JP2002245624A - 光記録方法、光記録装置および光記録媒体 - Google Patents
光記録方法、光記録装置および光記録媒体Info
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- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度記録可能な光記録媒体において、複数
の線速度で記録したときの再生信号のジッタを低減す
る。 【解決手段】 複数の線速度または連続的に変化する線
速度で記録を行う方法であって、記録光を変調する記録
波形は、直流部と記録パルス部とを有するものであり、
直流部の強度をＰbi、上向きパルスの強度をＰｗとし、
線速度ＶLで記録を行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれ
ＰｗＬおよびＰbiＬとし、ＶLよりも速く、かつ、１．
１≦ＶH／ＶLを満足する線速度ＶHで記録を行う際のＰ
ｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨとしたと
き、ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（Ｐbi
Ｌ／ＰｗＬ）＜１を満足する条件で記録を行う光記録方
法。
の線速度で記録したときの再生信号のジッタを低減す
る。 【解決手段】 複数の線速度または連続的に変化する線
速度で記録を行う方法であって、記録光を変調する記録
波形は、直流部と記録パルス部とを有するものであり、
直流部の強度をＰbi、上向きパルスの強度をＰｗとし、
線速度ＶLで記録を行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれ
ＰｗＬおよびＰbiＬとし、ＶLよりも速く、かつ、１．
１≦ＶH／ＶLを満足する線速度ＶHで記録を行う際のＰ
ｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨとしたと
き、ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（Ｐbi
Ｌ／ＰｗＬ）＜１を満足する条件で記録を行う光記録方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録媒
体等の光記録媒体と、これに記録する方法と、これに記
録する装置とに関する。
体等の光記録媒体と、これに記録する方法と、これに記
録する装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザービームを照射することにより記
録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状
態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することによ
り再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一
のレーザービームの強度を変調することによりオーバー
ライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されてい
る。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザービームを照射することにより記
録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状
態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することによ
り再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一
のレーザービームの強度を変調することによりオーバー
ライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されてい
る。
【０００３】オーバーライトによる書き換えが可能な相
変化型媒体では、結晶質記録層に記録パワーレベルのレ
ーザー光を照射して溶融させ、溶融状態から急冷するこ
とにより非晶質記録マークを形成する。消去に際して
は、消去パワーレベルのレーザー光を照射して記録層の
結晶化温度以上融点未満の温度まで昇温し、次いで徐冷
することにより、非晶質記録マークを結晶化する。
変化型媒体では、結晶質記録層に記録パワーレベルのレ
ーザー光を照射して溶融させ、溶融状態から急冷するこ
とにより非晶質記録マークを形成する。消去に際して
は、消去パワーレベルのレーザー光を照射して記録層の
結晶化温度以上融点未満の温度まで昇温し、次いで徐冷
することにより、非晶質記録マークを結晶化する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】オーバーライト可能な
相変化媒体のうち実用化されているものとしては、例え
ばＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭが挙げら
れる。ＣＤ−ＲＷは、ＣＤ−ＤＡ（コンパクトディス
ク）と同等の６４０MBの記録容量をもつ。ＣＤ−ＲＷで
は、ＣＤ−ＤＡの４〜１０倍の線速度範囲での記録が実
用化されている。一方、ＤＶＤ−ＲＯＭと同じ４．７GB
の記録容量をもつＤＶＤ−ＲＷおよびＤＶＤ−ＲＡＭで
は、１倍速（オリジナル線速度）を基準として、その２
倍を超える線速度での記録は実用化されていない。これ
は、ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭの記録密度がＣＤ−
ＲＷに比べ著しく高いために、広い線速度範囲でジッタ
を小さくできるようにオーバーライトすることが技術的
に困難だからである。また、現在主流となっているＤＶ
Ｄ（Digital Versatile Disk）系媒体よりもさらに高密
度記録を行う場合には、広い線速度範囲でジッタを小さ
くできるようにオーバーライトすることがさらに困難と
なる。
相変化媒体のうち実用化されているものとしては、例え
ばＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭが挙げら
れる。ＣＤ−ＲＷは、ＣＤ−ＤＡ（コンパクトディス
ク）と同等の６４０MBの記録容量をもつ。ＣＤ−ＲＷで
は、ＣＤ−ＤＡの４〜１０倍の線速度範囲での記録が実
用化されている。一方、ＤＶＤ−ＲＯＭと同じ４．７GB
の記録容量をもつＤＶＤ−ＲＷおよびＤＶＤ−ＲＡＭで
は、１倍速（オリジナル線速度）を基準として、その２
倍を超える線速度での記録は実用化されていない。これ
は、ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭの記録密度がＣＤ−
ＲＷに比べ著しく高いために、広い線速度範囲でジッタ
を小さくできるようにオーバーライトすることが技術的
に困難だからである。また、現在主流となっているＤＶ
Ｄ（Digital Versatile Disk）系媒体よりもさらに高密
度記録を行う場合には、広い線速度範囲でジッタを小さ
くできるようにオーバーライトすることがさらに困難と
なる。
【０００５】本発明は、高密度記録が可能な光記録媒体
において、複数の線速度で記録したときの再生信号のジ
ッタを低減することを目的とする。
において、複数の線速度で記録したときの再生信号のジ
ッタを低減することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（２４）の本発明により達成される。 （１） 相変化材料を含む記録層を有する光記録媒体に
対し、記録波形により強度変調された記録光を用い、複
数の線速度または連続的に変化する線速度で記録を行う
方法であって、前記記録波形は、直流部と、記録マーク
を形成するための記録パルス部とを有するものであり、
直流部の強度をＰbiで表し、上向きパルスを少なくとも
３つ有する記録パルス部において、先頭の上向きパルス
と最後尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの強
度をＰｗで表し、前記複数の線速度または前記連続的に
変化する線速度の１つをＶLとし、線速度ＶLで記録を行
う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＬおよびＰbiＬと
し、前記複数の線速度または前記連続的に変化する線速
度のうちＶLよりも速く、かつ、 １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度の１つをＶHとし、線速度ＶHで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨ
としたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足する条件で記録を行う光記録方法。 （２） 相変化材料を含む記録層を有する光記録媒体に
対し、記録波形により強度変調された記録光を用い、複
数の線速度から選択される１つの線速度で記録を行う方
法であって、前記記録波形は、直流部と、記録マークを
形成するための記録パルス部とを有するものであり、直
流部の強度をＰbiで表し、上向きパルスを少なくとも３
つ有する記録パルス部において、先頭の上向きパルスと
最後尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの強度
をＰｗで表し、前記複数の線速度の１つをＶLとし、線
速度ＶLで記録を行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰ
ｗＬおよびＰbiＬとし、前記複数の線速度のうちＶLよ
りも速く、かつ、 １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度の１つをＶHとし、線速度ＶHで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨ
としたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足する条件で記録を行う光記録方法。 （３） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくとも
３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルスに続い
て下向きパルスが存在し、この下向きパルスの幅をＴcl
で表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴclをＴclＬと
し、線速度ＶHで記録を行う際のＴclをＴclＨとしたと
き、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１ として記録を行う上記（１）または（２）の光記録方
法。 （４） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくとも
３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスと最後尾
の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの幅をＴmpで
表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴmpをＴmpＬとし、
線速度ＶHで記録を行う際のＴmpをＴmpＨとしたとき、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ として記録を行う上記（１）〜（３）のいずれかの光記
録方法。 （５） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくとも
３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスの幅をＴ
topで表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴtopをＴtopＬ
とし、線速度ＶHで記録を行う際のＴtopをＴtopＨとし
たとき、 ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ として記録を行う上記（１）〜（４）のいずれかの光記
録方法。 （６） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくとも
３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルスの幅を
Ｔlpで表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴlpをＴlpＬ
とし、線速度ＶHで記録を行う際のＴlpをＴlpＨとした
とき、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ として記録を行う上記（１）〜（５）のいずれかの光記
録方法。 （７） 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて
使用するパルス強度およびパルス幅が、光記録媒体への
試し書きによって決定される上記（１）〜（６）のいず
れかの光記録方法。 （８） 記録に用いるレーザー光の波長をλ、照射光学
系の対物レンズの開口数をＮＡ、検出窓幅をＴｗ、最短
記録マークに対応する信号長をｎ・Ｔｗとしたとき、記
録に用いる最も速い線速度において ｎ・Ｔｗ≦２０ns である上記（１）〜（７）のいずれかの光記録方法。 （９） 相変化材料を含む記録層を有する光記録媒体に
対し、記録波形により強度変調された記録光を用いて記
録を行う方法であって、前記記録波形は、直流部と、記
録マークを形成するための記録パルス部とを有するもの
であり、直流部の強度をＰbiで表し、上向きパルスを少
なくとも３つ有する記録パルス部において、先頭の上向
きパルスと最後尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパ
ルスの強度をＰｗで表し、基準となる線速度と、この線
速度におけるＰｗおよびＰbiの推奨値が与えられてお
り、この基準となる線速度とは異なる線速度で試し書き
を行うことにより、この試し書きの際の線速度またはこ
の線速度を含む線速度域において実際に情報を記録する
際に実際に使用するＰｗおよびＰbiを決定するに際し、
線速度ＶLおよび １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度ＶHの一方を前記基準となる線速と
し、他方を前記試し書きの際の線速度とし、線速度ＶL
で記録を行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＬおよ
びＰbiＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＰｗおよび
ＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨとしたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足するように、試し書きの際のＰｗおよびＰbiを設
定する光記録方法。 （１０） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくと
も３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルスに続
いて下向きパルスが存在し、この下向きパルスの幅をＴ
clで表したとき、前記基準となる線速度におけるＴclの
推奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う際の
ＴclをＴclＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＴclを
ＴclＨとしたとき、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１ を満足するように試し書きの際のＴclを設定することに
より、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を含
む線速度域において実際に情報を記録する際に使用する
Ｔclを求める上記（９）の光記録方法。 （１１） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくと
も３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスと最後
尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの幅をＴmp
で表したとき、前記基準となる線速度におけるＴmpの推
奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う際のＴm
pをＴmpＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＴmpをＴmp
Ｈとしたとき、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ を満足するように試し書きの際のＴmpを設定することに
より、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を含
む線速度域において実際に情報を記録する際に使用する
Ｔmpを求める上記（９）または（１０）の光記録方法。 （１２） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくと
も３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスの幅を
Ｔtopで表したとき、前記基準となる線速度におけるＴt
opの推奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う
際のＴtopをＴtopＬとし、線速度ＶHで記録を行う際の
ＴtopをＴtopＨとしたとき、 ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ を満足するように試し書きの際のＴtopを設定すること
により、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を
含む線速度域において実際に情報を記録する際に使用す
るＴtopを求める上記（９）〜（１１）のいずれかの光
記録方法。 （１３） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくと
も３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルスの幅
をＴlpで表し、前記基準となる線速度におけるＴlpの推
奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う際のＴl
pをＴlpＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＴlpをＴlp
Ｈとしたとき、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ を満足するように試し書きの際のＴlpＨを設定すること
により、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を
含む線速度域において実際に情報を記録する際に使用す
るＴlpを求める上記（９）〜（１２）のいずれかの光記
録方法。 （１４） 記録に用いるレーザー光の波長をλ、照射光
学系の対物レンズの開口数をＮＡ、検出窓幅をＴｗ、最
短記録マークに対応する信号長をｎ・Ｔｗとしたとき、
記録に用いる最も速い線速度において ｎ・Ｔｗ≦２０ns である上記（９）〜（１３）のいずれかの光記録方法。 （１５） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、線速度Ｖ
Lおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強
度およびパルス幅を保持する光記録装置。 （１６） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、線速度Ｖ
Lおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強
度およびパルス幅が、各線速度について複数保持されて
おり、これら複数のパルス強度およびパルス幅から、実
際に使用するパルス強度およびパルス幅を選択するに際
し、光記録媒体への試し書きを利用する光記録装置。 （１７） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、それぞれの線速度の関数
として定義されており、この関数を保持する光記録装
置。 （１８） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、それぞれの線速度の関数
として定義され、この関数が各線速度について複数保持
されており、これら複数の関数から、実際に使用する関
数を選択するに際し、光記録媒体への試し書きを利用す
る光記録装置。 （１９） 上記（９）〜（１４）のいずれかの光記録方
法を使用することが可能な光記録装置であって、前記基
準となる線速度におけるパルス強度およびパルス幅の推
奨値を保持する光記録装置。 （２０） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、線速度ＶLおよび線
速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強度および
パルス幅が記録されている光記録媒体。 （２１） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、線速度ＶLおよび線
速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強度および
パルス幅が、各線速度について複数記録されており、こ
れら複数のパルス強度およびパルス幅から、実際に使用
するパルス強度およびパルス幅を選択するに際し、光記
録媒体への試し書きが利用される光記録媒体。 （２２） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、線速度ＶLおよび線
速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強度および
パルス幅が、それぞれの線速度の関数として定義されて
おり、この関数が記録されている光記録媒体。 （２３） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、線速度ＶLおよび線
速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強度および
パルス幅が、それぞれの線速度の関数として定義され、
この関数が各線速度について複数記録されており、これ
ら複数の関数から、実際に使用する関数を選択するに際
し、光記録媒体への試し書きが利用される光記録媒体。 （２４） 上記（９）〜（１４）のいずれかの光記録方
法が適用可能な光記録媒体であって、前記基準となる線
速度におけるパルス強度およびパルス幅の推奨値が記録
されている光記録媒体。
（１）〜（２４）の本発明により達成される。 （１） 相変化材料を含む記録層を有する光記録媒体に
対し、記録波形により強度変調された記録光を用い、複
数の線速度または連続的に変化する線速度で記録を行う
方法であって、前記記録波形は、直流部と、記録マーク
を形成するための記録パルス部とを有するものであり、
直流部の強度をＰbiで表し、上向きパルスを少なくとも
３つ有する記録パルス部において、先頭の上向きパルス
と最後尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの強
度をＰｗで表し、前記複数の線速度または前記連続的に
変化する線速度の１つをＶLとし、線速度ＶLで記録を行
う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＬおよびＰbiＬと
し、前記複数の線速度または前記連続的に変化する線速
度のうちＶLよりも速く、かつ、 １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度の１つをＶHとし、線速度ＶHで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨ
としたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足する条件で記録を行う光記録方法。 （２） 相変化材料を含む記録層を有する光記録媒体に
対し、記録波形により強度変調された記録光を用い、複
数の線速度から選択される１つの線速度で記録を行う方
法であって、前記記録波形は、直流部と、記録マークを
形成するための記録パルス部とを有するものであり、直
流部の強度をＰbiで表し、上向きパルスを少なくとも３
つ有する記録パルス部において、先頭の上向きパルスと
最後尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの強度
をＰｗで表し、前記複数の線速度の１つをＶLとし、線
速度ＶLで記録を行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰ
ｗＬおよびＰbiＬとし、前記複数の線速度のうちＶLよ
りも速く、かつ、 １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度の１つをＶHとし、線速度ＶHで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨ
としたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足する条件で記録を行う光記録方法。 （３） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくとも
３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルスに続い
て下向きパルスが存在し、この下向きパルスの幅をＴcl
で表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴclをＴclＬと
し、線速度ＶHで記録を行う際のＴclをＴclＨとしたと
き、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１ として記録を行う上記（１）または（２）の光記録方
法。 （４） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくとも
３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスと最後尾
の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの幅をＴmpで
表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴmpをＴmpＬとし、
線速度ＶHで記録を行う際のＴmpをＴmpＨとしたとき、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ として記録を行う上記（１）〜（３）のいずれかの光記
録方法。 （５） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくとも
３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスの幅をＴ
topで表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴtopをＴtopＬ
とし、線速度ＶHで記録を行う際のＴtopをＴtopＨとし
たとき、 ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ として記録を行う上記（１）〜（４）のいずれかの光記
録方法。 （６） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくとも
３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルスの幅を
Ｔlpで表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴlpをＴlpＬ
とし、線速度ＶHで記録を行う際のＴlpをＴlpＨとした
とき、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ として記録を行う上記（１）〜（５）のいずれかの光記
録方法。 （７） 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて
使用するパルス強度およびパルス幅が、光記録媒体への
試し書きによって決定される上記（１）〜（６）のいず
れかの光記録方法。 （８） 記録に用いるレーザー光の波長をλ、照射光学
系の対物レンズの開口数をＮＡ、検出窓幅をＴｗ、最短
記録マークに対応する信号長をｎ・Ｔｗとしたとき、記
録に用いる最も速い線速度において ｎ・Ｔｗ≦２０ns である上記（１）〜（７）のいずれかの光記録方法。 （９） 相変化材料を含む記録層を有する光記録媒体に
対し、記録波形により強度変調された記録光を用いて記
録を行う方法であって、前記記録波形は、直流部と、記
録マークを形成するための記録パルス部とを有するもの
であり、直流部の強度をＰbiで表し、上向きパルスを少
なくとも３つ有する記録パルス部において、先頭の上向
きパルスと最後尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパ
ルスの強度をＰｗで表し、基準となる線速度と、この線
速度におけるＰｗおよびＰbiの推奨値が与えられてお
り、この基準となる線速度とは異なる線速度で試し書き
を行うことにより、この試し書きの際の線速度またはこ
の線速度を含む線速度域において実際に情報を記録する
際に実際に使用するＰｗおよびＰbiを決定するに際し、
線速度ＶLおよび １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度ＶHの一方を前記基準となる線速と
し、他方を前記試し書きの際の線速度とし、線速度ＶL
で記録を行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＬおよ
びＰbiＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＰｗおよび
ＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨとしたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足するように、試し書きの際のＰｗおよびＰbiを設
定する光記録方法。 （１０） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくと
も３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルスに続
いて下向きパルスが存在し、この下向きパルスの幅をＴ
clで表したとき、前記基準となる線速度におけるＴclの
推奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う際の
ＴclをＴclＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＴclを
ＴclＨとしたとき、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１ を満足するように試し書きの際のＴclを設定することに
より、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を含
む線速度域において実際に情報を記録する際に使用する
Ｔclを求める上記（９）の光記録方法。 （１１） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくと
も３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスと最後
尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの幅をＴmp
で表したとき、前記基準となる線速度におけるＴmpの推
奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う際のＴm
pをＴmpＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＴmpをＴmp
Ｈとしたとき、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ を満足するように試し書きの際のＴmpを設定することに
より、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を含
む線速度域において実際に情報を記録する際に使用する
Ｔmpを求める上記（９）または（１０）の光記録方法。 （１２） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくと
も３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスの幅を
Ｔtopで表したとき、前記基準となる線速度におけるＴt
opの推奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う
際のＴtopをＴtopＬとし、線速度ＶHで記録を行う際の
ＴtopをＴtopＨとしたとき、 ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ を満足するように試し書きの際のＴtopを設定すること
により、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を
含む線速度域において実際に情報を記録する際に使用す
るＴtopを求める上記（９）〜（１１）のいずれかの光
記録方法。 （１３） 記録パルス部のうち上向きパルスを少なくと
も３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルスの幅
をＴlpで表し、前記基準となる線速度におけるＴlpの推
奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う際のＴl
pをＴlpＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＴlpをＴlp
Ｈとしたとき、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ を満足するように試し書きの際のＴlpＨを設定すること
により、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を
含む線速度域において実際に情報を記録する際に使用す
るＴlpを求める上記（９）〜（１２）のいずれかの光記
録方法。 （１４） 記録に用いるレーザー光の波長をλ、照射光
学系の対物レンズの開口数をＮＡ、検出窓幅をＴｗ、最
短記録マークに対応する信号長をｎ・Ｔｗとしたとき、
記録に用いる最も速い線速度において ｎ・Ｔｗ≦２０ns である上記（９）〜（１３）のいずれかの光記録方法。 （１５） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、線速度Ｖ
Lおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強
度およびパルス幅を保持する光記録装置。 （１６） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、線速度Ｖ
Lおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強
度およびパルス幅が、各線速度について複数保持されて
おり、これら複数のパルス強度およびパルス幅から、実
際に使用するパルス強度およびパルス幅を選択するに際
し、光記録媒体への試し書きを利用する光記録装置。 （１７） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、それぞれの線速度の関数
として定義されており、この関数を保持する光記録装
置。 （１８） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、それぞれの線速度の関数
として定義され、この関数が各線速度について複数保持
されており、これら複数の関数から、実際に使用する関
数を選択するに際し、光記録媒体への試し書きを利用す
る光記録装置。 （１９） 上記（９）〜（１４）のいずれかの光記録方
法を使用することが可能な光記録装置であって、前記基
準となる線速度におけるパルス強度およびパルス幅の推
奨値を保持する光記録装置。 （２０） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、線速度ＶLおよび線
速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強度および
パルス幅が記録されている光記録媒体。 （２１） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、線速度ＶLおよび線
速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強度および
パルス幅が、各線速度について複数記録されており、こ
れら複数のパルス強度およびパルス幅から、実際に使用
するパルス強度およびパルス幅を選択するに際し、光記
録媒体への試し書きが利用される光記録媒体。 （２２） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、線速度ＶLおよび線
速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強度および
パルス幅が、それぞれの線速度の関数として定義されて
おり、この関数が記録されている光記録媒体。 （２３） 上記（１）〜（８）のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、線速度ＶLおよび線
速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパルス強度および
パルス幅が、それぞれの線速度の関数として定義され、
この関数が各線速度について複数記録されており、これ
ら複数の関数から、実際に使用する関数を選択するに際
し、光記録媒体への試し書きが利用される光記録媒体。 （２４） 上記（９）〜（１４）のいずれかの光記録方
法が適用可能な光記録媒体であって、前記基準となる線
速度におけるパルス強度およびパルス幅の推奨値が記録
されている光記録媒体。
【０００７】
【発明の実施の形態】一般に、相変化型光記録媒体に記
録する際には、記録マークの長さに対応して記録光を直
流的に照射するのではなく、例えば特開平１０−１０６
００８号公報、特開平１１−２３２６５２号公報、特開
２０００−１５５９４５号公報に記載されているよう
に、マルチパルス記録を行うのが一般的である。
録する際には、記録マークの長さに対応して記録光を直
流的に照射するのではなく、例えば特開平１０−１０６
００８号公報、特開平１１−２３２６５２号公報、特開
２０００−１５５９４５号公報に記載されているよう
に、マルチパルス記録を行うのが一般的である。
【０００８】マルチパルス記録における記録波形の例
を、図１に示す。なお、本明細書において記録波形と
は、記録光を強度変調するための駆動信号パターンを意
味する。図１には、ＮＲＺＩ信号の５Ｔ信号と、この５
Ｔ信号に対応する記録波形とを示してある。
を、図１に示す。なお、本明細書において記録波形と
は、記録光を強度変調するための駆動信号パターンを意
味する。図１には、ＮＲＺＩ信号の５Ｔ信号と、この５
Ｔ信号に対応する記録波形とを示してある。
【０００９】図１において、Ｐｗは記録パワー、Ｐbiは
バイアスパワー、Ｐboはボトムパワーである。Ｐbiは、
オーバーライト可能な記録システムでは、通常、消去パ
ワーと呼ばれる。この記録波形は、記録マークを形成す
るための記録パルス部と、記録マークを消去するための
直流部とを有する。記録パルス部は、上向きパルス（強
度Ｐｗ）とこれに続く下向きパルス（強度Ｐbo）との組
み合わせが繰り返される構造であり、全体としてはＰbi
から立ち上がり、Ｐbiに戻るものとなっている。すなわ
ち、隣り合う記録パルス部は、直流部によって連結され
ている。
バイアスパワー、Ｐboはボトムパワーである。Ｐbiは、
オーバーライト可能な記録システムでは、通常、消去パ
ワーと呼ばれる。この記録波形は、記録マークを形成す
るための記録パルス部と、記録マークを消去するための
直流部とを有する。記録パルス部は、上向きパルス（強
度Ｐｗ）とこれに続く下向きパルス（強度Ｐbo）との組
み合わせが繰り返される構造であり、全体としてはＰbi
から立ち上がり、Ｐbiに戻るものとなっている。すなわ
ち、隣り合う記録パルス部は、直流部によって連結され
ている。
【００１０】図１において、Ｔtopは先頭の上向きパル
スの幅であり、Ｔmpは先頭の上向きパルスと最後尾の上
向きパルスとに挟まれた上向きパルス（マルチパルスと
もいう）の幅であり、Ｔlpは最後尾の上向きパルスの幅
であり、Ｔclは最後尾の上向きパルスの後ろに付加され
た下向きパルス（クーリングパルスともいう）の幅であ
る。これらのパルス幅は、基準クロック幅（１Ｔ）で規
格化した値で表される。図示する記録波形では、クーリ
ングパルスを含むすべての下向きパルスのパワー（ボト
ムパワーＰbo）がバイアスパワーＰbiよりも低く設定さ
れている。
スの幅であり、Ｔmpは先頭の上向きパルスと最後尾の上
向きパルスとに挟まれた上向きパルス（マルチパルスと
もいう）の幅であり、Ｔlpは最後尾の上向きパルスの幅
であり、Ｔclは最後尾の上向きパルスの後ろに付加され
た下向きパルス（クーリングパルスともいう）の幅であ
る。これらのパルス幅は、基準クロック幅（１Ｔ）で規
格化した値で表される。図示する記録波形では、クーリ
ングパルスを含むすべての下向きパルスのパワー（ボト
ムパワーＰbo）がバイアスパワーＰbiよりも低く設定さ
れている。
【００１１】図２に、４Ｔ信号の記録波形を示す。この
記録波形における記録パルス部は、２つの上向きパルス
と、それぞれの上向きパルスに続く下向きパルスとから
構成される。この記録パルス部において、先頭の上向き
パルスの幅はＴtopで表され、先頭から２番目の上向き
パルスの幅はＴlpで表される。
記録波形における記録パルス部は、２つの上向きパルス
と、それぞれの上向きパルスに続く下向きパルスとから
構成される。この記録パルス部において、先頭の上向き
パルスの幅はＴtopで表され、先頭から２番目の上向き
パルスの幅はＴlpで表される。
【００１２】また、図３に、ＥＦＭプラス（８−１６）
変調における最短信号である３Ｔ信号の記録波形を示
す。この記録波形における記録パルス部は、１つの上向
きパルスと１つの下向きパルスとだけから構成される。
この記録パルス部において、上向きパルスの幅はＴtop
で表される。
変調における最短信号である３Ｔ信号の記録波形を示
す。この記録波形における記録パルス部は、１つの上向
きパルスと１つの下向きパルスとだけから構成される。
この記録パルス部において、上向きパルスの幅はＴtop
で表される。
【００１３】本明細書におけるパルス幅は、基準クロッ
ク幅で規格化した規格化パルス幅である。線速度を変更
しても変調方式を変更しない場合には、基準クロック幅
を線速度に反比例して変更するため、同一信号の記録マ
ークであれば、媒体上のマーク長は線速度によらず一定
となる。すなわち、線記録密度（ビット密度）が一定と
なる。例えば、線速度を１／２としたときには基準クロ
ック幅を２倍とする。
ク幅で規格化した規格化パルス幅である。線速度を変更
しても変調方式を変更しない場合には、基準クロック幅
を線速度に反比例して変更するため、同一信号の記録マ
ークであれば、媒体上のマーク長は線速度によらず一定
となる。すなわち、線記録密度（ビット密度）が一定と
なる。例えば、線速度を１／２としたときには基準クロ
ック幅を２倍とする。
【００１４】本発明では、相変化型媒体に対し、複数の
線速度または連続的に変化する線速度で記録を行う。そ
して、これら複数の線速度または連続的に変化する線速
度が存在する線速度域のすべてにおいてジッタを小さく
するために、記録時の線速度に応じて、記録波形におけ
るパルス強度（パワーレベル）およびパルス幅を制御す
る。具体的には、以下のとおりである。
線速度または連続的に変化する線速度で記録を行う。そ
して、これら複数の線速度または連続的に変化する線速
度が存在する線速度域のすべてにおいてジッタを小さく
するために、記録時の線速度に応じて、記録波形におけ
るパルス強度（パワーレベル）およびパルス幅を制御す
る。具体的には、以下のとおりである。
【００１５】まず、前記複数の線速度または前記連続的
に変化する線速度の１つを線速度Ｖ Lとし、前記複数の
線速度または前記連続的に変化する線速度のうちＶLよ
りも速く、かつ、 １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度の１つをＶHとする。また、記録パル
ス部のうち上向きパルスを少なくとも３つ有するものに
おいて、線速度ＶLで記録を行う際のＰｗおよびＰbiを
それぞれＰｗＬおよびＰbiＬとし、線速度ＶHで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨ
とする。このとき、本発明では、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足する条件で記録を行う。これにより、高密度記録
を行う場合においてＶLに対するＶHの比が大きいとき
に、どちらの線速度で記録してもジッタを小さくするこ
とができる。
に変化する線速度の１つを線速度Ｖ Lとし、前記複数の
線速度または前記連続的に変化する線速度のうちＶLよ
りも速く、かつ、 １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度の１つをＶHとする。また、記録パル
ス部のうち上向きパルスを少なくとも３つ有するものに
おいて、線速度ＶLで記録を行う際のＰｗおよびＰbiを
それぞれＰｗＬおよびＰbiＬとし、線速度ＶHで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨ
とする。このとき、本発明では、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足する条件で記録を行う。これにより、高密度記録
を行う場合においてＶLに対するＶHの比が大きいとき
に、どちらの線速度で記録してもジッタを小さくするこ
とができる。
【００１６】上記した （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ は、ＰbiＬ／ＰｗＬ＞ＰbiＨ／ＰｗＨ と同義であり、したがって、 ＰｗＨ／ＰｗＬ＞ＰbiＨ／ＰbiＬ と同義である。すなわち本発明では、線速度が速くなる
にしたがってＰbiを減少させるが、Ｐｗは線速度が速く
なるにしたがって増大してもよく、減少してもよく、一
定であってもよい。ただし、減少する場合には、Ｐｗの
減少率はＰbiの減少率よりも大きくする。これにより、
広い線速度範囲においてジッタを許容範囲内に収めるこ
とが容易にできる。
にしたがってＰbiを減少させるが、Ｐｗは線速度が速く
なるにしたがって増大してもよく、減少してもよく、一
定であってもよい。ただし、減少する場合には、Ｐｗの
減少率はＰbiの減少率よりも大きくする。これにより、
広い線速度範囲においてジッタを許容範囲内に収めるこ
とが容易にできる。
【００１７】また、前記線速度ＶLで記録を行う際のＴc
lをＴclＬとし、前記線速度ＶHで記録を行う際のＴclを
ＴclＨとしたとき、本発明では、好ましくは ＴclＨ／ＴclＬ＜１ として記録を行う。これにより、広い線速度範囲におい
て線速度変化に伴うジッタ増大をさらに抑制することが
可能となる。
lをＴclＬとし、前記線速度ＶHで記録を行う際のＴclを
ＴclＨとしたとき、本発明では、好ましくは ＴclＨ／ＴclＬ＜１ として記録を行う。これにより、広い線速度範囲におい
て線速度変化に伴うジッタ増大をさらに抑制することが
可能となる。
【００１８】また、前記線速度ＶLで記録を行う際のＴm
pをＴmpＬとし、前記線速度ＶHで記録を行う際のＴmpを
ＴmpＨとしたとき、本発明では、好ましくは ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ として記録を行う。これにより、広い線速度範囲におい
て線速度変化に伴うジッタ増大をさらに抑制することが
可能となる。
pをＴmpＬとし、前記線速度ＶHで記録を行う際のＴmpを
ＴmpＨとしたとき、本発明では、好ましくは ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ として記録を行う。これにより、広い線速度範囲におい
て線速度変化に伴うジッタ増大をさらに抑制することが
可能となる。
【００１９】また、前記線速度ＶLで記録を行う際のＴt
opをＴtopＬとし、前記線速度ＶHで記録を行う際のＴto
pをＴtopＨとしたとき、本発明では、好ましくは ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ として記録を行う。これにより、広い線速度範囲におい
て線速度変化に伴うジッタ増大をさらに抑制することが
可能となる。
opをＴtopＬとし、前記線速度ＶHで記録を行う際のＴto
pをＴtopＨとしたとき、本発明では、好ましくは ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ として記録を行う。これにより、広い線速度範囲におい
て線速度変化に伴うジッタ増大をさらに抑制することが
可能となる。
【００２０】また、前記線速度ＶLで記録を行う際のＴl
pをＴlpＬとし、前記線速度ＶHで記録を行う際のＴlpを
ＴlpＨとしたとき、本発明では、好ましくは １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ として、より好ましくは １＜ＴlpＨ／ＴlpＬ として記録を行う。これにより、広い線速度範囲におい
て線速度変化に伴うジッタ増大をさらに抑制することが
可能となる。
pをＴlpＬとし、前記線速度ＶHで記録を行う際のＴlpを
ＴlpＨとしたとき、本発明では、好ましくは １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ として、より好ましくは １＜ＴlpＨ／ＴlpＬ として記録を行う。これにより、広い線速度範囲におい
て線速度変化に伴うジッタ増大をさらに抑制することが
可能となる。
【００２１】前記ＶLおよび前記ＶHのそれぞれにおいて
使用するパルス強度およびパルス幅は、ＰbiＨ／Ｐbi
Ｌ、（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）、ＴmpＨ
／ＴmpＬ、ＴclＨ／ＴclＬ、ＴtopＨ／ＴtopＬ、ＴlpＨ
／ＴlpＬが本発明で限定する範囲内となるように決定さ
れる。このようにして決定される各線速度におけるパル
ス強度およびパルス幅は、光記録装置が保持していても
よく、媒体に記録されていてもよい。すなわち、これら
の値をテーブル化し、これを光記録装置内の記憶手段に
格納しておいてもよく、媒体にあらかじめ記録しておい
てもよい。また、テーブル化する替わりに、例えばそれ
ぞれの線速度において使用するパルス強度およびパルス
幅を、その線速度の関数として定義しておき、この関数
を前記記憶手段に格納または媒体に記録しておいてもよ
い。
使用するパルス強度およびパルス幅は、ＰbiＨ／Ｐbi
Ｌ、（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）、ＴmpＨ
／ＴmpＬ、ＴclＨ／ＴclＬ、ＴtopＨ／ＴtopＬ、ＴlpＨ
／ＴlpＬが本発明で限定する範囲内となるように決定さ
れる。このようにして決定される各線速度におけるパル
ス強度およびパルス幅は、光記録装置が保持していても
よく、媒体に記録されていてもよい。すなわち、これら
の値をテーブル化し、これを光記録装置内の記憶手段に
格納しておいてもよく、媒体にあらかじめ記録しておい
てもよい。また、テーブル化する替わりに、例えばそれ
ぞれの線速度において使用するパルス強度およびパルス
幅を、その線速度の関数として定義しておき、この関数
を前記記憶手段に格納または媒体に記録しておいてもよ
い。
【００２２】本発明は、ＣＬＶ（Constant Linear Velo
city）フォーマットにおいて複数の記録線速度に対応す
る必要があり、かつ、前記複数の線速度の違いが大きい
場合に特に有効である。この場合の複数の線速度とは、
通常、オリジナル線速度（例えばＤＶＤ−ＲＷでは３．
４９m/s）およびその整数倍の線速度であるが、必ずし
も整数倍である必要はない。また、前記複数の線速度に
オリジナル線速度が含まれる必要はなく、例えばオリジ
ナル線速度の２倍以上、あるいは４倍以上の線速度だけ
に対応する高速記録システムに本発明を適用してもよ
い。
city）フォーマットにおいて複数の記録線速度に対応す
る必要があり、かつ、前記複数の線速度の違いが大きい
場合に特に有効である。この場合の複数の線速度とは、
通常、オリジナル線速度（例えばＤＶＤ−ＲＷでは３．
４９m/s）およびその整数倍の線速度であるが、必ずし
も整数倍である必要はない。また、前記複数の線速度に
オリジナル線速度が含まれる必要はなく、例えばオリジ
ナル線速度の２倍以上、あるいは４倍以上の線速度だけ
に対応する高速記録システムに本発明を適用してもよ
い。
【００２３】なお、本発明は、ＣＬＶフォーマットであ
って、かつ、複数の線速度に対応する記録システムにお
いて、それぞれの線速度での記録条件同士の関係を定め
たことに特徴をもつ。したがって、そのような記録シス
テムに属する１つの媒体に対し、上記複数の線速度から
選択された１つの線速度だけを用いて記録を行うこと
も、本発明に包含される。
って、かつ、複数の線速度に対応する記録システムにお
いて、それぞれの線速度での記録条件同士の関係を定め
たことに特徴をもつ。したがって、そのような記録シス
テムに属する１つの媒体に対し、上記複数の線速度から
選択された１つの線速度だけを用いて記録を行うこと
も、本発明に包含される。
【００２４】また、本発明は、ＣＡＶ（Constant Angul
ar Velocity）フォーマットにも適用できる。ＣＡＶフ
ォーマットでは、ディスク状媒体に対し回転数一定で記
録を行うので、連続的に変化する線速度で記録を行うこ
とになり、媒体の内周部よりも外周部において線速度が
速くなる。なお、本明細書において、上記ＣＬＶフォー
マットはＭＣＬＶ（Modified ＣＬＶ）フォーマットを
包含するものとし、また、上記ＣＡＶフォーマットはＭ
ＣＡＶ（Modified ＣＡＶ）フォーマットを包含するも
のとする。ＭＣＬＶフォーマットおよびＭＣＡＶフォー
マットについては、例えば１９８９年２月１０日にラジ
オ技術社から刊行された「光ディスク技術」の第２２３
ページに記載されている。
ar Velocity）フォーマットにも適用できる。ＣＡＶフ
ォーマットでは、ディスク状媒体に対し回転数一定で記
録を行うので、連続的に変化する線速度で記録を行うこ
とになり、媒体の内周部よりも外周部において線速度が
速くなる。なお、本明細書において、上記ＣＬＶフォー
マットはＭＣＬＶ（Modified ＣＬＶ）フォーマットを
包含するものとし、また、上記ＣＡＶフォーマットはＭ
ＣＡＶ（Modified ＣＡＶ）フォーマットを包含するも
のとする。ＭＣＬＶフォーマットおよびＭＣＡＶフォー
マットについては、例えば１９８９年２月１０日にラジ
オ技術社から刊行された「光ディスク技術」の第２２３
ページに記載されている。
【００２５】本発明では、線速度の増大または減少が連
続的であっても、パルス強度およびパルス幅を連続的に
制御する必要はない。例えばＣＡＶフォーマットでの記
録に際しては、線速度が連続的に変化するが、それに伴
ってパルス強度およびパルス幅を連続的に変更する必要
はなく、使用するパルス強度とパルス幅との組み合わせ
は数種程度であってよい。すなわち、ＣＡＶフォーマッ
トにおける最低線速度と最高線速度との間を複数の線速
度域に分割し、分割された各線速度域において、パルス
強度とパルス幅との組み合わせを１つ設定すればよい。
続的であっても、パルス強度およびパルス幅を連続的に
制御する必要はない。例えばＣＡＶフォーマットでの記
録に際しては、線速度が連続的に変化するが、それに伴
ってパルス強度およびパルス幅を連続的に変更する必要
はなく、使用するパルス強度とパルス幅との組み合わせ
は数種程度であってよい。すなわち、ＣＡＶフォーマッ
トにおける最低線速度と最高線速度との間を複数の線速
度域に分割し、分割された各線速度域において、パルス
強度とパルス幅との組み合わせを１つ設定すればよい。
【００２６】直径１２cm程度のディスク状媒体をＣＡＶ
方式で使用する場合、最内周における線速度と最外周に
おける線速度との比は一般に２〜３の範囲であり、通常
は２．５程度である。この場合、設定される前記組み合
わせの数は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上
である。使用する組み合わせの数が少なすぎると、本発
明の効果が不十分となる。一方、使用する組み合わせの
数を多くしても、ジッタ低減効果は著しくは増大しない
ので、組み合わせの数が４０を超える必要はない。ただ
し、線速度変化に対応してパルス強度およびパルス幅を
連続的に変化させてもよい。
方式で使用する場合、最内周における線速度と最外周に
おける線速度との比は一般に２〜３の範囲であり、通常
は２．５程度である。この場合、設定される前記組み合
わせの数は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上
である。使用する組み合わせの数が少なすぎると、本発
明の効果が不十分となる。一方、使用する組み合わせの
数を多くしても、ジッタ低減効果は著しくは増大しない
ので、組み合わせの数が４０を超える必要はない。ただ
し、線速度変化に対応してパルス強度およびパルス幅を
連続的に変化させてもよい。
【００２７】一方、ＣＬＶフォーマットでの記録に際し
ては、通常、線速度は２倍速、４倍速、６倍速、８倍速
等の整数倍で変更され、ＶH／ＶLが比較的大きくなるの
で、各線速度においてパルス強度およびパルス幅を変化
させることが好ましい。
ては、通常、線速度は２倍速、４倍速、６倍速、８倍速
等の整数倍で変更され、ＶH／ＶLが比較的大きくなるの
で、各線速度においてパルス強度およびパルス幅を変化
させることが好ましい。
【００２８】前記ＶHは、好ましくは １．１≦ＶH／ＶL、より好ましくは １．２≦ＶH／ＶL が成立するように選択された線速度である。ＶH／ＶLが
小さい場合には、両線速度においてパルス強度およびパ
ルス幅を異なる値とする必要はない。一方、ＶH／ＶLが
大きすぎる場合、本発明を適用しても十分な効果が得ら
れにくくなるため、好ましくは ＶH／ＶL≦８ とし、より好ましくは ＶH／ＶL≦４ とする。
小さい場合には、両線速度においてパルス強度およびパ
ルス幅を異なる値とする必要はない。一方、ＶH／ＶLが
大きすぎる場合、本発明を適用しても十分な効果が得ら
れにくくなるため、好ましくは ＶH／ＶL≦８ とし、より好ましくは ＶH／ＶL≦４ とする。
【００２９】本発明では、ＣＬＶフォーマットにおいて
特定の線速度で実際に記録する前に、その線速度で試し
書きを行うことにより、実際の記録に使用するパルス強
度およびパルス幅を決定する記録方法に適用できる。ま
た、ＣＡＶフォーマットにおいて実際に記録する前に、
少なくとも１つの線速度で試し書きを行うことにより、
実際の記録に使用するパルス強度およびパルス幅を決定
する記録方法に適用できる。
特定の線速度で実際に記録する前に、その線速度で試し
書きを行うことにより、実際の記録に使用するパルス強
度およびパルス幅を決定する記録方法に適用できる。ま
た、ＣＡＶフォーマットにおいて実際に記録する前に、
少なくとも１つの線速度で試し書きを行うことにより、
実際の記録に使用するパルス強度およびパルス幅を決定
する記録方法に適用できる。
【００３０】試し書きに際しては、パルス強度に関する
各パラメータおよびパルス幅に関する各パラメータから
少なくとも１つのパラメータを選択してその値を変更
し、媒体に対し試し書きを行う。次いで、試し書きした
信号を再生してエラーおよび／またはジッタを測定する
ことにより、再生信号の品質を判定する。そして、品質
が低ければ、そのパラメータを再び変更して、および／
または、他のパラメータを変更して、再び試し書きを行
う。この手順の繰り返しにより、実際に使用する記録条
件の最適値を求める。ディスク状媒体では、通常、内周
側から記録されるので、試し書きは少なくとも内周部に
おいて行い、好ましくは内周部および外周部において行
う。特に、ＣＡＶフォーマットでは、内周部と外周部と
で線速度がかなり異なるので、内周部および外周部の両
方で試し書きを行うことが好ましい。なお、試し書き
は、通常、データ記録領域とは別に設けた試し書き領域
において行う。
各パラメータおよびパルス幅に関する各パラメータから
少なくとも１つのパラメータを選択してその値を変更
し、媒体に対し試し書きを行う。次いで、試し書きした
信号を再生してエラーおよび／またはジッタを測定する
ことにより、再生信号の品質を判定する。そして、品質
が低ければ、そのパラメータを再び変更して、および／
または、他のパラメータを変更して、再び試し書きを行
う。この手順の繰り返しにより、実際に使用する記録条
件の最適値を求める。ディスク状媒体では、通常、内周
側から記録されるので、試し書きは少なくとも内周部に
おいて行い、好ましくは内周部および外周部において行
う。特に、ＣＡＶフォーマットでは、内周部と外周部と
で線速度がかなり異なるので、内周部および外周部の両
方で試し書きを行うことが好ましい。なお、試し書き
は、通常、データ記録領域とは別に設けた試し書き領域
において行う。
【００３１】以下、試し書きによって最適記録条件を決
定する記録方法に本発明を適用する場合について説明す
る。
定する記録方法に本発明を適用する場合について説明す
る。
【００３２】試し書きを利用する第１の方法では、線速
度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパル
ス強度およびパルス幅が、各線速度について複数与えら
れている。そして、特定の線速度で記録する際に、その
線速度での記録のために用意された複数のパルス強度お
よびパルス幅の組み合わせから、実際に使用するパルス
強度およびパルス幅を選択するために、試し書きが利用
される。また、第１の方法では、それぞれの線速度にお
いて使用するパルス強度およびパルス幅を、その線速度
の関数として定義しておき、この関数が、各線速度につ
いて複数用意されていてもよい。この場合、各線速度で
実際に利用する関数を、試し書きによって決定すること
になる。なお、各線速度のそれぞれについて用意された
複数のパルス強度およびパルス幅の組み合わせまたは関
数は、光記録装置が保持していてもよく、媒体に記録さ
れていてもよい。
度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用するパル
ス強度およびパルス幅が、各線速度について複数与えら
れている。そして、特定の線速度で記録する際に、その
線速度での記録のために用意された複数のパルス強度お
よびパルス幅の組み合わせから、実際に使用するパルス
強度およびパルス幅を選択するために、試し書きが利用
される。また、第１の方法では、それぞれの線速度にお
いて使用するパルス強度およびパルス幅を、その線速度
の関数として定義しておき、この関数が、各線速度につ
いて複数用意されていてもよい。この場合、各線速度で
実際に利用する関数を、試し書きによって決定すること
になる。なお、各線速度のそれぞれについて用意された
複数のパルス強度およびパルス幅の組み合わせまたは関
数は、光記録装置が保持していてもよく、媒体に記録さ
れていてもよい。
【００３３】次に、試し書きを利用する第２の方法につ
いて説明する。第２の方法では、基準となる線速度が与
えられ、かつ、その線速度におけるパルス強度およびパ
ルス幅の推奨値が与えられている必要がある。まず、基
準となる線速度をＶLとし、試し書きに使用する線速度
をＶHとする。線速度ＶHは、ＣＬＶフォーマットでは実
際の記録に用いる線速度である。一方、ＣＡＶフォーマ
ットでは、前記したように最低線速度と最高線速度との
間を複数の線速度域に分割し、各線速度域の中央付近の
線速度を試し書き線速度ＶHとする。試し書き線速度ＶH
は、前記したＶ LとＶHとの関係と同様に、 １．１≦ＶH／ＶLを満足するものである。線速度ＶLに
おけるＰｗおよびＰbiの推奨値を、それぞれＰｗＬおよ
びＰbiＬとし、線速度ＶHで試し書きを行うときのＰｗ
およびＰbiを、それぞれＰｗＨおよびＰbiＨとすると、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足するようにＰｗＨおよびＰbiＨを設定して試し書
きを行えばよい。これにより、基準線速度ＶLより速い
線速度ＶHおよびその近傍における最適記録条件に、短
い手順で到達することが可能となる。
いて説明する。第２の方法では、基準となる線速度が与
えられ、かつ、その線速度におけるパルス強度およびパ
ルス幅の推奨値が与えられている必要がある。まず、基
準となる線速度をＶLとし、試し書きに使用する線速度
をＶHとする。線速度ＶHは、ＣＬＶフォーマットでは実
際の記録に用いる線速度である。一方、ＣＡＶフォーマ
ットでは、前記したように最低線速度と最高線速度との
間を複数の線速度域に分割し、各線速度域の中央付近の
線速度を試し書き線速度ＶHとする。試し書き線速度ＶH
は、前記したＶ LとＶHとの関係と同様に、 １．１≦ＶH／ＶLを満足するものである。線速度ＶLに
おけるＰｗおよびＰbiの推奨値を、それぞれＰｗＬおよ
びＰbiＬとし、線速度ＶHで試し書きを行うときのＰｗ
およびＰbiを、それぞれＰｗＨおよびＰbiＨとすると、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足するようにＰｗＨおよびＰbiＨを設定して試し書
きを行えばよい。これにより、基準線速度ＶLより速い
線速度ＶHおよびその近傍における最適記録条件に、短
い手順で到達することが可能となる。
【００３４】なお、Ｔcl、Ｔmp、ＴtopおよびＴlpに関
しても、同様に考えることができる。すなわち、基準と
なる線速度ＶLにおけるＴclの推奨値としてＴclＬが与
えられており、線速度ＶHで試し書きを行う際のＴclを
ＴclＨとしたとき、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１ を満足するようにＴclＨを設定して試し書きを行うこと
により、線速度ＶHおよびその近傍におけるＴclの最適
値を短い手順で求めることが可能となる。また、基準と
なる線速度ＶLにおけるＴmpの推奨値としてＴmpＬが与
えられており、線速度ＶHで試し書きを行う際のＴmpを
ＴmpＨとしたとき、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ を満足するようにＴmpＨを設定して試し書きを行うこと
により、線速度ＶHおよびその近傍におけるＴmpの最適
値を短い手順で求めることが可能となる。また、基準と
なる線速度ＶLにおけるＴtopの推奨値としてＴtopＬが
与えられており、線速度ＶHで試し書きを行う際のＴtop
をＴtopＨとしたとき、 ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ を満足するようにＴtopＨを設定して試し書きを行うこ
とにより、線速度ＶHおよびその近傍におけるＴtopの最
適値を短い手順で求めることが可能となる。また、基準
となる線速度ＶLにおけるＴlpの推奨値としてＴlpＬが
与えられており、線速度ＶHで試し書きを行う際のＴlp
をＴlpＨとしたとき、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ を満足するようにＴlpＨを設定して試し書きを行うこと
により、線速度ＶHおよびその近傍におけるＴlpの最適
値を短い手順で求めることが可能となる。
しても、同様に考えることができる。すなわち、基準と
なる線速度ＶLにおけるＴclの推奨値としてＴclＬが与
えられており、線速度ＶHで試し書きを行う際のＴclを
ＴclＨとしたとき、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１ を満足するようにＴclＨを設定して試し書きを行うこと
により、線速度ＶHおよびその近傍におけるＴclの最適
値を短い手順で求めることが可能となる。また、基準と
なる線速度ＶLにおけるＴmpの推奨値としてＴmpＬが与
えられており、線速度ＶHで試し書きを行う際のＴmpを
ＴmpＨとしたとき、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ を満足するようにＴmpＨを設定して試し書きを行うこと
により、線速度ＶHおよびその近傍におけるＴmpの最適
値を短い手順で求めることが可能となる。また、基準と
なる線速度ＶLにおけるＴtopの推奨値としてＴtopＬが
与えられており、線速度ＶHで試し書きを行う際のＴtop
をＴtopＨとしたとき、 ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ を満足するようにＴtopＨを設定して試し書きを行うこ
とにより、線速度ＶHおよびその近傍におけるＴtopの最
適値を短い手順で求めることが可能となる。また、基準
となる線速度ＶLにおけるＴlpの推奨値としてＴlpＬが
与えられており、線速度ＶHで試し書きを行う際のＴlp
をＴlpＨとしたとき、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ を満足するようにＴlpＨを設定して試し書きを行うこと
により、線速度ＶHおよびその近傍におけるＴlpの最適
値を短い手順で求めることが可能となる。
【００３５】また、基準となる線速度よりも遅い線速度
で記録する場合の試し書きに際しても、同様に本発明を
適用することができる。この場合、まず、基準となる線
速度をＶHとし、試し書きに使用する線速度をＶLとす
る。試し書き線速度ＶLは、前記したＶLとＶHとの関係
と同様に、好ましくは １．１≦ＶH／ＶL を満足するものである。また、線速度ＶHにおけるＰｗ
およびＰbiの推奨値を、それぞれＰｗＨおよびＰbiＨと
し、線速度ＶLで試し書きを行うときのＰｗおよびＰbi
を、それぞれＰｗＬおよびＰbiＬとすると、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足するようにＰｗＬおよびＰbiＬを設定して試し書
きを行えばよい。これにより、基準線速度ＶHより遅い
線速度ＶLおよびその近傍における最適記録条件に、短
い手順で到達することが可能となる。また、Ｔcl、Ｔm
p、ＴtopおよびＴlpに関しても、上記と同様に考えるこ
とができる。
で記録する場合の試し書きに際しても、同様に本発明を
適用することができる。この場合、まず、基準となる線
速度をＶHとし、試し書きに使用する線速度をＶLとす
る。試し書き線速度ＶLは、前記したＶLとＶHとの関係
と同様に、好ましくは １．１≦ＶH／ＶL を満足するものである。また、線速度ＶHにおけるＰｗ
およびＰbiの推奨値を、それぞれＰｗＨおよびＰbiＨと
し、線速度ＶLで試し書きを行うときのＰｗおよびＰbi
を、それぞれＰｗＬおよびＰbiＬとすると、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足するようにＰｗＬおよびＰbiＬを設定して試し書
きを行えばよい。これにより、基準線速度ＶHより遅い
線速度ＶLおよびその近傍における最適記録条件に、短
い手順で到達することが可能となる。また、Ｔcl、Ｔm
p、ＴtopおよびＴlpに関しても、上記と同様に考えるこ
とができる。
【００３６】なお、基準となる線速度およびその線速度
におけるパルス強度およびパルス幅の推奨値は、試し書
きに際して光記録装置が読み出せる状態にあればよく、
例えば、光記録装置が保持していてもよく、媒体に記録
されていてもよい。なお、本明細書において、パルス強
度およびパルス幅の推奨値とは、媒体メーカーが推奨す
る値、または、その記録システムの規格において規定さ
れた最適値ないし推奨値を意味する。
におけるパルス強度およびパルス幅の推奨値は、試し書
きに際して光記録装置が読み出せる状態にあればよく、
例えば、光記録装置が保持していてもよく、媒体に記録
されていてもよい。なお、本明細書において、パルス強
度およびパルス幅の推奨値とは、媒体メーカーが推奨す
る値、または、その記録システムの規格において規定さ
れた最適値ないし推奨値を意味する。
【００３７】上記方法で使用する基準となる線速度は、
本発明が適用される記録システムにおけるオリジナル線
速度である必要はなく、任意の値であってよい。例え
ば、オリジナル線速度が３．５m/sの場合、基準となる
線速度が２倍速の７m/sであってもよい。また、この記
録方法を適用する場合、記録線速度は複数である必要は
なく、基準となる線速度の例えば４倍の線速度だけで記
録を行ってよい。
本発明が適用される記録システムにおけるオリジナル線
速度である必要はなく、任意の値であってよい。例え
ば、オリジナル線速度が３．５m/sの場合、基準となる
線速度が２倍速の７m/sであってもよい。また、この記
録方法を適用する場合、記録線速度は複数である必要は
なく、基準となる線速度の例えば４倍の線速度だけで記
録を行ってよい。
【００３８】本発明が特に効果を発揮する線速度域は、
ＶH／ＶLが上記範囲内であって、かつ、前記複数の線速
度または前記連続的に変化する線速度の最低値が好まし
くは２m/s以上、より好ましくは２．５m/s以上、さらに
好ましくは３m/s以上である領域である。
ＶH／ＶLが上記範囲内であって、かつ、前記複数の線速
度または前記連続的に変化する線速度の最低値が好まし
くは２m/s以上、より好ましくは２．５m/s以上、さらに
好ましくは３m/s以上である領域である。
【００３９】ＶH／ＶLが上記範囲内であるときには、 ０．２≦ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 ０．５≦（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜
１、 ０≦ＴclＨ／ＴclＬ＜１、 ０．２≦ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１、 ０．２≦ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ≦３ とすることが好ましく、 ０．３≦ＰbiＨ／ＰbiＬ≦０．９９、 ０．５≦（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）≦
０．９９、 ０．０５≦ＴclＨ／ＴclＬ≦０．９９、 ０．３≦ＴmpＨ／ＴmpＬ≦０．９９、 ０．３≦ＴtopＨ／ＴtopＬ≦０．９９、 １．０１≦ＴlpＨ／ＴlpＬ≦３ とすることがより好ましい。パルス強度の比やパルス幅
の比が上記範囲を外れると、ＶH／ＶLが上記範囲である
線速度域において、ジッタを小さくすることが困難とな
る。
１、 ０≦ＴclＨ／ＴclＬ＜１、 ０．２≦ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１、 ０．２≦ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ≦３ とすることが好ましく、 ０．３≦ＰbiＨ／ＰbiＬ≦０．９９、 ０．５≦（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）≦
０．９９、 ０．０５≦ＴclＨ／ＴclＬ≦０．９９、 ０．３≦ＴmpＨ／ＴmpＬ≦０．９９、 ０．３≦ＴtopＨ／ＴtopＬ≦０．９９、 １．０１≦ＴlpＨ／ＴlpＬ≦３ とすることがより好ましい。パルス強度の比やパルス幅
の比が上記範囲を外れると、ＶH／ＶLが上記範囲である
線速度域において、ジッタを小さくすることが困難とな
る。
【００４０】本発明では、図２に示すように、記録パル
ス部に上向きパルスが２つ存在する記録波形において
も、また、図３に示すように、記録パルス部に上向きパ
ルスが１つだけ存在する記録波形においても、ＰbiＨ／
ＰbiＬ、（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）、Ｔ
clおよびＴtopＨ／ＴtopＬが上記した限定範囲内にある
ことが好ましく、図２に示すような記録波形では、Ｔlp
Ｈ／ＴlpＬも上記した限定範囲内にあることが好まし
い。
ス部に上向きパルスが２つ存在する記録波形において
も、また、図３に示すように、記録パルス部に上向きパ
ルスが１つだけ存在する記録波形においても、ＰbiＨ／
ＰbiＬ、（ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）、Ｔ
clおよびＴtopＨ／ＴtopＬが上記した限定範囲内にある
ことが好ましく、図２に示すような記録波形では、Ｔlp
Ｈ／ＴlpＬも上記した限定範囲内にあることが好まし
い。
【００４１】先頭の上向きパルスはバイアスパワーＰbi
から立ち上がるパルスなので、先頭の上向きパルスの幅
Ｔtopを他の上向きパルスの幅Ｔmpより小さくすると、
記録層の温度上昇が不十分になって、所定長さの記録マ
ークが得られにくいことがある。そのため、好ましくは １≦Ｔtop／Ｔmp とする。ただし、Ｔtop／Ｔmpが大きすぎると、マルチ
パルス記録の効果が損なわれるので、好ましくは Ｔtop／Ｔmp≦３ とする。また、最後尾の上向きパルスの幅Ｔlpを制御す
ることにより、記録マークの長さの調整が可能である。
ただし、Ｔlp／Ｔmpが小さすぎても大きすぎてもマルチ
パルス記録の効果が損なわれるので、通常、 ０．５≦Ｔlp／Ｔmp≦２ となるようにＴlpを設定することが好ましい。
から立ち上がるパルスなので、先頭の上向きパルスの幅
Ｔtopを他の上向きパルスの幅Ｔmpより小さくすると、
記録層の温度上昇が不十分になって、所定長さの記録マ
ークが得られにくいことがある。そのため、好ましくは １≦Ｔtop／Ｔmp とする。ただし、Ｔtop／Ｔmpが大きすぎると、マルチ
パルス記録の効果が損なわれるので、好ましくは Ｔtop／Ｔmp≦３ とする。また、最後尾の上向きパルスの幅Ｔlpを制御す
ることにより、記録マークの長さの調整が可能である。
ただし、Ｔlp／Ｔmpが小さすぎても大きすぎてもマルチ
パルス記録の効果が損なわれるので、通常、 ０．５≦Ｔlp／Ｔmp≦２ となるようにＴlpを設定することが好ましい。
【００４２】本発明では、記録パルス部において上向き
パルスに続く下向きパルスの強度をＰboで表したとき、 Ｐbo≦Ｐbi として記録を行うことが好ましい。これは、下向きパル
スを設けることによる効果を損なわないためである。た
だし、下向きパルスのパワーレベルは、トラッキングサ
ーボをかけるために０より大きいことが必要である。Ｐ
bo＝Ｐbiとすれば、光記録装置が有する制御手段の負担
を小さくできる。なお、すべての下向きパルスにおいて
Ｐboを同じとし、かつＰbo＝Ｐbiとしたとき、クーリン
グパルスは存在しなくなる。ただし、クーリングパルス
を他の下向きパルスと独立して制御してもよい。本発明
では、前記したようにクーリングパルスを線速度に応じ
て制御することによりジッタを低減できるので、クーリ
ングパルスは設けることが好ましい。
パルスに続く下向きパルスの強度をＰboで表したとき、 Ｐbo≦Ｐbi として記録を行うことが好ましい。これは、下向きパル
スを設けることによる効果を損なわないためである。た
だし、下向きパルスのパワーレベルは、トラッキングサ
ーボをかけるために０より大きいことが必要である。Ｐ
bo＝Ｐbiとすれば、光記録装置が有する制御手段の負担
を小さくできる。なお、すべての下向きパルスにおいて
Ｐboを同じとし、かつＰbo＝Ｐbiとしたとき、クーリン
グパルスは存在しなくなる。ただし、クーリングパルス
を他の下向きパルスと独立して制御してもよい。本発明
では、前記したようにクーリングパルスを線速度に応じ
て制御することによりジッタを低減できるので、クーリ
ングパルスは設けることが好ましい。
【００４３】なお、先頭の上向きパルスの強度および最
後尾の上向きパルスの強度は、これらに挟まれた上向き
パルスの強度（Ｐｗ）と異なっていてもよい。先頭の上
向きパルスの強度をＰtopで表し、最後尾の上向きパル
スの強度をＰlpで表したとき、ＴtopをＴmpより大きく
する替わりにＰtopをＰｗより大きくしたり、ＴlpをＴm
pより大きくまたは小さくする替わりにＰlpをＰｗより
大きくまたは小さくしてもよい。また、ＴtopおよびＰt
opを共に制御したり、ＴlpおよびＰlpを共に制御したり
してもよい。ただし、光記録装置が有する制御手段の負
担を小さくするためには、Ｐtop＝Ｐｗとし、また、Ｐl
p＝Ｐｗとすることが好ましい。
後尾の上向きパルスの強度は、これらに挟まれた上向き
パルスの強度（Ｐｗ）と異なっていてもよい。先頭の上
向きパルスの強度をＰtopで表し、最後尾の上向きパル
スの強度をＰlpで表したとき、ＴtopをＴmpより大きく
する替わりにＰtopをＰｗより大きくしたり、ＴlpをＴm
pより大きくまたは小さくする替わりにＰlpをＰｗより
大きくまたは小さくしてもよい。また、ＴtopおよびＰt
opを共に制御したり、ＴlpおよびＰlpを共に制御したり
してもよい。ただし、光記録装置が有する制御手段の負
担を小さくするためには、Ｐtop＝Ｐｗとし、また、Ｐl
p＝Ｐｗとすることが好ましい。
【００４４】本発明は、書き換え型システムに適用され
る。したがって、Ｐbiは消去パワーとなるため、Ｐbiの
下限は記録マークの結晶化が可能なように記録層の組成
やオーバーライト線速度などに応じて決定すればよい。
一方、Ｐbiの上限は、記録層が非晶質化しないように、
また、繰り返し照射により記録層にダメージを与えない
ように決定すればよい。
る。したがって、Ｐbiは消去パワーとなるため、Ｐbiの
下限は記録マークの結晶化が可能なように記録層の組成
やオーバーライト線速度などに応じて決定すればよい。
一方、Ｐbiの上限は、記録層が非晶質化しないように、
また、繰り返し照射により記録層にダメージを与えない
ように決定すればよい。
【００４５】なお、本発明では、信号長が同じであるす
べての記録マークにおいて、ＴtopおよびＴlpをそれぞ
れ同一とする必要はなく、例えば、直前の記録マークの
長さに応じて記録マークごとにＴtopを適宜制御した
り、直後の記録マークの長さに応じて記録マークごとに
Ｔlpを適宜制御したりする適応型制御を行ってもよい。
べての記録マークにおいて、ＴtopおよびＴlpをそれぞ
れ同一とする必要はなく、例えば、直前の記録マークの
長さに応じて記録マークごとにＴtopを適宜制御した
り、直後の記録マークの長さに応じて記録マークごとに
Ｔlpを適宜制御したりする適応型制御を行ってもよい。
【００４６】ところで、前記した特開平１０−１０６０
０８号公報、特開平１１−２３２６５２号公報および特
開２０００−１５５９４５号公報には、マルチパルス記
録において、線速度に応じてパルス幅およびパルス高さ
を制御することが記載されている。しかし、特開平１０
−１０６００８号公報および特開平１１−２３２６５２
号公報には、Ｐbi、およびＰbiとＰｗとの比を線速度に
応じて制御することは記載されていない。また、特開２
０００−１５５９４５号公報には、本発明とは逆に ＰbiＬ／ＰｗＬ＜ＰbiＨ／ＰｗＨ とすることが記載されている。
０８号公報、特開平１１−２３２６５２号公報および特
開２０００−１５５９４５号公報には、マルチパルス記
録において、線速度に応じてパルス幅およびパルス高さ
を制御することが記載されている。しかし、特開平１０
−１０６００８号公報および特開平１１−２３２６５２
号公報には、Ｐbi、およびＰbiとＰｗとの比を線速度に
応じて制御することは記載されていない。また、特開２
０００−１５５９４５号公報には、本発明とは逆に ＰbiＬ／ＰｗＬ＜ＰbiＨ／ＰｗＨ とすることが記載されている。
【００４７】この特開２０００−１５５９４５号公報に
記載された発明は、記録トラックピッチがＤＶＤに比べ
広いＣＤ−ＲＷへの適用を考えてなされたものであり、
同公報ではＣＤ−ＲＷについて実験を行っている。これ
に対し本発明は、後述するように、ＣＤ−ＲＷに比べ、
著しく高密度の記録がなされる媒体を対象とする。ま
た、本発明は、記録トラックピッチ０．７４μmのＤＶ
Ｄ−ＲＷと同等の記録トラックピッチまたはそれより小
さい記録トラックピッチをもつ媒体を対象とする。その
ため、ＰbiＬ／ＰｗＬとＰbiＨ／ＰｗＨとの関係が、特
開２０００−１５５９４５号公報とは全く逆となったと
考えられる。なお、本発明は、記録トラックピッチ０．
８μm以下の媒体に対し特に有効である。ただし、記録
トラックピッチが狭すぎる媒体については、本発明を適
用しても十分な効果が得られにくいため、本発明は記録
トラックピッチ０．１μm以上の媒体に適用することが
好ましい。
記載された発明は、記録トラックピッチがＤＶＤに比べ
広いＣＤ−ＲＷへの適用を考えてなされたものであり、
同公報ではＣＤ−ＲＷについて実験を行っている。これ
に対し本発明は、後述するように、ＣＤ−ＲＷに比べ、
著しく高密度の記録がなされる媒体を対象とする。ま
た、本発明は、記録トラックピッチ０．７４μmのＤＶ
Ｄ−ＲＷと同等の記録トラックピッチまたはそれより小
さい記録トラックピッチをもつ媒体を対象とする。その
ため、ＰbiＬ／ＰｗＬとＰbiＨ／ＰｗＨとの関係が、特
開２０００−１５５９４５号公報とは全く逆となったと
考えられる。なお、本発明は、記録トラックピッチ０．
８μm以下の媒体に対し特に有効である。ただし、記録
トラックピッチが狭すぎる媒体については、本発明を適
用しても十分な効果が得られにくいため、本発明は記録
トラックピッチ０．１μm以上の媒体に適用することが
好ましい。
【００４８】本発明において、記録に用いるレーザー光
の波長をλ、照射光学系の対物レンズの開口数をＮＡ、
検出窓幅をＴｗ、最短記録マークに対応する信号長をｎ
・Ｔｗとしたとき、記録に用いる最も速い線速度におい
て ｎ・Ｔｗ≦２０ns、特に ｎ・Ｔｗ≦１８ns となるように記録を行う場合、本発明は特に有効であ
る。すなわち、最短記録マークに対応する信号長（以
下、単に最短信号長ということがある）ｎ・Ｔｗが一定
値以上である場合に、本発明は特に有効である。
の波長をλ、照射光学系の対物レンズの開口数をＮＡ、
検出窓幅をＴｗ、最短記録マークに対応する信号長をｎ
・Ｔｗとしたとき、記録に用いる最も速い線速度におい
て ｎ・Ｔｗ≦２０ns、特に ｎ・Ｔｗ≦１８ns となるように記録を行う場合、本発明は特に有効であ
る。すなわち、最短記録マークに対応する信号長（以
下、単に最短信号長ということがある）ｎ・Ｔｗが一定
値以上である場合に、本発明は特に有効である。
【００４９】最短信号長ｎ・Ｔｗはデータ転送レートに
関係し、ｎ・Ｔｗが短いほどデータ転送レートは大きく
なる。ｎ・Ｔｗを短くするためには、記録および再生に
用いるレーザービームのスポット径を小さくして高密度
記録を行ったり、記録線速度を速くしたりする必要があ
る。記録時のレーザー出力を一定に保った場合、記録線
速度が速いほど記録層に熱が溜まりにくい。一方、ビー
ムスポット径を小さくするためには、レーザー波長を短
くしたり、レーザービーム照射光学系の対物レンズの開
口数を大きくするが、その場合、レーザービームスポッ
トの単位面積当たりのエネルギーが高くなるので、記録
時に記録層に熱が溜まりやすくなる。したがって、記録
層に熱が溜まりやすいかどうかは、ビームスポット径と
記録線速度とに依存する。記録層に熱が溜まりやすい
と、記録時に、記録層の面内方向への熱伝導により、形
成した記録マークの一部が再結晶化してしまうセルフイ
レーズが発生しやすくなる。セルフイレーズが発生する
と、ジッタが大きくなる。本発明者らの実験によれば、
最短信号長ｎ・Ｔｗが２０nsを超える条件下では、記録
線速度の影響が相対的に大きくなるため、上記セルフイ
レーズが発生しにくく、ｎ・Ｔｗが２０ns以下となる条
件下では、レーザービームスポット径を小さくした影響
が相対的に大きくなるため、上記セルフイレーズが発生
しやすいことがわかった。そのため、ｎ・Ｔｗが２０ns
以下である場合に、本発明にしたがって ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１ とすれば、すなわち、線速度が速くなるほどＰbiを小さ
くすれば、セルフイレーズの影響によるジッタ増大を顕
著に低減できる。
関係し、ｎ・Ｔｗが短いほどデータ転送レートは大きく
なる。ｎ・Ｔｗを短くするためには、記録および再生に
用いるレーザービームのスポット径を小さくして高密度
記録を行ったり、記録線速度を速くしたりする必要があ
る。記録時のレーザー出力を一定に保った場合、記録線
速度が速いほど記録層に熱が溜まりにくい。一方、ビー
ムスポット径を小さくするためには、レーザー波長を短
くしたり、レーザービーム照射光学系の対物レンズの開
口数を大きくするが、その場合、レーザービームスポッ
トの単位面積当たりのエネルギーが高くなるので、記録
時に記録層に熱が溜まりやすくなる。したがって、記録
層に熱が溜まりやすいかどうかは、ビームスポット径と
記録線速度とに依存する。記録層に熱が溜まりやすい
と、記録時に、記録層の面内方向への熱伝導により、形
成した記録マークの一部が再結晶化してしまうセルフイ
レーズが発生しやすくなる。セルフイレーズが発生する
と、ジッタが大きくなる。本発明者らの実験によれば、
最短信号長ｎ・Ｔｗが２０nsを超える条件下では、記録
線速度の影響が相対的に大きくなるため、上記セルフイ
レーズが発生しにくく、ｎ・Ｔｗが２０ns以下となる条
件下では、レーザービームスポット径を小さくした影響
が相対的に大きくなるため、上記セルフイレーズが発生
しやすいことがわかった。そのため、ｎ・Ｔｗが２０ns
以下である場合に、本発明にしたがって ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１ とすれば、すなわち、線速度が速くなるほどＰbiを小さ
くすれば、セルフイレーズの影響によるジッタ増大を顕
著に低減できる。
【００５０】相変化型媒体において書き換えを可能とす
るためには、加熱により記録マークが消去（結晶化）で
きるように、記録層の組成および媒体の線速度が決定さ
れる。そのため、書き換え可能な相変化型媒体では、記
録層に溜まった熱によりセルフイレーズが発生しやす
い。したがって本発明は、相変化型媒体を書き換え可能
型として使う場合に特に有効である。
るためには、加熱により記録マークが消去（結晶化）で
きるように、記録層の組成および媒体の線速度が決定さ
れる。そのため、書き換え可能な相変化型媒体では、記
録層に溜まった熱によりセルフイレーズが発生しやす
い。したがって本発明は、相変化型媒体を書き換え可能
型として使う場合に特に有効である。
【００５１】本発明において線速度が遅いほどＴclを大
きくすることが好ましい理由も、セルフイレーズを防ぐ
ためである。また、線速度が速いほどＴmpおよびＴtop
を小さくすることが好ましい理由も、記録層に熱が溜ま
ることによって生じるセルフイレーズを防ぐためであ
る。
きくすることが好ましい理由も、セルフイレーズを防ぐ
ためである。また、線速度が速いほどＴmpおよびＴtop
を小さくすることが好ましい理由も、記録層に熱が溜ま
ることによって生じるセルフイレーズを防ぐためであ
る。
【００５２】なお、レーザーダイオードの応答性、すな
わち立ち上がりおよび立ち下がりには制限があり、ｎ・
Ｔｗが短すぎると最短記録マーク形成時にレーザーダイ
オードが正常に発光できなくなる。そのため、好ましく
は ２ns≦ｎ・Ｔｗ とし、より好ましくは ４ns≦ｎ・Ｔｗ とする。
わち立ち上がりおよび立ち下がりには制限があり、ｎ・
Ｔｗが短すぎると最短記録マーク形成時にレーザーダイ
オードが正常に発光できなくなる。そのため、好ましく
は ２ns≦ｎ・Ｔｗ とし、より好ましくは ４ns≦ｎ・Ｔｗ とする。
【００５３】最短信号長ｎ・Ｔｗは、例えば１−７変調
では２Ｔ信号に対応し、その場合にはｎ＝２である。ま
た、８−１６変調では３Ｔ信号に対応し、その場合には
ｎ＝３である。
では２Ｔ信号に対応し、その場合にはｎ＝２である。ま
た、８−１６変調では３Ｔ信号に対応し、その場合には
ｎ＝３である。
【００５４】なお、いわゆるデータ転送レートはｎ・Ｔ
ｗと相関するが、フォーマット効率とも相関し、ｎ・Ｔ
ｗが同じであってもフォーマット効率が低いほどデータ
転送レートは低くなってしまう。したがって、ｎ・Ｔｗ
により、書き込み速度をより直接的に表現することがで
きる。従来の光記録ディスクのうち、４．７GB／面の記
録容量をもつＤＶＤ−ＲＡＭ４．７は、 線速度：８．２m/s、 転送レート：２２Mbps ｎ・Ｔｗ：５１．４１ns である。また、同じく４．７GB／面の記録容量をもつＤ
ＶＤ−ＲＷは、 線速度：３．５m/s、 転送レート：１１Mbps、 ｎ・Ｔｗ：７８．４８ns である。このように、本発明における ｎ・Ｔｗ≦２０ns は、従来の光記録ディスクにおけるｎ・Ｔｗに比べ著し
く短い。
ｗと相関するが、フォーマット効率とも相関し、ｎ・Ｔ
ｗが同じであってもフォーマット効率が低いほどデータ
転送レートは低くなってしまう。したがって、ｎ・Ｔｗ
により、書き込み速度をより直接的に表現することがで
きる。従来の光記録ディスクのうち、４．７GB／面の記
録容量をもつＤＶＤ−ＲＡＭ４．７は、 線速度：８．２m/s、 転送レート：２２Mbps ｎ・Ｔｗ：５１．４１ns である。また、同じく４．７GB／面の記録容量をもつＤ
ＶＤ−ＲＷは、 線速度：３．５m/s、 転送レート：１１Mbps、 ｎ・Ｔｗ：７８．４８ns である。このように、本発明における ｎ・Ｔｗ≦２０ns は、従来の光記録ディスクにおけるｎ・Ｔｗに比べ著し
く短い。
【００５５】本発明では、記録に用いるレーザー光の波
長をλ、照射光学系の対物レンズの開口数をＮＡとした
とき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、好ましくは λ／ＮＡ≦６３０nm とする。λ／ＮＡが大きすぎると、記録トラックの配列
ピッチを大きくする必要が生じるため、記録密度を高く
することが難しくなる。また、λ／ＮＡが大きすぎる
と、レーザー光のビームスポット内におけるエネルギー
密度が十分に高くならないため、記録時に記録層に熱が
溜まりにくいので、本発明を適用することによる効果が
小さくなる。ただし、利用可能なレーザー波長および開
口数には制限があり、著しく短い波長および著しく大き
い開口数とすることは困難であるため、通常、 ３５０nm≦λ／ＮＡ とすることが好ましい。
長をλ、照射光学系の対物レンズの開口数をＮＡとした
とき、 λ／ＮＡ≦６８０nm とし、好ましくは λ／ＮＡ≦６３０nm とする。λ／ＮＡが大きすぎると、記録トラックの配列
ピッチを大きくする必要が生じるため、記録密度を高く
することが難しくなる。また、λ／ＮＡが大きすぎる
と、レーザー光のビームスポット内におけるエネルギー
密度が十分に高くならないため、記録時に記録層に熱が
溜まりにくいので、本発明を適用することによる効果が
小さくなる。ただし、利用可能なレーザー波長および開
口数には制限があり、著しく短い波長および著しく大き
い開口数とすることは困難であるため、通常、 ３５０nm≦λ／ＮＡ とすることが好ましい。
【００５６】記録波形において、上向きパルスとこれに
続く下向きパルスとの組において上向きパルスの占める
幅の比率、すなわちデューティー比は、好ましくは０．
３〜０．９である。このデューティー比が小さすぎる
と、高パワーのレーザー光が必要となるため、好ましく
ない。一方、このデューティー比が大きすぎると、記録
マークの幅、長さ、形状に乱れが生じやすく、その結
果、ジッタが大きくなりやすい。
続く下向きパルスとの組において上向きパルスの占める
幅の比率、すなわちデューティー比は、好ましくは０．
３〜０．９である。このデューティー比が小さすぎる
と、高パワーのレーザー光が必要となるため、好ましく
ない。一方、このデューティー比が大きすぎると、記録
マークの幅、長さ、形状に乱れが生じやすく、その結
果、ジッタが大きくなりやすい。
【００５７】なお、例えば前記特開２０００−１５５９
４５号公報に記載されているように、先頭の上向きパル
スの直前に、消去パワーよりも低いパワーレベルの下向
きパルス（余熱調節パルス）を設けてもよく、また、先
頭の上向きパルスの直前に、これよりも強度の低い上向
きパルスを設けることにより、記録層の温度上昇を補助
する構成としてもよい。
４５号公報に記載されているように、先頭の上向きパル
スの直前に、消去パワーよりも低いパワーレベルの下向
きパルス（余熱調節パルス）を設けてもよく、また、先
頭の上向きパルスの直前に、これよりも強度の低い上向
きパルスを設けることにより、記録層の温度上昇を補助
する構成としてもよい。
【００５８】本発明において、信号長ｋＴ（ｋは１以上
の整数、Ｔは基準クロック幅）の記録マークを形成する
ための記録パルス部の幅は、ｋＴである必要はない。レ
ーザー照射時間をｋＴとした場合、記録トラック長さ方
向への熱伝導により記録マーク長が長くなりすぎること
があるため、一般には、記録パルス部の幅を実際の信号
長よりも短くする。図１〜図３では、ｋＴ信号記録用の
記録パルス部における上向きパルスの数をｋ−２として
いるが、これに限定されず、例えばｋ−１であってもよ
い。また、本発明において、変調方式は限定されない。
の整数、Ｔは基準クロック幅）の記録マークを形成する
ための記録パルス部の幅は、ｋＴである必要はない。レ
ーザー照射時間をｋＴとした場合、記録トラック長さ方
向への熱伝導により記録マーク長が長くなりすぎること
があるため、一般には、記録パルス部の幅を実際の信号
長よりも短くする。図１〜図３では、ｋＴ信号記録用の
記録パルス部における上向きパルスの数をｋ−２として
いるが、これに限定されず、例えばｋ−１であってもよ
い。また、本発明において、変調方式は限定されない。
【００５９】本発明はマークエッジ記録方式に適用され
る場合に、特に有効である。
る場合に、特に有効である。
【００６０】光記録媒体の駆動装置において、記録・再
生・消去用のレーザー光を強度変調する駆動信号には、
記録周波数に比べ桁違いに高い高周波、例えば数百メガ
ヘルツ程度の高周波が重畳されることが一般的である。
本明細書における直流レーザー光は、このような高周波
が重畳された直流信号によって駆動されるレーザー光を
包含する。
生・消去用のレーザー光を強度変調する駆動信号には、
記録周波数に比べ桁違いに高い高周波、例えば数百メガ
ヘルツ程度の高周波が重畳されることが一般的である。
本明細書における直流レーザー光は、このような高周波
が重畳された直流信号によって駆動されるレーザー光を
包含する。
【００６１】次に、本発明が適用される光記録媒体の構
成例について説明する。
成例について説明する。
【００６２】図４に示す構造 本発明の光記録媒体の構成例を、図４に示す。この光記
録媒体は、透光性基体２上に、第１誘電体層３１、記録
層４、第２誘電体層３２、反射層５および保護層６をこ
の順で有し、記録または再生のためのレーザー光は、透
光性基体２を通して入射する。
録媒体は、透光性基体２上に、第１誘電体層３１、記録
層４、第２誘電体層３２、反射層５および保護層６をこ
の順で有し、記録または再生のためのレーザー光は、透
光性基体２を通して入射する。
【００６３】透光性基体２ 透光性基体２は、記録または再生のためのレーザー光に
対し透光性を有する。透光性基体２の厚さは、通常、
０．２〜１．２mm、好ましくは０．４〜１．２mmとすれ
ばよい。透光性基体２は樹脂から構成すればよいが、ガ
ラスから構成してもよい。光記録媒体において通常設け
られるグルーブ（案内溝）２Ｇは、レーザー光入射側か
ら見て手前側に存在する領域であり、隣り合うグルーブ
間に存在する凸条がランド２Ｌである。
対し透光性を有する。透光性基体２の厚さは、通常、
０．２〜１．２mm、好ましくは０．４〜１．２mmとすれ
ばよい。透光性基体２は樹脂から構成すればよいが、ガ
ラスから構成してもよい。光記録媒体において通常設け
られるグルーブ（案内溝）２Ｇは、レーザー光入射側か
ら見て手前側に存在する領域であり、隣り合うグルーブ
間に存在する凸条がランド２Ｌである。
【００６４】本発明では、ランドおよび／またはグルー
ブを記録トラックとして利用することができる。
ブを記録トラックとして利用することができる。
【００６５】第１誘電体層３１および第２誘電体層３２ これらの誘電体層は、記録層の酸化、変質を防ぎ、ま
た、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向
に逃がすことにより、支持基体２０や透光性基体２を保
護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、
変調度を向上させることができる。各誘電体層は、組成
の相異なる２層以上の誘電体層を積層した構成としても
よい。
た、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向
に逃がすことにより、支持基体２０や透光性基体２を保
護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、
変調度を向上させることができる。各誘電体層は、組成
の相異なる２層以上の誘電体層を積層した構成としても
よい。
【００６６】これらの誘電体層に用いる誘電体として
は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａｌ、希土類元素等か
ら選択される少なくとも１種の金属成分を含む各種化合
物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または
硫化物が好ましく、これらの化合物の２種以上を含有す
る混合物を用いることもできる。
は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａｌ、希土類元素等か
ら選択される少なくとも１種の金属成分を含む各種化合
物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または
硫化物が好ましく、これらの化合物の２種以上を含有す
る混合物を用いることもできる。
【００６７】媒体を急冷構造としたい場合、誘電体層、
特に第２誘電体層３２を、熱伝導率の高い誘電体から構
成することが好ましい。熱伝導率の高い誘電体として
は、例えば硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物（ＺｎＳ−
ＳｉＯ2）、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒
化ケイ素、酸化タンタルなどが好ましく、特に、Ａｌの
酸化物および／または窒化物、Ｓｉの酸化物および／ま
たは窒化物が好ましい。ＺｎＳ−ＳｉＯ2としては、Ｓ
ｉＯ2を３０〜６０モル％含有するものが好ましい。Ｓ
ｉＯ2含有量が少なすぎると、熱伝導率が低くなりすぎ
る。一方、ＳｉＯ2含有量が多すぎると、他の層との密
着性が不十分となるため、長期間保存する際に層間の剥
離が生じやすい。
特に第２誘電体層３２を、熱伝導率の高い誘電体から構
成することが好ましい。熱伝導率の高い誘電体として
は、例えば硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物（ＺｎＳ−
ＳｉＯ2）、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒
化ケイ素、酸化タンタルなどが好ましく、特に、Ａｌの
酸化物および／または窒化物、Ｓｉの酸化物および／ま
たは窒化物が好ましい。ＺｎＳ−ＳｉＯ2としては、Ｓ
ｉＯ2を３０〜６０モル％含有するものが好ましい。Ｓ
ｉＯ2含有量が少なすぎると、熱伝導率が低くなりすぎ
る。一方、ＳｉＯ2含有量が多すぎると、他の層との密
着性が不十分となるため、長期間保存する際に層間の剥
離が生じやすい。
【００６８】急冷構造とする場合、第２誘電体層の熱伝
導率は、好ましくは１W/mK以上、より好ましくは１．５
W/mK以上である。第２誘電体層の熱伝導率の上限は特に
ないが、誘電体層として使用可能な材料は、通常、熱伝
導率が２０W/mK程度以下である。本明細書における第２
誘電体層の熱伝導率は、薄膜状態での測定値ではなく、
バルク材料での値である。
導率は、好ましくは１W/mK以上、より好ましくは１．５
W/mK以上である。第２誘電体層の熱伝導率の上限は特に
ないが、誘電体層として使用可能な材料は、通常、熱伝
導率が２０W/mK程度以下である。本明細書における第２
誘電体層の熱伝導率は、薄膜状態での測定値ではなく、
バルク材料での値である。
【００６９】第１誘電体層および第２誘電体層の厚さ
は、保護効果や変調度向上効果が十分に得られるように
適宜決定すればよいが、通常、第１誘電体層３１の厚さ
は好ましくは３０〜３００nm、より好ましくは５０〜２
５０nmであり、第２誘電体層３２の厚さは好ましくは１
０〜５０nmである。ただし、追記型媒体では、非晶質記
録マークが結晶化しにくいように急冷構造とすることが
好ましく、そのためには、第２誘電体層の厚さを好まし
くは３０nm以下、より好ましくは２５nm以下とする。
は、保護効果や変調度向上効果が十分に得られるように
適宜決定すればよいが、通常、第１誘電体層３１の厚さ
は好ましくは３０〜３００nm、より好ましくは５０〜２
５０nmであり、第２誘電体層３２の厚さは好ましくは１
０〜５０nmである。ただし、追記型媒体では、非晶質記
録マークが結晶化しにくいように急冷構造とすることが
好ましく、そのためには、第２誘電体層の厚さを好まし
くは３０nm以下、より好ましくは２５nm以下とする。
【００７０】各誘電体層は、スパッタ法により形成する
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００７１】記録層４ 記録層の組成は特に限定されず、各種相変化材料から適
宜選択すればよいが、少なくともＳｂおよびＴｅを含有
するものが好ましい。ＳｂおよびＴｅだけからなる記録
層は、結晶化温度が１３０℃程度と低く、保存信頼性が
不十分なので、結晶化温度を向上させるために他の元素
を添加することが好ましい。この場合の添加元素として
は、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｇｅ、
Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｐｄおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイ
ド）から選択される少なくとも１種が好ましい。これら
のうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことから、
希土類元素、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅから選択される少な
くとも１種が好ましい。
宜選択すればよいが、少なくともＳｂおよびＴｅを含有
するものが好ましい。ＳｂおよびＴｅだけからなる記録
層は、結晶化温度が１３０℃程度と低く、保存信頼性が
不十分なので、結晶化温度を向上させるために他の元素
を添加することが好ましい。この場合の添加元素として
は、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｇｅ、
Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｐｄおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイ
ド）から選択される少なくとも１種が好ましい。これら
のうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことから、
希土類元素、Ａｇ、ＩｎおよびＧｅから選択される少な
くとも１種が好ましい。
【００７２】ＳｂおよびＴｅを含有する組成としては、
以下のものが好ましい。ＳｂおよびＴｅをそれぞれ除く
元素をＭで表し、記録層構成元素の原子比を 式Ｉ （ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy で表したとき、好ましくは ０．２≦ｘ≦０．９、 ０≦ｙ≦０．４ であり、より好ましくは ０．５≦ｘ≦０．８５、 ０．０１≦ｙ≦０．２ である。具体的には、記録線速度や媒体の熱設計に応
じ、ｘを適宜決定すればよい。
以下のものが好ましい。ＳｂおよびＴｅをそれぞれ除く
元素をＭで表し、記録層構成元素の原子比を 式Ｉ （ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy で表したとき、好ましくは ０．２≦ｘ≦０．９、 ０≦ｙ≦０．４ であり、より好ましくは ０．５≦ｘ≦０．８５、 ０．０１≦ｙ≦０．２ である。具体的には、記録線速度や媒体の熱設計に応
じ、ｘを適宜決定すればよい。
【００７３】上記式ＩにおいてＳｂの含有量を表すｘが
小さすぎると、結晶化速度が遅くなるため、比較的速い
線速度での記録マークの消去が困難となる。また、記録
層の結晶質領域での反射率が低くなるため、再生信号出
力が低くなる。また、ｘが著しく小さいと、記録も困難
となる。一方、ｘが大きすぎると、結晶状態と非晶質状
態との間での反射率差が小さくなるため、再生信号出力
が低くなってしまう。
小さすぎると、結晶化速度が遅くなるため、比較的速い
線速度での記録マークの消去が困難となる。また、記録
層の結晶質領域での反射率が低くなるため、再生信号出
力が低くなる。また、ｘが著しく小さいと、記録も困難
となる。一方、ｘが大きすぎると、結晶状態と非晶質状
態との間での反射率差が小さくなるため、再生信号出力
が低くなってしまう。
【００７４】元素Ｍは特に限定されないが、保存信頼性
向上効果を示す上記元素のなかから少なくとも１種を選
択することが好ましい。元素Ｍの含有量を表すｙが大き
すぎると、結晶化速度が速くなりすぎたり、再生出力が
低くなったりする。
向上効果を示す上記元素のなかから少なくとも１種を選
択することが好ましい。元素Ｍの含有量を表すｙが大き
すぎると、結晶化速度が速くなりすぎたり、再生出力が
低くなったりする。
【００７５】記録層の厚さは、好ましくは４nm超５０nm
以下、より好ましくは５〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、結晶化が困難とな
る。一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大き
くなるため記録が困難となるほか、再生信号出力の低下
も生じる。
以下、より好ましくは５〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、結晶化が困難とな
る。一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大き
くなるため記録が困難となるほか、再生信号出力の低下
も生じる。
【００７６】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。
とが好ましい。
【００７７】なお、本発明において記録層の構造は特に
限定されない。例えば、特開平８−２２１８１４号公報
や特開平１０−２２６１７３号公報に記載された多層構
造の記録層を有する媒体にも本発明は適用可能である。
限定されない。例えば、特開平８−２２１８１４号公報
や特開平１０−２２６１７３号公報に記載された多層構
造の記録層を有する媒体にも本発明は適用可能である。
【００７８】反射層５ 反射層構成材料は特に限定されず、通常、Ａｌ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ等の金属ま
たは半金属の単体あるいはこれらの１種以上を含む合金
などから構成すればよい。
Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ等の金属ま
たは半金属の単体あるいはこれらの１種以上を含む合金
などから構成すればよい。
【００７９】媒体を急冷構造としたい場合、熱伝導率の
高い材料から反射層を構成することが好ましい。熱伝導
率の高い材料としては、ＡｇまたはＡｌが好ましい。し
かし、ＡｇまたはＡｌの単体では十分な耐食性が得られ
ないため、耐食性向上のための元素を添加することが好
ましい。
高い材料から反射層を構成することが好ましい。熱伝導
率の高い材料としては、ＡｇまたはＡｌが好ましい。し
かし、ＡｇまたはＡｌの単体では十分な耐食性が得られ
ないため、耐食性向上のための元素を添加することが好
ましい。
【００８０】ただし、他の元素を添加すると熱伝導率が
低下するため、その場合には熱伝導率のより高いＡｇを
主成分元素として用いることが好ましい。Ａｇに添加す
ることが好ましい副成分元素としては、例えば、Ｍｇ、
Ｐｄ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｅ
およびＺｒから選択される少なくとも１種が挙げられ
る。これら副成分元素は、少なくとも１種、好ましくは
２種以上用いることが望ましい。反射層中における副成
分元素の含有量は、各金属について好ましくは０．０５
〜２．０原子％、より好ましくは０．２〜１．０原子％
であり、副成分全体として好ましくは０．２〜５原子
％、より好ましくは０．５〜３原子％である。副成分元
素の含有量が少なすぎると、これらを含有することによ
る効果が不十分となる。一方、副成分元素の含有量が多
すぎると、熱伝導率が小さくなってしまう。
低下するため、その場合には熱伝導率のより高いＡｇを
主成分元素として用いることが好ましい。Ａｇに添加す
ることが好ましい副成分元素としては、例えば、Ｍｇ、
Ｐｄ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｅ
およびＺｒから選択される少なくとも１種が挙げられ
る。これら副成分元素は、少なくとも１種、好ましくは
２種以上用いることが望ましい。反射層中における副成
分元素の含有量は、各金属について好ましくは０．０５
〜２．０原子％、より好ましくは０．２〜１．０原子％
であり、副成分全体として好ましくは０．２〜５原子
％、より好ましくは０．５〜３原子％である。副成分元
素の含有量が少なすぎると、これらを含有することによ
る効果が不十分となる。一方、副成分元素の含有量が多
すぎると、熱伝導率が小さくなってしまう。
【００８１】急冷構造とする場合、反射層の熱伝導率
は、好ましくは１００W/mK以上、より好ましくは１５０
W/mK以上である。熱伝導率は、例えば、４探針法を用い
て求めた反射層の電気抵抗値から、Widemann-Franzの法
則により算出することができる。反射層の熱伝導率の上
限は特にない。すなわち、反射層構成材料として使用可
能なもののうち最も高い熱伝導率を有する純銀（熱伝導
率２５０W/mK）も使用可能である。
は、好ましくは１００W/mK以上、より好ましくは１５０
W/mK以上である。熱伝導率は、例えば、４探針法を用い
て求めた反射層の電気抵抗値から、Widemann-Franzの法
則により算出することができる。反射層の熱伝導率の上
限は特にない。すなわち、反射層構成材料として使用可
能なもののうち最も高い熱伝導率を有する純銀（熱伝導
率２５０W/mK）も使用可能である。
【００８２】反射層の厚さは、通常、１０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率を得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率を得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
【００８３】保護層６ 保護層６は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
【００８４】図５に示す構造 本発明の光記録媒体の構成例を、図５に示す。この光記
録媒体は、支持基体２０上に、金属または半金属から構
成される反射層５、第２誘電体層３２、記録層４、第１
誘電体層３１および透光性基体２を、この順で積層して
形成したものである。記録または再生のためのレーザー
光は、透光性基体２を通して入射する。なお、支持基体
２０と反射層５との間に、誘電体材料からなる中間層を
設けてもよい。
録媒体は、支持基体２０上に、金属または半金属から構
成される反射層５、第２誘電体層３２、記録層４、第１
誘電体層３１および透光性基体２を、この順で積層して
形成したものである。記録または再生のためのレーザー
光は、透光性基体２を通して入射する。なお、支持基体
２０と反射層５との間に、誘電体材料からなる中間層を
設けてもよい。
【００８５】この構成例における透光性基体２には、図
４における透光性基体２と同程度の厚さの樹脂板やガラ
ス板を用いてもよい。ただし、記録再生光学系の高ＮＡ
化によって高記録密度を達成するためには、透光性基体
２を薄型化することが好ましい。その場合の透光性基体
の厚さは、３０〜３００μmの範囲から選択することが
好ましい。透光性基体が薄すぎると、透光性基体表面に
付着した塵埃による光学的な影響が大きくなる。一方、
透光性基体が厚すぎると、高ＮＡ化による高記録密度達
成が難しくなる。
４における透光性基体２と同程度の厚さの樹脂板やガラ
ス板を用いてもよい。ただし、記録再生光学系の高ＮＡ
化によって高記録密度を達成するためには、透光性基体
２を薄型化することが好ましい。その場合の透光性基体
の厚さは、３０〜３００μmの範囲から選択することが
好ましい。透光性基体が薄すぎると、透光性基体表面に
付着した塵埃による光学的な影響が大きくなる。一方、
透光性基体が厚すぎると、高ＮＡ化による高記録密度達
成が難しくなる。
【００８６】透光性基体２を薄型化するに際しては、例
えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤
や粘着剤により第１誘電体層３１に貼り付けて透光性基
体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第１誘電
体層３１上に直接形成して透光性基体としたりすればよ
い。
えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤
や粘着剤により第１誘電体層３１に貼り付けて透光性基
体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第１誘電
体層３１上に直接形成して透光性基体としたりすればよ
い。
【００８７】支持基体２０は、媒体の剛性を維持するた
めに設けられる。支持基体２０の厚さおよび構成材料
は、図４に示す構成例における透光性基体２と同様とす
ればよく、透明であっても不透明であってもよい。グル
ーブ２Ｇは、図示するように、支持基体２０に設けた溝
を、その上に形成される各層に転写することにより、形
成できる。
めに設けられる。支持基体２０の厚さおよび構成材料
は、図４に示す構成例における透光性基体２と同様とす
ればよく、透明であっても不透明であってもよい。グル
ーブ２Ｇは、図示するように、支持基体２０に設けた溝
を、その上に形成される各層に転写することにより、形
成できる。
【００８８】このほかの各層は、図４に示す構成例と同
様である。
様である。
【００８９】
【実施例】実施例１ 図５に示す構造をもつ光記録ディスクサンプルを、以下
の手順で作製した。
の手順で作製した。
【００９０】支持基体２０には、直径１２０mm、厚さ
１．１mmのディスク状ポリカーボネートを用いた。この
支持基体の表面には、透光性基体２に転写後にグルーブ
およびランドとなる凹凸パターンを設けた。
１．１mmのディスク状ポリカーボネートを用いた。この
支持基体の表面には、透光性基体２に転写後にグルーブ
およびランドとなる凹凸パターンを設けた。
【００９１】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1
を用いた。反射層の厚さは１００nmとした。
タ法により形成した。ターゲットにはＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1
を用いた。反射層の厚さは１００nmとした。
【００９２】第２誘電体層３２は、Ａｌ2Ｏ3ターゲット
を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。第
２誘電体層の厚さは２０nmとした。
を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形成した。第
２誘電体層の厚さは２０nmとした。
【００９３】記録層４は、合金ターゲットを用い、Ａｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成
（原子比）は ｛（Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇ
ｅ0.86）0.07｝0.98Ｔｂ0.02 とした。記録層の厚さは１２nmとした。
雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成
（原子比）は ｛（Ｓｂ0.82Ｔｅ0.18）0.93（Ｉｎ0.14Ｇ
ｅ0.86）0.07｝0.98Ｔｂ0.02 とした。記録層の厚さは１２nmとした。
【００９４】第１誘電体層３１は、ＺｎＳ（８５モル
％）−ＳｉＯ2（１５モル％）ターゲットを用いてＡｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の
厚さは１３０nmとした。
％）−ＳｉＯ2（１５モル％）ターゲットを用いてＡｒ
雰囲気中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の
厚さは１３０nmとした。
【００９５】透光性基体２は、第１誘電体層３１の表面
に、溶剤型の紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる厚さ
３μmの接着層を介して、ポリカーボネートシート（厚
さ１００μm）を接着することにより形成した。
に、溶剤型の紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる厚さ
３μmの接着層を介して、ポリカーボネートシート（厚
さ１００μm）を接着することにより形成した。
【００９６】このようにして作製したサンプルをバルク
イレーザーにより初期化（結晶化）した後、光記録媒体
評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用
い、 レーザー波長：４０５nm、 開口数：０．８５、 記録信号：（１，７）ＲＬＬ変調信号、 の条件で、グルーブに信号を記録し、次いで、記録信号
の再生を行った。記録時の線速度Ｖ、Ｐｗ、Ｐbi、Ｐbi
／Ｐｗ、Ｔlp、Ｔmp、ＴtopおよびＴlpと、再生信号の
ジッタとを表１に示す。表１に示すＮは、線速度５．７
m/sを基準とした倍速表示であり、Ｎ＝Ｖ／５．７であ
る。なお、Ｐboは０．１mWに固定した。マルチパルスに
おいて、上向きパルスの幅と下向きパルスの幅との合計
は１Ｔとした。したがって、デューティー比はＴmpと等
しい。また、図２および図３にそれぞれ示される記録波
形では、Ｔmp以外のパラメータを図１に示される記録波
形と同じとした。また、この記録の際の最短信号長ｎ・
Ｔｗは、線速度Ｖが５．７m/sのときに３０．３ns、Ｖ
が１４．６m/sのときに１１．８nsである。
イレーザーにより初期化（結晶化）した後、光記録媒体
評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用
い、 レーザー波長：４０５nm、 開口数：０．８５、 記録信号：（１，７）ＲＬＬ変調信号、 の条件で、グルーブに信号を記録し、次いで、記録信号
の再生を行った。記録時の線速度Ｖ、Ｐｗ、Ｐbi、Ｐbi
／Ｐｗ、Ｔlp、Ｔmp、ＴtopおよびＴlpと、再生信号の
ジッタとを表１に示す。表１に示すＮは、線速度５．７
m/sを基準とした倍速表示であり、Ｎ＝Ｖ／５．７であ
る。なお、Ｐboは０．１mWに固定した。マルチパルスに
おいて、上向きパルスの幅と下向きパルスの幅との合計
は１Ｔとした。したがって、デューティー比はＴmpと等
しい。また、図２および図３にそれぞれ示される記録波
形では、Ｔmp以外のパラメータを図１に示される記録波
形と同じとした。また、この記録の際の最短信号長ｎ・
Ｔｗは、線速度Ｖが５．７m/sのときに３０．３ns、Ｖ
が１４．６m/sのときに１１．８nsである。
【００９７】表１に示すジッタは、再生信号をタイムイ
ンターバルアナライザ（横河電機株式会社製）により測
定し、ウインドウ幅をＴｗとして σ／Ｔｗ （％） により算出したクロックジッタである。このクロックジ
ッタは、基準クロック幅（１Ｔ）に対応する周波数に対
する再生信号の時間的揺らぎである。チルトマージンを
考慮しても、すなわちディスクのチルトによるジッタ増
大を見込んでも、無チルト時のクロックジッタが１０％
以下、好ましくは９％以下であれば、信号品質に問題は
ないといえる。
ンターバルアナライザ（横河電機株式会社製）により測
定し、ウインドウ幅をＴｗとして σ／Ｔｗ （％） により算出したクロックジッタである。このクロックジ
ッタは、基準クロック幅（１Ｔ）に対応する周波数に対
する再生信号の時間的揺らぎである。チルトマージンを
考慮しても、すなわちディスクのチルトによるジッタ増
大を見込んでも、無チルト時のクロックジッタが１０％
以下、好ましくは９％以下であれば、信号品質に問題は
ないといえる。
【００９８】
【表１】
【００９９】表１のすべてのケースにおいて、各線速度
におけるＰｗおよびＰbiと、他の全ての線速度における
それらとの間に、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ が成立している。そのため、すべての線速度においてジ
ッタが１０％以下となっている。
におけるＰｗおよびＰbiと、他の全ての線速度における
それらとの間に、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ が成立している。そのため、すべての線速度においてジ
ッタが１０％以下となっている。
【０１００】さらに、表１のケースNo.１０１〜１０３
では、各線速度におけるＴclおよびＴmpと、他の全ての
線速度におけるそれらとの間に、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ が成立している。そのため、すべての線速度においてジ
ッタが９％以下となっている。
では、各線速度におけるＴclおよびＴmpと、他の全ての
線速度におけるそれらとの間に、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ が成立している。そのため、すべての線速度においてジ
ッタが９％以下となっている。
【０１０１】なお、表１に示すジッタは、オーバーライ
トを１０回行った後に測定した値である。すなわち、上
記サンプルは、表１に示すすべての線速度でオーバーラ
イトが可能であった。
トを１０回行った後に測定した値である。すなわち、上
記サンプルは、表１に示すすべての線速度でオーバーラ
イトが可能であった。
【０１０２】比較例１ 実施例１で作製したサンプルについて、記録条件を表２
に示すものとしたほかは実施例１と同様な測定を行っ
た。結果を表２に示す。なお、表２のケースNo.２０１
は、表１のケースNo.１０１と同条件である。
に示すものとしたほかは実施例１と同様な測定を行っ
た。結果を表２に示す。なお、表２のケースNo.２０１
は、表１のケースNo.１０１と同条件である。
【０１０３】
【表２】
【０１０４】表２においてジッタが許容範囲内に収まっ
ているケースNo.２０１（１倍速）を基準ケースとして
考えると、基準ケースとケースNo.２０２との関係で
は、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１ が成立していない。また、基準ケースとケースNo.２０
２およびケースNo.２０３との関係では、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ が成立していない。その結果、ケースNo.２０２、No.２
０３では、ジッタが許容範囲を超えている。
ているケースNo.２０１（１倍速）を基準ケースとして
考えると、基準ケースとケースNo.２０２との関係で
は、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１ が成立していない。また、基準ケースとケースNo.２０
２およびケースNo.２０３との関係では、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ が成立していない。その結果、ケースNo.２０２、No.２
０３では、ジッタが許容範囲を超えている。
【０１０５】
【発明の効果】本発明では、マルチパルス記録におい
て、線速度に応じて記録波形を制御するため、広い線速
度範囲においてジッタを小さくすることができる。
て、線速度に応じて記録波形を制御するため、広い線速
度範囲においてジッタを小さくすることができる。
【図１】５Ｔ信号およびその記録波形を示すグラフであ
る。
る。
【図２】４Ｔ信号の記録波形を示すグラフである。
【図３】３Ｔ信号の記録波形を示すグラフである。
【図４】光記録媒体の構成例を示す断面図である。
【図５】光記録媒体の構成例を示す断面図である。
２ 透光性基体 ２０ 支持基体 ２Ｇ グルーブ ２Ｌ ランド ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D029 JB48 PA03 PA08 5D066 DA02 DA12 DA16 5D090 AA01 BB05 CC01 CC14 CC18 DD03 EE02 GG33 JJ12 KK04 5D119 AA23 BA01 BB04 DA01 HA19 HA45
Claims (24)
- 【請求項１】 相変化材料を含む記録層を有する光記録
媒体に対し、記録波形により強度変調された記録光を用
い、複数の線速度または連続的に変化する線速度で記録
を行う方法であって、 前記記録波形は、直流部と、記録マークを形成するため
の記録パルス部とを有するものであり、直流部の強度を
Ｐbiで表し、上向きパルスを少なくとも３つ有する記録
パルス部において、先頭の上向きパルスと最後尾の上向
きパルスとに挟まれた上向きパルスの強度をＰｗで表
し、 前記複数の線速度または前記連続的に変化する線速度の
１つをＶLとし、線速度ＶLで記録を行う際のＰｗおよび
ＰbiをそれぞれＰｗＬおよびＰbiＬとし、 前記複数の線速度または前記連続的に変化する線速度の
うちＶLよりも速く、かつ、 １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度の１つをＶHとし、線速度ＶHで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨ
としたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足する条件で記録を行う光記録方法。 - 【請求項２】 相変化材料を含む記録層を有する光記録
媒体に対し、記録波形により強度変調された記録光を用
い、複数の線速度から選択される１つの線速度で記録を
行う方法であって、 前記記録波形は、直流部と、記録マークを形成するため
の記録パルス部とを有するものであり、直流部の強度を
Ｐbiで表し、上向きパルスを少なくとも３つ有する記録
パルス部において、先頭の上向きパルスと最後尾の上向
きパルスとに挟まれた上向きパルスの強度をＰｗで表
し、 前記複数の線速度の１つをＶLとし、線速度ＶLで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＬおよびＰbiＬ
とし、 前記複数の線速度のうちＶLよりも速く、かつ、 １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度の１つをＶHとし、線速度ＶHで記録を
行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨ
としたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足する条件で記録を行う光記録方法。 - 【請求項３】 記録パルス部のうち上向きパルスを少な
くとも３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルス
に続いて下向きパルスが存在し、この下向きパルスの幅
をＴclで表し、 線速度ＶLで記録を行う際のＴclをＴclＬとし、線速度
ＶHで記録を行う際のＴclをＴclＨとしたとき、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１ として記録を行う請求項１または２の光記録方法。 - 【請求項４】 記録パルス部のうち上向きパルスを少な
くとも３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスと
最後尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの幅を
Ｔmpで表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴmpをＴmpＬ
とし、線速度ＶHで記録を行う際のＴmpをＴmpＨとした
とき、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ として記録を行う請求項１〜３のいずれかの光記録方
法。 - 【請求項５】 記録パルス部のうち上向きパルスを少な
くとも３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルスの
幅をＴtopで表し、線速度ＶLで記録を行う際のＴtopを
ＴtopＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＴtopをＴtop
Ｈとしたとき、 ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ として記録を行う請求項１〜４のいずれかの光記録方
法。 - 【請求項６】 記録パルス部のうち上向きパルスを少な
くとも３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパルス
の幅をＴlpで表し、 線速度ＶLで記録を行う際のＴlpをＴlpＬとし、線速度
ＶHで記録を行う際のＴlpをＴlpＨとしたとき、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ として記録を行う請求項１〜５のいずれかの光記録方
法。 - 【請求項７】 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれに
おいて使用するパルス強度およびパルス幅が、光記録媒
体への試し書きによって決定される請求項１〜６のいず
れかの光記録方法。 - 【請求項８】 記録に用いるレーザー光の波長をλ、照
射光学系の対物レンズの開口数をＮＡ、検出窓幅をＴ
ｗ、最短記録マークに対応する信号長をｎ・Ｔｗとした
とき、記録に用いる最も速い線速度において ｎ・Ｔｗ≦２０ns である請求項１〜７のいずれかの光記録方法。 - 【請求項９】 相変化材料を含む記録層を有する光記録
媒体に対し、記録波形により強度変調された記録光を用
いて記録を行う方法であって、前記記録波形は、直流部
と、記録マークを形成するための記録パルス部とを有す
るものであり、直流部の強度をＰbiで表し、上向きパル
スを少なくとも３つ有する記録パルス部において、先頭
の上向きパルスと最後尾の上向きパルスとに挟まれた上
向きパルスの強度をＰｗで表し、基準となる線速度と、
この線速度におけるＰｗおよびＰbiの推奨値が与えられ
ており、この基準となる線速度とは異なる線速度で試し
書きを行うことにより、この試し書きの際の線速度また
はこの線速度を含む線速度域において実際に情報を記録
する際に実際に使用するＰｗおよびＰbiを決定するに際
し、線速度ＶLおよび １．１≦ＶH／ＶL を満足する線速度ＶHの一方を前記基準となる線速と
し、他方を前記試し書きの際の線速度とし、線速度ＶL
で記録を行う際のＰｗおよびＰbiをそれぞれＰｗＬおよ
びＰbiＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＰｗおよび
ＰbiをそれぞれＰｗＨおよびＰbiＨとしたとき、 ＰbiＨ／ＰbiＬ＜１、 （ＰbiＨ／ＰｗＨ）／（ＰbiＬ／ＰｗＬ）＜１ を満足するように、試し書きの際のＰｗおよびＰbiを設
定する光記録方法。 - 【請求項１０】 記録パルス部のうち上向きパルスを少
なくとも３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパル
スに続いて下向きパルスが存在し、この下向きパルスの
幅をＴclで表したとき、 前記基準となる線速度におけるＴclの推奨値が与えられ
ており、線速度ＶLで記録を行う際のＴclをＴclＬと
し、線速度ＶHで記録を行う際のＴclをＴclＨとしたと
き、 ＴclＨ／ＴclＬ＜１ を満足するように試し書きの際のＴclを設定することに
より、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を含
む線速度域において実際に情報を記録する際に使用する
Ｔclを求める請求項９の光記録方法。 - 【請求項１１】 記録パルス部のうち上向きパルスを少
なくとも３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルス
と最後尾の上向きパルスとに挟まれた上向きパルスの幅
をＴmpで表したとき、前記基準となる線速度におけるＴ
mpの推奨値が与えられており、線速度ＶLで記録を行う
際のＴmpをＴmpＬとし、線速度ＶHで記録を行う際のＴm
pをＴmpＨとしたとき、 ＴmpＨ／ＴmpＬ≦１ を満足するように試し書きの際のＴmpを設定することに
より、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を含
む線速度域において実際に情報を記録する際に使用する
Ｔmpを求める請求項９または１０の光記録方法。 - 【請求項１２】 記録パルス部のうち上向きパルスを少
なくとも３つ有するものにおいて、先頭の上向きパルス
の幅をＴtopで表したとき、 前記基準となる線速度におけるＴtopの推奨値が与えら
れており、線速度ＶLで記録を行う際のＴtopをＴtopＬ
とし、線速度ＶHで記録を行う際のＴtopをＴtopＨとし
たとき、 ＴtopＨ／ＴtopＬ≦１ を満足するように試し書きの際のＴtopを設定すること
により、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を
含む線速度域において実際に情報を記録する際に使用す
るＴtopを求める請求項９〜１１のいずれかの光記録方
法。 - 【請求項１３】 記録パルス部のうち上向きパルスを少
なくとも３つ有するものにおいて、最後尾の上向きパル
スの幅をＴlpで表し、 前記基準となる線速度におけるＴlpの推奨値が与えられ
ており、線速度ＶLで記録を行う際のＴlpをＴlpＬと
し、線速度ＶHで記録を行う際のＴlpをＴlpＨとしたと
き、 １≦ＴlpＨ／ＴlpＬ を満足するように試し書きの際のＴlpＨを設定すること
により、この試し書きの際の線速度またはこの線速度を
含む線速度域において実際に情報を記録する際に使用す
るＴlpを求める請求項９〜１２のいずれかの光記録方
法。 - 【請求項１４】 記録に用いるレーザー光の波長をλ、
照射光学系の対物レンズの開口数をＮＡ、検出窓幅をＴ
ｗ、最短記録マークに対応する信号長をｎ・Ｔｗとした
とき、記録に用いる最も速い線速度において ｎ・Ｔｗ≦２０ns である請求項９〜１３のいずれかの光記録方法。 - 【請求項１５】 請求項１〜８のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅を保持する光記録装置。 - 【請求項１６】 請求項１〜８のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、各線速度について複数保
持されており、これら複数のパルス強度およびパルス幅
から、実際に使用するパルス強度およびパルス幅を選択
するに際し、光記録媒体への試し書きを利用する光記録
装置。 - 【請求項１７】 請求項１〜８のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、それぞれの線速度の関数
として定義されており、この関数を保持する光記録装
置。 - 【請求項１８】 請求項１〜８のいずれかの光記録方法
を使用することが可能な光記録装置であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、それぞれの線速度の関数
として定義され、この関数が各線速度について複数保持
されており、これら複数の関数から、実際に使用する関
数を選択するに際し、光記録媒体への試し書きを利用す
る光記録装置。 - 【請求項１９】 請求項９〜１４のいずれかの光記録方
法を使用することが可能な光記録装置であって、 前記基準となる線速度におけるパルス強度およびパルス
幅の推奨値を保持する光記録装置。 - 【請求項２０】 請求項１〜８のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が記録されている光記録媒
体。 - 【請求項２１】 請求項１〜８のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、各線速度について複数記
録されており、これら複数のパルス強度およびパルス幅
から、実際に使用するパルス強度およびパルス幅を選択
するに際し、光記録媒体への試し書きが利用される光記
録媒体。 - 【請求項２２】 請求項１〜８のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、それぞれの線速度の関数
として定義されており、この関数が記録されている光記
録媒体。 - 【請求項２３】 請求項１〜８のいずれかの光記録方法
が適用可能な光記録媒体であって、 線速度ＶLおよび線速度ＶHのそれぞれにおいて使用する
パルス強度およびパルス幅が、それぞれの線速度の関数
として定義され、この関数が各線速度について複数記録
されており、これら複数の関数から、実際に使用する関
数を選択するに際し、光記録媒体への試し書きが利用さ
れる光記録媒体。 - 【請求項２４】 請求項９〜１４のいずれかの光記録方
法が適用可能な光記録媒体であって、 前記基準となる線速度におけるパルス強度およびパルス
幅の推奨値が記録されている光記録媒体。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037746A JP2002245624A (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 光記録方法、光記録装置および光記録媒体 |
| US10/468,202 US7336580B2 (en) | 2001-02-14 | 2002-02-14 | Optical recording method, optical recorder, and optical recording medium |
| CNB028064704A CN1267906C (zh) | 2001-02-14 | 2002-02-14 | 光记录方法、光记录装置及光记录介质 |
| DE60230490T DE60230490D1 (de) | 2001-02-14 | 2002-02-14 | Optisches aufzeichnungsverfahren, optische aufzeichnungsvorrichtung und optisches aufzeichnungsmedium |
| EP02700581A EP1369850B1 (en) | 2001-02-14 | 2002-02-14 | Optical recording method, optical recorder, and optical recording medium |
| PCT/JP2002/001234 WO2002065462A1 (fr) | 2001-02-14 | 2002-02-14 | Procede d'enregistrement optique, enregistreur optique et support d'enregistrement optique |
| KR1020037010663A KR100551917B1 (ko) | 2001-02-14 | 2002-02-14 | 광기록 방법, 광기록장치 및 광기록매체 |
| TW091102616A TWI224322B (en) | 2001-02-14 | 2002-02-15 | Optical recording method, optical recorder, and optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037746A JP2002245624A (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 光記録方法、光記録装置および光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002245624A true JP2002245624A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18900829
Family Applications (1)
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