CN107210052A - 光记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种光记录介质，包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层。所述相变记录层具有通过SbxInyMz表示的平均组成，其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，所述第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且所述第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。

Description

光记录介质
技术领域
本技术涉及一种具有相变记录层的光记录介质。
背景技术
如今，广泛地使用堆叠多个记录层来进一步增加光记录介质的存储能力的技术。对于包含只读、可记录和可重写光记录介质在内的每种不同的光记录介质都研究了这种多层技术。提出的一种具有两个记录层结构的可重写多层光记录介质包含基板和第一记录层(L0层)、间隔层、第二记录层(L1层)和光透射层，这些层按这个顺序堆叠在基板上。在这种两层结构的光记录介质中，使用对于用于在第一记录层上记录和从第一记录层再现的激光透射的记录层(下文中为了方便起见，将这样的层称为“半透射记录层”)作为第二记录层。为了提供记录和再现信息的能力，通过堆叠例如电介质材料、金属材料和相变记录材料形成第二记录层。一般而言，第二记录层具有这样的结构，其中第一电介质层、反射金属层、第二电介质层、相变记录层和第三电介质层按这个顺序堆叠在间隔层上(例如参照专利文献1)。
为了实现更大的存储能力，三个记录层结构的产品也已经商业化，其中第一记录层(L0层)、间隔层、第二记录层(L1层)、间隔层、第三记录层(L2层)和光透射层按照这个顺序堆叠在基板上。还提出用于增加记录密度的方法，其中包含减小最短记号长度以增加线方向上的密度并且在岸(land)和沟(groove)中都记录信息。
在这样的两层或三层结构的记录介质中，较浅的层需要具有更高的透射率，使得能在离激光光束一侧最远的层上记录信息和从离激光光束一侧最远的层再现信息。在这种情况下，高吸收系数的记录层和反射层需要相对较薄。尤其是在让记录层较薄的情况下，结晶速度可能降低，使得重写记录速度可能降低，并且相变记录介质上的记录速度可能明显低于可记录介质上的记录速度。
另一方面，一种改进相变记录介质上的记录速度的技术包含优化相变记录层用的材料以提高结晶速度。例如，为了这个目的，提议使用GeSbSn和InSb(例如参照专利文献2和3)和GaSbGe(例如参照专利文献4)作为相变记录材料。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：国际公开WO2008/018225
专利文献2：日本特许公开2005-35058号专利申请
专利文献3：日本特许公开2006-44215号专利申请
专利文献4：日本特许公开2004-25801号专利申请
发明内容
本发明要解决的问题
遗憾的是，专利文献2和3中说明的技术可能在执行高密度记录时提供的记录特性不够或者存储可靠性不够。另外，专利文献4关于存储可靠性未做说明。
本技术的目的是提供一种光记录介质，它能在执行高密度和高线性速度记录时获得良好的记录特性，维持良好的盖写特性水平，并且获得较高的长期存储稳定性。
问题的解决方案
为了解决上述问题，本技术的第一方面涉及一种光记录介质，包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中相变记录层具有通过下面的化学式(1)表示的平均组成，第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。
SbxInyMz...(1)
该化学式中，M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1。
本技术的第二方面涉及一种光记录介质，其包含两个或更多个记录层，每个记录层包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中，相变记录层具有通过下面的化学式(1)表示的平均组成，位置比离光接收侧最远的记录层浅的记录层中的x和y的总和大于最远的记录层中的x和y的总和，第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。
SbxInyMz...(1)
该化学式中，M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1。
本发明的效果
如上所述，本技术能在执行高密度和高线性速度记录时获得良好的记录特性，维持良好的盖写特性水平，并且获得较高的长期存储稳定性。
附图说明
图1A是示出根据本技术的一实施例的光记录介质的外观的示例的透视图。
图1B是示出根据本技术的一实施例的光记录介质的构造的示例的剖视图。
图2A是示出离光接收面最远的记录层的构造的示例的剖视图。
图2B是示出离光接收面最远的记录层之外的其它记录层的构造的示例的剖视图。
图3是示出根据本技术的修改后的实施例的光记录介质的构造的剖视图。
图4是示出示例1的光盘的27到30的透射率与其相变记录层的厚度之间的关系的图表。
具体实施方式
将按照下面的顺序说明本技术的实施例。
1光记录介质的构造
2光记录介质的生产方法
3有利效果
4修改例
[1光记录介质的构造]
如图1A所示，根据本技术的一实施例的光记录介质10具有中心设有开口(下文中称为“中心孔”)的圆盘形状。请注意，光记录介质10的形状不限于这个示例并且可以是诸如卡片形状的任何其他形状。
如图1B所示，根据本技术的一实施例的光记录介质10包含基板11和记录层L0、间隔层S1、记录层L1、间隔层S2、记录层L2…间隔层Sn、记录层Ln和用作覆盖层的光透射层12，这些层按照这个顺序堆叠在基板11的主表面上。就此而言，n是1、2或更大的整数。请注意，在下面的说明中，在不对记录层L0到Ln进行区别的情况下，记录层L0到Ln也称为记录层L。
光记录介质10是相变光记录介质，其中通过激光光束照射将记录层L0到Ln的状态改变成非晶状态而在这些记录层上记录信息，并且通过将记录层L0到Ln的状态改变成结晶状态而从这些记录层上擦除信息。具体来说，使用入射在光透射层12一侧上的表面C上并且照射于记录层L0到Ln中的每一层的激光光束在光记录介质10上记录信息信号或者从光记录介质10再现信息信号。例如，在记录或再现信息信号时，波长在400nm到410nm范围内的激光光束被数值孔径在0.84到0.86范围内的物镜收集，然后从光透射层12一侧照射于记录层L0到Ln中的每一层。具有这样的特征的光记录介质10可以例如是多层可重写蓝光光盘(BD-RE)。用于在记录层L0到Ln上记录信息信号或从记录层L0到Ln再现信息信号的激光光束照射于表面C。下文中，表面C将称为光接收面C。
在光记录介质10上执行记录是例如使用在沟Gv上记录信息信号的方法(沟记录法)或在岸Ld和沟Gv上都记录信息信号的方法(岸沟记录法)。为了增加记录密度，后一种方法更加优选。光记录介质10是能够执行高密度和高线性速度记录的光记录介质，其优选地具有14m/s到23m/s的最高记录线性速度和112nm或更小的最短记录记号长度。
下文中，将分别说明光记录介质10的组件，具体而言是基板11、记录层L0到Ln、间隔层S1到Sn和光透射层12。
(基板)
基板11例如具有中心设有中心孔的圆盘形状。基板11的一个主表面是形成岸Ld和沟Gv的凹凸表面。记录层L0形成在该凹凸表面上。在本说明中，凹凸表面的凹入部分称为岸Ld，凹凸表面的凸起部分称为沟Gv。
岸Ld和沟Gv可以具有诸如螺旋形状和同心圆形状等各种形状中的任一种。为了稳定线性速度、添加地址信息和其它目的，岸Ld和沟Gv也可以是蜿蜒的。
基板11的尺寸(直径)例如选择成120mm。考虑到刚度，基板11的厚度优选地选择成0.3mm到1.3mm，更优选地选择成0.6mm到1.3mm，一般是1.1mm。另外，中心孔的尺寸(直径)例如选择成15mm。
基板11例如由塑料材料或玻璃制成，考虑到成本优选使用塑料材料。这样的塑料材料的示例包含聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂和丙烯酸树脂。
(记录层)
如图2A所示，离光接收面C最远的记录层L0是多层膜，其例如包含反射层21、第一电介质层22、相变记录层23、第二电介质层24和保护层25，这些层按照这个顺序堆叠在基板11上。下文中，将参照记录层L0设有保护层25的示例说明记录层L0的构造。然而，也可以省掉保护层25。
用于形成反射层21的材料例如包含Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Ta、W、Mo或Ge等单质，或者使用其任何合金作为主要成分。这些材料当中，基于Al、Ag、Au、Si或Ge的材料在实用性方面尤其是优选的。优选使用的合金的示例包含Al-Ti、Al-Cr、Al-Cu、Al-Mg-Si、Ag-Nd-Cu、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti和Si-B。应当优选地考虑光学特性和热特性从这些材料中做出选择。例如，优选使用基于Al或Ag的材料，因为这种材料即使在短波长区域中也具有高反射率。
第一和第二电介质层22和24用于保护相变记录层23并且控制光学特性和热稳定性。第一电介质层22包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽。含有氧化锆的复合材料优选地是包含氧化锆以及氧化铟和氧化硅中的至少一种的复合氧化物。第二电介质层24包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。含有氧化铬的复合材料优选地是包含氧化铬、氧化锆和氧化硅中的两种或更多种的复合氧化物。
在第一电介质层22包含氧化锆和氧化铟的情况下，第一电介质层22优选地具有20mol％到50mol％的氧化锆含量和10mol％到50mol％的氧化铟含量。这是因为，在这种情况下当执行高密度和高线性速度记录时，能够维持特别良好的盖写特性水平，并且能够实现特别高的长期存储稳定性。
在第二电介质层24包含氧化铬和氧化锆的情况下，第二电介质层24优选地具有20mol％到50mol％的氧化铬含量和30mol％到70mol％的氧化锆含量。这是因为，在这种情况下当执行高密度和高线性速度记录时，能够维持特别良好的盖写特性水平，并且能够实现特别高的长期存储稳定性。
相变记录层23是能通过激光光束照射而在上面反复记录信息信号的记录层。具体来说，相变记录层23是能通过在激光光束照射时在非晶相与结晶相之间可逆地变化而在上面记录和重写信息信号的记录层。相变记录层23包含SbInM，其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种。包含SbInM的相变记录层23优选地具有通过下面的化学式(1)表示的平均组成。
SbxInyMz...(1)
该化学式中，x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x、y和z是满足x+y+z＝1的原子比。
必要时，相变记录层23可以包含从下面中选出的一种或多种材料：N、S、Mg、Ca、Ti、V、Ni、Cu、Zn、Ga、Se、Zr、Nb、Rh、Pd、Ag、Sn、Hf、Ta、W、Re、Au、Bi、镧系元素和锕系元素。
相变记录层23优选地具有8nm或更小的厚度。在记录层L的数量是3个的情况下，厚度8nm或更小的相变记录层23能够提供下面提到的优势。具体来说，当相变记录层23的厚度为8nm或更小时，可以实现更高的透射率，从而实现从离光入射侧更远的层返回的光量可以保持在足以用当前的消费型驱动器获得良好的再现特性的水平。
用于形成保护层25的材料可以是透射电介质材料，例如包含从氧化物、氮化物、硫化物、碳化物和氟化物组成的群组中选出的至少一种材料。氧化物可以例如是从In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi和Mg组成的群组中选出的至少一种元素的氧化物。氮化物可以例如是从In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta和Zn组成的群组中选出的至少一种元素的氮化物，优选地是从Si、Ge和Ti组成的群组中选出的至少一种元素的氮化物。硫化物可以例如是硫化锌。碳化物可以例如是从In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta和W组成的群组中选出的至少一种元素的碳化物，优选地是从Si、Ti和W组成的群组中选出的至少一种元素的碳化物。氟化物可以例如是从Si、Al、Mg、Ca和La组成的群组中选出的至少一种元素的氟化物。
比记录层L0更接近光接收面C的记录层L1到Ln就是所谓的透射记录层。如图2B中所示，记录层L1到Ln均是多层膜，包含透射率增强层31、半透射反射层32、第一电介质层33、相变记录层34、第二电介质层35和保护层36，这些层按这个顺序堆叠在间隔层S1到Sn之一上。下文中，将参照记录层L1到Ln均具有透射率增强层31和保护层36的示例说明记录层L1到Ln的构造。然而，这些层中的至少一层也可以省去。替代地，虽然将参照这些层具有同一多层膜的示例说明记录层L1到Ln的构造，但是记录层L1到Ln可以根据记录层L1到Ln中的每一层所必需的特性(诸如光学特性和耐久性)而具有不同的分层构造。
透射率增强层31用于增强记录层L1到Ln的透射率。用于形成透射率增强层31的材料优选地是TiO2等高折射率的透射电介质材料，从而使得与半透射反射层32的界面处的折射率差异能较小。
半透射反射层32设计成对于记录或再现信息信号用的激光光束是透射的。具体来说，半透射反射层32的透射率程度使得当照射激光光束时，能在比具有这个半透射反射层32的记录层L离光接收面C更远的记录层L上记录信息信号，或者从比具有这个半透射反射层32的记录层L离光接收面C更远的记录层L再现信息信号。可以用于形成半透射反射层32的材料的示例包含针对反射层21列出的那些材料。
比记录层L0更靠近光接收面C的记录层L1到Ln每个中的x和y的总和优选地大于离光接收面C最远的记录层L0中的x和y的总和。这是因为，在这种情况下，更近的一侧上的记录层L1到Ln可以具有与最远的一侧上的记录层L0相似的记录特性水平。就此而言，化学式(1)中的x和y的总和可以在更接近光接收面C的记录层L中设置成更大。下文将说明为何在这种情况下能获得与记录层L0相似的记录特性水平。
为了增加离光接收面C最远的记录层L0的反射率，位置比记录层L0更浅的记录层L1到Ln应当优选地对于记录或再现信息信号用的激光光束具有充分的透射率。为了增加记录层L1到Ln的透射率，可以将构成记录层L1到Ln中的每一层的组成部分的相变记录层34制造成较薄。然而，因为相变记录层34的厚度降低，能够经历相变的记录材料的体积减小，从而使得结构性变化变得不太可能发生，这样将导致结晶速度降低。通过选择相变记录材料的组合物以增加结晶速度，可以补偿因为相变记录层34的厚度降低导致的这种结晶速度降低。具体来说，在位置比记录层L0浅的记录层L1到Ln中，可以增加相变记录层34中的元素Sb和In的总量(即，化学式(1)中的x和y的总和)。
第一电介质层33、相变记录层34、第二电介质层35和保护层36分别与第一电介质层22、相变记录层23、第二电介质层24和保护层25相似。然而，第一电介质层33、相变记录层34、第二电介质层35和保护层36的厚度、组分比率和其它属性可以分别根据期望特性选择成分别与第一电介质层22、相变记录层23、第二电介质层24和保护层25不同。
(间隔层)
间隔层S1到Sn用于在物理上和光学上将记录层L0到Ln彼此隔开足够长的距离，并且间隔层S1到Sn均具有凹凸表面。该凹凸表面形成岸Ld和沟Gv。岸Ld和沟Gv可以具有诸如螺旋形状和同心圆形状的各种形状中的任一种。为了稳定线性速度、添加地址信息和其它目的，岸Ld和沟Gv也可以是蜿蜒的。
间隔层S1到Sn的厚度优选地设置成9μm到50μm。间隔层S1到Sn优选地但是不必一定由紫外线可固化丙烯酸树脂制成。另外，间隔层S1到Sn优选地有足够高的光学透射度，因为它们构成了在更深的层上记录信息信号或从更深的层再现信息信号用的激光光束的光路。
(光透射层)
光透射层12例如是通过固化诸如紫外线可固化树脂等感光性树脂形成的树脂层。树脂层可以例如由紫外线可固化丙烯酸树脂制成。替代地，光透射层12可以包含环形光学透射薄片和用于将光学透射薄片粘合至基板11的粘合层。光学透射薄片优选地由对于记录和再现用的激光光束的吸收力较低的材料制成。具体来说，光学透射薄片优选地由对于激光光束的透射率为90％或更高的材料制成。光学透射薄片可以例如由聚碳酸酯树脂材料或聚烯烃树脂(例如)制成。粘合层可以例如使用紫外线可固化树脂或压敏粘合剂(PSA)制成。
光透射层12的厚度优选地在10μm到177μm的范围内选择，并且一般选择成使得光透射层12和间隔层S1到Sn的总厚度为100μm。使用这样的薄光透射层12与配置成具有例如大约0.85的高数值孔径(NA)的物镜的组合，可以实现高密度记录。
[2光记录介质的生产方法]
接下来，将说明根据本技术的一实施例的光记录介质的生产方法的示例。
(基板形成步骤)
首先，形成以凹凸表面为主表面的基板11。形成基板11的方法可以例如是注塑成型或光聚合物法(光聚合(2P)技术)。
(记录层形成步骤)
然后，例如通过溅射处理将反射层21、第一电介质层22、相变记录层23、第二电介质层24和保护层25按这个顺序沉积在基板11的凹凸表面上。因此在基板11上形成记录层L0。
(间隔层形成步骤)
然后，例如通过旋涂法在记录层L0上均匀地涂覆紫外线可固化树脂。然后，用带有凹凸图案的压膜在均匀地涂覆在记录层L0上的紫外线可固化树脂上按压。在用紫外线照射使紫外线可固化树脂固化之后，将压膜剥离。因此，压模的凹凸图案被转移到紫外线固化的树脂上，并且在记录层L0上形成带有凹凸表面的间隔层S1。
(记录层形成步骤)
然后，例如通过溅射处理将透射率增强层31、半透射反射层32、第一电介质层33、相变记录层34、第二电介质层35和保护层36按这个顺序沉积在间隔层S1的凹凸表面上。因此，在间隔层S1上形成记录层L1。
(间隔层和记录层形成步骤)
然后，通过与间隔层S1和记录层L1的形成步骤相似的步骤，将间隔层S2、记录层L2…间隔层Sn和记录层Ln按这个顺序沉积在记录层L1上。
(光透射层形成步骤)
然后，例如，通过旋涂将紫外线可固化树脂涂覆在记录层Ln上，然后用紫外线射线照射使紫外线可固化树脂固化。因此，在记录层Ln上形成光透射层12。
通过上文说明的步骤获得期望的光记录介质10。
[3有益效果]
在根据上文说明的实施例的光记录介质10中，相变记录层23和34均具有上面的化学式(1)表示的平均组成。另外，第一电介质层22和33均包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且第二电介质层24和35均包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。这些特征使得能在执行高密度和高线性速度记录时获得良好的记录特性，维持良好的盖写特性水平，并且获得较高的长期存储稳定性。
[4修改例]
如图3中所示，根据本技术的修改后的实施例的光记录介质40是所谓的层压型光记录介质，它包含第一光盘40a、第二光盘40b和设在第一和第二光盘40a和40b之间的粘合层41。在这个修改后的实施例中，与第一实施例中的元件相对应的元件用相同的参考符号表示。
第一和第二光盘40a和40b具有相同的配置，它包含基板11和记录层L0、间隔层S1、记录层L1…间隔层Sn、记录层Ln和用作覆盖层的光透射层12，这些层按这个顺序堆叠在基板11的主表面上。就此而言，n是1、2或更大的整数。
光记录介质40的两面上设有光接收表面，记录或再现信息信号用的光束将要照射于该表面。更具体来说，光记录介质40具有第一光接收面C1和第二光接收面C2，在第一光盘40a上记录信息信号或从第一光盘40a再现信息信号用的激光光束将要照射于第一光接收面C1，而在第二光盘40b上记录信息信号或从第二光盘40b再现信息信号用的激光光束将要照射于第二光接收面C2。
基板11有例如0.5mm的厚度。第一和第二光盘40a和40b均具有例如0.6mm的厚度。光记录介质40具有例如1.2mm的厚度。为实现更高的记录密度，在光记录介质40上记录的方法优选地是岸沟记录法。
粘合层41包含通过使紫外线可固化树脂固化而获得的产物。第一和第二光盘10和20通过粘合层41粘合在一起。更具体来说，第一和第二光盘40a和40b粘合在一起使得它们的与光透射层12一侧相对的表面面朝彼此。粘合层41具有例如0.01mm到0.22mm的厚度。紫外线可固化树脂例如是自由基聚合紫外线可固化树脂。
[示例]
下文中，将参照示例更具体地说明本技术。应当理解，这些示例并不意在以任何方式限制本技术。请注意，在示例中，在光盘具有三个记录层的情况下，这些记录层从基板侧到激光接收面侧依次称为L0、L1和L2层。
将按下面的顺序说明这些示例。
i记录特性与第一和第二电介质层和相变记录层的材料组合之间的关系以及记录速度与记录特性之间的关系
ii记录特性与相变记录层的材料和组分比之间的关系
iii记录特性与第一电介质层的组分比之间的关系
iv记录特性与第二电介质层的组分比之间的关系
v记录特性与相变记录层的厚度之间的关系
vi相应层的记录特性之间的关系(三层光盘)
<i记录特性与第一和第二电介质层和相变记录层的材料组合之间的关系以及记录速度与记录特性之间的关系>
(示例1)
首先，通过注塑成型形成1.1mm厚的聚碳酸酯基板。请注意，在聚碳酸酯基板上形成带有沟和岸的凹凸表面。然后，执行溅射处理以将具有下文示出的构造(材料和厚度)的透射率增强层、半透射反射层、第一电介质层、相变记录层、第二电介质层和保护层沉积在聚碳酸酯基板的凹凸表面上。因此，在聚碳酸酯基板的凹凸表面上形成记录层。
透射率增强层：TiO2，11nm
半透射反射层：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
第一电介质层：(SiO2)35-(In2O3)30-(ZrO2)35，6nm
相变记录层：Sb85-In10-Mo5，7nm
第二电介质层：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，22nm
保护层：SiN，30nm
然后，通过旋涂将紫外线可固化树脂均匀地涂覆于记录层上，然后用紫外线射线照射固化以形成100μm厚的光透射层。因此获得期望的光盘。
(示例2到6和比较例1到6)
光盘的获得方式与示例1相似，区别是第一电介质层、相变记录层和第二电介质层的材料如表1所示更改过。
(评估)
如下所述评估如上所述获得的光盘。
(直接盖写(DOW)10(6倍)特性)
使用光盘测试机(PULSTEC INDUSTRIAL有限公司制造的ODU-1000(商品名))，在下面的条件下以每层33.3GB的密度在每个光盘上反复记录11次1-7调制的数据：数值孔径NA＝0.85，记录波长λ＝405nm，记录线性速度v＝22.13m/s(相当于6倍速度)，然后在7.38m/s的再现线性速度(相当于2倍速度)下测量i-MLSE。就此而言，最短的记号长度即2T记号长度是112nm。
(DOW 1,000(6倍)特性)
使用光盘测试机(PULSTEC INDUSTRIAL有限公司制造的ODU-1000(商品名))，在下面的条件下以每层33.3GB的密度在每个光盘上反复记录1,000次1-7调制的数据：数值孔径NA＝0.85，记录波长λ＝405nm，记录线性速度v＝22.13m/s(相当于6倍速度)，然后在7.38m/s的再现线性速度(相当于2倍速度)下测量i-MLSE。
(存档(6倍)特性)
使用光盘测试机(PULSTEC INDUSTRIAL有限公司制造的ODU-1000(商品名))，在下面的条件下以每层33.3GB的密度在每个光盘上反复记录11次1-7调制的数据：数值孔径NA＝0.85，记录波长λ＝405nm，记录线性速度v＝22.13m/s(相当于6倍速度)。然后，在将每个光盘在80℃和85％的环境中储存400小时之后，在7.38m/s的再现线性速度(相当于2倍速度)下测量i-MLSE。
然后，基于DOW 10(6倍)特性、DOW 1,000(6倍)特性和存档(6倍)特性的测量结果，根据下面的标准评估光盘。
⊙：以上三个测量中的所得i-MLSE值都是12.0％或更小。
○：以上三个测量中的所得i-MLSE值都是13.0％或更小，并且以上三个测量中的至少一个中的所得i-MLSE值大于12.0％到13.0％。
×：以上三个测量中的至少一个中的所得i-MLSE值大于13.0％。
请注意，上文示出的参考值是出于以下原因选择的。如果i-MLSE大于15.0％，则将不可能用一般的消费型驱动器获得良好的再现特性。鉴于消费型驱动器的再现系统之间的变化，i-MLSE应当优选地是13.0％或更小。另外，鉴于光盘生产差距，i-MLSE应当优选地是12.0％或更小。
表1示出了记录特性与第一和第二电介质层和相变记录层的材料组合之间的关系。
[表1]
上文说明的评估的结果显示了以下内容。
通过使用包含SbInM(M是从Mo、Ge、Mn和Al中选出的至少一种元素)的相变记录层、包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽的第一电介质层、和包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅的第二电介质层，使得能在执行高密度和高线性速度记录时获得良好的记录特性，维持良好的盖写特性水平，并且获得较高的长期存储稳定性。
(评估)
如下所述进一步评估如上所述获得的光盘。
(DOW 10(4倍)特性)
i-MLSE值的测量方式与上文针对DOW 10(6倍)特性说明的相似，区别是记录线性速度v更改成了14.75m/s(相当于4倍速度)。
(DOW 1,000(4倍)特性)
i-MLSE值的测量方式与上文针对DOW 1,000(6倍)特性说明的相似，区别是记录线性速度v更改成了14.75m/s(相当于4倍速度)。
(存档(4倍)特性)
i-MLSE值的测量方式与上文针对存档(6倍)特性说明的相似，区别是记录线性速度v更改成了14.75m/s(相当于4倍速度)。
然后，基于DOW 10(4倍、6倍)特性、DOW 1,000(4倍、6倍)特性和存档(4倍、6倍)特性的测量结果，根据下面的标准评估光盘。
⊙：以上六个测量中的所得i-MLSE值都是12.0％或更小。
○：以上六个测量中的所得i-MLSE值都是13.0％或更小，并且以上六个测量中的至少一个中的所得i-MLSE值大于12.0％到13.0％。
×：以上六个测量中的至少一个中的所得i-MLSE值大于13.0％。
表2A和2B示出了记录速度与记录特性之间的关系。
[表2A]
[表2B]
上文说明的评估的结果显示了以下内容。
即使当记录速度从4倍改变成6倍时，也能在适当的范围内维持盖写和存档特性，但是对于盖写和存档特性都能观察到i-MLSE的增加倾向。
<ii记录特性与相变记录层的材料和组分比之间的关系>
(示例7到10和比较例7到9)
光盘的获得方式与示例1相似，区别是相变记录层的组分比如表3所示更改过。
(示例11和12和比较例10到12)
光盘的获得方式与示例4相似，区别是相变记录层的组分比如表3所示更改过。
(示例13和14和比较例13和14)
光盘的获得方式与示例5相似，区别是相变记录层的组分比如表3所示更改过。
(示例15和16和比较例15和16)
光盘的获得方式与示例6相似，区别是相变记录层的组分比如表3所示更改过。
(比较例17到21)
光盘获得方式与示例1相似，区别是相变记录层的材料如表3所示更改过。
(评估)
与示例1到6中一样，评估如上所述获得的光盘的DOW 10(6倍)特性、DOW 1,000(6倍)特性和存档(6倍)特性。
表3示出了记录特性与相变记录层的材料和组分比之间的关系。
[表3]
上文说明的评估的结果显示了以下内容。
使用SbxInyMz(M是从Mo、Ge、Mn和Al中选出的至少一种元素)作为相变记录材料，并且将相应元素的组成比设置在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10的范围内，使得能在执行高密度和高线性速度记录时获得良好的记录特性，维持良好的盖写特性水平，并且获得较高的长期存储稳定性。
<iii记录特性与第一电介质层的组分比之间的关系>
(示例17到21)
光盘的获得方式与示例1相似，区别是第一电介质层的组分比如表4所示更改过。
(评估)
与示例1到6中一样，评估如上所述获得的光盘的DOW 10(6倍)特性、DOW 1,000 6倍)特性和存档(6倍)特性。
表4示出了第一电介质层的材料含量与记录特性之间的关系。
[表4]
上文说明的评估的结果显示了以下内容。
当第一电介质层具有20mol％到50mol％的氧化锆含量和10mol％到50mol％的氧化铟含量时，能获得特别好的盖写和存档特性。
<iv记录特性与第二电介质层的组分比之间的关系>
(示例22到26)
光盘的获得方式与示例1相似，区别是第二电介质层的组分比如表5所示更改过。
(评估)
与示例1到6中一样，评估如上所述获得的光盘的DOW 10(6倍)特性、DOW 1,000(6倍)特性和存档(6倍)特性。
表5示出了第二电介质层的组分含量与记录特性之间的关系。
[表5]
上文说明的评估的结果显示了以下内容。
当第二电介质层具有30mol％到70mol％的氧化锆含量和20mol％到50mol％的氧化铬含量时，能获得特别好的盖写和存档特性。
<v记录特性与相变记录层的厚度之间的关系>
(示例27到30)
光盘获得方式与示例1相似，区别是相变记录层的厚度如表6所示更改过。
(透射率的测量)
使用分光光度计(JASCO公司制造的V530(商品名))在405nm的记录波长下测量如上所述获得的光盘的透射率。表4示出测量结果。
(评估)
与示例1到6中一样，测量如上所述获得的光盘的DOW 10(6倍)特性、DOW 1,000(6倍)特性和存档(6倍)特性。根据下面的标准评估这三个测量的结果和透射率的测量结果。
⊙：以上三个测量中的所得i-MLSE值都是12.0％或更小，所得的透射率是50％或更大。
○:以上三个测量中的所得i-MLSE值都是12.0％或更小，但是所得的透射率小于50％，或者以上三个测量中的所得i-MLSE值都是13.0％或更小，并且这三个测量中的至少一个测量中的所得i-MLSE值大于12.0％到13.0％。
×：以上三个测量中的至少一个中的所得i-MLSE值大于13.0％。
表6示出了相变记录层的厚度与记录特性之间的关系。
[表6]
上文说明的评估的结果显示了以下内容。
通过将相变记录层的厚度减小为8nm或更小，可以将透射率增加到50％或更大。在三层光盘的L0层在作为单个层存在时具有25％的反射率并且如果L1和L2层每个在作为单个层存在时具有50％的透射率的情况下，三层光盘可以在光接收面一侧上具有至少1.5％(25％x0.52x0.52)的L0层反射率。如果如上所述反射率至少是1.5％，则能确保返回光束量足够用当前消费型驱动器获得良好的再现特性。就此而言，通过更改膜的组合物或其它条件，可以使L0层的反射率增加成大于25％。然而，反射率与能确保良好的再现特性的调幅之间存在折中，这样可能导致难以获得大于25％的反射率。
<vi相应层的记录特性之间的关系(三层光盘)>
(示例31)
首先，通过注塑成型形成1.1mm厚的聚碳酸酯基板。请注意，在聚碳酸酯基板上形成带有沟和岸的凹凸表面。然后，在聚碳酸酯基板的凹凸表面上通过溅射形成具有下文所示的构造(材料和厚度)的L0层。
反射层：Ag合金(AgPdCu)，80nm
第一电介质层：(SiO2)35-(In2O3)30-(ZrO2)35，14nm
相变记录层：Sb80-In10-Mo10，10nm
第二电介质层：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，18nm
保护层：SiN，60nm
然后，通过旋涂将紫外线可固化树脂均匀地涂覆到L0层上。然后将压膜的凹凸图案按压在被均匀地涂覆到层L0上的紫外线可固化树脂上。用紫外线射线照射使紫外线可固化树脂固化，然后去除压膜。通过这些处理形成具有带有岸和沟的凹凸表面的25μm厚的间隔层。
然后，在间隔层的凹凸表面上通过溅射形成具有下文所示的构造(材料和厚度)的L1层。
透射率增强层：TiO2，11nm
半透射反射层：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
第一电介质层：(SiO2)35-(In2O3)30-(ZrO2)35，6nm
相变记录层：Sb80-In10-Mo10，7nm
第二电介质层：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，22nm
保护层：SiN，30nm
然后，通过旋涂将紫外线可固化树脂均匀地涂覆到记录层L1上。然后将压膜的凹凸图案按压在被均匀地涂覆到层L0上的紫外线可固化树脂上。用紫外线射线照射使紫外线可固化树脂固化，然后去除压膜。通过这些处理形成具有带有岸和沟的凹凸表面的18μm厚的间隔层。
然后，在间隔层的凹凸表面上通过溅射形成具有下文所示的构造(材料和厚度)的L2层。
透射率增强层：TiO2，12nm
半透射反射层：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
第一电介质层：(SiO2)35-(In2O3)30-(ZrO2)35，6nm
相变记录层：Sb80-In10-Mo10，7nm
第二电介质层：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，24nm
保护层：SiN，18nm
然后，通过旋涂将紫外线可固化树脂均匀地涂覆于L2层上，然后用紫外线射线照射固化以形成57μm厚的光透射层。
因此获得期望的三层光盘。
(示例32)
三层光盘的获得方式与示例31相似，区别是用于为L0、L1和L2层形成相变记录层的材料更改为Sb80-In10-Ge10。
(评估)
与示例1到6中一样，评估如上所述获得的光盘的DOW 10(6倍)特性、DOW 1,000(6倍)特性和存档(6倍)特性。
表7A和7B示出了相应层的记录特性之间的关系(三层光盘)。
[表7A]
[表7B]
上文说明的评估的结果显示了以下内容。
所有的三个记录层使得能在执行高密度和高线性速度记录时获得良好的记录特性，维持良好的盖写特性水平，并且获得较高的长期存储稳定性。
虽然具体说明了本技术的实施例及其修改例和本技术的示例，但是上文说明的实施例、修改例和示例并不意在限制本技术，并且可以基于本技术的技术概念以各种方式对其进行更改或修改。
例如，实施例、修改例和示例中示出的构造、方法、处理、形状、材料、数值和其它条件只是例子，并且必要时，也可以使用与上述不同的构造、方法、处理、形状、材料、数值和其它条件。
另外，在不脱离本技术的主旨的前提下，也可以组合实施例、修改例和示例中示出的构造、方法、处理、形状、材料、数值和其它条件。
另外，虽然上述实施例及其修改例示出了光记录介质有多个记录层的示例，但是这些示例并不希望限制本技术，并且本技术也适用于有单个记录层的光记录介质。
另外，虽然上面的实施例及其修改例示出了本技术适用于包含基板和多个记录层和光透射层按这个顺序堆叠在基板上的光记录介质并且在从光透射层侧向记录层照射激光光束时允许在多个记录层上记录信息信号或者从多个记录层再现信息信号的示例，但是这些示例并不希望限制本技术。例如，本技术也适用于包含基板和多个记录层和覆盖层按这个顺序堆叠在基板上并且在从基板侧向记录层照射激光光束时允许在多个记录层上记录信息信号或从多个记录层再现信息信号的光记录介质，或者本技术也适用于包含两个基板和设在所述基板之间的多个记录层并且在从两个基板侧中的至少一个向记录层照射激光光束时允许在多个记录层上记录信息信号或从多个记录层再现信息信号的光记录介质。
本技术也可以采用下面的构造。
(1)一种光记录介质，其包含：
反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中
所述相变记录层具有通过化学式(1)SbxInyMz表示的平均组成，
其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，
所述第一电介质层包括含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且
所述第二电介质层包括含有氧化铬的复合材料或氮化硅。
(2)根据条目(1)所述的光记录介质，其中所述第一电介质层包括含有氧化锆以及氧化铟和氧化硅中的至少一种的复合氧化物。
(3)根据条目(1)所述的光记录介质，其中所述第一电介质层包括含有氧化锆和氧化铟的复合氧化物，并且具有20mol％到50mol％的氧化锆含量和10mol％到50mol％的氧化铟含量。
(4)根据条目(1)所述的光记录介质，其中所述第二电介质层包括含有氧化铬、氧化锆和氧化硅中的至少两种的复合氧化物。
(5)根据条目(1)所述的光记录介质，其中所述第二电介质层包括含有氧化铬和氧化锆的复合氧化物，并且具有20mol％到50mol％的氧化铬含量和30mol％到70mol％的氧化锆含量。
(6)根据条目(1)到(5)中的任一项所述的光记录介质，其中所述相变记录层具有8nm或更小的厚度。
(7)根据条目(1)到(6)中的任一项所述的光记录介质，其具有14m/s到23m/s的最高记录线性速度和112nm或更小的最短记录记号长度。
(8)一种光记录介质，其包含：
两个或更多个记录层，各包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中
所述相变记录层具有通过化学式(1)SbxInyMz表示的平均组成，
其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，
位置比离光接收侧最远的记录层浅的记录层中的x和y的总和大于所述最远的记录层中的x和y的总和，
所述第一电介质层包括含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且
所述第二电介质层包括含有氧化铬的复合材料或氮化硅。
参考符号列表
10、40 光记录介质
11 基板
21 反射层
22、33 第一电介质层
23、34 相变记录层
24、35 第二电介质层
25、36 保护层
31 透射率增强层
32 半透射反射层
40a 第一光盘
40b 第二光盘
L1到Ln 记录层
S1到Sn 间隔层
C、C1、C2 光接收面
Ld 岸
Gv 沟。

Claims (8)

1.一种光记录介质，其包括：
反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中
所述相变记录层具有通过化学式(1)SbxInyMz表示的平均组成，
其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，
所述第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且
所述第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。
2.根据权利要求1所述的光记录介质，其中所述第一电介质层包括含有氧化锆以及氧化铟和氧化硅中的至少一种的复合氧化物。
3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中所述第一电介质层包括含有氧化锆和氧化铟的复合氧化物，并且具有20mol％到50mol％的氧化锆含量和10mol％到50mol％的氧化铟含量。
4.根据权利要求1所述的光记录介质，其中所述第二电介质层包括含有氧化铬、氧化锆和氧化硅中的至少两种的复合氧化物。
5.根据权利要求1所述的光记录介质，其中所述第二电介质层包括含有氧化铬和氧化锆的复合氧化物，并且具有20mol％到50mol％的氧化铬含量和30mol％到70mol％的氧化锆含量。
6.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，所述相变记录层具有最多8nm的厚度。
7.根据权利要求1所述的光记录介质，其具有14m/s到23m/s的最高记录线性速度和最多112nm的最短记录记号长度。
8.一种光记录介质，其包括：
至少两个记录层，各包括反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中
所述相变记录层具有通过化学式(1)SbxInyMz表示的平均组成，
其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，
位置比离光接收侧最远的记录层浅的记录层中的x和y的总和大于所述最远的记录层中的x和y的总和，
所述第一电介质层包括含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且
所述第二电介质层包括含有氧化铬的复合材料或氮化硅。
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