JP2009217862A - 情報記録媒体、並びにターゲットおよびそれを用いた情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】記録層と接する界面層に結晶化能を促進する材料を提供し、高線速度での書換えと高信号信頼性を両立した情報記録媒体を提供する。
【解決手段】酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。
【選択図】図１

Description

本発明は光学的手段によって情報を記録または再生する情報記録媒体とその製造方法および製造時に使用するターゲットに関するものである。

光学的情報記録媒体の一例として、ブルーレイ・ディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ）がある。その媒体の層構成として、基板の表面上に、反射層、第２誘電体層、第２界面層、記録層、第１界面層、第１誘電体層、カバー層がこの順に形成されたものが挙げられる。

第１誘電体層と第２の誘電体層は、光学距離（＝屈折率×物理距離）を調節することで記録層の光吸収効率を高め、結晶相における反射率と非晶質相における反射率の差を大きくし、信号振幅を大きくする機能を有する。また、記録層を水分等から保護する機能も兼ね備える。これら誘電体層の材料の一例として、８０ｍｏｌ％のＺｎＳと２０ｍｏｌ％のＳｉＯ_２の混合物（以下、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０と表記する。）が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導率が低く、高屈折率で高透明性という特性を有する。また、膜形成時の成膜速度が速く、機械的特性や耐湿性にも優れている。このような優れた特性を有するため（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０は誘電体層を形成するのに非常に適した材料として、実用化されてきた。

第１界面層と第２界面層は、レーザ光を記録層に照射し、繰り返し書き換え記録を行う際、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０中のＳが記録層に拡散するのを防止する目的で設けられる。記録層中にＳが拡散すると、媒体の反射率が著しく低下し、記録媒体の繰り返し書き換え特性が著しく悪化する。この界面層の材料としては、例えばＺｒＯ_２とＣｒ_２Ｏ_３を含む材料が開示されている（例えば特許文献２参照。）。この材料は、Ｓ元素を含まず、青紫色波長領域（４０５ｎｍ付近）レーザに対して透明性が高く、また高融点であるため耐熱性も高い優れた材料である。

反射層は、光学的には記録層に吸収される光量を増大させ、熱的には記録層で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層を急冷し非晶質化し易くする機能を有する。さらに、記録層、界面層および誘電体層を使用環境から保護する機能をも有する。このため反射層の材料として、熱伝導率の高いＡｇ合金が好ましく適用されてきた。
特公平０６−０９０８０８号公報 特開２００３−３２３７４３号公報

本発明者らは、相変化形情報記録媒体において、高速書き換えにおける高結晶化能と非晶質部の安定性に注目し、課題を見出した。

高速での良好な書き換え特性を得るには情報記録媒体の記録層に結晶化能を高めた（結晶化速度を向上した）材料を用いる必要がある。しかしながら、そのような材料は非晶質（マーク部）の安定性が悪く、信号信頼性が乏しくなってしまう。つまり、記録層材料組成を選定し、高速書き換えに対応できるよう高結晶化能をもたせた場合は、信号信頼性に欠け、信号信頼性を満足できるよう非晶質の安定性をもたせた場合は、高速書き換えに対応できなくなるというトレードオフの関係が生じ、記録層の材料選定だけでは高結晶化能と非晶質部の安定性の両立ができないという課題が生じた。

そこで本発明者らは、記録層と接して設けられる界面層からの結晶化能促進を考えた。具体的には、まず記録層には非晶質を安定に形成できる材料を適用し、界面層材料に結晶化能を促進する元素を含む誘電体を混合させることにより、高速書き換えに対応できる結晶化能をもたせた。このように記録時に界面層からの結晶化促進を行わせるためには、必ずしもその限りではないが、従来の融点１５００℃以上のような高融点な誘電体材料ではなく、融点１０００℃以下のような低融点材料であることが好ましい。

本発明は上記の課題を解決するもので、高融点の誘電体に結晶化能を促進する低融点の誘電体を混合した誘電体材料を提供する。これにより、高信号品質で高速書き換えが可能であり、信号信頼性に優れた情報記録媒体を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明における情報記録媒体は、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を備えることを特徴としている。

また、本発明の情報記録媒体の製造方法は、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を有する情報記録媒体において、前記酸化物誘電体層を酸化物Ｄ１および酸化物Ｄ２を含むターゲットを用いて、スパッタリング法により形成する工程を含むことを特徴とする。

また、本発明の製造工程で用いるターゲットは、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含むことを特徴とする。

本発明の界面層材料により、母体となる高融点の誘電体材料に、記録時の結晶化を促進させる低融点の誘電体材料を混合することで、高信号品質で高速書き換え特性を得ることができる。また、母体が高融点の誘電体であるため、高い信号信頼性も得ることができる。

また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。

また、本発明のターゲットを用いることにより、上記のような効果を有する情報記録媒体を作製することができる。

本発明の情報記録媒体は、少なくとも記録層を有し、前記記録層がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を備える。

また、前記酸化物誘電体層が前記酸化物Ｄ２を３０％以下で含むことでより高い信号信頼性を得ることができる。

また、前記酸化物Ｄ２がＳｂからなる酸化物であることで、より高い信号品質で書き換え特性を得ることができる。

また、少なくとも第２界面層、前記記録層、第１界面層をこの順に備え、前記第１界面層からレーザ光が入射する情報記録媒体であって、前記第１界面層および前記第２界面層のうち少なくとも一方が前記酸化物層であってもよい。

さらに前記第１および第２界面層の膜厚が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。

また、レーザ光入射側から第Ｎ情報層〜第１情報層（Ｎは２以上の整数）を有し、少なくとも一つの前記情報層が第１界面層、前記記録層、第２界面層をこの順に備え、前記第２界面層からレーザ光が入射する情報記録媒体であって、前記第１界面層および前記第２界面層のうち少なくとも一方が前記酸化物層であってもよい。

また、前記記録層がＳｂＴｅＧｅＭ１（但し、Ｍ１はＡｕ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、ＳｎおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素）であってもよい。

さらに、前記記録層をＳｂ_ａＴｅ_ｂＧｅ_ｃＭ１_{（１００−ａ−ｂ−ｃ）}（原子％）と表した場合、７０≦ａ≦９０、０≦ｂ≦２５、３≦ｃ≦２５であることが好ましい。

次に本発明における情報記録媒体の製造方法について述べる。本発明における酸化物層はスパッタリング法を用いて形成した。スパッタリング法を用いると、スパッタリングターゲットの組成と略同じ組成を有する誘電体薄膜を形成することができる。そこで本発明の情報記録媒体の製造方法は、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を酸化物Ｄ１および酸化物Ｄ２を含むターゲットを用いて、スパッタリング法により形成するというものである。

また、前記ターゲットにおいて、前記酸化物Ｄ２を４０％以下で含むことが好ましい。

また、前記ターゲットにおいて、前記酸化物Ｄ２がＳｂからなる酸化物であることが好ましい。

また、前記酸化物誘電体層を酸化物Ｄ１からなるターゲットと酸化物Ｄ２からなるターゲットを用いて、２つのカソードより同時にスパッタリングする共スパッタ工程を用いてもよい。

また、前記ターゲットにおいて、前記酸化物Ｄ２がＳｂからなる酸化物であることが好ましい。

上記製造方法で用いるターゲットは、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含んでおり、好ましくは酸化物Ｄ２を４０％以下で含むことである。

また、前記ターゲットにおいて、前記酸化物Ｄ２がＳｂからなる酸化物であることが好ましい。

以下、本発明における実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。

図１に示す情報記録媒体１は、基板１１の表面上に、反射層１２、第２誘電体層１３、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６、第１誘電体層１７、カバー層１８がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体には第１誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。

カバー層１８は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層１８には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層１８を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第１の誘電体層１７に張り合わせることにより形成する。

基板１１は円盤状の透明な基板である。基板１１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１１の記録層１５側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝（例えばトラックピッチ０．３２μｍ）が形成されていてもよい。基板１１の記録層１５との反対側の面は、平滑であることが好ましい。なお、基板１１の厚さは５００μｍ〜１３００μｍ程度であるが、特にカバー層１８厚みが１００μｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである。）の場合、基板１１の厚みは１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲にあることが好ましい。

記録層１５は、例えば、レーザ光の照射によって結晶相と非晶質相の間で可逆的な相変化を起こす材料からなる。この材料としては例えば、組成式：Ｓｂ_ａＴｅ_ｂＧｅ_ｃＭ１_{（１００−ａ−ｂ−ｃ）}（原子％）（但し、Ｍ１はＡｕ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、ＳｎおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素）で表される材料を用いることができる。このような材料によれば、非晶質相が安定で信号振幅が大きく、高結晶化能を有する記録膜を形成することができる。ａ、ｂ、ｃは７０≦ａ≦９０、０≦ｂ≦２５、３≦ｃ≦２５を満たすことが好ましく、この範囲では高い結晶化能が得られ高い転送レートにおいても良好な書き換え性能が得られるとともに、大きな反射率変化を得ることができる。記録層１５の膜厚は良好な記録特性を得るため５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。記録層１５が厚すぎる場合は、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層１５が薄すぎる場合は情報記録媒体１の反射率の変化量が小さくなるため、膜厚は８ｎｍ〜１３ｎｍであることがさらに好ましい。

また記録層１５の材料としては例えば、組成式：Ｇｅ_ｄＭ２_ｅＭ３_ｆＴｅ_{１００−（ｄ＋ｅ＋ｆ）}（原子％）で表されるであってもよい。Ｍ２はＳｂおよびＢｉより選ばれる元素である。Ｍ３はＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｅ、Ｒｕ、Ｒｓ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｗ、ＰｔおよびＡｕより選ばれる元素である。ｄは３０≦ｄ＜５０を満たすことが好ましく、さらにｄは３５≦ｄ≦４５を満たすことが好ましい。また、ｅは０＜ｅ≦２０を満たすことが好ましい。また、ｆは０≦ｆ≦２０を満たすことが好ましい。また、３５≦ｄ＋ｅ＋ｆ≦６０を満たすことが好ましい。

また、記録層１５は、非可逆的相変化材料で形成することができる。非可逆的相変化材料としては、例えば日本国特許公報平７−２５２０９公報（特許第２００６８４９号）に開示されるように、ＴｅＯｘ＋Ｍ４（但し、Ｍ４はＰｄやＧｅなどの元素。）を用いることが好ましい。記録層が非可逆的相変化材料の場合、１回のみ書き込み可能な追記形の情報記録媒体となるが、そのような情報記録媒体においても、記録感度、信号保存性の課題を改善するため、本発明が好ましく適用される。

なお、記録層１５は相変化に限らず磁場の印加と光の照射で記録消去再生を行う光磁気材料を用いてもよい。その材料としては、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍより成る希土類金属群のうち少なくとも一つの元素と、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉより成る遷移金属群のうち少なくとも一つの元素を含む材料を用いることができる。具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｅ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｓｃ−Ｆｅ−Ｃｏなどが挙げられる。記録層の材料が光磁気材料である場合、情報記録媒体の構成は図１と必ずしも一致しないが、本発明における記録層の両側の界面層構成及び材料は、好ましく適用することができる。

反射層１２は、記録層１５に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１２は、記録層１５で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１５を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射層１２は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。

反射層１２の材料には、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、ＴｉおよびＷといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、ＡｌにＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉなどを添加したＡｌ合金、ＡｕにＣｕ、Ｃｒ、Ｎｄなどを添加したＡｕ合金、ＡｇにＣｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｄなどを添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＣｕにＰｄ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｙなどを添加したＡｇ合金、またはＡｇ−ＮｄにＡｕやＰｄなどを添加したＡｇ合金、Ａｇ−Ｍｇに希土類元素などを添加したＡｇ合金等を用いることもできる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層１２の材料として好ましい。なお、添加濃度は、５原子％以下が好ましい。反射層１２の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射層１２が２４０ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて記録感度が低下する。したがって、反射層１２の膜厚は３０ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

第１誘電体層１７は記録層１５を水分等から保護する働きと、光学的距離を調節して記録層１５の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。第１誘電体１７には、例えば、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５およびＡｌ_２Ｏ_３等の酸化物やＣ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができる。また、ＺｎＳ等の硫化物やＳｉＣ等の炭化物も用いることができる。また、上記材料の混合物も用いることができる。これらの材料において、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物は非晶質材料で、成膜速度が速く、また屈折率が高く、機械的強度や耐湿性が良好であるため、第１誘電体層１７に適用する材料として特に優れている。第１誘電体層１７の膜厚はマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により、記録層１５が結晶相の場合と非晶質相の場合との反射光量の変化率を大きくし、また記録層１５での光吸収が大きくなる条件により、決定することができる。具体的な膜厚としては、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、３０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

第２誘電体層１３は第１誘電体層１７同様、光学的距離を調節して記録層１５の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。また記録層１５において発生した熱を速やかに反射層１２へ拡散し、記録層１５を冷却する働きも有する。この熱拡散効果が優れている場合、記録層１５への熱的負荷が軽減されて、良好な繰り返し書き換え特性が得られる。

第２誘電体層１３には、前記第１誘電体層１７と同様の材料を用いることができる。その中でも反射層１２にＡｇ合金を用いた場合には、Ｓを含まず高透明性を有する誘電体であるＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３といった酸化物やＬａＦ_３、ＣｅＦ_３、ＹＦ_３といったフッ化物、またはそれらの混合誘電体を用いることが好ましい。また具体的な膜厚としては、３ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。また、本発明における酸化物誘電体層を用いることができる（詳しくは、次の第１および第２界面層において説明する。）。

第１界面層１６、第２界面層１４は本発明の特徴と成す部分である。第１界面層１６、第２界面層１４は前述のように記録層への元素の拡散や水分の混入を防止するバリアとしての働きを有するとともに、記録層１５と接して設けられているため記録層の結晶化能を促進または抑制する効果があり、Ｓｂやカルコゲナイド材料からなる記録層１５と密着性に優れていることが望まれる。

これらの界面層にはＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３およびＡｌ_２Ｏ_３等の酸化物、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物およびＬａＦ_３、ＣｅＦ_３およびＹＦ_３等のフッ化物、またそれらより選ばれる混合物を用いることができるが、そのような誘電体材料の中でも特に本発明の酸化物誘電体層を用いることが好ましい。

ここで本発明の酸化物誘電体層において、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）は高融点の誘電体（例えば化学便覧より、ＺｒＯ_２は約２７００℃、ＴｉＯ_２は１８００℃、Ｃｒ_２Ｏ_３は約２３００℃、ＳｉＯ_２は約１７００℃）であり、記録におけるレーザ照射時においても、その構造を安定して保っている。そのため、前述した高いバリア効果を得ることができる。しかし、その安定性のため、記録時における結晶化促進効果は少なく、高速記録に求められる高結晶化能を記録層にもたせる働きとしては不十分である。

そこで記録時に結晶化能を促進させるためには、記録時の到達温度に近いより低融点な誘電体が効果的であると考えた。低融点な誘電体の中でも結晶化速度の速い元素から成る酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）が適している（例えば化学便覧より、Ｓｂ_２Ｏ_３は約６５０℃、ＳｎＯは１０００℃、ＴｅＯ_２は約７３０℃、Ｂｉ_２Ｏ_３は約８２０℃）と考え、界面層に本発明の酸化物誘電体層の適用を試みた。

具体的に、前記酸化物誘電体層を構成する元素の系を挙げると、例えば、Ｚｒ−Ｓｂ−Ｏ、Ｈｆ−Ｓｂ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｂ−Ｏ、Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｎ−Ｏ、Ｔｉ−Ｓｎ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｔｅ−Ｏ、Ｔｉ−Ｔｅ−Ｏ、Ｃｒ−Ｔｅ−Ｏ、Ｓｉ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｂｉ−Ｏ、Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ、Ｃｒ−Ｂｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｔｉ―Ｓｂ―Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ―Ｓｂ―Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｈｆ−Ｙ−Ｓｂ−Ｏ、Ｈｆ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｏ、Ｈｆ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ、Ｔｉ−Ｃｒ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｔｉ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｔｅ−Ｏ、Ｔｉ−Ｃｒ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｏ、Ｔｉ−Ｃｒ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｙ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｔｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｔｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｔｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｉ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｈｆ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｈｆ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｈｆ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｔｉ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｔｉ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｔｉ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｓｉ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｂｉ−ＯおよびＺｒ−Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｏなどが挙げられる。

また、高信号品質の書き換え特性と優れた信号信頼性を両立するためには、酸化物Ｄ２を３０％以下で含むことが好ましい。また、第１界面層１６および第２界面層１４の膜厚は、０．５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内が好ましい。

次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１の製造方法について説明する。

反射層１２、第２誘電体層１３、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６および第１誘電体層１７は、気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。

ここで、スパッタリング装置の（成膜）装置の一例を説明する。図２に、二極グロー放電型スパッタリング装置１００の一例を示す。スパッタ室１０１内は、排気口１０２に真空ポンプ１０３が接続され、高真空状態に保たれる。スパッタガス（例えばＡｒガス等）導入口１０４からは例えばマスフローコントローラーの制御により、一定量のスパッタガスが導入される。基板１０５は基板ホルダー（陽極）１０６に取り付けられ、ターゲット（陰極）１０７はターゲット電極１０８に固定されており、電源１０９に接続されている。両極間に高電圧を印加することにより、グロー放電が発生し、例えばＡｒ正イオンを加速してターゲット１０７に衝突させ、スパッタリングさせる。スパッタされた粒子は、基板１０５上に堆積し薄膜が形成される。スパッタ中、ターゲット１０７を冷却するために、ターゲット電極１０８には例えば水を循環される（１１０）。陰極へ印加する電源の種類によって、直流型と高周波型に分けられる。スパッタリング装置１００は、スパッタ室１０１を複数個つないでもよいし、スパッタ室１０１に複数個のターゲット１０７を配置してもよい。そのような構造により、複数の成膜工程を実施して、多層に膜を積層することができる。以下の実施の形態のスパッタリングでも、同様の装置を用いることができる。

次に本発明のターゲットの製造方法について説明する。具体的にはＺｒＯ_２とＣｒ_２Ｏ_３とＳｂ_２Ｏ_３とを含むターゲットの製造法について説明する。所定の粒径を有する高純度なＺｒＯ_２の粉末、Ｃｒ_２Ｏ_３の粉末、Ｓｂ_２Ｏ_３の粉末を準備し、これらを所定の混合比になるように秤量して混合し、ホットプレス装置に入れる。ホットプレス装置を必要に応じて真空状態にし、所定の高圧力と高温条件下で所定の時間保持して、混合粉末を焼結させる。混合を十分に行うことにより、ターゲットの面内および厚み方向の組成が均一となる。また、圧力、温度および時間の条件を最適にすることにより、充填性が向上し、高密度のターゲットを製造することが可能になる。

このようにして、ＺｒＯ_２とＣｒ_２Ｏ_３とＳｂ_２Ｏ_３とを所定の混合比で含むターゲットが完成する。焼結後、ターゲットは必要に応じてＩｎ等の半田を用いて、例えば表面が平滑な銅板に接着させてもよい。これによりスパッタリング装置等に取り付けてスパッタリングすることができる。ターゲットは高い密度（粉末の充填率を示し、全く隙間無く粉末が充填されている状態を１００％と定義する）を有していることが好ましい。ターゲットの密度は、好ましくは８０％以上であり、より好ましくは９０％以上である。

まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。

続けて、まず、反射層１２を成膜する。このとき、基板１１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に反射層１２を成膜する。反射層１２は、反射層１２を構成する金属または合金からなるターゲットを、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒといった希ガス雰囲気中、または前記の希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。

続いて、反射層１２上に第２誘電体層１３を成膜する。第２誘電体層１３は第２誘電体層１３を構成する誘電体の混合物からなるターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。または構成する金属元素を含むターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。

続いて、第２誘電体層１３上に第２界面層１４を成膜する。第２界面層１４は、第２界面層１４を構成する誘電体の混合物からなるターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。または構成する金属元素を含むターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。

また、第２界面層１４に本発明の酸化物誘電体層を適用するときは、酸化物Ｄ１および酸化物Ｄ２から構成されるターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。このターゲットにおけるＤ２の混合割合は４０％以下であることが望ましい。さらには、Ｄ１およびＤ２中の必要な誘電体を含むターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングする共スパッタにより形成することもできる。

続いて、第２界面層１４上に記録層１５を成膜する。記録層１５は、その組成に応じて、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｍ１やＧｅ−Ｍ２−Ｍ３−Ｔｅ合金からなるターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気中、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中またはＫｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。

続いて、記録層１５上に第１界面層１６を成膜する。第１界面層１６の形成方法は、第２界面層１４と同様である。

続いて、第１界面層１６上に第１誘電体層１７を成膜する。第１誘電体層１７は、第２誘電体層１３と同様である。

上記各スパッタリング工程における電源は、直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源および高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源を用いることができ、供給電力はともに１Ｗ〜１０ｋＷとした。なお、ＤＣ電源を用いて行うスパッタリングをＤＣスパッタリング、ＲＦ電源を用いて行うスパッタリングをＲＦスパッタリングと呼ぶ。

また、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜１０Ｐａとした。

最後に、第１誘電体層１７上にカバー層１８を形成する。カバー層１８は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１の誘電体層１７上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層１８には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第１誘電体層１７に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。

なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。

なお、第１誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。

上記は一例として、書換え形の情報記録媒体を中心に説明したが、本実施の形態は、追記形の情報記録媒体においても同様に適用できる。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図３に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。

図３に示す情報記録媒体２は、基板１１の表面上に、反射層１２、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６、第１誘電体層１７、カバー層１８がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体２には第１誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。

基板１１、反射層１２、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６、第１誘電体層１７およびカバー層１８は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。

第２界面層１４の材料は実施の形態１で示したものと同様のものを用いることができる。また本実施の形態では、実施の形態１で示した第２誘電体層１３の機能も有するため、膜は３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。

まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。

続けて、反射層１２、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６、第１誘電体層１７を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。最後にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。

なお、第１誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。

上記は一例として、書換え形の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記形の情報記録媒体においても同様に適用できる。

（実施の形態３）
本発明の実施の形態３として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図４に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体３は、情報を記録再生する情報層を２つ（第１情報層３０１および第２情報層３０２と記す。）含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる情報記録媒体である。

まず、第１情報層３０１の構成について説明する。第１情報層３０１は基板１１の表面上に、反射層１２、第２誘電体層１３、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６、第１誘電体層１７がこの順に積層されることにより形成されている。基板１１、反射層１２、第２誘電体層１３、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６および第１誘電体層１７は、それぞれ実施の形態１および２で示したものと材料、機能および形状も同様である。なお、第１情報層３０１において、第２界面層１４は必ずしも設ける必要はない。

光学分離層３１は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。光学分離層３１は、第１情報層３０１および第２情報層３０２のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）｝で近似できる。また、光学分離層３１においてレーザ光の入射側に案内溝が形成されていてもよい。

次に第２情報層３０２の構成について説明する。第２情報層３０２は光学分離層３１の表面上に、透過率調整層３２、反射層３３、第２誘電体層３４、第２界面層３５、記録層３６、第１界面層３７、第１誘電体層３８がこの順に積層されることにより形成されている。なお、第２情報層３０２において、第２誘電体層３４は必ずしも設ける必要はない。

透過率調整層３２は、第１情報層３０２の透過率を調整する働きを有する。この層を設けることにより、記録層が結晶相時における第２情報層３０２の透過率Ｔ_ｃ（％）と、記録層が非晶質相時における第２情報層３０２の透過率Ｔ_ａ（％）を共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層３２を設けた場合、透過率調整層３２が無い場合に比べ、Ｔ_ｃおよびＴ_ａを２〜１０％向上することができる。また、記録層３６において発生した熱を速やかに反射層３３へ拡散し、記録層３６を冷却する働きも有する。透過率をより高めるため、透過率調整層３２の屈折率ｎ１および減衰係数ｋ１は、ｎ１≧２．０およびｎ１≦０．１を満たすことが好ましく、さらにｎ１≧２．４およびｋ１≦０．０５を満たすことがより好ましい。透過率調整層３２には、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３およびＣｅＯ_２等の酸化物やＴｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができ、その膜厚ｄ１は、（１／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（７／３２）λ／ｎ１または（９／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（２１／３２）λ／ｎ１を満たすことが好ましい。

反射層３３には、実施の形態１で示した反射層１２と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。膜厚としては、４ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、７ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

第２誘電体層３４には、実施の形態１で示した第２誘電体層１３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。膜厚としては、３ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜１７ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

第２界面層３５は、実施の形態１で示した第２界面層１４と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。なお、第２誘電体層３４を設けない場合は、膜厚としては、３ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜１７ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

記録層３６は、実施の形態１で示した記録層１５と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様であるが、膜厚はレーザ光の透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましく、４ｎｍ〜９ｎｍ範囲内にあることがより好ましい。

第１界面層３７は、実施の形態１で示した第１界面層１６と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

第１誘電体層３８は、実施の形態１で示した第１誘電体層１７と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。膜厚としては、１０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。

カバー層１８は、実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。

次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体３の製造方法について説明する。

まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。

続けて第１情報層３０１を形成のため、反射層１２、第２誘電体層１３、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６、第１誘電体層１７を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。

続いて、第１誘電体層１７上に光学分離層３１を形成する。光学分離層３１は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１情報層３０１上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお、光学分離層３１に案内溝を設ける場合は表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された光学分離層３１が形成できる。

続けて第２情報層３０２を形成する。第２情報層３０２の形成にはまず透過率調整層３２を形成する。透過率調整層３２は、透過率調整層３２を構成する誘電体からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、透過率調整層３２は、構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。

続けて、透過率調整層３２上に反射層３３を形成する。反射層３３は、実施の形態１で説明した反射層１２と同様の方法で形成できる。

続けて、反射層３３上に第２誘電体層３４を形成する。第２誘電体層３４は、実施の形態１で説明した第２誘電体層１３と同様の方法で形成できる。

続けて、第２誘電体層３４上に第２界面層３５を形成する。第２界面層３５は、実施の形態１で説明した第２界面層１４と同様の方法で形成できる。

続けて、第２界面層３５上に記録層３６を形成する。記録層３６は、実施の形態１で説明した記録層１５と同様の方法で形成できる。

続けて、記録層３６上に第１界面層３７を形成する。第１界面層３７は、実施の形態１で説明した第１界面層１６と同様の方法で形成できる。

続けて、第１界面層３７上に第１誘電体層３８を形成する。第１誘電体層３８は、実施の形態１で説明した第１誘電体層１７と同様の方法で形成できる。

最後に、第１誘電体層３８上にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。

なお、第１誘電体層１７を成膜した後、光学分離層３１またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。また、第１誘電体層３８を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層３６の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。いずれの場合の初期化も、レーザ光の照射により行うことができる。

上記は一例として、書換え形の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記形の情報記録媒体においても同様に適用できる。

（実施の形態４）
本発明の実施の形態４として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図５に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体４は、情報を記録再生する情報層を３つ以上（第Ｎ情報層４０２（Ｎ＞２の整数）〜第１情報層４０１）含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる情報記録媒体である。

まず、第１情報層４０１の構成について説明する。第１情報層４０１は基板１１の表面上に、反射層１２、第２誘電体層１３、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６、第１誘電体層１７がこの順に積層されることにより形成されている。基板１１、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６および第１誘電体層１７は、それぞれ実施の形態１、２および３で示したものと材料、機能および形状も同様である。なお、第１情報層４０１において、第２誘電体層１３は必ずしも設ける必要はない。

第２〜第（Ｎ−１）情報層および各情報層の間に設けられる光学分離層は、実施の形態３における第２情報層３０２および光学分離層３１と同様の構成であり、各情報層の所望の透過率を得るために、各層の膜厚を調整したものである。

光学分離層４１は、実施の形態３で示した光学分離層３１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

次に第Ｎ情報層４０２の構成について説明する。第Ｎ情報層４０２は光学分離層４１の表面上に、透過率調整層４２、反射層４３、第２誘電体層４４、第２界面層４５、記録層４６、第１界面層４７、第１誘電体層４８がこの順に積層されることにより形成されている。なお、第Ｎ情報層４０２において、第２誘電体層４４は必ずしも設ける必要はない。

透過率調整層４２は、実施の形態３で示した光学分離層３１と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

反射層４３には、実施の形態３で示した反射層３３と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

第２誘電体層４４には、実施の形態３で示した第２誘電体層３４と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

第２界面層４５は、実施の形態３で示した第２界面層３５と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

記録層４６は、実施の形態３で示した記録層３５と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

第２界面層４７は、実施の形態１で示した第２界面層３７と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

第１誘電体層４８は、実施の形態１で示した第１誘電体層３８と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。

カバー層１８は、実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。

次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体４の製造方法について説明する。

まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。

続けて第１情報層４０１を形成のため、反射層１２、第２誘電体層１３、第２界面層１４、記録層１５、第１界面層１６、第１誘電体層１７を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。

続いて、第１誘電体層１７上に光学分離層を形成し、実施の形態３と同様に第２情報層から第（Ｎ−１）情報層を順次形成していく。形成方法はそれぞれ実施の形態３で示したものと同様である。

第（Ｎ−１）情報層上に光学分離層４１を形成する。光学分離層４１はそれぞれ実施の形態３で説明した光学分離層３１と同様の方法で形成できる。

続けて第Ｎ情報層４０２を形成する。第Ｎ情報層４０２の形成にはまず透過率調整層４２を形成する。透過率調整層４２は、実施の形態３で説明した透過率調整層３２と同様の方法で形成できる。

続けて、透過率調整層４２上に反射層４３を形成する。反射層４３は、実施の形態３で説明した反射層３３と同様の方法で形成できる。

続けて、反射層４３上に第２誘電体層４４を形成する。第２誘電体層４４は、実施の形態３で説明した第２誘電体層３４と同様の方法で形成できる。

続けて、第２誘電体層４４上に第２界面層４５を形成する。第２界面層４５は、実施の形態３で説明した第２界面層３５と同様の方法で形成できる。

続けて、第２界面層４５上に記録層４６を形成する。記録層４６は、実施の形態３で説明した記録層３６と同様の方法で形成できる。

続けて、記録層４６上に第１界面層４７を形成する。第１界面層４７は、実施の形態３で説明した第１界面層３７と同様の方法で形成できる。

続けて、第１界面層４７上に第１誘電体層４８を形成する。第１誘電体層４８は、実施の形態３で説明した第１誘電体層３８と同様の方法で形成できる。

最後に、第１誘電体層４８上にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。

なお、第１誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。同様に、各情報層における記録層の初期化を行うときは、最もレーザ入射側に近い誘電体層形成後、また前記誘電体層上の光学分離層形成後、またはカバー層１８を形成した後に必要に応じて行えばよい。いずれの場合の初期化も、レーザ光の照射により行うことができる。

上記は一例として、書換え形の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記型の情報記録媒体においても同様に適用できる。

（実施例１）
以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。

本実施例では情報記録媒体１の一例を説明する。以下、実施例１の情報記録媒体の製造方法である。

まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１００ｎｍ、第２誘電体層１３としてＴｉＯ_２を１３ｎｍ、第２界面層１４を５ｎｍ、記録層１５として、組成式：Ｓｂ_８０．０Ｔｅ_１４．０Ｇｅ_６．０（原子％）で表されるものを１０ｎｍ、第１界面層１６を５ｎｍ、第１誘電体層１７して、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を順次スパッタリング法により成膜した。その後に紫外線硬化樹脂を第１誘電体層１７に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体１を作製した。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。

第１誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１５％〜２５％、記録層１５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が３％〜６％となるように決定した。

以上のように作製された情報記録媒体１および従来例の情報記録媒体について、記録特性および信号信頼性を評価した。

記録特性の評価は、図６で示した記録再生装置５を用いて行った。レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５、記録時の線速度は１９．７６ｍ／ｓおよび９．８４ｍ／ｓ、再生時の線速度は４．９２ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１４９μｍであり、グルーブに情報の記録を行った。

記録は、０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダムな信号をＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ規格におけるＤＯＷ１０方式で行い、前端ジッタ（記録マークの前端部のジッタ）、後端ジッタ（記録マークの後端部のジッタ）、および前端ジッタと後端ジッタの平均ジッタをタイム・インターバル・アナライザにより測定した。

また記録パルス（変調方式）は、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ規格におけるＮ／２ライトストラテジを用いた。

信号信頼性の評価は、信号を記録した情報記録媒体を温度８０℃、相対湿度２０％の条件の恒温槽に５０時間放置した後、同じ信号を再生し、加速試験前後でのジッタ変化量を評価する形で行った。

本実施例では、初期の記録特性において線速度１９．７６ｍ／ｓ記録のＤＯＷ１０平均ジッタが７．０％以下のものを○、７．０％より大きく７．５％以下のものを△、７．５％より大きいものを×とした。また、信号信頼性評価において、線速度９．８４ｍ／ｓ記録のジッタ変化量が２．０％以下のものを○、２．０％より大きく３．０％以下のものを△、３．０％より大きいものを×とした。

また総合評価として、ＤＯＷ１０と信号信頼性がともに○のものを◎、いずれか一方が○でもう一方が△のものを○、ともに△のものを△、いずれか一方でも×のものを×とした。

本実施例の情報記録媒体１の一例として、第２界面層１４および第１界面層１６に、組成式：（Ｄ１）_{（１００−ｘ）}（Ｄ２）_ｘ（％）（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）で表される本発明の酸化物誘電体層において、ｘ＝１０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１０１〜１−１２０とする。

なお本実施例では、誘電体層や界面層等での誘電体膜の形成には、上記組成のターゲットを用いてスパッタリングにより成膜しており、成膜中の酸素欠損等により、ターゲット組成と膜組成が必ずしも一致するとは限らない。

従来の界面層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第２界面層１４および第１界面層１６として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を１−００１〜１−００３とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果に（表１）に示す。

（表１）に示すように本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても、従来例１−００１、１−００２より初期記録特性が改善した結果が得られた。つまり酸化物Ｄ２の添加により、高線速度記録に対応できる結晶化能が得られた。また、信号信頼性も従来例より上回る特性が得られた。これらの中でも１−１０７や１−１１３のようにＤ２をＳｂの酸化物にした場合に特に優れた特性が得られた。

次に、第１界面層１６を（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０とし、第２界面層１４に本発明の酸化物誘電体層を適用した例を示す。

前記Ｄ１とＤ２の組成式においてｘ＝２０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２０１〜１−２２０とする。

従来の界面層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第２界面層１４として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を１−００４〜１−００６とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果を（表２）に示す。

（表２）に示すように第２界面層１４に本発明の酸化物誘電体層を適用した場合も、上記第２界面層１４および第１界面層１６に適用したときと同様、従来例より上回る特性が得られた。

次に、第２界面層１４を（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０とし、第１界面層１６に本発明の酸化物誘電体層を適用した例を示す。

前記Ｄ１とＤ２の組成式においてｘ＝２０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−３０１〜１−３２０とする。

従来の界面層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第１界面層１６として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を１−００７〜１−００９とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果を（表３）に示す。

（表３）に示すように第１界面層１６に本発明の酸化物誘電体層を適用した場合も、上記第２界面層１４および第１界面層１６に適用したときと同様、従来例より上回る特性が得られた。

次に、第２界面層１４および第１界面層１６を前記Ｄ１とＤ２の組成式において、Ｄ１＝（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｄ２＝Ｓｂ_２Ｏ_３およびＢｉ_２Ｏ_３の酸化物誘電体層とし、組成比ｘをｘ＝５、１０、２０、３０および４０とした情報記録媒体の評価を行った。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−４０１〜１−４１０とする。結果を（表４）に示す。

（表４）に示すようにＤ２の組成比が増えると、マークの安定性が乏しくなり信号信頼性が悪化する。また、結晶化能も過剰になりすぎ、初期記録特性も悪化する。そのため、Ｄ２の組成比としては３０％以下が好ましい。

次に、第２界面層１４および第１界面層１６を（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_４５（Ｓｂ_２Ｏ_３）_１０とし、第１誘電体層の膜厚を１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍおよび１５ｎｍとした情報記録媒体の評価を行った。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−５０１〜１−５０６とする。結果を（表５）に示す。

（表５）に示すように第１界面層１６の膜厚が１ｎｍと薄くなると、記録時の第１誘電体層からの元素拡散を抑制する機能が弱まることで、結晶化能の低下につながり、初期記録特性が悪化する。また１５ｎｍと厚い場合は、界面層における光吸収が増え、記録層におけるマークの信号品質の劣化につながる。そのため初期記録特性が悪化する。よって界面層の膜厚は２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。

上記と同様にＤ１およびＤ２におけるすべての酸化物で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。

以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。

（実施例２）
本実施例では情報記録媒体２の一例を説明する。以下、実施例２の情報記録媒体の製造方法である。

まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１００ｎｍ、第２界面層１４、記録層１５として、組成式：Ｓｂ_８０．０Ｔｅ_１４．０Ｇｅ_６．０（原子％）で表されるものを１０ｎｍ、第１界面層１６を５ｎｍ、第１誘電体層１７して、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を順次スパッタリング法により成膜した。その後に紫外線硬化樹脂を第１誘電体層１７に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体１２を作製した。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。

第２界面層１４および第１誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１５％〜２５％、記録層１５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が３％〜６％となるように決定した。

以上のように作製された情報記録媒体２および従来例の情報記録媒体について、実施例２と同様の方法で、記録特性および信号信頼性を評価した。

まず、第２界面層１４に（ＺｒＯ_２）_３５（ＳｉＯ_２）_３５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_４０を起用し、第１界面層１６に本発明の酸化物誘電体層を適用した例を示す。

実施例１中のＤ１とＤ２の組成式においてｘ＝１０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２−１０１〜２−１２０とする。

従来の界面層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第１界面層１６として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を２−００１〜２−００３とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果を（表６）に示す。

（表６）に示すように実施例１同様に、従来例より上回る特性が得られた。

次に、第２界面層１４に（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_４５（Ｓｂ_２Ｏ_３）_１０を起用し、第１界面層１６に本発明の酸化物誘電体層を適用した例を示す。

実施例１中のＤ１とＤ２の組成式においてｘ＝１０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２−２０１〜２−２２０とする。

従来の界面層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第１界面層１６として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を２−００４〜２−００６とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果を（表７）に示す。

（表７）に示すように実施例１同様に、従来例より上回る特性が得られた。

上記と同様にＤ１およびＤ２におけるすべての酸化物で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。

以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。

（実施例３）
本実施例では情報記録媒体３の一例を説明する。情報記録媒体３の情報層３０１の形成方法は実施例１と同様である。本実施例においては、第２界面層１４および第１界面層１６に本発明の酸化物誘電体層を適用した例を示す。実施例１中のＤ１とＤ２の組成式においてｘ＝１０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−１０１〜３−１２０とする。

情報層３０１上に案内溝の設けられた光学分離層３１を形成した。

続けて、光学分離層３１上に情報層３０２を形成する。情報層３０２は透過率調整層３２としてＴｉＯ_２を２０ｎｍ（≒（１１／８０）λ／ｎ）、反射層３３としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を９ｎｍ、第２誘電体層３４としてＡｌ_２Ｏ_３膜、第２界面層３５として、組成式：（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を３ｎｍ、記録層３６として、組成式：Ｇｅ_３４．９Ｂｉ_６．４Ｔｅ_５１．７Ｓｎ_６．５Ｉｎ_０．５（原子％）で表されるものを７．５ｎｍ、第１界面層３７としてＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３膜（具体的には、組成式：（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、第１誘電体層３８して、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を順次スパッタリング法により成膜した。最後に紫外線硬化樹脂を第１誘電体層３８に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体３を作製した。

第２誘電体層３４および第１誘電体層３８の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層３６が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が３．５％〜８％、記録層３６が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が０．５％〜５％、透過率Ｔ_ｃ（％）および透過率Ｔ_ａ（％）がともに４５％〜５５％となるように決定した。
以上のように作製された情報記録媒体３（ディスクＮｏ．を３−１０１〜３−１２０）について、情報層３０１の評価を実施例１と同様に行った。

従来の界面層と比較するため、情報層３０１の第２界面層１４および第１界面層１６として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−００１〜３−００３とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果を（表８）に示す。

（表８）に示すように実施例１同様に、従来例より上回る特性が得られた。

上記と同様にＤ１およびＤ２におけるすべての酸化物で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。

以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。

（実施例４）
本実施例では実施例３に記載の情報記録媒体３において、情報層３０２の第２界面層３５および第２界面層３７に本発明の酸化物誘電体層を適用した例を示す。

本実施例では、情報記録媒体３の情報層３０１の第２界面層１４および第１界面層１６には、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０を適用した。

また、情報層３０２の第２界面層３７および第１界面層３５には、実施例１中のＤ１とＤ２の組成式においてｘ＝１０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４−１０１〜４−１２０とする。

本実施例における評価は、実施例１と同様、図６で示した記録再生装置５を用いて行った。レーザ光の波長や光学系は実施例１と同様である。

記録は、まず０．６７１μｍ（９Ｔ）の単一信号を１トラックに１０回オーバーライトし、スペクトラム・アナライザによりＡｍｐ．およびＣＮＲ値を測定した。その上に０．１４９μｍ（２Ｔ）の単一信号を１回オーバーライトし、消去率を測定した。記録パルス（変調方式）は、実施例１と同様、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ規格におけるＮ／２ライトストラテジを用いた。

信号信頼性の評価は、信号を記録した情報記録媒体を温度８０℃、相対湿度２０％の条件の恒温槽に５０時間放置した後、同じ信号を再生し、加速試験前後でのＣＮＲ変化量を評価する形で行った。

本実施例では、初期の記録特性において線速度１９．７６ｍ／ｓ記録の消去率が２８以上のものを○、２８ｄＢより小さく２４ｄＢ以上のものを△、２４ｄＢより小さいものを×とした。また、信号信頼性評価において、線速度９．８４ｍ／ｓ記録のＣＮＲ変化量が１ｄＢ以下のものを○、１ｄＢより大きく２ｄＢ以下のものを△、２ｄＢより大きいものを×とした。

また総合評価として、ＤＯＷ１０と信号信頼性がともに○のものを◎、いずれか一方が○でもう一方が△のものを○、ともに△のものを△、いずれか一方でも×のものを×とした。

従来の界面層と比較するため、情報層３０２の第２界面層３５および第１界面層３７として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を４−００１〜４−００３とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果を（表９）に示す。

（表９）に示すように実施例１同様に、従来例より上回る特性が得られた。

上記と同様にＤ１およびＤ２におけるすべての酸化物で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。

以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。

（実施例５）
本実施例では情報記録媒体４の一例を説明する。本実施例では情報層を３つ有する情報記録媒体を作製した。情報記録媒体４の第１情報層４０１の形成方法は実施例１と同様である。第１誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１８％〜２８％、記録層１５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が３％〜８％となるように決定した。本実施例においては、第２界面層１４および第１界面層１６に本発明の酸化物誘電体層を適用した例を示す。実施例１中のＤ１とＤ２の組成式においてｘ＝１０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５−１０１〜５−１２０とする。

続けて、実施例３同様に光学分離層と第２および第３情報層４０２を形成する。

第２情報層は透過率調整層としてＴｉＯ_２を２０ｎｍ（≒（１１／８０）λ／ｎ）、反射層としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を８ｎｍ、第２誘電体層としてＡｌ_２Ｏ_３膜、第２界面層として、組成式：（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を３ｎｍ、記録層として、組成式：Ｇｅ_３４．９Ｂｉ_６．４Ｔｅ_５１．７Ｓｎ_６．５Ｉｎ_０．５（原子％）で表されるものを７．５ｎｍ、第１界面層として、組成式：（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第１誘電体層３８して、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を順次スパッタリング法により成膜した。第２誘電体層および第１誘電体層の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１％〜８％、記録層が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が０．５％〜５％、透過率Ｔ_ｃ（％）および透過率Ｔ_ａ（％）がともに４５％〜６０％となるように決定した。

第３情報層４０２は透過率調整層４２としてＴｉＯ_２を１６ｎｍ（≒（１０／８０）λ／ｎ）、反射層４３としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を７ｎｍ、第２誘電体層４４としてＡｌ_２Ｏ_３膜、第２界面層４５として、組成式：（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を３ｎｍ、記録層４６として、組成式：Ｇｅ_３４．９Ｂｉ_６．４Ｔｅ_５１．７Ｓｎ_６．５Ｉｎ_０．５（原子％）で表されるものを６．０ｎｍ、第１界面層４７として、組成式：（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を５ｎｍ、第１誘電体層４８して、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を順次スパッタリング法により成膜した。最後に紫外線硬化樹脂を第１誘電体層４８に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体４を作製した。第２誘電体層４４および第１誘電体層４８の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１％〜６％、記録層が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が０．２％〜４％、透過率Ｔ_ｃ（％）および透過率Ｔ_ａ（％）がともに５０％〜６５％となるように決定した。

以上のように作製された情報記録媒体４（ディスクＮｏ．を５−１０１〜５−１２０）について、情報層３０１の評価を実施例１と同様に行った。

ただし本実施例では、初期の記録特性において線速度１９．７６ｍ／ｓ記録のＤＯＷ１０平均ジッタが８．０％以下のものを○、８．０％より大きく９％以下のものを△、９％より大きいものを×とした。また、信号信頼性評価において、線速度９．８４ｍ／ｓ記録のジッタ変化量が２．０％以下のものを○、２．０％より大きく３．０％以下のものを△、３．０％より大きいものを×とした。

また総合評価として、ＤＯＷ１０と信号信頼性がともに○のものを◎、いずれか一方が○でもう一方が△のものを○、ともに△のものを△、いずれか一方でも×のものを×とした。

従来の界面層と比較するため、情報層４０１の第２界面層１４および第１界面層１６として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を５−００１〜５−００３とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果を（表１０）に示す。

（表１０）に示すように実施例１同様に、従来例より上回る特性が得られた。

上記と同様にＤ１およびＤ２におけるすべての酸化物で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。

以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。

（実施例６）
本実施例では実施例５に記載の情報記録媒体４において、第３情報層４０２の第２界面層４５および第１界面層４７に本発明の酸化物誘電体層を適用した例を示す。

本実施例では、情報記録媒体４の情報層４０１の第２界面層１４および第１界面層１６には、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０を適用した。

また、第３情報層４０２の第２界面層４５および第１界面層４７には、実施例１中のＤ１とＤ２の組成式においてｘ＝１０とし、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）、（ＺｒＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（ＨｆＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_９０（Ｙ_２Ｏ_３）_１０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、ＳｎＯ_２）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_７５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＨｆＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｂｉ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（Ａｌ_２Ｏ_３）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（（ＺｒＯ_２）_２５（ＴｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、Ｓｂ_２Ｏ_３）、（ＺｒＯ_２、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）、（（ＺｒＯ_２）_５０（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）および（（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_５０、（Ｓｂ_２Ｏ_３）_７５（Ｂｉ_２Ｏ_３）_２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６−１０１〜６−１２０とする。

本実施例における評価は、実施例４と同様の方法で行った。

従来の界面層と比較するため、第３情報層４０２の第２界面層４５および第１界面層４７として（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０、ＺｒＯ_２および（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を６−００１〜６−００３とする。）を作製し、同様の評価を行った。結果を（表１１）に示す。

（表１１）に示すように実施例１同様に、従来例より上回る特性が得られた。

上記と同様にＤ１およびＤ２におけるすべての酸化物で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。

以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。

以上、本発明の実施の形態について例を取り上げ説明したが、前述したように本発明は上記の実施の形態に限定されず本発明の技術発想に基づいて他の実施の形態にも適用できる。例えば、実施の形態４で示すような複数の情報層を有する多層情報記録媒体においては、いずれかの情報層に追記形や再生専用形の情報層を含んでいてもよい。

本発明の情報記録媒体とその製造方法は、優れた誘電体材料を有し、大容量な光学的情報記録媒体として、例えばＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ、ＨＤ−ＤＶＤ、ＤＶＤ−ＲＡＭのようなＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）に有用である。また、直径６ｃｍや８ｃｍのような小径ディスクに応用することもできる。さらに、電気的情報記録媒体として、電気的なスイッチング素子としても有用である。いずれも書換え形や追記形に応用することが可能である。

本発明の実施の形態１における情報記録媒体１の一部断面図 本発明の情報記録媒体を作製するスパッタリング装置の概略図 本発明の実施の形態２における情報記録媒体２の一部断面図 本発明の実施の形態３における情報記録媒体３の一部断面図 本発明の実施の形態４における情報記録媒体４の一部断面図 本発明の情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う記録再生装置の一部構成の概略図

符号の説明

１，２，３，４，５５ 情報記録媒体
５ 記録再生装置
１１，１０５ 基板
１２，３３，４３ 反射層
１３，３４，４４ 第２誘電体層
１４，３５，４５ 第２界面層
１５，３６，４６ 記録層
１６，３７，４７ 第１界面層
１７，３８，４８ 第１誘電体層
１８ カバー層
１９，５６ エネルギービーム（レーザ光）
３１，４１ 光学分離層
３２，４２ 透過率調整層
５１ スピンドルモータ
５２ 半導体レーザ
５３ 光学ヘッド
５４ 対物レンズ
１００ スパッタリング装置
１０１ スパッタ室
１０２ 排気口
１０３ 真空ポンプ
１０４ スパッタガス導入口
１０６ 基板ホルダー
１０７ ターゲット
１０８ ターゲット電極
１０９ 電源
１１０ 水循環系
３０１，３０２，４０１，４０２ 情報層

Claims (16)

1. 少なくとも記録層を有し、前記記録層がレーザ光の照射により、情報を記録または再生する情報記録媒体であって、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を備えることを特徴とする情報記録媒体。
2. 前記酸化物誘電体層が前記酸化物Ｄ２を３０％以下で含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
3. 前記酸化物Ｄ２がＳｂからなる酸化物である請求項１に記載の情報記録媒体。
4. 少なくとも第２界面層、前記記録層、第１界面層をこの順に備え、前記第１界面層からレーザ光が入射する情報記録媒体であって、前記第１界面層および前記第２界面層のうち少なくとも一方が前記酸化物誘電体層であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
5. 前記第１界面層および第２界面層の膜厚が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項４に記載の情報記録媒体。
6. レーザ光入射側から第Ｎ情報層〜第１情報層（Ｎは２以上の整数）を有し、少なくとも一つの前記情報層が第１界面層、前記記録層、第２界面層をこの順に備え、前記第２界面層からレーザ光が入射する情報記録媒体であって、前記第１界面層および前記第２界面層のうち少なくとも一方が前記酸化物層であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
7. 前記記録層がＳｂＴｅＧｅＭ１（但し、Ｍ１はＡｕ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、ＳｎおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素）からなることを特徴とする請求項１〜６に記載の情報記録媒体。
8. 前記記録層をＳｂ_ａＴｅ_ｂＧｅ_ｃＭ１_{（１００−ａ−ｂ−ｃ）}（原子％）と表した場合、７０≦ａ≦９０、０≦ｂ≦２５、３≦ｃ≦２５である請求項７に記載の情報記録媒体。
9. 少なくとも記録層と、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を有する情報記録媒体において、前記酸化物誘電体層を酸化物Ｄ１および酸化物Ｄ２を含むターゲットを用いて、スパッタリング法により形成する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
10. 前記ターゲットにおいて、前記酸化物Ｄ２を４０％以下で含むことを特徴とする請求項９に記載の情報記録媒体の製造方法。
11. 前記ターゲットにおいて、前記酸化物Ｄ２がＳｂからなる酸化物であることを特徴とする請求項９に記載の情報記録媒体の製造方法。
12. 少なくとも記録層および酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）、および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を有する情報記録媒体において、前記酸化物誘電体層を酸化物Ｄ１からなるターゲットと酸化物Ｄ２からなるターゲットを用いて、２つのカソードより同時にスパッタリングすることにより形成する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
13. 前記ターゲットにおいて、前記酸化物Ｄ２がＳｂからなる酸化物であることを特徴とする請求項１２に記載の情報記録媒体の製造方法。
14. 酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含むターゲット。
15. 前記ターゲットにおいて、酸化物Ｄ２を４０％以下で含むことを特徴とする請求項１４に記載のターゲット。
16. 前記ターゲットにおいて、前記酸化物Ｄ２がＳｂからなる酸化物であることを特徴とする請求項１４に記載のターゲット。

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