TWI541800B - 光學資訊記錄媒體 - Google Patents

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TWI541800B
TWI541800B TW100147848A TW100147848A TWI541800B TW I541800 B TWI541800 B TW I541800B TW 100147848 A TW100147848 A TW 100147848A TW 100147848 A TW100147848 A TW 100147848A TW I541800 B TWI541800 B TW I541800B
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三木剛
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Description

光學資訊記錄媒體
本發明係關於一種光學資訊記錄媒體。更特定言之，本發明係關於一種具有兩個或兩個以上資訊信號層之光學資訊記錄媒體。
迄今，CD(光碟)及DVD(數位多功能光碟)及其類似者已推動了光學資訊記錄媒體之市場。然而，近年來，伴隨著由高清晰度電視及PC(個人電腦)處置的資料之迅速增加，已存在對具有進一步增大之容量的光學資訊記錄媒體之需求。已開發諸如BD(Blu-ray Disc(藍光光碟)(註冊商標))之用於藍色雷射的大容量儲存光學資訊記錄媒體以滿足此需求，且新型大容量儲存光學資訊記錄媒體之市場正在繼續增長。
作為可記錄光學資訊記錄媒體，存在由CD-RW(光碟-可重寫)及DVD±RW(數位多功能光碟±可重寫)代表之可重寫光學資訊記錄媒體，以及由CD-R(光碟-可記錄)及DVD-R(數位多功能光碟-可記錄)代表之一次寫入型光學資訊記錄媒體。詳言之，後者已作為低成本媒體對市場之擴大貢獻巨大。因此，亦就用於藍色雷射之大容量光學資訊記錄媒體而言，有必要降低一次寫入型光學資訊記錄媒體之價格以便擴大市場。此外，通常據稱，與硬碟機(HDD)、快閃記憶體及其類似者相比，光學資訊記錄媒體之儲存可靠性高(歸因於其記錄及再生原理)，結果為，近年來對此等媒體作為存檔媒體(諸如，正開始用以儲存重要資訊之存檔媒體)之需求愈來愈多。
作為在一次寫入型光學資訊記錄媒體中使用之記錄材料，存在無機材料及有機著色材料。在一典型的一次寫入型光學資訊記錄媒體中，已主要研究有機著色材料作為記錄材料。然而，在近年之大容量光學資訊記錄媒體中，已廣泛研究無機材料作為記錄材料。
舉例而言，在日本未審查專利申請公開案第2010-218636號中，提議一種具有含Pd及O之一無機記錄層之光學資訊記錄媒體。此外，在日本未審查專利申請公開案第2009-129526號中之類似光學資訊記錄媒體中，提議一種光學資訊記錄媒體，該光學資訊記錄媒體在包括Pd及O之無機記錄層之至少一表面上具備作為主要組分的氧化銦與氧化錫之混合物(ITO)之保護層，以便達成儲存可靠性及良好生產率兩者。
然而，在於無機記錄層之至少一表面上具備作為主要組分的氧化銦與氧化錫之混合物(ITO)之保護層的光學資訊記錄媒體之情況下，難以獲得有利功率邊限。
需要提供一種具有一有利功率邊限之光學資訊記錄媒體。
根據本發明之第一實施例，提供一種光學資訊記錄媒體，該光學資訊記錄媒體包括：一基板；提供於該基板上之兩個或兩個以上資訊信號層；及提供於該等資訊信號層上之一覆蓋層，其中該兩個或兩個以上資訊信號層中之至少一層具備含Pd氧化物之一無機記錄層、提供於該無機記錄層之一第一主要表面上之一第一保護層及提供於該無機記錄層之一第二主要表面上之一第二保護層，及其中該第一保護層及該第二保護層中之至少一者包括作為一主要組分的Si氧化物、In氧化物與Zr氧化物之複合氧化物。
根據本發明之第二實施例，提供一種光學資訊記錄媒體記錄層，該光學資訊記錄媒體記錄層包括：一基板；提供於該基板上之兩個或兩個以上資訊信號層；及提供於該等資訊信號層上之一覆蓋層，其中該兩個或兩個以上資訊信號層中之至少一層具備含Pd氧化物之一無機記錄層、提供於該無機記錄層之一第一主要表面上之一第一保護層及提供於該無機記錄層之一第二主要表面上之一第二保護層，及其中該第一保護層及該第二保護層中之至少一者包括作為一主要組分的In氧化物、Ga氧化物與Zn氧化物之複合氧化物。
在第一及第二實施例中，覆蓋層之厚度不受特別限制，且覆蓋層包括基板、一薄片、塗層及其類似者。作為較佳的高密度光學資訊記錄媒體，存在具有一組態之高密度光學資訊記錄媒體，在該組態中，藉由使用高NA接物鏡，採用諸如薄片或塗層之薄光透射層作為覆蓋層，及藉由自光透射層之側輻照光來執行資訊信號之記錄及再生。在此情況下，可能採用不透明基板作為基板。根據光學資訊記錄媒體之格式，將用於記錄及再生資訊信號之光入射平面適當地設定至覆蓋層側及基板側之至少一表面。
在第一及第二實施例中，無機記錄層較佳地包括作為主要組分之W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物，且甚至更佳地除了此等氧化物之外，亦包括Zn氧化物。
在第一及第二實施例中，基板側或覆蓋層側之一表面較佳地為光輻照平面，用於在兩個或兩個以上資訊信號層上記錄或再生資訊信號之光輻照於該光輻照平面上。
在第一實施例中，較佳地，第一保護層及第二保護層中之在與光輻照平面對置側上的層包括Si氧化物、In氧化物與Zr氧化物之複合氧化物，且較佳地，第一保護層及第二保護層兩者皆包括作為主要組分的Si氧化物、In氧化物與Zr氧化物之複合氧化物。
在第一實施例中，較佳地，不同於距光輻照平面之背面最遠之資訊信號層的資訊信號層中之至少一層為其中第一保護層及第二保護層中之至少一者包括作為主要組分的Si氧化物、In氧化物與Zr氧化物之複合氧化物的一資訊信號層。較佳地，兩個或兩個以上資訊信號層中最靠近光輻照平面的資訊信號層之無機記錄層為其中第一保護層及第二保護層中之至少一者包括作為主要組分的Si氧化物、In氧化物與Zr氧化物之複合氧化物的一資訊信號層。
在第二實施例中，較佳地，第一保護層及第二保護層中之為與光輻照平面對置側的層包括In氧化物、Ga氧化物與Zn氧化物之複合氧化物，且較佳地，第一保護層及第二保護層兩者皆包括作為主要組分的In氧化物、Ga氧化物與Zn氧化物之複合氧化物。
在第一實施例中，較佳地，不同於距光輻照平面之背面最遠之資訊信號層的資訊信號層中之至少一層為第一保護層及第二保護層中之至少一者包括作為主要組分的In氧化物、Ga氧化物與Zn氧化物之複合氧化物的一資訊信號層。較佳地，兩個或兩個以上資訊信號層中最靠近光輻照平面的資訊信號層之無機記錄層為第一保護層及第二保護層中之至少一者包括作為主要組分的In氧化物、Ga氧化物與Zn氧化物之複合氧化物的一資訊信號層。
如上所述，根據該等實施例，可能實現一種具有有利功率邊限之光學資訊記錄媒體。
以下將參看圖式描述本發明之實施例。
[光學資訊記錄媒體之組態]
圖1A為展示根據本發明之一實施例的光學資訊記錄媒體之一實例組態之示意性橫截面圖。光學資訊記錄媒體10為所謂的一次寫入型光學資訊記錄媒體，且如在圖1A中所展示，具有以下組態：資訊信號層L0、中間層S1、資訊信號層L1、中間層S2、資訊信號層L2、中間層S3、資訊信號層L3及為覆蓋層之光透射層2經按此次序層壓於基板1之主要表面上。若有必要，可在光透射層2之表面上進一步提供一硬塗佈層3。若有必要，可在基板1側之表面上進一步提供一障壁層4。在以下描述中，使用資訊信號層L，在該情況下，在資訊信號層L0至L3之間不進行特定區分。
在根據第一實施例之光學資訊記錄媒體10中，藉由自光透射層2側之表面C至資訊信號層L0至L3中之每一者輻照雷射束來執行資訊信號之記錄及再生。舉例而言，藉由用具有0.84至0.86之數值孔徑範圍的接物鏡對具有400 nm至410 nm之波長範圍的雷射束聚光且自光透射層2之側至資訊信號層L0至L3中之每一者輻照雷射束來執行資訊信號之記錄及再生。作為此光學資訊記錄媒體10，可例示(例如)BD-R。以下，由用於在資訊信號層L0至L3上記錄或再生資訊信號之雷射束輻照的表面C被叫作光輻照平面C。
以下，依次描述組態光學資訊記錄媒體10之基板1、資訊信號層L0至L3、中間層S1至S3、光透射層2、硬塗佈層3及障壁層4。
(基板)
基板1(例如)具有一圓形形狀，其中一開口形成於中心中(下文叫作中心孔)。基板1之主要表面(例如)為凹凸表面，且資訊信號層L0沈積於此凹凸表面上。以下，在凹凸表面中，凹部分被稱作槽中Gin，且凸部分被稱作槽上Gon。
作為槽中Gin及槽上Gon之形狀，舉例而言，可例示各種形狀，諸如，螺旋形狀及同心圓。另外，例如，使槽中Gin及/或槽上Gon擺動(彎曲)以便增加線性速度穩定性及位址資訊。
可將基板1之直徑選擇為(例如)120 mm。在考量硬度的同時選擇基板1之厚度，且該厚度較佳地為0.3 mm至1.3 mm，更佳地為0.6 mm至1.3 mm；舉例而言，可選擇1.1 mm。另外，可將中心孔之直徑選擇為(例如)15 mm。
舉例而言，作為基板1之材料，可使用塑膠材料或玻璃，且自成本觀點看來，較佳地，使用塑膠材料。作為塑膠材料，舉例而言，可使用聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸系樹脂或其類似者。
(資訊信號層)
圖1B為展示圖1A中展示的每一資訊信號層之一組態實例之示意圖。如圖1B中所示，資訊信號層L0至L3具備：一無機記錄層11，其具有一上部側表面(第二主要表面)及一下部側表面(第一主要表面)；一第一保護層12，其係鄰近無機記錄層11之下部側表面提供；及一第二保護層13，其係鄰近無機記錄層11之上部側表面提供。經由此組態，可能改良無機記錄層11之耐久性。此處，在無機記錄層11之兩個主要表面中，上部側表面指藉由用於記錄或再生資訊信號之雷射束輻照的主要表面，且下部側表面指與藉由上述雷射束輻照之側對置的主要表面(亦即，基板側之主要表面)。
無機記錄層11之主要組分較佳地為無機記錄材料，包括Pd氧化物(下文被稱作「基於PdO之材料」)。舉例而言，作為基於PdO之材料，可能使用具有具有In氧化物與Pd氧化物之兩元素複合氧化物的主要組分之材料；然而，使用W氧化物、Pd氧化物與Cu氧化物之三元素複合氧化物(下文被稱作「WCPO」)係較佳的，且使用進一步將Zn氧化物添加至WCPO的四元素複合氧化物(下文被稱作「WZCPO」)更佳。藉由將WCPO用作基於PdO之材料，可能達成優異的透射特性，同時滿足對光學資訊記錄媒體之記錄層要求的特性。藉由將WZCPO用作基於PdO之材料，可能達成優異的透射特性，同時滿足對光學資訊記錄媒體之記錄層要求的特性，且可能減少W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物之含量。藉由減少W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物(尤其，Pd氧化物)之含量，可能減少光學資訊記錄媒體10之成本。
較佳地，在不同於距光輻照平面C之背面最遠之資訊信號層L0的資訊信號層L1至L3間的無機記錄層11之至少一層包括作為主要組分之WCPO。WCPO中包括的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x1、更佳地0.37x1、再更佳地0.37x1 1.26且最佳地0.56x1 1.26。以此方式，可能達成優異的透射特性，同時滿足對光學資訊記錄媒體之資訊信號層要求的特性。此處，對光學資訊記錄媒體之資訊信號層要求的特性為(例如)低i-MLSE、寬功率邊限、高再生耐久性、對記錄後的透射率之改變之抑制及其類似者。
此處，x1為定義為x1=a/(b+0.8c)之變數。
a：W相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)
b：Pd相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)
c：Cu相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)
自增加到達距光輻照平面C之背面最遠之資訊信號層L0的光之量之觀點看來，較佳地，不同於資訊信號層L0之資訊信號層L1至L3的所有無機記錄層11具有高透射率。
另外，除了高透射率之外，自保證對高透射率層要求之特性(甚至在高透射率下)之觀點看來，較佳地，資訊信號層L0至L3之所有無機記錄層11包括作為主要組分之WCPO。在此情況下，包括於WCPO中的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x1，更佳地滿足關係0.37x1，再更佳地滿足關係0.37x1 1.26，且最佳地滿足關係0.56x1 1.26。另外，資訊信號層L0至L3的無機記錄層11之變數x1之值較佳地為與靠近光輻照平面C之資訊信號層L之變數值一樣大的值。原因在於，較佳地，將透射率設定為與靠近光輻照平面C之資訊信號層L一樣高。
W相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率a較佳地處於10原子%與70原子%之間的範圍內，且更佳地，處於14.2原子%與31.8原子%之間的範圍內。若原子比率a小於10原子%，則透射率傾向於低。另一方面，若原子比率a超過70原子%，則透射率高，但記錄敏感性傾向於不夠。
Pd相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率b較佳地處於2原子%與50原子%之間的範圍內，且更佳地，處於4.4原子%與32.2原子%之間的範圍內。若原子比率b小於2原子%，則記錄功率邊限傾向於變得窄。另一方面，若原子比率b超過50原子%，則透射率傾向於低。
Cu相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率c較佳地處於10原子%與70原子%之間的範圍內，且更佳地，處於28.5原子%與68.1原子%之間的範圍內。若原子比率c小於10原子%，則再生耐久性傾向於降低。另一方面，若原子比率c超過70原子%，則透射率傾向於低。
較佳地，在不同於距光輻照平面C之背面最遠之資訊信號層L0的資訊信號層L1至L3中的至少一層之無機記錄層11包括作為主要組分之WZCPO(其中將Zn氧化物添加至WCPO)。包括於WZCPO中的W、Pd、Cu及Zn之比率較佳地滿足關係0.17x2，更佳地滿足關係0.37x2，再更佳地滿足關係0.37x2 1.26，且最佳地滿足關係0.56x2 1.26。以此方式，可能達成優異的透射特性，同時滿足對光學資訊記錄媒體之記錄層要求的特性，且可能減少W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物之含量。藉由減少W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物(特別地，貴金屬中包括之Pd氧化物)之含量，可能減少光學資訊記錄媒體10之成本。
其中x2為由x2=(0.1d+a)/(b+0.8c)定義之變數。
a:W相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)
b:Pd相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)
c:Cu相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)
d:Zn相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)
自增加到達距光輻照平面C之背面最遠之資訊信號層L0的光之量之觀點看來，較佳地，不同於資訊信號層L0之資訊信號層L1至L3的所有無機記錄層11具有高透射率。
另外，除了高透射率之外，自保證對高透射率層要求之特性(甚至在高透射率下)及減少光學資訊記錄媒體之成本之觀點看來，較佳地，資訊信號層L0至L3之所有無機記錄層11包括作為主要組分之WZCPO。在此情況下，包括於WZCPO中的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x2，更佳地滿足關係0.37x2，再更佳地滿足關係0.37x2 1.26，且最佳地滿足關係0.56x2 1.26。此外，資訊信號層L0至L4的無機記錄層11之變數x2之值較佳地為與靠近光輻照平面C之資訊信號層L之變數值一樣大的值。原因在於，可能將透射率增大為與靠近光輻照平面C之資訊信號層L一樣高。
W相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率a較佳地處於10原子%與70原子%之間的範圍內，且更佳地，處於14.2原子%與31.8原子%之間的範圍內。若原子比率a小於10原子%，則透射率傾向於低。另一方面，若原子比率a超過70原子%，則記錄敏感性傾向於不夠。
Pd相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率b較佳地處於2原子%與50原子%之間的範圍內，且更佳地，處於4.4原子%與32.2原子%之間的範圍內。若原子比率b小於2原子%，則記錄功率邊限傾向於變得窄。另一方面，若原子比率b超過50原子%，則透射率傾向於低。
Cu相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率c較佳地處於10%與70%之間的範圍內，且更佳地，處於28.5原子%與43.4原子%之間的範圍內。若原子比率c小於10原子%，則再生耐久性傾向於變弱。另一方面，若原子比率c超過70原子%，則透射率傾向於低。
Zn相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率d較佳地處於5%與60%之間的範圍內，且更佳地，處於17原子%與41原子%之間的範圍內。若原子比率d小於5原子%，則成本減少效應傾向於變弱。另一方面，若原子比率d超過60原子%，則存在儲存可靠性惡化之趨勢。
舉例而言，作為不同於WCPO或WZCPO的資訊信號層L1至L3之材料，亦可能使用主要組分為In氧化物與Pd氧化物之混合氧化物的材料。然而，自達成優異的透射特性同時滿足對光學資訊記錄媒體之資訊信號層要求的特性之觀點看來，較佳地，使用WCPO或WZCPO。
舉例而言，作為距光輻照平面C之背面最遠之資訊信號層L0的材料，亦可能使用主要組分為In氧化物與Pd氧化物之混合氧化物的材料。然而，自寬記錄功率邊限之觀點看來，較佳地，使用上述WCPO或WZCPO。
無機記錄層11之厚度較佳地處於25 nm至60 nm、且更佳地30 nm至50 nm之範圍內。若厚度小於25 nm，則存在i-MLSE惡化、調變速率低且信號性質惡化之趨勢。另一方面，若厚度超過60 nm，則記錄功率邊限傾向於變窄。
較佳地，使用介電層或透明傳導層作為第一保護層12及第二保護層13，且可能將介電層用於第一保護層12及第二保護層13中之一者，且將透明傳導層用於另一者。因為介電層或透明傳導層充當氧障壁層，所以可能改良無機記錄層11之耐久性。另外，藉由抑制氧自無機記錄層11逸散，可能抑制記錄膜之膜品質的改變(特定言之，可觀測為反射率之降低)，且可能保證無機記錄層11之必要特性。此外，藉由提供介電層或透明傳導層，可能改良記錄性質。據認為，原因為，因為自入射於介電層或透明傳導層上的雷射束之熱擴散受到最佳地控制，所以可抑制記錄部分上之氣泡變得過大，及抑制氣泡歸因於Pd氧化物之瓦解過度地進行而爆裂，藉此可能使在記錄期間的氣泡之形狀最佳化。
較佳地，第一保護層12及第二保護層13中之至少一者包括作為主要組分的Si氧化物、In氧化物與Zr氧化物之三元素複合氧化物(SiO2-In2O3-ZrO2以下被稱作「SIZ」)(作為複合氧化物)，或In氧化物、Ga氧化物與Zn氧化物之三元素氧化物(In2O3-Ga2O3-ZnO以下被稱作「IGZO」)。以此方式，可能獲得有利的功率邊限。此處，作為第一保護層12及第二保護層13之材料，可能採用相同材料或組合物比率；然而，在不限於此實例之情況下，可採用不同材料或組合物比率作為第一保護層12及第二保護層13之材料。舉例而言，第一保護層12及第二保護層13兩者可皆包括作為主要組分的SIZ或IGZO；然而，在不限於此實例之情況下，第一保護層12及第二保護層13中之一者可包括SIZ作為主要組分，且另一者可包括IGZO作為主要組分。
在第一保護層12及第二保護層13中之至少一層包括SIZ或IGZO作為主要組分之情況下，較佳地，採用包括作為主要組分之WCPO的層作為無機記錄層11，且更佳地，採用包括作為主要組分之將Zn氧化物添加至WCPO之WZCPO的層。在無機記錄層11具有作為主要組分之WCPO或WZCPO的情況下，與無機記錄層11具有不同於WCPO或WZCPO的基於PdO之材料作為主要組分的情況相比，可獲得更有利的功率邊限。在無機記錄層11具有作為主要組分之WZCPO的情況下，可能進一步獲得光學資訊記錄媒體10之成本減少之優勢。此之原因為，藉由使WCPO進一步包括Zn氧化物，可能用Zn氧化物沖淡整個WZCPO，且結果，減少為貴金屬材料的Pd之含量。
對於不同於距光輻照平面C之背面最遠之資訊信號層L0的資訊信號層L1至L3中之至少一層，較佳地，第一保護層12及第二保護層13中之至少一層採用具有作為主要組分之SIZ或IGZO的組態，且更佳地，第一保護層12及第二保護層13兩個層採用具有作為主要組分之SIZ或IGZO的組態。藉由採用此組態，可維持高透射率，且可能增加到達資訊信號層L0的雷射束之光量。
自維持到達資訊信號層L0的雷射束之高光量之觀點看來，對於不同於距光輻照平面C之背面最遠之資訊信號層L0的所有資訊信號層L1至L3，較佳地，第一保護層12及第二保護層13中之至少一層採用具有作為主要組分之SIZ或IGZO的組態，且更佳地，第一保護層12及第二保護層13兩個層採用具有作為主要組分之SIZ或IGZO的組態。
自維持最靠近光輻照平面C之資訊信號層L3的高透射率之觀點看來，資訊信號層L3的第一保護層12及第二保護層13中之至少一層較佳地具有作為主要組分的SIZ或IGZO(具有低消光係數)，且更佳地，兩個層皆具有作為主要組分的SIZ或IGZO。將資訊信號層L1至L3中最靠近光輻照平面C之資訊信號層L3之透射率維持得儘可能高之原因為，通常，在透射率與與其成反比例之記錄敏感性之平衡中，當資訊信號層L3之單一層經設定有高透射率及低記錄敏感性時，對於按一組合組態使得將透射率設定為與遠離一側之光輻照平面C的資訊信號層之透射率一樣低且單一層之敏感性高的多層分層媒體，可能藉由組合透射率及敏感性來大致固定設定為多層媒體的每一層之記錄敏感性。
藉由將SIZ或IGZO設定為第一保護層12及第二保護層13中之一者的主要組分，可能獲得有利的功率邊限；然而，自獲得甚至更有利的功率邊限之觀點看來，較佳地，第一保護層12及第二保護層13皆包括作為主要組分之SIZ或IGZO。當採用將SIZ或IGZO設定為第一保護層12及第二保護層13中之一者的主要組分之組態時，較佳地，提供於無機記錄層11之下部側表面上的第一保護層12具有SIZ或IGZO作為主要組分。藉由在提供於無機記錄層11之下部側表面上的第一保護層12中包括SIZ或IGZO作為主要組分，與在提供於無機記錄層11之上部側表面上的第一保護層12中包括SIZ或IGZO作為主要組分之情況相比，可能進一步增大功率邊限。
在包括SIZ或IGZO作為第一保護層12及第二保護層13中之一者的主要組分之組態的情況下，作為待設定為其他層之主要組分之材料，舉例而言，可能使用介電材料或透明傳導材料，特定言之，可使用氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或其混合物。舉例而言，作為氧化物，可例示選自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi及Mg組成之群的化學元素之一或多種氧化物。舉例而言，作為氮化物，可例示選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta及Zn組成之群的化學元素之一或多種氮化物，較佳地，選自由Si、Ge及Ti組成之群的化學元素之一或多種氮化物。舉例而言，作為硫化物，可例示Zn硫化物。舉例而言，作為碳化物，可例示選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta及W組成之群的化學元素之一或多種碳化物，較佳地，選自由Si、Ti及W組成之群的化學元素之一或多種碳化物。舉例而言，作為氟化物，可例示選自由Si、Al、Mg、Ca及La組成之群的化學元素之一或多種氟化物。舉例而言，作為此等之混合物，可例示ZnS-SiO2、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(1TO)、In2O3-CeO2(1CO)、In2O3-Ga2O3(1TO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2及其類似者。
特定言之，較佳地，包括SIZ或IGZO作為第一保護層12及第二保護層13中之一者的主要組分且在另一者中包括ITO，且更佳地，第一保護層12包括ITO作為主要組分，且第二保護層13包括SIZ或IGZO作為主要組分。以此方式，犧牲一定量的高功率邊限；然而，此係因為亦可能使在記錄後的透射率之改變最小化。在多層記錄媒體之情況下，不同於最內層之層為用於透射之資訊信號層，且根據每一層之所要特性可達成高透射率與在記錄後的透射率變化之間的平衡。
自濺鍍速率之觀點看來，在SIZ中之In氧化物含量可為20莫耳%或以上，且自儲存可靠性之觀點看來，較佳地為70莫耳%或以下。另外，為了使Si氧化物及Zr氧化物充當複合氧化物，15 mol%或以上且50 mol%或以下之量係較佳的。
第一保護層12之厚度較佳地處於2 nm至20 nm之範圍內。若厚度小於2 nm，則存在對記錄層之障壁效應減少之趨勢。另一方面，若厚度超過20 nm，則存在記錄功率邊限減小之趨勢。
第二保護層13之厚度較佳地處於2 nm至50 nm之範圍內。若厚度小於2 nm，則存在對記錄層之障壁效應減少之趨勢。另一方面，若厚度超過50 nm，則存在記錄功率邊限減小之趨勢。
作為資訊信號層L0至L3，較佳地，組合地使用具有以下組態之資訊信號層。靠近具有小x1及x2組合物比率且要求具有高敏感性之最內層的L1層有可能在記錄後具有大的透射率波動，此係因為Pd及Cu之量有可能大。結果，較佳地，使用具有0.05或以上之消光係數的第一保護層12及第二保護層13，且抑制透射率波動。另外，在具有大x1及x2組合物比率且必須具有高透射率之L3層中，記錄後的透射率波動小，但功率邊限有可能變窄。結果，較佳地，在第一保護層12及第二保護層13中使用SIZ及IGZO，且保證功率邊限。另外，當L2層使用L1層與L3層之組合時，可能使每一層之功率邊限及透射率波動抑制特性均一，甚至當記錄層之材料、所要的敏感性及透射率不同時亦然。
(資訊信號層L0)
第一保護層12：ITO
無機記錄層11：WCPO(0.4x1 0.6)，較佳地，WZCPO(0.4x2 0.6)
第二保護層13：ITO
(資訊信號層L1)
第一保護層12：具有在0.05至0.6之範圍中之消光係數k的材料，較佳地，ITO
無機記錄層11：WCPO(0.5x1 0.9)，較佳地，WZCPO(0.5x2 0.9)
第二保護層13：具有在0.05至0.6之範圍中之消光係數k的材料，較佳地，ITO
(資訊信號層L2)
第一保護層12：具有在0.05至0.6之範圍中之消光係數k的材料，較佳地，ITO
無機記錄層11：WCPO(0.8x1 1.2)，較佳地，WZCPO(0.8x2 1.2)
第二保護層13：SIZ或IGZO
(資訊信號層L3)
第一保護層12：SIZ或IGZO
無機記錄層11：WCPO(0.8x1 1.2)，較佳地，WZCPO(0.8x2 1.2)
第二保護層13：SIZ或IGZO
(中間層)
中間層S1至S3實現分開L0、L1、L2與L3以便具有足夠的實體及光學距離之作用，在其表面上具備凹凸表面，且形成同心圓或螺旋形凹槽(槽中Gin及槽上Gon)。中間層S1至S3之厚度較佳地設定至9 μm至50 μm，例如，S1=15 μm、S2=20 μm且S3=10 μm。中間層S1至S3之材料不受特定限制，但較佳地，使用紫外線可固化丙烯酸系樹脂，此外，較佳地，中間層S1至S3具有足夠高的透光率，此係因為為了將資料記錄至內層及自內層再生資料之目的，該等中間層將為雷射束之光徑。
(光透射層)
光透射層2(例如)為藉由使諸如紫外線可固化樹脂之感光樹脂固化形成之樹脂層。舉例而言，作為此樹脂層之材料，可例示紫外線可固化丙烯酸系樹脂。另外，光透射層2可由具有圓形形狀之光透射薄片及用於使光透射薄片黏附至基板1之黏著層組態。較佳地，光透射薄片為具有關於在記錄及再生中使用之雷射束之低吸光度的材料，特定言之，具有90%或以上之透射率的材料係較佳的。舉例而言，作為光透射薄片之材料，可使用聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂(例如，ZEONEX(註冊商標))及其類似者。舉例而言，作為黏著層之材料，可使用紫外線可固化樹脂、壓敏黏著劑(PSA：壓敏黏著劑(Pressure Sensitive Adhesive))或其類似者。
光透射層2之厚度較佳地選自10 μm至177 μm之範圍，例如，設定為53.5 μm。藉由將此薄光透射層2與(例如)被製造成具有大致0.85之高NA(數值孔徑)的接物鏡組合，可能實現高密度記錄。
(硬塗佈層)
硬塗佈層3係用於在光輻照平面C上賦與抗擦傷性質及其類似者。舉例而言，作為硬塗佈層3之材料，可使用丙烯酸系樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂、有機無機混合樹脂或其類似者。
(障壁層)
障壁層4係用於抑制在膜形成過程期間自基板1之後面的排氣(濕氣釋放)。另外，障壁4亦充當抑制在基板1之後面上的濕氣之吸收的防濕氣層。雖然組態障壁層4之材料不受特別限制，只要能夠抑制自基板1之後面的排氣(濕氣釋放)便可，但為了給出一實例，可使用具有低透氣性之介電質。舉例而言，作為此介電質，可使用SiN、SiO2、TiN、AlN、ZnS-SiO2或其類似者。障壁層4之厚度較佳地設定至5 nm與40 nm之間。若厚度小於5 nm，則抑制自基板後面之排氣的障壁功能傾向於降低。此係因為，另一方面，若厚度大於40 nm，則與厚度較低時之情況相比，幾乎不存在抑制排氣之障壁功能的任何差異，且另外，生產率傾向於降低。較佳地，障壁4之透濕氣性等於或小於每天5x10-5g/cm2。
在具有以上組態之光學資訊記錄媒體10中，當將雷射束輻照至無機記錄層11時，Pd氧化物由雷射束加熱及分解以釋放氧，且氣泡產生於藉由雷射束輻照之部分中。以此方式，有可能可逆地記錄資訊信號。
[光學資訊記錄媒體之製造方法]
接下來，將描述根據本發明之一實施例的光學資訊記錄媒體之製造方法之一實例。
(基板之形成過程)
首先，形成凹凸表面形成於主表面上之基板1。舉例而言，作為基板1之形成方法，可使用射出方法、光聚合方法(2P方法)及其類似者。
(資訊信號層之形成過程)
接下來，藉由用(例如)濺鍍方法在基板1上依序層壓第一保護層12、無機記錄層11及第二保護層13來形成資訊信號層L0。以下將詳細描述第一保護層12、無機記錄層11及第二保護層13之形成過程。
(第一保護層之膜形成過程)
首先，將基板1輸送至一真空室內(在真空室內，用於第一保護層形成之標靶)，且使真空室之內部抽真空，直至真空室達到預定壓力。接著藉由濺鍍標靶同時將諸如Ar氣體或O2氣體之製程氣體引入至真空室內，使第一保護層12形成於基板1上。雖然可將(例如)射頻(RF)濺鍍方法或直流(DC)濺鍍方法用作濺鍍方法，但直流濺鍍方法尤其較佳。原因為，由於與射頻濺鍍方法相比，直流濺鍍方法具有高膜形成速率，因此可能改良生產率。
(無機記錄層之膜形成過程)
接下來，將基板1輸送至提供了用於無機記錄層膜形成用途之標靶的真空室內，且使真空室之內部抽真空，直至真空室達到預定壓力。接著藉由濺鍍標靶同時將諸如Ar氣體或O2氣體之製程氣體引入至真空室內，使無機記錄層12形成於第一保護層11上。
(第二保護層之膜形成過程)
接下來，將基板1輸送至提供了用於第二保護層膜形成用途之標靶的真空室內，且使真空室之內部抽真空，直至真空室達到預定壓力。接著藉由濺鍍標靶同時將諸如Ar氣體或O2氣體之製程氣體引入至真空室內，使第二保護層13形成於無機記錄層12上。作為濺鍍方法，可能使用高頻(RF)濺鍍方法、直流(DC)濺鍍方法或其類似者；然而，直流濺鍍方法係較佳的。原因為，由於與射頻濺鍍方法相比，直流濺鍍方法具有高膜形成速率，因此可能改良生產率。因此，將資訊信號層L0形成於基板1上。
(中間層之形成過程)
接下來，藉由(例如)旋塗方法將紫外線可固化樹脂均勻地塗佈於資訊信號層L0上。在接著在均勻地塗佈於資訊信號層L0上之紫外線可固化樹脂上壓入壓模之凹凸圖案且藉由在紫外線可固化樹脂上輻照紫外線來固化樹脂後，移除壓模。在如此進行的過程中，壓模之凹凸圖案轉印於紫外線可固化樹脂上，且例如，其上提供槽中Gin及槽上Gon之中間層S1被形成於資訊信號層L0上。
此處，將描述用於無機記錄層膜形成之標靶、用於第一保護層形成之標靶及用於第二保護層形成之標靶。
(用於無機記錄層膜形成之標靶)
用於無機記錄層膜形成之標靶可為具有作為主要組分之W、Cu及Pd的WCP金屬標靶，可為具有作為主要組分之W氧化物、Cu氧化物及Pd氧化物的WCPO氧化物標靶，且考慮生產率，使用具有W、Cu及Pd之主要組分的金屬標靶(對於其而言，能夠具有比較迅速的膜形成速率之DC濺鍍為可能的)係較佳的。該標靶中包括的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足0.17x1、更佳地0.37x1、再更佳地0.37x1 1.26且最佳地0.56x1 1.26之關係。此外，如上所述，x1為由x1=a/(b+0.8c)定義的變數。
用於無機記錄層膜形成之標靶可為具有作為主要組分之W、Cu、Pd及Zn的WZPC金屬標靶，可為具有作為主要組分之W氧化物、Cu氧化物、Pd氧化物及Zn氧化物的WZCPO氧化物標靶，且此外，可為混合金屬與氧化物的WZCPO之標靶。考慮生產率，使用具有W、Cu、Pd及Zn之主要組分的金屬標靶(對於其而言，能夠具有比較迅速的膜形成速率之DC濺鍍為可能的)係較佳的。該標靶中包括的W、Pd、Cu及Zn之比率較佳地滿足0.17x2、更佳地0.37x2、再更佳地0.37x2 1.26且最佳地0.56x2 1.26之關係。此外，如上所述，變數x2為由x2=(0.1d+a)/(b+0.8c)定義之變數。
作為用於無機記錄層膜形成之WCP標靶，WCPO標靶及WZCP及WZCPO標靶、具有與無機記錄層11相同的組合物之標靶係較佳的。
(用於形成第一保護層之標靶及用於形成第二保護層之標靶)
用於形成第一保護層之標靶及用於形成第二保護層之標靶中的至少一者較佳地包括作為主要組分之SIZ或IGZO，且更佳地，兩個標靶皆包括SIZ或IGZO。當用於形成第一保護層之標靶及用於形成第二保護層之標靶中的一者包括作為主要組分之SIZ或IGZO時，較佳地，用於形成第一保護層之標靶包括作為主要組分之SIZ或IGZO。藉由在提供於無機記錄層11之下部側表面上的第一保護層12中包括SIZ或IGZO作為主要組分，與在提供於無機記錄層11之上部側表面上的第一保護層12中包括SIZ或IGZO作為主要組分之情況相比，可能進一步增大功率邊限。另外，當使用SIZ時，若高度傳導性的In氧化物之量大，則DC濺鍍變得可能且生產率變高；然而，相反地，若In氧化物之量過大，則薄膜之消光係數變大且資訊信號層之透射率降低。因此，In氧化物比率不受特定限制；然而，較佳地，根據資訊信號層之所要的特性及生產率調整該比率。此外，在IGZO中，由於In氧化物及ZnO氧化物皆具有傳導性，因此，當In氧化物與ZnO氧化物之總量大時，DC濺鍍係可能的且生產率高，其因此為較佳的。然而，當In氧化物之量過大時，因類似於SIZ的以上提到之相同原因，由於資訊信號層之透射率惡化，因此較佳地，根據資訊信號層之所要的特性調整比率。
(資訊信號層及中間層之形成過程)
接下來，類似於以上描述之資訊信號層L0及中間層S1之形成過程，將資訊信號層L1、中間層S2、資訊信號層L2、中間層S3及資訊信號層L3按此次序依序層壓於中間層S1上。此時，藉由適當調整膜形成條件或標靶組合物，可適當調整組態資訊信號層L1至L3的第一保護層12、無機記錄層11及第二保護層13之厚度或組合物。另外，藉由適當調整旋塗方法之條件，可適當調整中間層S2至S3之厚度。
(光透射層之形成過程)
接下來，在藉由(例如)旋塗方法在資訊信號層L3上旋塗了諸如紫外線可固化樹脂(UV樹脂)之感光樹脂後，使諸如紫外線之光輻照於感光樹脂上，使得樹脂固化。在如此進行過程中，光透射層2形成於資訊信號層L3上。
藉由以上過程獲得所要的光學資訊記錄媒體。
[實例]
以下，將使用測試實例詳細描述本發明；然而，本發明不僅僅限於該等測試實例。
在下文中，多層光學資訊記錄媒體之資訊信號層將按自基板側朝向雷射輻照平面側之次序被稱作L0層、L1層、L2層...。
將按以下次序描述測試實例。
1.　第一保護層及第二保護層之材料
2.　不同於WZCPO之PdO材料
3.　形成SIZ層之位置
4.　無機記錄層之組合物
5.　兩層光學資訊記錄媒體之透射率範圍
6.　四層光學資訊記錄媒體之透射率範圍
<1.　第一保護層及第二保護層之材料> (測試實例1-1)
首先，藉由射出成形形成具有1.1 mm之厚度的聚碳酸酯基板。此處，將具有凹槽之凹凸表面形成於聚碳酸酯基板上。接下來，將第一保護層(下部側)、無機記錄層及第二保護層(上部層)依序層壓於聚碳酸酯基板上，藉此形成L0層。
L0層之每一層的材料、厚度及膜形成方法為如下。
第一保護層(下部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍
無機記錄層
材料：WZCPO(Cu:Zn:Pd:W=30.0:30.0:30.0:10.0(原子比率(原子%)))
厚度：30 nm
膜形成方法：DC濺鍍(O2反應性濺鍍)
第二保護層(上部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
接下來，藉由旋塗將紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK5500B)均勻地塗佈於L0層上。在接著在均勻地塗佈於資訊信號層L0上之紫外線可固化樹脂上壓入壓模之凹凸圖案且藉由在紫外線可固化樹脂上輻照紫外線來固化樹脂後，移除壓模。以此方式，形成具有凹槽及15.5 μm之厚度的中間層。
接下來，將第一保護層、無機記錄層及第二保護層依序堆疊於中間層上，藉此形成L2層。此外，省略L1層之形成。
層L2之每一層的材料、厚度及膜形成方法為如下。
第一保護層(下部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=35:30:35(mol%))
厚度：10 nm
膜形成方法：RF濺鍍方法
無機記錄層
材料：WZCPO(Cu:Zn:Pd:W=35.0:25.0:10.0:30.0(原子比率(原子%)))
膜形成方法：DC濺鍍(O2反應性濺鍍)
厚度：40 nm
第二保護層(上部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=35:30:35(mol%))
厚度：25 nm
膜形成方法：RF濺鍍方法
接下來，藉由旋塗方法將紫外線可固化樹脂均勻地塗佈於L2層上且藉由紫外線之輻照加以固化，藉此形成具有與中間層相同的硬度及31.0 μm之厚度的樹脂層。
接下來，藉由藉由旋塗方法在L1層上均勻地塗佈紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK8300)且藉由輻照紫外線使樹脂固化，形成具有53.5 μm之厚度的光透射層。
以此方式，獲得具有L0層及L2層之兩層光學資訊記錄媒體。在此兩層光學資訊記錄媒體中，藉由在L2層與光透射層之間形成樹脂層，按模擬之方式將L2層狀態設定至四層光學資訊記錄媒體的L2層之狀態。
(測試實例1-2)
按除了如下展示的層L2之第一保護層及第二保護層之材料、厚度及膜形成方法之外與測試實例1-1中相同的方式獲得光學資訊記錄媒體。
第一保護層(下部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=30:40:30(mol%))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
第二保護層(上部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=30:40:30(莫耳比))
厚度：25 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
(測試實例1-3)
按除了如下展示的層L2之第一保護層及第二保護層之材料、厚度及膜形成方法之外與測試實例1-1中相同的方式獲得光學資訊記錄媒體。
第一保護層(下部側)
材料：IGZO(In2O3:Ga2O3:ZnO=25:25:50(mol%))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
第二保護層(上部側)
材料：IGZO(In2O3:Ga2O3:ZnO=25:25:50(mol%))
厚度：25 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
(測試實例1-4)
按除了如下展示的層L2之第一保護層及第二保護層之材料、厚度及膜形成方法之外與測試實例1-1中相同的方式獲得光學資訊記錄媒體。
第一保護層(下部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
第二保護層(上部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：25 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
(測試實例1-5)
按除了如下展示的層L2之第一保護層及第二保護層之材料、厚度及膜形成方法之外與測試實例1-1中相同的方式獲得光學資訊記錄媒體。
第一保護層(下部側)
材料：Si
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法(N2反應性濺鍍)
第二保護層(上部側)
材料：Si
厚度：25 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法(N2反應性濺鍍)
(初始狀態功率邊限)
如下計算按上述方式獲得的測試實例1-1至1-5之光學資訊記錄媒體之L2層的功率邊限之初始狀態。使用光碟測試器(由Pulstec Industrial Co.,Ltd.製造，產品名稱：ODU-1000)，按405 nm之記錄波長及7.69 m/s之記錄線性速度記錄及再生具有每層32 GB之密度的1-7調變資料，且計算隨機符號錯誤率(SER)。關於記錄功率計算此SER，將具有超過4×10-3之記錄功率的低側設定為Pwl，將高側設定為Pwh，且將Pwl與Pwh之間的最佳功率設定為Pwo。此時，自以下式1計算功率邊限PM。此處，4×10-3之SER為錯誤校正不會失敗的SER之上限值。若超過上限值，則在再生資料中產生缺陷，且信號品質尤其惡化。
PM=(Pwh-Pwl)/Pwo　(1)
其結果展示於圖2A至圖4B及表1中。
表1展示測試實例1-1至1-5之光學資訊記錄媒體之評估結果。
可自表1理解以下內容。
藉由將SIZ或IGZO用作第一保護層及第二保護層之材料，可將功率邊限設定為30%或以上。此處，當功率邊限為30%時，可能充分吸收消費型光碟機的記錄功率之精確度、光學資訊記錄媒體的平面內敏感性之變化、光學資訊記錄媒體之溫度及伴隨歸因於濕度之翹曲的實際記錄功率之減小的影響，藉此允許實現具有低錯誤率之有利的記錄。當將SIZ用作第一保護層及第二保護層之材料時，與使用IGZO之情況相比，可能進一步拓寬功率邊限。
藉由將SIZ或IGZO用作第一保護層及第二保護層之材料，可能改良資訊信號層之透射率。因此，可能增加到達定位於距光輻照平面之背面最遠處之L0層的雷射束之光量。
藉由將相對於SIZ的In氧化物之含量設定至40 mol%或以上之範圍且減小標靶之電阻，可能藉由DC濺鍍方法執行膜形成。因此，可能改良膜形成速率且改良生產率。
根據以上，為了改良功率邊限且維持高透射率，較佳地，將SIZ及IGZO用作鄰近無機記錄層的第一保護層及第二保護層之材料，且尤佳地，使用IGZO。
另外，為了增加生產率，較佳地，將相對於SIZ的In氧化物之含量比率設定至40 mol%或以上；然而，由於歸因於當此含量比率過大時SIZ薄層之消光係數變大而使資訊信號層之透射率惡化，因此較佳地，根據資訊信號層需要之透射率及生產率選擇In氧化物及其類似者之比率。
<2.　不同於WZCPO之PdO材料> (測試實例2)
首先，藉由射出成形形成具有1.1 mm之厚度的聚碳酸酯基板。此處，將具有凹槽之凹凸表面形成於聚碳酸酯基板上。接下來，將第一保護層(下部側)、無機記錄層及第二保護層(上部層)依序層壓於聚碳酸酯基板上，藉此形成L0層。
層L0之每一層的材料、厚度及膜形成方法為如下。
第一保護層(下部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：8 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
無機記錄層
材料：In2O3-PdO(In:Pd=50:50(原子比率(原子%)))
膜形成方法：DC濺鍍(O2反應性濺鍍)
厚度：40 nm
第二保護層(上部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
接下來，藉由旋塗將紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK5500B)均勻地塗佈於L0層上。在接著在均勻地塗佈於資訊信號層L0上之紫外線可固化樹脂上壓入壓模之凹凸圖案且藉由在紫外線可固化樹脂上輻照紫外線來固化樹脂後，移除壓模。以此方式，形成具有凹槽及15.5 μm之厚度的中間層。
接著，藉由將第一保護層(下部側)、無機記錄層及第二保護層(上部層)依序層壓於中間層上，形成層L1。
層L1之每一層的材料、厚度及膜形成方法為如下。
第一保護層(下部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
無機記錄層
材料：In2O3-PdO(In:Pd=70:30(原子比率(原子%)))
膜形成方法：DC濺鍍(O2反應性濺鍍)
厚度：40 nm
第二保護層(上部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
接下來，藉由旋塗將紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK5500B)均勻地塗佈於L1層上。在接著在均勻地塗佈於資訊信號層L1上之紫外線可固化樹脂上壓入壓模之凹凸圖案且藉由在紫外線可固化樹脂上輻照紫外線來固化樹脂後，移除壓模。以此方式，形成具有凹槽及19.5 μm之厚度的中間層。
接著，藉由將第一保護層(下部側)、無機記錄層及第二保護層(上部層)依序層壓於中間層上，形成層L2。
層L2之每一層的材料、厚度及膜形成方法為如下。
第一保護層(下部側)
材料：ITO(SnO2:In2O3=10:90(按質量百分比))
厚度：10 nm
膜形成方法：DC濺鍍方法
無機記錄層
材料：In2O3-PdO(In:Pd=70:30(原子比率(原子%)))
膜形成方法：DC濺鍍(O2反應性濺鍍)
厚度：40 nm
第二保護層(上部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=40:30:40(mol%))
厚度：10 nm
膜形成方法：RF濺鍍方法
接下來，藉由旋塗將紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK5500B)均勻地塗佈於L2層上。在接著在均勻地塗佈於資訊信號層L2上之紫外線可固化樹脂上壓入壓模之凹凸圖案且藉由在紫外線可固化樹脂上輻照紫外線來固化樹脂後，移除壓模。以此方式，形成具有凹槽及11.5 μm之厚度的中間層。
接著，藉由將第一保護層(下部側)、無機記錄層及第二保護層(上部層)依序層壓於中間層上，形成L3層。
L3層之每一層的材料、厚度及膜形成方法為如下。
第一保護層(下部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=40:30:40(mol%))
厚度：10 nm
膜形成方法：RF濺鍍方法
無機記錄層
材料：In2O3-PdO(In:Zn:Sn:Pd=70:30(原子比率(原子%)))
膜形成方法：DC濺鍍方法(O2反應性濺鍍)
厚度：40 nm
第二保護層(上部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=40:30:40(mol%))
厚度：10 nm
膜形成方法：RF濺鍍方法
接下來，藉由藉由旋塗方法在L3層上均勻地塗佈紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK8300)且藉由輻照紫外線使樹脂固化，獲得具有53.5 μm之厚度的光透射層。以此方式，獲得所要的光學資訊記錄媒體。
(功率邊限)
按與測試實例1-1至1-5相同的方式計算按上述方式獲得的測試實例2之光學資訊記錄媒體之層L1至L3的功率邊限之初始狀態。結果展示於圖5中。
可自圖5理解以下內容。
甚至在將不同於WZCPO的基於PdO之材料用於無機記錄層中之情況下，藉由在無機記錄層之表面上使用SIZ層，與使用ITO層之情況相比，可能拓寬功率邊限。此處，藉由針對L2層僅將ITO用於第一保護層(下部側)且在第二保護層(上部側)上使用SIZ且將SIZ用於L3層中之上部及下部保護層兩者(與將ITO用於上部及下部保護層兩者之L1層大不相同)，可理解，按L1、L2及L3之次序拓寬功率邊限。因此，可理解，SIZ具有對高記錄功率邊限之影響。然而，組合WZCPO層與SIZ層之情況具有較大程度的功率邊限改良。
此處，僅展示將SIZ層用作第一保護層及第二保護層之情況；然而，據認為甚至在將IGZO層用作第一保護層及第二保護層之情況下，仍可獲得相同效應。
<3.　SIZ層之形成位置> (測試實例3-1)
按與在測試實例1-4中相同的方式獲得光學資訊記錄媒體。
(測試實例3-2)
按除了如下展示的層L2之第一保護層及第二保護層之材料、厚度及膜形成方法之外與測試實例3-1中相同的方式獲得光學資訊記錄媒體。
第一保護層(下部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=40:30:40(mol%))
厚度：10 nm
膜形成方法：RF濺鍍方法
(測試實例3-3)
按除了如下展示的層L2之第一保護層及第二保護層之材料、厚度及膜形成方法之外與測試實例3-1中相同的方式獲得光學資訊記錄媒體。
第二保護層(上部側)
材料：SIZ(SiO2:In2O3:ZrO2=40:30:40(mol%))
厚度：25 nm
膜形成方法：RF濺鍍方法
(測試實例3-4)
按與在測試實例1-1中相同的方式獲得光學資訊記錄媒體。
(功率邊限)
按與測試實例1-1至1-5相同的方式計算按上述方式獲得的測試實例3-1至3-4之光學資訊記錄媒體之層L2的功率邊限之初始狀態。結果展示於圖6中。
可自圖6理解以下內容。
在將SIZ用作第一保護層及第二保護層中之一者的材料之情況下，與將ITO用作第一保護層及第二保護層兩者之材料之情況相比，可能改良功率邊限。
當將SIZ用作第一保護層(下部側)之材料時，與將SIZ用作第二保護層(上部側)之材料之情況相比，可能改良功率邊限。
當將SIZ用作第一保護層及第二保護層兩者之材料時，與將SIZ用作第一保護層及第二保護層中之一者的材料之情況相比，可能改良功率邊限。
因此，自獲得有利的功率邊限之觀點看來，較佳地，將SIZ用作第一保護層及第二保護層中之一者的材料，詳言之，用作第一保護層(下部側)之材料，且更佳地，將SIZ用作第一保護層及第二保護層兩者之材料。
此處，已僅展示將SIZ層用作第一保護層及/或第二保護層之情況；然而，據認為甚至在將IGZO層用作第一保護層及第二保護層之情況下，仍可獲得相同效應。
<4.　無機記錄層之組合物> (測試實例4-1至4-15)
首先，藉由射出成形形成具有1.1 mm之厚度的聚碳酸酯基板。此處，將具有凹槽之凹凸表面形成於聚碳酸酯基板上。接下來，藉由濺鍍方法將第一保護層、無機記錄層及第二保護層依序層壓於聚碳酸酯基板上。每一層之特定組態為如下。
第一保護層
材料：SIZ，厚度：10 nm
無機記錄層
材料：WZCPO，厚度：40 nm
第二保護層
材料：SIZ，厚度：10 nm
然而，針對測試實例4-1至4-15中之每一者製造標靶組合物，使得在無機記錄層之WZCPO中的Cu、Zn、Pd及W中之每一者的原子比率c、d、b及a變為在表2中展示之值。
接下來，藉由藉由旋塗方法在第二保護層上均勻地塗佈紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK8300)且藉由輻照紫外線使樹脂固化，獲得具有100 μm之厚度的光透射層。
以此方式，獲得所要的光學資訊記錄媒體。
(透射率評估)
使用光譜光度計(由JASCO Corporation製造，產品名稱：V-530)量測如上文描述所獲得的測試實例4-1至4-15之光學資訊記錄媒體之關於405 nm之記錄波長的透射率。結果展示於表2中。
接下來，作為進行線性近似之方式，使用量測之透射率及原子比率c、d、b及a，藉由用每一比率乘一係數來判定每一係數，使得判定係數R之平方為最大，其中具有相對小消光係數的W氧化物及Zn氧化物之每一比率之總和作為分子，且具有相對大消光係數的Pd氧化物及Cu氧化物之每一比率之總和作為分母。結果展示於圖7A中。在圖7A中，水平軸指示變數x(=0.1d+a)/(b+0.8c))，且垂直軸指示透射率。如圖7A中所說明，線性近似由y=25.642x+45.441表示。此處，y指示透射率[%]，且x指示(0.1d+a)/(b+0.8c)。
(最佳記錄功率評估)
使用光碟測試器(由Pulstec Industrial Co.,Ltd.製造，產品名稱：ODU-1000)，藉由405 nm之記錄波長及7.69 m/s之記錄線性速度記錄及再生具有每層32 GB之密度的1-7調變資料，以計算i-MLSE值最小時之記錄功率，且將此記錄功率取作最佳記錄功率Pwo。結果說明於圖7B中。
表2說明測試實例4-1至4-15之無機記錄層的組合物比率及透射率。圖8為說明測試實例4-1至4-13之無機記錄層的組合物比率之曲線圖。
根據圖7A中說明之線性近似可理解以下內容。
對於等於或大於50%之透射率，較佳地，變數x等於或大於0.17。
對於等於或大於55%之透射率，較佳地，變數x等於或大於0.37。
對於等於或大於60%之透射率，較佳地，變數x等於或大於0.56。
對於等於或大於78%之透射率，較佳地，變數x等於或小於1.26。
此處，在多層光學資訊記錄媒體中，較佳地，等於或高於L1層的資訊信號層(L1層、L2層、L3層...)之透射率等於或大於55%。稍後將描述透射率等於或大於55%為較佳之原因。此處，在使用不同於WZCPO之記錄膜組合物(ZnS-SiO2-Sb-Sn、TePdO及其類似者)的兩層光碟的情況下，為了增大L0層之反射率，較佳地，L1層之透射率等於或大於50%。
根據圖7B中說明之線性近似可理解以下內容。
看出，對於等於或小於20 mW之最佳記錄功率Pwo，較佳地，透射率等於或小於78%。此處，最佳記錄功率Pwo：20 mW為消費型光碟機裝置之最佳記錄功率Pwo之上限值。若超過上限值，則記錄功率變得不夠，且信號性質惡化。
<5.　兩層光學資訊記錄媒體之透射率範圍> (測試實例5-1至5-12)
首先，藉由射出成形形成具有1.1 mm之厚度的聚碳酸酯基板。此處，將具有凹槽之凹凸表面形成於聚碳酸酯基板上。
接下來，藉由濺鍍方法將第一保護層、無機記錄層及第二保護層依序層壓於聚碳酸酯基板上，藉此產生L0層。此處，L0層係用作兩層光學資訊記錄媒體。
每一層之特定組態為如下。
第一保護層
材料：ITO，厚度：10 nm
無機記錄層
材料：WZCPO，厚度：26 nm至30 nm
組合物比率：a=10、b=30、c=30且d=30
第二保護層
材料：TaN，厚度：6 nm至16 nm
然而，針對測試實例5-1至5-12中之每一者製造膜形成條件，使得無機記錄層及第二保護層之厚度變為表3中展示之值。
接下來，藉由藉由旋塗方法在第二保護層上均勻地塗佈紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK8300)且藉由輻照紫外線使樹脂固化，形成具有100 μm之厚度的光透射層。
以此方式，獲得僅具有L0層之光學資訊記錄媒體。
(i-MLSE評估)
如下計算如上描述所獲得的測試實例5-1至5-12之光學資訊記錄媒體之i-MLSE。使用光碟測試器(由Pulstec Industrial Co.,Ltd.製造，產品名稱：ODU-1000)，藉由以NA=0.85、405 nm之記錄波長及7.69 m/s之記錄線性速度，按每層32 GB之密度記錄及再生1-7調變資料來計算i-MLSE值。
(反射率評估)
使用光碟測試器(由Pulstec Industrial Co.,Ltd.製造，產品名稱：ODU-1000)，量測如上描述所獲得的測試實例5-1至5-12之光學資訊記錄媒體之反射率，其中NA=0.85且記錄波長為405 nm。此處，僅使用兩層光學資訊記錄媒體之L0層製造的單層光學資訊記錄媒體之反射率被稱作L0層單獨之反射率。
表3展示測試實例5-1至5-12之光學資訊記錄媒體的i-MLSE及反射率之量測結果。
圖9A為說明如上所述計算之i-MLSE與反射率之間的關係之曲線圖。自圖9A看出，為了使L0層之i-MLSE值等於或小於11%，重要地是L0層之反射率等於或小於14%。此處，i-MLSE值11%為據稱可由消費型光碟機裝置進行錯誤校正之上限值。雖然能夠藉由使第一保護層、無機記錄層及第二保護層中之一者或組合比以上膜厚度薄來改良反射率，但i-MLSE值將接著惡化。假定i-MLSE值惡化係因為在記錄期間的氣泡之形成變得不適當(作為無機記錄層之熱積聚或熱釋放的改變之結果)。
(測試實例5-13至5-24)
以如上所述計算之L0層單獨之反射率14%作為前提，藉由計算來計算關於兩層光學資訊記錄媒體之L1層之透射率的L0層之反射率。結果說明於表4及圖9B中。此處，若L1之透射率為T且L0層之反射率為R，則藉由以下式2計算R。
R=14%(L0層單獨之反射率)×T2　(2)
表4說明測試實例5-13至5-24之光學資訊記錄媒體的L0層單獨之反射率、L1層之透射率及L0層之反射率。
自圖9B可理解，為了使兩層光學資訊記錄媒體之L1層之反射率等於或大於4%，重要地是L1層之透射率等於或大於55%。此處，L1層之反射率4%為對於使用消費型兩層相容光碟機裝置再生資訊信號所需要之下限值。
<6.　四層光學資訊記錄媒體之透射率範圍> (測試實例6-1至6-9)
當使四層光學資訊記錄媒體的L1層單獨之透射率變化時，量測L0層之i-MLSE。結果說明於表5及圖9C中。此處，由於L1之記錄性質並非所關心之主體，因此藉由根據以下條件調整無機記錄層之厚度來執行L1層之透射率之調整。
L1層之特定膜組態為如下。
第一保護層
材料：ITO，厚度：7 nm
無機記錄層
材料：WZCPO，厚度：2 nm至130 nm
組合物比率：a=25、b=10、c=40、d=25
第二保護層
材料：ITO，厚度：10 nm
L0層之特定膜組態為如下。
第一保護層
材料：ITO，厚度：8 nm
無機記錄層
材料：WZCPO，厚度：30 nm
組合物比率：a=10、b=30、c=30、d=30
第二保護層
材料：TaN，厚度：10 nm
表5說明測試實例6-1至6-9之光學資訊記錄媒體的L1層之透射率及L0層之i-MLSE值。
自圖9C可理解，為了使L0層之i-MLSE值等於或小於11%，重要地是L1層之透射率等於或大於55%。此處，i-MLSE值11%為可由消費型光碟機裝置進行錯誤校正之上限值。原因為，在L1層之透射率低之情況下，由於L0層之信號量減少，因此認為未獲得用於再生之足夠的S/N。因此，L1層之透射率愈高，則L0層之信號性質愈好。
以此方式，看出，在具有兩個層或四個層之多層光學資訊記錄媒體之情況下，較佳地，等於或高於L1層的資訊信號層(L1層、L2層、L3層...)之透射率等於或大於55%。
雖然以上已詳細描述了本發明之實施例，但本發明不限於以上描述之實施例，且基於本發明之實施例之技術理念的各種修改係可能的。
舉例而言，在以上描述之實施例中例示的組態、方法、製程、形狀、材料及數值僅為實例，且可按需要使用不同的組態、方法、製程、形狀、材料及數值。
另外，在不脫離本發明之要旨的範圍內，可將以上描述之實施例的組態、方法、製程、形狀、材料及數值相互組合。
此外，雖然已將當資訊記錄媒體包括四層資訊信號層時之情況描述為以上描述之實施例中的一實例，但資訊信號層的層之數目不限於此，且資訊信號層可能具有兩個層或兩個以上層之任一數目個層。
此外，雖然已將當本發明應用於具有一組態(其中兩個或兩個以上資訊信號層及一光透射層按此次序層壓於基板上且其中藉由自光透射層側在資訊信號層上輻照雷射束來執行資訊信號之記錄或再生)之光學資訊記錄媒體時之情況描述為以上描述之實施例中的一實例，但本發明不限於此實例。舉例而言，本發明能夠應用於具有一組態(其中兩個或兩個以上資訊信號層及一保護層按此次序層壓於基板上且其中藉由自基板側在兩個或兩個以上資訊信號層上輻照雷射束來執行資訊信號之記錄或再生)之光學資訊記錄媒體，或應用於具有一組態(其中兩個或兩個以上資訊信號層經提供於兩個基板之間且其中藉由自該等基板中之一者之側在資訊信號層上輻照雷射束來執行資訊信號之記錄或再生)之光學資訊記錄媒體。
另外，雖然已將藉由濺鍍方法形成光學資訊記錄媒體之每一層之情況描述為以上描述之實施例中的一實例，但膜形成方法不限於此，且可使用其他膜形成方法。舉例而言，作為其他膜形成方法，可使用諸如熱CVD、電漿CVD或光CVD之CVD方法(化學氣相沈積：使用化學反應將薄膜與蒸氣分離之技術)、諸如真空沈積、電漿輔助沈積或離子電鍍之PVD方法(物理氣相沈積：藉由在基板上在真空中聚結物理蒸發之材料形成薄膜之技術)。
本發明含有與在2011年2月3日在日本專利局申請之日本優先權專利申請案JP 2011-022182中揭示之標的物有關的標的物，該申請案之全部內容特此被以引用的方式併入。
熟習此項技術者應理解，可視設計要求及其他因素而出現各種修改、組合、子組合及更改，其限制條件為：該等修改、組合、子組合及更改在隨附之申請專利範圍或其等效物之範疇內。
1．．．基板
2．．．光透射層
3．．．硬塗佈層
4．．．障壁層
10．．．光學資訊記錄媒體
11．．．無機記錄層
12．．．第一保護層
13．．．第二保護層
C．．．光輻照平面
Gin．．．槽中
Gon．．．槽上
L0．．．資訊信號層
L1．．．資訊信號層
L2．．．資訊信號層
L3．．．資訊信號層
S1．．．中間層
S2．．．中間層
S3．．．中間層
圖1A為展示根據本發明之一實施例的光學資訊記錄媒體之一實例組態之示意性橫截面圖，且圖1B為展示在圖1A中展示的每一資訊信號層之一組態實例之示意圖。
圖2A為展示在測試實例1-1中的光學資訊記錄媒體之功率邊限之曲線圖，且圖2B為展示在測試實例1-2中的光學資訊記錄媒體之功率邊限之曲線圖。
圖3為展示在測試實例1-3中的光學資訊記錄媒體之功率邊限之曲線圖。
圖4A為展示在測試實例1-4中的光學資訊記錄媒體之功率邊限之曲線圖，且圖4B為展示在測試實例1-5中的光學資訊記錄媒體之功率邊限之曲線圖。
圖5為展示在測試實例2中的光學資訊記錄媒體之功率邊限之曲線圖。
圖6為展示在測試實例3-3至3-4中的光學資訊記錄媒體之功率邊限之曲線圖。
圖7A為展示在測試實例4-1至4-13之光學資訊記錄媒體中的變數x與透射率之間的關係之曲線圖，且圖7B為展示在測試實例4-1至4-13之光學資訊記錄媒體中的透射率與最佳記錄功率Pwo之間的關係之曲線圖。
圖8為展示在測試實例4-1至4-13之光學資訊記錄媒體中的無機記錄層之組合物比率之曲線圖。
圖9A為展示在測試實例5-1至5-12之光學資訊記錄媒體中的L0層之i-MLSE與L0層之反射率之間的關係之曲線圖，圖9B為展示在測試實例5-13至5-24之光學資訊記錄媒體中的L1層之反射率與L0層之反射率之間的關係之曲線圖，且圖9C為展示在測試實例6-1至6-9之光學資訊記錄媒體中的L1層之透射率與L0層之i-MLSE之間的關係之曲線圖。
1．．．基板
2．．．光透射層
3．．．硬塗佈層
4．．．障壁層
10．．．光學資訊記錄媒體
C．．．光輻照平面
Gin．．．槽中
Gon．．．槽上
L0．．．資訊信號層
L1．．．資訊信號層
L2．．．資訊信號層
L3．．．資訊信號層
S1．．．中間層
S2．．．中間層
S3．．．中間層

Claims (7)

  1. 一種光學資訊記錄媒體，其包含：一基板；提供於該基板上之複數個資訊信號層，每一資訊信號層包括一無機記錄層、提供於各別之該無機記錄層之一第一主要表面上之一第一保護層、及提供於各別之該無機記錄層之一第二主要表面上之一第二保護層；及提供於該等資訊信號層上之一覆蓋層，其中該等資訊信號層中之一第一者具備含Pd氧化物之一無機記錄層，其中該基板及該覆蓋層的側之任一表面為藉由光輻照以便在該複數個資訊信號層上記錄或再生資訊信號之一光輻照平面，且其中在該資訊信號層之該第一保護層及該第二保護層之中，僅有該第一保護層及該第二保護層中的與該光輻照平面對置之保護層包括作為一主要組分的Si氧化物、In氧化物與Zr氧化物之一複合氧化物。
  2. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中對於一第二資訊信號層而言，該第一保護層及該第二保護層皆包括作為一主要組分之該複合氧化物。
  3. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中該等資訊信號層之至少一者之該無機記錄層包括作為主要組分之W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物。
  4. 如請求項3之光學資訊記錄媒體， 其中該無機記錄層進一步包括Zn氧化物。
  5. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中對於不同於距該光輻照平面之背面較遠之一資訊信號層之一第二資訊信號層而言，該第一保護層及該第二保護層中之至少一者包括作為一主要組分之該複合氧化物。
  6. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中對於最接近該光輻照平面之一第二資訊信號層而言，該第一保護層及該第二保護層中之至少一者包括作為一主要組分之該複合氧化物。
  7. 一種光學資訊記錄媒體，其包含：一基板；提供於該基板上之複數個資訊信號層，每一資訊信號層包括一無機記錄層、提供於各別之該無機記錄層之一第一主要表面上之一第一保護層、及提供於各別之該無機記錄層之一第二主要表面上之一第二保護層；及提供於該等資訊信號層上之一覆蓋層，其中該等資訊信號層中之一第一者具備含Pd氧化物之一無機記錄層，其中該基板及該覆蓋層的側之任一表面為藉由光輻照以便在該複數個資訊信號層上記錄或再生資訊信號之一光輻照平面，且其中在該資訊信號層之該第一保護層及該第二保護層之中，僅有該第一保護層及該第二保護層中的與該 光輻照平面對置之保護層包括作為一主要組分的Si氧化物、In氧化物與Zr氧化物之一複合氧化物。
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