JP4334442B2 - 情報記録方法、情報記録装置、光情報記録媒体、情報記録用プログラム及び記憶媒体 - Google Patents

情報記録方法、情報記録装置、光情報記録媒体、情報記録用プログラム及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、レーザ光を照射することにより相変化記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録を行う情報記録方法、情報記録装置、情報記録用プログラム及び記憶媒体、並びに光情報記録媒体に関する。
レーザ光の照射により記録又は再生を行う光情報記録媒体としては、再生専用の光情報記録媒体の他に、１回だけ情報を書込むことができる追記型光情報記録媒体と、情報の書換えが可能な書換え型光情報記録媒体がある。
書換え型光情報記録媒体のうち、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどについては、記録層の材料として、結晶−非結晶相間又は結晶−結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化材料を使用している。一般に、これらの相変化型光情報記録媒体では、情報の記録又は書換え（以下、書換えを含めて適宜、「記録」という）を行う際、オーバーライトを良好に行うために、レーザ光のパワーレベルを記録レベル（加熱パルス）、バイアスレベル（冷却パルス）、消去レベルの３段階に変調させたパルスパターンを使用している。
このパルスパターンの詳細な条件については、記録する線速度、情報記録装置のパルス立上りの精度、光情報記録媒体の材料や構成などによって異なる。
例えば、同じ情報記録装置を用いて同じ光情報記録媒体へ記録する場合においても、低線速度領域よりも高線速度領域の方が記録層を昇温させるために必要なエネルギー量が大きくなるため、高線速度領域における記録パワーを低線速度領域よりも高くする、或いは、記録パルスパターンにおける加熱パルスと冷却パルスの組合せからなるマルチパルス部における加熱パルスが掛かる時間幅を長くする、などの条件を用いることとなる。
そのため、光情報記録媒体には、記録線速度毎に標準的なパルスパターンについての情報を入力することになっていることが多いが、情報記録装置の機種差によって、必ずしもその条件での記録では、良好な特性での記録を行うことができるとは限らない。
このように、パルスパターンの詳細な記録条件は、情報記録装置、光情報記録媒体及び記録線速度の組合せによって最適な条件が異なっているため、良好な特性で記録を行うためには、各々の組合せ毎に適正な条件を設定する必要が生じる。
そのため、現状の一般的な情報記録装置では、予め各々の光情報記録媒体と記録線速度において、カスタマイズした記録条件を設定して、その条件をメモリに格納しておき、光情報記録媒体が投入された際に、その光情報記録媒体の種類を認識して、設定してある記録条件を読み出してきて、記録を実行していることが多い。
或いは、特許文献１に示されるように、光情報記録媒体が書き込み可能領域を有し、この記録エリアに個別的なドライブコントロール情報を記録しており、光記録、光再生をこのドライブコントロール情報による最適条件にて行うようにしている。
さらには、特許文献２に示されるように、以前の記録の際に用いた装置と同一の場合や、前回の記録から所定期間経過していない場合で既に光情報記録媒体にその装置に最適なパラメータが記録されている場合には、最適なパラメータを求めないで、媒体に記録されている最適なパラメータに基づいて情報を記録し、或いは、所定のパラメータのみを選択して最適なパラメータを求め、求めた最適パラメータに基づいて情報を記録するようにしている。
特開２００１−２８３４４３公報 特開２００３−１０９２１８公報 特開平１１−１１５３１３号公報 特開２００２−３５８６９１公報 特開２００３−３２２７４０公報
しかしながら、その方法では、情報記録装置が市場に出た後に発売されて当該情報記録装置が認識できない光情報記録媒体、或いは、当該情報記録装置による記録方法の条件が設定されていない光情報記録媒体については、記録を行うことができない。仮に、記録動作を行うことができる場合でも、元々設定してある条件の一つを使用して記録動作を実行してしまうことになるため、良好な特性での記録を行うことができないことが多く、様々な光情報記録媒体への対応について、汎用性に乏しい。
例えば、記録方法が設定されていない光情報記録媒体が装填された際には、元々設定してある条件の一つを使用して記録動作を実行してしまう情報記録装置に対して、この情報記録装置による記録方法が設定されてなく、かつ、最高記録線速度（ＶＭｈ）が当該情報記録装置に元々設定されている最高記録線速度（ＶＡｈ）よりも高い（ＶＭｈ＞ＶＡｈ）ような光情報記録媒体を装填したとき、当該情報記録装置は、この光情報記録媒体に対しても、線速度ＶＡｈにて元々設定してある条件の一つを使用して記録動作を実行することになり、この光情報記録媒体を線速度ＶＡｈにて記録する場合における適正な記録パワー及び記録パルスパターンを使用した記録を行うことができないため、良好な特性での記録ができずに、記録されていたデータを壊したり、情報記録装置でマウントすることができない光情報記録媒体となったりすることがある。
このように、情報記録装置が認識できない光情報記録媒体、或いは、情報記録装置による記録方法の条件が設定されていない光情報記録媒体の使用には様々な不具合が多く、事実上使用することが困難であるため、情報記録装置が発売されてある程度の期間が経ち、例に挙げたような最高線速度の向上した光情報記録媒体の新機種が市場に立ち並ぶ頃には、情報記録装置の製品寿命は終了してしまうことになってしまう。そして、このことは、情報記録装置の多量廃棄を産む原因にもなる。
このような問題を避けるため、情報記録装置にとっては既知ではない光情報記録媒体であっても、良好な特性での記録を行うことができるようにするために、情報記録装置に内蔵された記録方法についての情報を書換えて、当該光情報記録媒体を既知のものとし、記録方法の情報を持たせることによって、対応を行うことができる。その方法として、現状では、インターネット上の情報記録装置メーカ各社のホームページ上に掲載されているファームウェアのバージョンアップソフトにより導入する手法が採られているが、この方法では、ユーザが各自で実施することになり、各ユーザの自由意思や作業スキルに依存してしまうため、実際に導入される率が低く、実用的ではない。
加えて、新たな光情報記録媒体が市場に投入される度に対応を行う必要があり、バージョンアップしたファームウェアを準備する情報記録装置メーカにとっても、その都度ファームウェアの変更を要求されるユーザにとっても、負荷が大きく、この点からも、実用的とは言えない。
そのため、情報記録装置にとっては既知ではない光情報記録媒体であっても、良好な特性での記録を行う条件を設定できる方法が必要とされる。このときの最適な記録条件は、前述したように、光情報記録媒体の材料、構造、仕様や情報記録装置の構成・仕様などによって異なる。そのため、未知の光情報記録媒体に対し、既存の情報記録装置において良好な信号特性での記録に行うための設定を容易に行うことができるようにするためには、適正な記録条件の設定方法についての明確な指標となる光情報記録媒体の特性値を決めることが望ましい。
本発明の目的は、光情報記録媒体への情報記録に際して、既存の情報記録装置にとって未知の光情報記録媒体であっても、当該光情報記録媒体と当該情報記録装置との組合せにおける適正な記録方法を選択する方法を決めることにより、情報記録装置が光情報記録媒体に対して良好な特性での記録を行えるようにすることである。
請求項１記載の発明は、案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体に対して、時間的長さｎＴ（ｎは自然数、Ｔは基本クロック周期）の記録マーク及びマーク間でＰＷＭ変調方式に従い、強度変調させたパルスパターンにより発光させたレーザ光を照射することにより前記相変化記録層に相変化を生じさせることで、情報の記録を行う情報記録方法において、記録動作実行に先立ち、対象となる光情報記録媒体に対して消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏを求めるステップと、前記転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作を行うステップを有する。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の情報記録方法において、転位線速度Ｖｏを求める際に照射する連続光の消去パワーレベルＰｅを、強度変調させたパルスパターンを用いて記録を実行する場合における最適な記録パワーレベルＰｗｏに対して、
（Ｐｗｏ／２）≦Ｐｅ≦（Ｐｗｏ／２）×１．５
とする。
請求項３記載の発明は、請求項２記載の情報記録方法において、消去パワーレベルＰｅを規定するための最適な記録パワーレベルＰｗｏは、ＯＰＣ（Optimum Power Control）法による試し書き記録により決定された値である。
請求項４記載の発明は、請求項１又は２記載の情報記録方法において、転位線速度Ｖｏを求める際に、前記光情報記録媒体の回転速度を変化させるとともに、当該光情報記録媒体のデータ領域よりも外周部の領域を使用して反射光強度の測定を実行することで、異なる線速度における反射光強度比Ｒｒを求めることにより、転位線速度Ｖｏを求める。
請求項５記載の発明は、請求項１又は２記載の情報記録方法において、転位線速度Ｖｏを求める際に、前記光情報記録媒体をＣＡＶ方式で回転させながら、内周部から外周部まで測定位置を変化させて反射光強度の測定を実行することで、異なる線速度における反射光強度比Ｒｒを求めることにより、転位線速度Ｖｏを求める。
請求項６記載の発明は、請求項１又は２記載の情報記録方法において、求められた転位線速度Ｖｏを含む線速度範囲について全面又は部分ＣＡＶ方式で記録を行うとき、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度で、消去パワーレベル比ε（ε＝消去パワーレベルＰｅ／記録パワーレベルＰｗ）を切換える。
請求項７記載の発明は、請求項６記載の情報記録方法において、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度領域における消去パワーレベル比εＬと、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域における消去パワーレベル比εＨとの比（εＨ ／εＬ ）が、（εＨ ／εＬ ）＜１である。
請求項８記載の発明は、請求項１ないし７の何れか一記載の情報記録方法において、転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている光情報記録媒体を対象とする場合、転位線速度Ｖｏを求める際に、当該光情報記録媒体からテスト線速度範囲に関する情報を取得して転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲を決定するようにした。
請求項９記載の発明は、請求項１ないし７の何れか一記載の情報記録方法において、転位線速度Ｖｏを求める際に使用される連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている光情報記録媒体を対象とする場合、転位線速度Ｖｏを求める際に、当該光情報記録媒体から連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報を取得して転位線速度Ｖｏを求める際の連続光のパワーレベルＰｅを決定するようにした。
請求項１０記載の発明の光情報記録媒体は、消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作が行われる案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体であって、前記転位線速度Ｖｏを求める際に用いられるテスト線速度範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている。
請求項１１記載の発明の光情報記録媒体は、消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作が行われる案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体であって、前記転位線速度Ｖｏを求める際に使用される連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている。
請求項１２記載の発明は、請求項１０又は１１記載の光情報記録媒体において、プリフォーマット情報は、グルーブのウォブリングにエンコードされている。
請求項１３記載の発明は、請求項１２記載の光情報記録媒体において、プリフォーマット情報は、ウォブリングの位相変調によって記録されている。
請求項１４記載の発明は、案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体に対して、時間的長さｎＴ（ｎは自然数、Ｔは基本クロック周期）の記録マーク及びマーク間でＰＷＭ変調方式に従い、強度変調させたパルスパターンにより発光させたレーザ光を照射することにより前記相変化記録層に相変化を生じさせることで、情報の記録を行う情報記録装置において、前記光情報記録媒体を回転させる回転駆動機構と、前記光情報記録媒体に対して照射するレーザ光を発するレーザ光源と、このレーザ光源を発光させる光源駆動手段と、回転駆動される前記光情報記録媒体とこの光情報記録媒体に照射されるレーザ光との間の相対的な線速度を制御しながら、前記光源駆動手段をＰＷＭ変調方式に従い制御して前記レーザ光源を発光させることで前記光情報記録媒体に対する情報の記録を行わせる記録動作実行手段と、記録動作実行に先立ち、対象となる光情報記録媒体に対して消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏを求める転位線速度測定手段と、この転位線速度測定手段により求められた転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作を実行するように前記記録動作実行手段により実行される記録動作を制御する記録動作制御手段と、を備える。
請求項１５記載の発明は、請求項１４記載の情報記録装置において、前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に照射する連続光の消去パワーレベルＰｅが、強度変調させたパルスパターンを用いて記録を実行する場合における最適な記録パワーレベルＰｗｏに対して、
（Ｐｗｏ／２）≦Ｐｅ≦（Ｐｗｏ／２）×１．５
となるように前記光源駆動手段を制御する。
請求項１６記載の発明は、請求項１５記載の情報記録装置において、記録動作に先立ち、光情報記録媒体に対してＯＰＣ（Optimum Power Control）法による試し書き記録を行い最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めるＯＰＣ手段を備え、前記転位線速度測定手段は、消去パワーレベルＰｅを規定するための最適な記録パワーレベルＰｗｏとして、ＯＰＣ（Optimum Power Control）法による試し書き記録により決定された値を用いる。
請求項１７記載の発明は、請求項１４又は１５記載の情報記録装置において、前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に、前記光情報記録媒体の回転速度を変化させるとともに、当該光情報記録媒体のデータ領域よりも外周部の領域を使用して反射光強度の測定を実行することで、異なる線速度における反射光強度比Ｒｒを求めることにより、転位線速度Ｖｏを求める。
請求項１８記載の発明は、請求項１４又は１５記載の情報記録装置において、前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に、前記光情報記録媒体をＣＡＶ方式で回転させながら、内周部から外周部まで測定位置を変化させて反射光強度の測定を実行することで、異なる線速度における反射光強度比Ｒｒを求めることにより、転位線速度Ｖｏを求める。
請求項１９記載の発明は、請求項１４又は１５記載の情報記録装置において、前記記録動作制御手段は、求められた転位線速度Ｖｏを含む線速度範囲について全面又は部分ＣＡＶ方式で記録を行うとき、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度で、消去パワーレベル比ε（ε＝消去パワーレベルＰｅ／記録パワーレベルＰｗ）を切換えるように前記記録動作実行手段により実行される記録動作を制御する。
請求項２０記載の発明は、請求項１９記載の情報記録装置において、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度領域における消去パワーレベル比εＬと、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域における消去パワーレベル比εＨとの比（εＨ ／εＬ ）が、（εＨ ／εＬ ）＜１である。
請求項２１記載の発明は、請求項１４ないし２０の何れか一記載の情報記録装置において、転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている光情報記録媒体を対象とする場合、前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に、当該光情報記録媒体からテスト線速度範囲に関する情報を取得して転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲を決定する。
請求項２２記載の発明は、請求項１４ないし２０の何れか一記載の情報記録装置において、転位線速度Ｖｏを求める際に使用される連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている光情報記録媒体を対象とする場合、前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に、当該光情報記録媒体から連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報を取得して転位線速度Ｖｏを求める際の連続光のパワーレベルＰｅを決定する。
請求項２３記載の発明のプログラムは、案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体に対して、時間的長さｎＴ（ｎは自然数、Ｔは基本クロック周期）の記録マーク及びマーク間でＰＷＭ変調方式に従い、強度変調させたパルスパターンにより発光させたレーザ光を照射することにより前記転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作を行い、前記相変化記録層に相変化を生じさせることで、情報の記録を行う情報記録装置が備えるコンピュータにインストールされ、当該コンピュータに、記録動作実行に先立ち、対象となる光情報記録媒体に対して消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏを求める転位線速度測定処理を実行させる。

請求項２４記載の発明のコンピュータ読取り可能な記憶媒体は、請求項２３記載のプログラムを格納している。
請求項１，１４，２３，２４記載の発明によれば、レーザ光照射による加熱後、記録層を再結晶化できる限界の条件、記録層全体を結晶化することができなくなり始める条件を示す転位線速度は、相変化型の光情報記録媒体において消去（書換え）を行うことができる限界の条件を示すこととなり、転位線速度が高いほど再結晶化しやすく高い線速度でも消去可能なことから高線速度記録向きの媒体となり、転位線速度が低いほど再結晶化しにくく低線速度記録向きの媒体となる。つまり、転位線速度は、相変化型の光情報記録媒体の適正な記録線速度に対する指標となるパラメータといえる。そこで、対象となる光情報記録媒体の転位線速度を求めてから、当該光情報記録媒体に対する記録動作について特定化することで、未知の光情報記録媒体であっても、記録できる線速度範囲についての適正な情報を得ることができるため、適正な線速度での記録を実行することができる。
請求項２，１５記載の発明によれば、転位線速度を求める際に用いられる連続光の消去パワーレベルＰｅの適正値を特定化することで、転位線速度の測定精度を高めることができる。
請求項３，１６記載の発明によれば、転位線速度を求める際に用いられる連続光の消去パワーレベルの適正値を特定化することで、転位線速度の測定精度を高めることができる。
請求項４，１７記載の発明によれば、ＣＬＶ方式で転位線速度を求める際の手法を特定化することで、転位線速度の測定精度を高めることができる。
請求項５，１８記載の発明によれば、ＣＡＶ方式で転位線速度を求める際の手法を特定化することで、転位線速度の測定精度を高めることができる。
尚、本明細書に記載の発明によれば、転位線速度を指標にして、適正な記録方法を選択する方法を特定化することで、良好な信号特性での光情報記録媒体への記録を実行することができる。特に、転位線速度が高いほど再結晶化しやすく高い線速度でも消去可能なことから高線速度向きの媒体の場合に好適となり、かつ、より高速での記録を重視する場合の記録に好適となる。
請求項６，１９記載の発明によれば、転位線速度を指標にして、適正な記録方法を選択する方法を特定化することで、良好な信号特性での光情報記録媒体への記録を実行することができる。
請求項７，２０記載の発明によれば、転位線速度を指標にして、適正な記録方法を選択する方法を特定化することで、良好な信号特性での光情報記録媒体への記録を実行することができる。
請求項８，２１記載の発明によれば、転位線速度を求めるための条件を光情報記録媒体にプリフォーマットされている情報を利用して決定することにより、転位線速度を、迅速に、かつ高い精度で求めることができる。
請求項９，２２記載の発明によれば、転位線速度を求めるための条件を光情報記録媒体にプリフォーマットされている情報を利用して決定することにより、転位線速度を、迅速に、かつ高い精度で求めることができる。
請求項１０記載の発明によれば、転位線速度を求めるための条件が光情報記録媒体にプリフォーマットされているので、転位線速度を求める際にこの情報を提供することにより、転位線速度を、迅速に、かつ高い精度で求めることができる。
請求項１１記載の発明によれば、転位線速度を求めるための条件が光情報記録媒体にプリフォーマットされているので、転位線速度を求める際にこの情報を提供することにより、転位線速度を、迅速に、かつ高い精度で求めることができる。
請求項１２記載の発明によれば、転位線速度を求めるための指標を入力する手法を特定化することで、良好な信号特性での記録が可能な光情報記録媒体を提供することができる。特に、グルーブのウォブリングに記録しているため、媒体の記録容量を犠牲にすることなく、数多くのパラメータをプリフォーマットすることが可能となる。
請求項１３記載の発明によれば、転位線速度を求めるための指標に関する情報が、ウォブリングの位相変調によって記録されているので、いわゆる書換え可能なＤＶＤ系の光情報記録媒体の場合に好適に適用できる。
以上
本発明を実施するための最良の形態について図面に基づいて説明する。
［情報記録装置の構成例］
図１は本実施の形態の情報記録方法が用いられる情報記録装置の一例のハードウェア構成例を示す概略ブロック図である。この情報記録装置は、例えばＣＤ／ＤＶＤ用の光ディスクドライブであり、例えば、ホスト（図示せず）に接続されて使用される。当該情報記録装置は、ＣＤ／ＤＶＤ等の光情報記録媒体１を回転駆動するためのスピンドルモータ２、光ピックアップ装置３、レーザコントロール回路４、エンコーダ５、モータドライバ６、再生信号処理回路７、サーボコントローラ８、バッファＲＡＭ９、バッファマネージャ１０、インターフェース１１、ＲＯＭ１２、ＣＰＵ１３及びＲＡＭ１４などを備えている。なお、図１中の接続線は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。
光ピックアップ装置３は、光源としての半導体レーザ、この半導体レーザから出射される光束を光情報記録媒体１の記録面に導くとともに、この記録面で反射された戻り光束を所定の受光位置まで導く光学系、その受光位置に配置され戻り光束を受光する受光素子、及び、駆動系（フォーカシングアクチュエータ、トラッキングアクチュエータ、シークモータ等）（何れも図示せず）などを含んで構成されている。受光素子からは、その受光量に応じた電流（電流信号）が再生信号処理回路１７に出力される。
再生信号処理回路７は、光ピックアップ装置３の出力信号である電流信号を電圧信号に変換し、この電圧信号に基づいてウォブル信号、ＲＦ信号及びサーボ信号（フォーカスエラー信号やトラックエラー信号など）を検出する。再生信号処理回路７では、ウォブル信号からＡＤＩＰ（Address In Pre-groove）情報及び同期信号などを抽出する。ここで抽出されたＡＤＩＰ情報はＣＰＵ１３に出力され、同期信号はエンコーダ５に出力される。さらに、再生信号処理回路７は、ＲＦ信号に対して誤り訂正処理等を行った後、バッファマネージャ１０を介してバッファＲＡＭ９に格納する。また、フォーカスエラー信号及びトラックエラー信号は、再生信号処理回路７からサーボコントローラ８に出力される。
サーボコントローラ８は、フォーカスエラー信号に基づいて光ピックアップ装置３のフォーカシングアクチュエータを制御する制御信号を生成し、トラックエラー信号に基づいて光ピックアップ装置３のトラッキングアクチュエータを制御する制御信号を生成する。各制御信号はサーボコントローラ８からモータドライバ６に各々出力される。
バッファマネージャ１０は、バッファＲＡＭ９へのデータの入出力を管理し、蓄積されたデータ量が所定の値になると、ＣＰＵ１３に通知する。
モータドライバ６は、サーボコントローラ８からの制御信号に基づいて、光ピックアップ装置３のフォーカシングアクチュエータ及びトラッキングアクチュエータを駆動する。また、モータドライバ６は、ＣＰＵ１３の指示に基づいて、光情報記録媒体１をＣＬＶ方式（線速度一定方式）又はＣＡＶ方式（角速度一定方式；全面ＣＡＶ方式又は部分ＣＡＶ方式）でスピンドルモータ２を制御する。さらに、モータドライバ６は、ＣＰＵ１３の指示に基づいて、光ピックアップ装置３のシークモータを駆動し、光ピックアップ装置３のスレッジ方向（光情報記録媒体１の半径方向）の位置を制御する。
エンコーダ５は、ＣＰＵ１３の指示に基づいて、バッファマネージャ１０を介してバッファＲＡＭ９から取り出したデータに対してエラー訂正コードの付加などを行い、光情報記録媒体１への書き込みデータを作成するとともに、再生信号処理回路７からの同期信号に同期して、書き込みデータをレーザコントロール回路４に出力する。
レーザコントロール回路４では、エンコーダ５からの書き込みデータ及びＣＰＵ１３の指示に基づいて、光ピックアップ装置３の半導体レーザの出力を制御する。
インターフェース１１は、ホストとの双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（AT Attachment Packet Interface）及びＳＣＳＩ（Small Computer System Interface）等の標準インターフェースに準拠している。
記憶媒体としても機能するＲＯＭ１２には、ＣＰＵ１３により解読可能なコードで記述された後述するような情報記録用プログラムを含むプログラム等が格納されている。なお、情報記録装置の電源がオン状態になると、当該制御プログラムはメインメモリ（図示せず）にロード（インストール）され、ＣＰＵ１３はそのプログラムに従って上記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータ等を一時的にＲＡＭ１４に保存する。即ち、ＣＰＵ１３はＲＯＭ１２及びＲＡＭ１４とともに当該情報記録装置が備えるコンピュータを構成している。
［光情報記録媒体の構成例］
ここで、光情報記録媒体１としては、ＣＤ／ＤＶＤの何れも使用可能であるが、本実施の形態では、特に相変化型光情報記録媒体の使用を想定している。後述する情報記録方法への適用に好適な光情報記録媒体１の一例を図２に示す。基本的な構成は、螺旋状又は同心円状の案内溝を有する透明基板２１上に下部保護層２２、記録層２３、上部保護層２４、反射層２５、オーバーコート層２６を有する。さらに、オーバーコート層２６上には印刷層２８、基板２１の鏡面側にはハードコート層２７を有しても良い。
上記の単板ディスクを、接着層２９を介して貼り合わせる構造としても良い。貼り合わせる反対面のディスクは、同様の単板ディスクでも、透明基板のみでも良い。また、単板ディスクに印刷層を形成せずに貼り合わせ、貼り合わせ後に反対面側に印刷層２８'を形成しても良い。
基板２１の材料は、通常ガラス、セラミックス或いは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の例としては、ポリカーボネート樹脂，アクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリスチレン樹脂，アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂，ポリエチレン樹脂，ポリプロピレン樹脂，シリコーン系樹脂，フッ素系樹脂，ＡＢＳ樹脂，ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂，アクリル系樹脂が好ましい。
記録層２３の材料としては、結晶−アモルファス相間の相変化を起こし、各々が安定化又は準安定化状態をとることができるＳｂ，Ｔｅを含む相変化型記録材料が、記録（アモルファス化）感度・速度、消去（結晶化）感度・速度、及び、消去比が良好なため適している。このＳｂＴｅ材料に、Ｇａ，Ｇｅ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｓなどの元素を添加することで、記録・消去感度や信号特性、信頼性などを改善することができる。そのため、目的とする記録線速度及び線速度領域により、添加する元素や材料の組成比を調整して、最適な記録線速度を制御すると同時に、記録した信号の再生安定性や信号の寿命（信頼性）を確保することが望ましい。本実施の形態で用いられる相変化型の光情報記録媒体１においては、これらの特性を総合的に満足できる記録層の材料として、構成元素にＡｇ及び／又はＧｅ，Ｇａ及び／又はＩｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含んでおり、これらの元素の組成比（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｇａ及び／又はＩｎ）βＳｂγＴｅδ（α，β，γ，δは原子％）が、α＋β＋γ＋δ＝１００としたときに、
０＜α≦６
２≦β≦１０
６０≦γ≦８５
１５≦δ≦２７
である材料が、信号の再生安定性や信号の寿命が優れており、好適である。
相変化型の記録層２３の膜厚としては５〜４０ｎｍとするのが良い。さらに、ジッタ等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮すると、好適には１０〜２５ｎｍとするのが良い。５ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。また、４０ｎｍより厚いと高速で均一な相変化が起こりにくくなる。このような相変化型の記録層２３は、各種気相成長法，例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
このような記録層２３の下層及び上層には保護層２２，２４が形成される。保護層２２，２４の材料としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ２，ＺｎＯ，ＳｎＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ，Ｉｎ２Ｓ３，ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，ＢＣ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボン、或いは、それらの混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としても良い。必要に応じて不純物を含んでも良い。また、単層でなく、２層以上を積層した構造としても良い。ただし、保護層２２，２４の融点は、相変化型記録層よりも高いことが必要である。このような保護層２２，２４は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
保護層２２，２４の膜厚は、反射率、変調度や記録感度に大きく影響している。これらの特性を満足するためには、下部保護層２２の膜厚は３０〜２００ｎｍとすることが要求される。さらに良好な信号特性を得るためには、好適には４０〜１００ｎｍとするのが良い。上部保護層２４の膜厚としては５〜４０ｎｍ、好適には７〜３０ｎｍとするのが良い。５ｎｍより薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなる。また、記録感度の低下を生じる。一方、４０ｎｍより厚くなると、界面剥離を生じやすくなり、繰り返し記録性能も低下する。
反射層２５としては、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃu，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗなどの金属材料、又は、これらの元素を含む合金などを用いることができる。また、耐腐食性の向上、熱伝導率の改善などのために、上記材料に対してＣｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｔａなどの元素を添加しても良い。添加比率は、０．３〜２ａｔ％とするのが適している。０．３ａｔ％より少ないと、耐腐食性の効果に劣る。２ａｔ％より多くなると、熱伝導率が下がりすぎ、アモルファス状態を形成し難くなる。このような反射層２５は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。合金又は金属層の膜厚としては５０〜２００ｎｍ、好適には７０〜１６０ｎｍとするのが良い。また、合金又は金属層を多層化することも可能である。多層化した場合では、各層の膜厚は少なくとも１０ｎｍ以上必要で、多層化膜の合計膜厚は５０〜１６０ｎｍとするのが良い。
反射層２５の上には、その酸化防止のためにオーバーコート層２６が形成される。オーバーコート層２６としては、スピンコートで作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。その厚さは３〜１５μｍが適当である。３μｍより薄くすると、オーバーコート層上に印刷層を設ける場合、エラーの増大が認められることがある。一方、１５μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
ハードコート層２２としては、スピンコートで作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。その厚さは２〜６μｍが適当である。２μｍより薄くすると、十分な耐擦傷性が得られない。６μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。その硬度は、布で擦っても大きな傷がつかない鉛筆硬度であるＨ以上とする必要がある。必要に応じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止を図り、埃等の付着を防止することも効果的である。
印刷層２８’は、耐擦傷性の確保、ブランド名などのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対するインク受容層の形成などを目的としており、紫外線硬化型樹脂をスクリーン印刷法にて形成するのが一般的である。その厚さは３〜５０μｍが適当である。３μｍより薄くすると、層形成時にムラが生じてしまう。５０μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
接着層２９としては、紫外線硬化型樹脂、ホットメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いることができる。このような接着層２９の材料は、オーバーコート層２６又は印刷層２８上に、材料に応じて、スピンコート、ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により塗布し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行って反対面のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、同様の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面ディスクの貼合せ面については、接着層２９の材料を塗布してもしなくても良い。また、接着層２９としては、粘着シートを用いることもできる。接着層２９の膜厚は特に制限されるものではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスクの機械特性の影響を考慮すると、５〜１００μｍが好適である。接着面の範囲は特に制限されるものではないが、ＤＶＤ及び／又はＣＤ互換が可能な光情報記録媒体に応用する場合、接着強度を確保するためには内周端の位置がΦ１５〜４０ｍｍ、好適にはΦ１５〜３０ｍｍであることが望ましい。
［記録ストラテジ等について］
従って、このような相変化型光情報記録媒体１を用いる場合、当該光情報記録媒体１をスピンドルモータ１２で回転駆動すると共に、光ピックアップ装置１３のレーザ駆動回路により半導体レーザを駆動し、光学系を介して光情報記録媒体１に図３ないし図７に示すようなフロントパルス部、マルチパルス部及びエンドパルス部を有する各種のパルスパターンのレーザ光を照射して当該光情報記録媒体１の記録層２３に光学的な変化（相変化）を生じさせ、光情報記録媒体１からの反射光を光ピックアップ装置１３で受光し、光情報記録媒体１に対する情報の記録や再生を行うこととなる。
記録方式としては、光情報記録媒体１の記録層２３に対してマークの幅として信号を記録する、いわゆるＰＷＭ記録（マークエッジ記録）方式を使用し、記録すべき信号を変調部のクロックを用いて、例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）の情報記録に用いられるＥＦＭ（Eight-to-Fourteen Modulation，８−１４）変調方式、又はその改良変調方式（ＥＦＭ＋）で変調して記録を行う。
ＰＷＭ記録方式にて記録を行う際、変調後の信号幅がｎＴ（ｎは所定の値、Ｔはクロック時間：信号の変調に用いるクロックの周期に相当する時間）である“０”信号の記録（書換えを含む；以下同様）を行う場合の記録パルスについては、消去パワーレベルＰｅ（消去パルス）の連続光とする。
変調後の信号幅がｎＴである“１”信号の記録を行う場合の記録パルスのパターン（記録パルスストラテジ）としては何種類かある。その幾つかの例を挙げると、一例としては、時間幅ｘＴで加熱パルス用のパワーレベルＰｗであるフロントパルス部と、計（ｎ−ｎ’）回の時間幅ｙＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅（１−ｙ）Ｔで冷却パルス用のパワーレベルＰｂの低レベルパルスを有する１Ｔ周期のマルチパルス部と、時間幅ｚＴでパワーレベルＰｂ’であるエンドパルス部とで構成され、ｎ及びｎ’をｎ’≦ｎの正の整数，パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）である記録光のパルスパターンとする方法が挙げられる。図３は、ｎ＝６，ｎ’＝２のときのパルスパターン例、図４は、ｎ＝６，ｎ’＝３のときのパルスパターン例を示している。
また、別の例としては、ｎが奇数のときと偶数のときで異なるパターンを組合せて、ｎが偶数のときには、時間幅ｘ'Ｔで加熱パルス用のパワーレベルＰｗであるフロントパルス部と、計｛（ｎ／２）−１｝回の時間幅ｙ'ＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅（２−ｙ’）Ｔで冷却パルス用のパワーレベルＰｂの低レベルパルスを有する２Ｔ周期のマルチパルス部と、時間幅ｚ'ＴでパワーレベルＰｂ'であるエンドパルス部とで構成され、ｎが奇数のときには、マルチパルス部のパルスパターンが、計（｛（ｎ−１）／２｝−１）回の時間幅ｙ'ＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅（２−ｙ’）ＴでパワーレベルＰｂの低レベルパルスを有する２Ｔ周期のパルスパターンで構成されており、ｎを正の整数とし、パワーレベルが（Ｐｗ及びＰｗ’）＞Ｐｅ＞（Ｐｂ及びＰｂ’）である記録光のパルスパターンとする方法が挙げられる。図５、図６は、各々ｎ＝６（偶数），ｎ＝７（奇数）のときのパルスパターン例を示している。
また、他にも、図５、図６と同様のパルスパターンにおいて、ｎが奇数のときのマルチパルス部が、計（｛（ｎ−１）／２｝−１）回の時間幅ｙ'ＴでパワーレベルＰｗ’の高レベルパルスとその高レベルパルスの間に時間幅｛（ｎ／｛（ｎ−１）／２｝）−ｙ’｝ＴでパワーレベルＰｂの低レベルパルスを有する（ｎ／｛（ｎ−１）／２｝）Ｔ周期のパルスパターンで構成されている方法も挙げられる。図７は、ｎ＝７のときのパルスパターン例である。
これらの異なるパルスパターンにおいては、同一構成の光情報記録媒体１であっても、記録可能な線速度範囲と、各々の記録線速度における最適なパルス幅の係数（上記の例におけるパルス幅の係数ｘ，ｘ'，ｙ，ｙ'，ｚ，ｚ'）や最適なパワーレベル（上記の例におけるＰｗ，Ｐｗ’，Ｐｅ，Ｐｂ，Ｐｂ’）は異なってくる。
例えば、上記のように、パルスパターンの周期が異なる場合、同一構成の光情報記録媒体１では、一般的には、パルスパターンの一周期の時間が長い方が、加熱パルスの立上り、立下り時間を除く実効パワーが掛かる時間を十分に取ることができるため、記録線速度の速い領域まで記録を行うことができる。また、同一記録線速度においては、低い記録パワーで良好な記録を行うことができる。
良好な信号特性となる記録を行うためには、上記パルスパターンにおけるパルス幅、パワーレベルについて、最適なパラメータ値を選択する必要がある。そのため、一般的には、情報の記録を行う前に、予め試し書きを行い、最適な値を決定している。
特にパワーレベルについては、ＯＰＣ（Optimum Power Control）法により試し書きを行って決定する方法が、簡便に適正な値を求めるためには好適である。ＯＰＣについての具体的な例は、特許３０８１５５１号公報や、特許３１２４７２１号公報などに挙げられており、これらの公報に示される手法を用いる場合には、記録信号振幅（変調度）ｍの変化量を記録パワーＰｗで規格化した傾斜をｇ（Ｐ）としたとき、記録パワーＰｓの場合における傾斜ｇ（Ｐ）の値である特定値Ｓや、Ｐｓに乗じて最適記録パワーを算出するための係数Ｒ、消去パワーレベル比ε（ε＝Ｐｅ／Ｐｗ（Ｐｗ’））、テスト記録を特定の記録パワーを中心として前後２０％程度のパワー範囲を変動させて行う際に参照する特定の記録パワーＰｗｉなどのパラメータを設定し、これらの設定値を基にＯＰＣを実行することにより、最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めることができる。
［本実施の形態の情報記録方法］
このような背景において、本実施の形態の情報記録方法では、記録動作実行に先立ち、対象となる光情報記録媒体１に対して消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏを求めるステップを実行するようにしている。
ここで、「転位線速度」について説明する。「転位線速度Ｖｏ」とは、図１に示すような情報記録装置を用いて、相変化型の光情報記録媒体１を種々の線速度で回転させ、半導体レーザ光をその光情報記録媒体１の案内溝にトラッキングしながら、消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射した後の当該光情報記録媒体１の反射光強度（又は、反射率）Ｒａと、照射前の反射光強度（又は、反射率）Ｒｂとを比較した反射光強度比（又は反射率比）Ｒｒの測定結果（図８参照）において、線速度増大に伴って反射光強度（又は、反射率）Ｒａが下がり始めるところ、即ち、Ｒｒ＜１となる線速度の最小値（図８中に矢印で示す線速度）を意味する。
転位線速度Ｖｏについて、詳細には、特許文献３，４にも述べられているが、相変化型の光情報記録媒体１に対し、レーザ光の連続光を照射して熱を加えることにより、相変化記録層２３が融点以上の温度まで加熱され、記録層２３が溶融する。その後、徐々に冷却されると、再度、結晶相が形成される。記録層２３が溶融された後、急激に冷やされ、再結晶化できない場合には、アモルファス（非結晶）相となる。この現象の違いは、加えられる熱量（レーザ光のパワーレベル×照射時間）と冷却の速さ（走査線速度）に、依存している。
このため、相変化型の光情報記録媒体１を種々の線速度で回転させ、半導体レーザ光を相変化型の光情報記録媒体１の案内溝にトラッキングしながら、消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射する際、消去パワーレベルＰｅを固定し、レーザ光の走査線速度を速くしていくと、単位面積当たりの加熱量が段々と下がっていき、かつ、熱が加えてられている場所から遠ざかる速度が速くなることから記録層２３の冷却が段々と速くなるため、或る線速度を超えると、記録層２３全体を再結晶化できなくなり、アモルファス相の混在した状態となる。
ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭのように、相変化記録層２３が結晶状態である方がアモルファス状態よりも高反射率となる記録層材料を用いたような一般的な相変化型の光情報記録媒体１では、記録層２３が溶融された後、再度、結晶状態を取ることができる場合、反射強度比（又は、反射率比）はＲｒ≧１となる。記録層２３が溶融された後、再結晶化することができず、アモルファス相が混在した状態、若しくは、全体がアモルファス状態となっている場合、反射強度比（又は、反射率比）はＲｒ＜１となる。
つまり、ここで定義した転位線速度、即ち、Ｒｒ≧１からＲｒ＜１に転位する線速度は、レーザ光照射による加熱後、記録層２３を再結晶化できる限界の条件、記録層２３全体を結晶化することができなくなり始める条件を示すことになり、相変化型の光情報記録媒体１において、消去（書換え）を行うことができる限界の条件を示すこととなる。転位線速度Ｖｏが高いほど、再結晶化しやすく、高い線速度でも消去可能なことから、高線速度記録向きの相変化型光情報記録媒体と言える。反対に、転位線速度Ｖｏが低いほど、再結晶化し難く、低線速度記録向きの相変化型光情報記録媒体となる。従って、転位線速度Ｖｏは、相変化型の光情報記録媒体１の適正な記録線速度に対する指標となるパラメータである。
このＲｒ≧１からＲｒ＜１に転位する条件は、記録層２３に加えられている熱量と冷却の速さに依存するため、記録層材料の性質や、相変化型の光情報記録媒体１の各層の構成、照射されるレーザ光の消去パワーレベルＰｅに依存して、変動する。
具体例を挙げると、記録層材料に結晶化しやすい材料を用いた場合、転位線速度Ｖｏは高くなるが、反対に、結晶化し難い材料を用いた場合には、転位線速度Ｖｏは低くなる。記録層２３や上部保護層２４の膜厚を厚くすると、光情報記録媒体１の熱容量が大きくなるため、消去パワーレベルＰｅ固定の場合、転位する条件におけるレーザ光の照射時間が長くなり、転位線速度Ｖｏは低くなる。反対に、記録層２３や上部保護層２４の膜厚を薄くした場合は、転位線速度Ｖｏは高くなる。
転位線速度Ｖｏを測定する際のレーザ光の消去パワーレベルＰｅを高くすると、相変化記録層２３に加わる熱量が増加し、記録層２３が溶融する範囲が広がり、かつ、記録層２３の昇温される温度が上がるため、冷却時には、急激に冷やされることになる。このため、同一の相変化型光情報媒体１であっても、測定時の消去パワーレベルＰｅを高くするほど、転位線速度Ｖｏの値は低くなる。
従って、消去パワーレベルＰｅが高すぎると、転位線速度Ｖｏは低い速度の範囲で求めることになるため、測定の誤差の割合が大きくなり、光情報記録媒体１毎の差異を見分け難くなる。反対に、消去パワーレベルＰｅを低くすると、転位線速度Ｖｏは高くなるため、測定時の回転速度が速くなり、測定の精度が低くなる。更に、測定範囲が広範囲となるため、転位線速度Ｖｏに達する前に、当該情報記録装置の回転速度の上限に到達してしまうことがある。そのため、転位線速度Ｖｏの測定の際には、消去パワーレベルＰｅは、
（Ｐｗｏ／２）≦Ｐｅ≦（Ｐｗｏ／２）×１．５
の範囲の値を用いることが好適である。さらに好適には、
（Ｐｗｏ／２）≦Ｐｅ≦（Ｐｗｏ／２）×１．３
の範囲の値を用いると良い。
また、反射光強度（又は、反射率）の減少が見られず、反射光強度比（又は、反射率比）が常にＲｒ≧１となり、転位線速度Ｖｏを求めることができないことがある。これは、記録層２３に加える熱量が低く、融点以上に加熱できずに記録層２３を溶融することができないため、結晶相が変化しない場合や、記録層２３は溶融するが、容易に結晶化する記録層材料であるため、測定条件内では、再結晶化しない条件とならない場合などに起こっている。
転位線速度Ｖｏは、前述のように、種々の線速度において、消去パワーレベルＰｅの連続光を照射した前後の反射光強度（又は、反射率）を測定することにより求められる。従って、図１に例示したような記録可能な情報記録装置においては、容易に測定できる特性値であり、図１に例示したような情報記録装置にとって、ディスク情報等によって記録条件を設定されていない未知の光情報記録媒体１については、光情報記録媒体１毎に転位線速度Ｖｏを求めるテスト測定を行ってから（転位線速度測定手段）、記録条件を決定することが望ましい。テスト測定の結果、反射光強度比（又は、反射率比）が常にＲｒ≧１となり、転位線速度を求めることができない場合は、その情報記録装置にとって記録を行うことが困難な光情報記録媒体である可能性が高く、記録を実行しないことが望ましい。
転位線速度Ｖｏの測定時における線速度の変更方法としては、測定半径位置を固定し、ＣＬＶ（Constant Liner Velocity；線速度一定）方式で回転させる速度を上げながら測定を行う方法、光情報記録媒体をＣＡＶ方式で回転させ、測定半径位置を変えながら測定を行う方法が挙げられる。
ＣＬＶ方式を用いる場合は、光情報記録媒体１の外周部を用いる方が、内周部を用いる場合に比べて回転速度が遅く、より安定な測定を行うことができるために望ましく、かつ、データ領域の外側を用いた方が、ユーザ使用の容量への影響がないため、なお望ましい。
ＣＡＶ方式を用いる場合は、回転速度が一定であるため、測定装置（情報記録装置）の回転モータ（スピンドルモータ２）の制御が容易となり、測定を短時間で行うことができることが利点となる。
また、光情報記録媒体１に、転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲に関する情報（テスト線速度範囲又は当該テスト線速度範囲の指標となるパラメータ）や、転位線速度Ｖｏを求める際に使用されるレーザ光の連続光となる消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報（消去パワーレベルＰｅの範囲又は当該消去パワーレベルＰｅの範囲の指標となるパラメータ）をプリフォーマット情報としてエンコードしておけば、当該光情報記録媒体１が情報記録装置に装填された場合、エンコードされたプリフォーマット情報の値を読取り、テストする線速度範囲や使用する消去パワーレベルＰｅの値を予め決めることができる場合、各々の光情報記録媒体と情報記録装置の組合せにおいて、転位線速度Ｖｏを、迅速に、かつ、高い精度で求めることができる。
プリフォーマットは任意の手法を用いることができるが、プリピット法、ウォブルエンコード法、フォーマット法がある。プリピット法は光情報記録媒体上の任意の領域にＲＯＭピットを用いて記録条件に関する情報をプリフォーマットする手法である。基板成形時にＲＯＭピットが形成されるため量産性に優れ、かつ、ＲＯＭピットを用いているので、再生信頼性及び情報量の点で有利である。しかし、ＲＯＭピットを形成する技術（即ち、ハイブリッド技術）は課題が多く、ＲＷ系のプリピットによるプリフォーマット技術は困難とされている。
フォーマット法は、情報記録装置を用いて通常の記録と同様の手法を用いて情報を記録しておくものである。しかし、この手法は、光情報記録媒体を製造後、各媒体にフォーマットを施す必要があり、量産性の点から困難である。さらに、プリフォーマット情報を書換えることが可能であるため、媒体固有の情報を記録する手法としては適切ではない。
ウォブルエンコード法は、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷで実際に採用されている手法である。この手法は光情報記録媒体のアドレス情報をグルーブ（媒体上の案内溝）のウォブリングにエンコードする技術を利用している。エンコードの方法としては、ＣＤ−ＲＷのＡＴＩＰ(Absolute Time In Pregroove)のように周波数変調を用いても、ＤＶＤ＋ＲＷのＡＤＩＰ（Address In Pregroove）のように位相変調を用いてもよい。ウォブルエンコード法は、光情報記録媒体の基板成形時にアドレス情報と一緒に基板に作成されるため、生産性に優れると同時に、プリピット法のような特殊なＲＯＭピットを形成する必要がないため、基板成形も容易に行えるという利点がある。ＣＤ−ＲＷの場合はこれらのパラメータはATIP Extra Informationsとして、プリフォーマットされ、ＤＶＤ＋ＲＷの場合はPhysical Informationとしてプリフォーマットされる。
ところで、相変化型の光情報記録媒体１への記録を前述したようなパルスパターンを用いて行う場合、良好な信号特性での情報の記録を行うために、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域では、消去時に相変化記録層２３を融点以上に加熱してしまうとアモルファス化してしまう（再結晶化ができない）ため、記録層２３を結晶化温度以上融点未満の温度に加熱してから冷却することによって結晶状態としている。そのため、消去パワーレベルＰｅは、低いパワーで制御する必要がある。
また、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度領域においても、消去の際に、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域のときと同様に、記録層２３を結晶化温度以上融点未満の温度に加熱してから冷却することによって結晶状態とすることもできる。しかし、より良好な信号特性での記録を実現するためには、消去時には、相変化記録層２３を一旦融点以上に加熱して溶かし、その後に冷却して結晶状態とする方が、結晶状態を揃えることができるため、望ましい。その場合には、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域のときに比べて、比較的高い消去パワーレベルＰｅが必要とされる。
また、特許文献５により報告されているように、相変化型の光情報記録媒体１では、記録マークのジッタ特性が極小となる消去パワーレベルＰｅが２値以上有するものがあるが、その理由を上記の結晶化方法の違いで説明することができる。即ち、転位線速度Ｖｏ以下のある線速度において、前述のパルスパターンを用いて、パルス幅及びパワーレベルＰｗ（Ｐｗ’）、Ｐｂ（Ｐｂ’）を固定し、消去パワーレベルＰｅのみを変動させたとき、０信号（結晶相）の形成は、消去パワーレベルＰｅが低いときには、相変化記録層２３への加熱量が低く、結晶化は結晶化温度以上融点未満の温度に加熱してから冷却することによって行われる。それに対して、消去パワーレベルＰｅが高いときには、相変化記録層２３を一旦融点以上に加熱して溶かし、その後に冷却して結晶状態することによって、結晶化が行われることによって形成される。各々の結晶化方法毎に、最適な消去パワーレベルＰｅ値が存在するため、ジッタ特性値が極小となる消去パワーレベルＰｅは、２値存在することとなる。一般的には、相変化記録層２３を一旦溶かしてから冷却して結晶状態とした方（Ｐｅの高い方）が、ジッタ特性値が最小となる。また、２つの極小値間の消去パワーレベルＰｅでは、どちらの結晶化方法にとっても最適な値ではないため、ジッタ特性値は悪化している。
しかしながら、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度においては、相変化記録層２３を一旦融点以上に加熱して溶かすと再結晶化ができないため、結晶化方法は、記録層２３を結晶化温度以上融点未満の温度に加熱してから冷却することによって結晶状態とする方法を用いることになる。
従って、良好な信号特性での記録を行うための最適な消去パワーレベル比ε（ε＝消去パワーレベルＰｅ／記録パワーレベルＰｗ）は、転位線速度Ｖｏを境にして異なることとなり、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度領域における最適な消去パワーレベル比εＬと、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域における最適な消去パワーレベル比εＨ を比較すると、εＬの方が高く、（εＨ／εＬ）＜１となる。
全面又は部分ＣＡＶ記録を行う場合、途中で消去パワーレベル比εが切換わるような記録条件の設定よりも、１種類の消去パワーレベル比εに固定して記録条件を設定する方が容易である。そのため、記録線速度の領域は、予め求めた転位線速度Ｖｏ以下の線速度範囲とするか、又は、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度範囲とすることが望ましい。転位線速度Ｖｏ以下の線速度範囲で記録を行う場合には、消去パワーレベル比の高いεＬを用いた記録条件を使用し、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度範囲で記録を行う場合には、消去パワーレベル比の低いεＨを用いた記録条件を使用することが、好適である。
ＣＬＶ記録を行う場合も含めて、信頼性が高く、より良好な信号特性での記録を重視する場合には、消去パワーレベル比εを高くした記録を行うことができる転位線速度Ｖｏ以下の線速度範囲にて記録を行うことが望ましい。反対に、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度範囲での記録は、より高速での記録を重視する場合に行われる。
全面又は部分ＣＡＶを行う場合に必要となる記録線速度範囲が広く、転位線速度Ｖｏを含む線速度範囲となる場合、途中で消去パワーレベル比εを切換えることなく記録を行うためには、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度範囲で設定される消去パワーレベル比εＨを使用した記録条件とする。
低線速度領域では良好な信号特性での記録を行うことを重視する場合には、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度では消去パワーレベル比εＬ を、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域では消去パワーレベル比εＨ を用いて記録を行う。転位線速度よりも高い線速度領域では、消去時に相変化記録層２３を融点以上に加熱してしまうと情報の記録ができないため、消去パワーレベル比をεＬからεＨへと切換える線速度は、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度とした方が良い。
このとき、記録線速度の変動とともに、消去パワーレベル比をεＬからεＨへと線形に変動させる方法は、途中の消去パワーレベル比で記録マークのジッタ特性が悪化することがあるため、望ましくない。
このように、相変化型の光情報記録媒体１の転位線速度Ｖｏが求められることができれば、記録できる線速度範囲と、適正な消去パワーレベル比εについて、情報を得ることができる。記録を行う線速度を決定することができれば、ＯＰＣ法により、最適な記録パワーレベルを求めることができる。
従って、相変化型の光情報記録媒体１の転位線速度Ｖｏを求めることにより、情報記録装置が予め記録条件を設定していないような未知の光情報記録媒体１であっても、各々の情報記録装置において、適正な線速度と、適正な記録パワーレベルＰｗ及び消去パワーレベルＰｅを使用して、記録を実行することが可能となる。
従って、前述したような情報記録方法を、ＣＰＵ１３により実行される情報記録用プログラムとして表現すると、図９に示す概略フローチャートとして表すことができる。まず、光情報記録媒体１の装填をチェックしており、光情報記録媒体１が装填されると（ステップＳ１のＹ）、その光情報記録媒体１の種類等を認識する処理を行い（Ｓ２）、認識可能な媒体であり（Ｓ２のＹ）、その媒体に関する記録方法の条件が当該情報記録装置において設定されている場合には（Ｓ３のＹ）、その設定に従い通常通りの記録動作に移行させる（省略）。一方、媒体の種類等が認識できなかった場合（Ｓ２のＮ）、或いは、認識できてもその媒体に関する記録方法の条件が当該情報記録装置に設定されていない場合（Ｓ３のＮ）には、転位線速度Ｖｏを測定する処理を行う（Ｓ４）。即ち、線速度を変えなから反射光強度Ｒａ，Ｒｂを測定し、その反射光強度比ＲｒがＲｒ＜１となる転位線速度Ｖｏを求める。このステップＳ４の処理が転位線速度取得手段、転位線速度測定処理として実行される。
転位線速度Ｖｏが求められたら、記録動作を特定化する（Ｓ５）。即ち、転位線速度Ｖｏが求まることにより、記録可能な線速度範囲、適正な消去パワーレベル比ε等が判るので、転位線速度Ｖｏ以下の線速度範囲で記録動作を行わせる等の記録動作の特定化を行う。そして、この特定化に従い、記録線速度が決まるので、ＯＰＣ法により試し書きを行い、最適記録パワーレベルＰｗｏを決定し（Ｓ６）、引き続き、実際の記録動作に移行する（Ｓ７）。これらのステップＳ５ないしＳ７の処理が、記録動作制御手段の機能として実行される。
本実施の形態に準ずる実施例を以下に例示する。本発明は、これらの実施例に限定されて解釈されるものではないのはもちろんである。
［実施例１］
転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲を５．０〜１２．０ｍ／ｓ、使用する消去パワーレベルＰｅの範囲を７．５〜８．０ｍＷ、転位線速度Ｖｏ以下の線速度領域での消去パワーレベル比εＬ＝０．５０とするプリフォーマット情報を、位相変調ウォブルエンコード法にてエンコードした案内溝を有し、直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を射出成形により形成し、この基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、記録層にはＡｇ２Ｇｅ２Ｉｎ４Ｓｂ７０Ｔｅ２２相変化記録材料、反射層にはＡｇを用い、膜厚は、基板側から順に８０ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１４０ｎｍとした。
さらに、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体の単板ディスクを作成した。
次に、オーバーコート層上に接着層を介してポリカーボネート基板を貼り合わせ、ポリカーボネート基板の表面（貼り合わせ面の反対面）側に印刷層を形成し、貼り合わせディスクを得た。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径２００×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＤＶＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、転位線速度Ｖｏ×９５％の線速度にてＣＬＶ記録を実行するＤＶＤ互換の情報記録装置（株式会社リコー製テストドライブ）にて、照射する連続光の消去パワーレベルＰｅ＝８．０ｍＷとして、ディスクの外周部分を使用し、消去パワーレベルＰｅのレーザ光照射前後の反射光強度比を測定して、転位線速度Ｖｏを求めたところ、Ｖｏ＝８．９ｍ／ｓであった。
この光情報記録媒体について、上記の情報記録装置を用いて、線速度８．９×９５％＝８．５ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを、ＯＰＣ法を使用して求めたところ、Ｐｗｏ＝１４．２ｍＷであった。そこで、Ｐｗ＝１４．２ｍＷ、ε＝０．５０として、線速度８．５ｍ／ｓとしたＣＬＶ方式により、ＤＶＤコンテンツ・データのディスク全面への記録を行った。
この記録部について、ＤＶＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）にて、半径２４ｍｍ、４１ｍｍ、５８ｍｍの位置でのジッタ（データ・トゥ・クロック・ジッタ）特性を測定したところ、各々、７．０％、６．６％、６．８％と、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格における８％以下という仕様値を十分に満たしており、良好な特性となっていた。
また、この光情報記録媒体について、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により記録したコンテンツデータの読取りを行ったところ、読取りエラーを起こすことなく、データの読取りを行うことに成功した。
［実施例２］
実施例１と同様にして作製したＤＶＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、転位線速度Ｖｏ×９５％の線速度を最高線速度とする全面（半径２４〜５８ｍｍ）ＣＡＶ記録を実行するＤＶＤ互換の情報記録装置（株式会社リコー製テストドライブ）にて、照射する連続光の消去パワーレベルＰｅ＝８．０ｍＷとして、ディスクの回転数を２０００ｒｐｍに固定し、内周部から外周部へ位置を変えながら、線速度５．０〜１２．０ｍ／ｓの範囲で、消去パワーレベルＰｅのレーザ光照射前後の反射光強度比を測定して、転位線速度Ｖｏを求めたところ、Ｖｏ＝８．９ｍ／ｓであった。
この光情報記録媒体について、上記の情報記録装置を用いて、ＯＰＣにより、線速度８．９×９５％＝８．５ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めたところ、Ｐｗｏ＝１４．４ｍＷであった。また、線速度８．５／（５８／２４）＝３．５ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めたところ、Ｐｗｏ＝１４．８ｍＷであった。そこで、半径５８ｍｍにおける線速度８．５ｍ／ｓのときの回転数１４００ｒｐｍに固定し、線速度３．５ｍ／ｓ〜８．５ｍ／ｓの範囲でのゾーンＣＡＶ（部分ＣＡＶ）方式により、ＤＶＤコンテンツ・データをディスク全面に記録した。このとき、Ｐｗは、内周部（線速度３．５ｍ／ｓ）を１４．８ｍＷ、外周部（線速度８．５ｍ／ｓ）を１４．４ｍＷとし、その間は線形に減少させた値、例えば中周部（線速度６．０ｍ／ｓ）では１４．６ｍＷ、を使用した。εについては、ε＝０．５０に固定した。
この記録部について、ＤＶＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）にて、半径２４ｍｍ、４１ｍｍ、５８ｍｍの位置でのジッタ（データ・トゥ・クロック・ジッタ）特性を測定したところ、各々、６．２％、６．２％、６．９％と、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格における８％以下という仕様値を十分に満たしており、良好な特性となっていた。
また、この光情報記録媒体について、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により記録したコンテンツデータの読取りを行ったところ、読取りエラーを起こすことなく、データの読取りを行うことに成功した。
［実施例３］
転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲を７．５〜１８．０ｍ／ｓ、使用する消去パワーレベルＰｅの範囲を１０．０〜１２．０ｍＷ、転位線速度Ｖｏ以下の線速度領域での消去パワーレベル比εＬ＝０．４８、転位線速度Ｖｏより高い線速度領域での消去パワーレベル比εＨ＝０．３０とするプリフォーマット情報を、位相変調ウォブルエンコード法にてエンコードした案内溝を有し、直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を射出成形により形成し、この基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、記録層にはＡｇ２Ｇｅ２Ｉｎ４Ｓｂ７２Ｔｅ２０相変化記録材料、反射層にはＡｇを用い、膜厚は、基板側から順に７０ｎｍ、１５ｎｍ、１５ｎｍ、１２０ｎｍとした。
さらに、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体の単板ディスクを作成した。
次にオーバーコート層上に接着層を介してポリカーボネート基板を貼り合わせ、ポリカーボネート基板の表面（貼り合わせ面の反対面）側に印刷層を形成し、貼り合わせディスクを得た。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径７５×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＤＶＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、１４．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ−ＲＯＭ再生の４倍速相当）を最高線速度とする全面ＣＡＶ記録を実行するＤＶＤ互換の情報記録装置（株式会社リコー製テストドライブ）にて、照射する連続光の消去パワーレベルＰｅ＝１１．０ｍＷとして、ディスクの回転数を３０００ｒｐｍに固定し、内周部から外周部へ位置を変えながら、線速度７．５〜１８．０ｍ／ｓの範囲で、消去パワーレベルＰｅのレーザ光照射前後の反射光強度比を測定して、転位線速度Ｖｏを求めたところ、Ｖｏ＝１１．０ｍ／ｓであった。
この光情報記録媒体について、上記の情報記録装置を用いて、ＯＰＣにより、線速度１４．０ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めたところ、Ｐｗｏ＝２０．０ｍＷであった。また、この場合の最低線速度となる線速度５．８ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めたところ、Ｐｗｏ＝１７．８ｍＷであった。さらに中間値に当たる線速度９．９ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めたところ、Ｐｗｏ＝１７．８ｍＷであった。そこで、半径５８ｍｍにおける線速度１４．０ｍ／ｓのときの回転数２３００ｒｐｍに固定し、内周部（線速度５．８ｍ／ｓ）から半径４３．５ｍｍ（線速度１０．７ｍ／ｓ）までは、Ｐｗ＝１７．８ｍＷ、ε＝０．４８としたゾーンＣＡＶ方式を用いて、半径４３．５ｍｍ（線速度１０．７ｍ／ｓ）から外周部（線速度１４．０ｍ／ｓ）までは、Ｐｗ＝２０．０ｍＷ、ε＝０．３０としたゾーンＣＡＶ方式を用いて、ＤＶＤコンテンツ・データをディスク全面に記録した。
この記録部について、ＤＶＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）にて、半径２４ｍｍ、４１ｍｍ、５８ｍｍの位置でのジッタ（データ・トゥ・クロック・ジッタ）特性を測定したところ、各々、６．９％、６．６％、７．５％と、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格における８％以下という仕様値を十分に満たしており、良好な特性となっていた。
また、この光情報記録媒体について、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により記録したコンテンツデータの読取りを行ったところ、読取りエラーを起こすことなく、データの読取りを行うことに成功した。
［実施例４］
転位線速度Ｖｏを求める際に使用するパワーレベルＰｅの範囲を１８．０〜２０．０ｍＷ、転位線速度Ｖｏ以下の線速度領域での消去パワーレベル比εＬ＝０．４５、転位線速度Ｖｏより高い線速度領域での消去パワーレベル比εＨ＝０．３５とするプリフォーマット情報を、周波数変調ウォブルエンコード法にてエンコードした案内溝を有し、直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を射出成形により形成し、この基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、記録層にはＧｅ４Ｇａ２Ｓｂ７２Ｔｅ２２相変化記録材料、反射層にはＡｌ９８Ｔｉ２を用い、膜厚は、基板側から順に８５ｎｍ、２０ｎｍ、２０ｎｍ、１４０ｎｍとした。
更に、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＣＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体を作成した。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径１００×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＣＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、１９．２ｍ／ｓ（ＣＤ−ＲＯＭ再生の１６倍速相当）での全面ＣＬＶ記録を実行するＣＤ互換の情報記録装置（株式会社リコー製テストドライブ）にて、照射する連続光の消去パワーレベルＰｅ＝１８．０ｍＷとして、ディスクの外周部分を使用して、消去パワーレベルＰｅのレーザ光照射前後の反射光強度比を測定して、転位線速度Ｖｏを求めたところ、Ｖｏ＝１４．５ｍ／ｓであった。
この光情報記録媒体について、上記の情報記録装置を用いて、ＯＰＣにより、線速度１９．２ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めたところ、Ｐｗｏ＝２８．０ｍＷであった。そこで、Ｐｗ＝２８．０ｍＷ、ε＝０．３５として、線速度１９．２ｍ／ｓとしたＣＬＶ方式により、ＣＤコンテンツ・データのディスク全面への記録を行った。
この記録部について、ＣＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）にて、半径２４ｍｍ、４１ｍｍ、５８ｍｍの位置での３Ｔジッタ特性を測定したところ、各々、２８ｎｓ、２５ｎｓ、３０ｎｓと、ＣＤ−ＲＯＭ規格における３５ｎｓ以下という仕様値を十分に満たしており、良好な特性となっていた。
また、この光情報記録媒体について、ＣＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により記録したコンテンツデータの読取りを行ったところ、読取りエラーを起こすことなく、データの読取りを行うことに成功した。
［実施例５］
転位線速度Ｖｏを求める際に使用する消去パワーレベルＰｅの範囲を１８．０〜２０．０ｍＷ、転位線速度Ｖｏより高い線速度領域での消去パワーレベル比εＨ＝０．３２とするプリフォーマット情報を、周波数変調ウォブルエンコード法にてエンコードした案内溝を有し、直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を射出成形により形成し、この基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射層を順次スパッタリング法により積層した。
下部及び上部保護層には（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、記録層にはＧｅ３Ｇａ７Ｓｂ７２Ｔｅ１８相変化記録材料、反射層にはＡｇを用い、膜厚は、基板側から順に８０ｎｍ、１５ｎｍ、１５ｎｍ、１２０ｎｍとした。
さらに、反射層上に紫外線硬化型樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を形成し、ＣＤ−ＲＯＭ再生互換性を有する相変化型光情報記録媒体を作成した。
その後、大口径ＬＤ（ビーム径１００×１μｍ）を有する初期化装置によって、相変化型光情報記録媒体の記録層を全面結晶化した。
このようにして得たＣＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、最高記録線速度が２４．０ｍ／ｓ（ＣＤ−ＲＯＭ再生の２０倍速相当）であり、最高回転数が７０００ｒｐｍであるＣＤ互換の情報記録装置（株式会社リコー製テストドライブ）にて、照射する連続光の消去パワーレベルＰｅ＝２０．０ｍＷとして、ディスクの外周部分を使用して、消去パワーレベルＰｅのレーザ光照射前後の反射光強度比を測定して、転位線速度Ｖｏを求めたところ、Ｖｏ＝１５．０ｍ／ｓであった。
この光情報記録媒体について、上記の情報記録装置を用いて、ＯＰＣにより、線速度２４．０ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めたところ、Ｐｗｏ＝３１．０ｍＷであった。また、回転数７０００ｒｐｍの半径２４ｍｍにおける線速度である線速度１７．５ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めたところ、Ｐｗｏ＝２９．０ｍＷであった。そこで、内周部から回転数７０００ｒｐｍで線速度２４．０ｍ／ｓに達する半径３２．７ｍｍまでは、回転数を７０００ｒｐｍに固定し、線速度１７．５ｍ／ｓ〜２４．０ｍ／ｓの範囲でのゾーンＣＡＶ方式を用いて、半径３２．７ｍｍから外周部までは、線速度２４．０ｍ／ｓとしたＣＬＶ方式を用いて、ＣＤコンテンツ・データをディスク全面に記録した。このとき、記録パワーレベルＰｗは、内周部（線速度１７．５ｍ／ｓ）を２９．０ｍＷ、半径３７．２ｍｍ以降外周部まで（線速度２４．０ｍ／ｓ）を３１．０ｍＷとし、その間は線形に増加させた値を使用した。εについては、ε＝０．３２に固定した。
この記録部について、ＣＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）にて、半径２４ｍｍ、４１ｍｍ、５８ｍｍの位置での３Ｔジッタ特性を測定したところ、各々、２５ｎｓ、２５ｎｓ、３０ｎｓと、ＣＤ−ＲＯＭ規格における３５ｎｓ以下という仕様値を十分に満たしており、良好な特性となっていた。
また、この光情報記録媒体について、ＣＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により記録したコンテンツデータの読取りを行ったところ、読取りエラーを起こすことなく、データの読取りを行うことに成功した。
［実施例６］
実施例１と同様にして作製したＤＶＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、線速度８．５ｍ／ｓにて記録を実行するＤＶＤ互換の情報記録装置（株式会社リコー製テストドライブ）にて、照射する連続光の消去パワーレベルＰｅ＝１１．０ｍＷとして、ディスクの内周部分を使用し、消去パワーレベルＰｅのレーザ光照射前後の反射光強度比を測定して、転位線速度Ｖｏを求めたところ、Ｖｏ＝７．５ｍ／ｓであった。
この光情報記録媒体について、上記の情報記録装置を用いて、線速度８．５ｍ／ｓでの最適な記録パワーレベルＰｗｏを、ＯＰＣ法を使用して求めたところ、Ｐｗｏ＝１４．２ｍＷであった。
そこで、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域での記録となるため、消去パワーレベル比εを実施例１の場合と比べて低い値となる０．３０とし、Ｐｗ＝１４．２ｍＷにて、線速度８．５ｍ／ｓのＣＬＶ方式により、ＤＶＤコンテンツ・データのディスク全面への記録を行った。
この記録部について、ＤＶＤ用再生評価装置（パルステック工業株式会社製ＤＤＵ−１０００）にて、半径２４ｍｍ、４１ｍｍ、５８ｍｍの位置でのジッタ（データ・トゥ・クロック・ジッタ）特性を測定したところ、各々、８．６％、７．８％、８．２％と、実施例１の場合に比べてジッタ特性が悪化しており、一部の測定位置においては、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格における８％以下という仕様値を外れる特性となっていた。
また、この光情報記録媒体について、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生装置（株式会社リコー製ＭＰ９１２０Ａ）により記録したコンテンツ・データの読取りを行ったところ、読取りエラーを起こすことなく、データの読取りを行うことには成功した。
［比較例１］
実施例３と同様にして作製したＤＶＤ−ＲＯＭ互換性を有する光情報記録媒体に対して、線速度１４．０ｍ／ｓにて記録を実行するＤＶＤ互換の情報記録装置（株式会社リコー製テストドライブ）にて、照射する連続光の消去パワーレベルＰｅ＝８．０ｍＷとして、ディスクの外周部分を使用し、消去パワーレベルＰｅのレーザ光照射前後の反射光強度比を測定したところ、線速度３．５ｍ／ｓから２２．０ｍ／ｓの範囲では、レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＜１となる現象が観測されなかった。また、線速度２２．０ｍ／ｓを超える範囲では、ディスクの回転数が速く、トラッキング・サーボが外れてしまい、レーザ光照射前後の反射光強度比を測定することができなかった。
このため、この測定条件下においては、転位線速度Ｖｏを求めることができなかった。また、ＯＰＣ法を使用して求めた線速度１４．０ｍ／ｓにおける最適な記録パワーレベルＰｗｏは２０．０ｍＷであった。
これらの実施例１〜６及び比較例１の結果を表１にまとめて示す。
Figure 0004334442
本発明の一実施の形態の情報記録装置のハードウェア構成を示す概略ブロック図である。 相変化型光情報記録装置の構成例を原理的に示す断面図である。 ｎ＝６，ｎ’＝２の場合の記録パルスストラテジの一例を示す波形図である。 ｎ＝６，ｎ’＝３の場合の記録パルスストラテジの一例を示す波形図である。 ｎ＝６の場合の記録パルスストラテジの他例を示す波形図である。 ｎ＝７の場合の記録パルスストラテジの他例を示す波形図である。 ｎ＝７の場合の記録パルスストラテジのさらに他例を示す波形図である。 レーザ光照射前後の反射光強度比の線速度依存性を示す特性図である。 情報記録方法を示す概略フローチャートである。
符号の説明
１ 光情報記録媒体
４ 光源駆動手段
６ 速度制御手段

Claims (24)

  1. 案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体に対して、時間的長さｎＴ（ｎは自然数、Ｔは基本クロック周期）の記録マーク及びマーク間でＰＷＭ変調方式に従い、強度変調させたパルスパターンにより発光させたレーザ光を照射することにより前記相変化記録層に相変化を生じさせることで、情報の記録を行う情報記録方法において、
    記録動作実行に先立ち、対象となる光情報記録媒体に対して消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏを求めるステップと、
    前記転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作を行うステップと、
    を有することを特徴とする情報記録方法。
  2. 転位線速度Ｖｏを求める際に照射する連続光の消去パワーレベルＰｅを、強度変調させたパルスパターンを用いて記録を実行する場合における最適な記録パワーレベルＰｗｏに対して、
    （Ｐｗｏ／２）≦Ｐｅ≦（Ｐｗｏ／２）×１．５
    とすることを特徴とする請求項１記載の情報記録方法。
  3. 消去パワーレベルＰｅを規定するための最適な記録パワーレベルＰｗｏは、ＯＰＣ（Optimum Power Control）法による試し書き記録により決定された値であることを特徴とする請求項２記載の情報記録方法。
  4. 転位線速度Ｖｏを求める際に、前記光情報記録媒体の回転速度を変化させるとともに、当該光情報記録媒体のデータ領域よりも外周部の領域を使用して反射光強度の測定を実行することで、異なる線速度における反射光強度比Ｒｒを求めることにより、転位線速度Ｖｏを求めることを特徴とする請求項１又は２記載の情報記録方法。
  5. 転位線速度Ｖｏを求める際に、前記光情報記録媒体をＣＡＶ方式で回転させながら、内周部から外周部まで測定位置を変化させて反射光強度の測定を実行することで、異なる線速度における反射光強度比Ｒｒを求めることにより、転位線速度Ｖｏを求めることを特徴とする請求項１又は２記載の情報記録方法。
  6. 求められた転位線速度Ｖｏを含む線速度範囲について全面又は部分ＣＡＶ方式で記録を行うとき、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度で、消去パワーレベル比ε（ε＝消去パワーレベルＰｅ／記録パワーレベルＰｗ）を切換えることを特徴とする請求項１又は２記載の情報記録方法。
  7. 転位線速度Ｖｏよりも低い線速度領域における消去パワーレベル比εＬと、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域における消去パワーレベル比εＨとの比（εＨ ／εＬ ）が、（εＨ ／εＬ ）＜１であることを特徴とする請求項６記載の情報記録方法。
  8. 転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている光情報記録媒体を対象とする場合、転位線速度Ｖｏを求める際に、当該光情報記録媒体からテスト線速度範囲に関する情報を取得して転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲を決定するようにしたことを特徴とする請求項１ないし７の何れか一記載の情報記録方法。
  9. 転位線速度Ｖｏを求める際に使用される連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている光情報記録媒体を対象とする場合、転位線速度Ｖｏを求める際に、当該光情報記録媒体から連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報を取得して転位線速度Ｖｏを求める際の連続光のパワーレベルＰｅを決定するようにしたことを特徴とする請求項１ないし７の何れか一記載の情報記録方法。
  10. 消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作が行われる案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体であって、前記転位線速度Ｖｏを求める際に用いられるテスト線速度範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされていることを特徴とする光情報記録媒体。
  11. 消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作が行われる案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体であって、前記転位線速度Ｖｏを求める際に使用される連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされていることを特徴とする光情報記録媒体。
  12. プリフォーマット情報は、グルーブのウォブリングにエンコードされていることを特徴とする請求項１０又は１１記載の光情報記録媒体。
  13. プリフォーマット情報は、ウォブリングの位相変調によって記録されていることを特徴とする請求項１２記載の光情報記録媒体。
  14. 案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体に対して、時間的長さｎＴ（ｎは自然数、Ｔは基本クロック周期）の記録マーク及びマーク間でＰＷＭ変調方式に従い、強度変調させたパルスパターンにより発光させたレーザ光を照射することにより前記相変化記録層に相変化を生じさせることで、情報の記録を行う情報記録装置において、
    前記光情報記録媒体を回転させる回転駆動機構と、
    前記光情報記録媒体に対して照射するレーザ光を発するレーザ光源と、
    このレーザ光源を発光させる光源駆動手段と、
    回転駆動される前記光情報記録媒体とこの光情報記録媒体に照射されるレーザ光との間の相対的な線速度を制御しながら、前記光源駆動手段をＰＷＭ変調方式に従い制御して前記レーザ光源を発光させることで、前記光情報記録媒体に対する情報の記録を行わせる記録動作実行手段と、
    記録動作実行に先立ち、対象となる光情報記録媒体に対して消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏを求める転位線速度測定手段と、
    この転位線速度測定手段により求められた転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作を実行するように前記記録動作実行手段により実行される記録動作を制御する記録動作制御手段と、
    を備えることを特徴とする情報記録装置。
  15. 前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に照射する連続光の消去パワーレベルＰｅが、強度変調させたパルスパターンを用いて記録を実行する場合における最適な記録パワーレベルＰｗｏに対して、
    （Ｐｗｏ／２）≦Ｐｅ≦（Ｐｗｏ／２）×１．５
    となるように前記光源駆動手段を制御することを特徴とする請求項１４記載の情報記録装置。
  16. 記録動作に先立ち、光情報記録媒体に対してＯＰＣ（Optimum Power Control）法による試し書き記録を行い最適な記録パワーレベルＰｗｏを求めるＯＰＣ手段を備え、
    前記転位線速度測定手段は、消去パワーレベルＰｅを規定するための最適な記録パワーレベルＰｗｏとして、ＯＰＣ（Optimum Power Control）法による試し書き記録により決定された値を用いることを特徴とする請求項１５記載の情報記録装置。
  17. 前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に、前記光情報記録媒体の回転速度を変化させるとともに、当該光情報記録媒体のデータ領域よりも外周部の領域を使用して反射光強度の測定を実行することで、異なる線速度における反射光強度比Ｒｒを求めることにより、転位線速度Ｖｏを求めることを特徴とする請求項１４又は１５記載の情報記録装置。
  18. 前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に、前記光情報記録媒体をＣＡＶ方式で回転させながら、内周部から外周部まで測定位置を変化させて反射光強度の測定を実行することで、異なる線速度における反射光強度比Ｒｒを求めることにより、転位線速度Ｖｏを求めることを特徴とする請求項１４又は１５記載の情報記録装置。
  19. 前記記録動作制御手段は、求められた転位線速度Ｖｏを含む線速度範囲について全面又は部分ＣＡＶ方式で記録を行うとき、転位線速度Ｖｏよりも低い線速度で、消去パワーレベル比ε（ε＝消去パワーレベルＰｅ／記録パワーレベルＰｗ）を切換えるように前記記録動作実行手段により実行される記録動作を制御することを特徴とする請求項１４又は１５記載の情報記録装置。
  20. 転位線速度Ｖｏよりも低い線速度領域における消去パワーレベル比εＬと、転位線速度Ｖｏよりも高い線速度領域における消去パワーレベル比εＨとの比（εＨ ／εＬ ）が、（εＨ ／εＬ ）＜１であることを特徴とする請求項１９記載の情報記録装置。
  21. 転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている光情報記録媒体を対象とする場合、前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に、当該光情報記録媒体からテスト線速度範囲に関する情報を取得して転位線速度Ｖｏを求める際のテスト線速度範囲を決定することを特徴とする請求項１４ないし２０の何れか一記載の情報記録装置。
  22. 転位線速度Ｖｏを求める際に使用される連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報がプリフォーマット情報としてエンコードされている光情報記録媒体を対象とする場合、前記転位線速度測定手段は、転位線速度Ｖｏを求める際に、当該光情報記録媒体から連続光の消去パワーレベルＰｅの範囲に関する情報を取得して転位線速度Ｖｏを求める際の連続光のパワーレベルＰｅを決定することを特徴とする請求項１４ないし２０の何れか一記載の情報記録装置。
  23. 案内溝を有する基板上に少なくとも相変化記録層を有する光情報記録媒体に対して、時間的長さｎＴ（ｎは自然数、Ｔは基本クロック周期）の記録マーク及びマーク間でＰＷＭ変調方式に従い、強度変調させたパルスパターンにより発光させたレーザ光を照射することにより、前記転位線速度Ｖｏより速い線速度範囲で記録動作を行い、前記相変化記録層に相変化を生じさせることで、情報の記録を行う情報記録装置が備えるコンピュータにインストールされ、当該コンピュータに、
    記録動作実行に先立ち、対象となる光情報記録媒体に対して消去パワーレベルＰｅのレーザ光の連続光を照射したとき、当該レーザ光照射前後の反射光強度比Ｒｒ＝（レーザ光照射後の反射光強度Ｒａ）／（レーザ光照射前の反射光強度Ｒｂ）がＲｒ＜１となる線速度の最小値である転位線速度Ｖｏを求める転位線速度測定処理を実行させることを特徴とする情報記録用プログラム。
  24. 請求項２３記載の情報記録用プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記憶媒体。
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