JP2000348378A - 光記録媒体および該光記録媒体を使用した記録方法 - Google Patents
光記録媒体および該光記録媒体を使用した記録方法Info
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術における問題をすべて解消し、デイ
スク回転速度が１．２ｍ／ｓから１１．２ｍ／ｓの領域
で記録消去を行う最簿な光記録媒体およびその記録方法
の提供。 【解決手段】 記録線速ｙ（ｍ／ｓｅｃ）および転移線
速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）が下式（１）の要件を満足するもの
であることを特徴とする光記録媒体および前記の光記録
媒体の記録層に相変化を生じさせ、前記光記録媒体に対
する情報の記録あるいは書き換えを行う情報記録再生方
法。 【数１】ｘ（ｍ／ｓｅｃ）／４＜ｙ（ｍ／ｓｅｃ）＜４
ｘ（ｍ／ｓｅｃ） （１） 〔式中、転移線速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）はＣＬＶ（Ｃｏｎｓ
ｔａｎｔＬｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回転する
相変化光ディスクに所定のレーザ光（波長７８０±１５
ｎｍ、対物レンズのＮＡ＝０．５、１４ｍＷ）を照射し
たときに、相変化光ディスクの反射率が低下した場合の
反射率対線速度の曲線の変曲点。〕
スク回転速度が１．２ｍ／ｓから１１．２ｍ／ｓの領域
で記録消去を行う最簿な光記録媒体およびその記録方法
の提供。 【解決手段】 記録線速ｙ（ｍ／ｓｅｃ）および転移線
速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）が下式（１）の要件を満足するもの
であることを特徴とする光記録媒体および前記の光記録
媒体の記録層に相変化を生じさせ、前記光記録媒体に対
する情報の記録あるいは書き換えを行う情報記録再生方
法。 【数１】ｘ（ｍ／ｓｅｃ）／４＜ｙ（ｍ／ｓｅｃ）＜４
ｘ（ｍ／ｓｅｃ） （１） 〔式中、転移線速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）はＣＬＶ（Ｃｏｎｓ
ｔａｎｔＬｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回転する
相変化光ディスクに所定のレーザ光（波長７８０±１５
ｎｍ、対物レンズのＮＡ＝０．５、１４ｍＷ）を照射し
たときに、相変化光ディスクの反射率が低下した場合の
反射率対線速度の曲線の変曲点。〕
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特にビ
ームを照射することにより記録層材料に相変化を生じさ
せ、情報の記録、再生を行い、かつ、書き換えが可能で
ある相変化型情報記録媒体、および該相変化型情報記録
媒体の光記録方法に関し、光メモリー関連機器、特に書
き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用
されるものである。
ームを照射することにより記録層材料に相変化を生じさ
せ、情報の記録、再生を行い、かつ、書き換えが可能で
ある相変化型情報記録媒体、および該相変化型情報記録
媒体の光記録方法に関し、光メモリー関連機器、特に書
き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用
されるものである。
【０００２】
【従来技術】電磁波、特にレーザービームの照射による
記録、再生および消去可能な光メモリー媒体のひとつと
して、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の移
転を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知られ
ている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによ
るオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系も
より単純であることなどから、最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０
４４１に開示されているようにＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげ
られる。
記録、再生および消去可能な光メモリー媒体のひとつと
して、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の移
転を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知られ
ている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによ
るオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系も
より単純であることなどから、最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０
４４１に開示されているようにＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげ
られる。
【０００３】また、安定性、高速結晶化などの向上を目
的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２
号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０
号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去のくり返し性能向上を目的
に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成
比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭
６３−２２８４３３号）の提案などもなされている。し
かし、そのいずれもが相変化型書換可能な光メモリー媒
体として要求される諸特性のすべてを満足しうるものと
はいえない。特に、記録感度、消去感度の向上、オーバ
ーライト時の消し残しによる消去比低下の防止、ならび
に記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題
となっている。
的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２
号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０
号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去のくり返し性能向上を目的
に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成
比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭
６３−２２８４３３号）の提案などもなされている。し
かし、そのいずれもが相変化型書換可能な光メモリー媒
体として要求される諸特性のすべてを満足しうるものと
はいえない。特に、記録感度、消去感度の向上、オーバ
ーライト時の消し残しによる消去比低下の防止、ならび
に記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題
となっている。
【０００４】特開昭６３−２５１２９０号では結晶状態
が実質的に三元以上の多元化合物単層からなる記録層を
具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三
元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を
持った化合物（例えばＩｎ３ＳｂＴｅ２）を記録層中に
９０原子％以上含むものとされている。このような記録
層を用いることにより記録、消去特性の向上が図れると
している。しかしながら消去比が小さい、記録消去に要
するレーザーパワーが未だ充分に低減されてはいないな
どの欠点を有している。
が実質的に三元以上の多元化合物単層からなる記録層を
具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三
元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を
持った化合物（例えばＩｎ３ＳｂＴｅ２）を記録層中に
９０原子％以上含むものとされている。このような記録
層を用いることにより記録、消去特性の向上が図れると
している。しかしながら消去比が小さい、記録消去に要
するレーザーパワーが未だ充分に低減されてはいないな
どの欠点を有している。
【０００５】さらに、特開平１−２７７３３８号には、
（ＳｂａＴｅｌ−ａ）１−ｙＭｙ（ここで０．４≦ａ≦
０．７、ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａ
ｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓ
ｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なく
とも１種である。）で表される組成の合金からなる記録
層を有する光記録媒体が提案されている。この系の基本
はＳｂ２Ｔｅ３であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高
速消去、繰り返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速
消去を促進させている。加えて、ＤＣ光による消去率も
大きいとしている。しかし、この文献にはオーバーライ
ト時の消去率は示されておらず（本発明者らの検討結果
では消し残りが認められた）、記録感度も不十分であ
る。
（ＳｂａＴｅｌ−ａ）１−ｙＭｙ（ここで０．４≦ａ≦
０．７、ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａ
ｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓ
ｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群より選ばれる少なく
とも１種である。）で表される組成の合金からなる記録
層を有する光記録媒体が提案されている。この系の基本
はＳｂ２Ｔｅ３であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高
速消去、繰り返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速
消去を促進させている。加えて、ＤＣ光による消去率も
大きいとしている。しかし、この文献にはオーバーライ
ト時の消去率は示されておらず（本発明者らの検討結果
では消し残りが認められた）、記録感度も不十分であ
る。
【０００６】同様に、特開昭６０−１７７４４６号では
記録層に（Ｉｎｌ−ｘＳｂｘ）１− ｙＭｙ（０．５５≦
ｘ≦０．８０、０≦ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓ
ｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、ま
た、特開昭６３−２２８４３３号では記録層にＧｅＴｅ
−Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いている
が、いずれも感度、消去比等の特性を満足するものでは
なかった。加えて、特開平４−１６３８３９号には記録
薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金にＮを含有させることによ
って形成し、特開平４−５２１８８号には記録薄膜をＴ
ｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にこれら成分のうちの少なくとも一
つが窒化物となっているものを含有させて形成し、特開
平４−５２１８９号には記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合
金にＮを吸着させることによって形成し、これら記録薄
膜をそれぞれ設けた光記録媒体が記載されている。しか
し、これらの光記録媒体でも十分な特性を有するものを
得ることはできていない。
記録層に（Ｉｎｌ−ｘＳｂｘ）１− ｙＭｙ（０．５５≦
ｘ≦０．８０、０≦ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓ
ｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、ま
た、特開昭６３−２２８４３３号では記録層にＧｅＴｅ
−Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いている
が、いずれも感度、消去比等の特性を満足するものでは
なかった。加えて、特開平４−１６３８３９号には記録
薄膜をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金にＮを含有させることによ
って形成し、特開平４−５２１８８号には記録薄膜をＴ
ｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合金にこれら成分のうちの少なくとも一
つが窒化物となっているものを含有させて形成し、特開
平４−５２１８９号には記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｅ合
金にＮを吸着させることによって形成し、これら記録薄
膜をそれぞれ設けた光記録媒体が記載されている。しか
し、これらの光記録媒体でも十分な特性を有するものを
得ることはできていない。
【０００７】これまでみてきたように、光記録媒体にお
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。一方、近年ＣＤ（コンパクトディスク）の急速
な普及にともない、一回だけの書き込みが可能な追記型
コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場に普
及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは書き込み時に一
度でも失敗すると修正不可能なためそのディスクは使用
不能となってしまい廃棄せざるを得ない。したがって、
その欠点を補える書き換え可能なコンパクトディスクの
実用化が待望されていた。
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。一方、近年ＣＤ（コンパクトディスク）の急速
な普及にともない、一回だけの書き込みが可能な追記型
コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市場に普
及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは書き込み時に一
度でも失敗すると修正不可能なためそのディスクは使用
不能となってしまい廃棄せざるを得ない。したがって、
その欠点を補える書き換え可能なコンパクトディスクの
実用化が待望されていた。
【０００８】研究開発された一つの例として、光磁気デ
ィスクを利用した書き換え可能なコンパクトディスクが
あるが、オーバーライトの困難さや、ＣＤ−ＲＯＭ、Ｃ
Ｄ−Ｒとの互換がとりにくい等といった欠点を有するた
め、原理的に互換確保に有利な相変化型光ディスクの実
用化開発が活発化してきた。相変化型光ディスクを用い
た書き換え可能なコンパクトディスクの研究発表例とし
ては、古谷（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウ
ム講演予稿集、７６（１９９２）、神野（他）：第４回
相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、７６（１９
９２）、川西（他）：第４回相変化記録研究会シンポジ
ウム講演予稿集、８２（１９９２）、Ｔ．Ｈａｎｄａ
（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
３２（１９９３）、米田（他）：第５回相変化記録研究
会シンポジウム講演予稿集、９（１９９３）、富永
（他）：第５回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集、５（１９９３）のようなものがあるが、いずれも、
ＣＤ−ＲＯＭやＣＤ−Ｒとの互換性確保、記録消去性
能、記録感度、書き換えの繰り返し可能回数、再生回
数、保存安定性等、総合性能を充分満足させるものでは
なかった。それらの欠点は、主に記録材料の組成、構造
に起因する消去比の低さによるところが大きかった。こ
れらの事情から消去比が大きく、高感度の記録、消去に
適する相変化型記録材料の開発、さらには高性能で書き
換え可能な相変化型コンパクトディスクが望まれてい
た。
ィスクを利用した書き換え可能なコンパクトディスクが
あるが、オーバーライトの困難さや、ＣＤ−ＲＯＭ、Ｃ
Ｄ−Ｒとの互換がとりにくい等といった欠点を有するた
め、原理的に互換確保に有利な相変化型光ディスクの実
用化開発が活発化してきた。相変化型光ディスクを用い
た書き換え可能なコンパクトディスクの研究発表例とし
ては、古谷（他）：第４回相変化記録研究会シンポジウ
ム講演予稿集、７６（１９９２）、神野（他）：第４回
相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、７６（１９
９２）、川西（他）：第４回相変化記録研究会シンポジ
ウム講演予稿集、８２（１９９２）、Ｔ．Ｈａｎｄａ
（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
３２（１９９３）、米田（他）：第５回相変化記録研究
会シンポジウム講演予稿集、９（１９９３）、富永
（他）：第５回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿
集、５（１９９３）のようなものがあるが、いずれも、
ＣＤ−ＲＯＭやＣＤ−Ｒとの互換性確保、記録消去性
能、記録感度、書き換えの繰り返し可能回数、再生回
数、保存安定性等、総合性能を充分満足させるものでは
なかった。それらの欠点は、主に記録材料の組成、構造
に起因する消去比の低さによるところが大きかった。こ
れらの事情から消去比が大きく、高感度の記録、消去に
適する相変化型記録材料の開発、さらには高性能で書き
換え可能な相変化型コンパクトディスクが望まれてい
た。
【０００９】本発明者らは、それらの欠点を解決する新
材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を見出し提案
してきた。その代表例としては、特開平４−７８０３１
号、特開平４−１２３５５１号等が挙げられる。Ｈ．Ｉ
ｗａｓａｋｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．，３１（１９９２）４６１、井手（他）：第
３回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、１０２
（１９９１）、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９９３）５
２４１等もある。また、１９９６年１０月には、書き換
え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）の規格とし
て、オレンジブックパートIII（ｖｅｒ１．０）が発行
された。
材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を見出し提案
してきた。その代表例としては、特開平４−７８０３１
号、特開平４−１２３５５１号等が挙げられる。Ｈ．Ｉ
ｗａｓａｋｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．，３１（１９９２）４６１、井手（他）：第
３回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、１０２
（１９９１）、Ｈ．Ｉｗａｓａｋｉ（ｅｔ ａｌ）：Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９９３）５
２４１等もある。また、１９９６年１０月には、書き換
え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）の規格とし
て、オレンジブックパートIII（ｖｅｒ１．０）が発行
された。
【００１０】一方、近年デジタルビデオディスク（ＤＶ
Ｄ）およびＤＶＤ−ＲＡＭ等の開発も活発に行われてお
り、２１世紀初期の主要光記録媒体として注目されてい
る。このような環境下で、書き換え可能なコンパクトデ
ィスクに、ＤＶＤとの再生互換も要求されるようになっ
た。これまでに開発されてきたＣＤ−ＲＷの記録信号
は、ＤＶＤの再生波長である６５０ｎｍ付近での反射率
および変調度が小さく十分な信号特性が得られなかっ
た。また、オレンジブックパートIII（ｖｅｒ１．０）
は、２×線速度記録（２．４〜２．８ｍ／ｓ）のＣＤ−
ＲＷに対する規格であるが、このような低線速度の記録
では、記録時間が長くかかってしまい、より高速記録の
書き換え可能なコンパクトディスクが望まれた。
Ｄ）およびＤＶＤ−ＲＡＭ等の開発も活発に行われてお
り、２１世紀初期の主要光記録媒体として注目されてい
る。このような環境下で、書き換え可能なコンパクトデ
ィスクに、ＤＶＤとの再生互換も要求されるようになっ
た。これまでに開発されてきたＣＤ−ＲＷの記録信号
は、ＤＶＤの再生波長である６５０ｎｍ付近での反射率
および変調度が小さく十分な信号特性が得られなかっ
た。また、オレンジブックパートIII（ｖｅｒ１．０）
は、２×線速度記録（２．４〜２．８ｍ／ｓ）のＣＤ−
ＲＷに対する規格であるが、このような低線速度の記録
では、記録時間が長くかかってしまい、より高速記録の
書き換え可能なコンパクトディスクが望まれた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】これらの開示技術によ
り、優れた性能を有する相変化ディスクは既に知られて
いたが、ＣＤ−Ｒとの互換性確保等、上記総合性能を完
全に満足し、新たな市場を形成し得るに足る相変化型光
ディスクの作製技術を完成させるためには、さらなる改
良が望まれていた。したがって、本発明の第１の目的
は、上記従来技術における問題をすべて解消し、デイス
ク回転速度が１．２ｍ／ｓから１１．２ｍ／ｓの領域で
記録消去を行う最適な光記録媒体およびその記録方法を
提供することにある。本発明の第２の目的は、書き換え
可能なコンパクトディスク及びそのドライブでのオーバ
ーライト性能の向上にある。本発明の第３の目的は、書
き換え可能なコンパクトディスクの製造工程における安
定性、歩留まりの向上にある。
り、優れた性能を有する相変化ディスクは既に知られて
いたが、ＣＤ−Ｒとの互換性確保等、上記総合性能を完
全に満足し、新たな市場を形成し得るに足る相変化型光
ディスクの作製技術を完成させるためには、さらなる改
良が望まれていた。したがって、本発明の第１の目的
は、上記従来技術における問題をすべて解消し、デイス
ク回転速度が１．２ｍ／ｓから１１．２ｍ／ｓの領域で
記録消去を行う最適な光記録媒体およびその記録方法を
提供することにある。本発明の第２の目的は、書き換え
可能なコンパクトディスク及びそのドライブでのオーバ
ーライト性能の向上にある。本発明の第３の目的は、書
き換え可能なコンパクトディスクの製造工程における安
定性、歩留まりの向上にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは光記録媒体
の改善に鋭意研究を重ねた結果、前記目的を達成しえる
光記録媒体およびその光記録媒体への記録方法を見出
し、本発明に到達することができた。すなわち、本発明
の第１は、記録線速ｙ（ｍ／ｓｅｃ）および転移線速ｘ
（ｍ／ｓｅｃ）が、下式（１）の要件を満足するもので
あることを特徴とする光記録媒体を提供することにあ
る。
の改善に鋭意研究を重ねた結果、前記目的を達成しえる
光記録媒体およびその光記録媒体への記録方法を見出
し、本発明に到達することができた。すなわち、本発明
の第１は、記録線速ｙ（ｍ／ｓｅｃ）および転移線速ｘ
（ｍ／ｓｅｃ）が、下式（１）の要件を満足するもので
あることを特徴とする光記録媒体を提供することにあ
る。
【数４】 ｘ（ｍ／ｓｅｃ）／４＜ｙ（ｍ／ｓｅｃ）＜４ｘ（ｍ／ｓｅｃ） （１） 〔式中、転移線速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）はＣＬＶ（Ｃｏｎｓ
ｔａｎｔＬｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回転する
相変化光ディスクに所定のレーザ光（波長７８０±１５
ｎｍ、対物レンズのＮＡ＝０．５、１４ｍＷ）を照射し
たときに、相変化光ディスクの反射率が低下した場合の
反射率対線速度の曲線の変曲点。〕
ｔａｎｔＬｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回転する
相変化光ディスクに所定のレーザ光（波長７８０±１５
ｎｍ、対物レンズのＮＡ＝０．５、１４ｍＷ）を照射し
たときに、相変化光ディスクの反射率が低下した場合の
反射率対線速度の曲線の変曲点。〕
【００１３】前記光記録媒体としては、例えば円盤状の
基板上に第１誘電体層、記録を担う物質の相変化により
記録消去を行う記録層、第２誘電体層、金属又は合金
層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層してなり、かつ、第１誘電
体層の膜厚が６５〜３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜１
３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎｍ、第２誘電体
層の膜厚が１５〜４５ｎｍ、金属又は合金層の膜厚が７
０〜１８０ｎｍ、ＵＶ硬化樹脂層の膜厚が７〜１５μ
ｍ、また、光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、ＮあるいはＯであり、それぞれの組
成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が、下記のものが挙
げられる。
基板上に第１誘電体層、記録を担う物質の相変化により
記録消去を行う記録層、第２誘電体層、金属又は合金
層、ＵＶ硬化樹脂の順に積層してなり、かつ、第１誘電
体層の膜厚が６５〜３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜１
３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎｍ、第２誘電体
層の膜厚が１５〜４５ｎｍ、金属又は合金層の膜厚が７
０〜１８０ｎｍ、ＵＶ硬化樹脂層の膜厚が７〜１５μ
ｍ、また、光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、ＮあるいはＯであり、それぞれの組
成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が、下記のものが挙
げられる。
【数５】０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００
【００１４】特に前記光記録媒体としては、電磁波を光
記録媒体に照射することにより、記録層に相変化を生じ
させ、該光記録媒体に対する情報の記録、あるいは書き
換えを行う情報記録方式が、ＰＷＭ記録方式であって、
該記録の際に、変調後に所定の信号幅を有する信号の記
録あるいは書き変えを行うときの記録パルス列が、第１
の高パワーレベルＰｗと第２の低パワーレベルＰｂとが
交互に所定のデューティ比ｚで所定の回数連続するマル
チパルス部を含み、また、デューティ比ｚが下式（２）
の要件を満足するものが好ましい。
記録媒体に照射することにより、記録層に相変化を生じ
させ、該光記録媒体に対する情報の記録、あるいは書き
換えを行う情報記録方式が、ＰＷＭ記録方式であって、
該記録の際に、変調後に所定の信号幅を有する信号の記
録あるいは書き変えを行うときの記録パルス列が、第１
の高パワーレベルＰｗと第２の低パワーレベルＰｂとが
交互に所定のデューティ比ｚで所定の回数連続するマル
チパルス部を含み、また、デューティ比ｚが下式（２）
の要件を満足するものが好ましい。
【００１５】また、本発明の第２は、電磁波を前記本発
明の光記録媒体に照射することにより、該光記録媒体の
記録層に相変化を生じさせ、前記光記録媒体に対する情
報の記録、再生、かつ、書き換えが可能である光記録方
法を提供することにある。前記光記録方法においては、
消去パワー／書き込みのパワーの比（Ｐｅ／Ｐｗ）が
０．３５以上０.６以下、また、記録線速が２．４ｍ／
ｓ以上であり、かつ、デューティ比ｚが０．５以上が好
ましい。前記Ｐｅ／Ｐｗが０．３５未満では書き換え時
にすでに記録してある信号の消去が不十分であり、Ｐｅ
／Ｐｗが０．６を越えると消去（結晶化）時に部分的に
アモルファス化していしまい良好な信号が記録できなく
なる。また、デューティ比ｚは０．５未満では記録時に
十分な加熱ができないため、良好な信号が記録できず、
また、その上限はその定義より１以下である。
明の光記録媒体に照射することにより、該光記録媒体の
記録層に相変化を生じさせ、前記光記録媒体に対する情
報の記録、再生、かつ、書き換えが可能である光記録方
法を提供することにある。前記光記録方法においては、
消去パワー／書き込みのパワーの比（Ｐｅ／Ｐｗ）が
０．３５以上０.６以下、また、記録線速が２．４ｍ／
ｓ以上であり、かつ、デューティ比ｚが０．５以上が好
ましい。前記Ｐｅ／Ｐｗが０．３５未満では書き換え時
にすでに記録してある信号の消去が不十分であり、Ｐｅ
／Ｐｗが０．６を越えると消去（結晶化）時に部分的に
アモルファス化していしまい良好な信号が記録できなく
なる。また、デューティ比ｚは０．５未満では記録時に
十分な加熱ができないため、良好な信号が記録できず、
また、その上限はその定義より１以下である。
【００１６】特に、本発明の光記録方法として、信号を
変調して光記録媒体にＰＷＭ記録方式により情報の記録
を行い、かつ該記録の際に、変調後に所定の信号幅を有
する信号の記録あるいは書き変えを行うときの記録パル
ス列が、第１の高パワーレベルＰｗと第２の低パワーレ
ベルＰｂとが交互に所定のデューティ比ｚで所定の回数
連続するマルチパルス部を含み、また、前記デューティ
比ｚが０．５以上１以下である光記録方法が好ましい。
変調して光記録媒体にＰＷＭ記録方式により情報の記録
を行い、かつ該記録の際に、変調後に所定の信号幅を有
する信号の記録あるいは書き変えを行うときの記録パル
ス列が、第１の高パワーレベルＰｗと第２の低パワーレ
ベルＰｂとが交互に所定のデューティ比ｚで所定の回数
連続するマルチパルス部を含み、また、前記デューティ
比ｚが０．５以上１以下である光記録方法が好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の光記録媒体の模式的な基本構成を図１に
示す。基本的な構成は、案内溝を有する基板１上に第１
保護層２、記録層３、第２保護層４、反射放熱層５、オ
ーバーコート層６を有する。さらに、好ましくはオーバ
ーコート層６上に印刷層７を有する。
する。本発明の光記録媒体の模式的な基本構成を図１に
示す。基本的な構成は、案内溝を有する基板１上に第１
保護層２、記録層３、第２保護層４、反射放熱層５、オ
ーバーコート層６を有する。さらに、好ましくはオーバ
ーコート層６上に印刷層７を有する。
【００１８】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で
好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アク
リロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられるが、
成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネー
ト樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、基板の形状
としてはディスク状、カード状あるいはシート状であっ
てもよい。
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で
好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アク
リロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられるが、
成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネー
ト樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、基板の形状
としてはディスク状、カード状あるいはシート状であっ
てもよい。
【００１９】ただし、本発明の光記録媒体を書き換え可
能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用する場合
には、以下のような特定の条件が付与されることが望ま
しい。その条件は、使用する基板に形成される案内溝
（グループ）の幅が０．２５〜０．６５μｍ、好適には
０．３０〜０．５５μｍ、その案内溝の深さが２００〜
６５０Ａ、好適には２５０〜５５０Ａである。この基板
条件と前述した記録材料とディスク層構成とを組み合わ
せることにより、互換性に優れた書き換え可能なコンパ
クトディスクの提供が可能となる。
能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）に応用する場合
には、以下のような特定の条件が付与されることが望ま
しい。その条件は、使用する基板に形成される案内溝
（グループ）の幅が０．２５〜０．６５μｍ、好適には
０．３０〜０．５５μｍ、その案内溝の深さが２００〜
６５０Ａ、好適には２５０〜５５０Ａである。この基板
条件と前述した記録材料とディスク層構成とを組み合わ
せることにより、互換性に優れた書き換え可能なコンパ
クトディスクの提供が可能となる。
【００２０】Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含む４元系の相
変化型記録材料を主成分として含有する材料は、記録
（アモルファス化）感度・速度、消去（結晶化）感度・
速度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材料と
して適している。しかしながら、ＡｇＩｎＳｂＴｅは、
その組成によって最適な記録線速度があるため、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅを記録層として用いられる光記録媒体の記録
線速度によって、組成を調整する必要がある。これまで
の検討の結果、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層のＴｅの組成比
が記録線速度に高い相関があることが分かっている。
変化型記録材料を主成分として含有する材料は、記録
（アモルファス化）感度・速度、消去（結晶化）感度・
速度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材料と
して適している。しかしながら、ＡｇＩｎＳｂＴｅは、
その組成によって最適な記録線速度があるため、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅを記録層として用いられる光記録媒体の記録
線速度によって、組成を調整する必要がある。これまで
の検討の結果、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層のＴｅの組成比
が記録線速度に高い相関があることが分かっている。
【００２１】図２に、転移線速のＴｅ組成比依存性を示
す。層構成は、基板１．２ｍｍ／第１誘電体層１００ｎ
ｍ／ＡｇＩｎＳｂＴｅ２５ｎｍ／第２誘電体層３０ｎｍ
／反射放熱層１４０ｎｍ／オーバーコート層８〜１０μ
ｍとした。記録は、ＮＡ０．５０、λ７８０ｎｍのピッ
クアップを用い、ＥＦＭ変調による記録をした。記録パ
ルスストラテージは、オレンジブックパートIIIに準拠
した。記録パワー、イレースパワー、バイアスパワー
は、１２ｍＷ、６ｍＷ、１ｍＷとした。図２に示すよう
に、転移線速と記録層のＴｅ組成比がＲ２＝０．９１３
３の高い相関があることが分かった。この結果および実
験精度士１原子％を考慮すると、記録線速がどんなに遅
くとも（０ｍ／ｓ）、Ｔｅ組成比は３５原子％以下と推
測される。
す。層構成は、基板１．２ｍｍ／第１誘電体層１００ｎ
ｍ／ＡｇＩｎＳｂＴｅ２５ｎｍ／第２誘電体層３０ｎｍ
／反射放熱層１４０ｎｍ／オーバーコート層８〜１０μ
ｍとした。記録は、ＮＡ０．５０、λ７８０ｎｍのピッ
クアップを用い、ＥＦＭ変調による記録をした。記録パ
ルスストラテージは、オレンジブックパートIIIに準拠
した。記録パワー、イレースパワー、バイアスパワー
は、１２ｍＷ、６ｍＷ、１ｍＷとした。図２に示すよう
に、転移線速と記録層のＴｅ組成比がＲ２＝０．９１３
３の高い相関があることが分かった。この結果および実
験精度士１原子％を考慮すると、記録線速がどんなに遅
くとも（０ｍ／ｓ）、Ｔｅ組成比は３５原子％以下と推
測される。
【００２２】ＣＤ線速１×、２×、４×、８×に対応し
た光記録媒体を得るためには、その線速１．２〜１．４
ｍ／ｓ、２．４〜２．８ｍ／ｓ、４．８〜５．６ｍ／
ｓ、９．６〜１１．２ｍ／ｓに対応するＴｅ組成比は、
３３、３０、２７、２０原子％程度と推測される。
た光記録媒体を得るためには、その線速１．２〜１．４
ｍ／ｓ、２．４〜２．８ｍ／ｓ、４．８〜５．６ｍ／
ｓ、９．６〜１１．２ｍ／ｓに対応するＴｅ組成比は、
３３、３０、２７、２０原子％程度と推測される。
【００２３】一方、ＡｇＩｎＳｂＴｅを記録層とする相
変化型記録媒体は、それらの組成によって、保存信頼性
に影響を与える。Ａｇが６原子％を超えると、オーバー
ライトシェルフの劣化が顕著になる。つまり、製造後数
年たって、記録したときに十分な信号が記録できなくな
ってしまう。また、Ｉｎが１５原子％を超えるとアーカ
イバルの劣化が顕著になる。一方、３原子％より少ない
と、記録感度の低下をもたらす。Ｓｂは、その組成比が
大きい方が、オーバーライトの繰り返し特性に優れる
が、６５原子％を超えるとアーカイバル劣化をもたら
す。
変化型記録媒体は、それらの組成によって、保存信頼性
に影響を与える。Ａｇが６原子％を超えると、オーバー
ライトシェルフの劣化が顕著になる。つまり、製造後数
年たって、記録したときに十分な信号が記録できなくな
ってしまう。また、Ｉｎが１５原子％を超えるとアーカ
イバルの劣化が顕著になる。一方、３原子％より少ない
と、記録感度の低下をもたらす。Ｓｂは、その組成比が
大きい方が、オーバーライトの繰り返し特性に優れる
が、６５原子％を超えるとアーカイバル劣化をもたら
す。
【００２４】また、アーカイバル劣化の低減に、Ｎおよ
び／またはＯの添加が効果的である。それによって、ア
モルファスマークが安定化される。ＮおよびＯは、Ｔｅ
および／またはＳｂに結合していることがＩＲスペクト
ルから明らかになっている。好適なＮおよびＯの組成比
は、５原子％以下である。５原子％を超えると、記録層
の窒化が進み過ぎてしまい、結晶化が困難になる。その
結果、初期化不足や消去比の低減を生じてしまう。スパ
ッタリング時のアルゴンガスに窒素ガスを０ｍｏｌ％以
上１０ｍｏｌ％以下混合したガスを用いることで窒素量
に応じて、ディスク回転の線速、層構成等、ディスクの
使用条件に最も適した記録層を得ることができる。
び／またはＯの添加が効果的である。それによって、ア
モルファスマークが安定化される。ＮおよびＯは、Ｔｅ
および／またはＳｂに結合していることがＩＲスペクト
ルから明らかになっている。好適なＮおよびＯの組成比
は、５原子％以下である。５原子％を超えると、記録層
の窒化が進み過ぎてしまい、結晶化が困難になる。その
結果、初期化不足や消去比の低減を生じてしまう。スパ
ッタリング時のアルゴンガスに窒素ガスを０ｍｏｌ％以
上１０ｍｏｌ％以下混合したガスを用いることで窒素量
に応じて、ディスク回転の線速、層構成等、ディスクの
使用条件に最も適した記録層を得ることができる。
【００２５】また、窒素ガスとアルゴンガスとの混合ガ
スを用いることにより、繰り返し記録消去の耐久性も向
上する。混合ガスは所望のモル比であらかじめ混合した
ガスを用いても、チャンバー導入時に所望のモル比にな
るように流量をそれぞれ調整してもよい。膜中の窒素含
有量は、５原子％以下のときに良好な特性が得られる。
Ｏ／Ｗ回数の向上以外の具体的な効果としては、変調度
の向上、記録マーク（アモルファスマーク）の保存寿命
の向上等があげられる。それらのメカニズムの詳細は、
必ずしも明確ではないが、膜中への適量の窒素混入によ
り、膜密度の減少、微小欠陥の増加等により、構造的に
は粗の方向に変化する。その結果、窒素無添加の状態に
比べ、膜の秩序性が緩和され、アモルファスから結晶へ
の転移は抑制される方向になる。したがって、アモルフ
ァスマークの安定性が増し、保存寿命が向上する。
スを用いることにより、繰り返し記録消去の耐久性も向
上する。混合ガスは所望のモル比であらかじめ混合した
ガスを用いても、チャンバー導入時に所望のモル比にな
るように流量をそれぞれ調整してもよい。膜中の窒素含
有量は、５原子％以下のときに良好な特性が得られる。
Ｏ／Ｗ回数の向上以外の具体的な効果としては、変調度
の向上、記録マーク（アモルファスマーク）の保存寿命
の向上等があげられる。それらのメカニズムの詳細は、
必ずしも明確ではないが、膜中への適量の窒素混入によ
り、膜密度の減少、微小欠陥の増加等により、構造的に
は粗の方向に変化する。その結果、窒素無添加の状態に
比べ、膜の秩序性が緩和され、アモルファスから結晶へ
の転移は抑制される方向になる。したがって、アモルフ
ァスマークの安定性が増し、保存寿命が向上する。
【００２６】さらに、窒素添加効果の一つとして、転移
線速度の制御法としても有効である。具体的には、窒素
の添加により、転移線速度を低線速度側に変化させるこ
とができる。これは、同一のターゲットを使っても、記
録膜作製時のＮ２／Ａｒガス混合比の制御のみで、相変
化光ディスクの転移線速を調整することができることを
意味する。
線速度の制御法としても有効である。具体的には、窒素
の添加により、転移線速度を低線速度側に変化させるこ
とができる。これは、同一のターゲットを使っても、記
録膜作製時のＮ２／Ａｒガス混合比の制御のみで、相変
化光ディスクの転移線速を調整することができることを
意味する。
【００２７】記録膜中の窒素の化学結合状態としては、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅのいずれか一種以上と結合して
いることが望ましいが、特に、Ｔｅに結合した状態、具
体的には、Ｔｅ−Ｎ、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎといった化学結合
が存在した時に、Ｏ／Ｗの繰り返し回数の向上に、より
効果が大きい。そのような化学結合状態の分析手段とし
ては、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の電子分光分析法が有効で
ある。例えば、ＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ−Ｎによる吸収帯
は５００〜６００ｃｍ−１付近にそのピークをもち、Ｓ
ｂ−Ｔｅ−Ｎは、６００〜６５０ｃｍ−１付近にそのピ
ークが出現する。
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅのいずれか一種以上と結合して
いることが望ましいが、特に、Ｔｅに結合した状態、具
体的には、Ｔｅ−Ｎ、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎといった化学結合
が存在した時に、Ｏ／Ｗの繰り返し回数の向上に、より
効果が大きい。そのような化学結合状態の分析手段とし
ては、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等の電子分光分析法が有効で
ある。例えば、ＦＴ−ＩＲでは、Ｔｅ−Ｎによる吸収帯
は５００〜６００ｃｍ−１付近にそのピークをもち、Ｓ
ｂ−Ｔｅ−Ｎは、６００〜６５０ｃｍ−１付近にそのピ
ークが出現する。
【００２８】さらに、本発明の記録層材料には、さらな
る性能向上、信頼性向上等の目的に他の元素や不純物を
添加することができる。一例としては、特開平４−１４
８８号に記載されている元素（Ｂ、Ｎ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ）
やＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等が
好ましい例として挙げられる。
る性能向上、信頼性向上等の目的に他の元素や不純物を
添加することができる。一例としては、特開平４−１４
８８号に記載されている元素（Ｂ、Ｎ、Ｃ、Ｐ、Ｓｉ）
やＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等が
好ましい例として挙げられる。
【００２９】本発明においては、記録層の組成は該記録
膜を発光分析法により測定して得られる値を用いたが、
その他にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフオード後方
散乱、オージェ電子分光、蛍光Ｘ線等の分光法が考えら
れる。その場合は、発光分光法で得られる値との比較検
討をする必要がある。また、一般に発光分析法の場合、
測定値のおよそ±５％は分析誤差と考えられる。２次イ
オン質量分析法などの質量分析も有効である。
膜を発光分析法により測定して得られる値を用いたが、
その他にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフオード後方
散乱、オージェ電子分光、蛍光Ｘ線等の分光法が考えら
れる。その場合は、発光分光法で得られる値との比較検
討をする必要がある。また、一般に発光分析法の場合、
測定値のおよそ±５％は分析誤差と考えられる。２次イ
オン質量分析法などの質量分析も有効である。
【００３０】記録層中に含まれる物質の観測はＸ線回折
または電子線回折が適している。すなわち結晶状態の判
定として、電子線回折像でスポット状乃至および／また
はデバイリング状のパターンが観測される場合には結晶
状態、リング状のパターン乃至ハローパターンが観測さ
れる場合には非結晶（アモルファス）状態とする。結晶
子径はＸ線回折ピークの半値幅からシェラーの式を用い
て求めることができる。さらに、記録層中の化学結合状
態、たとえば酸化物、窒化物等の分析には、ＦＴ−Ｉ
Ｒ、ＸＰＳ等の分析手法が有効である。
または電子線回折が適している。すなわち結晶状態の判
定として、電子線回折像でスポット状乃至および／また
はデバイリング状のパターンが観測される場合には結晶
状態、リング状のパターン乃至ハローパターンが観測さ
れる場合には非結晶（アモルファス）状態とする。結晶
子径はＸ線回折ピークの半値幅からシェラーの式を用い
て求めることができる。さらに、記録層中の化学結合状
態、たとえば酸化物、窒化物等の分析には、ＦＴ−Ｉ
Ｒ、ＸＰＳ等の分析手法が有効である。
【００３１】記録層の膜厚としては１０〜１００ｎｍ、
好適には１５〜５０ｎｍとするのがよい。さらに、ジッ
タ等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮
すると、好適には１５〜３５ｎｍとするのがよい。１０
ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割を果たさなくなる。また、１００ｎｍより厚いと
高速で均一な相変化がおこりにくくなる。
好適には１５〜５０ｎｍとするのがよい。さらに、ジッ
タ等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮
すると、好適には１５〜３５ｎｍとするのがよい。１０
ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割を果たさなくなる。また、１００ｎｍより厚いと
高速で均一な相変化がおこりにくくなる。
【００３２】第１保護層および第２保護層の材料として
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ
２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２など
の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、Ｚ
ｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４など
の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚ
ｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいは、
それらの混合物があげられる。これらの材料は、単体で
保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよ
い。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。必要に
応じて、誘電体層を多層化することもできる。ただし、
第１保護層および第２保護層の融点は記録層よりも高い
ことが必要である。
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ
２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２など
の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、Ｚ
ｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４など
の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚ
ｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいは、
それらの混合物があげられる。これらの材料は、単体で
保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよ
い。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。必要に
応じて、誘電体層を多層化することもできる。ただし、
第１保護層および第２保護層の融点は記録層よりも高い
ことが必要である。
【００３３】このような第１保護層および第２保護層の
材料としては、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、
スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イ
オンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって
形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、
膜質等に優れている。
材料としては、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、
スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イ
オンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって
形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、
膜質等に優れている。
【００３４】第１保護層の膜厚は、ＤＶＤ（デジタルビ
デオディスク）の再生波長である６５０ｎｍの反射率に
大きく影響する。図３に、記録層２５ｎｍ、第２保護層
（屈折率２．０）３０ｎｍ、反射放熱層１４０ｎｍのと
きのグループ反射率の第１保護層（屈折率２．０）厚依
存性を示す。７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長でＣＤ
−ＲＷディスクの規格である反射率０．１５〜０．２５
を満足するためには、第１保護層を６５〜１３０ｎｍと
することが必要とされることが分かる。また、６５０ｎ
ｍの再生波長でも十分な反射率（１８％程度）を得るた
めには、第１保護層を１１０ｎｍ以下とすることが望ま
しい。したがって、波長７８０ｎｍでの記録再生および
６５０ｎｍの再生で十分な信号特性を得るためには、第
１保護層を８０〜１１０ｎｍとすることが好適と判断さ
れる。
デオディスク）の再生波長である６５０ｎｍの反射率に
大きく影響する。図３に、記録層２５ｎｍ、第２保護層
（屈折率２．０）３０ｎｍ、反射放熱層１４０ｎｍのと
きのグループ反射率の第１保護層（屈折率２．０）厚依
存性を示す。７８０ｎｍと６５０ｎｍの再生波長でＣＤ
−ＲＷディスクの規格である反射率０．１５〜０．２５
を満足するためには、第１保護層を６５〜１３０ｎｍと
することが必要とされることが分かる。また、６５０ｎ
ｍの再生波長でも十分な反射率（１８％程度）を得るた
めには、第１保護層を１１０ｎｍ以下とすることが望ま
しい。したがって、波長７８０ｎｍでの記録再生および
６５０ｎｍの再生で十分な信号特性を得るためには、第
１保護層を８０〜１１０ｎｍとすることが好適と判断さ
れる。
【００３５】第２保護層の膜厚としては、１５〜４５ｎ
ｍ、好適には２０〜４０ｎｍとするのがよい。１５ｎｍ
より薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなく
なる。また、感度の低下を生じる。一方、４５ｎｍより
厚くなると、１．２〜５．６ｍ／ｓの低線速度で使用し
た場合、界面剥離を生じやすくなり、繰り返し記録性能
も低下する。
ｍ、好適には２０〜４０ｎｍとするのがよい。１５ｎｍ
より薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなく
なる。また、感度の低下を生じる。一方、４５ｎｍより
厚くなると、１．２〜５．６ｍ／ｓの低線速度で使用し
た場合、界面剥離を生じやすくなり、繰り返し記録性能
も低下する。
【００３６】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕなどの金属材料、またはそれらの合金などを用いる
ことができる。反射放熱層は必ずしも設ける必要はない
が、過剰な熱を放出しディスクへの熱負担を軽減するた
めに設ける方が望ましい。このような反射放熱層は、各
種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。反
射放熱層の膜厚としては、７０〜１８０ｎｍ、好適には
１００〜１６０ｎｍとするのがよい。
Ｃｕなどの金属材料、またはそれらの合金などを用いる
ことができる。反射放熱層は必ずしも設ける必要はない
が、過剰な熱を放出しディスクへの熱負担を軽減するた
めに設ける方が望ましい。このような反射放熱層は、各
種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。反
射放熱層の膜厚としては、７０〜１８０ｎｍ、好適には
１００〜１６０ｎｍとするのがよい。
【００３７】反射放熱層の上には、その酸化防止として
オーバーコート層を有することが望ましい。オーバーコ
ート層としては、スピンコートで作製した紫外線硬化樹
脂が一般的である。その厚さは、７〜１５μｍが好適で
ある。７μｍ以下では、オーバーコート層上に印刷層を
設ける場合、Ｃ１エラーの増大が認められる。一方、１
５μｍ以上の厚さでは、内部応力が大きくなってしま
い、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
オーバーコート層を有することが望ましい。オーバーコ
ート層としては、スピンコートで作製した紫外線硬化樹
脂が一般的である。その厚さは、７〜１５μｍが好適で
ある。７μｍ以下では、オーバーコート層上に印刷層を
設ける場合、Ｃ１エラーの増大が認められる。一方、１
５μｍ以上の厚さでは、内部応力が大きくなってしま
い、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
【００３８】本発明の情報記録媒体の初期化、記録、再
生、消去に用いる電磁波としてはレーザー光、電子線、
Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波など種々
のものが採用可能である。中でも小型でコンパクトな半
導体レーザーが最適である。
生、消去に用いる電磁波としてはレーザー光、電子線、
Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波など種々
のものが採用可能である。中でも小型でコンパクトな半
導体レーザーが最適である。
【００３９】図４は本発明を適用した相変化光ディスク
及び相変化型情報記録再生装置の実施形態における記録
波のパルス波形の３Ｔ信号の例について模式的に示した
ものである。この実施形態は図６に示すように、相変化
型光ディスクからなる相変化光記録媒体１１をスピンド
ルモータからなる駆動手段１２により回転駆動し、記録
再生用ピックアップ１３にて光源駆動手段としてのレー
ザー駆動回路により半導体レーザーからなる光源を駆動
して、該半導体レーザーから図示しない光学系を介して
光記録媒体１１に電磁波としてレーザー光を照射するこ
とにより該光記録媒体の記録層に相変化を生じさせ、光
記録媒体１１からの反射光を記録再生用ピックアップ１
３で受光して光記録媒体１１に対する情報の記録再生を
行う。
及び相変化型情報記録再生装置の実施形態における記録
波のパルス波形の３Ｔ信号の例について模式的に示した
ものである。この実施形態は図６に示すように、相変化
型光ディスクからなる相変化光記録媒体１１をスピンド
ルモータからなる駆動手段１２により回転駆動し、記録
再生用ピックアップ１３にて光源駆動手段としてのレー
ザー駆動回路により半導体レーザーからなる光源を駆動
して、該半導体レーザーから図示しない光学系を介して
光記録媒体１１に電磁波としてレーザー光を照射するこ
とにより該光記録媒体の記録層に相変化を生じさせ、光
記録媒体１１からの反射光を記録再生用ピックアップ１
３で受光して光記録媒体１１に対する情報の記録再生を
行う。
【００４０】また、本発明の実施形態は記録再生用ピッ
クアップにて電磁波としてレーザー光を光記録媒体に照
射することにより、該光記録媒体の記録層に相変化を生
じさせ、光記録媒体に対する情報の記録再生を行い、か
つ、書き換えが可能である光記録再生装置であり、記録
すべき信号を変調部で変調して記録再生用ピックアップ
にて光記録媒体に記録することにより情報の記録を行う
記録手段を備えている。このピックアップを含む記録手
段は、光記録媒体の記録層に対して、マークの幅として
信号を記録するようにマークを記録する、いわゆるＰＷ
Ｍ記録方式での情報の記録を行う。記録手段は記録すべ
き信号を変調部にてクロックを用いて例えば書き換え型
コンパクトディスクの情報記録に適したＥＦＭ変調方
式、あるいはその改良変調方式で変調する。
クアップにて電磁波としてレーザー光を光記録媒体に照
射することにより、該光記録媒体の記録層に相変化を生
じさせ、光記録媒体に対する情報の記録再生を行い、か
つ、書き換えが可能である光記録再生装置であり、記録
すべき信号を変調部で変調して記録再生用ピックアップ
にて光記録媒体に記録することにより情報の記録を行う
記録手段を備えている。このピックアップを含む記録手
段は、光記録媒体の記録層に対して、マークの幅として
信号を記録するようにマークを記録する、いわゆるＰＷ
Ｍ記録方式での情報の記録を行う。記録手段は記録すべ
き信号を変調部にてクロックを用いて例えば書き換え型
コンパクトディスクの情報記録に適したＥＦＭ変調方
式、あるいはその改良変調方式で変調する。
【００４１】一般に、相変化型情報記録媒体における１
信号（２値信号の‘１’の部分）の記録は、相変化型情
報記録媒体の記録層にアモルファス部（アモルファス
相）を形成することによって行われる。相変化型情報記
録媒体のアモルファス相の形成には、記録層の融点以上
への昇温と、その後の十分な冷却速度が必要である。こ
こに、パルス部ｆｐは相変化型情報記録媒体の記録層を
融点以上に昇温させて記録マークの先頭部を形成させ、
マルチパルス部ｍｐは記録層を昇温させて記録マーク中
間部を形成させ、パルス部ｏｐは記録層を冷却させて記
録マークの後端部を形成させる。相変化型情報記録媒体
の線速を可変すれば相変化型情報記録媒体に対する電磁
波照射量が変化して記録層の融点以上への昇温とその後
の冷却速度が変化することになり、相変化型情報記録媒
体の線速の可変で記録層の融点以上への昇温とその後の
冷却速度を適切に設定することが有効である。
信号（２値信号の‘１’の部分）の記録は、相変化型情
報記録媒体の記録層にアモルファス部（アモルファス
相）を形成することによって行われる。相変化型情報記
録媒体のアモルファス相の形成には、記録層の融点以上
への昇温と、その後の十分な冷却速度が必要である。こ
こに、パルス部ｆｐは相変化型情報記録媒体の記録層を
融点以上に昇温させて記録マークの先頭部を形成させ、
マルチパルス部ｍｐは記録層を昇温させて記録マーク中
間部を形成させ、パルス部ｏｐは記録層を冷却させて記
録マークの後端部を形成させる。相変化型情報記録媒体
の線速を可変すれば相変化型情報記録媒体に対する電磁
波照射量が変化して記録層の融点以上への昇温とその後
の冷却速度が変化することになり、相変化型情報記録媒
体の線速の可変で記録層の融点以上への昇温とその後の
冷却速度を適切に設定することが有効である。
【００４２】一方、相変化型情報記録媒体の記録層にＰ
ＷＭ記録方式で情報の記録を行う場合には、記録マーク
のエッジ部に情報を持たせるので、記録層上の記録部と
未記録部との境界が不明確になったり、記録部が結晶化
されて消去されたりすることを避けるため、記録層にお
ける記録を行いたい部分以外の部分に対しては熱を抑え
なければならない。このように、記録層の記録すべき部
分と常温に保つべき部分との昇温条件を明確に区別する
ためには、記録層で余剰な熱を発生させないこと、記録
層の膜内での熱の伝導を低く抑えることが有効である。
このようにすることにより、記録部と未記録部との境界
が明確となり、ジッタが小さくて品質の良い記録信号を
得ることができる。このように、前記実施形態は請求項
１に係る発明の実施形態であって、ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔ
ａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回転する
相変化光ディスクに所定（波長７８０±１５ｎｍ、対物
レンズＮＡ＝０．５、１４ｍＷ）のレーザー光を照射し
たときに、相変化光ディスクの反射率が低下し、反射率
対線速度の曲線の変曲点を転移線速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）と
定義すると、記録線速ｙ（ｍ／ｓｅｃ）がｘ／４＜ｙ＜
４ｘの範囲とすることにより、相変化光ディスクに情報
を記録する場合に品質の良い信号を安定に記録、書き換
えすることができる。
ＷＭ記録方式で情報の記録を行う場合には、記録マーク
のエッジ部に情報を持たせるので、記録層上の記録部と
未記録部との境界が不明確になったり、記録部が結晶化
されて消去されたりすることを避けるため、記録層にお
ける記録を行いたい部分以外の部分に対しては熱を抑え
なければならない。このように、記録層の記録すべき部
分と常温に保つべき部分との昇温条件を明確に区別する
ためには、記録層で余剰な熱を発生させないこと、記録
層の膜内での熱の伝導を低く抑えることが有効である。
このようにすることにより、記録部と未記録部との境界
が明確となり、ジッタが小さくて品質の良い記録信号を
得ることができる。このように、前記実施形態は請求項
１に係る発明の実施形態であって、ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔ
ａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回転する
相変化光ディスクに所定（波長７８０±１５ｎｍ、対物
レンズＮＡ＝０．５、１４ｍＷ）のレーザー光を照射し
たときに、相変化光ディスクの反射率が低下し、反射率
対線速度の曲線の変曲点を転移線速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）と
定義すると、記録線速ｙ（ｍ／ｓｅｃ）がｘ／４＜ｙ＜
４ｘの範囲とすることにより、相変化光ディスクに情報
を記録する場合に品質の良い信号を安定に記録、書き換
えすることができる。
【００４３】また、電磁波を前記光記録媒体に照射する
ことにより該光記録媒体の記録層に相変化を生じさせ、
前記光記録媒体に対する情報を記録、再生を行い、か
つ、書き換えが可能である情報記録再生方法において、
信号を変調して前記光記録媒体にＰＷＭ記録方式により
情報の記録を行う際に、変調後に所定の信号幅を有する
信号の記録あるいは書き換えを行う時の記録パレス列
が、第１の高パワーレベルＰｗと第２の低パワーレベル
Ｐｂとが交互に所定のデューティ比ｚで所定の回数連続
するマルチパレス部を含み、該デューティ比ｚが（４ｙ
−ｘ）／１２０＜ｚ＜（６＋４ｙ−ｘ）／１６の範囲内
で設定することにより、相変化光ディスクに情報を記録
する場合に品質の良い信号を安定に記録、書き換えする
ことができる。
ことにより該光記録媒体の記録層に相変化を生じさせ、
前記光記録媒体に対する情報を記録、再生を行い、か
つ、書き換えが可能である情報記録再生方法において、
信号を変調して前記光記録媒体にＰＷＭ記録方式により
情報の記録を行う際に、変調後に所定の信号幅を有する
信号の記録あるいは書き換えを行う時の記録パレス列
が、第１の高パワーレベルＰｗと第２の低パワーレベル
Ｐｂとが交互に所定のデューティ比ｚで所定の回数連続
するマルチパレス部を含み、該デューティ比ｚが（４ｙ
−ｘ）／１２０＜ｚ＜（６＋４ｙ−ｘ）／１６の範囲内
で設定することにより、相変化光ディスクに情報を記録
する場合に品質の良い信号を安定に記録、書き換えする
ことができる。
【００４４】また、円盤状の基板上に第１誘電体層、記
録層、第２誘電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の
順に積層してなる光記録媒体において、第１誘電体層の
膜厚が６５〜１３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎ
ｍ、第２誘電体層の膜厚が１５〜４５ｎｍ、金属又は合
金層の膜厚が７０〜１８０ｎｍ、ＵＶ硬化樹脂の膜厚が
７〜１５μｍであり、記録を担う物質の相変化により記
録消去を行う光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、ＮあるいはＯであり、それぞれ
の組成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が
録層、第２誘電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の
順に積層してなる光記録媒体において、第１誘電体層の
膜厚が６５〜１３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎ
ｍ、第２誘電体層の膜厚が１５〜４５ｎｍ、金属又は合
金層の膜厚が７０〜１８０ｎｍ、ＵＶ硬化樹脂の膜厚が
７〜１５μｍであり、記録を担う物質の相変化により記
録消去を行う光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、ＮあるいはＯであり、それぞれ
の組成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が
【数６】０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であり、１．２〜１１．２ｍ／ｓの線速度で記録可能な
光記録媒体は、相変化光ディスクに情報を記録する場合
に品質の良い信号を安定に記録、書き換えすることがで
きる。
光記録媒体は、相変化光ディスクに情報を記録する場合
に品質の良い信号を安定に記録、書き換えすることがで
きる。
【００４５】前記の光記録媒体において消去パワー／書
き込みパワー（Ｐｅ／Ｐｗ）が０．３５以上０．６以下
とすることにより、相変化光ディスクに情報を記録する
場合に品質の良い信号を安定に記録、書き換えすること
ができる。また、前記光記録媒体において記録線速２．
４ｍ／ｓ以上であり、かつ、デューティ比ｚが０．５以
上１以下とすることにより、相変化光ディスクに情報を
記録する場合に品質の良い信号を安定に記録、書き換え
することができる。
き込みパワー（Ｐｅ／Ｐｗ）が０．３５以上０．６以下
とすることにより、相変化光ディスクに情報を記録する
場合に品質の良い信号を安定に記録、書き換えすること
ができる。また、前記光記録媒体において記録線速２．
４ｍ／ｓ以上であり、かつ、デューティ比ｚが０．５以
上１以下とすることにより、相変化光ディスクに情報を
記録する場合に品質の良い信号を安定に記録、書き換え
することができる。
【００４６】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。
する。
【００４７】実施例１〜１１、比較例１〜２ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグループを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネート基板に表１〜２に示す第１保
護層、記録層、第２保護層、放熱反射層をスパッタリン
グ装置で連続製膜し、次いで紫外線硬化樹脂のスピンコ
ートによるオーバーコートを形成し前記各実施例および
比較例の相変化型光ディスクを作製した。第１保護層、
第２保護層にはＺｎＳＳｉＯ２を用いた。反射放熱層に
はアルミニウム合金を用いた。次いで大口径のＬＤを有
する初期化装置によってディスクの記録層の結晶化を行
った。
ｍｍ厚のポリカーボネート基板に表１〜２に示す第１保
護層、記録層、第２保護層、放熱反射層をスパッタリン
グ装置で連続製膜し、次いで紫外線硬化樹脂のスピンコ
ートによるオーバーコートを形成し前記各実施例および
比較例の相変化型光ディスクを作製した。第１保護層、
第２保護層にはＺｎＳＳｉＯ２を用いた。反射放熱層に
はアルミニウム合金を用いた。次いで大口径のＬＤを有
する初期化装置によってディスクの記録層の結晶化を行
った。
【００４８】実施例２の構成で作製した相変化光ディス
クの転移線速は図５のように４．８ｍ／ｓｅｃであっ
た。この相変化光ディスクに波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．
５のピックアップを搭載したドライブで図７のように書
き込みパワーＰｅ／Ｐｗ＝０．４５、Ｐｂ＝ｌｍＷ、Ｐ
ｗとＰｅのデューティ比は０．７５、バイアスパワー書
き込み線速１１．２ｍ／ｓｅｃで書き込みを行ったとこ
ろ、Ｐｗが１３ｍＷから１７ｍＷの範囲でＣ１エラーが
８０以下であった。実施例１〜１１、比較例１〜２のＣ
１エラーは表中の２×記録が書き込み線速２．４〜２．
８ｍ／ｓに相当し、８×記録が書き込み線速９．６〜１
１．２ｍ／ｓに相当する。
クの転移線速は図５のように４．８ｍ／ｓｅｃであっ
た。この相変化光ディスクに波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．
５のピックアップを搭載したドライブで図７のように書
き込みパワーＰｅ／Ｐｗ＝０．４５、Ｐｂ＝ｌｍＷ、Ｐ
ｗとＰｅのデューティ比は０．７５、バイアスパワー書
き込み線速１１．２ｍ／ｓｅｃで書き込みを行ったとこ
ろ、Ｐｗが１３ｍＷから１７ｍＷの範囲でＣ１エラーが
８０以下であった。実施例１〜１１、比較例１〜２のＣ
１エラーは表中の２×記録が書き込み線速２．４〜２．
８ｍ／ｓに相当し、８×記録が書き込み線速９．６〜１
１．２ｍ／ｓに相当する。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】
【発明の効果】１．請求項１ 光記録媒体の記録可能線速が明らかになり、その光記録
媒体に最適な記録線速で情報を記録でき、品質の良い信
号を安定に記録、書き換えすることができる。 ２．請求項２ 相変化光ディスクに情報を記録する場合に品質の良い信
号を安定に記録、書き換えすることができる。 ３．請求項３ 相変化光ディスクにＰＷＭ記録方式で情報を記録する場
合に、品質の良い信号を安定に記録、書き換えすること
ができる。 ４．請求項４ 相変化光ディスクに情報を記録する場合に、品質の良い
信号を安定に記録、書き換えすることができる。
媒体に最適な記録線速で情報を記録でき、品質の良い信
号を安定に記録、書き換えすることができる。 ２．請求項２ 相変化光ディスクに情報を記録する場合に品質の良い信
号を安定に記録、書き換えすることができる。 ３．請求項３ 相変化光ディスクにＰＷＭ記録方式で情報を記録する場
合に、品質の良い信号を安定に記録、書き換えすること
ができる。 ４．請求項４ 相変化光ディスクに情報を記録する場合に、品質の良い
信号を安定に記録、書き換えすることができる。
【図１】本発明の光記録媒体の模式的断面図である。
【図２】最適記録線速（ｍ／ｓ）のＴｅ組成比依存性を
示す図である。
示す図である。
【図３】記録層２５ｍｍ、第２保護層（屈折率２．０）
３０ｎｍ、反射放熱層１４０ｎｍのときのグルーブ反射
率の第１保護層（屈折率２．０）厚依存性を示す図であ
る。
３０ｎｍ、反射放熱層１４０ｎｍのときのグルーブ反射
率の第１保護層（屈折率２．０）厚依存性を示す図であ
る。
【図４】本発明の相変化光ディスク及び相変化型情報記
録再生装置の実施形態における記録波のパルス波形の３
Ｔ信号の例について説明した図である。 （ａ）長さ３Ｔの入力信号 （ｂ）ｎ′＝２の場合の記録波パルス列
録再生装置の実施形態における記録波のパルス波形の３
Ｔ信号の例について説明した図である。 （ａ）長さ３Ｔの入力信号 （ｂ）ｎ′＝２の場合の記録波パルス列
【図５】実施例２の構成で作製した相変化光ディスクの
転移線速を示す図である。
転移線速を示す図である。
【図６】本発明の相変化型情報記録再生装置の記録再生
の実施形態を示す図である。
の実施形態を示す図である。
【図７】実施例２の構成で作製した相変化光ディスクに
波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを搭載した
ドライブで書き込みパワーＰｅ／Ｐｗ＝０．４５、Ｐｂ
＝１ｍＷ、ＰｗとＰｅのデューティ比は０．７５、バイ
アスパワー書き込み線速１１．２ｍ／ｓｅｃで行った書
き込みを説明した図である。
波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを搭載した
ドライブで書き込みパワーＰｅ／Ｐｗ＝０．４５、Ｐｂ
＝１ｍＷ、ＰｗとＰｅのデューティ比は０．７５、バイ
アスパワー書き込み線速１１．２ｍ／ｓｅｃで行った書
き込みを説明した図である。
ｆｐ 先頭加熱パルス部 ｍｐ マルチパルス部 ｏｐ 後端冷却パルス部 ｔ１ 先頭加熱パルス時間 ｔ２ マルチパルス部の冷却パルス時間 ｔ３ 後端冷却パルス時間 ａ 先頭パルスのパワーレベル ｂ 冷却パルスのパワーレベル ｃ マルチパレスのパワーレベル ｄ 後端冷却パルスのパワーレベル ｅ 消却パルスのパワーレベル ｎ′ ｎＴ長の入力信号に対する記録パルス Ｔ ＥＦＭ基準クロック時間 ｎＴ ＥＦＭ変調後の信号長
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/00 ６３１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 小川 一平 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA44 FA01 FA12 FA14 FA21 FA30 FB09 FB12 FB17 FB21 FB24 FB25 FB30 5D029 JA01 JB35 JB48 LB07 MA14 5D090 AA01 BB05 CC02 CC14 DD02 EE06 KK03 KK05
Claims (5)
- 【請求項１】 記録線速ｙ（ｍ／ｓｅｃ）および転移線
速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）が下式（１）の要件を満足するもの
であることを特徴とする光記録媒体。 【数１】 ｘ（ｍ／ｓｅｃ）／４＜ｙ（ｍ／ｓｅｃ）＜４ｘ（ｍ／ｓｅｃ） （１） 〔式中、転移線速ｘ（ｍ／ｓｅｃ）はＣＬＶ（Ｃｏｎｓ
ｔａｎｔＬｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回転する
相変化光ディスクに所定のレーザ光（波長７８０±１５
ｎｍ、対物レンズのＮＡ＝０．５、１４ｍＷ）を照射し
たときに、相変化光ディスクの反射率が低下した場合の
反射率対線速度の曲線の変曲点。〕 - 【請求項２】 円盤状の基板上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、金属又は合金層、ＵＶ硬化樹脂の順
に積層してなる光記録媒体において、第１誘電体層の膜
厚が６５〜１３０ｎｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎ
ｍ、第２誘電体層の膜厚が１５〜４５ｎｍ、金属又は合
金層の膜厚が７０〜１８０ｎｍ、ＵＶ硬化樹脂層の膜厚
が７〜１５μｍであり、記録を担う物質の相変化により
記録消去を行う光記録媒体の記録層の構成元素が主にＡ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、ＮあるいはＯであり、それぞれ
の組成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が下記の要件を
満足し、かつ１．２〜１１．２ｍ／ｓの線速度で記録可
能な請求項１記載の光記録媒体。 【数２】０＜α≦６ ３≦β≦１５ ５０≦γ≦６５ ２０≦δ≦３５ ０≦ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ - 【請求項３】 電磁波を光記録媒体に照射することによ
り、記録層に相変化を生じさせ、該光記録媒体に対する
情報の記録あるいは書き換えを行う情報記録方式がＰＷ
Ｍ記録方式であって、該記録の際に、変調後に所定の信
号幅を有する信号の記録あるいは書き変えを行うときの
記録パルス列が、第１の高パワーレベルＰｗと第２の低
パワーレベルＰｂとが交互に所定のデューティ比ｚで所
定の回数連続するマルチパルス部を含み、また、デュー
ティ比ｚが下式（２）の要件を満足するものである請求
項１〜２のいずれかに記載の光記録媒体。 【数３】 （４ｙ−ｘ）／１２０＜ｚ＜（６＋４ｙ−ｘ）／１６ （２） （式中、ｘおよびｙは前記に同じ。） - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の光記録
媒体を用い、かつ消去パワー／書き込みパワーの比（Ｐ
ｅ／Ｐｗ）が０．３５以上０.６以下であることを特徴
とする光記録媒体の光記録方法。 - 【請求項５】 記録線速が２．４ｍ／ｓ以上であり、か
つ、前記デューティ比ｚが０．５以上１以下である請求
項４記載の光記録方法。
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