JP3267675B2 - 光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録媒体、特に相変
化型情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体に関するも
のであり、光メモリー関連機器に応用される。
化型情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ書換が可能である情報記録媒体に関するも
のであり、光メモリー関連機器に応用される。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ
−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐ
ｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加した材料の提
案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した
材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３−２２８４
３３）の提案などもなされている。しかしながら、その
いずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体として要求
される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消
し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ
−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材
料があげられる。また安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９
２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐ
ｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加した材料の提
案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した
材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３−２２８４
３３）の提案などもなされている。しかしながら、その
いずれもが相変化形書換可能光メモリー媒体として要求
される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消
し残りによる消去比低下の防止、ならびに記録部、未記
録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
【０００３】特開昭６３−２５１２９０では結晶状態が
実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具
備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元
以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を持
った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら消去比が低い、記録消去に要する
レーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないなどの
欠点を有している。これらの事情から消去比が高く、高
感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望まれてい
た。
実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を具
備した記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元
以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組成を持
った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるとし
ている。しかしながら消去比が低い、記録消去に要する
レーザーパワーが未だ十分に低減されてはいないなどの
欠点を有している。これらの事情から消去比が高く、高
感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望まれてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は以上の
ような事情に対するものであり、消去比が高く、低パワ
ーで記録−消去の繰り返しが可能な情報記録媒体および
その製造方法を提供するものである。
ような事情に対するものであり、消去比が高く、低パワ
ーで記録−消去の繰り返しが可能な情報記録媒体および
その製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは改善
に鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合致する記録材料
とその製造方法を見出した。即ち、本発明は、 （１）レーザー光の照射により情報の記録、消去、再生
を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記録層
がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系の相変化型記録
材料を主成分として含有し、未記録および消去時に化学
量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶相が
存在する光情報記録媒体、 （２）記録層の安定状態と準安定状態との間の転移を利
用して記録消去を行う情報記録媒体において、基板上に
設けられた記録層の安定状態における組成および化学構
造が主として、化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳ
ｂＴｅ2相とＩｎとＳｂからなる相との混相状態をとる
光情報記録媒体、 （３）情報未記録時には記録層の安定状態が、情報記録
時には記録層の安定状態と準安定状態が存在する（２）
記載の光記録媒体、 （４）記録層の安定状態において、化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が結晶状態である（２）記
載の光記録媒体、 （５）記録層の安定状態において、結晶状態のＩｎＳｂ
Z （０．５≦Ｚ≦２．５）が観測されない（２）記載の
光記録媒体、 （６）請求項４に記載の化学量論組成あるいはそれに近
いＡｇＳｂＴｅ2の結晶子径が１０００Å以下である
（４）記載の光記録媒体、 （７）記録層の安定状態と準安定状態との間の転移を利
用して記録消去を行う情報記録媒体において、基板上に
設けられた記録層の安定状態における組成および化学構
造が主として （ＡｇＳｂＴｅ2+δ/△）X（ＩｎＳｂZ）1-X ただし、
に鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合致する記録材料
とその製造方法を見出した。即ち、本発明は、 （１）レーザー光の照射により情報の記録、消去、再生
を行う書き換え可能な光情報記録媒体において、記録層
がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系の相変化型記録
材料を主成分として含有し、未記録および消去時に化学
量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶相が
存在する光情報記録媒体、 （２）記録層の安定状態と準安定状態との間の転移を利
用して記録消去を行う情報記録媒体において、基板上に
設けられた記録層の安定状態における組成および化学構
造が主として、化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳ
ｂＴｅ2相とＩｎとＳｂからなる相との混相状態をとる
光情報記録媒体、 （３）情報未記録時には記録層の安定状態が、情報記録
時には記録層の安定状態と準安定状態が存在する（２）
記載の光記録媒体、 （４）記録層の安定状態において、化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が結晶状態である（２）記
載の光記録媒体、 （５）記録層の安定状態において、結晶状態のＩｎＳｂ
Z （０．５≦Ｚ≦２．５）が観測されない（２）記載の
光記録媒体、 （６）請求項４に記載の化学量論組成あるいはそれに近
いＡｇＳｂＴｅ2の結晶子径が１０００Å以下である
（４）記載の光記録媒体、 （７）記録層の安定状態と準安定状態との間の転移を利
用して記録消去を行う情報記録媒体において、基板上に
設けられた記録層の安定状態における組成および化学構
造が主として （ＡｇＳｂＴｅ2+δ/△）X（ＩｎＳｂZ）1-X ただし、
【０００６】
【数２】
【０００７】 ０．４≦Ｘ≦０．５５ ０．５≦Ｚ≦２．５ −０．１５＜δ＜０．１ で表わされる光記録媒体、 （８）情報未記録時には記録層の安定状態が、情報記録
時には記録層の安定状態と準安定状態が存在する（７）
記載の光記録媒体、 （９）記録層の安定状態において、化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が結晶状態である（７）記
載の光記録媒体、 （１０）記録層の安定状態において、結晶状態のＩｎＳ
ｂZ （０．５≦Ｚ≦２．５）が観測されない（７）記載
の光記録媒体、 （１１）化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2の結晶子径が１０００Å以下である（９）記載の光記
録媒体、 （１２）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡ
ｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分
散した組織となっている光情報記録媒体、 （１３）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡ
ｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分
散し、各結晶粒の結晶方位が２０００Åから１００００
Åの領域で等しくなっている光情報記録媒体、 （１４）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡ
ｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分
散した組織となっており、前記保護層がＡｌＮである光
情報記録媒体、 （１５）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡ
ｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分
散し、各結晶粒の結晶方位が２０００Åから１００００
Åの領域で等しくなっており、前記保護層がＡｌＮであ
る光情報記録媒体、 （１６）記録層の準安定状態において、結晶状態の化学
量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｎＴｅ2が観測され
ない（７）記載の光記録媒体、 （１７）記録層の準安定状態において、結晶状態のＩｎ
ＳｂZが観測されない（２）記載の光記録媒体、 （１８）記録層の安定状態及び準安定状態において、Ａ
ｇ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎの各元素の単体からなる結晶が観
測されない（７）記載の光記録媒体、 （１９）記録層の安定状態及び準安定状態において、結
晶状態のＡｇＩｎＴｅ2が観測されない（７）記載の光
記録媒体、 （２０）ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂを原材料として用いて記
録層を製膜し、レーザー光、熱等により初期化を施すこ
とにより化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2 が結晶状態である安定状態の記録層を得る（２）記載
の光記録媒体の製造方法、 （２１）記録層を、主にＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとからな
るターゲットを用い、スパッタ法により製膜する（２
０）記載の光記録媒体の製造方法、に関するものであ
る。
時には記録層の安定状態と準安定状態が存在する（７）
記載の光記録媒体、 （９）記録層の安定状態において、化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が結晶状態である（７）記
載の光記録媒体、 （１０）記録層の安定状態において、結晶状態のＩｎＳ
ｂZ （０．５≦Ｚ≦２．５）が観測されない（７）記載
の光記録媒体、 （１１）化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2の結晶子径が１０００Å以下である（９）記載の光記
録媒体、 （１２）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡ
ｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分
散した組織となっている光情報記録媒体、 （１３）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡ
ｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分
散し、各結晶粒の結晶方位が２０００Åから１００００
Åの領域で等しくなっている光情報記録媒体、 （１４）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡ
ｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分
散した組織となっており、前記保護層がＡｌＮである光
情報記録媒体、 （１５）基板上に記録層と保護層と反射放熱層を有する
光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，
Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均一なアモル
ファス相となり、そのアモルファス相を融点以下に加熱
徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂからなるア
モルファス母相中に化学量論組成あるいはそれに近いＡ
ｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結晶子径で分
散し、各結晶粒の結晶方位が２０００Åから１００００
Åの領域で等しくなっており、前記保護層がＡｌＮであ
る光情報記録媒体、 （１６）記録層の準安定状態において、結晶状態の化学
量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｎＴｅ2が観測され
ない（７）記載の光記録媒体、 （１７）記録層の準安定状態において、結晶状態のＩｎ
ＳｂZが観測されない（２）記載の光記録媒体、 （１８）記録層の安定状態及び準安定状態において、Ａ
ｇ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎの各元素の単体からなる結晶が観
測されない（７）記載の光記録媒体、 （１９）記録層の安定状態及び準安定状態において、結
晶状態のＡｇＩｎＴｅ2が観測されない（７）記載の光
記録媒体、 （２０）ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂを原材料として用いて記
録層を製膜し、レーザー光、熱等により初期化を施すこ
とにより化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2 が結晶状態である安定状態の記録層を得る（２）記載
の光記録媒体の製造方法、 （２１）記録層を、主にＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとからな
るターゲットを用い、スパッタ法により製膜する（２
０）記載の光記録媒体の製造方法、に関するものであ
る。
【０００８】本発明において記録層の組成は記録膜を蛍
光Ｘ線により測定して得られる値を用いたが、そのほか
にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散乱、
オージェ電子分光等の分析法が考えられる。その際は蛍
光Ｘ線で得られる値との較正をする必要がある。
光Ｘ線により測定して得られる値を用いたが、そのほか
にもＸ線マイクロアナリシス、ラザフォード後方散乱、
オージェ電子分光等の分析法が考えられる。その際は蛍
光Ｘ線で得られる値との較正をする必要がある。
【０００９】記録層中に含まれる物質の観測はＸ線回折
または電子線回折が適している。また結晶状態の観測は
電子線回折等が適している。すなわち結晶状態の判定と
して、電子線回折像でスポット状乃至デバイリング状の
パターンが観測される場合には結晶状態、リング状のパ
ターン乃至ハローパターンが観測される場合には非結晶
状態とする。結晶子径はＸ線回折ピークの半値幅からシ
ェラーの式を用いて求めることができる。
または電子線回折が適している。また結晶状態の観測は
電子線回折等が適している。すなわち結晶状態の判定と
して、電子線回折像でスポット状乃至デバイリング状の
パターンが観測される場合には結晶状態、リング状のパ
ターン乃至ハローパターンが観測される場合には非結晶
状態とする。結晶子径はＸ線回折ピークの半値幅からシ
ェラーの式を用いて求めることができる。
【００１０】本発明をさらに詳細に説明すると、本発明
にかかわる記録層は構成元素として少なくともＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むものである。記録層は製膜時にア
モルファスであることが多いが、媒体形成後熱処理して
初期化する。
にかかわる記録層は構成元素として少なくともＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むものである。記録層は製膜時にア
モルファスであることが多いが、媒体形成後熱処理して
初期化する。
【００１１】図１は電子顕微鏡観察、電子線回折、Ｘ線
回折の結果をもとに、最適な記録層の安定状態（未記録
部）の様子を模式的に示した図である。結晶相の化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2（図中１）と
アモルファス相ＩｎＳｂZ（図中２）が混相状態で存在
し、化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2は
結晶子径１０００Å以下の微結晶状態にある。
回折の結果をもとに、最適な記録層の安定状態（未記録
部）の様子を模式的に示した図である。結晶相の化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2（図中１）と
アモルファス相ＩｎＳｂZ（図中２）が混相状態で存在
し、化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2は
結晶子径１０００Å以下の微結晶状態にある。
【００１２】アモルファス相は一般に等方性の高い構造
を持つといわれている。一方、ＡｇＳｂＴｅ2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2とアモルファス相ＩｎＳｂZの組み合わせ、または全く
別の単一アモルファス相等になっていると考えられる。
を持つといわれている。一方、ＡｇＳｂＴｅ2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2とアモルファス相ＩｎＳｂZの組み合わせ、または全く
別の単一アモルファス相等になっていると考えられる。
【００１３】また、逆にこのような均一性の高いアモル
ファス相から等方的な結晶構造への転移において（消去
→安定状態への転移）は結晶化も均一に起こり、したが
って消去比は非常に高いものとなる。また、１０００Å
程度の微粒子ではサイズ効果による融点降下がおこるた
め、比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即
ち、記録媒体としては記録感度が向上する。言い換える
と、結晶子の大きさが１０００Å以上になると記録感度
の悪化、消去比の低下の原因となる。さらに好ましい結
晶子径は５０Åから５００Åの範囲である。５０Å以下
では反射率が低下し十分なＣ／Ｎが得られない。一方結
晶子径が５００Å以上になると徐々に消去比の低下が起
こる。このような高消去比の原因は化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2の周りをアモルファスのＩ
ｎＳｂZが取り囲んでいることが化学量論組成あるいは
それに近いＡｇＳｂＴｅ2の結晶子同志が接して粗大結
晶粒を形成することを防ぐ役割をすると考えられる。さ
らにアモルファスマトリクス中の隣り合う化学量論組成
あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2結晶粒が同じ方位を
向いた領域が１０００Åから１００００Åの範囲で存在
することが望ましい。この範囲では十分なＣ／Ｎと消去
比、繰返し特性が得られる。この領域が１０００Å以下
あるいは１００００Å以上では繰返し特性が低下する。
ファス相から等方的な結晶構造への転移において（消去
→安定状態への転移）は結晶化も均一に起こり、したが
って消去比は非常に高いものとなる。また、１０００Å
程度の微粒子ではサイズ効果による融点降下がおこるた
め、比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即
ち、記録媒体としては記録感度が向上する。言い換える
と、結晶子の大きさが１０００Å以上になると記録感度
の悪化、消去比の低下の原因となる。さらに好ましい結
晶子径は５０Åから５００Åの範囲である。５０Å以下
では反射率が低下し十分なＣ／Ｎが得られない。一方結
晶子径が５００Å以上になると徐々に消去比の低下が起
こる。このような高消去比の原因は化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2の周りをアモルファスのＩ
ｎＳｂZが取り囲んでいることが化学量論組成あるいは
それに近いＡｇＳｂＴｅ2の結晶子同志が接して粗大結
晶粒を形成することを防ぐ役割をすると考えられる。さ
らにアモルファスマトリクス中の隣り合う化学量論組成
あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2結晶粒が同じ方位を
向いた領域が１０００Åから１００００Åの範囲で存在
することが望ましい。この範囲では十分なＣ／Ｎと消去
比、繰返し特性が得られる。この領域が１０００Å以下
あるいは１００００Å以上では繰返し特性が低下する。
【００１４】このような混相状態はＡｇＩｎＴｅ2とＳ
ｂとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微結晶の化学量論組成ある
いはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2とアモルファスＩｎＳｂZ
の均一な混相を作成することができる。
ｂとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微結晶の化学量論組成ある
いはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2とアモルファスＩｎＳｂZ
の均一な混相を作成することができる。
【００１５】記録消去を低線速（１ｍ／ｓ〜５．６ｍ／
ｓ）で行う場合には、前記式中のＸ，Ｚ，δの範囲は、
０．４≦Ｘ≦０．５５、０．５≦Ｚ≦２．５、−０．１
５≦δ≦０．１の範囲が好ましい。さらに好ましい範囲
は０．４≦Ｘ≦０．５５、０．７≦Ｚ≦２．２、−０．
１５＜δ＜０．０５、又さらに好ましい範囲は０．４２
≦Ｘ≦０．５、０．７≦Ｚ≦２．２、−０．１＜δ＜
０．０２である。
ｓ）で行う場合には、前記式中のＸ，Ｚ，δの範囲は、
０．４≦Ｘ≦０．５５、０．５≦Ｚ≦２．５、−０．１
５≦δ≦０．１の範囲が好ましい。さらに好ましい範囲
は０．４≦Ｘ≦０．５５、０．７≦Ｚ≦２．２、−０．
１５＜δ＜０．０５、又さらに好ましい範囲は０．４２
≦Ｘ≦０．５、０．７≦Ｚ≦２．２、−０．１＜δ＜
０．０２である。
【００１６】本発明の記録層は各種気相成長法、たとえ
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル
法のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜
厚としては１００〜１００００Å、好適には２００〜３
０００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能
が著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくな
る。また１００００Åより厚いと高速で均一な相変化が
おこりにくくなる。
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル
法のような湿式プロセスも適用可能である。記録層の膜
厚としては１００〜１００００Å、好適には２００〜３
０００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能
が著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくな
る。また１００００Åより厚いと高速で均一な相変化が
おこりにくくなる。
【００１７】スパッタリング用ターゲットとしては、Ａ
ｇＩｎＴｅ2ターゲットにＳｂのチップを乗せたもの、
あるいは埋め込んだもの、ＳｂターゲットにＡｇＩｎＴ
ｅ2チップを乗せたもの、あるいは埋め込んだもの、ま
たはＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの混合物、はり合わせ、それ
らの焼結体など様々な形態が考えられ、そのいずれの方
法で作成してもよい。またＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ単体
あるいはそれらの化合物の混合物からＡｇＩｎＴｅ2と
Ｓｂを主に含むターゲットを作成してもよい。４元素の
組成比、チップの大きさや数、ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの
混合比、面積比などはスパッタリング装置、条件等に応
じ、適宜決定することができる。その際ターゲットの組
成によってはＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ単体あるいはそれ
らの２元化合物がターゲット中に混在することもある
が、記録膜の性能に大きな影響を与えるものではない。
なおＡｇＩｎＴｅ2は必ずしも化学量論組成を意味する
ものではない。
ｇＩｎＴｅ2ターゲットにＳｂのチップを乗せたもの、
あるいは埋め込んだもの、ＳｂターゲットにＡｇＩｎＴ
ｅ2チップを乗せたもの、あるいは埋め込んだもの、ま
たはＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの混合物、はり合わせ、それ
らの焼結体など様々な形態が考えられ、そのいずれの方
法で作成してもよい。またＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ単体
あるいはそれらの化合物の混合物からＡｇＩｎＴｅ2と
Ｓｂを主に含むターゲットを作成してもよい。４元素の
組成比、チップの大きさや数、ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂの
混合比、面積比などはスパッタリング装置、条件等に応
じ、適宜決定することができる。その際ターゲットの組
成によってはＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ単体あるいはそれ
らの２元化合物がターゲット中に混在することもある
が、記録膜の性能に大きな影響を与えるものではない。
なおＡｇＩｎＴｅ2は必ずしも化学量論組成を意味する
ものではない。
【００１８】以下本発明を添付図面に基づき説明する。
図２は本発明の構成例を示すものである。基板（１）上
に耐熱性保護層（２）、記録層（３）、耐熱性保護層
（４）、反射放熱層（５）が設けられている。耐熱性保
護層はかならずしも記録層の両側共に設ける必要はない
が、基板がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い
材料の場合には耐熱性保護層（２）を設けることが望ま
しい。
図２は本発明の構成例を示すものである。基板（１）上
に耐熱性保護層（２）、記録層（３）、耐熱性保護層
（４）、反射放熱層（５）が設けられている。耐熱性保
護層はかならずしも記録層の両側共に設ける必要はない
が、基板がポリカーボネート樹脂のように耐熱性が低い
材料の場合には耐熱性保護層（２）を設けることが望ま
しい。
【００１９】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の形状として
はディスク状、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
【００２０】耐熱性保護層の材料としては、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ
3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ
Ｎ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ，Ｉｎ
2Ｓ3，ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，Ｂ4Ｃ，
ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カ
ーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。特にＡｌ
Ｎ，ＢＮ，ＳｉＣ，Ｃなど熱伝導率が１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以
上の保護層が適している。通常μｍオーダー以下の薄
膜、特に耐熱保護層に使用しているような絶縁体薄膜そ
のものの熱伝導率測定は極めて困難である。そこで本発
明で記載する熱伝導率は同じ物質のバルク状態を測定対
象とし、縦方向直接法、あるいはレーザーフラッシュ法
を用いて測定した値である。
ｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ
3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ
Ｎ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ，Ｉｎ
2Ｓ3，ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，Ｂ4Ｃ，
ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カ
ーボンあるいはそれらの混合物が挙げられる。特にＡｌ
Ｎ，ＢＮ，ＳｉＣ，Ｃなど熱伝導率が１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以
上の保護層が適している。通常μｍオーダー以下の薄
膜、特に耐熱保護層に使用しているような絶縁体薄膜そ
のものの熱伝導率測定は極めて困難である。そこで本発
明で記載する熱伝導率は同じ物質のバルク状態を測定対
象とし、縦方向直接法、あるいはレーザーフラッシュ法
を用いて測定した値である。
【００２１】その値が１．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以上とな
った材料を本明細書記載の適切な製膜手段を用いて薄膜
したものを上部耐熱保護層として用いた。これらの材料
は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合物
としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでいて
もよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融点よりも高
いことが必要である。また必要に応じて保護層を多層化
することもできる。このような耐熱性保護層は各種気相
成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護
層の膜厚としては２００〜５０００Å、好適には５００
〜３０００Åとするのがよい。２００Åよりも薄くなる
と耐熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５
０００Åよりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。
った材料を本明細書記載の適切な製膜手段を用いて薄膜
したものを上部耐熱保護層として用いた。これらの材料
は単体で保護層とすることもできるが、お互いの混合物
としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでいて
もよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融点よりも高
いことが必要である。また必要に応じて保護層を多層化
することもできる。このような耐熱性保護層は各種気相
成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護
層の膜厚としては２００〜５０００Å、好適には５００
〜３０００Åとするのがよい。２００Åよりも薄くなる
と耐熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５
０００Åよりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。
【００２２】反射放熱層としてはＡｌ，Ａｕ，Ａｇなど
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出し記録媒体自身への熱負担を軽減するために設け
るほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成
長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズ
マＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電
子ビーム蒸着法などによって形成できる。
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出し記録媒体自身への熱負担を軽減するために設け
るほうが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成
長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズ
マＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電
子ビーム蒸着法などによって形成できる。
【００２３】記録、再生および消去に用いる電磁波とし
てはレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
てはレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。
【００２４】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。
【００２５】実施例１ ３．５インチグルーヴ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてＳｉ3Ｎ4を２０００Å、Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層を１０００Å、上部耐熱保
護層としてＡｌＮを１５００Å、反射放熱層としてＡｌ
を５００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法により積
層、設置した。その際スパッタリング用ターゲットとし
てはＡｇＩｎＴｅ2ターゲット上にＳｂチップをのせた
ものを用いた。記録層の組成はＡｇ0.122Ｉｎ0.162Ｓｂ
0.470Ｔｅ0.246一定とした。初期化方法として半導体レ
ーザー、Ａｒレーザー、フラッシュランプを用いること
で記録層の構造を変化させディスク特性を評価した。こ
の際ＡｇＳｂＴｅ2結晶子径はおよそ２００Å〜３００
Åであった。光学系のＮＡは０．５、波長８３０ｎｍ、
線速度７ｍ／ｓ、周波数４ＭＨｚ、５０％デューティー
比で記録し、周波数５ＭＨｚ、５０％デューティー比で
オーバーライトを行ったときの周波数４ＭＨｚの信号の
Ｃ／Ｎ、消去比を測定し、記録媒体としての判定を行っ
た。その結果を表１に示す。
板上に下部耐熱保護層としてＳｉ3Ｎ4を２０００Å、Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層を１０００Å、上部耐熱保
護層としてＡｌＮを１５００Å、反射放熱層としてＡｌ
を５００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法により積
層、設置した。その際スパッタリング用ターゲットとし
てはＡｇＩｎＴｅ2ターゲット上にＳｂチップをのせた
ものを用いた。記録層の組成はＡｇ0.122Ｉｎ0.162Ｓｂ
0.470Ｔｅ0.246一定とした。初期化方法として半導体レ
ーザー、Ａｒレーザー、フラッシュランプを用いること
で記録層の構造を変化させディスク特性を評価した。こ
の際ＡｇＳｂＴｅ2結晶子径はおよそ２００Å〜３００
Åであった。光学系のＮＡは０．５、波長８３０ｎｍ、
線速度７ｍ／ｓ、周波数４ＭＨｚ、５０％デューティー
比で記録し、周波数５ＭＨｚ、５０％デューティー比で
オーバーライトを行ったときの周波数４ＭＨｚの信号の
Ｃ／Ｎ、消去比を測定し、記録媒体としての判定を行っ
た。その結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】実施例２ 実施例１と同様にして記録層の初期化状態として化学量
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2とアモルファ
ス（ＩｎＳｂ）Zの混相状態を作り、上部保護層として
実施例１と同様にＡｌＮ、それとの比較としてＡｌＮを
Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2に置きかえたものを用いてデイスク
を作製した。
論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2とアモルファ
ス（ＩｎＳｂ）Zの混相状態を作り、上部保護層として
実施例１と同様にＡｌＮ、それとの比較としてＡｌＮを
Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2に置きかえたものを用いてデイスク
を作製した。
【００２８】各材料の熱伝導率はＡｌＮ：２．６Ｗ／ｃ
ｍＫ、Ｓｉ3Ｎ4：０．８Ｗ／ｃｍＫ、ＳｉＯ2：０．６
Ｗ／ｃｍＫであった。表２にＣ／Ｎ、消去比の初期特
性、繰り返し特性を示す。
ｍＫ、Ｓｉ3Ｎ4：０．８Ｗ／ｃｍＫ、ＳｉＯ2：０．６
Ｗ／ｃｍＫであった。表２にＣ／Ｎ、消去比の初期特
性、繰り返し特性を示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】実施例３ ３．５インチグルーヴ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％混）を２０００Å、記録層を１０００Å、上部耐
熱保護層としてＡｌＮを１５００Å、反射放熱層として
Ａｇを７００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法によ
り積層、設置した。記録層の組成はターゲット組成の調
整により変化させた。蛍光Ｘ線により測定した記録層の
組成ｘ，ｚ，δを表３に示す。ディスク作製時の記録層
はいずれもアモルファス相であった。波長８３０ｎｍの
半導体レーザー光により記録層を充分結晶化させ初期化
状態（安定状態）とした。線速度１．３ｍ／ｓ、周波数
０．７２ＭＨｚ、５０％デューティー比で記録し、周波
数０．２ＭＨｚ、５０％デューティー比でオーバーライ
トを行ったときの周波数０．７２ＭＨｚの信号のＣ／
Ｎ、消去比を測定し、記録媒体としての判定を行った。
結果を表３中に示す。表中、●はＣ／Ｎ≧５０ｄＢ、消
去比≧−３０ｄＢ、○はＣ／Ｎ≧４０ｄＢ、消去比≧−
２５ｄＢ、△はＣ／Ｎ≧３０ｄＢ、消去比≧−２０ｄ
Ｂ、×はＣ／Ｎ＜３０ｄＢ、消去比＜−２０ｄＢである
ことを示す。組成ｘ，ｚとディスク特性との関係を表わ
したものを図３に、δとディスク特性との関係を図４に
示す。０．４≦ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．５、−
０．１５＜δ＜０．１の範囲で良好なディスク特性を示
すことがわかる。また表３中にあるように記録感度も非
常に高いものとなっている。
板上に下部耐熱保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2（２０ｍ
ｏｌ％混）を２０００Å、記録層を１０００Å、上部耐
熱保護層としてＡｌＮを１５００Å、反射放熱層として
Ａｇを７００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法によ
り積層、設置した。記録層の組成はターゲット組成の調
整により変化させた。蛍光Ｘ線により測定した記録層の
組成ｘ，ｚ，δを表３に示す。ディスク作製時の記録層
はいずれもアモルファス相であった。波長８３０ｎｍの
半導体レーザー光により記録層を充分結晶化させ初期化
状態（安定状態）とした。線速度１．３ｍ／ｓ、周波数
０．７２ＭＨｚ、５０％デューティー比で記録し、周波
数０．２ＭＨｚ、５０％デューティー比でオーバーライ
トを行ったときの周波数０．７２ＭＨｚの信号のＣ／
Ｎ、消去比を測定し、記録媒体としての判定を行った。
結果を表３中に示す。表中、●はＣ／Ｎ≧５０ｄＢ、消
去比≧−３０ｄＢ、○はＣ／Ｎ≧４０ｄＢ、消去比≧−
２５ｄＢ、△はＣ／Ｎ≧３０ｄＢ、消去比≧−２０ｄ
Ｂ、×はＣ／Ｎ＜３０ｄＢ、消去比＜−２０ｄＢである
ことを示す。組成ｘ，ｚとディスク特性との関係を表わ
したものを図３に、δとディスク特性との関係を図４に
示す。０．４≦ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．５、−
０．１５＜δ＜０．１の範囲で良好なディスク特性を示
すことがわかる。また表３中にあるように記録感度も非
常に高いものとなっている。
【００３１】
【表３】
【００３２】実施例４ ３．５インチグルーヴ付きポリカーボネートディスク基
板上に下部耐熱保護層としてＳｉ3Ｎ4を２０００Å、Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層を１０００Å、上部耐熱保
護層としてＳｉ3Ｎ4を１０００Å、反射放熱層としてＡ
ｌを５００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法により
積層、設置した。記録層の組成は （ＡｇＳｂＴｅ2+δ/△）X（ＩｎＳｂZ）1-X ただし、
板上に下部耐熱保護層としてＳｉ3Ｎ4を２０００Å、Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層を１０００Å、上部耐熱保
護層としてＳｉ3Ｎ4を１０００Å、反射放熱層としてＡ
ｌを５００Å、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法により
積層、設置した。記録層の組成は （ＡｇＳｂＴｅ2+δ/△）X（ＩｎＳｂZ）1-X ただし、
【００３３】
【数３】
【００３４】Ｘ＝０．５ Ｚ＝１．５ δ＝０ 初期化はＬＤにより行った。初期化パワーを変化させる
ことにより、結晶子径を変えることができる。結晶子径
はＸ線回折データのピーク半値幅からＳｃｈｅｒｒｅｒ
の式を用いて求めた。またこれらの記録において結晶方
位がそろっている領域はおよそ２０００Å程度であっ
た。結晶方位の評価はＴＥＭ観察によって行った。
ことにより、結晶子径を変えることができる。結晶子径
はＸ線回折データのピーク半値幅からＳｃｈｅｒｒｅｒ
の式を用いて求めた。またこれらの記録において結晶方
位がそろっている領域はおよそ２０００Å程度であっ
た。結晶方位の評価はＴＥＭ観察によって行った。
【００３５】波長８３０ｎｍ、線速度７ｍ／ｓ、周波数
４ＭＨｚ、５０％デューティー比で記録し、周波数５Ｍ
Ｈｚ、５０％デューティー比でオーバーライトを行った
ときの周波数４ＭＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を測定
し、記録媒体としての判定を行った。図５にＣ／Ｎ（実
線）、消去比（点線）の結晶子径依存性を示す。結晶子
径が５０Å以下ではＣ／Ｎが低下し、５００Å以上では
徐々に消去比が低下することがわかる。
４ＭＨｚ、５０％デューティー比で記録し、周波数５Ｍ
Ｈｚ、５０％デューティー比でオーバーライトを行った
ときの周波数４ＭＨｚの信号のＣ／Ｎ、消去比を測定
し、記録媒体としての判定を行った。図５にＣ／Ｎ（実
線）、消去比（点線）の結晶子径依存性を示す。結晶子
径が５０Å以下ではＣ／Ｎが低下し、５００Å以上では
徐々に消去比が低下することがわかる。
【００３６】実施例５ 実施例４と同様にしてディスクを作製した。初期化は半
導体レーザーにより行った。線速度を１ｍ／ｓから２０
ｍ／ｓの範囲で変化させた。こうすることにより結晶方
位がそろっている領域の大きさを５００Åから２０００
０Åの範囲で変化させることができた。結晶子径は約２
００Å以下である。
導体レーザーにより行った。線速度を１ｍ／ｓから２０
ｍ／ｓの範囲で変化させた。こうすることにより結晶方
位がそろっている領域の大きさを５００Åから２０００
０Åの範囲で変化させることができた。結晶子径は約２
００Å以下である。
【００３７】図６に繰り返し特性の領域の大きさ依存性
を示す。繰り返し特性は消去比の低下が１０ｄＢになる
回数で評価している。図６からわかるように１０００Å
以下あるいは１００００Å以上で繰り返し特性が低下し
ている。
を示す。繰り返し特性は消去比の低下が１０ｄＢになる
回数で評価している。図６からわかるように１０００Å
以下あるいは１００００Å以上で繰り返し特性が低下し
ている。
【００３８】実施例６ 実施例４と同様にしてディスクを作製した。但し保護層
としてＡｌＮを用いた。図７に結晶子径と消去比の関係
を示す。保護層がＳｉ3Ｎ4の場合に比べ、５００Å以下
では消去比の改善が見られる。
としてＡｌＮを用いた。図７に結晶子径と消去比の関係
を示す。保護層がＳｉ3Ｎ4の場合に比べ、５００Å以下
では消去比の改善が見られる。
【００３９】実施例７ 実施例５と同様にしてディスクを作製した。但し保護層
としてＡｌＮを用いた。図８に結晶方位がそろった領域
の大きさと繰り返し特性との関係を示す。保護層がＳｉ
3Ｎ4の場合に比べ繰り返し特性は向上している。
としてＡｌＮを用いた。図８に結晶方位がそろった領域
の大きさと繰り返し特性との関係を示す。保護層がＳｉ
3Ｎ4の場合に比べ繰り返し特性は向上している。
【００４０】実施例４，５，６，７の記録層の記録部、
消去部のそれぞれについて電子線回折を行ったところ、
記録部についてはアモルファス特有のハローパターンが
観察された。これに対して消去部についてはハロパター
ンに加えて明確な回折斑点が見られた。この回折斑点は
ＡｇＳｂＴｅ2の面間隔と一致しており、消去時に化学
量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が微結晶と
なっていることが確認された。
消去部のそれぞれについて電子線回折を行ったところ、
記録部についてはアモルファス特有のハローパターンが
観察された。これに対して消去部についてはハロパター
ンに加えて明確な回折斑点が見られた。この回折斑点は
ＡｇＳｂＴｅ2の面間隔と一致しており、消去時に化学
量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が微結晶と
なっていることが確認された。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体は、消去比、記録感度が顕著に優れている。
体は、消去比、記録感度が顕著に優れている。
【図１】本発明光記録媒体の記録層の安定状態の模式的
説明図。
説明図。
【図２】本発明光記録媒体の層構成説明図。
【図３】実施例３の結果と、ｘとｚとの関係説明図。
【図４】実施例３の結果とδとの関係説明図。
【図５】実施例４の結果とＣ／Ｎ（実線）、消去比（点
線）の結晶子径依存性を示す図。
線）の結晶子径依存性を示す図。
【図６】実施例５の結果と繰返し特性と結晶方位がそろ
っている領域の大きさとの関係を示す図。
っている領域の大きさとの関係を示す図。
【図７】実施例６の結果と結晶子径と消去比の関係を示
す図。
す図。
【図８】実施例７の結果と繰返し特性と結晶方位がそろ
った領域の大きさとの関係を示す図。
った領域の大きさとの関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平３−9880（ＪＰ，Ａ)
Claims (21)
- 【請求項１】 レーザー光の照射により情報の記録、消
去、再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体におい
て、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含む４元系の相
変化型記録材料を主成分として含有し、未記録および消
去時に化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2
微結晶相が存在することを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 記録層の安定状態と準安定状態との間の
転移を利用して記録消去を行う情報記録媒体において、
基板上に設けられた記録層の安定状態における組成およ
び化学構造が主として、化学量論組成あるいはそれに近
いＡｇＳｂＴｅ2相とＩｎとＳｂからなる相との混相状
態をとることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】 情報未記録時には記録層の安定状態が、
情報記録時には記録層の安定状態と準安定状態が存在す
ることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 記録層の安定状態において、化学量論組
成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が結晶状態である
ことを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 記録層の安定状態において、結晶状態の
ＩｎＳｂZ （０．５≦Ｚ≦２．５）が観測されないこと
を特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項４に記載の化学量論組成あるいは
それに近いＡｇＳｂＴｅ2の結晶子径が１０００Å以下
であることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 記録層の安定状態と準安定状態との間の
転移を利用して記録消去を行う情報記録媒体において、
基板上に設けられた記録層の安定状態における組成およ
び化学構造が主として （ＡｇＳｂＴｅ2+δ/△）X（ＩｎＳｂZ）1-X ただし、 【数１】 ０．４≦ｘ≦０．５５ ０．５≦Ｚ≦２．５ −０．１５＜δ＜０．１ で表わされることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項８】 情報未記録時には記録層の安定状態が、
情報記録時には記録層の安定状態と準安定状態が存在す
ることを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 記録層の安定状態において、化学量論組
成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が結晶状態である
ことを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。 - 【請求項１０】 記録層の安定状態において、結晶状態
のＩｎＳｂZ （０．５≦Ｚ≦２．５）が観測されないこ
とを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】 化学量論組成あるいはそれに近いＡｇ
ＳｂＴｅ2の結晶子径が１０００Å以下であることを特
徴とする請求項９記載の光記録媒体。 - 【請求項１２】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂ
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いＡｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結
晶子径で分散した組織となっていることを特徴とする光
情報記録媒体。 - 【請求項１３】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂ
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いＡｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結
晶子径で分散し、各結晶粒の結晶方位が２０００Åから
１００００Åの領域で等しくなっていることを特徴とす
る光情報記録媒体。 - 【請求項１４】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂ
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いＡｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結
晶子径で分散した組織となっており、前記保護層がＡｌ
Ｎであることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項１５】 基板上に記録層と保護層と反射放熱層
を有する光情報記録媒体において、記録層がＡｇ，Ｉ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅからなり、溶融後急冷することにより均
一なアモルファス相となり、そのアモルファス相を融点
以下に加熱徐冷することにより、少なくともＩｎ，Ｓｂ
からなるアモルファス母相中に化学量論組成あるいはそ
れに近いＡｇＳｂＴｅ2結晶が５０Åから５００Åの結
晶子径で分散し、各結晶粒の結晶方位が２０００Åから
１００００Åの領域で等しくなっており、前記保護層が
ＡｌＮであることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項１６】 記録層の準安定状態において、結晶状
態の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ2が
観測されないことを特徴とする請求項７記載の光記録媒
体。 - 【請求項１７】 記録層の準安定状態において、結晶状
態のＩｎＳｂZが観測されないことを特徴とする請求項
７記載の光記録媒体。 - 【請求項１８】 記録層の安定状態及び準安定状態にお
いて、Ａｇ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎの各元素の単体からなる
結晶が観測されないことを特徴とする請求項７記載の光
記録媒体。 - 【請求項１９】 記録層の安定状態及び準安定状態にお
いて、結晶状態のＡｇＩｎＴｅ2が観測されないことを
特徴とする請求項７記載の光記録媒体。 - 【請求項２０】 ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂを原材料として
用いて記録層を製膜し、レーザー光、熱等により初期化
を施すことにより化学量論組成あるいはそれに近いＡｇ
ＳｂＴｅ 2 が結晶状態である安定状態の記録層を得るこ
とを特徴とする請求項２記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２１】 記録層を、主にＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
とからなるターゲットを用い、スパッタ法により製膜す
ることを特徴とする請求項２０記載の光記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14148592A JP3267675B2 (ja) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (7)
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|---|---|---|---|
| JP13271791 | 1991-06-04 | ||
| JP25659191 | 1991-10-03 | ||
| JP3-132717 | 1992-04-17 | ||
| JP4-97847 | 1992-04-17 | ||
| JP3-256591 | 1992-04-17 | ||
| JP9784792 | 1992-04-17 | ||
| JP14148592A JP3267675B2 (ja) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05345478A JPH05345478A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3267675B2 true JP3267675B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=27468575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14148592A Expired - Fee Related JP3267675B2 (ja) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3267675B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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| US6319368B1 (en) | 1995-03-31 | 2001-11-20 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of forming recording layer for the optical recording medium |
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| DE60125675T2 (de) | 2000-09-28 | 2007-10-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren und Vorrichtung zum Aufzeichnen auf oder Lesen von diesem Medium |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP14148592A patent/JP3267675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH05345478A (ja) | 1993-12-27 |
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