JP2003006860A - 光情報記録媒体、その記録方法及び記録装置 - Google Patents
光情報記録媒体、その記録方法及び記録装置Info
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- JP2003006860A JP2003006860A JP2002101798A JP2002101798A JP2003006860A JP 2003006860 A JP2003006860 A JP 2003006860A JP 2002101798 A JP2002101798 A JP 2002101798A JP 2002101798 A JP2002101798 A JP 2002101798A JP 2003006860 A JP2003006860 A JP 2003006860A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 異なる線速度で記録する場合の良好な記録方
法の提供。 【解決手段】 信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）であ
る０信号の記録を行なう場合はパワーレベルＰｅの連続
光とし、信号幅がｎＴである１信号の記録を行なう場合
は時間幅ｘＴでパワーレベルＰｗであるパルス部ｆｐ
と、（ｎ−ｎ′）回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰｗ′
の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅
（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂの低レベルパルスをも
つマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワーレベルＰ
ｂ′であるパルス部ｅｐとし、ｎ及びｎ′をｎ′≦ｎの
正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ′）＞Ｐ
ｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ′）であるパルス列とし、最低記録
線速度Ｖｍ／ｓ、最高記録線速度３Ｖｍ／ｓの範囲にお
いて、ｘ、ｙ、ｚの少なくとも１つが次の数値範囲を満
足する記録方法を提供する。０．３５≦ｘ≦０．７５、
０．３≦ｙ≦０．５５、０．３５≦ｚ≦０．７。
法の提供。 【解決手段】 信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）であ
る０信号の記録を行なう場合はパワーレベルＰｅの連続
光とし、信号幅がｎＴである１信号の記録を行なう場合
は時間幅ｘＴでパワーレベルＰｗであるパルス部ｆｐ
と、（ｎ−ｎ′）回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰｗ′
の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅
（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂの低レベルパルスをも
つマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワーレベルＰ
ｂ′であるパルス部ｅｐとし、ｎ及びｎ′をｎ′≦ｎの
正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ′）＞Ｐ
ｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ′）であるパルス列とし、最低記録
線速度Ｖｍ／ｓ、最高記録線速度３Ｖｍ／ｓの範囲にお
いて、ｘ、ｙ、ｚの少なくとも１つが次の数値範囲を満
足する記録方法を提供する。０．３５≦ｘ≦０．７５、
０．３≦ｙ≦０．５５、０．３５≦ｚ≦０．７。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を照射
することにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の
記録・再生・書き換えを行なう相変化型光情報記録媒
体、及びその記録装置と記録方法に関する。
することにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の
記録・再生・書き換えを行なう相変化型光情報記録媒
体、及びその記録装置と記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光の照射により記録・再生を行
なう光情報記録媒体として、一度だけ記録可能（追記
型）なＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ、書き換えが可能なＣＤ−
ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＤ、ＭＯディ
スクなどの様々な媒体が実用化されており、リムーバブ
ルな媒体として、カセットテープやフロッピー（登録商
標）ディスクなどの磁気記録媒体に代り、年々需要が高
まっている。これらの光情報記録媒体のうち、ＣＤ−Ｒ
Ｗ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどは、記録層の材
料として、結晶−非結晶相間又は結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化材料を使用している。特
に、ＭＤ、ＭＯなどの光磁気メモリーでは困難な単一ビ
ームによるオーバーライトが容易であり、記録・再生装
置側の光学系も単純であることなどから、相変化型光情
報記録媒体の需要が高まっている。一般に、相変化型光
情報記録媒体に対して情報を記録する際、オーバーライ
トを良好に行なうために、レーザー光のパワーレベルを
三段階に変調させたパルスストラテジーを使用して記録
及び書き換えを行なっている。このとき、マルチスピー
ド記録やＣＡＶ記録のように、同じ記録媒体に対して異
なる線速度で記録を行なう場合、低線速度領域よりも高
線速度領域の方が記録層を昇温させるために必要なエネ
ルギー量が大きくなるため、適切な記録条件は異なって
くる。そのため、高線速度領域における記録パワーを低
線速度領域よりも高くする、及び／又は記録パルススト
ラテジーにおけるｍｐ部の高レベルパルスのパワーレベ
ルＰｗをかける時間幅を長くするなど、線速度毎に最適
な記録条件に変更することにより、良好な特性での記録
を行なうことが要望されている。このときの詳細な記録
条件については、記録媒体の材料・構成などによって異
なる。そのため、例えばＣＤ−ＲＷにおいては、記録媒
体中に予め１Ｘ（１．２ｍ／ｓ）、４Ｘ（４．８ｍ／
ｓ）、１０Ｘ（１２ｍ／ｓ）の線速度毎に、その記録媒
体における適切な記録条件についての情報を入れてお
き、その情報を利用して記録条件の設定を行なうという
手法が取り入れられている。しかしながら、このような
方法では、記録線速度毎に最適な記録パワー及び／又は
記録パルスストラテジーを決定し、それぞれについて記
録条件の設定を行なう必要が生じる。そのため、記録媒
体の半径位置により連続的に記録線速度が変化すること
になるＣＡＶ記録などの場合については、線速度毎に記
録条件の設定を行なうことが非常に困難である。従っ
て、このような条件下においても良好な特性で記録する
ことができる記録方法を設定するか、又は、記録線速度
によらずに良好な特性で記録することができる記録媒体
を設計する必要がある。
なう光情報記録媒体として、一度だけ記録可能（追記
型）なＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ、書き換えが可能なＣＤ−
ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＤ、ＭＯディ
スクなどの様々な媒体が実用化されており、リムーバブ
ルな媒体として、カセットテープやフロッピー（登録商
標）ディスクなどの磁気記録媒体に代り、年々需要が高
まっている。これらの光情報記録媒体のうち、ＣＤ−Ｒ
Ｗ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどは、記録層の材
料として、結晶−非結晶相間又は結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化材料を使用している。特
に、ＭＤ、ＭＯなどの光磁気メモリーでは困難な単一ビ
ームによるオーバーライトが容易であり、記録・再生装
置側の光学系も単純であることなどから、相変化型光情
報記録媒体の需要が高まっている。一般に、相変化型光
情報記録媒体に対して情報を記録する際、オーバーライ
トを良好に行なうために、レーザー光のパワーレベルを
三段階に変調させたパルスストラテジーを使用して記録
及び書き換えを行なっている。このとき、マルチスピー
ド記録やＣＡＶ記録のように、同じ記録媒体に対して異
なる線速度で記録を行なう場合、低線速度領域よりも高
線速度領域の方が記録層を昇温させるために必要なエネ
ルギー量が大きくなるため、適切な記録条件は異なって
くる。そのため、高線速度領域における記録パワーを低
線速度領域よりも高くする、及び／又は記録パルススト
ラテジーにおけるｍｐ部の高レベルパルスのパワーレベ
ルＰｗをかける時間幅を長くするなど、線速度毎に最適
な記録条件に変更することにより、良好な特性での記録
を行なうことが要望されている。このときの詳細な記録
条件については、記録媒体の材料・構成などによって異
なる。そのため、例えばＣＤ−ＲＷにおいては、記録媒
体中に予め１Ｘ（１．２ｍ／ｓ）、４Ｘ（４．８ｍ／
ｓ）、１０Ｘ（１２ｍ／ｓ）の線速度毎に、その記録媒
体における適切な記録条件についての情報を入れてお
き、その情報を利用して記録条件の設定を行なうという
手法が取り入れられている。しかしながら、このような
方法では、記録線速度毎に最適な記録パワー及び／又は
記録パルスストラテジーを決定し、それぞれについて記
録条件の設定を行なう必要が生じる。そのため、記録媒
体の半径位置により連続的に記録線速度が変化すること
になるＣＡＶ記録などの場合については、線速度毎に記
録条件の設定を行なうことが非常に困難である。従っ
て、このような条件下においても良好な特性で記録する
ことができる記録方法を設定するか、又は、記録線速度
によらずに良好な特性で記録することができる記録媒体
を設計する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、マルチスピ
ード記録やＣＡＶ（角速度一定）記録などの異なる線速
度による記録時においても、良好な信号特性で記録する
ことができる相変化型光情報記録媒体、及びその記録方
法と記録装置の提供を目的とするものである。
ード記録やＣＡＶ（角速度一定）記録などの異なる線速
度による記録時においても、良好な信号特性で記録する
ことができる相変化型光情報記録媒体、及びその記録方
法と記録装置の提供を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜
６）の発明（以下、本発明１〜６という。）によって解
決される。 １） 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明基板上に
少なくとも相変化型光記録層を有し、半導体レーザー光
を照射することにより該記録層に相変化を生じさせ、情
報の記録及び書き換えを行なう光情報記録媒体に対し
て、マークエッジ記録により情報を記録する際に、信号
幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録又は
書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰｅの連
続光とし、信号幅がｎＴである１信号の記録又は書き換
えを行なう場合の記録波については、時間幅ｘＴでパワ
ーレベルＰｗであるパルス部ｆｐと、（ｎ−ｎ′）回の
時間幅ｙＴでパワーレベルＰｗ′の高レベルパルスとそ
の高レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔでパワーレ
ベルＰｂの低レベルパルスをもつマルチパルス部ｍｐ
と、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂ′であるパルス部ｅ
ｐとで構成され、ｎ及びｎ′をｎ′≦ｎの正の整数と
し、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ′）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ
及びＰｂ′）である記録光のパルス列とする光情報記録
媒体の記録方法であって、最低記録線速度Ｖｍ／ｓ、最
高記録線速度３Ｖｍ／ｓの範囲において、ｘ、ｙ、ｚの
少なくとも１つが次の数値範囲にあることを特徴とする
光情報記録媒体の記録方法。 ０．３５≦ｘ≦０．７５、０．３≦ｙ≦０．５５、０．
３５≦ｚ≦０．７ ２） 前記ｘ、ｙ、ｚの少なくとも一つが前記数値範囲
内の一定の値に固定されたパルス列により記録すること
を特徴とする１）記載の光情報記録媒体の記録方法。 ３） 前記パワーレベルＰｗ、Ｐｗ′、Ｐｂ、Ｐｂ′、
Ｐｅを、記録後の再生信号のジッター特性σ／Ｔが９％
以下、変調度が０．５５以上、反射率が１６％以上とな
る値にすることを特徴とする１）又は２）記載の光情報
記録媒体の記録方法。 ４） 基板が、ウォブル周期４．０〜４．６μｍの案内
溝を有するものであることを特徴とする１）〜３）の何
れかに記載の光情報記録媒体の記録方法。 ５） １）〜４）の何れかに記載の記録方法を用いて相
変化型光情報記録媒体に記録を行なうように設定されて
いることを特徴とする光情報記録装置。 ６） 透明基板上に少なくとも下部保護層、相変化型光
記録層、上部保護層、反射層、樹脂保護層又はオーバー
コート層を有し、該記録層が、構成元素にＡｇ及び／又
はＧｅ、Ｉｎ及び／又はＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを含み、その
組成式を（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧ
ａ）βＳｂγＴｅδ（α、β、γ、δは原子％）、α＋
β＋γ＋δ＝１００としたときに、 ０＜α≦６、２≦β≦８、６０≦γ≦７２、２２≦δ≦
２７ であることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の記
録方法により記録可能な相変化型光情報記録媒体。
６）の発明（以下、本発明１〜６という。）によって解
決される。 １） 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明基板上に
少なくとも相変化型光記録層を有し、半導体レーザー光
を照射することにより該記録層に相変化を生じさせ、情
報の記録及び書き換えを行なう光情報記録媒体に対し
て、マークエッジ記録により情報を記録する際に、信号
幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録又は
書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰｅの連
続光とし、信号幅がｎＴである１信号の記録又は書き換
えを行なう場合の記録波については、時間幅ｘＴでパワ
ーレベルＰｗであるパルス部ｆｐと、（ｎ−ｎ′）回の
時間幅ｙＴでパワーレベルＰｗ′の高レベルパルスとそ
の高レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔでパワーレ
ベルＰｂの低レベルパルスをもつマルチパルス部ｍｐ
と、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂ′であるパルス部ｅ
ｐとで構成され、ｎ及びｎ′をｎ′≦ｎの正の整数と
し、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ′）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ
及びＰｂ′）である記録光のパルス列とする光情報記録
媒体の記録方法であって、最低記録線速度Ｖｍ／ｓ、最
高記録線速度３Ｖｍ／ｓの範囲において、ｘ、ｙ、ｚの
少なくとも１つが次の数値範囲にあることを特徴とする
光情報記録媒体の記録方法。 ０．３５≦ｘ≦０．７５、０．３≦ｙ≦０．５５、０．
３５≦ｚ≦０．７ ２） 前記ｘ、ｙ、ｚの少なくとも一つが前記数値範囲
内の一定の値に固定されたパルス列により記録すること
を特徴とする１）記載の光情報記録媒体の記録方法。 ３） 前記パワーレベルＰｗ、Ｐｗ′、Ｐｂ、Ｐｂ′、
Ｐｅを、記録後の再生信号のジッター特性σ／Ｔが９％
以下、変調度が０．５５以上、反射率が１６％以上とな
る値にすることを特徴とする１）又は２）記載の光情報
記録媒体の記録方法。 ４） 基板が、ウォブル周期４．０〜４．６μｍの案内
溝を有するものであることを特徴とする１）〜３）の何
れかに記載の光情報記録媒体の記録方法。 ５） １）〜４）の何れかに記載の記録方法を用いて相
変化型光情報記録媒体に記録を行なうように設定されて
いることを特徴とする光情報記録装置。 ６） 透明基板上に少なくとも下部保護層、相変化型光
記録層、上部保護層、反射層、樹脂保護層又はオーバー
コート層を有し、該記録層が、構成元素にＡｇ及び／又
はＧｅ、Ｉｎ及び／又はＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを含み、その
組成式を（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧ
ａ）βＳｂγＴｅδ（α、β、γ、δは原子％）、α＋
β＋γ＋δ＝１００としたときに、 ０＜α≦６、２≦β≦８、６０≦γ≦７２、２２≦δ≦
２７ であることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の記
録方法により記録可能な相変化型光情報記録媒体。
【０００５】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。本発明の相変化型光情報記録媒体の記録・再生方法
は、光情報記録媒体をスピンドルモーターからなる駆動
手段で回転駆動すると共に、記録・再生用ピックアップ
のレーザー駆動回路により半導体レーザー光源を駆動
し、光学系を介して光情報記録媒体に図１に示したよう
なｆｐ、ｍｐ、ｅｐを有するパルスストラテジーのレー
ザー光を照射して該光情報記録媒体の記録層に相変化を
生じさせ、光情報記録媒体からの反射光を記録・再生用
ピックアップで受光し、光情報記録媒体に対する情報の
記録や再生を行なうものである（図２）。記録手段は、
本発明の相変化型光情報記録媒体の記録層に対してマー
クの幅として信号を記録する、いわゆるＰＷＭ記録（マ
ークエッジ記録）方式を使用し、記録すべき信号を変調
部のクロックを用いて、例えば書き換え型コンパクトデ
ィスクの情報記録に適したＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ−ｔｏ−
Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ、８−１４）
変調方式、又はその改良変調方式で変調して記録を行な
う。ＰＷＭ記録方式により記録を行なう際、変調後の信
号幅がｎＴ（ｎは所定の値、Ｔはクロック時間：信号の
変調に用いるクロックの周期に相当する時間）である０
信号の記録又は書き換えを行なう場合の記録波をパワー
レベルＰｅの連続光とし、変調後の信号幅がｎＴである
１信号の記録又は書き換えを行なう場合の記録波につい
ては、時間幅ｘＴでパワーレベルＰｗであるパルス部ｆ
ｐと、（ｎ−ｎ′）回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰ
ｗ′の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間
幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂの低レベルパルスを
もつマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワーレベル
Ｐｂ′であるパルス部ｅｐとで構成され、ｎ及びｎ′を
ｎ′≦ｎの正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰ
ｗ′）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ′）である記録光のパル
ス列とする。図１は、ｎ＝４、ｎ′＝２のときの例であ
る。
る。本発明の相変化型光情報記録媒体の記録・再生方法
は、光情報記録媒体をスピンドルモーターからなる駆動
手段で回転駆動すると共に、記録・再生用ピックアップ
のレーザー駆動回路により半導体レーザー光源を駆動
し、光学系を介して光情報記録媒体に図１に示したよう
なｆｐ、ｍｐ、ｅｐを有するパルスストラテジーのレー
ザー光を照射して該光情報記録媒体の記録層に相変化を
生じさせ、光情報記録媒体からの反射光を記録・再生用
ピックアップで受光し、光情報記録媒体に対する情報の
記録や再生を行なうものである（図２）。記録手段は、
本発明の相変化型光情報記録媒体の記録層に対してマー
クの幅として信号を記録する、いわゆるＰＷＭ記録（マ
ークエッジ記録）方式を使用し、記録すべき信号を変調
部のクロックを用いて、例えば書き換え型コンパクトデ
ィスクの情報記録に適したＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ−ｔｏ−
Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ、８−１４）
変調方式、又はその改良変調方式で変調して記録を行な
う。ＰＷＭ記録方式により記録を行なう際、変調後の信
号幅がｎＴ（ｎは所定の値、Ｔはクロック時間：信号の
変調に用いるクロックの周期に相当する時間）である０
信号の記録又は書き換えを行なう場合の記録波をパワー
レベルＰｅの連続光とし、変調後の信号幅がｎＴである
１信号の記録又は書き換えを行なう場合の記録波につい
ては、時間幅ｘＴでパワーレベルＰｗであるパルス部ｆ
ｐと、（ｎ−ｎ′）回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰ
ｗ′の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間
幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂの低レベルパルスを
もつマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワーレベル
Ｐｂ′であるパルス部ｅｐとで構成され、ｎ及びｎ′を
ｎ′≦ｎの正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰ
ｗ′）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ′）である記録光のパル
ス列とする。図１は、ｎ＝４、ｎ′＝２のときの例であ
る。
【０００６】記録線速度Ｖは、３〜１３ｍ／ｓの範囲と
することが好ましい。Ｖがこの範囲の場合、３Ｖは９〜
３９ｍ／ｓとなるが、Ｖが１３ｍ／ｓ、３Ｖが３９ｍ／
ｓよりも速くなると、案内溝に追従してレーザー光照射
を行うことが難しくなるので好ましくない。本発明の光
情報記録媒体への記録方法を用いて、記録線速度Ｖ＝３
ｍ／ｓで記録を行なったとき、記録後の再生信号のジッ
ター特性σ／Ｔが９％以下となり、再生専用装置での再
生互換性が十分に確保できていると考えられるｘ、ｙ、
ｚの範囲は、それぞれ、０．２５＜ｘ≦０．８（図
３）、０．２５≦ｙ≦０．５５（図４）、０．３５≦ｚ
≦１．３（図５）である。また、記録線速度３Ｖ＝９ｍ
／ｓで記録を行なった場合に再生信号のジッター特性が
９％以下となるｘ、ｙ、ｚの範囲は、それぞれ、０．３
５≦ｘ≦０．７５（図３）、０．３≦ｙ≦０．６（図
４）、０．１≦ｚ≦０．７（図５）である。この範囲に
おいては、再生専用装置での再生互換性が十分に確保で
きると考えられる変調度０．５５以上、反射率１６％以
上も確保できる。なお、上記図３〜図５は、Ｖ＝３ｍ／
ｓの場合の結果を示したものであるが、Ｖ＝３〜１３ｍ
／ｓの範囲では、ほぼ同様の結果が得られる。従って、
Ｖｍ／ｓと３Ｖｍ／ｓの何れの線速度で記録した場合で
も、再生信号のジッター特性が９％以下、変調度が０．
５５以上、反射率が１６％以上となるｘ、ｙ、ｚの範囲
は、それぞれ、０．３５≦ｘ≦０．７５（図３）、０．
３≦ｙ≦０．５５（図４）、０．３５≦ｚ≦０．７（図
５）となり、この範囲のｘ、ｙ、ｚを用いて、Ｖから３
Ｖｍ／ｓの範囲の記録線速度にて記録した場合、再生専
用装置での再生互換性が十分に確保されている光情報記
録媒体を得ることが可能である。
することが好ましい。Ｖがこの範囲の場合、３Ｖは９〜
３９ｍ／ｓとなるが、Ｖが１３ｍ／ｓ、３Ｖが３９ｍ／
ｓよりも速くなると、案内溝に追従してレーザー光照射
を行うことが難しくなるので好ましくない。本発明の光
情報記録媒体への記録方法を用いて、記録線速度Ｖ＝３
ｍ／ｓで記録を行なったとき、記録後の再生信号のジッ
ター特性σ／Ｔが９％以下となり、再生専用装置での再
生互換性が十分に確保できていると考えられるｘ、ｙ、
ｚの範囲は、それぞれ、０．２５＜ｘ≦０．８（図
３）、０．２５≦ｙ≦０．５５（図４）、０．３５≦ｚ
≦１．３（図５）である。また、記録線速度３Ｖ＝９ｍ
／ｓで記録を行なった場合に再生信号のジッター特性が
９％以下となるｘ、ｙ、ｚの範囲は、それぞれ、０．３
５≦ｘ≦０．７５（図３）、０．３≦ｙ≦０．６（図
４）、０．１≦ｚ≦０．７（図５）である。この範囲に
おいては、再生専用装置での再生互換性が十分に確保で
きると考えられる変調度０．５５以上、反射率１６％以
上も確保できる。なお、上記図３〜図５は、Ｖ＝３ｍ／
ｓの場合の結果を示したものであるが、Ｖ＝３〜１３ｍ
／ｓの範囲では、ほぼ同様の結果が得られる。従って、
Ｖｍ／ｓと３Ｖｍ／ｓの何れの線速度で記録した場合で
も、再生信号のジッター特性が９％以下、変調度が０．
５５以上、反射率が１６％以上となるｘ、ｙ、ｚの範囲
は、それぞれ、０．３５≦ｘ≦０．７５（図３）、０．
３≦ｙ≦０．５５（図４）、０．３５≦ｚ≦０．７（図
５）となり、この範囲のｘ、ｙ、ｚを用いて、Ｖから３
Ｖｍ／ｓの範囲の記録線速度にて記録した場合、再生専
用装置での再生互換性が十分に確保されている光情報記
録媒体を得ることが可能である。
【０００７】本発明の記録方法を用いて記録するのに好
適な光情報記録媒体の層構成の例を図６に示す。基本的
な構成は、周期的な径方向への搖動（ウォブリング）を
持つ螺旋状の案内溝を有する透明基板１上に下部保護層
２、記録層３、上部保護層４、反射層５、オーバーコー
ト層６を有するもので、オーバーコート層上に印刷層
８、透明基板１の鏡面側にハードコート層７を設けても
良い。更に、上記単板ディスクを、接着層９を介して貼
り合わせ構造としても良い。貼り合わせる対象となる反
対面のディスクは、同様の単板ディスクでも、透明基板
のみでも良い。また、単板ディスクに印刷層を形成しな
いで貼り合わせ、貼り合わせた後で反対面側に印刷層
８′を形成しても良い。ウォブリングはアドレス情報の
ために設けるものであり、その周期は、位置精度の高い
記録再生を可能とするため、４．０〜４．６μｍとする
ことが好ましい。４．０μｍよりも小さいと製造上の制
約が生じるため好ましくなく、４．６μｍを越えると位
置精度が落ちるため好ましくない。
適な光情報記録媒体の層構成の例を図６に示す。基本的
な構成は、周期的な径方向への搖動（ウォブリング）を
持つ螺旋状の案内溝を有する透明基板１上に下部保護層
２、記録層３、上部保護層４、反射層５、オーバーコー
ト層６を有するもので、オーバーコート層上に印刷層
８、透明基板１の鏡面側にハードコート層７を設けても
良い。更に、上記単板ディスクを、接着層９を介して貼
り合わせ構造としても良い。貼り合わせる対象となる反
対面のディスクは、同様の単板ディスクでも、透明基板
のみでも良い。また、単板ディスクに印刷層を形成しな
いで貼り合わせ、貼り合わせた後で反対面側に印刷層
８′を形成しても良い。ウォブリングはアドレス情報の
ために設けるものであり、その周期は、位置精度の高い
記録再生を可能とするため、４．０〜４．６μｍとする
ことが好ましい。４．０μｍよりも小さいと製造上の制
約が生じるため好ましくなく、４．６μｍを越えると位
置精度が落ちるため好ましくない。
【０００８】基板の材料は、通常ガラス、セラミック
ス、又は樹脂であり、成形性やコストの点で樹脂基板が
好ましい。樹脂の例としてはポリカーボネート、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリ
ル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、
コストの点で優れたポリカーボネートやアクリル系樹脂
が好ましい。
ス、又は樹脂であり、成形性やコストの点で樹脂基板が
好ましい。樹脂の例としてはポリカーボネート、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリ
ル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、
コストの点で優れたポリカーボネートやアクリル系樹脂
が好ましい。
【０００９】記録層の材料としては、結晶−アモルファ
ス相間の相変化を起こし、それぞれが安定化又は準安定
化状態をとることができるＳｂ、Ｔｅを含む相変化型光
記録材料が、記録（アモルファス化）感度・速度、消去
（結晶化）感度・速度、及び消去比が良好なため好まし
い。このＳｂＴｅ材料に、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｂ
ｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｓなどの元素を添加することに
より、記録・消去感度、信号特性、信頼性などを改善す
ることができる。そのため、目的とする記録線速度及び
線速度領域により、添加する元素や材料の組成比を調整
して、最適な記録線速度を制御すると同時に、記録した
信号の再生安定性や信号の寿命（信頼性）を確保するこ
とが望ましい。
ス相間の相変化を起こし、それぞれが安定化又は準安定
化状態をとることができるＳｂ、Ｔｅを含む相変化型光
記録材料が、記録（アモルファス化）感度・速度、消去
（結晶化）感度・速度、及び消去比が良好なため好まし
い。このＳｂＴｅ材料に、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｂ
ｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｓなどの元素を添加することに
より、記録・消去感度、信号特性、信頼性などを改善す
ることができる。そのため、目的とする記録線速度及び
線速度領域により、添加する元素や材料の組成比を調整
して、最適な記録線速度を制御すると同時に、記録した
信号の再生安定性や信号の寿命（信頼性）を確保するこ
とが望ましい。
【００１０】本発明の相変化型光情報記録媒体に対する
記録線速度の範囲を３〜９ｍ／ｓとした場合、上記特性
を総合的に満足できる記録層材料としては、構成元素に
Ａｇ及び／又はＧｅ、Ｉｎ及び／又はＧａ、Ｓｂ、Ｔｅ
を含み、その組成式を（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ
及び／又はＧａ）βＳｂγＴｅδ（α、β、γ、δは原
子％）、α＋β＋γ＋δ＝１００としたときに、 ０＜α≦６、２≦β≦８、６０≦γ≦７２、２２≦δ≦
２７ である材料が、信号の再生安定性や信号の寿命に優れて
おり、好適である。この組成範囲から外れた場合には、
オーバーライト記録時の再生信号のジッター特性が９％
を越え、再生安定性が下がるか、又は保存信頼性が低く
なり信号の劣化を起こしてしまう。
記録線速度の範囲を３〜９ｍ／ｓとした場合、上記特性
を総合的に満足できる記録層材料としては、構成元素に
Ａｇ及び／又はＧｅ、Ｉｎ及び／又はＧａ、Ｓｂ、Ｔｅ
を含み、その組成式を（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ
及び／又はＧａ）βＳｂγＴｅδ（α、β、γ、δは原
子％）、α＋β＋γ＋δ＝１００としたときに、 ０＜α≦６、２≦β≦８、６０≦γ≦７２、２２≦δ≦
２７ である材料が、信号の再生安定性や信号の寿命に優れて
おり、好適である。この組成範囲から外れた場合には、
オーバーライト記録時の再生信号のジッター特性が９％
を越え、再生安定性が下がるか、又は保存信頼性が低く
なり信号の劣化を起こしてしまう。
【００１１】相変化型光記録層の膜厚としては、１０〜
５０ｎｍ、好ましくは１２〜３０ｎｍとする。更にジッ
ター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考
慮すると、より好ましくは１４〜２５ｎｍとする。１０
ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割を果たさなくなるし、５０ｎｍより厚いと高速で
均一な相変化が起こり難くなる。このような相変化型光
記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプ
レーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成で
きるが、中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等
において優れている。
５０ｎｍ、好ましくは１２〜３０ｎｍとする。更にジッ
ター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考
慮すると、より好ましくは１４〜２５ｎｍとする。１０
ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層として
の役割を果たさなくなるし、５０ｎｍより厚いと高速で
均一な相変化が起こり難くなる。このような相変化型光
記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプ
レーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成で
きるが、中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等
において優れている。
【００１２】上記相変化型光記録層の下層及び上層には
保護層が形成される。保護層の材料としては、ＳｉＯ、
ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、
Ｉｎ ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ
３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、
ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、
ＴａＣ、ＢＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダ
イヤモンド状カーボンが挙げられる。これらの材料は、
単体で用いても、互いの混合物として用いても良く、必
要に応じて不純物を含んでいても良い。また、単層でな
く、二層以上を積層構造としても良い。但し、保護層の
融点は相変化型光記録層よりも高いことが必要である。
このような保護層の形成法は、前記相変化型光記録層の
場合と同様である。下部保護層の膜厚は、反射率、変調
度や記録感度に大きく影響するので、良好な信号特性を
得るためには、６０〜１２０ｎｍとする必要がある。上
部保護層の膜厚は、５〜４５ｎｍ、好ましくは７〜４０
ｎｍとする。５ｎｍより薄くなると耐熱性保護層として
の機能を果たさなくなるし、記録感度の低下を生じる。
また４５ｎｍより厚くなると界面剥離を生じ易くなり、
繰り返し記録性能も低下する。
保護層が形成される。保護層の材料としては、ＳｉＯ、
ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、
Ｉｎ ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ
３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、
ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、
ＴａＣ、ＢＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダ
イヤモンド状カーボンが挙げられる。これらの材料は、
単体で用いても、互いの混合物として用いても良く、必
要に応じて不純物を含んでいても良い。また、単層でな
く、二層以上を積層構造としても良い。但し、保護層の
融点は相変化型光記録層よりも高いことが必要である。
このような保護層の形成法は、前記相変化型光記録層の
場合と同様である。下部保護層の膜厚は、反射率、変調
度や記録感度に大きく影響するので、良好な信号特性を
得るためには、６０〜１２０ｎｍとする必要がある。上
部保護層の膜厚は、５〜４５ｎｍ、好ましくは７〜４０
ｎｍとする。５ｎｍより薄くなると耐熱性保護層として
の機能を果たさなくなるし、記録感度の低下を生じる。
また４５ｎｍより厚くなると界面剥離を生じ易くなり、
繰り返し記録性能も低下する。
【００１３】反射層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどの金属材料、又はこれらの元素
を含む合金を用いることができる。また、耐腐食性の向
上、熱伝導率の改善などの目的で、上記材料に対してＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどの元素を
添加しても良い。添加比率は、０．３〜２原子％とする
のが好ましく、０．３原子％より少ないと耐腐食性の効
果に劣るし、２原子％より多くなると熱伝導率が上がり
過ぎ、アモルファス状態を形成し難くなる。このような
反射層の形成法は、前記相変化型光記録層の場合と同様
である。反射層の膜厚は、５０〜２００ｎｍ、好ましく
は７０〜１６０ｎｍとする。また、反射層を多層化する
ことも可能であるが、その場合には、各層の膜厚は少な
くとも１０ｎｍ必要であり、多層化膜の合計膜厚を５０
〜１６０ｎｍとするのが良い。
ｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどの金属材料、又はこれらの元素
を含む合金を用いることができる。また、耐腐食性の向
上、熱伝導率の改善などの目的で、上記材料に対してＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどの元素を
添加しても良い。添加比率は、０．３〜２原子％とする
のが好ましく、０．３原子％より少ないと耐腐食性の効
果に劣るし、２原子％より多くなると熱伝導率が上がり
過ぎ、アモルファス状態を形成し難くなる。このような
反射層の形成法は、前記相変化型光記録層の場合と同様
である。反射層の膜厚は、５０〜２００ｎｍ、好ましく
は７０〜１６０ｎｍとする。また、反射層を多層化する
ことも可能であるが、その場合には、各層の膜厚は少な
くとも１０ｎｍ必要であり、多層化膜の合計膜厚を５０
〜１６０ｎｍとするのが良い。
【００１４】反射層の上には、その酸化防止の目的でオ
ーバーコート層が形成される。オーバーコート層として
は、スピンコート法で作製した紫外線硬化型樹脂層が一
般的であり、その厚さは３〜１５μｍが適当である。３
μｍより薄くすると、オーバーコート層上に印刷層を設
ける場合にエラーの増大が認められることがあり、１５
μｍより厚くすると内部応力が大きくなり、ディスクの
機械特性に大きく影響してしまう。
ーバーコート層が形成される。オーバーコート層として
は、スピンコート法で作製した紫外線硬化型樹脂層が一
般的であり、その厚さは３〜１５μｍが適当である。３
μｍより薄くすると、オーバーコート層上に印刷層を設
ける場合にエラーの増大が認められることがあり、１５
μｍより厚くすると内部応力が大きくなり、ディスクの
機械特性に大きく影響してしまう。
【００１５】ハードコート層としては、スピンコート法
で作製した紫外線硬化型樹脂層が一般的であり、その厚
さは２〜６μｍが適当である。２μｍより薄くすると十
分な耐擦傷性が得られず、６μｍより厚くすると、内部
応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大き
く影響してしまう。その硬度は、布でこすっても大きな
傷が付かない鉛筆硬度でＨ以上とする必要がある。また
必要に応じて、導電性材料を添加して帯電防止を図り、
埃等の付着を防止することも効果的である。印刷層は、
耐擦傷性の確保、ブランド名などのレーベル印刷、イン
クジェットプリンタに対するインク受容層の形成などを
目的としており、紫外線硬化型樹脂をスクリーン印刷法
により形成するのが一般的である。その厚さは、３〜５
０μｍが適当であり、３μｍより薄くすると、層形成時
にムラが生じてしまうし、５０μｍより厚くすると、内
部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大
きく影響してしまう。
で作製した紫外線硬化型樹脂層が一般的であり、その厚
さは２〜６μｍが適当である。２μｍより薄くすると十
分な耐擦傷性が得られず、６μｍより厚くすると、内部
応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大き
く影響してしまう。その硬度は、布でこすっても大きな
傷が付かない鉛筆硬度でＨ以上とする必要がある。また
必要に応じて、導電性材料を添加して帯電防止を図り、
埃等の付着を防止することも効果的である。印刷層は、
耐擦傷性の確保、ブランド名などのレーベル印刷、イン
クジェットプリンタに対するインク受容層の形成などを
目的としており、紫外線硬化型樹脂をスクリーン印刷法
により形成するのが一般的である。その厚さは、３〜５
０μｍが適当であり、３μｍより薄くすると、層形成時
にムラが生じてしまうし、５０μｍより厚くすると、内
部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大
きく影響してしまう。
【００１６】接着層としては、紫外線硬化型樹脂、ホッ
トメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いる
ことができる。このような接着層の材料は、オーバーコ
ート層又は印刷層上に、材料に応じて、スピンコート、
ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により塗布
し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行なって反対面
のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、同様
の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面のデ
ィスクの貼り合わせ面には、接着層材料を塗布してもし
なくても良い。また、接着層としては、粘着シートを用
いることもできる。接着層の膜厚は特に制限されるもの
ではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスクの機械特
性の影響を考慮すると５〜１００μｍが好ましい。接着
面の範囲は特に制限されるものではないが、ＤＶＤ及び
／又はＣＤ互換が可能な光情報記録媒体に応用する場
合、接着強度を確保するために内周端の位置がΦ１５〜
４０ｍｍ、好ましくはΦ１５〜３０ｍｍとなるようにす
る。
トメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いる
ことができる。このような接着層の材料は、オーバーコ
ート層又は印刷層上に、材料に応じて、スピンコート、
ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により塗布
し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行なって反対面
のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、同様
の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面のデ
ィスクの貼り合わせ面には、接着層材料を塗布してもし
なくても良い。また、接着層としては、粘着シートを用
いることもできる。接着層の膜厚は特に制限されるもの
ではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスクの機械特
性の影響を考慮すると５〜１００μｍが好ましい。接着
面の範囲は特に制限されるものではないが、ＤＶＤ及び
／又はＣＤ互換が可能な光情報記録媒体に応用する場
合、接着強度を確保するために内周端の位置がΦ１５〜
４０ｍｍ、好ましくはΦ１５〜３０ｍｍとなるようにす
る。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこの実施例により限定されるものではな
い。射出成形により、トラックピッチ０．７４μｍ、溝
深さ２５ｎｍ、溝幅２５０ｎｍ、ウォブル周期４．３μ
ｍの案内溝を有するポリカーボネート基板を形成し、こ
の基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射
層を順次スパッタリング法により積層した。下部保護層
にはＺｎＳ・ＳｉＯ２を、上部保護層にはＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ２とＳｉＣを積層し、膜厚はそれぞれ８０ｎｍ、１５
ｎｍ、５ｎｍとした。記録層には相変化型光記録材料と
してＡｇ４Ｇｅ１Ｉｎ８Ｓｂ６０Ｔｅ２７を用い、膜厚
は１５ｎｍとした。反射層にはＡｇを使用し、膜厚は１
４０ｎｍとした。更に、反射層上にスピンコート法によ
る紫外線硬化型樹脂のオーバーコート層を形成し、ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体
の単板ディスクを作成した。次にオーバーコート層上に
接着層を介してポリカーボネート基板を貼り合わせ、該
ポリカーボネート基板の表面（貼り合わせ面の反対面）
側に印刷層を形成し、貼り合わせディスクを得た。次い
で、大口径ＬＤ（ビーム径２００×１μｍのレーザーデ
ィスク）を有する初期化装置によって、記録層を全面結
晶化した。この光情報記録媒体に対して、３Ｔ〜１４Ｔ
の信号を用いて、８−１６変調方式により、同一クロッ
クで再生可能な情報を記録した。Ｐｗ、Ｐｗ′＝１３．
５ｍＷ、Ｐｅ＝７．２ｍＷ、Ｐｂ、Ｐｂ′＝０．１ｍ
Ｗ、ｘ＝０．５、ｙ＝０．４５、ｚ＝０．５とし、記録
線速度を３ｍ／ｓとして記録を行なったところ、再生信
号のジッター特性は８．７％、変調度は０．６７２、反
射率は２０．２％であった。また、記録線速度を６ｍ／
ｓとして記録を行なったところ、再生信号のジッター特
性は８．５％、変調度は０．６６０、反射率は１９．６
％であり、記録線速度を９ｍ／ｓとして記録を行なった
ところ、再生信号のジッター特性は８．１％、変調度は
０．６５６、反射率は１９．５％であった。なお、上記
諸特性は、パルステック工業（株）社製ＤＤＵ−１００
０を用いて測定した。また、これらの光情報記録媒体を
ＤＶＤ−ＲＯＭドライブにより再生したところ、記録し
た情報を再生することができた。
るが、本発明はこの実施例により限定されるものではな
い。射出成形により、トラックピッチ０．７４μｍ、溝
深さ２５ｎｍ、溝幅２５０ｎｍ、ウォブル周期４．３μ
ｍの案内溝を有するポリカーボネート基板を形成し、こ
の基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射
層を順次スパッタリング法により積層した。下部保護層
にはＺｎＳ・ＳｉＯ２を、上部保護層にはＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ２とＳｉＣを積層し、膜厚はそれぞれ８０ｎｍ、１５
ｎｍ、５ｎｍとした。記録層には相変化型光記録材料と
してＡｇ４Ｇｅ１Ｉｎ８Ｓｂ６０Ｔｅ２７を用い、膜厚
は１５ｎｍとした。反射層にはＡｇを使用し、膜厚は１
４０ｎｍとした。更に、反射層上にスピンコート法によ
る紫外線硬化型樹脂のオーバーコート層を形成し、ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体
の単板ディスクを作成した。次にオーバーコート層上に
接着層を介してポリカーボネート基板を貼り合わせ、該
ポリカーボネート基板の表面（貼り合わせ面の反対面）
側に印刷層を形成し、貼り合わせディスクを得た。次い
で、大口径ＬＤ（ビーム径２００×１μｍのレーザーデ
ィスク）を有する初期化装置によって、記録層を全面結
晶化した。この光情報記録媒体に対して、３Ｔ〜１４Ｔ
の信号を用いて、８−１６変調方式により、同一クロッ
クで再生可能な情報を記録した。Ｐｗ、Ｐｗ′＝１３．
５ｍＷ、Ｐｅ＝７．２ｍＷ、Ｐｂ、Ｐｂ′＝０．１ｍ
Ｗ、ｘ＝０．５、ｙ＝０．４５、ｚ＝０．５とし、記録
線速度を３ｍ／ｓとして記録を行なったところ、再生信
号のジッター特性は８．７％、変調度は０．６７２、反
射率は２０．２％であった。また、記録線速度を６ｍ／
ｓとして記録を行なったところ、再生信号のジッター特
性は８．５％、変調度は０．６６０、反射率は１９．６
％であり、記録線速度を９ｍ／ｓとして記録を行なった
ところ、再生信号のジッター特性は８．１％、変調度は
０．６５６、反射率は１９．５％であった。なお、上記
諸特性は、パルステック工業（株）社製ＤＤＵ−１００
０を用いて測定した。また、これらの光情報記録媒体を
ＤＶＤ−ＲＯＭドライブにより再生したところ、記録し
た情報を再生することができた。
【００１８】
【発明の効果】本発明１によれば、同心円又は螺旋状の
案内溝を有する透明基板上に少なくとも相変化型光記録
層を有し、半導体レーザー光を照射することにより該記
録層に相変化を生じさせ、情報の記録及び書き換えを行
なう光情報記録媒体に対して、ＰＷＭ記録により情報を
記録する際に、記録パルスのｆｐ、ｍｐ、ｅｐの少なく
とも１つの幅を特定化することにより、マルチスピード
記録やＣＡＶ記録のように異なる線速度での記録の際に
も、良好な信号特性で記録することが可能になるため、
ＤＶＤ−ＲＯＭドライブのような再生専用装置での再生
互換性を高めることができる。本発明２によれば、記録
線速度が変動している場合でも、記録パルスの幅を固定
することにより、記録パルスストラテジーの設定を簡便
化することができる。本発明３によれば、記録パルスの
パワーレベルを特定化することにより、良好な信号特性
で記録することが可能になるため、再生専用装置での再
生互換性を高めることができる。本発明４によれば、位
置精度の高い記録再生が可能となり、更に再生互換性を
高めることができる。本発明５によれば、再生互換性の
高い光情報記録装置を提供することができる。本発明６
によれば、記録後の再生信号特性及び保存信頼性を確保
し、かつ、再生専用装置における再生互換性の高い光情
報記録媒体を提供することができる。
案内溝を有する透明基板上に少なくとも相変化型光記録
層を有し、半導体レーザー光を照射することにより該記
録層に相変化を生じさせ、情報の記録及び書き換えを行
なう光情報記録媒体に対して、ＰＷＭ記録により情報を
記録する際に、記録パルスのｆｐ、ｍｐ、ｅｐの少なく
とも１つの幅を特定化することにより、マルチスピード
記録やＣＡＶ記録のように異なる線速度での記録の際に
も、良好な信号特性で記録することが可能になるため、
ＤＶＤ−ＲＯＭドライブのような再生専用装置での再生
互換性を高めることができる。本発明２によれば、記録
線速度が変動している場合でも、記録パルスの幅を固定
することにより、記録パルスストラテジーの設定を簡便
化することができる。本発明３によれば、記録パルスの
パワーレベルを特定化することにより、良好な信号特性
で記録することが可能になるため、再生専用装置での再
生互換性を高めることができる。本発明４によれば、位
置精度の高い記録再生が可能となり、更に再生互換性を
高めることができる。本発明５によれば、再生互換性の
高い光情報記録装置を提供することができる。本発明６
によれば、記録後の再生信号特性及び保存信頼性を確保
し、かつ、再生専用装置における再生互換性の高い光情
報記録媒体を提供することができる。
【図１】本発明の相変化型光情報記録媒体に照射する記
録用レーザー光の光パルスストラテジーを説明する図。
録用レーザー光の光パルスストラテジーを説明する図。
【図２】本発明の相変化型光情報記録媒体の記録・再生
に用いる装置を示す図。
に用いる装置を示す図。
【図３】本発明の記録パルスストラテジのｆｐ依存性を
説明する図。
説明する図。
【図４】本発明の記録パルスストラテジのｍｐ依存性を
説明する図。
説明する図。
【図５】本発明の記録パルスストラテジのｅｐ依存性を
説明する図。
説明する図。
【図６】本発明の相変化型光情報記録媒体の層構成の例
を示す図。
を示す図。
Ｔ クロック時間
Ｐｗ パワーレベル
ｆｐ パワーレベルＰｗのパルス部
ｘ パルス部ｆｐの時間幅〔ｘ（Ｔ）〕
Ｐｗ′ パワーレベル
Ｐｂ パワーレベル
ｍｐ パワーレベルＰｗ′又はＰｂのパルス部
ｙ パルス部ｍｐ中のパワーレベルＰｗ′の時間幅〔ｙ
（Ｔ）〕 １−ｙ パルス部ｍｐ中のパワーレベルＰｂの時間幅
〔（１−ｙ）Ｔ〕 Ｐｂ′ パワーレベル ｅｐ パワーレベルＰｂ′のパルス部 ｚ パルス部ｅｐの時間幅〔ｚ（Ｔ）〕 １ 透明基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 反射層 ６ オーバーコート層 ７ ハードコート層 ８ 印刷層 ８′ 印刷層 ９ 接着層
（Ｔ）〕 １−ｙ パルス部ｍｐ中のパワーレベルＰｂの時間幅
〔（１−ｙ）Ｔ〕 Ｐｂ′ パワーレベル ｅｐ パワーレベルＰｂ′のパルス部 ｚ パルス部ｅｐの時間幅〔ｚ（Ｔ）〕 １ 透明基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 反射層 ６ オーバーコート層 ７ ハードコート層 ８ 印刷層 ８′ 印刷層 ９ 接着層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ
(72)発明者 伊藤 和典
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 譲原 肇
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 小名木 伸晃
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 FA01 FA12 FA14
FB05 FB09 FB12 FB17 FB21
FB30
5D029 JA01 JB18
5D090 AA01 BB03 BB05 CC01 CC02
EE01 EE05 FF08 GG03 JJ12
KK04 KK05
Claims (6)
- 【請求項１】 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明
基板上に少なくとも相変化型光記録層を有し、半導体レ
ーザー光を照射することにより該記録層に相変化を生じ
させ、情報の記録及び書き換えを行なう光情報記録媒体
に対して、マークエッジ記録により情報を記録する際
に、信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の
記録又は書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベル
Ｐｅの連続光とし、信号幅がｎＴである１信号の記録又
は書き換えを行なう場合の記録波については、時間幅ｘ
ＴでパワーレベルＰｗであるパルス部ｆｐと、（ｎ−
ｎ′）回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰｗ′の高レベル
パルスとその高レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔ
でパワーレベルＰｂの低レベルパルスをもつマルチパル
ス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂ′であるパ
ルス部ｅｐとで構成され、ｎ及びｎ′をｎ′≦ｎの正の
整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ′）＞Ｐｅ＞
（Ｐｂ及びＰｂ′）である記録光のパルス列とする光情
報記録媒体の記録方法であって、最低記録線速度Ｖｍ／
ｓ、最高記録線速度３Ｖｍ／ｓの範囲において、ｘ、
ｙ、ｚの少なくとも１つが次の数値範囲にあることを特
徴とする光情報記録媒体の記録方法。 ０．３５≦ｘ≦０．７５、０．３≦ｙ≦０．５５、０．
３５≦ｚ≦０．７ - 【請求項２】 前記ｘ、ｙ、ｚの少なくとも一つを前記
数値範囲内の一定の値に固定したパルス列により記録す
ることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体の記
録方法。 - 【請求項３】 前記パワーレベルＰｗ、Ｐｗ′、Ｐｂ、
Ｐｂ′、Ｐｅを、記録後の再生信号のジッター特性σ／
Ｔが９％以下、変調度が０．５５以上、反射率が１６％
以上となる値にすることを特徴とする請求項１又は２記
載の光情報記録媒体の記録方法。 - 【請求項４】 基板が、ウォブル周期４．０〜４．６μ
ｍの案内溝を有するものであることを特徴とする請求項
１〜３の何れかに記載の光情報記録媒体の記録方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れかに記載の記録方法
を用いて相変化型光情報記録媒体に記録を行なうように
設定されていることを特徴とする光情報記録装置。 - 【請求項６】 透明基板上に少なくとも下部保護層、相
変化型光記録層、上部保護層、反射層、樹脂保護層又は
オーバーコート層を有し、該記録層が、構成元素にＡｇ
及び／又はＧｅ、Ｉｎ及び／又はＧａ、Ｓｂ、Ｔｅを含
み、その組成式を（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び
／又はＧａ）βＳｂγＴｅδ（α、β、γ、δは原子
％）、α＋β＋γ＋δ＝１００としたときに、 ０＜α≦６、２≦β≦８、６０≦γ≦７２、２２≦δ≦
２７ であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の
記録方法により記録可能な相変化型光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101798A JP2003006860A (ja) | 2001-04-06 | 2002-04-03 | 光情報記録媒体、その記録方法及び記録装置 |
Applications Claiming Priority (3)
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