JP2001322357A

JP2001322357A - 情報記録媒体およびその製造方法

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Publication number: JP2001322357A
Application number: JP2001050830A
Authority: JP
Inventors: Rie Kojima; 理恵児島; Noboru Yamada; 昇山田; Takashi Nishihara; 孝史西原
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-03-10
Filing date: 2001-02-26
Publication date: 2001-11-20
Anticipated expiration: 2021-02-26
Also published as: JP3666854B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度な記録が可能で、繰り返し書き換え性
能に優れ、結晶化感度の経時劣化が少ない情報記録媒
体、およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板１１と基板１１の上方に配置された
記録層１４とを備え、記録層１４が、Ａｇ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、ＭｎおよびＮから選ばれる少なくとも１つの元素Ｍ
と、ＧｅとＳｂとＴｅとＳｎとを構成元素として含み、
且つ、エネルギービームの照射によって、結晶相と非晶
質相との間で可逆的に相変態を起こす層である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報を記
録、消去、書き換え、再生することが可能な情報記録媒
体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】相変化型の情報記録媒体は、結晶相と非
晶質相との間で可逆的に相変態を起こす記録層を利用し
て、情報の記録、消去および書き換えを行う。この記録
層に高パワーのレーザビームを照射したのちに急冷する
と、照射された部分が非晶質相となって記録マークが形
成される。また、記録層の非晶質部分に低パワーのレー
ザビームを照射したのちに徐冷すると、照射された部分
が結晶相となって記録マークが消去される。したがっ
て、相変化型の情報記録媒体では、高パワーレベルと低
パワーレベルとの間でパワー変調したレーザビームを記
録層に照射することによって、前の情報を消去しながら
新しい情報に書き換えていくことができる。

【０００３】情報を書き換える際には、結晶相−非晶質
相の相変態に伴って、記録層内で原子が移動する。その
結果、従来の情報記録媒体では、書き換えを繰り返した
場合に、局所的に原子の偏りが生じて記録層の厚さを変
動させ、信号品質の低下を引き起こすことがあった。こ
のような繰り返し書き換え性能の低下は、特に、記録密
度が高くなるほど大きくなる。記録密度が高くなると隣
接する記録マークの間隔が狭くなり、隣接する記録マー
クの原子の偏りの影響を受けやすくなるためである。

【０００４】繰り返し書き換え性能の低下を防止するた
めには、原子の移動を抑制するために記録層の厚さを薄
くすることが必要である。また、記録層の厚さを薄くす
ることは、２つの記録層を備える高密度情報記録媒体を
実現するためにも必要な技術である。しかしながら、記
録層の厚さを薄くすると、原子が移動しにくくなるため
に記録層の結晶化速度が低下する。結晶化速度が低下す
ると、小さな記録マークを短時間で記録しなければなら
ない高密度情報記録媒体では、信号品質が低下すること
になる。また、結晶化速度が低下すると、結晶化感度の
経時劣化や消去率の経時劣化が生じやすくなる。すなわ
ち、高密度記録になるほど、繰り返し書き換え性能の向
上と結晶化感度の経時劣化の抑制とを両立することが難
しくなる。

【０００５】繰り返し書き換え性能を向上させるため、
ＴｅとＧｅとＳｎとＳｂとを含む記録層が報告されてい
る（特開平２−１４７２８９号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の記録層は、大きな結晶化速度を示すが、高密度記録
における繰り返し書き換え性能および結晶化感度の長期
安定性は十分ではなかった。

【０００７】上記問題点を解決するため、本発明は、高
密度な記録が可能で、繰り返し書き換え性能に優れ、結
晶化感度の経時劣化が少ない情報記録媒体、およびその
製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の情報記録媒体は、基板と基板の上方に配置
された記録層とを備える情報記録媒体であって、前記記
録層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、ＭｎおよびＮから選ばれる
少なくとも１つの元素Ｍと、ＧｅとＳｂとＴｅとＳｎと
を構成元素として含み、且つ、エネルギービームの照射
によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を
起こす層であることを特徴とする。ここで、「構成元
素」とは、それが含まれる物質の１つの特性の発現に不
可欠な元素をいう。上記記録層は、本質的に、Ｇｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ、Ｓｎ、および少なくとも１つの元素Ｍからな
ることが好ましい。上記情報記録媒体によれば、高密度
な記録が可能で、繰り返し書き換え性能に優れ、結晶化
感度の経時劣化が少ない情報記録媒体が得られる。

【０００９】上記情報記録媒体では、前記記録層が、組
成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）_AＳｂ₂Ｔｅ_3+A］_100-BＭ_B （ただし、０＜Ａ≦１０、０＜Ｂ≦２０）で表される材
料からなるものでもよい。Ａ≦１０とすることによっ
て、繰り返し書き換え性能が低下することを防止でき
る。Ｂ≦２０とすることによって、結晶化感度の経時劣
化が大きくなることを防止できる。

【００１０】上記情報記録媒体では、前記記録層中のＳ
ｎの含有量が２原子％以上２０原子％以下であってもよ
い。Ｓｎの含有量を２原子％以上とすることによって、
結晶化速度を十分な速さにできる。Ｓｎの含有量を２０
原子％以下とすることによって、記録層が結晶相である
場合の反射光量と、記録層が非晶質相である場合の反射
光量との比を大きくできる。

【００１１】上記情報記録媒体では、前記記録層の厚さ
が、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であってもよい。記録層の
厚さを５ｎｍ以上とすることによって、記録層を容易に
結晶相にできる。記録層を１５ｎｍ以下とすることによ
って、繰り返し書き換え性能が低下することを防止でき
る。

【００１２】上記情報記録媒体では、第１の保護層、第
２の保護層、および反射層をさらに備え、前記第１の保
護層、前記記録層、前記第２の保護層、および前記反射
層が、前記基板上にこの順序で形成されていてもよい。
この場合、前記第１の保護層と前記記録層との間の位
置、および前記第２の保護層と前記記録層との間の位置
から選ばれる少なくとも１つの位置に配置された界面層
をさらに備えてもよい。さらに、前記第２の保護層と前
記反射層との間に配置された光吸収補正層をさらに備え
てもよい。

【００１３】上記情報記録媒体では、第１の保護層、第
２の保護層、および反射層をさらに備え、前記反射層、
前記第２の保護層、前記記録層、および前記第１の保護
層が前記基板上にこの順序で形成されていてもよい。上
記構成によれば、特に高密度記録が可能な情報記録媒体
が得られる。この場合、前記第１の保護層と前記記録層
との間の位置、および前記第２の保護層と前記記録層と
の間の位置から選ばれる少なくとも１つの位置に配置さ
れた界面層をさらに備えてもよい。さらに、前記反射層
と前記第２の保護層との間に配置された光吸収補正層を
さらに備えてもよい。

【００１４】また、本発明の情報記録媒体の製造方法
は、基板と前記基板の上方に配置された記録層とを備え
る情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層を気相
成膜法で形成する工程を含み、前記記録層が、Ａｇ、Ａ
ｌ、Ｃｒ、ＭｎおよびＮから選ばれる少なくとも１つの
元素Ｍと、ＧｅとＳｂとＴｅとＳｎとを構成元素として
含み、且つ、エネルギービームの照射によって、結晶相
と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす層であるこ
とを特徴とする。上記製造方法によれば、本発明の情報
記録媒体を容易に製造できる。

【００１５】上記製造方法では、前記気相成膜法が、真
空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、化学蒸着法、および分子線エピタキシー法から選ば
れる少なくとも１つの方法であってもよい。

【００１６】上記製造方法では、前記気相成膜法が、窒
素ガスおよび酸素ガスから選ばれる少なくとも１つのガ
スと、アルゴンおよびクリプトンから選ばれる１つの希
ガスとを含むガスを用いたスパッタリング法であっても
よい。

【００１７】上記製造方法では、前記記録層が、０．５
ｎｍ／秒以上５ｎｍ／秒以下の成膜速度で成膜されても
よい。上記構成によれば、非晶質状態の記録層を成膜で
きる。

【００１８】上記製造方法では、前記記録層の厚さが、
５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であってもよい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００２０】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
情報記録媒体について一例を説明する。

【００２１】実施形態１の情報記録媒体１０について、
一部断面図を図１に示す。情報記録媒体１０は、基板１
１と、基板１１上に順に積層された第１の保護層１２
ａ、第１の界面層１３ａ、記録層１４、第２の界面層１
３ｂ、第２の保護層１２ｂ、光吸収補正層１５、および
反射層１６と、接着層１７によって反射層１６に接着さ
れたダミー基板１８とを備える。すなわち、情報記録媒
体１０は、基板１１と、基板１１の上方に配置された記
録層１４とを備える。情報記録媒体１０には、基板１１
側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、
レーザビーム）１９が照射される。

【００２２】記録層１４は、エネルギービーム１９の照
射によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態
を起こす層である。具体的には、高パワーのエネルギー
ビーム１９を照射することによって、記録層１４の結晶
相部分を非晶質相に変化させることができる。また、低
パワーのエネルギービーム１９を照射することによって
記録層１４の非晶質相部分を結晶相に変化させることが
できる。記録層１４の厚さは、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下
であることが好ましい。

【００２３】記録層１４は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎお
よびＮから選ばれる少なくとも１つの元素Ｍと、Ｇｅと
ＳｂとＴｅとＳｎとを構成元素として含む。具体的に
は、組成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）_AＳｂ₂Ｔｅ_3+A］_100-BＭ_B （ただし、０＜Ａ≦１０、０＜Ｂ≦２０）で表される材
料を用いることができる。この組成式は、記録層１４中
に、ＧｅおよびＳｎが、合計で［（１００−Ｂ）・Ａ］
／（２Ａ＋５）原子％含まれることを示す。Ａは、２≦
Ａ≦８を満たすことがより好ましい。また、Ｂは、２≦
Ｂ≦１５を満たすことがより好ましい。この組成式で表
される材料では、Ｓｎの含有量が２原子％以上２０原子
％以下であることが好ましい。

【００２４】上記組成式で表される材料は、ＧｅＴｅ−
Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬二元系組成のＧｅの一部をＳｎで置換し、
さらに元素Ｍを添加した材料として説明することが可能
である。ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬二元系組成は、結晶化
速度が速い材料として従来から用いられているが、これ
にＳｎＴｅまたはＰｂＴｅを固溶させることによってさ
らに結晶化速度を速くできる。ＳｎＴｅおよびＰｂＴｅ
は、ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬二元系と同様に、結晶構造
が岩塩型である。また、ＳｎＴｅおよびＰｂＴｅは、結
晶化速度が速く、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅと固溶しやすい。特
に、ＳｎＴｅが、ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬二元系組成に
固溶させる材料として好ましい。

【００２５】たとえば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ３擬二元
系組成にＳｎＴｅを混ぜて得られる、ＧｅＴｅ−ＳｎＴ
ｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃を記録層１４の材料に用いることが好ま
しい。この場合、Ｇｅの一部をＳｎで置換して、（Ｇ
ｅ，Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃とすることによって、さら
に結晶化速度が大きくなる。

【００２６】記録層１４に含まれる元素Ｍは、原子移動
を抑制する機能を有すると考えられる。元素Ｍとして、
ＡｌおよびＡｇ、ＣｒおよびＡｇ、またはＭｎおよびＡ
ｇの２元素を用いることによって、繰り返し書き換え性
能を向上させ、結晶化感度の経時劣化を抑制し、信号振
幅を大きくできる。ただし、元素Ｍの濃度や元素数を増
やす場合は、結晶化速度を低下させないため、記録層１
４中のＳｎ濃度を増やすことが好ましい。元素Ｍの濃度
は、Ｓｎの濃度以下であることが好ましい。

【００２７】基板１１は、円盤状の透明な基板である。
基板１１の材料には、たとえば、アモルファスポリオレ
フィンまたはポリメチルメタクリレート(ＰＭＭＡ)など
の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１
１の表面のうち記録層１４側の表面には、必要に応じて
エネルギービーム１９を導くための案内溝が形成されて
いてもよい。基板１１の表面のうちエネルギービーム１
９が入射する側の表面は、一般に平滑である。基板１１
の厚さは、たとえば、０．５ｍｍ〜１．３ｍｍ程度であ
る。

【００２８】第１および第２の保護層１２ａおよび１２
ｂは、記録層１４を保護する機能を有する。第１および
第２の保護層１２ａおよび１２ｂの厚さを調整すること
によって、記録層１４への光入射量を大きくすることが
でき、また、信号振幅（記録前後の反射光量の変化）を
大きくすることができる。保護層の厚さは、たとえばマ
トリクス法（たとえば、久保田広著「波動光学」岩波新
書、１９７１年、第３章を参照）に基づく計算によって
決定できる。この計算によれば、結晶状態の記録層１４
の反射光量と、アモルファス状態の記録層１４の反射光
量との差が大きく、且つ記録層１４への光入射量が大き
くなるように保護層の厚さを決定できる。

【００２９】第１および第２の保護層１２ａおよび１２
ｂは、たとえば誘電体からなる。具体的には、たとえ
ば、ＳｉＯ₂やＴａ₂Ｏ₅などの酸化物、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ
−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、またはＧｅ−Ｎ
などの窒化物、ＺｎＳなどの硫化物、あるいはＳｉＣな
どの炭化物を用いることができる。また、これらの混合
物を用いることもできる。これらの中でも、ＺｎＳとＳ
ｉＯ₂との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ₂は、特に優れた
材料である。ＺｎＳ−ＳｉＯ₂は、非晶質であり、屈折
率が高く、機械的特性および耐湿性が良好である。ま
た、ＺｎＳ−ＳｉＯ ₂は、速い成膜速度で成膜できる。
第１の保護層１２ａと第２の保護層１２ｂとは、同一の
材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよ
い。

【００３０】第１および第２の界面層１３ａおよび１３
ｂは、それぞれ、第１の保護層１２ａと記録層１４との
間、および第２の保護層１２ｂと記録層１４との間に配
置される。第１および第２の界面層１３ａおよび１３ｂ
は、第１の保護層１２ａと記録層１４との間、および第
２の保護層１２ｂと記録層１４との間で生じる物質の移
動を防止する機能を有する。第１および第２の界面層１
３ａおよび１３ｂの材料には、たとえば、Ｓｉ−Ｎ、Ａ
ｌ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、またはＴａ−
Ｎなどの窒化物、あるいはこれらを含む窒化酸化物、あ
るいはＳｉＣなどの炭化物を用いることができる。良好
な記録・消去性能を得るために、第１および第２の界面
層１３ａおよび１３ｂの厚さは、１ｎｍ〜１０ｎｍの範
囲内であることが好ましく、２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内で
あることがより好ましい。

【００３１】光吸収補正層１５は、記録層１４が結晶状
態である場合の光吸収率と、記録層１４が非晶質状態で
ある場合の光吸収率との比を調整する。光吸収補正層１
５によって、書き換え時に記録マークの形状が歪むこと
を防止できる。光吸収補正層１５の材料には、屈折率が
高く、適度に光を吸収する材料を用いることが好まし
い。たとえば、屈折率ｎが３以上６以下で、消衰係数ｋ
が１以上４以下である材料を用いることができる。具体
的には、Ｇｅ−ＣｒやＧｅ−Ｍｏなどの非晶質Ｇｅ合
金、あるいは、Ｓｉ−Ｃｒ、Ｓｉ−Ｍｏ、Ｓｉ−Ｗなど
の非晶質Ｓｉ合金を用いることができる。また、Ｓｉ合
金、Ｔｅ化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、ＳｎＴｅ、またはＰｂＴｅといった、結晶性の金
属、半金属または半導体材料を用いることもできる。

【００３２】反射層１６は、記録層１４に吸収される光
量を増大させる機能を有する。さらに、反射層１６を形
成することによって、記録層１４で生じた熱を速やかに
拡散させ、記録層１４の非晶質化を容易にできる。さら
に、反射層１６を形成することによって、積層された多
層膜を使用環境から保護することができる。

【００３３】反射層１６の材料としては、たとえば、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはＣｕといった熱伝導率の高い単
体金属を用いることができる。また、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ
−Ｔｉ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−
Ｔｉといった合金を用いてもよい。これらの合金では、
組成を変化させることによって、耐湿性や熱伝導率を調
整できる。なお、反射層１６は、記録層１４の材料や、
情報の記録条件によっては省略することも可能である。

【００３４】接着層１７は、ダミー基板１８を反射層１
６に接着するための層である。接着層１７は、耐熱性お
よび接着性の高い材料からなり、たとえば、紫外線硬化
性樹脂などの樹脂を用いることができる。具体的には、
アクリル樹脂を主成分とする材料またはエポキシ樹脂を
主成分とする材料を用いることができる。また、樹脂
膜、誘電体膜、または両面テープ、あるいはこれらの組
み合わせを用いて接着層１７を形成してもよい。

【００３５】ダミー基板１８は、円盤状の基板である。
ダミー基板１８は、情報記録媒体１０の機械的強度を高
める機能を有する。また、ダミー基板１８によって、積
層された多層膜が保護される。ダミー基板１８の材料に
は、基板１１について説明した材料を用いることができ
る。ダミー基板１８の材料は、基板１１の材料と同一で
も異なってもよい。また、ダミー基板１８の厚さは、基
板１１の厚さと同一でも異なってもよい。

【００３６】実施形態１の情報記録媒体１０では、記録
層１４が元素ＭとＧｅとＳｂとＴｅとＳｎとを構成元素
として含む。このため、情報記録媒体１０によれば、高
密度な記録が可能で、繰り返し書き換え性能に優れ、結
晶化感度の経時劣化が少ない情報記録媒体が得られる。

【００３７】なお、実施形態１では、１つの記録層１４
を備える情報記録媒体１０を示したが、本発明の情報記
録媒体は、２つの記録層１４を備えてもよい（以下の実
施形態においても同様である）。たとえば、２つの情報
記録媒体１０について、それぞれのダミー基板１８同士
を接着層で貼りあわせることによって両面構造の情報記
録媒体が得られる。

【００３８】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
情報記録媒体の他の一例を説明する。なお、実施形態１
で説明した部分と同様の部分については、同一の符号を
付して重複する説明を省略する（以下の実施形態でも同
様である）。

【００３９】実施形態２の情報記録媒体２０について、
一部断面図を図２に示す。情報記録媒体２０は、第１の
基板２１と、第１の基板２１上に順に積層された反射層
１６、光吸収補正層１５、第２の保護層１２ｂ、第２の
界面層１３ｂ、記録層１４、第１の界面層１３ａ、およ
び第１の保護層１２ａと、接着層１７によって第１の保
護層１２ａに接着された第２の基板２２とを備える。す
なわち、情報記録媒体２０は、第１の基板２１と、第１
の基板２１の上方に配置された記録層１４とを備える。
情報記録媒体２０には、第２の基板２２側から記録・再
生用のエネルギービーム（一般的には、レーザビーム）
１９が照射される。

【００４０】第１の基板２１には、基板１１と同様の基
板を用いることができる。第２の基板２２は、円盤状の
透明な基板であり、基板１１と同様の材料で形成でき
る。第２の基板２２の表面のうち、記録層１４側の表面
には、必要に応じてエネルギービーム１９を導くための
案内溝が形成されていてもよい。第２の基板２２の表面
のうちエネルギービーム１９が入射する側の表面は、特
に平滑であることが好ましい。第２の基板２２は第１の
基板２１よりも薄く、たとえば厚さが０．０５ｍｍ〜
０．５ｍｍ程度である。

【００４１】情報記録媒体２０では、第２の基板２２が
第１の基板２１よりも薄いため、対物レンズの開口数を
大きくできる。ここで、エネルギービーム１９の波長を
λ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、ビームスポッ
トのサイズｗは、ｗ＝ｋ・λ／ＮＡ（ただし、ｋは定数）で与えられる。スポットサイズｗは、波長λが短いほ
ど、また、開口数ＮＡが大きいほど小さくなる。したが
って、対物レンズの開口数を大きくできる情報記録媒体
２０では、情報記録媒体１０よりも高密度の記録が可能
である。たとえば、厚さが０．６ｍｍの基板ではＮＡ＝
０．６の対物レンズを用いることができ、厚さが０．１
ｍｍの基板ではＮＡ＝０．８５の対物レンズを用いるこ
とができるという報告がされている（Ｋｉｙｏｓｈｉ
Ｏｓａｔｏ,"Ａｒｅｗｒｉｔａｂｌｅｏｐｔｉｃａ
ｌｄｉｓｋｓｙｓｔｅｍｗｉｔｈｏｖｅｒ１
０ＧＢｏｆｃａｐａｃｉｔｙ",Ｐｒｏｃ．ＳＰＩ
Ｅ．ＯｐｔｉｃａｌＤａｔａＳｔｏｒａｇｅ'９８,３
４０１,８０−８６(１９９８)）。

【００４２】情報記録媒体２０は、情報記録媒体１０で
説明した材料からなる記録層１４を用いているため、情
報記録媒体１０と同様の効果が得られる。

【００４３】（実施形態３）実施形態３では、本発明の
情報記録媒体の製造方法の一例として、情報記録媒体１
０の製造方法について説明する。以下で説明するよう
に、実施形態３の製造方法は、記録層１４を気相成膜法
で形成する工程を含む。

【００４４】まず、基板１１を用意し、基板１１を成膜
装置に配置する。実施形態３で使用する成膜装置には、
１つの真空室に１つの電源が備えられている枚葉式成膜
装置や、１つの真空室に複数の電源が備えられているイ
ンライン成膜装置を用いることができる。なお、以下の
各層は、それぞれ同一の成膜装置で成膜してもよいし、
異なる成膜装置で成膜してもよい。

【００４５】そして、基板１１上に、第１の保護層１２
ａ、第１の界面層１３ａ、記録層１４、第２の界面層１
３ｂ、第２の保護層１２ｂ、光吸収補正層１５、および
反射層１６を順次形成する。エネルギービーム１９を導
くための溝が基板１１の表面に形成されている場合に
は、溝が形成されている表面上に第１の保護層１２ａを
形成する。

【００４６】第１の保護層１２ａ、第１の界面層１３
ａ、第２の界面層１３ｂ、および第２の保護層１２ｂ
は、たとえばスパッタリング法によって形成できる。具
体的には、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガ
スとの混合ガス雰囲気中で、化合物からなる母材をスパ
ッタリングすればよい。また、Ａｒガスと反応ガスとの
混合ガス雰囲気中で、金属からなる母材をスパッタリン
グする反応性スパッタリング法を用いてもよい。

【００４７】記録層１４は、実施形態１で説明した材料
からなり、気相成膜法（ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎＭｅｔｈｏｄ）によって形成される。気相成膜法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法、化学蒸着法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、および分子線エピタキシ
ー法（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘ
ｙ）から選ばれる少なくとも１つを用いることができ
る。

【００４８】たとえば、窒素ガスおよび酸素ガスから選
ばれる少なくとも１つのガスと、アルゴンおよびクリプ
トンから選ばれる１つの希ガスとを含む混合ガスを用い
たスパッタリング法で記録層１４を形成できる。上記混
合ガスとしては、たとえば、窒素ガスとアルゴンとの混
合ガス、窒素ガスとクリプトンとの混合ガス、またはこ
れらに酸素ガスを加えた混合ガスを用いることができ
る。具体的には、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｎ、および元素
Ｍを含む母材（ターゲット）を上記混合ガス雰囲気中で
スパッタリングすることによって記録層１４を形成でき
る。母材としては、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｎ、および元
素Ｍのそれぞれに対応する５つの母材を用いてもよい
し、いくつかの元素を組み合わせた２元系母材や３元系
母材を用いてもよい。また、元素Ｍが窒素のみからなる
場合には、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、およびＳｎを含むターゲ
ットを、窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングする
ことによって記録層１４を形成できる。

【００４９】スパッタリング法によれば、組成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）_AＳｂ₂Ｔｅ_3+A］_100-BＭ_B （ただし、０＜Ａ≦１０、０＜Ｂ≦２０）で表される記
録層を容易に形成できる。

【００５０】記録層１４は、０．５ｎｍ／秒以上５ｎｍ
／秒以下（より好ましくは、０．８ｎｍ／秒〜３ｎｍ／
秒）の成膜速度で成膜されることが好ましい。

【００５１】第２の保護層１２ｂを形成したのち、第２
の保護層１２ｂ上に、光吸収補正層１５および反射層１
６を形成する。光吸収補正層１５および反射層１６は、
金属からなる母材をＡｒガス雰囲気中でスパッタリング
することによって形成できる。

【００５２】次に、反射層１６上に接着層１７を形成
し、反射層１６とダミー基板１８とを貼りあわせる。こ
のようにして情報記録媒体１０を製造できる。なお、必
要に応じて、記録層１４の全面を結晶化させる初期化工
程を行ってもよい。初期化工程は、ダミー基板１８を貼
りあわせる前、またはダミー基板１８を貼りあわせたの
ちに行うことができる。

【００５３】なお、情報記録媒体２０も、情報記録媒体
１０と同様の方法で製造できる。情報記録媒体２０の各
層は、情報記録媒体１０の各層と同様の方法で形成でき
る。また、第２の基板２２は、ダミー基板１８と同様
に、接着層１７によって第１の保護層１２ａに接着でき
る。情報記録媒体２０の製造方法でも、必要に応じて初
期化工程を行う。初期化工程は、第２の基板２２を貼り
あわせる前、または第２の基板２２を貼りあわせたのち
に行うことができる。情報記録媒体２０では、第２の基
板２２側からエネルギービーム１９が入射するため、接
着層１７の厚さは、全面にわたって均一であることが好
ましい。

【００５４】実施形態３の製造方法によれば、本発明の
情報記録媒体を容易に製造できる。

【００５５】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に
説明する。

【００５６】（実施例１）実施例１では、情報記録媒体
１０の一例について説明する。以下、実施例１の情報記
録媒体の製造方法について説明する。

【００５７】まず、基板１１として、スパイラル状の案
内溝が形成されたポリカーボネート基板（厚さ：０．６
ｍｍ）を用意した。このポリカーボネート基板上に、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ₂層（第１の保護層１２ａ、厚さ１４０ｎ
ｍ）、Ｇｅ−Ｎ層（第１の界面層１３ａ、厚さ：５ｎ
ｍ）、記録層（記録層１４）、Ｇｅ−Ｎ層（第２の界面
層１３ｂ、厚さ：３ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（第２
の保護層１２ｂ、厚さ：４０ｎｍ）、ＧｅＣｒ層（光吸
収補正層１５、厚さ：４０ｎｍ）、およびＡｇ合金層
（反射層１６、厚さ：８０ｎｍ）をこの順序で、スパッ
タリング法によって形成した。第１の保護層１２ａおよ
び第２の保護層１２ｂの厚さは、波長６６０ｎｍにおけ
る信号振幅（反射光量の変化）が大きくなるように、か
つ記録層への入射光量が大きくなるように調整された。
これらの厚さは、マトリクス法に基づく計算を用いて決
定された。

【００５８】記録層は、組成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）₄Ｓｂ₂
Ｔｅ₇］₉₅Ｎ₅で表される材料を用いて形成した。この記
録層は、ＧｅとＳｎとを、合計で９５×４／（４＋２＋
７）＝２９原子％含む。具体的には、Ｇｅの含有量を２
４原子％とし、Ｓｎの含有量を５原子％とした。

【００５９】その後、接着層１７として紫外線硬化性樹
脂をＡｇ合金層上にスピンコートした。最後に、ダミー
基板（厚さ：０．６ｍｍ）をＡｇ合金層に密着させて紫
外線照射を行い、Ａｇ合金層とダミー基板とを接着し
た。

【００６０】実施例１では、ダミー基板の接着後に、情
報記録媒体の全体にレーザビームを照射して記録層の全
体を結晶化させた。このようにして、実施例１の情報記
録媒体を作製した。実施例１では、記録層の厚さが異な
る８種類の情報記録媒体１０−１１〜１０−１８を作製
した。

【００６１】一方、比較例として、記録層の材料を変え
た以外は上記実施例と同様に情報記録媒体を作製した。
この比較例では、組成式Ｇｅ₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇で表される材
料を用いて記録層を形成した。この比較例についても、
記録層の厚さが異なる８種類の情報記録媒体Ｃ−１１〜
Ｃ−１８を作製した。

【００６２】以上の１６種類の情報記録媒体について、
繰り返し書き換え性能と、結晶化感度の経時劣化とを評
価した。これらの評価方法については後述する。評価結
果を表１に示す。

【００６３】

【表１】

【００６４】表１の「書き換え可能回数」が大きいほ
ど、繰り返し書き換え性能が良好であることを示す。Ａ
１〜Ｄ１は、それぞれ、表の下段の範囲を示す。Ｅ１
は、書き換えができなかったことを示す。表１の「ジッ
ター値変化」が小さいほど、結晶化感度の経時劣化が少
ないことを示す。Ａ２〜Ｄ２は、それぞれ、表の下段の
範囲を示す。Ｅ２は、放置試験前のジッター値が、記録
マークの前端間、および記録マークの後端間で、ともに
１３％を上回ったために評価できなかったことを示す。
Ａ１〜Ｅ１およびＡ２〜Ｅ２の意味は、以下の表でも同
じである。

【００６５】表１に示されるように、比較例の情報記録
媒体Ｃ−１１〜Ｃ−１８では、書き換え可能回数とジッ
ター値変化の両方についてＡまたはＢの特性を示す場合
がなかった。これに対し、実施例１の情報記録媒体１０
−１３〜１０−１６では、書き換え可能回数とジッター
値変化の両方についてＡまたはＢの特性を示した。

【００６６】また、実施例１の情報記録媒体は、平均的
に、比較例Ｃ−１１〜Ｃ−１８と比べ、繰り返し書き換
え性能が良好で結晶化感度の経時劣化が少なかった。繰
り返し書き換え性能の向上は、窒素を添加したことによ
るものと考えられる。また、結晶化感度の経時劣化の抑
制は、Ｇｅ₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇のＧｅの一部をＳｎで置換した
ことによって結晶化速度が増大したためであると考えら
れる。

【００６７】（実施例２）実施例２では、記録層のＳｎ
含有量を変化させて情報記録媒体１０を作製した一例に
ついて説明する。

【００６８】記録層の厚さを７ｎｍに固定し、記録層の
Ｓｎ含有量を変えたことを除いて、実施例１と同様に情
報記録媒体を作製した。実施例２の情報記録媒体では、
記録層は、組成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇］₉₅Ｎ₅
で表される材料を用いて形成した。そして、Ｓｎの含有
量を２原子％〜２５原子％の間で変化させ、Ｇｅの含有
量を２７原子％〜４原子％の間で変化させた８種類の情
報記録媒体１０−２１〜１０−２８を作製した。情報記
録媒体１０−２２は、情報記録媒体１０−１３と同じで
ある。また、比較例として、Ｓｎを含まない情報記録媒
体Ｃ−２１も同様に作製した。

【００６９】これらの情報記録媒体１０−２１〜２８お
よびＣ−２１について、後述する方法でジッター値変化
を測定することによって、結晶化感度の経時劣化を評価
した。評価結果を表２に示す。

【００７０】

【表２】

【００７１】表２に示されるように、Ｓｎの含有量が２
原子％〜２０原子％の範囲で良好な特性が得られた。

【００７２】（実施例３）実施例３では、元素Ｍを変化
させて情報記録媒体１０を作製した一例について説明す
る。

【００７３】元素Ｍを変化させ、記録層の厚さを１１ｎ
ｍに固定した以外は、実施例１と同様に情報記録媒体を
作製した。実施例３の情報記録媒体では、記録層は、組
成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇］₉₅Ｍ₅で表される材
料を用いて形成した。Ｇｅの含有量を２４原子％とし、
Ｓｎの含有量を５原子％とした。実施例３では、元素Ｍ
として、Ｍｎ、Ａｇ、Ｃｒ、Ａｌ、またはＮを用いた５
種類の情報記録媒体１０−３１〜１０−３５を作製し
た。また、比較例として、元素Ｍを含まない情報記録媒
体Ｃ−３１も同様に作製した。

【００７４】これらの情報記録媒体１０−３１〜３５お
よびＣ−３１について、後述する方法で繰り返し書き換
え性能を評価した。評価結果を表３に示す。

【００７５】

【表３】

【００７６】表３に示されるように、元素Ｍとして、Ｍ
ｎ、Ａｇ、Ｃｒ、Ａｌ、またはＮを用いることによっ
て、書き換え性能が向上した。この効果は、Ｍｎ、Ｃ
ｒ、Ａｌ、およびＮで特に大きかった。また、元素Ｍと
してＡｇを用いた場合は、信号振幅が大きくなって、記
録マークの前端間のジッター値、および記録マークの後
端間ジッター値が改善された。

【００７７】（実施例４）実施例４では、元素Ｍとして
Ｍｎを用いて情報記録媒体１０を作製した一例を説明す
る。

【００７８】元素ＭとしてＭｎを用いた以外は、実施例
１と同様に情報記録媒体を作製した。実施例４の情報媒
体では、記録層は、組成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）₄Ｓｂ₂Ｔｅ
₇］₉ ₅Ｍｎ₅で表される材料を用いて形成した。Ｇｅの含
有量を２４原子％とし、Ｓｎの含有量を５原子％とし
た。実施例４では、記録層の厚さを変化させた８種類の
情報記録媒体１０−４１〜１０−４８を作製した。

【００７９】これらの情報記録媒体１０−４１〜１０−
４８について、後述する方法で、繰り返し書き換え性能
と、結晶化感度の経時劣化とを評価した。評価結果を表
４に示す。

【００８０】

【表４】

【００８１】表４に示されるように、元素ＭとしてＭｎ
を用いることによって、繰り返し書き換え性能が良好
で、結晶化感度の経時劣化が少ない情報記録媒体を得る
ことが可能になった。記録層の厚さが７ｎｍ以上１３ｎ
ｍ以下の場合に、これら２つの特性が良好になった。ま
た、放置前に記録したランダム信号を放置後に再生だけ
行ったところ、ジッター値に変化がなかったので、記録
保存性においても問題がないことが確認された。

【００８２】（実施例５）実施例５では、元素Ｍの含有
量およびＳｎの含有量を変化させて情報記録媒体１０を
作製した一例を説明する。

【００８３】元素ＭとしてＣｒを用い、Ｓｎの含有量を
変化させた以外は、実施例１と同様に情報記録媒体を作
製した。記録層は、組成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）₄Ｓｂ₂Ｔｅ
₇］₉ ₅Ｃｒ₅で表される材料を用いて形成した。Ｓｎの含
有量を０〜２５原子％まで変化させ、Ｇｅの含有量を２
９原子％〜４原子％まで変化させた。記録層の厚さは、
９ｎｍとした。

【００８４】このようにして作製された複数の情報記録
媒体について、後述する方法で繰り返し書き換え性能と
結晶化感度の経時劣化とを評価した。評価の結果、特に
好ましい結果が得られた範囲を表５の＊で示す。

【００８５】

【表５】

【００８６】＊印は、書き換え可能回数が１０万回以上
で、かつ、ジッター値変化が＋２％以下であったことを
表す。表５に示されるように、Ｓｎの含有量が５原子％
〜２０原子％でＣｒの含有量が２原子％〜１５原子％の
材料を用いることによって、繰り返し書き換え性能が良
好で、結晶化感度の経時劣化が少ない情報記録媒体が得
られた。

【００８７】さらに、元素ＭとしてＭｎまたはＡｌを用
いて同様の実験を行ったところ、元素ＭにＣｒを用いた
情報記録媒体と同様の結果が得られた。

【００８８】さらに、元素Ｍとして、ＡｇおよびＭｎ、
またはＡｇおよびＡｌ、またはＡｇおよびＣｒを用いて
同様の実験を行った。Ａｇの含有量は１原子％に固定し
た。その結果、Ｓｎの含有量を５原子％〜２０原子％と
し、Ｍｎ、ＡｌまたはＣｒの含有量を１原子％〜１３原
子％とすることによって、特性が優れた情報記録媒体が
得られた。

【００８９】（実施例６）実施例６では、情報記録媒体
２０を作製した一例について説明する。

【００９０】まず、第１の基板２１として、スパイラル
状の案内溝が表面に形成されたポリカーボネート基板
（厚さ：１．１ｍｍ）を用意した。次に、ポリカーボネ
ート基板上に、Ａｇ合金層（反射層１６、厚さ：８０ｎ
ｍ）、Ｔｅ化合物層（光吸収補正層１５、厚さ：２０ｎ
ｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（第２の保護層１２ｂ、厚
さ：１１ｎｍ）、Ｇｅ−Ｎ層（第２の界面層１３ｂ、厚
さ：３ｎｍ）、記録層（記録層１４）、Ｇｅ−Ｎ層（第
１の界面層１３ａ、厚さ５ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ ₂層
（第１の保護層１２ａ、厚さ：６０ｎｍ）をこの順序
で、スパッタリング法によって形成した。第１の保護層
１２ａおよび第２の保護層１２ｂの厚さは、波長４０５
ｎｍにおける信号振幅（反射光量の変化）が大きくなる
ように、かつ記録層への入射光量が大きくなるように調
整された。これらの厚さは、マトリックス法に基づく計
算を用いて決定された。

【００９１】記録層は、組成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）₄Ｓｂ₂
Ｔｅ₇］₉₅Ｍｎ₅で表される材料を用いて形成した。Ｇｅ
の含有量を１９原子％とし、Ｓｎの含有量を１０原子％
とした。

【００９２】その後、接着層１７として紫外線硬化樹脂
を第１の保護層上に塗布した。最後に、第２の基板（第
２の基板２２、厚さ：０．１ｍｍ）を第１の保護層に密
着させて紫外線照射を行い、第１の保護層と第２の基板
とを接着した。

【００９３】実施例６では、第２の基板の接着後に、情
報記録媒体の全体にレーザビームを照射して記録層の全
体を結晶化させた。このようにして、実施例６の情報記
録媒体を作製した。実施例６では、記録層の厚さが異な
る７種類の情報記録媒体２０−１〜２０−７を作製し
た。これらの情報記録媒体について、後述する評価方法
で、繰り返し書き換え性能と、結晶化感度の経時劣化と
を評価した。実施例６の評価では、波長が４０５ｎｍの
レーザビームとＮＡ＝０．８の対物レンズを用いた高密
度記録を行って特性を評価した。評価結果を表６に示
す。

【００９４】

【表６】

【００９５】高密度記録においても、表６に示すよう
に、繰り返し書き換え性能が良好で、結晶化感度の経時
劣化が少ない情報記録媒体が得ることが可能となった。
これは、Ｇｅ₄Ｓｂ₂Ｔｅ₇のＧｅの一部をＳｎで置換
し、さらに元素ＭとしてＭｎを添加したためであると考
えられる。

【００９６】さらに、元素ＭとしてＣｒまたはＡｌを用
いて同様の実験を行ったところ、元素ＭにＭｎを用いた
情報記録媒体と同様の結果が得られた。

【００９７】さらに、元素Ｍとして、ＡｇおよびＭｎ、
またはＡｇおよびＡｌ、またはＡｇおよびＣｒを用いて
同様の実験を行った。Ａｇの含有量は１原子％とした。
Ｍｎ、Ａｌ、またはＣｒの含有量は、４原子％とした。
その結果、元素ＭにＭｎを用いた情報記録媒体と同様の
結果が得られた。

【００９８】（繰り返し書き換え性能の評価）以下に、
繰り返し書き換え性能の評価方法について説明する。

【００９９】評価に用いた記録・再生装置の概略図を図
３に示す。記録・再生装置は、情報記録媒体３１を回転
させるスピンドルモータ３２と、半導体レーザ３３を備
える光学ヘッド３４と、対物レンズ３５とを備える。半
導体レーザ３３から出射されたレーザビーム３６は、対
物レンズ３５によって集光されて情報記録媒体３１の記
録層に照射される。情報記録媒体３１には、実施例で作
製した情報記録媒体を用いる。

【０１００】実施例１〜５の評価では、波長６６０ｎｍ
の半導体レーザ３３と、開口数０．６の対物レンズ３５
とを使用し、線速度は８．２ｍ／秒とした。また、実施
例６の評価では、波長４０５ｎｍの半導体レーザ３３
と、開口数０．８の対物レンズ３５とを使用し、線速度
は８．６ｍ／秒とした。

【０１０１】繰り返し書き換え性能の評価のために、レ
ーザビーム３６を、高出力のピークパワーＰｐと低出力
のバイアスパワーＰｂとに変調させてランダム信号を記
録した。そして、記録マークの前端間のジッター値と、
記録マークの後端間のジッター値とを測定し、両者を平
均して平均ジッター値を算出した。繰り返し書き換え性
能は、ＰｐとＰｂのレーザビーム３６を用いて信号を繰
り返し記録し、平均ジッター値が１３％に達するまでの
書き換え回数（表中の書き換え可能回数）によって評価
した。情報記録媒体をコンピュータの外部メモリとして
用いる場合には、書き換え可能回数は１０万回以上が好
ましい。情報記録媒体を画像・音声レコーダとして用い
る場合には、書き換え可能回数は、１万回でも十分とい
える。

【０１０２】（結晶化感度の経時劣化の評価）以下に、
結晶化感度の経時劣化の評価方法について説明する。

【０１０３】まず、繰り返し書き換え性能の評価と同様
の方法で、情報記録媒体にランダム信号を１０回記録
し、記録マークの前端間のジッター値、および記録マー
クの後端間のジッター値を測定した。

【０１０４】次に、情報記録媒体を９０℃で相対湿度２
０％の環境に２４時間放置した。そして、放置後に、放
置前に記録した信号にランダム信号を１回重ね書きし
た。その後、記録マークの前端間のジッター値、および
記録マークの後端間のジッター値を測定した。

【０１０５】表中の（ジッター値変化（％））は、（ジ
ッター値変化（％））＝（放置後のジッター値（％））
−（放置前のジッター値（％））で与えられる値であ
る。

【０１０６】放置前後で結晶化感度に変化がなければジ
ッター値変化はほとんどない。逆に、放置前後で結晶化
感度が低下した場合、ジッター値変化が大きくなる。こ
のため、ジッター値変化が少ないほど、結晶化感度の経
時劣化が少ないことがわかる。実用的には、前端間のジ
ッター値変化または後端間のジッター値変化のうち、い
ずれか悪い方が＋２％以下であることが好ましい。

【０１０７】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。

【０１０８】

【発明の効果】以上のように、本発明の情報記録媒体に
よれば、繰り返し書き換え性能が良好で、結晶化感度の
経時劣化が少ない情報記録媒体が得られる。

【０１０９】また、本発明の情報記録媒体の製造方法に
よれば、本発明の情報記録媒体を容易に製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報記録媒体について一例を示す一
部断面図である。

【図２】本発明の情報記録媒体について他の一例を示
す一部断面図である。

【図３】情報記録媒体の評価に用いた記録・再生装置
の概略図である。

【符号の説明】

１０、２０、３１情報記録媒体１１基板１２ａ第１の保護層１２ｂ第２の保護層１３ａ第１の界面層１３ｂ第２の界面層１４記録層１５光吸収補正層１６反射層１７接着層１８ダミー基板１９エネルギービーム２１第１の基板２２第２の基板３２スピンドルモータ３３半導体レーザ３４光学ヘッド３５対物レンズ３６レーザビーム

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者西原孝史大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA31 EA32 FA11 FA12 FA14 FB05 FB06 FB09 FB12 FB17 FB21 FB29 FB30 GA02 GA03 5D029 JA01 JB35 JC18 LB01 LB11 MA01 MA03 5D121 AA01 EE01 EE03 EE13 EE17 EE18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と基板の上方に配置された記録層と
を備える情報記録媒体であって、前記記録層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、ＭｎおよびＮから選
ばれる少なくとも１つの元素Ｍと、ＧｅとＳｂとＴｅと
Ｓｎとを構成元素として含み、且つ、エネルギービーム
の照射によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的に相
変態を起こす層であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】前記記録層が、組成式［（Ｇｅ，Ｓｎ）_AＳｂ₂Ｔｅ_3+A］_100-BＭ_B （ただし、０＜Ａ≦１０、０＜Ｂ≦２０）で表される材
料からなる請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】前記記録層中のＳｎの含有量が２原子％
以上２０原子％以下である請求項１または２に記載の情
報記録媒体。
【請求項４】前記記録層の厚さが、５ｎｍ以上１５ｎ
ｍ以下である請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】第１の保護層、第２の保護層、および反
射層をさらに備え、前記第１の保護層、前記記録層、前
記第２の保護層、および前記反射層が、前記基板上にこ
の順序で形成されている請求項１に記載の情報記録媒
体。
【請求項６】第１の保護層、第２の保護層、および反射
層をさらに備え、前記反射層、前記第２の保護層、前記
記録層、および前記第１の保護層が前記基板上にこの順
序で形成されている請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】前記第１の保護層と前記記録層との間の
位置、および前記第２の保護層と前記記録層との間の位
置から選ばれる少なくとも１つの位置に配置された界面
層をさらに備える請求項５または６に記載の情報記録媒
体。
【請求項８】前記反射層と前記第２の保護層との間に
配置された光吸収補正層をさらに備える請求項５または
６に記載の情報記録媒体。
【請求項９】基板と前記基板の上方に配置された記録
層とを備える情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層を気相成膜法で形成する工程を含み、前記記録層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、ＭｎおよびＮから選
ばれる少なくとも１つの元素Ｍと、ＧｅとＳｂとＴｅと
Ｓｎとを構成元素として含み、且つ、エネルギービーム
の照射によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的に相
変態を起こす層であることを特徴とする情報記録媒体の
製造方法。
【請求項１０】前記気相成膜法が、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、
および分子線エピタキシー法から選ばれる少なくとも１
つの方法である請求項９に記載の情報記録媒体の製造方
法。
【請求項１１】前記気相成膜法が、窒素ガスおよび酸
素ガスから選ばれる少なくとも１つのガスと、アルゴン
およびクリプトンから選ばれる１つの希ガスとを含むガ
スを用いたスパッタリング法である請求項９に記載の情
報記録媒体の製造方法。
【請求項１２】前記記録層が、０．５ｎｍ／秒以上５
ｎｍ／秒以下の成膜速度で成膜される請求項９ないし１
１のいずれかに記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１３】前記記録層の厚さが、５ｎｍ以上１５
ｎｍ以下である請求項９ないし１２のいずれかに記載の
情報記録媒体の製造方法。