CN100341053C - 光盘及其记录再现装置以及地址信息管理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种容量大、可靠性高、且对于数据信息的反复记录的耐久性优异的光盘。该光盘的特征在于：具备形成有多个凹槽的基板、以及设置于该基板上、并且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层；该凹槽上设置有记录了该凹槽地址信息的报头部，该报头部是通过使该凹槽径向偏移而形成，各凹槽的该报头部为径向排列配置，因此即使无法再现给定凹槽的地址信息，也可以从相邻凹槽的地址信息特定确定凹槽的地址信息。

Description

光盘及其记录再现装置以及地址信息管理方法
技术领域
本发明涉及通过照射能量射束进行信息记录的光盘及其记录再现装置以及地址信息管理方法，尤其涉及通过使凹槽径向偏移而记录地址信息的光盘及其记录再现装置以及地址信息管理方法。
背景技术
近年来，DVD-ROM(数字化视频光盘-只读存储器)、DVD-Video(数字化视频光盘-录象)等再现专用型光盘市场正在扩大。随之DVD-RAM(数字化视频光盘-随机存取存储器)和DVD-RW(数字化视频光盘-可擦写)、DVD+RW(数字化视频光盘+可擦写)等可重写DVD市场也在扩大，这种可重写DVD迅速普及成为计算机用文件备份介质及代替VTR(磁带录像机)的影象记录介质。伴随这种DVD市场的扩大，对更高清晰图象和长时间录象的要求以及对反复使用的数据可靠性的要求日益增加。因此，光盘的高密度化和提高数据的反复记录耐久性成为了重要的技术课题。
历来，为了实现光盘高密度记录信息，提议有各种技术。例如，提出了通过使用更短波长的蓝激光(λ＝405nm)实现记录标记的微小化的方法，以及通过记录到台面(land)和凹槽(groove)双方来使轨道(track)密度得以高密度化的方法。进而提出有各种从格式(format)角度考虑，不仅研究数据记录部，还研究了存储地址信息等的报头(header)部的构造的光盘。例如，iD-photo(由三洋电机、奥林巴斯光学工业和日立万胜3家公司开发的数码相机用记录介质，一种多次写入式磁光盘)中通过使导槽向轨道的半径方向偏移，只在记录轨道单侧记录报头部的信息，能够提高格式化效率，构成为不对记录轨道进行长段分段。
关于可重写信息的光盘技术，一般为用于DVD-RAM、DVD-RW等的相变记录方式。相变记录方式的光盘在记录层使用相变材料，基本上把“0”和“1”信息各自对应于相变材料的晶态(未记录状态)和“非晶态”(记录状态)进行记录。还有，因为在形成于记录层内的晶态和非晶态区域的折射率不同，因此把构成光盘各层的折射率、膜厚等设计为，使变成晶态的部分与变成非晶态的部分之间的反射率差值最大化。相变记录方式光盘中，对该晶态部分和非晶态部分照射光束，检测来自光盘各部分的反射光量的差值，检测记录在记录层内的“0”和“1”。
为了把相变记录方式的光盘的记录层的给定位置变成非晶态(通常把该动作叫做“记录”)，照射较高功率光束，把记录层的照射部分的温度加热至大于等于记录层材料的熔点。另一方面，为了把记录层的给定位置变成晶态(通常把该动作叫做“擦除”)，照射较低功率光束，把记录层照射部分的温度加热至记录层材料的熔点以下且结晶温度附近。这样，相变记录方式的光盘通过调节照射到记录层的光束的照射功率，能够使记录层内给定部分在非晶态和晶态之间进行可逆变化。
按照上述相变记录方式的原理，用于记录层的相变记录材料优选非晶态与晶态之间的折射率差值大、并且进行擦除时非晶态部分可在极短时间内变成晶态的材料。进一步优选不会因反复记录和擦除而劣化的材料。迄今研究出了各种相变材料。例如，特许1780615号公开了有关Ge-Sb-Te系记录材料的技术。特开2001-322357公开了通过使用在Ge-Sn-Sb-Te系材料中添加Ag、Al、Cr、Mn等金属的材料作为记录材料，获得能够进行高密度记录、并且反复重写性能优异、以及结晶灵敏度很少随时间恶化的信息记录介质。还有，特开平2-14289也公开了Ge-Sb-Sn-Te系记录层材料。其它现有例子还有，特开昭62-73439、特开平1-220236公开了Bi-Ge-Se-Te系相变记录材料，特开平1-287836公开了Bi-Ge-Sb-Te系相变记录材料的实用性范围。
还有，作为现有相变记录材料，特开昭62-209741公开了使用Bi-Ge-Te系相变记录材料的例子，规定了其实用性组成范围。并且还提出了用于提高反复特性的Bi-Ge-Te系相变记录材料(如参考专利文献1和2)。
专利文献1：特许第2574324号公报(第3～5页)
专利文献2：特许第2592800号公报(第2～4页)
本发明者们为了开发大容量、可靠性高、且对于反复记录的数据信息的耐久性高的光盘，对形成记录层的材料使用上述现有相变记录材料，并且通过使导槽向径向偏移(摆动)而记录光盘的报头信息(地址信息)，制作轨道间距(track pitch)窄的光盘。即，组合上述现有技术制作了光盘。但是，用不同设计条件制作各种光盘，评价这种光盘的记录再现特性时，发现难以获得大容量、可靠性高、且对于反复记录的数据信息的耐久性高的光盘。下面说明该评价中产生的问题。
为获得记录密度高的光盘，需要使其轨道间距变窄。但是，如果轨道间距过窄，存在无法获得充分的用于记录地址信息的导槽的偏移量(摆动量)的问题。具体讲，当轨道间距窄时如果增大凹槽的偏移量，则与轨道间距宽的情况相比，凹槽偏移引起的信号容易作为数据信号(再现信号)的噪声成分泄漏，导致数据信号的品质恶化。相反，如果设定成能够充分确保数据信号品质程度的摆动量，则因摆动量小所以包含地址信息的报头信息品质恶化，难以可靠地再现地址信息。
还有，使用上述的现有相变记录材料制作光盘并反复重写数据信息时，产生重写带来的数据信号品质恶化引起报头信号的可靠性大幅度下降的问题。其理由可考虑如下。如上所述，在使轨道间距变窄的同时还需要使摆动量变小，其结果不仅报头信号品质恶化，而且报头信号的S/N(信噪比)的裕度(margin)也变小。因此，多次重写引起的数据信号的恶化程度即使在现有光盘中算小、不会引起问题，但数据信号的恶化对报头信号品质的影响也会大，从而报头信号的可靠性大幅度下降。
进一步，用现有相变记录材料形成记录层时，处于记录层非晶态的某记录标记周围是为了形成记录标记而熔融相变材料后进行再结晶。因此，记录标记的周围形成由较大晶粒构成的区域(也叫做再结晶区域)，由于反复重写所以在记录标记宽度的紧外侧位置形成再结晶区域“带”。形成该“带”的区域为结晶粒径大，并且其尺寸也参差不齐。因此，记录层的反射率对应于再结晶区域的粒径尺寸的参差不齐而发生变动，该反射率变动进而对报头信号带来不良影响。
轨道间距宽时，如上所述，即使产生多次重写引起的数据信号的恶化，或者形成再结晶“带”，它们对报头信号品质的影响也小，但是如果轨道间距窄，它们就会显著影响特性。使用蓝激光(λ＝405nm)作为记录激光时，多次重写时的报头信号品质恶化的问题尤其显着。这可能是因为与用于DVD的红激光(λ＝650nm)相比，蓝激光的光束直径更集中，因此光束中心的能量密度高，导致反复重写引起的损害增大。
发明内容
本发明就是为了解决上述问题而进行，目的在于提供大容量、可靠性高、且对于反复记录的数据信息的耐久性高的光盘。
本发明的第一方案是提供一种光盘，该光盘的特征在于：具备形成有多个凹槽的基板；和设置于该基板上、并且由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成的记录层，并且在该凹槽内设置有通过使该凹槽径向偏移来记录该凹槽地址信息的报头部，各凹槽的报头部在径向排列配置。用于记录层的相变材料的Bi含量优选小于等于28原子％，进一步优选含有Bi、Ge及Te。
图2表示本发明第1方案的光盘的一例。本发明光盘为如图2所示，通过使凹槽径向偏移来记录报头部(图2中为地址区域)的地址信息，各凹槽的地址区域在光盘径向排列配置。图2的光盘中把相邻的1组(set)凹槽和台面作为1个轨道，并赋予相同轨道号。即，图2的光盘中形成于凹槽的地址信息成为包含该凹槽的轨道的地址信息。
本发明第1方案的光盘为，当无法再现给定轨道的地址信息时，把光束移到相邻轨道来再现相邻凹槽的地址信息，从相邻轨道的地址信息来指定给定轨道的地址信息。因此，地址信息的可靠性增加，即使为了增大容量化而缩小轨道间距，也不会降低地址信息的可靠性。
还有，本发明第1方案的光盘为，如图2所示，与给定轨道相邻的轨道的地址信息配置在了与给定轨道地址信息相同的径向位置，因此只需把光束移动到相邻轨道就可以容易地获得相邻凹槽的地址信息。因此，能够基于相邻轨道的地址信息迅速地再现给定轨道的地址信息。
还有，本发明第1方案的光盘为，由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成记录层。由上述相变材料形成记录层时，如在后述，即使一定程度增大形成地址信息的报头部的摆动的偏移量，也能够获得充分的数据信号品质，并且即使反复重写数据信息也可以抑制信号品质恶化。因此，本发明第1方案的光盘为，不仅可以提高地址信息的可靠性，而且还能提高数据信息的反复重写特性。记录层优选Bi含量小于等于28原子％，进一步优选含有Bi及Te的相变材料，更优选含有Bi、Ge及Te的相变材料。
本发明的第2方案提供一种光盘，该光盘的特征在于：具备形成有多个凹槽的基板；和设置于该基板上、并且由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成的记录层。并且在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移来记录该凹槽地址信息的报头部，该凹槽的报头部和与该凹槽相邻的凹槽的报头部相互在圆周方向错开配置。记录层的Bi含量优选小于等于28原子％，进一步优选含有Bi及Te的相变材料，更优选含有Bi、Ge及Te的相变材料。
图6表示本发明第2方案的光盘的一例。图6的光盘中，数据信息(记录标记)记录在凹槽间(台面)，通过使凹槽(沟槽)径向摆动形成各轨道的地址信息。还有，如图6所示，形成于各轨道的地址区域(报头部)是相互在圆周方向错开排列。具体讲，如图6所示，图6中的第k号轨道的地址信息A(k)记录在第1地址区域，与第k号轨道相邻的k-1号和k+1号轨道的地址信息A(k-1)和A(k+1)形成在第2地址区域。图6的光盘中，把相邻的1组凹槽和台面作为1个轨道，并赋予相同轨道号。即，图6的光盘中，形成于凹槽的地址信息成为包含该凹槽的轨道的地址信息。
如图6所示光盘中，例如朝图6(a)中虚线箭头方向用光束扫描第k号台面上以再现地址信息，则首先检测出对于光束的推进方向从左侧数第k号轨道的地址信息A(k)，接着检测出对于光束的推进方向从右侧数第k+1号轨道的地址信息A(k+1)(参照图6(b))。因此，当光束扫描第k号台面上时，即使不能再现第k号轨道的地址信息A(k)，但如果能够获得对于光束的推进方向从右侧数第k+1号轨道的地址信息A(k+1)，就能够知道光束扫描的台面上的地址信息为A(k)。还有，如图6所示光盘为，即使不能再现给定轨道的地址信息，也能够在不把光束移向相邻轨道的情况下再现给定台面的地址信息，从而更加容易地再现地址信息。因此，本发明第2方案的光盘为，即使为了增大容量而缩小轨道间距，也能够提高地址信息的可靠性。
还有，本发明第2方案的光盘为与第1方案的光盘相同由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成记录层，因此，即使一定程度增大形成地址信息的报头部的摆动的偏移量，也能够获得充分的数据信号品质，并且即使反复重写数据信息也可以把信号品质恶化抑制得很小。因此，本发明第2方案的光盘为不仅能够提高地址信息的可靠性，而且还能提高数据信息的反复重写特性。还有，与第1方案的光盘相同，记录层优选Bi含量小于等于28原子％，进一步优选含有Bi及Te的相变材料，更优选含有Bi、Ge及Te的相变材料。
本发明的第3方案提供一种光盘，该光盘的特征在于：具备形成有多个凹槽的基板；和设置于该基板上、并且由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成的记录层，并且在该凹槽和凹槽间设置有各自记录所述凹槽和凹槽间的地址信息的报头部，通过使所述凹槽和凹槽间各自径向偏移形成所述凹槽和凹槽间的地址信息，凹槽和凹槽间的报头部为径向排列配置。记录层优选Bi含量小于等于28原子％，进一步优选含有Bi及Te的相变材料，更优选含有Bi、Ge及Te的相变材料。
本发明的第3方案的光盘为，优选在设置于上述凹槽和凹槽间的各报头部上记录有与上述凹槽和凹槽间相邻的凹槽和凹槽间的地址信息相关的信息。还有，上述地址信息优选含有与上述地址信息的记录位置相关的信息。
图7表示本发明第3方案的光盘的一例。图7的光盘为，在凹槽(沟槽)和凹槽间(台面)记录有数据(记录标记)(未图示)，如图7所示，通过使凹槽和凹槽间各自径向摆动形成各凹槽(沟槽)和凹槽间(台面)的地址信息。还有，如图7所示，在第1地址区域至第4地址区域形成各凹槽和凹槽间的报头部，各凹槽和凹槽间的报头部在光盘径向排列配置。图7的光盘中，把相邻的1组凹槽和台面作为1个轨道，并赋予相同轨道号。
还有，图7的光盘中，在给定凹槽和台面的报头部记录与给定凹槽和台面相邻的凹槽和台面的地址信息，这些地址信息记录在与记录有给定凹槽和台面的地址信息的地址领域不同的区域。例如，图7中的2k号凹槽中在第1地址区域记录第2k号的凹槽的地址信息G(2k)，在第2、第3及第4地址区域各自记录了第2号台面的地址信息L(2k)、第2k+1号凹槽的地址信息G(2k+1)及第2k-1号台面的地址信息L(2k-1)。还有，图7中的第2k号台面中在第2地址区域记录第2k号台面的地址信息L(2k)，在第3地址区域记录第2k+1号凹槽的地址信息G(2k+1)。图7的光盘例子中，例如图7中第2k号台面上的第1地址区域，如图7所示，成为第2k号凹槽的地址信息G(2k)和第2k+2号凹槽的地址信息G(2k+2)的边界部分，因此无地址信息。同样，图7中第2k号台面上的第4地址区域也如图7所示成为第2k-1号台面的地址信息L(2k-1)和第2k+1号台面的地址信息L(2k+1)的边界部分，因此无地址信息。
如图7所示光盘为，例如朝图7中虚线箭头方向用光束扫描第2k号凹槽以再现地址信息时，顺次检测出第2k号凹槽的地址信息G(2k)、第2k号台面的地址信息L(2k)、第2k+1号凹槽的地址信息G(2k+1)及第2k-1号台面的地址信息L(2k-1)。因此，朝图7中虚线箭头方向用光束扫描第2k号凹槽时，即使不能再现第2k号凹槽的地址信息G(2k)(第1地址区域的信息)，也能够从记录在其他地址区域的与第2k号凹槽相邻的台面和凹槽的地址信息以及其检测顺序等信息指定第2k号凹槽的地址信息G(2k)。进一步，各地址信息上如果记录有记录着地址信息的地址区域的位置信息，则能够更加容易地指定给定凹槽或台面的地址信息。
如上所述，如图7所示光盘，即使不能再现给定凹槽或台面的地址信息，也可以不把光束移向相邻台面或凹槽，能够更加容易且可靠地再现给定凹槽或台面的地址信息。因此，本发明第3方案的光盘为，即使为了增大容量而缩小轨道间距，也能够提高地址信息的可靠性。
还有，本发明第3方案的光盘为与第1方案的光盘相同由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成记录层，因此，即使一定程度增大形成地址信息的报头部的摆动的偏移量，也能够获得充分的数据信号品质，并且即使反复重写数据信息也可以抑制信号品质恶化。因此，本发明第3方案的光盘为不仅能够提高地址信息的可靠性，而且还能提高数据信息的反复重写特性。还有，与第1、第2方案的光盘相同，记录层优选Bi含量小于等于28原子％，进一步优选含有Bi及Te的相变材料，更优选含有Bi、Ge及Te的相变材料。
本发明第1～3方案的光盘为，优选在上述凹槽和台面的至少一方记录数据信息。
还有，本发明第1～3方案的光盘为，上述光盘的凹槽间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间的成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
并且，上述关系式中波长λ优选390nm～420nm。
本发明第1～3方案的光盘为，优选在上述凹槽和台面的双方记录上述数据信息。
本发明第1～3方案的光盘为，优选上述记录层中所含Bi、Ge及Te的组成比由((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey表示，x及y各自优选为0.3≤x＜1及0＜y≤0.4。
本发明第1～3方案的光盘优选使用波长为390nm～420nm的激光。这些激光与用于现有DVD的波长650nm的激光相比波长短，因此可以实现更大容量。但是，如果为了增大容量而集中光束直径，则激光斑中心部的能量密度就会比现有的增大，存在反复重写数据信息对光盘的损害程度增加的弊病。但是，本发明第1～3方案的光盘为，通过把记录层的Bi、Ge及Te组成比规定为((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)，解决了该问题。可以确认，通过使用这种组成范围的Bi-Ge-Te系相变材料作为记录层，能够抑制反复重写数据信息引起的信号品质恶化，可以使用短波长激光。
还有，如果使用凹槽和台面的双方作为记录轨道，可以实现更高密度记录。但是，因为此时记录标记宽度将会比台面宽度或凹槽宽度还稍窄，因此，在台面和凹槽边界附近将会产生上述数据信息的多次重写引起的再结晶“带”，引发报头部信号品质恶化的问题。特别，当轨道间距变窄时该问题尤其显著。但是，本发明第1～3方案的光盘为，通过把记录层的Bi、Ge及Te组成比规定为((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)，减少多次重写数据信息引起的再结晶“带”的影响，并且即使采用台面·凹槽记录，也能够抑制报头信号品质恶化。下面，详细说明用于本发明第1～3方案的光盘记录层的相变材料。
本发明第1～3方案的光盘为，由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成记录层。本发明者等人研究各种含有Bi的立方晶或正方晶化合物的结果，发现这些化合物还会促进结晶核生长速度。尤其，Bi含量小于等于28原子％的记录层会显著促进结晶核生长速度。如果促进了结晶核生长速度，在结晶化过程中核生长数就会增加，其结果难以使结晶粒径增大。即，在记录标记紧外侧形成的再结晶区域的结晶粒径将变小，从而可以减少粒径差异引起的反射率变动，减少对报头信号的不良影响。进一步，含有Bi的立方晶或正方晶化合物优选BiTe系化合物，其中更优选Bi2Te3。如果把Bi2Te3添加到结晶生长速度较慢的相变材料，可以获得结晶核生长速度大且结晶生长速度小的相变材料。如果使用这种材料就可以进一步缩小记录标记周边的再结晶区域宽度。其理由可以说明如下。当熔融区域的周边部从熔点被冷却时，在熔点紧下面的结晶生长在支配性的温度区域中产生再结晶区域，因此结晶生长速度越慢越能够使再结晶区域缩小。当结晶生长速度慢时，为了擦除数据而使记录标记全体进行结晶化时，存在不能高速进行的问题，但如果结晶核生长速度快且形成有多数核，则能够高速结晶。本发明者们多方面研究相变材料的结果发现GeTe系材料最适合。
如历来例子(例如特开昭62-209741)公开，由Bi-Ge-Te系相变材料形成的记录层的实用组成范围处于以Bi、Ge及Te为顶点的三角组成图的连接GeTe和Bi2Te3的区域。但是，本发明者们根据验证实验发现，通过用比连接GeTe和Bi2Te3的线要过剩添加Ge的区域的相变材料形成记录层，可获得信号品质良好，且对于反复重写数据信息具有进一步优异的耐久性的光盘。该原因可考虑如下。
Bi-Ge-Te系相变材料在目前已知的范围有GeTe、Bi2Te3、Bi2Ge3Te6、Bi2GeTe4、Bi4GeTe7等化合物。虽然因Bi-Ge-Te系材料组成而异，但对记录层照射光束熔融后紧接着发生再结晶时，认为从Bi、Ge、Te及上述化合物中按照熔点高的物质的顺序从熔融区域外周进行再结晶。下面，按照熔点高的顺序如下排列这些物质。
Ge：约937℃
GeTe：约725℃
Bi2Ge3Te6：约650℃
Bi2Te3：约590℃
Bi2GeTe4：约584℃
Bi4GeTe7：约564℃
Te：约450℃
Bi：约271℃
即，Ge的熔点最高，由此考虑以Bi、Ge、Te为顶点的三角组成图的连接GeTe和Bi2Te3的线要过剩添加Ge的Bi-Ge-Te系相变材料形成的记录层中，在记录层的熔融区域(记录标记)的外周部容易偏析Ge。因此，考虑通过在熔融区域的外边部过剩存在Ge，熔融区域外边部的结晶速度变慢，其结果抑制从外边部进行再结晶，其结果，可抑制产生多次重写数据信息引起的再结晶“带”。还有，与上述现象相同，在轨道(记录标记)中心附近容易偏析熔点更低的材料，从而结晶化速度变成高速，在高速记录时也能够获得良好的擦除性能。但是，如果过分过剩添加Ge，就会导致结晶速度降低，因此需要添加适量Ge，这是很重要的。
还有，从非晶态记录标记的保存寿命角度考虑，作为形成记录层的材料的重要的特性为，不存在多个非晶态的相，并且记录层材料的结晶温度高，进而非晶态部分进行结晶时的活化能大。本发明者们发现以Bi、Ge、Te为顶点的三角组成图的Ge50Te50附近的组成可以满足上述条件。这被认为是，如在历来例子中也有公开，随着GeTe的结晶速度高达200℃程度，组成接近于Bi2Te3，结晶温度降低的缘故。
还有，本发明者们通过验证实验还发现，在Ge50Te50附近时经长期保存后非晶态也难以发生变化，能够获得良好的擦除特性。但是还发现，如果GeTe量过多，则结晶速度降低，无法进行高速记录，因为如果Bi2Te3量过多，则结晶温度下降，因此会导致保存寿命缩短。因此，最适宜作为记录层的组成为，在Ge50Te50中添加适量的Bi2Te3，并且存在过剩Ge的Bi-Ge-Te系材料。具体讲，本发明者们发现可以使用Bi、Ge及Te组成比为((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)的相变材料形成记录层。还有，通过相邻于记录层设置含有Bi2Te3、SnTe、PbTe等的核生成层，能够进一步提高抑制再结晶的效果。本发明光盘为，只要记录层材料满足上述组成范围的关系，则即使混入杂质，只要杂质的原子％小于等于1％，就不会失去本发明的效果。
本发明第1～3方案的光盘为，优选形成于上述记录层中的上述数据信息的记录部分的反射率低于未记录部分的反射率，上述未记录部分的反射率优选大于或等于10％。由此，可以进一步提高通过使凹槽或凹槽间朝光盘的径向偏移进行记录的地址信息的信号电平。
本发明第1～3方案的光盘为，优选上述光盘进一步具备保护层、中间层及热扩散层，从记录再现用光束入射侧顺次设置保护层、记录层、中间层及热扩散层，该保护层的膜厚为40nm～80nm，该记录层的膜厚为5nm～25nm，该中间层的膜厚为30nm～60nm，并且该热扩散层的膜厚为30nm～300nm。
还有，本发明第1～3方案的光盘为，上述中间层的膜厚优选为大于上述凹槽深度的0.8倍。
通过以如上所述膜构成制作光盘，在给定轨道记录数据信息时，能够抑制与给定轨道相邻的轨道的数据信息的一部分消失这种串擦(cross erase)。这样有利于轨道间距变窄的情况，尤其有利于把凹槽(groove)和凹槽间(台面)双方作为记录轨道使用的情况。
串擦是通过在给定轨道记录信息时热朝光盘径向扩散，已经记录在相邻轨道的非晶态的记录标记受热，导致其中一部分发生结晶的现象，当为了实现大容量而缩小轨道间距时该现象就会显著。尤其把凹槽(groove)和凹槽间(台面)双方用作记录轨道时，凹槽的串擦(在台面记录时，记录在相邻凹槽的非晶态标记的一部分发生结晶的现象)增多。
发生串擦的原因可以考虑如下2个原因。
(1)当非晶态形成记录标记时产生的标记周围的再结晶区域大时，为了形成给定宽度的记录标记，不得不熔融更宽宽度的区域。其结果，对相邻轨道的热扩散增大，产生串擦。
(2)从光束入射侧至少以保护层、记录层、中间层及热扩散层的顺序设置各层且为台面·凹槽记录的光盘时，由于凹槽的落差，台面上的记录层与相邻的凹槽上的热扩散层处于几乎相同的高度，台面上的热容易从台面上的记录层扩散到相邻的凹槽上的热扩散层。其结果，从台面到凹槽的热泄漏增大，导致凹槽的串擦增大。
上述(1)原因造成的串擦可以通过用含有满足上述组成式的Bi、Ge及Te的相变材料形成记录层来抑制记录层的再结晶。
上述(2)原因造成的串擦可以使台面上的记录层与相邻的凹槽上的热扩散层构成为处于不同高度来解决。作为能够实现该目的的光盘的膜构成，从记录再现用激光入射侧按照顺序至少设置保护层、记录层、中间层及热扩散层，中间层的膜厚优选大于上述凹槽深度的0.8倍。
还有，台面·凹槽记录的光盘为，再现给定轨道的数据信息时，需要抑制相邻轨道的数据信息泄漏的现象，即串扰(cross talk)。因此，已知当激光波长为λ、存在于光入射侧的基材的折射率为n时，凹槽深度优选为λ/5n～λ/7n程度(如参照特许第2697555号，Miyagawa et.al.，Land and GrooveRecording High Track Density on Phase-Change Optical Disks：Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.32(1993)：p.5324～5328)。因此，使用波长405nm的激光，并使用n＝1.6程度的塑料材料作为基材时，成为串扰抵消(cross talk cancel)的凹槽深度为36～51nm。为了使中间层的膜厚成为该凹槽深度的0.8倍，中间层的膜厚最少也必须在29～41nm程度。当中间层的膜厚比该值厚时，可以减少串擦。
本发明第1～3方案的光盘为，形成上述中间层的材料优选含有大于等于25％的对于记录再现用光束的波长λ的折射率小于等于1.7且消光系数小于等于0.1的材料。尤其优选形成上述中间层的材料含有SiO2及Al2O3中的至少一种。
作为本发明光盘的中间层所必须的性能为，对于记录再现用激光波长透明，并且在能够熔融记录层的高温稳定。这种材料迄今已知有多种，目前研究的物质包括氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、硒化物等，或它们的混合物等。并且如上所述，为了抑制串擦，中间层的膜厚的值需要大于凹槽深度的0.8倍，同时需要能够确保充分的反射率，并且在光学上使其最佳化为，所得记录层内的晶态和非晶态的对比度(contrast)大。还有，台面·凹槽记录的光盘还需要使台面和凹槽的信号品质相等。
本发明者们对上述材料进行各种研究的结果，发现通过使用含有大于等于25％的折射率小于等于1.7且消光系数小于等于0.1的材料作为中间层，即使为了减少串擦使中间层的膜厚大于凹槽深度的0.8倍，也不会对反射率或对比度带来不良影响，并且能够把台面与凹槽的信号品质之差抑制在小范围。
如果用含有大于等于75％的折射率大于等于1.7的折射率大的材料形成中间层，则为了减少串擦而一定程度增加膜厚时，将会发生反射率低下、对比度低下、产生台面·凹槽信号的特性差等现象中的某一种或全部现象。相反，如果想要变薄中间层的膜厚，抑制反射率低下和对比度低下现象，并且台面·凹槽信号的特性差变小，就无法减少串擦。
还有，从热稳定性角度考虑，形成中间层的材料中所含材料优选SiO2、Al2O3。其中，如果使用SiO2，因为它的折射率小，约为1.4，所以能够进一步增加中间层的膜厚，可以进一步减少串擦，从该角度考虑是更优选的。如果使用Al2O3，介质的噪声变小，记录信号的噪声变小，从该角度考虑是更优选的。
本发明第1～3方案的光盘为，只要能够根据能量射束的照射产生热，并根据该热发生原子排列变化，由此进行信息记录的信息记录介质，就都可以适用。尤其与信息记录介质的形状无关，还能适用于光卡片等圆盘形信息记录介质以外的信息记录介质。
本发明第1～3方案的光盘为，以在记录层的光入射侧配置基板等介质构成作为前提，但本发明并不限定于此，也可以是在记录层的光入射侧的相反侧配置基板，而在光入射侧配置了比基板薄的保护板(sheet)等保护材料的构成。
本发明的第4方案提供一种光盘的记录再现装置，该光盘具备形成有多个凹槽的基板和设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层，在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移来记录该凹槽地址信息的报头部，各凹槽的该报头部为径向排列配置。该记录再现装置的特征在于：具备旋转该光盘的旋转控制部、向该光盘照射光束的光头(head)、基于该光头检测出的再现信号进行信号再现的再现信号处理电路、管理在该再现信号处理电路再现的该地址信息的地址信息管理部，当记录在该光盘的给定凹槽的地址信息无法再现时，该地址信息管理部将基于与该给定凹槽相邻的凹槽的地址信息再现该给定凹槽的地址信息。
本发明的第4方案的记录再现装置是一种用于对以图2所示格式记录有地址信息的光盘进行信息的记录与再现的记录再现装置。图5表示本发明的第4方案的记录再现装置的一例。本发明的第4方案的记录再现装置因具备即使无法从给定轨道的报头部获得地址信息，也能够基于相邻轨道的地址信息来指定给定轨道的地址信息的地址信息管理部(图5中由1点虚线包围的区域25)，因此，即使由于高密度记录而无法充分确保报头部信号品质的情况，或者由于反复重写数据信息而报头部信号品质恶化的情况，也能够可靠地再现地址信息。
本发明的第5方案提供一种光盘的记录再现装置，该光盘具备形成有多个凹槽的基板和设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层，在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移而记录该凹槽地址信息的报头部，该凹槽的该报头部和与该凹槽相邻的凹槽的报头部相互在圆周方向错开配置。该记录再现装置的特征在于：具备旋转该光盘的旋转控制部、向该光盘照射光束的光头、基于该光头检测出的再现信号进行信号再现的再现信号处理电路、管理由该再现信号处理电路再现的该地址信息的地址信息管理部，当记录在该光盘的给定凹槽的地址信息无法再现时，该地址信息管理部将基于与该给定凹槽相邻的凹槽的地址信息再现该给定凹槽的地址信息。
本发明的第5方案的记录再现装置是一种用于对以图6所示格式记录有地址信息的光盘进行信息的记录与再现的记录再现装置。图5表示本发明的第5方案的记录再现装置的一例。本发明的第5方案的记录再现装置具备如图6所示能够从用光束照射光盘的给定凹槽间(台面)上时获得的两个地址信息(给定轨道的地址信息和相邻轨道的地址信息)、以及从对于光束扫描方向的地址信息的检测侧(右侧或左侧)的信息、来指定给定轨道的地址信息的地址信息管理部(图5中由1点虚线包围的区域25)。因此，用光束照射给定凹槽间(台面)上时，即使仅检测出1个地址信息，也能够从检测出的地址信息和其检测侧的信息确定给定轨道的地址信息，从而即使是由于高密度记录而摆动量减少，导致无法充分确保报头信号品质的情况，或者由于反复重写数据信息而报头部信号品质恶化的情况，也能够可靠地再现地址信息。
本发明的第6方案提供一种光盘的记录再现装置，其具备形成有多个凹槽的基板和设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层。在该凹槽和凹槽间设置有各自记录该凹槽和凹槽间的地址信息的报头部，该凹槽和凹槽间的地址信息是通过使该凹槽和凹槽间各自径向偏移来形成，各凹槽和凹槽间的报头部为径向排列配置。该记录再现装置的特征在于：具备旋转该光盘的旋转控制部、向该光盘照射光束的光头、基于该光头检测出的再现信号进行信号再现的再现信号处理电路、管理由该再现信号处理电路再现的该地址信息的地址信息管理部，当记录在该光盘的给定凹槽或凹槽间的地址信息无法再现时，该地址信息管理部将基于与该给定凹槽或凹槽间相邻的凹槽和凹槽间的地址信息再现该给定凹槽或凹槽间的地址信息。
本发明的第6方案的记录再现装置是一种用于对以如图7所示格式记录有地址信息的光盘进行信息的记录与再现的记录再现装置。图5表示本发明的第6方案的记录再现装置的一例。本发明的第6方案的记录再现装置具备能够从用光束照射如图7所示光盘的给定凹槽(沟槽)或凹槽间(台面)时获得的多个地址信息、以及检测出的地址信息的检测顺序等信息(或者检测区域的信息)、来确定给定凹槽或台面的地址信息的地址信息管理部(图5中由1点虚线包围的区域25)。因此，用光束照射给定凹槽或台面时，即使无法检测出给定凹槽或台面的地址信息，也能够从检测出的剩余地址信息和其检测顺序等信息来确定给定凹槽或台面的地址信息。因此，即使是由于高密度记录而摆动量减少，导致无法充分确保报头信号品质的情况，或者由于反复重写数据信息而报头部信号品质恶化的情况，也能够可靠地再现地址信息。
本发明的第7方案提供一种光盘的地址信息管理方法，所述光盘具备形成有多个凹槽的基板和设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层。在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移来记录该凹槽地址信息的报头部，各凹槽的该报头部为径向排列配置。该地址信息管理方法的特征在于：当记录在该光盘的给定凹槽的地址信息无法再现时，能够基于与该给定凹槽相邻的凹槽的地址信息再现该给定凹槽的地址信息。
本发明的第8方案提供一种光盘的地址信息管理方法，所述光盘具备形成有多个凹槽的基板和设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层。在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移来记录该凹槽地址信息的报头部，该凹槽的该报头部和与该凹槽相邻的凹槽的报头部相互在圆周方向错开配置。该地址信息管理方法的特征在于：当记录在该光盘的给定凹槽的地址信息无法再现时，能够基于与该给定凹槽相邻的凹槽的地址信息再现该给定凹槽的地址信息。
本发明的第9方案提供一种光盘的地址信息管理方法，所述光盘具备形成有多个凹槽的基板和设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层。在该凹槽和凹槽间设置有各自记录该凹槽和凹槽间的地址信息的报头部，该凹槽和凹槽间的地址信息是通过使该凹槽和凹槽间各自径向偏移来形成，各凹槽和凹槽间的报头部为径向排列配置。该地址信息管理方法的特征在于：当记录在该光盘的给定凹槽或凹槽间的地址信息无法再现时，能够基于与该给定凹槽或凹槽间相邻的凹槽和凹槽间的相关信息再现该给定凹槽或凹槽间的地址信息。
本发明的第4～9方案的记录再现装置和地址信息管理方法中，也可以使用电子束等能量射束作为照射到光盘上的能量射束。本说明书中有时也会用激光或光束表示能量射束。
根据本发明光盘、记录再现装置及地址信息管理方法，如上所述，即使记录在给定轨道的地址信息无法再现，也能够从相邻轨道的地址信息更加容易且可靠地确定给定轨道的地址信息。因此，即使为了增加容量而缩小轨道间距，也能够提高地址信息的可靠性。还有，在记录有地址信息的区域也能够记录数据信息，因此，可以提高格式效率。
还有，根据本发明光盘，因为由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成记录层，因此，即使一定程度增大形成地址信息的报头部的摆动的偏移量，也能够获得充分的数据信号品质，并且即使反复重写数据信息也能够抑制信号品质恶化。因此，本发明光盘不仅能够提高地址信息的可靠性，还能够提高数据信息的反复重写特性。
附图说明
图1表示实施例1中制作的光盘的概略截面图。
图2表示实施例1中制作的光盘的地址区域的概略构成图。
图3表示摆动图案与所记录信息的关系示意图，图3(a)为对应于信息“0”的摆动图案、图3(b)为对应于信息“1”的摆动图案、图3(c)为由5个摆动表示1个比特信息的摆动图案。
图4表示为了对实施例1中制作的各种光盘进行信息记录及再现而使用的信息记录再现装置的概略构成图。
图5表示用于实施例2的记录再现装置的概略构成图。
图6表示实施例3中制作的光盘的地址区域的概略构成图，图6(a)为概略平面图、图6(b)为从地址区域检测出的信号与其检测位置与轨道号之间的关系示意图。
图7表示实施例4中制作的光盘的地址区域的概略构成图，图7(a)为概略平面图、图7(b)为从地址区域检测出的信号与其检测位置与轨道号之间的关系示意图。
图8表示用于本发明光盘的记录层的Bi-Ge-Te系相变材料的适宜组成范围示意图。
图9表示本发明光盘的另一方案例子，为包含吸收率控制层时的概略截面图。
具体实施方式
下面，说明本发明光盘及记录再现装置的实施例，但本发明并不限定于此。
实施例1
光盘
在实施例1制作相变记录方式的光盘。图1表示在该例中制作的光盘的概略截面图。如图1所示，在该例中制作的光盘10的结构为在基板1上顺次层积了保护层2、第1热稳定层3、记录层4、第2热稳定层5、中间层6、热扩散层7、UV树脂层8及透明基板9。接着说明该例子的光盘的制作方法。
首先，由注塑成型法使用压模机制作直径120mm、厚度0.6mm的聚碳酸酯制基板1。此时，在基板1上，在光盘的从半径23.8mm至58.6mm的记录区域形成轨道间距0.34μm、深度45nm的凹槽(沟槽)。以93信道比特(channelbit)周期对凹槽实施摆动。此外，这里准备了对于轨道间距的摆动量(峰对峰值)为1.5％～10％的各种基板1(10种)。
接着，在基板1上由溅射法形成膜厚58nm的(ZnS)80(SiO2)20作为保护层2。接着，在保护层2上由溅射法形成膜厚1nm的Ge8Cr2-N(表示相对比)作为第1热稳定层3。
接着，在第1热稳定层3上由溅射法形成膜厚13nm的记录层4。此时，同时溅射富Ge的Ge50Te50靶和Bi2Te3靶形成记录层4，使记录层4的组成为比以Bi、Ge、Te为顶点的三角组成图的连接Ge50Te50和Bi2Te3的线要过剩添加Ge的组成，具体讲成为((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)。通过各自调节施加到2种靶上的溅射功率来形成期望组成的记录层4。
还有，该例子中制作多种以Bi、Ge、Te为顶点的三角组成图的Ge51Te49-Bi2Te3线上的组成膜和Bi4Ge43Te53-Ge线上的组成膜作为记录层4。
具体讲，制作了6种Ge51Te49-Bi2Te3线上的组成膜，包括Bi2Ge49Te49、Bi5Ge45Te50、Bi10Ge38Te52、Bi15Ge32Te53、Bi20Ge26Te54及Bi25Ge20Te55。并且为了比较还制作了属于Ge51Te49-Bi2Te3线上的组成膜且在上述组成范围之外的组成膜Ge51Te49及Bi28Ge16Te56。
制作了3种Bi4Ge43Te53-Ge线上的组成膜。包括Bi4Ge46Te50、Bi3Ge50Te47及Bi3Ge59Te38。并且为了比较还制作了属于Bi4Ge43Te53-Ge线上的组成膜且在上述组成范围之外的组成膜Bi4Ge43Te53及Bi2Ge70Te28。
在用上述方法形成的记录层4上由溅射法形成膜厚1nm的Ge8Cr2-N(相对比)作为第2热稳定层5。接着，在第2热稳定层5上由溅射法形成膜厚48nm的(ZnS)50(SiO2)50作为中间层6。进一步，在中间层6上由溅射法形成膜厚150nm的Al99Ti1作为热扩散层7。
接着，在热扩散层7上涂布紫外线固化树脂作为UV树脂层8，其上进一步，放置厚度0.6mm的聚碳酸酯制透明基板9，通过穿越透明基板9进行UV照射，使紫外线固化树脂固化，把透明基板9粘贴到UV树脂层8上。根据以上制造方法获得图1所示光盘10。
在该例子中用于溅射法的装置为具有多个溅射室，在一个溅射室可以同时放入8张直径120mm的基板。
报头部的构成
图2表示在该例子中制作的光盘的报头部附近的凹槽和台面的结构。如图2所示，对形成于该例子中制作的光盘的从半径23.8mm至58.6mm的记录区域的凹槽，以93信道比特的周期实施偏移。这里，如上所述对于轨道间距的摆动量(峰对峰值)为1.5％～10％。
该例的光盘为如图2所示，通过改变凹槽的径向摆动图案来形成轨道的地址信息。还有，报头部(图2中的地址区域)配置成在光盘的径向排列。还有，在该例中制作的光盘为如图2所示，在地址区域及其他区域的凹槽和台面上把数据信息作为记录标记进行记录(台面·凹槽记录)。该例子的光盘为如图2所示，把相邻的1组凹槽和台面作为1个轨道，并赋予相同轨道号。即图2的光盘中形成于凹槽的地址信息成为包含该凹槽的轨道的地址信息。
在图3表示地址信息与凹槽的摆动图案之间的关系。图3(a)及(b)的凹槽的摆动图案为由4个摆动形成1个比特信息的例子，图3(c)的凹槽的偏移图案为由5个摆动形成1个比特信息的例子。在该例子中制作的光盘为如图3(a)所示，从图面左侧凹槽在光盘径向朝外周侧、内周侧、外周侧、内周侧及外周侧偏移的图案作为信息“0”，与图3(a)的摆动图案相反的图3(b)的凹槽的摆动图案作为信息“1”。
在该例子中制作的光盘为，由2个摆动形成1个比特，各轨道的地址信息为如图2所示由3个比特(6个摆动)形成。该地址区域设置在每84个摆动，地址区域为如图2所示配置成在光盘的径向排列。地址区域以外的大部分区域是由对应于信息“0”的摆动图案形成摆动。其中，在地址信息开始之前的1个比特量区域(图2中的地址区域的左侧区域)形成对应于信息“1”的摆动图案的摆动。
由图2所示格式构成报头部的光盘为，当再现给定凹槽(轨道)的地址信息遭到失败时，把光束移动到相邻凹槽检测相邻凹槽的地址信息。然后，由相邻凹槽的地址信息确定给定凹槽的地址信息。此时，在该例子中制作的光盘为图2所示，因为凹槽的地址区域配置在了径向的相同位置，因此，只需把光束移动到相邻凹槽就可以获得相邻凹槽的地址信息。因此，即使再现给定凹槽的地址信息遭到失败，也可以从相邻凹槽的地址信息迅速且容易地确定给定凹槽的地址信息。
信息记录再现装置
在图4表示用于对在该例子中制作的光盘进行信息记录及再现的信息记录再现装置的概略构成图。用于该例子中的信息记录再现装置100为如图4所示，主要由用于旋转在该例子中制作的光盘10的电动机11、对光盘10照射激光的光头12、用于控制跟踪的L/G伺服电路13、再现信号处理系统14、记录信号处理系统17构成。再现信号处理系统14为如图4所示由调节再现信号的增益的前置放大器电路15、基于再现信号进行信息再现的1-7解调器19构成。记录信号处理系统17为如图4所示由以给定调制方式使输入信号调制的1-7调制器20、生成记录信号波形的记录波形产生电路19、控制激光发光的激光驱动电路18构成。
用于该例子的光头12具备波长405nm的半导体激光和数值孔径NA为0.65的物镜。一般来说，由数值孔径NA的物镜聚焦激光波长λ的激光时，激光的光斑径成为0.9×λ/NA，此时，激光的光斑径为约0.6μm。但是，该例子中激光的偏振光为圆偏振光。还有，该例子中把轨道间距TP定在0.34μm，因此轨道间距TP、波长λ、数值孔径NA之间成立关系式：TP＝0.55×(λ/NA)。
还有，因为在该例子中制作的光盘为台面·凹槽记录方式的光盘，因此图4所示信息记录再现装置100也对应于台面·凹槽记录方式。该例子的信息记录再现装置100为，可以根据图4所示L/G伺服电路13任意选择对于台面和凹槽的跟踪。
下面，使用图4说明信息记录再现装置100的工作状况。进行记录再现时的电动机控制方法采用对进行记录再现的每个区(zone)变化光盘的转速的ZCLV(区域固定线速度)方式。还有，该例子中在进行信息记录时采用标记边缘(mark edge)方式，用1-7调制方式在光盘10上记录信息。该调制方式中信息被记录成2T～8T的标记长度。该例子中记录成最短2T的标记长度为约0.17μm，最长8T的标记长度为约0.7μm。这里，T表示记录信息时的时钟(clock)周期，该例子中T＝15.4ns。
首先，从记录装置外部向1-7调制器20输入信息记录所需信号。接着，向1-7调制器20输入的信号由1-7调制方式被调制，输出2T～8T的数字信号。接着，由1-7调制器20输出的2T～8T的数字信号被输入到记录波形产生电路19。
在记录波形产生电路19基于2T～8T的数字信号生成用于记录信息时激光照射所需的多脉冲(multi pulse)记录波形。该例子中由宽度为约T/2的高功率脉冲和形成于高功率脉冲之间且宽度为约2/T的小功率脉冲构成的一连串脉冲序列形成多脉冲记录波形的高功率级区域。并且，由中功率级脉冲构成多脉冲记录波形的上述一连串脉冲序列之间的区域。此时，对每个进行记录再现的光盘，把用于在记录层形成记录标记的高功率级脉冲强度和用于使记录标记发生结晶的中等功率级脉冲强度调节成最佳值。
还有，在记录波形产生电路19内，把2T～8T的数字信号波形按照时序交互对应成“0”和“1”，“0”时照射中等功率级的激光脉冲，“1”时照射上述由高功率脉冲和低功率脉冲构成的一连串脉冲序列。此时，照射了中等功率级激光脉冲的光盘10上的部位成为晶态，照射了上述由高功率脉冲和低功率脉冲构成的一连串脉冲序列的部位则变成非晶态(标记部)。进一步，记录波形产生电路19具有，形成上述由高功率脉冲和低功率脉冲构成的一连串脉冲序列时根据标记部的前后距离长度来变化多脉冲波形的前端脉冲宽度和最后端脉冲宽度的方式(适应型记录波形控制)所对应的多脉冲波形表(table)，由此产生能够极力排除产生于标记间的标记间热干涉影响的多脉冲记录波形。
接着，在记录波形产生电路19生成的多脉冲记录波形被传送到激光驱动电路18，激光驱动电路18基于输入的多脉冲记录波形控制光头12内的半导体激光的发光。然后，根据光头12内的物镜把从半导体激光器射出的激光集中到光盘10的记录层上，以对应于多脉冲记录波形的定时(timing)照射激光进行信息记录。
接着，说明如上所述记录的信息的再现工作状况。还有，从光头12把激光照射到光盘10的记录标记上，用光头12检测来自记录标记和记录标记以外部分(未记录部分)的反射光来获得再现信号。由前置放大器电路15使该再现信号的振幅以给定增益放大，传送到1-7解调器16。在1-7解调器16基于输入的再现信号解调信息，输出再现数据。根据以上工作完成记录标记的再现。
误码率(error rate)的评价
把根据上述制造方法制作的各种光盘，即变化了凹槽摆动量和记录层组成的各种光盘各自安装到图4所示信息记录再现装置，测定地址信息和数据信息的误码率，评价地址信号品质和数据信号品质。这里，测定未记录状态(初始状态)的地址信息的误码率、初次记录时的地址信息和数据信息的误码率、以及重写1000次时的地址信息和数据信息的误码率。测定数据信息误码率时，把记录标记长度2T～8T的随机图案作为数据信息进行记录并再现。将其结果示于表1～13。其中，如表1～13所示，本实施例的评价结果由◎、○、×表示，其判断标准如下。
◎：误码率小于等于5×10-5  ○：误码率小于等于1×10-4
×：误码率大于1×10-4
首先，把记录层组成为Ge51Te49-Bi2Te3线上的光盘的各种误码率的测定结果表示在表1～8中。表1和表8为Ge51Te49-Bi2Te3线上的组成膜且记录层的组成范围在((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)以外的组成膜(Ge51Te49及Bi28Ge16Te56)的评价结果。
表1
                                  记录层的组成：Ge51Te49
    摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)     地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5   ×   ×   ○     ×   ○
    2.5   ○   ×   ○     ×   ×
    3   ◎   ○   ×     ×   ×
    3.5   ◎   ○   ×     ×   ×
    4   ◎   ○   ×     ○   ×
    5   ◎   ○   ×     ○   ×
    7   ◎   ◎   ×     ○   ×
    10   ◎   ◎   ×     ○   ×
当记录层的组成为Ge51Te49时，可以从表1知道，在该例子中制作的摆动量范围内无法获得所有评价项目处于○评价以上的光盘。
表2
                                记录层的组成：Bi2Ge49Te49
    摆动量(％)     地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5     ×   ×   ◎   ×   ◎
    2.5     ○   ×   ◎   ×   ◎
    3     ◎   ○   ◎   ○   ◎
    3.5     ◎   ◎   ◎   ○   ○
    4     ◎   ◎   ○   ◎   ○
    5     ◎   ◎   ○   ◎   ○
    7     ◎   ◎   ○   ◎   ○
    10     ◎   ◎   ○   ◎   ×
当记录层的组成为Bi2Ge49Te49时，从表2可以知道，摆动量在3％～7％范围的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表2可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为10％的光盘为，因摆动量大以及根据1000次重写引起的记录层的恶化而导致数据信息的误码率增大，1000次重写时的误码率评价为×。
表3
                                记录层的组成：Bi5Ge45Te50
    摆动量(％)     地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5     ×   ×   ◎   ×   ◎
    2.5     ○   ×   ◎   ×   ◎
    3     ◎   ○   ◎   ○   ◎
    3.5     ◎   ◎   ◎   ○   ○
    4     ◎   ◎   ○   ○   ○
    5     ◎   ◎   ○   ◎   ○
    7     ◎   ◎   ○   ◎   ×
    10     ◎     ◎   ×   ◎   ×
当记录层的组成为Bi5Ge45Te50时，从表3可以知道，摆动量在3％～5％范围的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表3可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为7％的光盘为，因摆动量大以及根据1000次重写引起的记录层的恶化而导致数据信息的误码率增大，1000次重写时的误码率评价为×。还有，摆动量为10％的光盘为，因摆动量过大所以误码率增大，与数据信息的记录次数无关数据信息的误码率全部评价为×。
表4
                               记录层的组成：Bi10Ge38Te52
    摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5   ×   ×   ◎   ×   ◎
    2.5   ○   ×   ◎   ×   ◎
    3   ◎   ○   ◎   ○   ○
    3.5   ◎   ○   ○   ○   ○
    4   ◎   ◎   ○   ○   ○
    5   ◎   ◎   ○   ○   ○
    7   ◎   ◎   ×   ◎   ×
    10   ◎   ◎   ×   ◎   ×
当记录层的组成为Bi10Ge38Te52时，从表4可以知道，摆动量在3％～5％范围的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表4可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为7％～10％的光盘为，因摆动量过大所以误码率增大，与数据信息的记录次数无关数据信息的误码率全部评价为×。
表5
                                记录层的组成：Bi15Ge32Te53
    摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5   ×   ×   ◎   ×   ◎
    2.5   ○   ×   ◎   ×   ○
    3   ◎   ○   ○   ○   ○
    3.5   ◎   ○   ○   ○   ○
    4   ◎   ○   ○   ○   ○
    5   ◎   ◎   ×   ○   ×
    7   ◎   ◎   ×   ○   ×
    10   ◎   ◎   ×   ◎   ×
当记录层的组成为Bi15Ge32Te53时，从表5可以知道，摆动量在3％～4％范围的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表5可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为5％～10％的光盘为，因摆动量过大所以误码率增大，与数据信息的记录次数无关数据信息的误码率全部评价为×。
表6
                                  记录层的组成：Bi20Ge26Te54
    摆动量(％)     地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5     ×   ×   ◎   ×   ○
    2.5     ○   ×   ○   ×   ○
    3     ◎   ○   ○   ○   ○
    3.5     ◎   ○   ○   ○   ○
    4     ◎   ○   ○   ○   ×
    5     ◎   ○   ×   ○   ×
    7     ◎   ○   ×   ○   ×
    10     ◎   ◎   ×   ○   ×
当记录层的组成为Bi20Ge26Te54时，从表6可以知道，摆动量在3％～3.5％范围的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表6可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为4％的光盘为，因摆动量大以及根据1000次重写引起的记录层的恶化而导致数据信息的误码率增大，1000次重写时的误码率评价为×。还有，摆动量为5％～10％的光盘为，因摆动量过大所以误码率增大，与数据信息的记录次数无关数据信息的误码率全部评价为×。
表7
                                记录层的组成：Bi25Ge20Te55
  摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
1.5 × × ○ × ○
  2.5   ○   ×   ○   ×   ○
  3   ◎   ○   ○   ○   ○
  3.5   ◎   ○   ○   ○   ×
  4   ◎   ○   ×   ○   ×
  5   ◎   ○   ×   ○   ×
  7   ◎   ○   ×   ○   ×
  10   ◎   ○   ×   ○   ×
当记录层的组成为Bi25Ge20Te55时，从表7可以知道，摆动量在3％的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表7可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为3.5％的光盘为，因摆动量大以及根据1000次重写引起的记录层的恶化而导致数据信息的误码率增大，1000次重写时的误码率评价为×。还有，摆动量为4％～10％的光盘为，因摆动量过大所以误码率增大，与数据信息的记录次数无关数据信息的误码率全部评价为×。
表8
                             记录层的组成：Bi28Ge16Te56
    摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5   ×   ×   ○   ×   ○
    2.5   ○   ×   ○   ×   ○
    3   ◎   ×   ○   ×   ×
    3.5   ◎   ○   ×   ×   ×
    4   ◎   ○   ×   ○   ×
    5   ◎   ○   ×   ○   ×
    7   ◎   ○   ×   ○   ×
    10   ◎   ○   ×   ○   ×
当记录层的组成为Bi28Ge16Te56时，从表8可以知道，在该例子中制作的摆动量范围内无法获得所有评价项目处于○评价以上的光盘。
接着，把记录层组成在Bi4Ge43Te53-Ge线上的光盘的各种误码率的测定结果表示在表9～13中。表9和表13为Bi4Ge43Te53-Ge线上的组成膜且记录层的组成范围在((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)以外的组成膜(Bi4Ge43Te53及Bi2Ge70Te28)的评价结果。
表9
                                记录层的组成：Bi4Ge43Te53
    摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5   ×   ×   ○   ×   ○
    2.5   ○   ×   ○   ×   ○
    3   ◎   ×   ○   ×   ×
    3.5   ◎   ○   ×   ×   ×
    4   ◎   ○   ×   ○   ×
    5   ◎   ○   ×   ○   ×
    7   ◎   ○   ×   ○   ×
    10   ◎   ○   ×   ○   ×
当记录层的组成为Bi4Ge43Te53时，从表9可以知道，在该例子中制作的摆动量范围内无法获得所有评价项目处于○评价以上的光盘。
表10
                             记录层的组成：Bi4Ge46Te50
    摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5   ×   ×   ◎   ×   ◎
    2.5   ○   ×   ◎   ×   ◎
    3   ◎   ○   ◎   ○   ◎
    3.5   ◎   ◎   ○   ○   ○
    4   ◎   ◎   ○   ◎   ○
    5   ◎   ◎   ○   ◎   ○
    7   ◎   ◎   ○   ◎   ○
    10   ◎   ◎   ○   ◎   ×
当记录层的组成为Bi4Ge46Te50时，从表10可以知道，摆动量在3％～7％范围的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表10可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为10％的光盘为，因摆动量大以及根据1000次重写引起的记录层的恶化而导致数据信息的误码率增大，1000次重写时的误码率评价为×。
当记录层的组成为Bi3Ge50Te47时，从表11可以知道，摆动量在3％～4％范围的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表11可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为5％～7％的光盘为，因摆动量大以及根据1000次重写引起的记录层的恶化而导致数据信息的误码率增大，1000次重写时的误码率评价为×。还有，摆动量为10％的光盘为，因摆动量过大所以误码率增大，与数据信息的记录次数无关数据信息的误码率评价为×。
表11
                               记录层的组成：Bi3Ge50Te47
    摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5   ×   ×   ◎   ×   ◎
    2.5   ○   ×   ◎   ×   ◎
    3   ◎   ○   ◎   ○   ○
    3.5   ◎   ◎   ○   ○   ○
    4   ◎   ◎   ○   ◎   ○
    5   ◎   ◎   ○   ◎   ×
    7   ◎   ◎   ○   ◎   ×
    10   ◎   ◎   ×   ◎   ×
表12
                                  记录层的组成：Bi3Ge59Te38
    摆动量(％)   地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5   ×   ×   ◎   ×   ○
    2.5   ○   ×   ◎   ×   ○
    3   ◎   ○   ○   ○   ○
    3.5   ◎   ○   ○   ○   ×
    4   ◎   ○   ○   ○   ×
    5   ◎   ○   ×   ○   ×
    7   ◎   ○   ○   ○   ×
    10   ◎   ◎   ×   ◎   ×
当记录层的组成为Bi3Ge59Te38时，从表12可以知道，摆动量在3％的光盘为所有评价项目都处于○评价以上，能够获得良好的误码率特性。并且，从表12可以知道，摆动量在1.5％～2.5％的光盘为，因摆动量小所以地址信息的误码率增大，与数据信息的记录次数无关全部评价为×。另一方面摆动量为3.5％、4％及7％的光盘为，因摆动量大以及根据1000次重写引起的记录层的恶化而导致数据信息的误码率增大，1000次重写时的误码率评价为×。还有摆动量为5％及10％的光盘为，因摆动量过大所以误码率增大，与数据信息的记录次数无关数据信息的误码率评价为×。
表13
                          记录层的组成：Bi2Ge70Te28
    摆动量(％)     地址误码率(未记录)   地址误码率(初次记录)   数据误码率(初次记录)   地址误码率(重写1000次)   数据误码率(重写1000次)
    1.5     ×   ×   ○   ×   ○
    2.5     ○   ×   ○   ×   ○
    3     ◎   ×   ○   ×   ○
    3.5     ◎   ○   ○   ×   ×
    4     ◎   ○   ×   ○   ×
    5     ◎   ○   ×   ○   ×
    7     ◎   ○   ×   ○   ×
    10     ◎   ○   ×   ○   ×
当记录层的组成为Bi2Ge70Te28时，从表13可以知道，在该例子中制作的摆动量范围内无法获得所有评价项目处于○评价以上的光盘。
从上述表1～13可以确认，记录层的组成为比以Bi、Ge、Te为顶点的三角组成图的连接Ge50Te50和Bi2Te3的线要过剩添加Ge的组成，具体讲为((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)的光盘(表2～8及表10～12的光盘)为，通过对应于记录层的组成适当调节摆动量能够获得良好的误码率特性。尤其摆动量为3％的光盘为，只要记录层在((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)的组成范围内，则与组成无关都可以获得良好的误码率特性。
实施例2
实施例2中除了改变用于测定误码率的信息记录再现装置以外，与实施例1同样地制作各种光盘，进行地址信号及数据信号的品质评价。
信息记录再现装置
在图5表示用于进行在该例子中制作的光盘的信息记录及再现的信息记录再现装置的概略构成图。用于该例子中的信息记录再现装置200为如图5所示，主要由用于旋转在该例子中制作的光盘21的电动机11、对光盘10照射激光的光头12、用于控制跟踪的L/G伺服电路13、再现信号处理系统24、记录信号处理系统17构成。从图5可以知道，图5所示信息记录再现装置200的构成为除再现信号处理系统24的构成以外，其余部分与图4所示信息记录再现装置100的构成相同，因此，这里仅说明再现信号处理系统24的构成。
如图5所示，再现信号处理系统24由调节再现信号的增益的前置放大器电路15、基于再现信号进行信息再现的1-7解调器16、管理地址信息的地址信息管理部25构成。如图5所示地址信息管理部25由用于解调再现地址信息的地址信息解调器26、判断是否再现期望地址信息的地址信息正误判断器27、从相邻轨道的地址信息再现期望地址信息的地址信息再构筑器28。图5中的前置放大器电路15和1-7解调器16为与图4所示信息记录再现装置的前置放大器电路和1-7解调器相同的装置。
接着，说明在该例子中使用的信息记录再现装置中地址信息的再现工作状况。数据信息与实施例1同样地进行再现。
首先，把具有图2所示地址区域的光盘安装到图5所示信息记录再现装置200，对期望轨道(图2的光盘为凹槽)照射光束。接着，与从光头12获得的地址信息相关的再现信号被前置放大器电路15进行增益调节，输入到地址解调器26。接着从该再现信息由地址解调器26再现地址信息，该信号传送到地址信息正误判断器27，由地址信息正误判断器27判断是否再现了期望轨道的地址信息。再现了期望轨道的地址信息时，再现的地址信息输出到再现信号处理系统(未图示)。
没有再现期望轨道的地址信息时，把该结果的判断从地址信息正误判断器27传送到L/G伺服电路13，把光束移动到相邻轨道(图2的光盘为凹槽)。接着，再次用光束照射与期望轨道相邻的轨道，再现相邻轨道的地址信息。由光头12检测出的相邻轨道的地址信息的再现信号经前置放大器电路15和地址解调器26传送到地址信息正误判断器27。然后，在地址信息再构筑器28从相邻轨道的地址信息确定期望轨道的地址信息并输出。
使用上述地址信息的再现方法与实施例1同样地测定地址信息的误码率时，可以与数据信息的记录次数无关减少误码率。具体讲，能够对在表1～13中地址误码率评价为○的光盘评价为◎。但是，对在实施例1中地址误码率评价为×的光盘因为相邻轨道的地址信息的误码率增高，因此不能再构筑地址信息。
实施例3
实施例3中除了改变光盘的地址信息及数据信息的记录格式以外，其余与实施例1同样地制作各种光盘，与实施例2同样使用图5所示信息记录再现装置测定误码率，进行地址信号及数据信号的品质评价。
光盘
图6表示在该例中制作的光盘的地址信息及数据信息的记录格式的概略图。图6的光盘为在台面上记录数据信息(记录标记)，通过使凹槽径向摆动来形成轨道的地址信息。图6的光盘为，把相邻的1组凹槽和台面作为1个轨道，并赋予凹槽和台面以相同轨道号。即图6的光盘中形成于凹槽的地址信息成为包含该凹槽的轨道的地址信息。在该例子中制作的光盘的轨道间距为0.4μm、摆动周期为93信道比特。
在该例子中制作的光盘为如图6所示，记录在相邻的轨道的地址信息相互在径向错开配置，并非并列。具体讲，图6中的第k号轨道的地址信息A(k)记录在第1地址区域，与第k号轨道相邻的第k-1号及第k+1号轨道的地址信息A(k-1)及A(k+1)形成在第2地址区域。
再现原理
图6所示光盘的地址信息再现工作状况如下。例如朝图6中虚线箭头方向用光束扫描第k号台面上方，则首先检测出对于光束的推进方向从左侧数第k号轨道的地址信息A(k)，接着检测出对于光束的推进方向从右侧数第k+1号轨道的地址信息A(k+1)(参照图6(b))。因此，即使不能再现一方的地址信息，也可以从再现的另一方地址信息和再现侧(是右侧还是左侧)的信息确定期望轨道的地址信息。例如用光束扫描第k号台面时，即使不能对于光束的推进方向从左侧再现地址信息A(k)，但如果能够获得对于光束的推进方向从右侧数第k+1号轨道的地址信息A(k+1)，则能够知道光束扫描的台面的地址信息为A(k)。还有，从对于光束的推进方向从左侧和右侧获得的信号(参照图6(b))再现地址信息的工序由图5中的地址信息正误判断器27进行。
如上所述以图6所示格式记录地址信息的光盘为，即使不能再现期望轨道的地址信息，也能够在不把光束移向相邻台面或凹槽的情况下再现期望台面的地址信息，从而更加容易地再现地址信息。因此，以图6所示格式记录地址信息和数据信息的光盘为，地址信息的可靠性增加，即使为了增大容量而缩小轨道间距，也不会降低地址信息的可靠性。
把该例子中制作的光盘安装到图5所示信息记录再现装置，与实施例2同样地测定地址信息的误码率。其结果与数据信息的记录次数无关都可以减少地址误码率。具体讲，能够对在表1～13中地址误码率评价为○的光盘评价为◎。但是，对在实施例1中地址误码率评价为×的光盘，因为相邻轨道的地址信息的误码率增高，因此不能再构筑地址信息。
实施例4
实施例4中除了改变光盘的地址信息及数据信息的记录格式以外，其余与实施例1同样地制作各种光盘，与实施例2同样使用图5所示信息记录再现装置测定误码率，进行地址信号及数据信号的品质评价。
光盘
图7表示在该例中制作的光盘的报头部的概略构成图。但是本发明光盘的地址信息的格式并不限定于图7所示例子，可以根据光盘的规格适当设计。图7的光盘中在凹槽和台面记录了地址信息，各凹槽和台面的地址信息为如图7所示通过把凹槽和台面各自径向偏移来形成。在该例子中制作的光盘的轨道间距为0.34μm、摆动周期为93信道比特。在该例中，在凹槽和台面上记录数据(台面·凹槽记录)(未图示)。
还有，各凹槽和台面的报头部为如图7所示构成在第1地址区域至第4地址区域的4个区域，各凹槽和台面的报头部在光盘的径向排列配置。并且，如图7所示，在相邻的凹槽和台面之间，地址信息相互在径向错开配置，并非并列。具体讲，如图7所示，在图7中的第1地址区域记录了第2k号和第2k-2号凹槽的地址信息，在第2地址区域记录了第2k号和第2k-2号台面的地址信息，在第3地址区域记录了第2k+1号和第2k-1号凹槽的地址信息，然后在第4地址区域记录了第2k+1号和第2k-1号台面的地址信息。图7的光盘与在实施例1及3制作的光盘相同，把相邻的1组凹槽和台面作为1个轨道，并赋予这些凹槽和台面以相同轨道号。但是，在该例子中制作的光盘为如图7所示在各凹槽和台面上各自记录地址信息。
并且，在该例子中制作的光盘为如图7所示，在给定凹槽和台面的报头部记录与给定凹槽和台面相邻的凹槽和台面的地址信息，记录在与记录了给定凹槽和台面的地址信息的地址领域不同的区域。例如，图7中的2k号凹槽中，在第1地址区域记录第2k号的凹槽的地址信息G(2k)，在第2、第3及第4地址区域各自记录了第2号台面的地址信息L(2k)、第2k+1号凹槽的地址信息G(2k+1)及第2k-1号台面的地址信息L(2k-1)。还有，图7中第2k号台面中，在第2地址区域记录第2k号台面的地址信息L(2k)，在第3地址区域记录第2k+1号凹槽的地址信息G(2k+1)。图7的光盘例子中，例如图7中第2k号台面上的第1地址区域为如图7所示，成为第2k号凹槽的地址信息G(2k)和第2k+2号凹槽的地址信息G(2k+2)的边界部分，因此无地址信息。同样，图7中第2k号台面上的第4地址区域也如图7所示成为第2k-1号台面的地址信息L(2k-1)和第2k+1号台面的地址信息L(2k+1)的边界部分，因此无地址信息。
再现原理
以如图7所示格式记录地址信息的光盘的地址信息再现工作状况如下。但本发明的地址信息的再现方法并不局限于以下方法，可根据地址信息的记录格式适当变更来获得。
例如朝图9中虚线箭头方向用光束扫描图9中第2k号凹槽时，顺次检测出第2k号凹槽的地址信息G(2k)、第2k号台面的地址信息L(2k)、第2k+1号凹槽的地址信息G(2k+1)、第2k-1号台面的地址信息L(2k-1)。因此，用光束扫描第2k号凹槽时，即使不能再现记录在第1地址区域的第2k号凹槽的地址信息G(2k)，但只要能够检测出记录在其他地址区域的与2k号凹槽相邻的台面和凹槽的地址信息，就可以根据该检测出的地址信息和其检测顺序等信息确定第2k号凹槽的地址信息G(2k)。特别是，如果地址信息上记录了有关记录有各地址信息的区域的信息(位置信息)，则能够更加容易地确定期望的凹槽或台面的地址信息。
下面，具体说明对于如图7所示光盘，把光束照射到期望的凹槽或台面上再现地址信息时，从检测出的地址信息确定期望凹槽或台面的地址信息的方法。
把光束照射到期望的台面上再现地址信息时，如果能够再现2个地址信息，则从图7(b)可以知道，直接检测出期望台面的地址信息，在检测出的2个地址信息中有关台面的地址信息成为期望台面的地址信息。
把光束照射到期望台面上再现地址信息时，在只能再现1个地址信息的情况，如果其再现的地址信息为台面的地址信息，则该信息成为期望台面的地址信息。如果再现的地址信息为凹槽的地址信息，则因为该地址信息为与期望台面相邻的轨道(图7的例子中为比期望台面的轨道号仅小1号的轨道号的轨道)的凹槽的地址信息，因此，如果预先决定整个地址配置，则可以从与期望台面相邻的轨道的凹槽的地址信息确定期望台面的地址信息。
用光束照射期望凹槽再现地址信息时，如果能够再现4个地址信息，则这些地址信息中包含期望凹槽的地址信息。此时可以从检测出的地址信息及其检测顺序等信息确定期望凹槽的地址信息。
对于把光束照射到期望凹槽上再现地址信息时再现连续的3个地址信息的情况，为了从其地址信息的检测图案确定期望凹槽的地址信息可考虑如下3种方法。
第1检测图案为第1个再现的地址信息为台面的地址信息且用光束扫描的凹槽的轨道号为偶数的情况。此时，检测出的3个地址信息中不包含期望凹槽的地址信息。即，再现期望凹槽的地址信息遭到失败。因此，因为此时连续再现的3个地址信息成为与期望凹槽相邻的台面及凹槽的地址信息，所以从这3个地址信息及其检测顺序等信息确定期望凹槽的地址信息。
第2检测图案为当第1个再现的地址信息为台面的地址信息且用光束扫描的凹槽的轨道号为奇数的情况。此时，期望凹槽的地址信息包含在再现的3个地址信息中，第2个检测出的地址信息成为给定凹槽的地址信息。
第3检测图案为当第1个再现的地址信息为凹槽的地址信息的情况。此时，如果用光束扫描的凹槽的轨道号为偶数，则第1个检测出的地址信息为期望凹槽的地址信息；如果用光束扫描的凹槽的轨道号为奇数，则第3个检测出的地址信息为期望凹槽的地址信息。
接着，把光束照射到期望凹槽上再现地址信息时再现不连续的3个地址信息的情况，如果用光束扫描的凹槽的轨道号为偶数，则第1个检测出的地址信息为期望凹槽的地址信息。如果用光束扫描的凹槽的轨道号为奇数且再现的地址信息包含2个凹槽的地址信息，则第2个检测出的凹槽的地址信息为期望凹槽的地址信息。如果用光束扫描的凹槽的轨道号为奇数且再现的地址信息仅包含1个凹槽的地址信息，则期望凹槽的地址信息的再现遭到失败。此时可以从再现的3个地址信息及其检测顺序等信息确定期望凹槽的地址信息。只要预先确定整个地址信息的配置，就能够实现这种确定。
进一步，对于把光束照射到期望凹槽上再现地址信息时检测出连续的2个地址信息的情况，为了从其地址信息的检测图案确定期望凹槽的地址信息可考虑如下3种方法。
作为第1检测图案，再现的地址信息为凹槽、台面的顺序，并且两者的轨道信息(轨道号)相同的情况，再现的凹槽的地址信息成为期望凹槽的地址信息。
作为第2检测图案，再现的地址信息为凹槽、台面的顺序，并且两者的轨道信息(轨道号)不同的情况，期望凹槽的地址信息的再现遭到失败。此时，再现的凹槽的地址信息为与期望凹槽轨道号相同的台面隔1个号的相邻凹槽的地址信息。因此，可以基于该相邻凹槽的地址信息确定期望凹槽的地址信息。还有，因为再现的台面的地址信息为与期望凹槽两侧相邻的台面中，与轨道信息(轨道号)不同侧的台面的地址信息，因此也可以从该相邻的台面的地址信息确定期望凹槽的地址信息。
作为第3检测图案，当再现的地址信息为台面、凹槽的顺序时，无法判断再现期望凹槽的地址信息是否成功或失败。此时，把光束移动到与轨道号增加的方向相邻的台面(图7的例子中为相同轨道号的台面)，再现相邻的台面的地址信息进行判断。此时，如果在和最初对期望凹槽照射光束连续检测出的2个地址信息相同的地址区域存在地址信息，则最初对期望凹槽照射光束连续检测出的2个地址信息中不包含期望凹槽的地址信息。此时，从最初对期望凹槽照射光束连续检测出的2个地址信息确定期望凹槽的地址信息。另一方面，把光束移动到相邻的台面，再现相邻台面的地址信息时，如果在和最初对期望凹槽照射光束连续检测出的2个地址信息相同的地址区域不存在地址信息，则连续检测出的2个地址信息中包含期望凹槽的地址信息，其中，第2个检测出的地址信息成为期望凹槽的地址信息。
还有，对于把光束照射到期望凹槽上再现地址信息时检测出不连续的2个地址信息的情况，为了从该地址信息确定期望凹槽的地址信息可考虑如下3种方法。
第1检测图案为以台面、台面的顺序检测出地址信息的情况。此时，期望凹槽的地址信息的再现遭到失败。但是，当第1个检测出的台面的地址信息的轨道号比第2个检测出的台面的地址信息的轨道号大时，期望凹槽的轨道号与第1个检测出的台面的轨道号相同。相反，当第1个检测出的台面的地址信息的轨道号比第2个检测出的台面的地址信息的轨道号小时，给定凹槽的轨道号与第2个检测出的台面的轨道号相同。因此，当检测出的地址信息为台面、台面的顺序时，从第1个检测出的台面的地址信息的轨道号和第2个检测出的台面的地址信息的轨道号之间的大小关系可以确定期望凹槽的地址信息。
第2检测图案为以凹槽、凹槽的顺序检测出地址信息的情况。此时，无法仅靠这些信息判断期望凹槽的信息的再现是成功还是失败。此时，把光束从期望凹槽移动到与轨道号增加的方向相邻的台面(图7的例子中为相同轨道号的台面)，通过再现该相邻台面的地址信息进行判断。如果再现相邻台面的地址信息，并且在从最初期望凹槽检测出的2个地址信息中和第2个检测出的地址信息相同的地址区域存在地址信息，则从最初期望凹槽检测出的2个地址信息中的第1个检测出的地址信息成为期望凹槽的地址信息。相反，如果再现相邻台面的地址信息，并且在从最初期望凹槽检测出的2个地址信息中和第1个检测出的地址信息相同的地址区域存在地址信息，则从最初期望凹槽检测出的2个地址信息中的第2个检测出的地址信息成为期望凹槽的地址信息。
作为第3检测图案，为以凹槽、台面的顺序检测出地址信息的情况。此时，也无法仅靠这些信息判断期望凹槽的地址信息的再现是成功还是失败。此时，把光束从期望凹槽移动到与轨道号增加的方向相邻的台面，通过再现该相邻台面的地址信息进行判断。如果再现相邻台面的地址信息，并且在与从最初期望凹槽检测出的2个地址信息相同的地址区域不存在地址信息，则从期望凹槽检测出的2个地址信息中的第1个检测出的地址信息成为期望凹槽的地址信息。相反，如果再现相邻台面的地址信息，并且在与从最初期望凹槽检测出的2个地址信息相同的地址区域存在地址信息，则因为知道从最初期望凹槽检测出的2个地址信息中的第1个地址信息的地址号为比期望凹槽的轨道号小1号的轨道号，因此，可以从该信息确定期望凹槽的地址信息。
还有，在把光束照射到给定凹槽再现地址信息时仅再现1个地址信息的情况下，难以仅靠这些地址信息判断期望凹槽的地址信息的再现是成功还是失败，因此再现相邻台面的地址信息，从相邻台面获得的地址信息和由期望凹槽检测出的1个地址信息确定期望凹槽的地址信息。如果地址信息中包含有关地址存储位置(图7中的第1～第4地址区域)的信息，则能够从检测出的地址信息和其存储位置信息判断期望凹槽的地址信息的再现是成功还是失败并确定期望凹槽的地址信息。
判断上述期望凹槽和台面的地址信息的再现是成功还是失败以及确定期望凹槽和台面的地址信息是由图5所示信息记录再现装置中的地址信息正误判断器27进行。但是，确定期望凹槽的地址信息时，对相邻台面照射光束，从得自相邻台面的地址信息确定期望凹槽的地址信息时，用地址再构筑器28确定期望凹槽的地址信息。
如上所述，用如图7所示格式记录地址信息的光盘为，即使不能再现期望凹槽或台面的地址信息，也能够从相邻台面或凹槽的地址信息确定期望凹槽或台面的地址信息，因此能够进一步可靠地再现期望凹槽或台面的地址信息。并且，如图7所示，期望凹槽的报头部记录有与期望凹槽相邻的凹槽和台面的地址信息，因此根据对期望凹槽照射光束检测出的地址信息的检测图案，可以在不把光束移向相邻台面的条件下确定期望凹槽的地址信息。因此，能够更容易且迅速地获得地址信息。
在图5所示信息记录再现装置上安装在该例子中制作的光盘，与实施例2同样地测定地址信息的误码率。其结果与数据信息的记录次数无关都可以减少地址误码率。具体讲，能够对在表1～13中地址误码率评价为○的光盘评价为◎。但是，对在实施例1中地址误码率评价为×的光盘，因为相邻轨道的地址信息的误码率增高，因此不能再构筑地址信息。
轨道间距的适宜范围
在上述实施例1、3及4中使用了形成有轨道间距0.34μm或0.4μm的凹槽的基板，但本发明并不限定于此。制作轨道间距在0.218μm～0.436μm范围的各种光盘，与实施例1、3及4同样地测定误码率时，获得了与实施例1、3及4同样的结果。但是，轨道间距大于0.436μm的光盘为，即使使用本实施例中表示的适宜的记录层组成范围之外的组成膜也得到了良好的特性。即可以知道，当轨道间距宽而记录密度较小时，即使是现有技术组成范围的记录层也可以获得良好的特性；但轨道间距窄而记录密度大时，本发明组成范围的记录层非常有效。当轨道间距小于0.218μm时，不仅跟踪(tracking)不稳定，而且产生串扰和串擦显著显现的问题。
各构成层的适宜膜厚范围
改变构成上述实施例1、3及4中光盘的各层的膜厚，制作各种光盘，与实施例1、3及4同样地测定地址信息和数据信息的误码率。
对于实施例1、3及4的光盘，在40nm～80nm范围变化保护层时，获得了与实施例1、3及4同样良好的误码率特性。当保护膜厚度小于40nm或者大于80nm时，产生反射率低下和信号调制度低下等中的某一问题，数据信息的误码率增大。
还有，当上述保护层的膜厚范围(40nm～80nm)仅加厚N·λ/(2n)膜厚时(这里，n为保护层的折射率、λ为用于记录再现的光束波长、N为自然数)也能够获得同样良好的误码率特性。例如当n＝2.3、λ＝405nm、N＝1时，追加的膜厚为90nm，整个保护层的膜厚范围成为130nm～170nm。但此时因保护层的膜厚增厚，所以生产性存在问题。
接着，对于实施例1、3及4的光盘，在5nm～25nm范围变化记录层的膜厚，与上述同样地测定误码率。其结果获得了与上述同样良好的误码率特性。如果记录层的膜厚小于5nm，会引起反射率低下和信号调制度低下，数据信息的误码率增大。并且如果记录层的膜厚大于25nm，则即使重写数据信息1000次以下，数据信息的误码率也会增大。进一步，如果记录层的膜厚大于25nm，则记录标记周边的再结晶宽度增加，地址信号的品质也会恶化。
再者，对于上述实施例1、3及4的光盘，在30nm～60nm范围改变中间层的膜厚，与上述同样地测定误码率。其结果获得了与上述同样良好的误码率特性。如果中间层的膜厚小于30nm，则热扩散层和记录层的距离变短，记录信息时，照射到记录层的光束产生的热经过热扩散层扩散到面内方向，擦掉相邻轨道的信息，即容易产生串擦，导致数据信息的误码率增大。还有，如果中间层厚度大于60nm，则反射率降低，误码率增大。为了降低串擦，中间层的膜厚需要在某种范围膜厚。尤其中间层的膜厚比基板凹槽深度45nm的0.8倍即36nm厚时，进一步增大串擦的减少效果。
对于上述实施例1、3及4的光盘，在30nm～300nm范围改变热扩散层的膜厚，与上述同样地测定误码率。其结果获得了与上述同样良好的误码率特性。如果热扩散层的膜厚小于30nm，则形成记录标记时难以急速冷却记录层，再结晶区域变大。由此，不仅数据信息的误码率增大，而且再结晶区域对于摆动信号品质的影响也增大，导致地址信息的误码率增大。如果热扩散层的膜厚大于300nm，则记录灵敏度变差。
最佳膜构成
下面总结说明构成本发明光盘的各层的最佳组成及最佳膜厚。
保护层
保护层的存在于光入射侧的物质为聚碳酸酯等塑料基板或紫外线固化树脂等有机物。并且，它们的折射率在1.4～1.65程度。为了有效地在上述有机物和保护层之间引起反射，保护层的折射率优选大于等于2.0。保护层的折射率光学上大于等于存在于光入射侧的物质(本实施例中相当于基板)的折射率，在不发生光吸收的范围内保护层折射率越大越好。具体讲，保护层的折射率n优选2.0～3.0范围的值，保护层优选由不吸收光的材料形成，尤其优选含有金属的氧化物、碳化物、氮化物、硫化物、硒化物等。
还有，保护层的热导率优选至少要小于等于2W/mk。尤其优选ZnS-SiO2系化合物作为保护层，因为它的热导率低。进一步，优选SnO2、或者在SnO2中添加ZnS、CdS、SnS、GeS、PbS等硫化物的材料、或者在SnO2中添加Cr2O3、Mo3O4等过渡金属氧化物的材料，因为不仅热导率低，而且热稳定性好于ZnS-SiO2系化合物，因此即使设置在保护层与记录层之间的第1热稳定层的膜厚小于或等于2nm的情况，也不会产生对记录层的熔渗，因此尤其作为保护层显示出优异的特性。
还有，为了有效利用基板与记录层之间的光学干涉，当激光波长为405nm程度时，保护层的最佳膜厚为40nm～80nm。
第1热稳定层
用于本发明的光盘的记录层的相变材料的熔点高达650℃以上，因此，优选在保护层与记录层之间设置热稳定性极其好的第1热稳定层。形成第1热稳定层的材料具体可以举出例如Cr2O3、Ge3N4、SiC等高熔点氧化物、高熔点氮化物、高熔点碳化物，这些材料热稳定性好，因此长期保存后也不会发生膜的剥离引起的性能恶化。这些材料中也可以添加SnO2等其他氧化物或ZnS等硫化物。通过添加它们，可以调节光学常数。尤其是当添加到消光系数大的材料中时，可减小第1热稳定层的消光系数，因此是优选的。氧化物尤其优选SnO2。
还有，从抑制记录层再结晶的角度考虑，第1热稳定层中优选含有Bi、Sn、Pb等促进记录层发生结晶的材料。尤其优选Bi、Sn、Pb的Te化物、氧化物，或者Bi、Sn、Pb的Te化物、氧化物与氮化锗化物的混合物，或者Bi、Sn、Pb的Te化物、氧化物与过渡金属氧化物、过渡金属氮化物的混合物。因为过渡金属容易改变原子价，因此即使Bi、Sn、Pb、Te等元素游离，上述过渡金属将改变原子价，使过渡金属与Bi、Sn、Pb、Te等之间产生结合，生成热稳定性化合物。尤其优选Cr、Mo及W，因为熔点高且容易改变原子价，容易在Bi、Sn、Pb、Te等元素之间生成热稳定性化合物。
第1热稳定层中的上述Bi、Sn、Pb的Te化物、氧化物的含量从促进记录层发生结晶的角度考虑优选尽可能多。但是，第1热稳定层与第2热稳定层相比，容易根据激光照射变成高温，所以产生向记录膜熔渗热稳定层材料的问题，因此至少需要把Bi、Sn、Pb的Te化物、氧化物的含量控制在小于等于70％。
如果第1热稳定层的膜厚大于等于0.5nm，则可以发挥其效果。但是，当第1热稳定层的膜厚小于2nm时，有时形成保护层的材料通过第1热稳定层向记录层熔渗，导致多次重写后的再现信号品质恶化。因此，第1热稳定层的膜厚优选大于等于2nm。还有，如果第1热稳定层的膜厚比10nm厚，则带来光学性不良影响，存在反射率低下、信号振幅低下等弊病。从而，第1热稳定层的膜厚优选为2nm～10nm。
记录层
如上所述，用于记录层的Bi-Ge-Te系相变材料的组成优选满足((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey(其中，0.3≤x＜1、0＜y≤0.4)。把该组成范围表示在图8的三角组成图中。图8中由粗线和虚线包围的区域的组成范围即为本发明光盘的记录层的最佳组成范围。其中不包含虚线上的组成。满足该组成条件时，通过添加适量Si、Sn、Pb等代替Ge，能够容易地调节可对应线速度范围。例如，用Si取代一部分Ge时，生成比Ge或GeTe熔点高且结晶速度小的SiTe，因此SiTe偏析到熔融部外周部，抑制熔融部外周部发生再结晶。还有，用SnTe或PbTe取代GeTe时，核生成速度提高，从而能够补偿高速记录时的擦除不足。
即，适用于记录层的相变材料表示如下。
四元系记录层材料：Bi-Ge-Si-Te、Bi-Ge-Sn-Te、Bi-Ge-Pb-Te
五元系记录层材料：Bi-Ge-Si-Sn-Te、Bi-Ge-Si-Pb-Te、Bi-Ge-Sn-Pb-Te
六元系记录层材料：Bi-Ge-Si-Sn-Pb-Te
通过使用如上所述多元系材料，可以更加仔细地控制记录层材料的性能。
进一步，如果在用于本发明光盘的记录层材料中添加B，则能够进一步抑制再结晶，因此可获得显示优异性能的光盘。这是因为B与Ge同样地具有抑制再结晶的效果，进一步，因为B原子非常小，所以可以迅速偏析。
如果用于本发明光盘的记录层材料能够维持上述组成式所示范围关系，即使混入杂质，只要杂质的原子％在1％以内，就不会失去本发明效果。
还有，从光学角度考虑，本发明介质构造中记录层的膜厚优选5nm～25nm，尤其优选5nm～15nm。
第2热稳定层
用于本发明的记录层的相变材料的熔点高达650℃以上，因此，与第1热稳定层同样，优选在中间层与记录层之间设置热稳定性极其好的第2热稳定层。具体讲，优选Cr2O3、Ge3N4、SiC等高熔点氧化物、高熔点氮化物、高熔点碳化物。这些材料热稳定性好，长期保存后也不会发生膜的剥离引起的性能恶化，因此适合作为第2热稳定层的材料。
还有，从获得抑制记录层再结晶的效果的角度考虑，第2热稳定层中优选含有Bi、Sn、Pb等促进记录层发生结晶的材料。尤其优选Bi、Sn、Pb的Te化物或氧化物，或者Bi、Sn、Pb的Te化物或氧化物与氮化锗化物的混合物，或者Bi、Sn、Pb的Te化物或氧化物与过渡金属氧化物或过渡金属氮化物的混合物。过渡金属因为容易改变原子价，因此即使Bi、Sn、Pb、Te等元素游离，上述过渡金属将改变原子价，使过渡金属与Bi、Sn、Pb、Te等之间产生结合，生成热稳定性化合物。尤其是Cr、Mo及W，因为熔点高且容易改变原子价，容易在Bi、Sn、Pb、Te等元素之间生成热稳定性化合物，是优异的材料。
第2热稳定层中的上述Bi、Sn、Pb的Te化物、氧化物的含量从促进记录层发生结晶的角度考虑优选尽可能多。但是，为了获得最佳光学条件需要至少把Bi、Sn、Pb的Te化物、氧化物的含量控制在小于等于70％。
如果第2热稳定层的膜厚大于等于0.5nm，就可以发挥其效果。但是，当其膜厚小于1nm时，中间层的材料容易通过第2热稳定层向记录层熔渗，导致多次重写后的再现信号品质恶化。因此，第2热稳定层的膜厚优选大于等于1nm。还有，如果第2热稳定层的膜厚比5nm厚，则带来光学性不良影响，存在反射率低下、信号振幅低下等弊病。从而，第2热稳定层的膜厚优选为1nm～5nm。
中间层
用于本发明光盘的中间层优选为不吸收光的材料，尤其优选含有金属的氧化物、碳化物、氮化物、硫化物、硒化物等。还有，热导率优选至少要小于等于2W/mk。尤其优选ZnS-SiO2系化合物作为中间层的形成材料，因为它的热导率低。进一步，优选SnO2、或者在SnO2中添加ZnS、CdS、SnS、GeS、PbS等硫化物的材料、或者在SnO2中添加Cr2O3、Mo3O4等过渡金属氧化物的材料。因为这些材料热导率低，而且热稳定性好于ZnS-SiO2系化合物，因此即使第2热稳定层的膜厚小于1nm或没有设置第2热稳定层的情况，中间层材料也不会熔渗到记录层，尤其作为中间层显示出优异的特性。
还有，为了有效利用记录层与后述的吸收率控制层之间的光学干涉，当激光波长为405nm程度时，中间层的最佳膜厚为25nm～60nm。但是，当轨道间距窄时，尤其当轨道间距TP和激光波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式时，
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
为了防止来自相邻轨道的串擦，优选中间层的膜厚大于等于30nm。进一步，优选中间层的膜厚大于等于凹槽深度的0.8倍。此时，通过在形成中间层的材料中含有至少大于等于25％的折射率小于等于1.7的材料，例如SiO2、Al2O3等材料，即使中间层的膜厚值大于凹槽深度的0.8倍，也能够确保充分的反射率，能够使其光学上最佳化，使晶态与非晶态的对比度大。
吸收率控制层
本发明光盘可以在中间层与热扩散层之间设置吸收率控制层。图9中表示附加吸收率控制层时的光盘的概略截面图。吸收率控制层材料的复折射率n和k各自优选1.4＜n＜4.5及-3.5＜k＜-0.5范围，尤其优选2＜n＜4及-3.0＜k＜-0.5范围的材料。为了吸收光，吸收率控制层优选热稳定性材料，更优选熔点大于等于1000℃。
还有，在保护层中添加硫化物时减少串擦效果尤其大，但吸收率控制层时优选ZnS等硫化物的含量至少要小于添加到保护层中的上述硫化物的含量。如果吸收率控制层中的硫化物的含量大于添加到保护层中的上述硫化物的含量，有时会出现熔点低下、热导率低下、吸收率低下等不良影响。
作为上述吸收率控制层的材料优选金属与金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物、金属碳化物的混合物，尤其是Cr与Cr2O3的混合物显示出了良好的重写(overwrite)特性提高效果。尤其Cr占60～95％时，可以获得适合于本发明的热导率、光学常数的材料。具体讲，作为上述金属优选Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Co、Ti、Cr、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、Zr、Nb、Mo、Rh、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pb混合物等，作为金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物、金属碳化物优选SiO2、SiO、TiO2、Al2O3、Y2O3、CeO、La2O3、In2O3、GeO、GeO2、PbO、SnO、SnO2、Bi2O3、TeO2、MO2、WO2、WO3、Sc2O3、Ta2O5、ZrO2等。此外还可以使用Si-O-N系材料、Si-Al-O-N系材料、Cr2O3等Cr-O系材料、Co2O3、CoO等Co-O系材料、TaN、AlN、Si3N4等Si-N系材料、Al-Si-N系材料(如AlSiN2)、Ge-N系材料等氮化物、ZnS、Sb2S3、CdS、In2S3、Ga2S3、GeS、SnS2、PbS、Bi2S3等硫化物、SnSe3、Sb2Se3、CdSe、ZnSe、In2Se3、Ga2Se3、GeSe、GeSe2、SnSe、PbSe、Bi2Se3等硒化物、或CeF3、MgF2、CaF2等氟化物、或近似于上述材料的组成的材料用作吸收率控制层。
还有，吸收率控制层的膜厚优选10nm～100nm，进一步优选20nm～50nm膜厚范围时可以获得进一步良好的重写特性提高效果。还有，当保护层、吸收率控制层的膜厚之和大于等于凹槽深度时，显示出显著的减少串擦的效果。
如上所述，吸收率控制层具有吸收光的性质。因此，与记录层吸收光并发热一样，吸收率控制层也吸收光并发热。还有，重要的是吸收率控制层的光吸收率为使记录层为非晶态时大于记录层为晶态的情况。通过这样光学设计吸收率控制层，产生使记录层为非晶态时的记录层的吸收率Aa小于记录层为晶态的记录层的吸收率Ac的效果。由此效果，可以大幅度提高重写特性。为了获得该效果需要把吸收率控制层的吸收率提高到30～40％程度。
还有，吸收率控制层的发热量因记录层状态为晶态还是非晶态而不同。因此，因为从记录层到热扩散层的热流根据记录层的状态而发生变化，因此由该现象可以抑制重写引起的跳动(jitter)上升。该效果是通过吸收率控制层的温度上升，由隔断从记录层到热扩散层的热流的效果而产生。为了有效发挥该效果，优选保护层与吸收率控制层的膜厚之和大于等于台面与凹槽间的落差即基板上的凹槽深度(激光波长的1/7～1/5程度)。当保护层与吸收率控制层的膜厚之和小于台面与凹槽间的落差时，在记录层进行记录时产生的热经过热扩散层传热，容易擦掉记录在相邻轨道的记录标记。
热扩散层
用于本发明光盘的热扩散层优选反射率高及热导率高的金属或合金，优选Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd等的总含量大于等于90原子％。还有，从防止多次重写时的记录层材料流动引起性能恶化的角度考虑，优选Cr、Mo、W等熔点高且硬度大的材料以及这些材料的合金。尤其用Al含量大于等于95原子％的材料形成热扩散层时，能够获得廉价、CNR(信噪比)高、记录灵敏度高、多次重写耐久性优异、减少串擦效果极其大的光盘。尤其用Al含量大于等于95原子％的材料形成热扩散层时，能够获得廉价且耐腐蚀性优异的光盘。从耐腐蚀性角度考虑，对于Al的添加元素优选Co、Ti、Cr、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、Zr、Nb、Mo、Rh、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pb、B、C等。其中，当添加元素为Co、Cr、Ti、Ni及Fe时尤其具有大的耐腐蚀性提高效果。
还有，当热扩散层中含有的金属元素与吸收率控制层中含有的金属元素相同时，非常有利于生产性。因为可以使用同一靶形成吸收率控制层和热扩散层两层。具体讲，形成吸收率控制层时，可以用Ar-O2混合气体、Ar-N2混合气体等混合气体进行溅射，通过溅射时使金属元素与氧或氮反应，形成具有适当折射率的吸收率控制层，然后形成热扩散层时，用Ar气体进行溅射，形成热导率高的金属的热扩散层。
还有，热扩散层的厚度优选30nm～300nm。尤其优选热扩散层的厚度在30nm～150nm，这样可以进一步提高耐腐蚀性及生产性。当热扩散层的厚度小于30nm时，因为记录层上产生的热不易扩散，尤其反复重写10万次程度后，记录层不仅容易恶化而且容易产生串擦。还有，当热扩散层的厚度小于30nm时，有时会使光透过，因此难以用作热扩散层，再现信号振幅下降。如果热扩散层的厚度大于等于300nm，则不仅生产性差，而且根据热扩散层的内部应力，有时发生基板的翘曲等现象，无法正确地进行信息的记录再现。
根据本发明光盘、记录再现装置及地址信息管理方法，如上所述，即使无法再现期望轨道的地址信息，也能够从相邻轨道的地址信息更加容易且可靠地确定期望轨道的地址信息。因此，报头部的可靠性提高，即使为了增加容量而缩小轨道间距，报头信息的可靠性也不会降低。还有，因为在记录有报头信息的区域也能够记录数据，因此，可以提高格式效率。
还有，根据本发明光盘，因为由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成记录层，因此，即使稍微增大形成报头信息的报头部的摆动的偏移量，也能够获得充分的数据信号品质，并且即使反复重写数据信息也可以把信号品质恶化抑制在小范围。因此，本发明光盘适合作为大容量且可靠性高，并且对数据的反复记录的耐久性优异的光盘。

Claims (113)

1.一种光盘，其特征在于：具备形成有多个凹槽的基板，及设置于该基板上、并且由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成的记录层，该凹槽上设置有通过使该凹槽径向偏移而记录该凹槽地址信息的报头部，各凹槽的报头部在径向排列配置。
2.如权利要求1记载的光盘，其特征在于：上述记录层的Bi含量小于等于28原子％。
 3.如权利要求1或2记载的光盘，其特征在于：上述记录层含有Bi及Te。
4.如权利要求1或2记载的光盘，其特征在于：上述记录层含有Bi、Ge及Te。
5.如权利要求1或2记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
6.如权利要求3记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
7.如权利要求4记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
8.如权利要求5记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
9.如权利要求6记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
10.如权利要求7记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
11.如权利要求8记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
12.如权利要求9记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
13.如权利要求10记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
14.如权利要求4记载的光盘，其特征在于：上述记录层中所含Bi、Ge及Te的组成比由((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey表示，x及y各自为0.3≤x＜1及0＜y≤0.4。
15.如权利要求14记载的光盘，其特征在于：形成于上述记录层中的上述数据信息的记录部分的反射率低于未记录部分的反射率。
16.如权利要求15记载的光盘，其特征在于：上述未记录部分的反射率大于等于10％。
17.如权利要求15记载的光盘，其特征在于：上述光盘进一步具备保护层、中间层及热扩散层，从记录再现用光束入射侧顺次设置保护层、记录层、中间层及热扩散层，该保护层的膜厚为40nm～80nm、该记录层的膜厚为5nm～25nm、该中间层的膜厚为30nm～60nm、并且该热扩散层的膜厚为30nm～300nm。
18.如权利要求16记载的光盘，其特征在于：上述光盘进一步具备保护层、中间层及热扩散层，从记录再现用光束入射侧顺次设置保护层、记录层、中间层及热扩散层，该保护层的膜厚为40nm～80nm、该记录层的膜厚为5nm～25nm、该中间层的膜厚为30nm～60nm、并且该热扩散层的膜厚为30nm～300nm。
19.如权利要求17记载的光盘，其特征在于：上述中间层的膜厚大于凹槽深度的0.8倍。
20.如权利要求18记载的光盘，其特征在于：上述中间层的膜厚大于凹槽深度的0.8倍。
21.如权利要求17记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有大于等于25％的对于记录再现用光束的波长λ的折射率小于等于1.7且消光系数小于等于0.1的材料。
22.如权利要求18记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有大于等于25％的对于记录再现用光束的波长λ的折射率小于等于1.7且消光系数小于等于0.1的材料。
23.如权利要求21记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有SiO2及Al2O3中的至少一种。
24.如权利要求22记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有SiO2及Al2O3中的至少一种。
25.一种光盘，其特征在于：具备形成有多个凹槽的基板，及设置于该基板上、并且由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成的记录层，该凹槽上设置有通过使该凹槽径向偏移而记录该凹槽地址信息的报头部，该凹槽的报头部和与该凹槽相邻的凹槽的报头部相互在圆周方向错开配置。
26.如权利要求25记载的光盘，其特征在于：上述记录层的Bi含量小于等于28原子％。
27.如权利要求25或26记载的光盘，其特征在于：上述记录层含有Bi及Te。
28.如权利要求25或26记载的光盘，其特征在于：上述记录层含有Bi、Ge及Te。
29.如权利要求25或26记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
30.如权利要求27记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
31.如权利要求28记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
32.如权利要求29记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
33.如权利要求30记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
34.如权利要求31记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
35.如权利要求32记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
36.如权利要求33记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
37.如权利要求34记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
38.如权利要求28记载的光盘，其特征在于：上述记录层中所含Bi、Ge及Te的组成比由((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey表示，x及y各自为0.3≤x＜1及0＜y≤0.4。
39.如权利要求38记载的光盘，其特征在于：形成于上述记录层中的上述数据信息的记录部分的反射率低于未记录部分的反射率。
40.如权利要求39记载的光盘，其特征在于：上述未记录部分的反射率大于等于10％。
41.如权利要求39记载的光盘，其特征在于：上述光盘进一步具备保护层、中间层及热扩散层，从记录再现用光束入射侧顺次设置保护层、记录层、中间层及热扩散层，该保护层的膜厚为40nm～80nm、该记录层的膜厚为5nm～25nm、该中间层的膜厚为30nm～60nm、并且该热扩散层的膜厚为30nm～300nm。
42.如权利要求40记载的光盘，其特征在于：上述光盘进一步具备保护层、中间层及热扩散层，从记录再现用光束入射侧顺次设置保护层、记录层、中间层及热扩散层，该保护层的膜厚为40nm～80nm、该记录层的膜厚为5nm～25nm、该中间层的膜厚为30nm～60nm、并且该热扩散层的膜厚为30nm～300nm。
43.如权利要求41记载的光盘，其特征在于：上述中间层的膜厚大于凹槽深度的0.8倍。
44.如权利要求42记载的光盘，其特征在于：上述中间层的膜厚大于凹槽深度的0.8倍。
45.如权利要求41记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有大于等于25％的对于记录再现用光束的波长λ的折射率小于等于1.7且消光系数小于等于0.1的材料。
46.如权利要求42记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有大于等于25％的对于记录再现用光束的波长λ的折射率小于等于1.7且消光系数小于等于0.1的材料。
47.如权利要求45记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有SiO2及Al2O3中的至少一种。
48.如权利要求46记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有SiO2及Al2O3中的至少一种。
49.一种光盘，其特征在于：具备形成有多个凹槽的基板，设置于该基板上、并且由含有Bi、且含有含Bi的立方晶或正方晶化合物的相变材料形成的记录层，在该凹槽和凹槽间设置有各自记录了该凹槽和凹槽间的地址信息的报头部，通过使所述凹槽和凹槽间各自径向偏移形成该凹槽和凹槽间的地址信息，各凹槽和凹槽间的报头部为径向排列配置。
50.如权利要求49记载的光盘，其特征在于：上述记录层的Bi含量小于等于28原子％。
51.如权利要求49或50记载的光盘，其特征在于：上述记录层含有Bi及Te。
52.如权利要求49或50记载的光盘，其特征在于：上述记录层含有Bi、Ge及Te。
53.如权利要求49或50记载的光盘，其特征在于：在设置于上述凹槽和凹槽间的各报头部记录有关于与上述凹槽和凹槽间相邻的凹槽和凹槽间的地址信息的信息。
54.如权利要求51记载的光盘，其特征在于：在设置于上述凹槽和凹槽间的各报头部记录有关于与上述凹槽和凹槽间相邻的凹槽和凹槽间的地址信息的信息。
55.如权利要求52记载的光盘，其特征在于：在设置于上述凹槽和凹槽间的各报头部记录有关于与上述凹槽和凹槽间相邻的凹槽和凹槽间的地址信息的信息。
56.如权利要求49或50记载的光盘，其特征在于：上述地址信息包含有关上述地址信息的记录位置的信息。
57.如权利要求51记载的光盘，其特征在于：上述地址信息包含有关上述地址信息的记录位置的信息。
58.如权利要求52记载的光盘，其特征在于：上述地址信息包含有关上述地址信息的记录位置的信息。
59.如权利要求53记载的光盘，其特征在于：上述地址信息包含有关上述地址信息的记录位置的信息。
60.如权利要求54记载的光盘，其特征在于：上述地址信息包含有关上述地址信息的记录位置的信息。
61.如权利要求55记载的光盘，其特征在于：上述地址信息包含有关上述地址信息的记录位置的信息。
62.如权利要求49或50记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
63.如权利要求51记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
64.如权利要求52记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
65.如权利要求53记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
66.如权利要求54记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
67.如权利要求55记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
68.如权利要求56记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
69.如权利要求57记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
70.如权利要求58记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
71.如权利要求59记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
72.如权利要求60记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
73.如权利要求61记载的光盘，其特征在于：在上述凹槽和凹槽间的至少一方记录有数据信息。
74.如权利要求62记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
75.如权利要求63记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
76.如权利要求64记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
77.如权利要求65记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
78.如权利要求66记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
79.如权利要求67记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
80.如权利要求68记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
81.如权利要求69记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
82.如权利要求70记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
83.如权利要求71记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
84.如权利要求72记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
85.如权利要求73记载的光盘，其特征在于：上述光盘的凹槽的间距TP和记录再现用光束的波长λ以及聚焦透镜数值孔径NA之间成立如下关系式：
0.35×(λ/NA)≤TP≤0.7×(λ/NA)
上述关系式中波长λ为390nm～420nm。
86.如权利要求74载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
87.如权利要求75记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
88.如权利要求76记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
89.如权利要求77记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
90.如权利要求78记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
91.如权利要求79记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
92.如权利要求80记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
93.如权利要求81记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
94.如权利要求82记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
95.如权利要求83记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
96.如权利要求84记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
97.如权利要求85记载的光盘，其特征在于：上述数据信息记录在上述凹槽和凹槽间的双方。
98.如权利要求52记载的光盘，其特征在于：上述记录层中所含Bi、Ge及Te的组成比由((GeTe)x(Bi2Te3)1-x)1-yGey表示，x及y各自为0.3≤x＜1及0＜y≤0.4。
99.如权利要求98记载的光盘，其特征在于：形成于上述记录层中的上述数据信息的记录部分的反射率低于未记录部分的反射率。
100.如权利要求99记载的光盘，其特征在于：上述未记录部分的反射率大于等于10％。
101.如权利要求98记载的光盘，其特征在于：上述光盘进一步具备保护层、中间层及热扩散层，从记录再现用光束入射侧顺次设置保护层、记录层、中间层及热扩散层，该保护层的膜厚为40nm～80nm、该记录层的膜厚为5nm～25nm、该中间层的膜厚为30nm～60nm、并且该热扩散层的膜厚为30nm～300nm。
102.如权利要求99记载的光盘，其特征在于：上述光盘进一步具备保护层、中间层及热扩散层，从记录再现用光束入射侧顺次设置保护层、记录层、中间层及热扩散层，该保护层的膜厚为40nm～80nm、该记录层的膜厚为5nm～25nm、该中间层的膜厚为30nm～60nm、并且该热扩散层的膜厚为30nm～300nm。
103.如权利要求101记载的光盘，其特征在于：上述中间层的膜厚大于凹槽深度的0.8倍。
104.如权利要求102记载的光盘，其特征在于：上述中间层的膜厚大于凹槽深度的0.8倍。
105.如权利要求101记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有大于等于25％的对于记录再现用光束的波长λ的折射率小于等于1.7且消光系数小于等于0.1的材料。
106.如权利要求102记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有大于等于25％的对于记录再现用光束的波长λ的折射率小于等于1.7且消光系数小于等于0.1的材料。
107.如权利要求105记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有SiO2及Al2O3中的至少一种。
108.如权利要求106记载的光盘，其特征在于：形成上述中间层的材料含有SiO2及Al2O3中的至少一种。
109.一种光盘的记录再现装置，所述光盘具备形成有多个凹槽的基板及设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层，在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移而记录该凹槽地址信息的报头部，各凹槽和该报头部为径向排列配置，该记录再现装置的特征在于：具备旋转该光盘的旋转控制部、向该光盘照射光束的光头、基于该光头检测出的再现信号进行信号再现的再现信号处理电路、管理由该再现信号处理电路再现的该地址信息的地址信息管理部；当记录在该光盘的给定凹槽的地址信息无法再现时，该地址信息管理部基于与该给定凹槽相邻的凹槽的地址信息再现该给定凹槽的地址信息。
110.一种光盘的记录再现装置，所述光盘具备形成有多个凹槽的基板及设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层，在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移而记录该凹槽地址信息的报头部，该凹槽的该报头部和与该凹槽相邻的凹槽的报头部相互在圆周方向错开配置，该记录再现装置的特征在于：具备旋转该光盘的旋转控制部、向该光盘照射光束的光头、基于该光头检测出的再现信号进行信号再现的再现信号处理电路、管理由该再现信号处理电路再现的该地址信息的地址信息管理部；当记录在该光盘的给定凹槽的地址信息无法再现时，该地址信息管理部基于与该给定凹槽相邻的凹槽的地址信息再现该给定凹槽的地址信息。
111.一种光盘的记录再现装置，所述光盘具备形成有多个凹槽的基板及设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层，在该凹槽和凹槽间设置有各自记录该凹槽和凹槽间的地址信息的报头部，该凹槽和凹槽间的地址信息是通过使该凹槽和凹槽间各自径向偏移而形成，各凹槽和凹槽间的报头部为径向排列配置，该记录再现装置的特征在于：具备旋转该光盘的旋转控制部、向该光盘照射光束的光头、基于该光头检测出的再现信号进行信号再现的再现信号处理电路、管理由该再现信号处理电路再现的该地址信息的地址信息管理部；当记录在该光盘的给定凹槽或凹槽间的地址信息无法再现时，该地址信息管理部基于与该给定凹槽或凹槽间相邻的凹槽和凹槽间的地址信息相关的信息再现该给定凹槽或凹槽间的地址信息。
112.一种光盘的地址信息管理方法，该光盘具备形成有多个凹槽的基板及设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层，在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移而记录该凹槽地址信息的报头部，各凹槽的该报头部为径向排列配置，该地址信息管理方法的特征在于：当记录在该光盘的给定凹槽的地址信息无法再现时，能够基于与该给定凹槽相邻的凹槽的地址信息再现该给定凹槽的地址信息。
113.一种光盘的地址信息管理方法，所述光盘具备形成有多个凹槽的基板及设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层，在该凹槽设置有通过使该凹槽径向偏移而记录该凹槽地址信息的报头部，该凹槽的该报头部和与该凹槽相邻的凹槽的报头部相互在圆周方向错开配置，该地址信息管理方法的特征在于：当记录在该光盘的给定凹槽的地址信息无法再现时，能够基于与该给定凹槽相邻的凹槽的地址信息再现该给定凹槽的地址信息。
114.一种光盘的地址信息管理方法，所述光盘具备形成有多个凹槽的基板及设置于该基板上且由含有Bi、Ge及Te的相变材料形成的记录层，在该凹槽和凹槽间设置有各自记录了该凹槽和凹槽间的地址信息的报头部，该凹槽和凹槽间的地址信息是通过使该凹槽和凹槽间各自径向偏移而形成，各凹槽和凹槽间的报头部为径向排列配置，该地址信息管理方法的特征在于：当记录在该光盘的给定凹槽或凹槽间的地址信息无法再现时，能够基于与该给定凹槽或凹槽间相邻的凹槽和凹槽间的地址信息的相关信息再现该给定凹槽或凹槽间的地址信息。
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