WO2017159561A1 - 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

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WO2017159561A1
WO2017159561A1 PCT/JP2017/009705 JP2017009705W WO2017159561A1 WO 2017159561 A1 WO2017159561 A1 WO 2017159561A1 JP 2017009705 W JP2017009705 W JP 2017009705W WO 2017159561 A1 WO2017159561 A1 WO 2017159561A1
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recording medium
film
information
dielectric film
recording
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晶夫 槌野
理恵 児島
中村　敦史
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

Definitions

  • the present disclosure relates to a high-density information recording medium for recording or reproducing information by optical means and a method for manufacturing the same.
  • Optical information recording media that have been commercialized so far include CD (Compact Disk), DVD (Digital Versatile Disk), and BD (Blu-ray (registered trademark) Disc).
  • CD Compact Disk
  • DVD Digital Versatile Disk
  • BD Blu-ray (registered trademark) Disc
  • the recording / reproducing laser wavelength has been shortened
  • NA numerical aperture
  • NA numerical Aperture
  • BDs with a capacity of 100 GB conforming to the BD-XL standard have been commercialized.
  • a high density of 100 GB can be realized by using three information layers and a recording density per information layer of 33.4 GB.
  • media having a higher linear density and a capacity of 300 GB or more by land / groove recording have been proposed.
  • a write-once information recording medium is suitable as a medium used for such data archiving.
  • Various recording film materials are applied to the write-once information recording medium.
  • Te—O—Pd using a crystal-amorphous phase change see Patent Document 1 or a mark (pit) is formed by bubbles. Examples thereof include WO (see Patent Document 2) and Ge-Bi-O (see Patent Document 3).
  • a dielectric film is provided in order to optimize the optical design such as recording sensitivity and modulation degree, and to protect the recording film material from the influence of moisture and the like.
  • the dielectric film include ZnS—SiO 2 and ITO.
  • These recording films and dielectric films are often formed using a sputtering method, but in order to reduce the manufacturing cost of the information recording medium, DC sputtering that can be expected to have a high film forming rate is used.
  • Japanese Patent No. 3752177 JP 2012-161941 A Japanese Patent No. 3802040
  • the present inventor has found a problem in coexistence of initial characteristics (initial recording sensitivity) and reliability (shelf characteristics, reproduction durability) in an information recording medium having a recording film containing tungsten (W) and oxygen (O). .
  • Heat is applied to the recording film containing W and O by irradiation with laser light or the like to raise the temperature to a certain level or more, whereby oxygen in the film is separated and combined, and bubbles that become marks (pits) are formed.
  • this bubble an optical change of the recording film is obtained, and the volume of the recording film also changes in the expansion direction, so that a large modulation degree can be obtained as a signal characteristic.
  • the mark since it is an irreversible change, the mark has excellent long-term storage stability.
  • the optical characteristics of the disc include reflectance, transmittance, and absorptance, and when the sum thereof (reflectance + transmittance + absorbance) is 100%, when the reflectance is designed with a constant value, the recording sensitivity If the absorptance is increased to improve the transmittance, the transmittance will decrease. When the transmittance is lowered, the intensity of the laser light reaching the information layer on the back side from the incident side of the laser light is lowered, and the recording sensitivity and the reflectance of the back information layer are lowered.
  • the reproduction durability indicates a degree of deterioration of signal quality when the reproduction mark is continuously irradiated to the recording mark (signal).
  • Good reproduction durability means that there is little deterioration in signal quality even if the reproduction light is continuously irradiated.
  • the signal quality can be evaluated using the mark CNR (Carrier to Noise Ratio) or i-MLSE (Integrated-Maximum Likelihood Sequence Estimation) as an index.
  • the factor governing the reproduction durability is the composition ratio of the intermediate separation layer made of acrylic resin and the dielectric film made of zirconium oxide and indium oxide in contact therewith. Specifically, when the amount of indium oxide in the dielectric film increases, the reproduction durability deteriorates.
  • the information recording medium using the recording film containing W and O has a problem of shelf characteristics.
  • the shelf characteristic indicates a change in recording characteristics of an unrecorded portion after storage of the information recording medium for a long time and before storage (immediately after the information recording medium is manufactured).
  • As an index for evaluating the change in recording characteristics there are a change in recording sensitivity and a change in i-MLSE.
  • Good shelf characteristics mean that the recording sensitivity and i-MLSE change described above are small.
  • the recording sensitivity deteriorates or i -MLSE is likely to deteriorate and needs to be improved.
  • the deterioration of the shelf characteristics is considered to be caused by a change in the bonding state of each element in the recording film in the unrecorded portion, a change in optical characteristics, or a change in physical hardness, but the amount of W in the recording film is As the amount increases, the amount of deterioration tends to increase.
  • the information layer close to the laser irradiation side transmits the laser to the back information layer, and the back information layer is recorded / reproduced with high sensitivity. It is necessary to have.
  • a recording film material containing W and O in order to obtain a high transmittance, it is necessary to increase the amount of W. For this reason, the deterioration of shelf characteristics is greater in the information layer closer to the laser irradiation side.
  • the present disclosure provides an information recording medium having a recording film containing W and O and capable of obtaining good initial characteristics, reproduction durability, or shelf characteristics.
  • an information recording medium is an information recording medium including three or more information layers, and zirconium oxide and indium oxide are applied to at least one information layer from a laser beam irradiation side.
  • the information recording medium manufacturing method includes three or more steps of forming an information layer, and the step of forming at least one of the information layers includes tungsten (W), manganese (Mn), and oxygen (O).
  • the step of forming the first and second dielectric films includes a sputtering step using a dielectric target containing ZrO 2 and In 2 O 3 .
  • the information recording medium of the present disclosure includes a second dielectric film containing zirconium oxide and indium oxide, a recording film containing at least W, M, and O, and zirconium oxide from at least one information layer from the side irradiated with laser light.
  • an information recording medium having the above effects can be manufactured.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the information recording medium in the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the information recording medium in the second embodiment.
  • the present inventors have provided a recording film and a dielectric film capable of satisfying both initial characteristics (initial recording sensitivity) and reliability (shelf characteristics, reproduction durability).
  • the material and the composition ratio Invented the material and the composition ratio.
  • the recording film contains manganese (Mn), Mn is 12 atomic% or more in terms of the metal element ratio contained in the recording film, and the indium oxide content of the dielectric film is 60 mol% or less. It is characterized by.
  • the information recording medium of the present disclosure is an information recording medium including three or more information layers, and includes at least one information layer containing a zirconium oxide and an indium oxide from the laser beam irradiation side.
  • zirconium oxide is ZrO 2 and indium oxide is In 2 O 3 in the first dielectric film and the second dielectric film.
  • the first dielectric film and the second dielectric film are D1 (where D1 is SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, Y 2 It is preferable to include at least one dielectric selected from O 3 , CaO, MgO, SnO 2 , Ga 2 O 3 and TiO 2 .
  • the recording film preferably contains at least M1 (wherein M1 is at least one element selected from Mo, Nb and Ta) among the metal elements represented by M.
  • a second dielectric film containing zirconium oxide and indium oxide, and at least tungsten (W), manganese (Mn), M1, A recording film containing M2 and oxygen (O), a first dielectric film containing zirconium oxide and indium oxide, and a substrate are provided in this order, and M1 and M2 are included as metal elements represented by M contained in the recording film.
  • the recording film contains Cu, and the metal element contained in the recording film is expressed as W a Mn b Cu cM d N e (atomic%) (provided that Cu is excluded from M.
  • the recording film may have a laminated structure of at least two kinds of recording materials having different compositions, and the recording material may contain at least tungsten (W), manganese (Mn), and oxygen (O).
  • the composition ratio of In 2 O 3 in the first dielectric film and the second dielectric film may be different.
  • the amount of In 2 O 3 contained in the first dielectric film is more preferably smaller than the amount of In 2 O 3 contained in the second dielectric film.
  • the information layer may be arranged on both sides through the substrate.
  • the information layer has concave and convex grooves for recording / reproducing information, and when viewed from the laser light irradiation side, recording is performed on both the groove on the near side (groove) and the groove on the far side (land).
  • the capacity of the information recording medium can be increased.
  • the information recording medium manufacturing method of the present disclosure includes three or more steps of forming an information layer, and the step of forming at least one of the information layers includes tungsten (W), manganese (Mn), and oxygen (O ) And a step of forming first and second dielectric films containing zirconium oxide and indium oxide, and the step of forming the recording film includes W, Mn, and M (provided that M Includes a sputtering process using a target containing at least one element selected from Zn, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Mo, Nb, and Ta, and the first and second dielectric films are
  • the step of forming includes a sputtering step using a dielectric target containing ZrO 2 and In 2 O 3 .
  • FIG. 1 shows a cross section of the optical information recording medium.
  • information layers for recording / reproducing information are provided on both sides of the information layer through the substrate 1 (6 layers in total), and the laser beam 6 is emitted from the cover layer 4 side.
  • It is a multilayer optical information recording medium that can be irradiated and record / reproduce information to / from each information layer.
  • the laser beam 6 is a blue-violet laser beam having a wavelength of about 405 nm.
  • the information recording medium 100 is a double-sided information recording medium in which an information recording medium 101 called A-side and an information recording medium 102 called B-side are bonded together on the back side of the substrate 1 (the side opposite to the side having the information layer). .
  • information layers are sequentially stacked on the substrate 1 via intermediate separation layers 2, 3 and the like, and the first information layer 10, the second information layer 20, and the third information are stacked.
  • the cover layer 4 is provided in contact with the third information layer 30.
  • the second information layer 20 and the third information layer 30 are transmissive information layers.
  • the information recording medium 100 when the guide groove is formed in the substrate 1, in this specification, the surface on the side closer to the laser beam 6 is referred to as “groove” for convenience, and the surface on the side farther from the laser beam 6 Is called “land” for convenience.
  • the information recording medium 100 can record / reproduce information on six information layers. Therefore, an information recording medium having a capacity of 300 GB is used. Obtainable.
  • the effective reflectance of the three information layers can be controlled by adjusting the reflectance of the first, second and third information layers and the transmittance of the second and third information layers, respectively.
  • the reflectance of each information layer measured in a state where three information layers are stacked is defined as an effective reflectance. Unless stated otherwise, unless stated as “effective”, it refers to the reflectance measured without lamination. Also, R g is the groove reflectivity in an unrecorded state of the grooves, R l denotes a groove reflectance in the unrecorded state of the land portion.
  • the effective R g of the first information layer 10 is 3.0%
  • the effective R l is 3.2%
  • the effective R g of the second information layer 20 is 4.8%
  • the effective R g of the third information layer 30 is 6.4%
  • the effective R l is 6.8%
  • Third transmittance of the information layer 30 is 75%, if the transmittance of the second information layer 20 is 71%, the first information layer 10 R g is 10.5% R l is 11.3%, the If the second information layer 20 is designed so that R g is 8.5%, R l is 9.0%, and the third information layer 30 is designed such that R g is 6.4% and R l is 6.8%, The reflectance described above can be obtained.
  • the transmittance indicates an average value of the groove land when the recording film is not recorded.
  • the substrate 1 is preferably a disc-shaped transparent substrate.
  • a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA, or glass can be used.
  • An uneven guide groove for guiding the laser beam 6 may be formed on the surface of the substrate 1 on the recording film 12 side as necessary.
  • the thickness of the substrate 1 is preferably about 0.5 mm and the diameter is about 120 mm.
  • the guide groove is formed on the substrate 1, the groove on the side close to the laser beam 6 is called “groove” and the groove on the side far from the laser beam 6 is called “land” as described above.
  • the level difference between the groove surface and the land surface is preferably 10 nm or more and 50 nm or less. In the first embodiment, the distance between the groove and the land is about 0.225 ⁇ m.
  • the intermediate separation layers 2 and 3 are made of an acrylic resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, and efficiently reach the first information layer 10 and the second information layer 20. Thus, it is preferable that light absorption is small with respect to light of wavelength ⁇ to be recorded and reproduced.
  • the intermediate separation layers 2 and 3 are used to distinguish the focus positions of the first information layer 10, the second information layer 20, and the third information layer 30, and the thickness is the numerical aperture (NA) of the objective lens and the laser beam. It is necessary to be greater than or equal to the depth of focus ⁇ Z determined by the wavelength ⁇ of 6.
  • ⁇ Z ⁇ / ⁇ 2 (NA) 2 ⁇ .
  • NA the value from which the film thickness of the intermediate separation layer 2 and the intermediate separation layer 3 differs.
  • an uneven guide groove may be formed on the incident side of the laser beam 6 in the intermediate separation layers 2 and 3 or the like. In the first embodiment, the distance between the groove and the land is about 0.225 ⁇ m.
  • the cover layer 4 is made of, for example, a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric, and has a small light absorption with respect to the laser beam 6 to be used.
  • the cover layer 4 may be made of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or polymethyl methacrylate (PMMA), or glass.
  • the cover layer 4 is made of the second dielectric film 33 in the third information layer 30 with a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin. It is formed by pasting together.
  • the bonding layer 5 is made of, for example, a resin such as a photo-curing resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, and the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 are bonded to each other. .
  • the bonding layer 5 may be provided with a film that shields the laser beam 6.
  • the thickness of the bonding layer 5 is preferably about 5 ⁇ m to 80 ⁇ m, and more preferably about 20 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the total thickness of the intermediate separation layers 2 and 3 and the cover layer 4 is set to 100 ⁇ m.
  • the intermediate separation layer 2 can be set to about 25 ⁇ m
  • the intermediate separation layer 3 can be set to about 18 ⁇ m
  • the cover layer 4 can be set to about 57 ⁇ m.
  • the third information layer 30 is an information layer that is a feature of the present disclosure.
  • a first dielectric film 31, a recording film 32, and a second dielectric film 33 are stacked in this order. It is formed by.
  • a dielectric containing zirconium oxide and indium oxide according to the present disclosure and containing indium oxide at 60 mol% or less is used. Moreover, in order to obtain high electroconductivity, it is preferable that indium oxide is contained more than 20 mol%.
  • the zirconium oxide is ZrO 2 and the indium oxide is In 2 O 3 .
  • D1 (where D1 is SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, Y 2 O 3 , CaO, MgO, SnO 2 , Ga 2 O 3, and TiO 2). It is preferable that at least one dielectric selected from 2 ) is included.
  • the specific resistance value is preferably 1 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the first dielectric film 31 has a function of controlling the signal amplitude by adjusting the optical phase difference, and a function of controlling the signal amplitude by adjusting the bulge of the recording mark. Further, it has a function of suppressing the intrusion of moisture into the recording film 32 and suppressing the escape of oxygen in the recording film to the outside.
  • the conductivity can be increased, and stable DC sputtering can be performed in forming the dielectric film.
  • SiO 2 and Al 2 O 3 are included.
  • Y 2 O 3 , CaO and MgO are included.
  • the film thickness of the first dielectric film 31 is preferably 3 nm to 40 nm.
  • the composition of the first dielectric film 31 can be analyzed by, for example, an X-ray microanalyzer (XMA), an electron beam microanalyzer (EPMA), or Rutherford backscattering analysis (RBS).
  • the first dielectric film 11 formed by sputtering includes a rare gas (Ar, Kr, Xe), moisture (O—H), organic substance (C), air (N, O), sputter, which are present in the sputtering atmosphere.
  • Components (metals) of jigs arranged in the chamber and impurities (metals, metalloids, semiconductors, dielectrics) contained in the sputtering target are inevitably contained, and may be detected by these analysis methods.
  • unavoidable components may be contained up to 10 atomic percent when the total atoms contained in the first dielectric film 31 are 100 atomic percent, and satisfy the preferred composition ratio except for the unavoidable components. If you do. This is similarly applied to first dielectric films 11 and 21 and second dielectric films 23 and 33 which will be described later.
  • the recording film 32 of the present disclosure includes W, Mn, and O, and is made of a material that forms bubbles by O being separated and combined by irradiation with the laser beam 6.
  • the metal element contained in the recording film 32 is W a Mn b Mc (atomic%) (where M is at least one selected from Zn, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Mo, Nb, and Ta)
  • W a Mn b Mc atomic%)
  • M is at least one selected from Zn, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Mo, Nb, and Ta
  • the transmittance of the information layer 30 decreases as the amount of Mn increases, it is preferable to satisfy b ⁇ 40.
  • M is at least one element selected from Zn, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Mo, Nb and Ta.
  • the film thickness of the recording film 32 is preferably 15 nm to 50 nm.
  • the recording film 32 may include W, Mn and O, and may have a laminated structure of at least two kinds of recording materials having different compositions. At least one of the recording materials in this laminated structure contains a metal element contained in the recording material in a composition formula: W a Mn b Mc (atomic%) (where M is Zn, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt) And at least one element selected from Co, Mo, Nb, and Ta.
  • W a Mn b Mc atomic%)
  • M Zn
  • Cu Ag
  • Au Au
  • Ni Ni
  • Pd Pt
  • at least one element selected from Co, Mo, Nb, and Ta At least one element selected from Co, Mo, Nb, and Ta.
  • the transmittance of the information layer 30 decreases as the amount of Mn increases, it is preferable to satisfy b ⁇ 40.
  • a recording material material having a laminated structure examples include W—Mn—O, W—Mn—Zn—O, W—Mn—Cu—O, W—Mn—Ag—O, and W—Mn—Zn. -Cu-O, W-Mn-Zn-Ag-O, W-Mn-Zn-Pd-O, W-Mn-Cu-Ag-O, W-Mn-Zn-Cu-Ag-O, etc.
  • the same material system as the recording film 32 can be used.
  • W—Mn—O (b 40%) / W—Zn—O
  • W—Mn—O (b 40%) / W—Cu—Zn—O
  • W—Mn—Zn—O (b 30%) / W—Cu—O
  • the total film thickness of the recording film having a laminated structure is preferably 15 nm to 50 nm, and the film thickness of one constituent layer is preferably 5 nm or more in consideration of thickness variations at the time of film formation.
  • the composition of the recording film 32 can be analyzed by, for example, an X-ray microanalyzer (XMA), an electron beam microanalyzer (EPMA), or Rutherford backscattering analysis (RBS).
  • XMA X-ray microanalyzer
  • EPMA electron beam microanalyzer
  • RBS Rutherford backscattering analysis
  • the recording film 12 formed by sputtering is disposed in a rare gas (Ar, Kr, Xe), moisture (O—H), organic matter (C), air (N, O), sputter chamber present in the sputtering atmosphere.
  • Ingredients (metals) and impurities (metals, metalloids, semiconductors, dielectrics) contained in the sputtering target are inevitably contained and detected by analysis such as ICP emission spectroscopy, XMA, EPMA, etc. is there.
  • unavoidable components may be contained up to 10 atomic percent when the total atoms contained in the recording film 32 are 100 atomic percent, and satisfy the above-mentioned preferred composition ratio except for the unavoidable components. It only has to be. This applies similarly to recording films 12 and 22 described later.
  • the second dielectric film 33 of the present disclosure uses the same material as the first dielectric film 31 described above, and the film thickness is preferably 3 nm to 40 nm.
  • Non-Patent Document Hiroshi Kubota, "Wave Optics” Iwanami Shoten, 1971, Chapter 3 It can be designed by calculation based on reference. Depending on the film thickness of each film, it is possible to optimize the characteristics between the groove and the land due to the phase difference between the recording film 32 and the recording state.
  • the second information layer 30 is provided.
  • the mixture chosen from them may be sufficient.
  • Specific examples include In 2 O 3 —SnO 2 (ITO), ZnO—SnO 2 , ZrO 2 —Y 2 O 3 , ZrO 2 —SiO 2 —ZnO, ZrO 2 —In 2 O 3 , ZrO 2 —SiO.
  • the second information layer 20 is formed by laminating a first dielectric film 21, a recording film 22, and a second dielectric film 23 in this order on the surface of the intermediate separation layer 2.
  • the configuration of the second information layer 20 is basically the same as that of the third information layer 30.
  • the first dielectric film 21 can be made of the same material as that of the first dielectric film 31, and has the same function and shape.
  • the recording film 22 can be made of the same material as that of the recording film 32.
  • the metal element contained in the recording film 22 is expressed by a composition formula: W a Mn b M c (atomic%).
  • a ⁇ 20 is satisfied.
  • the transmittance of the information layer 20 decreases as the amount of Mn increases, it is preferable to satisfy b ⁇ 45.
  • the second dielectric film 23 can be made of the same material as the second dielectric film 33, and has the same function and shape.
  • the first information layer 10 is formed on the surface of the substrate 1 by laminating a first dielectric film 11, a recording film 12, and a second dielectric film 13 in this order.
  • the first dielectric film 11 has a function of controlling the signal amplitude by adjusting the optical phase difference, and a function of controlling the signal amplitude by adjusting the bulge of the recording mark. Further, it functions to suppress the intrusion of moisture into the recording film 12 and to prevent the oxygen in the recording film 12 from escaping to the outside.
  • Examples of the material of the first dielectric film 11 include SiO 2 , ZnO, SnO 2 , Cr 2 O 3 , In 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Ga 2 O 3 , Al 2 O 3 , TiO 2 and Ta.
  • Oxides such as 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , CaO, MgO, ZrO 2 , HfO 2 and Dy 2 O 3 , CN, TiN, ZrN, Si 3 N 4 , GeN, AlN, Ge— Nitrides such as Si—N and Ge—Cr—N, carbides such as SiC, sulfides such as ZnS, and fluorides such as LaF 3 , CeF 3 and YF 3 can be used. Moreover, the mixture chosen from them may be sufficient.
  • ITO In 2 O 3 —SnO 2
  • ZnO—SnO 2 ZrO 2 —Y 2 O 3
  • ZrO 2 —SiO 2 —ZnO ZrO 2 —In 2 O 3
  • ZrO 2 —SiO ZrO 2 —SiO.
  • the film thickness of the first dielectric film 11 is preferably 3 nm to 30 nm.
  • the recording film 12 includes W, Mn, and O, and is made of, for example, a material that forms bubbles by O being separated and combined by irradiation with the laser beam 6.
  • Zn is preferably contained in the recording film 12 because it can maintain good signal characteristics and improve the transmittance. Moreover, since Cu and Ag can absorb light efficiently and have high conductivity to obtain high stability (sustainability) in DC sputtering, it is preferable that at least one of Cu and Ag is included.
  • the film thickness of the recording film 12 is preferably 15 nm to 50 nm.
  • a material containing W, Mn, M1 (where M1 is at least one element selected from Mo, Nb and Ta) and O may be used.
  • M1 is at least one element selected from Mo, Nb and Ta
  • WnM1M2-O As a material (WMnM1M2-O) containing W2, Mn, M1 (where M1 is the same as above) and O and further containing M2 (where M2 is the same as above), specifically, W -Mn-Cu-Mo-O, W-Mn-Cu-Nb-O, W-Mn-Cu-Ta-O, W-Mn-Cu-Mo-Nb-O, W-Mn-Cu-Mo-Ta -O, W-Mn-Cu-Nb-Ta-O, W-Mn-Cu-Mo-Zn-O, W-Mn-Cu-Nb-Zn-O, W-Mn-Cu-Ta-Zn-O W-Mn-Cu-Mo-Ag-O, W-Mn-Cu-Nb-Ag-O, W-Mn-Cu-Ta-Ag-O, W-Mn-Cu-Mo-Nb-Ta-O W-Mn-Cu
  • the second dielectric film 13 has the same function as that of the first dielectric film 11, and the same material as that of the second dielectric film 13 can be used.
  • the film thickness of the second dielectric film 13 is preferably 3 nm to 30 nm.
  • the recording film of any information layer may be another recording film material such as Te—O—Pd or Ge—Bi—O.
  • a reflective film or a dielectric film may be provided as necessary.
  • it may be an information recording medium including four or more information layers on one side (A side and B side). The effect of this indication is acquired regardless of these forms.
  • the information recording medium can be any of Constant Linear Velocity (CLV) with a constant linear velocity, Constant Angular Velocity (CAV) with a constant rotation speed, Zoned CLV or Zoned CAV. Recording / reproduction was performed with a data bit length of 79.5 nm or 51.3 nm.
  • CLV Constant Linear Velocity
  • CAV Constant Angular Velocity
  • an optical system in which the numerical aperture NA of the objective lens is 0.85 or 0.91 is preferably used, but recording / reproducing may be performed using an optical system with NA> 1.
  • the optical system Solid Immersion Lens (SIL) or Solid Immersion Mirror (SIM) can be used.
  • the intermediate separation layer and the cover layer may be formed with a thickness of 5 ⁇ m or less.
  • an optical system using near-field light may be used.
  • the A-side information recording medium 101 will be described.
  • the first dielectric film 11, the recording film 12, and the second dielectric film 13 constituting the first information layer 10 can be formed by a sputtering method which is one of vapor deposition methods.
  • a substrate 1 for example, a thickness of 0.5 mm
  • a film forming apparatus for example, a sputtering method which is one of vapor deposition methods.
  • the first dielectric film 11 is first formed.
  • the first dielectric film 11 may be a rare gas (for example, Ar gas, Kr gas, Xe gas, etc.) as a sputtering target made of a dielectric or a mixed dielectric constituting the first dielectric film 11.
  • Ar gas is preferably used, and the same applies to the rare gases described below.
  • the first dielectric film 11 can also be formed by multi-sputtering, in which films are simultaneously formed from a plurality of cathodes, using sputtering targets of respective dielectric materials constituting the first dielectric film 11.
  • the recording film 12 can be formed by sputtering in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas using a sputtering target made of a W alloy or a W—O alloy depending on the composition. Since the W alloy target has conductivity, it is preferable to use DC (Direct Current) sputtering or pulsed DC sputtering, which can be expected to have a higher deposition rate than RF (RF: Radio Frequency) sputtering. At this time, since a large amount of oxygen is taken into the recording film 12, it is preferable to mix a large amount of oxygen gas.
  • the recording film 12 can also be formed by multi-sputtering, in which films are formed simultaneously from a plurality of cathodes, using sputtering targets for the constituent elements.
  • the second dielectric film 13 can be formed by sputtering in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas using a sputtering target made of a mixture constituting the second dielectric film 13.
  • the second dielectric film 13 can also be formed by multi-sputtering, in which films are simultaneously formed from a plurality of cathodes, using sputtering targets of respective dielectric materials constituting the second dielectric film 13.
  • the W content in the W alloy or W—O alloy used as the sputtering target is less than 15 mol%, DC or pulse DC sputtering becomes unstable and abnormal discharge is likely to occur. Therefore, when the content of W is less than 20 mol%, it can be formed by multi-sputtering simultaneously sputtering each simple substance (metal or its oxide) target constituting the recording film 12. In multi-sputtering, a desired composition ratio in the thin film can be obtained by adjusting the sputtering power of each cathode.
  • the intermediate separation layer 2 is formed on the second dielectric film 13.
  • the intermediate separation layer 2 is formed by applying an acrylic resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the first information layer 10 to form a spin coat, and then curing the resin. Can be formed.
  • an acrylic resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin
  • a transfer substrate (mold) having a groove of a predetermined shape formed on the surface is brought into close contact with the resin before curing, and then the substrate 1 and the transfer substrate are spun. Coat and then cure the resin.
  • the intermediate separation layer 2 in which predetermined guide grooves are formed can be formed by peeling the transfer substrate from the cured resin.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the first dielectric film 21 is formed.
  • the first dielectric film 21 can be formed by a method similar to that of the first dielectric film 11 described above, using a sputtering target containing zirconium oxide and indium oxide.
  • a recording film 22 is formed on the first dielectric film 21.
  • the recording film 22 can be formed by the same method as the recording film 12 described above using a sputtering target made of a W—Mn alloy or a W—Mn—O alloy.
  • a second dielectric film 23 is formed on the recording film 22.
  • the second dielectric film 23 can be formed by the same method as the second dielectric film 13 described above.
  • the intermediate separation layer 3 is formed on the second dielectric film 23.
  • the intermediate separation layer 3 can be formed by the same method as the intermediate separation layer 2 described above.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the third information layer 30 can be formed basically by the same method as the second information layer 20 described above.
  • the first dielectric film 31 is formed on the intermediate separation layer 3.
  • the first dielectric film 31 can be formed by the same method as the first dielectric film 21 described above.
  • a recording film 32 is formed on the first dielectric film 31.
  • the recording film 32 can be formed by the same method as the recording film 22 described above.
  • a second dielectric film 33 is formed on the recording film 32.
  • the second dielectric film 33 can be formed by the same method as the second dielectric film 23 described above.
  • the difference in power supply was 100 W to 10 kW, and the pressure in the film formation chamber during sputtering was 0.01 Pa to 10 Pa.
  • the cover layer 4 is formed on the second dielectric film 33.
  • the cover layer 4 is formed by applying a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the second dielectric film 33 to form a spin coat, and then curing the resin. it can.
  • the cover layer 4 may be made of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or polymethyl methacrylate (PMMA), or a glass disk-shaped substrate.
  • a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin is applied to the second dielectric film 33, these substrates are brought into close contact, and uniformly spread by spin coating, It can be formed by curing the resin.
  • the film formation time of each information layer is preferably 10 seconds or less per film, and more preferably 5 seconds or less in order to increase the mass productivity of the information recording medium and reduce the manufacturing cost. .
  • a vacuum deposition method As a method for forming each layer, in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method (CVD method: Chemical Vapor Deposition) and a molecular beam epitaxy method (MBE method: Molecular Beam Epitaxy) are used. It is also possible to use it.
  • CVD method Chemical Vapor Deposition
  • MBE method molecular beam epitaxy method
  • the A-side information recording medium 101 can be manufactured.
  • the B-side information recording medium 102 can be manufactured.
  • a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the guide groove of the substrate 1, and is opposite to the guide groove of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102.
  • the bonding layer 5 is formed by curing the resin together with the surface.
  • light is applied after the photocurable resin is uniformly applied to the A-side information recording medium 101 using a slow-curing type photocurable resin, and then the B-side information recording medium 102 is bonded to the bonding layer 5. It may be formed.
  • the information recording medium 100 having the information layers on both sides of the first embodiment can be manufactured.
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view of the information recording medium.
  • FIG. 2 shows a cross section of the optical information recording medium.
  • the information recording medium 200 of the present embodiment three information layers for recording and reproducing information are provided on a substrate, and laser light 6 is irradiated from the cover layer 4 side to record information on each information layer. It is a multilayer optical information recording medium that can be reproduced.
  • the laser light 6 is a blue-violet laser beam having a wavelength of about 405 nm.
  • the information recording medium 200 includes a first information layer 10, a second information layer 20, and a third information layer 30 in which information layers are sequentially stacked on a substrate 1 via intermediate separation layers 2, 3, etc.
  • a cover layer 4 is provided in contact with the information layer 30.
  • the second information layer 20 and the third information layer 30 are transmissive information layers.
  • the information recording medium 200 when the guide groove is formed on the substrate 1, the information is recorded / reproduced in the groove and the capacity per information layer is set to 33.4 GB according to the BD-XL standard, for example. Can be recorded on and reproduced from the three information layers 10, 20, and 30, so that an information recording medium 200 having a capacity of 100 GB can be obtained.
  • the effective reflectivities of the three information layers 10, 20, 30 are the reflectivities of the first, second and third information layers 10, 20, 30 and the transmissivities of the second and third information layers 20, 30. It can be controlled by adjusting each.
  • the effective R g is 3.3% of the first information layer 10
  • the effective R g is 3.3% for the second information layer 20
  • the effective R g of the third information layer 30 is 3
  • a configuration designed to be 3% will be described.
  • Third transmittance of the information layer 30 is 79%, if the transmittance of the second information layer 20 is 75%, the first information layer 10 R g is 9.2%, the second information layer 20 R g is 5.3%, the third information layer 30 be designed to be R g is 3.3%, it is possible to obtain the reflectance of the foregoing.
  • the substrate 1 is preferably a disc-shaped transparent substrate.
  • the same material as that of the substrate 1 in Embodiment 1 can be used.
  • the thickness of the substrate was about 1.1 mm, and the distance between the grooves was about 0.32 ⁇ m.
  • Intermediate separation layers 2 and 3 can be made of the same material as intermediate separation layers 2 and 3 in the first embodiment, and the thickness can be designed in the same manner as in the first embodiment.
  • the distance between the grooves was about 0.32 ⁇ m.
  • the cover layer 4 can be made of the same material as the cover layer 4 in the first embodiment, and the thickness can be designed in the same manner as in the first embodiment.
  • the total thickness of the intermediate separation layers 2 and 3 and the cover layer 4 is set to 100 ⁇ m.
  • the intermediate separation layer 2 can be set to about 25 ⁇ m
  • the intermediate separation layer 3 can be set to about 18 ⁇ m
  • the cover layer 4 can be set to about 57 ⁇ m.
  • the first information layer 10 is formed on the surface of the substrate 1 by laminating a first dielectric film 11, a recording film 12, and a second dielectric film 13 in this order.
  • the first information layer 10 can be manufactured by the same method as the first information layer 10 in the first embodiment.
  • the second information layer 20 is formed by laminating a first dielectric film 21, a recording film 22, and a second dielectric film 23 in this order on the surface of the intermediate separation layer 2.
  • the second information layer 20 can be manufactured by the same method as the second information layer 20 in the first embodiment.
  • the third information layer 30 is formed by laminating a first dielectric film 31, a recording film 32, and a second dielectric film 33 in this order on the surface of the intermediate separation layer 3.
  • the third information layer 30 can be manufactured by the same method as the third information layer 30 in the first embodiment.
  • the information recording medium 200 having the information layer on one side of the second embodiment can be manufactured.
  • Example 1 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 100 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm) on which a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was prepared.
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is 11 nm as the first dielectric film 11, and W 20 Cu 25 Zn 20 Mn 35
  • the second dielectric film 13 was formed by sequentially depositing (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) at 8 nm as a second dielectric film 13 by a sputtering method.
  • the recording film 12 is expressed as W 20 Cu 25 Zn 20 Mn 35 —O.
  • an oxide of W 25 Mn 25 Cu 25 Zn 25 (atomic%) is expressed as W 25 Mn 25 Cu 25 Zn 25 —O.
  • the reflectivity of the first information layer 10 in the absence of the second information layer 20 and the third information layer 30 is R g ⁇ 11.0% in an unrecorded state, R l ⁇ 11.
  • the film thickness of each film was determined to be 8%.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the second information layer 20, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 17 nm as the first dielectric film 21 and the recording film 22 is used.
  • W 30 Mn 20 Cu 20 Zn 30 —O is 35 nm
  • the second dielectric film 23 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) 7 nm, sequentially formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is R g ⁇ 8.5%, R l ⁇ 9.0% when the recording film 22 is not recorded, The film thickness of each film was determined so that the transmittance was 65 to 73%.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and a dielectric film containing ZrO 2 and In 2 O 3 of the present disclosure and containing In 2 O 3 at 60 mol% or less is recorded as the first dielectric film 31.
  • an oxide (W a Mn b M c —O) of W a Mn b M c (atomic%) of the present disclosure is 37 nm, and ZrO 2 and In 2 O 3 of the present disclosure are formed as the second dielectric film 33.
  • a dielectric film containing In 2 O 3 at 60 mol% or less was sequentially formed by sputtering.
  • the film thicknesses of the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the laser beam 6 of 405 nm, the reflectance of the third information layer 30 is R g ⁇ 7.0%, R l ⁇ 7.5%, and the transmittance is 69 when the recording film 32 is unrecorded. It was set to be -79%.
  • (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is used as the first dielectric film 31
  • W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is used as the recording film 32, 37 nm
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is applied as the dielectric film 33
  • the thickness of the first dielectric film 21 is 20 nm
  • the second dielectric film The film thickness of 23 can be designed to be 10 nm.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the configuration of the B-side information recording medium 102 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm) on which a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was prepared.
  • the rotation direction of the spiral of the guide groove was opposite to the rotation direction of the substrate 1 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is 11 nm as the first dielectric film 11 and W 20 Cu 25 Zn 20 Mn 35 ⁇ is used as the recording film 12.
  • 30 nm of O and (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) as a second dielectric film 13 were sequentially formed by sputtering to 8 nm.
  • the reflectivity of the first information layer 10 in the absence of the second information layer 20 and the third information layer 30 is R g ⁇ 11.0% in an unrecorded state, R l ⁇ 11.
  • the film thickness of each film was determined to be 8%.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • the intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was formed on the first information layer 10.
  • the rotation direction of the spiral of the guide groove was opposite to the rotation direction of the intermediate separation layer 2 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • a second information layer 20 is formed on the intermediate separation layer 2.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the second information layer 20, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 17 nm as the first dielectric film 21 and the recording film 22 is used.
  • W 30 Mn 20 Cu 20 Zn 30 —O is 35 nm
  • the second dielectric film 23 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) 7 nm, sequentially formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is R g ⁇ 8.5%, R l ⁇ 9.0% when the recording film 22 is not recorded, The film thickness of each film was determined so that the transmittance was 65 to 73%.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was formed on the second information layer 20.
  • the direction of rotation of the spiral of the guide groove was opposite to the direction of rotation of the intermediate separation layer 3 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • a third information layer 30 is formed on the intermediate separation layer 3.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and a dielectric film containing ZrO 2 and In 2 O 3 of the present disclosure and containing In 2 O 3 at 60 mol% or less is recorded as the first dielectric film 31.
  • W a Mn b M c (atomic%) of the present disclosure as the film 32 (where M is at least one element selected from Zn, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Mo, Nb and Ta)
  • the oxide (W a Mn b M c —O) of 37 nm and the second dielectric film 33 is ZrO 2 and In 2 O 3 of the present disclosure.
  • a dielectric film containing 60 mol% or less of In 2 O 3 was sequentially formed by a sputtering method.
  • the film thicknesses of the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the laser beam 6 of 405 nm, the reflectance of the third information layer 30 is R g ⁇ 7.0%, R l ⁇ 7.5%, and the transmittance is 69 when the recording film 32 is unrecorded. It was set to be -79%.
  • (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is used as the first dielectric film 31
  • W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is used as the recording film 32, 37 nm
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is applied as the dielectric film 33
  • the thickness of the first dielectric film 21 is 20 nm
  • the second dielectric film The film thickness of 23 can be designed to be 10 nm.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied onto the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form a cover layer 4, thereby producing a B-side information recording medium 102.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface having the guide groove of the substrate 1, and this surface and the guide groove of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 are provided.
  • the laminated layer 5 was formed by combining the surface opposite to the surface having, and curing the resin with ultraviolet rays.
  • (ZrO 2 ) 60 (In 2 O 3 ) 40 (mol%) is formed on the first dielectric film 31 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • (SnO 2 ) 60 (In 2 ) is applied to the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 in the information recording medium 100 described above.
  • 1-001 was produced.
  • the wavelength of the laser beam 6 of the evaluator was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85
  • information was recorded in the groove and land.
  • the recording linear velocity was 14.00 m / s (4 ⁇ speed) and the reproducing linear velocity was 7.00 m / s (2 ⁇ speed).
  • the data bit length was 79.5 nm, and recording was performed at a density of 50 GB per information layer.
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first information layer 10 and the second information layer 20 and 1.1 mW for the third information layer 30, and the reproduction light is 2: 1 with high frequency superposition (modulation).
  • the laser beam 6 was used.
  • Recording is performed with random signals (2T to 8T), and the signal quality is PR (12333321) ML (Pattern Recognition and Machine Learning) signal processing is performed and evaluated as i-MLSE, and the recording sensitivity is i-MLSE.
  • the laser power was set to the best value. If the recording sensitivity in quadruple speed recording is 25 mW or less, it is at a practical level.
  • the shelf characteristics were evaluated by performing an acceleration test on the disk at 85 ° C., 80% RH, 100 hours, and evaluating the recording sensitivity before and after the acceleration test and the amount of change in i-MLSE.
  • the amount of change in recording sensitivity is calculated by ((recording sensitivity after acceleration test) ⁇ (initial recording sensitivity)) ⁇ (initial recording sensitivity) ⁇ 100%, and the amount of change in i-MLSE is calculated as (i. -MLSE)-(initial i-MLSE). If the change amount of recording sensitivity is 20% or less and the change amount of i-MLSE is 1% or less, it is a practical level.
  • the results of the third information layer 30 in the A-side information recording medium 101 are shown in Table 1, and the results of the third information layer 30 in the B-side information recording medium 102 are shown in Table 2.
  • the first dielectric film 31 is composed of zirconium oxide and indium oxide. It is preferably included. Further, in any of 1-101 to 1-112, the indium oxide contained in the first dielectric film 31 is preferably 60 mol% or less because the reproduction durability is better than that of Comparative Example 1-002.
  • the recording sensitivity and the recording sensitivity after the shelf are worse in the land than in the groove. This is because the land groove shape is concave when viewed from the side irradiated with the laser beam 6, and the bulge of the mark in the horizontal direction or oblique direction with respect to the laser beam irradiation surface is suppressed.
  • One of the factors is considered to require a higher laser power.
  • (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 on the first dielectric film 31 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • (SiO 2 ) 30 (mol%) is applied, and
  • (ZrO 2 ) 50 (In 2 O 3 ) 50 (mol%) is applied to the second dielectric film 33 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • Table 3 shows the results of the third information layer 30 in the A-side information recording medium 101
  • Table 4 shows the results of the third information layer 30 in the B-side information recording medium 102.
  • the second dielectric film 33 is made of zirconium oxide and indium oxide because the reproduction durability is better than that of the comparative example 1-001. It is preferably included. Further, in any of 1-201 to 1-212, the indium oxide contained in the second dielectric film 33 is preferably 60 mol% or less because the reproduction durability is better than that of the comparative example 1-002.
  • Table 5 shows the results of 10-times speed recording sensitivity of the third information layer 30 in the A-side information recording medium 101
  • Table 6 shows the results of 10-times speed recording sensitivity of the third information layer 30 in the B-side information recording medium 102.
  • the recording sensitivity of 10-times speed is about 8% relatively higher in 1-102 than in 1-201. Therefore, it is more preferable that the compositions of the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 are different in order to improve the high linear velocity recording sensitivity such as 10 times speed.
  • the first dielectric film 31 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 is coated with (ZrO 2 ) 40 (In 2 O 3 ) 20 ( SiO 2 ) 40 (mol%), (ZrO 2 ) 35 (In 2 O 3 ) 30 (SiO 2 ) 35 (mol%), (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol %), (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) and (ZrO 2 ) 20 (In 2 O 3 ) 60 (SiO 2 ) 20 (mol%), second dielectric layer 33 of the a face information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 (ZrO 2) 25 (in 2 O 3) 50 information recording medium 10 to which the (SiO 2) 25 (mol% ) It was produced.
  • 1-303 is an information recording medium having the same configuration as 1-102.
  • (ZrO 2 ) 19 (In 2 O) is formed on the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 in the information recording medium 100 described above. 3 ) Disc No. applied to 62 (SiO 2 ) 19 (mol%) 1-003 was produced.
  • Table 7 shows the results of the third information layer 30 in the A-side information recording medium 101
  • Table 8 shows the results of the third information layer 30 in the B-side information recording medium 102.
  • the amount of In 2 O 3 is preferably 60 mol% or less. Further, since it is determined that the practical application is sufficiently satisfied in 1-301 to 1-303 ( ⁇ ), the amount of In 2 O 3 contained in the first dielectric film 31 is applied to the second dielectric film 33. A smaller amount than the amount of In 2 O 3 contained is preferable. Further, if the amount of In 2 O 3 is 20 mol% or less as in 1-301, DC sputtering becomes difficult, so that a high film formation rate cannot be obtained and it is difficult to shorten the film formation tact.
  • (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (on the first dielectric film 31 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • SiO 2 ) 30 (mol%) is applied
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is applied to the second dielectric film 33
  • W 36 is used as the recording film 32.
  • 1-403 is an information recording medium having the same configuration as 1-102.
  • Table 9 shows the results of the third information layer 30 in the A-side information recording medium 101
  • Table 10 shows the results of the third information layer 30 in the B-side information recording medium 102.
  • the Mn content of the recording film 32 is preferably 12 atomic% or more.
  • the transmittance of 1-405 is 69%, which is a low value for the third information layer 30, the Mn content of the recording film 32 is more preferably 40 atomic% or less.
  • (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (on the first dielectric film 31 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • SiO 2 ) 30 (mol%) is applied
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is applied to the second dielectric film 33
  • W 33 is used as the recording film 32.
  • 1-501 is an information recording medium having the same configuration as 1-102.
  • Table 11 shows the results of the third information layer 30 in the A-side information recording medium 101
  • Table 12 shows the results of the third information layer 30 in the B-side information recording medium 102.
  • the recording sensitivity is higher than 1-510 in any of 1-501 to 1-509, and Zn, Cu, Ag, Au, By including Ni, Pd, Pt, Co and Mo, an effect of increasing the recording sensitivity was obtained.
  • Example 2 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 100 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • the configurations and manufacturing methods of the substrate 1 and the first information layer 10 are the same as those in the first embodiment.
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10. Then, the second information layer 20 is formed.
  • the configuration and manufacturing method of the second information layer 20 are the same as those in the first embodiment.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 20 nm as the first dielectric film 31 and the recording film 32 is used.
  • the present disclosure has a laminated structure of at least two types of recording materials having different compositions, and the recording material contains at least W, Mn, and O as a recording film of 37 nm and the second dielectric film 33 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) was deposited in a thickness of 10 nm sequentially by a sputtering method.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were performed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 32 was formed on each recording material using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the configuration of the B-side information recording medium 102 will be described.
  • the configurations and manufacturing methods of the substrate 1 and the first information layer 10 are the same as those in the first embodiment.
  • the intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was formed on the first information layer 10.
  • the direction of rotation of the spiral of the guide groove was opposite to the direction of rotation of the intermediate separation layer 2 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • the second information layer 20 is formed on the intermediate separation layer 2.
  • the configuration and manufacturing method of the second information layer 20 are the same as those in the first embodiment.
  • the intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was formed on the second information layer 20.
  • the direction of rotation of the spiral of the guide groove was opposite to the direction of rotation of the intermediate separation layer 3 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • the third information layer 30 is formed on the intermediate separation layer 3.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 20 nm as the first dielectric film 31 and the recording film 32 is used.
  • the present disclosure has a laminated structure of at least two types of recording materials having different compositions, and the recording material contains at least W, Mn, and O as a recording film of 37 nm and the second dielectric film 33 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) was deposited in a thickness of 10 nm sequentially by a sputtering method.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were performed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 32 was formed on each recording material using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied onto the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form a cover layer 4, thereby producing a B-side information recording medium 102.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface having the guide groove of the substrate 1, and this surface and the guide groove of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 are provided.
  • the laminated layer 5 was formed by combining the surface opposite to the surface having, and curing the resin with ultraviolet rays.
  • Table 13 shows the results of the third information layer 30 in the A-side information recording medium 101
  • Table 14 shows the results of the third information layer 30 in the B-side information recording medium 102.
  • any information recording medium 100 in this embodiment the recording sensitivity, the reproduction durability, and the shelf characteristics are compatible, and even if a structure in which different compositions are stacked on the recording film 32 is applied, it is put into practical use. We were able to prove that it was possible.
  • Example 3 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 100 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • the configurations and manufacturing methods of the substrate 1 and the first information layer 10 are the same as those in the first embodiment.
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the second information layer 20, and a dielectric film containing ZrO 2 and In 2 O 3 of the present disclosure and containing In 2 O 3 at 60 mol% or less is recorded as the first dielectric film 21.
  • M is at least one element selected from Zn, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Mo, Nb and Ta
  • the film thicknesses of the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the laser beam 6 of 405 nm, the reflectance of the second information layer 20 when the third information layer 30 is not present is R g ⁇ 8.5% and R l ⁇ when the recording film 22 is not recorded. The setting was 9.0% and the transmittance was 65 to 73%.
  • the first dielectric film 21 is (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%)
  • the recording film 22 is W 30 Mn 20 Cu 20 Zn 30 —O, 35 nm
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is applied as the second dielectric film 23
  • the thickness of the first dielectric film 21 is 17 nm
  • the second dielectric film The film thickness of the film 23 can be designed as 7 nm.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 20 nm as the first dielectric film 31 and the recording film 32 is used.
  • W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is 37 nm
  • the second dielectric film 33 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%), 10 nm, successively formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the third information layer 30 is R g ⁇ 7.0%, R l ⁇ 7.5%, and the transmittance is 69 to 79% when the recording film 22 is not recorded.
  • the film thickness of each film was determined.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the configuration of the B-side information recording medium 102 will be described.
  • the configurations and manufacturing methods of the substrate 1 and the first information layer 10 are the same as those in the first embodiment.
  • the intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was formed on the first information layer 10.
  • the direction of rotation of the spiral of the guide groove was opposite to the direction of rotation of the intermediate separation layer 2 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • a second information layer 20 is formed on the intermediate separation layer 2.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the second information layer 20, and a dielectric film containing ZrO 2 and In 2 O 3 of the present disclosure and containing In 2 O 3 at 60 mol% or less is recorded as the first dielectric film 21.
  • M is at least one element selected from Zn, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Mo, Nb and Ta
  • the film thicknesses of the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the laser beam 6 of 405 nm, the reflectance of the second information layer 20 when the third information layer 30 is not present is R g ⁇ 8.5% and R l ⁇ when the recording film 22 is not recorded. The setting was 9.0% and the transmittance was 65 to 73%.
  • the first dielectric film 21 is (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%)
  • the recording film 22 is W 30 Mn 20 Cu 20 Zn 30 —O, 35 nm
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is applied as the second dielectric film 23
  • the thickness of the first dielectric film 21 is 17 nm
  • the second dielectric film The film thickness of the film 23 can be designed as 7 nm.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was formed on the second information layer 20.
  • the direction of rotation of the spiral of the guide groove was opposite to the direction of rotation of the intermediate separation layer 3 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • a third information layer 30 is formed on the intermediate separation layer 3.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 20 nm as the first dielectric film 31 and the recording film 32 is used.
  • W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is 37 nm
  • the second dielectric film 33 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%), 10 nm, successively formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the third information layer 30 is R g ⁇ 7.0%, R l ⁇ 7.5%, and the transmittance is 69 to 79% when the recording film 22 is not recorded.
  • the film thickness of each film was determined.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied onto the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form a cover layer 4, thereby producing a B-side information recording medium 102.
  • (ZrO 2 ) 60 (In 2 O 3 ) 40 (mol%) is formed on the first dielectric film 21 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • (SnO 2 ) 60 (In 2 ) is formed on the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 in the information recording medium 100 described above.
  • the wavelength of the laser beam 6 of the evaluator was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85
  • information was recorded in the groove and land.
  • the recording linear velocity was 14.00 m / s (4 ⁇ speed) and the reproducing linear velocity was 7.00 m / s (2 ⁇ speed).
  • the data bit length was 79.5 nm, and recording was performed at a density of 50 GB per information layer.
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers, 1.1 mW for the third information layer, and the reproduction light is a laser beam 6 which is 2: 1 high frequency superimposed (modulated).
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers, 1.1 mW for the third information layer, and the reproduction light is a laser beam 6 which is 2: 1 high frequency superimposed (modulated).
  • Recording is performed with random signals (2T to 8T), and the signal quality is PR (12333321) ML (Pattern Recognition and Machine Learning) signal processing is performed and evaluated as i-MLSE, and the recording sensitivity is i-MLSE.
  • the laser power was set to the best value. If the recording sensitivity in quadruple speed recording is 25 mW or less, it is at a practical level.
  • the reproduction durability was evaluated by recording a random signal on adjacent grooves and lands with power at the recording sensitivity, and measuring the groove located at the center of the recorded track with a linear velocity of 14.00 m / s and a reproduction power of 2.0 mW. Made by playing in.
  • the reason why the groove reproduction was evaluated instead of the land is that the groove has a higher light absorption rate and the reproduction durability is deteriorated.
  • the i-MLSE after 1 million playbacks is evaluated, and if it is 11.5% or less, it is a practical level.
  • the shelf characteristics were evaluated by performing an acceleration test on the disk at 85 ° C., 80% RH, 100 hours, and evaluating the recording sensitivity before and after the acceleration test and the amount of change in i-MLSE.
  • the amount of change in recording sensitivity is calculated by ((recording sensitivity after acceleration test) ⁇ (initial recording sensitivity)) ⁇ (initial recording sensitivity) ⁇ 100%, and the amount of change in i-MLSE is calculated as (i. -MLSE)-(initial i-MLSE). If the change amount of the recording sensitivity is 15% or less and the change amount of i-MLSE is 1% or less, it is a practical level.
  • the transmittance, recording sensitivity, reproduction durability and shelf characteristics are comprehensively evaluated, and those that sufficiently satisfy the practical level are ⁇ , slightly lower than ⁇ but satisfy the practical level Judgment of practical use was made with ⁇ for those that did not satisfy the practical level, and x for those that did not satisfy the practical level.
  • Table 15 shows the results of the second information layer 20 in the A-side information recording medium 101
  • Table 16 shows the results of the second information layer 20 in the B-side information recording medium 102.
  • the first dielectric film 21 is composed of zirconium oxide and indium oxide. It is preferably included. Further, in any of 3-101 to 3-112, the indium oxide contained in the first dielectric film 21 is preferably 60 mol% or less because the reproduction durability is better than that of Comparative Example 3-002.
  • (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 on the first dielectric film 21 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • (SiO 2 ) 30 (mol%) is applied, and
  • (ZrO 2 ) 50 (In 2 O 3 ) 50 (mol%) is applied to the second dielectric film 23 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • Table 17 shows the results of the second information layer 20 in the A-side information recording medium 101
  • Table 18 shows the results of the second information layer 20 in the B-side information recording medium 102.
  • the second dielectric film 23 is composed of zirconium oxide and indium oxide. It is preferably included. Further, in any of 3-201 to 3-212, the indium oxide contained in the second dielectric film 23 is preferably 60 mol% or less because the reproduction durability is better than that of Comparative Example 3-002.
  • Table 19 shows the results of 10-times speed recording sensitivity of the second information layer 20 in the A-side information recording medium 101
  • Table 20 shows the results of 10-times speed recording sensitivity of the second information layer 20 in the B-side information recording medium 102.
  • the recording sensitivity is about 9% and 10 times faster in 3-102 than 3-201. Therefore, it is more preferable that the compositions of the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 are different in order to improve the high linear velocity recording sensitivity such as 10 times speed.
  • the first dielectric film 21 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 is coated with (ZrO 2 ) 40 (In 2 O 3 ) 20 ( SiO 2 ) 40 (mol%), (ZrO 2 ) 35 (In 2 O 3 ) 30 (SiO 2 ) 35 (mol%), (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol %), (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%), (ZrO 2 ) 20 (In 2 O 3 ) 60 (SiO 2 ) 20 (mol%) and (ZrO 2 ) 19 (in 2 O 3) 62 (SiO 2) was applied 19 (mol%), ZrO 2 in the second dielectric film 23 a face information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102) 25 (in O 3) 50 (to prepare a SiO
  • 3-303 is an information recording medium having the same configuration as 3-102.
  • (ZrO 2 ) 19 (In 2 O) is formed on the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 in the information recording medium 100 described above. 3 ) Disc No. applied to 62 (SiO 2 ) 19 (mol%) 3-003 was produced.
  • Table 21 shows the results of the second information layer 20 in the A-side information recording medium 101
  • Table 22 shows the results of the second information layer 20 in the B-side information recording medium 102.
  • the amount of In 2 O 3 is preferably 60 mol% or less.
  • the amount of In 2 O 3 contained in the first dielectric film 21 is applied to the second dielectric film 23. A smaller amount than the amount of In 2 O 3 contained is preferable.
  • the amount of In 2 O 3 is 20 mol% or less like 3-301, DC sputtering becomes difficult, and a high film formation rate cannot be obtained, making it difficult to shorten the film formation tact. Become.
  • (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (on the first dielectric film 21 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • SiO 2 ) 30 (mol%) is applied
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is applied to the second dielectric film 23, and W 34 is used as the recording film 22.
  • Reference numeral 3-404 denotes an information recording medium having the same configuration as that of 3-102.
  • Table 23 shows the results of the second information layer 20 in the A-side information recording medium 101
  • Table 24 shows the results of the second information layer 20 in the B-side information recording medium 102.
  • the recording sensitivity deteriorates as the amount of Mn and Cu in the recording film 22 decreases.
  • the amount of change in recording sensitivity is at the practical upper limit, and it is considered undesirable to reduce the amount of Mn and Cu further.
  • the transmittance of 3-406 is 65%, which is a low value for the second information layer 20
  • the Mn content of the recording film 22 is more preferably 45 atomic% or less.
  • (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (on the first dielectric film 21 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102.
  • SiO 2 ) 30 (mol%) is applied
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is applied to the second dielectric film 23, and W 30 is used as the recording film 22.
  • Reference numeral 3-501 denotes an information recording medium having the same configuration as that of 3-102.
  • Table 25 shows the results of the second information layer 20 in the A-side information recording medium 101
  • Table 26 shows the results of the second information layer 20 in the B-side information recording medium 102.
  • the recording sensitivity is higher than 3-510 in any of 3-501 to 3-509, and Zn, Cu, Ag, Au, By including Ni, Pd, Pt, Co and Mo, an effect of increasing the recording sensitivity was obtained.
  • Example 4 In this embodiment, an example of the information recording medium 200 shown in FIG. 2 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 200 of this embodiment.
  • a polycarbonate substrate (thickness 1.1 mm) on which a spiral guide groove (depth 20 nm, track pitch (groove-to-groove distance) 0.32 ⁇ m) was prepared.
  • (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) is 16 nm as the first dielectric film 11
  • W 20 Cu 25 Zn 20 Mn 35 —O is 30 nm as the recording film 12
  • the reflectivity of the first information layer 10 in the absence of the second information layer 20 and the third information layer 30 is R g ⁇ 9.2% in an unrecorded state.
  • the film thickness was determined.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 20 nm, track pitch (groove-to-groove distance) 0.32 ⁇ m) is formed on the first information layer 10. Then, the second information layer 20 is formed.
  • the second information layer 20 applies the configuration of the present disclosure, and the first dielectric film 21 is (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%), and the recording film 22 is disclosed in the present disclosure.
  • the film thicknesses of the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the laser beam 6 of 405 nm, the reflectance of the second information layer 20 without the third information layer 30 is R g ⁇ 5.3% when the recording film 22 is not recorded, and the transmittance is It was set to be 68 to 76%.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were performed using a DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 20 nm, track pitch (groove-groove distance) 0.32 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the third information layer 30 applies the configuration of the present disclosure, and the first dielectric film 31 is (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) and the recording film 32 is disclosed.
  • the second dielectric layer 33 (ZrO 2) 25 (in 2 O 3) 50 (SiO 2) 25 (mol%) were sequentially formed by sputtering.
  • the film thicknesses of the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the laser beam 6 of 405 nm, the reflectance of the third information layer 30 is set so that R g ⁇ 3.0% and the transmittance is 72 to 82% when the recording film 32 is not recorded. did.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were performed using a DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied onto the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the information recording medium 200 of this example.
  • W 34 Mn 16 Cu 16 Zn 34 —O is applied to the recording film 22 of the second information layer 20, and W 39 Mn 12 is applied to the recording film 32 of the third information layer 30.
  • Cu 10 Zn 39 —O, W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 38 —O, W 35 Mn 14 Cu 16 Zn 35 —O, W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O, W 32 Mn 20 Cu 16 Zn 32 —O , W 30 Mn 40 Zn 30 —O and W 33 Mn 12 Cu 16 Zn 34 Ag 5 —O were applied.
  • Evaluation of recording sensitivity, reproduction durability and shelf characteristics of the second information layer 20 and the third information layer 30 of the information recording medium 200 and the information recording medium of the comparative example is one of the Blu-ray (registered trademark) Disc standards.
  • the test was performed according to the “BD-XL” standard.
  • the wavelength of the laser beam 6 of the evaluator was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85
  • information was recorded in the groove.
  • the recording linear velocity was 14.72 m / s (4 ⁇ speed) and the reproducing linear velocity was 7.36 m / s (2 ⁇ speed).
  • the shortest mark length (2T) was 0.111 ⁇ m, and recording was performed at a density of 33.4 GB per information layer.
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers, 1.1 mW for the third information layer, and the reproduction light is a laser beam 6 which is 2: 1 high frequency superimposed (modulated).
  • the signal quality was subjected to data combination by PR (1222221) ML signal processing, evaluated as i-MLSE, and the recording sensitivity was set at the laser power at which i-MLSE was the best value. If the recording sensitivity in quadruple speed recording is 23 mW or less, it is at a practical level.
  • reproduction durability is to record a random signal in the adjacent groove with the power at the recording sensitivity, and reproduce the track located in the center where the recording was performed at a linear velocity of 14.72 m / s and a reproduction power of 1.8 mW. It went by.
  • the i-MLSE after 1 million times reproduction is evaluated, and if it is 11.5% or less for the second information layer 20 and 12.0% or less for the third information layer 30, it is a practical level.
  • the shelf characteristics were evaluated by performing an acceleration test on the disk at 85 ° C., 80% RH, 100 hours, and evaluating the recording sensitivity before and after the acceleration test and the amount of change in i-MLSE.
  • the amount of change in recording sensitivity is calculated by ((recording sensitivity after acceleration test) ⁇ (initial recording sensitivity)) ⁇ (initial recording sensitivity) ⁇ 100%, and the amount of change in i-MLSE is calculated as (i. -MLSE)-(initial i-MLSE).
  • the amount of change in recording sensitivity is 15% or less in the second information layer 20, the amount of change in i-MLSE is 1% or less, the amount in change in the third information layer 30 is 20% or less, and the amount of change in i-MLSE is 1% or less. If it exists, it is a practical level.
  • the transmittance, recording sensitivity, reproduction durability and shelf characteristics are comprehensively evaluated, and those that sufficiently satisfy the practical level are ⁇ , slightly lower than ⁇ but satisfy the practical level Judgment of practical use was made with ⁇ for those that did not satisfy the practical level, and x for those that did not satisfy the practical level.
  • the disk 4-101 having a Mn content of 12 atomic% in the recording film 32 has a shelf characteristic recording sensitivity change amount of 20%, which is the upper limit of the practical level, and the comparative example 4-001 in which the Mn amount is small has a recording sensitivity.
  • the Mn content of the recording film 32 is preferably 12 atomic% or more because the shelf characteristics are at a practically unusable level.
  • the Mn content of the recording film 32 is more preferably 40 atomic% or less.
  • the recording film 22 of the second information layer 20 has W 34 Mn 16 Cu 16 Zn 34 —O, W 32 Mn 20 Cu 16 Zn 32 —O, and W 30 Mn 24.
  • the information recording medium 200 in which W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O was applied to the recording film 32 of the third information layer 30 was manufactured.
  • the Mn content of the recording film 22 is preferably 45 atomic% or less.
  • Example 5 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 100 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm, diameter 120 mm) on which a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was prepared.
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) was deposited as a first dielectric film 11 by a sputtering method to a thickness of 12 nm.
  • the reflectance of the first information layer 10 in the absence of the second information layer 20 and the third information layer 30 is R g ⁇ 11.5% and R l when the recording film 22 is not recorded.
  • the film thickness of each film was determined to be approximately 12.5%.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the second information layer 20, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 17 nm as the first dielectric film 21 and the recording film 22 is used.
  • W 30 Mn 20 Cu 20 Zn 30 —O is 35 nm
  • the second dielectric film 23 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) 7 nm, sequentially formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is R g ⁇ 8.5%, R l ⁇ 9.0% when the recording film 22 is not recorded, The film thickness of each film was determined so that the transmittance was about 66%.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 20 nm as the first dielectric film 31 and the recording film 32 is used.
  • W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is 37 nm
  • the second dielectric film 33 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%), 10 nm, successively formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the third information layer 30 is such that R g ⁇ 7.0%, R l ⁇ 7.5%, and the transmittance is about 70% when the recording film 32 is in an unrecorded state.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the first information layer 10, the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30 and the cover layer 4 of the B-side information recording medium 102 are the same as those of the aforementioned A-side information recording medium 101.
  • the material and the same method were used.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface having the guide groove of the substrate 1, and this surface and the guide groove of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 are provided.
  • the surface opposite to the surface having the surface and the surface opposite to each other were cured, and the resin was cured by ultraviolet rays, whereby the bonding layer 5 was formed.
  • the recording sensitivity at 405 nm, the reproduction durability, and the shelf characteristics of the first information layer 10 of the information recording medium 100 were evaluated.
  • the wavelength of the laser beam 6 of the evaluator was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85
  • information was recorded in the groove and land.
  • the recording linear velocity was 14.00 m / s (4 ⁇ speed) and the reproducing linear velocity was 7.00 m / s (2 ⁇ speed).
  • the data bit length was 79.5 nm, and recording was performed at a density of 50 GB per information layer.
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers, 1.1 mW for the third information layer, and the reproduction light is a laser beam 6 which is 2: 1 high frequency superimposed (modulated).
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers, 1.1 mW for the third information layer, and the reproduction light is a laser beam 6 which is 2: 1 high frequency superimposed (modulated).
  • the reproduction durability was evaluated by recording random signals on adjacent grooves and lands with power at the recording sensitivity, and measuring the groove located at the center of the recorded track with a linear velocity of 14.00 m / s and a reproduction power of 2.3 mW. Made by playing in.
  • the reason why the groove reproduction was evaluated instead of the land is that the groove has a higher light absorption rate and the reproduction durability is deteriorated.
  • the i-MLSE after 1 million playbacks is evaluated, and if it is 12.0% or less, it is a practical level.
  • the shelf characteristics were evaluated by performing an acceleration test on the disk at 90 ° C., 80% RH, 100 hours, and evaluating the recording sensitivity before and after the acceleration test and the amount of change in i-MLSE.
  • the amount of change in recording sensitivity is calculated by ((recording sensitivity after acceleration test) ⁇ (initial recording sensitivity)) ⁇ (initial recording sensitivity) ⁇ 100%, and the amount of change in i-MLSE is calculated as (i. -MLSE)-(initial i-MLSE). If the change amount of recording sensitivity is 20% or less and the change amount of i-MLSE is 1% or less, it is a practical level.
  • recording sensitivity, reproduction durability and shelf characteristics are comprehensively evaluated, and those that satisfy the practical level are ⁇ , those that are slightly inferior to ⁇ but satisfy the practical level ⁇ , The practical use was judged as “x” when the practical level was not satisfied.
  • the recording film 12 includes a disk No. 1 in which any one element of Mo, Nb, and Ta is included in addition to W, Mn, Cu, and Zn.
  • the amounts of Mo, Nb, and Ta were the same, equivalent initial characteristics, reproduction durability, and shelf characteristics were obtained.
  • Example 6 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 100 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm, diameter 120 mm) on which a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was prepared.
  • M1 is at least one selected from Mo, Nb and Ta
  • the effect of satisfying 15 ⁇ j ⁇ 50, k ⁇ 14, 2 ⁇ n ⁇ 40 and j + k + m + n 100 in M2 is at least one element selected from Zn, Cu and Ag) was confirmed. .
  • the second dielectric film 13 (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) was formed to a thickness of 8 nm by a sputtering method.
  • the reflectance of the first information layer 10 without the second information layer 20 and the third information layer 30 is R g ⁇ 9.5% when the recording film 22 is not recorded, R 1
  • the film thickness of each film was determined so that ⁇ 10.0%.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the second information layer 20, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 17 nm as the first dielectric film 21 and the recording film 22 is used.
  • W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is 35 nm
  • the second dielectric film 23 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) 7 nm, sequentially formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is R g ⁇ 7.8%, R l ⁇ 8.3% when the recording film 22 is not recorded, The film thickness of each film was determined so that the transmittance was about 69%.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 20 nm as the first dielectric film 31 and the recording film 32 is used.
  • W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 38 —O is 37 nm
  • the second dielectric film 33 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%), 10 nm, successively formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the third information layer 30 is such that R g ⁇ 6.3%, R l ⁇ 6.8%, and the transmittance is about 73% when the recording film 32 is in an unrecorded state.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the first information layer 10, the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30 and the cover layer 4 of the B-side information recording medium 102 are the same as those of the aforementioned A-side information recording medium 101.
  • the material and the same method were used.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface having the guide groove of the substrate 1, and this surface and the guide groove of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 are provided.
  • the surface opposite to the surface having the surface and the surface opposite to each other were cured, and the resin was cured by ultraviolet rays, whereby the bonding layer 5 was formed.
  • the recording sensitivity at 405 nm, the reproduction durability, and the shelf characteristics of the first information layer 10 of the information recording medium 100 were evaluated.
  • the wavelength of the laser beam 6 of the evaluator was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens was 0.91
  • information was recorded in the groove and land.
  • the recording linear velocity was 13.38 m / s (6 ⁇ speed), and the reproducing linear velocity was 8.85 m / s (4 ⁇ speed).
  • the data bit length was 47.7 nm, and recording was performed at an 83.4 GB density per information layer.
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers, 1.1 mW for the third information layer, and the reproduction light is a laser beam 6 which is 2: 1 high frequency superimposed (modulated). Was used.
  • Recording was performed with random signals (2T to 12T), the signal quality was evaluated as c-bER (channel bit error rate), and the recording sensitivity was set at the laser power at which c-bER was the best value. If the recording sensitivity in 6 ⁇ speed recording is 30 mW or less, it is at a practical level.
  • the reproduction durability was evaluated by recording random signals on adjacent grooves and lands with power at the recording sensitivity, and measuring the groove located at the center of the recorded track with a linear velocity of 8.85 m / s and a reproduction power of 2.0 mW. Made by playing in.
  • the reason why the groove reproduction was evaluated instead of the land is that the groove has a higher light absorption rate and the reproduction durability is deteriorated.
  • the c-bER after 1 million playbacks is evaluated, and if it is 2.0 ⁇ 10 ⁇ 3 or less, it is a practical level.
  • the shelf characteristics were evaluated by performing an acceleration test on the disk at 90 ° C., 80% RH, 100 hours, and evaluating the recording sensitivity before and after the acceleration test and the amount of change in c-bER.
  • the amount of change in recording sensitivity is calculated by ((recording sensitivity after acceleration test) ⁇ (initial recording sensitivity)) ⁇ (initial recording sensitivity) ⁇ 100%, and the amount of change in c-bER is (c after acceleration test) -BER)-(initial c-bER). If the change amount of the recording sensitivity is 20% or less and the change amount of c-bER is 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 or less, it is a practical level.
  • recording sensitivity, reproduction durability and shelf characteristics are comprehensively evaluated, and those that satisfy the practical level are ⁇ , those that are slightly inferior to ⁇ but satisfy the practical level ⁇ , The practical use was judged as “x” when the practical level was not satisfied.
  • the results of the first information layer 10 are shown in Table 30.
  • the content (atomic%) of W (tungsten) is preferably 15 or more due to the difference in reproduction durability.
  • the W content (atomic%) is preferably 50 or less due to the difference in recording sensitivity.
  • the Mn (manganese) content (atomic%) is preferably 14% or more due to the difference in recording sensitivity.
  • disc no. Comparing 6-031 and 6-032 it was found that the content (atomic%) of Mo (molybdenum) is preferably 2 or more due to the difference in the reproduction durability.
  • the Mo content is preferably 40 or less because of the difference in recording sensitivity.
  • Example 7 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 100 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm, diameter 120 mm) on which a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was prepared.
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is 12 nm as the first dielectric film 11 and W 19 Cu 25 Mo 20 Mn 36 ⁇ is used as the recording film 12.
  • 30 nm of O and (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) as a second dielectric film 13 were sequentially formed by sputtering to 8 nm.
  • the reflectance of the first information layer 10 without the second information layer 20 and the third information layer 30 is R g ⁇ 9.5% when the recording film 22 is not recorded,
  • the film thickness of each film was determined so that R l ⁇ 10.0%.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the second information layer 20, and the first dielectric film 21 is formed of (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) by 17 nm by a sputtering method. Filmed.
  • the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is R g ⁇ 7.8% and R l ⁇ 8.3% when the recording film 22 is not recorded.
  • the film thickness of each film was determined.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 20 nm as the first dielectric film 31 and the recording film 32 is used.
  • W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 38 —O is 37 nm
  • the second dielectric film 33 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%), 10 nm, successively formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the third information layer 30 is such that R g ⁇ 6.3%, R l ⁇ 6.8%, and the transmittance is about 73% when the recording film 32 is in an unrecorded state.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the first information layer 10, the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30 and the cover layer 4 of the B-side information recording medium 102 are the same as those of the aforementioned A-side information recording medium 101.
  • the material and the same method were used.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface having the guide groove of the substrate 1, and this surface and the guide groove of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 are provided.
  • the surface opposite to the surface having the surface and the surface opposite to each other were cured, and the resin was cured by ultraviolet rays, whereby the bonding layer 5 was formed.
  • the recording sensitivity at 405 nm, the reproduction durability, and the shelf characteristics of the first information layer 10 of the information recording medium 100 were evaluated.
  • the wavelength of the laser beam 6 of the evaluator was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens was 0.91
  • information was recorded in the groove and land.
  • the recording linear velocity was 13.38 m / s (6 ⁇ speed), and the reproducing linear velocity was 8.85 m / s (4 ⁇ speed).
  • the data bit length was 47.7 nm, and recording was performed at an 83.4 GB density per information layer.
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers, 1.1 mW for the third information layer, and the reproduction light is a laser beam 6 which is 2: 1 high frequency superimposed (modulated). Was used.
  • Recording was performed with random signals (2T to 12T), the signal quality was evaluated as c-bER (channel bit error rate), and the recording sensitivity was set at the laser power at which c-bER was the best value. If the recording sensitivity in 6 ⁇ speed recording is 25 mW or less, it is at a practical level.
  • the reproduction durability was evaluated by recording random signals on adjacent grooves and lands with power at the recording sensitivity, and measuring the groove located at the center of the recorded track with a linear velocity of 8.85 m / s and a reproduction power of 2.0 mW. Made by playing in.
  • the reason why the groove reproduction was evaluated instead of the land is that the groove has a higher light absorption rate and the reproduction durability is deteriorated.
  • the c-bER after 1 million playbacks is evaluated, and if it is 2.0 ⁇ 10 ⁇ 3 or less, it is a practical level.
  • the shelf characteristics were evaluated by performing an acceleration test on the disk at 90 ° C., 80% RH, 100 hours, and evaluating the recording sensitivity before and after the acceleration test and the amount of change in c-bER.
  • the amount of change in recording sensitivity is calculated by ((recording sensitivity after acceleration test) ⁇ (initial recording sensitivity)) ⁇ (initial recording sensitivity) ⁇ 100%, and the amount of change in c-bER is (c after acceleration test) -BER)-(initial c-bER). If the change amount of the recording sensitivity is 20% or less and the change amount of c-bER is 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 or less, it is a practical level.
  • recording sensitivity, reproduction durability and shelf characteristics are comprehensively evaluated, and those that satisfy the practical level are ⁇ , those that are slightly inferior to ⁇ but satisfy the practical level ⁇ , The practical use was judged as “x” when the practical level was not satisfied.
  • Example 8 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described. The following is a method for manufacturing the information recording medium 100 of this embodiment.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm, diameter 120 mm) on which a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) was prepared.
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) is 12 nm as the first dielectric film 11 and W 19 Cu 25 Mo 20 Mn 36 ⁇ is used as the recording film 12.
  • 30 nm of O and (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) as a second dielectric film 13 were sequentially formed by sputtering to 8 nm.
  • the reflectance of the first information layer 10 without the second information layer 20 and the third information layer 30 is R g ⁇ 9.5% when the recording film 22 is not recorded,
  • the film thickness of each film was determined so that R l ⁇ 10.0%.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 12 was formed using a pulsed DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10.
  • the second information layer 20 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the second information layer 20, and (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) is 17 nm as the first dielectric film 21 and the recording film 22 is used.
  • W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 34 —O is 35 nm
  • the second dielectric film 23 is (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) 7 nm, sequentially formed by sputtering. did.
  • the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is R g ⁇ 7.8%, R l ⁇ 8.3% when the recording film 22 is not recorded, The film thickness of each film was determined so that the transmittance was about 69%.
  • the first dielectric film 21 and the second dielectric film 23 were formed using a DC power source or a pulsed DC power source in an Ar atmosphere.
  • the recording film 22 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 30 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the configuration of the present disclosure is applied to the third information layer 30, and the first dielectric film 31 is made of (ZrO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 40 (SiO 2 ) 30 (mol%) by 20 nm by a sputtering method. Filmed.
  • Third information layer 30 recording layer 32 as W 33 Mn 17 Cu 16 Mo 34 -O of, W 33 Mn 17 Cu 16 Nb 34 -O, W 33 Mn 17 Cu 16 Ta 34 -O, W 38 Mn 14 Cu 10 Mo 38 -O, W 38 Mn 14 Cu 10 Nb 38 -O, W 38 Mn 14 Cu 10 Ta 38 -O, W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 10 Mo 24 -O, W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 10 Nb 24 - O, W 33 Mn 17 Cu 16 Zn 10 Ta 24 —O, W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 10 Mo 28 —O, W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 10 Nb 28 —O, W 38 Mn 14 Cu 10 Zn 10 Ta 28 -O, W 19 Mn 24 Cu 16 Mo 41 -O, W 20 Mn 24 Cu 16 Mo 40 -O, W 60 Mn 17 Cu 16 Mo 7 -O, W 61 Mn 17 Cu 16 Mo 6 -O, W 33 Mn 12 Cu 21 Mo 34 -O, W
  • (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 50 (SiO 2 ) 25 (mol%) was formed in a thickness of 10 nm successively by a sputtering method.
  • the film thickness of each film is set so that the reflectance of the third information layer 30 is R g ⁇ 6.3% and R l ⁇ 6.8% when the recording film 32 is not recorded. Were determined.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 were formed using a DC power source, a pulsed DC power source, or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 was formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin was applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin was cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the first information layer 10, the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30 and the cover layer 4 of the B-side information recording medium 102 are the same as those of the aforementioned A-side information recording medium 101.
  • the material and the same method were used.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface having the guide groove of the substrate 1, and this surface and the guide groove of the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 are provided. With the surface opposite to the surface having, the resin was cured with ultraviolet rays to form the bonding layer 5.
  • the recording sensitivity at 405 nm, the reproduction durability, and the shelf characteristics of the first information layer 10 of the information recording medium 100 were evaluated.
  • the wavelength of the laser beam 6 of the evaluator was 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens was 0.91
  • information was recorded in the groove and land.
  • the recording linear velocity was 13.38 m / s (6 ⁇ speed), and the reproducing linear velocity was 8.85 m / s (4 ⁇ speed).
  • the data bit length was 47.7 nm, and recording was performed at an 83.4 GB density per information layer.
  • the reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers, 1.1 mW for the third information layer, and the reproduction light is a laser beam 6 which is 2: 1 high frequency superimposed (modulated). Was used.
  • Recording was performed with random signals (2T to 12T), the signal quality was evaluated as c-bER (channel bit error rate), and the recording sensitivity was set at the laser power at which c-bER was the best value. If the recording sensitivity in 6 ⁇ speed recording is 25 mW or less, it is at a practical level.
  • the reproduction durability was evaluated by recording a random signal on adjacent grooves and lands with power at the recording sensitivity.
  • the groove positioned at the center of the recorded track was recorded at a linear velocity of 8.85 m / s and a reproduction power of 1.5 mW. Made by playing in.
  • the reason why the groove reproduction was evaluated instead of the land is that the groove has a higher light absorption rate and the reproduction durability is deteriorated.
  • the c-bER after 1 million playbacks is evaluated, and if it is 2.0 ⁇ 10 ⁇ 3 or less, it is a practical level.
  • the shelf characteristics were evaluated by performing an acceleration test on the disk at 90 ° C., 80% RH, 100 hours, and evaluating the recording sensitivity before and after the acceleration test and the amount of change in c-bER.
  • the amount of change in recording sensitivity is calculated by ((recording sensitivity after acceleration test) ⁇ (initial recording sensitivity)) ⁇ (initial recording sensitivity) ⁇ 100%, and the amount of change in c-bER is (c after acceleration test) -BER)-(initial c-bER). If the change amount of the recording sensitivity is 20% or less and the change amount of c-bER is 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 or less, it is a practical level.
  • recording sensitivity, reproduction durability and shelf characteristics are comprehensively evaluated, and those that satisfy the practical level are ⁇ , those that are slightly inferior to ⁇ but satisfy the practical level ⁇ , The practical use was judged as “x” when the practical level was not satisfied.
  • the content (atomic%) of W (tungsten) is preferably 20 or more due to the difference in the reproduction durability.
  • the Mn (manganese) content (atomic%) is preferably 12% or more due to the difference in recording sensitivity.
  • the Mo content is preferably 40 or less because of the difference in recording sensitivity.
  • the information layer has three or more information layers each having an intermediate separation layer made of an acrylic resin and having a recording film containing W, Mn, and O, and a dielectric film containing zirconium oxide and indium oxide on both sides of the recording film.
  • An information recording medium with improved recording characteristics, reproduction durability and shelf characteristics was obtained.
  • the information recording medium and the manufacturing method thereof according to the present disclosure have good reliability in recording and reproducing characteristics even after long-term storage of the information recording medium and have high reliability.
  • Useful for optical discs For example, it is useful for an optical disc (capacity 100 GB) having three information layers on one side as in the BD-XL standard, and an optical disc (capacity 300 GB, 500 GB, etc.) having three information layers on both sides of the next generation.

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Abstract

３層以上の情報層（１０、２０、３０）を含む情報記録媒体（１００）の一つの情報層（１０、２０、３０）に、レーザ光（６）の照射側より、ＺｒＯ及びＩｎ２Ｏ３を含む第２誘電体膜（１３、２３、３３）と、Ｗ、Ｍｎ及びＯを含む記録膜（１２、２２、３２）と、ＺｒＯ及びＩｎ２Ｏ３を含む第１誘電体膜（１１、２１、３１）と、アクリル系樹脂からなる中間分離層（２、３）とをこの順に有し、記録膜（１２、２２、３２）がレーザ光（６）の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体（１００）であって、記録膜（１２、２２、３２）に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＴａより選ばれる１以上の元素であり、ａ＞０及びｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ第１誘電体膜（１１、２１、３１）がＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下含む。

Description

情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法
　本開示は光学的手段によって情報を記録または再生する高密度な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
　これまで商品化されてきた光学的情報記録媒体として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｋ）やＢＤ（Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標）　Ｄｉｓｃ）がある。これらの媒体においては、記録再生レーザ波長を短くしたり、レンズの開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を高くしたり、トラックピッチをつめることにより高密度化（大容量化）を実現してきた。
　ＢＤにおいては、ＢＤ－ＸＬ規格に準じた１００ＧＢ容量のものが製品化されている。このＢＤ－ＸＬ規格のメディアにおいては、情報層を３層化、また１情報層あたりの記録密度を３３．４ＧＢにすることにより１００ＧＢという高密度化が実現できた。今後はさらに線密度を高くし、またランド／グルーブ（Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ）記録による３００ＧＢ容量以上のメディアが提案されている。
　光学的情報記録媒体の特長として優れた長期保存性が挙げられる。そのため前述した大容量のメディアは、公文書・医療画像・動画映像などの重要な大容量データを長期間保存しておくデータアーカイブに最適なメディアである。このようなデータアーカイブ用途として使用するメディアには、追記型の情報記録媒体が適している。追記型の情報記録媒体には、様々な記録膜材料が適用され、例えば結晶－アモルファスの相変化を利用したＴｅ－Ｏ－Ｐｄ（特許文献１参照）や、バブルによりマーク（ピット）を形成するＷ－Ｏ（特許文献２参照）やＧｅ－Ｂｉ－Ｏ（特許文献３参照）などが挙げられる。
　前述した追記型の情報記録媒体においては、記録感度や変調度など光学的な設計を最適化したり、記録膜材料を水分などの影響から保護したりするために誘電体膜が設けられている。この誘電体膜の一例としては、ＺｎＳ－ＳｉＯ２やＩＴＯなどが挙げられる。
　これらの記録膜や誘電体膜はスパッタリング法を用いて形成されることが多いが、情報記録媒体の製造コストを下げるためは、高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリングが用いられている。
特許第３７５２１７７号公報 特開２０１２－１６１９４１号公報 特許第３８０２０４０号公報
　本発明者は、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）を含む記録膜を有する情報記録媒体において、初期特性（初期記録感度）と信頼性（シェルフ特性、再生耐久性）の両立に課題を見出した。
　ＷとＯを含む記録膜にレーザ光等の照射により熱を加え一定以上の温度に昇温させることで、膜中の酸素が分離・結合し、マーク（ピット）となるバブルが形成される。このバブル形成により、記録膜の光学的な変化を得るとともに、記録膜の体積も膨張方向に変化するため、信号特性として大きな変調度を得ることができる。また非可逆的な変化であるため、マークの長期保存性にも優れている。
　情報記録媒体の記録感度を向上するためには、記録膜におけるレーザ光の吸収率を高め、効率的に熱へと変換する必要がある。しかしながらディスクの光学特性には反射率、透過率および吸収率がありそれらの和（反射率＋透過率＋吸収率）が１００％であるとすると、反射率を一定値で設計した場合、記録感度を向上するため吸収率を高くすると透過率が低下することになる。透過率が低下すると、レーザ光の入射側より奥側の情報層に到達するレーザ光の強度が低下することとになり、奥側の情報層の記録感度の低下や反射率の低下が生じる。
　記録膜の光吸収が高くなると、再生光に対する熱負荷も大きくなるため、再生耐久性が悪化傾向にある。ここで再生耐久性とは、記録マーク（信号）に再生光を連続して照射し続けた時の、信号品質の劣化度合いを示す。再生耐久性がよいということとは、再生光を連続して照射し続けても、信号品質の劣化が少ないことを意味する。信号品質は、マークのＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ）やｉ－ＭＬＳＥ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ－Ｍａｘｉｍｕｍ　Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎ）を指標として評価することができる。
　本開示において再生耐久性を支配する要因がアクリル系樹脂からなる中間分離層と、それと接する酸化ジルコニウムと酸化インジウムからなる誘電体膜の組成比にあることを見出した。具体的には誘電体膜の酸化インジウムが多くなると再生耐久性が悪化する。
　またＷとＯを含む記録膜を用いた情報記録媒体においては、シェルフ特性の課題もある。シェルフ特性とは情報記録媒体を長期保存した後の、保存前（情報記録媒体作製直後）に対する未記録部の記録特性の変化を示す。記録特性の変化を評価する指標としては、記録感度の変化やｉ－ＭＬＳＥの変化がある。シェルフ特性がよいとは、前述した記録感度やｉ－ＭＬＳＥの変化が少ないことを意味するが、ＷとＯを含む記録膜を用いた情報記録媒体のシェルフ特性においては、記録感度が悪化やｉ－ＭＬＳＥの悪化が生じやすく改善が必要である。
　シェルフ特性の劣化は、未記録部における記録膜中の各元素の結合状態が変わり、光学的特性が変化、または物理的硬度が変化することが要因と考えられるが、記録膜中のＷ量が多くなるほど劣化量が大きくなる傾向がある。
　ここで複数の情報層を有する情報記録媒体において、レーザ照射側に近い情報層は、奥の情報層までレーザを透過させ、奥の情報層を高感度で記録・再生させるため、高い透過率を有する必要がある。ＷとＯを含む記録膜材料において、高い透過率を得るためは、Ｗ量を増やす必要があり、そのためシェルフ特性の劣化は、レーザ照射側に近い情報層のほうが大きくなる。
　以上のように、本開示は、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体であって、良好な初期特性、再生耐久性またはシェルフ特性を得ることができる情報記録媒体を提供する。
　上記目的を達成するために、本開示における情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層をこの順に有し、前記記録膜が前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、前記記録膜に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＷおよびＭｎを除く任意の金属元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする。
　また、情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷおよびＭｎを含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする。
　本開示の情報記録媒体は、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともＷ、ＭおよびＯを含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層をこの順に有し、前記記録膜に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含むことを特徴とし、良好な初期特性、再生耐久性およびシェルフ特性を得ることができる。
　また、本開示の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。
図１は、実施の形態１における情報記録媒体の断面図である。 図２は、実施の形態２における情報記録媒体の断面図である。
　本発明者らは、ＷとＯを含む記録膜を有する情報記録媒体において、初期特性（初期記録感度）と信頼性（シェルフ特性、再生耐久性）を両立することができる記録膜、誘電体膜の材料およびその組成比を発明した。具体的には、記録膜にはマンガン（Ｍｎ）を含み、Ｍｎが記録膜に含まれる金属元素比で１２原子％以上であること、また誘電体膜の酸化インジウム量が６０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。
　具体的には、本開示の情報記録媒体は、３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層とをこの順に有し、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含んでいる。
　また、膜の透過率を高めるため、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜において、酸化ジルコニウムがＺｒＯ２であり、酸化インジウムがＩｎ２Ｏ３であることが好ましい。
　また、導電性を高めたり、より透過率を高めたりするため、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＴｉＯ２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含むことが好ましい。
　また、前記記録膜が、前記Ｍで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことが好ましい。
　前記記録膜は、さらに、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｐＭｎｑＭ２ｒＭ１ｓ（原子％）と表記した場合に、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足することが好ましい。
　また、前記レーザ光の照射側より最も遠い情報層において、前記レーザ光の入射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ１、Ｍ２および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第１誘電体膜と基板をこの順に有し、前記記録膜に含まれるＭで示される金属元素としてＭ１およびＭ２を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）と表記した場合、ｊ＞０、ｋ≧１２およびｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことが好ましい。
　また、前記記録膜に含まれる金属元素の組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足することが好ましい。
　また、導電性を高めて、且つ高い透過率を得るため、前記記録膜がＣｕを含み、前記記録膜に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＣｕｃＭｄＮｅ（原子％）（但し、ＭよりＣｕを除く。また、Ｎは、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ以外の任意の金属元素であり、ｄ＞０、ｅ≧１２、ｆ＞０、ｇ＞０およびｈ≧０でｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００を満足する）と表記した場合、ｅ＋ｆ≦５０を満足することがより好ましい。
　また、前記記録膜が少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、前記記録材料が少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含んでいてもよい。
　また、変調度を高めるため、前記積層構造における記録材料の少なくとも一つが、前記記録材料に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足することが好ましい。
　また、記録感度と再生耐久性の両立のため、前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜のＩｎ２Ｏ３の組成比が異なっていてもよい。
　また、記録感度と再生耐久性の両立のため、前記第１誘電体膜に含まれるＩｎ２Ｏ３量が、前記第２誘電体膜に含まれるＩｎ２Ｏ３量よりも少ないことがより好ましい。
　また、前記基板を介し、両側に前記情報層を配置していてもよい。
　また、前記情報層において情報を記録・再生する凹凸溝を有し、前記レーザ光の照射側より見た時に、近い側の溝（グルーブ）および遠い側の溝（ランド）の両方に記録することで情報記録媒体の大容量化が可能である。
　また、本開示の情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷ、ＭｎおよびＭ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含んでいる。
　また、前記情報記録媒体の生産タクトを短縮し製造コストを下げるため、前記記録膜を形成する工程において、高い成膜レートが期待できる酸素を添加したＤＣ反応性スパッタリング法を用いることが好ましい。
　また、前記情報記録媒体の生産タクトを短縮し製造コストを下げるため、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程において、高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング法を用いることが好ましい。
　以下、本開示における実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本開示は以下の実施の形態に限定されない。
　（実施の形態１）
　本開示の実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれの３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
　情報記録媒体１００は、Ａ面と称する情報記録媒体１０１とＢ面と称する情報記録媒体１０２を基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）で貼り合わせた両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
　情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に記録再生し、例えば１情報層あたりの容量を５０ＧＢにすることで、情報記録媒体１００においては６つの情報層に記録再生できるので、３００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
　３つの情報層の実効反射率は第１、第２および第３の情報層の反射率と、第２および第３の情報層の透過率を各々調整することにより制御できる。
　本明細書中では、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、Ｒｇはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、Ｒｌはランド部の未記録状態での溝部反射率を示す。
　本実施の形態では、一例として、第１情報層１０の実効Ｒｇが３．０％、実効Ｒｌが３．２％、第２情報層２０の実効Ｒｇが４．８％、実効Ｒｌが５．１％、第３情報層３０の実効Ｒｇが６．４％、実効Ｒｌが６．８％となるように設計した構成を説明する。
　第３情報層３０の透過率が７５％、第２情報層２０の透過率が７１％である場合、第１情報層１０はＲｇが１０．５％、Ｒｌが１１．３％、第２情報層２０はＲｇが８．５％、Ｒｌが９．０％、第３情報層３０はＲｇが６．４％、Ｒｌが６．８％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜が未記録状態でグルーブ・ランドの平均値を示している。
　以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚みについて説明する。
　基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の記録膜１２側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。なお、図示した形態において、基板１の厚さが約０．５ｍｍ、直径が約１２０ｍｍであることが好ましい。また、案内溝を基板１に形成した場合、全前述した通り、レーザ光６に近い側の溝を「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側の溝を「ランド」と呼ぶ。グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
　中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂からなり、効率よく第１情報層１０および第２情報層２０に到達するよう、記録再生する波長λの光に対して光吸収が小さいことが好ましい。中間分離層２および３は、第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光６の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝で近似できる。また、第２情報層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の膜厚は異なる値が好ましい。また、中間分離層２および３などにおいてレーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。実施の形態１ではグルーブ・ランド間の距離は、約０．２２５μｍとした。
　カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光６に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第３情報層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成する。カバー層４の厚みは、ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである４０μｍ～８０μｍ程度が好ましく、５０μｍ～６５μｍ程度がより好ましい。
　貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。また貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚みは５μｍ～８０μｍ程度が好ましく、２０μｍ～５０μｍ程度がより好ましい。
　ＢＤ規格と同等の情報記録媒体の厚みとした場合は、中間分離層２と３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。例えば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。
　次にまず、第３情報層３０の構成について説明する。第３情報層３０は、本開示の特徴となす情報層であり、中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。
　第１誘電体膜３１には、本開示における酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含み、酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体を用いる。また、高い導電性を得るために、酸化インジウムは２０ｍｏｌ％より多く含まれていることが好ましい。
　透過率を高めるため、酸化ジルコニウムはＺｒＯ２、酸化インジウムはＩｎ２Ｏ３であるこが好ましい。または導電性を高めたり、より透過率を高めたりするため、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＴｉＯ２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含むことが好ましい。導電性の指標として、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。また第１誘電体膜３１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜３２への水分の侵入を抑制したり、記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。
　第１誘電体膜３１の具体的な組成系としては、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＣａＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＭｇＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＣａＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＭｇＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＣａＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＭｇＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＣａＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＭｇＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＴｉＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３およびＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－ＴｉＯ２等が挙げられる。
　これらのＤ１においてＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ２Ｏ３およびＴｉＯ２を含むことで導電性を高めることができ、誘電体膜を形成するにあたり安定したＤＣスパッタリングを行うことが可能となる。
　また、より高い透過率を得るため、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３を含んでいることがより好ましい。
　また、より誘電体膜の構造を安定化するため、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯおよびＭｇＯを含んでいることがより好ましい。
　また、第１誘電体膜３１の膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　ここで、上記第１誘電体膜３１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された第１誘電体膜１１には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ－Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、これらの分析方法で検出されることがある。これら不可避の成分は第１誘電体膜３１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する第１誘電体膜１１、２１、および第２誘電体膜２３、３３にも同様に適用される。
　本開示の記録膜３２は、Ｗ、ＭｎおよびＯを含み、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜３２に含まれる金属元素をＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、良好なシェルフ特性を得るためにはｂ≧１２を満足する必要がある。また記録膜３２に含まれる全元素においてＯが４０原子％以上含まれていることが好ましい。
　また、情報層３０の透過率を上げるため、Ｗ量を増やすことが好ましく、ａ≧２５を満足することが好ましい。
　また、Ｍｎ量が多くなると情報層３０の透過率が低下するため、ｂ≦４０を満足することが好ましい。
　また、変調度を高めるため、Ｍ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことが好ましい。具体的には、Ｗ－Ｍｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｐｄ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｐｔ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｎｉ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｐｄ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｐｔ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ａｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｎｉ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｐｄ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｐｔ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｃｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ａｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｎｉ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｐｄ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｐｔ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｃｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｎｉ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｐｄ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｐｔ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｃｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ａｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｎｉ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｐｄ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｐｔ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｃｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ａｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｎｉ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｐｄ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｐｔ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｃｏ－ＯおよびＷ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ等が挙げられる。
　また、記録膜３２の膜厚としては、１５ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましい。
　また、記録膜３２がＷ、ＭｎおよびＯを含み、少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなっていてもよい。この積層構造における記録材料の少なくとも一つが、記録材料に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足することが好ましい。
　また、情報層３０の透過率を上げるため、Ｗ量を増やすことが好ましく、ａ≧２５を満足することが好ましい。
　また、Ｍｎ量が多くなると情報層３０の透過率が低下するため、ｂ≦４０を満足することが好ましい。
　具体的な積層構造をなす記録材の材料系としては、Ｗ－Ｍｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｐｄ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ａｇ－ＯおよびＷ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｏ等が前述した記録膜３２と同じ材料系を用いることができる。
　また、具体的な積層構造としては、レーザ照射側に対して奥側に位置する記録材料より記載して、Ｗ－Ｍｎ－Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｏ（ｂ＝４０％）／Ｗ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｏ（ｂ＝４０％）／Ｗ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ－Ｃｕ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｏ（ｂ＝３０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝３０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝３０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１５％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２５％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｏ（ｂ＝１５％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１５％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２５％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝２０％）／Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｚｎ－Ｏ（ｂ＝１５％）等が挙げられる。
　また、積層構造をなす記録膜の全膜厚としては、１５ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましく、１構成層の膜厚は膜形成時の厚みばらつきを考え、５ｎｍ以上であることが好ましい。
　ここで、上記記録膜３２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。スパッタリングで形成された記録膜１２には、スパッタ雰囲気中に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ－Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、ＩＣＰ発光分光分析、ＸＭＡ、ＥＰＭＡなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録膜３２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよく、不可避に含まれる成分を除いて前述の好ましい組成比を満足していればよい。これは、後述する記録膜１２、２２にも同様に適用される。
　本開示の第２誘電体膜３３は、前述した第１誘電体膜３１と同様の材料を用い、膜厚としては、３ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましい。
　第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３の具体的な膜厚に関してはマトリクス法（例えば、非特許文献：久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の膜厚により、記録膜３２が記録状態および未記録状態での位相差によるグルーブおよびランド間の特性を好適化したりすることが可能である。
　また、他の中間分離層を有する情報層に、本開示のＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜の構成を備えている場合、第２情報層３０の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２およびＤｙ２Ｏ３等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ－Ｓｉ－ＮおよびＧｅ－Ｃｒ－Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物およびＬａＦ３、ＣｅＦ３およびＹＦ３等のフッ化物を用いてもよい。
　またそれらより選ばれる混合物でもよい。具体的な例として、Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２（ＩＴＯ）、ＺｎＯ－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２、ＴｉＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３－Ｄｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３－ＡｌＮ、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＳ、ＳｉＯ２－ＺｎＳおよびＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＬａＦ３等が挙げられる。
　次に本開示の第２情報層２０の構成について説明する。第２情報層２０は、中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。
　第２情報層２０の構成は基本的には第３情報層３０と同様である。
　第１誘電体膜２１は、第１誘電体膜３１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
　記録膜２２は、記録膜３２と同様の材料を用いることができ、情報層２０の透過率を上げるため、記録膜２２に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ａ≧２０を満足することが好ましい。
　また、Ｍｎ量が多くなると情報層２０の透過率が低下するため、ｂ≦４５を満足することが好ましい。
　第２誘電体膜２３は、第２誘電体膜３３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
　次に、第１情報層１０の構成について説明する。第１情報層１０は基板１の表面上に、第１誘電体膜１１、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。
　第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また記録膜１２への水分の侵入を抑制したり、記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制したりする働きを有する。第１誘電体膜１１の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２およびＤｙ２Ｏ３等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ－Ｓｉ－ＮおよびＧｅ－Ｃｒ－Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物およびＬａＦ３、ＣｅＦ３およびＹＦ３等のフッ化物を用いることができる。またそれらより選ばれる混合物でもよい。具体的な例として、Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２（ＩＴＯ）、ＺｎＯ－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２、ＴｉＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３－Ｄｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３－ＡｌＮ、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＳ、ＳｉＯ２－ＺｎＳおよびＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＬａＦ３等が挙げられる。この中でもスパッタリングターゲットとして作製した時に比抵抗率１Ω・ｃｍ以下の導電性を有するものは、ＤＣスパッタリングが可能となり高い成膜レートが期待できるため、情報記録媒体の低コスト化につなげることができる、第１誘電体膜１１の膜厚としては、３ｎｍ～３０ｎｍであることが好ましい。
　記録膜１２は、Ｗ、ＭｎおよびＯを含み、例えば、レーザ光６の照射によってＯが分離・結合しバブルを形成する材料からなる。記録膜１２に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、光吸収率を上げ記録感度を高くし、また高い信号変調度を得るためｂ≧２５であることが好ましい。この中でもＺｎは良好な信号特性を維持し透過率を向上することができるため、記録膜１２に含まれていることが好ましい。またＣｕ、Ａｇは効率よく光吸収し且つ高い導電性を有することでＤＣスパッタリングにおいて高い安定性（持続性）を得ることができるため、Ｃｕ、Ａｇの少なくとも一つが含まれていることが好ましい。記録膜１２の膜厚としては、１５ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましい。
　また、記録膜１２を構成する材料として、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）およびＯを含む材料を用いてもよい。Ｍ１を有することで記録膜１２におけるレーザ光６の吸収を下げることができ、再生耐久性を向上することができる。記録膜１２に含まれる金属元素の組成をＷｊＭｎｋＭ１ｍＭ２ｎ（原子％）（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ｊ＞０およびｋ≧０でｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する）と表記した場合、高い信号変調度を得るための、符号ｋの範囲は、例えば、ｋ≧１２を満足する。
　Ｗ、Ｍｎ、Ｍ１（但し、Ｍ１は上記に同じ。）およびＯを含む材料にさらにＭ２（但し、Ｍ２は上記に同じ。）を含む材料（ＷＭｎＭ１Ｍ２－Ｏ）としては、具体的には、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｎｂ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｔａ－Ａｇ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｎｂ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ａｇ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｍｏ－Ｏ、Ｗ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ａｇ－Ｍｏ－Ｏ、およびＷ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ａｇ－Ｍｏ－Ｏ等が挙げられる。
　第２誘電体膜１３は第１誘電体膜１１と同様の働きを有し、第２誘電体膜１３と同様の材料を用いることができる。第２誘電体膜１３の膜厚としては、３ｎｍ～３０ｎｍであることが好ましい。
　他の形態として、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜がＴｅ－Ｏ－ＰｄやＧｅ－Ｂｉ－Ｏ等の他の記録膜材料であってもよく、必要に応じ反射膜や誘電体膜を設けてもよい。
　あるいは、片面（Ａ面およびＢ面）４つ以上の情報層を含む情報記録媒体であってよい。本開示の効果は、これらの形態によらず得られる。
　記録方式として、情報記録媒体は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔ　Ｌｉｎｅａｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ　Ａｎｇｕｌａｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、Ｚｏｎｅｄ　ＣＬＶもしくはＺｏｎｅｄ　ＣＡＶ、いずれでも使用できる。データビット長は７９．５ｎｍもしくは５１．３ｎｍのいずれかにより記録再生を行った。
　また、本実施の形態では、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５もしくは０．９１である光学系が好ましく用いられるが、ＮＡ＞１の光学系を用いて記録再生してもよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）やＳｏｌｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用することができる。この場合、中間分離層とカバー層は５μｍ以下で形成してよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
　次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１００の製造方法について説明する。
　まずＡ面情報記録媒体１０１について説明する。
　第１情報層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
　続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に案内溝が形成されている時は、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜１１を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスのいずれでもよい。なかでも安価なＡｒガスが好ましく用いられる。これ以下に述べる希ガスについても同様である。）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。スパッタリングターゲットに導電性を有するものは、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。また第１誘電体膜１１は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
　続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、Ｗ合金またはＷ－Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。上記のＷ合金ターゲットは導電性を有しているため、ＲＦ（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることが好ましい。このとき記録膜１２中に多くの酸素を取り入れるため、多量の酸素ガスを混合することが好ましい。また記録膜１２は構成する元素それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
　続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３を構成する混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また第２誘電体膜１３は構成する誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードより同時に成膜するマルチスパッタリングにより形成することもできる。
　また、スパッタリングターゲットとして用いるＷ合金またはＷ－Ｏ合金におけるＷの含有量が１５ｍｏｌ％よりも少ないと、ＤＣまたはパルスＤＣスパッタが不安定になり、異常放電が生じやすい。そのため、Ｗの含有量が２０ｍｏｌ％よりも少ない場合においては、記録膜１２を構成する各単体（金属またはその酸化物）ターゲットを同時にスパッタするマルチスパッタにより形成することができる。マルチスパッタにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜における所望の組成比を得ることができる。
　続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等のアクリル系樹脂を第１情報層１０上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお中間分離層２に案内溝を設ける場合は表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された中間分離層２が形成できる。
　続いて、第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の形成にはまず第１誘電体膜２１を形成する。第１誘電体膜２１は、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で形成できる。
　続いて、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、Ｗ－Ｍｎ合金またはＷ－Ｍｎ－Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、前述した記録膜１２と同様の方法で形成できる。
　続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットを用いて、第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で形成できる。
　続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
　続いて、第３情報層３０を形成する。第３情報層３０の形成方法は、基本的には前述した第２情報層２０と同様の方法で形成できる。
　まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜２１と同様の方法で形成できる。
　続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜２２と同様の方法で形成できる。
　続けて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜２３と同様の方法で形成できる。
　供給電力はずれも１００Ｗ～１０ｋＷであり、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ～１０Ｐａとした。
　続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層４には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。
　各情報層における各膜の成膜時間は、情報記録媒体の量産性を上げ、製造コストを下げるため、１つの膜あたり１０秒以下で成膜することが好ましく、５秒以下であればなお好ましい。
　なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
　このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。
　同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝と反対面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝と反対面と合わせ、樹脂を硬化させることで貼り合わせ層５を形成する。なお、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を用いて、Ａ面情報記録媒体１０１に光硬化型樹脂を均一に塗布した後に光を当て、その後Ｂ面情報記録媒体１０２を合わせ貼り合わせ層５を形成してもよい。
　このようにして、実施の形態１の両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。
　（実施の形態２）
　本開示の実施の形態２として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。図２に、その情報記録媒体の断面図を示す。
　本開示の実施の形態２として、レーザ光６を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体２００は、情報を記録再生する情報層を、基板上に３層設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６の波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
　情報記録媒体２００は、基板１上に中間分離層２、３などを介して、順次情報層が積層され第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、第３情報層３０に接しカバー層４が設けられている。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
　情報記録媒体２００においては、案内溝を基板１に形成した場合、グルーブに記録再生し、例えばＢＤ－ＸＬ規格に準じ１情報層あたりの容量を３３．４ＧＢにすることで、情報記録媒体２００においては３つの情報層１０、２０、３０に記録再生できるので、１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体２００を得ることができる。
　３つの情報層１０、２０、３０の実効反射率は第１、第２および第３の情報層１０、２０、３０の反射率と、第２および第３の情報層２０、３０の透過率を各々調整することにより制御できる。
　本実施の形態では、一例として、第１情報層１０の実効Ｒｇが３．３％、第２情報層２０の実効Ｒｇが３．３％、第３情報層３０の実効Ｒｇが３．３％となるように設計した構成を説明する。
　第３情報層３０の透過率が７９％、第２情報層２０の透過率が７５％である場合、第１情報層１０はＲｇが９．２％、第２情報層２０はＲｇが５．３％、第３情報層３０はＲｇが３．３％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。
　以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３およびカバー層４の機能、材料および厚みについて説明する。
　基板１は円盤状の透明な基板であることが好ましい。基板１の材料には、実施の形態１における基板１と同様の材料を用いることができる。基板の厚みは約１．１ｍｍであり、グルーブ間の距離は、約０．３２μｍとした。
　中間分離層２および３は、実施の形態１における中間分離層２および３と同様の材料を用いることができ、また厚みに関しても実施の形態１と同様に設計できる。なお、グルーブ間の距離は、約０．３２μｍとした。
　カバー層４は、実施の形態１におけるカバー層４と同様の材料を用いることができ、また厚みに関しても実施の形態１と同様に設計できる。
　ＢＤ規格に準じた場合には、中間分離層２および３とカバー層４との厚みの総和が１００μｍとなるように設定する。例えば、中間分離層２が約２５μｍ、中間分離層３が約１８μｍ、カバー層４が約５７μｍのように設定できる。
　第１情報層１０に関しては基板１の表面上に、第１誘電体膜１１、記録膜１２、第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。第１情報層１０は、実施の形態１における第１情報層１０と同様の方法で作製ができる。
　第２情報層２０に関しては中間分離層２の表面上に、第１誘電体膜２１、記録膜２２、第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。第２情報層２０は、実施の形態１における第２情報層２０と同様の方法で作製ができる。
　第３情報層３０に関しては中間分離層３の表面上に、第１誘電体膜３１、記録膜３２、第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。第３情報層３０は、実施の形態１における第３情報層３０と同様の方法で作製ができる。
　このようにして、実施の形態２の片面に情報層を有する情報記録媒体２００を製造することができる。
　以上、本開示の実施の形態について例を挙げて説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されず、本開示の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。
　次に、実施例を用いて本開示を詳細に説明する。
　本開示のより具体的な実施の形態について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
　（実施例１）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１１ｎｍ、記録膜１２としてＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５（原子％）の酸化物を３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。ここで記録膜１２に関して、Ｗ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５－Ｏと表記する。以降、他の組成比に関しても同様で、記録膜の元素比としては金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記する。例えば、Ｗ２５Ｍｎ２５Ｃｕ２５Ｚｎ２５（原子％）の酸化物であればＷ２５Ｍｎ２５Ｃｕ２５Ｚｎ２５－Ｏと表記する。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲｇ≒１１．０％、Ｒｌ≒１１．８％になるよう各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が６５～７３％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜３２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ－Ｏ）を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。
　第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が６９～７９％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は２０ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は１０ｎｍとなるように設計できる。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１と回転方向とは逆の方向とした。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１１ｎｍ、記録膜１２としてＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５－Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲｇ≒１１．０％、Ｒｌ≒１１．８％になるよう各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２と回転方向とは逆の方向とした。
　中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が６５～７３％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。
　中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜３２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ－Ｏ）を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。
　第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が６９～７９％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は２０ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は１０ｎｍとなるように設計できる。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
　本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（Ａｌ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＺｎＯ）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｎＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（Ｇａ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＴｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）１２（Ａｌ２Ｏ３）１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（Ｙ２Ｏ３）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（ＣａＯ）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（ＭｇＯ）５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）１５（ＳｎＯ２）１５（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。
　また記録膜３２として、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを適用した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１－１０１～１－１１２とする。
　比較例として、上記記載の情報記録媒体１００における、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＳｎＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．１－００１を作製した。またＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．１－００２を作製した。
　情報記録媒体１００および比較例の情報記録媒体の第３情報層３０の４０５ｎｍにおける透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。
　信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１情報層１０および第２情報層２０に対しては１．４ｍＷ、第３情報層３０に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ～８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行い、ｉ－ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ－ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。
　また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー１．８ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ－ＭＬＳＥを評価し、１２．０％以下であれば実用可能レベルである。
　またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ－ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ－ＭＬＳＥ）－（初期のｉ－ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｉ－ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。
　最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例１－００１および１－００２に対し、良好な結果が得られ、１－１０１、１－１０２、１－１０９が実用レベルとしてより良好である。
　Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、１－１０１～１－１１２のいずれにおいても、比較例１－００１に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜３１は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、１－１０１～１－１１２のいずれにおいても、比較例１－００２に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜３１に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
　また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、記録感度およびシェルフ後の記録感度（＝記録感度変化量）がグルーブよりランドのほうが悪くなっている。これはランドの溝形状がレーザ光６の照射側より見て凹な形状であり、レーザ光の照射面に対し左右または斜め方向へのマークの膨らみが抑制されてしまうため、ランドの記録にはより高いレーザパワーが必要となることが要因の一つと考えられる。
　また、以下の実施例においても記録感度および記録感度変化量に同様の傾向が見られるが、同じ要因と考えられる。
　次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ａｌ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｎＯ）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ｇａ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＴｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）１２（Ａｌ２Ｏ３）１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（Ｙ２Ｏ３）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（ＣａＯ）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（ＭｇＯ）５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）１５（ＳｎＯ２）１５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。
　また記録膜３２として、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを適用した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１－２０１～１－２１２とする。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例１－００１および１－００２に対し、良好な結果が得られ、また１－２０１、１－２０２、１－２０９が実用レベルとしてより良好である。
　Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、１－２０１～１－２１２のいずれにおいても、比較例１－００１に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜３３は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、１－２０１～１－２１２のいずれにおいても、比較例１－００２に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜３３に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
　また、１－１０２と１－２０２において、１０倍速（３５．００ｍ／ｓ）による記録を行い、記録感度の評価を行った。記録感度の設定は４倍速と同様にｉ－ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の１０倍速記録感度の結果を表５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の１０倍速記録感度の結果を表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　これらの表に示すように、１－２０１に対し１－１０２のほうが相対的に８％程度１０倍速の記録感度が高くなっている。このことから１０倍速等の高線速記録感度を向上するには第１誘電体膜３１と第２誘電体膜３３の組成が異なるほうがより好ましい。
　次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）４０（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＳｉＯ２）４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３５（Ｉｎ２Ｏ３）３０（ＳｉＯ２）３５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）６０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。
　また記録膜３２として、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを適用した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１－３０１～１－３０５とする。
　なお、（ＺｒＯ２）４０（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＳｉＯ２）４０（ｍｏｌ％）に関してはＤＣスパッタリングが困難であったため、ＲＦスパッタリングにより成膜した。
　また１－３０３は１－１０２と同構成の情報記録媒体である。
　比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ２）１９（Ｉｎ２Ｏ３）６２（ＳｉＯ２）１９（ｍｏｌ％）に適用したディスクＮｏ．１－００３を作製した。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表７、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表８に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　これらの表に示すようにＡ面情報記録媒体１０１で比較すると、Ｉｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％である１－３０５で再生耐久性が実用化レベルの上限となっており、Ｉｎ２Ｏ３が６２ｍｏｌ％である１－００３の再生耐久性が実用不可レベルであることから、Ｉｎ２Ｏ３の量は６０ｍｏｌ％以下が好ましい。また、１－３０１～１－３０３で実用化を十分満足できる判定(◎)となっていることから、第１誘電体膜３１に含まれるＩｎ２Ｏ３量が、第２誘電体膜３３に含まれるＩｎ２Ｏ３量よりも少ないほうが好ましい。また、１－３０１のようにＩｎ２Ｏ３の量は２０ｍｏｌ％以下であるとＤＣスパッタリングが困難となり、高い成膜レートが得られず成膜タクトを短縮することが難しくなる。
　次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜３２としてＷ３６Ｍｎ１２Ｃｕ１６Ｚｎ３６－Ｏ、Ｗ３５Ｍｎ１４Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２－ＯおよびＷ３０Ｍｎ４０Ｚｎ３０－Ｏを適用した情報記録媒体１００を作製した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１－４０１～１－４０５とする。１－４０３は１－１０２と同構成の情報記録媒体である。
　比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の記録膜３２に、Ｗ３７Ｍｎ１０Ｃｕ１６Ｚｎ３７－Ｏに適用したディスクＮｏ．１－００４を作製した。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表９、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
　これらの表に示すように記録膜３２のＭｎ量が少なくなると記録感度が悪化し、シェルフ特性も悪化する。Ｍｎ量が１２原子％のディスク１－４０１でシェルフ特性の記録感度変化量が２０％と実用可能レベルの上限となっており、さらにＭｎ量が少ない比較例１－００４ではシェルフ特性が実用不可レベルであることから、記録膜３２のＭｎ量は１２原子％以上であることが好ましい。また１－４０５においては透過率が６９％と第３情報層３０としては低い値となっていることから、記録膜３２のＭｎ量は４０原子％以下であることがより好ましい。
　次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜３３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１２Ｃｕ１６Ｚｎ３４Ａｇ５－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ａｇ５－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ａｕ５－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ｎｉ５－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ｐｄ５－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｐｔ５－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ｃｏ５－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１１Ｚｎ３４Ｍｏ５－ＯおよびＷ８３Ｍｎ１７－Ｏを適用したディスクを作製した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１－５０１～１－５１０とする。１－５０１は１－１０２と同構成の情報記録媒体である。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、実用可能なレベルの特性得られた。
　Ａ面情報記録媒体１０１におけるグルーブの記録感度に着目した場合、１－５０１～１－５０９いずれにおいても１－５１０より記録感度が高くなっており、記録膜３２にＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣｏおよびＭｏが含まれることにより、記録感度を高める効果が得られた。
　（実施例２）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の構成、作製方法は実施例１と同様である。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２として本開示の少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、記録材料が少なくともＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は各記録材料とも、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２の回転方向とは逆の方向とした。
　続けて、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０の構成、作製方法は実施例１と同様である。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。
　続けて、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。
　第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２として本開示の少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、記録材料が少なくともＷ、ＭｎおよびＯを含む記録膜を３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は各記録材料とも、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
　本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の記録膜３２にレーザ照射側に対して奥側に位置する記録材料より記載して、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２－Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ３７Ｍｎ１０Ｃｕ１６Ｚｎ３７－Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２－Ｏ（１２ｎｍ）、Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１９Ｃｕ１６Ｚｎ３３－Ｏ（１２ｎｍ）、Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３１Ｍｎ２１Ｃｕ１６Ｚｎ３２－Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ（１８ｎｍ）、Ｗ３２Ｍｎ１９Ｃｕ１６Ｚｎ３３－Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３５Ｍｎ１３Ｃｕ１６Ｚｎ３６－Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３３－Ｏ（１８ｎｍ）、Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１９Ｃｕ１６Ｚｎ３３－Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１９Ｃｕ１６Ｚｎ３３－Ｏ（９ｎｍ）、Ｗ３２Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３２Ａｇ５－Ｏ（１２ｎｍ）／Ｗ３７Ｍｎ１０Ｃｕ１６Ｚｎ３７－Ｏ（１３ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３２Ａｇ５－Ｏ（１２ｎｍ）およびＷ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１４Ｃｕ１６Ｚｎ３３Ａｇ５－Ｏ（１０ｎｍ）／Ｗ３４Ｍｎ１５Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ（９ｎｍ）／Ｗ３２Ｍｎ１４Ｃｕ１６Ｚｎ３３Ａｇ５－Ｏ（９ｎｍ）を適用した情報記録媒体１００を作製した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－１０１～２－１０７とする。
　透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価は、実施例１と同様に行った。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第３情報層３０の結果を表１３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第３情報層３０の結果を表１４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を両立し、記録膜３２へ異なる組成を積層した構造を適用しても実用化可能であることを実証できた。
　（実施例３）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜２２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ－Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。
　第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が６５～７３％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２とてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は１７ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は７ｎｍと設計できる。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が６９～７９％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成、作製方法は実施例１と同様である。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２の回転方向とは逆の方向とした。
　中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、記録膜２２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ－Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として本開示のＺｒＯ２とＩｎ２Ｏ３を含みＩｎ２Ｏ３を６０ｍｏｌ％以下で含む誘電体膜を、順次スパッタリング法により成膜した。
　第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が６５～７３％となるように設定した。例えば、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２とてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した場合には、第１誘電体膜２１の膜厚は１７ｎｍ、第２誘電体膜２３の膜厚は７ｎｍと設計できる。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３の回転方向とは逆の方向とした。
　中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が６９～７９％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
　本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（Ａｌ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＺｎＯ）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｎＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（Ｇａ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＴｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）１２（Ａｌ２Ｏ３）１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（Ｙ２Ｏ３）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（ＣａＯ）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）２５（ＭｇＯ）５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）１５（ＳｎＯ２）１５（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。
　また記録膜２２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏを適用した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－１０１～３－１１２とする。
　比較例として、上記記載の情報記録媒体１００における、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、（ＳｎＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．３－００１を作製した。またＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）を適用したディスクＮｏ．３－００２を作製した。
　情報記録媒体１００および比較例の情報記録媒体の第２情報層２０の４０５ｎｍにおける透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。
　信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ～８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行い、ｉ－ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ－ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。
　また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ－ＭＬＳＥを評価し、１１．５％以下であれば実用可能レベルである。
　またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ－ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ－ＭＬＳＥ）－（初期のｉ－ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が１５％以下、ｉ－ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。
　最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表１５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表１６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
　これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例３－００１および３－００２に対し、良好な結果が得られ、３－１０１、３－１０２、３－１０９が実用レベルとしてより良好である。
　Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、３－１０１～３－１１２のいずれにおいても、比較例３－００１に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜２１は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、３－１０１～３－１１２のいずれにおいても、比較例３－００２に対し再生耐久性がよいことから、第１誘電体膜２１に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
　次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ａｌ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｎＯ）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（Ｇａ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＴｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）１２（Ａｌ２Ｏ３）１８（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（Ｙ２Ｏ３）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（ＣａＯ）５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２０（ＭｇＯ）５（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）１５（ＳｎＯ２）１５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。
　また記録膜２２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏを適用した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－２０１～３－２１２とする。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表１７、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表１８に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
　これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、比較例３－００１および３－００２に対し、良好な結果が得られ、また３－２０１、３－２０２、３－２０９が実用レベルとしてより良好である。
　Ａ面情報記録媒体１０１で比較すると、３－２０１～３－２１２のいずれにおいても、比較例３－００１に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜２３は酸化ジルコニウムと酸化インジウムが含まれていることが好ましい。また、３－２０１～３－２１２のいずれにおいても、比較例３－００２に対し再生耐久性がよいことから、第２誘電体膜２３に含まれる酸化インジウムは６０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
　また、３－１０２と３－２０２において、１０倍速（３５．００ｍ／ｓ）による記録を行い、記録感度の評価を行った。記録感度の設定は４倍速と同様にｉ－ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の１０倍速記録感度の結果を表１９、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の１０倍速記録感度の結果を表２０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
　これらの表に示すように、３－２０１に対し３－１０２のほうが相対的に９％程度１０倍速の記録感度が高くなっている。このことから１０倍速等の高線速記録感度を向上するには第１誘電体膜２１と第２誘電体膜２３の組成が異なるほうがより好ましい。
　次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）４０（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＳｉＯ２）４０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３５（Ｉｎ２Ｏ３）３０（ＳｉＯ２）３５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）、（ＺｒＯ２）２０（Ｉｎ２Ｏ３）６０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）および（ＺｒＯ２）１９（Ｉｎ２Ｏ３）６２（ＳｉＯ２）１９（ｍｏｌ％）を適用し、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３にＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用した情報記録媒体１００を作製した。
　また記録膜２２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏを適用した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－３０１～３－３０５とする。
　なお、（ＺｒＯ２）４０（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ＳｉＯ２）４０（ｍｏｌ％）に関してはＤＣスパッタリングが困難であったため、ＲＦスパッタリングにより成膜した。
　また、３－３０３は３－１０２と同構成の情報記録媒体である。
　比較例として、上記記載の情報記録媒体１００におけるＡ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、（ＺｒＯ２）１９（Ｉｎ２Ｏ３）６２（ＳｉＯ２）１９（ｍｏｌ％）に適用したディスクＮｏ．３－００３を作製した。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２１、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
　これらの表に示すようにＩｎ２Ｏ３が６０ｍｏｌ％である３－３０５で再生耐久性が実用化レベルの上限となっており、Ｉｎ２Ｏ３が６２ｍｏｌ％である３－３０６の再生耐久性が実用不可レベルであることから、Ｉｎ２Ｏ３の量は６０ｍｏｌ％以下が好ましい。また、３－３０１～３－３０３で実用化を十分満足できる判定(◎)となっていることから、第１誘電体膜２１に含まれるＩｎ２Ｏ３量が、第２誘電体膜２３に含まれるＩｎ２Ｏ３量よりも少ないほうが好ましい。また、３－３０１のように実施例１と同様にＩｎ２Ｏ３の量は２０ｍｏｌ％以下であるとＤＣスパッタリングが困難となり、高い成膜レートが得られず成膜タクトを短縮することが難しくなる。
　次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜２２としてＷ３４Ｍｎ１６Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２－Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ１６Ｃｕ２０Ｚｎ３２－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏ、Ｗ２８Ｍｎ２２Ｃｕ２２Ｚｎ２８－ＯおよびＷ２７Ｍｎ４５Ｚｎ２８－Ｏを適用した情報記録媒体１００を作製した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－４０１～３－４０６とする。３－４０４は３－１０２と同構成の情報記録媒体である。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２３、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
　これらの表に示すように記録膜２２のＭｎおよびＣｕ量が少なくなると記録感度が悪化している。３－４０１で記録感度変化量が実用上限レベルになっており、これ以上Ｍｎ、Ｃｕ量を減らすことは好ましくないと考えられる。また３－４０６においては透過率が６５％と第２情報層２０としては低い値となっていることから、記録膜２２のＭｎ量は４５原子％以下であることがより好ましい。
　次に本実施例の情報記録媒体１００の別の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を適用し、第２誘電体膜２３に（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を適用し、記録膜２２としてＷ３０Ｍｎ１５Ｃｕ２０Ｚｎ３０Ａｇ５－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ａｇ５－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ａｕ５－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｎｉ５－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｐｄ５－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｐｔ５－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｃｏ５－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ１５Ｚｎ３０Ｍｏ５－ＯおよびＷ８０Ｍｎ２０－Ｏを適用したディスクを作製した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－５０１～３－５１０とする。３－５０１は３－１０２と同構成の情報記録媒体である。
　Ａ面情報記録媒体１０１における第２情報層２０の結果を表２５、Ｂ面情報記録媒体１０２における第２情報層２０の結果を表２６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000026
　これらの表に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１００においても、実用可能なレベルの特性が得られた。
　Ａ面情報記録媒体１０１におけるグルーブの記録感度に着目した場合、３－５０１～３－５０９いずれにおいても３－５１０より記録感度が高くなっており、記録膜２２にＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣｏおよびＭｏが含まれることにより、記録感度を高める効果が得られた。
　（実施例４）
　本実施例では図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体２００の製造方法である。
　基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ－グルーブ間距離）０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、記録膜１２としてＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５－Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）を１６ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でのＲｇ≒９．２％になるよう各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ－グルーブ間距離）０．３２μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０は本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜２２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ－Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。
　第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒５．３％、透過率が６８～７６％となるように設定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ－グルーブ間距離）０．３２μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０は、本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、記録膜３２として本開示のＷａＭｎｂＭｃ（原子％）の酸化物（ＷａＭｎｂＭｃ－Ｏ）を３５ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。
　第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒３．０％、透過率が７２～８２％となるように設定した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、本実施例の情報記録媒体２００を作製した。
　本実施例の情報記録媒体２００の一例として、第２情報層２０の記録膜２２にＷ３４Ｍｎ１６Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを適用し、第３情報層３０の記録膜３２にＷ３９Ｍｎ１２Ｃｕ１０Ｚｎ３９－Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８－Ｏ、Ｗ３５Ｍｎ１４Ｃｕ１６Ｚｎ３５－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ４０Ｚｎ３０－ＯおよびＷ３３Ｍｎ１２Ｃｕ１６Ｚｎ３４Ａｇ５－Ｏを適用した情報記録媒体２００を作製した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４－１０１～４－１０７とする。
　比較例として、上記記載の情報記録媒体２００における記録膜３２に、Ｗ４０Ｍｎ１０Ｃｕ１０Ｚｎ４０－Ｏを適用したディスクＮｏ．４－００１を作製した。
　情報記録媒体２００および比較例の情報記録媒体の第２情報層２０および第３情報層３０の記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価をＢｌｕ－ｒａｙ（登録商標）　Ｄｉｓｃ規格の一つである「ＢＤ－ＸＬ」規格に準じて行った。信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．７２ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．３６ｍ／ｓ（２倍速）で行った。最短マーク長（２Ｔ）は０．１１１μｍで、１情報層あたり３３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。信号品質は、ＰＲ（１２２２２２１）ＭＬ信号処理によりデータ複合を行い、ｉ－ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ－ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が２３ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。
　また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブにランダム信号を記録し、記録を行った中央に位置するトラックを線速度１４．７２ｍ／ｓ、再生パワー１．８ｍＷで再生することにより行った。１００万回再生後のｉ－ＭＬＳＥを評価し、第２情報層２０においては１１．５％以下、第３情報層３０においては１２．０％以下であれば実用可能レベルである。
　またシェルフ特性の評価は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ－ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ－ＭＬＳＥ）－（初期のｉ－ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が第２情報層２０においては１５％以下、ｉ－ＭＬＳＥの変化量が１％以下、第３情報層３０においては２０％以下、ｉ－ＭＬＳＥの変化量が１％以下、あれば実用可能レベルである。
　最終的に透過率、記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。
　第３情報層３０の結果を表２７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
　表２７の４－１０１～４－１０６で示されるように、Ｍｎ量が少なくなると記録感度が悪化し、シェルフ特性も悪化する。記録膜３２におけるＭｎ量が１２原子％のディスク４－１０１でシェルフ特性の記録感度変化量が２０％と実用可能レベルの上限となっており、さらにＭｎ量が少ない比較例４－００１では記録感度およびシェルフ特性が実用不可レベルであることから、記録膜３２のＭｎ量は１２原子％以上であることが好ましい。
　また４－１０６においては透過率が７２％と第３情報層３０としては低い値となっていることから、記録膜３２のＭｎ量は４０原子％以下であることがより好ましい。
　記録膜３２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎが含まれる４－１０３～４－１０５、およびさらにＡｇが含まれる４－１０７において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。
　次に本実施例の情報記録媒体２００の一例として、第２情報層２０の記録膜２２にＷ３４Ｍｎ１６Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏ、Ｗ３２Ｍｎ２０Ｃｕ１６Ｚｎ３２－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２４Ｃｕ１６Ｚｎ３０－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏ、Ｗ２８Ｍｎ２２Ｃｕ２２Ｚｎ２８－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ４５Ｚｎ２８－ＯおよびＷ３０Ｍｎ１５Ｃｕ２０Ｚｎ３０Ａｇ５－Ｏを適用し、第３情報層３０の記録膜３２にＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを適用した情報記録媒体２００を作製した。
　これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４－２０１～４－２０７とする。
　第２情報層２０の結果を表２８に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000028
　表２８の４－２０１～４－２０３で示されるように、Ｍｎ量が少なくなると記録感度が悪化しているが、本実施例におけるいずれの情報記録媒体２００においても、実用可能なレベルの特性が得られた。
　また、４－２０６においては透過率が６８％と第２情報層２０としては低い値となっていることから、記録膜２２のＭｎ量は４５原子％以下であることが好ましい。
　記録膜２２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎが含まれる４－２０２～４－２０５、およびさらにＡｇが含まれる４－２０７において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。
　（実施例５）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
　第１情報層１０の記録膜１２として、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２０－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｎｂ２０－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｔａ２０－Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｍｏ１１－Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｎｂ１１－Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｔａ１１－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｍｏ２９－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｎｂ２９－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｔａ２９－Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｍｏ２１－Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｎｂ２１－Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｔａ２１－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｍｏ１５－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｎｂ１５－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｔａ１５－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｍｏ１９－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｎｂ１９－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｔａ１９－Ｏ、を３０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５－００１～５－０１８とする。
　次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒１１．５％、Ｒｌ≒１２．５％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ３０－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒８．５％、Ｒｌ≒９．０％、透過率が約６６％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒７．０％、Ｒｌ≒７．５％、透過率が約７０％となるように設定した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
　Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
　情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。
　信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）で行った。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ～８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行いｉ－ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ－ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーで設定した。４倍速記録における記録感度が３０ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。
　また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度１４．００ｍ／ｓ、再生パワー２．３ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｉ－ＭＬＳＥを評価し、１２．０％以下であれば実用可能レベルである。
　またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｉ－ＭＬＳＥの変化量は（加速試験後のｉ－ＭＬＳＥ）－（初期のｉ－ＭＬＳＥ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｉ－ＭＬＳＥの変化量が１％以下であれば実用可能レベルである。
　最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。
　第１情報層１０の結果を表２９に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000029
　表２９のディスクＮｏ．５－００１～５－０１８において、十分に実用可能性を満足した特性（◎）が得られた。具体的には、記録膜１２にＷ、Ｍｎ、ＣｕおよびＺｎ以外にさらにＭｏ、Ｎｂ、およびＴａのいずれか１つの元素が含まれるディスクＮｏ．５－００１～５－００３、５－００４～５－００６、５－７～５－００９、５－０１０～５－０１２、５－０１３～５－０１５、５－０１６～５－０１８４－２０７において、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量が同じであれば、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られた。
　なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表２９と同等の結果が得られた。
　（実施例６）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
　第１情報層１０の記録膜１２として、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２０－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｎｂ２０－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｔａ２０－Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｍｏ１１－Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｎｂ１１－Ｏ、Ｗ４６Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｔａ１１－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｍｏ２９－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｎｂ２９－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｔａ２９－Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｍｏ２１－Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｎｂ２１－Ｏ、Ｗ３９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｔａ２１－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｍｏ３０－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｎｂ３０－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｔａ３０－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ３４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｎｂ３４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｔａ３４－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｍｏ１５－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｎｂ１５－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｚｎ５Ｔａ１５－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｍｏ１９－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｎｂ１９－Ｏ、Ｗ２７Ｍｎ２６Ｃｕ１８Ｚｎ１０Ｔａ１９－Ｏ、Ｗ１４Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２５－Ｏ、Ｗ１５Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２４－Ｏ、Ｗ５０Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｍｏ７－Ｏ、Ｗ５１Ｍｎ３６Ｃｕ７Ｍｏ６－Ｏ、Ｗ３６Ｍｎ１４Ｃｕ２５Ｍｏ２５－Ｏ、Ｗ３７Ｍｎ１３Ｃｕ２５Ｍｏ２５－Ｏ、Ｗ３７Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ２－Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ３６Ｃｕ２５Ｍｏ１－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ２６Ｃｕ１５Ｍｏ４０－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ２６Ｃｕ１４Ｍｏ４１－Ｏを３０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６－００１～６－０３４とする。
　なお、ディスクＮｏ．６－０１９～６－０３４については、記録膜１２に含まれる金属元素の組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足させた場合の効果について確認した。
　次に第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．５％、Ｒｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８－Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
　Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
　情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。
　信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ～１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ－ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ　ｂｉｔ　ｅｒｒｏｒ　ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ－ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が３０ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。
　また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ－ｂＥＲを評価し、２．０×１０－３以下であれば実用可能レベルである。
　またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ－ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ－ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ－ｂＥＲ）－（初期のｃ－ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ－ｂＥＲの変化量が１．０×１０－３以下であれば実用可能レベルである。
　最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。
　第１情報層１０の結果を表３０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000030
　表３０のディスクＮｏ．６－００１～６－０３４の全てにおいて、実用可能なレベルを満足した特性（◎及び〇）が得られた。特に、ディスクＮｏ．６－００１～６－０２４においては、実用可能なレベルを十分に満足しており、例えば、ディスクＮｏ．６－００１～６－００３、６－００４～６－００６のように、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量が同じである時、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られることが分かった。
　ディスクＮｏ．６－０２５および６－０２６を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｗ（タングステン）の含有量（原子％）が１５以上であることが好ましいことが分かった。
　また、ディスクＮｏ．６－０２７および６－０２８を比較すると、記録感度の違いにより、Ｗの含有量（原子％）が５０以下であることが好ましいことが分かった。
　ディスクＮｏ．６－０２９および６－０３０を比較すると、記録感度の違いにより、Ｍｎ（マンガン）の含有量（原子％）が１４％以上であることが好ましいことが分かった。
　さらに、ディスクＮｏ．６－０３１および６－０３２を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｍｏ（モリブデン）の含有量（原子％）が２以上であることが好ましいことが分かった。
　ディスクＮｏ．６－０３３～６－０３４を比較すると、記録感度の違いから、Ｍｏの含有量（原子％）が４０以下であることが好ましいことが分かった。
　したがって、記録膜１２に含まれる金属元素の組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、１５≦ｊ≦５０、ｋ≧１４、２≦ｎ≦４０且つｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足させた場合、上述のような効果を奏することが確認できた。
　なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３０と同等の結果が得られた。
　（実施例７）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ１９Ｃｕ２５Ｍｏ２０Ｍｎ３６－Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．５％、Ｒｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
　第２情報層２０の記録膜２２として、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｍｏ３０－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｎｂ３０－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｔａ３０－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ３４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｎｂ３４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｔａ３４－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ１０Ｍｏ２０－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ１０Ｎｂ２０－Ｏ、Ｗ３０Ｍｎ２０Ｃｕ２０Ｚｎ１０Ｔａ２０－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｍｏ２４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｎｂ２４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｔａ２４－Ｏを３５ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ７－００１～７－０１２とする。
　次に第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、記録膜３２としてＷ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ３８－Ｏを３７ｎｍ、第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が約７３％となるように設定した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
　Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面とを合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
　情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。
　信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ～１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ－ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ　ｂｉｔ　ｅｒｒｏｒ　ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ－ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。
　また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー２．０ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ－ｂＥＲを評価し、２．０×１０－３以下であれば実用可能レベルである。
　またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ－ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ－ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ－ｂＥＲ）－（初期のｃ－ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ－ｂＥＲの変化量が１．０×１０－３以下であれば実用可能レベルである。
　最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。
　第２情報層２０の結果を表３１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
　ディスクＮｏ．７－００１～７－０１２において良好な結果が得られた。
　なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３１と同等の結果が得られた。
　（実施例８）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、記録膜１２としてＷ１９Ｃｕ２５Ｍｏ２０Ｍｎ３６－Ｏを３０ｎｍ、第２誘電体膜１３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を８ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　次に４０５ｎｍのレーザ光６において、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒９．５％、Ｒｌ≒１０．０％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。第２情報層２０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜２１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ３４－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を７ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒７．８％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が約６９％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。第３情報層３０には本開示の構成を適用し、第１誘電体膜３１として（ＺｒＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ＳｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。
　第３情報層３０の記録膜３２としてＷ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ３４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｎｂ３４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｔａ３４－Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｍｏ３８－Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｎｂ３８－Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｔａ３８－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｍｏ２４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｎｂ２４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｚｎ１０Ｔａ２４－Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ１０Ｍｏ２８－Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ１０Ｎｂ２８－Ｏ、Ｗ３８Ｍｎ１４Ｃｕ１０Ｚｎ１０Ｔａ２８－Ｏ、Ｗ１９Ｍｎ２４Ｃｕ１６Ｍｏ４１－Ｏ、Ｗ２０Ｍｎ２４Ｃｕ１６Ｍｏ４０－Ｏ、Ｗ６０Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ７－Ｏ、Ｗ６１Ｍｎ１７Ｃｕ１６Ｍｏ６－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１２Ｃｕ２１Ｍｏ３４－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１１Ｃｕ２２Ｍｏ３４－Ｏ、Ｗ４９Ｍｎ３３Ｃｕ１６Ｍｏ２－Ｏ、Ｗ５０Ｍｎ３３Ｃｕ１６Ｍｏ１－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ１０Ｍｏ４０－Ｏ、Ｗ３３Ｍｎ１７Ｃｕ９Ｍｏ４１－Ｏを３７ｎｍ、スパッタリング法により成膜した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ８－００１～８－０２２とする。
　なお、ディスクＮｏ．８－０１３～８－０２２については、記録膜３２がＭで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含む。さらに、記録膜３２が、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、記録膜３２に含まれる金属元素を組成式：ＷｐＭｎｑＭ２ｒＭ１ｓ（原子％）と表記した場合に、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足させた場合の効果について確認した。
　次に第２誘電体膜３３として（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
　４０５ｎｍのレーザ光６において、第３情報層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒６．３％、Ｒｌ≒６．８％となるように各膜の膜厚を決定した。
　また、第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源、パルスＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。
　その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
　Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４は前述したＡ面情報記録媒体１０１と同様の材料および同様の方法により作製した。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝を有する面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、この面と、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝とを有する面とは反対側の面と合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５を形成した。
　このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
　情報記録媒体１００の第１情報層１０の４０５ｎｍにおける記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性の評価を行った。
　信号評価における評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．３８ｍ／ｓ（６倍速）および再生の線速度は８．８５ｍ／ｓ（４倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷで行い、再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ～１２Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ｃ－ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ　ｂｉｔ　ｅｒｒｏｒ　ｒａｔｅ）として評価し、記録感度はｃ－ｂＥＲの最もよい値となるレーザパワーで設定した。６倍速記録における記録感度が２５ｍＷ以下であれば実用可能レベルである。
　また再生耐久性の評価は、記録感度におけるパワーで隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブを線速度８．８５ｍ／ｓ、再生パワー１．５ｍＷで再生することにより行った。ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、グルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。１００万回再生後のｃ－ｂＥＲを評価し、２．０×１０－３以下であれば実用可能レベルである。
　またシェルフ特性の評価は、ディスクを９０℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験を行い、加速試験前後の記録感度およびｃ－ｂＥＲの変化量により評価した。記録感度の変化量は（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％により算出し、ｃ－ｂＥＲの変化量は（加速試験後のｃ－ｂＥＲ）－（初期のｃ－ｂＥＲ）により算出した。記録感度の変化量が２０％以下、ｃ－ｂＥＲの変化量が１．０×１０－３以下であれば実用可能レベルである。
　最終的に記録感度、再生耐久性およびシェルフ特性を総合的に判断し、実用可能なレベルを十分満足しているものを◎、◎よりはやや劣るが実用可能なレベルを満足しているものを〇、実用可能なレベルを満足していないものを×として実用化の判定を行った。
　第３情報層３０の結果を表３２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
 　ディスクＮｏ．８－０１８以外の全てにおいて、実用可能なレベルを満足した特性（◎及び〇）が得られた。特に、ディスクＮｏ．８－００１～８－０１２においては、実用可能なレベルを十分に満足しており、例えば、ディスクＮｏ．８－００１～８－００３、８－００４～８－００６のように、Ｍｏ、Ｎｂ、およびＴａの量（原子％）が同じである時、同等の初期特性、再生耐久性、およびシェルフ特性が得られることが分かった。
　ディスクＮｏ．８－０１３および８－０１４を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｗ（タングステン）の含有量（原子％）が２０以上であることが好ましいことが分かった。
　また、ディスクＮｏ．８－０１５および８－０１６を比較すると、記録感度の違いにより、Ｗの含有量（原子％）が６０以下であることが好ましいことが分かった。
　ディスクＮｏ．８－０１７および８－０１８を比較すると、記録感度の違いにより、Ｍｎ（マンガン）の含有量（原子％）が１２％以上であることが好ましいことが分かった。
　さらに、ディスクＮｏ．８－０１９および８－０２０を比較すると、再生耐久性の違いにより、Ｍｏ（モリブデン）の含有量（原子％）が２以上であることが好ましいことが分かった。
　ディスクＮｏ．８－０２１～８－０２２を比較すると、記録感度の違いから、Ｍｏの含有量（原子％）が４０以下であることが好ましいことが分かった。
　したがって、記録膜３２に含まれる金属元素を組成式：ＷｐＭｎｑＭ２ｒＭ１ｓ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素。Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）において、２０≦ｐ≦６０、ｑ≧１２、２≦ｓ≦４０且つｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足させた場合、上述のような効果を奏することが確認できた。
　なお、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０においても表３２と同等の結果が得られた。
　このようにアクリル系樹脂からなる中間分離層を有し、Ｗ、ＭｎおよびＯを含む記録膜と、記録膜の両側に接し酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む誘電体膜を有する３層以上の情報層を含む情報記録媒体において、記録特性、再生耐久性およびシェルフ特性を向上した情報記録媒体が得られた。
　以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
　したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
　また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
　本開示の情報記録媒体とその製造方法は、情報記録媒体の長期保存後も良好な記録・再生特性を示し高い信頼性を有しているため、大容量のコンテンツを記録・保存する多層追記型光ディスクに有用である。例えばＢＤ－ＸＬ規格のような片面に３層の情報層を有する光ディスク（容量１００ＧＢ）や、次世代の両面に３層の情報層を有する光ディスク（容量３００ＧＢや５００ＧＢ等）に有用である。
　１　基板
　２、３　中間分離層
　４　カバー層
　５　貼り合わせ層
　６　レーザ光
　１０、２０、３０　情報層
　１１、２１、３１　第１誘電体膜
　１２、２２、３２　記録膜
　１３、２３、３３　第２誘電体膜
　１００、２００　情報記録媒体
　１０１　Ａ面情報記録媒体
　１０２　Ｂ面情報記録媒体

Claims (17)

  1. 　３層以上の情報層を含む情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層にレーザ光の照射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１誘電体膜と、アクリル系樹脂からなる中間分離層とをこの順に有し、前記記録膜が前記レーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
    　前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１２を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする情報記録媒体。
  2. 　前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜において、酸化ジルコニウムがＺｒＯ２であり、酸化インジウムがＩｎ２Ｏ３である請求項１に記載の情報記録媒体。
  3. 　前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｄ１（但し、Ｄ１はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２およびＧａ２Ｏ３およびＴｉＯ２より選ばれる少なくとも一つの誘電体）を含む請求項１に記載の情報記録媒体。
  4. 　前記記録膜が、前記Ｍで示される金属元素のうち少なくともＭ１（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含む請求項１または２に記載の情報記録媒体。
  5. 　前記記録膜は、さらに、Ｍ２（但し、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｐＭｎｑＭ２ｒＭ１ｓ（原子％）と表記した場合に、
    　２０≦ｐ≦６０、
    　ｑ≧１２、
    　２≦ｓ≦４０且つ
    　ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００を満足する請求項４に記載の情報記録媒体。
  6. 　前記レーザ光の照射側より最も遠い情報層において、前記レーザ光の入射側より、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む前記第２誘電体膜と、少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、Ｍ１、Ｍ２および酸素（Ｏ）を含む前記記録膜と、酸化ジルコニウムおよび酸化インジウムを含む前記第１誘電体膜と基板をこの順に有し、前記記録膜に含まれるＭで示される金属元素としてＭ１およびＭ２を含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）（但し、Ｍ１はＭｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＺｎ、ＣｕおよびＡｇより選ばれる少なくとも一つの元素）と表記した場合、ｊ＞０、ｋ≧１２およびｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足し、且つ前記第１誘電体膜が酸化インジウムを６０ｍｏｌ％以下含む請求項１に記載の情報記録媒体。
  7. 　前記記録膜に含まれる金属元素の組成式：ＷｊＭｎｋＭ２ｍＭ１ｎ（原子％）において、
    　１５≦ｊ≦５０、
    　ｋ≧１４、
    　２≦ｎ≦４０且つ
    　ｊ＋ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する請求項６に記載の情報記録媒体。
  8. 　前記記録膜がＣｕを含み、前記記録膜に含まれる金属元素を組成式：ＷｄＭｎｅＣｕｆＭｇＮｈ（原子％）（但し、ＭよりＣｕを除く。また、Ｎは、Ｗ、Ｍｎ、Ｍ以外の任意の金属元素であり、ｄ＞０、ｅ≧１２、ｆ＞０、ｇ＞０およびｈ≧０でｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００を満足する）と表記した場合、ｅ＋ｆ≦５０を満足する請求項１に記載の情報記録媒体。
  9. 　前記記録膜が少なくとも２種類以上の異なる組成の記録材料の積層構造からなり、前記記録材料が少なくともタングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む請求項１に記載の情報記録媒体。
  10. 　前記積層構造における記録材料の少なくとも一つが、前記記録材料に含まれる金属元素を組成式：ＷａＭｎｂＭｃ（原子％）（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ＞０およびｃ≧０でａ＋ｂ＋ｃ＝１００を満足する）と表記した場合、ｂ≧１５を満足する請求項９に記載の情報記録媒体。
  11. 　前記第１誘電体膜と前記第２誘電体膜のＩｎ２Ｏ３の組成比が異なる請求項２に記載の情報記録媒体。
  12. 　前記第１誘電体膜に含まれるＩｎ２Ｏ３量が、前記第２誘電体膜に含まれるＩｎ２Ｏ３量よりも少ない請求項１１に記載の情報記録媒体。
  13. 　基板を介し、両側に前記情報層を配置することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
  14. 　前記情報層において、前記基板上に情報を記録・再生する凹凸溝を有し、前記レーザ光の照射側より見た時に、近い側の溝（グルーブ）および遠い側の溝（ランド）の両方に記録することを特徴とする請求項１３に記載の情報記録媒体。
  15. 　情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を３つ以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）および酸素（Ｏ）を含む記録膜を形成する工程と、酸化ジルコニウムと酸化インジウムを含む第１および第２誘電体膜を形成する工程を含み、前記記録膜を形成する工程がＷ、ＭｎおよびＭ（但し、ＭはＺｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＮｂおよびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むターゲットを用いるスパッタリング工程を含み、前記第１および第２誘電体膜を形成する工程がＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３を含む誘電体ターゲットを用いるスパッタリング工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
  16. 　前記記録膜を形成する工程において、酸素を添加したＤＣ反応性スパッタリング法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
  17. 　前記第１および第２誘電体膜を形成する工程において、ＤＣスパッタリング法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
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