设置金属层侧界面层433，在第一电介质层434与记录层436之间设置第一界面层435，在第二电介质层438与记录层436之间设置第二界面层437。此外，金属层侧界面层433、第一界面层435以及第二界面层437的图示省略。

接着，对构成第一信息层41的各层进行说明。

记录层416是由激光31的照射而引起在结晶相与非晶质相之间可逆的相变的层。作为记录层416的材料，可以使用包含(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb₂Te₃、(Ge-Sn)Te-Sb₂Te₃、GeTe-Bi₂Te₃、(Ge-Sn)Te-Bi₂Te₃、GeTe-(Sb-Bi)₂Te₃、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)₂Te₃、GeTe-(Bi-In)₂Te₃、(Ge-Sn)Te-(Bi-In)₂Te₃、Sb-Te、Sb-Ge、(Gb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In、Sb-Ga、以及(Sb-Te)-Ga中的任一种的材料。较为理想的是，记录层416在记录过程中的激光照射时能够容易地从非晶质相变化为结晶相，在不照射激光时不从非晶质相变化为结晶相。

若记录层416的厚度过薄，则无法得到足够的反射率、反射率变化、以及删除率。另外，若记录层416的厚度过厚，则热容量变大，因此记录灵敏度降低。因此，记录层416的厚度在5nm至15nm的范围内较为理想，在8nm至12nm的范围内更为理想。

金属层412具有增加被记录层416吸收的光量的光学功能和扩散由记录层416产生的热的热功能。作为金属层412的材料，可以使用包含Ag、Au、Cu、以及Al中的至少一个元素的材料。作为金属层412的材料，可以使用例如Ag-Cu、Ag-Ga-Cu、Ag-Pd-Cu、Ag-Nd-Au、AlNi、AlCr、Au-Cr、或Ag-In等合金。尤其是，Ag合金的导热率大，因此作为金属层412的材料较为理想。金属层412的厚度越厚，热扩散功能越高。但是，若金属层412的厚度过厚，则热扩散功能过高，记录层416的记录灵敏度降低。因此，金属层412的厚度在30nm至200nm的范围内较为理想，在70nm至140nm的范围内更为理想。

第一电介质层414位于记录层416与金属层412之间，具有调节从记录层416向金属层412的热扩散的热功能和调节反射率及吸收率等的光学功能。作为第一电介质层414的材料，可以使用例如ZrO₂、HfO₂、ZnO、SiO₂、SnO₂、Cr₂O₃、TiO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、Y₂O₃、CeO₂、或DyO₂等氧化物、ZnS或CdS等硫化物、SiC等碳化物的单体，或者它们的混合物。作为混合物，可以使用例如ZrO₂-SiO₂、ZrO₂-SiO₂-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-Ga₂O₃、HfO₂-SiO₂-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-In₂O₃、ZnS-SiO₂、或者SnO₂-SiC。尤其是，ZnS-SiO₂作为第一电介质层414的材料性能优良。这是因为，ZnS-SiO₂的成膜速度快、透明、机械特性及耐湿性良好。

若第一电介质层414的厚度过厚，则金属层412的冷却效果变弱，来自记录层416的热扩散变小，因此不易进行非晶质化。另外，若第一电介质层414的厚度过薄，则金属层412的冷却效果变强，来自记录层416的热扩散变大，而使灵敏度降低。因此，第一电介质层414的厚度在2nm至40nm的范围内较为理想，在8nm至30nm的范围内更为理想。

金属层侧界面层413具有防止由第一电介质层414的材料引起金属层412腐蚀或损坏的功能。具体而言，在金属层412使用包含银(Ag)的材料、并且第一电介质层414使用包含硫磺(S)的材料(例如ZnS-SiO₂)时，金属层侧界面层413防止Ag与S反应而产生腐蚀。

作为金属层侧界面层413的材料，可以使用Ag以外的金属，例如Al或Al合金。

另外，作为金属层侧界面层413的材料，可以使用不包含硫磺(S)的电介质材料，例如ZrO₂、HfO₂、ZnO、SiO₂、SnO₂、Cr₂O₃、TiO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、Y₂O₃、CeO₂、或DyO₂等氧化物、SiC等碳化物的单体，或者它们的混合物。作为混合物，可以使用例如ZrO₂-SiO₂、ZrO₂-SiO₂-Cr₂O₂、ZrO₂-SiO₂-Ga₂O₂、HfO₂-SiO₂-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-In₂O₃、或者SnO₂-SiC。或者，作为金属层侧界面层413的材料，可以使用碳(C)等。

若金属层侧界面层413的厚度过厚，则妨碍第一电介质层414的热及光学作用。另外，若金属层侧界面层413的厚度过薄，则防止金属层412的腐蚀及损坏的功能降低。因此，金属层侧界面层413的厚度在1nm至100nm的范围内较为理想，在5nm至40nm的范围内更为理想。

第一界面层415具有防止因反复记录而在第一电介质层414与记录层416之间产生的物质移动的作用。较为理想的是，第一界面层415是具有在记录时不熔化的程度的高熔点、与记录层416的贴合性良好的材料。作为第一界面层415的材料，可以使用例如ZrO₂、HfO₂、ZnO、SiO₂、SnO₂、Cr₂O₃、TiO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、Y₂O₃、CeO₂、DyO₂等氧化物、ZnS或CdS等硫化物、SiC等碳化物的单体，或者它们的混合物。作为混合物，可以使用例如ZrO₂-SiO₂、ZrO₂-SiO₂-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-Ga₂O₃、HfO₂-SiO₃-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-In₂O₃、ZnS-SiO₂、或者SnO₂-SiC。或者，作为第一界面层415的材料，可以使用碳(C)等。尤其是，Ga₂O₃、ZnO或In₂O₃等作为第一界面层415的材料较为理想。这是因为，Ga₂O₃、ZnO或In₂O₃与记录层416的贴合性良好。

若第一界面层415的厚度过薄，则无法发挥作为界面层的效果。另外，若第一界面层415的厚度过厚，则妨碍第一电介质层414的热及光学作用。因此，第一界面层415的厚度在0.3nm至15nm的范围内较为理想，在1nm至8nm的范围内更为理想。

第二电介质层418位于记录层416的激光入射侧，具有防止记录层416的腐蚀及变形等的功能和调整反射率或吸收率等的光学功能。另外，作为第二电介质层418的材料，可以使用与第一电介质层414相同的材料。尤其是，ZnS-SiO₂作为第二电介质层418的材料性能优良。这是因为，ZnS-SiO₂的成膜速度快，透明，机械特性及耐湿性良好。

若第二电介质层418的厚度过薄，则防止记录层416的腐蚀及变形等的功能降低。另外，第二电介质层418的厚度能够通过基于矩阵法的计算严格地确定，以满足记录层416为结晶相时与为非晶质相时的反射光量的变化增大的条件。第二电介质层418的厚度在20nm至80nm的范围内较为理想。

第二界面层417与第一界面层415同样，具有防止因反复记录而在第二电介质层418与记录层416之间产生的物质移动的作用。因此，作为第二界面层417的材料，采用具有与第一界面层415相同的性能的材料较为理想。

第二界面层417的厚度与第一界面层415同样，在0.3nm至15nm的范围内较为理想，在1nm至8nm的范围内更为理想。

第一信息层41包括金属层412、第一电介质层414、记录层416以及第二电介质层418，根据需要还可增加金属层侧界面层413、第一界面层415以及第二界面层417。

接着，对构成第二信息层42的各层进行说明。

作为记录层426的材料，可以使用与第一信息层41的记录层416相同的材料。为了提高第二信息层42的透过率，记录层426的厚度为10nm以下较为理想，在4nm至8nm的范围内更为理想。

金属层422具有与第一信息层41的金属层412相同的功能。即，金属层422具有增加被记录层426吸收的光量的光学功能和扩散由记录层426产生的热的热功能。因此，作为金属层422的材料，可以使用与第一信息层41的金属层412相同的材料。尤其是，Ag合金的导热率大，因此作为金属层422的材料较为理想。

为了提高第二信息层42的透过率，金属层422的厚度为20nm以下较为理想，在3nm至14nm的范围内更为理想。通过使金属层422的厚度在3nm至14nm的范围内，金属层422的光学及热功能变得足够好。

第一电介质层424具有与第一信息层41的第一电介质层414相同的功能。即，第一电介质层424具有调节从记录层426向金属层422的热扩散的热功能和调节反射率或吸收率等的光学功能。因此，作为第一电介质层424的材料，可以使用与第一信息层41的第一电介质层414相同的材料。

为了使光学及热功能变得足够好，第一电介质层424的厚度在1nm至40nm的范围内较为理想，在4nm至30nm的范围内更为理想。

第二电介质层428具有与第一信息层41的第二电介质层418相同的功能。即，第二电介质层428具有防止记录层426的腐蚀及变形等的功能和调整反射率或吸收率等的光学功能。因此，作为第二电介质层428的材料，可以使用与第一信息层41的第二电介质层418相同的材料。第二电介质层428的厚度能够通过基于矩阵法的计算严格地确定，以满足记录层426为结晶相时与为非晶质相时的反射光量的变化增大的条件。

透过率调整层421采用电介质，具有调节第二信息层42的透过率的功能。通过该透过率调整层421，能够使记录层426为结晶相时的第二信息层42的透过率Tc(％)与记录层426为非晶质相时的第二信息层42的透过率Ta(％)都高。

作为透过率调整层421的材料，可以使用TiO₂、ZrO₂、HfO₂、ZnO、Nb₂O₅、Ta₂O₅、Al₂O₃、SiO₂、Cr₂O₃、CeO₂、Ga₂O₃、或者Bi₂O₃等氧化物、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ge-N、Cr-N、或者Al-N等氮化物、ZnS等硫化物的单体，或者它们的混合物。为了提高透过率Tc及透过率Ta，透过率调整层421的折射率nt与消光系数kt为nt≥2.4，且kt≤0.1较为理想。因此，作为透过率调整层421的材料，在上述材料中，使用TiO₂或包含TiO₂的材料较为理想。这些材料的折射率nt大(nt＝2.6至2.8)，消光系数kt小(kt＝0.0至0.1)。因此，使用这些材料形成的透过率调整层421有效地提高第二信息层42的透过率。

在透过率调整层421的厚度大致为λ/8nt(其中，λ为激光31的波长，nt为透过率调整层421的材料的折射率)时，提高透过率Tc及透过率Ta的效果大。假设激光31的波长λ为405nm，透过率调整层421的材料的折射率nt为2.6，将反射率等其他条件也考虑在内，透过率调整层421的厚度在5nm至36nm的范围内较为理想。

金属层侧界面层423、第一界面层425以及第二界面层427分别具有与第一信息层41的金属层侧界面层413、第一界面层415以及第二界面层417相同的功能。另外，金属层侧界面层423、第一界面层425以及第二界面层427可以分别使用与第一信息层41的金属层侧界面层413、第一界面层415以及第二界面层417相同的材料。

接着，对构成第三信息层43的各层进行说明。

构成第三信息层43的各层具有与分别对应的构成第二信息层42的各层同等的功能。另外，构成第三信息层43的各层可以使用与分别对应的构成第二信息层42的各层同等的材料。

光学信息记录介质11能够通过以下说明的方法来制造。

首先，在厚度例如为1.1mm的基板21上层压第一信息层41。第一信息层41由多层膜构成，而第一信息层41的各层能够依次通过溅镀而形成。此外，根据基板21的材料，基板21可能具有高吸湿性。因此，也可以根据需要，在进行溅镀之前实施除去水分的基板退火工序。

第一信息层41的各层可通过在Ar(氩)气、Kr(氪)气或Xe(氙)气等稀有气体空气中或者稀有气体与反应气体(选自氧气及氮气的至少一种气体)的混合气体空气中，对构成各层的材料的溅镀靶材(sputtering target)进行溅镀而形成。作为溅镀方法，根据需要分别使用DC溅镀法与RF溅镀法。通常DC溅镀法可提高成膜率，因此较为理想，但有时电介质材料等导电性低的材料无法用DC溅镀法进行溅镀。因此，包含导电性低的材料的层通过RF溅镀法进行溅镀。此外，虽然是电介质材料但导电性高的材料，或者在溅镀靶材制作时进行优化而提高了导电性的材料等能够通过DC溅镀法或脉冲DC溅镀法进行溅镀。

通过溅镀而成膜的各层的组分有时与原来的溅镀靶材的组分不完全一致。例如，在氧化物的情况下，通过溅镀容易引起缺氧。在此情况下，通过使用氧气作为反应气体，能够对缺氧进行补偿。确定溅镀靶材的组分以使通过溅镀形成的膜成为所期望的组分。此外，通过溅镀靶材以及溅镀而形成的膜例如能够用X射线显微分析仪进行分析以确认组分。

在光学信息记录介质11的制造中，具体而言，首先，使金属层412在基板21上成膜。金属层412可以通过在稀有气体空气中或者稀有气体与反应气体的混合气体空气中对由构成金属层412的金属或合金形成的溅镀靶材进行DC溅镀而形成。

接着，根据需要使金属层侧界面层413在金属层412上成膜。金属层侧界面层413可以通过在稀有气体空气中或者稀有气体与反应气体的混合气体空气中对由构成金属层侧界面层413的材料形成的溅镀靶材进行溅镀而形成。在金属层侧界面层413的材料为金属等导电性高的材料时可以使用DC溅镀法，在为氧化物等导电性低的材料时可以使用RF溅镀法。

接着，使第一电介质层414在金属层侧界面层413上或者金属层412上成膜。第一电介质层414可以通过在稀有气体空气中或者稀有气体与反应气体的混合气体空气中主要利用RF溅镀法对由构成第一电介质层414的材料形成的溅镀靶材进行溅镀而形成。使用RF溅镀法是因为，构成第一电介质层414的材料多为导电性低的材料，不适合DC溅镀。

接着，根据需要使第一界面层415在第一电介质层414上成膜。第一界面层415可以通过在稀有气体空气中或者稀有气体与反应气体的混合气体空气中主要利用RF溅镀法对由构成第一界面层415的材料形成的溅镀靶材进行溅镀而形成。

接着，使记录层416在第一界面层415上或者第一电介质层414上成膜。记录层416可以通过在稀有气体空气中主要利用DC溅镀法对由构成记录层416的材料形成的溅镀靶材进行溅镀而形成。

接着，根据需要使第二界面层417在记录层416上成膜。第二界面层417可以通过在稀有气体空气中或者稀有气体与反应气体的混合气体空气中主要利用RF溅镀法对由构成第二界面层417的材料形成的溅镀靶材进行溅镀而形成。

接着，使第二电介质层418在第二界面层417上或者记录层416上成膜。第二电介质层418可以通过在稀有气体空气中或者稀有气体与反应气体的混合气体空气中主要利用RF溅镀法对由构成第二电介质层418的材料形成的溅镀靶材进行溅镀而形成。

以此方式将第一信息层41层压在基板21上，然后，在第一信息层41上形成分离层22。分离层22能够如以下方式形成。首先，在第一信息层41上涂敷紫外线固化树脂(例如丙烯系树脂或环氧树脂系树脂)或者迟效性热固化树脂。接着，旋转整体使树脂均匀涂开(旋转涂敷)，然后使该树脂固化。此外，在分离层22设置激光31的导向槽的情况下，首先将形成有沟的基板(模子)贴合于固化前的树脂。在此状态下旋转整体进行旋转涂敷，当树脂固化后，基板(模子)被剥离。这样，能够在分离层22上形成导向槽。

第一信息层41的记录层416通常在成膜的状态(沉积(as-depo)的状态)下为非晶质状态。因此，可以根据需要进行照射激光等以使记录层416结晶化的初始化工序。

接着，在分离层22上形成第二信息层42。

具体而言，首先，使透过率调整层421在分离层22上成膜。透过率调整层421可以通过在稀有气体空气中或者稀有气体与反应气体的混合气体空气中利用RF溅镀法或DC溅镀法对由构成透过率调整层421的材料形成的溅镀靶材进行溅镀而形成。

接着，使金属层422在透过率调整层421上成膜。金属层422能够用与第一信息层41的金属层412相同的方法形成。

接着，根据需要使金属层侧界面层423在金属层422上成膜。金属层侧界面层423能够用与第一信息层41的金属层侧界面层413相同的方法形成。

接着，使第一电介质层424在金属层侧界面层423上或者金属层422上成膜。第一电介质层424能够用与第一信息层41的第一电介质层414相同的方法形成。

接着，根据需要使第一界面层425在第一电介质层424上成膜。第一界面层425能够用与第一信息层41的第一界面层415相同的方法形成。

接着，使记录层426在第一界面层425上或者第一电介质层424上成膜。记录层426能够用与第一信息层41的记录层416相同的方法形成。

接着，根据需要使第二界面层427在记录层426上成膜。第二界面层427能够用与第一信息层41的第二界面层417相同的方法形成。

接着，使第二电介质层428在第二界面层427上或者记录层426上成膜。第二电介质层428能够用与第一信息层41的第二电介质层418相同的方法形成。

以此方式将第二信息层42层压在分离层22上，然后在第二信息层42上形成分离层28。分离层28能够用与分离层22相同的方法形成。

此外，也可以在使第二电介质层428成膜以后，或者在形成分离层28以后，根据需要进行照射激光等以使记录层426结晶化的初始化工序。

接着，将第三信息层43层压在分离层28上。

具体而言，将透过率调整层431、金属层432、第一电介质层434、记录层436以及第二电介质层438按此顺序成膜在分离层28上。此时，根据需要，也可以将金属层侧界面层433成膜在金属层432与第一电介质层434之间，将第一界面层435成膜在第一电介质层434与记录层436之间，将第二界面层437成膜在第二电介质层438与记录层436之间。第三信息层43的各层能够用与第二信息层42的各层相同的方法形成。

以此方式将第三信息层43层压在分离层28上后，在第三信息层43上形成透明层23。

透明层23能够如以下方式形成。首先，在第三信息层43上涂敷紫外线固化性树脂(例如丙烯系树脂或环氧树脂系树脂)或者迟效性热固化树脂并进行旋转涂敷后，使该树脂固化。另外，透明层23也可以使用圆盘状的聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、或者降冰片烯系树脂形成。另外，透明层23也可以使用由玻璃等形成的圆盘状的板或片材形成。在此情况下，通过在第三信息层43上涂敷紫外线固化性树脂或迟效性固化性树脂，使板或片材贴合于涂敷的树脂后进行旋转涂敷，然后使固化性树脂固化，由此能够形成透明层23。此外，作为其他的形成方法，也可以在板或片材上预先均匀地涂敷粘合性的树脂后，将板或片材贴合于第二电介质层438。

此外，也可以在使第二电介质层438成膜以后，或者在形成透明层23以后，根据需要进行照射激光等以使记录层436结晶化的初始化工序。

通过以上方式能够制造光学信息记录介质11。此外，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的成膜方法使用了溅镀法，但并不限于此，还可以使用真空蒸镀法、离子镀法、或者MBE(Molecular Beam Epitaxy，分子束外延)法等。

另外，在本实施方式中描述了具备三层信息层的光学信息记录介质11，但在信息层的数目为两个时或者信息层的数目为四个以上时，也能够用与上述相同的方法制造。

另外，在本实施方式中，记录层416、426、436是产生在结晶相与非晶质相之间可逆的相变的层，光学信息记录介质11是可擦写型光记录介质，但光学信息记录介质11也可以是可写入型光记录介质。在此情况下，记录层416、426、436可以是产生不可逆的变化的层。作为产生不可逆变化的层的材料，可以使用例如Te-O-Pd等。在此情况下，第一信息层41的记录层416的厚度在10nm至50nm的范围内较为理想，第二信息层42的记录层426以及第三信息层43的记录层436的厚度在6nm至30nm的范围内较为理想。

无论是可擦写型光记录介质还是可写入型光记录介质，为了高效地进行记录时的热的冷却，都使用导热率高的金属层，并且为了抑制热干扰，最好使金属层较厚。但是，不能为了提高透过率而使金属层过薄，存在越是在激光照射侧的信息层金属层越薄，热的冷却性越是降低的倾向。

(实施例)

下面，利用具体的实施例对本发明进一步具体地进行说明。

在实施例中，发明人制作图9的光学信息记录介质11，研究了第一信息层41、第二信息层42、以及第三信息层43的各信息层的记录特性以及再生特性。

以如下方式制造了样品。首先，作为基板21，准备了形成有用于引导激光31的导向槽(深度20nm，轨道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm，厚度1.1mm)。

然后，在该聚碳酸酯基板上，通过溅镀法依次层压了作为金属层412的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)、作为第一电介质层414的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀层(厚度：25nm)、作为记录层416的(GeTe)₉₇(Bi₂Te₃)₃层(厚度：10nm)、作为第二界面层417(未图示)的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀层(厚度：5nm)、以及作为第二电介质层418的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀层(厚度：60nm)。

用于溅镀上述各层的成膜装置包括分别使金属层412成膜的Ag-Pd-Cu合金溅镀靶材、使第一电介质层414成膜的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀溅镀靶材、使记录层416成膜的(GeTe)₉₇(Bi₂Te₃)₃溅镀靶材、使第二界面层417成膜的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀溅镀靶材、以及使第二电介质层418成膜的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀溅镀靶材。溅镀靶材的形状均为直径100mm、厚度6mm。

金属层412的成膜在Ar气空气中使压力为0.3Pa，使用DC电源以投入功率100W进行。第一电介质层414的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率200W进行。记录层416的成膜在Ar气空气中使压力为0.2Pa，使用DC电源以投入功率50W进行。第二界面层417的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率200W进行。第二电介质层418的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率400W进行。

接着，在第二电介质层418上涂敷紫外线固化性树脂，使形成有导向槽(深度20nm，轨道间距0.32μm)的基板覆盖贴合于其上并进行旋转。因此，形成均匀的树脂层。并且，在使树脂固化后剥离基板。其结果，得到在第二信息层42侧形成有引导激光31的导向槽的、厚度为25μm的分离层22。

然后，在分离层22上，通过溅镀法依次层压了作为透过率调整层421的TiO₂层(厚度：20nm)、作为金属层422的Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)、作为第一电介质层424的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀层(厚度：15nm)、作为记录层426的(GeTe)₉₆(Bi₂Te₃)₄层(厚度：7nm)、作为第二界面层427(未图示)的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀层(厚度：5nm)、以及作为第二电介质层428的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀层(厚度：40nm)。

用于溅镀上述各层的成膜装置包括分别使透过率调整层421成膜的TiO₂溅镀靶材、使金属层422成膜的Ag-Pd-Cu合金溅镀靶材、使第一电介质层424成膜的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀溅镀靶材、使记录层426成膜的(GeTe)₉₇(Bi₂Te₃)₃溅镀靶材、使第二界面层427成膜的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀溅镀靶材、以及使第二电介质层428成膜的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀溅镀靶材。溅镀靶材的形状均为直径100mm、厚度6mm。

透过率调整层421的成膜在Ar与氧的混合气体空气(相对于整体3％的比例的氧气)中使压力为0.3Pa，使用RF电源以投入功率400W进行。金属层422的成膜在Ar气空气中使压力为0.3Pa，使用DC电源以投入功率100W进行。第一电介质层424的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率200W进行。记录层426的成膜在Ar气空气中使压力为0.2Pa，使用DC电源以投入功率50W进行。第二界面层427的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率200W进行。第二电介质层428的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率400W进行。

接着，在第二电介质层428上涂敷紫外线固化树脂，使形成有导向槽(深度20nm，轨道间距0.32μm)的基板覆盖贴合于其上并进行旋转。因此，形成均匀的树脂层。并且，在使树脂固化后剥离基板。其结果，得到在第三信息层43侧形成有引导激光31的导向槽的、厚度为18μm的分离层28。

然后，在分离层28上，通过溅镀法依次层压了作为透过率调整层431的TiO₂层(厚度：30nm)、作为金属层432的Ag-Pd-Cu层(厚度：8nm)、作为第二(应为第一)电介质层434的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀层(厚度：10nm)、作为记录层436的(GeTe)₉₆(Bi₂Te₃)₄层(厚度：6nm)、作为第二界面层437(未图示)的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀层(厚度：5nm)、以及作为第二电介质层438的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀层(厚度：35nm)。

用于溅镀上述各层的成膜装置包括分别使透过率调整层431成膜的TiO₂溅镀靶材、使金属层432成膜的Ag-Pd-Cu合金溅镀靶材、使第一电介质层434成膜的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀溅镀靶材、使记录层436成膜的(GeTe)₉₆(Bi₂Te₃)₄溅镀靶材、使第二界面层437成膜的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀溅镀靶材、以及使第二电介质层438成膜的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀溅镀靶材。溅镀靶材的形状均为直径100mm、厚度6mm。

透过率调整层431的成膜在Ar与氧的混合气体空气(相对于整体3％的比例的氧气)中使压力为0.3Pa，使用RF电源以投入功率400W进行。金属层432的成膜在Ar气空气中使压力为0.3Pa，使用DC电源以投入功率100W进行。第一电介质层434的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率200W进行。记录层436的成膜在Ar气空气中使压力为0.2Pa，使用DC电源以投入功率50W进行。第二界面层437的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率200W进行。第二电介质层438的成膜在Ar气空气中使压力为0.1Pa，使用RF电源以投入功率400W进行。

最后，将紫外线固化性树脂涂敷于第二电介质层438上并使其旋转，形成了均匀的树脂层。随后，照射紫外线使树脂固化，由此形成了厚度为57μm的透明层23。然后，进行利用激光使记录层416、记录层426以及记录层436结晶化的初始化工序。以上述方式，制造了第三信息层43的记录层436的厚度以及第二电介质层438的厚度分别不同的多个样品。

对以上述方式得到的样品，使用图1的光记录再生装置测定了各信息层的误码率。此时，通过使每层的容量为33.4GB的记录方法实施记录，使最短标记长(2T)为0.112μm。另外，记录时以及测定时的样品的线速度为7.38m/s。再生信号用PR(12221)进行PRML处理，测定了误码率。

此时，光记录再生装置通过试写决定记录脉冲的脉冲边缘的位置。光记录再生装置在试写时，最初以不进行间隔补偿的方式进行记录，仅在误码率不满足基准值(4.2×10^-3)的情况下，逐渐增大基于间隔补偿的边缘变化量并进行记录动作。当误码率刚刚满足基准值时，光记录再生装置获得边缘变化量的记录补偿表，决定脉冲边缘的位置。

在本实施例中，使用上述表5、表6、表7、以及表8所示的简化了的记录补偿表。将记录补偿表的值作为控制参数，用如下的16个指标(Δ1至Δ16)规定该控制参数的前间隔长以及后间隔长的变化量。

Δ1＝|A1-A0|

Δ2＝|A2-A0|

Δ3＝|A3-A0|

Δ4＝|A1-A2|

Δ5＝|B1-B0|

Δ6＝|E1-E0|

Δ7＝|E2-E0|

Δ8＝|E3-E0|

Δ9＝|E1-E2|

Δ10＝|F1-F0|

Δ11＝|I1-I0|

Δ12＝|I2-I0|

Δ13＝|I3-I0|

Δ14＝|I1-I2|

Δ15＝|J1-J0|

Δ16＝|P1-P0|

表9是表示对于各信息层，误码率满足了基准时的间隔补偿的控制参数的变化量的表。在本实施例中，使控制参数以Tw/32为单位变化。

(表9)

如表9所示，接近激光31入射侧的第三信息层43以及第二信息层42的间隔补偿的控制参数的变化量大于离激光31入射侧最远的第一信息层41的间隔补偿的控制参数的变化量。

尤其是，与2T标记相关的控制参数的变化量增大。这是因为，接近激光31入射侧的信息层为了提高透过率而具有薄的金属层，冷却速度变慢，并且由于33.4GB这样的高密度记录，最小标记长(2T)变得非常小(0.112μm)，由此热干扰的影响增大。

另外，第一信息层41无需具有高透过率，因此能够使金属层足够厚，与其他信息层相比能够显著提高冷却速度。由此，设想记录脉冲的条件发生较大变化。例如，有时在没有图3中说明的保底功率级别(Pb)的记录脉冲的条件下也能进行良好的记录。这样，若记录脉冲的条件有较大差异，控制参数的倾向发生变化。

表10是表示仅第一信息层41使用了没有保底功率级别(Pb)的记录脉冲时的间隔补偿的控制参数的变化量的表。

(表10)

如表10所示，在仅第一信息层41使用了没有保底功率级别(Pb)的记录脉冲的情况下，有时与接近激光31入射侧的第三信息层43以及第二信息层42的间隔补偿的控制参数的变化量相比，离激光31入射侧最远的第一信息层41的间隔补偿的控制参数的变化量较大。

如上所述，上述实施方式以及实施例的光学信息记录方法通过对光学信息记录介质照射与在多个功率之间调制的记录脉冲串相对应的激光光束形成标记，基于标记以及标记间的间隔的边缘位置记录信息。此时，光学信息记录方法包括：根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成标记的记录脉冲串的控制参数的工序；以及利用基于所选择的控制参数的记录脉冲串记录标记的工序。此外，光学信息记录介质包括N层(N为2以上的整数)具有因激光光束的聚光引起的局部温度变化而产生物理状态变化的记录层的信息层。

此时，在选择记录脉冲串的控制参数的工序中，第一间隔长被分类为m种(m为整数)，第二间隔长被分类为n种(n为整数)。m与n的至少其中之一为2以上。控制参数包括分别对应于第一间隔长和第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数。此时，对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

例如，如果是表5所示的边缘变化量dTS1的情况，则前间隔长(第一间隔长)分类为“2T”与“3T以上”这两种。即，为m＝2。另外，后间隔长(第二间隔长)被分类为“2T”与“3T以上”这两种。即，为n＝2。此时，控制参数包括分别对应于前间隔长和后间隔长的各种组合的(m×n)个，即2×2＝4个控制参数。即，控制参数包括四个控制参数A0、A1、A2以及A3。此时，所谓(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值，是四个控制参数A0、A1、A2以及A3中指定的两个控制参数之差的绝对值。两个控制参数之差的绝对值例如是表9所示的Δ1＝|A1-A0|、Δ2＝|A2-A0|、Δ3＝|A3-A0|、或者Δ4＝|A1-A2|。

对与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的指定的两个控制参数之差的绝对值。例如，如表9所示，在对第三信息层43进行记录时选择的指定的两个控制参数之差的绝对值Δ1、Δ2、Δ3、以及Δ4分别为对第二信息层42进行记录时选择的指定的两个控制参数之差的绝对值Δ1、Δ2、Δ3、以及Δ4以上。

利用以上结构，即使在前侧的信息层的导热率低的情况下，也能够进行高质量的信息的记录。由此，能够通过使前侧的信息层的金属层变薄而实现较高的透过率，从而能够高质量地再生信息。

此外，在表9所示的例子中，第三信息层43的控制参数之差的绝对值Δ1、Δ2、Δ3以及Δ4分别为第一信息层41的控制参数之差的绝对值Δ1、Δ2、Δ3以及Δ4以上的值。此外，第二信息层42的控制参数之差的绝对值Δ1、Δ2、Δ3以及Δ4也分别为第一信息层41的控制参数之差的绝对值Δ1、Δ2、Δ3以及Δ4以上的值。但是，这些关系不是必须的。

如上所述，如果是表10所示的情况，则只要第三信息层43的控制参数之差的绝对值Δ1、Δ2、Δ3以及Δ4分别为第二信息层42的控制参数之差的绝对值Δ1、Δ2、Δ3以及Δ4以上的值，就能够获得上述的效果。

即，在作为N层信息层中的一层信息层的第一信息层和与第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层的至少一个组合中，只要在对第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值即可。

另外，在表9中，与2T标记相关的控制参数的变化量中，尤其是Δ4、Δ9、以及Δ14的值较大。它表示2T标记的前间隔的前间隔长为2T、且2T标记的后间隔的后间隔长为3T以上时与2T标记的前间隔的前间隔长为3T以上、且2T标记的后间隔的后间隔长为2T时的差。即，该控制参数的差是在表5、表6、以及表7中对应于2T标记长的控制参数的前间隔长与后间隔长的条件不对称时的对角位置成分的控制参数的差。也就是，可知，使该控制参数发生较大变化，对于抑制由热干扰的影响造成的记录特性恶化是有效的。

用图11对上述的理由进行说明。图11是表示在本发明的实施例中记录2T标记时的标记排列以及记录脉冲信号的例子的图。在图11中示出用于记录2T标记的记录脉冲根据前间隔长以及后间隔长而发生变化。此外，在图11的标记排列500a至500d中，要记录的2T标记501之前的标记502的标记长(前标记长)与要记录的2T标记501之后的标记502的标记长(后标记长)为2T，但也可以是3T以上。即使前标记长与后标记长为3T以上，以下说明的效果也是同样的。

在图11的标记排列500a中，2T标记501之前的间隔(前间隔)504的间隔长(前间隔长)与2T标记501之后的间隔(后间隔)505的间隔长(后间隔长)均为3T以上。另外，图11的记录脉冲信号510a是标记排列500a所示的记录标记形成时的记录脉冲信号。在此情况下，热干扰的影响小。

在图11的标记排列500b中，2T标记501之前的间隔(前间隔)504的间隔长(前间隔长)为2T，2T标记501之后的间隔(后间隔)505的间隔长(后间隔长)为3T以上。另外，图11的记录脉冲信号510b是标记排列500b所示的记录标记形成时的记录脉冲信号。在此情况下，来自前标记502的热干扰增大，记录脉冲信号510b的脉冲边缘发生变化。在此示出记录脉冲信号510b整体上向前侧变化的例子。

在图11的标记排列500c中，2T标记501之前的间隔(前间隔)504的间隔长(前间隔长)为3T以上，2T标记501之后的间隔(后间隔)505的间隔长(后间隔长)为2T。另外，图11的记录脉冲信号510c是标记排列500c所示的记录标记形成时的记录脉冲信号。在此情况下，来自后标记503的热干扰增大，记录脉冲信号510c的脉冲边缘发生变化。此时，由于与图11的记录脉冲信号510b所示的来自前标记502的作用相反方向的作用，记录脉冲信号510c整体上向后侧变化。

在图11的标记排列500d中，2T标记501之前的间隔(前间隔)504的间隔长(前间隔长)与2T标记501之后的间隔(后间隔)505的间隔长(后间隔长)均为2T。另外，图11的记录脉冲信号510d是标记排列500d所示的记录标记形成时的记录脉冲信号。在此情况下，来自前标记502以及后标记503的热干扰增大。来自前标记502的作用与来自后标记503的作用相互抵消，作为结果，记录脉冲信号510d成为与图11的记录脉冲信号510a的脉冲边缘接近的脉冲波形。

即，前间隔长为2T且后间隔长为3T以上时的控制参数与前间隔长为3T以上且后间隔长为2T时的控制参数的差最大。

换言之，通过设定这种间隔补偿的控制参数的变化量，能够在进行高密度记录的具有两层以上信息层的光学信息记录介质中进行获得良好的记录性能以及再生性能的薄膜设定。

如上所述，根据上述实施方式以及实施例所示的结构，在选择记录脉冲串的控制参数的工序中，当设最短标记长以及最短间隔长例如为2T时，标记之前的间隔的前间隔长可以被分类为2T以及3T以上的至少两种。另外，标记之后的间隔的后间隔长可以被分类为2T以及3T以上的至少两种。在此，若将前间隔长为2T且后间隔长比2T大时的记录脉冲串的控制参数作为第一控制参数，将前间隔长比2T大且后间隔长为2T时的记录脉冲串的控制参数作为第二控制参数，则对与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值大于对第一信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值。

即，在选择记录脉冲串的控制参数的工序中，当设最短的间隔长为k时，第一间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，第二间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，若将第一间隔长为k且第二间隔长比k大时的记录脉冲串的控制参数作为第一控制参数，将第一间隔长比k大且第二间隔长为k时的记录脉冲串的控制参数作为第二控制参数，则对第二信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值大于对第一信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值。

此外，第一控制参数例如是上述的表5、表6以及表7中的“A1”、“E1”、以及“I1”。另外，第二控制参数例如是上述的表5、表6以及表7中的“A2”、“E2”、以及“I2”。因此，上述第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值例如是上述表9中的“Δ4＝|A1-A2|”、“Δ9＝|E1-E2|”、以及“Δ14＝|I1-I2|”的值。

例如，如表9所示，第三信息层的控制参数之差的绝对值Δ4、Δ9、以及Δ14分别大于第二信息层的控制参数之差的绝对值Δ4、Δ9、以及Δ14。

利用以上结构，能够抑制由热干扰的影响造成的记录特性恶化。即，即使在前侧的信息层的导热率低的情况下，也能够进行高质量的信息的记录。换言之，通过设定这种间隔补偿的控制参数的变化量，能够在进行高密度记录的具有两层以上信息层的光学信息记录介质中进行获得良好的记录性能以及再生性能的薄膜设定。由此，能够通过使前侧的信息层的金属层变薄而实现较高的透过率，从而能够高质量地再生信息。

此外，在表9所示的例子中，第三信息层的控制参数之差的绝对值Δ4、Δ9、以及Δ14分别为大于第一信息层的控制参数之差的绝对值Δ4、Δ9、以及Δ14的值。此外，第二信息层的控制参数之差的绝对值Δ4、Δ9、以及Δ14分别为大于第一信息层的控制参数之差的绝对值Δ4、Δ9、以及Δ14的值。但是，这些关系不是必须的。

如上所述，在表10所示的情况下，只要第三信息层的控制参数之差的绝对值Δ4、Δ9、以及Δ14分别为大于第二信息层的控制参数之差的绝对值Δ4、Δ9、以及Δ14的值，就能够获得上述的效果。

即，在N层信息层中的指定的第一信息层和与第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层的至少一个组合中，只要对第二信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值大于对第一信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值即可。

此外，上述实施方式以及实施例中举出的材料以及膜厚是用于实现本发明的各种材料以及膜厚的一例，本发明不限于此。本发明所涉及的光学信息记录介质也可以使用上述实施方式以及实施例中举出的材料以外的材料，另外，也可以设定成上述实施方式以及实施例中举出的各层的厚度以外的厚度。

另外，上述实施方式以及实施例的结构也可以用于使用SIL(Solid Immersion Lens，固体浸没透镜)的光记录再生装置。另外，上述实施方式以及实施例的结构也可以用于基于利用等离子共振的近场记录的光记录再生装置。

此外，上述的具体实施方式中主要包含具有以下结构的发明。

本发明所提供的光学信息记录方法通过对包括N层(N为2以上的整数)具有因激光光束的聚光引起的局部温度变化而产生物理状态变化的记录层的信息层的光学信息记录介质，照射与在多个功率之间调制的记录脉冲串相对应的激光光束形成标记，并利用所述标记以及所述标记间的间隔的边缘位置记录信息，该光学信息记录方法包括：根据所述标记的标记长、所述标记之前的第一间隔的第一间隔长、所述标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成所述标记的记录脉冲串的控制参数的工序；以及利用基于所选择的所述控制参数的记录脉冲串记录标记的工序，其中，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，所述第一间隔长分类为m种(m为整数)，所述第二间隔长分类为n种(n为整数)，所述m与所述n的至少其中之一为2以上，所述控制参数包括分别对应于所述第一间隔长和所述第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数，在对所述N层信息层中与指定的第一信息层相比位于所述激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的所述(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对所述第一信息层进行记录时选择的所述(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

根据该结构，用于形成标记的记录脉冲串的控制参数根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合而加以选择。并且，利用基于所选择的控制参数的记录脉冲串记录标记。在选择记录脉冲串的控制参数时，第一间隔长分类为m种(m为整数)，第二间隔长分类为n种(n为整数)。m与n的至少其中之一为2以上。控制参数包括分别对应于第一间隔长和第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数。在对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

因此，由于在对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的记录脉冲串的控制参数的变化量增大，所以即使在激光光束入射侧的信息层的导热率低的情况下也能够进行高质量的信息的记录。由此，能够通过使激光光束入射侧的的信息层的金属层变薄而实现较高的透过率，从而能够在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的间隔长为k时，所述第一间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，所述第二间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，若将所述第一间隔长为k且所述第二间隔长比k大时的记录脉冲串的控制参数作为第一控制参数，将所述第一间隔长比k大且所述第二间隔长为k时的记录脉冲串的控制参数作为第二控制参数，则对所述第二信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值大于对所述第一信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值。

根据该结构，在选择记录脉冲串的控制参数时，当最短的间隔长为k时，第一间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，第二间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种。若将第一间隔长为k且第二间隔长比k大时的记录脉冲串的控制参数作为第一控制参数，将第一间隔长比k大且第二间隔长为k时的记录脉冲串的控制参数作为第二控制参数，则对第二信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值大于对第一信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值。

因此，能够抑制由热干扰的影响造成的记录特性恶化，即使在激光光束入射侧的信息层的导热率低的情况下，也能够进行高质量的信息的记录或再生。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，所述控制参数是所述记录脉冲串的起始端的脉冲边缘的位置、所述记录脉冲串的从起始端起第二个脉冲边缘的位置、所述记录脉冲串的终端的脉冲边缘的位置、以及所述记录脉冲串的从终端起倒数第二个脉冲边缘的位置的至少其中之一。

根据该结构，通过改变记录脉冲串的起始端的脉冲边缘的位置、记录脉冲串的从起始端起第二个脉冲边缘的位置、记录脉冲串的终端的脉冲边缘的位置、以及记录脉冲串的从终端起倒数第二个脉冲边缘的位置的至少其中之一，能够精密地控制标记的起始端位置。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，所述记录脉冲串通过以三值以上的功率切换激光光束的强度而被调制。根据该结构，能够用三值以上的功率级别调制记录脉冲串。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述标记长被分类为k以及k+1以上的至少两种。

根据该结构，在选择记录脉冲串的控制参数时，当最短的标记长为k时，标记长被分类为k以及k+1以上的至少两种，因此能够选择与至少两种标记长相对应的控制参数。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述标记长被分类为k、k+1、以及k+2以上的至少三种。

根据该结构，在选择记录脉冲串的控制参数时，当最短的标记长为k时，标记长被分类为k、k+1、以及k+2以上的至少三种，因而能够选择与至少三种标记长相对应的控制参数。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述标记长被分类为k、k+1、k+2、以及k+3以上的至少四种。

根据该结构，在选择记录脉冲串的控制参数时，当最短的标记长为k时，标记长被分类为k、k+1、k+2、以及k+3以上的至少四种，因而能够选择与至少四种标记长相对应的控制参数。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述第一间隔长以及所述第二间隔长分别被分类为k以及k+1以上的至少两种。

根据该结构，在选择记录脉冲串的控制参数时，当最短的标记长为k时，第一间隔长以及第二间隔长分别被分类为k以及k+1以上的至少两种，因而能够选择与至少两种第一间隔长以及第二间隔长相对应的控制参数。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述第一间隔长以及所述第二间隔长分别被分类为k、k+1、k+2、以及k+3以上的至少四种。

根据该结构，在选择记录脉冲串的控制参数时，当最短的标记长为k时，第一间隔长以及第二间隔长分别被分类为k、k+1、k+2、以及k+3以上的至少四种，因而能够选择与至少四种第一间隔长以及第二间隔长相对应的控制参数。

另外，在上述光学信息记录方法中，较为理想的是，在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，参照将所述标记长和所述第一间隔长及所述第二间隔长的组合与控制参数对应起来的记录补偿表，控制所述记录脉冲串。

根据该结构，在选择记录脉冲串的控制参数时，参照将标记长和第一间隔长及第二间隔长的组合与控制参数对应起来的记录补偿表，控制记录脉冲串，因而能够容易地选择控制参数。

另外，较为理想的是，上述光学信息记录方法还包括：基于所述标记长、所述第一间隔长、所述第二间隔长的组合分类所述标记，对被分类的所述标记进行试写的工序；再生所述试写的标记和间隔以得到再生信号的工序；以及基于所述再生信号，制作将所述标记长和所述第一间隔长及与所述第二间隔长的组合与控制参数对应起来的记录补偿表的工序。

根据该结构，基于标记长和第一间隔长及第二间隔长的组合分类标记，对被分类的标记进行试写。并且，试写的标记和间隔被再生以得到再生信号。基于再生信号，制作将标记长和第一间隔长及第二间隔长的组合与控制参数对应起来的记录补偿表。

因此，由于利用标记的试写制作记录补偿表，因而能够设定与光学信息记录介质相对应的控制参数。

本发明所提供的光学信息记录装置通过对包括N层(N为2以上的整数)具有因激光光束的聚光引起的局部温度变化而产生物理状态变化的记录层的信息层的光学信息记录介质，照射与在多个功率之间调制的记录脉冲串相对应的激光光束形成标记，并利用所述标记以及所述标记间的间隔的边缘位置记录信息，该光学信息记录装置包括：根据所述标记的标记长、所述标记之前的第一间隔的第一间隔长、所述标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成所述标记的记录脉冲串的控制参数的选择部；以及利用基于所选择的所述控制参数的记录脉冲串记录标记的记录部，所述选择部将所述第一间隔长分类为m种(m为整数)，将所述第二间隔长分类为n种(n为整数)，所述m与所述n的至少其中之一为2以上，所述控制参数包括分别对应于所述第一间隔长和所述第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数，在对所述N层信息层中与指定的第一信息层相比位于所述激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的所述(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对所述第一信息层进行记录时选择的所述(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

因此，由于在对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的记录脉冲串的控制参数的变化量增大，所以即使在激光光束入射侧的信息层的导热率低的情况下，也能够进行高质量的信息的记录。由此，能够通过使激光光束入射侧的的信息层的金属层变薄而实现较高的透过率，从而能够在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息。

另外，在上述光学信息记录装置中，较为理想的是，所述选择部在最短的间隔长为k时，将所述第一间隔长分类为k以及k+1以上的至少两种，将所述第二间隔长分类为k以及k+1以上的至少两种，若将所述第一间隔长为k且所述第二间隔长比k大时的记录脉冲串的控制参数作为第一控制参数，将所述第一间隔长比k大且所述第二间隔长为k时的记录脉冲串的控制参数作为第二控制参数，则对所述第二信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值大于对所述第一信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值。

根据该结构，当选择记录脉冲串的控制参数时，在最短的间隔长为k时，第一间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，第二间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种。若将第一间隔长为k且第二间隔长比k大时的记录脉冲串的控制参数作为第一控制参数，将第一间隔长比k大且第二间隔长为k时的记录脉冲串的控制参数作为第二控制参数，则对第二信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值大于对第一信息层进行记录时选择的第一控制参数与第二控制参数之差的绝对值。

本发明所提供的光学信息再生方法用于从通过上述任一种所述的光学信息记录方法记录了所述标记的光学信息记录介质再生信息，该光学信息再生方法包括：对所述光学信息记录介质照射激光光束再生所述信息的工序。

根据该结构，由于从通过上述任一种所述的光学信息记录方法记录了标记的光学信息记录介质再生信息，因此能够在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地再生信息。

本发明所提供的光学信息再生装置从通过上述任一种所述的光学信息记录方法记录了所述标记的光学信息记录介质再生信息，该装置包括：对所述光学信息记录介质照射激光光束再生所述信息的再生部。

本发明所提供的光学信息记录介质通过照射与在多个功率之间调制的记录脉冲串相对应的激光光束形成标记，并利用所述标记以及所述标记间的间隔的边缘位置记录信息，该光学信息记录介质包括：N层(N为2以上的整数)具有因激光光束的聚光引起的局部温度变化而产生物理状态变化的记录层的信息层，其中，用于形成所述标记的记录脉冲串的控制参数根据所述标记的标记长、所述标记之前的第一间隔的第一间隔长、所述标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合来选择，所述标记利用基于所选择的所述控制参数的记录脉冲串而被记录，在选择所述记录脉冲串的控制参数时，所述第一间隔长被分类为m种(m为整数)，所述第二间隔长被分类为n种(n为整数)，所述m与所述n的至少其中之一为2以上，所述控制参数包括分别对应于所述第一间隔长和所述第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数，在对所述N层信息层中与指定的第一信息层相比位于所述激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的所述(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对所述第一信息层进行记录时选择的所述(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

根据该结构，用于形成标记的记录脉冲串的控制参数根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合而加以选择。并且，利用基于所选择的控制参数的记录脉冲串记录标记。在选择记录脉冲串的控制参数时，第一间隔长被分类为m种(m为整数)，第二间隔长被分类为n种(n为整数)。m与n的至少其中之一为2以上。控制参数包括分别对应于第一间隔长和第二间隔长的各种组合的(m×n)个控制参数。在对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

因此，由于对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的记录脉冲串的控制参数的变化量增大，所以即使在激光光束入射侧的信息层的导热率低的情况下，也能够进行高质量的信息的记录。由此，能够通过使激光光束入射侧的的信息层的金属层变薄而实现较高的透过率，从而能够在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息。

另外，在上述光学信息记录介质中，较为理想的是，在选择所述记录脉冲串的控制参数时，当最短的间隔长为k时，所述第一间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，所述第二间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，若将所述第一间隔长为k且所述第二间隔长比k大时的记录脉冲串的控制参数作为第一控制参数，将所述第一间隔长比k大且所述第二间隔长为k时的记录脉冲串的控制参数作为第二控制参数，则对所述第二信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值大于对所述第一信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值。

此外，在用于实施发明的方式的项目中描述的具体实施方式或实施例只是为了明确本发明的技术内容，不应仅限定于这样的具体例而狭义解释，在本发明的精神和权利要求的范围内，能够进行各种变更并加以实施。

产业上的可利用性

本发明所涉及的光学信息记录方法、光学信息记录装置、光学信息再生方法、光学信息再生装置、以及光学信息记录介质能够在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息，作为通过激光光束的照射在光学信息记录介质上记录信息的光学信息记录方法以及光学信息记录装置、通过激光光束的照射从光学信息记录介质再生信息的光学信息再生方法以及光学信息再生装置、以及具有两层以上信息层的光学信息记录介质是有用的。

Claims

1.一种光学信息记录方法，通过对光学信息记录介质照射与在多个功率之间调制的记录脉冲串相对应的激光光束形成标记，并利用所述标记以及所述标记间的间隔的边缘位置记录信息，其中，所述光学信息记录介质具备N层具有因激光光束的聚光引起的局部温度变化而产生物理状态变化的记录层的信息层，其中N为2以上的整数，该光学信息记录方法的特征在于包括：

根据所述标记的标记长、所述标记之前的第一间隔的第一间隔长、所述标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成所述标记的记录脉冲串的控制参数的工序；以及

利用基于所选择的所述控制参数的记录脉冲串记录标记的工序，其中，

在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，所述第一间隔长被分类为m种，所述第二间隔长被分类为n种，其中，m、n为整数，所述m与所述n的至少其中之一为2以上，

所述控制参数包括分别对应于所述第一间隔长和所述第二间隔长的各种组合的m×n个控制参数，

在对所述N层信息层中与指定的第一信息层相比位于所述激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的所述m×n个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值，大于或等于对所述第一信息层进行记录时选择的所述m×n个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。

2.根据权利要求1所述的光学信息记录方法，其特征在于：

在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的间隔长为k时，所述第一间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，所述第二间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，

将所述第一间隔长为k且所述第二间隔长比k大时的记录脉冲串的控制参数作为第一控制参数，将所述第一间隔长比k大且所述第二间隔长为k时的记录脉冲串的控制参数作为第二控制参数，

对所述第二信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值大于对所述第一信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值。

3.根据权利要求1或2所述的光学信息记录方法，其特征在于：

所述控制参数，是所述记录脉冲串的起始端的脉冲边缘的位置、所述记录脉冲串的从起始端起第二个脉冲边缘的位置、所述记录脉冲串的终端的脉冲边缘的位置、以及所述记录脉冲串的从终端起倒数第二个脉冲边缘的位置的至少其中之一。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学信息记录方法，其特征在于：所述记录脉冲串，通过以三值以上的功率切换激光光束的强度而被调制。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光学信息记录方法，其特征在于：在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述标记长被分类为k以及k+1以上的至少两种。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的光学信息记录方法，其特征在于：在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述标记长被分类为k、k+1、以及k+2以上的至少三种。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的光学信息记录方法，其特征在于：在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述标记长被分类为k、k+1、k+2、以及k+3以上的至少四种。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光学信息记录方法，其特征在于：在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述第一间隔长和所述第二间隔长分别被分类为k以及k+1以上的至少两种。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的光学信息记录方法，其特征在于：在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，当最短的标记长为k时，所述第一间隔长和所述第二间隔长分别被分类为k、k+1、k+2、以及k+3以上的至少四种。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的光学信息记录方法，其特征在于：在选择所述记录脉冲串的控制参数的工序中，参照将所述标记长和所述第一间隔长及所述第二间隔长的组合与控制参数对应起来的记录补偿表，控制所述记录脉冲串。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光学信息记录方法，其特征在于还包括：

基于所述标记长和所述第一间隔长及所述第二间隔长的组合分类所述标记，对被分类的所述标记进行试写的工序；

再生所述试写的标记和间隔以得到再生信号的工序；以及

基于所述再生信号，制作将所述标记长和所述第一间隔长及所述第二间隔长的组合与控制参数对应起来的记录补偿表的工序。

12.一种光学信息记录装置，通过对光学信息记录介质照射与在多个功率之间调制的记录脉冲串相对应的激光光束形成标记，并利用所述标记以及所述标记间的间隔的边缘位置记录信息，其中，所述光学信息记录介质具备N层具有因激光光束的聚光引起的局部温度变化而产生物理状态变化的记录层的信息层，其中N为2以上的整数，该记录装置的特征在于包括：

选择部，根据所述标记的标记长、所述标记之前的第一间隔的第一间隔长、所述标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成所述标记的记录脉冲串的控制参数；以及

记录部，利用基于所选择的所述控制参数的记录脉冲串记录标记，其中，

所述选择部，将所述第一间隔长分类为m种，将所述第二间隔长分类为n种，其中m、n为整数，所述m与所述n的至少其中之一为2以上，

13.根据权利要求12所述的光学信息记录装置，其特征在于：

所述选择部，在最短的间隔长为k时，将所述第一间隔长分类为k以及k+1以上的至少两种，将所述第二间隔长分类为k以及k+1以上的至少两种，

则对所述第二信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值，大于对所述第一信息层进行记录时选择的所述第一控制参数与所述第二控制参数之差的绝对值。

14.一种光学信息再生方法，用于从通过权利要求1至11中任一项所述的光学信息记录方法记录有所述标记的光学信息记录介质再生信息，其特征在于包括：

对所述光学信息记录介质照射激光光束再生所述信息的工序。

15.一种光学信息再生装置，从通过权利要求1至11中任一项所述的光学信息记录方法记录有所述标记的光学信息记录介质再生信息，其特征在于包括：

对所述光学信息记录介质照射激光光束再生所述信息的再生部。

16.一种光学信息记录介质，通过照射与在多个功率之间调制的记录脉冲串相对应的激光光束形成标记，并利用所述标记以及所述标记间的间隔的边缘位置记录信息，其特征在于包括：

N层信息层，所述信息层具有因激光光束的聚光引起的局部温度变化而产生物理状态变化的记录层，N为2以上的整数，其中，

用于形成所述标记的记录脉冲串的控制参数，根据所述标记的标记长、所述标记之前的第一间隔的第一间隔长、所述标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合来选择，

所述标记，利用基于所选择的所述控制参数的记录脉冲串而被记录，

在选择所述记录脉冲串的控制参数时，所述第一间隔长被分类为m种，所述第二间隔长被分类为n种，其中m、n为整数，所述m与所述n的至少其中之一为2以上，

所述控制参数包括分别相对于所述第一间隔长和所述第二间隔长的各种组合的m×n个控制参数，

17.根据权利要求16所述的光学信息记录介质，其特征在于：

在选择所述记录脉冲串的控制参数时，当最短的间隔长为k时，所述第一间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，所述第二间隔长被分类为k以及k+1以上的至少两种，