TW201807255A - 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層 - Google Patents

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Abstract

本發明之光記錄媒體具備：2層以上之記錄層；及光照射面，其被照射用以將資訊信號記錄於2層以上之記錄層之光。2層以上之記錄層中除自光照射面起最深側以外之至少1層包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物。金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種。金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：金屬A相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：金屬B相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：金屬C相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。

Description

光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層
本技術係關於一種光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層。詳細而言，係關於具有2層以上之記錄層之光記錄媒體。
迄今為止，CD(Compact Disc，光碟)或DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)、BD(Blu-ray Disc，藍光光碟(註冊商標))等引領光記錄媒體之市場。然而，近年來，隨著影像之4K化或影像之檔案庫化、以冷資料保存之資料之急遽之增加，而要求光記錄媒體之更大容量化。為了滿足該要求，AD(Archival Disc，存檔光碟)等與雙面記錄層對應之大容量之光記錄媒體登場，新的大容量之光記錄媒體之市場正在形成。 作為能夠記錄之光記錄媒體，有以CD-RW(Compact Disc-ReWritable，可重寫光碟)、DVD±RW(Digital Versatile Disc±ReWritable，可重寫數位多功能光碟)為代表之可重寫型之光記錄媒體、與以CD-R(Compact Disc-Recordable，可錄寫光碟)或DVD-R(Digital Versatile Disc-Recordable，可錄寫數位多功能光碟)為代表之可錄寫式之光記錄媒體，尤其，後者作為低價媒體對市場之擴大貢獻較大。因此，即便於與藍色雷射對應之大容量之光記錄媒體中，為了使市場擴大，亦考慮可錄寫式光記錄媒體必需低價格化。進而，光記錄媒體與硬碟驅動器(HDD)或快閃記憶體等相比，自其記錄播放原理而言一般認為保存可靠性較高，開始使用於重要資訊之保管等作為存檔媒體之需要近年變高。 作為於可錄寫式光記錄媒體使用之記錄材料，有無機材料及有機色素材料。於先前之可錄寫式光記錄媒體中，作為記錄材料主要研究有機色素材料，但於近年來之大容量之光記錄媒體中，作為記錄材料亦廣泛研究無機材料(例如參照專利文獻1～3)。 且說，近年來，於能夠記錄之DVD或BD等高密度之光記錄媒體中，為了使記錄容量進而增大，廣泛採用將記錄層多層化之技術。於多層之光記錄媒體中，對自資訊讀取面側起位於最深處之記錄層之資訊信號的記錄及播放，係使用透過位於其近前側之記錄層之雷射光進行。因此，記錄層之層數越增加，雷射光到達至位於最深處之記錄層為止必須透過之記錄層之層數越多，於除自資訊讀取面側起位於最深處之記錄層以外之記錄層中，期望具有較高之透過率。進而，為了使記錄容量增大，亦採用有將多層膜設置於媒體之兩表面之構成。藉由兩表面化而容量進而增大至2倍左右。 即便於可錄寫式光記錄媒體中，使記錄層多層化而使記錄容量進而增大之要求亦提高，為了滿足該要求，提高無機記錄層之透過率成為重要技術之一。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利第5662874號公報 [專利文獻2] 日本專利第5346915號公報 [專利文獻3] 日本專利5799742號公報
[發明所欲解決之問題] 本技術之目的在於提供一種具有優異之透過特性之光記錄媒體用記錄層、具備其之光記錄媒體及其製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述問題，第1技術係一種光記錄媒體，其具備：2層以上之記錄層；及光照射面，其被照射用以將資訊信號記錄於2層以上之記錄層之光；2層以上之記錄層中除自光照射面起最深側以外之至少1層包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物，金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：金屬A相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：金屬B相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：金屬C相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。 第2技術係一種光記錄媒體，其具備：2層以上之記錄層；及光照射面，其被照射用以將資訊信號記錄於2層以上之記錄層之光；2層以上之記錄層中除自光照射面起最深側以外之至少1層包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物，金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，金屬D為Zn及Mg中之至少1種，金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：金屬A相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：金屬B相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：金屬C相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：金屬D相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。 第3技術係一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物，金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：金屬A相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：金屬B相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：金屬C相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。 第4技術係一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物，金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，金屬D為Zn及Mg中之至少1種，金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：金屬A相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：金屬B相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：金屬C相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：金屬D相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。 第5技術係一種光記錄媒體之製造方法，其具備藉由至少與氧之反應性濺鍍而形成2層以上之記錄層之步驟，2層以上之記錄層中除自被照射用以將資訊信號記錄於該等2層以上之記錄層之光之光照射面起最深側以外的至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物，金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：金屬A相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：金屬B相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：金屬C相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。 第6技術係一種光記錄媒體之製造方法，其具備藉由至少與氧之反應性濺鍍而形成2層以上之記錄層之步驟，2層以上之記錄層中除自被照射用以將資訊信號記錄於該等2層以上之記錄層之光之光照射面起最深側以外之至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物，金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，金屬D為Zn及Mg中之至少1種，金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：金屬A相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：金屬B相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：金屬C相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：金屬D相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。 [發明之效果] 如以上所說明般，根據本技術，可實現具有優異之透過特性之光記錄媒體用記錄層。
於本技術中，較佳為，複數個記錄層設置於基板上，於該等記錄層上設置有覆蓋層。該覆蓋層之厚度並不特別限定，於高密度之光記錄媒體中，由於使用高NA(numerical aperture，數值孔徑)之物鏡，故而較佳為採用片材、塗層等較薄之光透過層作為覆蓋層，藉由自該光透過層之側照射光而進行資訊信號之記錄及播放。於該情形時，作為基板，亦可採用具有不透明性者。用以記錄或播放資訊信號之光之入射面係根據光記錄媒體之格式而適當設定於覆蓋層側及基板側之表面之至少一者。 於本技術中，若自提高保存可靠性之觀點而言，則較佳為光記錄媒體係於記錄層之至少一方之表面進而具備介電層，更佳為於記錄層之兩方之表面具備介電層。若自層構成或製造設備之簡化之觀點而言，則較佳為不於記錄層之任一表面設置介電層，而單獨使用記錄層。 於本技術中，於光記錄媒體具有複數個資訊信號層之情形時，若自生產性之觀點而言，則較佳為複數個資訊信號層均具有相同之層構成，其中該等資訊信號層具備記錄層、及設置於該記錄層之至少一面側之介電層。於複數個資訊信號層具有具備第1介電層、記錄層、及第2介電層之相同層構成之情形時，若自生產性之觀點而言，則較佳為第1介電層、記錄層及第2介電層分別係於各資訊信號層包含同一種材料者。 對本技術之實施形態按照以下之順序進行說明。 1第1實施形態 1.1光記錄媒體之構成 1.2光記錄媒體之製造方法 1.3效果 2第2實施形態 2.1光記錄媒體之構成 2.2光記錄媒體之製造方法 2.3效果 ＜1第1實施形態＞ [1.1光記錄媒體之構成] 如圖1所示，本技術之第1實施形態之光記錄媒體1係所謂多層之可錄寫式光記錄媒體，具備第1碟片10、第2碟片20、及設置於第1、第2碟片10、20之間之貼合層30。光記錄媒體1係於溝槽軌道及岸台軌道之兩者記錄資料之方式(以下稱為「岸台/溝槽記錄方式」)之光記錄媒體，且具有於中央設置有開口(以下稱為「中心孔」)之圓盤形狀。再者，光記錄媒體1之形狀並不限定於圓盤形狀，亦可為除此以外之形狀。 第1碟片10具有資訊信號層L0、間隔層S1、資訊信號層L1、・・・、間隔層Sn、資訊信號層Ln、作為覆蓋層之光透過層12依序積層於基板11之一主面之構成。第2碟片20具有資訊信號層L0、間隔層S1、資訊信號層L1、・・・、間隔層Sm、資訊信號層Lm、作為覆蓋層之光透過層22依序積層於基板21之一主面之構成。其中，n、m分別獨立為2以上之整數。再者，於以下之說明中，於不將資訊信號層L0～Ln、L0～Lm特別加以區別之情形時，稱為資訊信號層L。 光記錄媒體1係於兩表面具有被照射用以記錄或播放資訊信號之光之光照射面。更具體而言，具有：第1光照射面C1，其被照射用以進行第1碟片10之資訊信號之記錄或播放之雷射光；及第2光照射面C2，其被照射用以進行第2碟片20之資訊信號之記錄或播放之雷射光。 於第1碟片10中，資訊信號層L0以第1光照射面C1為基準位於最深處，資訊信號層L1～Ln位於其近前。因此，資訊信號層L1～Ln以能夠透過用於記錄或播放之雷射光之方式構成。另一方面，於第2碟片20中，資訊信號層L0以第2光照射面C2為基準位於最深處，資訊信號層L1～Lm位於其近前。因此，資訊信號層L1～Lm以能夠透過用於記錄或播放之雷射光之方式構成。再者，雖未圖示，光記錄媒體1亦可於光透過層12、22之表面(第1、第2光照射面C1、C2)進而具備硬塗層。 於光記錄媒體1中，第1碟片10之資訊信號之記錄或播放係以如下方式進行。即，藉由將雷射光自光透過層12側之第1光照射面C1照射至第1碟片10中所包含之各資訊信號層L0～Ln，而進行第1碟片10之資訊信號之記錄或播放。例如將具有350 nm以上且410 nm以下之範圍之波長之雷射光藉由具有0.84以上且0.86以下的範圍之數值孔徑之物鏡而聚光，且自光透過層12之側照射至第1碟片10中所包含之各資訊信號層L0～Ln，藉此進行資訊信號之記錄或播放。 另一方面，第2碟片20之資訊信號之記錄或播放係以如下方式進行。即，藉由將雷射光自光透過層22側之第2光照射面C2照射至第2碟片20中所包含之各資訊信號層L0～Lm，而進行第2碟片20之資訊信號之記錄或播放。例如將具有350 nm以上且410 nm以下之範圍之波長之雷射光藉由具有0.84以上且0.86以下的範圍之數值孔徑之物鏡而聚光，且自光透過層22之側照射至第2碟片20中所包含之各資訊信號層L0～Lm，藉此進行資訊信號之記錄或播放。又，第1碟片10與第2碟片20之螺旋方向亦可相反。於該情形時，由於將第1碟片10與第2碟片20貼合而成之光記錄媒體(雙面碟片)1可同時記錄播放，故而可將記錄或播放時之資料傳輸速度提高至約2倍。 以下，對構成光記錄媒體1之基板11、21、貼合層30、資訊信號層L0～Ln、L0～Lm、間隔層S1～Sn、S1～Sm及光透過層12、22依次進行說明。 (基板) 基板11、21例如具有於中央設置有中心孔之圓盤形狀。該基板11、21之一主面例如成為凹凸面，於該凹凸面上成膜有資訊信號層L0。以下，將凹凸面中之凹部稱為岸台Ld，將凸部稱為溝槽Gv。 作為岸台Ld及溝槽Gv之形狀，例如可列舉螺旋狀、同心圓狀等各種形狀。又，為了線速度之穩定化或位址資訊附加等，岸台Ld及/或溝槽Gv亦可抖動(蜿蜒)。 基板11、21之外徑(直徑)選擇為例如120 mm。基板11、21之內徑(直徑)選擇為例如15 mm。基板11之厚度若考慮剛性來選擇，則較佳為0.3 mm以上且0.545 mm以下，更佳為0.445 mm以上且0.545 mm以下。 作為基板11、21之材料，例如可使用塑膠材料或玻璃，自成形性之觀點而言，較佳為使用塑膠材料。作為塑膠材料，例如可使用聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂等。又，自成本之觀點而言較多使用聚碳酸酯系樹脂。 (貼合層) 貼合層30係藉由硬化之紫外線硬化樹脂而構成。藉由該貼合層30而將第1碟片10與第2碟片20貼合。更具體而言，以光透過層12、22分別成為表面側之方式，將第1碟片10之基板11與第2碟片基板之基板21貼合。 貼合層30之厚度例如為0.01 mm以上且0.22 mm以下。紫外線硬化樹脂例如為自由基聚合紫外線硬化樹脂。 (資訊信號層) 資訊信號層L具有凹狀之軌道(以下稱為「岸台軌道」)及凸狀之軌道(以下稱為「溝槽軌道」)。本實施形態之光記錄媒體1係以能夠於岸台軌道及溝槽軌道之兩者記錄資訊信號之方式構成。若自高記錄密度之觀點而言，岸台軌道與溝槽軌道之間距Tp較佳為0.225 nm以下。 如圖2所示，資訊信號層L0～Ln具備：無機記錄層41，其具有上表面(第1主面)及下表面(第2主面)；介電層42，其與無機記錄層41之上表面相鄰而設置；及介電層43，其與無機記錄層41之下表面相鄰而設置。藉由此種構成，可提高無機記錄層41之耐久性。此處，所謂上表面係指無機記錄層41之兩主面中被照射用以記錄或播放資訊信號之雷射光之側之主面，所謂下表面係指與被照射上述雷射光之側為相反側之主面，即基板11側之主面。再者，資訊信號層L0～Lm之構成由於可與資訊信號層L0～Ln相同，故而省略說明。 (記錄層) 除自第1光照射面C1成為最深側之資訊信號層L0以外之資訊信號層L1～Ln中的至少1層之無機記錄層41，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物作為主成分。金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種。金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物中分別包含之金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1，較佳為0.46≦x1≦1.70之關係。藉此，可滿足作為光記錄媒體1之資訊信號層L所要求之特性，並且可實現優異之透過特性。此處，至於作為光記錄媒體1之資訊信號層L所要求之特性，可列舉良好之信號特性、高記錄功率餘裕及高播放耐久性等。 其中，x1係藉由x1＝a/(b＋0.8c)而定義之變數。 a：金屬A相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%] b：金屬B相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%] c：金屬C相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]) 若自增加到達至自第1光照射面C1起成為最深側之資訊信號層L0之光量之觀點而言，則較佳為除資訊信號層L0以外之資訊信號層L1～Ln所具有之無機記錄層41均包含上述3元系氧化物作為主成分，且滿足上述關係(0.46≦x1)。又，一般而言，由於越為接近最深處之資訊信號層L0之資訊信號層L則越需要較高之記錄感度，因此透過率容易變低，故而多以越為接近第1光照射面C1之資訊信號層L則成為越高透過率之方式設計。因此，較佳為資訊信號層L1～Ln之無機記錄層41之變數x1之值成為越為接近第1光照射面C1之資訊信號層L則越大之值。 又，若自良好之信號特性、高記錄功率餘裕及高播放耐久性之觀點而言，則較佳為資訊信號層L0～Ln所具有之無機記錄層41均包含上述3元系氧化物作為主成分，且滿足上述關係(0.46≦x1)。又，較佳為，資訊信號層L0～Ln之無機記錄層41之變數x1之值成為越為接近第1光照射面C1之資訊信號層L則越大之值。其原因在於，越為接近第1光照射面C1之資訊信號層L越可提高透過率。 A金屬相對於A金屬、金屬B及金屬C之合計之原子比率a較佳為10原子%以上且70原子%以下，更佳為33原子%以上且68原子%以下之範圍內。若原子比率a未達10原子%，則存在成為低透過率之傾向。另一方面，若原子比率a超過70原子%，則存在成為記錄感度降低之傾向。 金屬B相對於A金屬、金屬B及金屬C之合計之原子比率b較佳為2原子%以上且40原子%以下，更佳為5原子%以上且30原子%以下之範圍內。若原子比率b未達2原子%，則存在記錄功率餘裕變窄之傾向。另一方面，若原子比率b超過40原子%，則存在成為低透過率之傾向。 金屬C相對於A金屬、金屬B及金屬C之合計之原子比率c較佳為5原子%以上且50原子%以下，更佳為27原子%以上且37原子%以下之範圍內。若原子比率c未達5原子%，則存在播放耐久性變弱之傾向。另一方面，若原子比率c超過50原子%，則存在成為低透過率之傾向。 作為資訊信號層L1～Ln中之除上述3元系氧化物以外之無機記錄層41之材料，例如亦可使用In氧化物與Pd氧化物之混合物、或W氧化物與Pd氧化物之混合物。但是，為了光記錄媒體1之低成本化，較佳為使用不包含作為貴金屬之Pd之上述3元系氧化物作為無機記錄層41之材料。 作為自第1光照射面C1起成為最深側之資訊信號層L0之無機記錄層41之材料，亦可使用In氧化物與Pd氧化物、或W氧化物與Pd氧化物之混合物。但是，若自低成本化之觀點而言，則作為無機記錄層41之材料，較佳為使用上述3元系氧化物。 無機記錄層41之厚度較佳為25 nm以上且60 nm以下，更佳為30 nm以上且50 nm以下之範圍內。若未達25 nm，則存在信號特性惡化之傾向。另一方面，若超過60 nm，則存在記錄功率餘裕變窄之傾向。 (介電層) 藉由介電層42、43作為氧阻隔層發揮功能，可提高無機記錄層41之耐久性。又，藉由抑制無機記錄層41之氧逃散，可抑制無機記錄層41之膜質之變化(主要檢測出反射率降低)，從而可確保作為無機記錄層41所需要之膜質。進而，藉由設置介電層42、43而可提高記錄特性。認為其原因在於，可最佳地控制入射至介電層42、43之雷射光之熱擴散，而抑制記錄部分中之氣泡變得過大、或Mn氧化物之分解過分進展而破壞氣泡之情況，從而可使記錄時之氣泡之形狀最佳化。 較佳為，介電層43之光學膜厚(光路長)n×T(其中，n：介電層43之折射率，T：介電層43之物理膜厚)滿足n×T≧32 nm之關係。其原因在於，可抑制於作為凹部之岸台Ld或作為凸部之溝槽Gv記錄(岸台/溝槽記錄)資訊信號時之追蹤偏移。 作為介電層42、43之材料，例如包含選自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物及氟化物所組成之群之至少1種以上。作為介電層42、43之材料，可使用互為相同或不同之材料。作為氧化物，例如可列舉選自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi及Mg所組成之群之1種以上之元素之氧化物。作為氮化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta及Zn所組成之群之1種以上之元素之氮化物，較佳為選自由Si、Ge及Ti所組成之群之1種以上之元素之氮化物。作為硫化物，例如可列舉Zn硫化物。作為碳化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta及W所組成之群之1種以上之元素之碳化物，較佳為選自由Si、Ti及W所組成之群之1種以上之元素之碳化物。作為氟化物，例如可列舉選自由Si、Al、Mg、Ca及La所組成之群之1種以上之元素之氟化物。作為該等之混合物，例如可列舉ZnS-SiO2 、SiO2 -In2 O3 -ZrO2 (SIZ)、SiO2 -Cr2 O3 -ZrO2 (SCZ)、In2 O3 -SnO2 (ITO)、In2 O3 -CeO2 (ICO)、In2 O3 -Ga2 O3 (IGO)、In2 O3 -Ga2 O3 -ZnO(IGZO)、Sn2 O3 -Ta2 O5 (TTO)、TiO2 -SiO2 、Al2 O3 -ZnO、Al2 O3 -BaO等。 介電層43之厚度較佳為2 nm以上且30 nm以下之範圍內。若未達2 nm，則存在阻隔效果變小之傾向。另一方面，若超過30 nm，則存在記錄功率餘裕減少(惡化)之傾向。 介電層42之厚度較佳為2 nm以上且50 nm以下之範圍內。若未達2 nm，則存在阻隔效果變小之傾向。另一方面，若超過50 nm，則存在記錄功率餘裕減少(惡化)之傾向。 於第1、第2碟片10、20之資訊信號層L之層數為3層之情形時，較佳為作為資訊信號層L0～L2，將具有以下構成者組合使用。要求高感度、x1成為較小之值之接近最深層之資訊信號層L1之無機記錄層41由於Mn或Cu容易變多，故而記錄後透過率變動容易變大。因此，較佳為使用消光係數為0.05以上者作為介電層42、43，抑制透過率變動。又，要求高透過率、x1成為較大之值之資訊信號層L2之無機記錄層41雖然記錄後透過率變化較小但功率餘裕容易變窄，故而較佳為使用包含SIZ或IGZO者作為介電層42、43，確保功率餘裕。 (資訊信號層L0) 介電層42：SIZ 無機記錄層41：WCOM(0.3≦x1≦0.5) 介電層43：ITO (資訊信號層L1) 介電層42：SIZ 無機記錄層41：WCOM(0.6≦x1≦1.0) 介電層43：SIZ (資訊信號層L2) 介電層42：SIZ 無機記錄層41：WCOM(0.9≦x1≦1.4) 介電層43：SIZ 再者，於本說明書中，所謂“WCMO”係指包括W氧化物、Mn氧化物及Cu氧化物之3種成分之混合物。 (間隔層) 間隔層S1～Sn、S1～Sm分別發揮使資訊信號層L0～Ln、L0～Lm物理性及光學性地以充分之距離分開之作用，且於其表面設置有凹凸面。該凹凸面例如形成同心圓狀或螺旋狀之岸台Ld及溝槽Gv。作為間隔層S1～Sn、S1～Sm之厚度較佳為設定為9 μm～50 μm。作為間隔層S1～Sn、S1～Sm之材料並不特別限定，但較佳為使用紫外線硬化性丙烯酸樹脂。又，由於間隔層S1～Sn、S1～Sm成為用於向深層記錄資料及播放深層資料之雷射光之光路，故而較佳為具有充分高之光透過性。 (光透過層) 光透過層12、22例如為將紫外線硬化樹脂等感光性樹脂硬化而成之樹脂層。作為該樹脂層之材料，例如可列舉紫外線硬化型之丙烯酸系樹脂。又，亦可由具有圓環形狀之光透過性片材與用以將該光透過性片材貼合於資訊信號層Ln、Lm之接著層構成光透過層12、22。光透過性片材較佳為包括對於用於記錄及播放之雷射光而吸收能力較低之材料，具體而言，較佳為包括透過率90百分比以上之材料。作為光透過性片材之材料，例如可使用聚碳酸酯樹脂材料、聚烯烴系樹脂(例如ZEONEX(註冊商標))等。作為接著層之材料，例如可使用紫外線硬化樹脂、感壓性黏著劑(PSA：Pressure Sensitive Adhesive)等。 光透過層12、22之厚度較佳為自10 μm以上且177 μm以下之範圍內選擇，例如選擇為57 μm。藉由將此種較薄之光透過層12、22與例如0.85左右之高NA(numerical aperture)化之物鏡組合，可實現高密度記錄。 (硬塗層) 硬塗層係用以對第1、第2光照射面C1、C2賦予耐擦傷性等者。作為硬塗層之材料，例如可使用丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂、氟系樹脂、有機無機混合系樹脂等。硬塗層為了提高機械性強度，亦可包含矽膠之微粉末。 於具有上述構成之光記錄媒體1中，若對無機記錄層41照射雷射光，則Mn氧化物藉由雷射光而加熱，分解釋放氧，於被照射有雷射光之部分產生氣泡。藉此，可進行資訊信號之不可逆性之記錄。 [1.2光記錄媒體之製造方法] 其次，對本技術之第1實施形態之光記錄媒體之製造方法之一例進行說明。 (第1碟片之製作步驟) 以如下方式製作第1碟片10。 (基板之成形步驟) 首先，成形在一主面形成有凹凸面之基板11。作為基板11之成形之方法，例如可使用射出成形(injection)法、光聚合物法(2P法：Photo Polymerization)等。 (資訊信號層之形成步驟) 其次，藉由例如濺鍍法而於基板11上依次積層介電層43、無機記錄層41、介電層42，藉此形成資訊信號層L0。以下，對介電層43、無機記錄層41及介電層42之形成步驟具體地進行說明。 (介電層之成膜步驟) 首先，將基板11搬送至具備包含介電材料作為主成分之靶之真空腔室內，將真空腔室內抽真空直至成為特定之壓力為止。然後，一面對真空腔室內導入Ar氣體或O2 氣體等製程氣體，一面對靶進行濺鍍，而於基板11上成膜介電層43。作為濺鍍法，可使用例如高頻(RF)濺鍍法、直流(DC)濺鍍法，但特佳為直流濺鍍法。其原因在於，直流濺鍍法與高頻濺鍍法相比成膜速率較高，故而可提高生產性。 (無機記錄層之成膜步驟) 其次，將基板11搬送至具備無機記錄層成膜用之靶之真空腔室內，將真空腔室內進行抽真空直至成為特定之壓力為止。然後，一面對真空腔室內導入Ar氣體或O2 氣體等製程氣體，一面對靶進行濺鍍，而於介電層43上成膜無機記錄層41。 此處，無機記錄層成膜用之靶例如包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物之3元系氧化物作為主成分。該3元系氧化物中所包含之金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1，較佳為0.46≦x1≦1.70之關係。再者，x1若上所述，係藉由x1＝a/(b＋0.8c)而定義之變數。 作為無機記錄層成膜用之靶之3元系氧化物，較佳為具有與無機記錄層41相同之組成者。 又，亦可藉由至少與氧之反應性濺鍍而形成無機記錄層41。於該情形時，作為光記錄媒體用靶，包含金屬A、金屬B及金屬C作為主成分，金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1，較佳為0.46≦x1≦1.70之關係。再者，x1如上所述，係藉由x1＝a/(b＋0.8c)而定義之變數。 (介電層之成膜步驟) 其次，將基板11搬送至具備包含介電材料作為主成分之靶之真空腔室內，將真空腔室內抽真空直至成為特定之壓力為止。然後，一面對真空腔室內導入Ar氣體或O2 氣體等製程氣體，一面對靶進行濺鍍，而於無機記錄層41上成膜介電層42。作為濺鍍法，可使用例如高頻(RF)濺鍍法、直流(DC，direct current)濺鍍法，但特佳為直流濺鍍法。其原因在於，直流濺鍍法與高頻濺鍍法相比成膜速率較高，故而可提高生產性。 藉由以上步驟於基板11上形成資訊信號層L0。 (間隔層之形成步驟) 其次，藉由例如旋轉塗佈法而將紫外線硬化樹脂均勻地塗佈於資訊信號層L0上。然後，將壓模之凹凸圖案壓抵於均勻地塗佈於資訊信號層L0上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線而使之硬化之後，將壓模剝離。藉此，將壓模之凹凸圖案轉印至紫外線硬化樹脂，而於資訊信號層L0上形成設置有例如岸台Ld及溝槽Gv之間隔層S1。 (資訊信號層及間隔層之形成步驟) 其次，與上述資訊信號層L0及間隔層S1之形成步驟相同地，將資訊信號層L1、間隔層S2、資訊信號層L3、・・・、間隔層Sn、資訊信號層Ln依序積層於間隔層S1上。此時，亦可藉由適當調整成膜條件或靶組成等，而適當調整構成資訊信號層L1～Ln之介電層43、無機記錄層41及介電層42之膜厚或組成等。又，亦可藉由適當調整旋轉塗佈法之條件，而適當調整間隔層S2～Sn之厚度。 (光透過層之形成步驟) 其次，藉由例如旋轉塗佈法，而將紫外線硬化樹脂(UV樹脂)等感光性樹脂旋轉塗佈於資訊信號層Ln上之後，將紫外線等光照射至感光性樹脂進行硬化。藉此，於資訊信號層Ln上形成光透過層12。藉由以上步驟製作第1碟片10。 (第2碟片之製作步驟) 第2碟片之製作步驟由於與上述第1碟片之製作步驟相同，故而省略說明。 (貼合步驟) 其次，以如下方式，藉由旋轉塗佈法使作為接著劑之紫外線硬化樹脂於以上述方式製作出之第1、第2碟片10、20之間延伸。首先，於第2碟片20之兩主面中與第2光照射面C2為相反側之主面，沿著中心孔之周緣環狀地塗佈紫外線硬化樹脂。其次，以使第1碟片10之兩主面中與第1光照射面C1為相反側之主面與第2碟片20之兩主面中與第2光照射面C2為相反側之主面對向之方式，將第1碟片10經由紫外線硬化樹脂而壓抵於第2碟片20。 其次，使第1、第2碟片10、20旋轉，於第1、第2碟片10、20間，使紫外線硬化樹脂於第1、第2碟片10、20之半徑方向延伸。此時，藉由旋轉速度而以紫外線硬化樹脂之厚度成為特定之厚度之方式進行調整。藉此，於第1、第2碟片10、20間，紫外線硬化樹脂自第1、第2碟片10、20之內周部遍及至外周部為止。藉由以上步驟而獲得未硬化之光記錄媒體。 再者，於上述紫外線硬化樹脂之延伸步驟中，較佳為對第1、第2碟片10、20之外周部照射紫外線，使延伸至外周部為止之紫外線硬化樹脂臨時硬化。藉此，可抑制於第1、第2碟片10、20之外周部產生空隙。 其次，如以下所示，進行以上述方式製作出之未硬化之光記錄媒體之貼合。即，藉由紫外線燈自未硬化之光記錄媒體之兩表面側照射紫外線而使紫外線硬化樹脂硬化。藉此，獲得目標之光記錄媒體1。 [1.3效果] 上述第1實施形態之光記錄媒體具備2層以上之無機記錄層41，2層以上之無機記錄層41中除自第1、第2光照射面C1、C2起最深側以外之至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物作為主成分。金屬A為W、Mo、Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag、Ni中之至少1種。金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物中分別包含之金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1之關係。藉此，可廉價地實現具有優異之透過特性且良好之記錄特性之無機記錄層41及具備其之光記錄媒體1。 ＜2第2實施形態＞ [2.1光記錄媒體之構成] 第2實施形態之光記錄媒體1係於如下方面與第1實施形態之光記錄媒體1不同，即，除自第1、第2光照射面C1、C2起成為最深側之資訊信號層L0以外之資訊信號層L1～Ln、L1～Lm中的至少1層之無機記錄層41，包含對第1實施形態之3元系氧化物進而添加金屬D之氧化物之4元系氧化物作為主成分。資訊信號層L0～Lm之構成由於可與資訊信號層L0～Ln之構成相同，故而以下僅對資訊信號層L0～Ln之構成進行說明。 金屬D為Zn及Mg中之至少1種。金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物中分別包含之金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之比例滿足0.46≦x2，較佳為0.46≦x2≦1.70之關係。 其中，x2係藉由x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)而定義之變數。 a：金屬A相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%] b：金屬B相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%] c：金屬C相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%] d：金屬D相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率[原子%] 於金屬A為W、且金屬D為Zn之情形時，藉由減少W之原子比率a可抑制老化前後之最佳記錄功率差，故而達成相對於記錄之長壽命性。又，於金屬A為W、且金屬D為Zn之情形時，為了降低信號雜訊，較佳為無機記錄層41中之Zn之原子比率d為無機記錄層41中之W之原子比率a以上。 若自增加到達至自第1光照射面C1起成為最深側之資訊信號層L0之光量之觀點而言，則較佳為除資訊信號層L0以外之資訊信號層L1～Ln所具有之無機記錄層41均包含上述4元系氧化物作為主成分，且滿足上述關係(0.46≦x2)。又，較佳為，資訊信號層L1～Ln之無機記錄層41之變數x2之值成為越為接近第1光照射面C1之資訊信號層L則越大之值。其原因在於，越為接近第1光照射面C1之資訊信號層L則越可提高透過率。 又，若自良好之信號特性、高記錄功率餘裕、高播放耐久性及高壽命性等觀點而言，則較佳為資訊信號層L0～Ln所具有之無機記錄層41均包含上述4元系氧化物作為主成分，且滿足上述關係。又，一般而言，由於越為接近最深層之資訊信號層L則需要越高之記錄感度，因此透過率容易變低，故而多以越為接近第1光照射面C1之資訊信號層L則成為越高透過率之方式設計。因此，較佳為資訊信號層L1～Ln之無機記錄層41之變數x2之值成為越為接近第1光照射面C1的資訊信號層L則越大之值。 金屬A相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率a較佳為20原子%以上且40原子%以下，更佳為20原子%以上且36原子%以下之範圍內。若原子比率a未達20原子%，則存在成為低透過率之傾向。另一方面，若原子比率a超過40原子%，則存在導致記錄感度之降低或老化前後之最佳記錄功率差之增大之傾向。 金屬B相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率b較佳為5原子%以上且30原子%以下，更佳為8原子%以上且26原子%以下之範圍內。若原子比率b未達5原子%，則存在記錄功率餘裕變窄之傾向。另一方面，若原子比率b超過30原子%，則存在成為低透過率之傾向。 金屬C相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率c較佳為5原子%以上且40原子%以下，更佳為5原子%以上且40原子%以下之範圍內。若原子比率c未達5原子%，則存在由成膜速率降低所致之生產性降低、或播放耐久性變弱之傾向。另一方面，若原子比率c超過40原子%，則存在成為低透過率之傾向。 金屬D相對於金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之合計之原子比率d較佳為20原子%以上且70原子%以下，更佳為22原子%以上且61原子%以下之範圍內。若原子比率d未達20原子%，則於金屬A包含W之情形時存在SER(Symbol Error Rate，符元錯誤率)惡化之傾向。另一方面，若原子比率d超過70原子%，則存在高溫高濕環境下之耐久性變弱之傾向。 作為資訊信號層L1～Ln中之除上述4元系氧化物以外之無機記錄層41之材料，例如亦可使用In氧化物與Pd氧化物之混合物、或W氧化物與Pd氧化物之混合物。但是，為了光記錄媒體1之低成本化，較佳為使用不包含作為貴金屬之Pd之上述4元系氧化物作為無機記錄層41之材料。 作為自第1光照射面C1起成為最深側之資訊信號層L0之無機記錄層41之材料，亦可使用In氧化物與Pd氧化物、或W氧化物與Pd氧化物之混合物。但是，若自低成本化之觀點而言，較佳為作為無機記錄層41之材料，使用上述4元系氧化物。 於第1、第2碟片10、20之資訊信號層L之層數為3層之情形時，較佳為作為資訊信號層L0～L2，將具有以下之構成者組合使用。要求高感度、x2成為較小之值之接近最深層之資訊信號層L1之無機記錄層41由於Mn或Cu容易變多，故而記錄後透過率變動容易變大。因此，較佳為使用消光係數為0.05以上者作為介電層42、43，抑制透過率變動。又，要求高透過率、x2成為較大之值之資訊信號層L2之無機記錄層41雖然記錄後透過率變化較小但功率餘裕容易變窄，故而較佳為使用包含SIZ或IGZO者作為介電層42、43，確保功率餘裕。 於金屬A為W、金屬D為Zn之情形時，較佳為無機記錄層41中之Zn之原子比率為無機記錄層41中之W之原子比率以上。可降低SER。 (資訊信號層L0) 介電層42：SIZ 無機記錄層41：WZCMO(0.3≦x2≦0.5) 介電層43：ITO (資訊信號層L1) 介電層42：SIZ 無機記錄層41：WZCMO(0.6≦x2≦1.0) 介電層43：SIZ (資訊信號層L2) 介電層42：SIZ 無機記錄層41：WZCMO(0.9≦x2≦1.4) 介電層43：SIZ 於本說明書中，所謂“WZCMO”係指包括W氧化物、Zn氧化物、Cu氧化物及Mn氧化物之4種成分之混合物。 [2.2光記錄媒體之製造方法] 本技術之第2實施形態之光記錄媒體之製造方法係於除無機記錄層之成膜步驟以外之方面，與第1實施形態之光記錄媒體之製造方法相同，故而以下僅對無機記錄層之成膜步驟進行說明。 (無機記錄層之成膜步驟) 將基板11搬送至具備無機記錄層成膜用之靶之真空腔室內，將真空腔室內抽真空直至成為特定之壓力為止。然後，一面對真空腔室內導入Ar氣體或O2 氣體等製程氣體，一面對靶進行濺鍍而於介電層43上成膜無機記錄層41。 此處，無機記錄層成膜用之靶係包含對第1實施形態之3元系氧化物進而添加金屬D之氧化物之4元系氧化物作為主成分。該4元系氧化物中所包含之金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之比例滿足0.46≦x2，較佳為0.46≦x2≦1.70之關係。再者，x2如上所述，係藉由x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)而定義之變數。 作為無機記錄層成膜用之靶之4元系氧化物，較佳為具有與無機記錄層41相同之組成者。 又，亦可藉由至少與氧之反應性濺鍍而形成無機記錄層41。於該情形時，作為光記錄媒體用靶，包含金屬A、金屬B、金屬C及金屬D作為主成分，金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之比例滿足0.46≦x2，較佳為0.46≦x2≦1.70之關係。再者，x2如上所述，係藉由x2＝a/(b＋0.8c)而定義之變數。 [2.3效果] 上述第2實施形態之光記錄媒體1具備2層以上之無機記錄層41，2層以上之無機記錄層41中除自第1、第2光照射面C1、C2起最深側以外之至少1層，包含對第1實施形態之3元系氧化物進而添加金屬D之氧化物之4元系氧化物作為主成分。又，金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物中分別包含之金屬A、金屬B、金屬C及金屬D之比例滿足0.46≦x2之關係。藉此，可滿足作為光記錄媒體1之資訊信號層L而要求之特性，且一面維持優異之透過特性，一面使除金屬D之氧化物以外之金屬氧化物之總量變低。 [實施例] 以下，藉由實施例而對本技術具體地進行說明，但本技術並不僅限定於該實施例。 以下，將多層之光記錄媒體之資訊信號層自基板側朝向雷射光照射面側依次稱為“L0層”、“L1層”。 關於實施例按照以下之順序進行說明。 i無機記錄層之組成 ii介電層之光學膜厚 iii無機記錄層中所包含之Zn及W之比例 ＜i無機記錄層之組成＞ [實施例1～7，比較例1] 首先，藉由射出成形而成形厚度1.1 mm之聚碳酸酯基板。再者，於該聚碳酸酯基板上形成具有岸台及溝槽之凹凸面。又，將岸台-溝槽間之軌道間距Tp設為0.225 nm。其次，藉由濺鍍法而於聚碳酸酯基板之凹凸面上依次積層第1介電層、無機記錄層、第2介電層，藉此製作出L0層。此處，將L0層設為2層之光記錄媒體用之L0層。 以下，表示具體性之L0層之構成。 第2介電層(間隔層側) 材料：SIZ，厚度：10 nm 無機記錄層 材料：WZCMO，厚度：30 nm 組成比：a＝21，b＝26，c＝22，d＝25 第1介電層(基板側) 材料：ITO，厚度：10 nm 其次，藉由旋轉塗佈法，而將紫外線硬化樹脂(Dexerials股份公司製造，商品名：SK5500B)均勻地塗佈於L0層上，將壓模之凹凸圖案壓抵於塗佈於L0層上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線而使之硬化之後，將壓模剝離，藉此形成具有凹凸面之厚度25 μm之間隔層，該凹凸面具有岸台及溝槽。再者，將岸台-溝槽間之軌道間距Tp設為0.225 nm。 其次，藉由於上述間隔層之凹凸面上依次積層第1介電層、無機記錄層、第2介電層而製作出L1層。 具體性之各層之構成如以下。 第2介電層(光透過層側) 材料：SIZ，厚度：10 nm 無機記錄層 材料：表1所示之3元系之金屬氧化物(金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物)，厚度：30 nm 原子比率(組成比)：表2所示之原子比率a、b、c 第1介電層(間隔層側) 材料：SIZ，厚度：10 nm 其次，藉由旋轉塗佈法而將紫外線硬化樹脂(Dexerials股份公司製造，商品名：SK8300)均勻塗佈於第2介電層上，對其照射紫外線而使之硬化，藉此形成具有厚度75 μm之光透過層。藉由以上步驟獲得目標之岸台/溝槽記錄方式之2層之光記錄媒體。 [實施例8～23，比較例2～4] 除了將L1層之無機記錄層之材料及組成比以如下方式變更以外與實施例1相同地獲得2層之光記錄媒體。 無機記錄層 材料：表1所示之4元系之金屬氧化物(金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物)，厚度：30 nm 原子比率(組成比)：表2所示之原子比率a、b、c、d (評估) 對以上述方式獲得之光記錄媒體進行以下之評估。 (透過率測定) 首先，以如下方式製作出透過率算出用之樣品。首先，與實施例1相同地，於聚碳酸酯基板之凹凸面上形成L0層(2層之光記錄媒體用之L0層)。其次，藉由旋轉塗佈法而將紫外線硬化樹脂(Dexerials股份公司製造，商品名：SK8300)均勻塗佈於第2介電層上，對其照射紫外線而使之硬化，形成具有厚度100 μm之光透過層。藉由以上步驟獲得作為透過率算出用之樣品之單層之光記錄媒體。 其次，使用碟片測試機(Pulstec Industrial,Co.,Ltd製造，商品名：ODU-1000)以NA＝0.85、記錄波長405 nm測定以上述方式獲得之單層之光記錄媒體之反射率。其結果，可知反射率為11%。 其次，使用碟片測試機(Pulstec Industrial,Co.,Ltd製造，商品名：ODU-1000)以NA＝0.85、記錄波長405 nm測定以上述方式獲得之2層之光記錄媒體之L0層之反射率R。 其次，根據下述式(1)藉由計算而求出L1層之透過率T。 R＝11%(L0層單獨之反射率)×T2 ・・・(1) (記錄感度測定方法) 對2層之光記錄媒體之L1層，使用碟片測試機(Pulstec Industrial,Co.,Ltd製造，商品名：ODU-1000)，以記錄波長405 nm、記錄線速14.00 m/s(4倍速相當)將每1層50 GB密度之1-7調變資料記錄於岸台及溝槽，通過串擾消除器進行資料播放，求出SER，將SER成為最小值之記錄功率設為記錄感度。記錄感度較佳為25 mW以下。其原因在於，若記錄感度超過25 mW，則於以記錄線速35.0 m/s(10倍速相當)記錄資訊信號之情形時，需要60 mW以上之記錄功率，利用目前之半導體雷射難以記錄。 (綜合判定) 基於上述透過率及記錄感度之評估結果，利用以下之基準對光記錄媒體之特性進行綜合判定。將其判定結果於表2中以記號○、△、×記述。 ○：透過率為55%以上，且記錄感度為25 mW以下。 △：透過率為55%以上，且記錄感度超過25 mW。 ×：透過率未達55%。 再者，若L1層之透過率未達55%，則存在L0層之反射率降低而難以於民生用之驅動裝置中播放，或錯誤校正困難之虞。此處，“L0層之反射率”並非單層之狀態之L0層之反射率，係指設為2層之光記錄媒體之狀態之L0層之反射率(即自光照射面觀察之L0層之反射率)。 (結果) 表1、表2表示實施例1～23、比較例1～4之光記錄媒體之構成及評估結果。 [表1] ◎＜IMG SRC="366138W000t001.gif"＞ [表2] ◎＜IMG SRC="366138W000t002.gif"＞ 圖3係表示實施例1～23、比較例1～4之光記錄媒體之變數x與透過率之關係。根據表1、表2、圖3可知以下之情況。顯示隨著x之增加，而L1層之透過率上升之傾向。若變數x為0.46以上，則可使透過率為55%以上。又，若變數x為1.70以下，則可提高記錄感度。 ＜ii介電層之光學膜厚＞ [實施例24～27] 除了將L1層之第1介電層之厚度如表3所示般變更以外，與實施例1相同地獲得2層之光記錄媒體。 [實施例28～31] 除了如表3所示使用ITO作為第1介電層之材料以外，與實施例24～27相同地獲得2層之光記錄媒體。 (追蹤偏移測定方法) 對以上述方式獲得之2層之光記錄媒體之L1層，使用碟片測試機(Pulstec Industrial,Co.,Ltd製造，商品名：ODU-1000)，測定推挽(push-pull)信號振幅PPb。其次，以記錄波長405 nm、記錄線速14.00 m/s(4倍速相當)將每1層50 GB密度之1-7調變資料僅記錄於岸台、溝槽、或記錄於岸台與溝槽之兩者，測定記錄信號上之推挽信號振幅PPa。 其次，藉由下述(2)式，計算未記錄狀態與記錄狀態之推挽振幅差(追蹤偏移)。 追蹤偏移＝(PPb－PPa)/(PPb＋PPa)・・・(2) 追蹤偏移較佳為20%以下。若追蹤偏移超過20%，則於記錄部與未記錄部之交界之追蹤穩定性變差，難以自記錄部與未記錄部之交界進行記錄。 其次，基於追蹤偏移之測定結果，利用以下之基準對光記錄媒體之特性進行判定。將其判定結果於表3中以記號○、△記述。 ○：追蹤偏移為20%以下。 △：追蹤偏移超過20%。 (結果) 圖3A、圖3B表示記錄前後之實施例24之光記錄媒體之各種信號之測定結果。圖4A、圖4B表示記錄前後之實施例26之光記錄媒體之各種信號之測定結果。根據該等測定結果可知，滿足n×T≧32 nm之關係之實施例26之光記錄媒體與不滿足n×T≧32 nm之關係之實施例24之光記錄媒體相比，可使記錄前後之推挽信號之差變小。 表3係表示實施例24～31之光記錄媒體之構成及評估結果。 [表3] ◎＜IMG SRC="366138W000t003.gif"＞ 根據表3可知，若滿足n×T≧32 nm之關係，則可使追蹤偏移為20%以下。 ＜iii無機記錄層中所包含之Zn及W之比例＞ [比較例5、6] 如表4、表5所示，除了將無機記錄層之原子比率a、b、c變更以外，與比較例4相同地獲得2層之光記錄媒體。 (SER評估方法) 對以上述方式獲得之2層之光記錄媒體之L1層，使用碟片測試機(Pulstec Industrial,Co.,Ltd製造，商品名：ODU-1000)，以記錄波長405 nm、記錄線速14.0 m/s(4倍速相當)將每1層50 GB密度之1-7調變資料記錄於岸台及溝槽，通過串擾消除器進行資料播放，求出SER。再者，SER值2×10-4 為藉由民生用之驅動裝置能夠校正錯誤之上限值。 其次，基於SER之評估結果，利用以下之基準對光記錄媒體之特性進行判定。將其判定結果於表5中以記號○、△記述。 ○：SER為SER值2×10-4 以下。 △：SER超過SER值2×10-4 。 (結果) 表4、表5係表示實施例9～12、14、19、比較例3～6之光記錄媒體之構成及評估結果。 [表4] ◎＜IMG SRC="366138W000t004.gif"＞ [表5] ◎＜IMG SRC="366138W000t005.gif"＞ 再者，於表5之SER之評估結果中，表述“aE-b”係指a×10-b 。 圖6A係表示實施例9～12、14、19、比較例3～6之光記錄媒體之SER之測定結果。圖6B係表示未記錄狀態之比較例4之光記錄媒體之各種信號之測定結果。根據表4、表5、圖6A，於金屬A之氧化物為W氧化物、金屬D之氧化物為Zn氧化物之情形時，藉由無機記錄層中之Zn之原子比率為無機記錄層中之W之原子比率以上，可使良好之SER為2×10-4 以下。 以上，對本技術之實施形態具體地進行了說明，但本技術並不限定於上述實施形態，能夠進行基於本技術之技術性思想之各種變化。 例如於上述實施形態中所列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只不過為例，亦可根據需要使用與其不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。 又，於上述實施形態中，對資訊信號層具備記錄層、與記錄層之上表面相鄰而設置之介電層、與記錄層之下表面相鄰而設置之介電層的構成進行了說明，但資訊信號層之構成並不限定於此。例如亦可僅於記錄層之上表面及下表面之任一者設置介電層。又，亦可僅由記錄層單層構成資訊信號層。藉由設為此種單純之構成，可使光記錄媒體低廉化，且提高其生產性。該效果係越是資訊信號層之層數較多之媒體越明顯。 又，於上述實施形態中，將對具有第1、第2碟片經由貼合層而貼合之構成，且藉由自第1、第2碟片之光透過層側對複數層之資訊信號層照射雷射光而進行資訊信號之記錄或播放之光記錄媒體應用本技術之情形作為例進行了說明，但本技術並不限定於該例。例如亦能夠對如下光記錄媒體應用本技術，即，具有於基板上依序積層有複數層之資訊信號層、光透過層之構成，且藉由自該光透過層側對複數層之資訊信號層照射雷射光而進行資訊信號之記錄或播放之光記錄媒體(例如BD)；具有於基板上依序積層有複數層之資訊信號層、保護層之構成，且藉由自基板側對複數層之資訊信號層照射雷射光而進行資訊信號之記錄或播放之光記錄媒體(例如CD)；或者，具有於2片基板之間設置有複數層之資訊信號層之構成，且藉由自至少一個基板之側對複數層之資訊信號層照射雷射光而進行資訊信號之記錄或播放之光記錄媒體(例如DVD)。 又，於上述實施形態中，將藉由濺鍍法而形成光記錄媒體之各層之情形作為例進行了說明，但成膜方法並不限定於此，亦可使用其他成膜方法。作為其他成膜方法，例如除了熱CVD、電漿CVD、光CVD等CVD法(Chemical Vapor Deposition(化學蒸鍍法)：利用化學反應自氣相析出薄膜之技術)以外，可使用真空蒸鍍、電漿引用蒸鍍、濺鍍、離子鍍覆等PVD法(Physical Vapor Deposition(物理蒸鍍法)：於真空中使物理性地氣化之材料凝聚於基板上而形成薄膜之技術)等。 又，於上述實施形態中，對多層之資訊信號層全部具有相同之層構成之情形進行了說明，但亦可根據每一資訊信號層所要求之特性(例如光學特性或耐久性等)而改變層構成。但是，若自生產性之觀點而言，則較佳為使所有資訊信號層為相同之層構成。 又，於上述第1實施形態中，亦可為2層以上之記錄層中至少2層包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物，且滿足0.46≦x1之關係。由於多以越為接近第1、第2光照射面之資訊信號層則成為越高透過率之方式設計，故而於採用上述構成之情形時，較佳為x1之值滿足越為接近第1、第2光照射面之記錄層則越大之關係。 又，於上述第2實施形態中，亦可為2層以上之記錄層中至少2層包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物，且滿足0.46≦x2之關係。由於多以越為接近第1、第2光照射面之資訊信號層則成為越高透過率之方式設計，故而於採用上述構成之情形時，較佳為x2之值滿足越為接近第1、第2光照射面之記錄層則越大之關係。 又，本技術亦可採用以下之構成。 (1) 一種光記錄媒體，其具備： 2層以上之記錄層；及 光照射面，其被照射用以將資訊信號記錄於上述2層以上之記錄層之光； 上述2層以上之記錄層中除自上述光照射面起最深側以外之至少1層包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。 (2) 一種光記錄媒體，其具備： 2層以上之記錄層；及 光照射面，其被照射用以將資訊信號記錄於上述2層以上之記錄層之光； 上述2層以上之記錄層中除自上述光照射面起最深側以外之至少1層包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，上述金屬D為Zn及Mg中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：上述金屬D相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。 (3) 如(1)或(2)之光記錄媒體，其中上述記錄層具有凹狀及凸狀之軌道，且 以能夠將資訊信號記錄於上述凹狀及凸狀之軌道之兩者之方式構成。 (4) 如(3)之光記錄媒體，其中上述凹狀之軌道與上述凸狀之軌道之間距為0.225 nm以下。 (5) 如(3)或(4)之光記錄媒體，其進而具備介電層，該介電層設置於上述記錄層之兩表面中與被照射用以記錄或播放資訊信號之光之側為相反側之面側， 上述介電層之折射率n及厚度T滿足n×T≧32 nm之關係。 (6) 如(2)之光記錄媒體，其中上述金屬A為W，上述金屬D為Zn， 上述記錄層中之Zn之原子比率為上述記錄層中之W之原子比率以上。 (7) 如(1)之光記錄媒體，其中上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C滿足0.46≦x1≦1.70之關係。 (8) 如(1)之光記錄媒體，其中上述2層以上之記錄層中除自上述光照射面起最深側以外之所有記錄層，包含上述金屬A之氧化物、上述金屬B之氧化物及上述金屬C之氧化物，且滿足0.46≦x1之關係。 (9) 如(8)之光記錄媒體，其中x1之值係越為接近上述光照射面之記錄層則越大。 (10) 如(1)之光記錄媒體，其中上述2層以上之記錄層中至少2層包含上述金屬A之氧化物、上述金屬B之氧化物及上述金屬C之氧化物，且滿足0.46≦x1之關係， x1之值滿足越為接近上述光照射面之記錄層則越大之關係。 (11) 如(1)、(7)至(10)中任一項之光記錄媒體，其中上述原子比率a、上述原子比率b及上述原子比率c分別滿足10≦a≦70、2≦b≦40、5≦c≦50之關係。 (12) 如(2)之光記錄媒體，其中上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之比例滿足0.46≦x2≦1.70之關係。 (13) 如(2)之光記錄媒體，其中上述2層以上之記錄層中除自上述光照射面起最深側以外之所有記錄層，包含上述金屬A之氧化物、上述金屬B之氧化物、上述金屬C之氧化物及上述金屬D之氧化物，且滿足0.46≦x2之關係。 (14) 如(13)之光記錄媒體，其中x2之值係越為接近上述光照射面之記錄層則越大。 (15) 如(2)之光記錄媒體，其中上述2層以上之記錄層中至少2層包含上述金屬A之氧化物、上述金屬B之氧化物、上述金屬C之氧化物及上述金屬D之氧化物，且滿足0.46≦x2之關係， x2之值滿足越為接近上述光照射面之記錄層則越大之關係。 (16) 如(2)、(12)至(15)中任一項之光記錄媒體，其中上述原子比率a、上述原子比率b、上述原子比率c及上述原子比率d分別滿足20≦a≦40、5≦b≦30、5≦c≦40、20≦d≦70之關係。 (17) 如(1)至(16)中任一項之光記錄媒體，其進而具備： 第1介電層，其設置於上述記錄層之一面側； 第2介電層，其設置於上述記錄層之另一面側。 (18) 一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。 (19) 一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物， 金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，上述金屬D為Zn及Mg中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：上述金屬D相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。 (20) 一種光記錄媒體之製造方法，其具備藉由至少與氧之反應性濺鍍而形成2層以上之記錄層之步驟， 上述2層以上之記錄層中除自被照射用以將資訊信號記錄於該等2層以上之記錄層之光之光照射面起最深側以外之至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。 (21) 一種光記錄媒體之製造方法，其具備藉由至少與氧之反應性濺鍍而形成2層以上之記錄層之步驟， 上述2層以上之記錄層中除自被照射用以將資訊信號記錄於該等2層以上之記錄層之光之光照射面起最深側以外之至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，上述金屬D為Zn及Mg中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：上述金屬D相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。
1‧‧‧光記錄媒體
10‧‧‧第1碟片
11、21‧‧‧基板
12、22‧‧‧光透過層
20‧‧‧第2碟片
30‧‧‧貼合層
41‧‧‧記錄層
42、43‧‧‧介電層
C1‧‧‧第1光照射面
C2‧‧‧第2光照射面
Gv‧‧‧溝槽
Ld‧‧‧岸台
L0～Ln、L0～Lm‧‧‧資訊信號層
S1～Sn、S1～Sm‧‧‧間隔層
Tp‧‧‧間距
圖1係表示本技術之第1實施形態之光記錄媒體之一構成例之概略剖視圖。 圖2係表示圖1所示之各資訊信號層之一構成例之模式圖。 圖3係表示實施例1～23、比較例1～4之光記錄媒體中之變數x與透過率之關係之圖表。 圖4A係表示未記錄狀態中之實施例24之光記錄媒體之各種信號之測定結果的圖。圖4B係表示記錄狀態中之實施例24之光記錄媒體之各種信號之測定結果的圖。 圖5A係表示未記錄狀態中之實施例26之光記錄媒體之各種信號之測定結果的圖。圖5B係表示記錄狀態中之實施例26之光記錄媒體之各種信號之測定結果的圖。 圖6A係表示實施例9～12、14、19、比較例3～6之光記錄媒體之SER之測定結果之圖表。圖6B係表示未記錄狀態中之比較例4之光記錄媒體之各種信號之測定結果的圖。
1‧‧‧光記錄媒體
10‧‧‧第1碟片
11、21‧‧‧基板
12、22‧‧‧光透過層
20‧‧‧第2碟片
30‧‧‧貼合層
C1‧‧‧第1光照射面
C2‧‧‧第2光照射面
Gv‧‧‧溝槽
Ld‧‧‧岸台
L0~Ln、L0~Lm‧‧‧資訊信號層
S1~Sn、S1~Sm‧‧‧間隔層
Tp‧‧‧間距

Claims (21)

  1. 一種光記錄媒體，其具備： 2層以上之記錄層；及 光照射面，其被照射用以將資訊信號記錄於上述2層以上之記錄層之光； 上述2層以上之記錄層中除自上述光照射面起最深側以外之至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。
  2. 一種光記錄媒體，其具備： 2層以上之記錄層；及 光照射面，其被照射用以將資訊信號記錄於上述2層以上之記錄層之光； 上述2層以上之記錄層中除自上述光照射面起最深側以外之至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，上述金屬D為Zn及Mg中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：上述金屬D相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。
  3. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述記錄層具有凹狀及凸狀之軌道，且 以能夠將資訊信號記錄於上述凹狀及凸狀之軌道之兩者之方式構成。
  4. 如請求項3之光記錄媒體，其中上述凹狀之軌道與上述凸狀之軌道之間距為0.225 nm以下。
  5. 如請求項3之光記錄媒體，其進而具備介電層，該介電層設置於上述記錄層之兩表面中與被照射用以記錄或播放資訊信號之光之側為相反側之面側， 上述介電層之折射率n及厚度T滿足n×T≧32 nm之關係。
  6. 如請求項2之光記錄媒體，其中上述金屬A為W，上述金屬D為Zn， 上述記錄層中之Zn之原子比率為上述記錄層中之W之原子比率以上。
  7. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C滿足0.46≦x1≦1.70之關係。
  8. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述2層以上之記錄層中除自上述光照射面起最深側以外之所有記錄層，包含上述金屬A之氧化物、上述金屬B之氧化物及上述金屬C之氧化物，且滿足0.46≦x1之關係。
  9. 如請求項8之光記錄媒體，其中x1之值係越為接近上述光照射面之記錄層則越大。
  10. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述2層以上之記錄層中至少2層包含上述金屬A之氧化物、上述金屬B之氧化物及上述金屬C之氧化物，且滿足0.46≦x1之關係， x1之值滿足越為接近上述光照射面之記錄層則越大之關係。
  11. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述原子比率a、上述原子比率b及上述原子比率c分別滿足10≦a≦70、2≦b≦40、5≦c≦50之關係。
  12. 如請求項2之光記錄媒體，其中上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之比例滿足0.46≦x2≦1.70之關係。
  13. 如請求項2之光記錄媒體，其中上述2層以上之記錄層中除自上述光照射面起最深側以外之所有記錄層，包含上述金屬A之氧化物、上述金屬B之氧化物、上述金屬C之氧化物及上述金屬D之氧化物，且滿足0.46≦x2之關係。
  14. 如請求項13之光記錄媒體，其中x2之值係越為接近上述光照射面之記錄層則越大。
  15. 如請求項2之光記錄媒體，其中上述2層以上之記錄層中至少2層包含上述金屬A之氧化物、上述金屬B之氧化物、上述金屬C之氧化物及上述金屬D之氧化物，且滿足0.46≦x2之關係， x2之值滿足越為接近上述光照射面之記錄層則越大之關係。
  16. 如請求項2之光記錄媒體，其中上述原子比率a、上述原子比率b、上述原子比率c及上述原子比率d分別滿足20≦a≦40、5≦b≦30、5≦c≦40、20≦d≦70之關係。
  17. 如請求項1之光記錄媒體，其進而具備： 第1介電層，其設置於上述記錄層之一面側； 第2介電層，其設置於上述記錄層之另一面側。
  18. 一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。
  19. 一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物， 金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，上述金屬D為Zn及Mg中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：上述金屬D相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。
  20. 一種光記錄媒體之製造方法，其具備藉由至少與氧之反應性濺鍍而形成2層以上之記錄層之步驟， 上述2層以上之記錄層中自被照射用以將資訊信號記錄於該等2層以上之記錄層之光之光照射面起最深側以外之至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B及上述金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。
  21. 一種光記錄媒體之製造方法，其具備藉由至少與氧之反應性濺鍍而形成2層以上之記錄層之步驟， 上述2層以上之記錄層中自被照射用以將資訊信號記錄於該等2層以上之記錄層之光之光照射面起最深側以外之至少1層，包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物、金屬C之氧化物及金屬D之氧化物， 上述金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，上述金屬B為Mn，上述金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種，上述金屬D為Zn及Mg中之至少1種， 上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之比例滿足0.46≦x2(其中，x2＝(0.1d＋a)/(b＋0.8c)，a：上述金屬A相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，b：上述金屬B相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，c：上述金屬C相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%]，d：上述金屬D相對於上述金屬A、上述金屬B、上述金屬C及上述金屬D之合計之原子比率[原子%])之關係。
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