JP2000155945A - 光記録方法 - Google Patents
光記録方法Info
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- JP2000155945A JP2000155945A JP11109235A JP10923599A JP2000155945A JP 2000155945 A JP2000155945 A JP 2000155945A JP 11109235 A JP11109235 A JP 11109235A JP 10923599 A JP10923599 A JP 10923599A JP 2000155945 A JP2000155945 A JP 2000155945A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】マルチスピード記録が可能な相変化形光記録媒
体に対して、より有効な低線速度記録と高線速度記録を
行うことができる光記録方法を提供する。 【解決手段】本発明の光記録方法では、マルチスピード
記録が可能な相変化形光記録媒体に対して、少なくとも
低線速度記録と高線速度記録を行う光記録方法におい
て、相変化形光記録媒体の低線速度記録（１ｘ記録）に
おける消去パワーＰelと記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwl
を高線速度記録（２ｘ／４ｘ記録）における消去パワー
Ｐehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhより小さくした
（Ｐel／Ｐwl＜Ｐeh／Ｐwh）ことにより、消去領域の余
熱を抑え適正なマークを記録することができるので、低
線速度記録における信号特性の向上が図れる。
体に対して、より有効な低線速度記録と高線速度記録を
行うことができる光記録方法を提供する。 【解決手段】本発明の光記録方法では、マルチスピード
記録が可能な相変化形光記録媒体に対して、少なくとも
低線速度記録と高線速度記録を行う光記録方法におい
て、相変化形光記録媒体の低線速度記録（１ｘ記録）に
おける消去パワーＰelと記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwl
を高線速度記録（２ｘ／４ｘ記録）における消去パワー
Ｐehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhより小さくした
（Ｐel／Ｐwl＜Ｐeh／Ｐwh）ことにより、消去領域の余
熱を抑え適正なマークを記録することができるので、低
線速度記録における信号特性の向上が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光メモリー関連機
器、特に書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）及び書き換え可能なデジタルバーサタイルディスク
（ＤＶＤ−ＲＷ）に応用される光記録方法に関し、特
に、書き換えが可能である相変化形光記録媒体に光ビー
ムを照射することにより該光記録媒体の記録層に相変化
を生じさせ情報の記録・消去を行う光記録方法に関する
ものである。
器、特に書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）及び書き換え可能なデジタルバーサタイルディスク
（ＤＶＤ−ＲＷ）に応用される光記録方法に関し、特
に、書き換えが可能である相変化形光記録媒体に光ビー
ムを照射することにより該光記録媒体の記録層に相変化
を生じさせ情報の記録・消去を行う光記録方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る記録、再生及び消去が可能な光メモリー媒体の一つと
して、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体（相変化型光
記録媒体とも言う）がよく知られている。特に相変化形
光記録媒体は、光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
もより単純であることなどから、最近その研究開発が活
発になっている。その相変化形光記録媒体の代表的な例
としては、ＵＳＰ３５３０４４１に開示されているよう
に、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，
Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓ
ｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどの、いわ
ゆるカルコゲン系合金材料があげられる。また、安定
性、高速結晶化などの向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡ
ｕ、Ｓｎ及びＡｕ、Ｐｄなどを添加した材料の提案（特
開昭６１−２１９６９２号公報、特開昭６１−２７０１
９０号公報、特開昭６２−１９４９０号公報）や、記録
／消去の繰り返し性能向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料の提
案（特開昭６２−７３４３８号、特開昭６３−２２８４
３３号公報）などもなされている。しかし、そのいずれ
もが相変化形の書き換え可能な光メモリー媒体として要
求される諸特性の全てを満足しうるものとは言えない。
特に、記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の
消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
る記録、再生及び消去が可能な光メモリー媒体の一つと
して、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体（相変化型光
記録媒体とも言う）がよく知られている。特に相変化形
光記録媒体は、光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
もより単純であることなどから、最近その研究開発が活
発になっている。その相変化形光記録媒体の代表的な例
としては、ＵＳＰ３５３０４４１に開示されているよう
に、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，
Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓ
ｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどの、いわ
ゆるカルコゲン系合金材料があげられる。また、安定
性、高速結晶化などの向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡ
ｕ、Ｓｎ及びＡｕ、Ｐｄなどを添加した材料の提案（特
開昭６１−２１９６９２号公報、特開昭６１−２７０１
９０号公報、特開昭６２−１９４９０号公報）や、記録
／消去の繰り返し性能向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料の提
案（特開昭６２−７３４３８号、特開昭６３−２２８４
３３号公報）などもなされている。しかし、そのいずれ
もが相変化形の書き換え可能な光メモリー媒体として要
求される諸特性の全てを満足しうるものとは言えない。
特に、記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の
消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
【０００３】また、特開昭６３−２５１２９０号公報で
は、結晶状態が実質的に３元以上の多元化合物単層から
なる記録層を具備した記録媒体が提案されている。ここ
で実質的に三元以上の多元化合物単層とは、三元以上の
化学量論組成を持った化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2）
を記録層中に９０原子％以上含むものとされている。そ
して、このような記録層を用いることにより、記録、消
去特性の向上が図れるとしている。しかしながら、消去
比が小さい、記録消去に要するレーザーパワーが未だ充
分に低減されてはいないなどの欠点を有している。
は、結晶状態が実質的に３元以上の多元化合物単層から
なる記録層を具備した記録媒体が提案されている。ここ
で実質的に三元以上の多元化合物単層とは、三元以上の
化学量論組成を持った化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2）
を記録層中に９０原子％以上含むものとされている。そ
して、このような記録層を用いることにより、記録、消
去特性の向上が図れるとしている。しかしながら、消去
比が小さい、記録消去に要するレーザーパワーが未だ充
分に低減されてはいないなどの欠点を有している。
【０００４】さらに、特開平１−２７７３３８号公報に
は、(ＳｂaＴｅ1-a)1-yＭy（ここで、０．４≦ａ≦０．
７、ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，
Ｂｉ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｓｅ，Ｓ
ｉ，Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１
種である）で表される組成の合金からなる記録層を有す
る光記録媒体が提案されている。この系の基本はＳｂ2
Ｔｅ3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、
繰り返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促
進させている。加えて、ＤＣ光による消去比も大きいと
している。しかし、この文献にはオーバーライト時の消
去比は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し
残りが認められた）、記録感度も不十分である。
は、(ＳｂaＴｅ1-a)1-yＭy（ここで、０．４≦ａ≦０．
７、ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，
Ｂｉ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｓｅ，Ｓ
ｉ，Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１
種である）で表される組成の合金からなる記録層を有す
る光記録媒体が提案されている。この系の基本はＳｂ2
Ｔｅ3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、
繰り返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促
進させている。加えて、ＤＣ光による消去比も大きいと
している。しかし、この文献にはオーバーライト時の消
去比は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し
残りが認められた）、記録感度も不十分である。
【０００５】同様に、特開昭６０−１７７４４６号公報
では、記録層に(Ｉｎ1-xＳｂx)1-yＭy(ここで、０．５
≦ｘ≦０．８０、０≦ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓ
ｎ，Ｔｅ，Ｓｅ，Ｂｉである）なる合金を用い、また、
特開昭６３−２２８４３３号公報では、記録層にＧｅＴ
ｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いている
が、いずれも感度、消去比等の特性を満足するものでは
なかった。
では、記録層に(Ｉｎ1-xＳｂx)1-yＭy(ここで、０．５
≦ｘ≦０．８０、０≦ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓ
ｎ，Ｔｅ，Ｓｅ，Ｂｉである）なる合金を用い、また、
特開昭６３−２２８４３３号公報では、記録層にＧｅＴ
ｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いている
が、いずれも感度、消去比等の特性を満足するものでは
なかった。
【０００６】加えて、特開平４−１６３８３９号公報に
は、記録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金にＮを含有させる
ことによって形成し、該記録薄膜を設けた光記録媒体
が、特開平４−５２１８８号公報には、記録薄膜をＴｅ
−Ｇｅ−Ｓｅ合金にこれら成分のうちの少なくとも一つ
が窒化物となっているものを含有させて形成し、該記録
薄膜を設けた光記録媒体が、特開平４−５２１８９号公
報には、記録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にＮを吸着さ
せることによって形成し、該記録薄膜を設けた光記録媒
体が、それぞれ記載されている。しかし、これらの光記
録媒体でも十分な特性を有するものを得ることはできて
いない。
は、記録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金にＮを含有させる
ことによって形成し、該記録薄膜を設けた光記録媒体
が、特開平４−５２１８８号公報には、記録薄膜をＴｅ
−Ｇｅ−Ｓｅ合金にこれら成分のうちの少なくとも一つ
が窒化物となっているものを含有させて形成し、該記録
薄膜を設けた光記録媒体が、特開平４−５２１８９号公
報には、記録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にＮを吸着さ
せることによって形成し、該記録薄膜を設けた光記録媒
体が、それぞれ記載されている。しかし、これらの光記
録媒体でも十分な特性を有するものを得ることはできて
いない。
【０００７】これまで見てきたように、光記録媒体にお
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。
【０００８】一方、近年ＣＤ（コンパクトディスク）の
急速な普及にともない、一回だけの書き込みが可能な追
記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場
に普及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは書き込み時
に一度でも失敗すると修正不可能なため、そのディスク
は使用不能となってしまい廃棄せざるを得ない。したが
って、その欠点を補える書き換え可能なコンパクトディ
スクの実用化が待望されていた。
急速な普及にともない、一回だけの書き込みが可能な追
記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場
に普及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは書き込み時
に一度でも失敗すると修正不可能なため、そのディスク
は使用不能となってしまい廃棄せざるを得ない。したが
って、その欠点を補える書き換え可能なコンパクトディ
スクの実用化が待望されていた。
【０００９】研究開発された一つの例として、光磁気デ
ィスクを利用した書き換え可能なコンパクトディスクが
あるが、オーバーライトの困難さや、ＣＤ−ＲＯＭ、Ｃ
Ｄ−Ｒとの互換が取りにくい等といった欠点を有するた
め、原理的に互換確保に有利な相変化形光ディスクの実
用化開発が活発化してきた。
ィスクを利用した書き換え可能なコンパクトディスクが
あるが、オーバーライトの困難さや、ＣＤ−ＲＯＭ、Ｃ
Ｄ−Ｒとの互換が取りにくい等といった欠点を有するた
め、原理的に互換確保に有利な相変化形光ディスクの実
用化開発が活発化してきた。
【００１０】相変化形光ディスクを用いた書き換え可能
なコンパクトディスクの研究発表例としては、古谷
（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集，70（1992）、神野（他）：第４回相変化記録研究会
シンポジウム講演予稿集，76（1992）、川西（他）：第
４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集，82（19
92）、T.Handa（et al）：Jpn.J.Appl.Phys.,32（199
3）、米田（他）：第５回相変化記録研究会シンポジウ
ム講演予稿集，９（1993）、富永（他）：第５回相変化
記録研究会シンポジウム講演予稿集，５（1993）等のよ
うなものがあるが、いずれも、ＣＤ−ＲＯＭやＣＤ−Ｒ
との互換性確保、記録消去性能、記録感度、書き換えの
繰り返し可能回数、再生回数、保存安定性等、総合性能
を充分満足させるものではなかった。それらの欠点は、
主に記録材料の組成、構造に起因する消去比の低さによ
るところが大きかった。これらの事情から消去比が大き
く、高感度の記録、消去に適する相変化形記録材料の開
発、さらには高性能で書き換え可能な相変化形コンパク
トディスク（ＣＤ−ＲＷ）が望まれていた。
なコンパクトディスクの研究発表例としては、古谷
（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集，70（1992）、神野（他）：第４回相変化記録研究会
シンポジウム講演予稿集，76（1992）、川西（他）：第
４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集，82（19
92）、T.Handa（et al）：Jpn.J.Appl.Phys.,32（199
3）、米田（他）：第５回相変化記録研究会シンポジウ
ム講演予稿集，９（1993）、富永（他）：第５回相変化
記録研究会シンポジウム講演予稿集，５（1993）等のよ
うなものがあるが、いずれも、ＣＤ−ＲＯＭやＣＤ−Ｒ
との互換性確保、記録消去性能、記録感度、書き換えの
繰り返し可能回数、再生回数、保存安定性等、総合性能
を充分満足させるものではなかった。それらの欠点は、
主に記録材料の組成、構造に起因する消去比の低さによ
るところが大きかった。これらの事情から消去比が大き
く、高感度の記録、消去に適する相変化形記録材料の開
発、さらには高性能で書き換え可能な相変化形コンパク
トディスク（ＣＤ−ＲＷ）が望まれていた。
【００１１】本発明者等は、それらの欠点を解決する新
材料としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を見出し提案し
てきた。その代表例としては、特開平４−７８０３１号
公報、特開平４−１２３５５１号公報、H.Iwasaki（et
al）：Jpn.J.Appl.Phys.,31（1992）461、井手（他）：
第３回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集，102
（1991）、H.Iwasaki（et al）：Jpn.J.Appl.Phys.,32
（1993）5241等があげられる。また、１９９６年１０月
には、書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）の規格として、オレンジブックパートIII（ver１．
０）が発行された。
材料としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を見出し提案し
てきた。その代表例としては、特開平４−７８０３１号
公報、特開平４−１２３５５１号公報、H.Iwasaki（et
al）：Jpn.J.Appl.Phys.,31（1992）461、井手（他）：
第３回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集，102
（1991）、H.Iwasaki（et al）：Jpn.J.Appl.Phys.,32
（1993）5241等があげられる。また、１９９６年１０月
には、書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）の規格として、オレンジブックパートIII（ver１．
０）が発行された。
【００１２】オレンジブックパートIII（ver１．０）
は、２倍速度（２ｘ）の線速度記録（２．４〜２．８ｍ
／ｓ）のＣＤ−ＲＷに対する規格であるが、このような
低線速度の記録では、記録時間が長くかかってしまい、
より高速記録の書き換え可能なコンパクトディスクが望
まれていた。一方、ＣＤ−ＲＷは、オーディオ用途等と
して１倍速度（１ｘ）の線速度記録媒体としても期待さ
れている。これらの複数の記録速度で用いられる光記録
媒体は、同一の光記録媒体で対応できることが望まし
い。つまり、２ｘ，４ｘ記録速度のマルチスピード記録
が可能な光記録媒体で１ｘ線速度記録ができることが望
まれている。
は、２倍速度（２ｘ）の線速度記録（２．４〜２．８ｍ
／ｓ）のＣＤ−ＲＷに対する規格であるが、このような
低線速度の記録では、記録時間が長くかかってしまい、
より高速記録の書き換え可能なコンパクトディスクが望
まれていた。一方、ＣＤ−ＲＷは、オーディオ用途等と
して１倍速度（１ｘ）の線速度記録媒体としても期待さ
れている。これらの複数の記録速度で用いられる光記録
媒体は、同一の光記録媒体で対応できることが望まし
い。つまり、２ｘ，４ｘ記録速度のマルチスピード記録
が可能な光記録媒体で１ｘ線速度記録ができることが望
まれている。
【００１３】一方、等角速度（ＣＡＶ）記録再生方式が
用いられる相変化形光記録媒体（例えば、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ、ＤＶＤ−ＲＷ、etc.）では、内周部と外周部の記録
線速度に２倍以上の差が生じることがある。しかし、製
造コストや品質制御の面からこれらの光記録媒体は、内
周部から外周部まで面内が一様な層構成及び基板構造な
どによって構成されることが望ましい。つまり、同一の
光記録媒体上で線速１倍速度（１ｘ）、２倍速度（２
ｘ）、４倍速度（４ｘ）の記録線速度のマルチスピード
記録が可能であることが望まれている。
用いられる相変化形光記録媒体（例えば、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ、ＤＶＤ−ＲＷ、etc.）では、内周部と外周部の記録
線速度に２倍以上の差が生じることがある。しかし、製
造コストや品質制御の面からこれらの光記録媒体は、内
周部から外周部まで面内が一様な層構成及び基板構造な
どによって構成されることが望ましい。つまり、同一の
光記録媒体上で線速１倍速度（１ｘ）、２倍速度（２
ｘ）、４倍速度（４ｘ）の記録線速度のマルチスピード
記録が可能であることが望まれている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】以上に示した開示技術
により、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を記録層に用いる
ことによって極めて優れた性能を有する相変化形光記録
媒体を獲得できることは既に明らかである。しかし有効
な記録線速度の範囲拡大等、上記総合性能を完璧に満足
し、新たな市場を形成し得るためには、相変化形光記録
媒体の開発と共に記録技術（光記録方法）の改良が望ま
れていた。
により、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を記録層に用いる
ことによって極めて優れた性能を有する相変化形光記録
媒体を獲得できることは既に明らかである。しかし有効
な記録線速度の範囲拡大等、上記総合性能を完璧に満足
し、新たな市場を形成し得るためには、相変化形光記録
媒体の開発と共に記録技術（光記録方法）の改良が望ま
れていた。
【００１５】したがって、本発明の目的は、マルチスピ
ード記録が可能な相変化形光記録媒体に対して、より有
効な低線速度記録と高線速度記録を行うことができる光
記録方法を提供することにある。
ード記録が可能な相変化形光記録媒体に対して、より有
効な低線速度記録と高線速度記録を行うことができる光
記録方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは相変化形光
記録媒体の改善に鋭意研究を重ねた結果、上記目的に合
致する相変化形光記録媒体への光記録方法を見出した。
すなわち、本発明によれば、以下に示す特徴を有する光
記録方法が提供される。
記録媒体の改善に鋭意研究を重ねた結果、上記目的に合
致する相変化形光記録媒体への光記録方法を見出した。
すなわち、本発明によれば、以下に示す特徴を有する光
記録方法が提供される。
【００１７】請求項１に係る光記録方法は、相変化形光
記録媒体に光ビームを照射することにより該光記録媒体
の記録層に相変化を生じさせ情報の記録・消去を行う光
記録方法であり、特にマルチスピード記録が可能な相変
化形光記録媒体（以下、相変化形マルチスピード光記録
媒体と称する）に対して、少なくとも低線速度記録と高
線速度記録を行う光記録方法において、相変化形マルチ
スピード光記録媒体の低線速度記録における消去パワー
Ｐelと記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwlが、高線速度記録
における消去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐ
whより小さく、下式を満たすことを特徴とする。 Ｐel／Ｐwl＜Ｐeh／Ｐwh
記録媒体に光ビームを照射することにより該光記録媒体
の記録層に相変化を生じさせ情報の記録・消去を行う光
記録方法であり、特にマルチスピード記録が可能な相変
化形光記録媒体（以下、相変化形マルチスピード光記録
媒体と称する）に対して、少なくとも低線速度記録と高
線速度記録を行う光記録方法において、相変化形マルチ
スピード光記録媒体の低線速度記録における消去パワー
Ｐelと記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwlが、高線速度記録
における消去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐ
whより小さく、下式を満たすことを特徴とする。 Ｐel／Ｐwl＜Ｐeh／Ｐwh
【００１８】請求項２に係る光記録方法は、請求項１に
記載の光記録方法において、相変化形マルチスピード光
記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰelと記録
パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwlが、高線速度記録における消
去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhの０．９
倍以下であり、下式を満たすことを特徴とする。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×（Ｐeh／Ｐwh） （Ａ≦０．９）
記載の光記録方法において、相変化形マルチスピード光
記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰelと記録
パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwlが、高線速度記録における消
去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhの０．９
倍以下であり、下式を満たすことを特徴とする。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×（Ｐeh／Ｐwh） （Ａ≦０．９）
【００１９】請求項３に係る光記録方法は、請求項１ま
たは２に記載の光記録方法において、相変化形マルチス
ピード光記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰ
elと記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwlが、高線速度記録に
おける消去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwh
の０．４５倍以上であり、下式を満たすことを特徴とす
る。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×（Ｐeh／Ｐwh） （Ａ≧０．４５）
たは２に記載の光記録方法において、相変化形マルチス
ピード光記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰ
elと記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwlが、高線速度記録に
おける消去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwh
の０．４５倍以上であり、下式を満たすことを特徴とす
る。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×（Ｐeh／Ｐwh） （Ａ≧０．４５）
【００２０】請求項４に係る光記録方法は、請求項１，
２または３に記載の光記録方法において、相変化形マル
チスピード光記録媒体の低線速度記録の記録マークにお
ける特性Ａsymmetry：Ａsymlを、高線速度記録の記録マ
ークにおける特性Ａsymmetry：Ａsymhより小さく(Ａsym
l＜Ａsymh)することを特徴とする。また、請求項５に係
る光記録方法は、請求項１，２，３または４に記載の光
記録方法において、相変化形マルチスピード光記録媒体
の低線速度記録の記録マークにおける特性Ａsymmetry：
Ａsymlを−３．０以下（Ａsyml≦−３．０）にすること
を特徴とする。
２または３に記載の光記録方法において、相変化形マル
チスピード光記録媒体の低線速度記録の記録マークにお
ける特性Ａsymmetry：Ａsymlを、高線速度記録の記録マ
ークにおける特性Ａsymmetry：Ａsymhより小さく(Ａsym
l＜Ａsymh)することを特徴とする。また、請求項５に係
る光記録方法は、請求項１，２，３または４に記載の光
記録方法において、相変化形マルチスピード光記録媒体
の低線速度記録の記録マークにおける特性Ａsymmetry：
Ａsymlを−３．０以下（Ａsyml≦−３．０）にすること
を特徴とする。
【００２１】ここで上記低線速度記録、高線速度記録の
記録マークにおける特性Ａsymmetryについて説明する。
マーク長が３Ｔ（基準時間Ｔの３倍）の記録マークを最
短マークとし、マーク長が１１Ｔの記録マークを最長マ
ークとして、記録マークはマーク長が３Ｔ〜１１Ｔまで
整数倍で変化するとする。図８（ｂ）に示すように、最
短マークのマーク長を３Ｔ＝０．８μｍとし、スポット
径＝１．６μｍの光ビームでマーク長３Ｔの最短マーク
とマーク長１１Ｔの最長マークの再生を行った場合に、
光ビームのスポット径が最短マークより大きいため、３
Ｔの最短マークと１１Ｔの最長マークでは図８（ａ）に
示すように信号の振幅Ａ3T，Ａ11Tが異なり（Ａ3T＜Ａ
11T）、その振幅の中間値Ｃ3T｛Ｃ3T＝（３ＴH＋３
ＴL）／２｝，Ｃ11T｛Ｃ11T＝（１１ＴH＋１１ＴL）／
２｝にも差ｄ（ｄ＝Ｃ3T−Ｃ11T）が生じ、これらの値
は記録時の条件によって変化する。そして前述のオレン
ジブックパートIII（ver１．０）においては、この記録
マークのマーク長による信号の非対称な特性をＡsymmet
ryと称し、この記録マークにおける特性Ａsymmetry：Ａ
sym は以下のように定義されている。 Ａsym＝｛［（３Ｔ振幅の中間値）−（１１Ｔ振幅の中
間値）］÷（１１Ｔの振幅）｝×１００（％）＝｛（Ｃ
3T−Ｃ11T）／Ａ11T｝×１００（％）
記録マークにおける特性Ａsymmetryについて説明する。
マーク長が３Ｔ（基準時間Ｔの３倍）の記録マークを最
短マークとし、マーク長が１１Ｔの記録マークを最長マ
ークとして、記録マークはマーク長が３Ｔ〜１１Ｔまで
整数倍で変化するとする。図８（ｂ）に示すように、最
短マークのマーク長を３Ｔ＝０．８μｍとし、スポット
径＝１．６μｍの光ビームでマーク長３Ｔの最短マーク
とマーク長１１Ｔの最長マークの再生を行った場合に、
光ビームのスポット径が最短マークより大きいため、３
Ｔの最短マークと１１Ｔの最長マークでは図８（ａ）に
示すように信号の振幅Ａ3T，Ａ11Tが異なり（Ａ3T＜Ａ
11T）、その振幅の中間値Ｃ3T｛Ｃ3T＝（３ＴH＋３
ＴL）／２｝，Ｃ11T｛Ｃ11T＝（１１ＴH＋１１ＴL）／
２｝にも差ｄ（ｄ＝Ｃ3T−Ｃ11T）が生じ、これらの値
は記録時の条件によって変化する。そして前述のオレン
ジブックパートIII（ver１．０）においては、この記録
マークのマーク長による信号の非対称な特性をＡsymmet
ryと称し、この記録マークにおける特性Ａsymmetry：Ａ
sym は以下のように定義されている。 Ａsym＝｛［（３Ｔ振幅の中間値）−（１１Ｔ振幅の中
間値）］÷（１１Ｔの振幅）｝×１００（％）＝｛（Ｃ
3T−Ｃ11T）／Ａ11T｝×１００（％）
【００２２】次に請求項６に係る光記録方法は、請求項
１〜５のいずれかに記載の光記録方法において、相変化
形マルチスピード光記録媒体の低線速度記録における消
去パワーＰelと記録パワーＰwlの差Ｐwl−Ｐelが、高線
速度記録における消去パワーＰehと記録パワーＰwhの差
Ｐwh−Ｐehより大きく、下式を満たすことを特徴とす
る。 （Ｐwl−Ｐel）＞（Ｐwh−Ｐeh）
１〜５のいずれかに記載の光記録方法において、相変化
形マルチスピード光記録媒体の低線速度記録における消
去パワーＰelと記録パワーＰwlの差Ｐwl−Ｐelが、高線
速度記録における消去パワーＰehと記録パワーＰwhの差
Ｐwh−Ｐehより大きく、下式を満たすことを特徴とす
る。 （Ｐwl−Ｐel）＞（Ｐwh−Ｐeh）
【００２３】請求項７に係る光記録方法は、請求項６に
記載の光記録方法において、相変化形マルチスピード光
記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰelと記録
パワーＰwlの差Ｐwl−Ｐelが、高線速度記録における消
去パワーＰehと記録パワーＰwhの差Ｐwh−Ｐehの１．１
倍以上であり、下式を満たすことを特徴とする。 Ｐwl−Ｐel＝Ｂ×（Ｐwh−Ｐeh） （Ｂ≧１．１）
記載の光記録方法において、相変化形マルチスピード光
記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰelと記録
パワーＰwlの差Ｐwl−Ｐelが、高線速度記録における消
去パワーＰehと記録パワーＰwhの差Ｐwh−Ｐehの１．１
倍以上であり、下式を満たすことを特徴とする。 Ｐwl−Ｐel＝Ｂ×（Ｐwh−Ｐeh） （Ｂ≧１．１）
【００２４】請求項８に係る光記録方法は、請求項６ま
たは７に記載の光記録方法において、相変化形マルチス
ピード光記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰ
elと記録パワーＰwlの差Ｐwl−Ｐelが７．２ｍＷ以上
（Ｐwl−Ｐel≧７．２ｍＷ）であることを特徴とする。
たは７に記載の光記録方法において、相変化形マルチス
ピード光記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰ
elと記録パワーＰwlの差Ｐwl−Ｐelが７．２ｍＷ以上
（Ｐwl−Ｐel≧７．２ｍＷ）であることを特徴とする。
【００２５】請求項９に係る光記録方法は、請求項１〜
８のいずれかに記載の光記録方法において、相変化形マ
ルチスピード光記録媒体の低線速度記録においては、記
録ストラテジの前部に消去パワーＰe より低いパワーＰ
i （以後、余熱調節パワーと呼ぶ）をかける領域（以
後、余熱調節パルスと呼ぶ）を挿入することを特徴とす
る。
８のいずれかに記載の光記録方法において、相変化形マ
ルチスピード光記録媒体の低線速度記録においては、記
録ストラテジの前部に消去パワーＰe より低いパワーＰ
i （以後、余熱調節パワーと呼ぶ）をかける領域（以
後、余熱調節パルスと呼ぶ）を挿入することを特徴とす
る。
【００２６】請求項１０に係る光記録方法は、請求項１
〜９のいずれかに記載の光記録方法において、相変化形
マルチスピード光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，ＮあるいはＯであり、それぞれ
の組成比α，β，γ，δ，ε（原子％）が、 ０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε≦１００ であることを特徴とする。
〜９のいずれかに記載の光記録方法において、相変化形
マルチスピード光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，ＮあるいはＯであり、それぞれ
の組成比α，β，γ，δ，ε（原子％）が、 ０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε≦１００ であることを特徴とする。
【００２７】請求項１１に係る光記録方法は、請求項１
〜１０のいずれかに記載の光記録方法において、相変化
形マルチスピード光記録媒体の低線速度記録における線
速度が１．２〜１．４ｍ／ｓ、高線速度記録における線
速度が２．４ｍ／ｓ以上であることを特徴とする。
〜１０のいずれかに記載の光記録方法において、相変化
形マルチスピード光記録媒体の低線速度記録における線
速度が１．２〜１．４ｍ／ｓ、高線速度記録における線
速度が２．４ｍ／ｓ以上であることを特徴とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００２９】本発明は、マルチスピード記録が可能な相
変化形光記録媒体に光ビームを照射することにより該光
記録媒体の記録層に相変化を生じさせ情報の記録・消去
を行う光記録方法に関するものであり、マルチスピード
記録とは、同一の光記録媒体で、２種以上の記録線速度
（例えば、低線速度記録と高線速度記録）で記録・消去
可能とするものである。一般的に相変化形光記録媒体の
記録・消去は、記録層の相変化、例えば光ビームの照射
による溶融後の急冷によるアモルファス化・徐冷による
結晶化を用いる。したがって、マルチスピード記録を可
能とするためには、異なる記録線速度において、同等の
記録層の溶融急冷・徐冷を実現しなければならない。し
かし、一般的に、低線速度記録では、溶融部周辺の余熱
により徐冷（結晶化）は容易となるが、急冷（アモルフ
ァス化）は困難となる。一方、高線速度記録において
は、急冷は容易となるが徐冷は困難となる。
変化形光記録媒体に光ビームを照射することにより該光
記録媒体の記録層に相変化を生じさせ情報の記録・消去
を行う光記録方法に関するものであり、マルチスピード
記録とは、同一の光記録媒体で、２種以上の記録線速度
（例えば、低線速度記録と高線速度記録）で記録・消去
可能とするものである。一般的に相変化形光記録媒体の
記録・消去は、記録層の相変化、例えば光ビームの照射
による溶融後の急冷によるアモルファス化・徐冷による
結晶化を用いる。したがって、マルチスピード記録を可
能とするためには、異なる記録線速度において、同等の
記録層の溶融急冷・徐冷を実現しなければならない。し
かし、一般的に、低線速度記録では、溶融部周辺の余熱
により徐冷（結晶化）は容易となるが、急冷（アモルフ
ァス化）は困難となる。一方、高線速度記録において
は、急冷は容易となるが徐冷は困難となる。
【００３０】そこで本発明は、記録層溶融部を効果的に
急冷させることによって低線速度記録におけるより有効
な記録方法を提供するものである。以下、代表的な相変
化形光記録媒体として、ＣＤ−ＲＷにおける線速が１倍
速度（１ｘ）、２倍速度（２ｘ）、４倍速度（４ｘ）の
マルチスピード記録方法を例に本発明を説明する。無
論、他のマルチスピード記録の相変化形光記録媒体につ
いても同様の光記録方法が適用できる。
急冷させることによって低線速度記録におけるより有効
な記録方法を提供するものである。以下、代表的な相変
化形光記録媒体として、ＣＤ−ＲＷにおける線速が１倍
速度（１ｘ）、２倍速度（２ｘ）、４倍速度（４ｘ）の
マルチスピード記録方法を例に本発明を説明する。無
論、他のマルチスピード記録の相変化形光記録媒体につ
いても同様の光記録方法が適用できる。
【００３１】本発明において、高線速度は低線速度の
１．２倍以上とする。例えば、１ｘ／２ｘ／４ｘ記録対
応ＣＤ−ＲＷの場合、低線速度は１ｘ（線速１．２〜
１．４ｍ／ｓ）、高線速度は２ｘ（線速２．４〜２．８
ｍ／ｓ）及び／又は４ｘ（線速４．８〜５．６ｍ／
ｓ）、及び／又は低線速度は２ｘ（線速２．４〜２．８
ｍ／ｓ）、高線速度は４ｘ（線速４．８〜５．６ｍ／
ｓ）となる。また、２ｘ／４ｘ／８ｘ記録対応ＣＤ−Ｒ
Ｗの場合、低線速度は２ｘ（線速２．４〜２．８ｍ／
ｓ）、高線速度は４ｘ（線速４．８〜５．６ｍ／ｓ）及
び／又は８ｘ（線速９．６〜１１．２ｍ／ｓ）、及び／
又は低線速度は４ｘ（線速４．８〜５．６ｍ／ｓ）、高
線速度は８ｘ（線速９．６〜１１．２ｍ／ｓ）となる。
１．２倍以上とする。例えば、１ｘ／２ｘ／４ｘ記録対
応ＣＤ−ＲＷの場合、低線速度は１ｘ（線速１．２〜
１．４ｍ／ｓ）、高線速度は２ｘ（線速２．４〜２．８
ｍ／ｓ）及び／又は４ｘ（線速４．８〜５．６ｍ／
ｓ）、及び／又は低線速度は２ｘ（線速２．４〜２．８
ｍ／ｓ）、高線速度は４ｘ（線速４．８〜５．６ｍ／
ｓ）となる。また、２ｘ／４ｘ／８ｘ記録対応ＣＤ−Ｒ
Ｗの場合、低線速度は２ｘ（線速２．４〜２．８ｍ／
ｓ）、高線速度は４ｘ（線速４．８〜５．６ｍ／ｓ）及
び／又は８ｘ（線速９．６〜１１．２ｍ／ｓ）、及び／
又は低線速度は４ｘ（線速４．８〜５．６ｍ／ｓ）、高
線速度は８ｘ（線速９．６〜１１．２ｍ／ｓ）となる。
【００３２】相変化形ＣＤ−ＲＷの記録層としては、Ａ
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系材料を主成分として
含有する材料が用いられている。この材料は記録（アモ
ルファス化）感度・速度、消去（結晶化）感度・速度、
及び消去比が極めて良好なため相変化形記録材料に適し
ている。しかしながら、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料
は、その組成比によって最適な記録線速度が存在する。
そのため、マルチスピード記録に対応するためには目的
とする線速度領域によって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材
料の組成比や光記録方法を調整する必要がある。
ｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系材料を主成分として
含有する材料が用いられている。この材料は記録（アモ
ルファス化）感度・速度、消去（結晶化）感度・速度、
及び消去比が極めて良好なため相変化形記録材料に適し
ている。しかしながら、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料
は、その組成比によって最適な記録線速度が存在する。
そのため、マルチスピード記録に対応するためには目的
とする線速度領域によって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材
料の組成比や光記録方法を調整する必要がある。
【００３３】記録、再生・評価した信号はオレンジブッ
クパートIII に準拠した記録パルスストラテジを用いて
記録したランダムＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulati
on）信号である。尚、図１にオレンジブック記載の線速
１ｘ記録用と線速２ｘ／４ｘ記録用の記録パルスストラ
テジ（４Ｔマーク記録時（基準時間Ｔの４倍のマーク長
を持ったマークの記録時））を示す。再生・評価は、１
ｘ線速度、レーザーの再生パワー１ｍＷで行った。記録
パワーＰw は最適記録パワーを用いた。この最適記録パ
ワーとは、各線速についてＯＰＣ（Optimum Power Cont
rol）によって求められた記録パワーである。また、Ｏ
ＰＣとはＣＤ−ＲＷの規格であるオレンジブックパート
III に定められている記録パワーの測定及び算出方法で
ある。
クパートIII に準拠した記録パルスストラテジを用いて
記録したランダムＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulati
on）信号である。尚、図１にオレンジブック記載の線速
１ｘ記録用と線速２ｘ／４ｘ記録用の記録パルスストラ
テジ（４Ｔマーク記録時（基準時間Ｔの４倍のマーク長
を持ったマークの記録時））を示す。再生・評価は、１
ｘ線速度、レーザーの再生パワー１ｍＷで行った。記録
パワーＰw は最適記録パワーを用いた。この最適記録パ
ワーとは、各線速についてＯＰＣ（Optimum Power Cont
rol）によって求められた記録パワーである。また、Ｏ
ＰＣとはＣＤ−ＲＷの規格であるオレンジブックパート
III に定められている記録パワーの測定及び算出方法で
ある。
【００３４】表１は１ｘ／２ｘ／４ｘマルチスピード記
録対応ＣＤ−ＲＷの各線速度記録での信号特性である。
記録した信号の品質を示す３Ｔ Land Jitterは、ＣＤ−
ＲＷの規格では３５ｎｓ以下ではあるが、多様なドライ
ブとの適性を考慮すると３０ｎｓ以下が望ましい。２ｘ
及び４ｘ線速度記録において３Ｔ Land Jitterは２５ｎ
ｓ以下の値を示し、良質な信号が記録されていることを
示している。しかし、低線速度１ｘ記録において３Ｔ L
and Jitterは３０ｎｓ以上の値を示した。そこで、本発
明の光記録方法によって３Ｔ Land Jitterを改善し、低
線速度１ｘ記録時の信号特性を向上する。
録対応ＣＤ−ＲＷの各線速度記録での信号特性である。
記録した信号の品質を示す３Ｔ Land Jitterは、ＣＤ−
ＲＷの規格では３５ｎｓ以下ではあるが、多様なドライ
ブとの適性を考慮すると３０ｎｓ以下が望ましい。２ｘ
及び４ｘ線速度記録において３Ｔ Land Jitterは２５ｎ
ｓ以下の値を示し、良質な信号が記録されていることを
示している。しかし、低線速度１ｘ記録において３Ｔ L
and Jitterは３０ｎｓ以上の値を示した。そこで、本発
明の光記録方法によって３Ｔ Land Jitterを改善し、低
線速度１ｘ記録時の信号特性を向上する。
【００３５】
【表１】
【００３６】図２は低線速度１ｘ記録における消去パワ
ーＰe と記録パワーＰw の比Ｐe／Ｐwの値による３Ｔ L
and Jitterのグラフである。尚、以後の説明では、低線
速度記録における消去パワーＰe をＰel、記録パワーＰ
w をＰwlと記す。同様に高線速度記録における消去パワ
ーＰe をＰeh、記録パワーＰw をＰwhと記す。図２にお
いて、記録パワーは１３．０ｍＷであり、記録回数は１
回及び１０００回である。３Ｔ Land Jitterは、１回記
録、１０００回記録ともにＰel／Ｐwlの低下と共に減少
する。したがって、低線速度１ｘ記録時のＰel／Ｐwl
は、高線速度２ｘ，４ｘ記録時の消去パワーＰehと記録
パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhよりも小さくする、すなわち
下式を満たすようにするほうが好適になる。 Ｐel／Ｐwl＜Ｐeh／Ｐwh さらに、低線速度１ｘ記録時のＰel／Ｐwlの値は、高線
速度２ｘ，４ｘ記録時におけるＰeh／Ｐwhの０．９０倍
以下、すなわち下式を満たすようにするのが好適であ
る。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×(Ｐeh／Ｐwh) （Ａ≦０．９） さらに望ましくは、Ｐel／Ｐwlの値はＰeh／Ｐwhの０．
８５倍以下（Ａ≦０．８５）が好適である。さらに１０
回程度までのオーバーライトにおける特性の安定性を考
慮すると、Ｐel／Ｐwlの値はＰeh／Ｐwhの０．８０倍以
下（Ａ≦０．８０）が望ましい。ここで、図３は、低線
速度１ｘ記録におけるオーバーライト回数による３Ｔ L
andJitterのグラフである。同図より明らかなように、
Ｐel／Ｐwlの値を０．４以下（Ｐeh／Ｐwhの０．８０倍
以下）にすることにより、１０回程度までのオーバーラ
イトにおいて安定した信号特性が得られる。
ーＰe と記録パワーＰw の比Ｐe／Ｐwの値による３Ｔ L
and Jitterのグラフである。尚、以後の説明では、低線
速度記録における消去パワーＰe をＰel、記録パワーＰ
w をＰwlと記す。同様に高線速度記録における消去パワ
ーＰe をＰeh、記録パワーＰw をＰwhと記す。図２にお
いて、記録パワーは１３．０ｍＷであり、記録回数は１
回及び１０００回である。３Ｔ Land Jitterは、１回記
録、１０００回記録ともにＰel／Ｐwlの低下と共に減少
する。したがって、低線速度１ｘ記録時のＰel／Ｐwl
は、高線速度２ｘ，４ｘ記録時の消去パワーＰehと記録
パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhよりも小さくする、すなわち
下式を満たすようにするほうが好適になる。 Ｐel／Ｐwl＜Ｐeh／Ｐwh さらに、低線速度１ｘ記録時のＰel／Ｐwlの値は、高線
速度２ｘ，４ｘ記録時におけるＰeh／Ｐwhの０．９０倍
以下、すなわち下式を満たすようにするのが好適であ
る。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×(Ｐeh／Ｐwh) （Ａ≦０．９） さらに望ましくは、Ｐel／Ｐwlの値はＰeh／Ｐwhの０．
８５倍以下（Ａ≦０．８５）が好適である。さらに１０
回程度までのオーバーライトにおける特性の安定性を考
慮すると、Ｐel／Ｐwlの値はＰeh／Ｐwhの０．８０倍以
下（Ａ≦０．８０）が望ましい。ここで、図３は、低線
速度１ｘ記録におけるオーバーライト回数による３Ｔ L
andJitterのグラフである。同図より明らかなように、
Ｐel／Ｐwlの値を０．４以下（Ｐeh／Ｐwhの０．８０倍
以下）にすることにより、１０回程度までのオーバーラ
イトにおいて安定した信号特性が得られる。
【００３７】一方、消去パワーＰe と記録パワーＰw の
比Ｐe／Ｐwが低すぎると、消去パワーＰe による熱エネ
ルギーが記録層の溶融に必要な熱量に達しないため、前
の記録信号の消去が不十分になる。その結果、オーバー
ライト後の３Ｔ Land Jitterが増大する。したがって、
低線速度１ｘ記録における消去パワーＰelと記録パワー
Ｐwlの比Ｐel／Ｐwlの値は、高線速度２ｘ，４ｘ記録に
おける消去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwh
の０．４５倍以上、すなわち下式を満たすようにするの
が好適である。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×(Ｐeh／Ｐwh) （Ａ≧０．４５） さらに、望ましくは０．５倍以上（Ａ≧０．５）である
ことが好適である。
比Ｐe／Ｐwが低すぎると、消去パワーＰe による熱エネ
ルギーが記録層の溶融に必要な熱量に達しないため、前
の記録信号の消去が不十分になる。その結果、オーバー
ライト後の３Ｔ Land Jitterが増大する。したがって、
低線速度１ｘ記録における消去パワーＰelと記録パワー
Ｐwlの比Ｐel／Ｐwlの値は、高線速度２ｘ，４ｘ記録に
おける消去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwh
の０．４５倍以上、すなわち下式を満たすようにするの
が好適である。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×(Ｐeh／Ｐwh) （Ａ≧０．４５） さらに、望ましくは０．５倍以上（Ａ≧０．５）である
ことが好適である。
【００３８】初回記録の信号特性を良くする方法とし
て、記録パワーを上げることによって記録マーク部分の
急冷効果を高める方法が知られている。しかし、余分な
熱量が記録層に加わるため、記録消去を繰り返すにつれ
局所的な記録層の組成の偏りなどを発生させ、オーバー
ライト特性を損なう危険性がある。本発明の光記録方法
では、上述したように記録層に最適記録パワー以上の熱
エネルギーを加えないため、オーバーライト特性を損な
うことはない。
て、記録パワーを上げることによって記録マーク部分の
急冷効果を高める方法が知られている。しかし、余分な
熱量が記録層に加わるため、記録消去を繰り返すにつれ
局所的な記録層の組成の偏りなどを発生させ、オーバー
ライト特性を損なう危険性がある。本発明の光記録方法
では、上述したように記録層に最適記録パワー以上の熱
エネルギーを加えないため、オーバーライト特性を損な
うことはない。
【００３９】図４は記録パワー１３．０ｍＷ、１回記録
及び１０００回記録時のＡsymmetryに対する３Ｔ Land
Jitterのグラフである。Ａsymmetryの制御は記録パワー
Ｐwと消去パワーＰe の比Ｐe／Ｐwの調整及び記録ビー
ム形状の変更で行った。図４に示すようにＡsymmetryの
低下に伴い、１回及び１０００回記録時の３Ｔ LandJit
terが減少する。３Ｔ Land Jitterが３０ｎｓ以下にな
る低線速度１ｘ記録におけるＡsymlは−２．５以下であ
る（尚、低線速度記録におけるＡsymmetryをＡsyml、高
線速度記録におけるＡsymmetryをＡsymhと記す）。好適
なＡsymlは表１の高線速度記録２ｘ／４ｘのＡsymhと比
較して小さい。製造バラツキ等を考慮すると、好適なＡ
symlは−３以下（Ａsyml≦−３．０）である。さらに望
ましくはＡsymlは−４以下である。本発明のＡsymlにお
いて、低線速度記録の１０００回オーバーライト特性
は、３Ｔ Land Jitterが３０ｎｓ以下の良好な信号特性
を示す。したがって、Ａsymmetryを制御することによっ
て信号特性を向上することができる。尚、Ａsymmetryの
制御法としては、例えば、記録マーク形状、記録及び再
生ビーム形状、記録ストラテジのパルス形状等の改良が
ある。
及び１０００回記録時のＡsymmetryに対する３Ｔ Land
Jitterのグラフである。Ａsymmetryの制御は記録パワー
Ｐwと消去パワーＰe の比Ｐe／Ｐwの調整及び記録ビー
ム形状の変更で行った。図４に示すようにＡsymmetryの
低下に伴い、１回及び１０００回記録時の３Ｔ LandJit
terが減少する。３Ｔ Land Jitterが３０ｎｓ以下にな
る低線速度１ｘ記録におけるＡsymlは−２．５以下であ
る（尚、低線速度記録におけるＡsymmetryをＡsyml、高
線速度記録におけるＡsymmetryをＡsymhと記す）。好適
なＡsymlは表１の高線速度記録２ｘ／４ｘのＡsymhと比
較して小さい。製造バラツキ等を考慮すると、好適なＡ
symlは−３以下（Ａsyml≦−３．０）である。さらに望
ましくはＡsymlは−４以下である。本発明のＡsymlにお
いて、低線速度記録の１０００回オーバーライト特性
は、３Ｔ Land Jitterが３０ｎｓ以下の良好な信号特性
を示す。したがって、Ａsymmetryを制御することによっ
て信号特性を向上することができる。尚、Ａsymmetryの
制御法としては、例えば、記録マーク形状、記録及び再
生ビーム形状、記録ストラテジのパルス形状等の改良が
ある。
【００４０】図５は消去パワーＰe と記録パワーＰw の
差Ｐw−Ｐeを横軸にとった１ｘ／２ｘ／４ｘ線速度記録
の３Ｔ Land Jitterのグラフである。記録パワーは１０
〜１６ｍＷである。Ｐe／Ｐwは０．５である。高線速度
２ｘ，４ｘ記録と比較して低線速度１ｘ記録は３Ｔ Lan
d Jitterが３０ｎｓ以下になるＰw−Ｐeが大きい。すな
わち、低線速度１ｘ記録におけるＰwl−Ｐelは、線速度
２ｘ記録及び／又は線速度４ｘ記録におけるＰwh−Ｐeh
より大きく、 Ｐwl−Ｐel＞Ｐwh−Ｐeh であり、さらに、Ｐwl−ＰelはＰwh−Ｐehの１．１倍以
上、すなわち下式を満たすようにするのが好適である。 Ｐwl−Ｐel＝Ｂ×(Ｐwh−Ｐeh) （Ｂ≧１．１） さらに、望ましくは、Ｐwl−ＰelはＰwh−Ｐehの１．２
倍以上（Ｂ≧１．２）において好適である。
差Ｐw−Ｐeを横軸にとった１ｘ／２ｘ／４ｘ線速度記録
の３Ｔ Land Jitterのグラフである。記録パワーは１０
〜１６ｍＷである。Ｐe／Ｐwは０．５である。高線速度
２ｘ，４ｘ記録と比較して低線速度１ｘ記録は３Ｔ Lan
d Jitterが３０ｎｓ以下になるＰw−Ｐeが大きい。すな
わち、低線速度１ｘ記録におけるＰwl−Ｐelは、線速度
２ｘ記録及び／又は線速度４ｘ記録におけるＰwh−Ｐeh
より大きく、 Ｐwl−Ｐel＞Ｐwh−Ｐeh であり、さらに、Ｐwl−ＰelはＰwh−Ｐehの１．１倍以
上、すなわち下式を満たすようにするのが好適である。 Ｐwl−Ｐel＝Ｂ×(Ｐwh−Ｐeh) （Ｂ≧１．１） さらに、望ましくは、Ｐwl−ＰelはＰwh−Ｐehの１．２
倍以上（Ｂ≧１．２）において好適である。
【００４１】一方、Ｐwl−Ｐelの値は７．２ｍＷ以上
（Ｐwl−Ｐel≧７．２ｍＷ）が好適である。さらに望ま
しくは７．８ｍＷ以上が好適である。さらに効果を高め
るためには８．１ｍＷ以上が好適である。低線速度１ｘ
記録におけるＰwl−ＰelはＰel／Ｐwlの値による依存性
は小さい。したがって、本発明の光記録方法は、Ｐel／
Ｐwlの値を考慮することなく、Ｐwl−Ｐelのみによって
適用できる。
（Ｐwl−Ｐel≧７．２ｍＷ）が好適である。さらに望ま
しくは７．８ｍＷ以上が好適である。さらに効果を高め
るためには８．１ｍＷ以上が好適である。低線速度１ｘ
記録におけるＰwl−ＰelはＰel／Ｐwlの値による依存性
は小さい。したがって、本発明の光記録方法は、Ｐel／
Ｐwlの値を考慮することなく、Ｐwl−Ｐelのみによって
適用できる。
【００４２】図６は１ｘ記録ストラテジの例を示す模式
図である。実線で描かれているストラテジは、オレンジ
ブックに記載されている１ｘ記録用ストラテジである
（図１（ａ）の１ｘ記録用ストラテジと同じ）。図６に
は本発明による記録ストラテジが太い破線によって描か
れている。本発明による記録ストラテジの特徴は、低線
速度１ｘ記録時においては、フロントパルス（Front Pu
lse）直前部に消去パワーＰe より低い余熱調節パワー
Ｐi をかける余熱調節パルスを設けることである（尚、
図６（ａ），（ｂ），（ｃ）は余熱調節パルスの開始点
や大きさ、パワーを変えた例を示している）。その結
果、記録マークの記録開始部分付近の消去パワーＰe に
よる余熱を取り除くことができる。好適な余熱調節パワ
ーＰi の値は消去パワーＰe の２／３倍以下である。さ
らに望ましくはＰe／２以下である。さらにバイアスパ
ワーＰb を使用することもできる。また、余熱調節パワ
ーＰiをかける余熱調節パルスの開始点はフロントパル
スの開始点から前方にＴ／２以内が好適である。さらに
望ましくはＴ／４以下が好適である。余熱調節パルスの
大きさはＴ／２以下が好適である。さらに望ましくはＴ
／４以下が好適である。余熱調節パルスの開始点及び大
きさは、３Ｔから１１Ｔまでの各マーク長によって調整
することが最も望ましい。各マーク長に適した余熱調節
パルス開始点及び大きさの決定法としては、ＯＰＣの記
録マークの長さによって決定する方法やランニングＯＰ
Ｃの反射強度によって算出して決定する方法がある。
図である。実線で描かれているストラテジは、オレンジ
ブックに記載されている１ｘ記録用ストラテジである
（図１（ａ）の１ｘ記録用ストラテジと同じ）。図６に
は本発明による記録ストラテジが太い破線によって描か
れている。本発明による記録ストラテジの特徴は、低線
速度１ｘ記録時においては、フロントパルス（Front Pu
lse）直前部に消去パワーＰe より低い余熱調節パワー
Ｐi をかける余熱調節パルスを設けることである（尚、
図６（ａ），（ｂ），（ｃ）は余熱調節パルスの開始点
や大きさ、パワーを変えた例を示している）。その結
果、記録マークの記録開始部分付近の消去パワーＰe に
よる余熱を取り除くことができる。好適な余熱調節パワ
ーＰi の値は消去パワーＰe の２／３倍以下である。さ
らに望ましくはＰe／２以下である。さらにバイアスパ
ワーＰb を使用することもできる。また、余熱調節パワ
ーＰiをかける余熱調節パルスの開始点はフロントパル
スの開始点から前方にＴ／２以内が好適である。さらに
望ましくはＴ／４以下が好適である。余熱調節パルスの
大きさはＴ／２以下が好適である。さらに望ましくはＴ
／４以下が好適である。余熱調節パルスの開始点及び大
きさは、３Ｔから１１Ｔまでの各マーク長によって調整
することが最も望ましい。各マーク長に適した余熱調節
パルス開始点及び大きさの決定法としては、ＯＰＣの記
録マークの長さによって決定する方法やランニングＯＰ
Ｃの反射強度によって算出して決定する方法がある。
【００４３】
【実施例】以下、実施例によって本発明の光記録方法を
具体的に説明する。本発明の実施例に使用したＣＤ−Ｒ
Ｗの記録層は構成元素がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｎで
あり、それぞれの組成比α，β，γ，δ，ε（原子％）
は、α＝４，β＝７，γ＝５８，δ＝２９，ε＝２であ
る。層構成は図７に示すように、幅０．５μｍ、深さ３
５ｎｍのグルーブを有する１．２ｍｍ厚のポリカーボネ
ート基板１に、層厚が１００ｎｍの第１保護層２、層厚
３０ｎｍの記録層３、層厚３０ｎｍの第２保護層４、層
厚１００ｎｍの反射放熱層５を、枚葉型スパッタ装置に
よって１０秒タクトで連続成膜し、次いで、紫外線硬化
樹脂のスピンコートにより層厚５μｍのハードコート層
７と、層厚１０μｍのオーバーコート層６を形成し、相
変化形光ディスクを作製した。第１保護層２及び第２保
護層４にはＺｎＳＳｉＯ2 を用いた。反射放熱層５には
アルミニウム合金を用いた。次いで、大口径のレーザー
ダイオード（ＬＤ）を有する初期化装置によって、光デ
ィスクの記録層３の結晶化処理を行った。初期化条件
は、飽和反射率の９５％以上を確保できる条件で行っ
た。次いで、オーバーコート層６の上に印刷層８を形成
した。
具体的に説明する。本発明の実施例に使用したＣＤ−Ｒ
Ｗの記録層は構成元素がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｎで
あり、それぞれの組成比α，β，γ，δ，ε（原子％）
は、α＝４，β＝７，γ＝５８，δ＝２９，ε＝２であ
る。層構成は図７に示すように、幅０．５μｍ、深さ３
５ｎｍのグルーブを有する１．２ｍｍ厚のポリカーボネ
ート基板１に、層厚が１００ｎｍの第１保護層２、層厚
３０ｎｍの記録層３、層厚３０ｎｍの第２保護層４、層
厚１００ｎｍの反射放熱層５を、枚葉型スパッタ装置に
よって１０秒タクトで連続成膜し、次いで、紫外線硬化
樹脂のスピンコートにより層厚５μｍのハードコート層
７と、層厚１０μｍのオーバーコート層６を形成し、相
変化形光ディスクを作製した。第１保護層２及び第２保
護層４にはＺｎＳＳｉＯ2 を用いた。反射放熱層５には
アルミニウム合金を用いた。次いで、大口径のレーザー
ダイオード（ＬＤ）を有する初期化装置によって、光デ
ィスクの記録層３の結晶化処理を行った。初期化条件
は、飽和反射率の９５％以上を確保できる条件で行っ
た。次いで、オーバーコート層６の上に印刷層８を形成
した。
【００４４】次に上記構成の相変化形光ディスクに対し
て本発明の光記録方法を適用した実施例と、従来の１ｘ
線速度記録を行った比較例とを以下の各表に示す。尚、
実施例及び比較例は、相変化形光ディスクに対してラン
ダムＥＦＭ信号の記録、再生を行うことによって評価し
た。また、実施例での記録は、１ｘ，２ｘ，４ｘの線速
度で行った。再生は、１ｘ線速度、レーザーの波長は７
８０ｎｍ、再生パワーＰr＝１ｍＷで行った。
て本発明の光記録方法を適用した実施例と、従来の１ｘ
線速度記録を行った比較例とを以下の各表に示す。尚、
実施例及び比較例は、相変化形光ディスクに対してラン
ダムＥＦＭ信号の記録、再生を行うことによって評価し
た。また、実施例での記録は、１ｘ，２ｘ，４ｘの線速
度で行った。再生は、１ｘ線速度、レーザーの波長は７
８０ｎｍ、再生パワーＰr＝１ｍＷで行った。
【００４５】
【表２】
【００４６】表２に示すように、１ｘ記録時の記録パワ
ーと消去パワーの比Ｐel／Ｐwlを、２ｘ／４ｘ記録時の
記録パワーと消去パワーの比Ｐeh／Ｐwhの０．８倍にす
ることによって初回記録時の３Ｔ Land Jitterを、従来
（比較例１）の３２．０から２６．１にまで低減させ、
良好な信号特性が得られることを確認した。また、１０
００回記録時の３Ｔ Land Jitterを従来（比較例１）の
３４．８から３２．６にまで低減させ、オーバーライト
特性も改善できることを確認した。一方、Ｐel／Ｐwlを
０．１５まで下げると、初期記録時の特性の３Ｔ Land
Jitterは良好であったが、１０回オーバライト後の特性
は、オーバーライトにより信号が劣化することを確認し
た。
ーと消去パワーの比Ｐel／Ｐwlを、２ｘ／４ｘ記録時の
記録パワーと消去パワーの比Ｐeh／Ｐwhの０．８倍にす
ることによって初回記録時の３Ｔ Land Jitterを、従来
（比較例１）の３２．０から２６．１にまで低減させ、
良好な信号特性が得られることを確認した。また、１０
００回記録時の３Ｔ Land Jitterを従来（比較例１）の
３４．８から３２．６にまで低減させ、オーバーライト
特性も改善できることを確認した。一方、Ｐel／Ｐwlを
０．１５まで下げると、初期記録時の特性の３Ｔ Land
Jitterは良好であったが、１０回オーバライト後の特性
は、オーバーライトにより信号が劣化することを確認し
た。
【００４７】
【表３】
【００４８】表３に示すようにレーザービーム形状を光
ディスクの溝（グルーブ）方向に長い楕円からディスク
半径方向に長い楕円にし、１ｘ記録時の記録マークにお
けるＡsymmetry（Ａsyml）を、２ｘ／４ｘ記録時の記録
マークにおけるＡsymmetry（Ａsymh）より低い値−２．
４に低下させた結果、３Ｔ Land Jitterを従来（比較例
２）の３２．０から２８．６にまで低減させることがで
き、より良好な信号を得られることが確認できた。ま
た、Ｐe／Ｐwを０．４まで下げることで、１ｘ記録時の
記録マークにおけるＡsymmetryを−５．６まで低下させ
た結果、３Ｔ Land Jitterを２４．９にまで低減し、さ
らに良好な信号を得ることができた。
ディスクの溝（グルーブ）方向に長い楕円からディスク
半径方向に長い楕円にし、１ｘ記録時の記録マークにお
けるＡsymmetry（Ａsyml）を、２ｘ／４ｘ記録時の記録
マークにおけるＡsymmetry（Ａsymh）より低い値−２．
４に低下させた結果、３Ｔ Land Jitterを従来（比較例
２）の３２．０から２８．６にまで低減させることがで
き、より良好な信号を得られることが確認できた。ま
た、Ｐe／Ｐwを０．４まで下げることで、１ｘ記録時の
記録マークにおけるＡsymmetryを−５．６まで低下させ
た結果、３Ｔ Land Jitterを２４．９にまで低減し、さ
らに良好な信号を得ることができた。
【００４９】
【表４】
【００５０】表４に示すように、記録パワーＰw を１
３．１ｍＷから１４．４ｍＷに上げることによって、１
ｘ記録時のＰwl−Ｐelを２ｘ／４ｘ記録時のＰwh−Ｐeh
より大きい７．２ｍＷに拡大した。その結果、３Ｔ Lan
d Jitterを従来（比較例３）の３２．０から２６．８に
低減させ、より良好な信号を得ることができた。また、
１ｘ記録時のＰe／Ｐwを０．４０に下げることによって
Ｐwl−Ｐelを７．９ｍＷに拡大した結果、３Ｔ Land Ji
tterを従来（比較例３）の３２．０から２６．１に低減
させることができた。このことから、低線速度の１ｘ記
録時のＰwl−Ｐelを下げる方法によらず、高線速度の２
ｘ／４ｘ記録時のＰwh−Ｐehより大きくすることによっ
て、より良好な信号を得ることができた。一方、比較例
３の下段側に示すように、Ｐw−Ｐeを６．６から５．６
に縮小した結果、３Ｔ Land Jitterが３２．０から３
４．８に増大することが確認できた。
３．１ｍＷから１４．４ｍＷに上げることによって、１
ｘ記録時のＰwl−Ｐelを２ｘ／４ｘ記録時のＰwh−Ｐeh
より大きい７．２ｍＷに拡大した。その結果、３Ｔ Lan
d Jitterを従来（比較例３）の３２．０から２６．８に
低減させ、より良好な信号を得ることができた。また、
１ｘ記録時のＰe／Ｐwを０．４０に下げることによって
Ｐwl−Ｐelを７．９ｍＷに拡大した結果、３Ｔ Land Ji
tterを従来（比較例３）の３２．０から２６．１に低減
させることができた。このことから、低線速度の１ｘ記
録時のＰwl−Ｐelを下げる方法によらず、高線速度の２
ｘ／４ｘ記録時のＰwh−Ｐehより大きくすることによっ
て、より良好な信号を得ることができた。一方、比較例
３の下段側に示すように、Ｐw−Ｐeを６．６から５．６
に縮小した結果、３Ｔ Land Jitterが３２．０から３
４．８に増大することが確認できた。
【００５１】
【表５】
【００５２】表５におけるストラテジ（記録ストラテジ
形状）は、 Ａ ・・・オレンジブック仕様（１ｘ記録用）、 Ｂ ・・・オレンジブック仕様（２ｘ／４ｘ記録用）、 Ｃ1・・・本発明の記録ストラテジ、 余熱調節パワー：Ｐi＝Ｐe／２、 余熱調節パルス開始点：フロントパルス前方Ｔ／４、 余熱調節パルスの大きさ：Ｔ／４、 Ｃ2・・・本発明の記録ストラテジ、 余熱調節パワー：Ｐi＝Ｐb（＝１ｍＷ）、 余熱調節パルス開始点：フロントパルス前方Ｔ／４、 余熱調節パルスの大きさ：Ｔ／４、 である。
形状）は、 Ａ ・・・オレンジブック仕様（１ｘ記録用）、 Ｂ ・・・オレンジブック仕様（２ｘ／４ｘ記録用）、 Ｃ1・・・本発明の記録ストラテジ、 余熱調節パワー：Ｐi＝Ｐe／２、 余熱調節パルス開始点：フロントパルス前方Ｔ／４、 余熱調節パルスの大きさ：Ｔ／４、 Ｃ2・・・本発明の記録ストラテジ、 余熱調節パワー：Ｐi＝Ｐb（＝１ｍＷ）、 余熱調節パルス開始点：フロントパルス前方Ｔ／４、 余熱調節パルスの大きさ：Ｔ／４、 である。
【００５３】表５に示すように、本発明による記録スト
ラテジＣ1 を用いて信号を記録した結果、３Ｔ Land Ji
tterを、オレンジブックの記録ストラテジによる１ｘ記
録時の記録信号の３２．０から２４．０まで低減するこ
とができた。さらに、余熱調節パワーＰi をバイアスパ
ワーＰb まで下げた記録ストラテジＣ2 による記録信号
では、３Ｔ Land Jitterを２２．０まで低減することが
できた。
ラテジＣ1 を用いて信号を記録した結果、３Ｔ Land Ji
tterを、オレンジブックの記録ストラテジによる１ｘ記
録時の記録信号の３２．０から２４．０まで低減するこ
とができた。さらに、余熱調節パワーＰi をバイアスパ
ワーＰb まで下げた記録ストラテジＣ2 による記録信号
では、３Ｔ Land Jitterを２２．０まで低減することが
できた。
【００５４】さて、以上に説明した本発明の光記録方法
を適用した光記録装置を作製して評価した結果、上記の
実施例に示すような良好な記録信号の記録が確認され
た。したがって、本発明による光記録方法を用いること
によって、低線速度記録においてより良好な信号記録が
できる相変化形マルチスピード光記録媒体の光記録装置
が提供できる。
を適用した光記録装置を作製して評価した結果、上記の
実施例に示すような良好な記録信号の記録が確認され
た。したがって、本発明による光記録方法を用いること
によって、低線速度記録においてより良好な信号記録が
できる相変化形マルチスピード光記録媒体の光記録装置
が提供できる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１，２また
は３に記載の光記録方法によれば、相変化形マルチスピ
ード光記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰel
と記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwlを、高線速度記録にお
ける消去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhよ
り小さくすることによって、消去領域の余熱を抑え適正
なマークを記録することができる。その結果、低線速度
記録における信号特性の向上が図れる。また、記録層に
余分なレーザーパワーをかけないため、オーバーライト
特性を保持及び／又は向上することができる。
は３に記載の光記録方法によれば、相変化形マルチスピ
ード光記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰel
と記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwlを、高線速度記録にお
ける消去パワーＰehと記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhよ
り小さくすることによって、消去領域の余熱を抑え適正
なマークを記録することができる。その結果、低線速度
記録における信号特性の向上が図れる。また、記録層に
余分なレーザーパワーをかけないため、オーバーライト
特性を保持及び／又は向上することができる。
【００５６】請求項４または５に記載の光記録方法によ
れば、上記の効果に加えて、相変化形マルチスピード光
記録媒体の低線速度記録の記録マークにおけるＡsymmet
ry（Ａsyml）を、高線速度記録の記録マークにおけるＡ
symmetry（Ａsymh）より小さくすることによって、適正
なマーク形状を記録することができる。その結果、低線
速度記録における信号特性の向上を図ることができる。
れば、上記の効果に加えて、相変化形マルチスピード光
記録媒体の低線速度記録の記録マークにおけるＡsymmet
ry（Ａsyml）を、高線速度記録の記録マークにおけるＡ
symmetry（Ａsymh）より小さくすることによって、適正
なマーク形状を記録することができる。その結果、低線
速度記録における信号特性の向上を図ることができる。
【００５７】請求項６，７または８に記載の光記録方法
によれば、上記の効果に加えて、相変化形マルチスピー
ド光記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰelと
記録パワーＰwlの差Ｐwl−Ｐelを、高線速度記録におけ
る消去パワーＰehと記録パワーＰwhの差Ｐwh−Ｐehより
大きくすることによって、記録マーク内の急冷効果を高
め、適正なマークを記録することができる。
によれば、上記の効果に加えて、相変化形マルチスピー
ド光記録媒体の低線速度記録における消去パワーＰelと
記録パワーＰwlの差Ｐwl−Ｐelを、高線速度記録におけ
る消去パワーＰehと記録パワーＰwhの差Ｐwh−Ｐehより
大きくすることによって、記録マーク内の急冷効果を高
め、適正なマークを記録することができる。
【００５８】請求項９に記載の光記録方法によれば、上
記の効果に加えて、相変化形マルチスピード光記録媒体
の低線速度記録においては、記録ストラテジの前部に余
熱調節パルスを設けることによって、マークの記録開始
部分の消去領域からの余熱を断ち、低線速度記録におい
ても適正なマークを記録することができる。
記の効果に加えて、相変化形マルチスピード光記録媒体
の低線速度記録においては、記録ストラテジの前部に余
熱調節パルスを設けることによって、マークの記録開始
部分の消去領域からの余熱を断ち、低線速度記録におい
ても適正なマークを記録することができる。
【００５９】請求項１０に記載の光記録方法によれば、
上記の効果に加えて、相変化形マルチスピード光記録媒
体の記録層の構成元素（Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｎあ
るいはＯ）の組成を調整することにより、低線速度記録
時の信号記録能力をさらに向上し、光記録装置、光記録
媒体の対応記録速度を拡大することができる。
上記の効果に加えて、相変化形マルチスピード光記録媒
体の記録層の構成元素（Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｎあ
るいはＯ）の組成を調整することにより、低線速度記録
時の信号記録能力をさらに向上し、光記録装置、光記録
媒体の対応記録速度を拡大することができる。
【００６０】請求項１１に記載の光記録方法によれば、
上記の効果に加えて、ＣＤ−ＲＷにおける１倍速度（１
ｘ）線速（１．２〜１．４ｍ／ｓ）の信号記録能力を向
上することによって、ＣＤ−ＲＷの対応記録線速を拡大
することができる。
上記の効果に加えて、ＣＤ−ＲＷにおける１倍速度（１
ｘ）線速（１．２〜１．４ｍ／ｓ）の信号記録能力を向
上することによって、ＣＤ−ＲＷの対応記録線速を拡大
することができる。
【００６１】さらに請求項１〜１１のいずれかに記載の
光記録方法を用いることによって、低線速度記録におい
てより良好な信号記録を行うことができる相変化形マル
チスピード光記録媒体用光記録装置が提供できる。
光記録方法を用いることによって、低線速度記録におい
てより良好な信号記録を行うことができる相変化形マル
チスピード光記録媒体用光記録装置が提供できる。
【図１】オレンジブック記載の線速１ｘ記録用と２ｘ／
４ｘ記録用の記録ストラテジ（４Ｔマーク記録時）の一
例を示す図である。
４ｘ記録用の記録ストラテジ（４Ｔマーク記録時）の一
例を示す図である。
【図２】低線速度１ｘ記録におけるＰe／Ｐwと３Ｔ Lan
d Jitterの関係を示すグラフである。
d Jitterの関係を示すグラフである。
【図３】低線速度１ｘ記録におけるオーバーライト回数
と３Ｔ Land Jitterの関係を示すグラフである。
と３Ｔ Land Jitterの関係を示すグラフである。
【図４】低線速度１ｘ記録の記録マークにおけるＡsymm
etryと３Ｔ Land Jitterの関係を示すグラフである。
etryと３Ｔ Land Jitterの関係を示すグラフである。
【図５】低線速度１ｘ記録と、高線速度２ｘ，４ｘ記録
におけるＰw−Ｐeと３Ｔ LandJitterの関係を示すグラ
フである。
におけるＰw−Ｐeと３Ｔ LandJitterの関係を示すグラ
フである。
【図６】本発明の光記録方法による線速１ｘ記録用の記
録ストラテジ（４Ｔマーク記録時）の例を示す図であ
る。
録ストラテジ（４Ｔマーク記録時）の例を示す図であ
る。
【図７】本発明に係る相変化形光記録媒体の層構成の説
明図である。
明図である。
【図８】記録マークにおける特性Ａsymmetryの定義を説
明するための図であり、（ａ）はマーク長３Ｔの最短マ
ークとマーク長１１Ｔの最長マークの再生信号の振幅の
一例を示す図、（ｂ）はマーク長３Ｔの最短マークと光
ビームのスポット径を示す図である。
明するための図であり、（ａ）はマーク長３Ｔの最短マ
ークとマーク長１１Ｔの最長マークの再生信号の振幅の
一例を示す図、（ｂ）はマーク長３Ｔの最短マークと光
ビームのスポット径を示す図である。
１ 基板 ２ 第１保護層 ３ 記録層 ４ 第２保護層 ５ 反射放熱層 ６ オーバーコート層 ７ ハードコート層 ８ 印刷層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野田 英治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号・株式 会社リコー内 (72)発明者 中村 有希 東京都大田区中馬込１丁目３番６号・株式 会社リコー内 (72)発明者 相原 謙一 東京都大田区中馬込１丁目３番６号・株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号・株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB05 CC07 CC14 DD03 DD05 EE02 FF21 HH03 KK03
Claims (11)
- 【請求項１】相変化形光記録媒体に光ビームを照射する
ことにより該光記録媒体の記録層に相変化を生じさせ情
報の記録・消去を行う光記録方法であり、特にマルチス
ピード記録が可能な相変化形光記録媒体（以下、相変化
形マルチスピード光記録媒体と称する）に対して、少な
くとも低線速度記録と高線速度記録を行う光記録方法に
おいて、 相変化形マルチスピード光記録媒体の低線速度記録にお
ける消去パワーＰelと記録パワーＰwlの比Ｐel／Ｐwl
が、高線速度記録における消去パワーＰehと記録パワー
Ｐwhの比Ｐeh／Ｐwhより小さく、下式を満たすことを特
徴とする光記録方法。 Ｐel／Ｐwl＜Ｐeh／Ｐwh - 【請求項２】相変化形マルチスピード光記録媒体の低線
速度記録における消去パワーＰelと記録パワーＰwlの比
Ｐel／Ｐwlが、高線速度記録における消去パワーＰehと
記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhの０．９倍以下であり、
下式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の光記録
方法。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×（Ｐeh／Ｐwh） （Ａ≦０．９） - 【請求項３】相変化形マルチスピード光記録媒体の低線
速度記録における消去パワーＰelと記録パワーＰwlの比
Ｐel／Ｐwlが、高線速度記録における消去パワーＰehと
記録パワーＰwhの比Ｐeh／Ｐwhの０．４５倍以上であ
り、下式を満たすことを特徴とする請求項１または２に
記載の光記録方法。 Ｐel／Ｐwl＝Ａ×（Ｐeh／Ｐwh） （Ａ≧０．４５） - 【請求項４】相変化形マルチスピード光記録媒体の低線
速度記録の記録マークにおける特性Ａsymmetry：Ａsyml
を、高線速度記録の記録マークにおける特性Ａsymmetr
y：Ａsymhより小さく（Ａsyml＜Ａsymh）することを特
徴とする請求項１，２または３に記載の光記録方法。 - 【請求項５】相変化形マルチスピード光記録媒体の低線
速度記録の記録マークにおける特性Ａsymmetry：Ａsyml
を−３．０以下（Ａsyml≦−３．０）にすることを特徴
とする請求項１，２，３または４に記載の光記録方法。 - 【請求項６】相変化形マルチスピード光記録媒体の低線
速度記録における消去パワーＰelと記録パワーＰwlの差
Ｐwl−Ｐelが、高線速度記録における消去パワーＰehと
記録パワーＰwhの差Ｐwh−Ｐehより大きく、下式を満た
すことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光
記録方法。 （Ｐwl−Ｐel）＞（Ｐwh−Ｐeh） - 【請求項７】相変化形マルチスピード光記録媒体の低線
速度記録における消去パワーＰelと記録パワーＰwlの差
Ｐwl−Ｐelが、高線速度記録における消去パワーＰehと
記録パワーＰwhの差Ｐwh−Ｐehの１．１倍以上であり、
下式を満たすことを特徴とする請求項６に記載の光記録
方法。 Ｐwl−Ｐel＝Ｂ×（Ｐwh−Ｐeh） （Ｂ≧１．１） - 【請求項８】相変化形マルチスピード光記録媒体の低線
速度記録における消去パワーＰelと記録パワーＰwlの差
Ｐwl−Ｐelが７．２ｍＷ以上（Ｐwl−Ｐel≧７．２ｍ
Ｗ）であることを特徴とする請求項６または７に記載の
光記録方法。 - 【請求項９】相変化形マルチスピード光記録媒体の低線
速度記録においては、記録ストラテジの前部に消去パワ
ーＰe より低いパワーＰi （以後、余熱調節パワーと呼
ぶ）をかける領域（以後、余熱調節パルスと呼ぶ）を挿
入することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載
の光記録方法。 - 【請求項１０】相変化形マルチスピード光記録媒体の記
録層の構成元素が主にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｎある
いはＯであり、それぞれの組成比α，β，γ，δ，ε
（原子％）が、 ０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε≦１００ であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載
の光記録方法。 - 【請求項１１】相変化形マルチスピード光記録媒体の低
線速度記録における線速度が１．２〜１．４ｍ／ｓ、高
線速度記録における線速度が２．４ｍ／ｓ以上であるこ
とを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光記
録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11109235A JP2000155945A (ja) | 1998-04-16 | 1999-04-16 | 光記録方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-106598 | 1998-04-16 | ||
| JP10659898 | 1998-04-16 | ||
| JP10-263301 | 1998-09-17 | ||
| JP26330198 | 1998-09-17 | ||
| JP11109235A JP2000155945A (ja) | 1998-04-16 | 1999-04-16 | 光記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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-
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- 1999-04-16 JP JP11109235A patent/JP2000155945A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6711108B2 (en) | 2001-02-13 | 2004-03-23 | Teac Corporation | Optical disc recording apparatus and medium |
| US7336580B2 (en) | 2001-02-14 | 2008-02-26 | Tdk Corporation | Optical recording method, optical recorder, and optical recording medium |
| US7158460B2 (en) | 2001-09-04 | 2007-01-02 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting conditions for recording and reproducing informations |
| US7738335B2 (en) | 2001-10-17 | 2010-06-15 | Tdk Corporation | Method and apparatus for recording information on an optical recording medium |
| US7477587B2 (en) | 2002-12-16 | 2009-01-13 | Hitachi Maxwell, Ltd. | Information-recording method and information-recording medium |
| US7561506B2 (en) | 2002-12-16 | 2009-07-14 | Hitachi Maxell, Ltd. | Information-recording method and information-recording medium |
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