JPWO2017175580A1 - 光記録媒体およびその製造方法、光記録媒体用記録層 - Google Patents

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Abstract

光記録媒体は、２以上の記録層と、２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面とを備える。２以上の記録層のうち光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含む。金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種である。金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす。【選択図】図１

Description

本技術は、光記録媒体およびその製造方法、光記録媒体用記録層に関する。詳しくは、２層以上の記録層を有する光記録媒体に関する。
これまでＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＢＤ（Blu-ray Disc（登録商標））などが光記録媒体の市場を牽引してきた。しかし、近年では、映像の４Ｋ化や映像のファイルベース化、コールドデータで保存されるデータの急激な増大に伴い、光記録媒体の更なる大容量化が求められている。この要求に応えるべく、ＡＤ（Archival Disc）などの両面記録層に対応した大容量の光記録媒体が登場し、新たな大容量の光記録媒体の市場が立ち上がりつつある。
記録可能な光記録媒体としては、ＣＤ−ＲＷ(Compact Disc-ReWritable)、ＤＶＤ±ＲＷ(Digital Versatile Disc±ReWritable)に代表される書換型の光記録媒体と、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordable）やＤＶＤ−Ｒ（Digital Versatile Disc-Recordable）に代表される追記型の光記録媒体とがあるが、特に、後者は低価格メディアとして市場の拡大に大きく貢献してきた。したがって、青色レーザーに対応した大容量の光記録媒体においても、市場を拡大させるためには、追記型の光記録媒体の低価格化が必要になると考えられる。さらに光記録媒体は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）やフラッシュメモリなどと比べて、その記録再生原理から保存信頼性が高いと一般的に言われており、重要情報の保管に使われ始めるなどアーカイバルメディアとしての需要が近年高くなっている。
追記型の光記録媒体に用いられる記録材料としては、無機材料と有機色素材料とがある。従来の追記型の光記録媒体では記録材料として有機色素材料が主に検討されてきたが、近年の大容量の光記録媒体では記録材料として無機材料も広く検討されている（例えば特許文献１〜３参照）。
ところで、近年では、記録可能なＤＶＤやＢＤなどの高密度の光記録媒体においては、記録容量をさらに増大させるために、記録層を多層化する技術が広く採用されている。多層の光記録媒体では、情報読み取り面側から最も奥に位置する記録層に対する情報信号の記録および再生は、その手前側にある記録層を透過したレーザー光を用いて行われることとなる。このため、記録層の層数が増加するほど、最も奥に位置する記録層にレーザー光が到達するまでに透過しなければならない記録層の層数が多くなり、情報読み取り面側から最も奥に位置する記録層以外の記録層では、高い透過率を有することが望まれる。さらに記録容量を増大させるために、多層膜を媒体の両面に設けた構成も採用されている。両面化することで容量がさらに２倍程度に増大する。
追記型の光記録媒体においても、記録層を多層化し、記録容量をさらに増大する要求が高まっており、この要求に応えるためには、無機記録層の透過率の向上が重要な技術の１つとなる。
特許第５６６２８７４号公報 特許第５３４６９１５号公報 特許５７９９７４２号公報
本技術の目的は、優れた透過特性を有する光記録媒体用記録層、それを備える光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
上述の課題を解決するために、第１の技術は、２以上の記録層と、２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面とを備え、２以上の記録層のうち光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体である。
第２の技術は、２以上の記録層と、２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面とを備え、２以上の記録層のうち光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体である。
第３の技術は、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体用記録層である。
第４の技術は、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体用録媒層である。
第５の技術は、少なくとも酸素との反応性スパッタリングにより２以上の記録層を形成する工程を備え、２以上の記録層のうち、これらの２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体の製造方法である。
第６の技術は、少なくとも酸素との反応性スパッタリングにより２以上の記録層を形成する工程を備え、２以上の記録層のうち、これらの２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体の製造方法である。
以上説明したように、本技術によれば、優れた透過特性を有する光記録媒体用記録層を実現することができる。
図１は、本技術の第１の実施形態に係る光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。 図２は、図１に示した各情報信号層の一構成例を示す模式図である。 図３は、実施例１〜２３、比較例１〜４の光記録媒体における変数ｘと透過率との関係を示すグラフである。 図４Ａは、未記録状態における実施例２４の光記録媒体の各種信号の測定結果を示す図である。図４Ｂは、記録状態における実施例２４の光記録媒体の各種信号の測定結果を示す図である。 図５Ａは、未記録状態における実施例２６の光記録媒体の各種信号の測定結果を示す図である。図５Ｂは、記録状態における実施例２６の光記録媒体の各種信号の測定結果を示す図である。 図６Ａは、実施例９〜１２、１４、１９、比較例３〜６の光記録媒体のＳＥＲの測定結果を示すグラフである。図６Ｂは、未記録状態における比較例４の光記録媒体の各種信号の測定結果を示す図である。
本技術では、複数の記録層が基板上に設けられ、その記録層上にカバー層が設けられていることが好ましい。このカバー層の厚さは特に限定されるものではないが、高密度の光記録媒体では、高ＮＡの対物レンズが用いられるため、カバー層としてシート、コーティング層などの薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録および再生を行うことが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、光記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。
本技術において、保存信頼性向上の観点からすると、光記録媒体は、記録層の少なくとも一方の表面に誘電体層をさらに備えることが好ましく、記録層の両方の表面に誘電体層を備えることがより好ましい。層構成や製造設備の簡略化の観点からすると、記録層のいずれの表面にも誘電体層を設けずに、記録層を単独で用いることが好ましい。
本技術において、光記録媒体が、記録層と、この記録層の少なくとも一方の面側に設けられた誘電体層とを備える複数の情報信号層を有する場合、生産性の観点からすると、複数の情報信号層がすべて同一の層構成を有していることが好ましい。複数の情報信号層が第１の誘電体層と、記録層と、第２の誘電体層とを備える同一の層構成を有する場合、生産性の観点からすると、第１の誘電体層、記録層および第２の誘電体層それぞれが、各情報信号層にて同一種の材料を含むものであることが好ましい。
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態
１．１ 光記録媒体の構成
１．２ 光記録媒体の製造方法
１．３ 効果
２ 第２の実施形態
２．１ 光記録媒体の構成
２．２ 光記録媒体の製造方法
２．３ 効果
＜１ 第１の実施形態＞
［１．１ 光記録媒体の構成］
図１に示すように、本技術の第１の実施形態に係る光記録媒体１は、いわゆる多層の追記型光記録媒体であり、第１ディスク１０と、第２ディスク２０と、第１、第２ディスク１０、２０の間に設けられた貼合層３０とを備える。光記録媒体１は、グルーブトラックおよびランドトラックの両方にデータを記録する方式（以下「ランド／グルーブ記録方式」という。）の光記録媒体であり、中央に開口（以下「センターホール」という。）が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体１の形状は円盤形状に限定されるものではなく、これ以外の形状であってもよい。
第１ディスク１０は、情報信号層Ｌ０、スペーサ層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、スペーサ層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１の一主面に積層された構成を有する。第２ディスク２０は、情報信号層Ｌ０、スペーサ層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、スペーサ層Ｓｍ、情報信号層Ｌｍ、カバー層である光透過層２２がこの順序で基板２１の一主面に積層された構成を有する。但し、ｎ、ｍはそれぞれ独立して２以上の整数である。なお、以下の説明において、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍを特に区別しない場合には、情報信号層Ｌという。
光記録媒体１は、情報信号を記録または再生するための光が照射される光照射面を両面に有する。より具体的には、第１ディスク１０の情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第１光照射面Ｃ１と、第２ディスク２０の情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第２光照射面Ｃ２とを有する。
第１ディスク１０では、情報信号層Ｌ０が第１光照射面Ｃ１を基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層Ｌ１〜Ｌｎが位置している。このため、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。一方、第２ディスク２０では、情報信号層Ｌ０が第２光照射面Ｃ２を基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層Ｌ１〜Ｌｍが位置している。このため、情報信号層Ｌ１〜Ｌｍは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。なお、図示しないが、光記録媒体１が、光透過層１２、２２の表面（第１、第２光照射面Ｃ１、Ｃ２）にハードコート層をさらに備えていてもよい。
光記録媒体１では、第１ディスク１０の情報信号の記録または再生は以下のようにして行われる。すなわち、光透過層１２側の第１光照射面Ｃ１からレーザー光を、第１ディスク１０に含まれる各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、第１ディスク１０の情報信号の記録または再生が行われる。例えば、３５０ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザー光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層１２の側から、第１ディスク１０に含まれる各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。
一方、第２ディスク２０の情報信号の記録または再生は以下のようにして行われる。すなわち、光透過層２２側の第２光照射面Ｃ２からレーザー光を、第２ディスク２０に含まれる各情報信号層Ｌ０〜Ｌｍに照射することにより、第２ディスク２０の情報信号の記録または再生が行われる。例えば、３５０ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザー光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層２２の側から、第２ディスク２０に含まれる各情報信号層Ｌ０〜Ｌｍに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。また第１ディスク１０と第２ディスク２０のスパイラル方向は逆であっても良い。この場合、第１ディスク１０と第２ディスク２０を貼り合わせた光記録媒体（両面ディスク）１の同時記録再生が可能となるため、記録や再生時のデータ転送速度を約２倍に高めることができる。
以下、光記録媒体１を構成する基板１１、２１、貼合層３０、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍ、スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍおよび光透過層１２、２２について順次説明する。
（基板）
基板１１、２１は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板１１、２１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をランドＬｄといい、凸部をグルーブＧｖという。
ランドＬｄおよびグルーブＧｖの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、ランドＬｄおよび／またはグルーブＧｖが、線速度の安定化やアドレス情報付加などのためにウォブル（蛇行）されていてもよい。
基板１１、２１の外径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１１、２１の内径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。基板１１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上０．５４５ｍｍ以下、より好ましくは０．４４５ｍｍ以上０．５４５ｍｍ以下である。
基板１１、２１の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、成形性の観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。またコストの観点からポリカーボネート系樹脂が用いられることが多い。
（貼合層）
貼合層３０は、硬化した紫外線硬化樹脂により構成されている。この貼合層３０により、第１ディスク１０と第２ディスク２０とが貼り合わされる。より具体的には、光透過層１２、２２がそれぞれ表面側となるようにして、第１ディスク１０の基板１１と第２ディスク基板の基板２１とが貼り合わされる。
貼合層３０の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上０．２２ｍｍ以下である。紫外線硬化樹脂は、例えばラジカル重合紫外線硬化樹脂である。
（情報信号層）
情報信号層Ｌは、凹状のトラック（以下「ランドトラック」という。）および凸状のトラック（以下「グルーブトラック」という。）を有している。本実施形態に係る光記録媒体１は、ランドトラックおよびグルーブトラックの両方に情報信号を記録可能に構成されている。ランドトラックとグルーブトラックとのピッチＴｐが、高記録密度の観点からすると、０．２２５ｎｍ以下であることが好ましい。
図２に示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、上面（第１の主面）および下面（第２の主面）を有する無機記録層４１と、無機記録層４１の上面に隣接して設けられた誘電体層４２と、無機記録層４１の下面に隣接して設けられた誘電体層４３とを備える。このような構成とすることで、無機記録層４１の耐久性を向上することができる。ここで、上面とは、無機記録層４１の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される側の主面をいい、下面とは、上述のレーザー光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板１１側の主面をいう。なお、情報信号層Ｌ０〜Ｌｍの構成は、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎと同様とすることができるので、説明を省略する。
（記録層）
第１光照射面Ｃ１から最も奥側となる情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌｎのうちの少なくとも１層の無機記録層４１が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を主成分として含んでいる。金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種である。金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物にそれぞれ含まれる金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１、好ましくは０．４６≦ｘ１≦１．７０の関係を満たしている。これにより、光記録媒体１の情報信号層Ｌとして求められる特性を満たしつつ、優れた透過特性を実現できる。ここで、光記録媒体１の情報信号層Ｌとして求められる特性としては、良好な信号特性、高記録パワーマージンおよび高再生耐久性などが挙げられる。
但し、ｘ１は、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
ａ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］
ｂ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］
ｃ：金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］）
第１光照射面Ｃ１から最も奥側となる情報信号層Ｌ０に到達する光量を増やす観点からすると、情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌｎが有する無機記録層４１が全て、上記の３元系酸化物を主成分として含み、かつ上記の関係（０．４６≦ｘ１）を満たしていることが好ましい。また、一般的に最奥の情報信号層Ｌ０に近い情報信号層Ｌほど高い記録感度が必要なために透過率が低くなりやすいことから、第１光照射面Ｃ１に近い情報信号層Ｌほど高透過率となるよう設計することが多い。よって、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの無機記録層４１の変数ｘ１の値は、第１光照射面Ｃ１に近い情報信号層Ｌのものほど大きな値となることが好ましい。
また、良好な信号特性、高記録パワーマージンおよび高再生耐久性の観点からすると、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎが有する無機記録層４１全てが、上記の３元系酸化物を主成分として含み、かつ上記の関係（０．４６≦ｘ１）を満たしていることが好ましい。また、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの無機記録層４１の変数ｘ１の値は、第１光照射面Ｃ１に近い情報信号層Ｌのものほど大きな値となることが好ましい。第１光照射面Ｃ１に近い情報信号層Ｌほど透過率を高くすることができるからである。
Ａ金属、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対するＡ金属の原子比率ａは、好ましくは１０原子％以上７０原子％以下、より好ましくは３３原子％以上６８原子％以下の範囲内である。原子比率ａが１０原子％未満であると、低透過率となる傾向がある。一方、原子比率ａが７０原子％を超えると、記録感度低下となる傾向がある。
Ａ金属、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｂの原子比率ｂは、好ましくは２原子％以上４０原子％以下、より好ましくは５原子％以上３０原子％以下の範囲内である。原子比率ｂが２原子％未満であると、記録パワーマージンが狭くなる傾向がある。一方、原子比率ｂが４０原子％を超えると、低透過率となる傾向がある。
Ａ金属、金属Ｂおよび金属Ｃの合計に対する金属Ｃの原子比率ｃは、好ましくは５原子％以上５０原子％以下、より好ましくは２７原子％以上３７原子％以下の範囲内である。原子比率ｃが５原子％未満であると、再生耐久性が弱くなる傾向がある。一方、原子比率ｃが５０原子％を超えると、低透過率となる傾向がある。
情報信号層Ｌ１〜Ｌｎにおける上記の３元系酸化物以外の無機記録層４１の材料としては、例えば、Ｉｎ酸化物とＰｄ酸化物の混合物、またはＷ酸化物とＰｄ酸化物の混合物を用いることも可能である。但し、光記録媒体１の低コスト化のためには、無機記録層４１の材料として貴金属であるＰｄを含まない上記の３元系酸化物を用いることが好ましい。
第１光照射面Ｃ１から最も奥側となる情報信号層Ｌ０の無機記録層４１の材料としては、Ｉｎ酸化物とＰｄ酸化物、またはＷ酸化物とＰｄ酸化物の混合物を用いることも可能である。但し、低コスト化の観点からすると、無機記録層４１の材料としては、上記の３元系酸化物を用いることが好ましい。
無機記録層４１の厚さは、好ましくは２５ｎｍ以上６０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内である。２５ｎｍ未満であると、信号特性悪化となる傾向がある。一方、６０ｎｍを超えると、記録パワーマージンが狭くなる傾向がある。
（誘電体層）
誘電体層４２、４３が酸素バリア層として機能することで、無機記録層４１の耐久性を向上することができる。また、無機記録層４１の酸素の逃避を抑制することで、無機記録層４１の膜質の変化（主に反射率の低下として検出）を抑制することができ、無機記録層４１として必要な膜質を確保することができる。さらに、誘電体層４２、４３を設けることで、記録特性を向上させることができる。これは、誘電体層４２、４３に入射したレーザー光の熱拡散が最適に制御されて、記録部分における泡が大きくなりすぎたり、Ｍｎ酸化物の分解が進みすぎて泡がつぶれるといったことが抑制され、記録時の泡の形状を最適化することができるためと考えられる。
誘電体層４３の光学膜厚（光路長）ｎ×Ｔ（但し、ｎ：誘電体層４３の屈折率、Ｔ：誘電体層４３の物理膜厚）が、ｎ×Ｔ≧３２ｎｍの関係を満たすことが好ましい。凹部としてのランドＬｄや凸部としてのグルーブＧｖに情報信号を記録（ランド／グルーブ記録）する際のトラッキングオフセットを抑制することができるからである。
誘電体層４２、４３の材料としては、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含んでいる。誘電体層４２、４３の材料としては、互いに同一または異なる材料を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、ＴｉおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＩＺ）、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＣＺ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＣｅＯ2（ＩＣＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3（ＩＧＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3−ＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、Ｓｎ2Ｏ3−Ｔａ2Ｏ5（ＴＴＯ）、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3−ＢａＯなどが挙げられる。
誘電体層４３の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内である。２ｎｍ未満であると、バリア効果が小さくなる傾向がある。一方、３０ｎｍを超えると、記録パワーマージン減少（悪化）となる傾向がある。
誘電体層４２の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内である。２ｎｍ未満であると、バリア効果が小さくなる傾向がある。一方、５０ｎｍを超えると、記録パワーマージン減少（悪化）となる傾向がある。
第１、第２ディスク１０、２０の情報信号層Ｌの層数が３層である場合、情報信号層Ｌ０〜Ｌ２としては、以下の構成を有するものを組み合わせて用いることが好ましい。高感度が求められ、ｘ１が小さい値となる最奥層に近い情報信号層Ｌ１の無機記録層４１は、ＭｎやＣｕが多くなりやすいために、記録後透過率変動が大きくなりやすい。このため、誘電体層４２、４３として消衰係数が０．０５以上のものを用い、透過率変動を抑制することが好ましい。また、高透過率が求められ、ｘ１が大きい値となる情報信号層Ｌ２の無機記録層４１は、記録後透過率変化は小さいがパワーマージンが狭くなりやすいので、誘電体層４２、４３としてＳＩＺまたはＩＧＺＯを含むものを用い、パワーマージンの確保をすることが好ましい。
（情報信号層Ｌ０）
誘電体層４２：ＳＩＺ
無機記録層４１：ＷＣＯＭ（０．３≦ｘ１≦０．５）
誘電体層４３：ＩＴＯ
（情報信号層Ｌ１）
誘電体層４２：ＳＩＺ
無機記録層４１：ＷＣＯＭ（０．６≦ｘ１≦１．０）
誘電体層４３：ＳＩＺ
（情報信号層Ｌ２）
誘電体層４２：ＳＩＺ
無機記録層４１：ＷＣＯＭ（０．９≦ｘ１≦１．４）
誘電体層４３：ＳＩＺ
なお、本明細書において、“ＷＣＭＯ“とは、Ｗ酸化物、Ｍｎ酸化物およびＣｕ酸化物の３成分からなる混合物を意味する。
（スペーサ層）
スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍはそれぞれ、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のランドＬｄおよびグルーブＧｖを形成している。スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍの厚みとしては９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましい。スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍの材料としては特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍは奥層へのデータの記録および再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
（光透過層）
光透過層１２、２２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを情報信号層Ｌｎ、Ｌｍに対して貼り合わせるための接着層とから光透過層１２、２２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。
光透過層１２、２２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば５７μｍに選ばれる。このような薄い光透過層１２、２２と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
（ハードコート層）
ハードコート層は、第１、第２光照射面Ｃ１、Ｃ２に耐擦傷性などを付与するためのものである。ハードコート層の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、有機無機ハイブリッド系樹脂などを用いることができる。ハードコート層が、機械的強度の向上のために、シリカゲルの微粉末を含んでいてもよい。
上述の構成を有する光記録媒体１では、無機記録層４１にレーザー光が照射されると、Ｍｎ酸化物がレーザー光により加熱され、分解して酸素を放出し、レーザー光が照射された部分に気泡が生成される。これにより、情報信号の不可逆的な記録を行うことができる。
［１．２ 光記録媒体の製造方法］
次に、本技術の第１の実施形態に係る光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
（第１ディスクの作製工程）
第１ディスク１０を以下のようにして作製する。
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１１を成形する。基板１１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
（情報信号層の形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、基板１１上に、誘電体層４３、無機記録層４１、誘電体層４２を順次積層することにより、情報信号層Ｌ０を形成する。以下に、誘電体層４３、無機記録層４１および誘電体層４２の形成工程について具体的に説明する。
（誘電体層の成膜工程）
まず、基板１１を、誘電体材料を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１１上に誘電体層４３を成膜する。スパッタリング法として、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
（無機記録層の成膜工程）
次に、基板１１を、無機記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、誘電体層４３上に無機記録層４１を成膜する。
ここで、無機記録層成膜用のターゲットは、例えば、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物の３元系酸化物を主成分として含んでいる。この３元系酸化物に含まれる金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１、好ましくは０．４６≦ｘ１≦１．７０の関係を満たしている。なお、ｘ１は、上述したように、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
無機記録層成膜用のターゲットの３元系酸化物としては、無機記録層４１と同様の組成を有するものが好ましい。
また、少なくとも酸素との反応性スパッタリングにより無機記録層４１を形成するようにしてもよい。この場合、光記録媒体用ターゲットとしては、金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃを主成分として含み、金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１、好ましくは０．４６≦ｘ１≦１．７０の関係を満たしている。なお、ｘ１は、上述したように、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
（誘電体層の成膜工程）
次に、基板１１を、誘電体材料を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、無機記録層４１上に誘電体層４２を成膜する。スパッタリング法として、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
以上により、基板１１上に情報信号層Ｌ０が形成される。
（スペーサ層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばランドＬｄおよびグルーブＧｖが設けられたスペーサ層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。
（情報信号層およびスペーサ層の形成工程）
次に、上述の情報信号層Ｌ０およびスペーサ層Ｓ１の形成工程と同様にして、情報信号層Ｌ１、スペーサ層Ｓ２、情報信号層Ｌ３、・・・、スペーサ層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎをこの順序でスペーサ層Ｓ１上に積層する。この際、成膜条件やターゲット組成などを適宜調整することにより、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎを構成する誘電体層４３、無機記録層４１および誘電体層４２の膜厚や組成などを適宜調整するようにしてもよい。また、スピンコート法の条件を適宜調整することにより、スペーサ層Ｓ２〜Ｓｎの厚さを適宜調整するようにしてもよい。
（光透過層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌｎ上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌｎ上に光透過層１２が形成される。以上により、第１ディスク１０が作製される。
（第２ディスクの作製工程）
第２ディスクの作製工程は、上述の第１ディスクの作製工程と同様であるので、説明を省略する。
（貼り合わせ工程）
次に、以下のようにして、スピンコート法により、上述のようにして作製された第１、第２ディスク１０、２０の間に接着剤としての紫外線硬化樹脂を延伸させる。まず、第２ディスク２０の両主面のうち第２光照射面Ｃ２とは反対側の主面に、センターホールの周縁に沿って紫外線硬化樹脂をリング状に塗布する。次に、第１ディスク１０の両主面のうち第１光照射面Ｃ１とは反対側の主面と、第２ディスク２０の両主面のうち第２光照射面Ｃ２とは反対側の主面とが対向するようにして、第１ディスク１０を紫外線硬化樹脂を介して第２ディスク２０に対して押し付ける。
次に、第１、第２ディスク１０、２０を回転させて、第１、第２ディスク１０、２０間において、紫外線硬化樹脂を第１、第２ディスク１０、２０の半径方向に延伸する。この際、回転速度により紫外線硬化樹脂の厚さが所定の厚さになるように調整される。これにより、第１、第２ディスク１０、２０間において、紫外線硬化樹脂が第１、第２ディスク１０、２０の内周部から外周部まで行き渡される。以上により、未硬化の光記録媒体が得られる。
なお、上記の紫外線硬化樹脂の延伸工程において、第１、第２ディスク１０、２０の外周部に対して紫外線を照射し、外周部まで延伸された紫外線硬化樹脂を仮硬化させることが好ましい。これにより、第１、第２ディスク１０、２０の外周部における開きの発生を抑制できる。
次に、以下に示すように、上述のようにして作製された未硬化の光記録媒体の貼り合わせを行う。すなわち、紫外線ランプにより、未硬化の光記録媒体の両面側から紫外線を照射して、紫外線硬化樹脂を硬化する。これにより、目的とする光記録媒体１が得られる。
［１．３ 効果］
上述の第１の実施形態に係る光記録媒体は、２以上の無機記録層４１を備え、２以上の無機記録層４１のうち第１、第２光照射面Ｃ１、Ｃ２から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を主成分として含む。金属ＡはＷ、Ｍｏ、Ｚｒのうちの少なくとも１種であり、金属ＢはＭｎであり、金属ＣはＣｕ、Ａｇ、Ｎｉのうちの少なくとも１種である。金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物にそれぞれ含まれる金属Ａ、金属Ｂおよび金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１の関係を満たしている。これにより、優れた透過特性かつ良好な記録特性を有する無機記録層４１およびそれを備える光記録媒体１を廉価で実現することができる。
＜２ 第２の実施形態＞
［２．１ 光記録媒体の構成］
第２の実施形態に係る光記録媒体１は、第１、第２光照射面Ｃ１、Ｃ２から最も奥側となる情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌｎ、Ｌ１〜Ｌｍのうちの少なくとも１層の無機記録層４１が、第１の実施形態の３元系酸化物にさらに金属Ｄの酸化物を加えた４元系酸化物を主成分として含んでいる点において、第１の実施形態に係る光記録媒体１とは異なっている。情報信号層Ｌ０〜Ｌｍの構成は、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの構成と同様とすることができるので、以下では情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの構成についてのみ説明する。
金属Ｄは、ＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種である。金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物にそれぞれ含まれる金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２、好ましくは０．４６≦ｘ２≦１．７０の関係を満たす。
但し、ｘ２は、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
ａ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ａの原子比率［原子％］
ｂ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｂの原子比率［原子％］
ｃ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｃの原子比率［原子％］
ｄ：金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｄの原子比率［原子％］
金属ＡがＷであり、かつ金属ＤがＺｎである場合には、Ｗの原子比率ａを減らすことでエージング前後の最適記録パワー差を抑制することができることから、記録に対する長寿命性を達成する。また、金属ＡがＷであり、かつ金属ＤがＺｎである場合には、信号ノイズ低減のために、無機記録層４１中におけるＺｎの原子比率ｄが、無機記録層４１中におけるＷの原子比率ａ以上であることが好ましい。
第１光照射面Ｃ１から最も奥側となる情報信号層Ｌ０に到達する光量を増やす観点からすると、情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌｎが有する無機記録層４１が全て、上記の４元系酸化物を主成分として含み、かつ上記の関係（０．４６≦ｘ２）を満たしていることが好ましい。また、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの無機記録層４１の変数ｘ２の値は、第１光照射面Ｃ１に近い情報信号層Ｌのものほど大きな値となることが好ましい。第１光照射面Ｃ１に近い情報信号層Ｌほど透過率を高くすることができるからである。
また、良好な信号特性、高記録パワーマージン、高再生耐久性および高寿命性などの観点からすると、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎが有する無機記録層４１全てが、上記の４元系酸化物を主成分として含み、かつ上記の関係を満たしていることが好ましい。また、一般的に最奥層に近い情報信号層Ｌほど高い記録感度が必要なために透過率が低くなりやすいことから、第１光照射面Ｃ１に近い情報信号層Ｌほど高透過率となるよう設計することが多い。よって、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの無機記録層４１の変数ｘ２の値は、第１光照射面Ｃ１に近い情報信号層Ｌのものほど大きな値となることが好ましい。
金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ａの原子比率ａは、好ましくは２０原子％以上４０原子％以下、より好ましくは２０原子％以上３６原子％以下の範囲内である。原子比率ａが２０原子％未満であると、低透過率となる傾向がある。一方、原子比率ａが４０原子％を超えると、記録感度の低下やエージング前後の最適記録パワー差の増大を招く傾向がある。
金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｂの原子比率ｂは、好ましくは５原子％以上３０原子％以下、より好ましくは８原子％以上２６原子％以下の範囲内である。原子比率ｂが５原子％未満であると、記録パワーマージンが狭くなる傾向がある。一方、原子比率ｂが３０原子％を超えると、低透過率となる傾向がある。
金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｃの原子比率ｃは、好ましくは５原子％以上４０原子％以下、より好ましくは５原子％以上４０原子％以下の範囲内である。原子比率ｃが５原子％未満であると、成膜レート低下による生産性低下や再生耐久性が弱くなる傾向がある。一方、原子比率ｃが４０原子％を超えると、低透過率となる傾向がある。
金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの合計に対する金属Ｄの原子比率ｄは、好ましくは２０原子％以上７０原子％以下、より好ましくは２２原子％以上６１原子％以下の範囲内である。原子比率ｄが２０原子％未満であると、金属ＡがＷを含む場合にＳＥＲ（Symbol Error Rate）が悪化する傾向がある。一方、原子比率ｄが７０原子％を超えると、高温高湿環境下での耐久性が弱くなる傾向がある。
情報信号層Ｌ１〜Ｌｎにおける上記の４元系酸化物以外の無機記録層４１の材料としては、例えば、Ｉｎ酸化物とＰｄ酸化物の混合物、またはＷ酸化物とＰｄ酸化物の混合物を用いることも可能である。但し、光記録媒体１の低コスト化のためには、無機記録層４１の材料として貴金属であるＰｄを含まない上記の４元系酸化物を用いることが好ましい。
第１光照射面Ｃ１から最も奥側となる情報信号層Ｌ０の無機記録層４１の材料としては、Ｉｎ酸化物とＰｄ酸化物、またはＷ酸化物とＰｄ酸化物の混合物を用いることも可能である。但し、低コスト化の観点からすると、無機記録層４１の材料としては、上記の４元系酸化物を用いることが好ましい。
第１、第２ディスク１０、２０の情報信号層Ｌの層数が３層である場合、情報信号層Ｌ０〜Ｌ２としては、以下の構成を有するものを組み合わせて用いることが好ましい。高感度が求められ、ｘ２が小さい値となる最奥層に近い情報信号層Ｌ１の無機記録層４１は、ＭｎやＣｕが多くなりやすいために、記録後透過率変動が大きくなりやすい。このため、誘電体層４２、４３として消衰係数が０．０５以上のものを用い、透過率変動を抑制することが好ましい。また、高透過率が求められ、ｘ２が大きい値となる情報信号層Ｌ２の無機記録層４１は、記録後透過率変化は小さいがパワーマージンが狭くなりやすいので、誘電体層４２、４３としてＳＩＺまたはＩＧＺＯを含むものを用い、パワーマージンの確保をすることが好ましい。
金属ＡがＷであり、金属ＤがＺｎである場合、無機記録層４１中におけるＺｎの原子比率が、無機記録層４１中におけるＷの原子比率以上であることが好ましい。ＳＥＲを低減することができる。
（情報信号層Ｌ０）
誘電体層４２：ＳＩＺ
無機記録層４１：ＷＺＣＭＯ（０．３≦ｘ２≦０．５）
誘電体層４３：ＩＴＯ
（情報信号層Ｌ１）
誘電体層４２：ＳＩＺ
無機記録層４１：ＷＺＣＭＯ（０．６≦ｘ２≦１．０）
誘電体層４３：ＳＩＺ
（情報信号層Ｌ２）
誘電体層４２：ＳＩＺ
無機記録層４１：ＷＺＣＭＯ（０．９≦ｘ２≦１．４）
誘電体層４３：ＳＩＺ
本明細書において、“ＷＺＣＭＯ”とは、Ｗ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｃｕ酸化物およびＭｎ酸化物の４成分からなる混合物を意味する。
［２．２ 光記録媒体の製造方法］
本技術の第２の実施形態に係る光記録媒体の製造方法は、無機記録層の成膜工程以外の点においては、第１の実施形態に係る光記録媒体の製造方法と同様であるので、以下では無機記録層の成膜工程についてのみ説明する。
（無機記録層の成膜工程）
基板１１を、無機記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、誘電体層４３上に無機記録層４１を成膜する。
ここで、無機記録層成膜用のターゲットは、第１の実施形態の３元系酸化物にさらに金属Ｄの酸化物を加えた４元系酸化物を主成分として含んでいる。この４元系酸化物に含まれる金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２、好ましくは０．４６≦ｘ２≦１．７０の関係を満たしている。なお、ｘ２は、上述したように、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
無機記録層成膜用のターゲットの４元系酸化物としては、無機記録層４１と同様の組成を有するものが好ましい。
また、少なくとも酸素との反応性スパッタリングにより無機記録層４１を形成するようにしてもよい。この場合、光記録媒体用ターゲットとしては、金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄを主成分として含み、金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２、好ましくは０．４６≦ｘ２≦１．７０の関係を満たしている。なお、ｘ２は、上述したように、ｘ２＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
［２．３ 効果］
上述の第２の実施形態に係る光記録媒体１は、２以上の無機記録層４１を備え、２以上の無機記録層４１のうち第１、第２光照射面Ｃ１、Ｃ２から最も奥側以外の少なくとも１層が、第１の実施形態の３元系酸化物にさらに金属Ｄの酸化物を加えた４元系酸化物を主成分として含んでいる。また、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物にそれぞれ含まれる金属Ａ、金属Ｂ、金属Ｃおよび金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２の関係を満たしている。これにより、光記録媒体１の情報信号層Ｌとして求められる特性を満たしつつ、優れた透過特性を維持しながら、金属Ｄの酸化物以外の金属酸化物の総量を低くすることができる。
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこの実施例のみに限定されるものではない。
以下では、多層の光記録媒体の情報信号層を、基板側からレーザー光照射面側に向かって順に“Ｌ０層”、“Ｌ１層”という。
実施例について以下の順序で説明する。
ｉ 無機記録層の組成
ii 誘電体層の光学膜厚
iii 無機記録層に含まれるＺｎおよびＷの割合
＜ｉ 無機記録層の組成＞
［実施例１〜７、比較例１］
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、ランドおよびグルーブを有する凹凸面を形成した。また、ランドト−グルーブ間のトラックピッチＴｐを０．２２５ｎｍとした。次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板の凹凸面上に第１誘電体層、無機記録層、第２誘電体層を順次積層することにより、Ｌ０層を作製した。ここで、Ｌ０層は、２層の光記録媒体用のＬ０層とした。
以下に、具体的なＬ０層の構成を示す。
第２誘電体層（スペーサ層側）
材料：ＳＩＺ、厚さ：１０ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＭＯ、厚さ：３０ｎｍ
組成比：ａ＝２１、ｂ＝２６、ｃ＝２２、ｄ＝２５
第１誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（デクセリアルズ株式会社製、商品名：ＳＫ５５００Ｂ）をＬ０層上に均一に塗布し、Ｌ０層上に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離すことにより、ランドおよびグルーブを有する凹凸面を有する厚さ２５μｍのスペーサ層を形成した。なお、ランドト−グルーブ間のトラックピッチＴｐを０．２２５ｎｍとした。
次に、上記のスペーサ層の凹凸面上に第１誘電体層、無機記録層、第２誘電体層を順次積層することにより、Ｌ１層を作製した。
具体的な各層の構成は以下のようにした。
第２誘電体層（光透過層側）
材料：ＳＩＺ、厚さ：１０ｎｍ
無機記録層
材料：表１に示す３元系の金属酸化物（金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物）、厚さ：３０ｎｍ
原子比率（組成比）：表２に示す原子比率ａ、ｂ、ｃ
第１誘電体層（スペーサ層側）
材料：ＳＩＺ、厚さ：１０ｎｍ
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（デクセリアルズ株式会社製、商品名：ＳＫ８３００）を第２誘電体層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ７５μｍを有する光透過層を形成した。以上により、目的とするランド／グルーブ記録方式の２層の光記録媒体を得た。
［実施例８〜２３、比較例２〜４］
Ｌ１層の無機記録層の材料および組成比を以下のように変更したこと以外は実施例１と同様にして２層の光記録媒体を得た。
無機記録層
材料：表１に示す４元系の金属酸化物（金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物）、厚さ：３０ｎｍ
原子比率（組成比）：表２に示す原子比率ａ、ｂ、ｃ、ｄ
（評価）
上述のようにして得られた光記録媒体に対して以下の評価を行った。
（透過率測定）
まず、透過率算出用のサンプルを以下のようにして作製した。まず、実施例１と同様にして、ポリカーボネート基板の凹凸面上にＬ０層（２層の光記録媒体用のＬ０層）を形成した。次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（デクセリアルズ株式会社製、商品名：ＳＫ８３００）を第２誘電体層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ１００μｍを有する光透過層を形成した。以上により、透過率算出用のサンプルとしての単層の光記録媒体を得た。
次に、上述のようにして得られた単層の光記録媒体の反射率を、ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍで測定した。その結果、反射率が１１％であることが分かった。
次に、上述のようにして得られた２層の光記録媒体のＬ０層の反射率Ｒを、ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍで測定した。
次に、下記の式（１）によりＬ１層の透過率Ｔを計算にて求めた。
Ｒ＝１１％（Ｌ０層単独の反射率）×Ｔ2 ・・・（１）
（記録感度測定方法）
２層の光記録媒体のＬ１層に対し、ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速１４．００ｍ／ｓ（４倍速相当）で１層あたり５０ＧＢ密度の１−７変調データをランドおよびグルーブに記録し、クロストークキャンセラーを通してデータ再生して、ＳＥＲを求め、ＳＥＲが最小値となる記録パワーを記録感度とした。記録感度は２５ｍＷ以下であることが好ましい。記録感度が２５ｍＷを超えると、記録線速３５．０ｍ／ｓ（１０倍速相当）で情報信号を記録する場合に、６０ｍＷ以上の記録パワーが必要となり、現在の半導体レーザーでは記録が困難となるからである。
（総合判定）
上記透過率および記録感度の評価結果に基づき、以下の基準で光記録媒体の特性を総合判定した。その判定結果を表２に記号○、△、×で記した。
○：透過率が５５％以上であり、かつ記録感度が２５ｍＷ以下である。
△：透過率が５５％以上であり、かつ記録感度が２５ｍＷを超える。
×：透過率が５５％未満である。
なお、Ｌ１層の透過率が５５％未満であると、Ｌ０層の反射率が低下して、民生用のドライブ装置において再生が困難となったり、エラー訂正が困難となったりする虞がある。ここで、“Ｌ０層の反射率”は、単層の状態でのＬ０層の反射率ではなく、２層の光記録媒体とした状態でのＬ０層の反射率（すなわち光照射面からみたＬ０層の反射率）を意味している。
（結果）
表１、表２は、実施例１〜２３、比較例１〜４の光記録媒体の構成および評価結果を示す。
Figure 2017175580
Figure 2017175580
図３は、実施例１〜２３、比較例１〜４の光記録媒体における変数ｘと透過率との関係を示す。表１、表２、図３から以下のことがわかる。ｘの増加に従って、Ｌ１層の透過率が上昇する傾向を示す。変数ｘが０．４６以上であると、透過率を５５％以上にできる。また、変数ｘが１．７０以下であると、記録感度を向上できる。
＜ii 誘電体層の光学膜厚＞
［実施例２４〜２７］
Ｌ１層の第１誘電体層の厚みを表３に示すように変更する以外は実施例１と同様にして２層の光記録媒体を得た。
［実施例２８〜３１］
第１誘電体層の材料として表３に示すようにＩＴＯを用いる以外は実施例２４〜２７と同様にして２層の光記録媒体を得た。
（トラッキングオフセット測定方法）
上述のようにして得られた２層の光記録媒体のＬ１層に対し、ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、プッシュプル信号振幅ＰＰｂを測定した。次に、記録波長４０５ｎｍ、記録線速１４．００ｍ／ｓ（４倍速相当）で１層あたり５０ＧＢ密度の１−７変調データをランドのみ、グルーブのみ、またはランドとグルーブとの両方に記録し、記録信号上のプッシュプル信号振幅ＰＰａを測定した。
次に、下記（２）式により、未記録状態と記録状態でのプッシュプル振幅差（トラッキングオフセット）を計算した。
トラッキングオフセット＝（ＰＰｂ−ＰＰａ）／（ＰＰｂ＋ＰＰａ） ・・・（２）
トラッキングオフセットは２０％以下であること好ましい。トラッキングオフセットが２０％を超えると、記録部と未記録部との境界でのトラッキング安定性が悪くなり、記録部と未記録部との境界からの記録が困難となる。
次に、トラッキングオフセットの測定結果に基づき、以下の基準で光記録媒体の特性を判定した。その判定結果を表３に記号○、△で記した。
○：トラッキングオフセットが２０％以下である。
△：トラッキングオフセットが２０％を超える。
（結果）
図３Ａ、図３Ｂに、記録前後にける実施例２４の光記録媒体の各種信号の測定結果を示す。図４Ａ、図４Ｂに、記録前後にける実施例２６の光記録媒体の各種信号の測定結果を示す。これらの測定結果から、ｎ×Ｔ≧３２ｎｍの関係を満たす実施例２６の光記録媒体は、ｎ×Ｔ≧３２ｎｍの関係を満たさない実施例２４の光記録媒体に比べて、記録前後におけるプッシュプル信号の差を小さくできることがわかる。
表３は、実施例２４〜３１の光記録媒体の構成および評価結果を示す。
Figure 2017175580
表３から、ｎ×Ｔ≧３２ｎｍの関係を満たすと、トラッキングオフセットを２０％以下にできることがわかる。
＜iii 無機記録層に含まれるＺｎおよびＷの割合＞
［比較例５、６］
表４、表５に示すように、無機記録層の原子比率ａ、ｂ、ｃを変更したこと以外は比較例４と同様にして２層の光記録媒体を得た。
（ＳＥＲ評価方法）
上述のようにして得られた２層の光記録媒体のＬ１層に対し、ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速１４．０ｍ／ｓ（４倍速相当）で１層あたり５０ＧＢ密度の１−７変調データをランドおよびグルーブに記録し、クロストークキャンセラーを通してデータ再生して、ＳＥＲを求めた。なお、ＳＥＲ値２×１０-4が、民生用のドライブ装置によりエラー訂正可能な上限値である。
次に、ＳＥＲの評価結果に基づき、以下の基準で光記録媒体の特性を判定した。その判定結果を表５に記号○、△で記した。
○：ＳＥＲがＳＥＲ値２×１０-4以下である。
△：ＳＥＲがＳＥＲ値２×１０-4を超える。
（結果）
表４、表５は、実施例９〜１２、１４、１９、比較例３〜６の光記録媒体の構成および評価結果を示す。
Figure 2017175580
Figure 2017175580
 なお、表５のＳＥＲの評価結果において、表記“ａＥ−ｂ”はａ×１０-bを意味する。
図６Ａは、実施例９〜１２、１４、１９、比較例３〜６の光記録媒体のＳＥＲの測定結果を示す。図６Ｂは、未記録状態にける比較例４の光記録媒体の各種信号の測定結果を示す。表４、表５、図６Ａから、金属Ａの酸化物がＷ酸化物であり、金属Ｄの酸化物がＺｎ酸化物である場合、無機記録層中におけるＺｎの原子比率が、無機記録層中におけるＷの原子比率以上であることで、良好なＳＥＲを２×１０-4以下にすることができる。
以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の実施形態では、情報信号層が、記録層と、記録層の上面に隣接して設けられた誘電体層と、記録層の下面に隣接して設けられた誘電体層とを備える構成について説明したが、情報信号層の構成はこれに限定されるものではない。例えば、記録層の上面および下面のいずれか一方にのみ誘電体層を設けるようにしてもよい。また、情報信号層を記録層単層のみから構成するようにしてもよい。このような単純な構成とすることで、光記録媒体を低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。この効果は、情報信号層の層数が多い媒体ほど、顕著となる。
また、上述の実施形態では、第１、第２ディスクが貼合層を介して貼り合わされた構成を有し、第１、第２ディスクの光透過層側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対して本技術を適用した場合を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に複数層の情報信号層、光透過層がこの順序で積層された構成を有し、この光透過層側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体（例えばＢＤ）、基板上に複数層の情報信号層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体（例えばＣＤ）、または２枚の基板の間に複数層の情報信号層が設けられた構成を有し、少なくとも一方の基板の側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体（例えばＤＶＤ）に対しても本技術は適用可能である。
また、上述の実施形態では、スパッタリング法により光記録媒体の各層を形成する場合を例として説明したが、成膜方法はこれに限定されるものではなく、他の成膜方法を用いてもよい。他の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）などを用いることができる。
また、上述の実施形態では、多層の情報信号層がすべて、同一の層構成を有する場合について説明したが、情報信号層ごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて層構成を変えるようにしてもよい。但し、生産性の観点からすると、全ての情報信号層を同一の層構成とすることが好ましい。
また、上述の第１の実施形態において、２以上の記録層のうち少なくとも２層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ１の関係を満たしていてもよい。第１、第２光照射面に近い情報信号層ほど高透過率となるよう設計することが多いため、上記構成を採用する場合、ｘ１の値が、第１、第２光照射面に近い記録層のほうが大きい関係を満たすことが好ましい。
また、上述の第２の実施形態において、２以上の記録層のうち少なくとも２層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ２の関係を満たしていてもよい。第１、第２光照射面に近い情報信号層ほど高透過率となるよう設計することが多いため、上記構成を採用する場合、ｘ２の値が、第１、第２光照射面に近い記録層のほうが大きい関係を満たすことが好ましい。
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
２以上の記録層と、
前記２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面と
を備え、
前記２以上の記録層のうち前記光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、
前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、
前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体。
（２）
２以上の記録層と、
前記２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面と
を備え、
前記２以上の記録層のうち前記光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、
前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、
前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体。
（３）
前記記録層は、凹状および凸状のトラックを有し、
前記凹状および凸状のトラックの両方に情報信号を記録可能に構成されている（１）または（２）に記載の光記録媒体。
（４）
前記凹状のトラックと前記凸状のトラックとのピッチが、０．２２５ｎｍ以下である（３）に記載の光記録媒体。
（５）
前記記録層の両面のうち、情報信号を記録または再生するための光が照射される側とは反対側の面側に設けられた誘電体層をさらに備え、
前記誘電体層の屈折率ｎおよび厚みＴが、ｎ×Ｔ≧３２ｎｍの関係を満たす（３）または（４）に記載の光記録媒体。
（６）
前記金属ＡがＷであり、前記金属ＤがＺｎであり、
前記記録層中におけるＺｎの原子比率が、前記記録層中におけるＷの原子比率以上である（２）に記載の光記録媒体。
（７）
前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃが、０．４６≦ｘ１≦１．７０の関係を満たす（１）に記載の光記録媒体。
（８）
前記２以上の記録層のうち前記光照射面から最も奥側以外の全ての記録層が、前記金属Ａの酸化物、前記金属Ｂの酸化物および前記金属Ｃの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ１の関係を満たす（１）に記載の光記録媒体。
（９）
ｘ１の値が、前記光照射面に近い記録層ほど大きくなる（８）に記載の光記録媒体。
（１０）
前記２以上の記録層のうち少なくとも２層が、前記金属Ａの酸化物、前記金属Ｂの酸化物および前記金属Ｃの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ１の関係を満たし、
ｘ１の値が、前記光照射面に近い記録層のほうが大きい関係を満たす（１）に記載の光記録媒体。
（１１）
前記原子比率ａ、前記原子比率ｂおよび前記原子比率ｃがそれぞれ、１０≦ａ≦７０、２≦ｂ≦４０、５≦ｃ≦５０の関係を満たす（１）、（７）から（１０）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１２）
前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２≦１．７０の関係を満たす（２）に記載の光記録媒体。
（１３）
前記２以上の記録層のうち前記光照射面から最も奥側以外の全ての記録層が、前記金属Ａの酸化物、前記金属Ｂの酸化物、前記金属Ｃの酸化物および前記金属Ｄの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ２の関係を満たす（２）に記載の光記録媒体。
（１４）
ｘ２の値が、前記光照射面に近い記録層ほど大きくなる（１３）に記載の光記録媒体。
（１５）
前記２以上の記録層のうち少なくとも２層が、前記金属Ａの酸化物、前記金属Ｂの酸化物、前記金属Ｃの酸化物および前記金属Ｄの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ２の関係を満たし、
ｘ２の値が、前記光照射面に近い記録層のほうが大きい関係を満たす（２）に記載の光記録媒体。
（１６）
前記原子比率ａ、前記原子比率ｂ、前記原子比率ｃおよび前記原子比率ｄがそれぞれ、２０≦ａ≦４０、５≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦４０、２０≦ｄ≦７０の関係を満たす（２）、（１２）から（１５）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１７）
前記記録層の一方の面側に設けられた第１誘電体層と、
前記記録層の他方の面側に設けられた第２誘電体層と
をさらに備える（１）から（１６）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１８）
金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、
前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、
前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体用記録層。
（１９）
金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、
金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、
前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体用録媒層。
（２０）
少なくとも酸素との反応性スパッタリングにより２以上の記録層を形成する工程を備え、
前記２以上の記録層のうち、該２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、
前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、
前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体の製造方法。
（２１）
少なくとも酸素との反応性スパッタリングにより２以上の記録層を形成する工程を備え、
前記２以上の記録層のうち、該２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、
前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、
前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体の製造方法。
１ 光記録媒体
１０ 第１ディスク
２０ 第２ディスク
３０ 貼合層
１１、２１ 基板
１２、２２ 光透過層
４１ 記録層
４２、４３ 誘電体層
Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍ スペーサ層
Ｃ１ 第１光照射面
Ｃ２ 第２光照射面
Ｇｖ グルーブ
Ｌｄ ランド
Ｔｐ ピッチ

Claims (21)

  1. ２以上の記録層と、
    前記２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面と
    を備え、
    前記２以上の記録層のうち前記光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、
    前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、
    前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体。
  2. ２以上の記録層と、
    前記２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面と
    を備え、
    前記２以上の記録層のうち前記光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、
    前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、
    前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体。
  3. 前記記録層は、凹状および凸状のトラックを有し、
    前記凹状および凸状のトラックの両方に情報信号を記録可能に構成されている請求項１に記載の光記録媒体。
  4. 前記凹状のトラックと前記凸状のトラックとのピッチが、０．２２５ｎｍ以下である請求項３に記載の光記録媒体。
  5. 前記記録層の両面のうち、情報信号を記録または再生するための光が照射される側とは反対側の面側に設けられた誘電体層をさらに備え、
    前記誘電体層の屈折率ｎおよび厚みＴが、ｎ×Ｔ≧３２ｎｍの関係を満たす請求項３に記載の光記録媒体。
  6. 前記金属ＡがＷであり、前記金属ＤがＺｎであり、
    前記記録層中におけるＺｎの原子比率が、前記記録層中におけるＷの原子比率以上である請求項２に記載の光記録媒体。
  7. 前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃが、０．４６≦ｘ１≦１．７０の関係を満たす請求項１に記載の光記録媒体。
  8. 前記２以上の記録層のうち前記光照射面から最も奥側以外の全ての記録層が、前記金属Ａの酸化物、前記金属Ｂの酸化物および前記金属Ｃの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ１の関係を満たす請求項１に記載の光記録媒体。
  9. ｘ１の値が、前記光照射面に近い記録層ほど大きくなる請求項８に記載の光記録媒体。
  10. 前記２以上の記録層のうち少なくとも２層が、前記金属Ａの酸化物、前記金属Ｂの酸化物および前記金属Ｃの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ１の関係を満たし、
    ｘ１の値が、前記光照射面に近い記録層のほうが大きい関係を満たす請求項１に記載の光記録媒体。
  11. 前記原子比率ａ、前記原子比率ｂおよび前記原子比率ｃがそれぞれ、１０≦ａ≦７０、２≦ｂ≦４０、５≦ｃ≦５０の関係を満たす請求項１に記載の光記録媒体。
  12. 前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２≦１．７０の関係を満たす請求項２に記載の光記録媒体。
  13. 前記２以上の記録層のうち前記光照射面から最も奥側以外の全ての記録層が、前記金属Ａの酸化物、前記金属Ｂの酸化物、前記金属Ｃの酸化物および前記金属Ｄの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ２の関係を満たす請求項２に記載の光記録媒体。
  14. ｘ２の値が、前記光照射面に近い記録層ほど大きくなる請求項１３に記載の光記録媒体。
  15. 前記２以上の記録層のうち少なくとも２層が、前記金属Ａの酸化物、前記金属Ｂの酸化物、前記金属Ｃの酸化物および前記金属Ｄの酸化物を含み、かつ０．４６≦ｘ２の関係を満たし、
    ｘ２の値が、前記光照射面に近い記録層のほうが大きい関係を満たす請求項２に記載の光記録媒体。
  16. 前記原子比率ａ、前記原子比率ｂ、前記原子比率ｃおよび前記原子比率ｄがそれぞれ、２０≦ａ≦４０、５≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦４０、２０≦ｄ≦７０の関係を満たす請求項２に記載の光記録媒体。
  17. 前記記録層の一方の面側に設けられた第１誘電体層と、
    前記記録層の他方の面側に設けられた第２誘電体層と
    をさらに備える請求項１に記載の光記録媒体。
  18. 金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、
    前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、
    前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体用記録層。
  19. 金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、
    金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、
    前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体用録媒層。
  20. 少なくとも酸素との反応性スパッタリングにより２以上の記録層を形成する工程を備え、
    前記２以上の記録層のうち、該２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物および金属Ｃの酸化物を含み、
    前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、
    前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの割合が、０．４６≦ｘ１（但し、ｘ１＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂおよび前記金属Ｃの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体の製造方法。
  21. 少なくとも酸素との反応性スパッタリングにより２以上の記録層を形成する工程を備え、
    前記２以上の記録層のうち、該２以上の記録層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面から最も奥側以外の少なくとも１層が、金属Ａの酸化物、金属Ｂの酸化物、金属Ｃの酸化物および金属Ｄの酸化物を含み、
    前記金属ＡはＷ、ＭｏおよびＺｒのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＢはＭｎであり、前記金属ＣはＣｕ、ＡｇおよびＮｉのうちの少なくとも１種であり、前記金属ＤはＺｎおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、
    前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの割合が、０．４６≦ｘ２（但し、ｘ２＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）、ａ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ａの原子比率［原子％］、ｂ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｂの原子比率［原子％］、ｃ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｃの原子比率［原子％］、ｄ：前記金属Ａ、前記金属Ｂ、前記金属Ｃおよび前記金属Ｄの合計に対する前記金属Ｄの原子比率［原子％］）の関係を満たす光記録媒体の製造方法。
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