JPWO2020158680A1 - 光記録媒体、記録層および記録層形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
光記録媒体は、少なくとも１層の記録層を備え、記録層は、Ｍｎの酸化物と、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物とを含む。Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、トラックピッチが０．２２５μｍ以下である。【選択図】図２
Description
本開示は、光記録媒体、記録層および記録層形成用スパッタリングターゲットに関する。
近年、ブルーレイディスク（ＢＤ：Blu-ray（登録商標） Disc）のデータ容量（最大１２８ＧＢ）を超える追記型の光記録媒体の開発が進められている。このような大容量化を実現した新たな光記録媒体として、アーカイブディスク（ＡＤ）と称される光記録媒体が実用化されており、光記録媒体１枚当たり３００ＧＢのデータ容量が実現されている。
追記型の光記録媒体の技術分野においては、大容量化を実現するために、無機系の記録材料が種々検討されている。例えば特許文献１、２では、無機系の記録材料としてＭｎの酸化物が提案されている。
光記録媒体の容量を高める方式の一つとして、トラック密度（ディスク半径方向の単位長さに収められるトラック数）を高める方式がある。トラック密度は、トラックピッチ（トラックの間隔）が狭い程高めることができる。ＢＤでは、トラックピッチが０．３２μｍであるのに対して、ＡＤでは、トラックピッチは、ＢＤよりも狭トラックピッチ化されており、０．２２５μｍとなっている。また、ＡＤでは、更なる大容量化が求められており、トラックピッチを０．２２５μｍ未満とすることが望まれるようになっている。
上述のような狭トラックピッチ化に伴い、記録再生ビームを絞りスポット径を小さくすることが望まれるが、ＢＤの記録再生光学系からさらにビームを絞ることは技術的に困難になっている。記録再生ビームを絞ることなくトラックピッチを狭くすると、クロストークやクロスライトが発生する。トラックピッチを０．２２５μｍよりも挟ピッチ化にした場合には、クロストークやクロスライトの発生が特に顕著になる。
なお、“クロストーク”とは、あるトラックを再生中に隣のトラックの信号が漏れ込み、再生したい信号を乱すことをいう。“クロスライト”とは、あるトラックに信号を記録した後に隣のトラックに信号を記録すると、先に記録した信号領域が隣のトラックを記録した時に一部破壊され、再生信号が劣化することをいう。
本開示の目的は、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる光記録媒体、記録層および記録層形成用スパッタリングターゲットを提供することにある。
上述の課題を解決するために、第１の開示は、
少なくとも１層の記録層を備え、
記録層は、Ｍｎの酸化物と、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
トラックピッチが０．２２５μｍ以下である光記録媒体である。
少なくとも１層の記録層を備え、
記録層は、Ｍｎの酸化物と、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
トラックピッチが０．２２５μｍ以下である光記録媒体である。
第２の開示は、
Ｍｎの酸化物と、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層である。
Ｍｎの酸化物と、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層である。
第３の開示は、
Ｍｎと、Ｍｎ以外の金属とを合金または金属酸化物として含み、
Ｍｎ以外の金属は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットである。
Ｍｎと、Ｍｎ以外の金属とを合金または金属酸化物として含み、
Ｍｎ以外の金属は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットである。
本開示では、少なくとも１層の記録層が基板上に設けられ、この少なくとも１層の記録層上にカバー層が設けられていることが好ましい。このカバー層の厚さは特に限定されるものではないが、高密度の光記録媒体では、高ＮＡ（Numerical Aperture）の対物レンズが用いられるため、カバー層としてシートまたはコーティング層等の薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録および再生を行うことが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、光記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。
本開示において、保存信頼性向上の観点からすると、光記録媒体は、記録層の少なくとも一方の表面に保護層をさらに備えることが好ましく、記録層の両方の表面に保護層を備えることがより好ましい。層構成や製造設備の簡略化の観点からすると、記録層のいずれの表面にも保護層を設けずに、記録層を単独で用いることが好ましい。
本開示において、光記録媒体が、記録層と、この記録層の少なくとも一方の面側に設けられた保護層とを備える複数の情報信号層を備える場合、生産性の観点からすると、複数の情報信号層がすべて同一の層構成を有していることが好ましい。複数の情報信号層が第１の保護層と、記録層と、第２の保護層とを備える同一の層構成を有する場合、生産性の観点からすると、第１の保護層、記録層および第２の保護層それぞれが、すべての情報信号層にて同一種の材料を含むものであることが好ましい。
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態
１．１ 光記録媒体の構成
１．２ 光記録媒体の記録原理
１．３ スパッタリングターゲット
１．４ 光記録媒体の製造方法
１．５ 効果
２ 第２の実施形態
２．１ 光記録媒体の構成
２．２ 光記録媒体の製造方法
２．３ 効果
３ 変形例
１ 第１の実施形態
１．１ 光記録媒体の構成
１．２ 光記録媒体の記録原理
１．３ スパッタリングターゲット
１．４ 光記録媒体の製造方法
１．５ 効果
２ 第２の実施形態
２．１ 光記録媒体の構成
２．２ 光記録媒体の製造方法
２．３ 効果
３ 変形例
＜１ 第１の実施形態＞
［１．１ 光記録媒体の構成］
図１Ａに示すように、本開示の第１の実施形態に係る光記録媒体１は、中央に開口（以下センターホールと称する）が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体１の形状はこの例に限定されるものではなく、例えばカード状等とすることも可能である。
［１．１ 光記録媒体の構成］
図１Ａに示すように、本開示の第１の実施形態に係る光記録媒体１は、中央に開口（以下センターホールと称する）が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体１の形状はこの例に限定されるものではなく、例えばカード状等とすることも可能である。
図１Ｂに示すように、光記録媒体１は、いわゆる多層の追記型光記録媒体（例えばＡＤ（Archival Disc））であり、第１のディスク１０と、第２のディスク２０と、第１、第２のディスク１０、２０の間に設けられた貼合層３０とを備える。光記録媒体１は、グルーブトラックおよびランドトラックの両方にデータを記録する方式（以下「ランド／グルーブ記録方式」という。）の光記録媒体である。
第１のディスク１０は、情報信号層Ｌ０、スペーサ層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、スペーサ層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１の一主面に積層された構成を有する。第２のディスク２０は、情報信号層Ｌ０、スペーサ層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、スペーサ層Ｓｍ、情報信号層Ｌｍ、カバー層である光透過層２２がこの順序で基板２１の一主面に積層された構成を有する。但し、ｎ、ｍはそれぞれ独立して１以上の整数であり、記録容量の向上の観点からすると、好ましくは２以上の整数、より好ましくは３以上の整数、さらにより好ましくは４以上の整数である。なお、以下の説明において、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍを特に区別しない場合には、情報信号層Ｌという。
光記録媒体１は、情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される光照射面を両面に有する。より具体的には、第１のディスク１０の情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第１の光照射面Ｃ１と、第２のディスク２０の情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第２の光照射面Ｃ２とを有する。
第１のディスク１０では、情報信号層Ｌ０が第１の光照射面Ｃ１を基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層Ｌ１〜Ｌｎが位置している。このため、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。一方、第２のディスク２０では、情報信号層Ｌ０が第２の光照射面Ｃ２を基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層Ｌ１〜Ｌｍが位置している。このため、情報信号層Ｌ１〜Ｌｍは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。なお、図示しないが、光記録媒体１が、光透過層１２、２２の表面（すなわち第１、第２の光照射面Ｃ１、Ｃ２）にハードコート層をさらに備えていてもよい。
光記録媒体１では、第１のディスク１０の情報信号の記録または再生は以下のようにして行われる。すなわち、光透過層１２側の第１の光照射面Ｃ１からレーザー光を、第１のディスク１０に含まれる各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、第１のディスク１０の情報信号の記録または再生が行われる。例えば、３５０ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザー光を、０．８４以上０．９５以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層１２の側から、第１のディスク１０に含まれる各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。
一方、第２のディスク２０の情報信号の記録または再生は以下のようにして行われる。すなわち、光透過層２２側の第２の光照射面Ｃ２からレーザー光を、第２のディスク２０に含まれる各情報信号層Ｌ０〜Ｌｍに照射することにより、第２のディスク２０の情報信号の記録または再生が行われる。例えば、３５０ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザー光を、０．８４以上０．９５以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層２２の側から、第２のディスク２０に含まれる各情報信号層Ｌ０〜Ｌｍに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。
以下、光記録媒体１を構成する基板１１、２１、貼合層３０、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍ、スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍ、光透過層１２、２２およびハードコート層について順次説明する。
（基板）
基板１１、２１は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板１１、２１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が形成される。以下では、凹凸面のうち凹部をランドＬｄといい、凸部をグルーブＧｖという。
基板１１、２１は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板１１、２１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が形成される。以下では、凹凸面のうち凹部をランドＬｄといい、凸部をグルーブＧｖという。
ランドＬｄおよびグルーブＧｖの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状等の各種形状が挙げられる。また、ランドＬｄおよび／またはグルーブＧｖが、線速度の安定化やアドレス情報付加等のためにウォブル（蛇行）されていてもよい。
なお、第１のディスク１０と第２のディスク２０のスパイラル方向は逆であってもよい。この場合、第１のディスク１０と第２のディスク２０を貼り合わせた光記録媒体（両面ディスク）１の同時記録再生が可能となるため、記録や再生時のデータ転送速度を約２倍に高めることができる。
基板１１、２１の外径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１１、２１の内径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。基板１１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上０．５４５ｍｍ以下、より好ましくは０．４４５ｍｍ以上０．５４５ｍｍ以下である。
基板１１、２１の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、成形性の観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂またはアクリル系樹脂等を用いることができ、コストの観点からすると、ポリカーボネート系樹脂を用いることが好ましい。
（貼合層）
貼合層３０は、硬化した紫外線硬化樹脂により構成されている。この貼合層３０により、第１のディスク１０と第２のディスク２０とが貼り合わされる。より具体的には、光透過層１２、２２がそれぞれ表面側となるようにして、第１のディスク１０の基板１１と第２のディスク基板の基板２１とが貼り合わされる。
貼合層３０は、硬化した紫外線硬化樹脂により構成されている。この貼合層３０により、第１のディスク１０と第２のディスク２０とが貼り合わされる。より具体的には、光透過層１２、２２がそれぞれ表面側となるようにして、第１のディスク１０の基板１１と第２のディスク基板の基板２１とが貼り合わされる。
貼合層３０の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上０．２２ｍｍ以下である。紫外線硬化樹脂は、例えばラジカル重合紫外線硬化樹脂である。
（情報信号層）
情報信号層Ｌは、凹状のトラック（以下「ランドトラック」という。）および凸状のトラック（以下「グルーブトラック」という。）を有している。第１の実施形態に係る光記録媒体１は、ランドトラックおよびグルーブトラックの両方に情報信号を記録可能に構成されている。ランドトラックとグルーブトラックとのトラックピッチＴｐが、高記録密度の観点からすると、好ましくは０．２２５μｍ以下、より好ましくは０．２２５μｍ未満であることが好ましい。トラックピッチＴｐの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．１２μｍ以上である。
情報信号層Ｌは、凹状のトラック（以下「ランドトラック」という。）および凸状のトラック（以下「グルーブトラック」という。）を有している。第１の実施形態に係る光記録媒体１は、ランドトラックおよびグルーブトラックの両方に情報信号を記録可能に構成されている。ランドトラックとグルーブトラックとのトラックピッチＴｐが、高記録密度の観点からすると、好ましくは０．２２５μｍ以下、より好ましくは０．２２５μｍ未満であることが好ましい。トラックピッチＴｐの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．１２μｍ以上である。
図２に示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、上面（第１の主面）および下面（第２の主面）を有する無機記録層（以下単に「記録層」という。）１３と、記録層１３の上面に隣接して設けられた保護層１４と、記録層１３の下面に隣接して設けられた保護層１５とを備える。このような構成とすることで、記録層１３の耐久性を向上することができる。ここで、上面とは、記録層１３の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される側の主面をいい、下面とは、上述のレーザー光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板１１側の主面をいう。なお、情報信号層Ｌ０〜Ｌｍの構成は、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎと同様とすることができるので、説明を省略する。
（記録層）
記録層１３は、Ｍｎの酸化物と、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物とを混在状態または複合酸化物の状態で含む。ここで、金属には、ＳｉやＳｂ等の半金属が含まれるものと定義する。Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎ（すなわちＭｎＯ２）として記録層１３中に存在する。記録層１３が、Ｍｎの酸化物としてＭｎＯ２以外のもの（例えばＭｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４等）を含んでいてもよい。記録層１３が、Ｍｎの酸化物と共に、上記のＭｎの酸化物以外の金属酸化物を含むことで、ＳＮＲ（Signal to Noise Ratio）を確保しつつ、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、必要に応じて、Ｗの酸化物およびＺｎの酸化物等のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。このようにＭｎの酸化物以外の金属酸化物がＷの酸化物およびＺｎの酸化物等のうちの少なくとも１種を含むことで、光学定数の調整、記録性能の確保および保存性能の確保をすることができる。
記録層１３は、Ｍｎの酸化物と、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物とを混在状態または複合酸化物の状態で含む。ここで、金属には、ＳｉやＳｂ等の半金属が含まれるものと定義する。Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎ（すなわちＭｎＯ２）として記録層１３中に存在する。記録層１３が、Ｍｎの酸化物としてＭｎＯ２以外のもの（例えばＭｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４等）を含んでいてもよい。記録層１３が、Ｍｎの酸化物と共に、上記のＭｎの酸化物以外の金属酸化物を含むことで、ＳＮＲ（Signal to Noise Ratio）を確保しつつ、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、必要に応じて、Ｗの酸化物およびＺｎの酸化物等のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。このようにＭｎの酸化物以外の金属酸化物がＷの酸化物およびＺｎの酸化物等のうちの少なくとも１種を含むことで、光学定数の調整、記録性能の確保および保存性能の確保をすることができる。
クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＨｆの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく７５原子％以下、より好ましくは８．３原子％以上６２．４原子％以下、さらにより好ましくは１６．６原子％以上４１．６原子％以下である。
クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＮｂの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１９．５原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３４．２原子％以上７８．５原子％以下である。
クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＴａの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは７．２原子％以上８１．１原子％以下、さらにより好ましくは２２．２原子％以上７２原子％以下、特に好ましくは３７．９原子％以上６６原子％以下である。
クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＳｉの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１５．２原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３９．２原子％以上１００原子％以下、特に好ましくは６０．１原子％以上１００原子％以下である。
クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＳｎの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１６．６原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは４１．６原子％以上１００原子％以下である。
クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＳｂの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１４．４原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３７．６原子％以上１００原子％以下、特に好ましくは８０．８原子％以上１００原子％以下である。
（保護層）
保護層１４、１５は、酸素バリア層として機能を有する。これにより、記録層１３の耐久性を向上することができる。また、保護層１４、１５は、記録層１３の酸素の逃避を抑制する機能を有する。これにより、記録層１３の膜質の変化（主に反射率の低下として検出）を抑制することができ、記録層１３として好ましい膜質を確保することができる。また、保護層１４、１５は、記録特性を向上させる機能も有する。この機能の発現は、記録層１３に入射したレーザー光の熱拡散が適度に制御されて、記録部分における形状変化が大きくなりすぎたり、Ｍｎ酸化物の分解が進みすぎて、変化した形状がつぶれるといったことが抑制され、記録時の形状変化を良好にすることができるためと考えられる。
保護層１４、１５は、酸素バリア層として機能を有する。これにより、記録層１３の耐久性を向上することができる。また、保護層１４、１５は、記録層１３の酸素の逃避を抑制する機能を有する。これにより、記録層１３の膜質の変化（主に反射率の低下として検出）を抑制することができ、記録層１３として好ましい膜質を確保することができる。また、保護層１４、１５は、記録特性を向上させる機能も有する。この機能の発現は、記録層１３に入射したレーザー光の熱拡散が適度に制御されて、記録部分における形状変化が大きくなりすぎたり、Ｍｎ酸化物の分解が進みすぎて、変化した形状がつぶれるといったことが抑制され、記録時の形状変化を良好にすることができるためと考えられる。
保護層１４、１５は、誘電体を含む。誘電体は、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含む。保護層１４、１５の材料としては、互いに同一または異なる材料を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、ＴｉおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物の具体例としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２（ＳＩＺ）、ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＺｒＯ２（ＳＣＺ）、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２（ＩＴＯ）、Ｉｎ２Ｏ３−ＣｅＯ２（ＩＣＯ）、Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３（ＩＧＯ）、Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、Ｓｎ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５（ＴＴＯ）、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３−ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ等が挙げられる。
保護層１５の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内である。保護層１５の厚さが２ｎｍ以上であると、良好なバリア効果を得ることができる。一方、保護層１５の厚さが３０ｎｍ以下であると、記録パワーマージンの低下を抑制することができる。
保護層１４の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内である。保護層１４の厚さが２ｎｍ以上であると、良好なバリア効果を得ることができる。一方、保護層１４の厚さが５０ｎｍ以下であると、記録パワーマージンの低下を抑制することができる。
（スペーサ層）
スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍはそれぞれ、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を有し、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のランドＬｄおよびグルーブＧｖを形成している。スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍの厚みは、好ましくは９μｍ以上５０μｍ以下である。スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍは奥層へのデータの記録および再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍはそれぞれ、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を有し、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のランドＬｄおよびグルーブＧｖを形成している。スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍの厚みは、好ましくは９μｍ以上５０μｍ以下である。スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、スペーサ層Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍは奥層へのデータの記録および再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
（光透過層）
光透過層１２、２２は、例えば、紫外線硬化樹脂等の感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを情報信号層Ｌｎ、Ｌｍに対して貼り合わせるための接着層とから光透過層１２、２２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂またはポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））等を用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）等を用いることができる。
光透過層１２、２２は、例えば、紫外線硬化樹脂等の感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを情報信号層Ｌｎ、Ｌｍに対して貼り合わせるための接着層とから光透過層１２、２２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂またはポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））等を用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）等を用いることができる。
光透過層１２、２２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば５７μｍに選ばれる。このような薄い光透過層１２、２２と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
（ハードコート層）
ハードコート層は、第１、第２の光照射面Ｃ１、Ｃ２に耐擦傷性等を付与するためのものである。ハードコート層の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂または有機無機ハイブリッド系樹脂等を用いることができる。ハードコート層が、機械的強度の向上のために、シリカの微粉末を含んでいてもよい。
ハードコート層は、第１、第２の光照射面Ｃ１、Ｃ２に耐擦傷性等を付与するためのものである。ハードコート層の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂または有機無機ハイブリッド系樹脂等を用いることができる。ハードコート層が、機械的強度の向上のために、シリカの微粉末を含んでいてもよい。
［１．２ 光記録媒体の記録原理］
上述の構成を有する光記録媒体１では、例えば中心波長４０５ｎｍ近傍のレーザー光等の光を情報信号層Ｌに照射して光記録媒体１としての記録動作を行ったときには、ＭｎＯ２は酸素を分離しＯ２を発生するとともに、Ｍｎ自体はより価数の低い酸化物に変化する。そして、Ｏ２の発生によって光照射エリアが構造的に膨れ、体積変化と光学定数変化を伴った記録マークが形成されると考えられている。
上述の構成を有する光記録媒体１では、例えば中心波長４０５ｎｍ近傍のレーザー光等の光を情報信号層Ｌに照射して光記録媒体１としての記録動作を行ったときには、ＭｎＯ２は酸素を分離しＯ２を発生するとともに、Ｍｎ自体はより価数の低い酸化物に変化する。そして、Ｏ２の発生によって光照射エリアが構造的に膨れ、体積変化と光学定数変化を伴った記録マークが形成されると考えられている。
記録による記録材料の体積変化と光学定数変化は記録材料の成分に影響を受ける。例えば、体積変化を記録層１３の表面に垂直な方向の膨張と記録層１３の面内方向の膨張とに分けて考えることができるが、垂直方向および面内方向の膨張度合いは材料成分により差が出る。光学定数の変化量も記録材料の成分により異なる。
［１．３ スパッタリングターゲット］
光記録媒体１の記録層形成用スパッタリングターゲットは、Ｍｎと、Ｍｎ以外の金属とを合金または金属酸化物として含む。以下では、「スパッタリングターゲット」を単に「ターゲット」という。Ｍｎ以外の金属は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。Ｍｎ以外の金属は、必要に応じて、ＷおよびＺｎ等のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
光記録媒体１の記録層形成用スパッタリングターゲットは、Ｍｎと、Ｍｎ以外の金属とを合金または金属酸化物として含む。以下では、「スパッタリングターゲット」を単に「ターゲット」という。Ｍｎ以外の金属は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。Ｍｎ以外の金属は、必要に応じて、ＷおよびＺｎ等のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
より具体的には、ターゲットは、Ｍｎと、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種とを含む合金ターゲット、またはＭｎの酸化物と、Ｈｆの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｔａの酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｓｎの酸化物およびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種とを含む金属酸化物ターゲットである。合金ターゲットは、必要に応じて、ＷおよびＺｎ等のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。金属酸化物ターゲットは、必要に応じて、Ｗの酸化物およびＺｎの酸化物等のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
Ｍｎの酸化物は、例えば、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４等としてターゲットに含まれる。記録層１３中に存在させたいＭｎＯ２はターゲット作製時の熱で分解してしまうため、ＭｎＯ２を含むターゲットを作製することは困難である。また、ＭｎＯ２を含むターゲットを作製できたとしても、ＭｎＯ２はスパッタリング時のエネルギーで分解してしまうため、記録層１３中にＭｎＯ２を含ませることは困難である。このため、第１の実施形態では、ＭｎをＭｎ合金として含む合金ターゲット、またはＭｎをＭｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４等のＭｎ酸化物として含む金属酸化物ターゲットを用い、スパッタリング時に酸素アシストを行うことで、記録層１３中にＭｎＯ２を含ませる。
ターゲットは、合金ターゲットであることが好ましい。このようにターゲットが合金ターゲットであると、記録層１３の形成に用いるスパッタ装置として、ＤＣスパッタリング装置を用いることができる。ＤＣスパッタリング装置は、ＲＦスパッタリング装置に比べて安価であるため、製造コストを低減することができる。但し、ＤＣスパッタリング装置はスパッタリング時の異常放電やターゲット破損を発生しやすいため、製造コストと性能のバランスを考慮して、ターゲットの構成材料を金属状態および金属酸化物状態のいずれで含ませるかを選択することが好ましい。
ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎ以外の金属中におけるＨｆの含有量は、好ましくは０原子％より大きく７５原子％以下、より好ましくは８．３原子％以上６２．４原子％以下、さらにより好ましくは１６．６原子％以上４１．６原子％以下である。
ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎ以外の金属中におけるＮｂの含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１９．５原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３４．２原子％以上７８．５原子％以下である。
ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎ以外の金属中におけるＴａの含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは７．２原子％以上８１．１原子％以下、さらにより好ましくは２２．２原子％以上７２原子％以下、特に好ましくは３７．９原子％以上６６原子％以下である。
ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎ以外の金属中におけるＳｉの含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１５．２原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３９．２原子％以上１００原子％以下、特に好ましくは６０．１原子％以上１００原子％以下である。
ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎ以外の金属中におけるＳｎの含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１６．６原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは４１．６原子％以上１００原子％以下である。
ターゲットが合金ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎ以外の金属中におけるＳｂの含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１４．４原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３７．６原子％以上１００原子％以下、特に好ましくは８０．８原子％以上１００原子％以下である。
ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＨｆの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく７５原子％以下、より好ましくは８．３原子％以上６２．４原子％以下、さらにより好ましくは１６．６原子％以上４１．６原子％以下である。
ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＮｂの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１９．５原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３４．２原子％以上７８．５原子％以下である。
ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＴａの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは７．２原子％以上８１．１原子％以下、さらにより好ましくは２２．２原子％以上７２原子％以下、特に好ましくは３７．９原子％以上６６原子％以下である。
ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＳｉの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１５．２原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３９．２原子％以上１００原子％以下、特に好ましくは６０．１原子％以上１００原子％以下である。
ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＳｎの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１６．６原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは４１．６原子％以上１００原子％以下である。
ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、クロストークおよびクロスライトを抑制する観点からすると、Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中におけるＳｂの酸化物の含有量は、好ましくは０原子％より大きく１００原子％以下、より好ましくは１４．４原子％以上１００原子％以下、さらにより好ましくは３７．６原子％以上１００原子％以下、特に好ましくは８０．８原子％以上１００原子％以下である。
［１．４ 光記録媒体の製造方法］
次に、本開示の第１の実施形態に係る光記録媒体１の製造方法の一例について説明する。
次に、本開示の第１の実施形態に係る光記録媒体１の製造方法の一例について説明する。
（第１のディスクの作製工程）
第１のディスク１０を以下のようにして作製する。
第１のディスク１０を以下のようにして作製する。
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１１を成形する。基板１１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法またはフォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）等を用いることができる。
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１１を成形する。基板１１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法またはフォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）等を用いることができる。
（情報信号層の形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、基板１１上に、保護層１５、記録層１３、保護層１４を順次積層することにより、情報信号層Ｌ０を形成する。以下に、保護層１５、記録層１３および保護層１４の形成工程について具体的に説明する。
次に、例えばスパッタリング法により、基板１１上に、保護層１５、記録層１３、保護層１４を順次積層することにより、情報信号層Ｌ０を形成する。以下に、保護層１５、記録層１３および保護層１４の形成工程について具体的に説明する。
（保護層の形成工程）
まず、基板１１を、保護層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ２ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、基板１１上に保護層１５を形成する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して装置が安価であり、かつ成膜レートが高いため、製造コストを低減でき、かつ生産性を向上することができるからである。
まず、基板１１を、保護層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ２ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、基板１１上に保護層１５を形成する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して装置が安価であり、かつ成膜レートが高いため、製造コストを低減でき、かつ生産性を向上することができるからである。
（記録層の形成工程）
次に、基板１１を、記録層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ２ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、保護層１５上に記録層１３を形成する。
次に、基板１１を、記録層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ２ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、保護層１５上に記録層１３を形成する。
記録層形成用ターゲットが合金ターゲットである場合、酸素アシストを行いながらターゲットをスパッタし記録層１３を形成することで、Ｍｎは真空チャンバー内の酸素濃度に応じてＭｎＯ２、Ｍ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４等の酸化物を形成する。また、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属は安定な酸化物を形成する。ＭｎＯ２やＭｎ２Ｏ３は加熱により分解し酸素を放出することが知られており、分解温度はそれぞれ５３５℃、１０８０℃である。また、ＭｎＯ２は公知の通り黒色であり光吸収能を有する。
記録層形成用ターゲットが金属酸化物ターゲットである場合、酸素アシストを行いながらターゲットをスパッタし記録層１３を形成することで、Ｍｎ酸化物は真空チャンバー内の酸素濃度に応じてＭｎＯ２、Ｍ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４等の酸化物を形成する。また、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属酸化物は安定な酸化物を形成する。
（保護層の形成工程）
次に、基板１１を、保護層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ２ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、記録層１３上に保護層１４を形成する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。上述したように、直流スパッタ法を用いると、製造コストを低減でき、かつ生産性を向上することができるからである。
以上により、基板１１上に情報信号層Ｌ０が形成される。
次に、基板１１を、保護層形成用ターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ２ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、記録層１３上に保護層１４を形成する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。上述したように、直流スパッタ法を用いると、製造コストを低減でき、かつ生産性を向上することができるからである。
以上により、基板１１上に情報信号層Ｌ０が形成される。
（スペーサ層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばランドＬｄおよびグルーブＧｖが設けられたスペーサ層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばランドＬｄおよびグルーブＧｖが設けられたスペーサ層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。
（情報信号層の形成工程およびスペーサ層の形成工程）
次に、上述の“情報信号層の形成工程”および“スペーサ層の形成工程”と同様にして、情報信号層Ｌ１、スペーサ層Ｓ２、情報信号層Ｌ３、・・・、スペーサ層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎをこの順序でスペーサ層Ｓ１上に積層する。
次に、上述の“情報信号層の形成工程”および“スペーサ層の形成工程”と同様にして、情報信号層Ｌ１、スペーサ層Ｓ２、情報信号層Ｌ３、・・・、スペーサ層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎをこの順序でスペーサ層Ｓ１上に積層する。
（光透過層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）等の感光性樹脂を情報信号層Ｌｎ上にスピンコートした後、紫外線等の光を感光性樹脂に照射し硬化する。これにより、情報信号層Ｌｎ上に光透過層１２が形成される。以上により、第１のディスク１０が作製される。
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）等の感光性樹脂を情報信号層Ｌｎ上にスピンコートした後、紫外線等の光を感光性樹脂に照射し硬化する。これにより、情報信号層Ｌｎ上に光透過層１２が形成される。以上により、第１のディスク１０が作製される。
（第２のディスクの作製工程）
“第２のディスクの作製工程”は、上述の“第１のディスクの作製工程”と同様であるので、説明を省略する。
“第２のディスクの作製工程”は、上述の“第１のディスクの作製工程”と同様であるので、説明を省略する。
（貼り合わせ工程）
次に、以下のようにして、例えばスピンコート法により、上述のようにして作製された第１、第２のディスク１０、２０の間に接着剤としての紫外線硬化樹脂を延伸させる。まず、第２のディスク２０の両主面のうち第２の光照射面Ｃ２とは反対側の主面に、センターホールの周縁に沿って紫外線硬化樹脂をリング状に塗布する。次に、第１のディスク１０の両主面のうち第１の光照射面Ｃ１とは反対側の主面と、第２のディスク２０の両主面のうち第２の光照射面Ｃ２とは反対側の主面とが対向するようにして、第１のディスク１０を紫外線硬化樹脂を介して第２のディスク２０に対して押し付ける。
次に、以下のようにして、例えばスピンコート法により、上述のようにして作製された第１、第２のディスク１０、２０の間に接着剤としての紫外線硬化樹脂を延伸させる。まず、第２のディスク２０の両主面のうち第２の光照射面Ｃ２とは反対側の主面に、センターホールの周縁に沿って紫外線硬化樹脂をリング状に塗布する。次に、第１のディスク１０の両主面のうち第１の光照射面Ｃ１とは反対側の主面と、第２のディスク２０の両主面のうち第２の光照射面Ｃ２とは反対側の主面とが対向するようにして、第１のディスク１０を紫外線硬化樹脂を介して第２のディスク２０に対して押し付ける。
次に、第１、第２のディスク１０、２０を回転させて、第１、第２のディスク１０、２０間において、紫外線硬化樹脂を第１、第２のディスク１０、２０の半径方向に延伸する。この際、回転速度により紫外線硬化樹脂の厚さが所定の厚さになるように調整される。これにより、第１、第２のディスク１０、２０間において、紫外線硬化樹脂が第１、第２のディスク１０、２０の内周部から外周部まで行き渡される。以上により、未硬化状態の貼合層３０を有する光記録媒体１が得られる。
なお、上記の紫外線硬化樹脂の延伸工程において、第１、第２のディスク１０、２０の外周部に対して紫外線を照射し、外周部まで延伸された紫外線硬化樹脂を仮硬化させることが好ましい。これにより、第１、第２のディスク１０、２０の外周部における開きの発生を抑制できる。
次に、紫外線ランプにより、光記録媒体１の両面側から紫外線を照射して、貼合層３０を硬化する。これにより、目的とする光記録媒体１が得られる。
［１．５ 効果］
上述の第１の実施形態に係る光記録媒体１は、複数の記録層１３を備え、複数の記録層１３は、Ｍｎの酸化物と、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物とを含み、Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が＋４価のＭｎ（すなわちＭｎＯ２）として存在している。これにより、信号レベルを保ちつつ、記録マークが記録層１３の面内方向に広がることを抑制することができるので、信号レベルを保ちつつ、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。したがって、挟トラックピッチ化（例えば、トラックピッチＴｐを０．２２５μｍ以下または０．２２５μｍ未満に挟トラックピッチ化）することが可能となり、光記録媒体１のトラック密度を高めることができる。よって、光記録媒体１の大容量化を実現することができる。
上述の第１の実施形態に係る光記録媒体１は、複数の記録層１３を備え、複数の記録層１３は、Ｍｎの酸化物と、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化物とを含み、Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が＋４価のＭｎ（すなわちＭｎＯ２）として存在している。これにより、信号レベルを保ちつつ、記録マークが記録層１３の面内方向に広がることを抑制することができるので、信号レベルを保ちつつ、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。したがって、挟トラックピッチ化（例えば、トラックピッチＴｐを０．２２５μｍ以下または０．２２５μｍ未満に挟トラックピッチ化）することが可能となり、光記録媒体１のトラック密度を高めることができる。よって、光記録媒体１の大容量化を実現することができる。
また、記録層１３に上記の少なくとも１種の酸化物を含ませることで、光記録媒体１の大容量化を実現することができるので、製造コストの大幅な上昇を招くことなく、光記録媒体１の大容量化を実現することができる。
＜２ 第２の実施形態＞
［２．１ 光記録媒体の構成］
図３に示すように、本開示の第２の実施形態に係る光記録媒体１Ａは、いわゆる多層の追記型光記録媒体であり、情報信号層Ｌ０、スペーサ層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、スペーサ層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１Ａの一主面に積層された構成を有する。なお、第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
［２．１ 光記録媒体の構成］
図３に示すように、本開示の第２の実施形態に係る光記録媒体１Ａは、いわゆる多層の追記型光記録媒体であり、情報信号層Ｌ０、スペーサ層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、スペーサ層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１Ａの一主面に積層された構成を有する。なお、第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
光記録媒体１Ａは、情報信号を記録または再生するための光が照射される光照射面Ｃを片面に有する。情報信号層Ｌ０が光照射面Ｃを基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層Ｌ１〜Ｌｎが位置している。このため、情報信号層Ｌ１〜Ｌｎは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。
この第２の実施形態に係る光記録媒体１Ａでは、光透過層１２側の光照射面Ｃからレーザー光を各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザー光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層１２の側から各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光記録媒体１Ａとしては、例えば多層のブルーレイディスク（ＢＤ：Blu-ray（登録商標） Disc）が挙げられる。
光記録媒体１Ａは、典型的には、グルーブ記録方式の光記録媒体であるが、ランド／グルーブ記録方式等の光記録媒体であってもよい。
基板１１Ａの径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センターホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。基板１１Ａの材料は、上述の第１の実施形態における基板１１と同様である。
［２．２ 光記録媒体の製造方法］
本開示の第２の実施形態に係る光記録媒体１Ａの製造方法は、上述の第１の実施形態における“第１のディスクの作製工程”と同様である。
本開示の第２の実施形態に係る光記録媒体１Ａの製造方法は、上述の第１の実施形態における“第１のディスクの作製工程”と同様である。
［２．３ 効果］
上述の第２の実施形態に係る光記録媒体１Ａでは、第１の実施形態に係る光記録媒体１と同様に、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。したがって、光記録媒体１Ａのトラック密度を高め、光記録媒体１Ａの大容量化を実現することができる。
上述の第２の実施形態に係る光記録媒体１Ａでは、第１の実施形態に係る光記録媒体１と同様に、クロストークおよびクロスライトを抑制することができる。したがって、光記録媒体１Ａのトラック密度を高め、光記録媒体１Ａの大容量化を実現することができる。
＜３ 変形例＞
上述の第１、第２の実施形態では、情報信号層Ｌが単層構造の記録層１３を備える場合について説明したが、情報信号層Ｌの構成はこれに限定されるものではない。例えば、情報信号層Ｌが、図４に示すように、組成が異なる第１の層１６１、・・・、第ｎの層１６ｎ（ｎは２以上の整数である。）からなる積層構造の記録層１６を備えるようにしてもよい。この場合、第１の層１６１、・・・、第ｎの層１６ｎのうちの少なくとも１層は、第１の実施形態における記録層１３と同様の組成を有する。クロストークおよびクロスライトの抑制の観点からすると、第１の層１６１、・・・、第ｎの層１６ｎのすべての層がそれぞれ独立に、第１の実施形態における記録層１３と同様の組成を有することが好ましい。
上述の第１、第２の実施形態では、情報信号層Ｌが単層構造の記録層１３を備える場合について説明したが、情報信号層Ｌの構成はこれに限定されるものではない。例えば、情報信号層Ｌが、図４に示すように、組成が異なる第１の層１６１、・・・、第ｎの層１６ｎ（ｎは２以上の整数である。）からなる積層構造の記録層１６を備えるようにしてもよい。この場合、第１の層１６１、・・・、第ｎの層１６ｎのうちの少なくとも１層は、第１の実施形態における記録層１３と同様の組成を有する。クロストークおよびクロスライトの抑制の観点からすると、第１の層１６１、・・・、第ｎの層１６ｎのすべての層がそれぞれ独立に、第１の実施形態における記録層１３と同様の組成を有することが好ましい。
また、上述の第１、第２の実施形態では、情報信号層Ｌが、記録層１３と、記録層１３の上面に隣接して設けられた保護層１４と、記録層１３の下面に隣接して設けられた保護層１５とを備える構成について説明したが、情報信号層Ｌの構成はこれに限定されるものではない。例えば、記録層１３の上面および下面のいずれか一方にのみ保護層を設けるようにしてもよい。また、情報信号層Ｌを記録層１３単層のみから構成するようにしてもよい。このような単純な構成とすることで、光記録媒体１、１Ａを低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。この効果は、情報信号層Ｌの層数が多い媒体ほど、顕著となる。
また、上述の第１、第２の実施形態では、多層の情報信号層Ｌがすべて、同一の層構成（３層構成）を有する場合について説明したが、情報信号層Ｌごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性等）に応じて層構成を変えるようにしてもよい。但し、生産性の観点からすると、全ての情報信号層Ｌを同一の層構成とすることが好ましい。
また、本開示を適用可能な光記録媒体は、第１、第２の実施形態における構成を有するものに限定されるわけではない。例えば、基板上に複数層の情報信号層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体（例えばＣＤ（Compact Disc））、または２枚の基板の間に複数層の情報信号層が設けられた構成を有し、少なくとも一方の基板の側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体（例えばＤＶＤ（Digital Versatile Disc））に対しても本開示は適用可能である。
また、多層の記録層構成とする場合、本開示の記録層を追記型以外の記録層と組み合わせてもよい。また、再生専用型のピット等による記録領域が部分的に設けられる光記録媒体にも本開示は適用可能である。
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
（評価装置）
本実施例では、光ディスクの評価は、ＢＤ用の評価装置を用いて行った。また、本実施例では、記録材料の特性検証が鍵となるので、光ディスクとしては情報記録層を１層のみ有する光ディスク（いわゆる単層ディスク）を採用した。
本実施例では、光ディスクの評価は、ＢＤ用の評価装置を用いて行った。また、本実施例では、記録材料の特性検証が鍵となるので、光ディスクとしては情報記録層を１層のみ有する光ディスク（いわゆる単層ディスク）を採用した。
図５は、ディスクドライブ型評価装置の構成を示す。以下、図５を参照して、評価対象である光ディスク１Ａをディスクドライブ型評価装置に搭載し、信号評価を行うまでの動作および手順を説明する。
まず、スピンドルモータ部４１に光ディスク１Ａを取りつけ回転させる。次に、記録再生光学系４２にてレーザーダイオード５１を発光させて、レーザー光Ｌをコリメータレンズ５２およびビームスプリッター５３を介して、ミラー５４に入射させる。ミラー５４にて反射したレーザー光Ｌは、対物レンズ５５を介して光ディスク１Ａの記録層に集光しつつ落射される。
次に、対物レンズ５５を光ディスク１Ａの光照射面に対して垂直な方向（光軸方向）に上下動作させて、レーザー光Ｌの焦点が光ディスク１Ａの記録層を横切るようにする。このときに、光ディスク１Ａの記録層で反射されたレーザー光Ｌは進んできた経路を戻り、記録再生光学系４２のビームスプリッター５３でレーザー光Ｌの一部または全部が反射されて、集光レンズ５６を介してフォトディテクタ５７に入射される。フォトディテクタ５７にて受光した光は、電気信号に変換されて、信号解析装置４４に供給される。信号解析装置４４は、フォトディテクタ５７から供給された電気信号に基づき、フォーカスサーボ用エラー信号、トラッキングサーボ用エラー信号およびＲＦ信号等を生成し、これらの生成信号に基づき、サーボ制御等を行う。例えば、フォーカスサーボ制御では、フォーカスエラー信号を用いて、フォーカスサーボを働かせて常に記録層にレーザー光の焦点がくるように制御する。また、トラッキングサーボ制御では、トラッキングエラー信号を用いて、記録層上のグルーブ（凸部）およびランド（凹部）上にレーザー光の焦点がくるように制御する。ここまでの処理で、情報記録の準備が整う。なお、既に情報信号が光ディスク１Ａに記録されている場合には、光ディスク１Ａからの情報信号の読み出し（再生）が可能な状態になる。
光ディスク１Ａに対する情報信号の記録は、以下のようにして行われる。信号発生装置４３が、光ディスク１Ａに記録する情報信号に基づき、レーザーダイオード５１のレーザー発光を制御する。これにより、レーザーダイオード５１から出射されるレーザー光Ｌの発光波形が制御されて、光ディスク１Ａの記録層に照射される。レーザー光Ｌが照射された記録層は、このレーザーエネルギーにより変化する。本実施例の記録層では、レーザーエネルギーによりＭｎＯ２が分解しＯ２が発生して、記録層の屈折率変化と物理的な体積膨張が起きる。レーザー光Ｌはこの変化が起きるのに十分なエネルギーを記録層に供給可能なものである。
光ディスク１Ａに対する情報信号の再生は、以下のようにして行われる。情報信号の再生は、レーザー光照射により光ディスク１Ａの記録層が１００万回同じところを再生しても変化しない程十分低パワーであり、かつ、記録された情報信号を十分なＳ／Ｎをもって読み出せるパワーにて行われる。このように設定したレーザー光のことを再生光と呼び、この再生光のレーザーパワーを再生パワーと呼ぶ。光ディスク１Ａの記録層に照射した再生光は、記録再生光学系を逆行しフォトディテクタ５７にて検出される。光ディスク１Ａの記録層に情報が記録されている場合には、例えば未記録部からの戻り光の光量に対し記録部の光は低下して戻ってくる。また、未記録部の戻り光量より記録部の戻り光が高くなって帰ってくるように設計された光ディスクも存在する。前者はHigh to Low記録、後者はLow to High記録と呼ばれている。
本実施例の光ディスク１ＡはHigh to Low記録のメディアであり、この記録方式は、ＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＢＤで採用されている。フォトディテクタ５７で検出された光は信号解析装置４４に供給され、信号解析装置４４にて信号品質が評価される。
（信号特性の評価方法）
上述のＢＤ用の評価装置を用いて、クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio）を評価指標として、光ディスク１Ａの信号特性の評価を行った。
上述のＢＤ用の評価装置を用いて、クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio）を評価指標として、光ディスク１Ａの信号特性の評価を行った。
以下に、ＢＤ用の評価装置の測定条件を示す。
光ディスク１Ａのデータ記録時に用いるチャンネルクロックを１３２ＭＨｚとし、このクロックの１周期を１Ｔとした。また、記録線速を４．４８ｍ／ｓｅｃ、記録再生レーザー光の波長λを４０５ｎｍ、レーザー集光に用いる対物レンズのＮＡを０．８５とした。
光ディスク１Ａのデータ記録時に用いるチャンネルクロックを１３２ＭＨｚとし、このクロックの１周期を１Ｔとした。また、記録線速を４．４８ｍ／ｓｅｃ、記録再生レーザー光の波長λを４０５ｎｍ、レーザー集光に用いる対物レンズのＮＡを０．８５とした。
本実施例では、データの記録方式としては、記録トラックとして光入射側に対して凸状のグルーブトラックと凹状のランドトラックの双方にデータを記録する、いわゆるランド／グルーブ記録方式を採用した。ランド／グルーブ記録方式では、グルーブトラックの隣のトラックはランドトラックになる。トラックピッチＴｐは、ランドトラックとグルーブトラック各中心の間隔を意味する。本実施例では、トラックピッチＴｐを０．１６μｍとした。
信号を記録したグルーブトラックの隣のランドトラックへの漏れこみ量を測定することにより、クロストーク量ＣＴを以下のようにして測定した。グルーブトラックに１２Ｔのマーク長／スペース長の信号を記録し、これを１２Ｔモノキャリア信号とした。１２Ｔモノキャリア信号を記録する際には、レーザーの発光波形は固定とし、パワーレベルを一律調整する方法を用いた。
１２Ｔモノキャリア信号の振幅変調度を５０％に固定した。この信号の隣のランドトラックに再生光を照射し、グルーブトラックからの漏れこみ信号の振幅をオシロスコープで観察し、振幅電圧値Ｖｐｐとして取得した。また、グルーブトラックもランドトラックも未記録の場所でランドトラックに再生光を照射し、未記録時の信号レベルＩｖを電圧レベルで取得した。クロストーク量（漏れこみ量）ＣＴを以下の式により求めた。
クロストーク量ＣＴ［％］＝（Ｖｐｐ／Ｉｖ）×１００
クロストーク量ＣＴ［％］＝（Ｖｐｐ／Ｉｖ）×１００
また、ＣＮＲを以下のようにして測定した。上記信号を記録したグルーブトラックに再生光を照射し、スペクトラムアナライザーでＣＮＲを測定した。本実施例では、変調度を５０％に規定しており、材料組成も大きく変わるわけではないので、Carrierレベルはあまり変化しない。ＣＮＲの差が見られる場合には、記録によりノイズレベルが変化することが主要因になる。
本開示の実施例について以下の順序で説明する。
ｉ クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲに対する記録層の組成等の影響についての検討
ii 記録層に添加する添加元素の種類についての検討
iii 記録層に添加する添加元素の添加量についての検討
ｉ クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲに対する記録層の組成等の影響についての検討
ii 記録層に添加する添加元素の種類についての検討
iii 記録層に添加する添加元素の添加量についての検討
＜ｉ クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲに対する記録層の組成等の影響についての検討＞
記録層の材料としてＭｎ、ＷおよびＺｎの酸化物を用い、クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲに対する記録層の組成および厚みの影響について検討した。また、クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲに対する保護層の厚みの影響についても検討した。
記録層の材料としてＭｎ、ＷおよびＺｎの酸化物を用い、クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲに対する記録層の組成および厚みの影響について検討した。また、クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲに対する保護層の厚みの影響についても検討した。
［参考例１−１〜１−４］
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。この際、ポリカーボネート基板の一主面は、スパイラル状のランドおよびグルーブからなる凹凸面とした。また、ランドト−グルーブ間のトラックピッチＴｐを０．１６μｍに設定した。次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板の凹凸面上に第１の保護層、記録層、第２の保護層を順次積層した。各層の構成は具体的には以下のようにした。
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。この際、ポリカーボネート基板の一主面は、スパイラル状のランドおよびグルーブからなる凹凸面とした。また、ランドト−グルーブ間のトラックピッチＴｐを０．１６μｍに設定した。次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板の凹凸面上に第１の保護層、記録層、第２の保護層を順次積層した。各層の構成は具体的には以下のようにした。
以下に、具体的な情報信号層（Ｌ０層）の構成を示す。
第２の保護層（光透過層側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ２：Ｉｎ２Ｏ３：ＺｒＯ２＝２０：５０：３０（ｍｏｌ％））、厚さ：１５ｎｍ
記録層
材料：ＭｎＯｘ−ＷＺｎＯｙ、厚さ：３０ｎｍ
第１の保護層（基板側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ２：Ｉｎ２Ｏ３：ＺｒＯ２＝２０：５０：３０（ｍｏｌ％））、厚さ：１５ｎｍ
第２の保護層（光透過層側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ２：Ｉｎ２Ｏ３：ＺｒＯ２＝２０：５０：３０（ｍｏｌ％））、厚さ：１５ｎｍ
記録層
材料：ＭｎＯｘ−ＷＺｎＯｙ、厚さ：３０ｎｍ
第１の保護層（基板側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ２：Ｉｎ２Ｏ３：ＺｒＯ２＝２０：５０：３０（ｍｏｌ％））、厚さ：１５ｎｍ
記録層の形成工程においては、記録層の材料組成を変えるために、Ｍｎターゲット、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝４：６（ｍｏｌ比））ターゲット、Ｗターゲットの３つのターゲットを用いて、３源のコスパッタリングを行った。この際、膜厚換算でのＭｎＯｘおよびＷＺｎＯｙの含有量（膜厚換算の含有量）が表１に示す値となるように、スパッタリングの条件を調整した。
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を第２の保護層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ１００μｍを有する光透過層を形成した。以上により、目的とする光ディスクを得た。
［参考例２−１、２−２］
記録層の厚さ、および膜厚換算でのＭｎＯｘの含有量が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
記録層の厚さ、および膜厚換算でのＭｎＯｘの含有量が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
［参考例３−１、３−２］
ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝４：６（ｍｏｌ比））ターゲットに代えて、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝３：７（ｍｏｌ比））ターゲット、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝７：３（ｍｏｌ比））ターゲットを用いたこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝４：６（ｍｏｌ比））ターゲットに代えて、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝３：７（ｍｏｌ比））ターゲット、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝７：３（ｍｏｌ比））ターゲットを用いたこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
［参考例４−１、４−２］
記録層の厚さ、膜厚換算でのＭｎＯｘの含有量、および膜厚換算でのＷＺｎＯｙの含有量が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
記録層の厚さ、膜厚換算でのＭｎＯｘの含有量、および膜厚換算でのＷＺｎＯｙの含有量が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
［参考例５−１〜５−３］
記録層の厚さ、および膜厚換算でのＷＺｎＯｙの含有量が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
記録層の厚さ、および膜厚換算でのＷＺｎＯｙの含有量が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を調整したこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
［参考例６−１、６−２］
第１の保護層（基板側）および第２の保護層（光透過層側）の厚さを５ｎｍ、２０ｎｍとしたこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
第１の保護層（基板側）および第２の保護層（光透過層側）の厚さを５ｎｍ、２０ｎｍとしたこと以外は参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
（光ディスクの評価）
上述のようにして得られた光ディスクについて以下の評価を行った。
上述のようにして得られた光ディスクについて以下の評価を行った。
（光学特性の評価）
光ディスクの記録層の反射率および透過率を、分光光度計の反射率および透過率測定機能を用いて測定した。その結果を図６Ａ、図６Ｂに示す。
光ディスクの記録層の反射率および透過率を、分光光度計の反射率および透過率測定機能を用いて測定した。その結果を図６Ａ、図６Ｂに示す。
（クロストーク量ＣＴの評価）
上述の“信号特性の評価方法”により、クロストーク量（漏れこみ量）ＣＴを測定した。その結果を図７Ａに示す。
上述の“信号特性の評価方法”により、クロストーク量（漏れこみ量）ＣＴを測定した。その結果を図７Ａに示す。
（ＣＮＲの評価）
上述の“信号特性の評価方法”により、１２ＴマークのＣＮＲを測定した。その結果を図７Ｂに示す。
上述の“信号特性の評価方法”により、１２ＴマークのＣＮＲを測定した。その結果を図７Ｂに示す。
（光ディスクの構成）
表１は、参考例１−１〜６−２の光ディスクの構成を示す。なお、上述のように、記録層をコスパッタリングで形成したため、表１では、ＭｎＯｘおよびＷＺｎＯｙの含有量を膜厚比率（体積比率）で示している。
表１は、参考例１−１〜６−２の光ディスクの構成を示す。なお、上述のように、記録層をコスパッタリングで形成したため、表１では、ＭｎＯｘおよびＷＺｎＯｙの含有量を膜厚比率（体積比率）で示している。
（クロストーク量ＣＴおよびＣＮＲの評価結果）
表２は、参考例１−１〜６−２の光ディスクの評価結果を示す。
表２は、参考例１−１〜６−２の光ディスクの評価結果を示す。
図６Ａおよび図６Ｂから以下のことがわかる。
参考例１−１〜６−２の光ディスクのように、記録層の組成および膜厚、ならびに保護層の厚みを変更しても、光学特性（反射率および透過率）に大きな変化はないことがわかる。
参考例１−１〜６−２の光ディスクのように、記録層の組成および膜厚、ならびに保護層の厚みを変更しても、光学特性（反射率および透過率）に大きな変化はないことがわかる。
図６Ａ、図６Ｂおよび表２から以下のことがわかる。
記録層の厚みを固定した条件でＭｎＯｘとＷＺｎＯｙの比率を変えても、ＣＮＲおよびクロストーク量ＣＴに対して殆ど影響が無い（参考例１−１〜１−４）。
ＭｎＯｘ量を固定した条件でＷＺｎＯｙ量を変えても、ＣＮＲおよびクロストーク量ＣＴに対して殆ど影響が無い（参考例５−１〜５−３、１−３）。
記録層の厚みを固定した条件でＭｎＯｘとＷＺｎＯｙの比率を変えても、ＣＮＲおよびクロストーク量ＣＴに対して殆ど影響が無い（参考例１−１〜１−４）。
ＭｎＯｘ量を固定した条件でＷＺｎＯｙ量を変えても、ＣＮＲおよびクロストーク量ＣＴに対して殆ど影響が無い（参考例５−１〜５−３、１−３）。
＜ii 記録層に添加する添加元素の種類についての検討＞
上記の評価結果に基づき、記録層の厚みおよびＭｎＯｘ量を固定し、ＷＺｎＯｙの一部を他の元素の酸化物と置き換えることにより、クロストークを低減できる添加元素について検討した。
上記の評価結果に基づき、記録層の厚みおよびＭｎＯｘ量を固定し、ＷＺｎＯｙの一部を他の元素の酸化物と置き換えることにより、クロストークを低減できる添加元素について検討した。
［実施例１−１〜６−３、比較例１−１〜１４−３］
記録層の形成工程において、記録層の材料組成を変えるために、Ｍｎターゲット、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝４：６（ｍｏｌ比））ターゲット、金属Ｍのターゲット（但し、Ｍ＝Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ）の３つのターゲットを用いて、３源のコスパッタリングを行った。この際、膜厚換算でのＭｎＯｘ、ＷＺｎＯｙおよびＭＯｚの含有量が表３に示す値となるように、スパッタリングの条件を調整した。上記以外のことは参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
記録層の形成工程において、記録層の材料組成を変えるために、Ｍｎターゲット、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝４：６（ｍｏｌ比））ターゲット、金属Ｍのターゲット（但し、Ｍ＝Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ）の３つのターゲットを用いて、３源のコスパッタリングを行った。この際、膜厚換算でのＭｎＯｘ、ＷＺｎＯｙおよびＭＯｚの含有量が表３に示す値となるように、スパッタリングの条件を調整した。上記以外のことは参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
（クロストーク量ＣＴの評価）
上述のようにして得られた実施例１−１〜６−３、比較例１−１〜１４−３の光ディスクについて、参考例６−１〜６−２と同様にしてクロストーク量ＣＴを評価した。その結果を図８に示す。なお、図８では、横軸に“ＭＯｚ”に代えて“金属Ｍ”を表記している。例えば、横軸に“ＭｇＯｚ”に代えて“Ｍｇ”を表記している。
上述のようにして得られた実施例１−１〜６−３、比較例１−１〜１４−３の光ディスクについて、参考例６−１〜６−２と同様にしてクロストーク量ＣＴを評価した。その結果を図８に示す。なお、図８では、横軸に“ＭＯｚ”に代えて“金属Ｍ”を表記している。例えば、横軸に“ＭｇＯｚ”に代えて“Ｍｇ”を表記している。
（光ディスクの構成）
表３は、実施例１−１〜６−３、比較例１−１〜１４−３の光ディスクの構成を示す。
表３は、実施例１−１〜６−３、比較例１−１〜１４−３の光ディスクの構成を示す。
図８から、添加材料ＭＯｚとしてＨｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎまたはＳｂの酸化物を記録層に添加した光ディスク（実施例１−１〜６−３）では、添加材料ＭＯｚを記録層に添加していない光ディスク（参考例１−３）に比べてクロストーク量ＣＴを低減できることがわかる。また、添加材料ＭＯｚとしてＭｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、ＢｉまたはＴｅの酸化物を記録層に添加した光ディスク（比較例１−１〜１４−３）に比べてクロストーク量ＣＴを低減できることがわかる。
したがって、クロストーク量ＣＴの低減の観点からすると、添加材料ＭＯｚとしてＨｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎまたはＳｂの酸化物の少なくとも１種を用いることが好ましいことがわかる。
したがって、クロストーク量ＣＴの低減の観点からすると、添加材料ＭＯｚとしてＨｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎまたはＳｂの酸化物の少なくとも１種を用いることが好ましいことがわかる。
＜iii 記録層に添加する添加元素の添加量についての検討＞
上記検討においてクロストーク量ＣＴの低減効果が特に高いことが確認された添加元素（Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｂ）について、それらの添加元素の添加量について検討した。
上記検討においてクロストーク量ＣＴの低減効果が特に高いことが確認された添加元素（Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｂ）について、それらの添加元素の添加量について検討した。
［実施例７−１〜１２−５］
記録層の形成工程において、記録層の材料組成を変えるために、Ｍｎターゲット、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝４：６（ｍｏｌ比））ターゲット、金属Ｍのターゲット（但し、Ｍ＝Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎまたはＳｂ）の３つのターゲットを用いて、３源のコスパッタリングを行った。この際、ＭｎＯｘ以外の添加元素の酸化物（すなわちＷＺｎＯｙおよびＭＯｚ）の含有量が表４に示す値となるように、スパッタリングの条件を調整した。上記以外のことは参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
記録層の形成工程において、記録層の材料組成を変えるために、Ｍｎターゲット、ＷＺｎＯ（Ｗ：Ｚｎ＝４：６（ｍｏｌ比））ターゲット、金属Ｍのターゲット（但し、Ｍ＝Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎまたはＳｂ）の３つのターゲットを用いて、３源のコスパッタリングを行った。この際、ＭｎＯｘ以外の添加元素の酸化物（すなわちＷＺｎＯｙおよびＭＯｚ）の含有量が表４に示す値となるように、スパッタリングの条件を調整した。上記以外のことは参考例１−３と同様にして光ディスクを得た。
（クロストーク量ＣＴの評価）
上述のようにして得られた実施例７−１〜１２−５の光ディスクについて、参考例６−１〜６−２と同様にしてクロストーク量ＣＴを評価した。その結果を図９Ａ〜図１１Ｂに示す。
上述のようにして得られた実施例７−１〜１２−５の光ディスクについて、参考例６−１〜６−２と同様にしてクロストーク量ＣＴを評価した。その結果を図９Ａ〜図１１Ｂに示す。
（光ディスクの構成）
表４は、実施例７−１〜１２−５の光ディスクの構成を示す。なお、表４中に示したＷＺｎＯｙおよびＭＯｚ（但し、Ｍ＝Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎまたはＳｂ）の含有量（原子％）は、記録層に含まれる金属酸化物のうち、Ｍｎ酸化物を除いた残りの成分（すなわちＷＺｎＯｙおよびＭＯｚの合計量）を１００原子％とした場合の含有量を示す。
表４は、実施例７−１〜１２−５の光ディスクの構成を示す。なお、表４中に示したＷＺｎＯｙおよびＭＯｚ（但し、Ｍ＝Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎまたはＳｂ）の含有量（原子％）は、記録層に含まれる金属酸化物のうち、Ｍｎ酸化物を除いた残りの成分（すなわちＷＺｎＯｙおよびＭＯｚの合計量）を１００原子％とした場合の含有量を示す。
図９Ａ〜図１１Ｂから以下のことがわかる。
クロストーク量低減の観点からすると、Ｈｆの酸化物の含有量ａは、好ましくは０［原子％］＜ａ≦７５［原子％］、より好ましくは８．３［原子％］≦ａ≦６２．４［原子％］、さらにより好ましくは１６．６［原子％］≦ａ≦４１．６［原子％］である。
クロストーク量低減の観点からすると、Ｈｆの酸化物の含有量ａは、好ましくは０［原子％］＜ａ≦７５［原子％］、より好ましくは８．３［原子％］≦ａ≦６２．４［原子％］、さらにより好ましくは１６．６［原子％］≦ａ≦４１．６［原子％］である。
クロストーク量低減の観点からすると、Ｎｂの酸化物の含有量ｂは、好ましくは０［原子％］＜ｂ≦１００［原子％］、より好ましくは１９．５［原子％］≦ｂ≦１００［原子％］、さらにより好ましくは３４．２［原子％］≦ｂ≦７８．５［原子％］である。
クロストーク量低減の観点からすると、Ｔａの酸化物の含有量ｃは、好ましくは０［原子％］＜ｃ≦１００［原子％］、より好ましくは７．２［原子％］≦ｃ≦８１．１［原子％］、さらにより好ましくは２２．２［原子％］≦ｃ≦７２［原子％］、特に好ましくは３７．９［原子％］≦ｃ≦６６［原子％］である。
クロストーク量低減の観点からすると、Ｓｉの酸化物の含有量ｄは、好ましくは０［原子％］＜ｄ≦１００［原子％］、より好ましくは１５．２［原子％］≦ｄ≦１００［原子％］、さらにより好ましくは３９．２［原子％］≦ｄ≦１００［原子％］、特に好ましくは６０．１［原子％］≦ｄ≦１００［原子％］である。
クロストーク量低減の観点からすると、Ｓｎの酸化物の含有量ｅは、好ましくは０［原子％］＜ｅ≦１００［原子％］、より好ましくは１６．６［原子％］≦ｅ≦１００［原子％］、さらにより好ましくは４１．６［原子％］≦ｅ≦１００［原子％］である。
クロストーク量低減の観点からすると、Ｓｂの酸化物の含有量ｆは、好ましくは０［原子％］＜ｆ≦１００［原子％］、より好ましくは１４．４［原子％］≦ｆ≦１００［原子％］、さらにより好ましくは３７．６［原子％］≦ｆ≦１００［原子％］、特に好ましくは８０．８［原子％］≦ｆ≦１００［原子％］である。
以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
上述の実施形態で段階的に記載された数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
少なくとも１層の記録層を備え、
前記記録層は、Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
トラックピッチが０．２２５μｍ以下である光記録媒体。
（２）
前記記録層の第１の面側に設けられた第１の保護層と、
前記記録層の第２の面側に設けられた第２の保護層と
をさらに備える（１）に記載の光記録媒体。
（３）
前記記録層は、組成が異なる２以上の層を備え、
前記２以上の層のうちの少なくとも１層は、前記Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物とを含む（１）または（２）に記載の光記録媒体。
（４）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＨｆの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｈｆの酸化物の割合は、０原子％より大きく７５原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（５）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｈｆの酸化物の割合は、８．３原子％以上６２．４原子％以下である（４）に記載の光記録媒体。
（６）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＮｂの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｎｂの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（７）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｎｂの酸化物の割合は、１９．５原子％以上１００原子％以下である（６）に記載の光記録媒体。
（８）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＴａの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｔａの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（９）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｔａの酸化物の割合は、７．２原子％以上８１．１原子％以下である（８）に記載の光記録媒体。
（１０）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｉの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｉの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１１）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｉの酸化物の割合は、１５．２原子％以上１００原子％以下である（１０）に記載の光記録媒体。
（１２）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｎの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｎの酸化物の割合は、０原子％以上１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１３）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｎの酸化物の割合は、１６．６原子％より大きく１００原子％以下である（１２）に記載の光記録媒体。
（１４）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｂの酸化物を含み、
前記少なくとも１種の酸化物中における前記Ｓｂの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１５）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｂの酸化物の割合は、１４．４原子％以上１００原子％以下である（１４）に記載の光記録媒体。
（１６）
Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
前記金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層。
（１７）
Ｍｎと、Ｍｎ以外の金属とを合金または金属酸化物として含み、
前記Ｍｎ以外の金属は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲット。
（１）
少なくとも１層の記録層を備え、
前記記録層は、Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
トラックピッチが０．２２５μｍ以下である光記録媒体。
（２）
前記記録層の第１の面側に設けられた第１の保護層と、
前記記録層の第２の面側に設けられた第２の保護層と
をさらに備える（１）に記載の光記録媒体。
（３）
前記記録層は、組成が異なる２以上の層を備え、
前記２以上の層のうちの少なくとも１層は、前記Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物とを含む（１）または（２）に記載の光記録媒体。
（４）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＨｆの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｈｆの酸化物の割合は、０原子％より大きく７５原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（５）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｈｆの酸化物の割合は、８．３原子％以上６２．４原子％以下である（４）に記載の光記録媒体。
（６）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＮｂの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｎｂの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（７）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｎｂの酸化物の割合は、１９．５原子％以上１００原子％以下である（６）に記載の光記録媒体。
（８）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＴａの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｔａの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（９）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｔａの酸化物の割合は、７．２原子％以上８１．１原子％以下である（８）に記載の光記録媒体。
（１０）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｉの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｉの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１１）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｉの酸化物の割合は、１５．２原子％以上１００原子％以下である（１０）に記載の光記録媒体。
（１２）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｎの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｎの酸化物の割合は、０原子％以上１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１３）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｎの酸化物の割合は、１６．６原子％より大きく１００原子％以下である（１２）に記載の光記録媒体。
（１４）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｂの酸化物を含み、
前記少なくとも１種の酸化物中における前記Ｓｂの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１５）
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｂの酸化物の割合は、１４．４原子％以上１００原子％以下である（１４）に記載の光記録媒体。
（１６）
Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
前記金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層。
（１７）
Ｍｎと、Ｍｎ以外の金属とを合金または金属酸化物として含み、
前記Ｍｎ以外の金属は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲット。
１、１Ａ 光記録媒体
１０ 第１のディスク
２０ 第２のディスク
３０ 貼合層
１１、１１Ａ、２１ 基板
１２、２２ 光透過層
１３、１６ 記録層
１４、１５ 保護層
１６１〜１６ｎ 第１〜第ｎの層
Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍ スペーサ層
Ｃ 光照射面
Ｃ１ 第１の光照射面
Ｃ２ 第２の光照射面
Ｇｖ グルーブ
Ｌｄ ランド
Ｔｐ トラックピッチ
１０ 第１のディスク
２０ 第２のディスク
３０ 貼合層
１１、１１Ａ、２１ 基板
１２、２２ 光透過層
１３、１６ 記録層
１４、１５ 保護層
１６１〜１６ｎ 第１〜第ｎの層
Ｌ０〜Ｌｎ、Ｌ０〜Ｌｍ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１〜Ｓｍ スペーサ層
Ｃ 光照射面
Ｃ１ 第１の光照射面
Ｃ２ 第２の光照射面
Ｇｖ グルーブ
Ｌｄ ランド
Ｔｐ トラックピッチ
Claims (17)
- 少なくとも１層の記録層を備え、
前記記録層は、Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
トラックピッチが０．２２５μｍ以下である光記録媒体。 - 前記記録層の第１の面側に設けられた第１の保護層と、
前記記録層の第２の面側に設けられた第２の保護層と
をさらに備える請求項１に記載の光記録媒体。 - 前記記録層は、組成が異なる２以上の層を備え、
前記２以上の層のうちの少なくとも１層は、前記Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物とを含む請求項１に記載の光記録媒体。 - 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＨｆの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｈｆの酸化物の割合は、０原子％より大きく７５原子％以下である請求項１に記載の光記録媒体。 - 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｈｆの酸化物の割合は、８．３原子％以上６２．４原子％以下である請求項４に記載の光記録媒体。
- 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＮｂの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｎｂの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である請求項１に記載の光記録媒体。 - 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｎｂの酸化物の割合は、１９．５原子％以上１００原子％以下である請求項６に記載の光記録媒体。
- 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＴａの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｔａの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である請求項１に記載の光記録媒体。 - 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｔａの酸化物の割合は、７．２原子％以上８１．１原子％以下である請求項８に記載の光記録媒体。
- 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｉの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｉの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である請求項１に記載の光記録媒体。 - 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｉの酸化物の割合は、１５．２原子％以上１００原子％以下である請求項１０に記載の光記録媒体。
- 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｎの酸化物を含み、
前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｎの酸化物の割合は、０原子％以上１００原子％以下である請求項１に記載の光記録媒体。 - 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｎの酸化物の割合は、１６．６原子％より大きく１００原子％以下である請求項１２に記載の光記録媒体。
- 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物は、少なくともＳｂの酸化物を含み、
前記少なくとも１種の酸化物中における前記Ｓｂの酸化物の割合は、０原子％より大きく１００原子％以下である請求項１に記載の光記録媒体。 - 前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物中における前記Ｓｂの酸化物の割合は、１４．４原子％以上１００原子％以下である請求項１４に記載の光記録媒体。
- Ｍｎの酸化物と、前記Ｍｎの酸化物以外の金属酸化物と
を含み、
前記Ｍｎの酸化物の少なくとも一部が、＋４価のＭｎとして存在し、
前記金属酸化物が、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層。 - Ｍｎと、Ｍｎ以外の金属とを合金または金属酸化物として含み、
前記Ｍｎ以外の金属は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｎおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む光記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲット。
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