JP2002260226A - 光情報記録媒体、光情報記録方法及び光情報記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 相変化型の光情報記録媒体を用いる場合に、
マルチスピード記録やＣＡＶ記録など異なる線速度によ
る記録時においても、良好な信号特性で記録できるよう
にする。 【解決手段】 パルス列に関するｘ、ｙ、ｚの値を、0
より大きく、かつ、記録線速度Ｖが3m/s〜9m/sのときに
は、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.045≦ａ≦0.065、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.03 ≦ｃ≦0.05、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.12≦ｅ≦-0.07、0.8≦ｆ≦1.5 を満たすように特定化し、同様に、記録線速度Ｖが6m/s
〜18m/s、12m/s〜36m/sのときには、パルス列に関する
ｘ、ｙ、ｚの値を各々特定化することで、各々の記録線
速度の範囲でのマルチスピード記録やＣＡＶ記録などの
異なる線速度による記録時においても、良好な信号特性
で記録できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を照射
することにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の
記録、再生又は書き換えを行なう相変化型の光情報記録
媒体、光情報記録方法及び光情報記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザー光の照射により記録・再生を行
なう光情報記録媒体として、一度だけ記録可能（追記
型）なＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ、書き換えが可能なＣＤ−
ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＤ、ＭＯディ
スクなどの様々な媒体が実用化されており、リムーバブ
ルな媒体として、カセットテープやフロッピー（登録商
標）ディスクなどの磁気記録媒体に代わり、年々需要が
高まっている。

【０００３】これらの光情報記録媒体のうち、ＣＤ−Ｒ
Ｗ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどは、記録層の材
料として、結晶−非結晶相間或いは結晶−結晶相間の転
移を利用する、いわゆる相変化材料を使用している。特
に、ＭＤ、ＭＯなどの光磁気メモリーでは困難である単
一ビームによるオーバーライトが容易であり、記録・再
生装置側の光学系もより単純であることなどから、相変
化型の光情報記録媒体の需要が高まっている。

【０００４】一般に、相変化型の光情報記録媒体に対し
て情報を記録する際、オーバーライトを良好に行なうた
めに、レーザー光のパワーレベルを３段階に変調させた
パルスストラテジを使用して記録及び書き換えを行なっ
ている。このとき、マルチスピード記録やＣＡＶ（角速
度一定）記録のように、同じ記録媒体に対して異なる線
速度で記録を行なう場合、低線速度領域よりも高線速度
領域の方が記録層を昇温させるために掛けるエネルギー
量が大きくなるため、適切な記録条件は異なってくる。
そのため、高線速度領域では低線速度領域に比べて記録
パワーを高くする、及び／又は、記録パルスストラテジ
におけるマルチパルス部（ｍｐ部）の高レベルパルスの
パワーレベルＰｗをかける時間幅を長くするなど、線速
度毎に最適な記録条件へ変更させることで、良好な特性
での記録を行なうことが要望されている。

【０００５】このときの詳細な記録条件については、記
録媒体の材料・構成などによって異なる。そのため、例
えばＣＤ−ＲＷにおいては、記録媒体中に予め１Ｘ（＝
1.2m／s）、４Ｘ（＝4.8m／s）、１０Ｘ（＝12m／s）の
線速度毎に、その記録媒体における適切な記録条件につ
いての情報を入れておき、その情報を利用して記録条件
の設定を行なうという手法が取り入れられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、記録線速度毎に最適な記録パワー及び／
又は記録パルスストラテジを決定し、各々について記録
条件の設定を行なう必要が生じる。そのため、記録媒体
の半径位置により連続的に記録線速度が変化することに
なるＣＡＶ記録などの場合については、線速度毎に記録
条件の設定を行なうことは、非常に困難である。

【０００７】従って、このような条件下においても、良
好な特性で記録することができる記録方法を設定する、
若しくは、記録線速度によらずに良好な特性で記録する
ことができる光情報記録媒体を設計する必要がある。

【０００８】本発明は、相変化型の光情報記録媒体を用
いる場合に、マルチスピード記録やＣＡＶ記録など異な
る線速度による記録時においても、良好な信号特性で記
録することができる光情報記録媒体、光情報記録方法及
び光情報記録装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明基板上に少なく
とも相変化型の記録層を有する光情報記録媒体に対し
て、レーザー光を照射することにより前記記録層に相変
化を生じさせて情報の記録或いは書き換えを行なう光情
報記録方法であって、マークエッジ記録により情報の記
録を行なう際、信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）であ
る０信号の記録或いは書き換えを行なう場合の記録波を
パワーレベルＰｅの連続光とし、信号幅がｎＴである１
信号の記録或いは書き換えを行なう場合の記録波につい
ては、時間幅ｘＴでパワーレベルＰｗのパルス部ｆｐ
と、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰ
ｗ’の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間
幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂ' の低レベルパルス
とをもつマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワーレ
ベルＰｂのパルス部ｅｐとで構成され、ｎ及びｎ’を
ｎ’≦ｎの正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰ
ｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）である記録光のパル
ス列を用い、前記パルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値
を、0より大きく、かつ、記録線速度Ｖが3m/s以上、9m/
s以下のときには、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.045≦ａ≦0.065、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.03 ≦ｃ≦0.05、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.12≦ｅ≦-0.07、0.8≦ｆ≦1.5 を満たすように設定した。

【００１０】従って、相変化型の記録層を有する光情報
記録媒体に対してマークエッジ記録にて情報の記録を行
なう際、記録線速度が3m/sから9m/sにおける記録パルス
ストラテジを特定化することで、3m/sから9m/sの記録線
速度の範囲でのマルチスピード記録やＣＡＶ記録などの
異なる線速度による記録時においても、良好な信号特性
で記録することができる。

【００１１】請求項２記載の発明は、同心円又は螺旋状
の案内溝を有する透明基板上に少なくとも相変化型の記
録層を有する光情報記録媒体に対して、レーザー光を照
射することにより前記記録層に相変化を生じさせて情報
の記録或いは書き換えを行なう光情報記録方法であっ
て、マークエッジ記録により情報の記録を行なう際、信
号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録或
いは書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰｅ
の連続光とし、信号幅がｎＴである１信号の記録或いは
書き換えを行なう場合の記録波については、時間幅ｘＴ
でパワーレベルＰｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）
回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルス
とその高レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔでパワ
ーレベルＰｂ' の低レベルパルスとをもつマルチパルス
部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅ
ｐとで構成され、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数と
し、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ
及びＰｂ’）である記録光のパルス列を用い、前記パル
ス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値を、0より大きく、か
つ、記録線速度Ｖが6m/s以上、18m/s以下のときに、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.022≦ａ≦0.033、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.015≦ｃ≦0.025、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.06≦ｅ≦-0.035、0.8≦ｆ≦1.
5 を満たすように設定した。

【００１２】従って、相変化型の記録層を有する光情報
記録媒体に対してマークエッジ記録にて情報の記録を行
なう際、記録線速度が6m/sから１８m/sにおける記録パ
ルスストラテジを特定化することで、6m/sから18m/sの
記録線速度の範囲でのマルチスピード記録やＣＡＶ記録
などの異なる線速度による記録時においても、良好な信
号特性で記録することができる。

【００１３】請求項３記載の発明は、同心円又は螺旋状
の案内溝を有する透明基板上に少なくとも相変化型の記
録層を有する光情報記録媒体に対して、レーザー光を照
射することにより前記記録層に相変化を生じさせて情報
の記録或いは書き換えを行なう光情報記録方法であっ
て、マークエッジ記録により情報の記録を行なう際、信
号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録或
いは書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰｅ
の連続光とし、信号幅がｎＴである１信号の記録或いは
書き換えを行なう場合の記録波については、時間幅ｘＴ
でパワーレベルＰｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）
回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルス
とその高レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔでパワ
ーレベルＰｂ' の低レベルパルスとをもつマルチパルス
部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅ
ｐとで構成され、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数と
し、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ
及びＰｂ’）である記録光のパルス列を用い、前記パル
ス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値を、0より大きく、か
つ、記録線速度Ｖが12m/s以上、36m/s以下のときに、 ｘ＝ａＶ＋ｂ、 但し 0.011≦ａ≦ 0.016、0.1≦ｂ≦
0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ、 但し 0.008≦ｃ≦ 0.012、0.0≦ｄ≦
0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ、 但し -0.03≦ｅ≦ -0.02、0.8≦ｆ≦
1.5 を満たすように設定した。

【００１４】従って、相変化型の記録層を有する光情報
記録媒体に対してマークエッジ記録にて情報の記録を行
なう際、記録線速度が12m/sから36m/sにおける記録パル
スストラテジを特定化することで、12m/sから36m/sの記
録線速度の範囲でのマルチスピード記録やＣＡＶ記録な
どの異なる線速度による記録時においても、良好な信号
特性で記録することができる。

【００１５】請求項４記載の発明は、同心円又は螺旋状
の案内溝を有する透明基板上に少なくとも相変化型の記
録層を有する光情報記録媒体に対して、レーザー光源か
らのレーザー光を照射することにより前記記録層に相変
化を生じさせて情報の記録或いは書き換えを行なう光情
報記録装置であって、マークエッジ記録により情報の記
録を行なう際、信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）であ
る０信号の記録或いは書き換えを行なう場合の記録波を
パワーレベルＰｅの連続光として前記レーザ光源を発光
させ、信号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換え
を行なう場合の記録波については、時間幅ｘＴでパワー
レベルＰｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間
幅ｙＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高
レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔでパワーレベル
Ｐｂ' の低レベルパルスとをもつマルチパルス部ｍｐ
と、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅｐとで
構成され、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし、パワ
ーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰ
ｂ’）である記録光のパルス列を用いて前記レーザ光源
を発光させる記録手段を備え、前記記録手段は、前記パ
ルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値を、0より大きく、
かつ、記録線速度Ｖが3m/s以上、9m/s以下のときには、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.045≦ａ≦0.065、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.03 ≦ｃ≦0.05、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.12≦ｅ≦-0.07、0.8≦ｆ≦1.5 を満たすように設定する。

【００１６】従って、相変化型の記録層を有する光情報
記録媒体に対してマークエッジ記録にて情報の記録を行
なう際、記録線速度が3m/sから9m/sにおける記録パルス
ストラテジを特定化することで、3m/sから9m/sの記録線
速度の範囲でのマルチスピード記録やＣＡＶ記録などの
異なる線速度による記録時においても、良好な信号特性
で記録することができる。

【００１７】請求項５記載の発明は、同心円又は螺旋状
の案内溝を有する透明基板上に少なくとも相変化型の記
録層を有する光情報記録媒体に対して、レーザー光源か
らのレーザー光を照射することにより前記記録層に相変
化を生じさせて情報の記録或いは書き換えを行なう光情
報記録装置であって、マークエッジ記録により情報の記
録を行なう際、信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）であ
る０信号の記録或いは書き換えを行なう場合の記録波を
パワーレベルＰｅの連続光として前記レーザ光源を発光
させ、信号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換え
を行なう場合の記録波については、時間幅ｘＴでパワー
レベルＰｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間
幅ｙＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高
レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔでパワーレベル
Ｐｂ' の低レベルパルスとをもつマルチパルス部ｍｐ
と、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅｐとで
構成され、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし、パワ
ーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰ
ｂ’）である記録光のパルス列を用いて前記レーザ光源
を発光させる記録手段を備え、前記記録手段は、前記パ
ルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値を、0より大きく、
かつ、記録線速度Ｖが6m/s以上、18m/s以下のときに、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.022≦ａ≦0.033、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.015≦ｃ≦0.025、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.06≦ｅ≦-0.035、0.8≦ｆ≦1.
5 を満たすように設定する。

【００１８】従って、相変化型の記録層を有する光情報
記録媒体に対してマークエッジ記録にて情報の記録を行
なう際、記録線速度が6m/sから18m/sにおける記録パル
スストラテジを特定化することで、6m/sから18m/sの記
録線速度の範囲でのマルチスピード記録やＣＡＶ記録な
どの異なる線速度による記録時においても、良好な信号
特性で記録することができる。

【００１９】請求項６記載の発明は、同心円又は螺旋状
の案内溝を有する透明基板上に少なくとも相変化型の記
録層を有する光情報記録媒体に対して、レーザー光源か
らのレーザー光を照射することにより前記記録層に相変
化を生じさせて情報の記録或いは書き換えを行なう光情
報記録装置であって、マークエッジ記録により情報の記
録を行なう際、信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）であ
る０信号の記録或いは書き換えを行なう場合の記録波を
パワーレベルＰｅの連続光として前記レーザ光源を発光
させ、信号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換え
を行なう場合の記録波については、時間幅ｘＴでパワー
レベルＰｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間
幅ｙＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高
レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔでパワーレベル
Ｐｂ' の低レベルパルスとをもつマルチパルス部ｍｐ
と、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅｐとで
構成され、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし、パワ
ーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰ
ｂ’）である記録光のパルス列を用いて前記レーザ光源
を発光させる記録手段を備え、前記記録手段は、前記パ
ルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値を、0より大きく、
かつ、記録線速度Ｖが12m/s以上、36m/s以下のときに、 ｘ＝ａＶ＋ｂ、 但し 0.011≦ａ≦ 0.016、0.1≦ｂ≦
0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ、 但し 0.008≦ｃ≦ 0.012、0.0≦ｄ≦
0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ、 但し -0.03≦ｅ≦ -0.02、0.8≦ｆ≦
1.5 を満たすように設定する。

【００２０】従って、相変化型の記録層を有する光情報
記録媒体に対してマークエッジ記録にて情報の記録を行
なう際、記録線速度が12m/sから36m/sにおける記録パル
スストラテジを特定化することで、12m/sから36m/sの記
録線速度の範囲でのマルチスピード記録やＣＡＶ記録な
どの異なる線速度による記録時においても、良好な信号
特性で記録することができる。

【００２１】請求項７記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の光情報記録方法を用いて記録された光情報記録
媒体であって、再生信号のジッター特性σ／Ｔが9％以
下、変調度が0.55以上、反射率が16％以上である。

【００２２】従って、マークエッジ記録により情報の記
録を行なう際の記録パルスストラテジを特定化した光情
報記録方法にて記録を行なった光情報記録媒体におい
て、再生信号特性を特定化することで、記録後の光情報
記録媒体の再生装置による再生互換性が高くすることが
できる。

【００２３】請求項８記載の発明は、請求項１、２又は
３記載の光情報記録方法を用いて記録を行なうことが可
能な未記録状態の光情報記録媒体であって、記録後の再
生信号のジッター特性σ／Ｔが9％以下、変調度が0.55
以上、反射率が16％以上となるように調整されている。

【００２４】従って、マークエッジ記録により情報の記
録を行なう際の記録パルスストラテジを特定化した光情
報記録方法にて記録を行なうことが可能な未記録状態の
光情報記録媒体において、記録後の再生信号特性を調整
することで、記録後の光情報記録媒体の再生装置による
再生互換性が高くすることができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図面に基
づいて説明する。まず、本実施の形態の光情報記録媒体
に対して情報の記録・再生を行う装置の概略構成例を図
１に示す。相変化型の光情報記録媒体１をスピンドルモ
ーター２等による駆動手段により回転駆動する一方、記
録・再生用ピックアップ３にてレーザー駆動回路４によ
り半導体レーザーからなるレーザー光源を駆動して、光
学系を介して光情報記録媒体１にレーザー光を照射させ
て、光情報記録媒体１の記録層に相変化を生じさせるこ
とにより情報の記録或いは書き換えを行なう。また、光
情報記録媒体１からの反射光を記録・再生用ピックアッ
プ３で受光することにより、光情報記録媒体１に対する
情報の再生を行なう。

【００２６】ここで、本実施の形態の光情報記録媒体１
の構成例について図２を参照して説明する。基本的な構
成は、同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明基板１１
上に下部保護層１２、記録層１３、上部保護層１４、反
射放熱層１５、オーバーコート層１６を有する。さら
に、オーバーコート１６層上には印刷層１８、基板１１
の鏡面側にはハードコート層１７を有しても良い。

【００２７】上記の単板ディスク１ａを、接着層１９を
介して貼り合わせ構造としても良い。貼り合わせる反対
面のディスク２０は、同様の単板ディスクでも透明基板
のみでも良い。また、単板ディスク１ａに印刷層１８を
形成せずに貼り合わせ、貼り合わせ後に反対面側に印刷
層１８' を形成しても良い。

【００２８】基板１１の材料は、通常ガラス、セラミッ
クス、或いは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの
点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ
素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボ
ネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。

【００２９】記録層１３の材料としては、結晶−アモル
ファス相間の相変化を起こし、各々が安定化又は準安定
化状態をとることができるＳｂ、Ｔｅを含み、その組成
比Ｓｂ_ηＴｅ_100-η（ηは原子％）が40≦η≦80である
相変化型記録材料が、記録（アモルファス化）感度・速
度、消去（結晶化）感度・速度、及び消去比が良好なた
め適している。このＳｂＴｅ材料に、Ｇａ、Ｇｅ、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｓなどの元素を添
加することで、記録・消去感度や信号特性、信頼性など
を改善することができるため、添加した元素やその組成
比によって光情報記録媒体の特性を制御することができ
る。該元素の添加比率は、0.1〜20at％、好適には0.1〜
15at％とするのが良い。20at％より多くすると、全面結
晶化処理（初期化）を良好に行なうことができなくな
る。

【００３０】相変化型の記録層１３の膜厚としては10〜
50nm、好適には12〜30nmとするのが良い。さらにジッタ
ー等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮
すると、好適には14〜25nmとするのが良い。10nmより薄
いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を果
たさなくなる。また、50nmより厚いと高速で均一な相変
化がおこりにくくなる。このような記録層１３は、各種
気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、
プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかで
も、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れてい
る。

【００３１】上記の記録層１３の下層及び上層には、保
護層１２，１４が形成される。保護１２，１４層の材料
としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ
_２Ｏ _３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２など
の金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、Ｚ
ｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ_３、ＴａＳ_４など
の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＢＣ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚｒ
Ｃなどの炭化物やダイヤモンド状カーボン或いは、それ
らの混合物があげられる。これらの材料は、単体で保護
層とすることもできるが、互いの混合物としても良い。
必要に応じて不純物を含んでも良い。また、単層でな
く、二層以上を積層した構造としても良い。ただし、保
護層１２，１４の融点は、相変化型記録層よりも高いこ
とが必要である。このような保護層１２，１４は、各種
気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、
プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかで
も、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れてい
る。

【００３２】下部保護層１２の膜厚は、反射率、変調度
や記録感度に大きく影響する。良好な信号特性を得るた
めには、60〜120nmとすることが要求される。上部保護
層１４の膜厚としては、5〜45nm、好適には7〜40nmとす
るのが良い。5nmより薄くなると耐熱性保護層としての
機能を果たさなくなる。また、記録感度の低下を生じ
る。一方、45nmより厚くなると、界面剥離を生じやすく
なり、繰り返し記録性能も低下する。

【００３３】反射放熱層１５としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃu、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどの金属材料、又はこれら
の元素を含む合金などを用いることができる。また、耐
腐食性の向上、熱伝導率の改善などのために、上記材料
に対してＣｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａな
どの元素を添加しても良い。添加比率は、0.3〜2at％と
するのが適している。0.3at％より少ないと、耐腐食性
の効果に劣る。2at％より多くなると、熱伝導率が上が
りすぎ、アモルファス状態を形成し難くなる。このよう
な反射放熱層１５は、各種気相成長法、例えば、真空蒸
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。合金又は金属層の膜厚としては、50
〜200nm、好適には70〜160nmとするのが良い。また、合
金又は金属層を多層化することも可能である。多層化し
た場合では、各層の膜厚は少なくとも10nm以上必要で、
多層化膜の合計膜厚は50〜160nmとするのが良い。

【００３４】反射放熱層１５の上には、その酸化防止の
ためにオーバーコート層１６が形成される。オーバーコ
ート層１６としては、スピンコートで作製した紫外線硬
化型樹脂が一般的である。その厚さは、3〜15μmが適当
である。3μmより薄くすると、オーバーコート層１６上
に印刷層１８を設ける場合、エラーの増大が認められる
ことがある。一方、１5μmより厚くすると、内部応力が
大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響
してしまう。

【００３５】ハードコート層１７としては、スピンコー
トで作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。その厚
さは、2〜6μｍが適当である。2μｍより薄くすると、
十分な耐擦傷性が得られない。6μｍより厚くすると、
内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に
大きく影響してしまう。その硬度は、布でこすっても大
きな傷がつかない鉛筆硬度であるＨ以上とする必要があ
る。必要に応じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止
を図り、埃等の付着を防止することも効果的である。

【００３６】印刷層１８は、耐擦傷性の確保、ブランド
名などのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対す
るインク受容層の形成などを目的としており、紫外線硬
化型樹脂をスクリーン印刷法にて形成するのが一般的で
ある。その厚さは、3〜50μｍが適当である。3μｍより
薄くすると、層形成時にムラが生じてしまう。50μｍよ
り厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディス
クの機械特性に大きく影響してしまう。

【００３７】接着層１９としては、紫外線硬化型樹脂、
ホットメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用
いることができる。このような接着層１９の材料は、オ
ーバーコート層１６又は印刷層１８上に、材料に応じ
て、スピンコート、ロールコート、スクリーン印刷法な
どの方法により塗布し、紫外線照射、加熱、加圧等の処
理を行なって反対面のディスクと貼り合わせる。反対面
のディスク２０は、同様の単板ディスクでも透明基板の
みでも良く、反対面ディスクの貼り合わせ面について
は、接着層の材料を塗布してもしなくても良い。また、
接着層１９としては、粘着シートを用いることもでき
る。接着層１９の膜厚は特に制限されるものではない
が、材料の塗布性、硬化性、ディスクの機械特性の影響
を考慮すると5〜100μｍが好適である。接着面の範囲は
特に制限されるものではないが、ＤＶＤ及び／又はＣＤ
互換が可能な光情報記録媒体に応用する場合、接着強度
を確保するためには内周端の位置がΦ15〜40mm、好適に
はΦ15〜30mmであることが望ましい。

【００３８】このような基本的な構成において、本実施
の形態では、光情報記録媒体１の記録層１３に対してマ
ークの幅として信号を記録するようマークを記録する、
いわゆるＰＷＭ記録（マークエッジ記録）方式で情報の
記録を行なう。このため、レーザー駆動回路４中に含ま
れる記録手段（図示せず）は、記録すべき信号を変調部
にてクロックを用いて、例えば、書き換え型コンパクト
ディスクの情報記録に適したＥＦＭ（Ｅight-to-Ｆourt
een Ｍodulation）変調方式、或いはその改良変調方式
で変調する。

【００３９】記録手段は、このようなＰＷＭ記録を行な
う際に図３に示すような記録パルスストラテジに従い半
導体レーザーを発光させる。まず、変調後の信号幅がｎ
Ｔ（ｎは所定の値、Ｔはクロック時間：信号の変調に用
いるクロックの周期に相当する時間）である０信号の記
録或いは書き換えを行なう時の記録光をパワーレベルＰ
ｅの連続光として半導体レーザを発光させる。また、変
調後の信号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換え
を行なう時の記録光については、時間幅ｘＴでパワーレ
ベルＰｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅
ｙＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高レ
ベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰ
ｂ’の低レベルパルスとをもつマルチパルス部ｍｐと、
時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅｐとで構成
され、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし、パワーレ
ベルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）
である記録光のパルス列として半導体レーザを発光させ
る。図３は、ｎ＝４、ｎ’＝２のときの例である。

【００４０】記録光のパルス列について、記録線速度が
3m/sから9m/sの範囲において記録を行ない、線速度毎に
時間幅ｘ、ｙ、ｚを変化させた場合のジッター特性σ／
Ｔの評価を行ない、ジッター値が最小になるときのｘ、
ｙ、ｚと記録線速度Ｖとの相関をとると、何れのパルス
においても、ジッター特性が最小値をとる時間幅と記録
線速度とは比例関係となる（図４参照）。従って、最適
な記録パルスストラテジにおけるパルス幅ｘ、ｙ、ｚ
は、各々以下のような記録線速度Ｖの関数で表わされ
る。

【００４１】ｘ＝ａＶ＋ｂ ｙ＝ｃＶ＋ｄ ｚ＝ｅＶ＋ｆ このとき、ａは0.045から0.065が記録後の光情報記録媒
体１における再生信号のジッター特性σ／Ｔが9％以
下、変調度が0.55以上、反射率が16％以上であり、再生
装置による再生互換性が高く、好適である。さらに好適
にはａが0.05から0.06が望ましい。ｂは0.1から0.4が同
様に記録後の光情報記録媒体１の再生装置による再生互
換性が高く、好適である。さらに好適には0.2から0.3が
望ましい。ｃは0.03から0.05が同様に記録後の光情報記
録媒体１の再生装置による再生互換性が高く、好適であ
る。さらに好適には0.035から0.045が望ましい。ｄは0.
0から0.3が同様に記録後の光情報記録媒体１の再生装置
による再生互換性が高く、好適である。さらに好適には
0.15から0.25が望ましい。ｅは-0.12から-0.07が同様に
記録後の光情報記録媒体１の再生装置による再生互換性
が高く、好適である。さらに好適には-0.1から-0.09が
望ましい。ｆは0.8から1.5が同様に記録後の光情報記録
媒体１の再生装置による再生互換性が高く、好適であ
る。さらに好適には1.0から1.2が望ましい。

【００４２】また、記録線速度が6m/sから18m/sの範囲
に適応させるように調整したさせた光情報記録媒体にお
いては、記録後の光情報記録媒体１の再生装置による再
生互換性が高く、好適である範囲として、ａが0.022か
ら0.033、ｃが0.015から0.025、ｅが-0.06から-0.035が
望ましい。ｂ，ｄ，ｆは記録線速度が3m/sから9m/sの場
合と同様である。

【００４３】記録線速度が12m/sから36m/sの範囲に適応
させるように調整した光情報記録媒体においては、好適
である範囲として、ａが0.011から0.016、ｃが0.008か
ら0.012、ｅが-0.03から-0.02が望ましい。ｂ，ｄ，ｆ
は記録線速度が3m/sから9m/sの場合と同様である。

【００４４】上記の関係式に基づき、記録線速度毎に記
録パルスストラテジを設定して記録を行なう方法を採用
することで、各々の光情報記録媒体１において、マルチ
スピード記録及びＣＡＶ記録に対応することができる。

【００４５】

【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。

【００４６】射出成形によりポリカーボネート基板１１
を形成し、この基板１１に、下部保護層１２、記録層１
３、上部保護層１４及び反射放熱層１５を順次スパッタ
リング法により積層した。下部保護層１２にはＺｎＳＳ
ｉＯ_２を、上部保護層１４にはＺｎＳＳｉＯ_２とＳｉＣ
を積層し、膜厚は各々80nm、10nm、5nmとした。記録層
１３はＡｇＧｅＩｎＳｂＴｅ系相変化記録材料を用い、
膜厚は15nmとした。反射放熱層１５にはＡｇを使用し、
基板／ＺｎＳＳｉＯ_２（80nm）／記録層（15nm）／Ｚｎ
ＳＳｉＯ_２（10nm）／ＳｉＣ（5nm）／Ａｇ（140nm）と
いう層構成を形成した。さらに、反射放熱層１５上に紫
外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層
１６を形成し、相変化型光情報記録媒体１の単板ディス
ク１ａを作成した。次に、オーバーコート層１６上に接
着層１９を介してポリカーボネート基板２０を貼り合わ
せ、ポリカーボネート基板２０の表面（貼り合わせ面の
反対面）側に印刷層１８´を形成し、貼り合わせディス
クを得た。その後、大口径ＬＤ（ビーム径200×1μｍ）
を有する初期化装置によって、相変化型の光情報記録媒
体１の記録層１３の全面結晶化を行なった。

【００４７】このようにして得た光情報記録媒体１に対
して、3m/sから9m/sの範囲の記録線速度にて記録を行な
い、各々の線速度において、ｘ、ｙ、ｚを変化させた場
合のジッター特性σ／Ｔの評価を行ない、ジッター値が
最小になるときのｘ、ｙ、ｚの値を求めた。このときの
ｘ、ｙ、ｚの値と記録線速度Ｖとの相関を図３に示す。
ｘ、ｙ、ｚの何れの場合も記録線速度Ｖと比例関係とな
っており、その関係式は以下の通りであった。

【００４８】ｘ＝0.06Ｖ＋0.2 ｙ＝0.035Ｖ＋0.25 ｚ＝-0.1Ｖ＋1.2

【００４９】

【発明の効果】請求項１，４記載の発明によれば、相変
化型の記録層を有する光情報記録媒体に対してマークエ
ッジ記録にて情報の記録を行なう際、記録線速度が3m/s
から9m/sにおける記録パルスストラテジを特定化するこ
とで、3m/sから9m/sの記録線速度の範囲でのマルチスピ
ード記録やＣＡＶ記録などの異なる線速度による記録時
においても、良好な信号特性で記録することができる。

【００５０】請求項２，５記載の発明によれば、相変化
型の記録層を有する光情報記録媒体に対してマークエッ
ジ記録にて情報の記録を行なう際、記録線速度が6m/sか
ら18m/sにおける記録パルスストラテジを特定化するこ
とで、6m/sから18m/sの記録線速度の範囲でのマルチス
ピード記録やＣＡＶ記録などの異なる線速度による記録
時においても、良好な信号特性で記録することができ
る。

【００５１】請求項３，６記載の発明によれば、相変化
型の記録層を有する光情報記録媒体に対してマークエッ
ジ記録にて情報の記録を行なう際、記録線速度が12m/s
から36m/sにおける記録パルスストラテジを特定化する
ことで、12m/sから36m/sの記録線速度の範囲でのマルチ
スピード記録やＣＡＶ記録などの異なる線速度による記
録時においても、良好な信号特性で記録することができ
る。

【００５２】請求項７記載の発明によれば、マークエッ
ジ記録により情報の記録を行なう際の記録パルスストラ
テジを特定化した光情報記録方法にて記録を行なった光
情報記録媒体において、再生信号特性を特定化すること
で、記録後の光情報記録媒体の再生装置による再生互換
性が高くすることができる。

【００５３】請求項８記載の発明によれば、マークエッ
ジ記録により情報の記録を行なう際の記録パルスストラ
テジを特定化した光情報記録方法にて記録を行なうこと
が可能な未記録状態の光情報記録媒体において、記録後
の再生信号特性を調整することで、記録後の光情報記録
媒体の再生装置による再生互換性が高くすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態を示す記録再生装置の概
略構成図である。

【図２】相変化型の光情報記録媒体の構成例を示す模式
的断面図である。

【図３】記録パルスストラテジを示す説明図である。

【図４】記録線速度依存性を示す特性図である。

【符号の説明】

１ 光情報記録媒体 １３ 相変化型の記録層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明
   基板上に少なくとも相変化型の記録層を有する光情報記
   録媒体に対して、レーザー光を照射することにより前記
   記録層に相変化を生じさせて情報の記録或いは書き換え
   を行なう光情報記録方法であって、 マークエッジ記録により情報の記録を行なう際、 信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録
   或いは書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰ
   ｅの連続光とし、 信号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換えを行な
   う場合の記録波については、時間幅ｘＴでパワーレベル
   Ｐｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅ｙＴ
   でパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高レベル
   パルスの間に時間幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂ'
   の低レベルパルスとをもつマルチパルス部ｍｐと、時間
   幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅｐとで構成さ
   れ、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし、パワーレベ
   ルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）で
   ある記録光のパルス列を用い、 前記パルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値を、0より大
   きく、かつ、記録線速度Ｖが3m/s以上、9m/s以下のとき
   には、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.045≦ａ≦0.065、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.03 ≦ｃ≦0.05、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.12≦ｅ≦-0.07、0.8≦ｆ≦1.5 を満たすように設定したことを特徴とする光情報記録方
   法。
2. 【請求項２】 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明
   基板上に少なくとも相変化型の記録層を有する光情報記
   録媒体に対して、レーザー光を照射することにより前記
   記録層に相変化を生じさせて情報の記録或いは書き換え
   を行なう光情報記録方法であって、 マークエッジ記録により情報の記録を行なう際、 信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録
   或いは書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰ
   ｅの連続光とし、 信号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換えを行な
   う場合の記録波については、時間幅ｘＴでパワーレベル
   Ｐｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅ｙＴ
   でパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高レベル
   パルスの間に時間幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂ'
   の低レベルパルスとをもつマルチパルス部ｍｐと、時間
   幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅｐとで構成さ
   れ、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし、パワーレベ
   ルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）で
   ある記録光のパルス列を用い、 前記パルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値を、0より大
   きく、かつ、記録線速度Ｖが6m/s以上、18m/s以下のと
   きに、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.022≦ａ≦0.033、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.015≦ｃ≦0.025、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.06≦ｅ≦-0.035、0.8≦ｆ≦1.
   5 を満たすように設定したことを特徴とする光情報記録方
   法。
3. 【請求項３】 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明
   基板上に少なくとも相変化型の記録層を有する光情報記
   録媒体に対して、レーザー光を照射することにより前記
   記録層に相変化を生じさせて情報の記録或いは書き換え
   を行なう光情報記録方法であって、 マークエッジ記録により情報の記録を行なう際、 信号幅がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録
   或いは書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰ
   ｅの連続光とし、 信号幅がｎＴである１信号の記録或いは書き換えを行な
   う場合の記録波については、時間幅ｘＴでパワーレベル
   Ｐｗのパルス部ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅ｙＴ
   でパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高レベル
   パルスの間に時間幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂ'
   の低レベルパルスとをもつマルチパルス部ｍｐと、時間
   幅ｚＴでパワーレベルＰｂのパルス部ｅｐとで構成さ
   れ、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし、パワーレベ
   ルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）で
   ある記録光のパルス列を用い、 前記パルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚの値を、0より大
   きく、かつ、記録線速度Ｖが12m/s以上、36m/s以下のと
   きに、 ｘ＝ａＶ＋ｂ、 但し 0.011≦ａ≦ 0.016、0.1≦ｂ≦
   0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ、 但し 0.008≦ｃ≦ 0.012、0.0≦ｄ≦
   0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ、 但し -0.03≦ｅ≦ -0.02、0.8≦ｆ≦
   1.5 を満たすように設定したことを特徴とする光情報記録方
   法。
4. 【請求項４】 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明
   基板上に少なくとも相変化型の記録層を有する光情報記
   録媒体に対して、レーザー光源からのレーザー光を照射
   することにより前記記録層に相変化を生じさせて情報の
   記録或いは書き換えを行なう光情報記録装置であって、 マークエッジ記録により情報の記録を行なう際、信号幅
   がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録或いは
   書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰｅの連
   続光として前記レーザ光源を発光させ、信号幅がｎＴで
   ある１信号の記録或いは書き換えを行なう場合の記録波
   については、時間幅ｘＴでパワーレベルＰｗのパルス部
   ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅ｙＴでパワーレベル
   Ｐｗ’の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時
   間幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂ' の低レベルパル
   スとをもつマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワー
   レベルＰｂのパルス部ｅｐとで構成され、ｎ及びｎ’を
   ｎ’≦ｎの正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰ
   ｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）である記録光のパル
   ス列を用いて前記レーザ光源を発光させる記録手段を備
   え、 前記記録手段は、前記パルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚ
   の値を、0より大きく、かつ、記録線速度Ｖが3m/s以
   上、9m/s以下のときには、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.045≦ａ≦0.065、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.03 ≦ｃ≦0.05、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.12≦ｅ≦-0.07、0.8≦ｆ≦1.5 を満たすように設定することを特徴とする光情報記録装
   置。
5. 【請求項５】 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明
   基板上に少なくとも相変化型の記録層を有する光情報記
   録媒体に対して、レーザー光源からのレーザー光を照射
   することにより前記記録層に相変化を生じさせて情報の
   記録或いは書き換えを行なう光情報記録装置であって、 マークエッジ記録により情報の記録を行なう際、信号幅
   がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録或いは
   書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰｅの連
   続光として前記レーザ光源を発光させ、信号幅がｎＴで
   ある１信号の記録或いは書き換えを行なう場合の記録波
   については、時間幅ｘＴでパワーレベルＰｗのパルス部
   ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅ｙＴでパワーレベル
   Ｐｗ’の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時
   間幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂ' の低レベルパル
   スとをもつマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワー
   レベルＰｂのパルス部ｅｐとで構成され、ｎ及びｎ’を
   ｎ’≦ｎの正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰ
   ｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）である記録光のパル
   ス列を用いて前記レーザ光源を発光させる記録手段を備
   え、 前記記録手段は、前記パルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚ
   の値を、0より大きく、かつ、記録線速度Ｖが6m/s以
   上、18m/s以下のときに、 ｘ＝ａＶ＋ｂ 但し 0.022≦ａ≦0.033、0.1≦ｂ≦0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ 但し 0.015≦ｃ≦0.025、0.0≦ｄ≦0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ 但し -0.06≦ｅ≦-0.035、0.8≦ｆ≦1.
   5 を満たすように設定することを特徴とする光情報記録装
   置。
6. 【請求項６】 同心円又は螺旋状の案内溝を有する透明
   基板上に少なくとも相変化型の記録層を有する光情報記
   録媒体に対して、レーザー光源からのレーザー光を照射
   することにより前記記録層に相変化を生じさせて情報の
   記録或いは書き換えを行なう光情報記録装置であって、 マークエッジ記録により情報の記録を行なう際、信号幅
   がｎＴ（Ｔはクロック時間）である０信号の記録或いは
   書き換えを行なう場合の記録波をパワーレベルＰｅの連
   続光として前記レーザ光源を発光させ、信号幅がｎＴで
   ある１信号の記録或いは書き換えを行なう場合の記録波
   については、時間幅ｘＴでパワーレベルＰｗのパルス部
   ｆｐと、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅ｙＴでパワーレベル
   Ｐｗ’の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時
   間幅（１−ｙ）ＴでパワーレベルＰｂ' の低レベルパル
   スとをもつマルチパルス部ｍｐと、時間幅ｚＴでパワー
   レベルＰｂのパルス部ｅｐとで構成され、ｎ及びｎ’を
   ｎ’≦ｎの正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰ
   ｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）である記録光のパル
   ス列を用いて前記レーザ光源を発光させる記録手段を備
   え、 前記記録手段は、前記パルス列に関する前記ｘ、ｙ、ｚ
   の値を、0より大きく、かつ、記録線速度Ｖが12m/s以
   上、36m/s以下のときに、 ｘ＝ａＶ＋ｂ、 但し 0.011≦ａ≦ 0.016、0.1≦ｂ≦
   0.4 ｙ＝ｃＶ＋ｄ、 但し 0.008≦ｃ≦ 0.012、0.0≦ｄ≦
   0.3 ｚ＝ｅＶ＋ｆ、 但し -0.03≦ｅ≦ -0.02、0.8≦ｆ≦
   1.5 を満たすように設定することを特徴とする光情報記録装
   置。
7. 【請求項７】 請求項１，２又は３記載の光情報記録方
   法を用いて記録された光情報記録媒体であって、再生信
   号のジッター特性σ／Ｔが9％以下、変調度が0.55以
   上、反射率が16％以上であることを特徴とする光情報記
   録媒体。
8. 【請求項８】 請求項１、２又は３記載の光情報記録方
   法を用いて記録を行なうことが可能な未記録状態の光情
   報記録媒体であって、記録後の再生信号のジッター特性
   σ／Ｔが9％以下、変調度が0.55以上、反射率が16％以
   上となるように調整されていることを特徴とする光情報
   記録媒体。