JP2002358691A - 光情報記録媒体、光情報記録再生方法、光情報記録再生装置、及び光情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速記録可能な相変化型光情報記録媒体、並
びに該光情報記録媒体の有する能力を十分に発揮できる
高速記録可能な光情報記録再生方法及び光情報記録再生
装置の提供。 【解決手段】 １）標準記録線速度Ｖｒ及び／又は最高
記録線速度Ｖｈを示す情報を有すると共に、転位線速度
Ｖが、０．８５Ｖｒ≦Ｖ、或いは、０．８５Ｖｈ≦Ｖの
条件式を満足する相変化型光情報記録媒体。 ２）相変化記録材料は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅから成
り、これらの元素の結合配位数が、成膜後の非晶状態
と、初期化後及び情報消去後の結晶状態とで異なる相変
化型光情報記録媒体。 ３）記録層がＧｅＧａＳｂＴｅからなり、各元素の組成
比α、β、γ、δ（原子％）が、０．１≦α≦７、１≦
β≦９、６１≦γ≦７５、２２≦δ≦３０である相変化
型光情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を照射
することにより記録層材料に相変化を生じさせて情報の
記録再生を行なうことができ、かつ書き換えが可能であ
る相変化型光情報記録媒体、特に、ＤＶＤの２倍速
（７．０ｍ／ｓ）線速度以上、ＣＤの８倍速（９．６〜
１１．２ｍ／ｓ）線速度以上の高線速度領域での記録が
可能な相変化型光情報記録媒体、該光情報記録媒体に対
する光情報記録再生方法及び光情報記録再生装置、並び
に該光情報記録媒体の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザー光の照射による記録、再生及び
消去が可能な光情報記録媒体の一つとして、結晶−非結
晶間又は結晶−結晶間の相転移を利用する、いわゆる相
変化型光情報記録媒体がよく知られている。特に、光磁
気記録では困難な単一ビームによるオーバーライトが容
易であり、記録再生装置側の光学系も単純であることな
どから、相変化型光情報記録媒体の需要が高まってお
り、既にＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭな
どが商品化されている。これらの記録媒体では、より多
くの情報をより速く記録することを可能にするために、
更なる高密度化や高線速度化が期待されている。

【０００３】同様に、光情報記録装置の記録速度も益々
高速化している。現在、ＣＤ系の最高記録線速度は、Ｃ
Ｄ−ＲがＣＤ１２倍速、ＣＤ−ＲＷがＣＤ１０倍速とな
っており、これまでのＣＤ−ＲとＣＤ−ＲＷの記録速度
は、常にＣＤ−Ｒの方が一歩先に高速化を達成してき
た。例えば、ＣＤ−ＲＷがＣＤ４倍速記録のとき、ＣＤ
−Ｒは、ＣＤ８倍速、ＣＤ１０倍速、ＣＤ１２倍速とよ
り高速化を達成してきている。その結果、光情報記録装
置としては、高速対応のスピンドル、半導体レーザー、
制御系を搭載していながら、ＣＤ−ＲＷを低速で記録し
ていた。この原因として、ＣＤ−ＲＷディスクは、標準
的な記録線速度或いは最高記録線速度を示す情報を保有
しており、その情報を光情報記録装置が認識してから記
録するため、最高記録線速度以上の高速記録はできなか
った。また、ＣＤ−ＲＷディスクは、最低記録線速度を
示す情報も保有しているため、その記録線速度は、最低
記録線速度と最高記録線速度をほぼ同等に満足するよう
に設計されており、光情報記録装置にとっても高速記録
でのマッチングに不安があり、実施できなかった。

【０００４】相変化型光情報記録媒体においては、通
常、媒体の転位線速度が記録線速度に適合するように最
適化する必要がある。ここで、転位線速度とは次のよう
な線速度を言う。即ち、図１８に示すような装置を用い
て、相変化型光情報記録媒体を種々の線速度で回転さ
せ、半導体レーザー光を相変化型光情報記録媒体の案内
溝にトラッキングしながら、半導体レーザー光照射によ
り、相変化記録層を融点以上に加熱冷却したときの光情
報記録媒体の反射率又は反射光強度を測定すると、図１
９に示すような測定結果が得られる。転位線速度とは、
この図１９において、線速度増大に伴う反射率又は反射
光強度が下がり始める線速度（図中に転位線速度として
矢印で示す線速度）のことである。

【０００５】特開平１１−１１５３１３号公報にも詳細
に開示されているように、相変化型光情報記録媒体の転
位線速度を制御することは品質を保持する上で重要であ
る。また、同公報には、ＣＤ−ＲＷ媒体の２Ｘ〜４Ｘ
（２．４〜５．６ｍ／ｓ）線速度での最適な転位線速度
が２．５〜５．０ｍ／ｓであることが開示されている。
しかしながら、高密度化のために、光情報記録媒体の狭
溝化、レーザー光の短波長化、レンズの高ＮＡ（開口
数）化を行なうと、光情報記録媒体の熱特性が大きく変
わり、同一の記録層材料や層構成を有する相変化型光情
報記録媒体では、転位線速度は大きく異なってしまう。
そのため、例えばＤＶＤの２Ｘ（７．０ｍ／ｓ）線速度
以上、ＣＤの８Ｘ（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）線速度以
上のような高密度、高線速度領域において相変化型光情
報記録媒体への記録を行なうためには、記録層材料、層
構成、プロセス条件などについて再検討し、記録線速
度、案内溝のトラックピッチ、記録装置のレーザー光波
長、ＮＡなどの条件に合致した転位線速度を再設計する
ことが必要になる。このような背景の中で、従来のＣＤ
−ＲＷディスクは、その記録線速度が最低記録線速度と
最高記録線速度をほぼ同等に満足するように設計されて
いるため、その転位線速度は最高記録線速度の０．８５
倍未満であって、これ以上の高速では記録できない

【０００６】上記光情報記録媒体の記録層を形成するた
めの相変化記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳ
ｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓ
Ｓｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ（Ｓ
ｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、
ＡｇＩｎＳｂＴｅなどの材料がある。特に、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ材料は、高感度でアモルファス部分の輪郭が明確
な特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層として開発
されている（特開平３−２３１８８９号公報、特開平４
−１９１０８９号公報、特開平４−２３２７７９号公
報、特開平４−２６７１９２号公報、特開平５−３４５
４７８号公報、特開平６−１６６２６６号公報等参
照）。

【０００７】特開平３−２３１８８９号公報には、Ｉを
Ｉ族元素、IIIをIII族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI族元
素として、Ｉ・（III_１−ｒＶ_ｒ）・VI_２型の一般組成
式で表される記録層が開示されている。しかし、このよ
うな記録層では、その繰返し記録特性は、必ずしも十分
満足のいくものではない。また、特開平４−１９１０８
９号公報に開示された情報記録媒体に使用されている記
録層の場合、消去比の向上と高速記録とは達成される
が、繰返し記録特性に問題がある。更に、特開平１−３
０３６４３号公報に開示された情報記録媒体に関して
は、新規な結晶構造を採ることにより、高いＣ／Ｎ比と
繰返し特性を有し、保存特性にも優れたものが提供でき
るとされているが、記録感度と繰返し特性が不十分であ
る。

【０００８】特開平４−２３２７７９号公報に開示され
た情報記録媒体に使用されている記録層の未記録部分
（結晶化部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂＴｅ_２）
と、この安定相の周囲に存在するアモルファス相とが混
在したものとなっている。このため、繰返し記録特性は
向上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在する
ことになり、ノイズ発生の原因となる。これは、記録再
生波長が７８０ｎｍ程度のレーザ光を使用するＣＤ−Ｒ
Ｗ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ−ＲｅＷｒｉｔａｂｌ
ｅ）などのように、比較的低い記録密度を有する光情報
記録媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波
長６８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ
−ＲＷの約４倍であるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒ
ｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）−ＲＡＭや、更に高密度なＤ
ＶＤ−ＲＷ等の高密度記録を実現する上では障害とな
る。更に、繰返し記録特性においても問題が残ってい
る。

【０００９】特開平４−２６７１９２号公報に開示され
た記録媒体に使用されている記録層の結晶化部分の構造
は、一様なアモルファス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ
_２と、その他の相（安定相又はアモルファス相）との混
相状態である。その他の相がアモルファス相である場合
には、前述した特開平４−２３２７７９号公報に開示さ
れた情報記録媒体の場合と同様な問題が生じ、その他の
相が安定結晶相である場合には、後述するように、良好
な記録特性が得られないという問題がある。

【００１０】特開平５−３４５４７８号公報、特開平６
−１６６２６８号公報による場合も上記の場合と同様な
問題がある。即ち、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系で、或いはこれ
らを拡張したＩｂ族元素、IIIｂ族元素、Ｖｂ族元素、
及びVIｂ族元素を有する相変化記録材料を記録層とする
光情報記録媒体については、これらを構成する元素の配
位数を規定する記録媒体に関する知見はなく、従って各
構成元素の記録材料としての機能・役割を明確にした従
来技術はなかった。このため、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層
の繰返し特性や、情報の記録及び消去感度等の具体的な
改良を理論に基づいて行なうことはなかった。

【００１１】相変化型光情報記録媒体の記録層を形成す
るための相変化記録材料としては、例えば、米国特許第
３５３０４４１号明細書に開示されているように、Ｇｅ
Ｔｅ、ＧｅＴｅＳｎ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳ
ｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ
などのいわゆるカルコゲン系合金材料があげられる。更
に、安定性、高速結晶化などの向上を目的として、Ｇｅ
Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号公報）、Ｓ
ｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号公報）、Ｐｄ
（特開昭６２−１９４９０号公報）などを添加した材料
が提案されている。また、記録／消去のくり返し性能向
上を目的として、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂの組
成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報、
特開昭６３−２２８４３３号公報）の提案などもなされ
ている。しかし、その何れも相変化型記録媒体として要
求される諸特性の全てを満足し得るものとは言えなかっ
た。特に、記録感度、消去感度の向上、オーバーライト
時の消し残りによる消去比低下の防止、及び記録部、未
記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となってい
る。

【００１２】特開昭６３−２５１２９０号公報では、結
晶状態が実質的に３元以上の多元化合物単層からなる記
録層を具備した記録媒体が提案されている。ここで実質
的に三元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論
組成を持った化合物（例えばＩｎ_３ＳｂＴｅ_２）を記録
層中に９０原子％以上含むものとされている。このよう
な記録層を用いることにより記録、消去特性の向上が図
れるとしている。しかしながら、消去比が小さく、記録
消去に要するレーザーパワーが未だ充分に低減されては
いないなどの欠点を有している。

【００１３】特開平１−２７７３３８号公報には、（Ｓ
ｂ_ａＴｅ_１−ａ）_１−ｙＭ_ｙ（ここで、０．４≦ａ≦
０．７、ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａ
ｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓ
ｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なく
とも１種である）で表される組成の合金からなる記録層
を有する光情報記録媒体が提案されている。なお、この
系の基本はＳｂ_２Ｔｅ_３である。Ｓｂを過剰にすること
によって、高速消去、繰り返し特性を向上させており、
また、Ｍの添加により高速消去を促進させている。加え
て、ＤＣ光による消去比も大きいとしている。しかし、
この文献にはオーバーライト時の消去比は示されておら
ず、記録感度も不十分である。オーバーライト時の消去
比に関しては、本発明者らの検討結果では消し残りが認
められた。

【００１４】特開昭６０−１７７４４６号公報では、記
録層に（Ｉｎ_１−ｘＳｂ_ｘ）_１−ｙＭ_ｙ（０．５５≦ｘ
≦０．８０、０≦ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓ
ｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｂｉである）なる合金を用い、また、
特開昭６３−２２８４３３号公報では記録層にＧｅＴｅ
−Ｓｂ_２Ｔｅ_３−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いている
が、何れも感度、消去比等の特性を満足するものではな
かった。

【００１５】特開平４−１６３８３９号には、記録薄膜
をＴｅＧｅＳｂ合金にＮを含有させることによって形成
する光情報記録媒体が記載されており、特開平４−５２
１８８号公報には、記録薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金に
これら成分のうちの少なくとも一つが窒化物となってい
るものを含有させて形成する光情報記録媒体が記載され
ており、特開平４−５２１８９号公報には、記録薄膜を
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にＮを吸着させることによって形
成する光情報記録媒体が記載されている。

【００１６】以上のように、従来の光情報記録媒体では
十分な特性を有するものは得られておらず、特に記録感
度、消去感度の向上、オーバーライト時の消し残りによ
る消去比低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命
化が解決すべき最重要課題となっている。

【００１７】一方、近年ＣＤ（コンパクトディスク）の
急速な普及に伴ない、一回だけ書き込みが可能な追記型
コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場に普
及し始めている。ところが、ＣＤ−Ｒでは書き込み時に
一度でも失敗すると修正不可能であるため、書き込みを
失敗したディスクは使用不能となってしまい廃棄せざる
を得ない。従って、その欠点を補った書き換え可能なコ
ンパクトディスクの実用化が待望されていた。研究開発
された一つの例として、光磁気ディスクを利用した書き
換え可能なコンパクトディスクがあるが、オーバーライ
トの困難さや、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒとの互換が取り
難い等といった欠点を有するため、原理的に互換確保に
有利な相変化型光ディスク（相変化型光情報記録媒体）
の実用化開発が活発化してきた。

【００１８】相変化型光ディスクを用いた書き換え可能
なコンパクトディスクの研究発表例としては、古谷
（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集，７０（１９９２）、神野（他）：第４回相変化記録
研究会シンポジウム講演予稿集，７６（１９９２）、川
西（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウム講演予
稿集，８２（１９９２）、Ｔ．Ｈａｎｄａ（ｅｔ ａ
ｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９
９３）、米田（他）：第５回相変化記録研究会シンポジ
ウム講演予稿集，９（１９９３）、富永（他）：第５回
相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集，５（１９９
３）のようなものがある。ところが、これらは何れもＣ
Ｄ−ＲＯＭやＣＤ−Ｒとの互換性確保、記録消去性能、
記録感度、書き換えの繰り返し可能回数、再生回数、保
存安定性等、総合性能を充分満足させるものではなク、
それらの欠点は、主に記録材料の組成、構造に起因する
消去比の低さによるところが大きかった。

【００１９】このような事情から、消去比が大きく、高
感度の記録、消去に適する相変化型記録材料の開発、更
には高性能で書き換え可能な相変化型コンパクトディス
クが望まれていた。本発明者等は、上記のような欠点を
解決する新材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を
見出し提案してきた。その代表例としては、特開平４−
７８０３１号公報、特開平４−１２３５５１号公報、
Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ，３１（１９９２）４６１、井手
（他）：第３回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集，１０２（１９９１）、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ（ｅｔ
ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１
９９３）５２４１等が挙げられる。また、１９９６年１
０月には、書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−
ＲＷ）の規格として、オレンジブックパートIII（ｖｅ
ｒ１．０）が発行された。しかし、オレンジブックパー
トIII（ｖｅｒ１．０）は、２ｘ線速度記録（２．４〜
２．８ｍ／ｓ）のＣＤ−ＲＷに対する規格であるため、
このような低線速度の記録では記録時間が長くかかって
しまう。このため、より高速記録の書き換え可能なコン
パクトディスクが望まれている。

【００２０】一方、相変化記録における記録信号の品質
を向上させる方式としては、様々な記録補償方式が開示
されている。例えば、特開昭６３−２６６６３２号公報
記載のものでは、結晶化速度の大きい記録膜を用いた場
合のＰＷＭ記録において、パルス列を用いて長いアモル
ファスマークを記録する方式が有効であるとしている。
また、特開昭６３−２６６６３３号公報及び米国特許第
５１５０３５１号明細書に記載のものでは、パルス列の
先頭及び後尾のレーザーエネルギーを高めたり、照射時
間を長くすることにより、マークエッジの位置揺らぎを
抑えることでジッタの改良を行っている。また、従来、
特公昭６３−２９３３６号公報に記載されているよう
に、光ディスク記録装置においてレーザー光などの光ス
ポットを光ディスク上に照射しながら走査し、レーザー
光などの光スポットを情報信号で強弱変調して光ディス
クに情報信号を記録する方法は知られており、また、光
ディスクに記録された情報信号を再生し、その再生信号
の振幅や記録マークの長さをモニターすることにより記
録光パワーや記録光パルスの幅などの記録条件を最適に
調整し、設定する方法も知られている。

【００２１】また、特開平９−１３８９４６公報、特開
平９−１３８９４７号公報、特開平９−２１９０２１号
公報には、図１５に示すように、情報記録媒体にＰＷＭ
記録することにより情報の記録を行う際に、変調後の信
号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間、ｎは正の整数）である
０信号の記録又は書き換えを行う時の記録波をパワーレ
ベルｅの連続電磁波とし、変調後信号幅がｎＴである１
信号の記録又は書き換えを行う時の記録波パルス列を、
時間幅ｘとパワーレベルａを持つパルス部ｆｐと、合計
でＴの時間幅を持つパワーレベルｂの低レベルパルス部
とパワーレベルｃの高レベルパルスとが交互にデューテ
ィ比ｙで計（ｎ−ｎ′）回連続するマルチパルス部ｍｐ
と、時間幅ｚとパワーレベルｄを持つパルス部ｏｐを有
する電磁波パルス列とし、ｘ、ｙ、ｚを０．５Ｔ≦ｘ≦
２．０Ｔ、０．４≦ｙ≦０．６、０．５Ｔ≦ｚ≦１．０
Ｔとし、ｎ′をｎ′≦ｎの正の整数とし（ａ及びｃ）≧
ｅ≧（ｂ及びｄ）とすることが開示されている。

【００２２】従来の技術により、大幅な、記録信号品質
とオーバーライト繰り返し時の安定性の向上、信頼性、
汎用性の向上は図られた。しかし、近年、書換え型情報
記録媒体、特に相変化型光情報記録媒体においては、一
つの情報記録媒体で、複数の線速度で記録（マルチスピ
ード記録）できる技術が求められている。また、記録速
度の高速化が求められており、高速記録に有利なＣＡＶ
記録も要求されるようになってきた。これらの技術的な
要求に対して、上記の特開平９−１３８９４６号公報、
特開平９−１３８９４７号公報、特開平９−２１９０２
１号公報に記載の技術では対応できなかった。例えば、
ＣＤ線速度４ｘで記録できるｆｐ、ｍｐ、ｏｐを持つ記
録ストラテジで、８ｘ速度記録、及び１０ｘ速度記録し
た場合に、８ｘ速度記録、及び１０ｘ速度記録では十分
な信号品質が得られなかった。更には、ＣＤ線速度４ｘ
記録した部分への１０ｘ速度記録のオーバーライト、或
いはＣＤ線速度１０ｘ記録した部分への４ｘ速度記録の
オーバーライトといった異なる記録線速度によるオーバ
ーライトでの信号品質の劣化が問題となっている。ま
た、ＣＬＶ記録した部分へのＣＡＶ記録でのオーバーラ
イト、或いはＣＡＶ記録した部分へのＣＬＶ記録でのオ
ーバーライトといった異なる記録方式によるオーバーラ
イトでの信号品質の劣化も問題となっている。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決すべくなされたもので、高速記録可能
な相変化型光情報記録媒体、並びに該光情報記録媒体の
有する能力を十分に発揮できる高速記録可能な光情報記
録再生方法及び光情報記録再生装置の提供を第１の目的
とする。また、繰返し特性、記録・消去感度、保存特性
に優れた光情報記録媒体及び該光情報記録媒体の製造方
法の提供を第２の目的とする。更に、上記した総合性能
を完璧に満足し、より高速での記録と高温での保存・使
用信頼性を確保し得る相変化型光ディスクの獲得が従来
の課題であり、加えて、マルチスピードＣＬＶ記録及び
ＣＡＶ記録によるオーバーライト信号品質の安定性が向
上した、汎用的記録ストラテジで記録可能な光情報記録
媒体の獲得が従来の課題であることから、上記従来技術
における問題を全て解消するため、高線速領域で記録・
消去を行うのに最適な光情報記録媒体を提供することを
第３の目的とし、高速記録・消去における信頼性の良好
な光情報記録媒体を提供することを第４の目的とし、こ
の光情報記録媒体において、マルチスピードＣＬＶ記録
及びＣＡＶ記録が可能な光情報記録媒体を提供すること
を第５の目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜
３２）の発明（以下、本発明１〜３２という）によって
解決される。 １） 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明基板上に
少なくとも相変化型記録層を有する光情報記録媒体にお
いて、該記録媒体に、標準記録線速度Ｖｒ及び／又は最
高記録線速度Ｖｈを示す情報を有すると共に、相変化型
記録層に形成されているランド部及び／又はグルーブ部
に対し、記録層材料を溶融できるエネルギーを照射しつ
つ、線速度を増大させながら走査した際、光情報記録媒
体の反射率が前記エネルギーの照射前に比べて低下する
線速度を転位線速度Ｖとした場合に、半導体レーザー光
を該案内溝のグルーブ部又はランド部にフォーカスして
ＤＣ照射した際の転位線速度Ｖが、０．８５Ｖｒ≦Ｖ、
或いは、０．８５Ｖｈ≦Ｖの条件式を満足することを特
徴とする光情報記録媒体。 ２） 前記転位線速度Ｖが、０．９Ｖｒ≦Ｖ≦２．０Ｖ
ｒ、或いは、０．９Ｖｈ≦Ｖ≦２．０Ｖｈであることを
特徴とする１）記載の光情報記録媒体。 ３） 前記転位線速度Ｖに係る条件式を満たす光情報記
録媒体であるか否かが判別できるような情報を有する
１）又は２）記載の光情報記録媒体。 ４） 前記相変化型記録層を全面結晶化（初期化）する
際、その初期化線速度Ｖｉが、０．５Ｖｒ≦Ｖｉ≦１．
６Ｖｒ、或いは、０．５Ｖｈ≦Ｖｉ≦１．６Ｖｈの条件
式を満足することを特徴とする１）〜３）の何れかに記
載の光情報記録媒体。 ５） 前記案内溝のトラックピッチが０．２〜１．４μ
ｍであり、半導体レーザー光を前記案内溝のグルーブ部
又はランド部にフォーカスしてＤＣ照射した際の転位線
速度Ｖが６〜２４ｍ／ｓであることを特徴とする１）〜
４）の何れかに記載の光情報記録媒体。 ６）前記相変化型記録層は、未記録状態において、主に
立方格子結晶構造であることを特徴とする１）〜５）の
何れかに記載の光情報記録媒体。 ７） 前記相変化型記録層は、 Ｓｂ_χＴｅ_{１００−χ}（４０≦χ≦８０、χは原子％） の組成式で表される材料を含むことを特徴とする１）〜
６）の何れかに記載の光情報記録媒体。 ８） 前記相変化型記録層は、添加元素として、Ｇａ、
Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｓから選
ばれた少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする
７）記載の光情報記録媒体。 ９） 前記相変化型記録層は、 （Ａｇ，Ｇｅ）_α（Ｉｎ，Ｇａ，Ｂｉ）_βＳｂ_γＴｅ_δ の組成式で表される材料で構成されており、式中、（Ａ
ｇ，Ｇｅ）及び（Ｉｎ，Ｇａ，Ｂｉ）は、それぞれ括弧
内の少なくとも一種の元素を含むことを意味し、α、
β、γ、δは原子％であり、０．１≦α≦７、１≦β≦
１５、６１≦γ≦８５、２０≦δ≦３０であることを特
徴とする１）〜８）の何れかに記載の光情報記録媒体。 １０） ｎを正の整数、Ｔを信号の変調に用いるクロッ
クの周期に相当するクロック時間とした場合に、変調後
の信号幅がｎＴである０信号の記録又は書き換えを行な
う時の記録光をパワーレベルｅの連続光とし、変調後の
信号幅がｎＴである１信号の記録又は書き換えを行なう
時の記録光のパルス列を、時間幅ｘとパワーレベルａを
持つパルス部ｆｐと、合計でＴの時間幅を持つパワーレ
ベルｂの低レベルパルスとパワーレベルｃの高レベルパ
ルスとが交互に出て、デューティ比ｙで計〔ｎ−ｎ′〕
回（ここで、ｎ′はｎ′≦ｎである正の整数）連続する
マルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚとパワーレベルｄを持
つパルス部ｅｐとからなるレーザー波パルス列とし、更
に、前記ｘ、ｙ、ｚをそれぞれ０．１２５Ｔ≦ｘ≦２．
０Ｔ、０．１２５≦ｙ≦０．８７５、０．１２５Ｔ≦ｚ
≦１．０Ｔとし、（ａ及びｃ）＞ｅ＞（ｂ及びｄ）とす
る記録条件において、標準記録線速度Ｖｒ又は最高記録
線速度Ｖｈより高速で記録できるように、同心円又は螺
旋状の案内溝を有する透明基板上に形成された第一保護
層、相変化型記録層、第二保護層、反射層、樹脂層の各
層の厚さが調整されていることを特徴とする１）〜９）
の何れかに記載の光情報記録媒体。 １１） 層構成として、基板上に少なくとも第一保護
層、相変化型記録層、第二保護層、第三保護層、反射
層、樹脂保護層を有することを特徴とする１）〜１０）
の何れかに記載の光情報記録媒体。 １２） 前記第三保護層の構成材料が、ＤＣスパッタリ
ング法で形成可能なものであることを特徴とする１１）
記載の光情報記録媒体。 １３） 前記第三保護層の構成材料が、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２から選ばれた少なくとも
一種の物質を含むことを特徴とする１１）又は１２）記
載の光情報記録媒体。 １４） 前記相変化型記録層は、全面結晶化処理の線速
度が転位線速度Ｖよりも遅いことを特徴とする１）〜１
３）の何れかに記載の光情報記録媒体。 １５） あらかじめ決められた転位線速度Ｖに係る条件
式を満たす光情報記録媒体であるか否かについての固有
の情報を保有する相変化型光情報記録媒体を光情報記録
再生装置にセットし、該光情報記録媒体から前記固有の
情報を再生し、その情報から前記光情報記録媒体の最高
記録線速度Ｖｈより大きい記録線速度で記録可能である
か否かを判断し、可能である場合に、最高記録線速度Ｖ
ｈより大きい記録線速度で記録再生することを特徴とす
る光情報記録再生方法。 １６） あらかじめ決められた転位線速度Ｖに係る条件
式を満たす光情報記録媒体であるか否かについての固有
の情報を保有する相変化型光情報記録媒体から前記固有
の情報を再生し、その情報から前記光情報記録媒体の最
高記録線速度Ｖｈより大きい記録線速度で記録可能であ
るか否かを判断し、可能である場合に、最高記録線速度
Ｖｈより大きい記録線速度で記録再生するように設定さ
れていることを特徴とする光情報記録再生装置。 １７） 電磁波の照射により非晶相と結晶相の間を変化
する相変化記録材料からなる記録層を設けた相変化型光
情報記録媒体において、前記相変化記録材料は、Ａｇ，
Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅから成り、これらの元素の結合配位数
が、成膜後の非晶状態と、初期化後及び情報消去後の結
晶状態とで異なることを特徴とする光情報記録媒体。 １８） 前記相変化記録材料は、その構成元素のうち、
Ａｇ及び／又はＩｎのＴｅに対する結合配位数におい
て、非晶状態での結合配位数より結晶状態での結合配位
数の方が大きいことを特徴とする１７）記載の光情報記
録媒体。 １９） 前記相変化記録材料は、その構成元素のうち、
ＡｇのＴｅに対する結合配位数が、非晶状態の時に１．
５〜２．５の範囲にあり、結晶状態の時に３．５〜４．
５の範囲にあることを特徴とする１７）又は１８）記載
の光情報記録媒体。 ２０） 前記相変化記録材料は、その構成元素のうち、
ＩｎのＴｅに対する結合配位数が、非晶状態の時に３．
０〜３．８の範囲にあり、結晶状態の時に３．４〜４．
２の範囲にあることを特徴とする１７）〜１９）の何れ
かに記載の光情報記録媒体。 ２１） 前記相変化記録材料は、その構成元素のうち、
ＳｂのＴｅに対する結合配位数において、非晶状態での
結合配位数より、結晶状態での結合配位数の方が小さい
ことを特徴とする１７）〜２０）の何れかに記載の光情
報記録媒体。 ２２） 前記相変化記録材料は、その構成元素のうち、
ＳｂのＴｅに対する結合配位数が、非晶状態の時に２．
７〜３．５の範囲にあり、結晶状態の時に２．０〜２．
８の範囲にあることを特徴とする１７）〜２１）の何れ
かに記載の光情報記録媒体。 ２３） 前記相変化記録材料は、結晶状態での構造がＮ
ａＣｌ型であることを特徴とする１７）〜２２）の何れ
かに記載の光情報記録媒体。 ２４） 前記相変化記録材料は、その構成元素のうち、
Ｔｅが占有するＮａＣｌ型構造のＣｌサイトには、空孔
が多数存在することを特徴とする２３）記載の光情報記
録媒体。 ２５） 前記相変化記録材料は、その構成元素のうち、
Ｔｅが占有するべきＮａＣｌ型構造のＣｌサイトに、７
／１２〜９／１２の範囲の空孔が存在することを特徴と
する２４）記載の光情報記録媒体。 ２６） 記録層の成膜時に、基板を１０〜５０℃／ｍｉ
ｎの範囲の一定のレートで昇温させながら、２５０〜８
５０Ｗの範囲のパワーで成膜することを特徴とする１
７）〜２５）の何れかに記載の光情報記録媒体の製造方
法。 ２７） 円盤状の基板上に少なくとも相変化型記録層を
有する光情報記録媒体において、前記相変化型記録層の
構成元素が主にＧｅ、Ｇａ、Ｓｂ及びＴｅであり、それ
ぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が、α＋β＋γ
＋δ＝１００としたときに、 ０．１≦α≦７ １≦β≦９ ６１≦γ≦７５ ２２≦δ≦３０ の条件式を満足することを特徴とする光情報記録媒体。 ２８） 前記相変化型記録層に、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓ
ｉ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａ
ｌ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｃ、Ｎ及びＯから選ばれた少な
くとも一種類以上の元素を添加したことを特徴とする２
７）記載の光情報記録媒体。 ２９） Ｇｅ及びＧａの組成比が、−８≦α−β≦３で
あることを特徴とする２７）又は２８）に記載の光情報
記録媒体。 ３０） Ｓｂ及びＴｅの組成比が、γ＋δ≧８８である
ことを特徴とする２７）〜２９）の何れかに記載の光情
報記録媒体。 ３１） レーザー光を光情報記録媒体に照射することに
より前記光情報記録媒体の記録層に相変化を生じさせ、
前記光情報記録媒体に対する情報の記録、再生を行い、
かつ書き換えが可能である情報記録再生方法が適用され
る光情報記録媒体であり、かつ、信号を変調して情報記
録媒体にＰＷＭ記録することにより情報の記録を行う際
に、変調後の信号幅がｎＴ（但し、Ｔはクロック時間、
ｎは正の整数）である０信号の記録又は書き換えを行う
時の記録波をパワーレベルｅの連続光とし、変調後の信
号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換えを行う時
の記録波パルス列を、時間幅ｘとパワーレベルａを持つ
パルス部ｆｐと、合計でＴの時間幅を持つパワーレベル
ｂの低レベルパルスとパワーレベルｃの高レベルパルス
とが交互にデューティ比ｙで計〔ｎ−ｎ′〕回（ここ
で、ｎ′はｎ′≦ｎである正の整数）連続するマルチパ
ルス部ｍｐと、時間幅ｚとパワーレベルｄを持つパルス
部ｏｐを有するパルス列とし、更に、前記ｘ、ｙ、ｚを
０．５Ｔ≦ｘ≦２．０Ｔ、０．１２５≦ｙ≦０．８７
５、０．１２５Ｔ≦ｚ≦１．０Ｔとし、（ａ及びｃ）≧
ｅ≧（ｂ及びｄ）とする、マルチスピード記録及び／又
はＣＡＶ記録が可能なことを特徴とする２７）〜３０）
の何れかに記載の光情報記録媒体。 ３２） 前記パルス部ｍｐのデューティ比ｙが記録線速
度によって増減できることを特徴とする３１）記載の光
情報記録媒体。

【００２５】以下、上記本発明について、実施の形態１
〜４に分けて、順に添付の図面を参照しつつ詳しく説明
する。

【００２６】まず、実施の形態１について説明する。図
１に、実施の形態１の相変化型光情報記録媒体に係る層
構成の一例を示す。基本的な構成は、案内溝を有する透
明基板２１上に第一保護層２２、記録層２３、第二保護
層２４、反射層６、オーバーコート層７を有し、好まし
くは、第三保護層２５を有する。更に、オーバーコート
層上に印刷層８、基板裏面にハードコート層９を有して
も良い。上記の単板ディスクを、接着層１０を介して貼
り合わせ構造としても良い。貼り合わせる反対面のディ
スクは、同様の単板ディスクでも、透明基板のみでも良
い。また、印刷層を設けていない単板ディスクを貼り合
わせた後で反対面側に印刷層８′を形成しても良い。

【００２７】基板の材料としては、通常、ガラス、セラ
ミックス又は樹脂であり、成形性、コストの点で樹脂基
板が好適である。樹脂の例としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げら
れるが、成形性、光学特性、コストの点で優れたポリカ
ーボネート樹脂やアクリル樹脂が好ましい。但し、実施
の形態１の光情報記録媒体をＤＶＤ−ＲＯＭ互換が可能
な書き換え型ディスクに応用する場合には、使用する基
板に形成される案内溝の幅が０．１０〜０．４０μｍ、
好ましくは０．１５〜０．３０μｍ、案内溝の深さが１
５〜６５ｎｍ、好ましくは２５〜５０ｎｍという条件を
満足することが望ましい。基板の厚さは特に制限される
ものではないが、０．６ｍｍが好適であり、貼り合わせ
後のディスクの厚さについても特に制限されるものでは
ないが、１．１〜１．３ｍｍが好適である。また、実施
の形態１の光情報記録媒体をＣＤ−ＲＷに応用する場合
には、案内溝の幅が０．２５〜０．６５μｍ、好ましく
は０．３０〜０．５５μｍ、その案内溝の深さが２５〜
６５ｎｍ、好ましくは３０〜５５ｎｍとなっていること
が望ましい。基板の厚さは特に制限されるものではない
が、１．２ｍｍが好適である。

【００２８】記録層としては、結晶−アモルファス相間
の相変化を起こし、それぞれが安定化又は準安定化状態
を取ることができるＳｂ、Ｔｅを含み、その組成式がＳ
ｂ_χＴｅ_{１００−χ}（４０≦χ≦８０、χは原子％）で
ある相変化型記録材料が、記録（アモルファス化）感度
・速度、消去（結晶化）感度・速度、及び消去比が良好
なため好ましい。このＳｂＴｅ材料に、Ｇａ、Ｇｅ、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｓなどの元素を添
加すると、記録・消去感度や信号特性、信頼性などを改
善することができるため、添加した元素やその組成比に
よって光情報記録媒体の特性を制御することができる。
添加元素の比率は、０．１〜２０原子％、好ましくは
０．１〜１５原子％である。２０原子％以下にすること
により、初期化を良好に行なうことが出来る。また、上
記材料はその組成比によって転位線速度も変わるため、
最適な記録線速度も異なってくる。そのため、目的とす
る記録線速度及び線速度領域によって、該材料の組成比
を調整し、転位線速度を制御する必要がある。これまで
の検討結果から、Ｔｅの組成比が転位線速度に高い相関
があることを見出している。

【００２９】実施の形態１で用いられる相変化型光情報
記録媒体の品質としては、単に記録・消去できるだけで
なく、高密度、高線速度領域で記録したときの信号の再
生安定性や信号の寿命（信頼性）も同時に要求される。
これらを総合的に満足する記録層として、上記材料系が
優れており、特に次の組成式で表される材料が信号の再
生安定性や信号の寿命が優れており、初期化を良好に行
なうことができるため好適である。 （Ａｇ，Ｇｅ）_α（Ｉｎ，Ｇａ，Ｂｉ）_βＳｂ_γＴｅ_δ 式中、（Ａｇ，Ｇｅ）及び（Ｉｎ，Ｇａ，Ｂｉ）は、そ
れぞれ、括弧内の少なくとも一種の元素を含むことを意
味し、α、β、γ、δは原子％であり、０．１≦α≦
７、１≦β≦１５、６１≦γ≦８５、２０≦δ≦３０で
ある。

【００３０】更に、初期化後の未記録状態での結晶構造
が等方的な結晶構造である立方格子結晶構造、好ましく
はＮａＣｌ型結晶構造を有する材料が、同様に等方性が
高いと考えられるアモルファス相とバラツキの少ない相
変化を起こすことができ、記録（アモルファス化）及び
消去（結晶化）を高速かつ均一に行なうことができるた
め好適である。記録層の膜厚としては１０〜５０ｎｍ、
好ましくは１２〜３０ｎｍとするのが良い。更にジッタ
ー等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮
すると、１４〜２５ｎｍとするのがより好ましい。１０
ｎｍ以上にすると耐熱保護層としての機能が発揮され易
く、かつ記録感度の点で優れたものとなる。また５０ｎ
ｍ以下にすると高速でも均一な相変化が起こり易いため
好ましい。このような記録層は、各種気相成長法、例え
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法
が、量産性、膜質等において優れている。

【００３１】第一保護層及び第二保護層の材料として
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ
_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２など
の金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、Ｚ
ｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ _３、ＴａＳ_４など
の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚ
ｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンなどが挙げ
られる。これらの材料は、単体で保護層とすることもで
きるが、互いの混合物としても良い。また、必要に応じ
て不純物を含んでも良い。但し、第一保護層及び第二保
護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。

【００３２】このような第一保護層及び第二保護層は、
各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中
でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れてい
る。第一保護層の膜厚は、反射率、変調度、記録感度に
大きく影響する。良好な信号特性を得るためには第一保
護層を６０〜１２０ｎｍとすることが要求される。第二
保護層の膜厚は、５〜４５ｎｍ、好ましくは７〜４０ｎ
ｍとするのが良い。５ｎｍ以上にすると、耐熱保護層と
しての機能が発揮され易く、また、記録感度の点でも優
れたものとなる。一方、４５ｎｍ以下にすると、界面剥
離を生じ難くなると共に、繰り返し記録性も良好なもの
となる。

【００３３】反射層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどの金属材料、又はこれらの元素
を含む合金などを用いることができる。また、耐腐食性
の向上、熱伝導率の改善などのために、上記材料に対し
てＣｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどの元
素を添加しても良い。添加比率は、０．３〜２原子％と
するのが適している。０．３原子％より少ないと、耐腐
食性の効果に劣る。２原子％より多くなると、熱伝導率
が下がり過ぎ、アモルファス状態を形成し難くなる。こ
のような反射層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。合金又は金属層の膜厚としては、５
０〜２００ｎｍ、好ましくは７０〜１６０ｎｍとするの
が良い。また、合金又は金属層を多層化することも可能
である。多層化した場合には、各層の膜厚は少なくとも
１０ｎｍ以上必要で、多層化膜の合計膜厚は５０〜１６
０ｎｍとするのが良い。

【００３４】反射層の上には、その酸化防止のためにオ
ーバーコート層が形成される。オーバーコート層として
は、スピンコートで作製した紫外線硬化型樹脂が一般的
であり、その厚さは、３〜１５μｍが適当である。３μ
ｍ以上にすると、オーバーコート層上に印刷層を設けた
場合でも、信号エラーの増加が起こり難くなる。一方、
１５μｍ以下にすると、内部応力の変化が少なく、ディ
スクの機械特性に影響を与え難くなるので好ましい。

【００３５】ハードコート層としては、スピンコートで
作製した紫外線硬化型樹脂が一般的であり、その厚さ
は、２〜６μｍが適当である。２μｍ以上にすると、十
分な耐擦傷性が得られるので好ましい。また、６μｍ以
下にすることにより、内部応力の変化が少なく、ディス
クの機械特性に影響を与え難くなるので好ましい。更
に、その硬度は、布でこすっても大きな傷が付かない鉛
筆硬度Ｈ以上とすることが好ましい。必要に応じて、導
電性の材料を混入させ、帯電防止を図って埃等の付着を
防止することも効果的である。

【００３６】印刷層は、耐擦傷性の確保、ブランド名な
どのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対するイ
ンク受容層の形成などを目的としており、紫外線硬化型
樹脂をスクリーン印刷法により形成するのが一般的であ
る。その厚さは、３〜５０μｍが適当である。３μｍ以
上にすると、層形成時にムラが生じ難くなり好ましい。
また、５０μｍ以下にすることにより、内部応力の変化
が少なく、ディスクの機械特性に影響を与え難くなるの
で好ましい。

【００３７】接着層としては、紫外線硬化型樹脂、ホッ
トメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いる
ことができる。このような接着層の材料は、オーバーコ
ート層又は印刷層上に、材料に応じて、スピンコート、
ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により塗布
し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行なって反対面
のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、同様
の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面ディ
スクの貼り合わせ面については、接着層の材料を塗布し
てもしなくても良い。また、接着層としては、粘着シー
トを用いることもできる。接着層の膜厚は特に制限され
るものではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスクの
機械特性の影響を考慮すると５〜１００μｍが好まし
い。接着面の範囲は特に制限されるものではないが、Ｄ
ＶＤ及び／又はＣＤ互換性のある書き換え型ディスクに
応用する場合、実施の形態１の高速記録を可能とするた
めには、接着強度を確保するために、接着層の内周端の
位置がΦ１５〜４０ｍｍ、好ましくはΦ１５〜３０ｍｍ
であることが望ましい。

【００３８】第三保護層は、透明基板、第一保護層、記
録層、第二保護層、反射層、オーバーコート層、印刷層
又は接着層の層界面に位置し、層間の密着性の向上、化
学反応の防止、光学特性の調整、熱物性の調整などを目
的として形成される。特に第二保護層と反射層との間に
第三保護層を形成する場合においては、Ｃ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２のうち、少なくとも一種
の物質を含む材料が望ましい。第三保護層の膜厚として
は、１〜４０ｎｍ、好ましくは２〜３０ｎｍとする。１
ｎｍ以上にすると、安定な界面層を形成し易くなる。一
方、４０ｎｍ以下にすると、界面剥離を生じ難くなり、
層間密着性の向上効果を得ることができる。このような
第三保護層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形
成できる。特に量産性を考慮すると、ＤＣスパッタリン
グ法が汎用のスパッタリング装置を利用できるので望ま
しい。

【００３９】実施の形態１の高線速度化に対応した光情
報記録媒体を良好な品質で量産するためには、記録線速
度のマージンを広く取れることが要求されるため、それ
に合わせて転位線速度を調整する必要がある。転位線速
度は、熱物性に影響されるため、光情報記録媒体のトラ
ックピッチ、レーザー光の波長、ＮＡ、レーザーパワー
によって異なるが、トラックピッチが０．２〜１．４μ
ｍである相変化型光情報記録媒体では、半導体レーザー
光を案内溝のグルーブ部又はランド部にフォーカスして
ＤＣ照射した際の転位線速度を６〜２４ｍ／ｓとするこ
とが重要であることを見出した。転位線速度が６ｍ／ｓ
以上の場合、ＤＶＤの２Ｘ（７．０ｍ／ｓ）線速度以
上、ＣＤの８Ｘ（９．６〜１１．２ｍ／ｓ）線速度以上
のような高線速度領域での記録に対応することができ
る。一方、転位線速度が２４ｍ／ｓ以下の場合は、記録
に適する記録線速度の領域での記録感度が低下し難く、
後述するパルスストラテジにより良好な品質での記録を
行うことができる。

【００４０】一般に、相変化型光情報記録媒体に重ね書
きをする場合、２回記録時にジッターが増大し、３回記
録以上の重ね書きでジッターが低減し、重ね書き１０回
以降はジッターが安定するという現象が見られる。この
現象は、実施の形態１の目的である高速記録時に顕著に
現れる。従って、相変化型光情報記録媒体において実用
上最も重要な品質に、この２回記録時のジッターが挙げ
られる。図２に、最低記録線速度ＣＤ４倍速（４．８ｍ
／ｓ）、最高記録線速度ＣＤ１０倍速（１２．０ｍ／
ｓ）という情報を有する基板を用いて作製した種々の転
位線速度の相変化型光情報記録媒体に、２回記録時のジ
ッターが１０００回記録時よりも小さくなるような記録
パワー、記録ストラテジで２回記録したときのジッター
を示す。ジッターは、ＣＤ１倍速再生時の値であり、３
５ｎｓ（ナノセカンド）以下が規格を満足する。図２か
ら、本来ＣＤ４倍速とＣＤ１０倍速で共にジッターが小
さくなる転位線速度は１２ｍ／ｓであることが分かる。
しかし、市場に出回っている最低記録線速度ＣＤ４倍速
（４．８ｍ／ｓ）、最高記録線速度ＣＤ１０倍速（１
２．０ｍ／ｓ）のＣＤ−ＲＷ記録媒体の転位線速度は９
ｍ／ｓであり、最高記録線速度の０．７５倍程度であっ
て、最低記録線速度のＣＤ４倍速にマッチングしてお
り、ＣＤ１０倍速にはマッチングが不十分である。

【００４１】実施の形態１の目的である、より高速での
記録を可能とするため、特にユーザーが高速化を実感す
るためには、最高記録線速度ＣＤ１０倍速の２０％以上
の記録線速度アップ（つまり１４．４ｍ／ｓ）を実現す
る必要があり、規格である３５ｎｓ以下を満足するため
には、図２からみて、９．５ｍ／ｓ以上の転位線速度が
必要であると判断される。即ち、最高記録線速度の０．
８倍以上の転位線速度が必要である。更に、それ以上の
高速記録、例えばＣＤ１６倍速（１９．２ｍ／ｓ）、Ｃ
Ｄ２０倍速（２４ｍ／ｓ）、ＣＤ２４倍速（２８．８ｍ
／ｓ）の記録を達成するためには、１２、１６、１９ｍ
／ｓ以上の転位線速度とする必要がある。一方、最低記
録線速度４．８ｍ／ｓでの記録もジッター３５ｎｓ以下
とするためには、転位線速度を２５ｍ／ｓとしなければ
ならないことが分かる。つまり、おおよそ最高記録線速
度の２倍以下が、記録可能な上限記録線速度となる。

【００４２】上記説明は、ＣＤ−ＲＷ記録媒体を例にし
たが、他の相変化型光情報記録媒体でも同様に、より高
速の記録を実現するためには、記録媒体の有する最高記
録線速度の少なくとも０．８倍以上、好ましくは０．８
５倍以上、より好ましくは０．９倍以上の転位線速度と
することが望ましい。なお、図２に記載の各種転位線速
度のＣＤ−ＲＷ記録媒体は、記録層の組成、記録層の厚
さ、記録層の不純物、反射層材料、誘電体材料、初期化
プロセス条件等を適宜選択して作製した。

【００４３】転位線速度は、上記の各構成層の材料、膜
厚、プロセス条件によって調整することができる。例え
ば、記録層材料のＡｇ、Ｇｅの組成比を多くすると転位
線速度を遅くすることができ、Ｉｎ、Ｇａの組成比を多
くすると転位線速度を速くすることができる。また、記
録層の膜厚を厚くすると転位線速度を遅くすることがで
き、膜厚を薄くすると転位線速度を速くすることができ
る。第二保護層、反射層においては、熱伝導率を大きく
すると転位線速度を遅くすることができ、熱伝導率を小
さくすると転位線速度を速くすることができる。

【００４４】プロセス条件に関する例としては、記録
層、第一保護層、第二保護層、第三保護層の形成をスパ
ッタリング法により行なう場合、投入する基板の温度を
低くすると転位線速度を遅くすることができ、基板の温
度を高くすると転位線速度を速くすることができる。ま
た、スパッタリング時の共存ガスとして、Ａｒの他にＮ
_２、Ｏ_２を加えると転位線速度を遅くすることができ
る。このとき、ターゲットライフの初期では転位線速度
が速くなり、ターゲットライフの後半では転位線速度が
遅くなる。その他、初期化の線速度、レーザーパワー等
の条件によっても、転位線速度を調整することができ
る。以上のような種々の条件の組み合わせによって転位
線速度の値を決めることができるので、これらをバラン
スよく調整することにより、転位線速度を所望の値に制
御することができる。

【００４５】また、実施の形態１の高線速度化に対応し
た光情報記録媒体においては、初期化の線速度を、転位
線速度よりも遅くすることが望ましい。初期化線速度を
転位線速度よりも速くすると、記録層の温度上昇が不十
分となり、均一に結晶化をすることができないため初期
化ムラを起こし、ＲＦ信号の乱れを生じてしまう。更
に、初期化線速度Ｖｉは、標準記録線速度Ｖｒ及び／又
は最高記録線速度Ｖｈの０．５倍以上、１．６倍以下が
好ましい。０．５倍以上では、初期化が良好に行われ、
オーバーライト性能の点で好ましい。また、１．６倍以
下にすると、記録層の温度上昇が良好に行われて均一に
結晶化することができ、均一な初期化が行われ、ＲＦ信
号の乱れを防止することができる。

【００４６】図４に、実施の形態１の光情報記録再生方
法又は装置の一例を示す。即ち、相変化型光情報記録媒
体をスピンドルモーターからなる駆動手段により回転駆
動する。一方、レーザー駆動回路により記録再生用ピッ
クアップの半導体レーザーからなる光源を駆動し、光学
系を介して回転している光情報記録媒体に、図３に示し
たようなｆｐ、ｍｐ、ｅｐを有するパルスストラテジの
レーザー光を照射することにより、該光情報記録媒体の
記録層に相変化を生じさせて記録を行う。記録した情報
の再生は、再生光を照射された光情報記録媒体からの反
射光を記録再生用ピックアップで受光することにより行
なう。

【００４７】次に、実施の形態１の光情報記録媒体の記
録層に対してマークの幅として信号を記録する、いわゆ
るＰＭＷ記録方式で情報の記録を行なう場合について説
明する。記録を行うには、記録すべき信号を変調部にお
いてクロックを用いて、例えば書き換え型コンパクトデ
ィスクの情報記録に適したＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ−ｔｏ−
Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）変調方式、
或いはその改良変調方式で変調する。ＰＭＷ記録を行な
う際には、変調後の信号幅がｎＴ（ｎは正の整数、Ｔは
クロック時間、即ち、信号の変調に用いるクロックの周
期に相当する時間）である０信号の記録又は書き換えを
行なう時の記録光をパワーレベルｅの連続光とし、変調
後の信号幅がｎＴである１信号の記録又は書き換えを行
なう時の記録光のパルス列を、時間幅ｘとパワーレベル
ａを持つパルス部ｆｐと、合計でＴの時間幅を持つパワ
ーレベルｂの低レベルパルスとパワーレベルｃの高レベ
ルパルスとが交互に出て、デューティ比ｙで計〔ｎ−
ｎ′〕回（ここで、ｎ′はｎ′≦ｎである正の整数）連
続するマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚとパワーレベル
ｄを持つパルス部ｅｐからなるレーザー波パルス列と
し、ｘ、ｙ、ｚをそれぞれ０．１２５Ｔ≦ｘ≦２．０
Ｔ、０．１２５≦ｙ≦０．８７５、０．１２５Ｔ≦ｚ≦
１．０Ｔとし、（ａ及びｃ）＞ｅ＞（ｂ及びｄ）として
行う。図３に、ｎ＝３、ｎ′＝２のときの例を示す。

【００４８】実施の形態１の光情報記録再生装置は、セ
ットされるディスクの最高記録線速度を示す情報を読
み、かつその他のディスクの固有情報を読み、最高記録
線速度以上の線速度で記録可能か否かの判断をする手段
を有する。例えばその一例をフローチャート的に示すと
次のようになる。 １．実施の形態１の相変化型光情報記録媒体がドライブ
のトレーにセットされる。 ２．ドライブが、実施の形態１の相変化型光情報記録媒
体に入っているＩＤ情報又は識別情報を再生する。 ３．ドライブにあらかじめ格納された相変化型光情報記
録媒体に入っているのと同じＩＤ情報或いは識別情報
と、上記２．で再生したＩＤ情報或いは識別情報とを照
合する。 ４．ＩＤ情報或いは識別情報の照合によって、ドライブ
にセットされた相変化型光情報記録媒体の素性、特性等
を認識する。 ５．上記４で認識したディスクにマッチした記録方法
を、あらかじめ格納してある記録方法の一覧から選択
し、相変化型光情報記録媒体への記録動作を開始する。

【００４９】次に、実施の形態２について説明する。実
施の形態２の相変化型光情報記録媒体は、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｓｂ及びＴｅを主要構成元素とし、更に、周期律表第II
Iｂ、IVｂ及びＶｂ族から選ばれた少なくとも１種の特
定の元素が添加されていることを特徴とする。これによ
って、従来の相変化型光情報記録媒体に比べて、高線速
度かつ高密度記録で十分な媒体特性、特に繰り返し記録
特性、初期及び繰り返し記録後の保存信頼性に優れた記
録媒体が得られる。層構成としては、通常、基板上に下
部保護層、記録層、上部保護層、反射層の順に積層した
構成が採用され、各層の製膜後に、記録層を非晶質相か
ら結晶相へ変化させるいわゆる初期化を行って結晶相と
する。

【００５０】好ましい記録層の組成は、各元素の原子比
が次の式で表されるものであるが、この記録層は、上記
初期化により結晶相を形成する際、一様にＮａＣｌ型構
造を形成する。 （Ａｇ_αＩｎ_βＳｂ_γ）_１−δＴｅ_δ （式中、０．１＜α＜１０、１≦β＜２０、９０≦γ＜
１００、α＋β＋γ＝１００、０．２≦δ≦０．３５で
ある。） そして、このＮａＣｌ型結晶相において、Ｎａサイト相
当にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂが、Ｃｌサイト相当にＴｅが位置
し、かつＴｅがこのサイトに１００％占有されていない
で空孔を有している場合に、優れた初期及び繰り返し記
録特性が発揮される傾向にあるため好ましい。これによ
って、非晶質相と結晶相の相変化の繰り返しによる記録
を行っても、組成変化の起こり難い共晶組成となってい
る。また、より高い線速度において高速結晶化させるに
は、このような状態を保ちつつＳｂ及びＩｎを増加さ
せ、Ａｇを減らすことが好適である。

【００５１】また、本発明者等は、ＡｇＩｎＳｂＴｅか
ら成る相変化記録材料について、その構造、特に各元素
の結合配位数を、Ｘ線回折、電子線回折等の結果を基に
検討し、その配位数により記録媒体の特性が大きく変化
することを見出した。一般にＴｅ、Ｓｅ、Ｓ等のVIｂ族
元素を含む化合物は、カルコゲナイドと呼ばれ、VIｂ族
元素が２配位で結合するため構造の柔軟性が大きく、液
相凍結によりガラス化し易く、記録媒体の材料としてよ
く使用される。一方、Ｉｂ族のＡｇのＴｅに対する配位
数は従来明確にされておらず、Ｉｎ、ＳｂのＴｅに対す
る配位数も単に８−Ｎ則等に従い３配位とされているだ
けで、現実の配位数は明確でなかった。また、結晶状態
と非晶状態での各元素の結合配位数に差があるかどうか
も明確でなかった。

【００５２】しかしながら、記録媒体の場合、ディスク
特性としての記録感度や、結晶温度が影響すると考えら
れる消去感度や保存特性、更に繰返し特性等には、記録
材料を構成する各元素の結合配位数が大きく影響するも
のと考えられる。即ち、フィリップスのガラス化形成能
の理論〔Ｊ．Ｃ．Ｐｈｉｌｌｉｐｓ：Ｊ．，Ｎｏｎ−Ｃ
ｒｙｓｔ，Ｓｏｌｉｄｓ ３４（１９７９）１５３〕に
よれば、ガラス化は、構成元素の平均配位数が２．４５
の時が最も容易であるとされている。これは、この様な
配位数にすれば、容易にガラス化、即ち記録が可能であ
ることを示し、記録感度を向上させる目安となる。ま
た、結合配位数が大きいことは、結合エネルギーが大き
いことを示し、結晶化温度が上昇し、消去感度の低下、
更にマークの消失を防止するための保存特性の向上につ
ながる。また、結合配位数によっては、単一相でなく混
相に相分離する可能性もあり、これにより繰返し特性が
劣下する場合も考えられる。この様に記録材料を構成す
る各元素の結合配位数を制御できれば、記録媒体の特性
を大きく向上させることが可能になると考えられる。

【００５３】そこで、鋭意検討した結果、記録層形成用
の材料としてＡｇＩｎＳｂＴｅを用いた記録媒体におい
て、（イ）ＡｇとＩｎの、Ｔｅに対する結合配位数に関
しては、非晶状態での結合配位数と結晶状態での結合配
位数とが異なり、結晶状態における結合配位数の方が大
きい時、（ロ）ＳｂのＴｅに対する結合配位数はその逆
で、結晶状態における結合配位数の方が小さい時、
（ハ）そして、構造が単層でＮａＣｌ型となり、Ｔｅが
占有するＣｌサイトに多数の空孔が生じている時に、そ
れぞれディスク特性が極めて良好となることを見出し
た。

【００５４】特に、（ａ）ＡｇのＴｅに対する結合配位
数が、成膜後の非晶状態で１．５〜２．５の範囲、好ま
しくは１．７〜２．２の範囲にあるとき、（ｂ）Ｉｎの
Ｔｅに対する結合配位数が、成膜後の非晶状態で３．０
〜３．８の範囲、好ましくは３．４〜３．７の範囲にあ
り、結晶状態で３．４〜４．２の範囲、好ましくは３．
５〜３．８の範囲にあるとき、（ｃ）ＳｂのＴｅに対す
る結合配位数が、非晶状態で２．７〜３．５の範囲、好
ましくは２．８〜３．２の範囲にあり、結晶状態で２．
０〜２．８の範囲、好ましくは２．４〜２．６の範囲に
あるときに、それぞれ優れたディスク特性を有すること
が分った。

【００５５】具体的には、ＡｇのＴｅに対する結合配位
数が成膜後の非晶状態で１．８、初期結晶化後で４．
０、ＩｎのＴｅに対する結合配位数が成膜後の非晶状態
で３．５、初期結晶化後で３．７、ＳｂのＴｅに対する
結合配位数が成膜後の非晶状態で３．０、初期結晶化後
で２．５の場合を考え、相変化記録材料（記録層）の組
成をＡｇ_５Ｉｎ_７Ｓｂ_６０Ｔｅ_２８とする。成膜後の非
晶状態ではＡｇの配位数が１．８であるため、Ａｇはラ
ンダムネットワークを切断する方向に働く結果、結晶化
を促進させる。即ち、初期結晶化を容易にし、均一で微
細な結晶粒を有する多結晶状態となるため、記録後のマ
ークのＳ／Ｎ比が向上する。また、初期結晶化後の平均
配位数Ｚは、上述の配位数と組成から容易に求まり、Ｚ
＝４×０．０５＋３．７×０．０７＋２．５×０．６＋
２．０×０．２８＝２．５１となり、フィリップスのガ
ラス化形成能力における、最もガラス化が容易な平均配
位数２．４５に極めて近い。このことは、初期結晶化後
の記録（ガラス化）が容易に実現すること、即ち記録感
度が良好であることを意味する。

【００５６】更に、初期結晶化後の構造は、ＮａＣｌ型
の立方晶単相であり、記録マークのガラス状態は、その
近距離秩序を保存するため、相分離することなくその状
態を保持するので、繰返し特性も極めて良好である。ま
た記録後の配位数は、初期結晶化後の配位数を保持する
ため、Ｚ＝２．５１を保ち、かつネットワークを切断す
ると考えられるＡｇの配位数も、記録後は４の値を保持
すると考えられるので、室温下ではマークの結晶化が極
めて進行し難く、保存特性の向上につながる。また、Ｔ
ｅが占有する、ＮａＣｌ型構造におけるＣｌサイトの多
数の空孔は、記録材料の組成比に対しＮａＣｌ型構造を
保持するために必要であり、これにより記録層は常に単
層を保持し、相分離を生じないので、繰返し特性が良好
で且つ安定した相を保持することができる。

【００５７】次に、記録層の結晶化速度に関連して、ま
ず、ＳｂはＴｅに比べて原子半径が大きく、非晶質相に
おいてＴｅに対する結合配位数が約３配位であり、結晶
化が起こり易いため結晶化速度が速く、しかも比較的低
い温度でも起きる。そのためＳｂ量が相当多い場合は保
存信頼性が著しく悪い。また、ＩｎはＳｂよりも更に原
子半径が大きく、結合配位数も非晶質相においてＳｂよ
り高く、約３．５配位であって結晶化速度が速い。な
お、その詳細は不明であるが、高温では結晶化が高速に
起こるものの、室温から７０〜８０℃では結晶化が起こ
り難い。或いはＩｎがＳｂによる結晶化を妨げる役割を
しているとも考えられる。同じく、記録層の結晶化速度
に関連して、Ａｇの原子半径はＴｅよりは大きいが、配
位数が約２配位であることから非晶質相の方が安定なた
め、結晶化速度は比較的遅い。しかし、高速記録におい
て繰り返し記録を行っても組成変化が起き難く、しか
も、高速結晶化と保存信頼性が確保される最適組成範囲
が求めることができる。しかしながら、上記最適組成範
囲にあっても全ての特性を満足させることは限度があ
り、特に保存信頼性は高速記録において確保し難い。

【００５８】そこで、上記の事実関係を踏まえて、記録
媒体の信頼性確保の見地から高速記録で繰り返し記録特
性が優れ、しかも、非晶質相の環境安定性を確保するた
め、上述した主構成元素に、周期律表IIIｂ、IVｂ及び
Ｖｂ族の少なくとも一種の元素を適宜添加することが好
ましい。また、この添加元素としては、構成元素Ｔｅに
対する結合エネルギーが２００ｋＪ／ｍｏｌ以上のもの
が好ましく、より好ましくは２５０ｋＪ／ｍｏｌ以上の
ものであるが、あまり大き過ぎると、相変化をする際に
大きなエネルギーを必要とするため、５００ｋＪ／ｍｏ
ｌ以下のものが好ましい。また結晶化速度を大きくする
には、添加元素の原子半径は０．１０〜０．２０ｎｍで
あることが好ましい。

【００５９】更に、上記添加元素としては、元素周期律
表のIIIｂ、IVｂ及びＶｂ族の中で、原子量の少ない元
素ほど添加により結晶化温度が高くなる傾向にあるた
め、保存信頼性の観点から、構成元素のＳｂやＩｎより
も原子量の小さい元素が好ましい。表１に、添加元素の
一例として、Ｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉについて、その原子半径及びＴｅ
に対する結合エネルギーを示した。この表から、好まし
い添加元素は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐであり、中
でもＧｅが好適であることが分る。

【００６０】

【表１】

【００６１】上記添加元素の添加量は、多過ぎると結晶
化速度を遅くする傾向があり、繰り返し特性が悪くな
る。また、Ｉｎ、Ｓｂより原子半径が小さく結合エネル
ギーが大きい元素ほどその傾向が強い。従って、最適な
添加量の範囲内において、Ｉｎ量に対する添加量は常に
少ない方が好ましい。特にＩｎ量が少ない場合において
は著しく結晶化速度を下げる元素がある。一方、Ｔｉ、
Ｐｂ及びＢｉは結晶化速度を高くする効果があるが、多
過ぎると繰り返し記録特性は良いものの、結晶化温度が
著しく低下し保存信頼性を低下させる傾向がある。

【００６２】上述した実施の形態２の光情報記録媒体を
得るためには、記録層の製膜法として本発明２６の方法
を採用することが望ましい。即ち、製膜時に基板を１０
〜５０℃／ｍｉｎ、好ましくは３０〜４０℃／ｍｉｎの
範囲内の昇温レートで成膜する。今のところ、この様な
方法により、何故、非晶状態と結晶状態で結合配位数に
差が生じるのかは不明である。また、成膜時の成膜レー
トも、この結合配位数にいくらかの影響を与えているよ
うであるが、明確なことは判明していない。考えられる
ことの一つとして、成膜時の基板温度上昇により、記録
層の構造が近距離秩序から中距離秩序に移行することが
挙げられる。また、ＲｆスパッタよりＤＣスパッタの方
が好ましい。

【００６３】また、上述した組成の記録層を用いた場
合、下部保護層、上部保護層としては、ＺｎＳとＳｉＯ
_２とからなり、モル比が、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝５０：５
０〜９０：１０の範囲のものが好ましく、特にモル比８
０：２０近傍のものが好ましい。また、必要に応じて、
ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系の複合物以外の酸化物、窒化物又は
その混合物でも適宜好適に使用することができる。下部
保護層の膜厚は、記録層の耐環境保護性を保持し、製膜
時の熱による応力緩和によって基板から剥離しないよう
にするため、２５〜２５０ｎｍの範囲とすることが好ま
しい。また上部保護層については、繰り返し記録時に熱
応力の増加による変形や密着性の低下を抑え、記録時の
熱伝導率が記録感度を低下させない程度の膜厚が必要で
あり、５〜２５ｎｍの範囲とすることが好ましい。反射
層の材料、形成方法、膜厚等については、前記実施の形
態１の場合と同様である。

【００６４】以上説明した実施の形態２の相変化型光情
報記録媒体は、例えば、書き換え可能記録媒体として、
波長が４００〜６８０ｎｍの範囲で適宜記録再生が可能
である。また、その記録密度を上げるには、更に対物レ
ンズの開口率を０．６０以上にすることで容易に実現で
きる。このような光情報記録媒体に対する記録は、通
常、基板の溝に記録する方式、溝及び溝と溝の間のトラ
ックに記録する方式の両方が採用されるが、何れの方式
にしろ、密度、容量を上げるためには基板のトラックピ
ッチを狭くすればよい。ピッチとしては０．８μｍ以下
が好ましい。溝の深さは１５ｎｍ〜６０ｎｍが好まし
く、１５ｎｍ以上にすることで安定したトラッキングを
行うことができる。

【００６５】図５に、実施の形態２の光情報記録媒体を
用いて記録を行った場合の、高速、高密度での記録再生
特性を示した。図５から明らかなように、記録媒体に照
射するレーザー光の発光パルスが、記録、消去、バイア
スの３つのレベルを有し、且つ記録、消去パワーは、再
生パワーより高く、更にバイアスパワーは再生パワー以
下とする。バイアスパワーは、記録パワーを照射した後
のパワーであり、非晶質相を形成させるために必要であ
る。このパルスは、更に、先頭パルス（１パルス）、複
数パルス列、冷却パルス（１パルス）からなり、記録マ
ークのエッジ部をシャープにすると共に、記録される位
置、記録されるマークの長さを正確にするために必要で
ある。このような記録発光パルスが、高速記録に適して
おり、記録層の材料、組成を最適なものにする。その結
果、記録周波数は２０〜８０ＭＨｚ程度で、記録パワー
は最大１５ｍＷである。記録再生線速度は、ＣＬＶ或い
はＣＡＶの両方に対応しており、最大線速度は１５ｍ／
ｓ程度で、好ましい線速度は、３．０〜１２ｍ／ｓであ
った。

【００６６】次に、実施の形態３について説明する。図
６に、実施の形態３の光情報記録媒体に係る層構成の一
例を示す。この例では、基板２１上に誘電体からなる下
部耐熱保護層２２、記録層２３、誘電体からなる上部耐
熱保護層２４、反射層２５がこの順に設けられている。
耐熱保護層は必ずしも記録層の両側に設ける必要はない
が、基板２１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性の
低い材料からなる場合には、下部耐熱保護層を設けるこ
とが望ましい。基板２１の材料としては、前述した実施
の形態１の場合と同様のものを用いることができる。反
射層の材料、形成方法、膜厚などについても、前述した
実施の形態１の場合と同様である。

【００６７】耐熱保護層、即ち誘電体層は（ＺｎＳ）
_８０・（ＳｉＯ_２）_２０を用いてスパッタ法により膜形
成を行う。この誘電体層は、耐熱保護層としての機能
と、光干渉層としての機能とを有することから、これら
の機能を最大限に活かすことが必要である。そのために
は、膜厚を２０〜３００ｎｍ、好ましくは３５〜２００
ｎｍとする。２０ｎｍ未満の場合には耐熱保護層として
の機能が失われ、また、３００ｎｍを超えると界面剥離
が生じ易くなる。記録層は、一般的にはスパッタ法によ
り膜形成が行なわれ、その膜厚は１０〜１００ｎｍ、好
ましくは２０〜３５ｎｍである。１０ｎｍより薄いと光
吸収能が低下し、記録層としての機能を失う。一方、１
００ｎｍより厚いと透過光が少なくなるため、干渉効果
を期待できなくなる。

【００６８】次に、実施の形態４について説明する。図
１４に、実施の形態４の相変化型光情報記録媒体に係る
層構成の一例を示す。基本的な構成としては、案内溝を
有する基板３１上に第１保護層３２、記録層３３、第２
保護層３４、反射層３５、オーバーコート層３６を設け
る。更に、好ましくは、オーバーコート層上に印刷層３
７を設け、基板鏡面にハードコート層３８を設ける。

【００６９】基板２１の材料としては、前述した実施の
形態１の場合と同様のものを用いることができる。但
し、光情報記録媒体を書き換え可能なコンパクトディス
ク（ＣＤ−ＲＷ）に応用する場合には、次のような特定
の条件を満たすことが望ましい。その条件とは、使用す
る基板に形成される案内溝（グルーブ）の幅が０．２５
〜０．６５μｍ、好適には０．３０〜０．５５μｍ、案
内溝の深さが２５〜６５ｎｍ、好適には３０〜５５ｎｍ
となっていることである。基板の厚さは特に制限される
ものではないが、１．２ｍｍや０．６ｍｍが好適であ
る。

【００７０】記録層３３としては、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ及
びＴｅを含む４元系の相変化型記録材料を主成分として
含有する材料が、記録（アモルファス化）感度・記録速
度、消去（結晶化）感度・消去速度、及び消去比が極め
て良好なため適している。しかしながら、ＧｅＧａＳｂ
Ｔｅには、その組成比によって最適な記録線速度が存在
するため、目的とする記録線速度及び線速度領域によっ
て、ＧｅＧａＳｂＴｅの組成比を調整する必要がある。
これまでの検討の結果、ＧｅＧａＳｂＴｅ記録層のＴｅ
の組成比が記録線速度に高い相関があることを見出し
た。

【００７１】光情報記録媒体に要求される品質として
は、単に記録消去できるだけでなく、信号の再生安定性
や信号の寿命も同時に要求される。これらを総合的に満
足できる記録層として、ＧｅＧａＳｂＴｅ系が優れてお
り、各元素の組成比を順にα、β、γ、δ（原子％）と
し、α＋β＋γ＋δ＝１００としたとき、 ０．１≦α≦７．０ １≦β≦９ ６１≦γ≦７５ ２２≦δ≦３０ の条件式を満足する場合に効果的であった。α即ちＧｅ
量が７．０原子％超、β即ちＧａ量が９原子％超、γ即
ちＳｂ量が７５原子％超では、信号の再生安定性や信号
の寿命が不充分であった。Ｔｅの含有量は再結晶化線速
度に大きく影響するため、記録層厚や他の層の熱伝導率
によって制御したとしても少なくとも、２２〜３０原子
％にすることが好ましい。

【００７２】また、信号の再生安定性や信号の寿命を向
上させる方法として、記録層にＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓ
ｉ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａ
ｌ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｃ、Ｎ及びＯから選ばれた少な
くとも一種の元素を添加することが効果的であった。信
号の再生劣化や信号の寿命低下は、非晶質マークの結晶
化が原因であった。非晶質マークの結晶化を抑制するた
めには、上記の元素から選ばれた少なくとも一種の元素
を記録層に添加することが効果的であった。そのメカニ
ズムは明確ではないが、これらの元素はＧｅＧａＳｂＴ
ｅの空間的隙間に入ったり、化学結合を形成したりする
ことで、ＧｅＧａＳｂＴｅと化合物又は合金を形成し、
非晶質マークの結晶化を抑制すると考えられている。依
って、原子半径が小いか、ＧｅＧａＳｂＴｅとの化学結
合力が大きいか、化学結合手が多い元素が効果的であ
る。特にＣ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ａｇが効果的であ
る。上記添加元素の量は、記録層の７原子％以下が効果
的である。７原子％以下にすることにより、ＧｅＧａＳ
ｂＴｅ記録層の本来有する記録消去特性を維持すること
ができ、消し残りを抑制できる。

【００７３】また、光情報記録媒体の高線速記録・消去
における保存信頼性は極めて重要な項目である。本発明
者等は、ＧｅとＧａの組成の関係において、−８≦α−
β≦３のとき、高線速度対応性と保存信頼性のバランス
が両立することを見出した。即ち、α−βが３超では、
記録・消去時の最適線速度が遅くなる傾向が見られ、α
−βが−８未満では、光情報記録媒体の保存性が不十分
であった。故に、−８≦α−β≦３の場合に、両者の特
性のバランスを取るのに効果的であった。更に線速度が
高速になることにより、光情報記録媒体の反射率、特に
初期化時の反射率確保が重要となるが、ＳｂとＴｅの組
成の関係において、γ＋δ≧８８とすることにより、初
期化時に必要な反射率に到達することを見出した。

【００７４】記録層の膜厚は、１０〜５０ｎｍ、好適に
は１２〜３０ｎｍとするのがよい。更に、ジッター等の
初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮する
と、より好適には１４〜２５ｎｍとするのがよい。１０
ｎｍ以上にすると光吸収能が低下せず、良好な記録特性
を得ることができる。また５０ｎｍ以下にすると、高速
で均一な相変化を行うことができる。このような記録層
は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリン
グ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーテ
ィング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。
中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れて
いる。

【００７５】第一保護層及び第二保護層の材料、形成方
法などは、前述した実施の形態１の場合と同様である。
但し、第一保護層の膜厚は反射率に大きく影響するの
で、７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長でＣＤ−ＲＷデ
ィスクの規格である反射率０．１５〜０．２５を満足す
るためには、その膜厚を６５〜１３０ｎｍとすることが
要求される。この範囲の膜厚に設定することにより、６
５０ｎｍであるＤＶＤの再生波長の反射率を満足し、Ｄ
ＶＤとの再生互換も得ることができる。また、第二保護
層の膜厚としては、１５〜４５ｎｍ、好適には２０〜４
０ｎｍとするのがよい。１５ｎｍ以上にすることで耐熱
性保護層として有効に機能し、感度の低下を生じ難くな
る。一方、４５ｎｍ以下にすると、界面剥離を生じ難く
なり、繰り返し記録性能の低下を防止することができ
る。

【００７６】反射層の材料、形成方法、膜厚などは、前
述した実施の形態１の場合と同様である。ハードコート
層、オーバーコート層の材料、形成方法、膜厚などにつ
いても、前述した実施の形態１の場合と同様である。

【００７７】一般に、マルチスピード記録及びＣＡＶ記
録の場合、低線速度では過剰な記録パワーとなり、高線
速度では記録パワー不足となってしまう。従って、記録
線速度と記録パワーのバランスをとることが重要とな
る。具体的な方法としては、高線速度記録の場合ほど高
パワーとすることが、ＣＤ−Ｒ等に見られるように一般
的である。

【００７８】図１５は、記録パルス波形を説明するため
の図であるが、実施の形態４では、図１５のマルチパル
ス部（以下、ｍｐ部と記載する）のデューティ比を、記
録線速度で増減させることが有効であることを見出し
た。ここで言うデューティ比とは、ｍｐ部における低レ
ベルパルスのパワーレベルｂの時間を、ｍｐ部の時間幅
で割ったものである。また、この情報記録方法は、記録
層がＧｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする情報記録媒
体に対して特に有効であった。これはＧｅ、Ｇａ、Ｓ
ｂ、Ｔｅを主成分とする記録層の熱物性が、本記録パル
ス波にマッチングしているためである。

【００７９】図１６に、一例として、ＣＤ−ＲＷを４ｘ
〜１０ｘでマルチスピード記録した場合の記録波形を示
す。この例は、内周４．８ｍ／ｓ、外周１２．０ｍ／ｓ
のＣＡＶ記録にも対応している。この例では、記録線速
度４．８、９．６、１２．０ｍ／ｓで、それぞれｍｐ部
のデューティ比０．６２５、０．５、０．３７５と、記
録線速度の増大に合わせて、ｍｐ部のデューティ比を減
少させている。４．８ｍ／ｓの低線速度記録では、ｍｐ
部の記録パルスを細くすることで余分な熱ダメージを軽
減し、かつｍｐ部の冷却時間を長くすることで、エッジ
の位置ずれの少ないマークを記録することができる。一
方、１２．０ｍ／ｓの高線速度記録では、ｍｐ部の記録
パルスを太くすることにより、記録膜に相変化し得るだ
けのエネルギーを与えることができるようになる。ま
た、高速であるため、ｍｐ部の冷却時間が短くても記録
層の急冷条件が整い、エッジの位置ずれの少ないマーク
を記録することができる。

【００８０】記録層の溶融、急冷を伴う相変化型光情報
記録媒体において、記録パルスのｍｐ部のデューティが
０．５近傍である場合に、記録層の溶融、急冷のバラン
スが取れており、種々の信号品質、オーバーライトに有
利である。従って、ドライブ−メディア（媒体）のマッ
チングを考慮する上で、ｍｐ部のデューティ比０．５
を、マルチスピード記録における如何なる記録線速度に
おいて設定するかが課題となる。実施の形態４では、ｍ
ｐ部のデューティ比が０．５となる記録線速度を、（最
低記録線速度＋最高記録線速度）／２より大きく、最高
記録線速度以下とすることが有効であった。マルチスピ
ード記録可能なドライブにおいてよく利用される記録線
速度は最高記録線速度である。ＣＡＶ記録では、機械特
性の影響を受け易い外周部で高速記録となる。よってＣ
ＡＶ記録でも高速記録の信号品質がより重要になってく
る。このようなことから、実用上、より信頼性の高い記
録を行うためには、信頼性の高いｍｐ部のデューティ比
０．５の記録パルス波形を高速記録側に設定することが
有効であった。更に、ｍｐ部のデューティ比が０．５と
なる記録線速度を、０．５５ｘ（最低記録線速度＋最高
記録線速度）より大きく、かつ最高記録線速度以下とす
ることが、より効果的であった。

【００８１】図１７は、実施の形態４の光情報記録媒体
の記録再生装置を説明するための図である。スピンドル
モータからなる駆動手段によって相変化型光情報記録媒
体を回転駆動すると共に、光源駆動手段としてのレーザ
ー駆動回路によって半導体レーザーからなる光源を駆動
し、記録再生用ピックアップによって、前記半導体レー
ザーから図示しない光学系を介して、図１６に示したよ
うな記録線速度でｍｐ部のデューティ比を増減させたレ
ーザー光を照射することにより、前記光情報記録媒体の
記録層に相変化を生じさせて情報の記録を行い、該光情
報記録媒体からの反射光を記録再生用ピックアップで受
光して情報の再生を行う。

【００８２】なお、記録再生用ピックアップの最適記録
パワーは、記録パワー設定手段としての記録パワー設定
回路により設定される。また、相変化型光情報記録媒体
の記録再生装置は、記録再生用ピックアップでレーザー
光を相変化型光情報記録媒体に照射することにより、該
光情報記録媒体の記録層に相変化を生じさせて情報の記
録を行い、かつ再生及び書換えが可能な光記録再生装置
であり、記録すべき信号を変調部で変調して記録再生用
ピックアップで光情報記録媒体に記録することにより情
報の記録を行う記録手段を備えている。このピックアッ
プを含む記録手段は、光情報記録媒体の記録層に対して
マークの幅として信号を記録する、いわゆるＰＷＭ記録
方式で情報の記録を行う。記録手段は記録すべき信号を
変調部にてクロックを用いて、例えば書き換え型コンパ
クトディスクの情報記録に適したＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ−
ｔｏ−Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）変調
方式、又はその改良変調方式で変調する。

【００８３】記録手段は、ＰＷＭ記録を行う際に、変調
後の信号幅がｎＴ（ｎは正の整数、Ｔはクロック時間：
信号の変調に用いるクロックの周期に相当する時間）で
ある０信号の記録又は書き換えを行う時の記録光をパワ
ーレベルｅの連続光とし、変調後の信号幅がｎＴである
１信号の記録又は書き換えを行う時の記録光のパルス
列、時間幅ｘとパワーレベルａを持つパルス部ｆｐと、
合計でＴの時間幅を持つパワーレベルｂの低レベルパル
スとパワーレベルｃの高レベルパルスとが交互に出て、
デューティ比ｙで計〔ｎ−ｎ′〕回（ここで、ｎ′は
ｎ′≦ｎである正の整数）連続するマルチパルス部ｍｐ
と、時間幅ｚとパワーレベルｄを持つパルス部ｏｐとか
らなるレーザー波パルス列とし、更に、前記ｘ、ｙ、ｚ
をそれぞれ０．５Ｔ≦ｘ≦２．０Ｔ、０．１２５Ｔ≦ｙ
≦０．８７５Ｔ、０．１２５Ｔ≦ｙ≦１．０Ｔとし、
（ａ及びｃ）＞ｅ＞（ｂ及びｄ）とする。なお、図１６
は、ｎ′＝１の場合を示している。

【００８４】

【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例により限定されるもの
ではない。なお、実施例１〜１４（表２）は実施の形態
１の実施例、実施例２１〜４２及び比較例１〜４（表
３）は実施の形態２の実施例及び比較例、実施例５１〜
５５及び比較例５１〜５２（表４〜表１７、図７〜図１
３）は、実施の形態３の実施例及び比較例、実施例６１
〜６６（表１８）は実施の形態４の実施例である。

【００８５】実施例１ 射出成形により溝幅０．５５μｍ、溝深さ３０ｎｍの案
内溝を有するポリカーボネート基板を作成し、この基板
上に、第一保護層、記録層、第二保護層、及び反射層を
順次スパッタリング法により積層した。基板温度を５５
℃としてスパッタリング装置に投入した。基板には、最
高記録線速度がＣＤ１０倍速（１２ｍ／ｓ）という情報
を入れた。第一保護層及び第二保護層にはＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ_２を用い、膜厚はそれぞれ９０ｎｍ、３０ｎｍとし
た。記録層はＧｅ_２Ｉｎ_８Ｓｂ_６８Ｔｅ_２２を用い、厚
さ１６ｎｍとした。反射層にはＡｌＴｉ（Ｔｉ含有量
０．５重量％）を使用し、厚さ１４０ｎｍとした。その
結果、基板／ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（９０ｎｍ）／記録層
（１６ｎｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（３０ｎｍ）／ＡｌＴ
ｉ（１４０ｎｍ）という層構成の積層物が形成された。
更に、その反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコート
によるオーバーコート層を形成し、相変化型光情報記録
媒体の単板ディスクを作成した。次に大口径ＬＤ（ビー
ム径２００×１μｍ）を有する初期化装置によって、速
度７．０ｍ／ｓ、電力８５０ｍＷ、送り１２０μｍで、
内周から外周に向けて、線速度一定で全面結晶化した。
このようにして得られた光情報記録媒体の転位線速度
を、波長７８０ｎｍの半導体レーザー光を該案内溝のグ
ルーブ部にフォーカスしてＤＣ照射し測定した。その結
果、転位線速度は、１２．８ｍ／ｓであり、最高記録線
速度の１．１倍であった。

【００８６】次に、この光情報記録媒体のリードイン時
間、リードアウト時間、最適記録パワーコード、ディス
クタイプの各コード情報の組合せのコード列が１６倍速
記録可能というリストを持たせてある光情報記録装置に
セットした。この光情報記録装置は、まずリードイン時
間、リードアウト時間、最適記録パワーコード、ディス
クタイプをリードした。次いで、光情報記録装置は、こ
れらの組合せにより最高記録線速度以上の記録線速度で
記録可能か否かを判断し、最高記録線速度以上の記録線
速度ＣＤ１６倍速で記録可能なディスクと判断した。次
に、記録線速度ＣＤ１６倍速でＣＤ−ＲＯＭで再生可能
なフォーマットにより記録した。その結果、記録初期及
びオーバーライト１０００回後のジッター特性が良好で
あった。更に、温度８０℃、湿度８５％環境内で５００
時間放置した保存試験後においても、記録層の酸化及び
信号特性の変化は認められず、良好な保存信頼性が得ら
れた。以上のように、最高記録線速度ＣＤ１０倍速とい
う情報を有する相変化型光情報記録媒体に対し、ＣＤ１
６倍速という高速での記録を実現することができた。

【００８７】実施例２ 射出成形により溝幅０．２μｍ、溝深さ２７ｎｍの案内
溝を有するポリカーボネート基板を作成し、この基板上
に、第一保護層、記録層、第二保護層、第三保護層及び
反射層を順次スパッタリング法により積層した。基板温
度を５５℃としてスパッタ装置に投入した。基板には、
最高記録線速度が８．４４ｍ／ｓという情報を入れた。
第一保護層、第二保護層にＺｎＳ・ＳｉＯ_２を用い、第
三保護層にＳｉＣを用い、膜厚はそれぞれ７５ｎｍ、１
０ｎｍ、３ｎｍとした。記録層はＡｇ_０．５Ｇｅ_１．５
Ｇａ_８Ｓｂ_６８Ｔｅ_２２を用い、厚さ１４ｎｍとした。
反射層にはＡｌＴｉ（Ｔｉ含有量０．５重量％）を使用
し、厚さ１４０ｎｍとした。その結果、基板／ＺｎＳ・
ＳｉＯ_２（７５ｎｍ）／記録層（１４ｎｍ）／ＺｎＳ・
ＳｉＯ_２（１０ｎｍ）／ＳｉＣ（３ｎｍ）Ａｌ／Ｔｉ
（１４０ｎｍ）という層構成の積層物が形成された。更
に、その反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートに
よるオーバーコート層を形成し、相変化型光情報記録媒
体の単板ディスクを作成した。次に大口径ＬＤ（ビーム
径２００×１μｍ）を有する初期化装置によって、線速
度１０．０ｍ／ｓ、電力８５０ｍＷ、送り１２０μｍ
で、内周から外周に向けて、線速度一定で全面結晶化し
た。このようにして得られた光情報記録媒体の転位線速
度を、波長６６０ｎｍの半導体レーザー光を該案内溝の
グルーブ部にフォーカスしてＤＣ照射し測定した。その
結果、転位線速度は、１４．４ｍ／ｓであり、最高記録
線速度の１．７倍であった。

【００８８】次に、この光情報記録媒体のリードイン時
間、リードアウト時間、最適記録パワーコード、ディス
クタイプの各コード情報の組合せのコード列がＤＶＤ４
倍速記録可能というリストを持たせてある光記録装置に
セットした。この光記録装置は、まずリードイン時間、
リードアウト時間、最適記録パワーコード、ディスクタ
イプをリードした。次いで、光記録装置は、これらの組
合せによって最高記録線速度以上の記録線速度で記録可
能か否かを判断し、最高記録線速度以上の記録線速度Ｄ
ＶＤ４倍速で記録可能なディスクと判断した。次に、記
録線速度ＤＶＤ４倍速でＤＶＤ−ＲＯＭで再生可能なフ
ォーマットにより記録した。その結果、記録初期及びオ
ーバーライト１０００回後のジッター特性が良好であっ
た。更に、温度８０℃、湿度８５％環境内で５００時間
放置した保存試験後においても、記録層の酸化及び信号
特性の変化は認められず、良好な保存信頼性が得られ
た。以上のように、最高記録線速度４．８８ｍ／ｓとい
う情報を有する相変化型光情報記録媒体に、ＤＶＤ４倍
速という高速での記録を可能とした。

【００８９】実施例３〜１４ 射出成形によりポリカーボネート基板を形成し、この基
板上に、第一保護層、記録層、第二保護層、第三保護層
及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。第
一保護層及び第二保護層にはＺｎＳ・ＳｉＯ_２を、第三
保護層にはＳｉＣを用い、膜厚はそれぞれ８０ｎｍ、１
０ｎｍ、５ｎｍとした。記録層は表２に示す組成を用
い、膜厚は１５ｎｍとした。反射層にはＡｇを使用し、
基板／ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（８０ｎｍ）／記録層（１５ｎ
ｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（１０ｎｍ）／ＳｉＣ（５ｎ
ｍ）／Ａｇ（１４０ｎｍ）という層構成を形成した。更
に、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによる
オーバーコート層を形成し、相変化型光情報記録媒体の
単板ディスクを作成した。次に、大口径ＬＤ（ビーム径
２００×１μｍ）を有する初期化装置によって、光情報
記録媒体の記録層の初期化を行なった。その後、ポリカ
ーボネート基板厚が０．６ｍｍである単板ディスクにつ
いては、オーバーコート層上に接着層を介してポリカー
ボネート基板を貼り合わせ、ポリカーボネート基板の表
面（貼り合わせ面の反対面）側に印刷層を形成し、貼り
合わせディスクとした。

【００９０】表２に、ポリカーボネート基板厚と単板又
は貼り合わせのディスク構成、トラックピッチ、記録層
組成の各作製条件と、得られた媒体を記録・再生するの
に使用した装置のピックアップの波長、転位線速度、記
録線速度と評価結果を纏めて示した。評価結果のジッタ
ー特性は、クロック時間Ｔで規格化したσ／Ｔ（％）と
定義した。表２に示した結果から分かるように、何れの
実施例においても、初期及びオーバーライト１０００回
後のジッター特性は良好であった。更に、温度８０℃、
湿度８５％環境内で５００時間放置した保存試験におい
ても、保存後に記録層の酸化及び信号特性の変化は認め
られず、良好な保存信頼性が得られた。

【００９１】

【表２】

【００９２】実施例２１〜４２ 基板の溝ピッチ０．７４μｍ、溝幅０．３μｍ、溝深さ
３５ｎｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を
用い、この上にスパッタリング法により下部保護層、記
録層、上部保護層及び反射層を順に積層した。下部保護
層には、（ＺｎＳ）_８０・（ＳｉＯ_２）_２０を用い、膜
厚を７５ｎｍとした。記録層の構成元素及び添加元素の
組成比（原子％）は表２に示した通りであり、膜厚は何
れも２０ｎｍとした。上部保護層には、下部保護層と同
じ材料を使用し、膜厚を１５ｎｍとした。反射層には、
Ａｌ合金を使用し、膜厚１２０ｎｍとした。更に、反射
層上に紫外線硬化樹脂を塗布し、膜のない基板を用いて
貼り合わせ、厚さ１．２ｍｍの実施の形態２に係る光情
報記録媒体を作製した。次いで、ＬＤ（レーザーダイオ
ード）を用いて所定の条件で初期化後、記録層を結晶化
させた。記録再生は、波長６５５ｎｍ、対物レンズＮＡ
０．６５のピックアップヘッドを用いて、ＣＬＶ方式に
より、各記録層に対して表２に示す線速で、記録密度が
０．２６５μｍ／ｂｉｔとなるように記録した。記録デ
ータの変調方式は（８，１６）変調とした。記録パワー
は最大１５ｍＷ、消去パワーは記録パワーの０．４５〜
０．５５倍、バイアスパワーは０．５ｍＷ、再生パワー
は０．８ｍＷとした。このような条件で、一回記録に対
する繰り返し記録１００００回後のジッター増加量及び
８０℃、８５％ＲＨ、１０００時間後のジッター増加量
を測定した。なお、ジッターはウィンドウ幅で割った値
であり単位は％である。

【００９３】

【表３】

【００９４】上記表３の結果から明らかなように、実施
例２１〜４２は、添加元素を含まない従来例（比較例１
〜４）に比べて、繰り返し記録回数を低減することなく
保存信頼性を向上させることができる。また、特に添加
元素Ｇｅを２原子％添加した場合において、繰り返し回
数が良く、特に信頼性が大きく向上していることが分か
る。また、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを主構成元素とす
る記録層において、添加元素の添加量を最適にすると、
より高速な記録が可能となり、繰り返し記録特性が向上
し、保存信頼性を向上させることができる。

【００９５】以上の結果から分るように、実施の形態２
の相変化型光情報記録媒体における好ましい記録層は、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを主構成元素とする材料に、
特定の条件を満たす周期律表IIIｂ、IVｂ及びＶｂ族か
ら選ばれた添加元素Ｘを、（Ａｇ_αＩｎ_βＳｂ_γＸ_ε）
_１−δＴｅ_δなる組成式を満足するように添加したもの
である。これによって、従来の相変化型光情報記録媒体
に比べて、高密度、高線速度で記録が可能であり、しか
も繰り返し記録を行っても特性が劣化しない、信頼性の
高い相変化型光情報記録媒体を得ることができる。ま
た、このような特性を発揮できる相変化型光情報記録媒
体は、大容量光ファイル、デジタルビデオディスク等へ
の応用が期待される。

【００９６】実施例５１ トラックピッチ０．７μｍ、深さ６０ｎｍの案内溝を形
成した厚さ０．６ｍｍ、直径１２０μｍのポリカーボネ
ート基板上に、図６に示すように、下部耐熱保護層、記
録層、上部耐熱保護層及び反射層を順次スパッタ法によ
り積層し、相変化型光情報記録媒体を作製した。耐熱保
護層には（ＺｎＳ）_８０・（ＳｉＯ_２）_２０を用い、反
射層にはＡｌＴｉ合金を用いた。下部耐熱保護層の膜厚
は１２０ｎｍ、上部耐熱保護層の膜厚は３５ｎｍ、反射
層の膜厚は８０ｎｍとした。記録層の膜厚は２１ｎｍと
し、以下のスパッタ条件でＤＣスパッタした。また、記
録層用のターゲット組成比はＡｇ_５Ｉｎ_７Ｓｂ_６０Ｔｅ
_２８である。 １）投入電力 ：０．５ｋＷ ２）ガス流量 ：Ａｒ、１５ｓｃｃｍ ３）成膜ガス圧：１．０ｍＴｏｒｒ ４）基板温度 ：２５℃でスタートし、３０℃／ｍｉｎ
レートで昇温

【００９７】得られた光情報記録媒体の記録層の構造を
解析するために、別途解析用のガラス基板を用意した。
記録層の初期結晶化は高出力半導体レーザで行った。ま
た、記録層の構造解析、特に相変化記録材料の構成元素
の配位数、結晶構造に関してはＸ線回折、電子線回折、
ＥＸＡＰＳ（広域Ｘ線吸収微細構造）等を使用した。そ
の結果を表４に示す。

【００９８】

【表４】

【００９９】光情報記録媒体の信号特性については、波
長６３５ｎｍの光源を用いて記録線速度３．５ｍ／ｓ、
ＥＦＭランダムパターンでオーバライトの繰返し記録を
行い、その時の３Ｔ信号のジッターの記録パワー依存性
により評価した。再生時の線速度は３．５ｍ／ｓとし
た。その結果を表５に示す。また、図７にＸ線回折スペ
クトルを示す。

【０１００】

【表５】 表５中の「８、９、１０、…」は記録パワー（ｍＷ）で
あり、「１、１０００、３０００、…」はオーバライト
回数であり、「８．５、８．３、８．０、…」はジッタ
ー（ｎｓ）である。（後述の実施例５２〜５５及び比較
例５１〜５２に係る、表７、９、１１、１３、１５、１
７についても同じ）

【０１０１】実施例５２ 記録層の成膜条件である基板温度を２５℃スタート、１
０℃／ｍｉｎレートで昇温させた点以外は、実施例５１
と全く同様にして光情報記録媒体を作製した。その記録
層の構造解析結果を表６に、Ｘ線回折スペクトルを図８
に、信号特性を表７にそれぞれ示す。

【０１０２】

【表６】

【０１０３】

【表７】

【０１０４】実施例５３ 記録層の成膜条件である基板温度を２５℃スタート、５
０℃／ｍｉｎレートで昇温させた点以外は、実施例５１
と全く同様にして光情報記録媒体を作製した。その記録
層の構造解析結果を表８に、Ｘ線回折スペクトルを図９
に、信号特性を表９にそれぞれ示す。

【０１０５】

【表８】

【０１０６】

【表９】

【０１０７】実施例５４ 記録層のターゲット組成をＡｇ_３Ｉｎ_１０Ｓｂ_６３Ｔｅ
_２４とした点以外は、実施例５１と全く同様にして光情
報記録媒体を作製した。その記録層の構造解析結果を表
１０に、Ｘ線回折スペクトルを図１０に、信号特性を表
１１にそれぞれ示す。

【０１０８】

【表１０】

【０１０９】

【表１１】

【０１１０】実施例５５ 記録層のターゲット組成をＡｇ_８Ｉｎ_３Ｓｂ_６８Ｔｅ
_２１とした点以外は、実施例５１と全く同様にして光情
報記録媒体を作製した。その記録層の構造解析結果を表
１２に、Ｘ線回折スペクトルを図１１に、信号特性を表
１３にそれぞれ示す。

【０１１１】

【表１２】

【０１１２】

【表１３】

【０１１３】比較例５１ 成膜時に、基板温度の昇温を行わないでパワー８５０Ｗ
で成膜した点以外は、実施例５１と全く同様にして光情
報記録媒体を作製した。その記録層の構造解析結果を表
１４に、Ｘ線回折スペクトルを図１２に、信号特性を表
１５にそれぞれ示す。

【０１１４】

【表１４】

【０１１５】

【表１５】

【０１１６】比較例５２ 成膜時に、基板温度の昇温を行わないでパワー２００Ｗ
で成膜した点以外は、実施例５１と全く同様にして光情
報記録媒体を作製した。その記録層の構造解析結果を表
１６に、Ｘ線回折スペクトルを図１３に、信号特性を表
１７にそれぞれ示す。

【０１１７】

【表１６】

【０１１８】

【表１７】

【０１１９】以上の表４〜表１７と、図７〜図１３から
明らかなように、実施例５１から実施例５５までは、記
録層の構造はＮａＣｌ型で、（２００）の反射が強いの
が特徴的である。

【０１２０】また、Ａｇ，Ｉｎ，ＳｂのＴｅに対する結
合配位数については、以下のとおりである。 （１）Ａｇの場合：非晶質のときには、成膜条件により
結合配位数に差はあるものの、１．５〜２．０の範囲に
ある。また、結晶質のときには３．８〜４．３の範囲に
あり、結晶質のときの結合配位数が、非晶質のときのそ
れよりも大きくなっている。 （２）Ｉｎの場合：非晶質のときには３．１〜３．６の
範囲に、結晶質のときには３．６〜４．０の範囲にあ
り、Ａｇと同様に結晶質のときの結合配位数が、非晶質
のときのそれよりも大きくなっている。 （３）Ｓｂの場合：非晶質のときには２．７〜３．１の
範囲に、結晶質のときには２．２〜２．６の範囲にあ
り、非晶質のときの結合配位数が、結晶質のときのそれ
よりも大きくなっている。

【０１２１】これら実施例５１〜５５の光情報記録媒体
の信号特性はすべて良好で、８ｍＷから１３ｍＷまでの
広い範囲のパワーで記録することができ、しかも高感度
である。また繰返し特性に関しては、２万回程度まで使
用することができる極めて良好なものである。また、保
存特性については、８０％ＲＨ・８０℃の温湿度条件下
に２００時間放置した後においても信号特性が劣化する
ことはなく、高い耐候性を有することが確認された。

【０１２２】一方、比較例５１、５２では、非晶状態と
結晶状態とでＡｇの結合配位数に差がなくなっており、
特に結晶状態での結合配位数が小さいことが分る。実施
例との成膜条件の差により、比較例の結果が実施例のそ
れと異なることになった原因については不明であるが、
比較例５１、５２のＸ線回折スペクトルと、実施例５１
〜５５のそれとでは相違点が認められる。即ち比較例５
１がＮａＣｌ型であるのは実施例５１〜５５と同じであ
るが、（２２０）面が強く、（３１１）面で成長してい
る。また、比較例５２では（２２０）面が二つに分離し
ているように見える。比較例５１、５２と実施例５１〜
５５のそれぞれのＸ線回折スペクトルの差は、得られた
光情報記録媒体の信号特性にも現れている。即ち、比較
例５１、５２では、実施例５１〜５５に比べて感度の低
下が見られる上に、繰返し記録特性が大きく低下してい
る。このことは、記録層（記録膜）の構造、特に結合配
位数が、光情報記録媒体の信号特性に大きく関与してい
ることを示している。

【０１２３】実施例６１〜６６ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍの案内溝を有する１．２ｍ
ｍ厚のポリカーボネート基板を成型し、この基板上に第
一保護層、記録層、第二保護層及び反射層を順次スパッ
タ法により積層した。第一保護層及び第二保護層にはＺ
ｎＳＳｉＯ_２を用い、膜厚はそれぞれ９０ｎｍ、３０ｎ
ｍとした。記録層には、表１８の実施例６１〜６６に示
す組成の材料を用い、膜厚は１８ｎｍとした。反射層に
はアルミニウム合金を使用した。以上のようにして、基
板／ＺｎＳＳｉＯ_２（９０ｎｍ）／ＧｅＧａＳｂＴｅ
（１８ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ_２（３０ｎｍ）／Ａｌ合金
（１４０ｎｍ）という層構成を形成した。次いで、紫外
線硬化樹脂のスピンコートによるハードコート層、オー
バーコート層を形成し、相変化型光情報記録媒体を作成
した。次に、大口径ＬＤを有する初期化装置によって、
記録層の全面結晶化処理を行った後、オーバーコート層
上に印刷層を形成した。以上の方法で得た相変化型光情
報記録媒体に対し、表１８に示した記録線速度、及びｍ
ｐ部のデューティ比を持つパルス波で記録を行った。本
実施例で用いた光記録装置は図１７に示したものと同様
であり、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを
有するものを用いた。記録信号は、ＥＦＭ変調された入
力信号とした。それぞれの線速度で記録した信号を、
１．２ｍ／ｓで再生した結果、それぞれ２２ｎｓ、２０
ｎｓ、２３ｎｓと良好な初期ジッターが得られた。それ
ぞれの記録線速度での、オーバーライト１０００回後の
ジッターは、それぞれ３２ｎｓ、３０ｎｓ、３３ｎｓと
良好であった。また温度８０℃、湿度８５％環境内で５
００時間保存した後において、記録層の酸化及びディス
ク特性の変化は認められず、良好な保存特性が得られ
た。

【０１２４】

【表１８】

【０１２５】

【発明の効果】本発明１〜２によれば、最高記録線速度
より大きい線速で記録が可能な光情報記録媒体を提供で
きる。本発明３によれば、従来のディスクと本発明のデ
ィスクを区別できるため、誤って従来のディスクに最高
記録線速度より大きい速度で記録することがない光情報
記録媒体を提供できる。本発明４〜５によれば、更に、
信号品質の良好な光情報記録媒体を、本発明６、７、
９、１４によれば、更に、オーバーライト特性に優れた
光情報記録媒体を、本発明８、１１によれば信頼性に優
れた光情報記録媒体を、本発明８、１２〜１４によれば
量産性に優れた光情報記録媒体を、それぞれ提供でき
る。本発明１０によれば、現有の汎用性光情報記録装置
の微調整により、最高記録線速度より大きい線速で記録
が可能な光情報記録媒体を提供できる。本発明１５、１
６によれば、最高記録線速度より大きい記録線速度で記
録可能か否かを判断し、可能な場合のみ、最高記録線速
度より大きい記録線速度で記録するため、誤記録のない
光情報記録再生方法及び装置を提供できる。

【０１２６】本発明１７〜２５によれば、パワーマージ
ンに優れ、繰返し特性、記録・消去感度、保存特性が良
好な相変化型光情報記録媒体を提供できる。本発明２６
によれば、上記光情報記録媒体を製造する場合に、上記
特性を有する記録層（記録膜）を能率良く成膜すること
ができる。

【０１２７】本発明２７によれば、記録層の主な構成元
素をＧｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅとし、膜厚及び記録層の組
成を特定化することにより、高線速領域（４．８〜４８
ｍ／ｓ）での記録・消去が可能で、かつ信号の再生安定
性や信号の寿命等の総合特性に優れた光情報記録媒体を
提供できる。本発明２８によれば、高線速領域における
信号の再生安定性や信号の寿命が向上する光情報記録媒
体を提供できる。本発明２９によれば、高線速対応性と
保存信頼性のバランスが両立した光情報記録媒体を提供
できる。本発明３０によれば、高線速領域において初期
化時や記録・消去時に必要な反射率に到達する光情報記
録媒体を提供できる。本発明３１によれば、光情報記録
媒体各層の膜厚及び記録層の組成を特定化し、かつ光情
報記録媒体への情報記録をＰＷＭ記録で行う際に、信号
の記録又は書き換えを行う時の記録波パルス列の、ｆｐ
とｅｐの時間幅とｍｐのデューティ比を特定化すること
により、汎用的記録ストラテジによる高線速記録が可能
である光情報記録媒体を提供できる。本発明３２によれ
ば、パルス部ｍｐのデューティ比ｙを記録線速度によっ
て増減させることによって、マルチスピード記録又はＣ
ＡＶ記録が可能な光情報記録媒体を獲得できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１の相変化型光情報記録媒体に係る
層構成の一例を示す図である。

【図２】２回記録ジッターの転位線速度依存性を示す図
である。

【図３】実施の形態１の記録パルス波形の一例を示す図
である。 （１） 入力信号を示す図である。 （２） パターンＡの記録パルス波形を示す図である。 （３） パターンＢの記録パルス波形を示す図である。 （４） パターンＣの記録パルス波形を示す図である。

【図４】実施の形態１の記録再生装置の一例を示す図で
ある。

【図５】実施の形態２による記録層を設けた相変化型光
情報記録媒体の記録パルス波形の概念図を示す。

【図６】実施の形態３の光情報記録媒体に係る層構成の
一例を示す図である。

【図７】実施例５１で作製した光情報記録媒体の記録層
の構造解析結果を示すＸ線回折スペクトルの説明図であ
る。

【図８】実施例５２で作製した光情報記録媒体の記録層
の構造解析結果を示すＸ線回折スペクトルの説明図であ
る。

【図９】実施例５３で作製した光情報記録媒体の記録層
の構造解析結果を示すＸ線回折スペクトルの説明図であ
る。

【図１０】実施例５４で作製した光情報記録媒体の記録
層の構造解析結果を示すＸ線回折スペクトルの説明図で
ある。

【図１１】実施例５５で作製した光情報記録媒体の記録
層の構造解析結果を示すＸ線回折スペクトルの説明図で
ある。

【図１２】比較例５１で作製した光情報記録媒体の記録
層の構造解析結果を示すＸ線回折スペクトルの説明図で
ある。

【図１３】比較例５２で作製した光情報記録媒体の記録
層の構造解析結果を示すＸ線回折スペクトルの説明図で
ある。

【図１４】実施の形態４の相変化型光情報記録媒体に係
る層構成の一例を示す図である。

【図１５】本発明の記録パルス波形の例を示す図であ
る。 （１） 入力信号を示す図である。 （２） パターンＡの記録パルス波形を示す図である。 （３） パターンＢの記録パルス波形を示す図である。 （４） パターンＣの記録パルス波形を示す図である。

【図１６】実施の形態４の一例であるＣＤ−ＲＷの４ｘ
〜１０ｘ記録のマルチスピード記録の記録波形を示す図
である。 （ａ） 記録線速度４．８ｍ／ｓの場合の記録波形を示
す図である。 （ｂ） 記録線速度９．６ｍ／ｓの場合の記録波形を示
す図である。 （ｃ） 記録線速度１２．０ｍ／ｓの場合の記録波形を
示す図である。

【図１７】実施の形態４の光情報記録媒体に係る記録再
生装置の一例を示す図である。

【図１８】転位線速度の評価系統図である。

【図１９】転位線速度の評価結果を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第一保護層 ３ 記録層 ４ 第二保護層 ５ 第三保護層 ６ 反射層 ７ オーバーコート層 ８ 印刷層 ８′印刷層 ９ ハードコート層 １０ 接着層 ２１ 基板 ２２ 下部耐熱保護層 ２３ 記録層 ２４ 上部耐熱保護層 ２５ 反射層 ３１ 基板 ３２ 第一保護層 ３３ 記録層 ３４ 第二保護層 ３５ 反射層 ３６ オーバーコート層 ３７ 印刷層 ３８ ハードコート層 ａ パワーレベル ｂ パワーレベル ｃ パワーレベル ｄ パワーレベル ｅ パワーレベル Ｔ クロック時間 ｘ パルス部ｆｐの時間幅 ｚ パルス部ｅｐの時間幅 ｙ デューティー比 ｆｐ パワーレベルａのパルス部 ｍｐ パワーレベルｂの低レベルパルスとパワーレベル
ｃの高レベルパルスが交互に出るマルチパルス部 ｅｐ パワーレベルｄのパルス部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｍ ５６１ ５６１Ｎ 7/004 7/004 Ｚ 7/0045 7/0045 Ａ 7/26 ５３１ 7/26 ５３１ (31)優先権主張番号 特願2001−88516(P2001−88516) (32)優先日 平成13年３月26日(2001．3．26) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 下福 光 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 中村 有希 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 谷 克彦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩田 周行 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D029 HA10 JA01 LA12 LA13 LA14 LA16 WB11 5D090 AA01 BB05 CC01 CC14 FF21 KK03 5D121 AA01 EE30

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明
   基板上に少なくとも相変化型記録層を有する光情報記録
   媒体において、該記録媒体に、標準記録線速度Ｖｒ及び
   ／又は最高記録線速度Ｖｈを示す情報を有すると共に、
   相変化型記録層に形成されているランド部及び／又はグ
   ルーブ部に対し、記録層材料を溶融できるエネルギーを
   照射しつつ、線速度を増大させながら走査した際、光情
   報記録媒体の反射率が前記エネルギーの照射前に比べて
   低下する線速度を転位線速度Ｖとした場合に、半導体レ
   ーザー光を該案内溝のグルーブ部又はランド部にフォー
   カスしてＤＣ照射した際の転位線速度Ｖが、 ０．８５Ｖｒ≦Ｖ、或いは、０．８５Ｖｈ≦Ｖ の条件式を満足することを特徴とする光情報記録媒体。
2. 【請求項２】 前記転位線速度Ｖが、０．９Ｖｒ≦Ｖ≦
   ２．０Ｖｒ、或いは、０．９Ｖｈ≦Ｖ≦２．０Ｖｈであ
   ることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
3. 【請求項３】 前記転位線速度Ｖに係る条件式を満たす
   光情報記録媒体であるか否かが判別できるような情報を
   有する請求項１又は２記載の光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 前記相変化型記録層を全面結晶化（初期
   化）する際、その初期化線速度Ｖｉが、 ０．５Ｖｒ≦Ｖｉ≦１．６Ｖｒ、或いは、０．５Ｖｈ≦
   Ｖｉ≦１．６Ｖｈの条件式を満足することを特徴とする
   請求項１〜３の何れかに記載の光情報記録媒体。
5. 【請求項５】 前記案内溝のトラックピッチが０．２〜
   １．４μｍであり、半導体レーザー光を前記案内溝のグ
   ルーブ部又はランド部にフォーカスしてＤＣ照射した際
   の転位線速度Ｖが６〜２４ｍ／ｓであることを特徴とす
   る請求項１〜４の何れかに記載の光情報記録媒体。
6. 【請求項６】 前記相変化型記録層は、未記録状態にお
   いて、主に立方格子結晶構造であることを特徴とする請
   求項１〜５の何れかに記載の光情報記録媒体。
7. 【請求項７】 前記相変化型記録層は、 Ｓｂ_χＴｅ_{１００−χ}（４０≦χ≦８０、χは原子％） の組成式で表される材料を含むことを特徴とする請求項
   １〜６の何れかに記載の光情報記録媒体。
8. 【請求項８】 前記相変化型記録層は、添加元素とし
   て、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ
   ｉ、Ｓから選ばれた少なくとも一種の元素を含むことを
   特徴とする請求項７記載の光情報記録媒体。
9. 【請求項９】 前記相変化型記録層は、 （Ａｇ，Ｇｅ）_α（Ｉｎ，Ｇａ，Ｂｉ）_βＳｂ_γＴｅ_δ の組成式で表される材料で構成されており、式中、（Ａ
   ｇ，Ｇｅ）及び（Ｉｎ，Ｇａ，Ｂｉ）は、それぞれ括弧
   内の少なくとも一種の元素を含むことを意味し、α、
   β、γ、δは原子％であり、０．１≦α≦７、１≦β≦
   １５、６１≦γ≦８５、２０≦δ≦３０であることを特
   徴とする請求項１〜８の何れかに記載の光情報記録媒
   体。
10. 【請求項１０】 ｎを正の整数、Ｔを信号の変調に用い
    るクロックの周期に相当するクロック時間とした場合
    に、 変調後の信号幅がｎＴである０信号の記録又は書き換え
    を行なう時の記録光をパワーレベルｅの連続光とし、 変調後の信号幅がｎＴである１信号の記録又は書き換え
    を行なう時の記録光のパルス列を、時間幅ｘとパワーレ
    ベルａを持つパルス部ｆｐと、合計でＴの時間幅を持つ
    パワーレベルｂの低レベルパルスとパワーレベルｃの高
    レベルパルスとが交互に出て、デューティ比ｙで計〔ｎ
    −ｎ′〕回（ここで、ｎ′はｎ′≦ｎである正の整数）
    連続するマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚとパワーレベ
    ルｄを持つパルス部ｅｐとからなるレーザー波パルス列
    とし、 更に、前記ｘ、ｙ、ｚをそれぞれ０．１２５Ｔ≦ｘ≦
    ２．０Ｔ、０．１２５≦ｙ≦０．８７５、０．１２５Ｔ
    ≦ｚ≦１．０Ｔとし、（ａ及びｃ）＞ｅ＞（ｂ及びｄ）
    とする記録条件において、 標準記録線速度Ｖｒ又は最高記録線速度Ｖｈより高速で
    記録できるように、同心円又は螺旋状の案内溝を有する
    透明基板上に形成された第一保護層、相変化型記録層、
    第二保護層、反射層、樹脂層の各層の厚さが調整されて
    いることを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の光
    情報記録媒体。
11. 【請求項１１】 層構成として、基板上に少なくとも第
    一保護層、相変化型記録層、第二保護層、第三保護層、
    反射層、樹脂保護層を有することを特徴とする請求項１
    〜１０の何れかに記載の光情報記録媒体。
12. 【請求項１２】 前記第三保護層の構成材料が、ＤＣス
    パッタリング法で形成可能なものであることを特徴とす
    る請求項１１記載の光情報記録媒体。
13. 【請求項１３】 前記第三保護層の構成材料が、Ｃ、Ｓ
    ｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２から選ばれた少
    なくとも一種の物質を含むことを特徴とする請求項１１
    又は１２記載の光情報記録媒体。
14. 【請求項１４】 前記相変化型記録層は、全面結晶化処
    理の線速度が転位線速度Ｖよりも遅いことを特徴とする
    請求項１〜１３の何れかに記載の光情報記録媒体。
15. 【請求項１５】 あらかじめ決められた転位線速度Ｖに
    係る条件式を満たす光情報記録媒体であるか否かについ
    ての固有の情報を保有する相変化型光情報記録媒体を光
    情報記録再生装置にセットし、該光情報記録媒体から前
    記固有の情報を再生し、その情報から前記光情報記録媒
    体の最高記録線速度Ｖｈより大きい記録線速度で記録可
    能であるか否かを判断し、可能である場合に、最高記録
    線速度Ｖｈより大きい記録線速度で記録再生することを
    特徴とする光情報記録再生方法。
16. 【請求項１６】 あらかじめ決められた転位線速度Ｖに
    係る条件式を満たす光情報記録媒体であるか否かについ
    ての固有の情報を保有する相変化型光情報記録媒体から
    前記固有の情報を再生し、その情報から前記光情報記録
    媒体の最高記録線速度Ｖｈより大きい記録線速度で記録
    可能であるか否かを判断し、可能である場合に、最高記
    録線速度Ｖｈより大きい記録線速度で記録再生するよう
    に設定されていることを特徴とする光情報記録再生装
    置。
17. 【請求項１７】 電磁波の照射により非晶相と結晶相の
    間を変化する相変化記録材料からなる記録層を設けた相
    変化型光情報記録媒体において、前記相変化記録材料
    は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅから成り、これらの元素の
    結合配位数が、成膜後の非晶状態と、初期化後及び情報
    消去後の結晶状態とで異なることを特徴とする光情報記
    録媒体。
18. 【請求項１８】 前記相変化記録材料は、その構成元素
    のうち、Ａｇ及び／又はＩｎのＴｅに対する結合配位数
    において、非晶状態での結合配位数より結晶状態での結
    合配位数の方が大きいことを特徴とする請求項１７記載
    の光情報記録媒体。
19. 【請求項１９】 前記相変化記録材料は、その構成元素
    のうち、ＡｇのＴｅに対する結合配位数が、非晶状態の
    時に１．５〜２．５の範囲にあり、結晶状態の時に３．
    ５〜４．５の範囲にあることを特徴とする請求項１７又
    は１８記載の光情報記録媒体。
20. 【請求項２０】 前記相変化記録材料は、その構成元素
    のうち、ＩｎのＴｅに対する結合配位数が、非晶状態の
    時に３．０〜３．８の範囲にあり、結晶状態の時に３．
    ４〜４．２の範囲にあることを特徴とする請求項１７〜
    １９の何れかに記載の光情報記録媒体。
21. 【請求項２１】 前記相変化記録材料は、その構成元素
    のうち、ＳｂのＴｅに対する結合配位数において、非晶
    状態での結合配位数より結晶状態での結合配位数の方が
    小さいことを特徴とする請求項１７〜２０の何れかに記
    載の光情報記録媒体。
22. 【請求項２２】 前記相変化記録材料は、その構成元素
    のうち、ＳｂのＴｅに対する結合配位数が、非晶状態の
    時に２．７〜３．５の範囲にあり、結晶状態の時に２．
    ０〜２．８の範囲にあることを特徴とする請求項１７〜
    ２１の何れかに記載の光情報記録媒体。
23. 【請求項２３】 前記相変化記録材料は、結晶状態での
    構造がＮａＣｌ型であることを特徴とする請求項１７〜
    ２２の何れかに記載の光情報記録媒体。
24. 【請求項２４】 前記相変化記録材料は、その構成元素
    のうち、Ｔｅが占有するＮａＣｌ型構造のＣｌサイトに
    は、空孔が多数存在することを特徴とする請求項２３記
    載の光情報記録媒体。
25. 【請求項２５】 前記相変化記録材料は、その構成元素
    のうち、Ｔｅが占有するべきＮａＣｌ型構造のＣｌサイ
    トに、７／１２〜９／１２の範囲の空孔が存在すること
    を特徴とする請求項２４記載の光情報記録媒体。
26. 【請求項２６】 記録層の成膜時に、基板を１０〜５０
    ℃／ｍｉｎの範囲の一定のレートで昇温させながら、２
    ５０〜８５０Ｗの範囲のパワーで成膜することを特徴と
    する請求項１７〜２５の何れかに記載の光情報記録媒体
    の製造方法。
27. 【請求項２７】 円盤状の基板上に少なくとも相変化型
    記録層を有する光情報記録媒体において、前記相変化型
    記録層の構成元素が主にＧｅ、Ｇａ、Ｓｂ及びＴｅであ
    り、各元素の組成比を順にα、β、γ、δ（原子％）と
    し、α＋β＋γ＋δ＝１００としたときに、 ０．１≦α≦７ １≦β≦９ ６１≦γ≦７５ ２２≦δ≦３０ の条件式を満足することを特徴とする光情報記録媒体。
28. 【請求項２８】 前記相変化型記録層に、Ｉｎ、Ｚｎ、
    Ｓｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐ
    ｄ、Ｐｔ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔ
    ｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｃ、Ｎ及びＯから選ばれ
    た少なくとも一種類以上の元素を添加したことを特徴と
    する請求項２７記載の光情報記録媒体。
29. 【請求項２９】 Ｇｅ及びＧａの組成比が、−８≦α−
    β≦３であることを特徴とする請求項２７又は２８記載
    の光情報記録媒体。
30. 【請求項３０】 Ｓｂ及びＴｅの組成比が、γ＋δ≧８
    ８であることを特徴とする請求項２７〜２９の何れかに
    記載の光情報記録媒体。
31. 【請求項３１】 レーザー光を光情報記録媒体に照射す
    ることにより前記光情報記録媒体の記録層に相変化を生
    じさせ、前記光情報記録媒体に対する情報の記録、再生
    を行い、かつ書き換えが可能である情報記録再生方法が
    適用される光情報記録媒体であり、かつ、 信号を変調して情報記録媒体にＰＷＭ記録することによ
    り情報の記録を行う際に、変調後の信号幅がｎＴ（但
    し、Ｔはクロック時間、ｎは正の整数）である０信号の
    記録又は書き換えを行う時の記録波をパワーレベルｅの
    連続光とし、 変調後の信号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換
    えを行う時の記録波パルス列を、時間幅ｘとパワーレベ
    ルａを持つパルス部ｆｐと、合計でＴの時間幅を持つパ
    ワーレベルｂの低レベルパルスとパワーレベルｃの高レ
    ベルパルスとが交互にデューティ比ｙで計〔ｎ−ｎ′〕
    回（ここで、ｎ′はｎ′≦ｎである正の整数）連続する
    マルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚとパワーレベルｄを持
    つパルス部ｏｐを有するパルス列とし、 更に、前記ｘ、ｙ、ｚを０．５Ｔ≦ｘ≦２．０Ｔ、０．
    １２５≦ｙ≦０．８７５、０．１２５Ｔ≦ｚ≦１．０Ｔ
    とし、（ａ及びｃ）≧ｅ≧（ｂ及びｄ）とする、マルチ
    スピード記録及び／又はＣＡＶ記録が可能なことを特徴
    とする請求項２７〜３０の何れかに記載の光情報記録媒
    体。
32. 【請求項３２】 前記パルス部ｍｐのデューティ比ｙが
    記録線速度によって増減できることを特徴とする請求項
    ３１記載の光情報記録媒体。