JPH0822644A - スパッタリング用ターゲット、その製造方法、そのターゲットを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲット、その製造方法、そのターゲットを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法Info
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- JPH0822644A JPH0822644A JP6332532A JP33253294A JPH0822644A JP H0822644 A JPH0822644 A JP H0822644A JP 6332532 A JP6332532 A JP 6332532A JP 33253294 A JP33253294 A JP 33253294A JP H0822644 A JPH0822644 A JP H0822644A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来に比べＣ／Ｎ、消去比、感度、記録．消
去繰り返し特性の飛躍的向上を達成できる光記録媒体を
提供する。 【構成】 記録を担う物質の相変化により記録消去を行
う光記録媒体の記録層の構成元素を主としてＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｔｅ、Ｓｂで、それぞれの組成比α、β、γ、δ
（原子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α＋β＋γ＋δ＝１００ としたことを特徴とする光記録媒体。
去繰り返し特性の飛躍的向上を達成できる光記録媒体を
提供する。 【構成】 記録を担う物質の相変化により記録消去を行
う光記録媒体の記録層の構成元素を主としてＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｔｅ、Ｓｂで、それぞれの組成比α、β、γ、δ
（原子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α＋β＋γ＋δ＝１００ としたことを特徴とする光記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング用ターゲ
ット、そのターゲットの製造方法、そのターゲットを用
いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法に関し、
詳しくは、光ビームを照射することにより記録層材料に
相変化を生じさせ、情報の記録・再生を行い、かつ、書
換えが可能である情報記録媒体（光記録媒体）とその光
記録媒体の製造方法及びその光記録媒体の作製に有用な
スパッタリング用ターゲット、そのターゲットの製造方
法に関する。
ット、そのターゲットの製造方法、そのターゲットを用
いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法に関し、
詳しくは、光ビームを照射することにより記録層材料に
相変化を生じさせ、情報の記録・再生を行い、かつ、書
換えが可能である情報記録媒体（光記録媒体）とその光
記録媒体の製造方法及びその光記録媒体の作製に有用な
スパッタリング用ターゲット、そのターゲットの製造方
法に関する。
【０００２】
【従来技術】電磁波、特にレーザービームの照射による
情報の記録、再生および消去可能な光記録媒体の一つと
して、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知られ
ている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
よりも単純であることなどから、最近その研究開発が活
発に行なわれるようになってきている。
情報の記録、再生および消去可能な光記録媒体の一つと
して、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転移
を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知られ
ている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
よりも単純であることなどから、最近その研究開発が活
発に行なわれるようになってきている。
【０００３】その代表的な例としては、ＵＳＰ３５３０
４４１に開示されているように、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳ
ｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓ
Ｓｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓなどのいわゆるカ
ルコゲン系合金材料があげられる。また、安定性、高速
結晶化等の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭
６１−２１９６９２号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１
−２７０１９０号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０
号）などを添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し
性能向上を目的に、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂの
組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特
開昭６３−２２８４３３号）の提案などもなされてい
る。
４４１に開示されているように、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳ
ｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓ
Ｓｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓなどのいわゆるカ
ルコゲン系合金材料があげられる。また、安定性、高速
結晶化等の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭
６１−２１９６９２号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１
−２７０１９０号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０
号）などを添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し
性能向上を目的に、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂの
組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特
開昭６３−２２８４３３号）の提案などもなされてい
る。
【０００４】しかしながら、そのいずれもが書替え型相
変化形光記録媒体として要求される諸特性のすべてを満
足しうるものとはいえない。特に、記録感度、消去感度
の向上、オーバーライト時の消しの残りによる消去比低
下の防止が解決すべき最重要課題となっている。
変化形光記録媒体として要求される諸特性のすべてを満
足しうるものとはいえない。特に、記録感度、消去感度
の向上、オーバーライト時の消しの残りによる消去比低
下の防止が解決すべき最重要課題となっている。
【０００５】これらの課題を解決するために、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の混相記録材料が開発された（特開平
３−２４０５９０号、特開平４−７８０３１号、特開平
４−２３２７７９号、特開平５−３４５４７８号な
ど）。これらの混相記録材料は、ピークパワー１２ｍＷ
以下の記録感度、消去感度を有する。特に、消去比が大
きく、マークエッジ記録用の記録層として優れている。
しかし、現在提案されているＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系
混相材料を記録層とした光記録媒体の保存信頼性や繰返
し信頼性については、満足できるものとはいえず、更に
なる改良が要求されている。
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の混相記録材料が開発された（特開平
３−２４０５９０号、特開平４−７８０３１号、特開平
４−２３２７７９号、特開平５−３４５４７８号な
ど）。これらの混相記録材料は、ピークパワー１２ｍＷ
以下の記録感度、消去感度を有する。特に、消去比が大
きく、マークエッジ記録用の記録層として優れている。
しかし、現在提案されているＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系
混相材料を記録層とした光記録媒体の保存信頼性や繰返
し信頼性については、満足できるものとはいえず、更に
なる改良が要求されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の実情に鑑みてなされたもので、Ｃ／Ｎ、消去比、感
度、ジッター、保存信頼性、繰返し信頼性に優れた情報
記録媒体、及びそれに関連したスパッタリング用ターゲ
ットを提供するものである。
の実情に鑑みてなされたもので、Ｃ／Ｎ、消去比、感
度、ジッター、保存信頼性、繰返し信頼性に優れた情報
記録媒体、及びそれに関連したスパッタリング用ターゲ
ットを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは光記録媒体
及びそれの作製に用いられるスパッタリング用ターゲッ
ト等について鋭意研究を重ねた結果、前記課題に合致す
る光記録媒体を見出した。すなわち、本発明によれば、
（１） 記録を担う物質の相変化により記録及び消去を
行なう光記録媒体の記録層を作製する際に用いられ、構
成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、それぞれ
の組成比α、β、γ、δ（原子％）が、 ２≦α≦３０ ３≦β≦３０ １０≦γ≦５０ １５≦δ≦８３ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とするスパッタリング用ターゲットが
提供され、（２） 前記（１）ターゲット中に含まれる
化合物ないし混合物がＳｂとカルコパイライト構造を有
する化学量論組成及び／又はそれに近い組成のＡｇＩｎ
Ｔｅ2とを主成分とするスパッタリング用ターゲットが
提供され、（３） 前記（２）のカルコパイライト構造
を有する化学量論組成及び／又はそれに近い組成のＡｇ
ＩｎＴｅ2が形成する結晶子の粒径ｄが、 ｄ≦４５０Å であるスパッタリング用ターゲットが提供される。
及びそれの作製に用いられるスパッタリング用ターゲッ
ト等について鋭意研究を重ねた結果、前記課題に合致す
る光記録媒体を見出した。すなわち、本発明によれば、
（１） 記録を担う物質の相変化により記録及び消去を
行なう光記録媒体の記録層を作製する際に用いられ、構
成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、それぞれ
の組成比α、β、γ、δ（原子％）が、 ２≦α≦３０ ３≦β≦３０ １０≦γ≦５０ １５≦δ≦８３ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とするスパッタリング用ターゲットが
提供され、（２） 前記（１）ターゲット中に含まれる
化合物ないし混合物がＳｂとカルコパイライト構造を有
する化学量論組成及び／又はそれに近い組成のＡｇＩｎ
Ｔｅ2とを主成分とするスパッタリング用ターゲットが
提供され、（３） 前記（２）のカルコパイライト構造
を有する化学量論組成及び／又はそれに近い組成のＡｇ
ＩｎＴｅ2が形成する結晶子の粒径ｄが、 ｄ≦４５０Å であるスパッタリング用ターゲットが提供される。
【０００８】また、本発明によれば、（４） Ａｇ、Ｉ
ｎ及びＴｅの単体を混合し６００℃以上の温度で溶融し
た後急冷させ粉砕し、これとＳｂと混合して焼結するこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法
が提供され、（５） Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ及びＳｂの単体
を混合し６００℃以上の温度で溶融した後、急冷させ粉
砕し、これらを焼結することを特徴とするスパッタリン
グ用ターゲットの製造方法が提供され、（６） 前記
（４）あるいは（５）の焼結以前の工程として、融点以
下における熱処理工程を設けるようにした請求項４又は
５記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法が提供
される。
ｎ及びＴｅの単体を混合し６００℃以上の温度で溶融し
た後急冷させ粉砕し、これとＳｂと混合して焼結するこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法
が提供され、（５） Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ及びＳｂの単体
を混合し６００℃以上の温度で溶融した後、急冷させ粉
砕し、これらを焼結することを特徴とするスパッタリン
グ用ターゲットの製造方法が提供され、（６） 前記
（４）あるいは（５）の焼結以前の工程として、融点以
下における熱処理工程を設けるようにした請求項４又は
５記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法が提供
される。
【０００９】また、本発明によれば、（７） 記録を担
う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体の記
録層の構成元素が、主に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであ
り、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（８）
記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう光記
録媒体の記録層の構成元素が、主に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔ
ｅ、Ｓｂであり、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原
子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α−γ／２≦−８ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（９）
基本層構成が、ポリカーボネート基板／第１保護層／
記録層／第２保護層／反射放熱層／紫外線硬化樹脂であ
ることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１０）
前記（９）において、第１保護層と第２保護層が同一物
質であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１
１） 前記（９）において、第１保護層及び第２保護層
の熱応力＋真性応力が−１５０ＭＰａ以上であることを
特徴とする光記録媒体が提供され、（１２） 前記
（９）において、記録層の降伏応力が２００ＭＰａ以上
であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１
３） 前記（７）又は（８）において、記録層の主な構
成元素であるＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂのいずれかと合金
化あるいは化合物化できる元素がさらに添加されている
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体の記
録層の構成元素が、主に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであ
り、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（８）
記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう光記
録媒体の記録層の構成元素が、主に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔ
ｅ、Ｓｂであり、それぞれの組成比α、β、γ、δ（原
子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α−γ／２≦−８ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（９）
基本層構成が、ポリカーボネート基板／第１保護層／
記録層／第２保護層／反射放熱層／紫外線硬化樹脂であ
ることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１０）
前記（９）において、第１保護層と第２保護層が同一物
質であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１
１） 前記（９）において、第１保護層及び第２保護層
の熱応力＋真性応力が−１５０ＭＰａ以上であることを
特徴とする光記録媒体が提供され、（１２） 前記
（９）において、記録層の降伏応力が２００ＭＰａ以上
であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１
３） 前記（７）又は（８）において、記録層の主な構
成元素であるＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂのいずれかと合金
化あるいは化合物化できる元素がさらに添加されている
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００１０】また、本発明によれば、（１４） 記録を
担う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体の
記録層の構成元素が主としてＡｇとＩｎとＴｅとＳｂと
窒素及び／又は酸素とであり、それぞれの組成比α、
β、γ、δ、ε（εは窒素及び／又は酸素の総計）（原
子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ ９≦γ≦５０ ９≦δ≦８０ ０≦ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１
５） 記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう
光記録媒体の記録層の構成元素が主としてＡｇとＩｎと
ＴｅとＳｂと窒素及び／又は酸素とであり、それぞれの
組成比α、β、γ、δ、ε（εは窒素及び／又は酸素の
総計）（原子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ ９≦γ≦５０ ９≦δ≦８０ ０＜ε≦５ α−γ／２≦−８ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１
６） 前記（１４）又は（１５）において、基本層構成
が、ポリカーボネート基板／第１保護層／記録層／第２
保護層／反射放熱層／紫外線硬化樹脂であることを特徴
とする光記録媒体が提供され、（１７） 前記（１４）
又は（１５）において、第１保護層と第２保護層が同一
物質であることを特徴とする光記録媒体が提供され、
（１８） 前記（１４）又は（１５）において、第１保
護層及び第２保護層の熱応力＋真性応力が−１５０ＭＰ
ａ以上であることを特徴とする光記録媒体が提供され、
（１９） 前記（１４）又は（１５）において、記録層
の降伏応力が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする
光記録媒体が提供され、（２０） 前記（１４）又は
（１５）において、記録層の主な構成元素であるＡｇ、
Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂのいずれかと合金化あるいは化合物化
できる元素がさらに添加されていることを特徴とする光
記録媒体が提供される。
担う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体の
記録層の構成元素が主としてＡｇとＩｎとＴｅとＳｂと
窒素及び／又は酸素とであり、それぞれの組成比α、
β、γ、δ、ε（εは窒素及び／又は酸素の総計）（原
子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ ９≦γ≦５０ ９≦δ≦８０ ０≦ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１
５） 記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう
光記録媒体の記録層の構成元素が主としてＡｇとＩｎと
ＴｅとＳｂと窒素及び／又は酸素とであり、それぞれの
組成比α、β、γ、δ、ε（εは窒素及び／又は酸素の
総計）（原子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ ９≦γ≦５０ ９≦δ≦８０ ０＜ε≦５ α−γ／２≦−８ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供され、（１
６） 前記（１４）又は（１５）において、基本層構成
が、ポリカーボネート基板／第１保護層／記録層／第２
保護層／反射放熱層／紫外線硬化樹脂であることを特徴
とする光記録媒体が提供され、（１７） 前記（１４）
又は（１５）において、第１保護層と第２保護層が同一
物質であることを特徴とする光記録媒体が提供され、
（１８） 前記（１４）又は（１５）において、第１保
護層及び第２保護層の熱応力＋真性応力が−１５０ＭＰ
ａ以上であることを特徴とする光記録媒体が提供され、
（１９） 前記（１４）又は（１５）において、記録層
の降伏応力が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする
光記録媒体が提供され、（２０） 前記（１４）又は
（１５）において、記録層の主な構成元素であるＡｇ、
Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂのいずれかと合金化あるいは化合物化
できる元素がさらに添加されていることを特徴とする光
記録媒体が提供される。
【００１１】更に、本発明によれば、（２１） 前記
（１）（２）（３）のいずれかのスパッタリング用ター
ゲットを使用してスパッタリングを行なう際に、アルゴ
ンガスに０ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下の窒素ガスを
混合したガスを用いて記録層を成膜することを特徴とす
る光記録媒体の製造方法が提供され、（２２） 前記
（２１）において、スパッタリング前の背圧ｐを ３×１０-7≦ｐ≦５×１０-6ｔｏｒｒ に設定することを特徴とする光記録媒体の製造方法が提
供され、（２３） 前記（２１）において、スパッタリ
ング後に、スパッタリング時よりも高濃度の窒素ガスを
含むガスをスパッタチャンバー内に流入させることを特
徴とする光記録媒体の製造方法が提供される。
（１）（２）（３）のいずれかのスパッタリング用ター
ゲットを使用してスパッタリングを行なう際に、アルゴ
ンガスに０ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下の窒素ガスを
混合したガスを用いて記録層を成膜することを特徴とす
る光記録媒体の製造方法が提供され、（２２） 前記
（２１）において、スパッタリング前の背圧ｐを ３×１０-7≦ｐ≦５×１０-6ｔｏｒｒ に設定することを特徴とする光記録媒体の製造方法が提
供され、（２３） 前記（２１）において、スパッタリ
ング後に、スパッタリング時よりも高濃度の窒素ガスを
含むガスをスパッタチャンバー内に流入させることを特
徴とする光記録媒体の製造方法が提供される。
【００１２】本発明の光記録媒体を得るには、記録層を
形成するのに有用なスパッタリング用ターゲットが必要
である。このため、本発明におけるスパッタリング用タ
ーゲットでは（ｉ）ターゲット中に含まれる化合物がＳ
ｂと、カルコパイライト構造を有する化学量論組成及び
／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2とが存在するも
のの使用が望ましい。ここで（ii）前記のカルコパイラ
イト構造を有する化学量論組成及び／又はそれに近い組
成のＡｇＩｎＴｅ2はそれを形成する結晶子の粒径ｄが ｄ≦４５０Å であることが好ましい。
形成するのに有用なスパッタリング用ターゲットが必要
である。このため、本発明におけるスパッタリング用タ
ーゲットでは（ｉ）ターゲット中に含まれる化合物がＳ
ｂと、カルコパイライト構造を有する化学量論組成及び
／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2とが存在するも
のの使用が望ましい。ここで（ii）前記のカルコパイラ
イト構造を有する化学量論組成及び／又はそれに近い組
成のＡｇＩｎＴｅ2はそれを形成する結晶子の粒径ｄが ｄ≦４５０Å であることが好ましい。
【００１３】スパッタリング用ターゲットの製造方法で
は（iii)焼結以前の工程として、融点以下での熱処理工
程（適当な熱処理としては２００〜４５０℃好ましくは
およそ３００〜４００℃、特に混合物の焼結温度以下で
ある３５０℃程度で行なう）を含むこと、また、スパッ
タリング時は（iv）スパッタリング用ターゲットを使用
してスパッタリングを行なう際に、アルゴンガスに０ｍ
ｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下の窒素ガスを混合したガス
を用いて記録層を成膜すること、（iv）スパッタリング
前の背圧ｐを３×１０-7≦ｐ≦５×１０-6Ｔｏｒｒに設
定すること、及び／又は（ｖ）スパッタリング後に、ス
パッタリング時よりも高濃度の窒素ガスを含むガスをス
パッタチャンバー内に流出させることが有利である。
は（iii)焼結以前の工程として、融点以下での熱処理工
程（適当な熱処理としては２００〜４５０℃好ましくは
およそ３００〜４００℃、特に混合物の焼結温度以下で
ある３５０℃程度で行なう）を含むこと、また、スパッ
タリング時は（iv）スパッタリング用ターゲットを使用
してスパッタリングを行なう際に、アルゴンガスに０ｍ
ｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下の窒素ガスを混合したガス
を用いて記録層を成膜すること、（iv）スパッタリング
前の背圧ｐを３×１０-7≦ｐ≦５×１０-6Ｔｏｒｒに設
定すること、及び／又は（ｖ）スパッタリング後に、ス
パッタリング時よりも高濃度の窒素ガスを含むガスをス
パッタチャンバー内に流出させることが有利である。
【００１４】本発明の光記録媒体での記録層は、（vi）
その主な構成元素Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂのうち少なく
とも一つの元素の窒化物及び／又は酸化物あるいは窒素
単体を含有させておくこと（窒化物、酸化物もしくは窒
素単体が記録層の粒界又は界面を形成することを含む）
が望ましい。
その主な構成元素Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂのうち少なく
とも一つの元素の窒化物及び／又は酸化物あるいは窒素
単体を含有させておくこと（窒化物、酸化物もしくは窒
素単体が記録層の粒界又は界面を形成することを含む）
が望ましい。
【００１５】良好なディスク特性が得られるターゲット
組成は２≦α≦３０、３≦β≦３０、１０≦γ≦５０、
１５≦δ≦８３、α＋β＋γ＋δ＝１００であるが、よ
り良好なディスク特性を得るには、２≦α≦２７、５≦
β≦２８、１３≦γ≦４５、２０≦δ≦７５、α＋β＋
γ＋δ＝１００であり、最も良好なディスク特性を得る
には、２≦α≦２５、８≦β≦２５、１５≦γ≦４０、
２５≦δ≦６５である。保護層や反射層など記録層以外
のディスク構成材料、及びその膜厚等により、所望の線
速、マーク長等の記録条件に最も適したターゲット組成
を選ぶことができる。
組成は２≦α≦３０、３≦β≦３０、１０≦γ≦５０、
１５≦δ≦８３、α＋β＋γ＋δ＝１００であるが、よ
り良好なディスク特性を得るには、２≦α≦２７、５≦
β≦２８、１３≦γ≦４５、２０≦δ≦７５、α＋β＋
γ＋δ＝１００であり、最も良好なディスク特性を得る
には、２≦α≦２５、８≦β≦２５、１５≦γ≦４０、
２５≦δ≦６５である。保護層や反射層など記録層以外
のディスク構成材料、及びその膜厚等により、所望の線
速、マーク長等の記録条件に最も適したターゲット組成
を選ぶことができる。
【００１６】既述のとおり、本発明のスパッタリング用
ターゲット中には、記述のとおり、主にＳｂとカルコパ
イライト構造を有する化学量論組成及び／又はそれに近
い組成のＡｇＩｎＴｅ2とが存在することが好ましい。
この場合、薄膜の記録層を設置した後、適切な熱処理
（初期化）を行うことにより、主に微結晶ＡｇＳｂＴｅ
2とアモルファスＩｎ−Ｓｂからなる混相状態を得るこ
とができる。この混相状態を記録層に存在させることに
より消去比が高く、低パワーで記録−消去の多数回繰り
返しが可能な光記録媒体を得ることが可能となる。
ターゲット中には、記述のとおり、主にＳｂとカルコパ
イライト構造を有する化学量論組成及び／又はそれに近
い組成のＡｇＩｎＴｅ2とが存在することが好ましい。
この場合、薄膜の記録層を設置した後、適切な熱処理
（初期化）を行うことにより、主に微結晶ＡｇＳｂＴｅ
2とアモルファスＩｎ−Ｓｂからなる混相状態を得るこ
とができる。この混相状態を記録層に存在させることに
より消去比が高く、低パワーで記録−消去の多数回繰り
返しが可能な光記録媒体を得ることが可能となる。
【００１７】カルコパライト構造を有する化学量論組成
及び／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2の結晶子粒
径は、例えばターゲットを粉砕しＸ線回析で得られるメ
インパーク（Ｘ線源Ｃｕ、λ≒１．５４Åの場合、約２
４．１°）の線幅より計算することができる。計算に際
しては充分に結晶子径の大きな基準サンプルで線幅の修
正を行う必要がある。ＡｇＩｎＴｅ2の結晶子粒径が４
５０Å以上の場合には、薄膜の記録層を設置した後、適
切な処理を施しても安定な記録・消去を行うことのでき
る混相状態を得ることが困難となる。
及び／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2の結晶子粒
径は、例えばターゲットを粉砕しＸ線回析で得られるメ
インパーク（Ｘ線源Ｃｕ、λ≒１．５４Åの場合、約２
４．１°）の線幅より計算することができる。計算に際
しては充分に結晶子径の大きな基準サンプルで線幅の修
正を行う必要がある。ＡｇＩｎＴｅ2の結晶子粒径が４
５０Å以上の場合には、薄膜の記録層を設置した後、適
切な処理を施しても安定な記録・消去を行うことのでき
る混相状態を得ることが困難となる。
【００１８】本発明のスパッタリング用ターゲットを用
いて記録層を製膜する場合、先に触れたとおり、スパッ
タリング前の背圧ｐは３×１０-7≦ｐ≦５×１０-6Ｔｏ
ｒｒであることが望ましいが、背圧をこの範囲内の値に
設定すると、膜中に適当な不連続相（バリア）ができ、
ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとのアモルファス相から、微結晶
ＡｇＳｂＴｅ2とアモルファスＩｎ−Ｓｂとの混相状態
を得やすくなる。また、スパッタリング時のガスとし
て、アルゴンガスに窒素ガスを０ｍｏｌ％以上１５ｍｏ
ｌ％以下混合したガスを用いることで窒素量に応じて製
膜後の記録層の組成を調整し、線速、層構成、ディスク
の使用条件に最も適した記録層を得ることができる。ま
た、窒素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いること
により、繰り返し記録消去の耐久性も向上する。混合ガ
スは所望のモル比であらかじめ混合したガスを用いて
も、チャンバー導入時に所望のモル比になるよう流量を
それぞれ調整してもよい。
いて記録層を製膜する場合、先に触れたとおり、スパッ
タリング前の背圧ｐは３×１０-7≦ｐ≦５×１０-6Ｔｏ
ｒｒであることが望ましいが、背圧をこの範囲内の値に
設定すると、膜中に適当な不連続相（バリア）ができ、
ＡｇＩｎＴｅ2とＳｂとのアモルファス相から、微結晶
ＡｇＳｂＴｅ2とアモルファスＩｎ−Ｓｂとの混相状態
を得やすくなる。また、スパッタリング時のガスとし
て、アルゴンガスに窒素ガスを０ｍｏｌ％以上１５ｍｏ
ｌ％以下混合したガスを用いることで窒素量に応じて製
膜後の記録層の組成を調整し、線速、層構成、ディスク
の使用条件に最も適した記録層を得ることができる。ま
た、窒素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いること
により、繰り返し記録消去の耐久性も向上する。混合ガ
スは所望のモル比であらかじめ混合したガスを用いて
も、チャンバー導入時に所望のモル比になるよう流量を
それぞれ調整してもよい。
【００１９】本発明のスパッタリングターゲット及びそ
の製法、製膜方法により製膜された記録層の処理（初期
化）、記録、再生および消去に用いる電磁波としてはレ
ーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、
マイクロ波など種々のものが採用可能である。特に記
録、再生および消去に用いる電磁波としては、ドライブ
に取付ける際小型でコンパクトな半導体レーザーが最適
である。
の製法、製膜方法により製膜された記録層の処理（初期
化）、記録、再生および消去に用いる電磁波としてはレ
ーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、
マイクロ波など種々のものが採用可能である。特に記
録、再生および消去に用いる電磁波としては、ドライブ
に取付ける際小型でコンパクトな半導体レーザーが最適
である。
【００２０】本発明の製法により作製されたスパッタリ
ングターゲット及び製膜方法により製膜された記録層の
膜厚としては８０〜５０００Å、好適には１５０〜１０
００Åとするのがよい。８０Åより薄いと光吸収能が著
しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。ま
た、５０００Åより厚いと高速で均一な相変化がおこり
にくくなる。
ングターゲット及び製膜方法により製膜された記録層の
膜厚としては８０〜５０００Å、好適には１５０〜１０
００Åとするのがよい。８０Åより薄いと光吸収能が著
しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。ま
た、５０００Åより厚いと高速で均一な相変化がおこり
にくくなる。
【００２１】ところで、本発明の意図するものの一つに
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化形光記録媒体の主要技
術課題である、（１）保存信頼性、及び（２）オーバー
ライトの繰返し信頼性、の向上がある。
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化形光記録媒体の主要技
術課題である、（１）保存信頼性、及び（２）オーバー
ライトの繰返し信頼性、の向上がある。
【００２２】そこで先ず、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相
変化形光記録媒体について、８０℃８５％ＲＨでの保存
劣化挙動を調べた。ここでの評価項目は、アーカイバル
特性（保存した記録信号の特性）、シェルフ特性（保存
した初期化部への記録特性）、およびオーバーライトシ
ェルフ特性（保存した記録信号部へのオーバーライト記
録特性）とした。評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、オー
バーライト記録周波数は０．７２ＭＨｚ／０．２０ＭＨ
ｚとした。評価したサンプルは次の５種類である。 Ｎｏ． 構成（膜厚ｎｍ） １（○） PC/ZnSSiO2(200)/Ag8In15Sb43Te34(35)/AIN(30)/Ag(70) ２（△） PC/ZnSSiO2(200)/Ag8In11Sb49Te32(30)/ZnSSiO2(20)/Al合金(100) ３（▲） PC/ZnSSiO2(200)/Ag8In11Sb49Te32(20)/ZnSSiO2(20)/Al合金(100) ４（□） PC/ZnSSiO2(200)/Ag11In14Sb43Te32(30)/ZnSSiO2(20)/Al合金(100) ５（■） PC/ZnSSiO2(200)/Ag11In14Sb43Te32(20)/ZnSSiO2(20)/Al合金(100) ＰＣはポリカーボネート基板を意味し、記録層の組成は
ＩＣＰ分析により評価した。また、いずれのディスクも
紫外線硬化樹脂４μｍを設けた。
変化形光記録媒体について、８０℃８５％ＲＨでの保存
劣化挙動を調べた。ここでの評価項目は、アーカイバル
特性（保存した記録信号の特性）、シェルフ特性（保存
した初期化部への記録特性）、およびオーバーライトシ
ェルフ特性（保存した記録信号部へのオーバーライト記
録特性）とした。評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、オー
バーライト記録周波数は０．７２ＭＨｚ／０．２０ＭＨ
ｚとした。評価したサンプルは次の５種類である。 Ｎｏ． 構成（膜厚ｎｍ） １（○） PC/ZnSSiO2(200)/Ag8In15Sb43Te34(35)/AIN(30)/Ag(70) ２（△） PC/ZnSSiO2(200)/Ag8In11Sb49Te32(30)/ZnSSiO2(20)/Al合金(100) ３（▲） PC/ZnSSiO2(200)/Ag8In11Sb49Te32(20)/ZnSSiO2(20)/Al合金(100) ４（□） PC/ZnSSiO2(200)/Ag11In14Sb43Te32(30)/ZnSSiO2(20)/Al合金(100) ５（■） PC/ZnSSiO2(200)/Ag11In14Sb43Te32(20)/ZnSSiO2(20)/Al合金(100) ＰＣはポリカーボネート基板を意味し、記録層の組成は
ＩＣＰ分析により評価した。また、いずれのディスクも
紫外線硬化樹脂４μｍを設けた。
【００２３】これら５種類の保存劣化挙動を図１に示
す。図１はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化形光ディス
クの保存特性を示すもので、（ａ）はアーカイバル特
性、図１（ｂ）はシェルフ特性、図１（ｃ）はオーバー
ライトシェルフを表わしている。図１から明らかなよう
に、劣化のモードとして、 （１）オーバーライトシェルフの初期劣化（約２００時
間） （２）アーカイバル特性の中期劣化（約１０００時間） が認められた。中でも、オーバーライトシェルフの初期
劣化が大きな問題であることがわかった。
す。図１はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化形光ディス
クの保存特性を示すもので、（ａ）はアーカイバル特
性、図１（ｂ）はシェルフ特性、図１（ｃ）はオーバー
ライトシェルフを表わしている。図１から明らかなよう
に、劣化のモードとして、 （１）オーバーライトシェルフの初期劣化（約２００時
間） （２）アーカイバル特性の中期劣化（約１０００時間） が認められた。中でも、オーバーライトシェルフの初期
劣化が大きな問題であることがわかった。
【００２４】続いて、オーバーライトシェルフの初期劣
化の対策を実施するために、その劣化の解析を行なっ
た。その結果、８０℃８５％ＲＨの高温高湿保存によっ
て、アモルファス化不十分な部位の存在することがわか
った。また、その劣化速度は、記録層の組成に依存する
こともわかった。その様子を図２に示す。図２から、Ａ
ｇ−Ｔｅ／２（原子％）が−８以下のとき、オーバーラ
イトシェルフの初期劣化が大きく改善されることがわか
る。また、オーバーライトシェルフの初期劣化は、記録
層の膜厚、第２保護層材料、反射放熱層材料等の層構成
に顕著な依存性は認められないことがわかる。
化の対策を実施するために、その劣化の解析を行なっ
た。その結果、８０℃８５％ＲＨの高温高湿保存によっ
て、アモルファス化不十分な部位の存在することがわか
った。また、その劣化速度は、記録層の組成に依存する
こともわかった。その様子を図２に示す。図２から、Ａ
ｇ−Ｔｅ／２（原子％）が−８以下のとき、オーバーラ
イトシェルフの初期劣化が大きく改善されることがわか
る。また、オーバーライトシェルフの初期劣化は、記録
層の膜厚、第２保護層材料、反射放熱層材料等の層構成
に顕著な依存性は認められないことがわかる。
【００２５】続いて、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化
形光記録媒体の繰返し特性について検討した。オーバー
ライトの繰返し後の記録層の構造を透過型電子顕微鏡観
察および電子線回折を行なったところ、（１）ボイドの
生成、（２）組成の編析、が認められた。ボイドの生成
と組成の編析は、表裏一体の現象であり、物質の移動元
がボイドとなり、移動先が組成の編析として観察された
ことになる。つまり、物質移動がオーバーライトの繰返
し特性の劣化となっている。この物質移動の駆動力は、
記録層に生じる引っ張り応力勾配が原因と考えられてい
る（Ｃ．Ｈｅｒｒｉｎｇ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
２１，４３７（１９５０））。
形光記録媒体の繰返し特性について検討した。オーバー
ライトの繰返し後の記録層の構造を透過型電子顕微鏡観
察および電子線回折を行なったところ、（１）ボイドの
生成、（２）組成の編析、が認められた。ボイドの生成
と組成の編析は、表裏一体の現象であり、物質の移動元
がボイドとなり、移動先が組成の編析として観察された
ことになる。つまり、物質移動がオーバーライトの繰返
し特性の劣化となっている。この物質移動の駆動力は、
記録層に生じる引っ張り応力勾配が原因と考えられてい
る（Ｃ．Ｈｅｒｒｉｎｇ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
２１，４３７（１９５０））。
【００２６】相変化形光記録媒体では、記録の際、レー
ザー照射によって記録層が溶融する。その際、溶融部分
の引っ張り応力は、ほとんど無くなってしまい、大きな
引っ張り応力勾配が生じていることになる（図３
（ｂ））。記録層に生じる引っ張り応力は、第１保護層
および第２保護層の熱応力及び真性応力（特に、圧縮応
力）の和によって決まる。従って、記録層の引っ張り応
力の低減は、第１保護層及び第２保護層の熱応力及び圧
縮応力の低減にほかならない。図３（ａ）は未記録時す
なわち応力が生じない状態を表わしている。
ザー照射によって記録層が溶融する。その際、溶融部分
の引っ張り応力は、ほとんど無くなってしまい、大きな
引っ張り応力勾配が生じていることになる（図３
（ｂ））。記録層に生じる引っ張り応力は、第１保護層
および第２保護層の熱応力及び真性応力（特に、圧縮応
力）の和によって決まる。従って、記録層の引っ張り応
力の低減は、第１保護層及び第２保護層の熱応力及び圧
縮応力の低減にほかならない。図３（ａ）は未記録時す
なわち応力が生じない状態を表わしている。
【００２７】第１保護層の応力に対するオーバーライト
繰返し回数の関係を図４に示す。繰返し回数を２０００
回以上とすると、保護層の応力としては、熱応力＋真性
応力で、−１５０ＭＰａ以上、繰返し回数１００００回
以上とすると、保護層の応力としては、熱応力＋真性応
力で、−１００ＭＰａ以上が好適である。
繰返し回数の関係を図４に示す。繰返し回数を２０００
回以上とすると、保護層の応力としては、熱応力＋真性
応力で、−１５０ＭＰａ以上、繰返し回数１００００回
以上とすると、保護層の応力としては、熱応力＋真性応
力で、−１００ＭＰａ以上が好適である。
【００２８】また、記録層に生じる引っ張り応力が、記
録層の降伏応力を超えると、記録層は、やがてボイドを
生じ断絶してしまう。したがって、記録層の降伏応力
は、記録層に生じる引っ張り応力より大きくなければな
らない。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層の膜厚とその
降伏応力の関係を図５に示す。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
系記録層に生じる引っ張り応力は１５０〜２５０ＭＰａ
であり、記録層の降伏応力はそれ以上にする必要があ
る。つまり、記録その降伏応力は、好ましくは２００Ｍ
Ｐａ以上、さらに好ましくは２５０ＭＰａ以上が好適で
ある。したがって、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層は
５００ｎｍ以下、好ましくは、３０ｎｍ以下の膜厚が好
適である。
録層の降伏応力を超えると、記録層は、やがてボイドを
生じ断絶してしまう。したがって、記録層の降伏応力
は、記録層に生じる引っ張り応力より大きくなければな
らない。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層の膜厚とその
降伏応力の関係を図５に示す。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
系記録層に生じる引っ張り応力は１５０〜２５０ＭＰａ
であり、記録層の降伏応力はそれ以上にする必要があ
る。つまり、記録その降伏応力は、好ましくは２００Ｍ
Ｐａ以上、さらに好ましくは２５０ＭＰａ以上が好適で
ある。したがって、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層は
５００ｎｍ以下、好ましくは、３０ｎｍ以下の膜厚が好
適である。
【００２９】一方、繰返しオーバーライトによってでき
るボイドは、第１保護層および第２保護層に異なる材料
を用いることで促進される。相変化形光記録媒体では、
記録層をはさむ保護層材料が異なると、記録層の上下で
ぬれ性が異なるため記録消去の際の溶融時に、よりぬれ
性の良好な界面に記録材料が移動してしまい、ぬれ性の
良くない界面にボイドを形成してしまう。その結果、オ
ーバーライトの繰返しによる劣化を生じてしまう。した
がって、第１保護層と第２保護層を同一材料とすること
で、オーバーライトの繰返し特性を向上することができ
る。また、第１保護層と第２保護層の熱伝導率が異なる
と、熱応力分布を生じることとなり、やはり、物質移動
の原因となる。したがって、この様な観点からも、第１
保護層および第２保護層が同一の材料であることが望ま
れる。
るボイドは、第１保護層および第２保護層に異なる材料
を用いることで促進される。相変化形光記録媒体では、
記録層をはさむ保護層材料が異なると、記録層の上下で
ぬれ性が異なるため記録消去の際の溶融時に、よりぬれ
性の良好な界面に記録材料が移動してしまい、ぬれ性の
良くない界面にボイドを形成してしまう。その結果、オ
ーバーライトの繰返しによる劣化を生じてしまう。した
がって、第１保護層と第２保護層を同一材料とすること
で、オーバーライトの繰返し特性を向上することができ
る。また、第１保護層と第２保護層の熱伝導率が異なる
と、熱応力分布を生じることとなり、やはり、物質移動
の原因となる。したがって、この様な観点からも、第１
保護層および第２保護層が同一の材料であることが望ま
れる。
【００３０】Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化形記録材
料は、特開平４−７８０３１号に記載されているよう
に、ＡｇＳｂＴｅ2とＩｎＳｂの混相構造を形成してい
ることがわかっている。光記録の際には、ＡｇＳｂＴｅ
2が結晶−非結晶質間で相変化する。このときのＡｇＳ
ｂＴｅ2の大きさは、約１０ｎｍである。この様な混相
構造において、物質移動量は混相界面が支配的と考えら
れる。その物質移動量は記録層に生じる引っ張り応力に
よって増大する。さて、物質移動は、物質移動経路で移
動物質を補足することでも軽減される。具体的には、炭
素、窒素、酸素の各元素は４価、３価、２価の結合手を
もっており、移動物質を補足することができる。また、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅのいずれかの構成元素と合金化
或いは化合物化できるＡｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｐｄ、
Ｐｂなどの添加も効果的である。
料は、特開平４−７８０３１号に記載されているよう
に、ＡｇＳｂＴｅ2とＩｎＳｂの混相構造を形成してい
ることがわかっている。光記録の際には、ＡｇＳｂＴｅ
2が結晶−非結晶質間で相変化する。このときのＡｇＳ
ｂＴｅ2の大きさは、約１０ｎｍである。この様な混相
構造において、物質移動量は混相界面が支配的と考えら
れる。その物質移動量は記録層に生じる引っ張り応力に
よって増大する。さて、物質移動は、物質移動経路で移
動物質を補足することでも軽減される。具体的には、炭
素、窒素、酸素の各元素は４価、３価、２価の結合手を
もっており、移動物質を補足することができる。また、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅのいずれかの構成元素と合金化
或いは化合物化できるＡｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｐｄ、
Ｐｂなどの添加も効果的である。
【００３１】本発明で使用する記録層は、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｓｂ、Ｔｅを主構成元素としている。 相変化形記録媒
体として、好適な組成は、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α−γ／２≦−８ α＋β＋γ＋δ＝１００ であり、本発明は、この組成範囲において、さらに保存
信頼性を確保するために好適な組成範囲である。また、
本発明の記録層は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇ
ｅ、Ｐｄ、Ｐｂなどの添加元素が含むことができる。記
録層は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空
蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製できる。Ｃ、
Ｎ、Ｏの添加には、ＣＨ4、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ2、Ｎ2Ｏ
などがもちいられる。
Ｓｂ、Ｔｅを主構成元素としている。 相変化形記録媒
体として、好適な組成は、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α−γ／２≦−８ α＋β＋γ＋δ＝１００ であり、本発明は、この組成範囲において、さらに保存
信頼性を確保するために好適な組成範囲である。また、
本発明の記録層は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇ
ｅ、Ｐｄ、Ｐｂなどの添加元素が含むことができる。記
録層は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空
蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製できる。Ｃ、
Ｎ、Ｏの添加には、ＣＨ4、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ2、Ｎ2Ｏ
などがもちいられる。
【００３２】本発明で使用する基板の材料は、通常、ガ
ラス、セラミックス、あるいは、樹脂であり、なかでも
樹脂基板が成型性、コストの点で好適である。樹脂の代
表例として、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン樹脂、アクリルニトリル−スチレン共重合体
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹
脂などが使用できるが、加工性、光学特性等から、ポリ
カーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状は、デ
ィスク状、カード状あるいは、シート状であってもよ
い。基板の厚さは１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ
等任意のものが使用できるが、クロストークの基板チル
ト依存性の観点から、より基板厚の小さいものが望まれ
る。しかし、製膜上の困難や、歩留まり等を考慮すると
０．６ｍｍが好ましい。
ラス、セラミックス、あるいは、樹脂であり、なかでも
樹脂基板が成型性、コストの点で好適である。樹脂の代
表例として、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン樹脂、アクリルニトリル−スチレン共重合体
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹
脂などが使用できるが、加工性、光学特性等から、ポリ
カーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状は、デ
ィスク状、カード状あるいは、シート状であってもよ
い。基板の厚さは１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ
等任意のものが使用できるが、クロストークの基板チル
ト依存性の観点から、より基板厚の小さいものが望まれ
る。しかし、製膜上の困難や、歩留まり等を考慮すると
０．６ｍｍが好ましい。
【００３３】本発明で使用する第１及び第２保護層は、
ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ
2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｚｒｏ2などの酸化物、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡＩＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、Ｚ
ｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、Ｔａ
Ｃ4、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイ
ヤモンド状炭素、あるいはその混合物が好ましい。これ
ら第１および第２保護層は、スパッタリング、イオンプ
レーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって
作製できる。第１保護層の膜厚は５０ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍ、更に好ましく
は１２０ｎｍ〜２５０ｎｍである。第２保護層の膜厚は
５ｎｍ〜３００ｎｍ好ましくは、１０ｎｍ〜５０ｎｍで
ある。スパッタ製膜の場合、第１及び第２保護層の応力
は、製膜圧力、製膜電力、基板−ターゲット間距離など
で制御することができる。一般に、製膜圧力を高く、製
膜プラズマ電力を小さく、基板−ターゲット間距離を大
きくすることで応力は軽減される。また、２種以上の複
合材料を使用することでも応力の軽減を図ることができ
る。
ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ
2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｚｒｏ2などの酸化物、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡＩＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、Ｚ
ｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、Ｔａ
Ｃ4、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイ
ヤモンド状炭素、あるいはその混合物が好ましい。これ
ら第１および第２保護層は、スパッタリング、イオンプ
レーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって
作製できる。第１保護層の膜厚は５０ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍ、更に好ましく
は１２０ｎｍ〜２５０ｎｍである。第２保護層の膜厚は
５ｎｍ〜３００ｎｍ好ましくは、１０ｎｍ〜５０ｎｍで
ある。スパッタ製膜の場合、第１及び第２保護層の応力
は、製膜圧力、製膜電力、基板−ターゲット間距離など
で制御することができる。一般に、製膜圧力を高く、製
膜プラズマ電力を小さく、基板−ターゲット間距離を大
きくすることで応力は軽減される。また、２種以上の複
合材料を使用することでも応力の軽減を図ることができ
る。
【００３４】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕな
どの金属材料およびそれらとＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、などの
添加材料が使用できる。反射放熱層は、必ずしも必要で
はないが、記録消去の際に生じる過剰な熱を放出し、記
録媒体自身への熱ダメージを軽減するために設けるほう
が望ましい。反射放熱層は、スパッタリング、イオンプ
レーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって
作製できる。
どの金属材料およびそれらとＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、などの
添加材料が使用できる。反射放熱層は、必ずしも必要で
はないが、記録消去の際に生じる過剰な熱を放出し、記
録媒体自身への熱ダメージを軽減するために設けるほう
が望ましい。反射放熱層は、スパッタリング、イオンプ
レーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって
作製できる。
【００３５】以下に、実施例によって、本発明を具体的
に説明する。
に説明する。
【００３６】実施例１〜１６、比較例１〜８ 表１にカルコパイライト構造を有する化学量論組成及び
／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2とが存在するス
パッタリングターゲットの組成、及びそれらを用いた場
合のディスク特性を示す。これは幅約０．６μｍ、深さ
約６００Åのグルーブが形成されているディスク基板
（厚さ１．２ｍｍ）に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる２０
０ｎｍ厚の下部保護層、２５ｎｍ厚の記録層、ＺｎＳ・
ＳｉＯ2からなる３０ｎｍ厚の上部保護層、アルミニウ
ム合金（厚さ１００ｎｍ）からなる反射放熱層、紫外線
硬化型樹脂（厚さ５μｍ）からなる保護層を設置してデ
ィスクを作成する。なお、記録層のスパッタリング方法
は背圧を９×１０-7ｔｏｒｒで、アルゴンガスをいれ４
×１０-3ｔｏｒｒにして、ＲＦｐｏｗｅｒ４０ワットで
行なった。このディスクで最もＣ／Ｎが高くなる線速で
測定し、マーク長約１μｍのマークの記録特性、約３μ
ｍのマークでオーバーライトしたときの消去特性につい
て評価した。ここで、半導体レーザーの波長は７８０ｎ
ｍ、対物レンズのＮＡは０．５である。ディスク特性の
欄の評価値は、レベル３が最も良好な特性（Ｃ／Ｎ≧５
５ｄＢ、消去比（Ｅｒｓ）≦−３５ｄＢ）を示すターゲ
ットであることを表し、レベル２は良好な特性（５５＞
Ｃ／Ｎ≧４５ｄＢ、−３５＜消去比（Ｅｒｓ）≦−２５
ｄＢ）を示すターゲットであることを表し、レベル１は
良好な特性を有するディスクが得られなかった（上記以
外のもの）ターゲットであることを示す。Ａｇ、Ｉｎ、
Ｔｅ、Ｓｂそれぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）
が２≦α≦３０、３≦β≦３０、１０≦γ≦５０、１５
≦δ≦８３であるとき、良好なディスク特性が得られて
いることが判る。
／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2とが存在するス
パッタリングターゲットの組成、及びそれらを用いた場
合のディスク特性を示す。これは幅約０．６μｍ、深さ
約６００Åのグルーブが形成されているディスク基板
（厚さ１．２ｍｍ）に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる２０
０ｎｍ厚の下部保護層、２５ｎｍ厚の記録層、ＺｎＳ・
ＳｉＯ2からなる３０ｎｍ厚の上部保護層、アルミニウ
ム合金（厚さ１００ｎｍ）からなる反射放熱層、紫外線
硬化型樹脂（厚さ５μｍ）からなる保護層を設置してデ
ィスクを作成する。なお、記録層のスパッタリング方法
は背圧を９×１０-7ｔｏｒｒで、アルゴンガスをいれ４
×１０-3ｔｏｒｒにして、ＲＦｐｏｗｅｒ４０ワットで
行なった。このディスクで最もＣ／Ｎが高くなる線速で
測定し、マーク長約１μｍのマークの記録特性、約３μ
ｍのマークでオーバーライトしたときの消去特性につい
て評価した。ここで、半導体レーザーの波長は７８０ｎ
ｍ、対物レンズのＮＡは０．５である。ディスク特性の
欄の評価値は、レベル３が最も良好な特性（Ｃ／Ｎ≧５
５ｄＢ、消去比（Ｅｒｓ）≦−３５ｄＢ）を示すターゲ
ットであることを表し、レベル２は良好な特性（５５＞
Ｃ／Ｎ≧４５ｄＢ、−３５＜消去比（Ｅｒｓ）≦−２５
ｄＢ）を示すターゲットであることを表し、レベル１は
良好な特性を有するディスクが得られなかった（上記以
外のもの）ターゲットであることを示す。Ａｇ、Ｉｎ、
Ｔｅ、Ｓｂそれぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）
が２≦α≦３０、３≦β≦３０、１０≦γ≦５０、１５
≦δ≦８３であるとき、良好なディスク特性が得られて
いることが判る。
【００３７】
【表１】
【００３８】また、表２に実施例３のターゲットを用い
て記録層をスパッタリングで製膜する際、アルゴンガス
単独、アルゴンガスに０．６、１５、２０ｍｏｌ％の窒
素ガスを混合したガスを用いた場合の記録膜の組成とオ
ーバーライト繰り返し可能回数を示す。評価はそれぞれ
のディスクに適した記録条件で行った。またマーク長が
約１μｍ、約３μｍのオーバーライトとなる様に記録周
波長を調節した。表２より窒素量が１５ｍｏｌ％を越す
と繰り返し回数が急激に低下することがわかる。
て記録層をスパッタリングで製膜する際、アルゴンガス
単独、アルゴンガスに０．６、１５、２０ｍｏｌ％の窒
素ガスを混合したガスを用いた場合の記録膜の組成とオ
ーバーライト繰り返し可能回数を示す。評価はそれぞれ
のディスクに適した記録条件で行った。またマーク長が
約１μｍ、約３μｍのオーバーライトとなる様に記録周
波長を調節した。表２より窒素量が１５ｍｏｌ％を越す
と繰り返し回数が急激に低下することがわかる。
【００３９】
【表２】
【００４０】実施例１７ 実施例５のターゲット原材料を溶融急冷し、粉砕した後
熱処理を行ない、続いて焼結して製造した。これと対比
するために熱処理を施さなかった以外は同様にしたター
ゲット（実施例５と同じもの）を用意した。これらを用
いて実施例５と同様のディスクを作製した。ディスクの
線速５ｍ／ｓ時のオーバーライト特性を図６（熱処理を
行なったもの）、図７（熱処理を施さなかったもの）に
示す。その結果、熱処理を行なったものの方がディスク
特性、感度ともに優っているのが判った。
熱処理を行ない、続いて焼結して製造した。これと対比
するために熱処理を施さなかった以外は同様にしたター
ゲット（実施例５と同じもの）を用意した。これらを用
いて実施例５と同様のディスクを作製した。ディスクの
線速５ｍ／ｓ時のオーバーライト特性を図６（熱処理を
行なったもの）、図７（熱処理を施さなかったもの）に
示す。その結果、熱処理を行なったものの方がディスク
特性、感度ともに優っているのが判った。
【００４１】比較例９ 実施例１〜１６のターゲットに含まれるＡｇＩｎＴｅ2
の結晶子径は４５０Å以下である。実施例９と同一組成
のターゲットで結晶子径が約５００Åのものを用意し、
これらによって実施例９と同様にしてディスクを作製し
た。このディスクの線速２ｍ／ｓ時のオーバーライト特
性を図８に示した。図８から明らかなように、結晶子径
が５００Åのものは４５０Å以下のものに比較して特性
が劣ったものである。
の結晶子径は４５０Å以下である。実施例９と同一組成
のターゲットで結晶子径が約５００Åのものを用意し、
これらによって実施例９と同様にしてディスクを作製し
た。このディスクの線速２ｍ／ｓ時のオーバーライト特
性を図８に示した。図８から明らかなように、結晶子径
が５００Åのものは４５０Å以下のものに比較して特性
が劣ったものである。
【００４２】実施例１８ 実施例５と同一組成で原材料溶融温度を６００℃以上、
５８０℃とした以外は実施例５と同様にしてディスクを
作製した。これらディスクを比較したところ、溶融温度
６００℃以上にしたものの方が記録消去は良好に行なえ
た。
５８０℃とした以外は実施例５と同様にしてディスクを
作製した。これらディスクを比較したところ、溶融温度
６００℃以上にしたものの方が記録消去は良好に行なえ
た。
【００４３】実施例１９ ポリカーボネート(1.2mm)/ZnSSiO2(200mm)/Ag8In11Sb47
Te34(20mm)/ZnSSiO2(20mm)/Al合金(100mm)/紫外線硬化
樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッタ
リングによって作製した。ただし、紫外線硬化樹脂は、
スピンコートによって作製した。第１保護層および第２
保護層は、反応圧０．００８ｔｏｒｒ、プラズマ電力
１．０ｋＷで作製して、−１３０ＭＰａの応力に制御し
た。記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−９に制御し
た。また、この記録層の降伏応力は、２７０ＭＰａであ
った。このディスクの保存特性および繰返しオーバーラ
イト特性を評価した。評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、
オーバーライト記録周波数０．７２ＭＨｚ／０．２０Ｍ
Ｈｚとした。寿命の判定は、ジッタ１σが１５ｎｓをこ
える時間および繰返し回数とした。その結果、８０℃８
５％ＲＨの保存でアーカイバル特性、シェルフ特性、オ
ーバーライトシェルフ特性ともに、２０００時間以上の
寿命であった。一方、オーバーライトの繰返し回数は、
５０００回程度であった。
Te34(20mm)/ZnSSiO2(20mm)/Al合金(100mm)/紫外線硬化
樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッタ
リングによって作製した。ただし、紫外線硬化樹脂は、
スピンコートによって作製した。第１保護層および第２
保護層は、反応圧０．００８ｔｏｒｒ、プラズマ電力
１．０ｋＷで作製して、−１３０ＭＰａの応力に制御し
た。記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−９に制御し
た。また、この記録層の降伏応力は、２７０ＭＰａであ
った。このディスクの保存特性および繰返しオーバーラ
イト特性を評価した。評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、
オーバーライト記録周波数０．７２ＭＨｚ／０．２０Ｍ
Ｈｚとした。寿命の判定は、ジッタ１σが１５ｎｓをこ
える時間および繰返し回数とした。その結果、８０℃８
５％ＲＨの保存でアーカイバル特性、シェルフ特性、オ
ーバーライトシェルフ特性ともに、２０００時間以上の
寿命であった。一方、オーバーライトの繰返し回数は、
５０００回程度であった。
【００４４】実施例２０ ポリカーボネート(1.2mm)/ZnSSiO2(200nm)/Ag8In11Sb47
Te34:N(20nm)/ZnSSiO2(20nm)/Al合金(100nm)/紫外線硬
化樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッ
タリングによって作製した。記録層は、スパッタリング
の際、Ｎ2をＡｒに３％添加して作製した。ただし、紫
外線硬化樹脂は、スピンコートによって作製した。第１
保護層及び第２保護層は、反応圧０．００８ｔｏｒｒ、
プラズマ電力１．０ｋＷで作製して、−１３０ＭＰａの
応力に制御した。記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−
９に制御した。また、この記録層の降伏応力は、２７０
ＭＰａであった。このディスクの保存特性及び繰返しオ
ーバーライト特性を評価した。評価条件は、線速１．２
ｍ／ｓ、オーバーライト記録周波数０．７２ＭＨｚ／
０．２０ＭＨｚとした。寿命の判定は、ジッタ１σが１
５ｎｓをこえる時間および繰返し回数とした。その結
果、８０℃８５％ＲＨの保存でアーカイバル特性、シェ
ルフ特性、オーバーライトシェルフ特性ともに、２００
０時間以上の寿命であった。一方、オーバーライトの繰
返し回数は、７０００回程度であった。Ｎの添加によっ
て、繰返し特性が向上することが確認された。
Te34:N(20nm)/ZnSSiO2(20nm)/Al合金(100nm)/紫外線硬
化樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッ
タリングによって作製した。記録層は、スパッタリング
の際、Ｎ2をＡｒに３％添加して作製した。ただし、紫
外線硬化樹脂は、スピンコートによって作製した。第１
保護層及び第２保護層は、反応圧０．００８ｔｏｒｒ、
プラズマ電力１．０ｋＷで作製して、−１３０ＭＰａの
応力に制御した。記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−
９に制御した。また、この記録層の降伏応力は、２７０
ＭＰａであった。このディスクの保存特性及び繰返しオ
ーバーライト特性を評価した。評価条件は、線速１．２
ｍ／ｓ、オーバーライト記録周波数０．７２ＭＨｚ／
０．２０ＭＨｚとした。寿命の判定は、ジッタ１σが１
５ｎｓをこえる時間および繰返し回数とした。その結
果、８０℃８５％ＲＨの保存でアーカイバル特性、シェ
ルフ特性、オーバーライトシェルフ特性ともに、２００
０時間以上の寿命であった。一方、オーバーライトの繰
返し回数は、７０００回程度であった。Ｎの添加によっ
て、繰返し特性が向上することが確認された。
【００４５】実施例２１ ポリカーボネート(1.2mm)/ZnSSiO2(200nm)/Ag8In11Sb47
Te34:Pd(20nm)/ZnSSiO2(20nm)/Al合金(100nm)/紫外線硬
化樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッ
タリングによって作製した。記録層は、スパッタリング
の際、記録層のターゲットにＰｄを０．３ｗｔ％添加し
て作製した。ただし、紫外線硬化樹脂は、スピンコート
によって作製した。第１保護層及び第２保護層は、反応
圧０．００８ｔｏｒｒ、プラズマ電力１．０ｋＷで作製
して、−１３０ＭＰａの応力に制御した。記録層の組成
は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−９に制御した。また、この記録
層の降伏応力は、２７０ＭＰａであった。このディスク
の保存特性及び繰返しオーバーライト特性を評価した。
評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、オーバーライト記録周
波数０．７２ＭＨｚ／０．２０ＭＨｚとした。寿命の判
定は、ジッタ１σが１５ｎｓをこえる時間および繰返し
回数とした。その結果、８０℃８５％ＲＨの保存でアー
カイバル特性、シェルフ特性、オーバーライトシェルフ
特性ともに、２０００時間以上の寿命であった。一方、
オーバーライトの繰返し回数は、７０００回程度であっ
た。Ｐｄの添加によって、繰返し特性が向上することが
確認された。
Te34:Pd(20nm)/ZnSSiO2(20nm)/Al合金(100nm)/紫外線硬
化樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッ
タリングによって作製した。記録層は、スパッタリング
の際、記録層のターゲットにＰｄを０．３ｗｔ％添加し
て作製した。ただし、紫外線硬化樹脂は、スピンコート
によって作製した。第１保護層及び第２保護層は、反応
圧０．００８ｔｏｒｒ、プラズマ電力１．０ｋＷで作製
して、−１３０ＭＰａの応力に制御した。記録層の組成
は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−９に制御した。また、この記録
層の降伏応力は、２７０ＭＰａであった。このディスク
の保存特性及び繰返しオーバーライト特性を評価した。
評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、オーバーライト記録周
波数０．７２ＭＨｚ／０．２０ＭＨｚとした。寿命の判
定は、ジッタ１σが１５ｎｓをこえる時間および繰返し
回数とした。その結果、８０℃８５％ＲＨの保存でアー
カイバル特性、シェルフ特性、オーバーライトシェルフ
特性ともに、２０００時間以上の寿命であった。一方、
オーバーライトの繰返し回数は、７０００回程度であっ
た。Ｐｄの添加によって、繰返し特性が向上することが
確認された。
【００４６】実施例２２ ポリカーボネート(1.2mm)/ZnSSiO2(200nm)/Ag8In11Sb47
Te34(17nm)/ZnSSiO2(20nm)/Al合金(100nm)/紫外線硬化
樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッタ
リングによって作製した。ただし、紫外線硬化樹脂は、
スピンコートによって作製した。第１保護層及び第２保
護層は、反応圧０．００８ｔｏｒｒ、プラズマ電力１．
０ｋＷで作製して、−１３０ＭＰａの応力に制御した。
記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−９に制御した。ま
た、この記録層の降伏応力は、２９０ＭＰａであった。
このディスクの保存特性及び繰返しオーバーライト特性
を評価した。評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、オーバー
ライト記録周波数０．７２ＭＨｚ／０．２０ＭＨｚとし
た。寿命の判定は、ジッタ１σが１５ｎｓをこえる時間
および繰返し回数とした。その結果、８０℃８５％ＲＨ
の保存はアーカイバル特性、シェルフ特性、オーバーラ
イトシェルフ特性ともに、２０００時間以上の寿命であ
った。一方、オーバーライトの繰返し回数は、８０００
回程度であった。
Te34(17nm)/ZnSSiO2(20nm)/Al合金(100nm)/紫外線硬化
樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッタ
リングによって作製した。ただし、紫外線硬化樹脂は、
スピンコートによって作製した。第１保護層及び第２保
護層は、反応圧０．００８ｔｏｒｒ、プラズマ電力１．
０ｋＷで作製して、−１３０ＭＰａの応力に制御した。
記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−９に制御した。ま
た、この記録層の降伏応力は、２９０ＭＰａであった。
このディスクの保存特性及び繰返しオーバーライト特性
を評価した。評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、オーバー
ライト記録周波数０．７２ＭＨｚ／０．２０ＭＨｚとし
た。寿命の判定は、ジッタ１σが１５ｎｓをこえる時間
および繰返し回数とした。その結果、８０℃８５％ＲＨ
の保存はアーカイバル特性、シェルフ特性、オーバーラ
イトシェルフ特性ともに、２０００時間以上の寿命であ
った。一方、オーバーライトの繰返し回数は、８０００
回程度であった。
【００４７】実施例２３ ポリカーボネート(1.2mm)/ZnSSiO2(200nm)/Ag8In11Sb47
Te34(17nm)/ZnSSiO2(20nm)/Al合金(100nm)/紫外線硬化
樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッタ
リングによって作製した。ただし、紫外線硬化樹脂は、
スピンコートによって作製した。第１保護層及び第２保
護層は、反応圧０．００８ｔｏｒｒ、プラズマ電力０．
８ｋＷで作製して、−１００ＭＰａの応力に制御した。
記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−９に制御した。ま
た、この記録層の降伏応力は、２９０ＭＰａであった。
このディスクの保存特性及び繰返しオーバーライト特性
を評価した。評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、オーバー
ライト記録周波数０．７２ＭＨｚ／０．２０ＭＨｚとし
た。寿命の判定は、ジッタ１σが１５ｎｓをこえる時間
および繰返し回数とした。その結果、８０℃８５％ＲＨ
の保存でアーカイバル特性、シェルフ特性、オーバーラ
イトシェルフ特性は、ともに２０００時間以上の寿命で
あった。また、オーバーライトの繰返し回数は、１００
００回程度であった。
Te34(17nm)/ZnSSiO2(20nm)/Al合金(100nm)/紫外線硬化
樹脂(4μm)という構成の相変化形光ディスクをスパッタ
リングによって作製した。ただし、紫外線硬化樹脂は、
スピンコートによって作製した。第１保護層及び第２保
護層は、反応圧０．００８ｔｏｒｒ、プラズマ電力０．
８ｋＷで作製して、−１００ＭＰａの応力に制御した。
記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−９に制御した。ま
た、この記録層の降伏応力は、２９０ＭＰａであった。
このディスクの保存特性及び繰返しオーバーライト特性
を評価した。評価条件は、線速１．２ｍ／ｓ、オーバー
ライト記録周波数０．７２ＭＨｚ／０．２０ＭＨｚとし
た。寿命の判定は、ジッタ１σが１５ｎｓをこえる時間
および繰返し回数とした。その結果、８０℃８５％ＲＨ
の保存でアーカイバル特性、シェルフ特性、オーバーラ
イトシェルフ特性は、ともに２０００時間以上の寿命で
あった。また、オーバーライトの繰返し回数は、１００
００回程度であった。
【００４８】実施例２４ 実施例３において、ターゲットを用いてスパッタリング
を行なう際の背圧と得られた記録層のＣ／Ｎの関係を図
９に示す。なお、背圧以外のスパッタリングの条件、記
録媒体の層構成、評価条件等は実施例３と同様に行なっ
た。その結果、図９に示したように３×１０-7≦Ｐ≦５
×１０-8ｔｏｒｒの範囲の背圧でスパッタした時、良好
なＣ／Ｎを示す記録層を得ることができた。
を行なう際の背圧と得られた記録層のＣ／Ｎの関係を図
９に示す。なお、背圧以外のスパッタリングの条件、記
録媒体の層構成、評価条件等は実施例３と同様に行なっ
た。その結果、図９に示したように３×１０-7≦Ｐ≦５
×１０-8ｔｏｒｒの範囲の背圧でスパッタした時、良好
なＣ／Ｎを示す記録層を得ることができた。
【００４９】
【発明の効果】本発明によって、Ｃ／Ｎ、消去比、感
度、ジッター、保存信頼性、繰返し信頼性に優れる情報
記録媒体を提供することができた。とくに、保存信頼
性、繰返し信頼性の大幅な向上ができた。
度、ジッター、保存信頼性、繰返し信頼性に優れる情報
記録媒体を提供することができた。とくに、保存信頼
性、繰返し信頼性の大幅な向上ができた。
【図１】Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化形光ディスク
の保存特性を示したもので、（ａ）はアーカイバル特
性、（ｂ）はシェルフ特性、（ｃ）はオーバーライトシ
ェル特性、をそれぞれ表わした図。
の保存特性を示したもので、（ａ）はアーカイバル特
性、（ｂ）はシェルフ特性、（ｃ）はオーバーライトシ
ェル特性、をそれぞれ表わした図。
【図２】オーバーライトシェルフの初期劣化速度の記録
層組成依存性を表わした図。
層組成依存性を表わした図。
【図３】（ａ）は未記録時で記録層に応力が生じない状
態を表わした図、（ｂ）はレーザービーム照射（記録
時）に記録層に大きな引っ張り応力が生じることを表わ
した図。
態を表わした図、（ｂ）はレーザービーム照射（記録
時）に記録層に大きな引っ張り応力が生じることを表わ
した図。
【図４】保護層の応力と光記録媒の繰り返し回数との関
係を表わした図。
係を表わした図。
【図５】Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の膜厚と降伏応力と
の関係を表わした図。
の関係を表わした図。
【図６】ターゲット材料を製造する際、焼結前に熱処理
を行ったターゲットを用いてつくった光記録媒体の性能
を表した図。
を行ったターゲットを用いてつくった光記録媒体の性能
を表した図。
【図７】ターゲット材料を製造する際、熱処理を行わな
かったターゲットを用いてつくった光記録媒体の性能を
表した図。
かったターゲットを用いてつくった光記録媒体の性能を
表した図。
【図８】同一組織のターゲットで結晶子径を５００Åと
して光記録媒体をつくり、その性能を表した図。
して光記録媒体をつくり、その性能を表した図。
【図９】ターゲットを用いてスパッタリングを行なう際
の背圧と得られた記録層のＣ／Ｎの関係を示す図。
の背圧と得られた記録層のＣ／Ｎの関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 林 嘉隆 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (17)
- 【請求項１】 記録を担う物質の相変化により記録及び
消去を行なう光記録媒体の記録層を作製する際に用いら
れ、構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、そ
れぞれの組成比α、β、γ、δ（原子％）が、 ２≦α≦３０ ３≦β≦３０ １０≦γ≦５０ １５≦δ≦８３ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 前記ターゲット中に含まれる化合物ない
し混合物が、Ｓｂとカルコパイライト構造を有する化学
量論組成及び／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2と
を主成分とすることを特徴とする請求項１記載のスパッ
タリング用ターゲット。 - 【請求項３】 前記カルコパイライト構造を有する化学
量論組成及び／又はそれに近い組成のＡｇＩｎＴｅ2が
形成する結晶子の粒径ｄが、 ｄ≦４５０Å であることを特徴とする請求項２記載のスパッタリング
用ターゲット。 - 【請求項４】 Ａｇ、Ｉｎ及びＴｅの単体を混合し６０
０℃以上の温度で溶融した後急冷させ粉砕し、これとＳ
ｂとを混合して焼結することを特徴とするスパッタリン
グ用ターゲットの製造方法。 - 【請求項５】 Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ及びＳｂの単体を混合
し６００℃以上の温度で溶融した後、急冷させ粉砕し、
これを焼結することを特徴とするスパッタリング用ター
ゲットの製造方法。 - 【請求項６】 前記焼結以前の工程として、融点以下に
おける熱処理工程を含む請求項４又は５記載のスパッタ
リング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項７】 記録を担う物質の相変化により記録消去
を行なう光記録媒体の記録層の構成元素が、主に、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、それぞれの組成比α、
β、γ、δ（原子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ １０≦γ≦５０ １０≦δ≦８０ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項８】 記録を担う物質の相変化により記録消去
を行なう光記録媒体の記録層の構成元素が、主として、
ＡｇとＩｎとＴｅとＳｂと窒素及び／又は酸素とであ
り、それぞれの組成比α、β、γ、δ、ε（εは窒素及
び／又は酸素の総計）（原子％）が、 ０＜α≦３０ ０＜β≦３０ ９≦γ≦５０ ９≦δ≦８０ ０＜ε≦５ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００ であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項９】 記録層の構成元素において、その組成比
に α−γ／２≦−８ の条件がさらに加えられたことを特徴とする請求項７又
は８記載の光記録媒体。 - 【請求項１０】 基本層構成が、ポリカーボネート基板
／第１保護層／記録層／第２保護層／反射放熱層／紫外
線硬化樹脂であり、記録層が請求項７、８又は９に記載
されている組成であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項１１】 第１保護層及び第２保護層の熱応力と
真性応力との和が−１５０ＭＰａ以上であることを特徴
とする請求項１０記載の光記録媒体。 - 【請求項１２】 記録層の降伏応力が２００ＭＰａ以上
であることを特徴とする請求項１０記載の光記録媒体。 - 【請求項１３】 記録層中に、その主な構成元素Ａｇ、
Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂのうちの少なくとも１つの元素の窒化
物および／又は酸化物あるいは窒素単体を含むことを特
徴とする請求項８又は９記載の光記録媒体。 - 【請求項１４】 記録層の主な構成元素であるＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｔｅ、Ｓｂのいずれかと合金化あるいは化合物化で
きる元素がさらに添加されていることを特徴とする請求
項７、８又は９記載の光記録媒体。 - 【請求項１５】 請求項１〜３のいずれかのスパッタリ
ング用ターゲットを使用してスパッタリングを行なう際
に、アルゴンガスに０ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下の
窒素ガスを混合したガスを用いて記録層を成膜すること
を特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 スパッタリング前の背圧ｐを、 ３×１０-7≦ｐ≦５×１０-6ｔｏｒｒ に設定することを特徴とする請求項１５記載の光記録媒
体の製造方法。 - 【請求項１７】 スパッタリング後に、スパッタリング
時よりも高濃度の窒素ガスを含むガスをスパッタチャン
バー内に流入させることを特徴とする請求項１５記載の
光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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