CN113348510B - 光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶 - Google Patents

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Abstract

光记录介质具备至少1层记录层，记录层包含Mn的氧化物和Mn的氧化物以外的金属氧化物。Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn而存在，Mn的氧化物以外的金属氧化物包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种，轨道间距为0.225μm以下。

Description

光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶
技术领域
本公开涉及光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶。
背景技术
近年来，超过蓝光光盘(BD：Blu-ray(注册商标)Disc)的数据容量(最大128GB)的追记型光记录介质的开发不断推进。作为实现了这样的大容量化的新的光记录介质，被称为档案盘(Archival Disc)(AD)的光记录介质已经投入实际使用，实现了每一片光记录介质300GB的数据容量。
在追记型光记录介质的技术领域中，为了实现大容量化，正在研究各种无机类记录材料。例如在专利文献1、2中，提出了Mn的氧化物作为无机类记录材料。
作为提高光记录介质的容量的方式之一，有提高轨道密度(盘半径方向的单位长度所容纳的轨道数量)的方式。轨道密度能够随着轨道间距(轨道的间隔)越窄而越提高。在BD中，轨道间距为0.32μm，与此相对，在AD中，轨道间距被缩窄得窄于BD，为0.225μm。另外，在AD中，要求更加大容量化，期望使轨道间距小于0.225μm。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第6308128号公报
专利文献2：日本特开2012-139876号公报
发明内容
发明所要解决的技术课题
期望的是随着上述那样的轨道间距变窄，将记录再现光束缩小以使点径变小，但是从BD的记录再现光学系统进一步缩小光束在技术上变得困难。当不缩小记录再现光束而使轨道间距变窄时，产生串扰(cross talk)、交叉写入(cross write)。在使轨道间距缩窄得窄于0.225μm的情况下，串扰、交叉写入的产生变得尤其显著。
此外，“串扰”是指在将某个轨道再现的过程中，相邻轨道的信号泄露而扰乱想要再现的信号。“交叉写入”是指当在某个轨道记录信号后在相邻轨道记录信号时，先前记录的信号区域在记录相邻轨道时被局部破坏，再现信号劣化。
本公开的目的在于提供能够抑制串扰及交叉写入的光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶。
用于解决技术课题的技术方案
为了解决上述技术课题，第1公开为一种光记录介质，具备至少1层记录层，其中，
记录层包含Mn的氧化物和Mn的氧化物以外的金属氧化物，
Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn而存在，
Mn的氧化物以外的金属氧化物包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种，
轨道间距为0.225μm以下。
第2公开为一种光记录介质的记录层，包含Mn的氧化物和Mn的氧化物以外的金属氧化物，其中，
Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn而存在，
金属氧化物包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种。
第3公开为一种光记录介质的记录层形成用溅射靶，包含Mn和Mn以外的金属作为合金或金属氧化物，其中，
Mn以外的金属包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb构成的组中选择的至少1种。
附图说明
图1的A为示出本公开的第1实施方式的光记录介质的外观的一例的立体图。图1的B为示出本公开的第1实施方式的光记录介质的结构的一例的剖视图。
图2为示出图1所示的各信息信号层的结构的一例的概略剖视图。
图3为示出本公开的第2实施方式的光记录介质的一个结构例的剖视图。
图4为示出记录层的变形例的概略剖视图。
图5为示出盘驱动型评价装置的结构的概略图。
图6的A为示出记录层的组成、记录层的厚度以及保护层的厚度与记录层的反射率的关系的图表。图6的B为示出记录层的组成、记录层的厚度以及保护层的厚度与记录层的透射率的关系的图表。
图7的A为示出记录层的组成、记录层的厚度以及保护层的厚度与串扰振幅比的关系的图表。图7的B为示出记录层的组成、记录层的厚度以及保护层的厚度与CNR的关系的图表。
图8为示出记录层中添加的添加元素的种类与串扰振幅比的关系的图表。
图9的A为示出Hf的氧化物的含量与串扰振幅比的关系的图表。图9的B为示出Nb的氧化物的含量与串扰振幅比的关系的图表。
图10的A为示出Ta的氧化物的含量与串扰振幅比的关系的图表。图10的B为示出Si的氧化物的含量与串扰振幅比的关系的图表。
图11的A为示出Sn的氧化物的含量与串扰振幅比的关系的图表。图11的B为示出Sb的氧化物的含量与串扰振幅比的关系的图表。
附图标记
1、1A：光记录介质；10：第1盘；20：第2盘；30：粘合层；11、11A、21：基板；12、22：光透射层；13、16：记录层；14、15：保护层；161～16n：第1～第n层；L0～Ln、L0～Lm：信息信号层；S1～Sn、S1～Sm：间隔层；C：光照射面；C1：第1光照射面；C2：第2光照射面；Gv：纹槽(groove)；Ld：纹脊(land)；Tp：轨道间距。
具体实施方式
在本公开中，优选的是至少1层记录层被设置于基板上，在该至少1层记录层上设置有覆盖层。该覆盖层的厚度没有特别限制，但是在高密度光记录介质中，由于使用了高NA(Numerical Aperture，数值孔径)的物镜，因此优选的是采用片材或涂层等薄的光透射层作为覆盖层，通过从该光透射层的一侧照射光来进行信息信号的记录及再现。在该情况下，作为基板，也能够采用具有不透明性的基板。用于记录或再现信息信号的光的入射面根据光记录介质的格式而被适当设定于覆盖层侧以及基板侧的表面中的至少一方。
在本公开中，从提高保存可靠性的观点而言，光记录介质优选为在记录层的至少一方的表面还具备保护层，更优选的是在记录层的双方的表面具备保护层。从简化层结构、制造设备的观点而言，优选的是在记录层的任意表面均不设置保护层而单独使用记录层。
在本公开中，在光记录介质具备具有记录层和设置于该记录层的至少一方的面侧的保护层的多个信息信号层的情况下，从生产率的观点而言，优选的是多个信息信号层全部具有相同的层结构。在多个信息信号层具有具备第1保护层、记录层和第2保护层的相同的层结构的情况下，从生产率的观点而言，优选的是第1保护层、记录层以及第2保护层各自在全部信息信号层中包含相同种类的材料。
按照以下顺序对本公开的实施方式进行说明。
1第1实施方式
1.1光记录介质的结构
1.2光记录介质的记录原理
1.3溅射靶
1.4光记录介质的制造方法
1.5效果
2第2实施方式
2.1光记录介质的结构
2.2光记录介质的制造方法
2.3效果
3变形例
<1第1实施方式>
[1.1光记录介质的结构]
如图1的A所示，本公开的第1实施方式的光记录介质1具有在中央设置有开口(以下称为中心孔)的圆盘形状。此外，光记录介质1的形状不被限于此例，也能够设为例如卡片状等。
如图1的B所示，光记录介质1为所谓的多层的追记型光记录介质(例如AD(Archival Disc，档案盘))，具备第1盘10、第2盘20和设置于第1、第2盘10、20之间的粘合层30。光记录介质1为在纹槽轨道及纹脊轨道这双方记录数据的方式(以下称为“纹脊/纹槽(land/groove)记录方式”。)的光记录介质。
第1盘10具有信息信号层L0、间隔层S1、信息信号层L1、……、间隔层Sn、信息信号层Ln、作为覆盖层的光透射层12按照此顺序层叠于基板11的一个主面而成的结构。第2盘20具有信息信号层L0、间隔层S1、信息信号层L1、……、间隔层Sm、信息信号层Lm、作为覆盖层的光透射层22按照此顺序层叠于基板21的一个主面而成的结构。其中，n、m各自独立且为1以上的整数，从提高记录容量的观点而言，优选为2以上的整数，更优选为3以上的整数，再更优选为4以上的整数。此外在以下的说明中，在不特别区分的情况下将信息信号层L0～Ln、L0～Lm称为信息信号层L。
光记录介质1在两面具有供用于记录或再现信息信号的激光照射的光照射面。更具体而言，具有供用于进行第1盘10的信息信号的记录或再现的激光照射的第1光照射面C1和供用于进行第2盘20的信息信号的记录或再现的激光照射的第2光照射面C2。
在第1盘10中，以第1光照射面C1为基准，信息信号层L0位于最里侧，信息信号层L1～Ln位于信息信号层L0的前方。因此信息信号层L1～Ln以能够透射用于记录或再现的激光的方式而构成。另一方面，在第2盘20中，以第2光照射面C2为基准，信息信号层L0位于最里侧，信息信号层L1～Lm位于信息信号层L0的前方。因此信息信号层L1～Lm以能够透射用于记录或再现的激光的方式而构成。此外虽然未图示，但光记录介质1可以在光透射层12、22的表面(即第1、第2光照射面C1、C2)还具备硬涂层。
在光记录介质1中，如以下方式进行第1盘10的信息信号的记录或再现。即，通过从光透射层12侧的第1光照射面C1对第1盘10中包含的各信息信号层L0～Ln照射激光，来进行第1盘10的信息信号的记录或再现。例如，利用具有0.84以上且0.95以下的范围的数值孔径的物镜将具有350nm以上且410nm以下的范围的波长的激光聚光，并从光透射层12这侧对第1盘10中包含的各信息信号层L0～Ln进行照射，从而进行信息信号的记录或再现。
另一方面，如以下方式进行第2盘20的信息信号的记录或再现。即，通过从光透射层22侧的第2光照射面C2对第2盘20中包含的各信息信号层L0～Lm照射激光，来进行第2盘20的信息信号的记录或再现。例如，利用具有0.84以上且0.95以下的范围的数值孔径的物镜将具有350nm以上且410nm以下的范围的波长的激光聚光，并从光透射层22的一侧对第2盘20中包含的各信息信号层L0～Lm进行照射，从而进行信息信号的记录或再现。
以下对构成光记录介质1的基板11、21、粘合层30、信息信号层L0～Ln、L0～Lm、间隔层S1～Sn、S1～Sm、光透射层12、22以及硬涂层依次进行说明。
(基板)
基板11、21例如具有在中央设置有中心孔的圆盘形状。该基板11、21的一个主面例如为凹凸面，在该凹凸面上形成有信息信号层L0。以下将凹凸面中的凹部称为纹脊Ld，将凸部称为纹槽Gv。
作为纹脊Ld以及纹槽Gv的形状，可以列举例如螺旋状、同心圆状等各种形状。另外，为了使线速度稳定、添加地址信息等，纹脊Ld和/或纹槽Gv也可以被摆动(曲折)。
此外第1盘10与第2盘20的螺旋方向可以为相反。在该情况下，将第1盘10与第2盘20粘合而成的光记录介质(两面盘)1能够同时记录再现，因此能够将记录、再现时的数据转发速度提高至约2倍。
基板11、21的外径(直径)选为例如120mm。基板11、21的内径(直径)选为例如15mm。考虑刚性来选择基板11的厚度，基板11的厚度优选为0.3mm以上且0.545mm以下，更优选为0.445mm以上且0.545mm以下。
作为基板11、21的材料，能够使用例如塑料材料或玻璃，从成型性的观点而言，优选使用塑料材料。作为塑料材料，能够使用例如聚碳酸酯类树脂、聚烯烃类树脂或丙烯酸类树脂等，从成本的观点而言，优选使用聚碳酸酯类树脂。
(粘合层)
粘合层30由固化的紫外线固化树脂构成。第1盘10与第2盘20通过该粘合层30而被粘合。更具体而言，以使光透射层12、22分别作为表面侧的方式，第1盘10的基板11与第2盘基板的基板21被粘合。
粘合层30的厚度为例如0.01mm以上且0.22mm以下。紫外线固化树脂为例如自由基聚合紫外线固化树脂。
(信息信号层)
信息信号层L具有凹状的轨道(以下称为“纹脊轨道”。)以及凸状的轨道(以下称为“纹槽轨道”。)。第1实施方式的光记录介质1被构成为能够在纹脊轨道及纹槽轨道这双方记录信息信号。从高记录密度的观点而言，纹脊轨道与纹槽轨道的轨道间距Tp优选为0.225μm以下，更优选为小于0.225μm。轨道间距Tp的下限值没有特别限制，例如为0.12μm以上。
如图2所示，信息信号层L0～Ln具备：无机记录层(以下简称为“记录层”。)13，具有上表面(第1主面)以及下表面(第2主面)；保护层14，与记录层13的上表面邻接地设置；以及保护层15，与记录层13的下表面邻接地设置。通过设为这样的结构，能够提高记录层13的耐久性。在此，上表面是指记录层13的两个主面中的供用于记录或再现信息信号的激光照射的一侧的主面，下表面是指与供上述激光照射的一侧相反侧的主面、即基板11侧的主面。此外，信息信号层L0～Lm的结构能够设为与信息信号层L0～Ln相同，因此省略说明。
(记录层)
记录层13以混合状态或复合氧化物的状态包含Mn的氧化物和Mn的氧化物以外的金属氧化物。在此，作为金属，定义为包含Si、Sb等半金属。Mn的氧化物以外的金属氧化物包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种。Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn(即MnO2)存在于记录层13中。作为Mn的氧化物，记录层13可以包含MnO2以外的材料(例如Mn2O3、Mn3O4等)。记录层13包含Mn的氧化物并且还包含上述Mn的氧化物以外的金属氧化物，从而能够确保SNR(Signal to Noise Ratio，信噪比)并且抑制串扰及交叉写入。根据需要，Mn的氧化物以外的金属氧化物可以还包含W的氧化物以及Zn的氧化物等中的至少1种。像这样Mn的氧化物以外的金属氧化物包含W的氧化物以及Zn的氧化物等中的至少1种，由此能够调节光学常数、确保记录性能以及确保保存性能。
从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Hf的氧化物的含量优选为大于0原子％且75原子％以下，更优选为8.3原子％以上且62.4原子％以下，再更优选为16.6原子％以上且41.6原子％以下。
从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Nb的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为19.5原子％以上且100原子％以下，再更优选为34.2原子％以上且78.5原子％以下。
从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Ta的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为7.2原子％以上且81.1原子％以下，再更优选为22.2原子％以上且72原子％以下，尤其优选为37.9原子％以上且66原子％以下。
从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Si的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为15.2原子％以上且100原子％以下，再更优选为39.2原子％以上且100原子％以下，尤其优选为60.1原子％以上且100原子％以下。
从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Sn的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为16.6原子％以上且100原子％以下，再更优选为41.6原子％以上且100原子％以下。
从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Sb的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为14.4原子％以上且100原子％以下，再更优选为37.6原子％以上且100原子％以下，尤其优选为80.8原子％以上且100原子％以下。
(保护层)
保护层14、15具有作为氧阻隔层的功能。据此，能够提高记录层13的耐久性。另外，保护层14、15具有抑制记录层13的氧的逸出的功能。据此，能够抑制记录层13的膜质的变化(主要检测为反射率的降低)，能够确保作为记录层13优选的膜质。另外，保护层14、15还具有提高记录特性的功能。该功能的发现一般认为是由于入射至记录层13的激光的热扩散被适度控制，记录部分的形状变化过大、或是Mn氧化物的分解进展过度、变化后的形状损坏的情况被抑制，能够改善记录时的形状变化。
保护层14、15包含电介质。电介质包含从由例如氧化物、氮化物、硫化物、碳化物以及氟化物构成的组中选择的至少1种以上。作为保护层14、15的材料，能够使用彼此相同或不同的材料。作为氧化物，可以列举从由例如In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg构成的组中选择的1种以上的元素的氧化物。作为氮化物，可以列举从由例如In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta以及Zn构成的组中选择的1种以上的元素的氮化物，优选为从Si、Ge以及Ti构成的组中选择的1种以上的元素的氮化物。作为硫化物，可以列举例如Zn硫化物。作为碳化物，可以列举从由例如In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta以及W构成的组中选择的1种以上的元素的碳化物，优选为从由Si、Ti以及W构成的组中选择的1种以上的元素的碳化物。作为氟化物，可以列举从由例如Si、Al、Mg、Ca以及La构成的组中选择的1种以上的元素的氟化物。作为它们的混合物的具体例，可以列举ZnS-SiO2、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(ITO)、In2O3-CeO2(ICO)、In2O3-Ga2O3(IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2、Al2O3-ZnO、Al2O3-BaO等。
保护层15的厚度优选为2nm以上且30nm以下的范围内。当保护层15的厚度为2nm以上时，能够得到良好的阻隔效果。另一方面，当保护层15的厚度为30nm以下时，能够抑制记录功率裕度的降低。
保护层14的厚度优选为2nm且以上50nm以下的范围内。当保护层14的厚度为2nm以上时，能够得到良好的阻隔效果。另一方面，当保护层14的厚度为50nm以下时，能够抑制记录功率裕度的降低。
(间隔层)
间隔层S1～Sn、S1～Sm分别具有使信息信号层L0～Ln、L0～Lm在物理上及光学上保持足够距离而隔开的作用，在其表面设置有凹凸面。该凹凸面形成例如同心圆状或螺旋状的纹脊Ld及纹槽Gv。间隔层S1～Sn、S1～Sm的厚度优选为9μm以上且50μm以下。间隔层S1～Sn、S1～Sm的材料没有特别限制，但优选为使用紫外线固化性丙烯酸树脂。另外，由于间隔层S1～Sn、S1～Sm作为用于向里层的数据的记录及再现的激光的光路，因此优选为具有足够高的光透射性。
(光透射层)
光透射层12、22为例如将紫外线固化树脂等感光性树脂固化而成的树脂层。作为该树脂层的材料，可以列举例如紫外线固化型丙烯酸类树脂。另外，可以由具有圆环形状的光透射性片材和用于将该光透射性片材与信息信号层Ln、Lm粘合的粘结层构成光透射层12、22。光透射性片材优选为由对用于记录及再现的激光具有低吸收能力的材料构成，具体而言，优选为由透射率90％以上的材料构成。作为光透射性片材的材料，能够使用例如聚碳酸酯类树脂或聚烯烃类树脂(例如Zeonex(注册商标))等。作为粘结层的材料，能够使用例如紫外线固化树脂或压敏性粘合剂(PSA：Pressure Sensitive Adhesive，压敏胶)等。
光透射层12、22的厚度优选从10μm以上且177μm以下的范围内选择，选为例如57μm。通过组合这样的薄的光透射层12、22与例如约0.85的高NA(numerical aperture，数值孔径)化的物镜，从而能够实现高密度记录。
(硬涂层)
硬涂层用于对第1、第2光照射面C1、C2赋予耐擦伤性等。作为硬涂层的材料，能够使用例如丙烯酸类树脂、硅类树脂、氟类树脂或有机无机混合类树脂等。为了提高机械性强度，硬涂层可以包含二氧化硅细粉。
[1.2光记录介质的记录原理]
在具有上述结构的光记录介质1中，在对信息信号层L照射例如中心波长405nm附近的激光等光来进行作为光记录介质1的记录动作时，MnO2分离氧而产生O2，并且Mn自身变为较低价数的氧化物。然后一般认为，由于产生O2，光照射区域在构造上膨胀，形成了由于体积变化和光学常数变化而产生的记录标记。
由记录引起的记录材料的体积变化和光学常数变化受到记录材料的成分的影响。例如，能够将体积变化分成与记录层13的表面垂直的方向的膨胀和在记录层13的面内方向的膨胀来考虑，但是垂直方向及面内方向的膨胀程度根据材料成分而产生差异。光学常数的变化量也取决于记录材料的成分而不同。
[1.3溅射靶]
光记录介质1的记录层形成用溅射靶包含Mn和Mn以外的金属作为合金或金属氧化物。在以下将“溅射靶”简称为“靶”。Mn以外的金属包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb构成的组中选择的至少1种。根据需要，Mn以外的金属可以还包含W以及Zn等中的至少1种。
更具体而言，靶可以为包含Mn和从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb构成的组中选择的至少1种的合金靶，或者为包含Mn的氧化物和从Hf的氧化物、Nb的氧化物、Ta的氧化物、Si的氧化物、Sn的氧化物以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种的金属氧化物靶。根据需要，合金靶可以还包含W以及Zn等中的至少1种。根据需要，金属氧化物靶可以还包含W的氧化物以及Zn的氧化物等中的至少1种。
Mn的氧化物作为例如Mn2O3、Mn3O4等而包含于靶中。欲使之存在于记录层13中的MnO2因靶制作时的热量而分解，因此难以制作包含MnO2的靶。另外，即使能够制作包含MnO2的靶，MnO2因溅射时的能量而分解，因此难以使MnO2包含于记录层13中。因此在第1实施方式中，使用包含Mn作为Mn合金的合金靶或包含Mn作为Mn2O3、Mn3O4等Mn氧化物的金属氧化物靶，在溅射时进行氧辅助，由此使记录层13中包含MnO2。
靶优选为合金靶。当像这样靶为合金靶时，作为用于记录层13的形成的溅射装置，能够使用DC溅射装置。由于DC溅射装置与RF溅射装置相比价格低，因此能够减少制造成本。但是由于DC溅射装置容易产生溅射时的异常放电、靶破损，因此优选的是考虑制造成本与性能的平衡来选择使靶的构成材料以金属状态及金属氧化物状态中的哪种状态被包含。
在靶为合金靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn以外的金属中的Hf的含量优选为大于0原子％且75原子％以下，更优选为8.3原子％以上且62.4原子％以下，再更优选为16.6原子％以上且41.6原子％以下。
在靶为合金靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn以外的金属中的Nb的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为19.5原子％以上且100原子％以下，再更优选为34.2原子％以上且78.5原子％以下。
在靶为合金靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn以外的金属中的Ta的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为7.2原子％以上且81.1原子％以下，再更优选为22.2原子％以上且72原子％以下，尤其优选为37.9原子％以上且66原子％以下。
在靶为合金靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn以外的金属中的Si的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为15.2原子％以上且100原子％以下，再更优选为39.2原子％以上且100原子％以下，尤其优选为60.1原子％以上且100原子％以下。
在靶为合金靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn以外的金属中的Sn的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为16.6原子％以上且100原子％以下，再更优选为41.6原子％以上且100原子％以下。
在靶为合金靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn以外的金属中的Sb的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为14.4原子％以上且100原子％以下，再更优选为37.6原子％以上且100原子％以下，尤其优选为80.8原子％以上且100原子％以下。
在靶为金属氧化物靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Hf的氧化物的含量优选为大于0原子％且75原子％以下，更优选为8.3原子％以上且62.4原子％以下，再更优选为16.6原子％以上且41.6原子％以下。
在靶为金属氧化物靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Nb的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为19.5原子％以上且100原子％以下，再更优选为34.2原子％以上且78.5原子％以下。
在靶为金属氧化物靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Ta的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为7.2原子％以上且81.1原子％以下，再更优选为22.2原子％以上且72原子％以下，尤其优选为37.9原子％以上且66原子％以下。
在靶为金属氧化物靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Si的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为15.2原子％以上且100原子％以下，再更优选为39.2原子％以上且100原子％以下，尤其优选为60.1原子％以上且100原子％以下。
在靶为金属氧化物靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Sn的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为16.6原子％以上且100原子％以下，再更优选为41.6原子％以上且100原子％以下。
在靶为金属氧化物靶的情况下，从抑制串扰及交叉写入的观点而言，Mn的氧化物以外的金属氧化物中的Sb的氧化物的含量优选为大于0原子％且100原子％以下，更优选为14.4原子％以上且100原子％以下，再更优选为37.6原子％以上且100原子％以下，尤其优选为80.8原子％以上且100原子％以下。
[1.4光记录介质的制造方法]
接下来对本公开的第1实施方式的光记录介质1的制造方法的一例进行说明。
(第1盘的制作工序)
如以下方式制作第1盘10。
(基板的成型工序)
首先，将在一个主面形成有凹凸面的基板11成型。作为基板11的成型方法，例如能够使用注塑成型(注射)法或光聚合法(2P法：Photo Polymerization)等。
(信息信号层的形成工序)
接下来通过利用例如溅射法在基板11上依次层叠保护层15、记录层13、保护层14来形成信息信号层L0。以下对保护层15、记录层13以及保护层14的形成工序进行具体说明。
(保护层的形成工序)
首先，将基板11输送至具有保护层形成用靶的真空腔室内，将真空腔室内抽真空至达到预定压力。之后，一边向真空腔室内导入Ar气、O2气等工艺气体，一边对靶进行溅射，在基板11上形成保护层15。作为溅射法，能够使用例如高频(RF)溅射法、直流(DC)溅射法，但是尤其优选直流溅射法。这是因为，相对于高频溅射法，直流溅射法的装置便宜并且成膜率高，因此能够减少制造成本，并且能够提高生产率。
(记录层的形成工序)
接下来将基板11输送至具备记录层形成用靶的真空腔室内，将真空腔室内抽真空至达到预定压力。之后，一边向真空腔室内导入Ar气、O2气等工艺气体，一边对靶进行溅射，在保护层15上形成记录层13。
在记录层形成用靶为合金靶的情况下，一边进行氧辅助一边对靶进行溅射来形成记录层13，从而Mn根据真空腔室内的氧浓度而形成MnO2、M2O3、Mn3O4等氧化物。另外，从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb构成的组中选择的至少1种金属形成稳定的氧化物。已知MnO2、Mn2O3由于加热而分解并释放氧，分解温度分别为535℃、1080℃。另外，众所周知MnO2为黑色，具有光吸收能力。
在记录层形成用靶为金属氧化物靶的情况下，一边进行氧辅助一边对靶进行溅射来形成记录层13，从而Mn氧化物根据真空腔室内的氧浓度而形成MnO2、M2O3、Mn3O4等氧化物。另外，从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb构成的组中选择的至少1种的金属氧化物形成稳定的氧化物。
(保护层的形成工序)
接下来将基板11输送至具有保护层形成用靶的真空腔室内，将真空腔室内抽真空至达到预定压力。之后，一边向真空腔室内导入Ar气、O2气等工艺气体，一边对靶进行溅射，在记录层13上形成保护层14。作为溅射法，能够使用例如高频(RF)溅射法、直流(DC)溅射法，但是尤其优选直流溅射法。这是因为如上所述，当使用直流溅射法时，能够减少制造成本，并且能够提高生产率。
根据以上，在基板11上形成了信息信号层L0。
(间隔层的形成工序)
接下来利用例如旋涂法将紫外线固化树脂均匀涂敷于信息信号层L0上。之后，对均匀涂敷于信息信号层L0上的紫外线固化树脂按压压模的凹凸图案，对紫外线固化树脂照射紫外线使之固化之后，剥离压模。据此，压模的凹凸图案被转印于紫外线固化树脂，设置有例如纹脊Ld及纹槽Gv的间隔层S1形成于信息信号层L0上。
(信息信号层的形成工序以及间隔层的形成工序)
接下来与上述“信息信号层的形成工序”以及“间隔层的形成工序”同样地，将信息信号层L1、间隔层S2、信息信号层L3、……、间隔层Sn、信息信号层Ln按照此顺序层叠于间隔层S1上。
(光透射层的形成工序)
接下来利用例如旋涂法在信息信号层Ln上旋涂紫外线固化树脂(UV树脂)等感光性树脂之后，对感光性树脂照射紫外线等光使之固化。据此，在信息信号层Ln上形成光透射层12。根据以上制作第1盘10。
(第2盘的制作工序)
因为“第2盘的制作工序”与上述“第1盘的制作工序”是同样的，因此省略说明。
(粘合工序)
接下来如以下方式，利用例如旋涂法使作为粘结剂的紫外线固化树脂在如上所述制作出的第1、第2盘10、20之间延伸。首先，在第2盘20的两个主面中的与第2光照射面C2相反侧的主面，沿着中心孔的周缘以环状涂敷紫外线固化树脂。接下来使第1盘10的两个主面中的与第1光照射面C1相反侧的主面和第2盘20的两个主面中的与第2光照射面C2相反侧的主面对置，将第1盘10隔着紫外线固化树脂按压于第2盘20。
接下来使第1、第2盘10、20旋转，在第1、第2盘10、20之间，使紫外线固化树脂在第1、第2盘10、20的半径方向上延伸。此时，根据转速，紫外线固化树脂的厚度被调节为预定厚度。据此，在第1、第2盘10、20之间，紫外线固化树脂从第1、第2盘10、20的内周部扩散至外周部。根据以上，得到具有未固化状态的粘合层30的光记录介质1。
此外，优选的是在上述紫外线固化树脂的延伸工序中，对第1、第2盘10、20的外周部照射紫外线，使延伸至外周部的紫外线固化树脂暂时固化。据此，能够抑制在第1、第2盘10、20的外周部产生开口。
接下来利用紫外线灯从光记录介质1的两面侧照射紫外线，使粘合层30固化。据此，得到作为目标的光记录介质1。
[1.5效果]
上述第1实施方式的光记录介质1具备多个记录层13，多个记录层13包含Mn的氧化物和从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种氧化物，Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn(即MnO2)而存在。据此，能够保持信号电平并且抑制记录标记在记录层13的面内方向扩展，因此能够保持信号电平并且抑制串扰及交叉写入。因此能够使轨道间距变窄(例如使轨道间距Tp缩窄至0.225μm以下或小于0.225μm)，能够提高光记录介质1的轨道密度。因而，能够实现光记录介质1的大容量化。
另外，通过使记录层13包含上述至少1种氧化物，从而能够实现光记录介质1的大容量化，因此能够不导致制造成本大幅上升而实现光记录介质1的大容量化。
<2第2实施方式>
[2.1光记录介质的结构]
如图3所示，本公开的第2实施方式的光记录介质1A为所谓的多层的追记型光记录介质，具有信息信号层L0、间隔层S1、信息信号层L1、……、间隔层Sn、信息信号层Ln、作为覆盖层的光透射层12按照此顺序层叠于基板11A的一个主面而成的结构。此外在第2实施方式中，对与第1实施方式同样的部位附加相同的附图标记而省略说明。
光记录介质1A在一个面上具有供用于记录或再现信息信号的光照射的光照射面C。以光照射面C为基准，信息信号层L0位于最里侧，信息信号层L1～Ln位于信息信号层L0的前方。因此信息信号层L1～Ln被构成为能够透射用于记录或再现的激光。
在该第2实施方式的光记录介质1A中，通过从光透射层12侧的光照射面C对各信息信号层L0～Ln照射激光，从而进行信息信号的记录或再现。例如，利用具有0.84以上且0.86以下的范围的数值孔径的物镜将具有400nm以上且410nm以下的范围的波长的激光聚光，并从光透射层12这侧对各信息信号层L0～Ln进行照射，从而进行信息信号的记录或再现。作为这样的光记录介质1A，可以列举例如多层的蓝光光盘(BD：Blu-ray(注册商标)Disc)。
光记录介质1A典型地为纹槽记录方式的光记录介质，但也可以为纹脊/纹槽记录方式等的光记录介质。
基板11A的径(直径)被选为例如120mm。考虑刚性来选择基板11的厚度，基板11的厚度优选为0.3mm以上且1.3mm以下，更优选为0.6mm以上且1.3mm以下，例如选为1.1mm。另外，中心孔的径(直径)例如选为15mm。基板11A的材料与上述第1实施方式中的基板11是同样的。
[2.2光记录介质的制造方法]
本公开的第2实施方式的光记录介质1A的制造方法与上述第1实施方式中的“第1盘的制作工序”是同样的。
[2.3效果]
在上述第2实施方式的光记录介质1A中，与第1实施方式的光记录介质1同样地，能够抑制串扰及交叉写入。因此，能够提高光记录介质1A的轨道密度，并且实现光记录介质1A的大容量化。
<3变形例>
在上述第1、第2实施方式中，对信息信号层L具备单层构造的记录层13的情况进行了说明，但是信息信号层L的结构不限于此。例如，如图4所示，信息信号层L可以具备由组成不同的第1层161、……、第n层16n(n为2以上的整数)构成的层叠构造的记录层16。在该情况下，第1层161、……、第n层16n中的至少1层具有与第1实施方式中的记录层13同样的组成。从抑制串扰及交叉写入的观点而言，优选的是第1层161、……、第n层16n的全部层分别独立地具有与第1实施方式中的记录层13同样的组成。
另外，在上述第1、第2实施方式中，对信息信号层L具备记录层13、与记录层13的上表面邻接地设置的保护层14和与记录层13的下表面邻接地设置的保护层15的结构进行了说明，但是信息信号层L的结构不限于此。例如，可以仅在记录层13的上表面及下表面中的任意一方设置保护层。另外，可以仅由记录层13单层构成信息信号层L。通过设为这样的简单结构，能够使光记录介质1、1A变得低廉并且提高其生产率。越是信息信号层L的层数多的介质，该效果越显著。
另外，在上述第1、第2实施方式中，对多层的信息信号层L全部具有相同的层结构(3层结构)的情况进行了说明，但是也可以根据每个信息信号层L被要求的特性(例如光学特性、耐久性等)来改变层结构。但是从生产率的观点而言，优选为将全部信息信号层L设为相同的层结构。
另外，能够应用本公开的光记录介质不限于具有第1、第2实施方式的结构的光记录介质。例如，针对具有多层的信息信号层、保护层按照此顺序层叠于基板上而成的结构、通过从基板侧对多层的信息信号层照射激光来进行信息信号的记录或再现的光记录介质(例如CD(Compact Disc，压缩光盘))、或者具有在两片基板之间设置有多层的信息信号层的结构、通过从至少一方的基板这侧对多层的信息信号层照射激光来进行信息信号的记录或再现的光记录介质(例如DVD(Digital Versatile Disc，数字多功能光盘))，也能够应用本公开。
另外，在设为多层的记录层结构的情况下，可以将本公开的记录层与追记型以外的记录层进行组合。另外，对于部分地设置有基于再现专用型的凹坑等的记录区域的光记录介质，也能够应用本公开。
实施例
以下通过实施例来具体地说明本公开，但是本公开不仅限于这些实施例。
(评价装置)
在本实施例中，使用BD用的评价装置进行了光盘的评价。另外，在本实施例中，记录材料的特性验证是关键，因此作为光盘，采用了仅具有1层信息记录层的光盘(所谓的单层盘)。
图5示出盘驱动型评价装置的结构。以下参照图5，说明将作为评价对象的光盘1A搭载于盘驱动型评价装置直到进行信号评价为止的动作以及步骤。
首先，将光盘1A安装于主轴马达部41并使之旋转。接下来在记录再现光学系统42中使激光二极管51发光，使激光L经由准直透镜52以及光束分束器53入射至反光镜54。在反光镜54处反射的激光L经由物镜55聚光于光盘1A的记录层并被反射。
接下来使物镜55在与光盘1A的光照射面垂直的方向(光轴方向)上下动作，使得激光L的焦点横穿光盘1A的记录层。此时，被光盘1A的记录层反射的激光L返回行进过的路径，激光L的部分或全部被记录再现光学系统42的光束分束器53反射，并经由聚光透镜56而入射至光电探测器57。在光电探测器57接收到的光被变换为电信号，并被供给至信号解析装置44。信号解析装置44基于从光电探测器57供给的电信号，生成聚焦伺服用误差信号、跟踪伺服用误差信号以及RF信号等，基于这些生成信号进行伺服控制等。例如，在聚焦伺服控制中以如下方式进行控制：使用聚焦误差信号，使聚焦伺服系统工作，使激光的焦点始终来到记录层。另外，在跟踪伺服控制中以如下方式进行控制：使用跟踪误差信号，使激光的焦点来到记录层上的纹槽(凸部)以及纹脊(凹部)上。通过以上的处理，信息记录准备就绪。此外，在信息信号已经被记录于光盘1A的情况下，到了能够从光盘1A读取(再现)信息信号的状态。
如以下方式进行关于光盘1A的信息信号的记录。信号发生装置43基于对光盘1A记录的信息信号，控制激光二极管51的激光器发光。据此，从激光二极管51出射的激光L的发光波形被控制而被照射于光盘1A的记录层。被照射了激光L的记录层根据该激光能量而变化。在本实施例的记录层中，MnO2由于激光能量而分解并产生O2，产生记录层的折射率变化和物理上的体积膨胀。激光L能够向记录层提供产生该变化所需的足够的能量。
如以下方式来进行关于光盘1A的信息信号的再现。信息信号的再现是在即使光盘1A的记录层由于激光照射而在相同位置再现100万次也不变的足够低的、并且能够以足够的S/N读出记录的信息信号的功率下进行的。将像这样设定的激光称为再现光，将该再现光的激光功率称为再现功率。照射于光盘1A的记录层的再现光在记录再现光学系统中逆行而被光电探测器57检测。在光盘1A的记录层中记录有信息的情况下，相对于例如来自未记录部的返回光的光量，记录部的光降低而返回。另外，还存在设计为记录部的返回光高于未记录部的返回光量而返回的光盘。前者被称为高到低(High to Low)记录，后者被称为低到高(Low to High)记录。
本实施例的光盘1A为高到低记录的介质，该记录方式被CD(Compact Disc，压缩盘)、DVD(Digital Versatile Disc，数字多功能盘)、BD采用。由光电探测器57检测出的光被供给至信号解析装置44，在信号解析装置44中评价信号质量。
(信号特性的评价方法)
使用上述BD用的评价装置，将串扰量CT及CNR(Carrier to Noise Ratio，载噪比)作为评价指标来进行光盘1A的信号特性的评价。
以下示出BD用的评价装置的测量条件。
将光盘1A的数据记录时使用的通道时钟设为132MHz，将该时钟的1个周期设为1T。另外，将记录线速设为4.48m/sec，将记录再现激光的波长λ设为405nm，将激光聚光所使用的物镜的NA设为0.85。
在本实施例中，作为数据的记录方式，采用了在作为记录轨道的相对于光入射侧为凸状的纹槽轨道和凹状的纹脊轨道这双方记录数据的、所谓的纹脊/纹槽记录方式。在纹脊/纹槽记录方式中，纹槽轨道的相邻轨道为纹脊轨道。轨道间距Tp的意思是纹脊轨道与纹槽轨道各中心的间隔。在本实施例中，将轨道间距Tp设为0.16μm。
通过测量记录有信号的纹槽轨道向相邻的纹脊轨道的泄露量，如以下方式测量串扰量CT。在纹槽轨道记录12T的标记长度/空间长度的信号，将其作为12T单载波信号。在记录12T单载波信号时，使用将激光器的发光波形设为固定、均匀调节功率电平的方法。
将12T单载波信号的振幅调制率固定为50％。对该信号的相邻的纹脊轨道照射再现光，通过示波器观察来自纹槽轨道的泄露信号的振幅，并将其获取为振幅电压值Vpp。另外，在纹槽轨道、纹脊轨道均未记录的地方对纹脊轨道照射再现光，以电压电平获取未记录时的信号电平Iv。利用下式求出串扰量(泄露量)CT。
串扰量CT[％]＝(Vpp/Iv)×100
另外，如以下方式测量CNR。对记录有上述信号的纹槽轨道照射再现光，通过频谱分析仪测量CNR。在本实施例中，将调制率规定为50％，材料组成也变化不大，因此载波(Carrier)电平不大变化。在观察到CNR之差的情况下，主要因素是由于记录而导致噪声电平变化。
按照以下顺序对本公开的实施例进行说明。
i关于记录层的组成等对于串扰量CT及CNR的影响的研究
ii关于记录层中添加的添加元素的种类的研究
iii关于记录层中添加的添加元素的添加量的研究
<i关于记录层的组成等对于串扰量CT及CNR的影响的研究>
作为记录层的材料，使用Mn、W以及Zn的氧化物，对记录层的组成及厚度对于串扰量CT及CNR的影响进行了研究。另外，对保护层的厚度对于串扰量CT及CNR的影响也进行了研究。
[参考例1-1～1-4]
首先，利用注塑成型来成型厚度1.1mm的聚碳酸酯基板。此时，聚碳酸酯基板的一个主面设为由螺旋状的纹脊及纹槽构成的凹凸面。另外，将纹脊-纹槽间的轨道间距Tp设定为0.16μm。接下来利用溅射法，在聚碳酸酯基板的凹凸面上依次层叠第1保护层、记录层、第2保护层。各层的结构具体如下所述。
以下示出具体的信息信号层(L0层)的结构。
第2保护层(光透射层侧)
材料：SIZ(SiO2：In2O3：ZrO2＝20：50：30(mol％))，厚度：15nm
记录层
材料：MnOx-WZnOy，厚度：30nm
第1保护层(基板侧)
材料：SIZ(SiO2：In2O3：ZrO2＝20：50：30(mol％))，厚度：15nm
在记录层的形成工序中，为了改变记录层的材料组成，使用Mn靶、WZnO(W：Zn＝4：6(mol比))靶、W靶这3个靶，进行了三源共溅射。此时，调节溅射的条件以使按膜厚换算的MnOx及WZnOy的含量(膜厚换算的含量)为表1所示的值。
接下来通过利用旋涂法将紫外线固化树脂均匀涂布于第2保护层上、对其照射紫外线以使之固化，从而形成了具有厚度100μm的光透射层。根据以上得到了作为目标的光盘。
[参考例2-1、2-2]
除了调节溅射的条件以使记录层的厚度及按膜厚换算的MnOx的含量为表1所示的值以外，与参考例1-3同样地得到光盘。
[参考例3-1、3-2]
除了使用WZnO(W：Zn＝3：7(mol比))靶、WZnO(W：Zn＝7：3(mol比))靶代替WZnO(W：Zn＝4：6(mol比))靶以外，与参考例1-3同样地得到光盘。
[参考例4-1、4-2]
除了调节溅射的条件以使记录层的厚度、按膜厚换算的MnOx的含量以及按膜厚换算的WZnOy的含量为表1所示的值以外，与参考例1-3同样地得到光盘。
[参考例5-1～5-3]
除了调节溅射的条件以使记录层的厚度及按膜厚换算的WZnOy的含量为表1所示的值以外，与参考例1-3同样地得到光盘。
[参考例6-1、6-2]
除了将第1保护层(基板侧)以及第2保护层(光透射层侧)的厚度设为5nm、20nm以外，与参考例1-3同样地得到光盘。
(光盘的评价)
对如上所述地得到的光盘进行以下评价。
(光学特性的评价)
使用分光光度计的反射率及透射率测量功能测量光盘的记录层的反射率及透射率。在图6的A、图6的B中示出其结果。
(串扰量CT的评价)
利用上述“信号特性的评价方法”测量串扰量(泄露量)CT。在图7的A中示出其结果。
(CNR的评价)
利用上述“信号特性的评价方法”测量12T标记的CNR。在图7的B中示出其结果。
(光盘的结构)
表1示出参考例1-1～6-2的光盘的结构。此外，如上所述，由于通过共溅射形成了记录层，因此在表1中，以膜厚比率(体积比率)示出MnOx及WZnOy的含量。
[表1]
(串扰量CT及CNR的评价结果)
表2示出参考例1-1～6-2的光盘的评价结果。
[表2]
根据图6的A以及图6的B可知以下内容。
可知如参考例1-1～6-2的光盘那样，即使变更记录层的组成以及膜厚和保护层的厚度，光学特性(反射率及透射率)也不发生大的变化。
根据图6的A、图6的B以及表2可知以下内容。
在使记录层的厚度固定的条件下，即使改变MnOx与WZnOy的比率，对CNR以及串扰量CT也几乎没有影响(参考例1-1～1-4)。
即使在使MnOx量固定的条件下改变WZnOy量，对CNR以及串扰量CT也几乎没有影响(参考例5-1～5-3、1-3)。
<ii关于记录层中添加的添加元素的种类的研究>
通过基于上述评价结果，将记录层的厚度及MnOx量固定，将WZnOy的一部分替换为其它元素的氧化物，由此对能够减少串扰的添加元素进行了研究。
[实施例1-1～6-3、比较例1-1～14-3]
在记录层的形成工序中，为了改变记录层的材料组成，使用Mn靶、WZnO(W：Zn＝4：6(mol比))靶、金属M的靶(其中，M＝Mg、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Ru、Cu、Ag、Al、Ga、Si、Ge、Sn、Sb、Bi、Te)这3个靶，进行了三源共溅射。此时，调节溅射的条件以使按膜厚换算的MnOx、WZnOy及MOz的含量为表3所示的值。除了上述以外，与参考例1-3同样地得到光盘。
(串扰量CT的评价)
对如上所述得到的实施例1-1～6-3、比较例1-1～14-3的光盘，与参考例6-1～6-2同样地评价串扰量CT。在图8中示出其结果。此外在图8中，在横轴标记“金属M”来代替“MOz”。例如，在横轴标记“Mg”来代替“MgOz”。
(光盘的结构)
表3示出实施例1-1～6-3、比较例1-1～14-3的光盘的结构。
[表3]
根据图8可知，在记录层中作为添加材料MOz添加有Hf、Nb、Ta、Si、Sn或Sb的氧化物的光盘(实施例1-1～6-3)中，与记录层中未添加添加材料MOz的光盘(参考例1-3)相比，能够减少串扰量CT。还可知，与在记录层中作为添加材料MOz添加有Mg、Ti、Zr、V、Cr、Mo、Ru、Cu、Ag、Al、Ga、Ge、Bi或Te的氧化物的光盘(比较例1-1～14-3)相比，能够减少串扰量CT。
因此可知从减少串扰量CT的观点而言，优选为使用Hf、Nb、Ta、Si、Sn或Sb的氧化物中的至少1种作为添加材料MOz。
<iii关于记录层中添加的添加元素的添加量的研究>
针对在上述研究中确认出串扰量CT的减少效果特别高的添加元素(Hf、Nb、Ta、Si、Sn、Sb)，对这些添加元素的添加量进行了研究。
[实施例7-1～12-5]
在记录层的形成工序中，为了改变记录层的材料组成，使用Mn靶、WZnO(W：Zn＝4：6(mol比))靶、金属M的靶(其中，M＝Hf、Nb、Ta、Si、Sn或Sb)这3个靶，进行了三源共溅射。此时，调节溅射的条件以使MnOx以外的添加元素的氧化物(即WZnOy及MOz)的含量为表4所示的值。除了上述以外，与参考例1-3同样地得到光盘。
(串扰量CT的评价)
对如上所述得到的实施例7-1～12-5的光盘，与参考例6-1～6-2同样地评价了串扰量CT。在图9的A～图11的B中示出其结果。
(光盘的结构)
表4示出实施例7-1～12-5的光盘的结构。此外表4中所示的WZnOy及MOz(其中，M＝Hf、Nb、Ta、Si、Sn或Sb)的含量(原子％)表示将记录层中包含的金属氧化物中的、除了Mn氧化物之外的剩余成分(即WZnOy及MOz的合计量)设为100原子％的情况下的含量。
[表4]
根据图9的A～图11的B可知以下内容。
从减少串扰量的观点而言，Hf的氧化物的含量a优选为0[原子％]<a≤75[原子％]，更优选为8.3[原子％]≤a≤62.4[原子％]，再更优选为16.6[原子％]≤a≤41.6[原子％]。
从减少串扰量的观点而言，Nb的氧化物的含量b优选为0[原子％]<b≤100[原子％]，更优选为19.5[原子％]≤b≤100[原子％]，再更优选为34.2[原子％]≤b≤78.5[原子％]。
从减少串扰量的观点而言，Ta的氧化物的含量c优选为0[原子％]<c≤100[原子％]，更优选为7.2[原子％]≤c≤81.1[原子％]，再更优选为22.2[原子％]≤c≤72[原子％]，尤其优选为37.9[原子％]≤c≤66[原子％]。
从减少串扰量的观点而言，Si的氧化物的含量d优选为0[原子％]<d≤100[原子％]，更优选为15.2[原子％]≤d≤100[原子％]，再更优选为39.2[原子％]≤d≤100[原子％]，尤其优选为60.1[原子％]≤d≤100[原子％]。
从减少串扰量的观点而言，Sn的氧化物的含量e优选为0[原子％]<e≤100[原子％]，更优选为16.6[原子％]≤e≤100[原子％]，再更优选为41.6[原子％]≤e≤100[原子％]。
从减少串扰量的观点而言，Sb的氧化物的含量f优选为0[原子％]<f≤100[原子％]，更优选为14.4[原子％]≤f≤100[原子％]，再更优选为37.6[原子％]≤f≤100[原子％]，尤其优选为80.8[原子％]≤f≤100[原子％]。
以上对本公开的实施方式具体进行了说明，但是本公开不限于上述实施方式，能够进行基于本公开的技术思想的各种变形。
例如，上述实施方式中列举的结构、方法、工序、形状、材料以及数值等仅为例子，可以根据需要采用与此不同的结构、方法、工序、形状、材料以及数值等。
另外，上述实施方式的结构、方法、工序、形状、材料以及数值等在不脱离本公开的主旨的范围内，能够相互组合。
在上述实施方式中分阶段地记载的数值范围中，某个阶段的数值范围的上限值或下限值可以替换为其它阶段的数值范围的上限值或下限值。除非特别说明，上述实施方式中例示出的材料能够单独使用1种或者将两种以上组合使用。
另外，本公开也能够采用以下结构。
(1)一种光记录介质，具备至少1层记录层，其中，
所述记录层包含Mn的氧化物和所述Mn的氧化物以外的金属氧化物，
所述Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn而存在，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种，
轨道间距为0.225μm以下。
(2)根据(1)所记载的光记录介质，还具备：
第1保护层，被设置于所述记录层的第1面侧；以及
第2保护层，被设置于所述记录层的第2面侧。
(3)根据(1)或(2)所记载的光记录介质，其中，
所述记录层具备组成不同的两个以上的层，
所述两个以上的层中的至少1层包含所述Mn的氧化物和所述Mn的氧化物以外的金属氧化物。
(4)根据(1)至(3)中的任意一项所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Hf的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Hf的氧化物的占比为大于0原子％且75原子％以下。
(5)根据(4)所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Hf的氧化物的占比为8.3原子％以上且62.4原子％以下。
(6)根据(1)至(3)中的任意一项所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Nb的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Nb的氧化物的占比为大于0原子％且100原子％以下。
(7)根据(6)所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Nb的氧化物的占比为19.5原子％以上且100原子％以下。
(8)根据(1)至(3)中的任意一项所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Ta的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Ta的氧化物的占比为大于0原子％且100原子％以下。
(9)根据(8)所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Ta的氧化物的占比为7.2原子％以上且81.1原子％以下。
(10)根据(1)至(3)中的任意一项所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Si的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Si的氧化物的占比为大于0原子％且100原子％以下。
(11)根据(10)所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Si的氧化物的占比为15.2原子％以上且100原子％以下。
(12)根据(1)至(3)中的任意一项所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Sn的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Sn的氧化物的占比为0原子％以上且100原子％以下。
(13)根据(12)所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Sn的氧化物的占比为大于16.6原子％且100原子％以下。
(14)根据(1)至(3)中的任意一项所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Sb的氧化物，
所述至少1种氧化物中的所述Sb的氧化物的占比为大于0原子％且100原子％以下。
(15)根据(14)所记载的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Sb的氧化物的占比为14.4原子％以上且100原子％以下。
(16)一种光记录介质的记录层，包含Mn的氧化物和所述Mn的氧化物以外的金属氧化物，其中，
所述Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn而存在，
所述金属氧化物包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种。
(17)一种光记录介质的记录层形成用溅射靶，包含Mn和Mn以外的金属作为合金或金属氧化物，其中，
所述Mn以外的金属包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb构成的组中选择的至少1种。

Claims (15)

1.一种光记录介质，具备至少1层记录层，其中，
所述记录层包含Mn的氧化物和所述Mn的氧化物以外的金属氧化物，
所述Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn而存在，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种，
轨道间距为0.225μm以下，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Nb的氧化物，所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Nb的氧化物的占比为34.2原子％以上且78.5原子％以下。
2.根据权利要求1所述的光记录介质，还具备：
第1保护层，被设置于所述记录层的第1面侧；以及
第2保护层，被设置于所述记录层的第2面侧。
3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，
所述记录层具备组成不同的两个以上的层，
所述两个以上的层中的至少1层包含所述Mn的氧化物和所述Mn的氧化物以外的金属氧化物。
4.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Hf的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Hf的氧化物的占比为大于0原子％且75原子％以下。
5.根据权利要求4所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Hf的氧化物的占比为8.3原子％以上且62.4原子％以下。
6.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Ta的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Ta的氧化物的占比为大于0原子％且100原子％以下。
7.根据权利要求6所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Ta的氧化物的占比为7.2原子％以上且81.1原子％以下。
8.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Si的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Si的氧化物的占比为大于0原子％且100原子％以下。
9.根据权利要求8所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Si的氧化物的占比为15.2原子％以上且100原子％以下。
10.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Sn的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Sn的氧化物的占比为0原子％以上且100原子％以下。
11.根据权利要求10所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Sn的氧化物的占比为大于16.6原子％且100原子％以下。
12.根据权利要求1所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Sb的氧化物，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Sb的氧化物的占比为大于0原子％且100原子％以下。
13.根据权利要求12所述的光记录介质，其中，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Sb的氧化物的占比为14.4原子％以上且100原子％以下。
14.一种光记录介质的记录层，包含Mn的氧化物和所述Mn的氧化物以外的金属氧化物，其中，
所述Mn的氧化物的至少一部分作为+4价的Mn而存在，
所述金属氧化物包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb的氧化物构成的组中选择的至少1种，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Nb的氧化物，所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Nb的氧化物的占比为34.2原子％以上且78.5原子％以下。
15.一种光记录介质的记录层形成用溅射靶，包含Mn和Mn以外的金属作为合金或金属氧化物，其中，
所述Mn以外的金属包含从由Hf、Nb、Ta、Si、Sn以及Sb构成的组中选择的至少1种，
所述Mn的氧化物以外的金属氧化物至少包含Nb的氧化物，所述Mn的氧化物以外的金属氧化物中的所述Nb的氧化物的占比为34.2原子％以上且78.5原子％以下。
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