JPH08263871A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ｃ／Ｎ、消去比、感度、ジッター、保存安定
性、繰返し信頼性にすぐれた光記録媒体を提供する。 【構成】 基本層構成が基板／第１保護層／記録層／第
２保護層／反射放熱層／紫外線硬化樹脂層、又は、紫外
線吸収層／基板／第１保護層／記録層／第２保護層／反
射放熱層／紫外線硬化樹脂層からなり、かつ、劣化の活
性化エネルギーが１．１ｅＶ以上であることを特徴とす
る光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体に関し、詳
しくは、光ビームを照射することにより記録層材料に相
変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、かつ書換
えが可能である情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光記録媒体の一つ
として、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知
られている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。

【０００３】その代表的な例としてＵＳＰ３５０４４１
に開示されているように、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、Ｇ
ｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、
ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓなどのいわゆるカルコゲ
ン系合金材料があげられる。また、安定性、高速結晶化
等の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−
２１９６９２号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７
０１９０号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）など
を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上
を目的に、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂの組成比を
特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭６３
−２２８４３３号）の提案などもなされている。

【０００４】しかしながら、そのいずれもが書替え型相
変化形光記録媒体として要求される諸特性のすべてを満
足しうるものとはいえない。特に、記録感度、消去感度
の向上、オーバーライト時の消しの残りによる消去比低
下の防止が解決すべき最重要課題となっている。

【０００５】これらの課題を解決するために、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の混相記録材料が開発された（特開平
２−３７４６６号、特開平２−１７１３２５号、特開平
２−４１５５８号、特開平４−１４１４８５号）。これ
らの混相記録材料は、ピークパワー１２ｍＷ以下の記録
感度、消去感度を有する。特に、消去比が大きく、マー
クエッジ記録用の記録層として優れている。しかし、現
在提案されているＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の混相記録
材料を記録層とした光記録媒体の保存信頼性や繰返し信
頼性については、満足できるものとはいえず、更なる改
良が要求されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の実情に鑑みてなされたもので、Ｃ／Ｎ、消去比、感
度、ジッター、保存安定性、繰返し信頼性にすぐれた光
記録媒体を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は前記目的を達
成するために、先に、記録を担う物質の相変化により記
録消去を行なうものとして、その記録層の構成元素が主
にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、それぞれの構成比
α、β、γ、δ（原子％）が、０＜α≦３０、０＜β≦
３０、１０≦γ≦５０、１０≦δ≦８０、α＋β＋γ＋
δ＝１００とした光記録媒体を提案した（特開平６−３
３２５３２号）。本発明はこの提案した発明を再検討す
ることによって、特に保存安定性をさらに良好にした光
記録媒体を提供するものである。

【０００８】すなわち、本発明によれば、（１）基本層
構成が基板／第１保護層／記録層／第２保護層／反射放
熱層／紫外線硬化樹脂層、又は、紫外線吸収層／基板／
第１保護層／記録層／第２保護層／反射放熱層／紫外線
硬化樹脂層からなり、かつ、劣化の活性化エネルギーが
１．１ｅＶ以上であることを特徴とする光記録媒体、及
び、（２）前記（１）における記録層の構成元素が主に
Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂで、それぞれの組成比α、β、
γ、δ（原子％）は ０＜α≦５ ０＜β≦２０ １５≦γ≦３０ ３０≦δ≦６０ α＋β＋γ＋δ＝１００ であり、しかもα−γ／２≦−８の関係を充すことを特
徴とする光記録媒体が提供される。

【０００９】以下本発明をさらに詳細に説明する。本発
明者は、先ず、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化形光記録媒体
の９０℃８５％ＲＨでの保存劣化挙動を調べることから
始めた。評価項目は、アーカイバル特性、シェルフ特
性、およびオーバーライトシェルフ特性とした。評価条
件は、線速４．８ｍ／ｓ、オーバーライト記録周波数
２．８８ＭＨｚ／０．８０ＭＨｚ（５０％ｄｕｔｙ）と
した。評価したサンプルは、以下の７種類とした。 Ｎｏ． 構成（膜厚（ｎｍ） １ PC/ZnSSiO₂(180)/Ag₈In₁₆Sb₄₂Te₃₄(20)/ZnSSiO₂(25)/Al合金(70) ２ PC/ZnSSiO₂(180)/Ag₉In₁₃Sb₄₇Te₃₁(25)/ZnSSiO₂(20)/Al合金(100) ３ PC/ZnSSiO₂(200)/Ag₈In₁₀Sb₄₉Te₃₃(25)/ZnSSiO₂(20)/Al合金(100) ４ PC/ZnSSiO₂(180)/Ag₄In₁₃Sb₅₁Te₃₂(20)/ZnSSiO₂(25)/Al合金(100) ５ PC/ZnSSiO₂(180)/Ag₅In₁₁Sb₅₅Te₂₉(20)/ZnSSiO₂(25)/Al合金(100) ６ PC/ZnSSiO₂(180)/Ag₁In₁₀Sb₆₃Te₂₆(18)/ZnSSiO₂(25)/Al合金(100) ７ PC/ZnSSiO₂(180)/Ag₂In₁₁Sb₆₁Te₂₆(20)/ZnSSiO₂(25)/Al合金(100) ＰＣ：ポリカーボネート基板、記録層の組成：ＩＣＰ分
析により評価した。いずれのディスクも紫外線硬化樹脂
を４μｍ設けた。

【００１０】上記サンプルの初期特性は、ジッター１σ
が８ｎｓ以下で同等であった。これらのサンプルを９０
℃８５％ＲＨで１００時間保存した結果、劣化挙動は記
録層組成に大きく依存することがわかった。特に、アー
カイバル特性の劣化は、記録層のＳｂ量に依存すること
がわかった。図１に、初期ジッターと保存後のジッター
の比を示す。Ｓｂ量が６０ａｔ％を超えると保存後のジ
ッターが急激に増大することがわかる。したがって、ア
ーカイバル特性の劣化を抑制するためには、Ｓｂ≦６０
ａｔ％とすることが重要であることがわかる。

【００１１】また、シェルフ特性、オーバーライトシェ
ルフ特性の劣化は、ＡｇとＴｅの関係によって抑制でき
ることがわかった。図２に、Ａｇ−Ｔｅ／２に対するオ
ーバーライトシェルフ特性の初期劣化速度を示す。Ａｇ
−Ｔｅ／２≦−８において、オーバーライトシェルフ特
性の劣化が抑制されることがわかる。光記録媒体の保存
特性としては、アーカーバル特性を満足することは、不
可欠なことであるが、それとともに、シェルフ特性、オ
ーバーライトシェルフ特性を同時に満足することが望ま
れる。そのためには、Ｓｂ≦６０ａｔ％、Ａｇ−Ｔｅ／
２≦−８を同時に満足することが必要となる。

【００１２】Ｓｂ≦６０ａｔ％、Ａｇ−Ｔｅ／２≦−８
を満足した場合の９０℃８５％ＲＨでの記録層の寿命
は、１００時間以上であった。この時、記録層以外の劣
化は認められなかった。したがって、記録層を含むあら
ゆる潜在する劣化は、９０℃８５％ＲＨ、１００時間で
は劣化が認められないことになる。ところで、光記録媒
体の室温寿命は、少なくとも１０年以上は必要とされて
いる。上記記録層組成において、潜在する劣化を含め
て、室温寿命（３０℃）１０年を保証するためには、あ
らゆる劣化に対する９０℃劣化の加速係数は１００時間
／１０年以上とする必要がある。そのときの劣化の活性
化エネルギーは、式１から導きだされ１．１ｅＶ以上と
なる。つまり、上記記録層組成において、あらゆる劣化
に対して、室温寿命１０年を保証するためには、劣化の
活性化エネルギーが１．１ｅＶ以上とする必要がある。

【００１３】

【式１】 △Ｅ＝ｌｎ（Ｌ₃₀／Ｌ₉₀）・〔ｋ／（１／Ｔ₃₀−１／Ｔ₉₀）〕 ＝ｌｎ（１０年／１００時間）・〔ｋ／（１／３０３−１／３６３）〕 ＝１．１ （△Ｅ：劣化の活性化エネルギー Ｌ₃₀：３０℃での寿命 Ｌ₉₀：９０℃での寿命 Ｔ₃₀：３０３Ｋ Ｔ₉₀：３６３Ｋ ｋ：ボルツマン定数）

【００１４】これらから、活性化エネルギーに最も影響
を与える記録層は、少なくとも主な構成元素がＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｔｅ、Ｓｂで、それぞれの組成比α、β、γ、δ
（原子％）が、０＜α≦５、０＜β≦２０、１５≦γ≦
３０、３０≦δ≦６０、（α＋β＋γ＋δ＝１００）で
α−γ／２≦−８の条件を充していることであるが、同
時に、前記の手法を採用して、劣化の活性化エネルギー
を１．１ｅＶ以上になるようにすることが重要になる。

【００１５】光記録媒体の寿命を支配する劣化の活性化
エネルギーを１．１ｅＶ以上に制御するためには、それ
ぞれの劣化に対して、それぞれの方法がとられる。例え
ば、記録マークの結晶化が劣化の原因である場合には、
記録層の組成の調整で活性化エネルギーを制御すること
ができる。Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料では、Ａｇ濃
度やＳｂ濃度で結晶化（つまり劣化）の活性化エネルギ
ーを制御することができる（奥田昌宏、第２回相変化記
録研究会予稿集、ｐ５３、１９９１年の図３に記載）。
また、記録マークの結晶化の活性エネルギーは、第１保
護層および／または第２保護層の表面性によっても制御
することができる（井出達徳、他、信学技報、ＣＰＭ９
２−１５１、ｐ５５のＦｉｇ．１０に記載）。反射層の
グレイン成長などによる劣化は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、な
ど添加量によって制御される。

【００１６】続いて、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化形光記
録媒体のオーバーライトの繰返し特性について検討し
た。オーバーライトの繰返し後記録層の構造を透過型電
子顕微鏡観察および電子線回析を行なったところ、ボイ
ドの生成、組成の偏析が認められた。ボイドの生成と組
成の偏析は、表裏一体の現象であり、物質の移動元がボ
イドとなり、移動先が組成の偏析として観察されたこと
になる。つまり、物質移動がオーバーライトの繰返し特
性の劣化となっている。この物質移動の駆動力は、記録
層に生じる引っ張り応力勾配が原因と考えられる。相変
化形光記録媒体では、記録の際、レーザー照射によって
記録層が溶融する。その際、溶融部分の引っ張り応力
は、ほとんど無くなってしまい、大きな引っ張り応力勾
配が生じていることになる（図３）。記録層に生じる引
っ張り応力は、第１保護層および第２保護層の熱応力お
よび真性応力（特に、圧縮応力）の和によって決まる。
従って、記録層の引っ張り応力の低減は、第１保護層お
よび第２保護層の熱応力および圧縮応力の低減にほかな
らない。保護層の応力に対するオーバーライト繰返し回
数の関係を図４に示す。要求される繰返し回数を２００
０回以上とすると、保護層の応力としては、熱応力＋真
性応力で、−１５０ＭＰａ以上、繰返し回数１００００
回以上とすると保護層の応力としては、熱応力＋真性応
力で、−１００ＭＰａ以上が好適である。

【００１７】また、記録層に生じる引っ張り応力が、記
録層の降状応力を超えると、記録層は、やがてボイドを
生じ断絶してしまう。したがって、記録層の降状応力
は、記録層に生じる引っ張り応力より大きくなければな
らない。ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層の膜厚とその降状応力
の関係を図５に示す。ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層に生じる
降状応力は、記録層の膜厚の減少に応じて増大すること
がわかる。一般に、記録層に生じる引っ張り応力は、１
５０〜２５０ＭＰａであり、記録層の降状応力は、それ
以上にする必要がある。つまり、記録層の降状応力は、
好ましくは２００ＭＰａ以上、さらに好ましくは２５０
ＭＰａ以上が好適である。したがって、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ記録層は、５０ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以下の
膜厚が好適である。

【００１８】一方、繰返しオーバーライトによってでき
るボイドは、第１および第２保護層に異なる材料を用い
ることで促進される。相変化形光記録媒体では、記録層
をはさむ保護層材料が異なると、記録層の上下でぬれ性
が異なるため記録消去の際の溶融時に、よりぬれ性の良
好な界面に記録材料が移動してしまい、ぬれ性の良くな
い界面にボイドを形成してしまう。その結果、オーバー
ライトの繰返しによる劣化を生じてしまう。したがっ
て、第１保護層と第２保護層を同一材料とすることで、
オーバーライトの繰返し特性を向上することができる。
また、第１保護層と第２保護層の熱伝導率が異なると、
熱応力分布を生じることとなり、やはり、物質移動の原
因となる。したがって、この様な観点からも、第１およ
び第２保護層が同一の材料であることが望まれる。

【００１９】ＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化形記録材料は、
特開平２−１７１３２５号に記載されているように、Ａ
ｇＳｂＴｅ₂とＩｎＳｂの混相構造を形成していること
がわかっている。光記録の際には、ＡｇＳｂＴｅ₂が結
晶−非結晶質間で相変化する。このときのＡｇＳｂＴｅ
₂の大きさは、約１０ｎｍである。この様な混相構造に
おいて、物質移動経路は混相界面が支配的と考えられ
る。物質移動は、物質移動経路で移動物質を補足するこ
とでも軽減される。具体的には、炭素、窒素、酸素の各
元素は、４価、３価、２価の結合手を持っており、物質
移動を補足することができる。また、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
の各構成元素と合金化できるＡｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇｅ、
Ｐｄ、Ｐｂなどの添加も効果的である。記録層は、スパ
ッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズ
マＣＶＤ法等によって作製できる。Ｃ、Ｎ、Ｏの添加に
は、ＣＨ₄、Ｎ₂、ＮＨ₃、ＮＯ₂、Ｎ₂ＯとＡｒとの混合
ガスなどがもちいられる。

【００２０】本発明の光記録媒体の構成は、基板への熱
ダメージの抑制、ならびに、繰返しオーバーライトの際
の記録層物質の移動を凍結するためにも急冷構造とする
ことが望ましい。その代表的な層構成は、基板／第１保
護層／記録層／第２保護層／反射放熱層／紫外線硬化樹
脂層である。もう一つの代表的な層構成は、紫外線吸収
層／基板／第１保護層／記録層／第２保護層／反射放熱
層／紫外線硬化樹脂層である。

【００２１】既述のとおり、本発明に係る記録層はその
構成元素が主に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｅよりなるが、
これらと合金化又は化合物化できる元素（Ｃ、Ｎ、Ｏ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ｐｂなど）を０．０１
〜７．０原子％の範囲で含有させたものであってもよ
い。

【００２２】本発明で使用する基板の材料は、通常、ガ
ラス、セラミックス、あるいは、樹脂であり、なかでも
樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の代
表例として、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン樹脂、アクリルニトリル−スチレン共重合体
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹
脂などが使用できるが、加工法、光学特性等から、ポリ
カーボネート樹脂が好ましい。しかしながら、樹脂基板
は紫外線を吸収して、光分解してしまう。そのため、太
陽光のもとに長時間放置することができない。その対策
として、樹脂基板の読み取りレーザー光の入射面に紫外
線吸収層を設けることが効果的である。これが本発明の
請求項５を構成する。用いられる紫外線吸収層は、樹脂
基板の紫外線吸収波長によって選択される。たとえばポ
リカーボネート基板では、波長４５０ｎｍ程度から吸収
が認められ、３００ｎｍ以下の紫外領域での透過性はな
い。したがって、ポリカーボネート基板の紫外線吸収層
としては、波長４００ｎｍからそれ以下に吸収のある材
料が選択される。たとえば、ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ、Ｉｎ
Ｏｘなどの低級酸化物、Ｎｄ₂、Ｏ₃、ＣｅＯ₂、Ｔｉ
Ｏ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃などの酸化物、ＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｓｂ₂Ｓ
₃などの硫化物、非晶性炭素、Ｓｉなどあげられる。な
かでも低級酸化物は、光吸収領域をその酸化状態によっ
で制御しやすく有効である。基板の形状は、ディスク
状、カード状あるいは、シート状であってもよい。基板
の厚さは１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等任意の
ものが使用できるが、クロストークの基板チルト依存性
の観点から、より基板厚の小さいものが望まれる。しか
し、製膜上の困難や、歩留まり等を考慮すると０．６ｍ
ｍが好ましい。

【００２３】本発明で使用する第１および第２保護層
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂０₃、Ｔ
ｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂などの酸化物、Ｓｉ
₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、Ｚ
ｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄などの硫化物、ＳｉＣ、Ｔａ
Ｃ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイ
ヤモンド状炭素、あるいは、その混合物が好ましい。こ
れら第１および第２保護層は、スパッタリング、イオン
プレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によっ
て作製できる。第１保護層の膜厚は、５０ｎｍ〜５００
ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍ、更に好まし
くは、１５０ｎｍ〜２５０ｎｍである。第２保護層の膜
厚は、５ｎｍ〜３００ｎｍ、好ましくは、１０ｎｍ〜５
０ｎｍである。スパッタ製膜の場合、第１および第２保
護層の応力は、製膜圧力は、製膜電力、基板−ターゲッ
ト間距離などで制御することができる。一般に、製膜圧
力を高く、製膜プラズマ電力を小さく、基板−ターゲッ
ト間距離を大きくすることで応力は軽減される。また、
２種以上の複合材料を使用することでも応力の軽減を図
ることができる。

【００２４】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕな
どの金属材料およびそれらとＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉなどの添
加材料が使用できる。反射放熱層は、必ずしも必要では
ないが、記録消去の際に生じる過剰な熱を放出し、記録
媒体自身への熱ダメージを軽減するために設けるほうが
望ましい。反射放熱層は、スパッタリング、イオンプレ
ーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作
製できる。

【００２５】紫外線硬化樹脂層にはウレタンアクリレー
ト、アクリル酸エステル、およびそれらの混合物などＵ
Ｖ硬化型樹脂を用いて厚さ１〜１０μｍくらいに形成す
る。

【００２６】

【実施例】次に実施例をあげて本発明をより具体的に説
明する。

【００２７】実施例１〜４及び比較例１〜２ 表１にＡｇＩｎＴｅ₂が存在するスパッタリングターゲ
ットの組成、及びそれらを用いた場合のディスク特性を
示す。これは幅約０．６μｍ、深さ約６００Åのグルー
プが形成されているディスク基板（厚さ１．２ｍｍ）
に、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂からなる１８０ｎｍ厚の下部保護
層、１８ｎｍ厚の記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂からなる２
５ｎｍ厚の上部保護層、アルミニウム合金（厚さ１００
ｎｍ）からなる反射放熱層、紫外線硬化型樹脂（厚さ４
μｍ）からなる保護層を設置してディスクを作成する。
なお、記録層のスパッタリング方法は背圧を９×１０^-7
ｔｏｒｒで、アルゴンガスを入れ３×１０^-3ｔｏｒｒに
して、ＲＦｐｏｗｅｒ３００ワットで行なった。このデ
ィスクで最もＣ／Ｎが高くなる線速で測定し、マーク長
約１μｍのマークの記録特性、約３μｍのマークでオー
バーライトしたときの消去特性について評価した。ここ
で、半導体レーザーの波長は７８０ｎｍ、対物レンズの
ＮＡは０．５である。

【００２８】ディスク特性の欄の評価値は、レベル３が
最も良好な特性（オーバーライト回数１００００回以
上）を示し、レベル２は良好な特性（オーバーライト回
数１０００回以上）を示し、レベル１はオーバーライト
回数１００回以上を有するディスクを示す。また、ディ
スクの保存特性も併せて評価した。保存条件は９０℃８
５％ＲＨ、８０℃８５％ＲＨ、７０℃８５％ＲＨとし、
劣化時間のアレニウスプロットから室温の寿命を算出し
た。保存劣化の寿命は（活性化エネルギー１．５ｅＶ）
ジッターが増大しはじめる時間とした。これらの結果を
表１に示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】実施例５ ＳｉＯｘ（１００ｎｍ）／ポリカーボネート基板（１．
２ｍｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ₂（１８０ｎｍ）／Ａｇ₃Ｉｎ
₁₄Ｓｂ₅₅Ｔｅ₂₈（２０ｎｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ ₂（２５
ｎｍ）／ＡｌＴｉ（１ｗｔ％）（１００ｎｍ）／紫外線
硬化樹脂（４μｍ）という構成の相変化形光ディスクを
スパッタリングによって作製した。ただし、紫外線硬化
樹脂は、スピンコートによって作製した。ＳｉＯｘはＳ
ｉのＡｒ−Ｏ₂混合ガススパッタリングによって作製し
た。膜組成はＳｉ₂Ｏ₃とした。これによって、４００ｎ
ｍ以下の光がＳｉＯｘによって吸収される。第１保護層
および第２保護層は、反応圧０．００３ｔｏｒｒ、プラ
ズマ電力１．５ｋＷで作製し、−１３０ＭＰａの応力に
制御した。記録層の組成は、Ａｇ−Ｔｅ／２＝−１１ａ
ｔ％、Ｓｂ＝５５ａｔ％に制御した。この記録層の降状
応力は、２８０ＭＰａであった。

【００３１】このディスクの保存特性およびオーバーラ
イトの繰返し特性を評価した。評価条件は、線速４．８
ｍ／ｓ、オーバーライト記録周波数２．８８ＭＨｚ／
０．８０ＭＨｚ（５０％ｄｕｔｙ）とした。保存条件
は、９０℃８５％ＲＨ、８０℃８５％ＲＨ、７０℃８５
％ＲＨとし、劣化時間のアレニウスプロットから室温の
寿命を算出した。オーバーライトの繰返しおよび保存劣
化の寿命は、ジッターが７ｎｓを超えた繰返し回数およ
び保存時間とした。また、凝似太陽光での耐光試験も実
施した。照度は、１５５０００ｌｕｘとした。その結
果、オーバーライトの繰返し回数２０００回以上、室温
寿命１００年以上（活性化エネルギー１．５ｅＶ）であ
った。また、３００時間以上でも光劣化は認められなか
った。

【００３２】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、Ｃ／Ｎ、消去
比、感度、ジッター、保存信頼性、繰返し信頼性、耐光
性にすぐれた光記録媒体を提供することができる。請求
項２の発明によれば、さらに保存信頼性の良好な光記録
媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 アーカイバル劣化の記録層構成依存性を表わ
した図。

【図２】 Ｏ／Ｗシェルフの初期劣化速度の記録層組成
依存性を表わした図。

【図３】 （ａ）は未記録時で記録層に応力勾配が生じ
ない状態を表わした図、（ｂ）はレーザービーム照射
（記録時）に記録層の大きな引っ張り応力勾配が生じる
ことを表わした図。

【図４】 保護層の応力を光記録媒体の繰り返し回数と
の関係を表わした図。

【図５】 Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の膜厚と降状応力
との関係を表わした図。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基本層構成が基板／第１保護層／記録層
   ／第２保護層／反射放熱層／紫外線硬化樹脂層、又は、
   紫外線吸収層／基板／第１保護層／記録層／第２保護層
   ／反射放熱層／紫外線硬化樹脂層からなり、かつ、劣化
   の活性化エネルギーが１．１ｅＶ以上であることを特徴
   とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 前記記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉ
   ｎ、Ｔｅ、Ｓｂで、それぞれの組成比α、β、γ、δ
   （原子％）は ０＜α≦５ ０＜β≦２０ １５≦γ≦３０ ３０≦δ≦６０ α＋β＋γ＋δ＝１００ であり、しかもα−γ／２≦−８の関係を充すことを特
   徴とする請求項１記載の光記録媒体。