CN101256790B - 光信息记录媒体以及信息再生方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光信息记录媒体以及信息再生方法，所要解决的技术问题是：现有的超分辨为了实现记录数据的高密度化而减小超分辨区域，因此超分辨信号减小。为此，本发明通过实现利用超分辨在记录标记部分和空白部分形成相反的光学响应的盘结构，使信号振幅增大。

Description

光信息记录媒体以及信息再生方法
技术领域
本发明有关大容量光盘技术，涉及一种适合用于记录大容量信息的光信息记录媒体以及适合用于再生被记录在该光信息记录媒体上的信息的信息再生方法。
背景技术
现在，作为大容量信息记录技术，在单位面积内可以存储更多信息的高密度光记录技术的研究开发正在进行。到目前为止，在产品中应用的光盘技术利用透镜将激光会聚在盘上，进行被记录在盘上的数据的再生和/或记录。为了实现数据的高密度化，到现在为止开发出减小会聚后的激光光点的尺寸的技术。如果设光源波长为λ、物镜的数值孔径为NA，则光点尺寸与λ/NA成比例。即，通过减小光源波长、增大透镜的NA，可以推进在1张盘上存储的信息量的大容量化。在此，如果将由光源波长、物镜的NA、直径12cm上存储的数据容量构成的组记为(波长、NA、容量)，则CD为(780nm、0.5、650MB)，DVD为(650nm、0.6、4.7GB)。另外，在使用蓝色激光光源的技术中，有人提出2种组，它们是(405nm、0.85、25GB)、(405nm、0.65、20GB)。以该记录容量可以记录大约2个小时的高精细TV图像数据。
但是，作为例如广播电台等的业务用系统或安全系统的用途，上述记录容量是不够的，例如要求一张盘有100GB以上的容量。另外，对于希望数10年至数百年程度的长期保存的图像数据等，由于存储有该大量数据的媒体的保管场所的关系，希望在一张盘上记录尽可能多的数据。该要求的容量为数100GB到1TB以上。
但是，利用上述方法实现进一步的大容量化被认为是很困难的。首先，对于光源的短波长化，作为光源的半导体激光器的开发非常困难，并且，即使开发出半导体激光器，由于其光源是紫外光，因此盘基板和保护膜等吸收光，从而可以预料难以确保良好的记录再生质量。增大物镜的NA的研究现在正在进行，例如，在非专利文献1中报告了使NA为1.8的情况下的技术。但在该系统中，在记录再生中使用的光不是通常的传播光，而是被称为近场光的、局限于透镜中的光，因此需要具有在使透镜非常接近盘表面并且保持两者之间的距离的情况下、使透镜在盘上移动的机构。这样的系统类似于磁记录硬盘，难以实现作为光盘的优点的盘的更换。
根据上述背景，有人提出通过在盘上设置某种机构来有效地提高光学分辨率的方法。这里将其称为超分辨技术。
在非专利文献2中报告了使用相变记录膜的超分辨技术。通常，相变记录膜被用于CD-RW、DVD-RAM、DVD±RW、蓝光盘(Blu-ray
Disc)等可重写盘的记录膜，但这里不将该记录材料用作记录膜，而是与上述光磁盘中的再生层同样，用作有效地提高光学分辨率的层。这里将这样的层(膜)称为超分辨层(膜)。该方法通过溅射在再生专用(ROM)盘上对相变记录膜进行制膜，在再生时使相变记录膜的一部分融解。盘的反射率如果在融解部分足够高，则再生信号当中从融解部分得到的信号占支配性地位。即，相变膜融解的部分成为有效的再生光点。融解部分的面积小于光点，因此再生光点缩小，光学分辨率提高。
对该方法进一步改良，在专利文献4中提出了通过制作相变材料的凹坑并在再生时融解单一凹坑来得到超分辨效果的方法。该方法利用相变蚀刻法来制作相变材料的凹坑。相变蚀刻是利用在相变膜的结晶部分和非结晶部分对碱溶液的溶解度不同这一事实，通过将相变标记的图案改变成凹凸来进行加工的技术。在该方法中，仅在标记部分存在显示超分辨效果的物质，空白部分不必吸收光，因此可以提高1层的光学透射率，可以实现多层技术与超分辨技术的组合。在非专利文献3中报告了利用该方法实现2层超分辨盘的例子。将该方法称为凹坑型超分辨方式，将象前例那样二维连续地对超分辨薄膜进行制膜的情况称为薄膜型超分辨方式。
非专利文献4中报告了利用其它方法实现了2层超分辨盘的例子。该方法使用在常温下带隙位于紫外线波长区域、在高温下位于可见光波长区域的半导体作为超分辨材料。在该超分辨薄膜的附近对吸收光的薄膜进行制膜。由此，在光吸收薄膜上，在光点的强度强的部分上温度升高，其热量传导到超分辨薄膜，从而使比光点小的区域的带隙成为可见光区域，因此反射再生光。即，仅在比光点小的区域得到再生信号，因此显示出超分辨效果。在该例子中，使用ZnO作为超分辨材料。
有人还提出记录型的超分辨技术。例如，非专利文献5中报告了如下方法：在具有氧化白金和相变记录膜这两者的盘上，使用与在通常的可记录光盘上记录标记同样的方法，照射激光脉冲来记录标记并进行超分辨再生，由此提高记录密度。在该方法中，通过入射记录激光功率，使氧化白金局部膨胀，相变膜的膜厚与标记相对应地被调制。在再生时，通过仅融解相变膜的膜厚薄的部分来得到超分辨效果。由此实现仅可写入一次的一次写入型超分辨光盘。
另外，非专利文献6中报告了应用在上述非专利文献2中举出的、使用相变膜作为超分辨膜的方法来实现可重写盘的方法。在该方法中，使用2种类型不同的相变膜作为超分辨膜和记录膜，并利用其膜厚来调整各自的相变膜上的光的吸收率，由此在再生时融解超分辨膜、但不擦除记录在记录膜上的相变标记来进行再生。该方法将材料选择成使得用作记录膜的相变材料的结晶速度慢于超分辨膜的结晶速度。由此在再生时记录标记不容易被擦除，从而可以确保再生耐力。
另外，为了得到更大的超分辨效果，专利文献5中记载了如下方法：将媒体做成多层膜结构并利用光学干涉使光点内的超分辨区域(孔径部)的反射率最大，或者使非超分辨区域(屏蔽部)的反射率最小。该方法的目的在于，通过仅关注光点内的光学特性，来增大超分辨再生中的信号振幅。
[专利文献1]特开平7-244870号公报
[专利文献2]特开平5-282674号公报
[专利文献3]特开平5-159357号公报
[专利文献4]特开2006-107588号公报
[专利文献5]特开2001-273679号公报
[非专利文献1]Japanese Journal of Applied Physics第42卷1101页～1104页
[非专利文献2]Japanese Journal of Applied Physics第32卷5210页～5213页
[非专利文献3]Japanese Journal of Applied Physics第45卷2593页～2597页
[非专利文献4]Japanese Journal of Applied Physics第45卷1366页～1369页
[非专利文献5]Japanese Journal of Applied Physics第43卷L8页～L10页
[非专利文献6]Japanese Journal of Applied Physics第37卷L516页～L518页
发明内容
发明所要解决的技术问题
上述超分辨技术是如下技术：利用由于光入射而在媒体内产生的热量的分布，在光点内形成折射率等光学特性不同的区域，由此分辨现有的光学系统无法分辨的高频标记，从而提高分辨率。在这些技术当中的薄膜型超分辨技术中，媒体的叠层膜结构在媒体的所有数据区域中都相同，因此光学变化的程度相同。使用图2对此进行说明。图2(a)表示例如以低的光功率再生的情况下的非超分辨再生时、图2(b)表示利用再生光功率对超分辨再生时得到的再生信号进行规一化后得到的量(再生信号/再生光功率)。这里示出的是再生了尺寸从图中的左侧向右侧变小的标记串后得到的信号。如果比较由超分辨光点产生的标记所存在的部分(标记部分)和标记间的部分(空白部分)的反射率变化，则由超分辨光点产生的标记部分与空白部分的反射率的变化量相同。但是，由于有效的再生光点的尺寸变小，因此小的标记尺寸的信号振幅增大。但在实现高密度化的情况下，超分辨光点必须变小，由此产生超分辨信号变小的问题。例如，如果假定得出非超分辨部分与超分辨部分的反射率差为10％，则为了利用超分辨来实现4倍的记录密度，必须使超分辨光点达到现有光点的1/4的尺寸，因此实际得到的反射率为2.5％左右。与现有的光盘技术相比，在标记与空白的反射率差为2.5％的情况下，难以得到足够的信噪比(SNR)。
图3表示利用专利文献4记载的凹坑型超分辨方式得到的再生信号/再生光功率。(a)为非超分辨再生、(b)为超分辨再生的情况。在该情况下，空白部分的反射率不变，因此再生信号中的2条包络线中的一条不变，另一条变化。但是，在该结构中，与标记自身为超分辨光点的情况相同，由热量产生的标记的反射率变化量和标记尺寸与信号振幅成比例。
因此，现有的超分辨技术难以得到足够的信号振幅。
解决技术问题的技术方案
本发明提供一种光信息记录媒体，利用凹凸图案或记录用薄膜内的标记，将信息作为记录数据非易失性地记录，并且通过将光照射在上述凹凸图案或记录用薄膜内的标记上，将上述记录数据再生为再生信号，其特征在于：包含光学特性由于上述光的照射而变化、并且当上述光的照射功率降低时恢复到上述光的照射前的光学特性的材料，光学特性由于上述光的照射而变化的材料是半导体；且该半导体在室温下的带隙大于在记录数据的再生中使用的光的光子能量，并且该半导体在高温下的带隙小于在记录数据的再生中使用的光的光子能量。
本发明还提供一种信息再生方法，利用凹凸图案或记录用薄膜内的标记，将信息作为记录数据非易失性地记录在光信息记录媒体上，并且通过将光照射在上述凹凸图案或记录用薄膜内的标记上，将上述记录数据再生为再生信号，其特征在于：利用上述光的照射，使在上述光信息记录媒体中使用的材料的光学特性变化；在上述光的照射功率为低功率时和为高功率时，使上述再生信号变化；在上述标记的部分和标记以外的部分，使上述再生信号的变化状态不同，在上述光的照射功率为低功率时和高功率时，使利用再生功率将上述再生信号规一化后的值变化；设上述再生功率的最大电平、最小电平分别为Vmax、Vmin，并且设低功率照射时的最大电平和最小电平分别为Vmax，low、Vmin，low，高功率照射时的最大电平和最小电平分别为Vmax，high、Vmin，high时，满足Vmax，high-Vmax，low＞0，且Vmin，high-Vmin，low＜0。
本发明通过取空白部分与标记部分的光学特征变化量不同的值来解决上述问题。即，例如在超分辨再生时，如果空白部分的反射率比非超分辨再生时高，则使标记部分的反射率变低。图1中示出该状况。如果可以实现该状况，则与图2、图3的情况相比，可以得到较大的信号振幅。在图1中，(a)表示非超分辨再生时的信号，(b)表示超分辨再生时的信号，在图2中，(a)表示非超分辨再生时的信号，(b)表示超分辨再生时的信号，在图3中，(a)表示非超分辨再生时的信号，(b)表示超分辨再生时的信号。
这是通过调整盘的膜叠层来实现的。
图4中示出记录型薄膜型超分辨盘的截面图。入射光400会聚在盘上。盘的结构从靠近光入射侧的部分开始为基板401、保护膜402、记录膜403、保护膜405、超分辨膜406、保护膜408、基板409。记录膜403与超分辨膜406的上下关系也可以相反。在记录膜403上记录有与记录数据相对应的标记404。入射光400使得超分辨膜406的光学特性部分地发生变化，形成超分辨区域407。该超分辨区域407比入射光400所形成的光点小，因此可以再生比由光点尺寸决定的分辨率更小的标记。图4(a)表示超分辨区域407位于记录膜403的空白部分上的情况，(b)表示超分辨区域410位于记录标记上的情况。在该盘中，为了实现图1的状态，可以调整盘的膜叠层，并利用保护膜402、405、408、记录膜403、超分辨区域407、410与记录膜的空白部分及标记部分的光学干涉。例如可以是，在入射光400通过基板401→保护膜402→记录膜的空白部分→保护膜405→超分辨区域407→保护膜408→基板409的情况下，与没有超分辨区域407的情况相比，反射率变大，并且，在入射光400通过基板401→保护膜402→记录标记404→保护膜405→超分辨区域407→保护膜408→基板409的情况下，与没有超分辨区域410的情况相比，反射率变小。而且，由于记录标记404与记录膜的空白部分的光学特性不同，因此，2个超分辨区域407与410吸收的光量不同，因此超分辨区域407与410的温度不同。因此，超分辨区域的大小和光学特性等不同。考虑到这一点，也可以实现图1的状态。
上面描述了记录型薄膜型超分辨盘的情况，但这也适用于记录标记为凹坑的ROM的情况。使用图5来说明该情况的状况。在图5中，入射光500入射到光盘上。盘的结构从靠近光入射侧的部分开始为基板501、保护膜502、超分辨膜503、保护膜505、基板506。在基板506上形成与记录数据相对应的凹坑507。图5(a)是超分辨区域504位于空白之上的情况，(b)是超分辨区域508位于凹坑之上的情况。该情况下，(b)的一方与505：保护膜2的膜厚增厚凹坑深度的情况相同，因此，(a)与(b)得到的反射光的相位不同。如果利用该相位差，则可以利用光学干涉对反射率进行某种程度的控制，从而可以实现图1的状态。
专利文献4中记载的凹坑型超分辨技术也如上所述，可以利用空白部分与标记部分的光学干涉的不同来作出图1的状态。利用图6说明这一点。激光600入射到盘上。盘的结构从靠近光入射侧的部分开始为基板601、保护膜602、超分辨辅助膜603、保护膜605、基板606，在形成在基板606上的记录凹坑中埋入超分辨材料，将其称为超分辨凹坑607。超分辨辅助膜603的一部分604的光学特性由于光入射而发生变化。另外，在图6(b)中，在入射光600照射到超分辨凹坑上时，形成光学特性发生了变化的超分辨凹坑608。此时，凹坑608与其以外的凹坑607的光学特性不同，因此，即使在再生光点内存在多个凹坑的情况下，也可以读出单一的凹坑608。在此，通过调整图6(a)和(b)的光学干涉，可以实现图1的状态。
该凹坑型超分辨方式的一个特征是，为了实现记录数据的大容量而将超分辨与多层技术相组合，为此必须提高空白部分的光学透射率，但由于在图6的方法中，超分辨辅助膜603必须吸收光，因此难以提高光学透射率。作为解决该问题的方法，例如可以使用在背景技术部分描述的非专利文献4所使用的、带隙在常温下为紫外线区域而在高温下为可见光区域的宽带隙(WBG)半导体。使用图7说明这一点。图7的结构与图6基本相同，不同点在于，将超分辨辅助膜603形成WBG薄膜703。WBG薄膜703在常温下其带隙位于紫外线区域，因此对可见光是透明的。但是，通过将再生光700照射到超分辨凹坑707上，在超分辨凹坑707中产生热量，该热量到达WBG薄膜703，从而在WBG薄膜的高温部分704中，带隙变小，成为可见光区域。由此来吸收可见光。
在再生具有该结构的记录层的多层光盘时，入射光700不在非再生层上会聚，非再生层上的光的功率密度小，因此，超分辨凹坑中的发热几乎没有，从而WBG薄膜保持透明。由此，非再生层的记录层的透射率保持较高，因此可以实现超分辨多层光盘。
作为这样的WBG材料，可以使用ZnO、TiO2、SrTiO3、ZnS、CeO2等。
另外，在图7(a)中，入射光700照射到空白部分上，离开了超分辨凹坑，但在高密度光盘中，与再生光点相比，凹坑尺寸、空白尺寸较小，因此空白部分的温度变高。而且，一旦空白部分的温度变高、开始吸收光，则不仅是超分辨凹坑，在WBG薄膜内也产生热量。该热量使WBG薄膜的带隙进一步变小，光吸收进一步变大。虽然存在该现象，但会自相一致地收敛，WBG薄膜中的温度分布保持在某种恒定状态。该状态会被来自超分辨凹坑的热量传导扰乱，但该扰乱取决于凹坑尺寸、空白尺寸等的凹坑排列。即，由于WBG薄膜内的光学特性变化的分布反映记录信号，因此可以在信号再生中利用该扰乱。
发明效果
在用于再现比光学分辨率更微小的记录标记的超分辨技术中，通过提高信号振幅，可以降低数据错误率。
附图说明
图1是利用本发明得到的光盘的再生信号的说明图。
图2是利用现有的薄膜型超分辨盘得到的再生信号的说明图。
图3是利用现有的凹坑型超分辨盘得到的再生信号的说明图。
图4是表示薄膜型记录型超分辨盘的结构的图。
图5是表示薄膜型ROM超分辨盘的结构的图。
图6是表示向凹坑型超分辨盘附加了超分辨辅助膜后的盘的结构的图。
图7是表示向凹坑型超分辨盘附加了宽带隙半导体膜后的盘的结构的图。
图8是表示在本发明的效果验证中使用的光盘驱动器的结构的图。
符号说明
400：入射光、401：基板、402：保护膜、403：记录膜、404：记录标记、405：保护膜、406：超分辨膜、407：超分辨区域、408：保护膜、409：基板、410：超分辨区域、500：入射光、501：基板、502：保护膜、503：超分辨膜、504：超分辨区域、505：保护膜、506：基板、507：记录凹坑、508：超分辨区域、600：入射光、601：基板、602：保护膜、603：超分辨辅助膜、604：光学特性变化区域、605：保护膜、606：基板、607：超分辨凹坑、608：光学特性发生了变化的超分辨凹坑、700：入射光、701：基板、702：保护膜、703：宽带隙(WBG)半导体薄膜、704：光学特性变化区域、705：保护膜、706：基板、707：超分辨凹坑、708：光学特性发生了变化的超分辨凹坑、801：半导体激光器、802：透镜、803：偏振光束分离器、804：λ/4板、805：反射镜、806：物镜、807：盘、808：半反射镜、809：反射镜、810：聚焦伺服信号检测器、811：再生信号·跟踪信号检测器、812：信号处理·控制系统、813：致动器、814：激光干涉计、815：主轴。
具体实施方式
第1实施方式
对图4记载的、记录型薄膜型超分辨的情况进行说明。
在此制作了2个盘。一个是按照现有技术的方针设计的盘(结构A)，另一个是按照本发明的方针设计的盘(结构B)。各个盘结构从靠近光入射侧的部分开始，如下形成。
结构A：紫外线硬化树脂100μm/ZnS-SiO2(50nm)/GeSbTe(20nm)/ZnS-SiO2(20nm)/Ga(40nm)/ZnS-SiO2(50nm)/Al(100nm)/聚碳酸酯基板
结构B：紫外线硬化树脂100μm/ZnS-SiO2(30nm)/GeSbTe(20nm)/ZnS-SiO2(30nm)/Ga(10nm)/ZnS-SiO2(30nm)/Al(100nm)/聚碳酸酯基板
在此，GeSbTe为记录膜403，Ga为超分辨膜406。在该盘中，Ga由于光入射而融解，从而得到超分辨效果。在结构A的设计中，为了得到更大的超分辨效果，使作为超分辨膜的Ga的膜厚增厚。另外，所有的薄膜通过溅射来制膜。
在这里使用的聚碳酸酯基板上制作跟踪用的槽。该槽的宽度为160nm，槽的间距为320nm，槽的深度约为25nm。
利用图8所示的光盘驱动器来再生该盘。对驱动器的结构进行说明。从半导体激光器801射出激光，利用透镜802使其变成平行光。该平行光通过偏振光束分离器803。此时，调整偏振光束分离器803的方向，使得虽然从半导体激光器801射出的激光为直线偏振光，但其偏振方向完全通过偏振光束分离器803。激光由λ/4板804变换成圆偏振光，通过反射镜805、物镜806后，在盘807上聚焦。来自盘的反射光通过物镜806、反射镜805，由λ/4板804变成直线偏振光，但其与从激光器801射出时的偏振方向相差90°。这样，该光在入射到偏振光束分离器803中后，光路弯曲90°，入射到聚焦信号检测器810以及再生信号·跟踪信号检测器811中。来自两个检测器的信号被输入到信号处理·控制系统812中。同时，利用激光干涉计814检测出光头的半径位置，并将该信号输入到系统812中。由该系统来控制自动聚焦伺服、跟踪信号、激光脉冲产生信号和盘旋转速度等。
在此，设半导体激光器801的波长为405nm，物镜806的数值孔径为0.85。
表1中示出利用波长405nm的光的上述光盘的反射率以及利用驱动器得到的再生信号的包络线的最大值和最小值的值(再生信号电平)。
表1
Figure G2007101407481D00101
设再生时的功率在非超分辨再生时为0.3mW，在超分辨再生时为1.5mW。表1的再生信号电平利用该再生功率进行规一化。从表1可知，在作为本发明的结构B的盘的超分辨再生时，与现有的结构A的盘相比，得到大约2倍的信号振幅。由此可以将信噪比(SNR)提高大约6dB。
在该盘上记录标记，测定再生时的数据错误率。所记录的标记是最小标记长为100nm的1-7调制的随机图案的数据。设记录和再生时的盘的线速度为5m/s。将所测定的错误率记述在与上述同样的表1中。根据该测定结果可知，本发明确实提高了再生信号的质量。
第2实施方式
对图5记载的、薄膜型超分辨ROM盘进行说明。
与第1实施方式同样，制作了现有结构的盘(结构A)和本发明的盘(结构B)。
结构A：紫外线硬化树脂100μm/ZnS-SiO2(30nm)/GeSbTe(20nm)/ZnS-SiO2(30nm)/聚碳酸酯基板
结构B：紫外线硬化树脂100μm/ZnS-SiO2(20nm)/GeSbTe(30nm)/ZnS-SiO2(30nm)/Ag(42nm)/聚碳酸酯基板
两者都在聚碳酸酯基板上如图5所示形成与数据相对应的凹坑507。记录凹坑的图案是最小标记长为100nm的1-7调制的随机图案的数据。凹坑507的深度约为41nm、凹坑宽度为100nm。在此，GeSbTe对应于超分辨膜503。
与第1实施方式同样，测定该盘的反射率、信号电平以及数据错误率。盘驱动器的结构与在第1实施方式中描述的相同。设盘的线速度为5m/s、再生功率在非超分辨时为0.3mW、在超分辨时为2mW。表2中示出测定结果。
表2
Figure G2007101407481D00121
从表2可知，超分辨再生时的结构B的信号振幅比结构A的信号振幅大约大1.5倍，由此可知降低了数据错误率。
第3实施方式
对图7记载的凹坑型超分辨盘进行说明。
首先说明图7的盘的制作方法。
利用电子束描画装置制作基板706的记录凹坑。在Si基板上涂布电子束用抗蚀剂，一边使该试料旋转，一边照射会聚的电子束脉冲，从而将抗蚀剂曝光。凹坑的最短标记长为50nm，制作出1-7调制的随机图案。通过显影使曝光后的区域形成凹坑形状。然后，通过利用CF4气体的反应性离子蚀刻，在Si基板上形成深度40nm的凹坑，除去剩余的电子束抗蚀剂。将其称为Si原盘。通过Ni电镀从该原盘制作出压模。在利用聚碳酸酯制作的厚度1.1mm、直径120mm的圆形基板上，通过压上高温状态的压模，将压模的凹坑形状转印到聚碳酸酯基板上，制作出基板706。
在基板706上溅射Ag、ZnS-SiO2、GeSbTe、ZnS-SiO2。通过化学机械研磨，来研磨该试料的膜，从而使凹坑内的膜原样留下，而除去了空白部分的GeSbTe。由此可以仅在凹坑内留下作为超分辨材料的GeSbTe。在化学机械研磨中，使试料在平面内旋转，一边供给研磨液，一边将研磨垫压在试料表面上，使该研磨垫从盘内周到外周移动，从而研磨盘的整个面。通过使用PH13的研磨液，提高GeSbTe向研磨液的溶解，从而可以用大约15秒来研磨整个盘面。
在研磨后的试料上再次溅射ZnS-SiO2等的膜，形成100μm的紫外线硬化树脂。
与第1、第2实施方式同样，制作出作为现有设计的结构A和本发明的结构B的盘。这些结构如下：
结构A的凹坑部：紫外线硬化树脂/ZnS-SiO2(30nm)/GeSbTe(30nm)/ZnS-SiO2(20nm)/Ag(10nm)/聚碳酸酯基板、
结构A的空白部：紫外线硬化树脂/ZnS-SiO2(40nm)/Ag(10nm)/聚碳酸酯基板、
结构B的凹坑部：紫外线硬化树脂/ZnS-SiO2(50nm)/GeSbTe(20nm)/ZnS-SiO2(40nm)/ZnO(30nm)/Ag(10nm)/聚碳酸酯基板、
结构B的空白部：紫外线硬化树脂/ZnS-SiO2(70nm)/ZnO(30nm)/Ag(10nm)/聚碳酸酯基板。
在此，GeSbTe为图7中的超分辨凹坑707，ZnO为WBG半导体膜703。
表3中示出利用在第1、第2实施方式中说明的驱动器再生上述2个盘后的结果。
表3
设再生时的功率在非超分辨再生时为0.3mW、在超分辨再生时为3mW。结构A、B两个盘在非超分辨再生时的信号振幅小的原因在于，在超分辨再生时，非超分辨信号成为噪声成分，因此将盘结构决定成使得非超分辨信号变小。由此也可以使结构A的数据错误率减小。但是，结构B的数据错误率较小，从而可以确认本发明的效果。
利用分光光度计测定的结构B的光学透射率为72％。
另外，使结构B的ZnO为TiO2、SrTiO3、CeO2、ZnS的情况下的数据错误率分别是1.2×10-6、1.8×10-7、8.9×10-7、9.3×10-7。该错误率的倾向与各个材料的带隙相关。相当于室温下的TiO2、SrTiO3、CeO2、ZnS的带隙的光的波长分别为410nm、384nm、344nm、342nm。TiO2的带隙比光源的能量还窄，因此在非超分辨再生时就已经吸收光。因此，与超分辨凹坑的反射率不足够大，从而错误率高。在其它材料中，随着带隙变大，错误率变大。这是因为，随着带隙变得大于光源的能量，材料相对光源波长的光学特性变化变小，从而作为本发明意图的空白部分的反射率变化变小。
第4实施方式
利用图7记载的凹坑型超分辨方式制作2层盘。
说明盘的制作方法。聚碳酸酯基板与在第3实施方式中使用的相同。与第3实施方式同样，在该基板上溅射薄膜，在对膜进行化学机械研磨后，再次溅射薄膜。该层从光入射侧看形成里侧的记录层，将其称为第2层。在该试料上涂布紫外线硬化树脂，压上在第3实施方式中使用的Ni压模，使紫外线硬化树脂硬化，由此转印压模的图案。此时，紫外线硬化树脂的厚度约为20μm。在该试料上再次溅射薄膜，对膜进行化学机械研磨，再次溅射薄膜。该层形成光入射侧的记录层，将其称为第1层。在该试料上涂布厚度100μm的紫外线硬化树脂，使其硬化。
第1层的膜叠层使用第3实施方式的结构B。第2层的结构如下：
第2层的凹坑部：紫外线硬化树脂/ZnS-SiO2(30nm)/GeSbTe(30nm)/ZnS-SiO2(20nm)/ZnO(30nm)/Ag(100nm)/聚碳酸酯基板、
第2层的空白部：紫外线硬化树脂/ZnS-SiO2(40nm)/ZnO(30nm)/Ag(100nm)/聚碳酸酯基板。
第1层的数据错误率为5.9×10-7，与表3的结构B在超分辨再生时基本相同。这表示第2层的数据基本不影响第1层的再生信号。
第2层的数据错误率为6.6×10-7，与第1层的错误率基本相同。这表示由于再生光通过第1层而产生的影响基本上不存在。第1层中的再生光点足够大，光功率密度小，因此，第1层的ZnO的温度不升高，从而第1层的透射率仍然保持较高。因此可以解释为，再生光在第1层中的衰减小，抑制了错误率的提高。
由此可以确认，本发明对2层超分辨盘具有效果。

Claims (5)

1.一种光信息记录媒体，利用凹凸图案或记录用薄膜内的标记，将信息作为记录数据非易失性地记录，并且通过将光照射在上述凹凸图案或记录用薄膜内的标记上，将上述记录数据再生为再生信号，其特征在于：
包含光学特性由于上述光的照射而变化、并且当上述光的照射功率降低时恢复到上述光的照射前的光学特性的材料，
光学特性由于上述光的照射而变化的材料是半导体；且
该半导体在室温下的带隙大于在记录数据的再生中使用的光的光子能量，并且该半导体在高温下的带隙小于在记录数据的再生中使用的光的光子能量。
2.如权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于：
当上述再生信号在上述光的照射功率为低功率时和为高功率时变化时，上述再生信号的变化在上述标记的部分和标记以外的部分上不同。
3.如权利要求2所述的光信息记录媒体，其特征在于：
光学特性由于上述光的照射而变化的材料是光学特性由于通过由该材料或/和设置在上述材料附近的其它材料吸收光所产生的热量而变化的材料。
4.如权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于：
光学特性由于上述光的照射而变化的材料是光学特性由于通过由该材料或/和设置在上述材料附近的其它材料吸收光所产生的热量而变化的材料。
5.一种信息再生方法，利用凹凸图案或记录用薄膜内的标记，将信息作为记录数据非易失性地记录在光信息记录媒体上，并且通过将光照射在上述凹凸图案或记录用薄膜内的标记上，将上述记录数据再生为再生信号，其特征在于：
利用上述光的照射，使在上述光信息记录媒体中使用的材料的光学特性变化；
在上述光的照射功率为低功率时和为高功率时，使上述再生信号变化；
在上述标记的部分和标记以外的部分，使上述再生信号的变化状态不同，
在上述光的照射功率为低功率时和高功率时，使利用再生功率将上述再生信号规一化后的值变化；
设上述再生功率的最大电平、最小电平分别为Vmax、Vmin，并且设低功率照射时的最大电平和最小电平分别为Vmax，low、Vmin，low，高功率照射时的最大电平和最小电平分别为Vmax，high、Vmin，high时，满足Vmax，high-Vmax，low＞0，且Vmin，high-Vmin，low＜0。
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