CN1267906C - 光记录方法、光记录装置及光记录介质 - Google Patents

光记录方法、光记录装置及光记录介质 Download PDF

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Abstract

本发明的目的是减小在向能够进行高密度记录的光记录介质以多个线速度进行记录时的重放信号的失真。本发明的光记录方法是在多个线速度或连续变化的线速度下进行记录的方法，调制记录光的记录波形具有直流部分和记录脉冲部分，设直流部分的强度为Pbi，设上升沿脉冲的强度为Pw，设在以线速度VL进行记录时的Pw及Pbi分别为PwL及PbiL，设以比VL快并且满足1.1≤VH/VL的线速度VH进行记录时的Pw及Pbi分别为PwH及PbiH时，在满足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1的条件下，进行记录。由此，能够在广线速度范围内的记录中减小重放信号的失真。

Description

光记录方法、光记录装置及光记录介质
技术领域
本发明涉及光记录介质、向其记录数据的方法及向其记录数据的装置，特别涉及相变化型的光记录介质、向其记录数据的方法及向其记录数据的装置。
背景技术
近年来，能够进行高密度记录，并且能够消去记录信息并改写的光记录介质非常引人注目。能够改写型光记录介质中的相变化型介质是通过照射激光束使记录层的结晶状态发生变化而进行记录，通过检测出伴随这样的状态变化而产生的记录层的发射率变化，进行重放。相变化型光记录介质通过调制单一的激光束的强度可以被重写，另外，驱动装置的光学系统与光磁记录介质的驱动装置相比比较简单，所以引人注目。
在能够通过重写进行改写的相变化型介质中，通过向结晶质记录层照射记录功率电平的激光使之熔化，并从熔化状态急冷，来形成非结晶质记录标记。在进行消去时，通过照射消去功率电平的激光，使之升温到记录层的结晶化温度以上而未到熔点的温度，再渐渐冷却，来使非结晶质记录标记结晶化。
作为能够重写的相变化介质中的被实际使用了的介质，例如可以列举出CD-RW、DVD-RW、DVD-RAM。CD-RW具有与CD-DA(光盘)相等的640MB的记录容量。在CD-RW中，在CD-DA的4～10倍的线速度范围内进行记录的种类被实际使用了。另一方面，在具有与DVD-ROM相同的4.7GB的记录容量的DVD-RW及DVD-RAM中，以一倍速(原始线速度)为基准，超过其2倍的线速度下的记录并没有被实际使用。这是因为DVD-RW和DVD-RAM的记录密度比CD-RW显著提高，因而能够在广线速度范围内减小失真而实现重写的技术是难以实现的。另外，在比成为现在主流的DVD(数字通用光盘)系列介质更高的密度下进行记录的情况下，在广线速度范围内减小失真实现重写更加困难。
发明内容
所以，本发明的目的是提供一种在向光记录介质记录数据的光记录方法中，在进行广线速度范围下的记录时能够减小重放信号的失真的光记录方法。
另外，本发明的另一目的是提供一种在向光记录介质记录数据的光记录装置中，相对地在进行广线速度范围下的记录时能够减小重放信号的失真的光记录装置。
另外，本发明的又一目的是提供一种在进行广线速度范围下的记录时能够减小重放信号的失真的光记录介质。
通过下述(1)～(24)的本发明达成这样的目的。
(1)在针对具有包含相变化材料的记录层的光记录介质，使用根据记录波形进行了强度调制的记录光，在多个线速度或连续变化的线速度下进行记录的方法中，
上述记录波形是具有直流部分、用来形成记录标记的记录脉冲部分的波形，直流部分的强度用Pbi表示，在至少有3个上升沿脉冲的记录脉冲部分中，被先头的上升沿脉冲和最后的上升沿脉冲夹着的上升沿脉冲的强度用Pw表示，
设上述多个线速度或上述连续变化的线速度中的一个为VL，设在以线速度VL进行记录时的Pw及Pbi各自为PwL及PbiL，
设上述多个线速度或上述连续变化的线速度中比VL快，并且满足下式
1.1≤VH/VL
的线速度中的一个为VH，设在以线速度VH进行记录时的Pw及Pbi各自为PwH及PbiH的情况下，在满足下式的条件下进行记录的记录方法。
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
(2)在针对具有包含相变化材料的记录层的光记录介质，使用根据记录波形进行了强度调制的记录光，以从多个线速度中选择的一个线速度进行记录的方法中，
上述记录波形是具有直流部分、用来形成记录标记的记录脉冲部分的波形，直流部分的强度用Pbi表示，在至少有3个上升沿脉冲的记录脉冲部分中，被先头的上升沿脉冲和最后的上升沿脉冲夹着的上升沿脉冲的强度用Pw表示，
设上述多个线速度中的一个为VL，设在以线速度VL进行记录时的Pw及Pbi各自为PwL及PbiL，
设上述多个线速度中比VL快，并且满足下式
1.1≤VH/VL
的线速度中的一个为VH，设在以线速度VH进行记录时的Pw及Pbi各自为PwH及PbiH的情况下，在满足下式的条件下进行记录的记录方法。
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
(3)上述(1)或(2)的记录方法，其特征在于：
在记录脉冲部分中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，在最后的上升沿脉冲后面存在下降沿脉冲，该下降沿脉冲的宽度用Tcl表示，
设以线速度VL进行记录时的Tcl为TclL，设以线速度VH进行记录时的Tcl为TclH的情况下，满足下式地进行记录：
TclH/TclL＜1。
(4)上述(1)～(3)中的任意一个的光记录方法，其特征在于：
在记录脉冲部分中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，被先头的上升沿脉冲和最后的上升沿脉冲夹着的上升沿脉冲的宽度用Tmp表示，设以线速度VL进行记录时的Tmp为TmpL，设以线速度VH进行记录时的Tmp为TmpH的情况下，满足下式地进行记录：
TmpH/TmpL≤1。
(5)上述(1)～(4)中的任意一个的光记录方法，其特征在于：
在记录脉冲部分中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，先头的上升沿脉冲的宽度用Ttop表示，
设以线速度VL进行记录时的Ttop为TtopL，设以线速度VH进行记录时的Ttop为TtopH的情况下，满足下式地进行记录：
TtopH/TtopL≤1。
(6)上述(1)～(5)中的任意一个的光记录方法，其特征在于：
在记录脉冲部分中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，最后的上升沿脉冲的宽度用Tlp表示，
设以线速度VL进行记录时的Tlp为TlpL，设以线速度VH进行记录时的Tlp为TlpH的情况下，满足下式地进行记录：
1≤TlpH/TlpL。
(7)上述(1)～(6)中的任意一个的光记录方法，其特征在于：
通过向光记录介质的试写来决定在线速度VL及线速度VH下各自所使用的脉冲强度及脉冲宽度。
(8)上述(1)～(7)中的任意一个的光记录方法，其特征在于：
设检测窗宽度为Tw，设与最短的记录标记对应的信号长度为n·Tw的情况下，记录所使用的最快线速度满足下式：
n·Tw≤20ns。
(9)在针对具有包含相变化材料的记录层的光记录介质，使用根据记录波形进行了强度调制的记录光进行记录的方法中，
上述记录波形是具有直流部分、用来形成记录标记的记录脉冲部分的波形，直流部分的强度用Pbi表示，在至少有3个上升沿脉冲的记录脉冲部分中，被先头的上升沿脉冲和最后的上升沿脉冲夹着的上升沿脉冲的强度用Pw表示，
赋予成为基准的线速度、该线速度的Pw及Pbi的推荐值，在通过在以与该成为基准的线速度不同的线速度下进行试写，决定在该试写时的线速度或包含该线速度的线速度区域下的实际记录信息时实际使用的Pw及Pbi时，设线速度VL和满足下式：
1.1≤VH/VL
的线速度VH中的一个为上述成为基准的线速度，而设另一个为上述试写时的线速度，设在以线速度VL进行记录时的Pw及Pbi各自为PwL及PbiL，设以线速度VH进行记录时的Pw及Pbi各自为PwH及PbiH的情况下，满足下式：
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
那样地设置试写时的Pw及Pbi的光记录方法。
(10)上述(9)的光记录方法，其特征在于：
在记录脉冲部分中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，在最后的上升沿脉冲后面存在下降沿脉冲，该下降沿脉冲的宽度用Tcl表示，
赋予上述成为基准的线速度的Tcl的推荐值，设以线速度VL进行记录时的Tcl为TclL，设以线速度VH进行记录时的Tcl为TclH的情况下，通过满足下式：
TclH/TclL＜1
那样地设置试写时的Tcl，来求出在该试写时的线速度或包含该线速度的线速度区域下的实际记录信息时所使用的Tcl。
(11)上述(9)或(10)的光记录方法，其特征在于：
在记录脉冲部分中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，被先头的上升沿脉冲和最后的上升沿脉冲夹着的上升沿脉冲的宽度用Tmp表示，赋予上述成为基准的线速度的Tmp的推荐值，设以线速度VL进行记录时的Tmp为TmpL，设以线速度VH进行记录时的Tmp为TmpH的情况下，通过满足下式：
TmpH/TmpL≤1
那样地设置试写时的Tmp，来求出在该试写时的线速度或包含该线速度的线速度区域下的实际记录信息时所使用的Tmp。
(12)上述(9)～(11)中的任意一个的光记录方法，其特征在于：
在记录脉冲部分中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，先头的上升沿脉冲的宽度用Ttop表示，
赋予上述成为基准的线速度的Ttop的推荐值，设以线速度VL进行记录时的Ttop为TtopL，设以线速度VH进行记录时的Ttop为TtopH的情况下，通过满足下式：
TtopH/TtopL≤1
那样地设置试写时的Ttop，来求出在该试写时的线速度或包含该线速度的线速度区域下的实际记录信息时所使用的Ttop。
(13)上述(9)～(12)中的任意一个的光记录方法，其特征在于：
在记录脉冲部分中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，最后的上升沿脉冲的宽度用Tlp表示，
赋予上述成为基准的线速度的Tlp的推荐值，设以线速度VL进行记录时的Tlp为TlpL，设以线速度VH进行记录时的Tlp为TlpH的情况下，通过满足下式：
1≤TlpH/TlpL
那样地设置试写时的TlpH，来求出在该试写时的线速度或包含该线速度的线速度区域下的实际记录信息时所使用的Tlp。
(14)上述(9)～(13)中的任意一个的光记录方法，其特征在于：
设检测窗宽度为Tw，设与最短的记录标记对应的信号长度为n·Tw的情况下，记录所使用的最快线速度满足下式：
n·Tw≤20ns。
(15)能够使用上述(1)～(8)的任意一个的光记录方法的光记录装置，其特征在于：
保存在线速度VL及线速度VH下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度。
(16)能够使用上述(1)～(8)的任意一个的光记录方法的光记录装置，其特征在于：
针对各线速度保存多个在线速度VL及线速度VH下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度，在从这些多个脉冲强度及脉冲宽度中选择实际使用的脉冲强度及脉冲宽度的时候，利用向光记录介质的试写。
(17)能够使用上述(1)～(8)的任意一个的光记录方法的光记录装置，其特征在于：
将在线速度VL及线速度VH下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度定义为各个线速度的函数，并保存该函数。
(18)能够使用上述(1)～(8)的任意一个的光记录方法的光记录装置，其特征在于：
将在线速度VL及线速度VH下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度定义为各个线速度的函数，并针对各线速度保存多个该函数，在从这些多个函数中选择实际使用的函数的时候，利用向光记录介质的试写。
(19)能够使用上述(9)～(14)的任意一个的光记录方法的光记录装置，其特征在于：
保存上述成为基准的线速度的脉冲强度及脉冲宽度的推荐值。
(20)能够适用上述(1)～(8)的任意一个的光记录方法的光记录介质，其特征在于：
记录了在线速度VL及线速度VH下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度。
(21)能够适用上述(1)～(8)的任意一个的光记录方法的光记录介质，其特征在于：
针对各线速度记录多个在线速度VL及线速度VH下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度，在从这些多个脉冲强度及脉冲宽度中选择实际使用的脉冲强度及脉冲宽度的时候，利用向光记录介质的试写。
(22)能够适用上述(1)～(8)的任意一个的光记录方法的光记录介质，其特征在于：
将在线速度VL及线速度VH下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度定义为各个线速度的函数，并记录该函数。
(23)能够适用上述(1)～(8)的任意一个的光记录方法的光记录介质，其特征在于：
将在线速度VL及线速度VH下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度定义为各个线速度的函数，并针对各线速度保存多个该函数，在从这些多个函数中选择实际使用的函数的时候，利用向光记录介质的试写。
(24)能够适用上述(9)～(14)的任意一个的光记录方法的光记录介质，其特征在于：
记录上述成为基准的线速度的脉冲强度及脉冲宽度的推荐值。
本发明的上述目的还通过具有以下特征的光记录方法来实现：是针对具有包含相变化材料的记录层的光记录介质，通过照射被调制为至少包含记录功率及偏置功率的多个功率的记录光，来记录数据的光记录方法，将以第1线速度记录数据时的上述记录功率及上述偏置功率各自设为PwL及PbiL，将以比上述第1线速度高的第2线速度记录数据时的上述记录功率及上述偏置功率各自设为PwH及PbiH的情况下，在满足下式：
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
的条件下进行记录。
通过本发明，在广线速度范围下进行记录时能够减少重放信号的失真。
附图说明
图1是展示5T信号及其记录波形的图。
图2是展示4T信号的记录波形的图。
图3是展示3T信号的记录波形的图。
图4是展示使用(1，7)RLL的调制方式记录数据的情况下的记录策略的图，(a)是形成2T信号的情况下的记录策略，(b)是形成3T信号的情况下的记录策略，(c)是形成4T信号的情况下的记录策略，(d)是形成5T信号～8T信号的情况下的记录策略。
图5是展示光记录介质的结构例子的截面图。
图6是展示光记录介质的结构例子的截面图。
图7是概要展示用来向图5及图6所示的光记录介质记录数据的光记录装置50的主要部分的框图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的理想的实施例。
向光记录介质记录数据是通过照射记录光而形成许多的记录标记来进行的，记录标记的开始点到终点的长度及从终点到下一个记录标记的开始点的长度被作为数据。在采用EFM升级版(8-16)调制方式(也称为“8-16”调制)的情况下，各记录标记的长度及记录标记间的长度(边缘间)被设定为与3T～11T及14T(T是时钟周期)对应的长度中的任意一个，在采用(1，7)RLL的调制方式(也称为“1-7调制”)的情况下，被设定为与2T～8T对应的长度中的任意一个。
一般，在向相变化型光记录介质进行记录的时候，并不对应于记录标记的长度照射直流的记录光，一般如例如特开平10-106008号公报、特开平11-232652号公报、特开平2000-155945号公报所记载的那样进行记录。
图1展示了多脉冲记录的记录波形的例子。另外，在本说明书中，记录波形是指用来对记录光进行强度调制的驱动信号模式。在图1中，展示了采用EFM升级版(8-16)调制方式的情况下的NRZI信号的5T信号和与该5T信号对应的记录波形。
在图1中，Pw表示记录功率，Pbi表示偏置功率，Pbo表示基础功率。在可重写的记录系统中，Pbi通常被称为消去功率。该记录波形具有用来形成记录标记的记录脉冲部分、用来消去记录标记的直流部分。记录脉冲部分的结构是循环将上升沿脉冲(强度Pw)和其后面的下降沿脉冲(强度Pbo)进行组合，作为整体是从Pbi开始上升，再返回到Pbi。即相邻的记录脉冲部分通过直流部分被连结起来。
在图1中，Ttop是先头的上升沿脉冲的宽度，Tmp是被先头的上升沿脉冲和最后的上升沿脉冲夹着的上升沿脉冲(多脉冲)的宽度，Tlp是最后的上升沿脉冲的宽度，Tcl是在最后的上升沿脉冲后面附加的下降沿脉冲(也称为冷却脉冲)的宽度。这些脉冲的宽度用以基准脉冲时钟宽度(1T)规格化了的值来表示。在图示的记录波形中，包含冷却脉冲的所有的下降沿脉冲的功率(基础功率Pbo)被设置得比偏置功率Pbi低。
在图2中，展示了采用EFM升级版(8-16)调制方式的情况下的4T信号的记录波形。该记录波形的记录脉冲部分由2个上升沿脉冲、各个上升沿脉冲后面的下降沿脉冲构成。在该记录脉冲部分中，上升沿脉冲的宽度用Ttop表示，从先头数第2个上升沿脉冲的宽度用Tlp表示。
另外，在图3中展示了作为EFM升级版(8-16)调制的最短信号的3T信号的记录波形。该记录波形的记录脉冲部分只由1个上升沿脉冲和1个下降沿脉冲构成。在该记录脉冲部分中，上升沿脉冲的宽度用Ttop表示。
这样，在采用EFM升级版(8-16)调制方式的情况下，上升沿脉冲的个数被设置为k-2个(k为T的倍数，取3～11及14的任意一个的值)。所以，未图示，在形成6T信号～11T信号及14T信号的情况下，上升沿的个数分别是4～9及12个。另外，被开头的上升沿脉冲和最后的上升沿脉冲夹着的上升沿脉冲全部是多脉冲，所以在形成6T信号～11T信号及14T信号的情况下，多脉冲的个数分别是2～7及10个。
本说明书中的脉冲宽度是用基准脉冲时钟宽度规格化了的脉冲宽度。在变更线速度而不变更调制方式的情况下，由于与线速度成反比地变更基准脉冲时钟的宽度，所以如果是同一信号的记录标记，则介质上的标记长度与线速度无关地保持一定。即线记录密度(比特密度)保持一定。例如，线速度为1/2时，基准脉冲时钟宽度为2倍。这样，即使是同一光记录介质，也可以使用多个线速度。能够在多个线速度下记录的光记录介质被称为“多速度型光记录介质”，向这样的光记录介质进行的记录被称为“多速度记录”。
另外，在旋转数保持一定的CAV(恒定角速度)格式下进行记录的情况下，线速度在外缘部分比较高。即，以连续变化的线速度进行记录。
在本发明中，在以多个线速度或连续变化的线速度向相变化型介质进行记录的情况(进行多速度记录的情况或进行CAV格式的记录的情况)下，为了在所有的存在这些多个线速度或连续变化的线速度的线速度区域中减小失真，而对应于记录时的线速度，控制记录波形中的脉冲强度(功率电平)及脉冲宽度。具体如下所示。
首先，设上述多个线速度或上述连续变化的线速度的一个为线速度VL，设上述多个线速度或上述连续变化的线速度中比VL快的线速度的一个为VH。VL与VH的关系理想的是
1.1≤VH/VL。
另外，在记录脉冲部件中至少具有3个上升沿脉冲的波形中，设以线速度VL进行记录时的Pw及Pbi分别为PwL及PbiL，设以线速度VH进行记录时的Pw及Pbi分别为PwH及PbiH。这时，在本发明中，在满足下式：
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
的条件下进行记录。由此，在进行高密度记录的情况下，不管在哪个线速度下进行记录都能够减小失真。即，在进行多速度记录时，或在进行CAV格式的记录时，不管在以哪个线速度进行记录的情况下，都能够减少失真。这样的效果特别在VH与VL的比大的情况下比较显著。另外，理想的是，设定为VH/VL的值越大，则PbiH/PbiL的值越小，而设定(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)的值越小。
上述的
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
与
PbiL/PwL＞PbiH/PwH
同义，所以也与
PwH/PwL＞PbiH/PbiL
同义。即，在本发明中，随着线速度的加快而减少Pbi，但随着线速度的加快增大Pw也可以，减小也可以，保持一定也可以。但是，在减小的情况下，Pw的减小率要比Pbi的减小率大。由此，在广线速度范围内能够容易地使失真处于容许的范围内。
通过这样设定脉冲强度来减小失真是为了抑制再结晶化现象。通过设定上述脉冲强度来抑制再结晶化现象是为了减小热干涉的影响。记录线速度越高则热干涉的影响越显著，如果如上述那样地设定脉冲强度，则在以线速度VH进行记录的情况下，由于能够抑制施加到记录层的热量，所以能够减小热干涉，由此能够抑制再结晶现象。
另外，设在以上述线速度VL进行记录时的Tcl为TclL，设在以上述线速度VH进行记录时的Tcl为TclH的情况下，在本发明中，理想的是以下式：
TclH/TclL＜1
进行记录。由此，能够更加抑制伴随着线速度在广线速度范围内的变化而带来的失真增大。
另外，设在以上述线速度VL进行记录时的Tmp为TmpL，设在以上述线速度VH进行记录时的Tmp为TmpH的情况下，在本发明中，理想的是以下式：
TmpH/TmpL≤1
进行记录。由此，能够更加抑制伴随着线速度在广线速度范围内的变化而带来的失真增大。
另外，设在以上述线速度VL进行记录时的Ttop为TtopL，设在以上述线速度VH进行记录时的Ttop为TtopH的情况下，在本发明中，理想的是以下式：
TtopH/TtopL≤1
进行记录。由此，能够更加抑制伴随着线速度在广线速度范围内的变化而带来的失真增大。
另外，设在以上述线速度VL进行记录时的Tlp为TlpL，设在以上述线速度VH进行记录时的Tlp为TlpH的情况下，在本发明中，理想的是以下式：
1≤TlpH/TlpL
更理想的是以下式：
1＜TlpH/TlpL
进行记录。由此，能够更加抑制伴随着线速度在广线速度范围内的变化而带来的失真增大。
在此，通过设定脉冲宽度为
TmpH/TmpL≤1
及/或
TtopH/TtopL≤1，
能够抑制失真的增大的理由与通过设定脉冲强度为：
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1，
来减小失真的理由一样，是由于通过减小热干涉来抑制再结晶现象。
另一方面，通过设定脉冲宽度为
TclH/TclL＜1
及/或
1≤TlpH/TlpL
能够抑制失真的增大的理由是由于能够提高已经形成了的记录标记的消去率。即，Tcl和Tlp的设定由于依存于该当记录标记的后缘以后的区域(记录标记间)的结晶化的作用，所以在该区域中已经形成了记录标记的情况(是非结晶质状态的情况)下，如果Tcl过长或Tlp过短，都会因加热不足而使已经形成了的记录标记不能被充分消去(结晶化)。线速度越高则该问题越显著，因而通过设定脉冲宽度为
TclH/TclL＜1
及/或
1≤TlpH/TlpL
能够提高已经形成了的记录标记的消去率，能够更加抑制失真的增大。
在本发明所限定的范围内，决定在上述VL及上述VH下分别使用的脉冲强度及脉冲宽度的PbiH/PbiL、(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)、TmpH/TmpL、TclH/TclL、TtopH/TtopL、TlpH/TlpL。有关这样决定的各线速度的脉冲强度及脉冲宽度的设定信息可以由光记录装置保存起来，也可以记录在介质中。即，将这些值作成表，可以将其存储在光记录装置内的存储装置中，也可以预先记录到介质中。另外，代替作成表，也可以例如将在各个线速度下使用的脉冲强度及脉冲宽度作为函数定义，将该函数存储在上述存储装置中或记录到介质中。在本说明书中，称这样的设定信息为“记录条件设定信息”。
本发明在有必要对应CLV(恒定线速度)格式下的多个记录线速度(多速度记录)，并且上述多个线速度有较大差异的情况下特别有效。该情况下的多个线速度通常是指原始线速度(例如在DVD-RW中为3.49m/s)及其整数倍的线速度，但不一定非得是整数倍。另外，在上述多个线速度中不必须包含原始线速度，例如只对应于原始线速度的2倍以上、或4倍以上的线速度的高速记录系统也可以适用本发明。
这样，本发明的一个特征是在对应于CLV格式，并且对应于多个线速度(多速度记录)的记录系统中，确定在各个线速度下的记录条件之间的关系。所以，本发明也包括：只使用从上述多个线速度中选择的一个线速度，向属于这样的记录系统的一个介质进行记录。
另外，本发明的另一个特征是在对应于CAV(恒定角速度)格式的记录系统中，确定在连续变化的各线速度下的记录条件之间的关系。在CAV格式下，由于以一定的旋转数向盘状介质进行记录，所以是以连续变化的线速度进行记录的，介质外周部分比内周部分的线速度快。
另外，在本说明书中，上述CLV格式包含了MCLV(改进CLV)格式，另外，上述CAV格式包含了MCAV(改进CAV)格式。有关MCLV格式及MCAV格式，在例如1989年2月10日电波技术社刊登的“光盘技术”的第223页中有记载。
在本发明中，即使线速度连续增大或减少，也没有必要连续地控制脉冲强度及脉冲宽度。例如在CAV格式下进行记录时，线速度连续变化，但没有必要连续变更与之对应的脉冲强度及脉冲宽度，可以是几种左右的所使用的脉冲强度和脉冲宽度的组合。即，将CAV格式中的最低线速度和最高线速度之间分割为多个线速度区域，在分割的各线速度区域中，可以设定一个脉冲强度和脉冲宽度的组合。
在CAV方式下使用直径12cm左右的盘状介质的情况下，最内周的线速度与最外周的线速度的比一般在2～3的范围内，通常是2.5左右。在这种情况下，设定的上述组合的个数理想的是在2以上，更理想的是在3以上。如果使用的组合的个数过少，则本发明的效果会不充分。而即使增多使用的组合的个数，也不会显著增大减小失真的效果，因而组合的个数没有必要超过40。但是，也可以与线速度变化对应地使脉冲强度及脉冲宽度连续变化。
另一方面，在CLV格式下进行记录时，通常线速度以2倍速、4倍速、6倍速、8倍速等整数倍被变更，VH/VL比较大，因而理想的是使各线速度的脉冲强度及脉冲宽度变化。
理想的是上述VH是使下式：
1.1≤VH/VL，更理想的是
1.2≤VH/VL
成立那样地选择的线速度。在VH/VL小的情况下，没有必要使两线速度的脉冲强度及脉冲宽度为不同的值。而在VH/VL过大的情况下，由于即使适用本发明也难以得到充分的效果，所以理想的是设定为：
VH/VL≤8
更理想的是：
VH/VL≤4。
下面，利用附图更详细地说明能够适用本发明的记录策略。
图4是展示使用(1，7)RLL的调制方式向光记录介质记录数据的情况下的记录策略的图，(a)是形成2T信号的情况下的记录策略，(b)是形成3T信号的情况下的记录策略，(c)是形成4T信号的情况下的记录策略，(d)是形成5T信号～8T信号的情况下的记录策略。
如图4(a)～(d)所示，在本实施例中，在向光记录介质记录数据时，记录光的强度(功率电平)被调制为由记录功率(Pw)、偏置功率(Pbi)及基础功率(Pbo)构成的3个强度(值)。作为记录功率(Pw)的强度，被设定为通过照射使包含在记录膜中的相变化材料熔化那样的高电平，在以线速度VH进行记录的情况下，设定为PwH，在以线速度VL进行记录的情况下，设定为PwL。另外，作为偏置功率(Pbi)的强度，被设定为通过照射使包含在记录膜中的相变化材料达到结晶化温度以上的温度那样的电平，在以线速度VH进行记录的情况下，设定为PbiH，在以线速度VL进行记录的情况下，设定为PbiL。另外，作为基础功率(Pbo)的强度，被设定为即使照射，熔化了的相变化材料也会冷却那样的低电平，在以线速度VH进行记录的情况下，设定为PboH，在以线速度VL进行记录的情况下，设定为PboL。
有关这些记录功率(PwH、PwL)及偏置功率(PbiH、PbiL)的值，如上所述，被设定为满足下式：
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1。
另外，在图4及与其相关的说明中，简单地说记录功率(Pw)、偏置功率(Pbi)及基础功率(Pbo)时，在线速度VH下进行记录的情况下是指各个记录功率(PwH)、偏置功率(PbiH)及基础功率(PboH)，在线速度VL下进行记录的情况下是指各个记录功率(PwL)、偏置功率(PbiL)及基础功率(PboL)。
进而，在图4及与其相关的说明中，简单地说Ttop、Tmp、Tlp及Tcl时，在线速度VH下进行记录的情况下各自是指TtopH、TmpH、TlpH及TclH，在线速度VL下进行记录的情况下各自是指各个TtopL、TmpL、TlpL及TclL。
首先，如图4(a)所示，在向光记录介质形成2T信号的情况下，将记录光的上升沿脉冲数设定为“1”，然后，插入冷却脉冲。上升沿脉冲数由记录光的强度被提高到记录功率(Pw)的次数决定的。在本说明书中，将记录光的上升沿脉冲中的，开头的脉冲称为开始脉冲，最后的脉冲称为结尾脉冲，存在于开始脉冲与结尾脉冲之间的脉冲称为多脉冲。如图4所示，在上升沿脉冲数是“1”的情况下，该当脉冲是开始脉冲。
所以，在形成2T信号的情况下，记录光的强度在定时t11以前被设定为偏置功率(Pbi)，在从定时t11到定时t12的期间(Ttop)内被设定为记录功率(Pw)，在从定时t12到定时t13的期间(Tcl)内被设定为基础功率(Pbo)，在定时t13以后被设定为偏置功率(Pbi)。
另外，如图4(b)所示，在向光记录介质形成3T信号的情况下，将记录光的上升沿脉冲数设定为“2”，然后，插入冷却脉冲。如图4(b)所示，在上升沿脉冲数是“2”的情况下，这些脉冲是开始脉冲和结尾脉冲。
所以，在形成3T信号的情况下，记录光的强度在定时t21以前被设定为偏置功率(Pbi)，在从定时t21到定时t22的期间(Ttop)及从定时t23到定时t24的期间(Tlp)内被设定为记录功率(Pw)，在从定时t22到定时t23的期间(Toff)及从定时t24到定时t25的期间(Tcl)内被设定为基础功率(Pbo)，在定时t25以后被设定为偏置功率(Pbi)。
进而，如图4(c)所示，在向光记录介质形成4T信号的情况下，将记录光的上升沿脉冲数设定为“3”，然后，插入冷却脉冲。所以，在形成4T信号的情况下，记录光的强度在定时t31以前被设定为偏置功率(Pbi)，在从定时t31到定时t32的期间(Ttop)、从定时t33到定时t34的期间(Tmp)以及从定时t35到定时t36的期间(Tlp)内被设定为记录功率(Pw)，在从定时t32到定时t33的期间(Toff)、从定时t34到定时t35的期间(Toff)以及从定时t36到定时t37的期间(Tcl)内被设定为基础功率(Pbo)，在定时t37以后被设定为偏置功率(Pbi)。
然后，如图4(d)所示，在向光记录介质形成5T～8T信号的情况下，将记录光的上升沿脉冲数设定为“4”～“7”，然后，插入冷却脉冲。所以，在形成5T～8T信号的情况下，分别将多脉冲的个数设定为“2”～“5”。在这种情况下，也是在Ttop(从定时t41到定时t42的期间)、Tmp(从定时t43到定时t44的期间、从定时t45到定时t46的期间等)以及Tlp的期间(从定时t47到定时t48的期间)内被设定为记录功率(Pw)，在关闭期间Toff(从定时t42到定时t43的期间、从定时t46到定时t47的期间等)以及冷却期间Tcl(从定时t48到定时t49的期间)内被设定为基础功率(Pbo)，在其他期间内被设定为偏置功率(Pbi)。
通过以上处理，在应该形成记录信号(2T信号～8T信号)的区域中，由于照射具有记录功率(Pw)的记录光而熔化了的相变化材料通过冷却脉冲被急速冷却，成为非结晶状态。另一方面，在其他区域中，由于照射具有偏置功率(Pbi)的记录光，相变化材料被加热到结晶化温度以上的温度，然后通过远离记录光而被逐渐冷却，成为结晶状态。
在本发明中，在这样的记录策略中，在
VH＞VL
理想的是
1.1≤VH/VL
的情况下，满足
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
那样地设定脉冲强度(功率电平)，理想的是
TclH/TclL＜1
TmpH/TmpL≤1
TtopH/TtopL≤1
1≤TlpH/TlpL
那样地设定脉冲宽度，由此在广线速度范围内的记录中，就能够减小重放信号的失真了。
本发明能够适用于在以CLV格式在特定的线速度下实际进行记录前，通过在该线速度下进行试写，来决定所使用的脉冲强度及脉冲宽度的记录方法。另外，还能够适用于在以CLV格式实际进行记录前，通过至少在一个线速度下进行试写，来决定实际记录所使用的脉冲强度及脉冲宽度的记录方法。
在试写时，从有关脉冲强度的各参数及有关脉冲宽度的各参数中选择至少一个参数并变更其值，向介质进行试写。接着，重放试写的信号，通过测量错误及/或失真，判断重放信号的质量。然后，如果质量低，则再次变更该参数，及/或变更其他参数，再次进行试写。通过循环执行该步骤，求出实际使用的记录条件的最佳值。在盘状介质中，通常从内周侧开始记录，因而至少在内周侧进行试写，理想的是在内周侧及外周侧进行试写。特别在CAV格式中，由于内周侧与外周侧的线速度不同，所以理想的是在内周侧及外周侧两方面进行试写。另外，试写通常在设置在数据记录区域以外的试写区域中进行。
以下，说明将本发明适用于通过试写决定最佳记录条件的记录方法中的情况。
在利用试写的第1方法中，针对各线速度赋予多个在线速度VH及线速度VL下各自使用的脉冲强度及脉冲宽度。然后，在特定线速度下进行记录的时候，为了从为了在该线速度下进行记录而准备的多个脉冲强度及脉冲宽度的组合中选择实际使用的脉冲强度及脉冲宽度，而利用试写。另外，在第1方法中，将在各个线速度下使用的脉冲强度及脉冲宽度定义为该线速度的函数，也可以针对各线速度准备多个该函数。在这种情况下，通过试写决定在各线速度下实际使用的函数。另外，针对各个线速度准备的多个脉冲强度及脉冲宽度的组合或函数可以保存在光记录装置中，也可以记录到介质中。在本说明书中，将这样准备的多个脉冲强度及脉冲宽度的组合或函数称为“记录条件设定信息”。
下面说明利用试写的第2方法。在第2方法中，赋予成为基准的线速度，并且有必要赋予该线速度下的脉冲强度及脉冲宽度的推荐值。首先，将成为基准的线速度作为VL，而将试写所使用的线速度作为VH。线速度VH是在CLV格式下用于实际记录的线速度。而在CAV格式下，如上述那样将最低线速度和最高线速度之间分割为多个线速度区域，将各线速度区域的中央附近的线速度作为试写线速度VH。试写线速度VH与上述的VH与VL的关系一样，满足
VH＞VL
更理想的是
1.1≤VH/VL。
设线速度VL的Pw及Pbi的推荐值各自为PwL及PbiL，设在线速度VH下进行试写时的Pw及Pbi各自为PwH及PbiH，则可以满足
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
那样地设定PwH及PbiH，来进行试写。由此，能够以短步骤达到比基准线速度VL快的线速度VH及其附近的最佳记录条件。
另外，有关Tcl、Tmp、Ttop及Tlp，可以同样地考虑。即，作为成为基准的线速度VL的Tcl的推荐值赋予TclL，设在线速度VH下进行试写时的Tcl为TclH的情况下，通过满足
TclH/TclL＜1
那样地设定TclH进行试写，能够以短步骤求出线速度VH及其附近的Tcl的最佳值。另外，作为成为基准的线速度VL的Tmp的推荐值赋予TmpL，设在线速度VH下进行试写时的Tmp为TmpH的情况下，通过满足
TmpH/TmpL≤1
那样地设定TmpH进行试写，能够以短步骤求出线速度VH及其附近的Tmp的最佳值。另外，作为成为基准的线速度VL的Ttop的推荐值赋予TtopL，设在线速度VH下进行试写时的Ttop为TtopH的情况下，通过满足
TtopH/TtopL≤1
那样地设定TtopH进行试写，能够以短步骤求出线速度VH及其附近的Ttop的最佳值。另外，作为成为基准的线速度VL的Tlp的推荐值赋予TlpL，设在线速度VH下进行试写时的Tlp为TlpH的情况下，通过满足
1≤TlpH/TlpL
那样地设定TlpH进行试写，能够以短步骤求出线速度VH及其附近的Tlp的最佳值。
另外，在比成为基准的线速度慢的线速度下进行记录的情况下进行试写时，同样能够适用本发明。在这种情况下，首先，设成为基准的线速度为VH，设试写所使用的线速度为VL。试写线速度VL与上述的VL与VH的关系一样，理想的是满足
1.1≤VH/VL。
另外，设线速度VH的Pw及Pbi的推荐值各自为PwH及PbiH，设在线速度VL下进行试写时的Pw及Pbi各自为PwL及PbiL，则可以满足
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
那样地设定PwL及PbiL，来进行试写。由此，能够以短步骤达到比基准线速度VH慢的线速度VL及其附近的最佳记录条件。另外，有关Tcl、Tmp、Ttop及Tlp，可以与上述一样地考虑。
另外，成为基准的线速度及其线速度的脉冲强度及脉冲宽度的推荐值可以是在试写时能够由光记录装置读出的状态，例如可以由光记录装置保存，也可以记录在介质中。另外，在本说明书中，脉冲强度及脉冲宽度的推荐值是指介质生产厂商所推荐的值或在该记录系统的规格中规定的最佳值或推荐值。在本说明书中，也将这样的推荐值称为“记录条件设定信息”。
在上述方法中使用的成为基准的线速度不必须是适用本发明的记录系统的原始线速度，也可以是任意的值。例如，在原始线速度为3.5m/s的情况下，成为基准的线速度也可以是2倍速的7m/s。另外，在适用该记录方法的情况下，记录线速度不必须是多个，也可以只在成为基准的线速度的例如4倍的线速度下进行记录。
以上是利用试写的第2方法。
本发明特别能够发挥效果的线速度区域是VH/VL在上述范围内，并且上述多个线速度或上述连续变化的线速度的最低值理想的是在2m/s以上，更理想的是在2.5m/s以上，进一步理想的是在3m/s以上的区域。
在VH/VL在上述范围内时，理想的是
0.2≤PbiH/PbiL＜1，
0.5≤(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1，
0≤TclH/TclL＜1，
0.2≤TmpH/TmpL≤1，
0.2≤TtopH/TtopL≤1，
1≤TlpH/TlpL≤3，
更理想的是
0.3≤PbiH/PbiL≤0.99，
0.5≤(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)≤0.99，
0.05≤TclH/TclL≤0.99，
0.3≤TmpH/TmpL≤0.99，
0.3≤TtopH/TtopL≤0.99，
1.01≤TlpH/TlpL≤3。
如果脉冲强度的比或脉冲宽度的比在上述范围以外，则在VH/VL在上述范围内的线速度区域中，难以减小失真。例如，如果设定PbiH/PbiL＜0.2，则线速度VH下的消去率低下而不能进行直接重写。
在本发明中，如图2及图4(b)所示，在记录脉冲部分中存在2个上升沿脉冲的记录波形中，还有在如图3及图4(a)所示，在记录脉冲部分中只存在1个上升沿脉冲的记录波形中，理想的是PbiH/PbiL、(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)、Tcl及TtopH/TtopL在上述的限定范围内，在图2及图4(b)所示的记录波形中，理想的是TlpH/TlpL也在上述限定范围内。
开始上升沿脉冲是从偏置功率Pbi开始上升的脉冲，因而如果使开始上升沿脉冲的宽度Ttop比其他上升沿脉冲的宽度Tmp小，则记录层的温度上升变得不充分，难以得到规定长度的记录标记。因此，理想的是
1≤Ttop/Tmp。
但是，如果Ttop/Tmp过大，则有损多脉冲记录的效果，所以，理想的是
Ttop/Tmp≤3。
另外，通过控制结尾上升沿脉冲的宽度Tlp，能够调整记录标记的长度。但是，不管Tlp/Tmp过大还是过小都有损多脉冲记录的效果，所以通常理想的是
0.5≤Tlp/Tmp≤2
那样地设定Tlp。
在本发明中，在用Pbo表示在记录脉冲部分中在上升沿脉冲后面的下降沿脉冲的强度的情况下，理想的是
Pbo≤Pbi
那样地进行记录。这是因为不会有损设置下降沿脉冲的效果。但是，为了施加导引伺服，下降沿脉冲的功率电平必须大于0。如果设Pbo＝Pbi，则能够减小光记录装置具有的控制装置的负担。另外，在所有的下降沿脉冲中设Pbo都一样，并且Pbo＝Pbi的时候，冷却脉冲就不存在了。但是，也可以与其他的下降沿脉冲独立地控制冷却脉冲。在本发明中，通过如上述那样地对应于线速度地控制冷却脉冲，能够减小失真，所以理想的是设置冷却脉冲。
另外，开始上升沿脉冲的强度及结尾上升沿脉冲的强度可以与被它们夹着的上升沿脉冲的强度(Pw)不同。用Ptop表示开始上升沿脉冲的强度，用Plp表示结尾上升沿脉冲的强度，可以代替使Ttop比Tmp大而使Ptop比Pw大，代替使Tlp比Tmp大或者小而使Plp比Pw大或者小。另外，也可以同时控制Ttop及Ptop，或同时控制Tlp及Plp。但是，为了减小光记录装置具有的控制装置的负担，理想的是使Ptop＝Pw，Plp＝Pw。
本发明适用于改写型系统。所以，由于Pbi成为消去功率，所以可以能够使记录标记结晶化那样地对应于记录层的组成或重写线速度等来决定Pbi的下限。另一方面，可以不使记录层非结晶化那样地，另外通过反复照射也不给记录层造成损害地决定Pbi的上限。
另外，在本发明中，在信号长度相同的所有的记录标记中，不必须使Ttop及Tlp各自相同，例如也可以是对应于之前的记录标记的长度，针对每个记录标记适宜地控制Ttop，或对应于之前的记录标记的长度，针对每个记录标记适宜地控制Tlp的适应型控制。
但是，在上述的特开平10-106008号公报、特开平11-232652号公报及特开2000-155945号公报中，记载了在多脉冲记录中对应于线速度控制脉冲宽度及脉冲强度。但是，在特开平10-106008号公报及特开平11-232652号公报中，没有记载对应于线速度控制Pbi及Pbi与Pw的比。另外，在特开2000-155945号公报中，与本发明相反，记载了PbiL/PwL＜PbiH/PwH。
该特开2000-155945号公报中所记载的发明考虑的是适用于记录磁道间距比DVD宽的CD-RW，在该公报中对CD-RW进行了实验。相对于此，本发明如后所述，是以与CD-RW相比显著提高了记录密度的介质为对象的。另外，本发明是以具有与记录磁道间距为0.74μm的DVD-RW同等的记录磁道间距或比它小的磁道间距的介质为对象的。因此，可以考虑PbiL/PwL与PbiH/PwH之间的关系是与特开2000-155945号公报完全相反的。另外，本发明对记录磁道间距在0.8μm以下的介质特别有效。但是，对于记录磁道间距过窄的介质，由于适用本发明也难以得到充分的效果，所以理想的是将本发明适用于记录磁道间距在0.1μm以上的介质。
在本发明中，设检测窗宽度为Tw，设与最短记录标记对应的信号长度为n·Tw的情况下，在记录所用的最快的线速度下，在
n·Tw≤20ns，特别是
n·Tw≤18ns那样地进行记录的情况下，本发明特别有效。即，在与最短记录标记对应的信号长度(以下也有简称为最短信号长度的情况)n·Tw保持在一定值以上的情况下，本发明特别有效。
最短信号长度n·Tw与数据传送速率有关，n·Tw越短则数据传送速率越大。为了使n·Tw变短，有必要减小记录及重放所使用的激光束的点直径进行高密度记录，或加快记录线速度。在记录时的激光输出保持一定的情况下，记录线速度越快则越难以在记录层上积存热。另一方面，为了减小光束点直径，而缩短激光波长，或增大激光光束照射光学系统的物镜的数值孔径，但在该情况下，与激光束点的单位面积对应的能量提高，因而在记录时变得容易在记录层上积存热。所以，是否容易在记录层上积存热，依存于光束点直径和记录线速度。一旦容易在记录层上积存热，则在记录时，由于向记录层的面内方向的热传导，容易使形成的记录标记的一部分再结晶化，发生自擦除。如果发生自擦除，则失真变大。通过本发明者们的实验，已知在最短信号长度n·Tw超过20ns的条件下，由于记录线速度的影响相对变大，所以难以发生上述自擦除，在n·Tw在20ns以下的条件下，由于减小激光束点直径的影响相对变大，所以容易发生上述自擦除。因此，在n·Tw在20ns以下的情况下，依据本发明，如果
PbiH/PbiL＜1，
即线速度越快则越减小Pbi，则能够显著降低因自擦除的影响所带来的失真增大。
在相变化型介质中为了能够改写，通过加热消去记录标记(结晶化)那样地决定记录层的组成及介质的线速度。因此，在可改写的相变化型介质中，难以因记录层中积存热而发生自擦除。所以，本发明在使用可改写型的相变化型介质的情况下特别有效。
在本发明中，理想的是线速度越慢则越增大Tcl的理由也是为了防止自擦除。另外，理想的是线速度越快则越减小Tmp及Ttop的理由也是为了防止由于记录层中积存热而发生自擦除。
另外，对激光二极管的响应性，即上升及下降有限制，如果n·Tw过短，则形成最短记录标记时激光二极管就不能正常发光了。因此，理想的是
2ns≤n·Tw，更理想的是
4ns≤n·Tw。
最短信号长度n·Tw在例如1-7调制中对应于2T信号时n＝2。另外，在8-16调制中对应于3T信号时n＝3。
另外，所谓数据传送速率与n·Tw相关，但也与格式效率有关，即使n·Tw相同，但格式效率越低则数据传送速率越低。所以，通过n·Tw，能够更直接地表现出写入速度。现有的光记录盘中的具有4.7GB/面的记录容量的DVD-RAM4.7是
线速度：8.2m/s，
传送速率：22Mbps，
n·Tw：51.41ns。
另外，同样具有4.7GB/面的记录容量的DVD-RW是
线速度：3.5m/s，
传送速率：11Mbps，
n·Tw：78.48ns。
这样，本发明中的
n·Tw≤20ns
与现有的光记录盘的n·Tw相比显著地短。
在本发明中，设用于记录的激光的波长为λ，设照射光学系统的物镜的数值孔径为NA的情况下，
λ/NA≤680nm
理想的是
λ/NA≤630nm。
如果λ/NA过大，则由于变得有必要增大记录磁道的排列间距，所以难以提高记录密度。另外，如果λ/NA过大，则由于激光的光束点内的能量密度变得不充分高，所以难以在记录时在记录层中积存热，因而适用本发明的效果变小。但是，对能够利用的激光波长及数值孔径有限制，难以设置明显短的波长及明显大的数值孔径，因而通常理想的是
350nm≤λ/NA。
在记录波形中，在上升沿脉冲和他后面的下降沿脉冲的组中，上升沿脉冲占有的宽度的比例，即负荷比理想的是0.3～0.9。如果该负荷比过小，则由于需要高功率的激光，所以不理想。而如果该负荷比过大，则记录标记的宽度、长度、形状容易产生偏差，其结果是失真容易变大。
另外，例如如上述特开2000-155945号公报中所记载的那样，在开始上升沿脉冲之前，可以设置比消去功率低的功率电平的下降沿脉冲(余热调节脉冲)，另外，也可以构成为在开始上升沿脉冲之前，通过设置比它强度低的上升沿脉冲，辅助使记录层的温度上升。
在本发明中，用来形成信号长度kT(k为1以上的整数，T为基准脉冲时钟宽度)的记录标记的记录脉冲部分的宽度不必须是kT。在设置激光照射时间为kT的情况下，由于通过向记录磁道长度方向的热传导有记录标记长度变得过长的情况，所以一般使记录脉冲部分的宽度比实际的信号长度短。在图1～图3中，将kT信号记录用的记录脉冲部分的上升沿脉冲的个数设为k-2，但并不限于此，也可以如例如图4所示那样地为k-1。另外，在本发明中，调制方式没有限定。
本发明在适用于边缘标记记录方式的情况下特别有效。
在光记录介质的驱动装置中，一般向对记录、重放、消去用的激光进行强度调制的驱动信号叠加与记录频率相比高出一个级别的高频率，例如数百兆赫兹程度的高频率。
本说明书中的直流激光包含由叠加了这样的高频率的直流信号驱动的激光。
下面，说明适用本发明的光记录介质的结构例子。
图5所示的构造
图5展示了本发明的光记录介质的结构例子。该光记录介质在透光性基体2上顺序具有第1电介质层31、记录层4、第2电介质层32、反射层5及保护层6，记录或者重放用的激光通过透光性基体2入射。
透光性基体2
透光性基体2具有对记录或重放用的激光的透光性。透光性基体2的厚度通常为0.2～1.2mm，理想的是0.4～1.2mm。透光性基体2可以由树脂构成，也可以由玻璃构成。在光记录介质中通常设置的凹槽(导引沟)2G是从激光入射侧看存在于前面的区域，存在于相邻的凹槽之间的凸条是凸缘2L。
在本发明中，能够将凸缘及/或凹槽作为记录磁道利用。
第1电介质层31及第2电介质层32
这些电介质层通过防止记录层的氧化、变质，和在记录时截断从记录层传导的热向面内方向传导，来保护支持基体20和透光性基体2。另外，通过设置这些电介质层，能够提高调制度。各电介质层可以由组成不同的2层以上的电介质层叠而成。
作为用于这些电介质层的电介质，理想的是例如从Si、Ge、Zn、Al、稀土类元素等中选择的至少一种的包含金属成分的各种化合物。作为化合物理想的是氧化物、氮化物或硫化物，也可以使用含有2种以上的这些化合物的混合物。
在希望介质是急冷构造的情况下，理想的是电介质层，特别是第2电介质层32由热传导率高的电介质构成。作为热传导率高的电介质理想的是例如硫化锌与氧化硅的混合物(ZnS-SiO2)、氮化铝、氧化铝、氮化硅、氧化钽等，特别理想的是铝的氧化物及/或氮化物、硅的氧化物及/或氮化物。作为ZnS-SiO2理想的是含有30～60摩尔％的SiO2。如果SiO2的含量过低，则热传导率变得过低。另一方面，如果SiO2的含量过高，则由于与其他层的粘合性不充分，所以在长期保存时容易产生层间剥离。
在急冷构造的情况下，第2电介质层的热传导率理想的是在1W/mK以上，更理想的是在1.5W/mK以上。第2电介质层的热传导率没有特别的上限，但可以作为电介质层使用的材料通常其热传导率都在20W/mK左右以下。本说明书的第2电介质层的热传导率不是在薄膜状态下的测量值，而是松散材料下的值。
第1电介质及第2电介质的厚度可以是得到充分的保护效果和调制度提高效果那样地适当地决定，但通常，第1电介质层31的厚度理想的是30～300nm，更理想的是50～250nm，第2电介质层32的厚度理想的是10～50nm。但是，在追加记录型介质中，理想的是使非结晶记录标记难以结晶化那样的急冷构造，因此，第2电介质层的厚度理想的是在30nm以下，更理想的是在25nm以下。
理想的是通过喷镀法形成各电介质。
记录层4
记录层的组成并没有特别的限定，可以从各种相变化材料中适当地选择，但理想的是至少包含Sb及Te。只由Sb及Te构成的记录层由于其结晶化温度低至130℃左右，保存可靠性不充分，所以为了提高结晶化温度，理想的是添加其他元素。作为这种情况下的添加元素，理想的是至少从In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Sn、Pb、Pd及稀土元素(Sc、Y及镧系元素)中选择一种。在这些当中，由于提高保存可靠性的效果特别高，所以理想的是至少从稀土元素、Ag、In及Ge中选择一种。
作为包含Sb及Te的组成，理想的是以下的组成。用M表示除了Sb及Te以外的元素，用下式
式I        (SbxTe1-x)1-yMy
表示记录层构成元素的原子比，则理想的是
0.2≤x≤0.9
0≤y≤0.4，
更理想的是
0.5≤x≤0.85
0.01≤y≤0.2。
具体地说，可以对应于记录线速度和介质的热设计，适当地设定x。
在上述式I中，如果表示Sb的含有量的x过小，则结晶化速度变慢，因而在比较快的线速度下消去记录标记会变得困难。另外，由于在记录层结晶质区域中的反射率变低，所以重放信号输出变低。另外如果显著减小x，则记录也会变得困难。另一方面，如果x过大，则结晶状态和非结晶状态之间的反射率差变小，因而重放信号输出变低。
元素M并没有特别的限定，但理想的是从表现出提高保存可靠性效果的上述元素中至少选择一种。如果表示元素M的含有量的y过大，则结晶化速度会过快，或重放输出变低。
记录层的厚度理想的是超过4nm并低于50nm，更理想的是5～30nm。如果记录层过薄，则结晶相的成长变得困难，结晶化变得困难。另一方面，如果记录层过厚，则记录层的热容量变大，记录变得困难，另外重放信号输出还会降低。
理想的是通过喷镀法形成记录层。
另外，本发明中的记录层的结构并没有特别的限定。例如，特开平8-221814号公报或特开平10-226173号公报中所记载的具有多层结构的记录层的介质也可以适用本发明。
反射层5
反射层构成材料并没有特别的限定，通常可以由Al、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、Si等金属或半金属的单体或包含它们的一种以上的合金等构成。
在希望介质是急冷结构的情况下，理想的是由热传导率高的材料构成反射层。作为热传导率高的材料理想的是Ag或Al。但是，Ag或Al的单体无法得到耐腐蚀性，理想的是添加用来提高耐腐蚀性的元素。
但是，由于添加其他元素会降低热传导率，所以在这种情况下，理想的是将热传导率较高的Ag作为主成分使用。作为向Ag添加的理想的副成分元素，例如可以列举出从Mg、Pd、Ce、Cu、Ge、La、S、Sb、Si、Te及Zr中至少选择出一种。这些副成分元素至少使用一种，理想的是使用2种以上。反射层中的副成分元素的含有量，对于各金属理想的是0.05～2.0原子％，更理想的是0.2～1.0原子％，作为副成分全体理想的是0.2～5原子％，更理想的是0.5～3原子％。如果副成分元素的含有量过少，则包含它们所产生的效果并不充分。另一方面，如果副成分元素的含有量过多，则热传导率会减小。
在急冷结构的情况下，反射层的热传导率理想的是在100W/mK以上，更理想的是在150W/mK以上。例如可以根据用4探针法求出的反射层的电阻值，利用Widemann-Franz法则计算出热传导率。反射层的热传导率并没有特别的上限。即，可以使用在能够作为反射层构成材料使用的材料中的具有最高热传导率的纯银(热传导率250W/mK)。
反射层的厚度通常理想的是10～300nm。如果厚度没有达到上述范围，则难以得到充分的反射率。另外，超过上述范围，也会使反射率的提高变小，对成本也不利。理想的是通过喷镀法或蒸镀法等气相生长法形成反射层。
保护层6
保护层6是为了提高耐擦伤性和耐腐蚀性而设置的。理想的是由各种有机系的物质构成保护层，特别理想的是由通过电子射线、紫外线等放射线使放射线硬化型化合物或它的组成物硬化而成的物质构成。保护层的厚度通常是0.1～100μm左右，可以通过自旋镀层、照相凹版涂抹、喷射镀层、浸渍涂层等通常的方法形成。
图6所示的结构
图6展示了本发明的光记录介质的结构例子。该光记录介质是在支持基体20上，以由金属或半金属构成的反射层5、第2电介质层32、记录层4、第1电介质层31及透光性基体2的顺序进行层堆积而形成的。用来记录或重放的激光通过透光性基体2入射。另外，在支持基体20和反射层5之间，可以设置由电介质材料构成的中间层。
该构成例子中的透光性基体2可以使用与图5的透光性基体2同等程度厚度的树脂板或玻璃板。但是，为了通过记录重放光学系统的高NA化达到高记录密度，理想的是使透光性基体2薄化。这种情况下的透光性基体的厚度理想的是从30～300μm的范围中选择。如果透光性基体过薄，则因附着在透光性基体表面的尘埃造成的光学影响会变大。而如果透光性基体过厚，则难以通过高NA化达到高记录密度。
在使透光性基体2薄化的时候，例如可以通过各种粘接剂或粘合剂将由透光性树脂构成的透光性膜粘贴到第1电介质层31上而作为透光性基体，也可以利用涂抹法直接在电介质层31上形成透光性树脂层而作为透光性基体。
支持基体20是为了维持介质的刚性而设置的。支持基体20的厚度及构成材料可以与图5所示的结构例子中的透光性基体2一样，也可以是透明的或不透明的。凹槽2G如图所示，可以通过将设置在支持基体20上的沟转写到在其上形成的各层上来形成。
该其他的各层与图5所示的结构例子一样。
下面，说明能够适用本发明的光记录装置的结构。
图7是概要展示用来向图5及图6所示的光记录介质记录数据的光记录装置50的主要部分的框图。
光记录装置50具备如图7所示那样地使光记录介质10旋转的主轴电动机52、向光记录介质10照射记录光，同时接收其反射光的头53、控制主轴电动机52及头53的动作的控制器54、向头53提供激光驱动信号的激光驱动电路55、向头53提供透镜驱动信号的透镜驱动电路56。
进而，如图7所示，控制器54包含聚焦伺服跟踪电路57、导引伺服跟踪电路58及激光控制电路59。一旦聚焦伺服跟踪电路57开始活动，则成为在正在旋转的光记录介质10的记录面上聚焦的状态，如果导引伺服跟踪电路58开始活动，则成为激光束的点自动跟踪光记录介质10的偏离中心的信号磁道的状态。聚焦伺服跟踪电路57及导引伺服跟踪电路58分别具备自动调整聚焦增益的自动增益控制功能及自动调整导引增益的自动增益控制功能。另外，激光控制电路59是生成由激光驱动电路55供给的激光驱动信号的电路，它根据保存在光记录介质10等中的记录条件设定信息，生成适当的激光驱动信号。
另外，这些聚焦伺服跟踪电路57、导引伺服跟踪电路58及激光控制电路59不必须一定是安装在控制器54内的电路，也可以是与控制器54分离的部件。进而，这些并不必须一定是物理的电路，也可以是在控制器54内执行的软件。
在使用由这样的结构构成的光记录装置50，向本实施例的光记录介质10记录数据的情况下，如上所述，读出记录在光记录介质10等中的记录条件设定信息，根据它决定记录策略。
因此，例如，在光记录装置50以2倍速(VL)向光记录介质10记录数据的情况下，将记录功率及偏置功率分别设定为PwL及PbiL，同时将开始脉冲的脉冲宽度、多脉冲的脉冲宽度、结尾脉冲的脉冲宽度及冷却脉冲的脉冲宽度分别设定为TtopL、TmpL、TlpL及TclL，而在以例如4倍速(VH)记录数据的情况下，将记录功率及偏置功率分别设定为PwH及PbiH，同时将开始脉冲的脉冲宽度、多脉冲的脉冲宽度、结尾脉冲的脉冲宽度及冷却脉冲的脉冲宽度分别设定为TtopH、TmpH、TlpH及TclH。通过满足
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1，
那样地进行设定，理想的是满足
TclH/TclL＜1，
TmpH/TmpL≤1，
TtopH/TtopL≤1，
1≤TlpH/TlpL
那样地设定脉冲宽度，则在通过2倍速及4倍速的任意一个进行记录的情况下，都能够减小重放信号的失真。
实施例
实施例1
通过以下步骤制作具有图6所示的结构的光记录盘样盘。
支持基体20使用直径120mm、厚度1.1mm的盘状聚碳酸脂。在该支持基体的表面设置在向透光性基体2转写后成为凹槽及凸缘的凹凸图形。
在Ar气体氛围中通过喷镀法形成反射层5。目标靶使用Ag98Pd1Cu1。反射层的厚度为100nm。
第2电介质层32使用Al2O3目标靶，在Ar气体氛围中通过喷镀法形成。第2电介质层的厚度为20nm。
记录层4使用合金目标靶，在Ar气体氛围中通过喷镀法形成。记录层的组成(原子比)为
{(Sb0.82Te0.18)0.93(In0.14Ge0.86)0.07}0.98Tb0.02。
记录层的厚度为12nm。
第1电介质层31使用ZnS(85摩尔％)-SiO2(15摩尔％)的目标靶，在Ar气体氛围中通过喷镀法形成。第1电介质层的厚度为130nm。
通过在第1电介质层31的表面，经由由溶剂型的紫外线硬化型丙烯基树脂构成的厚度3μm的粘接层，粘接聚碳酸脂膜(厚度100μm)来形成透光性基体2。
在通过置零电路初始化(结晶化)这样制作的样盘后，使用光记录介质评价装置(帕尔斯泰克公司制的DDU-1000)，在
激光波长：405nm
数值孔径：0.85
记录信号：(1，7)RLL调制信号
的条件下，向凹槽记录信号，接着，重放记录信号。表1表示记录时的线速度V、Pw、Pbi、Pbi/Pw、Tlp、Tmp、Ttop及Tlp和重放信号的失真。表1所示的N是以线速度5.7m/s为基准的倍率表示，N＝V/5.7。另外，Pbo被固定为0.1mw。在多脉冲中，上升沿脉冲的宽度和下降沿脉冲的宽度的合计为1T。因此，负荷比与Tmp相等。另外，在图2及图3分别展示的波形中，除Tmp以外的参数都与图1所示的记录波形相同。另外，该记录时的最短信号长度n·Tw在线速度V为5.7m/s的时候是30.3ns，在V为14.6m/s的时候是11.8ns。
表1所示的失真是通过时间间隔检测器(横河电机株式会社制)测量重放信号，设检测窗宽度为Tw，根据
σ/Tw(％)
计算得出的时钟失真。该时钟失真相对于与基准时钟宽度(1T)对应的频率的重放信号随时处于摇摆中。即使考虑到倾斜区域，即考虑盘倾斜造成的失真增大，如果无倾斜时的时钟失真在10％以下，理想的是在9％以下，则对信号质量不构成问题。
                              表1
  分支No   V(m/s)   N＝V/5.7   Pw(mW)   Pbi(mW) Pbi/Pw   Tcl(T)   Tmp(T)   Ttop(T)   Tlp(T)   失真(％)
  101   5.7   1   4.5   2.0   0.444   1.00   0.40   0.40   0.50   8.3
  102   11.4   2   4.5   1.6   0.356   0.60   0.40   0.40   0.60   8.3
  103   14.6   2.56   4.5   1.4   0.311   0.40   0.35   0.40   0.60   8.5
  104   14.6   2.56   4.5   1.4   0.311   1.10   0.35   0.40   0.60   9.8
  105   14.6   2.56   4.5   1.4   0.311   0.40   0.50   0.50   0.60   9.7
在表1的所有分支中的各线速度的Pw及Pbi和其他所有线速度的这些参数间，
PbiH/PbiL＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
都成立。因此，在所有的线速度下的失真都在10％以下。
进而，在表1的分支No.101～103中的各线速度的Tcl及Tmp和其他所有线速度的这些参数间，
TclH/TclL＜1，
TmpH/TmpL≤1
都成立。因此，在所有线速度下的失真都在9％以下。
另外，表1所示的失真是在进行了10次重写后测量的值。即，上述样盘能够在表1所示的所有线速度下被重写。
比较例子1
针对在实施例1中制作的样盘，进行除了记录条件为表2所示那样以外，其他都与实施例1一样的测量。结果如表2所示。另外，表2的分支No.201是与表1的分支No.101相同的条件。
                          表2
  分支No   V(m/s)   N＝V/5.7   Pw(mW)   Pbi(mW) Pbi/Pw   Tcl(T)   Tmp(T)   Ttop(T)   Tlp(T)   失真(％)
  201   5.7   1   4.5   2.0   0.444   1.00   0.40   0.40   0.50   8.3
  202   14.6   2.56   4.5   2.2   0.489   0.40   0.35   0.40   0.60   13.2
  203   14.6   2.56   3.0   1.4   0.460   0.40   0.35   0.40   0.60   12.1
在表2中，如果将处于失真容许范围内的分支No.201(1倍速)考虑为基准分支，则在基准分支与分支No.202的关系中，
PbiH/PbiL＜1
不成立。另外，在基准分支与分支No.202及分支No.203的关系中，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1
不成立。其结果是，分支No.202、分支No.203超过了失真容许范围。
在本发明中，由于在多脉冲记录中对应于线速度控制记录波形，所以在广线速度范围内能够减小失真。

Claims (28)

1.一种光记录方法，用于在具有包含相变化材料的记录层的光记录介质中，通过用根据记录波形来调制强度的记录光束照射该光记录介质来记录数据，该记录波形至少包含记录功率Pw及偏置功率Pbi，其特征在于：
设置以第1线记录速度进行数据记录时的记录功率PwL及偏置功率PbiL，和以比上述第1线速度高的第2线记录速度进行数据记录时的记录功率PwH及偏置功率PbiH，以满足PbiH/PbiL＜1和(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1。
2.根据权利要求1所述的光记录方法，其特征在于：
对数据进行记录，使得上述第1线记录速度VL和上述第2线记录速度VH满足1.1≤VH/VL≤8。
3.根据权利要求2所述的光记录方法，其特征在于：
对数据进行记录，使得上述第1线记录速度VL和上述第2线记录速度VH满足1.2≤VH/VL≤4。
4.根据权利要求1所述的光记录方法，其特征在于：
上述记录波形具有强度为Pbi的直流部分和用来形成记录标记的记录脉冲部分，
上述记录脉冲部分至少具有3个上升沿脉冲，
记录功率PwL是在以第1线记录速度进行数据记录时第一个上升沿脉冲和最后一个上升沿脉冲之间的上升沿脉冲的强度，以及
记录功率PwH是在以第2线记录速度进行数据记录时第一个上升沿脉冲和最后一个上升沿脉冲之间的上升沿脉冲的强度。
5.根据权利要求4所述的光记录方法，其特征在于：
上述记录脉冲部分还包括一个下降沿脉冲，其宽度为Tcl，并跟随上述最后一个上升沿脉冲，并设置TclL和TclH以满足TclH/TclL＜1，
其中TclL是在以第1线记录速度进行数据记录时的Tcl，而TclH是在以第2线记录速度进行数据记录时的Tcl。
6.根据权利要求4所述的光记录方法，其特征在于：
上述第一个上升沿脉冲和最后一个上升沿脉冲之间的上升沿脉冲的宽度为Tmp，并设置TmpL和TmpH以满足TmpH/TmpL≤1，
其中TmpL是在以第1线记录速度进行数据记录时的Tmp，而TmpH是在以第2线记录速度进行数据记录时的Tmp。
7.根据权利要求4所述的光记录方法，其特征在于：
上述第一个上升沿脉冲的宽度为Ttop，并设置TtopL和TtopH以满足TtopH/TtopL≤1，
其中TtopL是在以第1线记录速度进行数据记录时的Ttop，而TtopH是在以第2线记录速度进行数据记录时的Ttop。
8.根据权利要求4所述的光记录方法，其特征在于：
上述最后一个上升沿脉冲的宽度Tlp，并设置TlpL和TlpH以满足1≤TlpH/TlpL，
其中TlpL是在以第1线记录速度进行数据记录时的Tlp，而TlpH是在以第2线记录速度进行数据记录时的Tlp。
9.根据权利要求4所述的光记录方法，其特征在于：
通过测试记录来确定分别在第1线记录速度及第2线记录速度下使用的脉冲强度及脉冲宽度。
10.根据权利要求4所述的光记录方法，其特征在于：
在最高线记录速度下满足n·Tw≤20ns，其中Tw为检测窗的宽度，n·Tw为与最短记录标记对应的信号长度。
11.根据权利要求1所述的光记录方法，其特征在于：
设置基准线记录速度和以该基准线记录速度进行数据记录时的推荐值Pw及Pbi，
将上述第1线记录速度和上述线记录速度中的一个作为上述基准线记录速度，而将另一个作为用于测试记录的线记录速度，
通过测试记录来确定用于测试记录或在包含用于测试记录的上述线记录速度的线记录速度区域中进行数据记录时的Pw及Pbi。
12.根据权利要求1～11中的任意一个所述的光记录方法，其特征在于：
对数据进行记录，使得上述记录光束的波长λ和记录光束投影光学记录系统的物镜的数值孔径NA满足λ/NA≤680。
13.根据权利要求12所述的光记录方法，其特征在于：
对数据进行记录，使得上述记录光束的波长λ和记录光束投影光学记录系统的物镜的数值孔径NA满足350≤λ/NA≤630。
14.一种光记录装置，用于在具有包含相变化材料的记录层的光记录介质中，通过用根据记录波形来调制强度的记录光束照射该光记录介质来记录数据，该记录波形至少包含记录功率Pw及偏置功率Pbi，其特征在于包括：
用于产生上述记录波形的控制器，和
用于根据上述记录波形将上述记录波形投影到上述光记录介质上的光头，其中
上述控制器产生上述记录波形，使得以第1线记录速度进行数据记录时的记录功率PwL及偏置功率PbiL、和以比上述第1线记录速度高的第2线记录速度进行数据记录时的记录功率PwH及偏置功率PbiH满足PbiH/PbiL＜1和(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1。
15.根据权利要求14所述的光记录装置，其特征在于：
对数据进行记录，使得上述第1线记录速度VL和上述第2线记录速度VH满足1.1≤VH/VL≤8。
16.根据权利要求15所述的光记录装置，其特征在于：
对数据进行记录，使得上述第1线记录速度VL和上述第2线记录速度VH满足1.2≤VH/VL≤4。
17.根据权利要求14所述的光记录装置，其特征在于：
上述记录波形具有强度为Pbi的直流部分和用来形成记录标记的记录脉冲部分，
上述记录脉冲部分至少具有3个上升沿脉冲，
记录功率PwL是在以第1线记录速度进行数据记录时第一个上升沿脉冲和最后一个上升沿脉冲之间的上升沿脉冲的强度，以及
记录功率PwH是在以第2线记录速度进行数据记录时第一个上升沿脉冲和最后一个上升沿脉冲之间的上升沿脉冲的强度。
18.根据权利要求17所述的光记录装置，其特征在于：
上述记录脉冲部分还包括一个下降沿脉冲，其宽度为Tcl，并跟随上述最后一个上升沿脉冲，
上述控制器产生上述记录波形，使得TclL和TclH满足TclH/TclL＜1，
其中TclL是在以第1线记录速度进行数据记录时的Tcl，而TclH是在以第2线记录速度进行数据记录时的Tcl。
19.根据权利要求17所述的光记录装置，其特征在于：
上述第一个上升沿脉冲和最后一个上升沿脉冲之间的上升沿脉冲的宽度为Tmp，
上述控制器产生上述记录波形，使得TmpL和TmpH满足TmpH/TmpL≤1，
其中TmpL是在以第1线记录速度进行数据记录时的Tmp，而TmpH是在以第2线记录速度进行数据记录时的Tmp。
20.根据权利要求17所述的光记录装置，其特征在于：
上述第一个上升沿脉冲的宽度为Ttop，
上述控制器产生上述记录波形，使得TtopL和TtopH满足TtopH/TtopL≤1，
其中TtopL是在以第1线记录速度进行数据记录时的Ttop，而TtopH是在以第2线记录速度进行数据记录时的Ttop。
21.根据权利要求17所述的光记录装置，其特征在于：
上述最后一个上升沿脉冲的宽度为Tlp，
上述控制器产生上述记录波形，使得TlpL和TlpH满足1≤TlpH/TlpL，
其中TlpL是在以第1线记录速度进行数据记录时的Tlp，而TlpH是在以第2线记录速度进行数据记录时的Tlp。
22.根据权利要求17所述的光记录装置，其特征在于：
上述控制器通过测试记录确定分别在第1线记录速度及第2线记录速度下使用的脉冲强度及脉冲宽度。
23.根据权利要求22所述的光记录装置，其特征在于：
设置上述控制器，以保存分别在第1线记录速度和第2线记录速度下使用的多个脉冲强度及多个脉冲宽度，并通过在光记录介质中测试记录数据，而从上述多个脉冲强度及脉冲宽度中选择用于在光记录介质中记录数据的脉冲强度及脉冲宽度。
24.根据权利要求22所述的光记录装置，其特征在于：
将分别在第1线记录速度及第2线记录速度下使用的脉冲强度及脉冲宽度定义为上述第1线记录速度和上述第2线记录速度的函数，以及
设置上述控制器使得保存该函数。
25.根据权利要求14所述的光记录装置，其特征在于：
定义一个基准线记录速度和以该基准线记录速度进行数据记录时的推荐值Pw及Pbi，
将上述第1线记录速度和上述线记录速度中的一个作为上述基准线记录速度，而将另一个作为用于测试记录的线记录速度，
设置上述控制器，使得通过测试记录来确定用于测试记录或在包含用于测试记录的上述线记录速度的线记录速度区域中进行数据记录时的Pw及Pbi。
26.根据权利要求25所述的光记录装置，其特征在于：
设置上述控制器，使得保存在上述基准线记录速度下使用的脉冲强度及脉冲宽度的推荐值。
27.根据权利要求14～26中的任意一个所述的光记录装置，其特征在于：
对数据进行记录，使得上述记录光束的波长λ和记录光束投影光学记录装置的物镜的数值孔径NA满足λ/NA≤680。
28.根据权利要求27所述的光记录装置，其特征在于：
对数据进行记录，使得上述记录光束的波长λ和记录光束投影光学记录装置的物镜的数值孔径NA满足350≤λ/NA≤630。
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