TWI788518B - 光記錄媒體用記錄層、及光記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

光記錄媒體具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物之記錄層。金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種，金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種，金屬MC係Zn，金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種，金屬ME係Nb。金屬MA、金屬MB及金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：金屬MA相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：金屬MB相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係，且金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下。

Description

光記錄媒體用記錄層、及光記錄媒體
本發明係關於一種光記錄媒體用記錄層、及光記錄媒體。
近年來，於光記錄媒體中，廣泛採用為了增大記錄容量而使記錄層多層化之技術。作為多層光記錄媒體之記錄層之材料，提出有包含選自由W及Mo所組成之群中之至少1種金屬之氧化物及選自由Cu、Mn、Ni及Ag所組成之群中之至少1種金屬之氧化物者(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2013-86336號公報
[發明所欲解決之問題]
於多層光記錄媒體中，對於位於自光照射面起最靠裏側之記錄層，期待保持良好之再生耐久性(熱耐久性)，並且提高反射率。
本發明之目的在於提供可保持良好之再生耐久性並且提高反射率之光記錄媒體用記錄層、及具備其之光記錄媒體。 [解決問題之技術手段]
為了解決上述課題，第1發明係一種光記錄媒體，其具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物之記錄層， 上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種， 上述金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種， 上述金屬MC係Zn， 上述金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種， 上述金屬ME係Nb， 上述金屬MA、上述金屬MB及上述金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：上述金屬MA相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬MB相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係， 上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下。
第2發明係一種光記錄媒體用錄媒層，其包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物， 上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種， 上述金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種， 上述金屬MC係Zn， 上述金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種， 上述金屬ME係Nb， 上述金屬MA、上述金屬MB及上述金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：上述金屬MA相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬MB相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係， 上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下。 [發明之效果]
根據本發明，可保持良好之再生耐久性，並且提高反射率。再者，此處記載之效果未必受到限定，亦可為本發明中記載之任一效果或與其等性質不同之效果。
於本發明中，較佳為將複數個記錄層設置於基板上，並於該記錄層上設置覆蓋層。該覆蓋層之厚度並無特別限定，但高密度之光記錄媒體由於使用高NA(Numerical Aperture，數值孔徑)之物鏡，故而較佳為採用片材、塗佈層等較薄之透光層作為覆蓋層，並藉由自該透光層之側照射光而進行資訊信號之記錄及再生。於該情形時，作為基板，亦可採用具有不透明性者。用以記錄或再生資訊信號之光之入射面根據光記錄媒體之格式而適當設定成覆蓋層側及基板側之表面之至少一者。
於本發明中，根據提高保存可靠性之觀點，光記錄媒體較佳為於記錄層之至少一表面更具備介電層，更佳為於記錄層之兩表面具備介電層。根據層構成及製造設備之簡化之觀點，較佳為於記錄層之任一表面均不設置介電層而單獨使用記錄層。
於本發明中，於光記錄媒體具有具備記錄層、及設置於該記錄層之至少一面側之介電層之複數個資訊信號層之情形時，根據生產性之觀點，較佳為複數個資訊信號層均具有相同之層構成。於複數個資訊信號層具有具備第1介電層、記錄層、及第2介電層之相同層構成之情形時，根據生產性之觀點，較佳為第1介電層、記錄層及第2介電層分別於各資訊信號層中包含同一種材料。
按照以下順序對本發明之實施形態進行說明。 1 第1實施形態 1.1 概要 1.2 光記錄媒體之構成 1.3 光記錄媒體之製造方法 1.4 效果 2 第2實施形態 2.1 光記錄媒體之構成 2.2 光記錄媒體之製造方法 2.3 效果
[1.1 概要] 本發明者對包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、及金屬MD之氧化物之記錄層進行了研究。其中，金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種，金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種，金屬MC係Zn，金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種。
本發明者為了提高上述記錄層之反射率而進行了努力研究，結果發現，若增加金屬MA之含量，則可提高反射率，但導致記錄層之感度增高，再生耐久性(熱耐久性)降低。因此，本發明者等人對可保持良好之再生耐久性並且提高反射率之記錄層進行了努力研究。其結果發現如下構成，該構成使記錄層中更包含金屬ME(其中，金屬ME係Nb)之氧化物，將金屬MA、金屬MB及金屬ME之含量以滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：金屬MA相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：金屬MB相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係之方式進行調整，且將金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率設為5原子%以上且30原子%以下。以下，對具有此種構成之光記錄媒體進行說明。
[1.2 光記錄媒體之構成] 如圖1所示，本發明之第1實施形態之光記錄媒體1係所謂之多層可錄式光記錄媒體(例如AD(Archival Disc))，且具備第1碟片10、第2碟片20、及設置於第1、第2碟片10、20之間之貼合層30。光記錄媒體1係將資料記錄於凹軌及凸軌之兩者之方式(以下稱為「溝/槽記錄方式」)之光記錄媒體，且具有中央處設置有開口(以下稱為「中心孔」)之圓盤形狀。再者，光記錄媒體1之形狀並不限定於圓盤形狀，亦可為除此以外之形狀。
第1碟片10具有將資訊信號層L0、間隔層S1、資訊信號層L1、…、間隔層Sn、資訊信號層Ln、作為覆蓋層之透光層12依序積層於基板11之一主面而成之構成。第2碟片20具有將資訊信號層L0、間隔層S1、資訊信號層L1、…、間隔層Sm、資訊信號層Lm、作為覆蓋層之透光層22依序積層於基板21之一主面而成之構成。其中，n、m分別獨立地為2以上之整數。再者，於以下之說明中，於不特地進行區別之情形時，將資訊信號層L0～Ln、L0～Lm稱為資訊信號層L。
光記錄媒體1於兩面具有被用以記錄或再生資訊信號之雷射光照射之光照射面。更具體而言，光記錄媒體1具有第1碟片10之被用以進行資訊信號之記錄或再生之雷射光照射之第1光照射面C1、及第2碟片20之被用以進行資訊信號之記錄或再生之雷射光照射之第2光照射面C2。
於第1碟片10中，資訊信號層L0以第1光照射面C1為基準位於最深處，且資訊信號層L1～Ln位於其近前。因此，資訊信號層L1～Ln構成為可使用於記錄或再生之雷射光透過。另一方面，於第2碟片20中，資訊信號層L0以第2光照射面C2為基準位於最深處，且資訊信號層L1～Lm位於其近前。因此，資訊信號層L1～Lm構成為可使用於記錄或再生之雷射光透過。再者，雖未圖示，但光記錄媒體1亦可於透光層12、22之表面(即第1、第2光照射面C1、C2)更具備硬塗層。
於光記錄媒體1中，第1碟片10之資訊信號之記錄或再生係以如下方式進行。即，自透光層12側之第1光照射面C1對第1碟片10中包含之各資訊信號層L0～Ln照射雷射光，藉此進行第1碟片10之資訊信號之記錄或再生。例如，藉由具有0.84以上且0.86以下之範圍之數值孔徑之物鏡使具有350 nm以上且410 nm以下之範圍之波長之雷射光聚光，自透光層12之側照射至第1碟片10中包含之各資訊信號層L0～Ln，藉此進行資訊信號之記錄或再生。
另一方面，第2碟片20之資訊信號之記錄或再生係以如下方式進行。即，自透光層22側之第2光照射面C2對第2碟片20中包含之各資訊信號層L0～Lm照射雷射光，藉此進行第2碟片20之資訊信號之記錄或再生。例如，藉由具有0.84以上且0.86以下之範圍之數值孔徑之物鏡使具有350 nm以上且410 nm以下之範圍之波長之雷射光聚光，自透光層22之側照射至第2碟片20中包含之各資訊信號層L0～Lm，藉此進行資訊信號之記錄或再生。
以下，依序對構成光記錄媒體1之基板11、21、貼合層30、資訊信號層L0～Ln、L0～Lm、間隔層S1～Sn、S1～Sm及透光層12、22進行說明。
(基板) 基板11、21例如具有中央處設置有中心孔之圓盤形狀。該基板11、21之一主面例如成為凹凸面，於該凹凸面上成膜有資訊信號層L0。以下，將凹凸面中之凹部稱為地面Ld，將凸部稱為槽區Gv。
作為地面Ld及槽區Gv之形狀，例如可列舉螺旋狀、同心圓狀等各種形狀。又，為了線速度穩定化及位址資訊追加等，地面Ld及/或槽區Gv亦可抖動(蛇行)。
再者，第1碟片10與第2碟片20之螺旋方向亦可相反。於該情形時，由於可進行將第1碟片10與第2碟片20貼合而成之光記錄媒體(兩面碟片)1之同時記錄再生，故而可將記錄及再生時之資料傳送速度提高至約2倍。
基板11、21之外徑(直徑)例如選擇為120 mm。基板11、21之內徑(直徑)例如選擇為15 mm。基板11之厚度係考慮剛性而選擇，較佳為0.3 mm以上且0.545 mm以下，更佳為0.445 mm以上且0.545 mm以下。
作為基板11、21之材料，例如可使用塑膠材料或玻璃，根據成形性之觀點，較佳為使用塑膠材料。作為塑膠材料，例如可使用聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂或丙烯酸系樹脂等，根據成本之觀點，較佳為使用聚碳酸酯系樹脂。
(貼合層) 貼合層30係包含硬化之紫外線硬化樹脂。藉由該貼合層30而將第1碟片10與第2碟片20貼合。更具體而言，以透光層12、22分別成為表面側之方式，將第1碟片10之基板11與第2碟片基板之基板21貼合。
貼合層30之厚度例如為0.01 mm以上且0.22 mm以下。紫外線硬化樹脂例如為自由基聚合紫外線硬化樹脂。
(資訊信號層) 資訊信號層L具有凹狀之軌道(以下稱為「凸軌」)及凸狀之軌道(以下稱為「凹軌」)。本實施形態之光記錄媒體1構成為可將資訊信號記錄於凸軌及凹軌之兩者。根據高記錄密度之觀點，凸軌與凹軌之軌距Tp較佳為0.225 μm以下。
如圖2所示，資訊信號層L0～Ln具備：無機記錄層(以下簡稱為「記錄層」)41，其具有上表面(第1主面)及下表面(第2主面)；介電層42，其與記錄層41之上表面相鄰地設置；及介電層43，其與記錄層41之下表面相鄰地設置。藉由設為此種構成，可提高記錄層41之耐久性。此處，所謂上表面係指記錄層41之兩主面中被用以記錄或再生資訊信號之雷射光照射之側之主面，所謂下表面係指與上述被雷射光照射之側為相反側之主面、即基板11側之主面。再者，資訊信號層L0～Lm之構成可設為與資訊信號層L0～Ln相同，因此省略說明。
(記錄層) 資訊信號層L0中包含之記錄層41包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物。金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種。金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種。金屬MC係Zn。金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種。金屬ME係Nb。
金屬MA、金屬MB及金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71、較佳為0.43≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：金屬MA相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：金屬MB相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係。又，金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下、較佳為20原子%以上且30原子%以下之範圍內。
如上所述，金屬MA、金屬MB及金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71之關係，且金屬ME之原子比率處於5原子%以上且30原子%以下之範圍內，藉此可保持良好之再生耐久性，並且提高反射率。
金屬MA相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率例如為11原子%以上且22原子%以下。金屬MB相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率例如為7原子%以上且26原子%以下。金屬MC相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率例如為22原子%以上且25原子%以下。金屬MD相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率例如為22原子%以上且33原子%以下。
資訊信號層L0以外之資訊信號層L1～Ln之記錄層41包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、及金屬MD之氧化物。金屬MA、MB、MC及MD各自之原子比率係根據各資訊信號層L所要求之特性適當選擇。
記錄層41之厚度較佳為25 nm以上且60 nm以下、更佳為30 nm以上且50 nm以下之範圍內。若記錄層41之厚度為25 nm以上，則可獲得優異之信號特性。另一方面，若記錄層41之厚度為60 nm以下，則可確保較寬之記錄功率裕度。
於第1、第2碟片10、20之資訊信號層L之層數為3層之情形時，根據確保良好之記錄信號之觀點，資訊信號層L0之反射率較佳為3.0%以上且4.5%以下，更佳為3.5%以上且4.5%以下。又，根據確保重複再生耐久性之觀點，資訊信號層L0之最佳記錄功率之下限值較佳為23 mW以上，更佳為27 mW以上。根據已有之民生用光碟機中之記錄Pw之上限值之觀點，資訊信號層L0之最佳記錄功率之上限值較佳為38.0 mW以下。
(介電層) 介電層42、43具有作為氧阻隔層之功能。藉此，可提高記錄層41之耐久性。又，介電層42、43具有抑制記錄層41之氧逃逸之功能。藉此，可抑制記錄層41之膜質變化(主要以反射率之降低檢測出)，從而可確保作為記錄層41較佳之膜質。又，介電層42、43亦具有提高記錄特性之功能。認為該功能之表現之原因在於：入射至介電層42、43之雷射光之熱擴散被適度地控制，記錄部分中之形狀變化變得過大或Mn氧化物進行過度分解，已變化之形狀變形得到抑制，從而可使記錄時之形狀變化良好。
作為介電層42、43之材料，例如包含選自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物及氟化物所組成之群中之至少1種以上。作為介電層42、43之材料，可使用彼此相同或不同之材料。作為氧化物，例如可列舉選自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi及Mg所組成之群中之1種以上元素之氧化物。作為氮化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta及Zn所組成之群中之1種以上元素之氮化物，較佳為選自由Si、Ge及Ti所組成之群中之1種以上元素之氮化物。作為硫化物，例如可列舉Zn硫化物。作為碳化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta及W所組成之群中之1種以上元素之碳化物，較佳為選自由Si、Ti及W所組成之群中之1種以上元素之碳化物。作為氟化物，例如可列舉選自由Si、Al、Mg、Ca及La所組成之群中之1種以上元素之氟化物。作為該等之混合物之具體例，可列舉：ZnS-SiO2 、SiO2 -In2 O3 -ZrO2 (SIZ)、SiO2 -Cr2 O3 -ZrO2 (SCZ)、In2 O3 -SnO2 (ITO)、In2 O3 -CeO2 (ICO)、In2 O3 -Ga2 O3 (IGO)、In2 O3 -Ga2 O3 -ZnO(IGZO)、Sn2 O3 -Ta2 O5 (TTO)、TiO2 -SiO2 、Al2 O3 -ZnO、Al2 O3 -BaO等。
介電層43之厚度較佳為2 nm以上且30 nm以下之範圍內。若介電層43之厚度未達2 nm，則有阻隔效果變小之傾向。另一方面，若介電層43之厚度超過30 nm，則有記錄功率裕度減少(惡化)之傾向。
介電層42之厚度較佳為2 nm以上且50 nm以下之範圍內。若介電層42之厚度未達2 nm，則有阻隔效果變小之傾向。另一方面，若介電層42之厚度超過50 nm，則有記錄功率裕度減少(惡化)之傾向。
(間隔層) 間隔層S1～Sn、S1～Sm分別具有使資訊信號層L0～Ln、L0～Lm以物理性及光學性充分之距離隔開之作用，且於其表面設置有凹凸面。該凹凸面例如形成同心圓狀或螺旋狀之地面Ld及槽區Gv。間隔層S1～Sn、S1～Sm之厚度較佳為9 μm以上且50 μm以下。作為間隔層S1～Sn、S1～Sm之材料，並無特別限定，但較佳為使用紫外線硬化性丙烯酸系樹脂。又，由於間隔層S1～Sn、S1～Sm成為用於對裏層記錄及再生資料之雷射光之光路，故而較佳為具有充分高之光透過性。
(透光層) 透光層12、22例如係使紫外線硬化樹脂等感光性樹脂硬化而成之樹脂層。作為該樹脂層之材料，例如可列舉紫外線硬化型之丙烯酸系樹脂。又，亦可由具有圓環形狀之光透過性片材及用以將該光透過性片材貼合於資訊信號層Ln、Lm之接著層構成透光層12、22。光透過性片材較佳為包含對於用於記錄及再生之雷射光而言吸收能力較低之材料，具體而言，較佳為包含透過率90%以上之材料。作為光透過性片材之材料，例如可使用聚碳酸酯系樹脂或聚烯烴系樹脂(例如ZEONEX(註冊商標))等。作為接著層之材料，例如可使用紫外線硬化樹脂或感壓性黏著劑(PSA：Pressure Sensitive Adhesive)等。
透光層12、22之厚度較佳為自10 μm以上且177 μm以下之範圍內選擇，例如選擇為57 μm。藉由將此種較薄之透光層12、22與例如0.85左右之高NA(numerical aperture)化所得之物鏡組合，可實現高密度記錄。
(硬塗層) 硬塗層係用以對第1、第2光照射面C1、C2賦予耐擦傷性等。作為硬塗層之材料，例如可使用丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、氟系樹脂或有機無機混成系樹脂等。為了提高機械強度，硬塗層亦可包含矽膠之微粉末。
於具有上述構成之光記錄媒體1中，若對記錄層41照射雷射光，則Mn氧化物被雷射光加熱，分解後釋放氧，於被雷射光照射之部分產生氣泡。藉此，可進行資訊信號之不可逆之記錄。
[1.3 光記錄媒體之製造方法] 繼而，對本發明之第1實施形態之光記錄媒體1之製造方法之一例進行說明。
(第1碟片之製作步驟) 以如下方式製作第1碟片10。
(基板之成形步驟) 首先，於一主面成形形成有凹凸面之基板11。作為基板11之成形之方法，例如可使用射出成形(注射)法或光聚合法(2P法：Photo Polymerization)等。
(資訊信號層之成膜步驟) 繼而，例如藉由濺鍍法於基板11上依序積層介電層43、記錄層41、介電層42，藉此成膜資訊信號層L0。以下，對介電層43、記錄層41及介電層42之成膜步驟具體地進行說明。
(介電層之成膜步驟) 首先，將基板11搬送至具備包含介電材料作為主成分之靶之真空腔室內，將真空腔室內進行抽真空直至成為特定壓力。其後，一面向真空腔室內導入氬氣(Ar)或氧氣(O2 )等處理氣體，一面對靶進行濺鍍，於基板11上成膜介電層43。
(記錄層之成膜步驟) 繼而，將基板11搬送至具備記錄層成膜用之靶之真空腔室內，將真空腔室內進行抽真空直至成為特定壓力。其後，一面向真空腔室內導入氬氣(Ar)或氧氣(O2 )等處理氣體，一面對靶進行濺鍍，於介電層43上成膜記錄層41。
此處，作為記錄層成膜用之靶，較佳為具有與資訊信號層L0所包含之記錄層41相同之組成者。但是，亦可藉由與氧之反應性濺鍍成膜記錄層41。於該情形時，作為記錄層成膜用之靶，使用包含金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD、及金屬ME之合金靶。其中，金屬MA、金屬MB及金屬ME滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71、較佳為0.43≦a/(b＋e)≦0.71之關係，且金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下，較佳為20原子%以上且30原子%以下。
(介電層之成膜步驟) 繼而，將基板11搬送至具備包含介電材料作為主成分之靶之真空腔室內，將真空腔室內進行抽真空直至成為特定壓力。其後，一面向真空腔室內導入氬氣(Ar)或氧氣(O2 )等處理氣體，一面對靶進行濺鍍，於記錄層41上成膜介電層42。 藉由以上處理，於基板11上成膜資訊信號層L0。
(間隔層之形成步驟) 繼而，例如藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均一地塗佈於資訊信號層L0上。其後，將壓模之凹凸圖案壓抵於均一地塗佈於資訊信號層L0上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線使之硬化後，將壓模剝離。藉此，將壓模之凹凸圖案轉印至紫外線硬化樹脂，例如於資訊信號層L0上形成設置有地面Ld及槽區Gv之間隔層S1。
(資訊信號層之成膜步驟及間隔層之形成步驟) 繼而，以與上述“資訊信號層之成膜步驟”及“間隔層之形成步驟”相同之方式，依序將資訊信號層L1、間隔層S2、資訊信號層L3、…、間隔層Sn、資訊信號層Ln積層於間隔層S1上。
此處，作為記錄層成膜用之靶，較佳為具有與資訊信號層L1～Ln各自包含之記錄層41相同之組成者。但是，亦可藉由與氧之反應性濺鍍成膜記錄層41。於該情形時，作為記錄層成膜用之靶，使用包含金屬MA、金屬MB、金屬MC、及金屬MD之合金靶。
(透光層之形成步驟) 繼而，例如藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂(UV Resin)等感光性樹脂旋轉塗佈於資訊信號層Ln上之後，對感光性樹脂照射紫外線等光進行硬化。藉此，於資訊信號層Ln上形成透光層12。藉由以上處理，製作第1碟片10。
(第2碟片之製作步驟) “第2碟片之製作步驟”因與上述“第1碟片之製作步驟”相同，故省略說明。
(貼合步驟) 繼而，以如下方式，藉由例如旋轉塗佈法使作為接著劑之紫外線硬化樹脂延伸至以如上方式製作而成之第1、第2碟片10、20之間。首先，沿著中心孔之周緣將紫外線硬化樹脂環狀地塗佈於第2碟片20之兩主面中與第2光照射面C2為相反側之主面。繼而，以第1碟片10之兩主面中與第1光照射面C1為相反側之主面與第2碟片20之兩主面中與第2光照射面C2為相反側之主面對向之方式，隔著紫外線硬化樹脂將第1碟片10壓抵於第2碟片20。
繼而，使第1、第2碟片10、20旋轉，於第1、第2碟片10、20間，使紫外線硬化樹脂於第1、第2碟片10、20之半徑方向上延伸。此時，藉由旋轉速度以紫外線硬化樹脂之厚度成為特定厚度之方式進行調整。藉此，於第1、第2碟片10、20間，紫外線硬化樹脂自第1、第2碟片10、20之內周部遍佈外周部。藉由以上處理，獲得具有未硬化狀態之貼合層30之光記錄媒體1。
再者，於上述紫外線硬化樹脂之延伸步驟中，較佳為對第1、第2碟片10、20之外周部照射紫外線，使延伸至外周部之紫外線硬化樹脂暫時硬化。藉此，可抑制第1、第2碟片10、20之外周部中產生差異。
繼而，藉由紫外線燈自光記錄媒體1之兩面側照射紫外線，使貼合層30硬化。藉此，獲得作為目的之光記錄媒體1。
[1.4 效果] 上述第1實施形態之光記錄媒體1具備複數個資訊信號層L0～Ln。複數個資訊信號層L0～Ln中位於自第1、第2光照射面C1、C2起最靠裏側之資訊信號層L0具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物之記錄層41。金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種，金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種，金屬MC係Zn，金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種，金屬ME係Nb。又，金屬MA、金屬MB及金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71之關係，且金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下。藉此，可保持良好之再生耐久性，並且提高反射率。
＜2 第2實施形態＞ [2.1 光記錄媒體之構成] 如圖3所示，本發明之第2實施形態之光記錄媒體1A係所謂之多層可錄式光記錄媒體，且具有資訊信號層L0、間隔層S1、資訊信號層L1、…、間隔層Sn、資訊信號層Ln、作為覆蓋層之透光層12依序積層於基板11之一主面而成之構成。其中，n例如為2以上之整數，較佳為3以上或4以上之整數。再者，於第2實施形態中，對於與第1實施形態相同之部位標註相同之符號並省略說明。
光記錄媒體1A係於單面具有被用以記錄或再生資訊信號之光照射之光照射面C。資訊信號層L0以光照射面C為基準位於最深處，且資訊信號層L1～Ln位於其近前。因此，資訊信號層L1～Ln構成為可透過用於記錄或再生之雷射光。
於該第2實施形態之光記錄媒體1A中，自透光層12側之光照射面C對各資訊信號層L0～Ln照射雷射光，藉此進行資訊信號之記錄或再生。例如藉由具有0.84以上且0.86以下之範圍之數值孔徑之物鏡使具有400 nm以上且410 nm以下之範圍之波長之雷射光聚光，自透光層12之側照射至各資訊信號層L0～Ln，藉此進行資訊信號之記錄或再生。作為此種光記錄媒體1A，例如可列舉多層藍光碟片(BD：Blu-ray(註冊商標)Disc)。
光記錄媒體1A典型而言為槽區記錄方式之光記錄媒體，亦可為溝/槽記錄方式等之光記錄媒體。
基板11A之直徑(diameter)例如選擇為120 mm。基板11之厚度係考慮剛性而選擇，較佳為選擇為0.3 mm以上且1.3 mm以下、更佳為0.6 mm以上且1.3 mm以下、例如1.1 mm。又，中心孔之直徑(diameter)例如選擇為15 mm。基板11A之材料與上述第1實施形態中之基板11相同。
於資訊信號層L之層數為3層之情形時，根據確保良好之記錄信號之觀點，資訊信號層L0之反射率較佳為3.0%以上且4.5%以下，更佳為3.5%以上且4.5%以下。又，根據確保重複再生耐久性之觀點，資訊信號層L0之最佳記錄功率之下限值較佳為26 mW以上，更佳為30 mW以上。根據已有之民生用光碟機中之記錄Pw之上限值之觀點，資訊信號層L0之最佳記錄功率之上限值較佳為38.0 mW以下。
[2.2 光記錄媒體之製造方法] 本發明之第2實施形態之光記錄媒體1A之製造方法與上述第1實施形態中之“第1碟片之製作步驟”相同。
[2.3 效果] 上述第2實施形態之光記錄媒體1A係與第1實施形態之光記錄媒體1同樣地，可保持良好之再生耐久性，並且提高反射率。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
[實施例1～12、比較例3、4] 首先，藉由射出成形而成形厚度1.1 mm之聚碳酸酯基板。再者，將該聚碳酸酯基板之一主面設為包含地面及槽區之凹凸面。又，將地面-槽區間之軌距Tp設為0.225 μm。繼而，藉由濺鍍法於聚碳酸酯基板之凹凸面上依序積層第1介電層、記錄層、第2介電層而成膜L0層。
以下示出L0層之具體構成。 第2介電層(間隔層側) 材料：SIZ(Sulfisoxazole，磺胺異㗁唑) 厚度：10 nm 記錄層 材料：包含表1所示之金屬MA、MB、MC、MD及ME之氧化物(金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物及金屬ME之氧化物) 厚度：36 nm 第1介電層(基板側) 材料：SIZ 厚度：14 nm
繼而，藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均一地塗佈於L0層上，將壓模之凹凸圖案壓抵於塗佈於L0層上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線使之硬化後，將壓模剝離。藉此，形成具有包含地面及槽區之凹凸面之厚度25 μm之間隔層。再者，將地面-槽區間之軌距Tp設為0.225 μm。
繼而，藉由濺鍍法而於上述間隔層之凹凸面上依序積層第1介電層、記錄層、第2介電層，藉此成膜具有透過率81%之L1層。
繼而，藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均一地塗佈於L1層上，將壓模之凹凸圖案壓抵於塗佈於L1層上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線使之硬化後，將壓模剝離。藉此，形成具有包含地面及槽區之凹凸面之厚度18 μm之間隔層。再者，將地面-槽區間之軌距Tp設為0.225 μm。
繼而，藉由濺鍍法而於上述間隔層之凹凸面上依序積層第1介電層、記錄層、第2介電層，藉此成膜具有透過率85%之L2層。
繼而，藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均一地塗佈於L2層上，對其照射紫外線使之硬化，藉此形成具有厚度57 μm之透光層。藉由以上處理，獲得作為目的之溝/槽記錄方式之3層光記錄媒體。
[比較例1、2] 形成包含含有表1所示之金屬MA、MB、MC及MD之氧化物(金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物及金屬ME之氧化物)之L0層之記錄層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得光記錄媒體。
(反射率之評價) 首先，使用AD標準評價機於槽區之未記錄部測定以如上方式獲得之光記錄媒體之L0層之反射率R。繼而，根據以下之基準對測定所得之反射率進行評價。將其結果示於表1、2中。 反射率非常良好：反射率為3.5%以上且4.5%以下。 反射率良好：反射率為3.0%以上且未達3.5%。 反射率不良：反射率未達3.0%。 再者，於表1、2中，符號“◎”、“○”、“×”作為評價結果分別意指“反射率非常良好”、“反射率良好”、“反射率不良”。 又，如上所述，若反射率為3.5%以上且4.5%以下之範圍內，反射率非常良好，則可獲得非常良好之記錄信號。若反射率為3.0%以上且未達3.5%，反射率良好，則可獲得良好之記錄信號。若反射率未達3.0%，反射率不良，則難以獲得良好之記錄信號。
(再生耐久性之評價(1)) 首先，對於以如上方式獲得之光記錄媒體之L0層，使用AD標準評價機將信號記錄於10軌道之槽區後，將信號記錄於分別與該等槽區相鄰之10軌道之地面。繼而，將記錄於槽區之信號再生，求出i-MLSE(再生特性)，將i-MLSE成為最小值之記錄功率(最佳記錄功率)設為記錄感度。再者，記錄及再生係依據AD1標準進行。具體而言，將記錄速度設為4倍速，將再生速度設為4倍速，將記錄密度設為相當於300 GB。繼而，基於求出之記錄感度，根據以下之基準對再生耐久性進行評價。將其結果示於表1。 再生耐久性非常良好：記錄感度為27 mW以上。 再生耐久性良好：記錄感度為23 mW以上且未達27 mW。 再生耐久性不良：記錄感度未達23 mW。 此處，可藉由記錄感度評價再生耐久性之原因在於記錄感度(記錄功率)與再生耐久性(熱耐久性)之間存在相關關係，存在藉由使記錄層低感度化而再生耐久性提高之關係。 再者，於表1中，符號“◎”、“○”、“×”作為評價結果分別意指“再生耐久性非常良好”、“再生耐久性良好”、“再生耐久性不良”。
(再生耐久性之評價(2)) 首先，對於以如上述方式獲得之光記錄媒體之L0層，使用BD標準評價機將信號記錄於10軌道之槽區。繼而，將記錄於槽區之信號再生，求出i-MLSE(再生特性)，將i-MLSE成為最小值之記錄功率(最佳記錄功率)設為記錄感度。再者，記錄及再生係依據BDXL(High Capacity Recordable and Rewritable discs，高容量可記錄與可重寫碟片)標準進行。具體而言，將記錄速度設為4倍速，將再生速度設為4倍速，將記錄密度設為相當於32 GB。繼而，基於求出之記錄感度，根據以下之基準對再生耐久性進行評價。將其結果示於表2。 再生耐久性非常良好：記錄感度為30 mW以上。 再生耐久性良好：記錄感度為26 mW以上且未達30 mW。 再生耐久性不良：記錄感度未達26 mW。 再者，於表2中，符號“◎”、“○”、“×”作為評價結果分別意指“再生耐久性非常良好”、“再生耐久性良好”、“再生耐久性不良”。
於再生耐久性之評價(1)、(2)中，所謂“再生耐久性非常良好”具體而言意指於100萬次再生後最低特性亦幾乎未出現劣化。所謂“再生耐久性良好”具體而言意指於100萬次再生後亦可再生。所謂“再生耐久性不良”具體而言意指於100萬次再生後難以進行再生。
表1表示實施例1～12、比較例1～4之光記錄媒體之構成及評價結果。 [表1]
Figure 108104559-A0304-0001
表2表示實施例1～12、比較例1～4之光記錄媒體之構成及評價結果。 [表2]
Figure 108104559-A0304-0002
根據表1得知以下情形。 於AD1標準及BDXL標註之任一光記錄媒體中，若金屬MA、金屬MB及金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71之關係，且金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下，則可保持良好之再生耐久性，並且提高反射率。 又，根據高反射率及低感度化之觀點，於AD1標準及BDXL標準之任一光記錄媒體中，均較佳為將金屬ME相對於金屬MA、金屬MB、金屬MC、金屬MD及金屬ME之合計之原子比率設為20原子%以上且30原子%以下。
[變化例] 以上，對本發明之第1、第2實施形態具體地進行了說明，但本發明並不限定於上述第1、第2實施形態，可基於本發明之技術思想進行各種變化。
例如，上述第1、第2實施形態中列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等僅為例子，亦可視需要使用與此不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。
又，於第1、第2實施形態中，資訊信號層L0以外之資訊信號層L1～Ln之記錄層41可具有與資訊信號層L0之記錄層41相同之組成。
又，於第1、第2實施形態中，資訊信號層L1～Ln之記錄層41可為包含Mn氧化物之公知之記錄層，亦可為包含Pd氧化物之公知之記錄層。但，為了使光記錄媒體1、1A低成本化，記錄層41較佳為不包含作為貴金屬之Pd。
又，於上述第1、第2實施形態中，對資訊信號層L具備記錄層41、與記錄層41之上表面相鄰設置之介電層42、及與記錄層41之下表面相鄰設置之介電層43之構成進行了說明，但資訊信號層L之構成並不限定於此。例如，亦可僅於記錄層41之上表面及下表面之任一者設置介電層。又，亦可僅由記錄層41單層構成資訊信號層L。藉由設為此種簡單之構成，可使光記錄媒體1、1A低廉化且提高其生產性。越是資訊信號層L之層數多之媒體，該效果越顯著。
又，於上述第1、第2實施形態中，以藉由濺鍍法形成光記錄媒體1、1A之各層之情形為例進行了說明，但成膜方法並不限定於此，亦可使用其他成膜方法。作為其他成膜方法，例如不僅可使用熱CVD、電漿CVD、光CVD等CVD法(Chemical Vapor Deposition(化學蒸鍍法)：利用化學反應使薄膜自氣相析出之技術)，而且可使用真空蒸鍍、電漿援用蒸鍍、濺鍍、離子鍍敷等PVD法(Physical Vapor Deposition(物理蒸鍍法)：使真空中物理氣化而成之材料凝聚於基板上形成薄膜之技術)等。
又，於上述第1、第2實施形態中，對多層資訊信號層L均具有相同之層構成(3層構成)之情形進行了說明，但亦可根據對每一資訊信號層L要求之特性(例如光學特性或耐久性等)改變層構成。其中，根據生產性之觀點，較佳為將所有資訊信號層L設為相同之層構成。
又，可適用本發明之光記錄媒體並不限定於具有第1、第2實施形態中之構成者。例如，本發明亦可適用於具有基板上依序積層有複數層資訊信號層、保護層之構成，並藉由自基板側對複數層資訊信號層照射雷射光而進行資訊信號之記錄或再生之光記錄媒體(例如CD(Compact Disc，光碟))，或具有於2片基板之間設置有複數層資訊信號層之構成，並藉由自至少一基板之側對複數層資訊信號層照射雷射光而進行資訊信號之記錄或再生之光記錄媒體(例如DVD(Digital Versatile Disc，數位化多功能光碟))。
又，本發明亦可採用以下之構成。 (1) 一種光記錄媒體，其具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物之記錄層， 上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種， 上述金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種， 上述金屬MC係Zn， 上述金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種， 上述金屬ME係Nb， 上述金屬MA、上述金屬MB及上述金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：上述金屬MA相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬MB相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係， 上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下。 (2) 如(1)之光記錄媒體，其中上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率為20原子%以上且30原子%以下。 (3) 如(1)或(2)之光記錄媒體，其中上述金屬MA、上述金屬MB及上述金屬ME之含量為0.43≦a/(b＋e)≦0.71。 (4) 如(1)至(3)中任一項之光記錄媒體，其中上述金屬MA相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率例如為11原子%以上且22原子%以下， 上述金屬MB相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率例如為7原子%以上且26原子%以下， 上述金屬MC相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率例如為22原子%以上且25原子%以下， 上述金屬MD相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率例如為22原子%以上且33原子%以下。 (5) 如(1)至(4)中任一項之光記錄媒體，其中上述記錄層位於自光照射面起最靠裏側。 (6) 如(1)至(5)中任一項之光記錄媒體，其更具備： 第1介電層，其設置於上述記錄層之第1面側；及 第2介電層，其設置於上述記錄層之第2面側。 (7) 如(1)至(6)中任一項之光記錄媒體，其具備： 第1碟片、及 第2碟片， 上述第1碟片及上述第2碟片具備： 基板，其具有第1面與第2面； 2層以上之資訊信號層，其等設置於上述第1面側；及 覆蓋層，其覆蓋2層以上之上述資訊信號層； 上述第1碟片所具備之上述基板之上述第2面與上述第2碟片所具備之上述基板之上述第2面貼合， 2層以上之上述資訊信號層中位於自光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層具備上述記錄層。 (8) 如(7)之光記錄媒體，其中設置於上述第1面側之上述資訊信號層之層數為3層， 位於自上述光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層之反射率為3.0%以上且4.5%以下， 位於自上述光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層之最佳記錄功率為23 mW以上。 (9) 如(8)之光記錄媒體，其中位於自上述光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層之反射率為3.5%以上且4.5%以下， 位於自上述光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層之最佳記錄功率為27 mW以上。 (10) 一種光記錄媒體用錄媒層，其包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物， 上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種， 上述金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種， 上述金屬MC係Zn， 上述金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種， 上述金屬ME係Nb， 上述金屬MA、上述金屬MB及上述金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：上述金屬MA相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬MB相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係， 上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下。
1、1A‧‧‧光記錄媒體 10‧‧‧第1碟片 20‧‧‧第2碟片 30‧‧‧貼合層 11、11A、21‧‧‧基板 12、22‧‧‧透光層 41‧‧‧記錄層 42、43‧‧‧介電層 C‧‧‧光照射面 C1‧‧‧第1光照射面 C2‧‧‧第2光照射面 Gv‧‧‧槽區 L0～Ln、L0～Lm‧‧‧資訊信號層 Ld‧‧‧地面 S1～Sn、S1～Sm‧‧‧間隔層 Tp‧‧‧間距
圖1係表示本發明之第1實施形態之光記錄媒體之一構成例的剖視圖。 圖2係表示圖1所示之各資訊信號層之一構成例之概略剖視圖。 圖3係表示本發明之第2實施形態之光記錄媒體之一構成例的剖視圖。
1‧‧‧光記錄媒體
10‧‧‧第1碟片
11‧‧‧基板
12‧‧‧透光層
20‧‧‧第2碟片
21‧‧‧基板
22‧‧‧透光層
30‧‧‧貼合層
C1‧‧‧第1光照射面
C2‧‧‧第2光照射面
Gv‧‧‧槽區
L0‧‧‧資訊信號層
L1‧‧‧資訊信號層
Ld‧‧‧地面
Lm‧‧‧資訊信號層
Ln‧‧‧資訊信號層
S1‧‧‧間隔層
Sm‧‧‧間隔層
Sn‧‧‧間隔層
Tp‧‧‧間距

Claims (10)

  1. 一種光記錄媒體，其具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物之記錄層， 上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種， 上述金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種， 上述金屬MC係Zn， 上述金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種， 上述金屬ME係Nb， 上述金屬MA、上述金屬MB及上述金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：上述金屬MA相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬MB相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係， 上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下。
  2. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率為20原子%以上且30原子%以下。
  3. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述金屬MA、上述金屬MB及上述金屬ME之含量為0.43≦a/(b＋e)≦0.71。
  4. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述金屬MA相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率例如為11原子%以上且22原子%以下， 上述金屬MB相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率例如為7原子%以上且26原子%以下， 上述金屬MC相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率例如為22原子%以上且25原子%以下， 上述金屬MD相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率例如為22原子%以上且33原子%以下。
  5. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述記錄層位於自光照射面起最靠裏側。
  6. 如請求項1之光記錄媒體，其更具備： 第1介電層，其設置於上述記錄層之第1面側；及 第2介電層，其設置於上述記錄層之第2面側。
  7. 如請求項1之光記錄媒體，其具備： 第1碟片；及 第2碟片； 上述第1碟片及上述第2碟片具備： 基板，其具有第1面與第2面； 2層以上之資訊信號層，其等設置於上述第1面側；及 覆蓋層，其覆蓋2層以上之上述資訊信號層； 上述第1碟片所具備之上述基板之上述第2面與上述第2碟片所具備之上述基板之上述第2面貼合， 2層以上之上述資訊信號層中位於自光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層具備上述記錄層。
  8. 如請求項7之光記錄媒體，其中設置於上述第1面側之上述資訊信號層之層數為3層， 位於自上述光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層之反射率為3.0%以上且4.5%以下， 位於自上述光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層之最佳記錄功率為23 mW以上。
  9. 如請求項8之光記錄媒體，其中位於自上述光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層之反射率為3.5%以上且4.5%以下， 位於自上述光照射面起最靠裏側之上述資訊信號層之最佳記錄功率為27 mW以上。
  10. 一種光記錄媒體用錄媒層，其包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、金屬MD之氧化物、及金屬ME之氧化物， 上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種， 上述金屬MB係選自由W、Mo、Zr及Ta所組成之群中之至少1種， 上述金屬MC係Zn， 上述金屬MD係選自由Cu及Ag所組成之群中之至少1種， 上述金屬ME係Nb， 上述金屬MA、上述金屬MB及上述金屬ME之含量滿足0.30≦a/(b＋e)≦0.71(其中，a：上述金屬MA相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬MB相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%]，e：上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率[原子%])之關係， 上述金屬ME相對於上述金屬MA、上述金屬MB、上述金屬MC、上述金屬MD及上述金屬ME之合計之原子比率為5原子%以上且30原子%以下。
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