CN1942937A - 光记录介质、多层光记录介质、以及使用它们的光记录方法和记录装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于多层光记录介质的记录方法，所述多层光记录介质包括M个相变记录层，并且M≥2。所述方法包括：通过利用包括多个激光束脉冲的记录脉冲串而用激光照射所述记录层中的第K个，在第K记录层中记录标记。用于第K记录层的记录脉冲串具有t _(K) [T]的周期，第1记录层是与激光束最近的记录层，并且第M记录层是与激光束最远的记录层，T是时钟周期。满足以下关系：t ₍₁₎＜t _(M)，并且记录脉冲串的周期在激光束照射的方向上从一个记录层到下一个记录层不减小。

Description

光记录介质、多层光记录介质、 以及使用它们的光记录方法和记录装置

技术领域

本发明涉及一种具有相变光记录层并且能够高密度记录的光记录介质，例如可重写DVD(数字多用途盘)，其可被称为“光信息记录介质”或“光盘”，并且，本发明涉及一种使用该光记录介质的光记录方法和光记录装置。

本发明还涉及一种多层光记录介质，其具有两个或多个信息层，每个信息层包含记录层，其中，可以通过用激光束照射信息层以诱发记录层的材料上的光学改变来可重写地记录和再现信息，并且，本发明涉及一种使用该多层光记录介质的光记录方法和光记录装置。

背景技术

近来，对于光记录介质的高速记录的需求已经增加。特别是对于盘形光记录介质，因为可以通过加大旋转速度来加快其记录速度和再现速度，所以记录的加速正在发展。在光盘中，能够在记录期间仅仅利用用于照射的光的调制度来记录信息的光记录介质由于其简单的记录机制而使得能够实现介质本身和记录装置的价格降低，并且保证与仅仅再现的装置的高度兼容性，因为强调制的光也用于再现。出于上述原因，这些光记录介质变得普遍，并且对于高密度和高速记录的需求进一步增加。

在这些光盘中，由于多次重复重写信息的能力而主要使用采用相变材料的那些光盘。在使用相变材料的光盘的情况下，通过利用加强的照射光的调制度使记录层材料经历淬火状态和退火状态来记录信息。在淬火状态中，记录层材料变为非晶形的(amorphous)，并且在退火状态中，记录层材料变为结晶的(crystalline)。由于光特性在非晶相和结晶相之间不同，因此可以记录信息。换句话说，相变光记录介质是这样的介质，其中，利用激光束照射在基板上的薄记录层，以便加热该记录层并且诱发记录层结构上的结晶相和非晶相之间的相变以改变光盘的反射率，由此记录或擦除信息。通常，在具有高反射率的结晶相中形成非记录部分，并且通过形成在具有低反射率的非晶相中形成的标记、以及在非记录部分上具有高反射率的结晶相中形成的空白来记录信息。

由于将这种记录层材料的“淬火”和“退火”的复杂机制用作记录原理，因此在高速记录中，如公知的那样，通过利用其脉冲被划分和强调制为三部分(ternay)的记录光束照射记录介质来记录信息。

用于重复记录包含标记和空白的数据的波形的发射模式或记录策略的示例包括如图7所示的用于DVD+RW等的那些。通过重复地交替峰值功率(Pw＝Pp)束和偏置功率(Pb)束的脉冲照射来形成在非晶状态中的标记，并且通过利用处于所述峰值功率(Pw＝Pp)束和偏置功率(Pb)束之间的中间电平上的擦除功率(Pe)的连续照射来形成在结晶状态中的空白。对于一个或多个空白，可以将擦除功率束二进制化以用于在脉冲模式中的照射。

当利用包含峰值功率束和偏置功率束的脉冲串来照射记录层时，记录层被重复熔化和淬火以形成非晶标记。当利用擦除功率束来照射记录层时，记录层被熔化并且在固相状态中缓慢冷却或退火以便结晶，然后形成空白。通常将包含峰值功率束和偏置功率束的脉冲串分类为引导脉冲、中间脉冲和最后脉冲。仅使用引导脉冲和最后脉冲来记录最短标记3T，并且当记录4T或更多的标记时，除了引导脉冲和最后脉冲之外还使用中间脉冲。中间脉冲被称为“多脉冲”并且是对每个1T周期设置的，并且，每当标记长度在长度上增加1T时，脉冲的数量就增加1。也就是说，相对于标记长度nT，脉冲串的数量是值(n-1)。

当以比4X DVD更快的高速来记录信息时，缩短基本时钟周期T的时间，因此增大了在光源驱动元件上负担的负载。当利用1T周期的脉冲串来照射记录层时，加热时间和冷却时间都缩短，这导致了不能获得以足够的大小形成的非晶标记的问题。为了防止该问题，存在各种建议，其中，减小用于形成非晶标记的脉冲数量，即，将脉冲周期设置为具有长于1T的周期，以保证用于加热和冷却二者的足够时间，使得可以形成具有足够大小的非晶标记(例如，专利文献1到专利文献3以及其它文件)。

此外，在高速记录中，在第一次记录时可以以低抖动来记录信息，然而，当重复记录时，发生抖动显著地急剧提高的事件。图1示出了在重复记录随机模式期间的抖动的变化示例。在第一次重复记录时急剧增大的抖动通过大约10次重复记录而逐渐降低，并且被稳定下来，并且从当通过几千次重复记录到几百万次重复记录而使得层质量变差时的时间直到当抖动再次提高时的时间的抖动变化较小。在与1X DVD到2X DVD一样快的低速记录中也观察到在重复记录的早期中的抖动提高，但是该抖动变化不是那么显著，并且即使当在与1X DVD到2X DVD一样快的低速记录中提高抖动时，也有可能满足标准抖动值。当记录线速度加快时，经常有这样的情况，其中，具体地说，尽管可以在第一次记录时或者在重复记录10次或更多之后执行良好的记录，但是第一次重复记录时的抖动较高并且超过了标准抖动。

假定在重复记录的早期中的这种抖动增加是由在初始化过程中形成的早期结晶相和在记录期间形成的结晶相之间的某些状态上的差异导致的。出于此原因，在其中早期结晶相和在记录期间形成的结晶相混合的重复记录的早期中，发生标记形状的变化，从而导致抖动值增大。假定通过大约10次的重复记录、利用在记录期间形成的结晶相来形成几乎全部记录轨道，因此标记形状的变化被减弱以降低抖动。

因此，在重复记录早期的抖动根据早期结晶状态而显著不同。可以通过在与在记录期间形成的晶体的状态相似的状态下形成早期结晶相来降低在重复记录早期的抖动。具体地说，当初始化用于高速记录的记录层时，通过使用大孔径的光束来以较高的线速度扫描该记录层以使该记录层熔化和结晶，在重复记录早期的抖动趋向于降低。

但是，在高速记录中形成的结晶状态通常是不稳定的，并且即使对于在初始化过程之后立即显示出良好特性的光记录介质，也存在下述趋势：所述状态随着时间的过去而改变，并且在相同的记录条件下将不会执行良好的记录。该现象如图2所示。图2示出了这样的示例：即使在重复记录的早期，也能够在初始化之后立即以低抖动来进行记录，然而，当在第一次重复记录后的一个月在相同的记录条件下在非记录部分中再次记录信息时，抖动提高。因此，有必要降低在重复记录早期中的抖动，即使当早期结晶状态不同于在记录时形成的晶体的状态时也是如此。

作为在减小第一次重复记录时的抖动方面有效的记录方法，专利文献4描述了将引导部分的加热脉冲的开始时间延迟1T或更多。根据本发明的发明人的研究，当把1T的周期用于脉冲串时，该记录方法是有效的方法。但是，当把脉冲周期设置为长于1T以便响应较高速度的记录时，该记录方法是无效的。

此外，专利文献5公开了：可以通过延长引导部分的加热脉冲的照射时间来良好地进行记录。该记录方法在减小重复记录早期中的抖动提高方面也是有效的。但是，在高速记录的情况中，该记录方法具有这样的问题：因为峰值功率值通常较高，所以所述层容易随着延长的照射时间而变差，并且重复记录的耐久性降低。该记录方法还具有这样的问题：在相邻轨道中记录的标记被部分地擦除，并且交叉擦除的频率增大。

诸如致密盘-可重写(CD-RW)的相变光记录介质通常具有这样的基本结构，其中，在塑料基板上形成包含相变材料的记录层，并且在记录层上形成能够提高记录层的光吸收并且具有热扩散效应的反射层，并且，利用来自基板表面的激光束来照射该层状结构，从而记录和再现信息。

用于相变光记录介质的记录层的相变记录材料通过利用激光束重复加热相变材料并且冷却该相变材料来诱发结晶状态和非晶状态之间的相变，并且，所述材料在被迅速加热和淬火时处于非晶状态，并且所述材料在被缓慢冷却时处于结晶状态。相变光记录介质是所述性质被应用于信息记录的那些光记录介质，并且通过利用由在结晶状态和非晶状态之间的光学常数上的差别引起的反射率的差别来再现信息。

相变光记录介质通常包含在基板和记录层之间形成的上保护层(其可被称为上介电层)和在记录层和反射层之间形成的下保护层(其可被称为下介电层)，用于防止通过光束的照射而施加的热量引起的氧化、蒸发和变形。这些保护层具有通过控制所述层的厚度来控制记录介质的光学特性的功能。此外，上保护层还具有防止基板被记录记录层时产生的热量软化的功能。

近来，随着通过计算机等使用的信息量的增加，在诸如DVD-RAM、DVD-RW和DVD+RW的可重写光盘上记录的信号的记录量增加，并且信号信息的高度致密化被迅速提出。到现在2005年为止，致密盘(CD)具有大约650MB的存储容量，并且数字多用途盘(DVD)具有大约7GB的存储容量，然而，预计在不久的将来对高密度记录的需求将进一步增加。

作为用于通过使用这种光记录介质来进行高密度记录的方法，例如，已经提出了其中把要使用的激光波长缩短为蓝色激光波长的方法、以及以下方法：在该方法中，通过增大要用于记录和再现信息的拾取器的物镜的数值孔径(NA)来减小要用于照射光记录介质的激光束的光斑大小。这些方法的研究和开发已经取得进展，并且接近投入实用。

另一方面，作为用于改进光记录介质本身以提高存储容量的方法，已经对于双层光记录介质提出了各种建议，所述双层光记录介质是通过以下方法产生的：在所述方法中，两个信息层分别具有被布置在基板的一个表面上的层状结构中的至少一个记录层和反射层，并且这些信息层通过紫外线固化树脂等而被粘合。粘合在所述信息层之间的中间层具有光学地分离这两个信息层的功能，并且由于用于记录和再现的激光束需要尽可能远地达到内侧信息层，因此该中间层包含尽可能地防止吸收光的材料。但是，对于双层光记录介质，仍然有很多问题要解决。例如，当激光束不足以被传送到从激光束照射侧观看的前侧上形成的信息层(第一信息层)时，在内侧信息层(第二信息层)的记录层中既不能记录也不能再现信息，因此，构成第一信息层的反射层需要是极其薄的半透明反射层。

以下述方式来进行在相变光记录介质上的记录：在所述方式中，利用激光束照射记录层的相变材料，以便将相变材料加热到熔点或更高的温度，然后将该相变材料淬火以便将结晶状态改变为非晶状态，从而形成记录标记。通过将记录层的相变材料加热到结晶温度或更高温度、然后将该相变材料退火以便将非晶状态改变为结晶状态，来擦除信息。

在传统的单层光记录介质中，由于可以足够厚地形成反射层，因此有可能允许由激光束照射引起的余热迅速散失。因此，由于所进行的淬火效应而容易形成非晶状态。类似地，对于双层光记录介质，不需要使激光束被传送到其第二信息层，因此，第二反射层和第二记录层可以被形成为分别具有如可在传统单层光记录介质中看到的那样的厚度，并且当第一信息层具有高透射率时，可以获得良好的记录特性，以及容易地再现信息。

但是，当在双层光记录介质的第一信息层上记录信息、并且使用具有大约10nm的厚度的极薄的半透明反射层时，由于减小了热扩散效应而难以形成非晶标记。为了允许在第二信息层的记录层上记录和再现信息，优选的是，第一信息层具有高透光率。因此，为了在双层光记录介质的第一信息层上记录或擦除非晶标记，有必要利用比单层光记录介质的记录功率或擦除功率高的记录功率或擦除功率的激光束来照射第一信息层，其中在所述单层光记录介质中，可以较厚地形成反射层。例如，已知范围从大约6mW到9mW的擦除功率Pe导致处于范围从3.5米/秒到27.9米/秒的记录线速度的传统DVD单层光记录介质上的良好特性。反之，用于照射DVD双层光记录介质的第一信息层的擦除功率Pe在范围从3.5米/秒到14米/秒的记录线速度处需要大约6mW到9mW，并且需要擦除功率在记录线速度慢于单层光记录介质的记录线速度的环境下具有高密度能量。

另外，由于双层光记录介质需要高擦除功率Pe并且还具有薄第一反射层，因此第一信息层的热扩散特性与单层光记录介质的热扩散特性相比相当差，并且存在关于被形成为超薄的第一记录层所遭受到的热效应的问题。当以范围从3.5米/秒到14米/秒的记录线速度记录信息时，需要具有擦除功率的两倍或更多的功率的记录功率Pp，由这样的高记录功率产生的余热还导致在第一记录层上的热损害，因此存在防止热损害的问题。

例如，专利文献6提出了一种方法，其中，当形成空白时，将擦除功率束二进制化以便用脉冲能量进行照射。但是，在该建议中，在具有用于形成标记的峰值功率Pp的引导脉冲紧前的擦除功率未被降低到偏置功率Pb电平，并且当利用该记录方法记录信息时，存在由余热诱发的热量的过度施加的问题。

另外，当利用如在专利文献7中看到的暂时增大紧接在形成记录标记之前使用的擦除功率的记录方法来记录信息时，其也引起热量的过度施加的问题。

如可以在专利文献8到10中看到的那样，在仅在引导脉冲紧前设置偏置功率Pb的方法中，当在如双层光记录介质中看到的、具有不良热扩散特性的第一信息层中执行记录和擦除时，效果不够，并且存在这样的问题：虽然可以对单层光记录介质充分地发挥效果，但是难以获得良好的记录特性。

因此，当在从多层光记录介质的激光束通量(flux)照射侧观看的前侧上布置的第一信息层中形成的第一记录层上记录信息时，还没有提供下述用于多层光记录介质的记录方法：其能够防止第一记录层遭受到的热损害、适当地记录和擦除信息、并且具有良好的记录特性，其中，所述多层光记录介质包含两个或更多的信息层，在该信息层上，可以通过利用激光束照射信息层以诱发记录层材料上的光学改变来可重写地记录和再现信息。因此，期望关于这种记录方法的迅速发展。

专利文献1  日本专利申请公开(JP-A)第2002-237051号

专利文献2  日本专利申请公开(JP-A)第2002-288837号

专利文献3  日本专利申请公开(JP-A)第2001-331936号

专利文献4  日本专利申请公开(JP-A)第2004-46956号

专利文献5  日本专利(JP-B)第3223907号

专利文献6  日本专利申请公开(JP-A)第2004-63005号

专利文献7  日本专利申请公开(JP-A)第2002-288830号

专利文献8  日本专利申请公开(JP-A)第2001-273638号

专利文献9  日本专利申请公开(JP-A)第2004-47053号

专利文献10 日本专利申请公开(JP-A)第2005-63586号

发明内容

因此，本发明的目的是提供：一种光记录介质，即使在像6X DVD到8XDVD那样快的高速记录时，其也能够在不引起重复记录耐久性变差和串扰增大的情况下、与早期结晶状态无关地减小在重复记录早期中的抖动增大；以及使用该光记录介质的光记录方法和光记录装置。

当在从具有包含相变记录层的两个或多个信息层的多层光记录介质的激光束通量照射侧看的前侧上布置的第一信息层中形成的第一记录层上记录信息时，本发明的实施例还提供了：一种多层光记录介质，其能够防止第一记录层遭受到的热损害、适当地记录和擦除信息、并且具有良好的重复记录特性和在记录灵敏度上出色的两个或多个记录层；以及用于该多层光记录介质的记录方法和记录装置。

根据本发明的第一方面，提供了一种用于多层光记录介质的记录方法，所述多层光记录介质包括M个相变记录层、并且M≥2，所述方法包括：

通过利用包括多个激光束脉冲的记录脉冲串而用激光照射所述记录层中的第K个，在第K记录层中记录标记，用于第K记录层的记录脉冲串具有t_(K)[T]的周期，其中：

第1记录层是与激光束最近的记录层，第M记录层是与激光束最远的记录层，T是时钟周期；其中，满足以下关系：

t₍₁₎＜t_(M)，并且记录脉冲串的周期在激光束照射的方向上从一个记录层到下一个记录层不减小。

在根据所述第一方面的用于多层光记录介质的光记录方法中，可以使布置在其前侧处的记录层的重复记录特性和在其最内侧处的记录的记录灵敏度获得改善。

通过在记录层的前侧处使用1T的记录策略，并且在记录层的最内侧处使用2T的记录策略，可以获得下面的效果。

(1)可以在记录层的前侧处获得良好的抖动特性；

(2)可以改善记录层最内侧的记录灵敏度(利用低记录功率来实现记录)；以及

(3)可以获得提高在记录层最内侧处的调制度的最大值的效果(如可以在图32中看到的那样，在其最内侧(2T的记录策略侧)处的调制度的饱和值比在其前侧(1T的记录策略侧)处的调制度的饱和值高2％。

在1T的记录策略中，如图34所示，为了记录具有nT长度的标记，使用(n-1)个脉冲。

在2T的记录策略中，如图35所示，在使用m个脉冲的具有nT长度的标记的情况下，如果‘n’是偶数则‘n’等于2m，并且如果‘n’是奇数则‘n’等于2m+1(其中m≥1)。

在3T的记录策略中，如图36所示，在使用m个脉冲(其中m≥1)的具有nT长度的标记的情况下，实现以下方程：

当‘n’除以3并且剩余1时，n＝3m-2

当‘n’除以3并且剩余2时，n＝3m-1

以及

当‘n’是3的倍数时，n＝3m。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，对于用于第1和第2层的记录脉冲，满足下面的关系：

t₍₁₎＜t₍₂₎。

本发明的实施例可以包括：使用具有1T周期的记录脉冲串来在第1记录层中记录标记；以及，使用具有2T周期的记录脉冲串来在第2记录层中记录标记。

本发明的实施例可以包括：使用具有1T周期的记录脉冲串来在第1记录层中记录标记；以及

使用具有2T周期的记录脉冲串来在其它记录层中记录标记。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，当在除了第M记录层之外的M个相变记录层的记录层中记录具有nT长度的标记时，满足以下关系：

(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T

其中，n是不小于1的整数，并且Tr表示在引导脉冲的前沿到最后脉冲的前沿之间的间隔。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，满足下面的关系：

0.12T≤Tmp≤0.3T，其中，Tmp表示记录脉冲的宽度。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，在除了从激光束照射侧观看的最内侧处布置的记录层之外的记录层上记录标记，并且通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb中的至少一个偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，通过记录脉冲串来形成标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，通过记录脉冲串来形成标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，通过记录脉冲串来形成标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N可以是从1到3的整数中的任何一个。

可以在所述两个或多个相变记录层的每一个上记录信息，并且可以通过对于所述两个或多个相变记录层的每一个改变以下比率中的至少一个来记录该信息：在记录功率电平Pp和擦除功率电平Pe之间的比率e(Pe/Pp)、以及在记录功率电平Pp和冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN之间的比率d1、...dN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，在记录具有nT(其中n是1或更大的整数，并且T表示时钟周期)长度的记录标记时使用的记录功率电平Pp的照射脉冲的数量被表示为m(其中m是1或更大的整数)，如果值n是偶数则满足关系n＝2m，并且如果值n是奇数则满足关系n＝2m+1。可以通过仅将最短的标记增加一个脉冲来记录所述标记。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，在擦除功率电平Pe的照射期间，包括比擦除功率Pe低的擦除功率电平Pe^-的脉冲结构。

本发明的实施例可以提供一种方法，其中，当在多层光记录介质的每个信息层上记录信息时，从布置在自激光束通量照射侧观看的前侧上的信息层起依序记录信息。

T对于每个记录层可以是相同的时钟周期。

根据本发明的第二方面，提供了一种用于多层光记录介质的记录装置，所述多层光记录介质包括M个相变记录层，并且M≥2，所述装置被布置为：

使用被布置为利用包括多个激光束脉冲的记录脉冲串来照射第K记录层的激光来在第K记录层中记录标记，用于第K层的记录脉冲串具有t_(K)[T]的周期，其中：

第1记录层是与激光束最近的记录层，第M记录层是与激光束最远的记录层，并且1≤K≤M，T是时钟周期；

其中，满足以下关系：

t₍₁₎＜t_(M)，并且记录脉冲串的周期在激光束照射的方向上从一个记录层到下一个记录层不减小。

在这样的装置中，可以使布置在其前侧处的记录层的重复记录特性和在其最内侧处的记录的记录灵敏度获得改善。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得对于用于第1和第2层的记录脉冲满足以下关系：t₍₁₎＜t₍₂₎。

在一些实施例中，所述装置被布置为：使用具有1T周期的记录脉冲串来在第1记录层中记录标记；并且使用具有2T周期的记录脉冲串来在第2记录层中记录标记。

在一些实施例中，所述装置被布置为：使用具有1T周期的记录脉冲串来在第1记录层中记录标记；并且使用具有2T周期的记录脉冲串来在其它记录层中记录标记。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得当在除了第M记录层之外的M个相变记录层的记录层中记录具有长度nT的标记时，满足以下关系：

(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T

其中，n是不小于1的整数，Tr表示在引导脉冲的前沿到最后脉冲的前沿之间的间隔。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得满足以下关系：

0.12T≤Tmp≤0.3T，其中Tmp表示记录脉冲的宽度。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得在除了从激光束照射侧观看的最内侧上布置的记录层之外的记录层上记录标记，并且通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb中的至少一个偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得通过记录脉冲串来形成标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe和在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得通过记录脉冲串来形成标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得通过记录脉冲串来形成标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N可以是从1到3的整数中的任何一个。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得当在所述两个或多个相变记录层的每一个上记录信息时，通过对于所述两个或多个相变记录层的每一个改变以下比率中的至少一个来记录该信息：在记录功率电平Pp和擦除功率电平Pe之间的比率e(Pe/Pp)，以及在记录功率电平Pp和冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN之间的比率d1、...dN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得：当在记录具有nT(其中n是1或更大的整数，并且T表示时钟周期)长度的记录标记时使用的记录功率电平Pp的照射脉冲的数量被表示为m(其中m是1或更大的整数)，如果值n是偶数则满足关系n＝2m，并且如果值n是奇数则满足关系n＝2m+1。可以通过仅将最短标记增加一个脉冲来记录所述标记。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得在擦除功率电平Pe的照射期间，包括比擦除功率Pe低的擦除功率电平Pe^-的脉冲结构。

在一些实施例中，所述装置被布置为使得当在多层光记录介质的每个信息层上记录信息时，从布置在自激光束通量照射侧看到的前侧上的信息层起依序记录该信息。

T对于每个记录层可以是相同的时钟周期。

附图说明

图1是示例性地示出在重复记录随机模式期间地抖动变化示例的曲线图。

图2是示出紧接在初始化之后显示的抖动和在初始化后的一个月重复记录该随机模式时的抖动的曲线图。

图3是示例性地示出基于DVD规格(specification)和高速规格的相变光记录介质的示例的示意图。

图4是示例性地示出以下现象的视图：由第一加热脉冲形成的非晶部分由于重新结晶而消失，但是，通过第一加热脉冲的预热效果提高了照射第二加热脉冲时的温度，以加宽熔化区域并且因此增大标记的外围部分。

图5是示例性地示出了用于实现本发明实施例的光记录方法的光记录装置的示例的方框图。

图6是示出在示例A-1到A-4中以及在比较示例A-1和A-2中重复记录了随机模式之后的抖动的曲线图。

图7是示出用于重复记录包含在DVD+RW等中使用的标记和空白的数据的波形的发射模式(记录策略)的曲线图。

图8是示出用于在示例中使用的每个标记长度的波形的发射模式(记录策略)的曲线图。

图9是示出在改变6T或更大的引导标记的第二冷却脉冲的长度的情况下、当在第一记录时记录随机模式的时候以及在重复记录随机模式10次之后的该标记的抖动检查结果的曲线图。

图10是示出在将Pp固定在38mW并且改变Pe值以改变Pe/Pp的值的情况下、当在第一记录时记录随机模式的时候以及在重复记录随机模式10次之后的相应抖动的曲线图。

图11是示例性地示出了当与其中设置Pc1到PcN的功率电平的、本发明的一些实施例的第一方面有关的记录方法中的N＝1时的激光发射模式的示例的视图。

图12是示例性地示出了当与其中设置Pc1到PcN的功率电平的、本发明的一些实施例的第一方面有关的记录方法中的N＝2时的激光发射模式的示例的视图。

图13是示例性地示出了当与其中设置Pc1到PcN的功率电平的、本发明的一些实施例的第二方面有关的记录方法中的N＝1时的激光发射模式的示例的视图。

图14是示例性地示出了当与其中设置Pc1到PcN的功率电平的、本发明的一些实施例的第三方面有关的记录方法中的N＝1时的激光发射模式的示例的视图。

图15是示例性地示出传统记录方法中的激光发射模式示例的视图。

图16是示例性地示出传统记录方法中的激光发射模式的另一示例的视图。

图17是示例性地示出根据本发明实施例的双层光记录介质的层状结构的示例的横截面图。

图18是示出在单层光记录介质的记录层中的Sb含量的量和记录线速度之间的关系的曲线图。

图19是图示不对称(asymmetry)的图。

图20是示出当利用图11所示的记录策略来向第一和第二信息层记录信息时、与第二信息层的记录特性相比较的第一信息层的记录特性的视图。

图21是示出当包括擦除功率Pe^-时的激光发射波形的视图。

图22是示出与在示例B-28中准备的双层相变光记录介质的记录特性相比较的、在示例B-34中准备的双层相变光记录介质的第二信息层的记录特性的曲线图。

图23是示出与在比较示例B-32中获得的调制度相比较的、在示例B-47中获得的调制度的曲线图。

图24包括(1)、(2)和(3)：

(1)图示了传统单层光记录介质的记录方法的示例。

(2)图示了从其光束照射侧观看的、传统双层光记录介质的前侧上形成的信息层的记录方法的示例。

(3)图示了从其光束照射侧观看的、传统双层光记录介质的前侧上形成的信息层的记录方法的另一示例。

图25是示出对于在示例B-17中准备的双层相变光记录介质比较的抖动的曲线图。

图26是示出对于在示例B-18中准备的双层相变光记录介质比较的抖动的曲线图。

图27是示出对于在示例B-18中准备的双层相变光记录介质比较的调制度的曲线图。

图28是示出在本发明中使用的记录脉冲策略的参数的视图。

图29是示出在从激光束照射侧观看的前侧处布置的记录层上、通过改变参数的数量来重复记录多达10次的记录特性的比较结果的视图。

图30是示出在从激光束照射侧观看的前侧处布置的记录层上、通过改变参数的数量来重复记录多达500次的记录特性的比较结果的视图。

图31示出了在图29和30中实际使用的记录策略的参数。

图32是示出记录功率和调制度之间的关系的曲线图。

图33是示例性地示出在其上安装了本发明的单面多层光记录介质的光记录装置的视图。

图34是示出1T的记录策略的波形的视图。

图35是示出2T的记录策略的波形的视图。

图36是示出3T的记录策略的波形的视图。

具体实施方式

(光记录介质、光记录方法和光记录装置)

根据按照本发明一些实施例的光记录方法，当利用激光束来照射光记录介质、并且通过其中用nT(T表示基本时钟周期，并且n是自然数)来表示记录标记的时间长度的标记长度记录方法来记录信息时，通过交替进行利用功率Pp的加热脉冲和功率Pb(Pp＞Pb)的冷却功率的照射“m”次来形成记录标记，满足条件m≤(n/2+1)，并且引导冷却脉冲的照射时间是0.2T到0.4T。

根据本发明实施例的光记录介质被用于所述光记录方法中，并且包含基板、第一保护层、相变记录层、第二保护层和反射层，其每一个以层状结构而被形成在基板上，并且相变记录层包含Sb以及从由Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Bi、Se和Te构成的组中选择的一个或多个元素。

在根据本发明实施例的光记录装置中，使用激光束来照射光记录介质，并且通过其中用nT(T表示基本时钟周期，并且n是自然数)表示记录标记的时间长度的标记长度记录方法来记录信息。所述光记录装置包含：旋转驱动机构，被配置用来旋转光记录介质；激光源，被配置用来发射用于照射光记录介质的激光束；以及光源驱动单元，被配置用来发射激光源；发射波形控制单元，被配置用来通过设置与由激光源发射的光束的发射波形相关的记录策略来控制光源驱动单元，并且该记录策略被设置为使得：通过交替地利用加热脉冲功率Pp和冷却脉冲功率Pb(Pp＞Pb)照射“m”次来形成记录标记，m≤(n/2+1)，并且第一次冷却脉冲的照射时间是0.2T到0.4T。

本发明的实施例可以被应用于光记录方法，并且包括所使用的光信息再现装置的光记录装置可以利用光束照射而通过强度调制记录、擦除或重写信息，其中对于所述光记录装置，可以以高速、例如以与6X DVD到8X DVD那样快或更大的记录速度来记录信息。

图3示出了适合于本发明的一些实施例的光记录方法的、基于DVD规格和高速规格的相变光记录介质的示例。

在图3中，相变光记录介质106包含在具有导槽的透明基板101上的第一保护层102、相变记录层103、第二保护层104、反射层105、抗硫化层107和有机保护层108，并且还根据需要包含其它层。

透明基板101的材料不受具体限制、可以根据所希望的用途来适当地选择，但是，从耐热性、抗冲击性、低吸水特性等方面来看，优选地使用聚碳酸酯树脂。

基板101的折射率最好是1.5到1.65。当折射率大于1.65时，整个盘的折射率降低，而当折射率小于1.5时，作为折射率增大的结果，调制度可能变小。基板101的厚度最好是0.59mm到0.62mm。当基板厚度比0.62毫米厚时，可能存在拾取透镜的聚焦性能的问题，当所述厚度比0.59mm薄时，可能存在由于没有记录和再现装置的夹具而导致旋转数目不稳定的问题。此外，当在厚度上的圆周均匀性(uniformity)大于上述范围时，可能存在信号强度在盘的圆周上变化的情况。

对于相变记录层103，使用包含Sb以及从由Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Ag、Bi、Se和Te构成的组中选择的一个或多个元素的材料。

当Sb被用作基体、并且与和Sb是二价的并具有大约600℃或更少的共晶点(eutectic point)的元素或形成固溶体的元素组合时，有可能形成适合于在非晶状态和结晶状态之间执行重复记录的记录层。根据要与Sb组合的元素的类型和数量，控制诸如结晶速率(rate)、记录特性、存储稳定性和初始化的容易性的特性。要与Sb组合的元素是一个或多个，并且根据必要性可以是几种类型。可以向上述元素和Sb之间的合金增加二价或更大的其它元素。

当以高速重复记录信息时，需要以高速结晶非晶标记，因此，特别是当以像6X DVD到8X DVD那样快或更大的高速来进行记录时，Sb的使用通常是50原子百分比(50atomic％)到90原子百分比，并且最好是60原子百分比到85原子百分比。当Sb的使用小于50原子百分比时，结晶速率很低以至于非晶标记在重复记录时保持不被擦除，这导致了抖动和错误数量的增加。当所述使用大于90原子百分比时，难以形成非晶标记。

当相变记录层103的厚度比8nm薄时，调制度小，并且再现光束的稳定性降低。当它比22nm厚时，抖动显著增大。因此，相变记录层103的厚度通常是8nm到22nm，并且优选的是，当将其设置在11nm到16nm的范围中时，特别地改善了重复记录的耐久性。

对于反射层105，传统上使用基于Al的合金。Al具有高反射率和高导热率，并且当被形成在盘中时在时间稳定性上较为优秀。但是，当记录材料的结晶速率高时，利用将Al合金用于反射层105的盘，容易使记录标记变薄，可能难以用足够的调制度来进行记录。作为此的原因，当结晶速率高时，熔化区域中的重新结晶区域在记录时变得更大，要形成的非晶区域大小变小。为了在大小上减小重新结晶的区域，仅需要使第二保护层104较薄以便具有淬火结构，然而，仅仅简单地使第二反射层104较薄不会使记录层的温度足够地增大，并且熔化区域大小减小。因此，即使在可以减小重新结晶的区域的大小时，也会因此减小要形成的非晶区域的大小。在650nm到670nm的波长处的折射率(n+ik)中，当具有比Al的‘n’和‘k’值小的‘n’和‘k’值的金属被用于反射层时，记录层的吸收率增大，并且还可以增大调制度。具有比Al的‘n’和‘k’值小的‘n’和‘k’值的金属的示例包括作为主要组分的Au、Ag、Cu以及以其为基础的合金。这里，作为主要组分意味着以90原子百分比或更多而在材料中包括该组分，并且最好以95原子百分比或更多而包括该组分。

Au、Ag和Cu分别具有比Al更高的导热率，并且当这些金属被用作反射层时，有下述效果：提高记录层的光吸收率，并且升高记录层的温度以便增大熔化区域的大小，以及提高冷却速率以便在冷却时减小重新结晶区域的大小，并且由此形成比在使用Al合金的情况中更大的非晶区域。通过光调制度和标记的大小来确定记录标记的调制度，并且利用增大的光调制度和记录标记的大小，记录标记的调制度大小增大。因此，即使当使用具有高结晶速率的材料作为记录层而以高线速度记录信息时，也由于这种反射层具有高吸收率和高冷却速率而可以通过使用该反射层来形成大记录标记，并且还有可能由于增大了结晶相和非晶相之间的反射率差而以高调制度记录信息。

在Au、Ag、Cu和以其为基础的合金中，具体地说，Ag和Ag合金在成本上比较便宜，并且与在成本上也较便宜的Cu和Cu合金相比更难以被氧化，因此有可能产生在长期稳定性上优越的记录介质，并且最好将Ag和Ag合金用于反射层。

当反射层的厚度是90nm或更多时，几乎没有透射的光束，并且可以有效地使用光束，因此，厚度最好是90nm或更多。利用增大的反射层105的厚度，记录介质的冷却速率被提高，然而，有益的是，当使用具有高结晶速率的记录层时，冷却速率对于200nm或更小的厚度饱和，即使在使反射层105比200nm厚时，在记录特性上也没有改变，并且只是花费额外的时间来形成所述层。因此，优选的是形成具有200nm或更小的厚度的反射层105。

当将Ag或Ag合金用作反射层105、并且将包括S的材料用于第二保护层时，需要抗硫化层107。对抗硫化层要求的特性的示例包括不包含S并且不传送(transmitting)到S。本发明的发明人形成各种氧化层、氮化层等作为抗硫化层107，以便评估其记录特性和存储稳定性。在结果中，评估结果显示：SiC、Si、或者由SiC或Si的任何一个作为主要组分形成的材料具有良好的功能。这里，作为主要组分意味着在所述材料中以值为90的摩尔(mole)百分数或更多来包括SiC或Si，并且最好是以值为95的摩尔百分数或更多来包括SiC或Si。

抗硫化层107的厚度最好是3nm到22nm。当抗硫化层107的厚度是3nm或更大时，由于通过溅射形成的层被均匀地形成而施加抗硫化功能，然而，当其厚度比3nm薄时，局部造成缺陷的概率急剧变高。当厚度大于22nm时，反射率随着增大的厚度而减小，并且由于抗硫化层的沉积速率最大等于记录层，因此当抗硫化层107比记录层厚时，生产效率降低。由于这些原因，优选的是：形成抗硫化层107以便在最大时不具有比记录层的厚度更厚的厚度。结果，抗硫化层107的优选上限厚度是22nm。

对于第一保护层102和第二保护层104，除了诸如耐热性的作为保护层的功能之外，它们还分别具有高折射率和高耐热性，因此，使用具有接近8∶2的摩尔比的ZnS和SiO₂的混合物，在该混合物中，可以通过控制厚度来有效地利用入射光束。

第一保护层102的厚度优选的是40nm到220nm，并且更优选的是40nm到80nm。该厚度值主要由反射率确定，并且在该厚度范围中，选择其中可以获得足够的反射率和足够的记录灵敏度的厚度。当第一保护层102的厚度比40nm薄时，耐热性差，并且对于基板1的损坏增大，从而导致在重复记录时的抖动增大。当第一保护层102的厚度比220nm厚时，记录灵敏度由于过度的高反射率而降低。

第二保护层104的厚度优选的是2nm到20nm，并且更优选的是6nm到14nm。该厚度值主要由导热率确定。由于还在第二保护层104上形成反射层，因此在记录层中吸收的热量通过第二保护层104扩散到反射层以便冷却。因此，当在过薄的层中形成第二保护层104时，热扩散速度太快而不能充分地增大记录层的温度，从而导致记录灵敏度降低。当第二保护层104过厚时，这使得由于不足的冷却速率而难以形成非晶标记。

通过溅射以第一保护层102、相变记录层103、第二保护层104、抗硫化层107和反射层105的顺序在基板101上形成上述层，并且随后，通过旋涂而在反射层105上形成有机保护层108。在此状态下的层或者还进行粘合步骤并且然后进行初始化步骤的层将被用作光记录介质6。所述粘合是这样的步骤，其中，通过有机保护层将具有与基板相同的大小并且通常由与基板相同的材料组成的板粘合到基板上。

所述初始化是这样的步骤，其中，利用具有大约1W至2W的、在大约1×几十微米到几百微米中形成的激光束来照射该层结构，紧接在形成所述层之后处于非晶状态中的相变记录层103被初始化。

在下文中，将描述基于如上所述的高速规格、具体地说是所述记录策略对光记录介质6进行的本发明实施例的光记录方法。

这里，将使用记录标记长度和标记间长度调制系统来记录信息，其中在所述系统中，对于光记录介质6应用PWM(脉冲宽度调制)。根据所述记录系统，可以通过使用基本时钟周期T作为单位来控制记录标记的长度和在所记录的标记之间的长度，来记录信息。该记录系统特征在于高度致密化的能力，因为该记录系统能够使记录密度比在作为光记录介质的记录方法之一的标记位置调制系统中高，并且该记录系统是在光盘中采纳的调制系统，诸如在CD、DD(双密度)CD中采用的EFM以及在DVD中采用的EFM+。在记录标记长度和标记间长度调制系统中，重要的是适当地控制记录标记的长度和在所记录的标记之间的长度(以下称为“空白长度”)。在这些调制系统中，记录标记长度和空白长度相对于基本时钟周期T都具有nT的时间长度(n是3或更大的自然数)。

根据本发明的实施例，对于使用峰值功率Pp、擦除功率Pe和偏置功率Pd的三个值的记录策略，其基于这样的假设：使用用于减少脉冲数量的方法，使得作为高速规格来充分加热和冷却记录层，也就是说，其基于这样的方法：其中，通过利用‘m’个脉冲的照射来形成具有nT长度的非晶标记(m是整数，并且满足条件m≤(n/2+1))，通过重复地交替峰值功率Pp光束和偏置功率Pb光束来形成所述‘m’个脉冲，其中m表示整数；通过利用擦除功率Pe光束的照射来形成在非晶标记之间具有nT长度的结晶空白。因此，利用2个脉冲或更少来形成作为基于EFM+调制系统形成的最小标记的3T，利用3个脉冲或更少来形成4T和5T，利用4个脉冲或更少来形成6T和7T，利用5个脉冲或更少来形成8T和9T，利用6个脉冲或更少来形成10T和11T，并且利用8个脉冲或更少来形成14T。脉冲数量主要由记录线速度确定，并且记录线速度越快，脉冲数量减少得越多。

在如上所述的高速规格条件下，在具有形成非晶标记的加热脉冲和冷却脉冲的脉冲串中的引导冷却脉冲时间是0.2T到0.4T。当通过利用三个或更多加热脉冲和冷却脉冲串的照射来形成标记时，第二冷却脉冲时间是1.0T到2.5T。擦除功率Pe与峰值功率Pp的比率是0.1≤Pe/Pp≤0.4。

这些设计使得有可能较厚地形成非晶标记边缘，因此，边缘的形状几乎不受外围晶体状态影响，并且有可能防止在重复记录早期的抖动增大，以及防止交叉擦除，而不降低重复记录的耐久性。

当标记边缘较薄时，晶体状态的差别容易被反映为抖动的增大，在重复记录早期的抖动增大进一步增大。因为在使用Sb作为主要组分的记录层的情况下由于晶体的生长而导致结晶从与晶体的边界开始进行，所以出现这一现象。

通常，温度越高，晶体的生长越快。出于这一原因，当在结晶相和非晶相之间的边界位于其中它具有较高温度的轨道的中心部分时，结晶容易进行，并且当在晶体状态上存在差别时，在利用脉冲串的照射过程中，容易发生标记边缘形状的变化。当标记边缘较厚并且在结晶相和非晶相之间的边界远离轨道的中心部分时，即使当在结晶状态上存在差别时，因为温度低并且晶体生长速率慢，所以也难以发生标记边缘形状的变化。

此外，由于记录和再现光束通常具有高斯分布，因此在再现时，与由于远离轨道中心部分的标记的形状改变导致的反射率改变相比，位于该轨道中心部分的标记的形状改变更多地影响光束。由于上述原因，可以说，当标记边缘的形状最初较厚时，它难以受到晶体状态的差别影响，并且当标记边缘的形状较薄时，它容易受到晶体状态的差别影响。因此，较厚地记录标记边缘是有效的方法。

由于用于高速记录的相变记录层的结晶速率通常较快，因此如在本发明实施例的引导冷却脉冲的设置中看到的那样，几乎不考虑缩短冷却脉冲的照射时间。这是因为当缩短冷却脉冲的照射时间时，由紧接在冷却脉冲之前的加热脉冲形成的非晶标记被重新结晶，并且不能形成足够大的非晶标记，导致抖动增大。然而，本发明的发明人发现：可以通过大胆地缩短引导冷却脉冲的照射时间来以大尺寸形成标记边缘。作为对仿真和TEM画面的观察的考虑结果，发现：由第一加热脉冲形成的非晶部分由于重新结晶而消失，然而，通过第一加热脉冲的预热效果升高了在使用第二加热脉冲照射期间的温度，并且所升高的温度加宽了熔化区域，并且因此扩大了标记边缘。图4示意地示出了该现象。

类似地，也有可能在未设置引导冷却脉冲时以大尺寸形成标记边缘，并且按照第一加热脉冲可能继续到第二加热脉冲的方式来延长第一加热脉冲。然而，在这种情况下，因为峰值功率的连续照射，温度过度升高，并且加速了层的质量的变差，从而导致重复记录的耐久性降低。另外，由于升高了相邻轨道的温度，因此导致交叉擦除现象，其中，已经记录在相邻轨道中的非晶标记被部分擦除。

引导冷却脉冲应当在0.2T到0.4T之间。当引导冷却脉冲被设置为具有短于0.2T的周期时，很难获得冷却效果，并且它表现出与延长第一加热脉冲的情况中的行为相似的行为，从而引起重复记录耐久性的降低和串扰的增大。当引导冷却脉冲被设置为具有长于0.4T的周期时，由第一加热脉冲形成的非晶部分保持，因此所述非晶部分具有薄边缘，从而导致在重复记录早期的增大的抖动。

如传统上考虑的那样，在通过三个或更多脉冲串形成标记的情况中的第二冷却脉冲需要被充分延长。利用这种配置，可以防止由第三加热脉冲进行的重新结晶以便以形成大尺寸的标记边缘。第二冷却脉冲被设置为具有1.0T至2.5T之间的周期。当第二冷却脉冲被设置为具有短于1.0T的周期时，第三加热脉冲影响在利用第二冷却脉冲的照射过程中所形成的非晶部分的重新结晶的进行，从而导致增大的抖动。当第二冷却脉冲长于2.5T时，不能形成连续的标记。

当擦除功率Pe与峰值功率Pp的比率小于0.4或更小时，有效地施加上述记录策略。作为本发明的发明人的研究结果，当以与6X DVD那样快或更大的速度来记录信息、并且擦除功率Pe与峰值功率Pp的比率增大到大于0.4时，即使在第一记录时抖动也增大。原因未被澄清，然而，认为由于在高速记录的情况下记录时间较短，因此不能充分地加热记录层，除非增大值Pp，然而，当值Pe也被增大时，其导致冷却不足，并且相反，增大了抖动。然而，当值Pe低时，由第一峰值功率引发的温度上升可能不够。在这种情况下，在重复记录早期的抖动趋向于增大，然而，可以通过将第一加热脉冲用作预热脉冲来解决该问题，如可以在本发明的实施例中看到的那样。然而，当值Pe/Pp小于0.1时，擦除功率有可能不够，并且抖动在整个重复记录中增大，即使第一记录显示出良好的抖动特性也是如此。

接着，将参照图5来描述用于实现基于上述记录策略的光记录方法的光记录装置的配置示例。

该光记录装置包含旋转控制机构122，其具有：主轴电动机121，可旋转地驱动光记录介质106；和光头124，在所述光头124中，在盘径向上以可寻找和移动(seek-and-movably)的方式布置物镜和诸如激光二极管LD 123的激光光源，其中利用聚焦的激光束通过所述物镜来照射光记录介质106。致动器控制机构25连接到物镜驱动单元和光头124的输出系统。包括可编程BPF26的摇摆检测单元27连接到致动器控制机构25。从所检测的摇摆信号中解调地址的地址解码电路28连接到摇摆检测单元27。包括PLL合成器电路29的记录时钟产生单元30连接到地址解码电路28。驱动控制器31连接到PLL合成器电路29。旋转控制机构122、致动器控制机构25和摇摆检测单元27以及地址解码电路28也连接到与系统控制器32连接的驱动控制器31。

系统控制器32基于包含CPU等的所谓的微计算机配置。EFM编码器34、标记长度计数器35、脉冲数量控制单元36连接到系统控制器32。要作为发射波形控制单元的记录脉冲控制单元37连接到EFM编码器34、标记长度计数器35、脉冲数量控制单元36和系统控制器32。记录脉冲串控制单元37包含产生由记录策略定义的多个脉冲(用于峰值功率Pp的接通脉冲和用于偏置功率Pb的截止脉冲)的多脉冲产生单元38、边缘选择器39、以及脉冲边缘产生单元40。

LD驱动器单元42连接到记录脉冲串控制单元37的输出侧。LD驱动器42充当光源驱动单元，其被配置用来通过切换用于记录功率Pw(峰值功率Pp)、擦除功率Pe和偏置功率Pb的每个单独的驱动电流源41，来驱动光头124中的激光二极管LD 123。

在这种配置中，为了在光记录介质106中记录信息，主轴电动机121的转数由旋转控制机构122在驱动控制器31的控制下进行控制，以便具有与预期的记录速度相对应的记录速度，然后通过由可编程BPF 26从由光头124获得的推挽信号分别检测的摇摆信号来进行地址解调，并且通过PLL合成器电路29来产生记录通道时钟。接着，为了通过使用激光二极管LD 123来产生记录脉冲串，在记录脉冲串控制单元37中输入记录通道时钟和作为要记录的信息的EFM+数据，并且记录脉冲串控制单元37中的多脉冲产生单元38按照如图7所示的记录策略来产生多脉冲，并且可以通过切换驱动电流源41而获得LD发射波形，其中设置所述驱动电流源41以便作为与LD驱动器单元42中的峰值功率Pp、擦除功率Pe和偏置功率Pb相对应的每个单独的照射功率。

在如图5所示的记录脉冲串控制单元37中，用于对从EFM编码器34获得的EFM+信号的标记长度进行计数的标记长度计数器35被布置和配置为：通过脉冲控制单元36的数量来产生多脉冲，使得每次将标记计数值增大2T时，就产生脉冲串(记录功率Pw＝利用(by)峰值功率Pp的接通脉冲和利用偏置功率Pb的截止脉冲)。

作为多脉冲产生单元38的另一配置，产生其中记录通道时钟被划分为两个频率的记录频率划分时钟，使用多级延迟电路从记录频率划分时钟产生边缘脉冲，并且通过边缘选择器选择前后边缘，以由此每次将记录通道时钟增大2T时就产生脉冲串(记录功率Pw＝利用峰值功率Pp的接通脉冲和利用偏置功率Pb的截止脉冲)。在这种配置中，多脉冲产生单元的实际操作频率是1/2，并且有可能进行更高速度的记录操作。

根据本发明的实施例，可以提供一种光记录方法和光记录装置，其使得能够在不引起重复记录耐久性的变差和串扰的增大的情况下，与早期结晶状态无关地减小在重复记录早期的抖动增大，这是因为能够在像6X DVD到8XDVD那么快的高速记录时较厚地形成标记边缘。

(用于多层光记录介质的记录方法和记录装置)

在本发明一些实施例的用于多层光记录介质的记录方法中，当在时钟周期T下将在从激光束照射侧观看的第K记录层(K是1或更大的整数)上记录信息时的记录脉冲串的周期表示为t_(k)[T]的时候，满足条件1≤t₍₁₎≤t₍₂₎≤...≤t_(k)≤t_(K+1)。但是当用等号(equal)表示所有符号时，该条件被排除。

在其它实施例中，在用于包括M个相变记录层(M≥2)的多层光记录介质的记录方法中，通过利用包括多个激光束脉冲的记录脉冲串而用激光照射记录层中的第K个，在第K记录层中记录标记，用于第K记录层的记录脉冲串具有t_(k)[T]的周期。第1记录层是与激光束最近的记录层，并且第M记录层是与激光束最远的记录层，T是时钟周期。在这种实施例中，满足以下关系：

t₍₁₎＜t_(M)，并且记录脉冲串的周期在激光束照射的方向上从一个记录层到下一个记录层不减小。

在许多情况下，T1等于1。当T1等于1、并且向第二记录层或更后的记录层记录信息时，通过提供周期1.5或更多以进行记录来发挥所述效果。通常，对于3T周期的记录策略，记录也是有可能的。即，当值K被设置在2或更大时，t_(K)的范围最好是1.5到3、即1.5≤t_(K)≤3。但是，在实际中，优选的是记录具有2T周期的信息，以便防止记录策略的参数数量增加。因此，当在从激光束照射侧观看的最前侧处布置的记录层上进行记录时，使用具有1T周期的记录策略，并且当向除了布置在最前侧的记录层之外的记录层的区域进行记录时，最好使用具有2T周期的记录策略。

当在记录的最前侧处布置的记录层上进行记录、并将记录脉冲串设置为具有1T周期时，改善了覆写特性。在将记录脉冲串设置为具有2T周期的条件下，记录是可能的，但是当增大重复记录次数时，抖动特性比在1T周期的情况中差，因为它主要受最短标记长度的不对齐的影响(见图25)。注意，该情况示例显示：该测试是使用在示例B-17中使用的双层光记录介质进行的。

当向除了布置在最前侧的记录层之外的记录层的区域进行记录、并且将2T周期用于记录脉冲串时，因为可以将记录脉冲串的脉冲宽度取得更宽、并且可以将冷却时间取为更长时间，所以可以改善记录灵敏度。在使用1T周期的条件下，虽然记录是可能的，但是记录灵敏度降低大约15％(见图26和27)。

根据本发明实施例的光记录方法，可以改善具有两个或多个相变记录层的多层光记录介质的、除了从激光束照射侧观看的最内记录层之外的记录层的记录特性。

如图24所示，在诸如DVD+RW的传统单层可重写光记录介质中，例如，当使用1T周期的记录策略时，从相对于数据延迟1T的时间位置开始记录数据(见图24中的(1))已经是一种主要的记录方法。但是，对于用于在具有两个或多个相变记录层的多层光记录介质的、除了从激光束照射侧观看的最内记录层之外的记录层上记录的方法，如图24-B和24-C中所示，当形成具有nT的标记长度的标记时，优选的是使用以下记录方法：加宽在引导脉冲和最后脉冲之间的上升时间宽度Tr。

这是因为多层光记录介质的、除了从激光束照射侧观看的最内记录层之外的信息层需要具有高透射率，并且不能形成厚金属层，因此必须通过使用透明电介质来补充散热效果。当使金属层较厚时，可以获得足够的散热效果，并且容易形成记录标记，但是，当使用透明电介质时，导热率低于金属层的导热率，因此不能发挥足够的散热效果，并且容易发生非晶标记的重新结晶。因此，上述记录方法旨在通过将上升时间宽度Tr设置得较宽来获得所希望的标记长度。

在所述记录方法中，如图24中的(2)中所示，引导脉冲的上升可以在时间上较早，并且可以在时间上延迟最后脉冲的上升，并且如图24中的(3)中所示，也允许仅使引导脉冲较早地升高。值Tr的范围最好被设置为(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T。例如，当记录8T标记时，使用满足6.5T≤Tr≤7T的条件的值Tr。此外，为了增大用来形成非晶标记的区域，加热之后的冷却时间需要具有较长的时间。因此，优选的是使记录脉冲宽度Tmp尽可能窄。当将时钟周期表示为T时，优选的是具有0.12T≤Tmp≤0.3T的范围，而不论记录线速度是多少。当将记录脉冲宽度Tmp设置为短于0.12T时，需要高记录功率，并且特别是当记录线速度较快、例如处于9.2米/秒时，时钟周期T是15.9纳秒，因此，记录脉冲宽度Tmp是等于1.9纳秒的0.12T，并且，难以以所希望的记录功率来记录信息，因为它对于从记录装置中的激光二极管(LD)发射的激光的响应时间(上升时间和下降时间)太迟。当使记录脉冲宽度Tmp长于0.3T时，由于缺乏冷却时间而由下一个脉冲的余热诱发重新结晶，从而引起不能保证所希望的调制度的问题。

通常，优选的是使用图28所示的记录脉冲策略的参数并且保持上述Tr范围，但是，Tr的范围不限于上面所述。例如，DVD采用EFM+数据调制模式，并且3T标记和4T标记的出现次数大于其它长标记的出现次数。因此，3T标记和4T标记对于记录特性或抖动特性可具有多得多的影响。就3T标记和4T标记的记录进行而言，可以单独地设置诸如(dTtop3)、(dTtop4)、(dTlp3)、(dTlp4)、(dTera3)和(dTera4)的参数。图29和图30分别示出了当改变参数数量时记录特性(抖动)的比较结果。所发现的是：当单独地设置3T或4T的最后脉冲时，改善了记录特性。所述记录是使用由图31示出的参数表示的记录策略来进行的。标记“-”表示记录被延迟到基准时钟或上升时间之后。

根据本发明实施例的光记录方法，改善了多层光记录介质的记录特性。此外，作为要应用到除了从激光束照射侧观看的最内记录层之外的记录层上的记录方法，当通过利用激光束照射在基板上具有两个或多个相变记录层的多层光记录介质而形成记录标记时，通过使用激光束的发射波形作为包含多个脉冲的记录脉冲串、并且调制该记录脉冲串来记录信息，在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且设置在擦除功率电平Pb与引导脉冲之前和最后脉冲之后的至少一个偏置功率电平之间的冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(N是1或更大的整数)，以便通过满足由以下条件表示的关系的脉冲串来形成记录标记：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

本发明实施例的用于多层光记录介质的记录装置被设置为使得可以执行本发明实施例的多层光记录介质的记录方法，并且光学器件将从激光光源发射的激光束引导到聚光透镜，并且该聚光透镜将激光束聚焦并照射到多层光记录介质上，由此在多层光记录介质上记录信息。所述记录装置将从激光光源发射的激光束的一部分引导到激光束检测器，并且根据由激光束检测器检测的激光束的检测量来控制激光光源的光量。激光束检测器将激光束的检测量转换为电压或电流以将其作为检测信号输出。

所述记录装置根据需要还包括各种控制单元。所述控制单元不受具体限制，只要上述各个单元的运动可以被控制、可以根据预期的用途而被适当地选择即可，并且其示例包括诸如定序器和计算机之类的仪器。

本发明一些实施例的用于多层记录介质的记录方法包含以下方面中的任何一个：

本发明一些实施例的第一方面是一种光记录方法，其中，在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且设置在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间的冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便通过满足由下面的条件表示的关系的脉冲串来形成记录标记：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

本发明一些实施例的第二方面是一种光记录方法，其中，在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且设置在擦除功率电平Pe与在最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间的冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便通过满足由下面的条件表示的关系的脉冲串来形成记录标记：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

本发明一些实施例的第三方面是一种光记录方法，其中，在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且设置在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间的冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便通过满足由下面的条件表示的关系的脉冲串来形成记录标记：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

在所述第一方面到第三方面中，优选的是，冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是整数1到3的任何一个。

这里，特定激光波形发射模式的示例包括用于DVD+RW的激光波形发射模式，如图15和16中所示。通过交替地重复利用峰值功率(Pp)光束和偏置功率(Pb)光束的脉冲的照射来形成非晶标记。另一方面，通过利用在峰值功率Pp和偏置功率(Pb)光束之间的中间电平上的擦除功率(Pe)光束来连续地照射而形成在结晶状态中形成的空白。

当使用包含峰值功率(Pp)光束和偏置功率(Pb)光束的记录脉冲串来照射记录层时，该记录层被重复地熔化和淬火以在其上形成非晶标记。当使用擦除功率(Pe)光束来照射记录层时，该记录层被熔化并且随后在固相状态中缓慢冷却或退火以便结晶，以由此形成空白。

通常，包含峰值功率(Pp)光束和偏置功率(Pb)光束的记录脉冲串被划分为引导脉冲、中间脉冲和最后脉冲。通过仅使用引导脉冲和最后脉冲来记录最短标记3T，并且当形成4T或更大的标记时，还使用中间脉冲。该中间脉冲被称为“多脉冲”，并且通过每个1T周期而被设置，并且其方法是每次标记长度在长度上增加1T，脉冲数量就增加1。该记录方法被称为“1T周期记录策略”，并且在形成具有nT长度的标记时的记录脉冲的数量是(n-1)。但是，T表示时钟周期。顺便提及，当以比4X DVD+RW快的记录速度记录信息时，时钟周期被缩短，因此经常采用使用2T周期的记录方法(2T周期记录策略)。

在根据本发明一些实施例的第一方面的、用于多层光记录介质的记录方法中，当值N是1时，如图11所示，在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且在擦除功率电平Pb和在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间的冷却功率电平Pc1满足关系Pp＞Pe＞Pc1＞Pb。

当值N是2时，如图12所示，在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且在擦除功率电平Pb和在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间的冷却功率电平Pc1和Pc2满足关系Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2＞Pb。

在根据本发明第二方面的、用于多层光记录介质的记录方法中，当值N是1时，如图13所示，清楚的是：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且在擦除功率电平Pe与在最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间的冷却功率电平Pc1满足关系Pp＞Pe＞Pc1＞Pb。

在根据本发明一些实施例的第三方面的、用于多层光记录介质的记录方法中，当值N是1时，如图14所示，清楚的是：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间的冷却功率电平Pc1满足关系Pp＞Pe＞Pc1＞Pb。

由于本发明实施例的、用于多层光记录介质的记录方法可以通过满足第一方面到第三方面的关系中的任何一个来利用至少在引导脉冲之前和最后脉冲之后剩余的余热的任何一个，因此可以防止第一记录层将进一步遭受到的热损害，适当地执行记录和擦除，改善记录特性，并且应用于各种光记录介质，然而，该记录方法特别适合用于将在下面描述的本发明实施例的多层光记录介质。

在如图15和16所示的传统记录方法中，经常使用以下记录方法：其记录功率Pp和擦除功率Pe的比率ε(Pe/Pp)被设置为某个水平以进行记录。这是被创建以便使抖动和不对称被良好地保持在更宽的记录功率范围内的方法。这里，当标记和空白的反射率水平(level)在片(slice)的层次上被二进制化时，抖动表示在边界线和使用窗口宽度的时钟之间的标准化的时间不对齐。抖动越低，记录特性越好。不对称是这样的特性值，其表示对应于14T空白的结晶反射率I14H和对应于14T标记的非晶反射率I14L的平均值与对应于3T空白的结晶反射率I3H和对应于3T标记的非晶反射率I3L的平均值不重合到什么程度。该表达式由(I14H+I14L)-(13H+13L)/2(I14H-I14L)表示(见图19)。由于根据片的层次将反射率信号二进制化，因此与0最接近的不对称最好。当不对称丧失其形状时，有可能不适当地识别在标记和空白之间的边界线。所述不对称由于过高或过低的记录功率Pp或者过高或过低的擦除功率Pe而丧失其形状，从而导致抖动降低。因此，需要固定这些比率以平衡所述功率，并且由此防止记录特性变差。

因此，在本发明实施例的记录方法中，优选的是，不仅对于第一记录层和第二记录层单独设置记录功率Pp和擦除功率Pe的比率ε，还同时单独设置记录功率Pp和冷却功率Pc1、Pc2、...、PcN的比率δ1、...、δN(＝Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。

例如，用于第一记录层的相变记录材料和组成与第二记录层的那些相同的情况被考虑如下。当使用下述光记录方法来以相同的记录速度在每个信息层上记录记录标记时，作为将每个信息层分别具有相同值ε和相同值δ1、...、δN的情况与每个信息层单独分别不同值ε和不同值δ1、...、δN的情况相比较的研究结果，可以获得如图20所示的结果，其中在所述光记录方法中，在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制记录标记，并且设置在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的至少一个偏置功率电平Pb之间的冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便通过满足由下面的条件表示的关系的脉冲串而形成记录标记：Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。图20示出了当使用图11所示的记录策略来对在示例B-19中描述的双层相变光记录介质进行记录时的数据结果，其对应于将在后面描述的示例B-28和比较示例B-23的情况。

如图20所示，当使用与最适合的第一信息层的功率比率(ε＝0.18，δ1＝0.09)不同的功率比率(ε＝0.38，δ1＝0.19)对第二信息层进行记录时的记录特性比使用与最适合的第一信息层的功率比率相同的功率比率来对第二信息层进行记录时的记录特性更好。具体地说，当使用相同功率比率对第二信息层进行记录时的最适合的记录功率中的抖动(被称为底部抖动(bottom jitter))是8.7％。相反，当对于第一信息层和第二信息层使用不同的功率比率来进行记录时的底部抖动是8.1％。如上所述，可以认识到：对于每个信息层存在最适合的功率比率。

此外，如表1所示，当使用ε＝0.38、δ1＝0.09的功率比率来对第二信息层进行记录时，底部抖动是8.3％。这表明：不仅比率ε的效果而且比率δ1的效果对于记录特性具有影响。

表1

	ε	δ1	底部抖动
				第一信息层	0.18	0.09	8.5
第二信息层	0.18	0.09	9.7
				0.38	0.09	8.3
	0.38	0.19	8.1

在本发明实施例的光记录方法中，将在记录标记具有nT(其中T是时钟周期，并且n是1或更大的整数)长度时的记录功率电平Pp的照射脉冲数量表示为m(m是1或更大的整数)，并且当‘n’是偶数时，满足关系n＝2m，而当‘n’是奇数时，满足关系n＝2m+1，有可能使记录灵敏度非常好。

传统上，当响应于1X DVD到4X DVD而对单层光记录介质进行记录时，因为这种介质的扫描线速度低，所以广泛使用对于每一个时钟周期重复执行一组加热照射脉冲和冷却照射脉冲的方法(1T周期策略)。此记录方法是这样的方法：当记录具有长度nT的非晶标记时，交替进行(n-1)个加热照射脉冲和(n-1)个冷却照射脉冲的照射。但是，由于时钟周期随着记录线速度的提高而被缩短，因此当像传统上那样利用基于1T周期的一组加热照射脉冲和冷却照射脉冲来照射单层光记录介质时，不能保证足够的冷却时间。换句话说，即使在利用某些加热脉冲和冷却脉冲来执行照射并且形成非晶标记时，也会通过从下一个1T周期之后的加热脉冲引起的余热而使从前形成的非晶标记重新结晶，从而导致特别长的标记变得较薄的问题，并且难以具有所述调制度。为了解决这样的问题，必须采用尽可能长的冷却脉冲照射时间。

因此，在大于4X DVD的高速记录中，有可能通过采用下述记录方法来形成厚和均匀的非晶标记以及保证高调制度：在所述方法中，每两个时钟周期就重复执行一组加热照射脉冲和冷却照射脉冲(2T周期策略)。在该记录方法中，优选的是，当记录具有长度nT的非晶标记、并且将加热照射脉冲的数量表示为m(其中m是1或更大的整数)时，优选的是，当‘n’是偶数时，满足关系n＝2m，而当‘n’是奇数时，满足关系n＝2m+1。使用2T周期的记录策略使得能够当在像1X DVD到4X DVD那么快的记录线速度下使用时容易地记录。此外，如上所述，有可能使用较低的记录功率、以及以比在使用1T周期的记录策略下进行记录时更好的灵敏度来记录信息，因为有可能获得长冷却时间并且促进淬火效果。在本发明实施例的、用于多层光记录介质的记录方法中，其也是优选的，因为改善了诸如第一信息层和第二信息层之类的每个单独记录层的记录灵敏度。

在这种情况下，可以通过具体地将最短标记增大仅仅一个脉冲来更好地执行在多层光记录介质上的重复记录。

在本发明实施例的光记录方法中，擦除功率电平Pe在使用擦除功率电平Pe的照射期间包含比擦除功率Pe低的擦除功率电平Pe^-的脉冲结构，并且该配置使得能够进一步防止布置在前侧上的信息层的热损害。

图21图示了激光的发射波形。类似于激光照射波形的公知技术的示例包括在日本专利申请公开(JP-A)第2004-63005号中公开的技术。在所述技术中，擦除功率Pe⁺以脉冲的形状布置在Pe区域中以提供擦除所需的能量，以便防止当增大记录线速度时所记录的标记保持在空白部分中而没有被擦除。为了解决所述问题，在本发明的实施例中，为了防止由使用较高的擦除功率Pe照射导致的、对多层光记录介质的前侧上的信息层的热损害，将脉冲结构Pe^-布置在擦除功率Pe区域中。利用这种配置，有可能改善布置在前侧上的信息层的重复记录特性。

在本发明实施例的光记录方法中，当在多层光记录介质的每个单独信息层上记录信息时，优选的是：从布置在自激光束通量照射侧观看的前侧上的信息层起依序记录信息。

分别用于多层光记录介质的记录层的相变材料的结晶状态和非晶状态具有不同的光学常数，并且结晶状态具有比非晶状态更高的吸收系数。换句话说，非晶状态具有比结晶状态高的透光率，因为非晶状态具有比结晶状态更小的吸收光的程度。因此，当从布置在自激光束通量照射侧观看的前侧上的信息层起依序进行记录时，通过记录而在信息层上形成非晶标记，并且从所述前侧起依序形成具有用于非晶标记的宽区域的状态，并且容易发送激光束，以使得在布置在最内侧上的信息层上的记录容易。

当使用记录装置在光记录介质上实际记录信息时，从第一信息层记录信息的情况使得能够利用比从第二信息层记录信息的情况低几个百分比的记录功率来进行记录。第一信息层的透光率作用于在第二信息层上记录信息所需的记录功率，以便在相对改善记录灵敏度上有效。

图33是示例性地示出与本发明实施例相关联的光记录装置的视图。光记录装置220被提供有：主轴电动机222，用于可旋转地驱动作为与本发明实施例相关联的单面多层光记录介质的光盘215；光拾取器件223；寻找电动机221，用于在滑架(sledge)方向上驱动光拾取器件223；激光控制电路224；编码器225；驱动控制电路226；再现信号处理电路228；缓冲器RAM 234；缓冲器管理器237；接口238；快闪存储器239；CPU 240；和RAM 241等等。

应当注意，在图33中示出的箭头分别指示典型信号和信息的流动，并且不意欲指示这些块的每一个之间的所有连接关系。在这个实施例中，光记录装置220与单面多层光记录介质兼容。

(多层光记录介质)

本发明实施例的多层光记录介质用于本发明实施例的多层光记录介质的记录方法，并且包含两个或多个信息层，每个信息层具有相变记录层，其中，通过诱发在结晶状态和非晶状态之间的可逆相变来记录信息，并且，所述多层光记录介质还根据需要而包含其它层。对于该多层光记录介质，最好使用一个方面，在该方面中，除了布置在从激光束照射侧观看的最内侧上的信息层之外的信息层包含上保护层、相变记录层、下保护层、反射层和热扩散层。

在这种情况下，除了布置在从激光束照射侧观看的最内侧上的信息层之外的每个单独信息层的透光率优选的是30％到70％，并且更优选的是40％到70％。当透光率低于30％时，在布置在内侧的第二信息层上记录、擦除和再现信息可能较为困难。当透光率高于70％时，在第一信息层上记录、擦除和再现信息可能较困难。

这里，可以通过由STEAG AG制造的ETA-Optik来测量透光率。在透光率的测量中，在双层光记录介质的情况下，从透射光强度和反射光强度测量透射率、反射率和吸收率，其中通过仅仅使用激光束照射其上形成第一信息层的第一基板来确定所述透射光强度和反射光强度。也就是说，在将第一基板粘合到第二基板上之前测量透光率。

对于多层光记录介质，特别优选地使用具有从激光束照射侧起的第一信息层和第二信息层的双层光记录介质。

图17是与本发明一些实施例的一个方面相关的双层光记录介质的示意横截面图。该双层光记录介质以如下顺序包含布置在第一基板3上的第一信息层1、中间层4、第二信息层2和第二基板5，并且还根据需要包括其它层。

第一信息层包含第一下保护层11、第一记录层12、第一上保护层13、第一反射层14和热扩散层15。

第二信息层2包含第二下保护层21、第二记录层22、第二上保护层23和第二反射层24。

可以分别在上保护层13和第一反射层14之间以及在第二上保护层23和第二反射层24之间形成阻挡层。

-第一基板-

第一基板3需要充分地透射激光束以便进行用于记录和再现信息的照射，并且可以由本领域公知的那些适当地使用。

对于用于第一基板3的材料，通常使用玻璃、陶瓷、树脂等，但是，就可成形性和成本来说，优选地使用树脂。

树脂的示例包括聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅酮树脂、含氟树脂、ABS树脂和氨基甲酸乙酯树脂。在这些树脂中，优选地使用在可成形性、光特性和成本上优异的聚碳酸酯树脂、以及诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)之类的丙烯酸树脂。

在形成第一基板3的信息层所在的表面上，可以形成通常称为凹槽(groove)部分或平台(land)部分的凹凸图案，它是螺旋形或同心形式的凹槽，并且通常通过注塑方法、光聚合物方法等形成所述图案。

第一基板的厚度不受具体限制、可以根据预期的用途来适当地进行选择，并且它最好是10微米到100微米。

对于第二基板的材料，可以使用与用于第一基板3相同的材料、以及对于记录和再现光束不透明的材料，并且第二基板5的材料和凹槽形状可以与第一基板3的那些不同。

第二基板5的厚度不受具体限制、可以根据预期的用途来适当地进行选择，并且优选的是，选择第二基板5的厚度，使得包括第一基板5的厚度的总厚度是1.2毫米。

-相变记录层(第一记录层和第二记录层)-

对于相变记录层，当从用于传统记录层的材料的发展的观点来看时，存在两个主要的材料发展潮流。即，用于相变记录层的材料的一种潮流包括：GeTe，它是用于可记录的记录层的材料；可逆地可相变的Sb和Te之间的Sb₂Te₃合金；以及包含来自这两种材料的固溶体或共晶组成的GeSbTe的三元合金的、用于记录层的材料。用于相变记录层的材料的另一潮流包括Sb和Te之间的合金，并且下述用于记录层的材料是公知的：在该材料中，向SbTe系统增加微量元素，作为Sb和Sb₂Te₃之间的共晶组成的Sb的含量是大约70％。

对于具有两个记录层的光记录介质，考虑到第二信息层上的信息的记录和再现，需要第一信息层具有高透射率。因此，与减小反射层的吸收率的努力并行地尝试使记录层更薄的努力。当使记录层更薄时，结晶速度降低，因此，有益的是使用于记录层本身的材料具有高结晶速度。因此，在用于记录层的材料的该潮流中，具有大约70％的Sb含量的后一种SbTe共晶组成是优选的。

但是，随着增加Sb的量以加快结晶速度、换句话说加快要响应的记录线速度，降低结晶温度。即使在可以进行记录时，也存在记录标记的存储特性变差的顾虑。已经研究了可以利用与GeSbTe和SbTe的Sb量相比更少量的Sb来更快地加快结晶速度、换句话说加快要响应的记录线速度的材料。所发现的是：可以使用InSb材料中的少量Sb来提高记录线速度。因此，对于用于需要薄记录层厚度的第一信息层的记录层材料，适合使用InSb材料。

因此，如图28所示，有可能使存储状态稳定而不使非晶标记重新结晶。优选的是将如上所述的相变材料用于记录层，其中所述记录层被包括在用于双层光记录介质的第一信息层中。

可以通过诸如真空蒸发方法、溅射方法、等离子CVD方法、光CVD方法、离子涂敷方法和电子束蒸发方法的各种气相生长来形成第一记录层和第二记录层。在这些方法中，由于大规模生产能力和层的质量上的优越性而优选使用溅射方法，并且具体地说，更优选地使用具有脉冲波形的直流溅射方法，因为在目标记录层组成和实际形成的记录层之间存在较小的组成差异，并且可以减少在通过诸如发弧和放电的延迟开始的溅射形成记录层时发生的异常放电。

第一记录层的厚度优选为4nm到15nm，并且更优选为6nm到12nm。当厚度小于4nm时，可能难以均匀地形成记录层，而当厚度大于15nm时，可能减小透射率。

第二记录层的厚度不受具体限制、可以根据预期的用途来适当地进行选择，并且其优选为3nm到25nm。当厚度小于3nm时，可能难以均匀地形成记录层，而当厚度大于25nm时，记录灵敏度可能变差。

-反射层(第一反射层和第二反射层)-

如图17所示，具有两个记录层的光记录介质需要使用于记录和再现的激光束尽可能地透射到第二信息层。因此，优选地使用激光束在第一反射层中几乎不被吸收并且容易向其发送激光束的材料。这种材料的具体示例包括Ag和Cu。另一方面，第二反射层不必如在第一反射层中所示的那样半透明。

对于如上所述的用于形成第一反射层和第二反射层的层的方法，存在各种气相生长方法，例如，可以通过真空蒸发方法、溅射方法、等离子CVD方法、光CVD方法、离子涂敷方法和电子束蒸发方法来形成第一和第二反射层。在这些气相生长方法中，溅射方法在大规模生产能力、层的质量等上较为优越。

-保护层(上保护层和下保护层)-

对于用于单层光记录介质中的上保护层的材料，优选的是主要使用以下材料：透明、透光良好并且具有比记录层的熔点高的熔点的材料；具有防止记录层的变差和变性、提高与记录层的粘合强度、以及改善记录特性的效果的材料，例如金属氧化物、氮化物、硫化物、碳化物等。这种材料的具体示例包括：金属氧化物，例如SiO、SiO₂、ZnO、SnO₂、Al₂O₃、TiO₂、In₂O₃、MgO、ZrO₂和Ta₂O₅；氮化物，例如Si₃N₄、AlN、TiN、BN和ZrN；硫化物，例如ZnS、In₂S₃、TaS₄；碳化物，例如SiC、TaC、B₄C、WC、TiC和ZrC；类金刚石的碳(DLC)；或其混合物。这些材料的每一种可以被单独使用以形成保护层，或者可以是两种元素的混合物。这些材料的每一种可以根据需要而包括杂质。混合物的示例包括ZnS-SiO₂混合物和Ta₂O₅-SiO₂混合物。其中，ZnS-SiO₂混合物是特别优选的。混合物摩尔比(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀是最优选的。

但是，在多层光记录介质的情况中，当在第一记录层上记录信息时，由于仅第一反射层较薄而热扩散特性变差，从而导致难以记录信息的问题。因此，优选的是对于第一上保护层使用具有尽可能好的导热性的材料。因此，优选的是使用具有比ZnS-SiO₂的热扩散特性更高的热扩散特性的材料。例如，优选的是使用Sn氧化物。Sn氧化物可以包括诸如In氧化物、Zn氧化物、Ta氧化物和Al氧化物的金属氧化物。通过使用Sn氧化物，即使当第一反射层的厚度较厚时也容易在第一记录层上形成非晶标记。Sn氧化物、Ta氧化物和Al氧化物各自不会加速与反射层相关的劣化，并且可以根据生产工艺、成本、生产所允许的时间等来选择这些组成比率的每一个。但是，当Sn氧化物的量较大时，记录所需的功率趋向于增大。当Ta氧化物的量较大时，虽然它是防止沉积速率减慢的材料，但是难以在第一信息层上发挥记录特性。当Al氧化物的量较大时，沉积速率趋向于减慢。

对于第二上保护层，可以像传统上使用的那样使用ZnS-SiO₂，或者可以使用Sn氧化物。原因是当对第二记录层进行记录时，由于第二反射层可以被形成得在厚度上足够厚，因此可以获得足够的热扩散。当将ZnS-SiO₂用于第二上保护层并且将Ag用于第二反射层时，可以将诸如TiC-TiO₂的分界层(interface layer)夹在第二上保护层和第二反射层之间。这是因为使硫S与Ag起反应防止在光记录介质上引起问题。

对于用于第一下保护层和第二下保护层的材料，优选的是主要使用以下材料：透明、透光良好、并且具有比记录层的熔点高的熔点的材料；以及具有防止记录层的变差和变性、提高与记录层的粘合强度、以及改善记录特性的效果的材料，例如金属氧化物、氮化物、硫化物、碳化物等。这种材料的具体示例包括：金属氧化物，例如SiO、SiO₂、ZnO、SnO₂、Al₂O₃、TiO₂、In₂O₃、MgO、ZrO₂和Ta₂O₅；氮化物，例如Si₃N₄、AlN、TiN、BN和ZrN；硫化物，例如ZnS、In₂S₃、TaS₄；碳化物，例如SiC、TaC、B₄C、WC、TiC和ZrC；类金刚石的碳(DLC)；或其混合物。这些材料的每一种可以被单独使用以形成保护层，或者可以是两种元素的混合物。这些材料的每一种可以根据需要而包括杂质。混合物的示例包括ZnS-SiO₂混合物和Ta₂O₅-SiO₂混合物。其中，ZnS-SiO₂混合物是特别优选的。混合物摩尔比最优选的是(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀。由于ZnS-SiO₂具有高折射率‘n’和接近0的消光系数‘k’，因此它使得能够提高记录层的光吸收效率，从而减小导热率、并且适度地抑制由光吸收产生的热扩散，有可能将记录层上的温度增大到可以熔化记录层的温度。

对于用于形成如上所述的第一上保护层、第二上保护层、第一下保护层和第二下保护层的层的方法，存在各种气相生长方法，例如，可以通过真空蒸发方法、溅射方法、等离子CVD方法、光CVD方法、离子涂敷方法和电子束蒸发方法来形成第一和第二保护层。在这些气相生长方法中，溅射方法在大规模生产能力、层的质量等上较为优异。

-热扩散层-

需要热扩散层具有高导热率，以便将受到激光照射的第一记录层淬火。还需要热扩散层在激光波长处具有低吸收率，使得可以对布置在最内侧的第二信息层执行记录。总之，优选的是，热扩散层包括从氮化物、氧化物、硫化物、碳化物和氟化物中选择的至少一种。所述材料的示例包括AlN、Al₂O₃、SiC、SiN、IZO(铟氧化物-锌氧化物)、ITO(铟氧化物-锡氧化物)、DLC(类金刚石的碳)和BN。在这些材料中，IZO和ITO被认为是最优选的。最好以在质量上(by mass)1％到在质量上10％的量来包括在ITO(铟氧化物-锡氧化物)中包括的锡氧化物。当锡的量小于或大于所述范围时，导热率和透射率减小。而且，可以出于改善存储稳定性的目的而添加其它元素。这些元素可以被添加到它对于光特性没有影响的程度，并且优选地以在质量上0.1％到在质量上5％的量而包括这些元素。当这些元素的添加量小于所述范围时，不能获得所述效果。当添加量大于所述范围时，光吸收增加，从而导致透射率降低。在用于记录和再现信息的激光束的波长中，吸收系数优选为1.0或更小，并且更优选为0.5或更小。当吸收系数大于1.0时，第一信息层的吸收率提高，并且在第二信息层上记录和再现信息可能较为困难。

因为由于光记录介质中的减小的内应力而几乎不发生微观薄度的改变，所以优选地使用IZO(铟氧化物-锌氧化物)而不是ITO(铟氧化物-锡氧化物)。

对于用于形成这种热扩散层的方法，存在各种气相生长方法，例如，可以通过真空蒸发方法、溅射方法、等离子CVD方法、光CVD方法、离子涂敷方法和电子束蒸发方法来形成热扩散层。在这些气相生长方法中，溅射方法在大规模生产能力、层的质量等上较为优异。

-中间层-

中间层在用于用来记录和再现信息的照射的激光束的波长上最好具有低吸收率。就可成形性和成本来说，用于中间层的材料最好是树脂，并且可以使用紫外线固化树脂、延迟动作(delayed-action)树脂和热塑树脂。在第二基板和中间层上，可以形成与在第一信息层上相同的、通过注塑方法或光聚合物方法形成的凹凸图案，例如凹槽和导槽。形成所述中间层，由于该中间层，拾取器可以将第一信息层与第二信息层区分开以光学地分离这两个信息层。

中间层的厚度不受具体限制、可以根据预期的用途来适当地进行选择，并且它最好是10微米到70微米。当厚度小于10微米时，可能在两个信息层之间发生串扰，而当厚度大于70微米时，在第二记录层上记录和再现信息期间发生球面像差，并且记录和再现可能较为困难。

-阻挡层-

本发明实施例的多层光记录介质可以包括在上保护层和反射层之间的阻挡层。对于用于反射层的材料，Ag合金是最优选的。对于用于上保护层的材料，ZnS和SiO₂的混合物是最优选的，但是，当相邻地形成这两层时，存在保护层中的硫腐蚀反射层中的Ag的可能性，并且这有可能使存储稳定性降低。为了解决所述问题，优选的是在使用Ag材料时形成阻挡层。该阻挡层不需要包括硫，并且需要具有比记录层更高的熔点。用于阻挡的材料的具体示例包括：金属氧化物，例如SiO、ZnO、SnO₂、Al₂O₃、TiO₂、In₂O₃、MgO和ZrO₂；氮化物，例如Si₃N₄、AlN、TiN和ZrN；硫化物，例如ZnS、In₂S₃、TaS₄；碳化物，例如SiC、TaC、B₄C、WC、TiC和ZrC；或其混合物。需要阻挡层在激光波长处具有低吸收率。

可以通过各种气相生长方法，例如通过真空蒸发方法、溅射方法、等离子CVD方法、光CVD方法、离子涂敷方法和电子束蒸发方法来形成阻挡层。在这些气相生长方法中，溅射方法在大规模生产能力、层的质量等上较为优异。

阻挡层的厚度最好是2nm到10nm。当厚度小于2nm时，不能获得防止Ag的腐蚀的效果，并且存储可靠性降低。另一方面，当厚度大于10nm时，存在不能获得热消散效果并且透射率降低的趋势。

接下来，本发明实施例的双层光记录介质不受具体限制、可以根据预期的用途来适当地进行选择，但是，优选的是根据下面所述来产生它。双层光记录介质的产生方法包括层形成过程、初始化过程和粘合过程，并且基本上以这一顺序来进行这些过程中的每一个。

在层形成过程中，在图17中，在其上形成了凹槽的第一基板的表面上形成第一信息层，并且在其上形成了凹槽的第二基板的表面上形成第二信息层。可以通过各种气相生长方法、例如通过真空蒸发方法、溅射方法、等离子CVD方法、光CVD方法、离子涂敷方法和电子束蒸发方法来形成第一信息层和第二信息层。在这些气相生长方法中，溅射方法在大规模生产能力、层的质量等上较为优异。在溅射方法中，通常，在使诸如氩气的惰性气体流动的同时形成所述层，但是，它们可能在将氧气、氮气等混合在要溅射的惰性气体中时发生反应。

在初始化过程中，通过使用诸如激光束的能量光束来照射第一信息层和第二信息层的整个表面来初始化所述整个表面，即，使记录层结晶。当在初始化期间通过激光束能量的作用而可能使所述层浮起时，可以使用紫外线树脂等旋涂第一信息层和第二信息层，并且所述信息层可以利用紫外线来进行照射以便固化并随后被涂覆。此外，在首先执行随后的粘合过程之后，可以从第一基板侧来初始化第一信息层和第二信息层。

在粘合过程中，以第一基板面向第二基板的方式将第一基板通过中间层粘合到第二基板上。例如，在第一基板和第二基板的层表面的任何一个上涂上紫外线树脂，使得第一信息层的层表面和第二信息层的层表面被布置为面对面、被加压和粘合，并且随后使用紫外线来照射粘合区域，由此固化紫外线树脂。

根据本发明的实施例，可以提供一种能够解决传统问题的多层光记录介质。当在位于第一信息层上的第一记录层上记录信息，多层光记录介质能够防止记录层所遭受的热损害并且适当地执行记录和擦除，并且具有良好的记录特性，其中所述第一信息层布置在具有每个都包含相变记录层的两个或多个信息层的多层光记录介质中的、从激光束通量照射侧观看的最前侧处。还可以提供一种用于多层光记录介质的光记录方法、以及用于多层光记录介质的光记录装置。此外，本发明的实施例还使得能够使第二记录层或更多记录层的记录灵敏度良好。

示例

在下文中，将参照具体示例来详细描述本发明的实施例，但是，本发明的实施例不限于所公开的示例。

示例A-1

在拥有12cm直径、0.6mm厚度以及具有0.74微米的轨道间距的导槽的聚碳酸酯盘基板上，通过溅射方法按照以下顺序形成了：由ZnS-SiO₂构成、具有60nm厚度的第一保护层；由In₃Sb₁₇Te₈₀构成、具有15nm厚度的记录层；由ZnS-SiO₂构成、具有12nm厚度的第二保护层；由SiC构成、具有4nm厚度的抗硫化层；以及由Ag构成、具有140nm厚度的反射层。有机保护层被覆涂在所获得的反射层上，并且具有0.6mm厚度的聚碳酸酯盘被进一步粘合到有机保护层上，以由此产生相变光记录介质。然后，使用具有大直径透镜的激光二极管来初始地使所述相变光记录介质结晶。

在下面描述的条件下对所获得的光记录介质进行记录，以检查重复记录的抖动。

对于记录，以与12X DVD一样快的42米/秒的记录线速度、使用具有660nm的波长和数值孔径NA 0.65的光头、通过EFM+调制方法来记录具有0.267微米/比特的线密度的随机模式。图8示出了用于每个标记长度的波形的发射模式(记录策略)。表2示出了通过基准时钟T来标准化为在标记的起始位置开始的每个功率(Pe、Pp和Pb)保持的时标的值。在本发明实施例中的示例中，将所有引导冷却脉冲设置为0.2T。第二冷却脉冲根据标记长度而不同，并且被设置在1.0T到1.8T之间。

图6示出了当将每个功率(Pe、Pp和Pb)的设置值设置为Pp＝38mW、Pb＝0.1mW和Pe＝6.5mW时的抖动。如可以从图6中的结果看到的那样，即使在第一次重复记录时也不存在抖动的急剧增大，该结果显示了良好的重复记录特性。

图9示出了在改变6T或更大的标记的第二冷却脉冲的长度的情况下、当在第一记录时记录随机模式的时候以及重复记录随机模式10次之后在引导部分处的标记的抖动检查结果。当6T或更大的标记的第二冷却脉冲的长度小于1.0T时，引导部分处的标记抖动急剧增大。当6T或更多的标记的第二冷却脉冲的长度长于2.5T时，第一记录时的抖动低，但是，在重复记录10次之后的抖动急剧增大。

图10示出了在将Pp固定在38mW并且改变Pe值以改变Pe/Pp的值的情况下、当在第一记录时记录随机模式的时候以及在重复记录随机模式10次之后的相应抖动。当值Pe/Pp小于0.1时，第一记录时的抖动低，但是，由于重复记录而抖动显著增大。当值Pe/Pp大于0.4时，在第一记录时和在重复记录后，抖动均增大。

表2

	Pe	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb
																		3T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.0
4T	1.0	0.5	0.2	0.5	1.0	0.4	0.0
																		5T	1.0	0.5	0.2	0.5	1.8	0.5	0.0
6T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	0.0
																		7T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.5	0.5	2.0	0.5	0.0
8T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	0.0
																		9T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	2.5	0.5	0.0
10T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	0.0
																		11T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	2.5	0.5	0.0
14T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	0.0

示例A-2

除了使用表3所示的条件来设置记录策略以外，按照与示例A-1中相同的方式来检查与在示例A-1中准备的相同的光记录介质的记录特性。当标记长度是6T或更多时，将引导冷却脉冲的照射时间设置在0.4T，并且将第二冷却脉冲的照射时间设置在1.3T。

图6示出了当将每个功率(Pe、Pp和Pb)的设置值设置为Pp＝38mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6.5mW时的抖动。如可从图6中的结果看到的那样，即使在第一次重复记录时也不存在抖动的急剧增大，该结果显示了良好的重复记录特性。

表3

	Pe	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb
																		3T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.0
4T	1.0	0.5	0.2	0.5	1.0	0.4	0.0
																		5T	1.0	0.5	0.2	0.5	1.8	0.5	0.0
6T	0.8	0.5	0.4	0.5	1.3	0.5	1.0	0.5	0.0
																		7T	0.8	0.5	0.4	0.5	1.3	0.5	2.0	0.5	0.0
8T	0.8	0.5	0.4	0.5	1.3	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	0.0
																		9T	0.8	0.5	0.4	0.5	1.3	0.5	1.0	0.5	2.5	0.5	0.0
10T	0.8	0.5	0.4	0.5	1.3	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	0.0
																		11T	0.8	0.5	0.4	0.5	1.3	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	2.5	0.5	0.0
14T	0.8	0.5	0.4	0.5	1.3	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	0.0

示例A-3

除了使用表4所示的条件来设置记录策略以外，按照与示例A-1中相同的方式来检查与在示例A-1中准备的相同的光记录介质的记录特性。当标记长度是6T或更多时，将第二冷却脉冲的照射时间设置在2.5T，并且设置当标记长度增大T的偶数倍时的脉冲，以便成为比示例A-1中的脉冲小的1.0T。

图6示出了当将每个功率(Pe、Pp和Pb)的设置值设置为Pp＝38mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6.5mW时的抖动。如可以从图6中的结果看到的那样，即使在第一次重复记录时也没有抖动的急剧增大，该结果显示了良好的重复记录特性。

表4

	Pe	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb
																		3T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.0
4T	1.0	0.5	0.2	0.5	1.0	0.4	0.0
																		5T	1.0	0.5	0.2	0.5	1.8	0.5	0.0
6T	0.8	0.5	0.2	0.5	2.5	0.8	0.0
																		7T	0.8	0.5	0.2	0.5	2.5	0.5	1.0	0.5	0.0
8T	0.8	0.5	0.2	0.5	2.5	0.5	1.7	0.8	0.0
																		9T	0.8	0.5	0.2	0.5	2.5	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	0.0
10T	0.8	0.5	0.2	0.5	2.5	0.5	1.5	0.5	1.7	0.8	0.0
																		11T	0.8	0.5	0.2	0.5	2.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	0.0
14T	0.8	0.5	0.2	0.5	2.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.7	0.8	0.0

示例A-4

除了将记录材料改变为具有比示例A-1中略慢的结晶速率的In₅Sb₁₇Te₇₈以外，按照与示例A-1中相同的方式来产生光记录介质6。

除了将记录速度改变为具有与表2中所示的相同的记录策略条件的8XDVD(大约27.9米/秒)以外，按照与示例A-1中相同的方式来检查光记录介质的记录特性。

图6示出了当将每个功率(Pe、Pp和Pb)的设置值设置为Pp＝30mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6mW时的抖动。如可以从图6中的结果看到的那样，即使在第一次重复记录时也不存在抖动的急剧增大，该结果显示了良好的重复记录特性。

比较示例A-1

除了使用表5所示的条件来设置记录策略以外，按照与示例A-1中相同的方式来检查与在示例A-1中准备的相同的光记录介质的记录特性。

图6示出了当将每个功率(Pe、Pp和Pb)的设置值设置为Pp＝30mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6mW时的抖动。如可以从图6中的结果看到的那样，重复记录的初始抖动增加较小并且较好，但是，重复记录耐久性较差，并且在第1000次记录时，抖动显著增大。此外，检查了交叉擦除的影响。当在与一个轨道相邻的轨道上记录了随机模式时，在已经记录了随机模式的这一个轨道上的抖动与仅在这一个轨道上记录随机模式的情况相比增大约1％，并且发现交叉擦除的影响较大。这表明了在高速记录的情况下，不能使用0.1T或更少的冷却脉冲设置获得冷却效果。

表5

	Pe	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb
																		3T	0.8	0.5	0.1	0.5	1.0
4T	1.0	0.5	0.1	0.5	1.0	0.4	0.0
																		5T	1.0	0.5	0.1	0.5	1.8	0.5	0.0
6T	0.8	0.5	0.1	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	0.0
																		7T	0.8	0.5	0.1	0.5	1.5	0.5	2.0	0.5	0.0
8T	0.8	0.5	0.1	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	0.0
																		9T	0.8	0.5	0.1	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	2.5	0.5	0.0
10T	0.8	0.5	0.1	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	0.0
																		11T	0.8	0.5	0.1	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	2.5	0.5	0.0
14T	0.8	0.5	0.1	0.5	1.5	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	0.0

比较示例A-2

除了使用表6所示的条件来设置记录策略以外，按照与示例A-1中相同的方式来检查与在示例A-1中准备的相同的光记录介质的记录特性。当标记长度是6T或更多时，将引导冷却脉冲设置在0.5T，并且将第二冷却脉冲设置在1.2T。

图6示出了当将每个功率(Pe、Pp和Pb)的设置值设置为Pp＝38mW、Pb＝0.1mW并且Pe＝6mW时的抖动。如可以从图6中的结果看到的那样，第一重复记录的抖动增大显著增大。这被认为是标记边缘形状由于过长的引导冷却脉冲而变薄，并且在标记前边缘处的抖动显示出对结晶状态差异的较大灵敏度。

表6

	Pe	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb	Pp	Pb
																		3T	0.8	0.5	0.2	0.5	1.0
4T	1.0	0.5	0.2	0.5	1.0	0.4	0.0
																		5T	1.0	0.5	0.2	0.5	1.8	0.5	0.0
6T	0.8	0.5	0.5	0.5	1.2	0.5	1.0	0.5	0.0
																		7T	0.8	0.5	0.5	0.5	1.2	0.5	2.0	0.5	0.0
8T	0.8	0.5	0.5	0.5	1.2	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	0.0
																		9T	0.8	0.5	0.5	0.5	1.2	0.5	1.0	0.5	2.5	0.5	0.0
10T	0.8	0.5	0.5	0.5	1.2	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	0.0
																		11T	0.8	0.5	0.5	0.5	1.2	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	2.5	0.5	0.0
14T	0.8	0.5	0.5	0.5	1.2	0.5	1.0	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	1.5	0.5	0.0

作为在以下示例B-1到B-47和比较示例B-1到B-32中用于光记录介质的评估设备，使用了由PULSTEC INDUSTRIAL CO.，LTD制造的ODU-1000，在记录期间用于照射的激光波长是660nm，并且物镜的数值孔径(NA)是0.65。用于再现的激光束功率被设置在1.4mW。

在第一记录层上的相邻的三个轨道上进行记录，并且再现这三个轨道的中间轨道上的所记录的标记，以由此评估光记录介质。使用1T周期的记录策略来进行记录。对于用于特性评估的评估标准，当3T到11T的标记、14T的标记和空白被随机记录时的数据-时钟抖动(DC抖动)是11％或更少的情况被评估为合格。这里，当在片的层次上将标记和空白的反射率等级二进制化时，DC抖动在边界线和时钟之间表现出标准化的时滞。DC抖动越低，记录特性越好。

示例B-1到B-4和比较示例B-1到B-3

在第一基板上，在存在Ar气体的情况下、通过溅射方法而以下述顺序形成：第一下保护层，由ZnS(80摩尔百分比)-SiO₂(20摩尔百分比)构成，具有70nm厚度；第一记录层，由Ag_0.2In_3.5Sb_69.8Te₂₂Ge_4.5构成，具有7.5nm厚度；第一上保护层，由In₂O₃(7.5摩尔百分比)-ZnO(22.5摩尔百分比)-SnO₂(60摩尔百分比)-Ta₂O₅(10摩尔百分比)构成，具有5nm厚度；第一反射层，由在质量上包含1.1％的Mo的Cu构成，具有7.5nm厚度；以及热扩散层，由In₂O₃(90摩尔百分比)-ZnO(10摩尔百分比)构成，具有65nm厚度，以由此形成第一信息层，其中所述第一基板由聚碳酸酯树脂构成，具有12cm的直径、0.6mm的厚度、以及作为在其一面上具有0.74微米的轨道间距的连续摇摆凹槽(摇摆凹槽)的用于轨道引导的凹凸。使用具有8个室的溅射装置(由Balzers AG公司制造)来进行溅射。

形成与第一基板相似的基板作为第二基板。在第二基板上，按照与第一信息层中相同的方式来以如下顺序形成：由Ag构成、具有140nm厚度的第二反射层；由TiC(70摩尔百分比)-TiO₂(30摩尔百分比)构成、具有4nm厚度的分界层；由ZnS(80摩尔百分比)-SiO₂(20摩尔百分比)构成、具有20nm厚度的第二上保护层；由Ag_0.2In_3.5Sb_70.2Te_22.6Ge_3.5构成、具有15nm厚度的第二记录层；以及由ZnS(80摩尔百分比)-SiO₂(20摩尔百分比)构成、具有140nm厚度的第二下保护层，以由此形成第二信息层。

接着，在第一信息层的层表面上涂敷紫外线固化树脂(由Nippon KayakuCo.，Ltd制造的KARAYAD DVD003M)，并且，第二信息层的侧面被粘合到第一信息层的层表面，并被旋涂以通过利用紫外线从第一基板侧照射紫外线固化树脂来固化该紫外线固化树脂，以便形成具有55微米厚度的中间层，并且由此产生具有两个信息层的双层相变光记录介质。

接着，通过使用激光束从第一基板侧照射信息层来初始化第一信息层和第二信息层。通过经由光拾取器(数值孔径(NA)＝0.55)聚焦从激光二极管发射的激光束(发射波长：810±10nm)来进行该初始化。对于第一记录层的初始化条件，以5米/秒的线速度、50微米/转的每转走动量、900mW的初始化功率以及23mm到59mm的半径位置来在恒定线速度(CLV)模式中旋转光记录介质。对于第二记录层的初始化条件，以5米/秒的线速度、40微米/转的每转走动量、1250mW的初始化功率以及23mm到59mm的半径位置来在恒定线速度(CLV)模式中旋转光记录介质。首先初始化第二信息层，然后初始化第一信息层。初始化之后的第一信息层的透光率是42.5％，并且已经证实获得了足够的透光率。透光率是使用由STEAG AG制造的ETA-Optik测量的。

以9.2米/秒的记录线速度来在光记录介质上进行记录。对于记录策略，使用1T周期的记录策略，并且将脉冲宽度设置在0.188T。

表7示出了测试结果。例如，DOW 10表示10次的重复记录。表7所示的测试结果是在将记录功率从34mW改变到40mW时获得的抖动中的最佳抖动。

使用1T周期和2T周期的记录策略来在第二信息层上进行记录。在结果中，获得了60％的调制度的1T周期的记录策略和2T周期的记录策略的记录功率对于1T周期是大约47mW，并且对于2T周期是大约40mW，并且使用2T周期的记录策略进行记录时的记录灵敏度比使用1T周期的记录策略更好。根据示例B-1到B-4中的Tr的差别，在记录功率上有很小的差别。

表7

记录线速度9.2米/秒	Tr[T]	DOW 10	DOW 100	DOW 500
					比较示例B-1	n-0.9	8.5	10.5	12.2
示例B-1	n-1	8.3	9.3	10.9
					示例B-2	n-1.2	7.9	9.1	10.8
示例B-3	n-1.4	7.7	8.9	10.7
					示例B-4	n-1.5	8.0	9.0	10.9
比较示例B-2	n-1.6	8.5	10.7	12.4
					比较示例B-3	n-2	11.1	13.8	15.6

示例B-5到B-8和比较示例B-4到B-6

除了将上保护层改变为In₂O₃(9.2摩尔百分比)-ZnO(27.5摩尔百分比)-SnO₂(53.3摩尔百分比)-Ta₂O₅(10摩尔百分比)以外，按照与示例B-1中相同的方式来产生双层光记录介质，并且按照与示例B-1中相同的方式来执行对双层光记录介质的记录测试。初始化后的第一信息层的透光率是42.8％，并且已经证实获得足够的透光率。透光率是使用由STEAG AG制造的ETA-Optik测量的。

表8示出了测试结果。表8所示的测试结果是在将记录功率从34mW改变到40mW时获得的抖动中的最佳抖动。

使用1周期和2T周期的记录策略来在第二信息层上进行记录。在结果中，获得了60％的调制度的1T周期的记录策略和2T周期的记录策略的记录功率对于1T周期是大约46mW，并且对于2T周期是大约39.5mW，并且使用2T周期的记录策略进行记录时的记录灵敏度比使用1T周期的记录策略更好。根据示例B-5到B-8中的Tr的差别，在记录功率上有很小的差别。

表8

记录线速度9.2米/秒	Tr[T]	DOW 10	DOW 100	DOW 500
					比较示例B-4	n-0.9	8.2	10.3	12.0
示例B-5	n-1	8.1	9.1	10.7
					示例B-6	n-1.2	7.9	8.9	10.5
示例B-7	n-1.4	7.6	8.7	10.6
					示例B-8	n-1.5	7.8	8.8	10.7
比较示例B-5	n-1.6	8	10.5	12.1
					比较示例B-6	n-2	10.7	13.4	14.6

示例B-9到B-12和比较示例B-7到B-9

除了将第一信息层的厚度改变为8nm以外，按照与示例B-1中相同的方式来产生双层光记录介质，并且按照与示例B-1中相同的方式来执行对双层光记录介质的记录测试。初始化后的第一信息层的透光率是38.5％，并且已经证实获得足够的透光率。透光率是使用由STEAG AG制造的ETA-Optik测量的。

表9示出了测试结果。表9所示的测试结果是在将记录功率从34mW改变到40mW时获得的抖动中的最佳抖动。

使用1T周期和2T周期的记录策略来在第二信息层上进行记录。在结果中，获得了60％的调制度的1T周期的记录策略和2T周期的记录策略的记录功率对于1T周期是大约54mW，并且对于2T周期是大约46mW，并且使用2T周期的记录策略进行记录时的记录灵敏度比使用1T周期的记录策略更好。根据示例B-9到B-12中的Tr的差别，在记录功率上有很小的差别。

表9

记录线速度9.2米/秒	Tr[T]	DOW 10	DOW 100	DOW 500
					比较示例B-7	n-0.9	7.9	9.3	11.2
示例B-9	n-1	7.8	8.5	10.8
					示例B-10	n-1.2	7.6	7.9	8.7
示例B-11	n-1.4	7.3	7.8	9.0
					示例B-12	n-1.5	7.5	8.8	9.8
比较示例B-8	n-1.6	7.9	9.5	11.1
					比较示例B-9	n-2	8.9	11.1	12.9

示例B-13到B-16和比较示例B-10到B-12

使用与示例B-1中相同的双层光记录介质来进行记录测试。

将记录线速度设置在4.6米/秒，使用1T周期的记录策略，并且将脉冲宽度设置在0.125T。

表10示出了测试结果。在表10中所示的测试结果是在将记录功率从28mW改变到34mW时获得的抖动中的最佳抖动。

使用1T周期和2T周期的记录策略来在第二信息层上执行记录。在结果中，获得了60％的调制度的1T周期的记录策略和2T周期的记录策略的记录功率对于1T周期是大约42mW，并且对于2T周期是大约35mW，并且使用2T周期的记录策略来执行记录时的记录灵敏度比使用1T周期的记录策略更好。根据示例B-13到B-16中的Tr的差别，在记录功率上有很小的差别。

表10

记录线速度4.6米/秒	Tr[T]	DOW 10	DOW 100	DOW 500
					比较示例B-10	n-0.9	8.2	9.6	11.8
示例B-13	n-1	8.2	8.8	10.9
					示例B-14	n-1.2	7.9	8.6	9.2
示例B-15	n-1.4	7.6	8.5	9.5
					示例B-16	n-1.5	7.8	9	10.1

比较示例B-11	n-1.6	8.2	9.6	12.2
					比较示例B-12	n-2	9.1	11.5	14.2

示例B-17和比较示例B-13

使用与示例B-1中相同的双层光记录介质来进行记录测试。

如图25所示，当使用1T周期的记录策略对第一记录层执行记录时的重复记录特性比使用2T周期的记录策略改善得更多。在1T周期的记录策略中的记录功率是37mW，并且在2T周期的记录策略中的记录功率是31mW。

示例B-1和比较示例B-14

使用与示例B-1中相同的双层光记录介质来进行记录测试。

如图26和27所示，当使用2T周期的记录策略来对第二记录层执行记录时的记录灵敏度比使用1T周期的记录策略更好。

接着，按照如在示例B-19到B-35和比较示例B-15到B-28中所述的方式来产生如图17所示的双层光记录介质，以评估该双层光记录介质。

准备第一基板，所述第一基板由聚碳酸酯树脂构成，具有12cm的直径、0.6mm的厚度、以及作为在其一面上具有0.74微米的轨道间距的连续摇摆凹槽(摇摆凹槽)的用于轨道引导的凹凸，并且，使用具有8个室的溅射装置(由Balzers AG制造)、在存在Ar气体的情况下通过溅射方法在第一基板上形成以下各个层。

首先，在第一基板上，形成由ZnS(80摩尔百分比)-SiO₂(20摩尔百分比)构成、具有60nm厚度的第一下保护层。

接着，在第一下保护层上，形成由Ag_0.2In₅Sb_69.8Ge₅Te₂₀构成、具有8nm厚度的第一记录层。

在第一记录层上，形成由In₂O₃(7.5摩尔百分比)-ZnO(22.5摩尔百分比)-SnO₂(60摩尔百分比)-Ta₂O₅(10摩尔百分比)构成、具有5nm厚度的第一上保护层。

在第一上保护层上，形成由Cu构成、具有8nm厚度的第一反射层。

在第一反射层上，形成由In₂O₃(90摩尔百分比)-ZnO(10摩尔百分比)构成、具有140nm厚度的热扩散层。

使用上述层结构，在第一基板上形成第一信息层。

这里，使用由STEAG AG制造的ETA-Optik来测量第一信息层的透光率，并且透光率是41％。

接着，准备与第一基板相似的第二基板，并且按照与第一基板相同的方式而通过溅射在第二基板上形成每个单独的层。

首先，在第二基板上，形成由Ag构成、具有140nm厚度的第二反射层。

在第二反射层上，形成由SnO₂(80摩尔百分比)-Ta₂O₅(4摩尔百分比)-Al₂O₃(16摩尔百分比)构成、具有11nm厚度的第二上保护层。

在第二上保护层上，形成由Ag_0.2In_3.5Sb_71.4Te_21.4Ge_3.5构成、具有14nm厚度的第二记录层。

在第二记录层上，形成由ZnS(80摩尔百分比)-SiO₂(20摩尔百分比)构成、具有120nm厚度的第二下保护层。

使用上述层结构，在第一基板上形成第二信息层。

接着，通过分别从第一基板和第二信息层的层表面使用激光束来照射所述信息层，将第一信息层和第二信息层初始化。通过经由光拾取器(数值孔径(NA)＝0.55)聚焦从激光二极管发射的激光束(发射波长：810±10nm)，来进行初始化。对于初始化条件，以3米/秒的线速度、36微米/转的每转走动量、23mm到58mm的半径位置、以及700mW的初始化功率来在恒定线速度(CLV)模式中旋转光记录介质。

接着，在第一信息层的层表面上涂敷紫外线固化树脂(由Nippon KayakuCo.，Ltd制造的KARAYAD DVD003M)，并且，第二信息层的层表面被粘合到第一信息层的层表面并且被旋涂，以通过从第一基板侧使用紫外线照射紫外线固化树脂来固化该紫外线固化树脂，以便形成具有55微米厚度的中间层，并且由此产生具有两个信息层的双层相变光记录介质。

评估在所获得的双层光记录介质的基板上形成的连续摇摆凹槽的推挽(PP)信号。第一信息层的推挽信号(以下称为“PP1”)是0.45，并且第二信息层的推挽信号(以下称为“PP2”)是0.43。“PP”是在连续摇摆凹槽上容易寻道(tracking)所必需的物理值。当值PP过小或过大时，存在用于再现信号的装置难以执行寻道的问题。在此获得的值PP1和PP2都是有利的值。测量了凹槽的载波噪声比(WCN)。第一信息层中的信号的载波噪声比(以下称为“WCN1”)是50dB，并且第二信息层中的信号的载波噪声比(以下称为“WCN2”)是46dB。在此，当值WCN小于某个值时是不利的，因为它表明准备了具有低摇摆周期性和不良的均匀性的基板。但是，在此获得的值WCN1和WCN2都是有利的值。

使用所获得的双层光记录介质，通过如下所述改变记录条件来进行记录。

示例B-19

使用在图11中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：14米/秒的记录线速度、46mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在结果中，DC抖动示出了10.7％的有利值。

比较示例B-15

使用在图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：14米/秒的记录线速度、46mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在结果中，DC抖动是13.7％，并且DC抖动特性比示例B-19中差。

示例B-20

使用图11中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：8.41米/秒的记录线速度、38mW的记录功率Pp、6.8mW的擦除功率Pe、3.9mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在结果中，DC抖动示出10.3％的有利值。

比较示例B-16

使用在图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：8.41米/秒的记录线速度、38mW的记录功率Pp、6.8mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在结果中，DC抖动是12.5％，并且DC抖动特性比示例B-20中差。

示例B-21

使用在图11中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：7米/秒的记录线速度、36mW的记录功率Pp、6.6mW的擦除功率Pe、3.5mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.18T。

在结果中，DC抖动示出10.4％的有利值。

比较示例B-17

使用在图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：7米/秒的记录线速度、36mW的记录功率Pp、6.6mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.18T。

在结果中，DC抖动是12.9％，并且DC抖动特性比示例B-21中差。

示例B-22

使用在图11中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：3.5米/秒的记录线速度、33mW的记录功率Pp、6.3mW的擦除功率Pe、3.4mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.13T。

在结果中，DC抖动示出9.8％的有利值。

比较示例B-18

使用在图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：3.5米/秒的记录线速度、33mW的记录功率Pp、6.3mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.13T。

在结果中，DC抖动是11.5％，并且DC抖动特性比示例B-22中差。

示例B-23

使用在图13中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：14米/秒的记录线速度、46mW的记录功率Pp、7.2mW的擦除功率Pe、4.2mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在结果中，DC抖动示出10.8％的有利值。

比较示例B-19

使用在图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：14米/秒的记录线速度、46mW的记录功率Pp、7.2mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在结果中，DC抖动是13.9％，并且DC抖动特性比示例B-23中差。

示例B-24

使用图13中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：8.41米/秒的记录线速度、40mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.4T。

在结果中，DC抖动示出10.1％的有利值。

比较示例B-20

使用图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：8.41米/秒的记录线速度、40mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.4T。

在结果中，DC抖动是12.9％，并且DC抖动特性比示例B-24中差。

示例B-25

使用图14中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：8.41米/秒的记录线速度、40mW的记录功率Pp、7.3mW的擦除功率Pe、4.3mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在结果中，DC抖动示出10.1％的有利值。

比较示例B-21

使用图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：8.41米/秒的记录线速度、40mW的记录功率Pp、7.3mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在结果中，DC抖动是12.1％，并且DC抖动特性比示例B-25中差。

示例B-26

使用图14中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：7米/秒的记录线速度、36mW的记录功率Pp、7.1mW的擦除功率Pe、4.1mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.18T。

在结果中，DC抖动示出10.6％的有利值。

比较示例B-22

使用图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：7米/秒的记录线速度、36mW的记录功率Pp、7.1mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.18T。

在结果中，DC抖动是12.8％，并且DC抖动特性比示例B-26中差。

示例B-27

使用在图12中所示的脉冲波形，利用下述设置值来执行记录：8.41米/秒的记录线速度、39mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷却功率Pc1和2mW的Pc2和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在结果中，DC抖动示出10.5％的有利值。

示例B-28

在第一基板上，在存在Ar气体的情况下、通过溅射方法而以下述顺序形成：第一下保护层，由ZnS(80摩尔百分比)-SiO₂(20摩尔百分比)构成、具有60nm厚度；第一记录层，由Ag_0.2In_3.5Sb_71.4Te_21.4Ge_3.5构成、具有8nm厚度；第一上保护层，由In₂O₃(7.5摩尔百分比)-ZnO(22.5摩尔百分比)-SnO₂(60摩尔百分比)-Ta₂O₅(10摩尔百分比)构成、具有5nm厚度；第一反射层，由在质量上包含1.0％的Mo的Cu构成、具有8nm厚度；以及热扩散层，由In₂O₃(90摩尔百分比)-ZnO(10摩尔百分比)构成、具有60nm厚度，以由此形成第一信息层，其中，所述第一基板由聚碳酸酯树脂构成，具有12cm的直径、0.6mm的厚度、以及作为在其一面上具有0.74微米的轨道间距的连续摇摆凹槽(摇摆凹槽)的用于轨道引导的凹凸。该溅射是使用在示例B-19中使用的溅射装置进行的。

将与第一基板相似的基板用作第二基板。在第二基板上，按照与第一信息层中相同的方式来以如下顺序形成：第二反射热消散层，由Ag构成、具有140nm厚度；第二上保护层，由In₂O₃(7.5摩尔百分比)-ZnO(22.5摩尔百分比)-SnO₂(60摩尔百分比)-Ta₂O₅(10摩尔百分比)构成、具有20nm厚度；第二记录层，由Ag_0.2In_3.5Sb_71.4Te_21.4Ge_3.5构成、具有15nm厚度；以及第二下保护层，由ZnS(80摩尔百分比)-SiO₂(20摩尔百分比)构成、具有120nm厚度，以由此形成第二信息层。

接着，通过分别从第一基板和第二信息层的层表面使用激光束来照射信息层，将第一信息层和第二信息层初始化。通过经由光拾取器(数值孔径(NA)＝0.55)聚焦从激光二极管发射的激光束(发射波长：810±10nm)来进行初始化。对于第一记录层的初始化条件，以3米/秒的线速度、36微米/转的每转走动量、900mW的初始化功率、23mm到58mm的半径位置和700mW的初始化功率来在恒定线速度(CLV)模式中旋转光记录介质。对于第二记录层的初始化条件，以3米/秒的线速度、36微米/转的每转走动量、23mm到58mm的半径位置和500mW的初始化功率来在恒定线速度(CLV)模式中旋转光记录介质。

初始化后的第一信息层的透光率是40％，并且已经证实获得足够的透光率。该透光率是使用由STEAG AG制造的ETA-Optik测量的。

接着，在第一信息层的层表面上涂敷紫外线固化树脂(由Nippon KayakuCo.，Ltd制造的KARAYAD DVD003M)，并且，第二信息层的层表面被粘合到第一信息层的层表面、并被旋涂，以通过从第一基板侧使用紫外线照射紫外线固化树脂来固化该紫外线固化树脂，以便形成具有55微米厚度的中间层，并且由此产生具有两个信息层的双层相变光记录介质。

评估在所获得的双层光记录介质的基板上形成的连续摇摆凹槽的推挽(PP)信号。PP1的值是0.47，并且PP2的值是0.42。在此获得的值PP1和PP2都是有利的值。另外，值WCN1是51dB，并且值WCN2是45dB，并且，在此获得的值WCN1和WCN2都是有利的值。

使用在图11中所示的脉冲波形，以8.4米/秒的记录线速度来在如此产生的双层相变信息上进行记录。用于在第一信息层和第二信息层上记录的功率比率彼此不同。表11和图20示出了结果。

比较示例B-23

除了第一记录层和第二记录层的记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe的比率ε、以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1的比率δ被设置为相同值以外，按照与示例B-28中相同的方式、在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。表11和图20示出了结果。

示例B-29

使用图11中所示的脉冲波形，以9.9米/秒的记录线速度，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。用于在第一信息和第二信息层上记录的功率比率彼此不同。

比较示例B-24

除了第一记录层和第二记录层的记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe的比率ε、以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1的比率δ被设置为相同值以外，按照与示例B-29中相同的方式，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。

示例B-30

使用图11中所示的脉冲波形，以11.5米/秒的记录线速度，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。用于在第一信息和第二信息层上记录的功率比率彼此不同。

比较示例B-25

除了第一记录层和第二记录层的记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe的比率ε、以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1的比率δ被设置为相同值以外，按照与示例B-30中相同的方式，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。

示例B-31

使用图13中所示的脉冲波形，以8.4米/秒的记录线速度，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。用于在第一信息和第二信息层上记录的功率比率彼此不同。

比较示例B-26

除了第一记录层和第二记录层的记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe的比率ε、以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1的比率δ被设置为相同值以外，按照与示例B-31中相同的方式，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。

示例B-32

使用图14中所示的脉冲波形，以8.4米/秒的记录线速度，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。用于在第一信息和第二信息层上记录的每个功率比率彼此不同。

比较示例B-27

除了第一记录层和第二记录层的记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe的比率ε、以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1的比率δ被设置为相同值以外，按照与示例B-32中相同的方式，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。

示例B-33

使用图12中所示的脉冲波形，以8.4米/秒的记录线速度，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。用于在第一信息和第二信息层上记录的每个功率比率彼此不同。

比较示例B-28

除了第一记录层和第二记录层的记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe的比率ε、以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1的比率δ被设置为相同值以外，按照与示例B-33中相同的方式，在具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。

表11示出了在示例B-28到B-33和比较示例B-23到B-28中的双层相变光记录介质的记录特性的评估结果。

表11

	记录线速度[米/秒]	记录层	记录功率Pp[mW]	擦除功率Pe[mW]	ε	Pc1[mW]	Pc2[mW]	δ1	δ2	底部抖动[％]	所使用的图中示出的脉冲波形
												示例28	8.4	第一	44	7.9	0.18	4.0	-	0.09	-	8.5	图11
第二	48	18.2	0.38	9.1	-	0.19	-	8.1
									比较示例23	第一	44			7.9	0.18	4.0	-	0.09	-	8.5
第二	48	8.6	0.18	4.3	-	0.09	-	9.7
										示例29	9.9	第一		46	8.3	0.18	4.1	-	0.09	-	8.6	图11
第二	50	18.5	0.37	9.0	-	0.18	-	8.2
									比较示例24			第一	46	8.3	0.18	4.1	-	0.09	-	8.6
第二	52	9.4	0.18	4.7	-	0.09	-	9.8
										示例30		11.5	第一	50	8.5	0.17	4.5	-	0.09	-	9.6		图11
第二	56	19.6	0.35	9.5	-	0.17	-	8.7
									比较示例25		第一		50	8.5	0.17	4.5	-	0.09	-	9.6
第二	56	9.5	0.17	5.0	-	0.09	-	10.1
										示例31	8.4		第一	44	7.9	0.18	4.0	-	0.09	-	8.5	图13
第二	50	19.0	0.38	9.5	-	0.19	-	8.1
									比较示例26			第一	44	7.9	0.18	4.0	-	0.09	-	8.5
第二	50	9.0	0.18	4.5	-	0.09	-	9.6
										示例32		8.4	第一	43	7.7	0.18	3.9	-	0.09	-	8.7		图14
第二	48	18.7	0.39	9.1	-	0.19	-	8.5
									比较示例27		第一		43	7.7	0.18	3.9	-	0.09	-	8.7
第二	48	8.6	0.18	4.3	-	0.09	-	10.0
										示例33	8.4		第一	42.5	7.7	0.18	3.8	2.1	0.09	0.05	8.6	图12
第二	48	18.7	0.39	9.1	4.3	0.19	0.09	8.4
									比较示例28			第一	42.5	7.7	0.18	3.8	2.1	0.09	0.05	8.6
第二	48	8.6	0.18	4.3	2.4	0.09	0.05	10.0

示例B-34

使用在图11中所示的脉冲波形，对于具有与在示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质，以8.4米/秒的记录线速度、使用2T周期的记录策略来在第二记录层上进行记录。

图22示出了结果。它显示出：使用2T周期的记录策略的记录灵敏度给出了比使用1T周期的记录策略进行记录的示例B-28中好大约10％的等级(rating)。

示例B-35

以8.4米/秒的记录线速度、42mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe和4mW的Pe^-，利用1T周期的记录策略，在具有与示例B-28中产生的双层相变光记录介质相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录。

表12示出了结果。它显示出：与如图15和16所示的传统记录方法相比，改善了第一信息层的重复记录特性。应当注意，在传统方法中，显然第二次或更多的重复记录显示出比在第一次记录中差的结果，并且示出所得到的数值没有意义(point)，因此，未测量传统方法中的重复记录。

表12

第一信息层8.4米/秒的记录线速度1T周期的记录策略记录功率Pp＝42mW
					传统记录方法(图15和16)	本发明实施例的记录方法	在本发明实施例的记录方法中增加的Pe-
重复记录次数	抖动(％)	抖动(％)	抖动(％)
				1	8.8	8.7	8.7
5	9.5	8.9	8.9
				10	9.5	8.8	8.6
50	9.7	8.9	8.6
				100	10.1	9.2	8.7
200	11.2	10.5	9.5
				500	13.4	12	10.6

示例B-36

除了将用于第一记录层和第二记录层二者的材料改变为Ag_0.5In_3.9Sb_69.6Te₂₄Ge₂、并且将用于第二上保护层的材料改变为ZnS(80摩尔百分比)-SiO₂(20摩尔百分比)以外，按照与示例B-28中相同的方式来产生具有与在示例B-28中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质。使用在图11中所示的脉冲波形，使用下述设置值来执行记录：15.3米/秒的记录线速度、30mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了9.8％的有利值。

比较示例B-29

使用在图16中所示的脉冲波形，使用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：15.3米/秒的记录线速度、30mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动是11.3％并且比示例B-36中差。

示例B-37

使用在图11中所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：9.2米/秒的记录线速度、28mW的记录功率Pp、6mW的擦除功率Pe、3mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了9.6％的有利值。

比较示例B-30

使用在图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：9.2米/秒的记录线速度、28mW的记录功率Pp、6mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动是10.9％并且比示例B-37中差。

示例B-38

使用在图11中所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：8.4米/秒的记录线速度、26mW的记录功率Pp、6mW的擦除功率Pe、3mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了10％的有利值。

比较示例B-31

使用在图16中所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：8.4米/秒的记录线速度、26mW的记录功率Pp、6mW的擦除功率Pe和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动是11.1％并且比示例B-38中差。

示例B-39

使用如图13所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：15.3米/秒的记录线速度、30mW的记录功率Pp、6.2mW的擦除功率Pe、2.8mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了9.5％的有利值。

示例B-40

使用如图13所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：9.2米/秒的记录线速度、30mW的记录功率Pp、6mW的擦除功率Pe、3mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了9.6％的有利值。

示例B-41

使用如图14所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：15.3米/秒的记录线速度、30mW的记录功率Pp、6.5mW的擦除功率Pe、3.2mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了9.7％的有利值。

示例B-42

使用如图14所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：9.2米/秒的记录线速度、28mW的记录功率Pp、5.9mW的擦除功率Pe、2.8mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了9.5％的有利值。

示例B-43

使用如图12所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：15.3米/秒的记录线速度、30mW的记录功率Pp、7mW的擦除功率Pe、4mW的冷却功率Pc1和2mW的Pc2、以及0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了9.3％的有利值。

示例B-44

使用如图12所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：9.2米/秒的记录线速度、28mW的记录功率Pp、6.2mW的擦除功率Pe、4mW的冷却功率Pc1和2.1mW的Pc2、以及0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在第一记录层的轨道上重复记录100次后的DC抖动示出了9.4％的有利值。

示例B-45

使用如图21所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：15.3米/秒的记录线速度、30mW的记录功率Pp、7.2mW的擦除功率Pe、4.2mW的擦除功率Pe^-、6.6mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.3T。

在第一记录层的轨道上重复记录1000次后的DC抖动示出了9.4％的有利值。

示例B-46

使用如图21所示的脉冲波形，利用下述设置值来在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上进行记录：9.2米/秒的记录线速度、28mW的记录功率Pp、6.8mW的擦除功率Pe和3.8mW的Pe^-、3.8mW的冷却功率Pc1和0.1mW的偏置功率Pb。将多脉冲宽度设置在0.2T。

在第一记录层的轨道上重复记录1000次后的DC抖动示出了9.2％的有利值。

示例B-47

在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上，首先以9.2米/秒的记录线速度在第一信息层上在24mm到58mm的半径位置处进行记录，然后以9.2米/秒的记录线速度在第二信息层上在40mm的半径位置处进行记录。

图23示出了结果。它显示出：与比较示例B-32中相比，示例B-47的记录方法使得能够以更低的功率获得更高的调制度。

比较示例B-32

在具有与示例B-36中相同的层结构和层厚度的双层相变光记录介质上，以9.2米/秒的记录线速度在第二信息层上在40mm的半径位置处进行记录，并且不在第一信息层上进行记录。

图23示出了结果，它显示出：与示例B-47中相比，所述记录方法例示了更差的记录灵敏度，并且需要更高的功率。

即使在与6X DVD到8X DVD一样快或更快的高速记录时，本发明实施例的光记录介质以及用于该光记录介质的光记录方法和光记录装置也可以在不引起重复记录耐久性降低和串扰增大的情况下、与早期结晶状态无关地减小在重复记录早期的抖动增大，并且可以被应用于各种致密盘(CD)和数字多用途盘(DVD)。

本发明实施例的多层光记录介质、用于该多层光记录介质的光记录方法和光记录装置能够防止记录层遭受到的热损害、适当地记录和擦除信息、并且改善重复记录特性，因此它们适合用于多层致密盘(CD)、多层数字多用途盘(DVD)和对于蓝色波长兼容的多层光记录介质。

Claims (79)

1.一种用于多层光记录介质的记录方法，所述多层光记录介质包括M个相变记录层，并且M≥2，所述方法包括：

通过利用包括多个激光束脉冲的记录脉冲串而用激光照射所述记录层中的第K个，在第K记录层中记录标记，用于第K记录层的记录脉冲串具有t_(K)[T]的周期，其中：

第1记录层是与激光束最近的记录层，第M记录层是与激光束最远的记录层，T是时钟周期；

其中，满足以下关系：

t₍₁₎＜t_(M)，并且记录脉冲串的周期在激光束照射的方向上从一个记录层到下一个记录层不减小。

2.根据权利要求1的方法，其中，对于用于第1和第2层的记录脉冲，满足以下关系：

t₍₁₎＜t₍₂₎。

3.根据权利要求1或2的方法，包括：

使用具有1T周期的记录脉冲串来在第1记录层中记录标记；以及

使用具有2T周期的记录脉冲串来在第2记录层中记录标记。

4.根据权利要求1到3的任何一个的方法，包括：

使用具有1T周期的记录脉冲串来在第1记录层中记录标记；以及

使用具有2T周期的记录脉冲串来在其它记录层中记录标记。

5.根据权利要求1到4的任何一个的方法，其中，当在除了第M记录层之外的M个相变记录层的记录层中记录具有长度nT的标记时，满足以下关系：

(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T

其中，n是不小于1的整数，并且Tr表示在引导脉冲的前沿到最后脉冲的前沿之间的间隔。

6.根据权利要求1到5的任何一个的方法，其中，满足以下关系：

0.12T≤Tmp≤0.3T，其中Tmp表示记录脉冲的宽度。

7.根据权利要求1到6的任何一个的方法，其中，在除了从激光束照射侧观看的最内侧上布置的记录层之外的记录层上记录标记，并且通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb中的至少一个偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

8.根据权利要求7的方法，其中，通过记录脉冲串来形成所述标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

9.根据权利要求7的方法，其中，通过记录脉冲串来形成所述标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

10.根据权利要求7的方法，其中，通过记录脉冲串来形成所述标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

11.根据权利要求7到10的任何一个的方法，其中，冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是从1到3的整数的任何一个。

12.根据权利要求7到11的任何一个的方法，其中，当在所述两个或多个相变记录层的每一个上记录信息时，通过对于所述两个或多个相变记录层的每一个改变下述比率的至少一个来记录该信息：记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe之间的比率e(Pe/Pp)，以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN之间的比率d1、...dN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。

13.根据权利要求7到12的任何一个的方法，其中，当在记录具有长度nT(其中n是1或更大的整数，并且T表示时钟周期)的记录标记时使用的记录功率电平Pp的照射脉冲的数量被表示为m(其中m是1或更大的整数)时，如果值n是偶数则满足关系n＝2m，并且如果值n是奇数则满足关系n＝2m+1。

14.根据权利要求13的方法，其中，通过仅将最短标记增加一个脉冲来记录标记。

15.根据权利要求1到14的任何一个的方法，其中，在擦除功率电平Pe的照射期间包括比擦除功率Pe低的擦除功率电平Pe-的脉冲结构。

16.根据权利要求1到15的任何一个的方法，其中，当在多层光记录介质的每个信息层上记录信息时，从布置在自激光束通量照射侧观看的前侧上的信息层起依序记录信息。

17.根据权利要求1到16的任何一个的方法，其中，T对于每个记录层是相同的时钟周期。

18.一种用于多层光记录介质的记录装置，所述多层光记录介质包括M个相变记录层，并且M≥2，所述装置被布置为：

使用激光来在所述记录层的第K个中记录标记，所述激光被布置为利用包括多个激光束脉冲的记录脉冲串来照射该第K记录层，用于第K层的记录脉冲串具有t_(K)[T]的周期，其中：

第1记录层是与激光束最近的记录层，第M记录层是与激光束最远的记录层，并且1≤K≤M，T是时钟周期；

其中，满足以下关系：

t₍₁₎＜t_(M)，并且记录脉冲串的周期在激光束被布置用来照射的方向上从一个记录层到下一个记录层不减小。

19.根据权利要求18的装置，其中，所述装置被布置为使得对于用于第1和第2层的记录脉冲，满足以下关系：

t₍₁₎＜t₍₂₎。

20.根据权利要求18或19的装置，其中，所述装置被布置为：

使用具有1T周期的记录脉冲串来在第1记录层中记录标记；以及

使用具有2T周期的记录脉冲串来在第2记录层中记录标记。

21.根据权利要求18到20的任何一个的装置，其中，所述装置被布置为：

使用具有1T周期的记录脉冲串来在第1记录层中记录标记；以及

使用具有2T周期的记录脉冲串来在其它记录层中记录标记。

22.根据权利要求18到21的任何一个的装置，其中，所述装置被布置为使得：当在除了第M记录层之外的M个相变记录层的记录层中记录具有长度nT的标记时，满足以下关系：

(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T

其中，n是不小于1的整数，并且Tr表示在引导脉冲的前沿到最后脉冲的前沿之间的间隔。

23.根据权利要求18到22的任何一个的方法，其中，满足以下关系：

0.12T≤Tmp≤0.3T，其中Tmp表示记录脉冲的宽度。

24.根据权利要求18到23的任何一个的装置，其中，所述装置被布置为使得：在除了从激光束照射侧观看的最内侧上布置的记录层之外的记录层上记录标记，并且通过记录脉冲串来形成所述标记，所述记录脉冲串被设置为使得在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb中的至少一个偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

25.根据权利要求24的装置，其中，通过记录脉冲串来形成所述标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

26.根据权利要求24的装置，其中，通过记录脉冲串来形成所述标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

27.根据权利要求24的装置，其中，通过记录脉冲串来形成所述标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

28.根据权利要求24到27的任何一个的装置，其中，冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是从1到3的整数的任何一个。

29.根据权利要求24到28的任何一个的装置，其中，所述装置被布置为使得：当在所述两个或多个相变记录层的每一个上记录信息时，通过对所述两个或多个相变记录层的每一个改变下述比率的至少一个来记录该信息：记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe之间的比率e(Pe/Pp)，以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN之间的比率d1、...dN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。

30.根据权利要求24到29的任何一个的装置，其中，当在记录具有长度nT(其中n是1或更大的整数，并且T表示时钟周期)的记录标记时使用的记录功率电平Pp的照射脉冲的数量被表示为m(其中m是1或更大的整数)时，如果值n是偶数则满足关系n＝2m，并且如果值n是奇数则满足关系n＝2m+1。

31.根据权利要求30的装置，其中，通过仅将最短标记增加一个脉冲来记录标记。

32.根据权利要求18到30的任何一个的装置，其中，在擦除功率电平Pe的照射期间包括比擦除功率Pe低的擦除功率电平Pe-的脉冲结构。

33.根据权利要求18到32的任何一个的装置，其中，当在多层光记录介质的每个信息层上记录信息时，从布置在自激光束通量照射侧观看的前侧上的信息层起依序记录信息。

34.根据权利要求18到33的任何一个的装置，其中，T对于每个记录层是相同的时钟周期。

35.一种光记录方法，包括：

使用激光束来照射光记录介质，以及

通过标记长度记录方法来在该光记录介质上记录信息，在所述标记长度记录方法中，利用nT(其中n是自然数，并且T表示基本时钟周期)来表示记录标记的时间长度，

其中，使用将记录功率Pp的加热脉冲和冷却功率Pb(其中Pb满足Pp＞Pb)的冷却脉冲交替“m”次的激光束来照射光记录介质，以由此形成记录标记，满足条件m≤(n/2+1)，并且引导冷却脉冲的照射时间是0.2T到0.4T。

36.根据权利要求35的光记录方法，其中，当值m是3或更大时，第二冷却脉冲的照射时间是1.0T到2.5T。

37.根据权利要求35到36的任何一个的光记录方法，其中，通过照射功率Pe(其中Pe满足Pp＞Pe＞Pb)的激光束来形成空白，并且满足0.1≤Pe/Pp≤0.4的条件。

38.根据权利要求35到37的任何一个的光记录方法，其中，所述光记录介质是相变光记录介质。

39.根据权利要求38的光记录方法，其中，所述相变光记录介质包括第一保护层、相变记录层、第二保护层和反射层，其每一个都被形成在基板上，并且所述相变记录层包括Sb以及从由Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Bi、Se和Te构成的组中选择的一个或多个元素。

40.根据权利要求39的光记录方法，其中，相变记录层中的Sb的含量是50原子百分比到90原子百分比。

41.根据权利要求39到40的任何一个的光记录方法，其中，反射层包括Ag和Ag合金。

42.根据权利要求39到41的任何一个的光记录方法，其中，第一保护层和第二保护层分别包括ZnS和SiO₂的混合物。

43.根据权利要求39到42的任何一个的光记录方法，其中，所述相变光记录介质还包括在反射层和第二保护层之间的抗硫化层，所述反射层包括Ag和Ag合金的任何一个，并且第二保护层包括ZnS和SiO₂的混合物。

44.一种光记录介质，包括：

基板，

第一保护层，

相变记录层，

第二保护层，以及

反射层，其每一个都被形成在基板上，

其中，所述相变记录层包括Sb以及从由Ge、Ga、In、Zn、Mn、Sn、Ag、Mg、Ca、Bi、Se和Te构成的组中选择的一个或多个元素，并且所述光记录介质用于根据权利要求35到38的任何一个的光记录方法。

45.根据权利要求44的光记录介质，其中，相变记录层中的Sb的含量是50原子百分比到90原子百分比。

46.根据权利要求10到11的任何一个的光记录介质，其中，反射层包括Ag和Ag合金。

47.根据权利要求44到46的任何一个的光记录介质，其中，第一保护层和第二保护层分别包括ZnS和SiO₂的混合物。

48.根据权利要求44到47的任何一个的光记录介质，还包括在反射层和第二保护层之间的抗硫化层，其中所述反射层包括Ag和Ag合金的任何一个，并且第二保护层包括ZnS和SiO₂的混合物。

49.一种光记录装置，包括：

旋转驱动机构，被配置用来旋转光记录介质，

激光束源，被配置用来发射激光束以照射光记录介质，

激光束源驱动单元，被配置用来使激光束源发射激光束，以及

发射波形控制单元，被配置用来作为与从激光束源发射的激光束的发射波形相关的记录策略而控制激光束源驱动单元，

其中，通过标记长度记录方法来在光记录介质上记录信息，在所述标记长度记录方法中，利用nT(其中n是自然数，并且T表示基本时钟周期)来表示记录标记的时间长度，所述记录策略被设置为使得：使用将记录功率Pp的加热脉冲和冷却功率Pb(其中Pb满足Pp＞Pb)的冷却脉冲交替“m”次的激光束来照射光记录介质，以由此形成记录标记，满足条件m≤(n/2+1)，并且引导冷却脉冲的照射时间是0.2T到0.4T。

50.根据权利要求49的光记录装置，其中，当值m是3或更大时，将记录策略设置为使得第二冷却脉冲的照射时间是1.0T到2.5T。

51.根据权利要求49到50的任何一个的光记录装置，其中，将记录策略设置为使得：通过利用功率Pe(其中Pe满足Pp＞Pe＞Pb)的激光束照射光记录介质来形成空白，并且满足条件0.1≤Pe/Pp≤0.4。

52.一种用于多层光记录介质的光记录方法，包括：

使用激光束照射在基板上具有至少两个或多个相变记录层的多层光记录介质，

设置用于激光束的发射波形的、包括多个脉冲的记录脉冲串，以及

调制所述记录脉冲串，以由此在多层光记录介质上记录记录标记，

其中，当将基于时钟周期T的、在从激光束照射侧观看的第K记录层(其中K是1或更大的整数)上记录时使用的记录脉冲串的周期表示为t_(k)[T]的时候，满足条件1≤t₍₁₎≤t₍₂₎≤...≤t_(k)≤t_(K+1)(其中当用等号表示所有符号时，该条件被排除)。

53.根据权利要求52的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，值t₍₁₎小于t₍₂₎。

54.根据权利要求52到53的任何一个的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，当基于时钟周期T来执行记录时，将在从激光束照射侧观看的最前侧处布置的记录层上记录时使用的记录脉冲串设置为具有1T的周期，并且将在除了该记录层之外的记录层上记录时使用的记录脉冲串设置为具有2T的周期。

55.根据权利要求54的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，当在除了布置在从激光束照射侧观看的最内侧处的记录层之外的记录层上形成具有长度nT(其中n是1或更大的整数，并且T表示时钟周期)的记录标记时，设置在引导脉冲的前沿和最后脉冲的前沿之间的间隔Tr，以便满足以下条件：

(n-1.5)T≤Tr≤(n-1)T。

56.根据权利要求52到55的任何一个的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，在除了从激光束照射侧观看的最内侧处布置的记录层之外的记录层上记录记录标记，并且通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(，其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb中的至少一个偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

57.根据权利要求56的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

58.根据权利要求56的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

59.根据权利要求56的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

60.根据权利要求56到59的任何一个的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是从1到3的整数的任何一个。

61.根据权利要求56到60的任何一个的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，当在所述两个或多个相变记录层的每一个上记录信息时，通过对于所述两个或多个相变记录层的每一个改变下述比率的至少一个来记录该信息：记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe之间的比率ε(Pe/Pp)，以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN之间的比率δ1、...δN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。

62.根据权利要求56到61的任何一个的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，当将在记录具有长度nT(其中n是1或更大的整数，并且T表示时钟周期)的记录标记时使用的记录功率电平Pp的照射脉冲数量表示为m(其中m是1或更大的整数)时，如果值n是偶数则满足关系n＝2m，并且如果值n是奇数则满足关系n＝2m+1。

63.根据权利要求62的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，通过仅将最短标记增加一个脉冲来记录记录标记。

64.根据权利要求52到63的任何一个的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，在擦除功率电平Pe的照射期间包括比擦除功率Pe低的擦除功率电平Pe^-的脉冲结构。

65.根据权利要求52到64的任何一个的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，当在多层光记录介质的每个信息层上记录信息时，从布置在自激光束通量照射侧观看的前侧上的信息层起依序记录该信息。

66.一种用于多层光记录介质的光记录装置，包括：

激光束，以及

多层光记录介质，其包括基板以及布置在该基板上的两个或多个相变记录层，

其中，通过包括多个脉冲的记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb中的至少一个偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

67.根据权利要求32的用于多层光记录介质的光记录装置，其中，通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

68.根据权利要求66的用于多层光记录介质的光记录装置，其中，通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

69.根据权利要求66的用于多层光记录介质的光记录装置，其中，通过记录脉冲串来形成记录标记，所述记录脉冲串被设置为使得：在偏置功率电平Pb和记录功率电平Pp之间调制冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，并且在擦除功率电平Pe与在引导脉冲之前和最后脉冲之后的偏置功率电平Pb之间设置所述冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN(其中N是1或更大的整数)，以便满足以下关系：

Pp＞Pe＞Pc1＞Pc2...＞PcN＞Pb。

70.根据权利要求66到69的任何一个的用于多层光记录介质的光记录装置，其中，冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN中的值N是从1到3的整数的任何一个。

71.根据权利要求66到70的任何一个的用于多层光记录介质的光记录方法，其中，当在所述两个或多个相变记录层的每一个上记录信息时，通过对于所述两个或多个相变记录层的每一个改变下述比率的至少一个来记录该信息：记录功率电平Pp与擦除功率电平Pe之间的比率ε(Pe/Pp)，以及记录功率电平Pp与冷却功率电平Pc1、Pc2、...、PcN之间的比率δ1、...δN(Pc1/Pp、...、PcN/Pp)。

72.根据权利要求66到71的任何一个的用于多层光记录介质的光记录装置，其中，当将在记录具有长度nT(其中n是1或更大的整数，并且T表示时钟周期)的记录标记时使用的记录功率电平Pp的照射脉冲数量表示为m(其中m是1或更大的整数)时，如果值n是偶数则满足关系n＝2m，并且如果值n是奇数则满足关系n＝2m+1。

73.根据权利要求72的用于多层光记录介质的光记录装置，其中，通过仅将最短标记增加一个脉冲来记录信息。

74.根据权利要求66到72的任何一个的用于多层光记录介质的光记录装置，其中，在擦除功率电平Pe的照射期间包括比擦除功率Pe低的擦除功率电平Pe^-的脉冲结构。

75.根据权利要求32到40的任何一个的用于多层光记录介质的光记录装置，其中，当在多层光记录介质的每个信息层上记录信息时，从布置在自激光束通量照射侧观看的前侧上的信息层起依序记录该信息。

76.一种多层光记录介质，包括：

两个或多个信息层，每个具有相变记录层，

其中，通过使用激光束照射该多层光记录介质、以诱发在每个相变记录层上的结晶状态和非晶状态之间的可逆相变，来记录信息，并且在引导区域中预先格式化与用于通过根据权利要求52到65的任何一个的光记录方法进行记录的记录脉冲策略相关的信息。

77.根据权利要求76的多层光记录介质，其中，除了布置在从激光束照射侧观看的最内侧处的信息层之外的信息层的每一个包括上保护层、相变记录层、下保护层、反射层和热扩散层。

78.根据权利要求76到77的任何一个的多层光记录介质，其中，除了布置在从激光束照射观看的最内侧处的信息层之外的信息层的每一个的透光率是30％到70％。

79.根据权利要求76到78的任何一个的多层光记录介质，作为双层光记录介质，其包括从激光束照射侧观看的下述顺序的第一信息层和第二信息层。

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