JPH10302311A

JPH10302311A - 光学的情報記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH10302311A
Application number: JP9110759A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Ota; 啓之大田; Eiji Ono; 鋭二大野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-04-28
Filing date: 1997-04-28
Publication date: 1998-11-13

Abstract

(57)【要約】【課題】記録層から離隔した側にＧｅ、Ｓｉ及び記録
層の構成元素の少なくとも何れか一つを含む窒化物ある
いは窒酸化物からなる誘電体層を有する場合、記録層と
誘電体層の間の応力が抑制され、膜の接着性に優れ、耐
熱特性に優れた高信頼性の光学的情報記録媒体を提供す
る。【解決手段】基板上１に、レーザー光線の照射によっ
て光学的に識別可能な状態間で可逆的変化を生じる材料
からなる記録層４と、その上下の少なくとも一方が２層
からなる誘電体層からなり、記録層４に接する第２の誘
電体層３あるいは／及び第４の誘電体層５の少なくとも
一方がＧｅ、Ｓｉ及び記録層の構成元素の少なくとも何
れか一つを含む酸素濃度の高い窒酸化物あるいは酸化
物、硫化物、あるいはフッ化物、フッ化酸化物で構成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光線等の
光学的手段を用いて、情報を高密度かつ高速に記録、再
生および書き換えを行う光学的情報記録媒体及びその製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザー光線等を利用して光ディスク上
に高密度な情報の記録再生を行う技術は公知であり、現
在文書ファイル、静止画ファイル、コンピュータ用外部
メモリ等への応用が行われている。

【０００３】また、書き換え可能型の情報記録システム
の研究開発も進められており、その一つに相変化光ディ
スクがある。相変化光ディスクは、記録膜がレーザー光
線の照射によってアモルファスと結晶間（あるいは結晶
とさらに光学特性が異なる構造の結晶間）で可逆的に光
学的状態変化を起こすことを利用して信号を記録し、当
該光学的状態変化の相違を、例えば反射率の差として光
学的に検出して信号の再生を行う。

【０００４】相変化光ディスクでは、古い信号を消去し
ながら新しい信号を記録するオーバーライトが、信号ト
ラック上をレーザースポットが一回通過するだけででき
るという大きなメリットがある。すなわち、レーザー光
のパワーを信号に応じて記録レベルと消去レベル間で変
調して照射すると、例えばアモルファス・結晶間で相変
化する場合では、記録レベルで照射された領域は、古い
信号の有無に係わらず記録膜は溶融された後冷却される
ためにアモルファスになり、消去レベルで照射された領
域は、結晶化温度以上に昇温されるために前の状態に係
わらず結晶となるのである。

【０００５】相変化光ディスクの構造は、記録層を誘電
体層でサンドイッチして基板上に設けた３層構造と、さ
らにその上に反射膜を設けた４層構造が一般的である。

【０００６】誘電体層の役割は、１）記録層のレーザー光吸収率を高める、２）アモルファス状態と結晶状態の反射率変化を大きく
して再生信号振幅を大きくする、３）基板を熱的ダメージから保護する、等がある。

【０００７】相変化光ディスクの場合、信号記録時には
記録膜を融点（例えば６００℃）以上に昇温して溶融す
る過程があるために、誘電体層は大きな熱的ストレスを
受ける。そのため内部応力が小さく、かつ熱的に安定な
誘電体材料としてＺｎＳとＳｉＯ₂の混合材料(以下Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂)が開発されている（第35回応用物理学関係
連合講演会予稿集28P-ZQ-3, P839(1988)）。この混合材
料は屈折率が大きいため、レーザー光の吸収率を高めた
り、アモルファス・結晶間または結晶・結晶間の反射率
変化を大きくするのにも適している。

【０００８】また、Ｇｅ、Ｓｉあるいは記録層の構成元
素を組成中に含む窒化物あるいは窒酸化物（非ガス元素
の窒化部分と酸化部分とが混在した化合物を言う）を記
録層に接する誘電体層に用いた場合、窒素あるいは酸素
の解離する温度が高く、熱的に安定である。さらに、窒
化物あるいは窒酸化物は緻密な膜であるため、外部から
のガスの進入、またはオーバーライトサイクルによる熱
や応力により記録層から離隔した誘電体層の材料から遊
離したガスの記録層への移動を抑制する効果がある。こ
れにより、記録特性（再生及び記録信号強度の安定性）
の高温高湿下における信頼性が良好になると考えられ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、相変化
光ディスクにおける記録膜の保護層として窒化物あるい
は窒酸化物からなる誘電体材料を用いた場合、耐熱性が
向上し、記録膜へのガスの進入を防ぐことができるた
め、良好なオーバーライト特性が得られる。

【００１０】しかしながら、窒化物あるいは窒酸化物か
らなる誘電体材料は、記録膜との密着力が弱く、例えば
高温高湿の耐環境性試験によって剥離する場合があっ
た。

【００１１】この剥離現象は、特に相変化光ディスクの
結晶状態で顕著であった。相変化光ディスクでは。一般
に信号の記録がアモルファス状態、消去が結晶状態に対
応するが、成膜直後はアモルファス状態のため、レーザ
光照射あるいはフラッシュ光照射によって、あらかじめ
結晶化し消去状態とする。この時結晶化することによっ
て体積が数％から１０％収縮する。すなわち、記録層と
誘電体層との界面の応力が大きくなるため、アモルファ
ス状態よりも結晶状態の場合に剥離しやすくなるものと
考えられる。

【００１２】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、相変化型光学的情報記録媒体の記録層と誘電体層と
の界面での剥離と抑制でき、以てオーバーライトサイク
ル特性が良好で、熱的に安定な高信頼性の光学的情報記
録媒体、及びその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光学的情報記録媒体、レーザ光線の照射に
よって光学的に識別可能な状態間で可逆的な変化を生じ
る材料を含む記録層を基板上に備え、材料または材料組
成比の少なくとも何れか一方が異なる誘電体を含む保護
層を少なくとも一方の前記基板の主面に具備し、前記保
護層の内少なくとも前記記録層から離隔した側の誘電体
の材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内
の少なくとも何れか１つの窒化物あるいは窒酸化物の何
れかの構成を有する。

【００１４】また、この保護層の内、少なくとも記録層
に隣接した誘電体の材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録
層の構成元素の内の少なくとも何れか１つの酸化物ある
いは窒酸化物の何れかである、あるいは、この保護層の
内、少なくとも記録層に隣接した誘電体の酸素濃度が、
前記記録層から離隔した側の誘電体に比べ多い光学的情
報記録媒体である。

【００１５】また、この光学的情報記録媒体の製造方法
として、保護層の内少なくとも前記記録層に隣接した前
記誘電体の成膜が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成
元素の内の少なくとも何れか１つを含むターゲットを用
い、希ガスと少なくとも酸素成分を含む混合雰囲気中で
スパッタリングによって成膜する構成を含み作製され
る。

【００１６】あるいは、記録層の表面を、希ガスと少な
くとも酸素成分を含む混合雰囲気中でプラズマ処理した
後、直ちにＧｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内
の少なくとも何れか１つの窒化物あるいは窒酸化物の何
れかを成膜する工程を含み作製する。

【００１７】また、本発明の光学的情報記録媒体は、保
護層の内少なくとも前記記録層に隣接した誘電体の材料
が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の少な
くとも何れか１つの硫化物であり、かつ前記保護層の内
少なくとも前記記録層から離隔した側の誘電体の材料
が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の少な
くとも何れか１つの窒化物あるいは窒酸化物の何れかで
構成する。

【００１８】上記光学的情報記録媒体は、この記録層の
表面を、希ガスと少なくともＳＦ₆、Ｈ₂Ｓの何れかを含
む混合雰囲気中でプラズマ処理した後、直ちにＧｅ、Ｓ
ｉまたは前記記録層の構成元素の内の少なくとも何れか
１つの窒化物あるいは窒酸化物の何れかを成膜する工程
を含み作製する。

【００１９】あるいは、保護層の内少なくとも記録層に
隣接した誘電体の材料の成膜が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記
記録層の構成元素の内の少なくとも何れか１つを含むタ
ーゲットを用い、希ガスと少なくともＳＦ₆、Ｈ₂Ｓの何
れかを含む混合雰囲気中でスパッタして成膜する工程を
含み作製する。

【００２０】また、本発明の光学的情報記録媒体は、保
護層の内少なくとも記録層に隣接した誘電体の材料が、
Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の少なくと
も何れか１つのフッ化物あるいはフッ酸化物（非ガス元
素のフッ化部分と酸化部分とが混在した化合物を言う）
であり、前記保護層の内少なくとも前記記録層から離隔
した側の誘電体の材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層
の構成元素の内の少なくとも何れか１つの窒化物あるい
は窒酸化物の何れかで構成する。

【００２１】上記光学的情報記録媒体は、この記録層の
表面を、希ガスと少なくともＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，
ＣＨＦ₃の何れかを含む混合雰囲気中でプラズマ処理し
た後、直ちに、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素
の内の少なくとも何れか１つの窒化物あるいは窒酸化物
の何れかを成膜する工程を含み作製する。

【００２２】あるいは、保護層の内少なくとも記録層に
隣接した誘電体の材料の成膜が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記
記録層の構成元素の内の少なくとも何れか１つを含むタ
ーゲットを用い、希ガスと少なくともＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆，
Ｃ₃Ｆ₈，ＣＨＦ₃の何れかを含む混合雰囲気中でスパッ
タして成膜する工程を含み作製する。

【００２３】

【発明の実施の形態】保護層の内、記録層に隣接した誘
電体の材料を、酸素組成比の多いＧｅ、Ｓｉまたは前記
記録層の構成元素の内の少なくとも何れか１つを含む窒
化物あるいは窒酸化物とすることにより、記録層から離
隔した側の誘電体材料のもつ特性、つまり、オーバーラ
イトサイクルによって誘電体材料から遊離した成分の記
録層へ拡散等に起因する移動を抑制や、記録層のオーバ
ーライトサイクル時の耐熱特性の向上を損なうことな
く、記録層と誘電体層の接着性が改善される。

【００２４】また、記録層に隣接した保護層の誘電体の
材料を、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の
少なくとも何れか１つを含む硫化物、あるいはフッ化物
とした場合にも同様の効果が得られる。

【００２５】なお、記録層に隣接した誘電体の材料とし
て、Ｇｅ、Ｓｉまたは記録層の構成元素の内の少なくと
も何れか１つの酸化物あるいは酸素濃度の多い窒酸化物
の何れかを適用する場合には、膜の内部応力の緩和効果
が顕著であるため好ましく、特にＧｅまたはＳｉの酸化
物あるいは窒酸化物を適用した場合には、内部応力が小
さいため好ましい。

【００２６】図１に本発明による光学的情報記録媒体の
構造の一例を示す。基板１上に記録層４から離隔した第
１の誘電体２と、記録層４に隣接した第２の誘電体３と
からなる保護層Ａ、記録層４、記録層４に隣接した第３
の誘電体５と、記録層４から離隔した第４の誘電体６と
からなる保護層Ｂ、反射層７の順に積層した構成であ
る。

【００２７】また、図２に本発明による光学的情報記録
媒体の構造の他の一例を示す。基板１１上に記録層１４
から離隔した第１の誘電体層１２と、記録層１４に隣接
した第２の誘電体層１３とからなる保護層Ａ、記録層１
４、第３の誘電体層１５（保護層）、反射層１６の順に
積層した構成である。

【００２８】さらに、図３に本発明による光学的情報記
録媒体の構造の別の一例を示す。基板２１上に第１の誘
電体層２２（保護層）、記録層２３、記録層２３に隣接
した第２の誘電体層２４と記録層２３から離隔した第３
の誘電体層２５とからなる保護層Ｂ、反射層２６の順に
積層した構成である。

【００２９】但し、本発明の光学的情報記録媒体は、こ
れら３例以外でも、保護層Ａまたは／及び保護層Ｂが３
層以上の構成であっても良く、さらに反射層を設けない
構成であってもよい。

【００３０】要するに、本発明の要件の一つは、記録層
から離隔した誘電体層がＧｅ、Ｓｉあるいは記録層の構
成元素の内の少なくとも何れか１つの窒化物あるいは窒
酸化物の何れかであって、保護層のうち記録層に隣接し
た側の誘電体層が、記録層から離隔した側の誘電体層よ
りも酸素濃度が多い、あるいは硫黄及びフッ素をその組
成中に含有することであり、保護層の層数、反射層の有
無等の光学的情報記録媒体の構成には依存しない。

【００３１】また、図４に本発明による光学的情報記録
媒体の構造の別の一例を示す。基板３１上に第１の保護
層３２、記録層３３、第２の保護層３４からなる保護層
Ｂ、反射層３５の順に積層した構成である。

【００３２】ここで、上記構成における本発明の光学的
情報記録媒体の用件は、Ｇｅ、Ｓｉあるいは記録層の構
成元素の内の少なくとも何れか１つの窒化物あるいは窒
酸化物の何れかからなる第１の保護層３１または／及び
第２の保護層３２と、記録層３３との界面及びその近傍
のおける酸素濃度が、第１の保護層３１または／及び第
２の保護層３２及び記録層３３の何れの酸素濃度よりも
高いことであって、第１の保護層あるいは／及び第２の
保護層が２層以上の誘電体層から構成されるもの、また
は反射層３５がないものも含まれる。

【００３３】なお、酸素濃度が高い界面または界面近傍
の膜厚は、記録層及び当該記録層に隣接する誘電体層の
膜厚に比して薄く、例えばＳＩＭＳ（２次電子質量分
析）によって存在を確認することができる。

【００３４】本発明に適用される基板１、１１及び２１
としては、情報を光学的に記録・再生・消去するため、
光学的に透明なガラス、樹脂等が使用可能であるが、一
般的には透明なガラス、石英、ポリカーボネート樹脂、
ポリメチルメタアクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂
等である。

【００３５】記録層４、１４、２３及び３３は相変化媒
体であり、アモルファスと結晶間、あるいは結晶とさら
に異なる結晶間で光学的に検知可能な状態変化を起こす
物質であれば材料及び材料組成は限定されるものではな
く適用でき、具体的な材料としてはＴｅ，Ｓｅ，Ｓｂ，
Ｉｎ，Ｇｅ等の合金系が専ら用いられ、その３元系の元
素の組合せとしては、例えばＧｅ・Ｓｂ・Ｔｅ，Ｉｎ・
Ｓｂ・Ｔｅ，Ｇａ・Ｓｂ，Ｇｅ・Ｓｂ，Ｉｎ・Ｇｅ・Ｓ
ｂ，Ｉｎ・Ｇａ・Ｓｂ，Ｇｅ・Ｓｎ・Ｔｅ，Ａｇ・Ｓｂ
・Ｔｅ等が挙げられ、これら以外の元素を添加した４元
以上の系、あるいは２元系であっても適用できる。

【００３６】反射層７、１６、２６及び３５は、上述し
たように本発明の製造方法により得られる光学的情報記
録媒体の構成上の必須要件ではないが、材料としては例
えばＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ等の単体あるいは合
金で構成される。

【００３７】本発明の光学的情報記録媒体で、Ｇｅ、Ｓ
ｉあるいは記録層の構成元素の内の少なくとも何れか１
つの窒化物あるいは窒酸化物あるいは酸化物を成膜する
のに用いるターゲットは、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層
構成元素の内少なくとも何れか１つを含むものである。

【００３８】但し、窒化物、窒酸化物または酸化物の非
ガス成分元素が複数からなる場合、ターゲットの数とし
ては、誘電体の組成調整のためにはターゲットの構成元
素を単体で独立して含むマルチターゲットが好ましく、
装置の簡略化等を考慮すると構成元素の少なくとも２種
類以上の混合物が好ましく適宜選択できる。例えば、Ｇ
ｅと他の１種類の金属の窒酸化物を成膜する場合、Ｇｅ
と他の１種類の金属の混合物のターゲットを選ぶことが
できる。

【００３９】また、本発明の混合雰囲気で適用する希ガ
スとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒまたはＸｅが単独
あるいは混合して適用できる。また、酸素成分としては
例えば酸素分子またはオゾン分子等が適用できる。な
お、保護層の誘電体材料に窒化物または窒酸化物を適用
する場合には、ターゲットの構成元素等に応じて混合雰
囲気中に窒素成分を含有するガスを適宜混合すること勿
論である。この窒素成分のガスとしては、例えば窒素分
子、アンモニア等が用いられる。

【００４０】Ｇｅ、Ｓｉあるいは記録層の構成元素の内
の少なくとも何れか１つの窒酸化物は、酸素濃度が大き
くなるほど内部応力が小さくなる。このことから、記録
層４、１３または２３から離隔した誘電体層２、６、１
２あるいは２５が、Ｇｅ、Ｓｉまたは記録層４、１３あ
るいは２３の構成元素の内の少なくとも何れか一つの窒
化物または窒酸化物からなる場合に、記録層４、１３ま
たは２３に隣接した誘電体層３、５、１３または２４
に、酸素濃度の高いＧｅ、Ｓｉまたは記録層４、１３あ
るいは２３の構成元素の内の少なくとも何れか一つの窒
酸化物あるいは酸化物を用いることで、誘電体層２、
６、１２あるいは２５と記録層４、１３あるいは２３の
間に加わる応力が緩和され、高温高湿条件下における高
速環境試験後の膜剥離の発生が抑制される。

【００４１】また、記録層４、１３あるいは２３に隣接
した誘電体層３、５、１３あるいは２４に、Ｇｅ、Ｓｉ
または記録層４、１３あるいは２３の構成元素の内の少
なくとも何れか一つの窒酸化物あるいは酸化物を用いる
ことで、記録層の構成元素及び／または記録層から離隔
した誘電体層の構成元素が層間移動し、記録層の記録特
性及び／または誘電体の熱的または機械的特性の変化す
るのを抑制できる。

【００４２】さらに、Ｇｅ、Ｓｉの窒化物あるいは窒酸
化物は、膜質が緻密で耐熱性があるため好ましく、ま
た、光学的情報記録媒体では特に記録特性の変動が問題
視されるため、記録層の構成元素の窒化物あるいは窒酸
化物を適用すると、記録層の構成元素が誘電体へ拡散移
動する現象を抑制できるため好ましく、特にＧｅの窒化
物あるいは窒酸化物は上記特性を満たし好ましい。従っ
て、例えばＧｅ・Ｓｂ・Ｔｅ系の記録層等のように、Ｇ
ｅを記録層の耐熱性を担う成分として含む場合には、Ｇ
ｅの窒化物あるいはＧｅの窒酸化物を記録層に隣接した
誘電体層として含む構成が好ましい。

【００４３】本発明の光学的情報記録媒体の保護層の
内、Ｇｅ、Ｓｉまたは記録層の構成元素の内の少なくと
も何れか一つの窒化物あるいは窒酸化物あるいは酸化物
が含まれない誘電体層の材料としては、例えばＺｎＳ−
ＳｉＯ₂等の通常用いられているいわゆる誘電体保護層
材料を用いればよい。

【００４４】以下に実施例を用いて本発明をさらに具体
的に説明する。（実施の形態１）基板として信号記録用トラックを予め
設けた直径１２０ｍｍのポリカーボネイト基板、記録層
としてＧｅ・Ｓｂ・Ｔｅからなる３元材料、反射層とし
てＡｌ合金、上下の保護層としてＧｅ及びＺｎＳとＳｉ
Ｏ₂との混合材料を用いて光ディスクを作製した。な
お、光ディスクの薄膜層を保護するために反射層の上に
樹脂コートを施した。ここで、上下の保護層は材料また
は組成比の異なる２層構造になっている。

【００４５】図１を用いて説明すると、各層の膜厚は基
板側から、保護層Ａの第１の誘電体層２が８０ｎｍ、第
２の誘電体層３が５ｎｍ、記録層４が１７ｎｍ、保護層
Ｂの第３の誘電体層５が４ｎｍ、第４の誘電体層６が１
１ｎｍ、反射層７が１００ｎｍである。

【００４６】保護層Ａの第１の誘電体層２の成膜は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ₂との混合材料をターゲットとして、スパ
ッタパワー３００Ｗ、スパッタ雰囲気はＡｒとＯ₂との
混合ガスを、流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条
件でスパッタ法で成膜した。

【００４７】また、保護層Ａの第２の誘電体層３、保護
層Ｂの第３の誘電体層５及び第４の誘電体層６を成膜す
るときは、Ｇｅをターゲットとして、窒素濃度は２０％
で、酸素濃度を変化させたアルゴンと窒素と酸素の混合
ガスの雰囲気中で、Ｇｅの窒酸化物の反応性スパッタリ
ングを行った。

【００４８】また、記録層はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの混合
ターゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、
流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条件下で、スパ
ッタパワー８０Ｗで行い、反射層はＡｌとＣｒの混合タ
ーゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、流
量２０ｓｃｃｍ、全圧２ｍＴｏｒｒの条件下で、スパッ
タパワー２００Ｗで行った。

【００４９】作製した光ディスクを、レーザー波長６８
０ｎｍ、開口数（ＮＡ）０．５５の光学系を有する初期
化装置により、１０ｍ／ｓで回転しながら連続光を照射
して記録層を結晶化し、９０℃、湿度８０％の環境下で
１００時間放置した後に、面積０．１ｍｍ²中の膜の剥
離の程度、つまり、剥離の大きさ及び個数を１００倍の
光学顕微鏡を使って観察した。

【００５０】（表１）に、保護層Ｂの第３の誘電体層５
を成膜する時の雰囲気中の酸素濃度と、膜の剥離の程度
との関係の評価結果を示す。但し、保護層Ａの第２の誘
電体層３と保護層Ｂの第４の誘電体層６とを成膜する時
の雰囲気中の酸素濃度は２％である。

【００５１】酸素濃度が５％よりも小さい場合は膜の剥
離個数が増加しており、これはまだ第３の誘電体層の膜
の剛性が強いため、誘電体層と記録層との応力の抑制が
不十分であるためと考えられる。また、酸素濃度が２０
％を越える場合は、逆に第３の誘電体層の膜の強度が劣
化しており、膜剥離の発生が増加するためと考えられ
る。

【００５２】従って、良好な膜の接着性が得られる成膜
雰囲気中の酸素濃度範囲としては、５％以上２０％以下
であることが確認できた。

【００５３】

【表１】

【００５４】本実施の形態において、混合ガスの希ガス
成分としてアルゴンを用いたが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒまた
はＸｅなどの不活性ガスを用いれば、いずれも同様の効
果が得られる。

【００５５】本実施の形態において、記録層から見て反
射層側にある保護層Ｂだけが窒化物あるいは窒酸化物の
２層構造にしたが、基板側の保護層が窒化物あるいは窒
酸化物の２層構造で、記録層に隣接した側の誘電体層の
成膜時の雰囲気中の酸素濃度が高い場合にも同じ効果が
得られる。さらに、記録層の両側の保護層が２層以上の
誘電体からなる場合にも、同じ効果が得られる。

【００５６】さらに、記録層の基板側と反対の主面側に
反射層を備え、反射層と記録層との間の膜厚が、記録層
と基板との間の膜厚よりも薄い構成では、反射層と記録
層との間の層の熱伝導性が促進され、オーバーライトサ
イクルによって発生する蓄熱が抑制されるため好まし
い。

【００５７】（実施の形態２）実施の形態１と同じ基板
を用いて、記録層としてＧｅ・Ｓｂ・Ｔｅからなる３元
材料、反射層としてＡｌ合金、上下の保護層としてＧｅ
及びＺｎＳとＳｉＯ₂との混合材料を用いて光ディスク
を作製した。なお、光ディスクの薄膜層を保護するため
に反射層の上に樹脂コートを施した。但し、上下の保護
層は材料または組成比の異なる２層構造になっている。

【００５８】図１を用いて説明すると、各層の膜厚は基
板側から、保護層Ａの第１の誘電体層２が８０ｎｍ、第
２の誘電体層３が５ｎｍ、記録層４が１７ｎｍ、保護層
Ｂの第３の誘電体層５が４ｎｍ、第４の誘電体層６が１
１ｎｍ、反射層７が１００ｎｍである。

【００５９】保護層Ａの第１の誘電体層２の成膜は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ₂との混合材料をターゲットとして、スパ
ッタパワー３００Ｗ、スパッタ雰囲気はＡｒとＯ₂との
混合ガスを、流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条
件でスパッタ法で成膜した。

【００６０】また、保護層Ａの第２の誘電体層３及び保
護層Ｂの第４の誘電体層６を成膜するときは、Ｇｅをタ
ーゲットとして、窒素濃度は２０％、酸素濃度は２％
で、酸素濃度を変化させたアルゴンと窒素と酸素の混合
ガスの雰囲気中で、Ｇｅの窒酸化物の反応性スパッタリ
ングを行った。

【００６１】また、保護層Ｂの第３の誘電体層５は、ア
ルゴンと窒素と酸素との混合ガスの雰囲気中で、スパッ
タパワー４００Ｗで逆スパッタすることにより、記録層
４の表面を窒化及び酸化させて形成した。

【００６２】また、記録層はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの混合
ターゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、
流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条件下で、スパ
ッタパワー８０Ｗで行い、反射層はＡｌとＣｒの混合タ
ーゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、流
量２０ｓｃｃｍ、全圧２ｍＴｏｒｒの条件下で、スパッ
タパワー２００Ｗで行った。

【００６３】実施の形態１と同様の方法で膜の剥離の程
度を評価し、保護層Ｂの第３の誘電体層５を成膜する時
の雰囲気中の酸素濃度と、膜の剥離の程度との関係の評
価結果を（表２）に示す。

【００６４】酸素濃度が５％よりも小さい場合は膜の剥
離個数が増加しており、これはまだ第３の誘電体層の膜
の剛性が強いため、誘電体層と記録層との応力の抑制が
不十分であるためと考えられる。また、酸素濃度が２０
％を越える場合は、逆に第３の誘電体層の膜の強度が劣
化しており、膜剥離の発生が増加するためと考えられ
る。

【００６５】従って、良好な膜の接着性が得られる酸素
濃度範囲としては、５％以上２０％以下であることが確
認できた。

【００６６】

【表２】

【００６７】本実施の形態において、混合ガスの希ガス
成分としてアルゴンを用いたが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒまた
はＸｅなどの不活性ガスを用いれば、いずれも同様の効
果が得られる。

【００６８】ここで、記録層の基板側と反対の主面側に
反射層を備え、反射層と記録層との間の膜厚が、記録層
と基板との間の膜厚よりも薄い構成では、反射層と記録
層との間の層の熱伝導性が促進され、オーバーライトサ
イクルによって発生する蓄熱が抑制されるためである。

【００６９】本実施の形態において、記録層から見て反
射層側にある保護層Ｂだけが窒化物あるいは窒酸化物の
２層構造にしたが、基板側の保護層が窒化物あるいは窒
酸化物の２層構造で、記録層に隣接した側の誘電体層の
成膜時の雰囲気中の酸素濃度が高い場合にも同じ効果が
得られる。さらに、記録層の両側の保護層が２層以上の
誘電体からなる場合にも、同じ効果が得られる。

【００７０】（実施の形態３）実施の形態１と同じ基
板、記録層としてＧｅ・Ｓｂ・Ｔｅからなる３元材料、
反射層としてＡｌ合金、上下の保護層としてＧｅ及びＺ
ｎＳとＳｉＯ₂の混合材料を用いて光ディスクを作製し
た。なお、光ディスクの薄膜層を保護するために反射層
の上に樹脂コートを施した。但し、上下の保護層は材料
または組成比の異なる２層構造になっている。

【００７１】図１を用いて説明すると、各層の膜厚は基
板側から、保護層Ａの第１の誘電体層２が８０ｎｍ、第
２の誘電体層３が５ｎｍ、記録層４が１７ｎｍ、保護層
Ｂの第３の誘電体層５が４ｎｍ、第４の誘電体層６が１
１ｎｍ、反射層７が１００ｎｍである。

【００７２】保護層Ａの第１の誘電体層２の成膜は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ₂の混合材料をターゲットとして、スパッ
タパワー３００Ｗ、スパッタ雰囲気はＡｒとＯ₂との混
合ガスを流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条件で
スパッタ法で行って成膜した。

【００７３】また、保護層Ａの第２の誘電体層３及び保
護層Ｂの第４の誘電体層６を成膜するときは、Ｇｅをタ
ーゲットとして、窒素濃度は２０％で、酸素濃度は２％
のアルゴンと窒素と酸素の混合ガスの雰囲気中で、Ｇｅ
の窒酸化物の反応性スパッタリングを行った。

【００７４】保護層Ｂの第３の誘電体層５を成膜すると
きは、Ｇｅをターゲットとして、ＳＦ₆濃度を変化させ
たアルゴンとＳＦ₆との混合ガスの雰囲気中で、Ｇｅの
硫化物の反応性スパッタリングを行った。

【００７５】また、記録層はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの混合
ターゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、
流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条件下で、スパ
ッタパワー８０Ｗで行い、反射層はＡｌとＣｒの混合タ
ーゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で流量
２０ｓｃｃｍ、全圧２ｍＴｏｒｒの条件下で、スパッタ
パワー２００Ｗで行った。

【００７６】作製した光ディスクを、レーザー波長６８
０ｎｍ、開口数（ＮＡ）０．５５の光学系を有する初期
化装置により、１０ｍ／ｓで回転しながら連続光を照射
して記録層を結晶化し、９０℃、湿度８０％の環境下で
１００時間放置した後に、面積０．１ｍｍ²中の膜の剥
離の程度、つまり、剥離の大きさ及び個数を１００倍の
光学顕微鏡を使って観察した。

【００７７】（表３）に、保護層Ｂの第３の誘電体層５
を成膜する時の雰囲気中のＳＦ₆濃度と、膜の剥離の程
度との関係の評価結果を示す。但し、保護層Ａの第２の
誘電体層３と保護層Ｂの第４の誘電体層６とを成膜する
時の雰囲気中の酸素濃度は２％である。

【００７８】ＳＦ₆濃度が０．５％よりも小さい場合は
膜の剥離個数が増加しており、これはまだ、第３の誘電
体層の膜の剛性が強いため、誘電体層と記録層との応力
の抑制が不十分であるためと考えられる。また、ＳＦ₆
濃度が２０％を越える場合は逆に第３の誘電体層の膜の
強度が劣化しており、膜剥離の発生が増加するためと考
えられる。

【００７９】従って、良好な膜の接着性が得られる成膜
雰囲気中のＳＦ₆濃度範囲としては、０．５％以上２０
％以下であることが確認できた。

【００８０】

【表３】

【００８１】本実施の形態において、混合ガスの希ガス
成分としてアルゴンを用いたが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒまた
はＸｅなどの不活性ガスを用いれば、いずれも同様の効
果が得られる。

【００８２】また、本実施の形態では、Ｇｅの硫化物を
成膜する時に希ガスとの混合ガスにＳＦ₆を添加した場
合を説明したが、Ｈ₂Ｓを用いても同様の効果が得られ
る。

【００８３】ここで、記録層の基板側と反対の主面側に
反射層を備え、反射層と記録層との間の膜厚が、記録層
と基板との間の膜厚よりも薄い構成では、反射層と記録
層との間の層の熱伝導性が促進され、オーバーライトサ
イクルによって発生する蓄熱が抑制されるためである。

【００８４】本実施の形態において、記録層から見て反
射層側にある保護層Ｂだけが窒化物あるいは窒酸化物の
２層構造にしたが、基板側の保護層が窒化物あるいは窒
酸化物の２層構造で、記録層に隣接した側の誘電体層が
硫化物である場合にも同じ効果が得られる。さらに、記
録層の両側の保護層が２層以上の誘電体からなる場合に
も、同じ効果が得られる。

【００８５】（実施の形態４）実施の形態１と同じ基板
を用いて、記録層としてＧｅ・Ｓｂ・Ｔｅからなる３元
材料、反射層としてＡｌ合金、上下の保護層としてＧｅ
及びＺｎＳとＳｉＯ₂の混合材料を用いて光ディスクを
作製した。なお、光ディスクの薄膜層を保護するために
反射層の上に樹脂コートを施した。但し、上下の保護層
は材料または組成比の異なる２層構造になっている。

【００８６】図１を用いて説明すると、各層の膜厚は基
板側から、保護層Ａの第１の誘電体層２が８０ｎｍ、第
２の誘電体層３が５ｎｍ、記録層４が１７ｎｍ、保護層
Ｂの第３の誘電体層５が４ｎｍ、第４の誘電体層６が１
１ｎｍ、反射層７が１００ｎｍである。

【００８７】保護層Ａの第１の誘電体層２の成膜は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ₂の混合材料をターゲットとして、スパッ
タパワー３００Ｗ、スパッタ雰囲気はＡｒとＯ₂との混
合ガスを流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条件で
スパッタ法で行って成膜した。

【００８８】また、保護層Ａの第２の誘電体層３及び保
護層Ｂの第４の誘電体層６を成膜するときは、Ｇｅをタ
ーゲットとして、窒素濃度は２０％、酸素濃度は２％
で、酸素濃度を変化させたアルゴンと窒素と酸素の混合
ガスの雰囲気中で、Ｇｅの窒酸化物の反応性スパッタリ
ングを行った。

【００８９】また、保護層Ｂの第３の誘電体層５は、ア
ルゴンと窒素とＳＦ₆との混合ガスの雰囲気中で、スパ
ッタパワー４００Ｗで逆スパッタすることにより、記録
層４の表面を窒化及び硫化させて形成した。

【００９０】また、記録層はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの混合
ターゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、
流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条件下で、スパ
ッタパワー８０Ｗで行い、反射層はＡｌとＣｒの混合タ
ーゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、流
量２０ｓｃｃｍ、全圧２ｍＴｏｒｒの条件下で、スパッ
タパワー２００Ｗで行った。

【００９１】実施の形態１と同様の方法で膜の剥離の程
度を評価し、保護層Ｂの第３の誘電体層５を成膜する時
の雰囲気中のＳＦ₆濃度と、膜の剥離の程度との関係の
評価結果を（表４）に示す。

【００９２】ＳＦ₆濃度が０．５％よりも小さい場合は
膜の剥離個数が増加しており、これはまだ、第３の誘電
体層の膜の剛性が強いため、誘電体層と記録層との応力
の抑制が不十分であるためと考えられる。また、ＳＦ₆
濃度が２０％を越える場合は逆に第３の誘電体層の膜の
強度が劣化しており、膜剥離の発生が増加するためと考
えられる。

【００９３】従って、良好な膜の接着性が得られるＳＦ
₆濃度範囲としては、０．５％以上２０％以下であるこ
とが確認できた。

【００９４】

【表４】

【００９５】本実施の形態において、混合ガスの希ガス
成分としてアルゴンを用いたが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒまた
はＸｅなどの不活性ガスを用いれば、いずれも同様の効
果が得られる。

【００９６】また、Ｇｅの硫化物を形成する時に、希ガ
スとの混合ガスにＳＦ₆を添加したが、Ｈ₂Ｓを用いても
同様の効果が得られる。

【００９７】ここで、記録層の基板側と反対の主面側に
反射層を備え、反射層と記録層との間の膜厚が、記録層
と基板との間の膜厚よりも薄い構成では、反射層と記録
層との間の層の熱伝導性が促進され、オーバーライトサ
イクルによって発生する蓄熱が抑制されるためである。

【００９８】本実施の形態において、記録層から見て反
射層側にある保護層Ｂだけが窒化物あるいは窒酸化物の
２層構造にしたが、基板側の保護層が窒化物あるいは窒
酸化物の２層構造で、記録層に隣接した側の誘電体層が
硫化物である場合にも同じ効果が得られる。さらに、記
録層の両側の保護層が２層以上の誘電体からなる場合に
も、同じ効果が得られる。

【００９９】（実施の形態５）実施の形態１と同じ基
板、記録層としてＧｅ・Ｓｂ・Ｔｅからなる３元材料、
反射層としてＡｌ合金、上下の保護層としてＧｅ及びＺ
ｎＳとＳｉＯ₂との混合材料を用いて光ディスクを作製
した。なお、光ディスクの薄膜層を保護するために反射
層の上に樹脂コートを施した。ここで、上下の保護層は
材料または組成比の異なる２層構造になっている。

【０１００】図１を用いて説明すると、各層の膜厚は基
板側から、保護層Ａの第１の誘電体層２が８０ｎｍ、第
２の誘電体層３が５ｎｍ、記録層４が１７ｎｍ、保護層
Ｂの第３の誘電体層５が４ｎｍ、第４の誘電体層６が１
１ｎｍ、反射層７が１００ｎｍである。

【０１０１】保護層Ａの第１の誘電体層２の成膜は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ₂との混合材料をターゲットとして、スパ
ッタパワー３００Ｗ、スパッタ雰囲気はＡｒとＯ₂との
混合ガスを、流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条
件でスパッタ法で成膜した。

【０１０２】また、保護層Ａの第２の誘電体層３及び保
護層Ｂの第４の誘電体層６を成膜するときは、Ｇｅをタ
ーゲットとして、窒素濃度は２０％で、酸素濃度は２％
のアルゴンと窒素と酸素の混合ガスの雰囲気中で、Ｇｅ
の窒酸化物の反応性スパッタリングを行った。

【０１０３】保護層Ｂの第３の誘電体層５を成膜すると
きは、Ｇｅをターゲットとして、ＣＦ₄濃度を変化させ
たアルゴンとＣＦ₄の混合ガスの雰囲気中で、Ｇｅのフ
ッ化物の反応性スパッタリングを行った。

【０１０４】また、記録層はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの混合
ターゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、
流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条件下で、スパ
ッタパワー８０Ｗで行い、反射層はＡｌとＣｒの混合タ
ーゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、流
量２０ｓｃｃｍ、全圧２ｍＴｏｒｒの条件下で、スパッ
タパワー２００Ｗで行った。

【０１０５】作製した光ディスクを、レーザー波長６８
０ｎｍ、開口数（ＮＡ）０．５５の光学系を有する初期
化装置により、１０ｍ／ｓで回転しながら連続光を照射
して記録層を結晶化し、９０℃、湿度８０％の環境下で
１００時間放置した後に、面積０．１ｍｍ²中の膜の剥
離の程度、つまり、剥離の大きさ及び個数を１００倍の
光学顕微鏡を使って観察した。

【０１０６】（表５）に、保護層Ｂの第３の誘電体層５
を成膜する時の雰囲気中のＣＦ₄濃度と、膜の剥離の程
度との関係の評価結果を示す。但し、保護層Ａの第２の
誘電体層３と保護層Ｂの第４の誘電体層６とを成膜する
時の雰囲気中の酸素濃度は２％である。

【０１０７】ＣＦ₄濃度が０．５％よりも小さい場合は
膜の剥離個数が増加しており、これはまだ、第３の誘電
体層の膜の剛性が強いため、誘電体層と記録層との応力
の抑制が不十分であるためと考えられる。また、ＣＦ₄
濃度が２０％を越える場合は、逆に第３の誘電体層の膜
の強度が劣化しており、膜剥離の発生が増加するためと
考えられる。

【０１０８】従って、良好な膜の接着性が得られる成膜
雰囲気中のＣＦ₄濃度範囲としては、０．５％以上２０
％以下であることが確認できた。

【０１０９】

【表５】

【０１１０】本実施の形態において、混合ガスの希ガス
成分としてアルゴンを用いたが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒまた
はＸｅなどの不活性ガスを用いれば、いずれも同様の効
果が得られる。

【０１１１】また、本実施の形態ではＧｅのフッ化物を
成膜する時に希ガスとの混合ガスにＣＦ₄を添加した
が、Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，またはＣＨＦ₃を用いても同様の
効果が得られる。

【０１１２】本実施の形態において、記録層から見て反
射層側にある保護層Ｂだけが窒化物あるいは窒酸化物の
２層構造にしたが、基板側の保護層が窒化物あるいは窒
酸化物の２層構造で、記録層に隣接した側の誘電体層が
フッ化物である場合にも同じ効果が得られる。さらに、
記録層の両側の保護層が２層以上の誘電体からなる場合
にも、同じ効果が得られる。

【０１１３】本実施の形態では、フッ化物の場合を説明
したが、フッ酸化物であっても同様な効果が得られる。
但し、フッ酸化物を成膜する際のスパッタ雰囲気には、
適用するターゲットの材料に応じて適宜酸素成分ガスを
導入すること勿論である。

【０１１４】（実施の形態６）実施の形態１と同じ基板
を用いて、記録層としてＧｅ・Ｓｂ・Ｔｅからなる３元
材料、反射層としてＡｌ合金、上下の保護層としてＧｅ
及びＺｎＳとＳｉＯ₂との混合材料を用いて光ディスク
を作製した。なお、光ディスクの薄膜層を保護するため
に反射層の上に樹脂コートを施した。但し、上下の保護
層は材料または組成比の異なる２層構造になっている。

【０１１５】図１を用いて説明すると、各層の膜厚は基
板側から、保護層Ａの第１の誘電体層２が８０ｎｍ、第
２の誘電体層３が５ｎｍ、記録層４が１７ｎｍ、保護層
Ｂの第３の誘電体層５が４ｎｍ、第４の誘電体層６が１
１ｎｍ、反射層７が１００ｎｍである。

【０１１６】保護層Ａの第１の誘電体層２の成膜は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ₂との混合材料をターゲットとして、スパ
ッタパワー３００Ｗ、スパッタ雰囲気はＡｒとＯ₂との
混合ガスを、流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条
件でスパッタ法で成膜した。

【０１１７】また、保護層Ａの第２の誘電体層３及び保
護層Ｂの第４の誘電体層６を成膜するときは、Ｇｅをタ
ーゲットとして、窒素濃度は２０％、酸素濃度は２％
で、酸素濃度を変化させたアルゴンと窒素と酸素の混合
ガスの雰囲気中で、Ｇｅの窒酸化物の反応性スパッタリ
ングを行った。

【０１１８】また、保護層Ｂの第３の誘電体層５は、ア
ルゴンと窒素とＣＦ₄との混合ガスの雰囲気中で、４０
０Ｗの電力で放電することにより、ＣＦ₄をプラズマ化
して、記録層４の表面を窒化及びフッ化させて形成し
た。

【０１１９】また、記録層はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの混合
ターゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で、
流量２０ｓｃｃｍ、全圧１ｍＴｏｒｒの条件下で、スパ
ッタパワー８０Ｗで行い、反射層はＡｌとＣｒの混合タ
ーゲットを、アルゴンガスのみのスパッタ雰囲気で流量
２０ｓｃｃｍ、全圧２ｍＴｏｒｒの条件下で、スパッタ
パワー２００Ｗで行った。

【０１２０】実施の形態１と同様の方法で膜の剥離の程
度を評価し、保護層Ｂの第３の誘電体層５を成膜する時
の雰囲気中のＣＦ₄濃度と、膜の剥離の程度との関係の
評価結果を（表６）に示す。

【０１２１】ＣＦ₄濃度が０．５％よりも小さい場合は
膜の剥離個数が増加しており、これはまだ、第３の誘電
体層の膜の剛性が強いため、誘電体層と記録層との応力
の抑制が不十分であるためと考えられる。また、ＣＦ₄
濃度が２０％を越える場合は、逆に第３の誘電体層の膜
の強度が劣化しており、膜剥離の発生が増加するためと
考えられる。

【０１２２】従って、良好な膜の接着性が得られるＣＦ
₄濃度範囲としては、０．５％以上２０％以下であるこ
とが確認できた。

【０１２３】

【表６】

【０１２４】本実施の形態において、混合ガスの希ガス
成分としてアルゴンを用いたが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒまた
はＸｅなどの不活性ガスを用いれば、いずれも同様の効
果が得られる。

【０１２５】また、本実施の形態ではＧｅのフッ化物を
形成する時に希ガスとの混合ガスにＣＦ₄を添加した
が、Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，ＣＨＦ₃を用いても同様の効果が
得られる。

【０１２６】本実施の形態において、記録層から見て反
射層側にある保護層Ｂだけが窒化物あるいは窒酸化物の
２層構造にしが、基板側の保護層が窒化物あるいは窒酸
化物の２層構造で、記録層に隣接した側の誘電体層がフ
ッ化物である場合にも同じ効果が得られる。さらに、記
録層の両側の保護層が２層以上の誘電体からなる場合に
も、同じ効果が得られる。

【０１２７】本実施の形態では、フッ化物の場合を説明
したが、フッ酸化物であっても同様な効果が得られる。
但し、フッ酸化物を成膜する際のスパッタ雰囲気には、
適用するターゲットの材料に応じて適宜酸素成分ガスを
導入すること勿論である。

【０１２８】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、記
録層から離隔した側のＧｅ、Ｓｉ及び記録層の構成元素
の少なくとも何れか一つを含む窒化物あるいは窒酸化物
からなる誘電体層と、記録層とに挟まれた誘電体層を、
Ｇｅ、Ｓｉ及び記録層の構成元素の少なくとも何れか一
つを含む酸素濃度の高い窒酸化物あるいは酸化物、硫化
物、あるいはフッ化物、フッ酸化物とすることにより、
記録層と誘電体層の間の応力が抑制されて、膜の接着性
に優れ、耐熱特性に優れた高信頼性の光学的情報記録媒
体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の光学的情報記録媒体の
一例を示す断面図

【図２】本発明の他の実施の形態の光学的情報記録媒体
の一例を示す断面図

【図３】本発明の別の実施の形態の光学的情報記録媒体
の一例を示す断面図

【図４】本発明の別の実施の形態の光学的情報記録媒体
の一例を示す断面図

【符号の説明】

１基板２第１の誘電体層３第２の誘電体層４記録層５第３の誘電体層６第４の誘電体層７反射層１１基板１２第１の誘電体層１３第２の誘電体層１４記録層１５第３の誘電体層１６反射層２１基板２２第１の誘電体層２３記録層２４第２の誘電体層２５第３の誘電体層２６反射層３１基板３２第１の保護層３３記録層３４第２の保護層３５反射層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光線の照射によって光学的に識別
可能な状態間で可逆的な変化を生じる材料を含む記録層
を基板上に備え、材料または材料組成比の少なくとも何
れか一方が膜厚方向で異なる誘電体材料を含む保護層を
少なくとも一方の前記記録層の主面に具備し、前記保護
層の内少なくとも前記記録層から離隔した側の誘電体の
材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の
少なくとも何れか１つの窒化物あるいは窒酸化物の何れ
かであることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】保護層の内、記録層に隣接した領域の誘
電体材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の
内の少なくとも何れか１つの酸化物あるいは窒酸化物の
何れかであることを特徴とする請求項１記載の光学的情
報記録媒体。
【請求項３】保護層の内、記録層に隣接した領域の誘
電体材料に含有する酸素濃度が、前記記録層から離隔し
た側の誘電体材料に比べ多いことを特徴とする請求項２
記載の光学的情報記録媒体。
【請求項４】請求項１〜３何れかに記載の保護層の
内、少なくとも記録層に隣接した領域の誘電体材料を、
Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の少なくと
も何れか１つを含むターゲットを用い、希ガスと少なく
とも酸素成分を含む混合雰囲気中でスパッタリングによ
って成膜する工程を含むことを特徴とする光学的情報記
録媒体の製造方法。
【請求項５】請求項１〜３何れかに記載の記録層の表
面を、希ガスと少なくとも酸素成分を含む混合雰囲気中
でプラズマ処理した後、直ちに、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記
記録層の構成元素の内の少なくとも何れか１つの窒化物
あるいは窒酸化物の何れかを成膜する工程を含むことを
特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項６】混合雰囲気の酸素成分濃度が、５％以上
２０％以下であることを特徴とする請求項４または５何
れかに記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項７】レーザ光線の照射によって光学的に識別
可能な状態間で可逆的な変化を生じる材料を含む記録層
を基板上に備え、前記記録層に隣接した保護層の材料が
Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の少なくと
も何れか１つの窒化物あるいは窒酸化物であって、前記
保護層と前記記録層との界面または界面近傍の酸素濃度
が、前記保護層中の酸素濃度及び前記記録層中の酸素濃
度の何れよりも高いことを特徴とする光学的情報記録媒
体。
【請求項８】保護層の内少なくとも記録層に隣接した
誘電体の材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元
素の内の少なくとも何れか１つの硫化物であり、前記保
護層の内少なくとも前記記録層から離隔した側の誘電体
の材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内
の少なくとも何れか１つの窒化物あるいは窒酸化物の何
れかであることを特徴とする請求項１記載の光学的情報
記録媒体。
【請求項９】請求項８記載の記録層の表面を、希ガス
と少なくともＳＦ₆またはＨ₂Ｓの何れかを含む混合雰囲
気中でプラズマ処理した後、直ちに、Ｇｅ、Ｓｉまたは
前記記録層の構成元素の内の少なくとも何れか１つの窒
化物あるいは窒酸化物の何れかを成膜する工程を含むこ
とを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１０】請求項８記載の保護層の内、少なくと
も記録層に隣接した前記誘電体の材料の成膜が、Ｇｅ、
Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の少なくとも何れ
か１つを含むターゲットを用い、希ガスと少なくともＳ
Ｆ₆またはＨ₂Ｓの何れかを含む混合雰囲気中でスパッタ
することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１１】混合雰囲気のＳＦ₆またはＨ₂Ｓ何れか
の成分濃度が、０．５％以上２０％以下であることを特
徴とする請求項９または１０何れかに記載の光学的情報
記録媒体の製造方法。
【請求項１２】保護層の内少なくとも記録層に隣接し
た誘電体の材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成
元素の内の少なくとも何れか１つのフッ化物あるいはフ
ッ酸化物であり、前記保護層の内少なくとも前記記録層
から離隔した側の誘電体の材料が、Ｇｅ、Ｓｉまたは前
記記録層の構成元素の内の少なくとも何れか１つの窒化
物あるいは窒酸化物の何れかであることを特徴とする請
求項１記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１３】請求項１２記載の記録層の表面を、希
ガスと少なくともＣＦ ₄、Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，ＣＨＦ₃の何
れかを含む混合雰囲気中でプラズマ処理した後、直ちに
Ｇｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の少なくと
も何れか１つの窒化物あるいは窒酸化物の何れかを成膜
する工程を含むことを特徴とする光学的情報記録媒体の
製造方法。
【請求項１４】請求項１２記載の保護層の内、少なく
とも記録層に隣接した前記誘電体の材料の成膜が、Ｇ
ｅ、Ｓｉまたは前記記録層の構成元素の内の少なくとも
何れか１つを含むターゲットを用い、希ガスと少なくと
もＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，ＣＨＦ₃の何れかを含む混合
雰囲気中でスパッタして成膜する工程を含むことを特徴
とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】混合雰囲気のＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ
₃Ｆ₈，ＣＨＦ₃何れかの成分濃度が、０．５％以上２０
％以下であることを特徴とする請求項１３または１４何
れかに記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】記録層の基板側と反対の主面側に反射
層を備え、前記反射層と前記記録層との間の保護層の膜
厚が、前記基板と前記記録層との間の保護層の膜厚より
も薄いことを特徴とする請求項１〜３、７、８または１
２何れかに記載の光学的情報記録媒体。