CN112543973A - 信息记录介质及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种再生耐久性优异的信息记录介质及其制造方法。一种信息记录介质及其制造方法，所述信息记录介质含2个以上的信息层，通过激光的照射记录或再生信息，其中，将所述2个以上的信息层之中至少一个信息层作为第一信息层，所述第一信息层从距被所述激光照射的面的远侧朝向近侧，按顺序包含第一介电薄膜和记录膜，所述第一介电薄膜中，至少含Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr、氧、所述元素D1的原子数共计为100原子％时，含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有所述元素D1为10原子％以上且43原子％以下，所述记录膜中至少含有W、Cu、Mn、氧，此外还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M。
Description
技术领域
本发明涉及以光学方式记录或再生信息的大容量的信息记录介质及其制造方法。
背景技术
随着国际互联网的普及和广播的数字化等，数字数据的利用量逐年增加。光学性的信息记录介质的光盘，作为适合数据长期保存的可靠性高的信息记录介质，随着增大的信息量而持续着大容量化的进化。
BDXL规格(BD：Blu-ray(注册商标)Disc)制定于2010年6月。依据这一规格的三层盘(具备3个信息层的光盘)，每一个信息层的记录容量为33.4吉字节(GB)，一面能够保存100GB的大容量数据。构成三层盘的3个信息层中，距激光光源最远的称为“L0层”，次远的称为“L1层”，最靠近激光光源的称为“L2层”。
例如，面向数据中心，使用追记型的BD-R XL盘，能够实现最大约638太字节(TB)的大容量的光盘库已经被提出(例如，非专利文献1)。
作为BDXL规格的下一个标准，商用光盘标准“档案光盘(Archival Disc)”制定于2014年3月(例如，参照非专利文献2)。档案光盘具有高于BD的可靠性，通过采用岸沟记录方式而有着更高的记录密度。此外，档案光盘因为在基板的两面具备磁盘结构，所以可作为更大容量的记录介质被提供。档案光盘规格的路线图，以依次增加每一张盘的记录容量而制定。据此路线图，具体来说，作为开发计划，第一代是300GB的系统，第二代是500GB的系统，第三代是1TB的系统。
第一代的300GB的档案光盘，能够保存150GB的信息的三层盘设于基板的两面，能够进行每一张300GB的信息的记录再生。即，在此档案光盘中，每一个信息层的记录容量是50GB。各信息层是以氧化物介电薄膜夹隔氧化物记录膜的简单构造(例如，参照专利文献1和2)。若对记录膜照射激光，则记录膜发生形状变化，信号被记录。使用该盘，能够实现最大1.9拍字节(PB)这样的大容量的光盘库已经被提出(例如，参照非专利文献3)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/159561号
专利文献2：日本国专利第4210620号公报
非专利文献
非专利文献1：松下电器株式会社，Data Archiver LB-DH8系列目录，2016年9月
非专利文献2：Archival Disc White Paper：Archival Disc Technology 1stEdition July 2015
非专利文献3：松下电器株式会社，Data Archiver LB-DH7系列目录，2016年9月
在第二代的500GB容量的档案光盘中，设于一面的三层盘必须实现250GB的容量。即，需要使第一个信息层的记录容量，从第一世代的50GB增至83.4GB。作为增加记录容量的一个方法，是减小最短的记录标记的尺寸，从而提高一个信息层中的记录密度的方法。作为这种情况的课题之一，可举出再生耐久性。
另外，在信息层所包含的介电薄膜中，历来，使用的是含ZrO2、SiO2和In2O3的材料(ZrO2-SiO2-In2O3)。ZrO2-SiO2-In2O3以DC溅射或脉冲DC溅射的任意一个都可以进行溅射，具有高成膜速度。另外是兼具高透明性和高耐湿性的优异的介电材料。之所以能够DC溅射，是由于ZrO2-SiO2-In2O3含透明导电材料的In2O3。若减少或除去In2O3，则ZrO2-SiO2-In2O3的DC溅射或脉冲DC溅射困难。
但是，本发明者们着眼于In2O3的含量，锐意研究的结果发现，In2O3使再生耐久性恶化。于是达成的结论是，需要新的介电材料来替代作为介电薄膜而能够实用的现有的ZrO2-SiO2-In2O3。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可以进行DC溅射或脉冲DC溅射，且具有优异的再生耐久性，并具有高生产率和高可靠性的500GB以上的大容量的多层的信息记录介质。
于是，本发明者们，对于第一介电薄膜和记录膜的组合进行了各种研究。其结果是，通过使用第一介电薄膜的组成和记录膜的组成为特定组成的信息层，完成了本发明。
本发明可由下述手段达成。
〔1〕一种信息记录介质，是含有2个以上的信息层，通过激光的照射来记录或再生信息的信息记录介质，其中，
上述2个以上的信息层之中，至少将一个信息层作为第一信息层，上述第一信息层，从距被上述激光照射的面的远侧朝向近侧，按顺序含有第一介电薄膜和记录膜，
上述第一介电薄膜，至少含Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr、氧和上述元素D1的原子数共计为100原子％时，含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，上述元素D1为10原子％以上且43原子％以下，
上述记录膜至少含有W、Cu、Mn和氧，还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M。
〔2〕根据〔1〕所述的信息记录介质，其中，上述第一介电薄膜还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的信息记录介质，其中，上述第一介电薄膜还含有从Ga和Al中选择的至少一种元素D3，将Zr、氧、上述元素D1、上述元素D2和上述元素D3的原子数共计为100原子％时，含有上述元素D3为7原子％以下。
〔4〕根据〔1〕所述的信息记录介质，其中，上述第一信息层，从距被上述激光照射的面的远侧朝向近侧，按顺序含有上述第一介电薄膜、上述记录膜和第二介电薄膜，
上述第二介电薄膜至少含Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr、氧、上述元素D1的原子数共计为100原子％时，含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有上述元素D1为10原子％以上且43原子％以下。
〔5〕根据〔4〕所述的信息记录介质，其中，上述第二介电薄膜，还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
〔6〕根据〔4〕或〔5〕所述的信息记录介质，其中，上述第二介电薄膜，还含有从Ga和Al中选择的至少一种元素D3，将Zr、氧、上述元素D1、上述元素D2和上述元素D3的原子数共计为100原子％时，含有上述元素D3为7原子％以下。
〔7〕根据〔1〕所述的信息记录介质，其中，上述第一信息层，从距被上述激光照射的面的远侧朝向近侧，
按顺序含有上述第一介电薄膜、上述记录膜和第二介电薄膜，
上述第二介电薄膜至少含有Zr、氧和In。
〔8〕根据〔7〕所述的信息记录介质，其中，上述第二介电薄膜，还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
〔9〕根据〔1〕所述的信息记录介质，其中，上述记录膜中的W、Cu、Mn和上述元素M，满足下式(1)：
WxCuyMnzM100-x-y-z(原子％) (1)
(上式(1)中，15≤x＜60，0＜y≤30，10≤z≤40，并且，10≤100-x-y-z≤50)。
〔10〕根据〔1〕或〔9〕所述的信息记录介质，其中，上述记录膜的上述元素M是从Ta和Zn中选择的至少一种。
〔11〕根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的信息记录介质，其中，上述第一信息层，与配置在最远离被上述激光照射的面的位置上的信息层相比，配置在靠近被上述激光照射的面的位置。
〔12〕根据〔1〕至〔11〕中任一项所述的信息记录介质，其中，上述第一信息层，配置在最靠近上述激光照射面的位置。
〔13〕一种信息记录介质的制造方法，是含2个以上的信息层的信息记录介质的制造方法，其中，
包括分别形成上述2个以上的信息层的工序，
将上述2个以上的信息层之中的至少一个信息层作为第一信息层，形成上述第一信息层的工序中，至少包括形成第一介电薄膜的工序，和形成记录膜的工序，
在上述形成第一介电薄膜的工序中，形成至少含Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1的第一介电薄膜，
在上述形成记录膜的工序中，形成至少含有W、Cu和Mn，还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M的记录膜，
上述形成第一介电薄膜的工序，和上述形成记录膜的工序，通过使用了DC电源的溅射实施。
〔14〕根据〔13〕所述的信息记录介质的制造方法，其中，在上述形成第一介电薄膜的工序中所形成的上述第一介电薄膜，还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
本发明的实施方式的信息记录介质，具有显示出优异的再生耐久性的信息层，可实现大容量且高可靠性的多层的信息记录介质。另外，还实现了也兼具高生产率的多层的信息记录介质。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的信息记录介质100的剖视图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边说明本发明的实施方式。以下的实施方式是例示性的，本发明不受以下的实施方式限定。
(实施方式1)
本发明的实施方式的信息记录介质，是含有2个以上的信息层，通过激光的照射而记录或再生信息的信息记录介质，其中，
将所述2个以上的信息层之中的至少一个信息层作为第一信息层，所述第一信息层中，从距被所述激光照射的面的远侧朝向近侧，按顺序含有第一介电薄膜和记录膜，
所述第一介电薄膜，至少含Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr、氧和所述元素D1的原子数共计为100原子％时，含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有所述元素D1为10原子％以上且43原子％以下，
所述记录膜至少含W、Cu、Mn和氧，还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M。
通过使用第一介电薄膜的组成和记录膜的组成为上述这样特定组成的信息层，能够得到本发明的效果。
作为实施方式1，说明使用激光6进行信息的记录和再生的信息记录介质的一例。
图1中，表示本发明的实施方式的信息记录介质100的截面。
本发明的实施方式的信息记录介质100也可以具有基板1。
本实施方式的信息记录介质100是如下的多层光学的信息记录介质：将记录和再生信息的信息层，隔着基板1在两侧分别各设置3层(合计6层)，由保护层4侧照射激光6，从而可以进行各信息层的信息的记录和再生。激光6是波长405nm附近的蓝紫色区域的激光。
信息记录介质100，是使A面信息记录介质101与B面信息记录介质102贴合而成的双面的信息记录介质。A面信息记录介质101和B面信息记录介质102，在其基板1的背面(与具有信息层的面的相反侧)被粘合层5贴合。A面信息记录介质101和B面信息记录介质102，分别在基板1上介有中间分离层2和3等，具有作为信息层而依次层叠的L0层10、L1层20和L2层30，还具有与L2层30相接而设的保护层4。L1层20和L2层30是透过型的信息层。
L0层10中，从距被激光6照射的面的远侧朝向近侧，按顺序含有第一介电薄膜11、记录膜12和第二介电薄膜13。同样L1层20中，按此顺序含有第一介电薄膜21、记录膜22和第二介电薄膜23，L2层30中，按此顺序含有第一介电薄膜31、记录膜32和第二介电薄膜33。
即，A面信息记录介质101和B面信息记录介质102分别形成如下结构：从距被激光6照射的面的远侧朝向近侧，按顺序形成基板1、L0层10、中间分离层2、L1层20、中间分离层3、L2层30和保护层4。此外，形成如下结构：从距被激光6照射的面的远侧朝向近侧，L0层10在基板1上形成第一介电薄膜11、记录膜12和第二介电薄膜13，L1层20在中间分离层2上形成第一介电薄膜21、记录膜22和第二介电薄膜23，L2层30在中间分离层3上形成第一介电薄膜31、记录膜32和第二介电薄膜33。第一介电薄膜21、第一介电薄膜31、记录膜22、记录膜32、第二介电薄膜23和第二介电薄膜33，能够使用溅射(spatter)法形成。
L1层20和L2层30，能够分别将第一介电薄膜21与第一介电薄膜31形成于中间分离层2和中间分离层3上。溅射时间越长，在溅射靶(靶材)的热辐射下，溅射中的基板温度越高。为了提高成膜速度，优选采用DC(DC：Direct Current直流)溅射或脉冲DC溅射，基板温度也比高频溅射法上升。中间分离层，例如由丙烯酸系等的紫外线固化型树脂构成。形成L1层20的第一介电薄膜21时，中间分离层2的表面曝露在高温下。另外，形成L2层30的第一介电薄膜31时，中间分离层3的表面也曝露在高温下。由紫外线固化型树脂构成的中间分离层2和中间分离层3虽经过了由紫外线进行的固化工序，但若在溅射中曝露在高温下，则存在光聚合引发剂部分的未固化成分和低分子成分挥发的可能性。溅射时间越长，中间分离层2和中间分离层3的表面温度越上升，这些成分的挥发量越增加。以下，将光聚合引发剂部分的未固化成分和低分子成分记为“有机物”。
L1层20和L2层30的第一介电薄膜21及第一介电薄膜31，历来使用的是含有ZrO2、SiO2和In2O3的材料(ZrO2-SiO2-In2O3)。对于现有的信息记录介质中的L2层30的ZrO2-SiO2-In2O3的第一介电薄膜31，以二次离子质谱法进行定性分析时，可检测出靶成分中并不包含的碳。据此结果可推定，溅射中挥发的有机物混入到第一介电薄膜31中。并推定L1层20的第一介电薄膜21也同样混入了有机物。
根据发明者们的实验，在L2层30中，若以更长的时间溅射第一介电薄膜31，则再生耐久性进一步恶化。在L1层20中也会得到同样的倾向。由此认为，溅射时间越长，在此热辐射下就会有更多的有机物从中间分离层挥发，混入到L2层30的第一介电薄膜31中，使再生耐久性恶化。
在本发明的实施方式中，将从L0层10、L1层20和L2层30中选择的至少一个信息层作为第一信息层。
优选第一信息层，与配置在最远离被激光6照射的面的位置的信息层相比，配置在靠近被激光6照射的面的位置，更优选L1层20或L2层30为第一信息层，进一步优选至少L2层30是第一信息层，特别优选L1层20和L2层30是第一信息层。
第一信息层，优选配置在最靠近被激光6照射的面的位置，优选至少L2层30是第一信息层。例如，优选L0层10和L2层30是第一信息层，更优选L1层20和L2层30是第一信息层，进一步优选L0层10、L1层20和L2层30是第一信息层。
在信息记录介质100中，将导槽形成于基板1上时，在本说明书中，为了方便，将处于靠近被激光6照射的面一侧的面称为“沟槽”，为了方便，将处于远离被激光6照射的面一侧的面称为“岸台”。如果在此沟槽和岸台这两方所对应的位置对于记录膜提高记录密度(即，缩短标记长度)而形成凹坑(岸台-沟槽记录)，则能够使每1个信息层的容量例如达到83.4GB。在信息记录介质100中，可以由6个信息层进行信息的记录和再生，因此能够提供的信息记录介质100具有500GB的容量。导槽如后述，也可以形成于中间分离层2和3。特别是在L1层20和L2层30中，在实施岸台-沟槽记录时，优选在中间分离层2和3上形成导槽。
3个信息层的有效反射率，能够通过分别调整L0层10、L1层20和L2层30的反射率，与L1层20和L2层30的透射率来加以控制。在本说明书中，如上述，在层叠3个信息层的状态下测量的各信息层的反射率，定义为有效反射率。除非特别指出，否则如果没有记述为“有效”，那就是指未层叠时测量的反射率。另外，反射率Rg表示沟槽部在未记录状态下的沟部反射率，反射率R1表示岸台部在未记录状态的沟部反射率。
在本实施方式中，作为一例，说明以如下方式进行设计的构成：使L0层10的有效反射率Rg为3.5％，有效反射率R1为3.8％，L1层20的有效反射率Rg为4.0％，有效反射率R1为4.3％，L2层30的有效反射率Rg为5.8％，有效反射率R1为6.1％。
L2层30的透射率为80％，L1层20的透射率为77％时，如果L0层10以反射率Rg为8.0％，反射率R1为8.5％的方式，L1层20以反射率Rg为6.0％，反射率R1为6.3％的方式，L2层30以反射率Rg为5.8％，反射率R1为6.1％的方式进行设计，则能够得到前述的有效反射率。这里的透射率表示记录膜32、22、12是未记录状态时的沟槽部和岸台部的平均值。
在此，对于再生光量进行说明。再生光量，能够通过如下方式求得：求出各层在记录时的有效反射率与再生功率的积，用其除以100(记录时的有效反射率R(％)×再生功率Pr(mW)/100)。
在第二代的档案光盘中，需要更高的再生光量，若制作岸沟记录的500GB的档案光盘，则4倍速的再生光量如下。
L0层10的再生光量：0.070(2.8％×2.5mW/100)
L1层20的再生光量：0.070(3.2％×2.2mW/100)
L2层30的再生光量：0.070(4.6％×1.6mW/100)
以下，对于基板1、中间分离层2、中间分离层3、保护层4和粘合层5的功能、材料以及厚度进行说明。
作为基板1的材料，能够使用例如聚碳酸酯、非晶态聚烯烃或PMMA等的树脂，或者玻璃。优选基板1是透明的，但也可以半透明，不特别限定为透明性。另外，基板1的形状没有特别限定，可以是圆盘状。基板1，例如是厚度约0.5mm，直径约120mm的圆盘状。
在基板1的L0层10侧的表面，可以根据需要，形成用于引导激光6的凹凸的导槽。在基板1上形成导槽时，如前述，靠近被激光6照射的面这一侧的沟(面)称为“沟槽”，远离被激光6照射的面这一侧的沟(面)称为“岸台”。沟深度(沟槽面与岸台面的高差)，例如可以是10nm以上且50nm以下。采用岸台-沟槽记录方式，且以高记录密度进行记录时，为了减少串扰的影响，沟深度可以设定得更深。但是，若加深沟，则反射率有降低的倾向。优选沟深度为20nm以上且40nm以下，以便既能够降低串扰，且又能够维持反射率。在实施方式1中，岸台-沟槽间距(沟槽的宽度方向的中心，与该沟槽所邻接的岸台的宽度方向的中心之间的距离)约0.225μm，但不限定于此。
中间分离层2和3，由光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)，或迟效性热固化型树脂等的树脂等构成，例如由丙烯酸系树脂构成。中间分离层2和3，若对用于记录和再生的波长λ的激光6的光吸收小，则能够使激光6高效率地到达L0层10和L1层20。中间分离层2和3，是用于区分L0层10、L1层20和L2层30的焦点位置而设。因此，中间分离层2和3的厚度，例如，可以为物镜的数值孔径(NA)与激光6的波长λ所决定的焦深ΔZ以上。如果假定焦点的光强度的基准为无像差时的80％，则ΔZ近似于ΔZ＝λ/{2(NA)2}。另外，为了防止L1层20中的后焦点的影响，中间分离层2与中间分离层3的厚度可以为不同的值。
在中间分离层2和3中，可以在激光6的入射侧形成凹凸的导槽。设于中间分离层2和3的导槽的高差，和岸台-沟槽间距，如设于基板1的导槽的相关说明。在实施方式1中，沟深度(沟槽面与岸台面的高差)为30nm，岸台-沟槽间距约为0.225μm，但不限定于此。
保护层4，例如，由光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)，或者迟效性热固化型树脂等的树脂或电介质等构成。保护层4可以是对于所使用的激光6的光吸收小的材料。或者，保护层4可以使用聚碳酸酯、非晶态聚烯烃、或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的树脂或玻璃形成。使用这些材料时，保护层4可以是片状或薄板状。片状或薄板状的保护层4，例如，可以通过以光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等的树脂作为粘接剂，使之与L2层30的第二介电薄膜33贴合而形成。保护层4的厚度，例如，是在上述NA＝0.91时可以进行良好的记录和再生的厚度即40μm～80μm左右，特别是50μm～65μm左右。
粘合层5，例如，由光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等的树脂构成，使A面信息记录介质101与B面信息记录介质102粘接。粘合层5的透明性没有特别限定，可以透明，也可以半透明。在粘合层5上也可以设置遮蔽激光6的膜。粘合层5的厚度可以是5μm～80μm左右，特别是20μm～50μm左右。
使信息记录介质100的厚度与BD规格的介质为同等的厚度时，中间分离层2和3以及保护层4的厚度的总和可以设定为100μm。例如，可以将中间分离层2设定为约25μm厚，中间分离层3设定为约18μm厚，保护层4设定为约57μm厚。
对于本发明的应用中更优选的L2层30作为第一信息层的情况，从L2层30的构成起按顺序进行说明。
L2层30，通过在中间分离层3的表面上，至少按顺序层叠第一介电薄膜31和记录膜32而形成。此外，也可以在记录膜32的表面上，层叠第二介电薄膜33。
L2层30是第一信息层时，本实施方式的第一介电薄膜31，即使在溅射中从中间分离层3挥发的有机物(光聚合引发剂的部分的未固化成分和低分子成分)混入第一介电薄膜31，也不会使L2层的再生耐久性劣化，是优异的介电材料。关于其理由，本发明者们推测为，由于第一介电薄膜31具有特定的组成，即使有机物(C等)混入第一介电薄膜31，在连续照射再生功率的激光6期间，有机物与第一介电薄膜31中的成分也不会结合，因此再生耐久性没有降低。
信息记录介质100的信息层的再生耐久性，能够通过对于预先由最佳功率的激光6所记录的记录标记，连续照射再生功率的激光6来进行评价。具体来说，作为能够再生100万次(100万遍)的最大再生功率定义。可否进行100万遍的再生，能够以100万遍后的记录信号的d-MLSE值的恶化量进行判断。如果d-MLSE值的恶化从1遍后起为1.5％以下，则可判断为能够以此再生功率再生100万遍。判断为最大再生功率越高，再生耐久性越优异。在此，d-MLSE是500GB容量的档案光盘的记录信号品质的评价指标，是Distribution Derived-Maximum Likelihood Sequence Error Estimation的缩写。
前面阐述了再生耐久性成为了课题，但若缩小记录标记的尺寸，则用于再生的激光6被多遍照射在记录标记上时，与大尺寸的记录标记比较，d-MLSE值的恶化量变得更大。这是由于，记录标记越小，劣化面积占记录标记的比例越大。
L2层30是第一信息层时，本实施方式的第一介电薄膜31，至少含Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr和氧和元素D1的原子数共计为100原子％时，含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有元素D1为10原子％以上且43原子％以下。
作为第一介电薄膜31，可以使用Zr-O-Zn、Zr-O-Sn、Zr-O-Zn-Sn等，优选使用Zr-O-Zn-Sn。O是氧。在此，“-”意思是“混合”。因此，Zr-O-Zn就是Zr和氧和Zn混合的意思。因为Zr矿物中少量包含Hf，所以在第一介电薄膜31中也可以包含Hf。
本实施方式中的第一介电薄膜31中，优选含Zr和氧和元素D1，由此Zr和氧形成Zr的氧化物，元素D1与氧形成元素D1的氧化物。这种情况下，优选含有Zr的氧化物为10摩尔％以上且70摩尔％以下，含有元素D1的氧化物为30摩尔％以上且90摩尔％以下。
通过含有Zr的氧化物为10摩尔％以上，L2层30能够实现优异的再生耐久性。若含有Zr的氧化物多于70摩尔％，则电阻率值变大，不能进行脉冲DC溅射。另外，成膜速度也显著变慢，因此生产率降低。若Zr的氧化物少于10摩尔％，则再生耐久性恶化。
通过使Zr的氧化物中，还含有元素D1的氧化物为30摩尔％以上，从而能够降低靶的电阻率值，使之拥有导电性。由此，可以进行脉冲DC溅射。成膜速度比高频溅射法快。通过进一步含有40摩尔％以上的元素D1的氧化物，能够进一步降低靶的电阻率值，将可以进行DC溅射。比脉冲DC溅射法的成膜速度快，生产率提高。
元素D1的氧化物可以是Zn的氧化物和Sn的氧化物之中的至少一个。Zn的氧化物具有保持导电性的功能。Sn的氧化物具有提高成膜速度功能。
作为Zr的氧化物，可以含ZrO2。此外，作为元素D1的氧化物，可以含有从ZnO、SnO和SnO2中选择的至少一种。Sn的氧化物，更优选含有熔点高且透明的SnO2。
第一介电薄膜31，可以由从这些氧化物中选择的2个以上的氧化物的混合物形成，或者由2个以上的氧化物所形成的复合氧化物形成。例如，可以是ZrO2-ZnO。
在Zr矿物中因为少量包含Hf，所以第一介电薄膜31也可以包含Hf的氧化物。
作为第一介电薄膜31，可以使用ZrO2-ZnO、ZrO2-SnO2、ZrO2-ZnO-SnO2等，优选ZrO2-ZnO-SnO2。
含有元素D1的氧化物为70摩尔％(ZnO为40摩尔％和SnO2为30摩尔％)时，成为表述为(ZrO2)30(ZnO)40(SnO2)30摩尔％的组成比。
本发明的实施方式的第一介电薄膜31，可以还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2，优选含有Mg。这是因为，作为元素D2，通过含有Mg，如后述生产效率提高。
作为第一介电薄膜31，可以使用Zr-Y-O-Zn、Zr-Ca-O-Zn、Zr-Mg-O-Zn、Zr-Y-O-Sn、Zr-Ca-O-Sn、Zr-Mg-O-Sn、Zr-Y-O-Zn-Sn、Zr-Ca-O-Zn-Sn、Zr-Mg-O-Zn-Sn、Zr-Si-O-Zn、Zr-Si-O-Sn、Zr-Si-O-Zn-Sn等，优选Zr-Mg-O-Zn、Zr-Mg-O-Sn或Zr-Mg-O-Zn-Sn，更优选Zr-Mg-O-Zn-Sn。
本发明的实施方式的介电薄膜31，优选还含有元素D2，由此，元素D2与氧形成元素D2的氧化物。元素D2的氧化物，可以是Si的氧化物、Y的氧化物、Ca的氧化物和Mg的氧化物之中的至少一种。
ZrO2在1000℃附近，从低温型(单斜晶系)的晶体结构可逆地相变为高温型(立方晶系)的晶体结构。这时，伴随着体积变化。若在ZrO2中添加数％的稀土类氧化物、CaO、MgO等，则变成立方晶系的晶体结构而不发生相变。将其称为稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆。
在本发明的实施方式的第一介电薄膜31中，优选Zr的氧化物和元素D2的氧化物形成稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆。由此，即使投入大功率(高电流、高电压)进行量产，靶也难以发生开裂。作为稀土类元素的氧化物的元素D2之中，更优选Y的氧化物，但也可以使用Ce的氧化物等其他的稀土类元素的氧化物。作为Y的氧化物可以含有Y2O3，作为Ca的氧化物可以含有CaO，作为Mg的氧化物可以含有MgO。
通过在靶中含有Zr的氧化物而作为稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆，能够抑制溅射中达到高温的靶表面的、伴随相变而来的可逆的体积变化。即使为了提高生产率而投入大功率重复进行DC溅射或脉冲DC溅射，也难以从靶表面发生裂纹，因此能够直到最后将靶用完。元素D2的氧化物之中，添加有Y2O3的稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆，因为离子传导性优异，所以实施DC溅射或脉冲DC溅射时更优选。
另外，根据本发明者们的研究发现，在形成第一介电薄膜31时，投入高溅射功率而实施DC溅射或脉冲DC溅射时，含Mg的氧化物的靶，与含Y的氧化物的靶和含Ca的氧化物的靶相比，即使在更高的溅射功率下，靶表面也难以发生裂纹。
因此，作为对应第一介电薄膜31的靶材料，通过使之含有添加有Mg的氧化物的稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆，则生产效率提高，因此更为优选。
在后述的第二介电薄膜33、L1层20的第一介电薄膜21、第二介电薄膜23、L0层10的第一介电薄膜11和第二介电薄膜13各自所对应的靶材料中也同样，优选含添加有Mg的氧化物的稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆。
对于ZrO2，可以按1摩尔％至10摩尔％的比例添加元素D2的氧化物。若高于10％，则重新出现相变。
例如，第一介电薄膜31中，对于ZrO2而含有10摩尔％的Y2O3时，成为表述为(ZrO2)27.3(Y2O3)2.7(ZnO)40(SnO2)30摩尔％的组成比。
例如，第一介电薄膜31中，相对于ZrO2而含有8.7摩尔％的MgO时，成为表述为(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)50(SnO2)25摩尔％的组成比。
或者作为Si的氧化物，可以含SiO2，可以与ZrO2形成复合氧化物ZrSiO4。取得稳定的正方晶系的晶体结构，直到1700℃左右也不会发生相变。另外，在此复合氧化物中也可以包含一点Hf。
优选SiO2与ZrO2以摩尔比计按1：1的比例包含，优选以摩尔比计为3％以上且35％以下。例如，第一介电薄膜31中，在(ZrO2)30(ZnO)40(SnO2)30摩尔％中含有SiO2时，优选表述为(ZrO2)15(SiO2)15(ZnO)40(SnO2)30摩尔％的组成比。
SiO2与ZrO2以摩尔比计也可以脱离1∶1的比例，这种情况下，可以存在从SiO2和ZrO2中选择的至少一种和ZrSiO4。
作为第一介电薄膜31，可以使用
ZrO2-Y2O3-ZnO、
ZrO2-CaO-ZnO、
ZrO2-MgO-ZnO、
ZrO2-Y2O3-SnO2、
ZrO2-CaO-SnO2、
ZrO2-MgO-SnO2、
ZrO2-Y2O3-ZnO-SnO2、
ZrO2-CaO-ZnO-SnO2、
ZrO2-MgO-ZnO-SnO2、
ZrO2-SiO2-ZnO、
ZrO2-SiO2-SnO2、
ZrO2-SiO2-ZnO-SnO2、
ZrSiO4-ZnO、
ZrSiO4-SnO2、
ZrSiO4-ZnO-SnO2等。
从生产效率的观点出发，第一介电薄膜31，优选含MgO，更优选含ZrO2-MgO-ZnO、ZrO2-MgO-SnO2或ZrO2-MgO-ZnO-SnO2，进一步优选含ZrO2-MgO-ZnO-SnO2。
因为Hf与Zr在化学的性质上相似，所以也可以将第一介电薄膜31的ZrO2的一部分或全部置换成HfO2。HfO2的相结构变化在1700℃附近，与ZrO2相比，高温相稳定。因此，通过将ZrO2的一部分或全部置换成HfO2，能够期待靶难以开裂。但是，因为Hf的地壳丰度少，所以HfO2与ZrO2相比，相当高价。
本发明的实施方式的第一介电薄膜31，可以还含有从Ga和Al中选择的至少一种元素D3，将Zr、氧、元素D1、元素D2和元素D3的原子数共计为100原子％时，含有元素D3为7原子％以下。作为元素D3优选Ga。
作为第一介电薄膜31，所包含的元素，可以使用
Zr-O-Zn-Ga、Zr-O-Zn-Al、
Zr-O-Sn-Ga、Zr-O-Sn-Al、
Zr-O-Zn-Sn-Ga、Zr-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Y-O-Zn-Ga、Zr-Y-O-Zn-Al、
Zr-Ca-O-Zn-Ga、Zr-Ca-O-Zn-Al、
Zr-Mg-O-Zn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Al、
Zr-Y-O-Sn-Ga、Zr-Y-O-Sn-Al
Zr-Ca-O-Sn-Ga、Zr-Ca-O-Sn-Al、
Zr-Mg-O-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Sn-Al、
Zr-Y-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Y-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Ca-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Ca-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Al、
Zr-Si-O-Zn-Ga、Zr-Si-O-Zn-Al、
Zr-Si-O-Sn-Ga、Zr-Si-O-Sn-Al、
Zr-Si-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Si-O-Zn-Sn-Al等。
从生产效率的观点出发，第一介电薄膜31，优选含Mg，更优选含Mg和Ga。第一介电薄膜31中，优选含Zr-Mg-O-Zn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Al、Zr-Mg-O-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Sn-Al、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga或Zr-Mg-O-Zn-Sn-Al，更优选含Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga。
本发明的实施方式的第一介电薄膜31，优选还含有元素D3，从而元素D3与氧形成元素D3的氧化物。元素D3的氧化物，可以是Ga的氧化物和Al的氧化物之中的至少一种。Ga的氧化物可以是Ga2O3，Al的氧化物可以是Al2O3。
本实施方式的第一介电薄膜31，在含7原子％以下的元素D3时，将Zr的氧化物、元素D1的氧化物、元素D2的氧化物和元素D3的氧化物的摩尔数共计为100摩尔％时，含有元素D3的氧化物为8摩尔％以下。
若将元素D3添加到Zn的氧化物中，则Zn的氧化物的电阻率值降低。即，元素D3承担着使Zn的氧化物的导电性提高的任务。此外因为系统整体的导电性提高，所以靶容易进行DC溅射。成膜速度变快，生产率提高。元素D3的氧化物，可以通过置换Zn的氧化物的一部分的形式添加。
作为元素D3的氧化物的添加量，少量即可取得效果，优选为8摩尔％以下。若多于8摩尔％，则电阻率值不会下降。
作为第一介电薄膜31，可以使用
ZrO2-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-ZnO-Al2O3、
ZrO2-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-SnO2-Al2O3、
ZrO2-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-ZnO-Al2O3-SnO2等。
或者，作为第一介电薄膜31，可以与元素D2的氧化物混合，使用
ZrO2-Y2O3-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-Y2O3-ZnO-Al2O3、
ZrO2-CaO-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-CaO-ZnO-Al2O3、
ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-MgO-ZnO-Al2O3、
ZrO2-Y2O3-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-Y2O3-SnO2-Al2O3、
ZrO2-CaO-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-CaO-SnO2-Al2O3、
ZrO2-MgO-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-MgO-SnO2-Al2O3、
ZrO2-Y2O3-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-Y2O3-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrO2-CaO-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-CaO-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-MgO-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrO2-SiO2-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-SiO2-ZnO-Al2O3、
ZrO2-SiO2-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-SiO2-SnO2-Al2O3、
ZrO2-SiO2-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-SiO2-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrSiO4-ZnO-Ga2O3、
ZrSiO4-ZnO-Al2O3、
ZrSiO4-SnO2-Ga2O3、
ZrSiO4-SnO2-Al2O3、
ZrSiO4-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrSiO4-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrSiO4-SiO2-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrSiO4-ZrO2-ZnO-Ga2O3-SnO2等。
从生产效率的观点出发，第一介电薄膜31，优选含有MgO，更优选含有MgO和Ga2O3。第一介电薄膜31，优选含有ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3、ZrO2-MgO-ZnO-Al2O3、ZrO2-MgO-SnO2-Ga2O3、ZrO2-MgO-SnO2-Al2O3、ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2或ZrO2-MgO-ZnO-Al2O3-SnO2，更优选含有ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2。
例如，第一介电薄膜31含有Ga2O3为2摩尔％时，成为表述为(ZrO2)30(ZnO)38(Ga2O3)2(SnO2)30摩尔％、或者(ZrO2)27.3(Y2O3)2.7(ZnO)38(Ga2O3)2(SnO2)30摩尔％的组成比。
例如，第一介电薄膜31，含有Ga2O3为1.1摩尔％时，可以使用表述为(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(Ga2O3)1.1(SnO2)25摩尔％的组成比。
第一介电薄膜31的厚度，例如，可以是5nm以上且40nm以下。更优选为8nm以上且30nm以下。若低于5nm，则保护功能降低，不能抑制水分向记录膜32的侵入。若高于40nm，则L2层30的反射率降低。另外，若第一介电薄膜31的厚度高于40nm，则第一介电薄膜31的成膜所需要的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
第一介电薄膜31的组成，例如，能够由X射线微分析(XMA)、电子探针显微分析(EPMA)、EDS(能量色散X射线光谱分析)、或卢瑟福背散射分析法(RBS)进行分析。后述的第一介电薄膜21、11，记录膜32、22、12，和第二介电薄膜33、23、13也同样，能够以这些方法分析所包含的元素及其组成。
例如XMA的情况下，若分析本发明的实施方式的第一介电薄膜31，则能够分析各元素的组成。例如，若以XMA分析下述(a)组成(摩尔％)的第一介电薄膜31，则大体能够得到(b)组成(原子％)。
(ZrO2)30(ZnO)40(SnO2)30摩尔％-(a)
Zr11.5Zn15.4Sn11.5O61.6原子％-(b)。
或者若分析(c)组成(摩尔％)，则大体能够得到(d)组成(原子％)。
(ZrO2)27.3(Y2O3)2.7(ZnO)38(Ga2O3)2(SnO2)30摩尔％-(c)
Zr10.1Y2.0Zn14.0Ga1.5Sn11.1O61.3原子％-(d)。
或者若分析(r)组成(摩尔％)，则大体能够得到(s)组成(原子％)。
(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(Ga2O3)1.1(SnO2)25摩尔％-(r)
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Ga0.9Sn10。0O59.6原子％-(s)。
含有Zr时，存在也检测到Hf的情况。
非晶态膜的情况下，因为特定所形成的氧化物困难，所以为各元素的组成。还考虑了在第一介电薄膜31的膜中，形成有复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物的情况，存在(b)、(d)和(s)的计算值与实际的分析值不符的情况。
如上述，若在中间分离层3的表面通过溅射形成第一介电薄膜31，则存在因溅射的辐射热，有机物从中间分离层3挥发的情况。这种情况下，在第一介电薄膜31与中间分离层3的边界附近混入有机物。这一点可以通过用二次离子质谱法在膜厚方向进行元素分析时，通过检测到碳而验证。
本发明的实施方式的第一介电薄膜31，具有如下作用：调节光学的相位差而控制沟槽与岸台的信号振幅的作用；调节刚性而控制记录标记的隆起的作用；控制L2层30的反射率和透射率的作用。另外，第一介电薄膜31具有控制水分侵入到记录膜32的作用，和抑制记录膜32中的氧向外部逃逸的作用。
靶的导电性，不使用现有的In2O3，而是使用元素D1的氧化物，并根据需要使用元素D3的氧化物来加以确保。靶的电阻率值，优选1Ω·cm以下。这在后述的第一介电薄膜21、11中也同样。
第一介电薄膜31，是例如通过溅射形成的纳米级的薄膜。因此，第一介电薄膜31中包含的氧化物，由于溅射中的氧和/或金属的缺损，以及不可避免的杂质的混入，严格来说，并非化学计量组成。出于这一理由，在本实施方式和其他的实施方式中，第一介电薄膜31中包含的氧化物也可以不一定是化学计量组成。另外，在本说明书中由化学计量组成表示的材料中，由于氧和/或金属的缺损，以及杂质的混入等，也包括严格来说不是化学计量组成的。这在后述的第一介电薄膜21、11中也同样。
第一介电薄膜31，可以实质上由Zr和氧和元素D1构成。
这里所说的“实质上”的这一用语，是考虑到如下情况而使用的：在例如由溅射形成第一介电薄膜31时，来自存在于溅射气氛中的稀有气体(Ar、Kr、Xe)、水分、有机物(C)、空气、配置在溅射室内的夹具和靶中所含杂质的其他元素，会不可避免地被包含。在将第一介电薄膜31所含的全部原子作为100原子％时，这些不可避的成分也可以被含有10原子％作为上限。这也适用于含有元素D2、元素D3的情况。另外，关于后述的第一介电薄膜21、11，在使用“实质上”这样的用语时也同样适用。
L2层30是第一信息层时，本发明的实施方式的记录膜32中，至少含有W、Cu、Mn、氧，还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M。
记录膜32中，因为至少含有W、Cu、Mn和氧，所以例如经由激光6的照射，氧(O)分离，另外，O彼此结合，形成作为记录标记的膨胀部。该膨胀部的形成是不可逆的变化，因此具备该记录膜32的L2层是追记型。
在记录膜32中，W、Cu和Mn，可分别以W-O、Cu-O、Mn-O的氧化物的形态存在。
记录膜32中的W-O是透明的氧化物，在激光6照射到记录膜32上时，具有发生氧而使记录膜32膨胀的功能。另外，使用含W的靶，以DC溅射形成记录膜32时，靶中的W具有稳定地使DC溅射持续的功能。如果记录膜32中不含有W，则记录膜32不膨胀，记录标记的形成变得困难。若使用包含W的靶，一边导入氧一边通过溅射形成记录膜32，则W在记录膜32中成为W-O，或与其他的元素结合，至少一部分成为复合氧化物。
记录膜32中的Cu-O是具有光吸收性的氧化物，承担着使记录膜32吸收激光6的任务。另外，靶中的Cu赋予靶以导电性，在以DC溅射形成记录膜32时，具有稳定地使DC溅射持续的功能。若对记录膜32使用不含有Cu的靶，则DC溅射变得非常困难。若对记录膜32使用包含Cu的靶，一边导入氧一边通过溅射而形成记录膜32，则Cu在记录膜32中成为Cu-O，或与其他的元素结合，至少一部分变成复合氧化物。
记录膜32中的Mn-O是具有光吸收性的氧化物，在激光6照射到记录膜32上时，具有发生氧而使记录膜32膨胀的功能。记录膜32中的Mn-O的含量越多，调制度越大，信号品质越提高。如果记录膜32中不含有Mn-O，则不能形成品质好的记录标记。若对记录膜32使用包含Mn-O的靶，导入氧并通过溅射形成记录膜32，则Mn-O在记录膜32中原状存在，或与其他的元素结合，至少一部分成为复合氧化物。
记录膜32中，通过还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M，则能够得到大调制度。
在记录膜32中，Zn可以作为Zn-O的氧化物的形态存在。
记录膜32中的Zn-O是具有导电性的氧化物，若使用含有它的靶，通过DC溅射而形成记录膜32，则DC溅射的持续性更稳定。另外，通过调整Zn-O的量，能够调整记录膜32的透射率和光吸收率。但是，即使靶中不包含Zn-O，也可以进行DC溅射。若使用包含Zn-O的靶，导入氧并通过溅射形成记录膜32，则Zn-O在记录膜32中以原态存在，或与其他的元素结合而至少一部分成为复合氧化物。
在记录膜32中，Nb、Mo、Ta和Ti，可以作为Nb-O、Mo-O、Ta-O和Ti-O的氧化物的形态存在。Nb、Mo、Ta和Ti能够分别形成氧化值不同的多个氧化物。一般氧多的氧化物是透明的。例如，NbO(铌2价)和NbO2(铌4价)是黑色，但Nb2O5(铌5价)是无色。也存在马格涅利相的氧化物Nb3n+1O8n-2。MoO2(钼4价)是黑色，但MoO3(钼6价)是无色。也存在还原MoO3而得到的蓝色的马格涅利相的氧化物。TaO2(钽4价)是黑色，但Ta2O5(钽5价)是无色。TiO(钛2价)是黑色，Ti2O3(钛3价)是黑紫色，而TiO2(钛4价)是无色。
此外本发明的实施方式的记录膜32中，优选W、Cu、Mn和元素M，满足下式(1)：
WxCuyMnzM100-x-y-z(原子％)(1)
(所述式(1)中，
15≤x＜60，0＜y≤30，10≤z≤40，并且，10≤100-x-y-z≤50)。
W、Cu、Mn和元素M满足上式的记录膜32，使L2层30的记录再生特性良好。
式(1)中，x(W量)优选为15以上且60以下。如果x在此范围内，则能够通过稳定的DC溅射形成记录膜32，得到具有良好的记录再生特性的L2层。若15≤x，则能够良好地实施DC溅射。另外，易于形成记录标记，能够得到良好的记录再生特性。
若x低于15，则实施DC溅射时，溅射不稳定，容易发生异常放电。另外，记录膜32难以膨胀，记录标记的形成变得困难。若x高于60，则L2层30的记录需要大的激光功率。
y(Cu量)满足0＜y≤30。记录膜32的情况下，更优选5≤y≤25。通过使y为25以下，能够调整记录膜32的光吸收率，使L2层的记录灵敏度最佳化，以满足标准的再生功率得到良好的再生耐久性。通过使y大于0，则记录膜32的脉冲DC溅射容易实施。此外通过达到5以上，记录膜32的DC溅射容易实施。若y高于30，则记录膜32的光吸收增加，记录灵敏度变好，记录功率下降。同时因为最大再生功率也下降，所以再生耐久性差。
z(Mn量)满足10≤z≤40。因为L2层30处于最靠近被激光6照射的面的位置，所以光学上优先确保高透射率。因此，L2层30的记录膜32，与L0层10的记录膜12和L1层20的记录膜22相比，优选以z的值小的组成比形成。记录膜32的情况下，更优选10≤z≤25。如果在此范围，则能够抑制L2层30的光吸收率，确保高透射率，提高再生功率。
100-x-y-z(元素M量)满足10≤100-x-y-z≤50。若10≤100-x-y-z≤50，则L2层30的记录再生特性良好。另外，若10≤100-x-y-z≤50，则记录膜32的折射率与消光系数得到最佳化，能够提高L2层30的透射率，并且能够减小吸收率，提高再生功率。元素M使氧更多地分离，或使其结合，还有促进记录膜32的激光6的照射部膨胀的功能。100-x-y-z大于50，则元素M变得过多，记录膜32的记录标记过度膨胀，记录标记有可能缩小邻接轨道的记录标记的振幅。其结果是，L2层30的记录再生特性恶化。另外，如果100-x-y-z为10以上，则元素M的比例充分，记录膜32的记录标记容易膨胀，记录再生特性提高。
另外，元素M可以是从Ta和Zn中选择的至少一种。
Ta作为Ta-O存在时，在元素M之中，是使记录标记膨胀这一功能最优异的更优选的材料。
关于Zn，通过含有Zn，在以DC溅射形成记录膜32时，能够进一步提高溅射的稳定性。因此，即使提高溅射功率，或减少Ar气，也难以发生异常放电，生产率提高。或者，也有提高L2层30的透射率的功能。
元素M是Ta和Zn时，可以使Ta和Zn的原子数共计为10≤100-x-y-z≤50。
记录膜32的膜厚优选为15nm以上且50nm以下，特别是优选为25nm以上且45nm以下。若比15nm薄，则记录膜32未充分膨胀，无法形成良好的记录标记，d-MLSE恶化。若高于50nm，则记录灵敏度良好，记录功率变小，相应量的再生功率降低，再生光量变小。另外，若记录膜32的厚度高于50nm，则记录膜32的成膜所需要的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
记录膜32的组成，例如，可以是
W-Cu-Mn-Zn-O(O：氧)、
W-Cu-Mn-Nb-O、
W-Cu-Mn-Nb-Zn-O、
W-Cu-Mn-Nb-Ta-O、
W-Cu-Mn-Nb-Ta-Zn-O、
W-Cu-Mn-Mo-O、
W-Cu-Mn-Mo-Zn-O、
W-Cu-Mn-Mo-Ta-O、
W-Cu-Mn-Mo-Ta-Zn-O、
W-Cu-Mn-Ta-O、
W-Cu-Mn-Ta-Zn-O、
W-Cu-Mn-Ti-O、
W-Cu-Mn-Ti-Zn-O、
W-Cu-Mn-Ti-Ta-O、
W-Cu-Mn-Ti-Ta-Zn-O等。
记录膜32中的W，也以作为透明性高的WO3的形态存在。记录膜32中，也可以包含金属W、WO2、WO2与WO3的中间的氧化物(W18O49、W20O58、W50O148、W40O119等)，或马格涅利相(WnO3n-1)。
记录膜32中的Cu，可以作为CuO或Cu2O的形态存在。在记录膜32中，也可以包含金属Cu。
记录膜32的膜中的Mn，可以作为从MnO、Mn3O4、Mn2O3和MnO2中选择的至少一种氧化物的形态存在。记录膜32中也可以包含金属Mn。
记录膜32中的Nb，可以作为无色的Nb2O5或NbOx的形态存在。也可以是Nb2O5与NbOx混合。记录膜32中，也可以包含NbO、NbO2或马格涅利相(Nb3n+1O8n-2)。记录膜32中，也可以包含金属Nb。
记录膜32中的Mo，可以作为无色的MoO3的形态存在。在记录膜32中，也可以包含MoO2、MoO2与MoO3的中间的氧化物(Mo3O8、Mo4O11、Mo5O14、Mo8O23、Mo9O26、Mo17O47等)、或马格涅利相(MonO3n-2)。记录膜32中，也可以包含金属Mo。
记录膜32中的Ta，可以作为无色的Ta2O5的形态存在。在记录膜32中，也可以包含TaO2。记录膜32中，也可以包含金属Ta。
记录膜32中的Ti，可以作为无色的TiO2或TiOx的形态存在。也可以是TiO2与TiOx混合。记录膜32中，也可以包含TiO、Ti2O3、Ti2O5、或马格涅利相(TinO2n-1)。记录膜32中，也可以包含金属Ti。
记录膜32中，也可以存在复合氧化物，其含有从W、Cu、Mn和元素M中选择的2种以上的金属。
记录膜32的组成，例如，是W-Cu-Mn-Zn-O时，记录膜32的系列可以是WO3-CuO-MnO2-ZnO、WO3-CuO-Mn2O3-ZnO、WO3-CuO-Mn3O4-ZnO、WO3-CuO-MnO-ZnO、WO3-Cu2O-MnO2-ZnO、WO3-Cu2O-Mn2O3-ZnO、WO3-Cu2O-Mn3O4-ZnO和WO3-Cu2O-MnO-ZnO等。或者也可以含有氧化钨的马格涅利相。在这些系列中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物。
记录膜32的组成，例如，是W-Cu-Mn-Nb-O时，记录膜32的系列，可以是WO3-CuO-MnO2-Nb2O5、WO3-CuO-Mn2O3-Nb2O5、WO3-CuO-Mn3O4-Nb2O5、WO3-CuO-MnO-Nb2O5、WO3-Cu2O-MnO2-Nb2O5、WO3-Cu2O-Mn2O3-Nb2O5、WO3-Cu2O-Mn3O4-Nb2O5、WO3-Cu2O-MnO-Nb2O5、WO3-CuO-MnO2-NbO、WO3-CuO-Mn2O3-NbO、WO3-CuO-Mn3O4-NbO、WO3-CuO-MnO-NbO、WO3-Cu2O-MnO2-NbO、WO3-Cu2O-Mn2O3-NbO、WO3-Cu2O-Mn3O4-NbO、WO3-Cu2O-MnO-NbO、WO3-CuO-MnO2-NbO2、WO3-CuO-Mn2O3-NbO2、WO3-CuO-Mn3O4-NbO2、WO3-CuO-MnO-NbO2、WO3-Cu2O-MnO2-NbO2、WO3-Cu2O-Mn2O3-NbO2、WO3-Cu2O-Mn3O4-NbO2、WO3-Cu2O-MnO-NbO2等。在此所示的系列中，也可以存在NbOx来代替Nb2O5，也可以是Nb2O5和NbOx混合。或者也可以含有氧化钨、氧化铌的马格涅利相。在这些系列中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物。此外，在此所示的系列中，也可以含ZnO。
记录膜32的组成，例如，是W-Cu-Mn-Mo-O时，记录膜32的系列，可以是WO3-CuO-MnO2-MoO3，WO3-CuO-Mn2O3-MoO3、WO3-CuO-Mn3O4-MoO3、WO3-CuO-MnO-MoO3、WO3-Cu2O-MnO2-MoO3、WO3-Cu2O-Mn2O3-MoO3、WO3-Cu2O-Mn3O4-MoO3、WO3-Cu2O-MnO-MoO3、WO3-CuO-MnO2-MoO2、WO3-CuO-Mn2O3-MoO2、WO3-CuO-Mn3O4-MoO2、WO3-CuO-MnO-MoO2、WO3-Cu2O-MnO2-MoO2、WO3-Cu2O-Mn2O3-MoO2、WO3-Cu2O-Mn3O4-MoO2、WO3-Cu2O-MnO-MoO2等。或者也可以含有氧化钨、氧化钼的马格涅利相。在这些系列中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物。此外，这里所示的系列中，也可以含ZnO。
记录膜32的组成，例如，是W-Cu-Mn-Ta-O时，记录膜32的系列，可以是WO3-CuO-MnO2-Ta2O5、WO3-CuO-Mn2O3-Ta2O5、WO3-CuO-Mn3O4-Ta2O5、WO3-CuO-MnO-Ta2O5、WO3-Cu2O-MnO2-Ta2O5、WO3-Cu2O-Mn2O3-Ta2O5、WO3-Cu2O-Mn3O4-Ta2O5、WO3-Cu2O-MnO-Ta2O5、WO3-CuO-MnO2-TaO2、WO3-CuO-Mn2O3-TaO2、WO3-CuO-Mn3O4-TaO2、WO3-CuO-MnO-TaO2、WO3-Cu2O-MnO2-TaO2、WO3-Cu2O-Mn2O3-TaO2、WO3-Cu2O-Mn3O4-TaO2和WO3-Cu2O-MnO-TaO2等。或者也可以含氧化钨的马格涅利相。在这些系列中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物。
记录膜32的组成，例如，是W-Cu-Mn-Ti-O时，记录膜32的系列，可以是WO3-CuO-MnO2-TiO2、WO3-CuO-Mn2O3-TiO2、WO3-CuO-Mn3O4-TiO2、WO3-CuO-MnO-TiO2、WO3-Cu2O-MnO2-TiO2、WO3-Cu2O-Mn2O3-TiO2、WO3-Cu2O-Mn3O4-TiO2、WO3-Cu2O-MnO-TiO2等。也可以存在TiOx来代替TiO2，也可以是TiO2和TiOx混合。或者也可以含氧化钨、氧化钛的马格涅利相。在这些系列中，可以形成复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物。此外，在此所示的系列中，也可以含ZnO。
记录膜32的组成，例如，是W-Cu-Mn-Ta-Zn-O时，记录膜32的系列，可以是WO3-CuO-MnO2-Ta2O5-ZnO、WO3-CuO-Mn2O3-Ta2O5-ZnO、WO3-CuO-Mn3O4-Ta2O5-ZnO、WO3-CuO-MnO-Ta2O5-ZnO、WO3-Cu2O-MnO2-Ta2O5-ZnO、WO3-Cu2O-Mn2O3-Ta2O5-ZnO、WO3-Cu2O-Mn3O4-Ta2O5-ZnO、WO3-Cu2O-MnO-Ta2O5-ZnO、WO3-CuO-MnO2-TaO2-ZnO、WO3-CuO-Mn2O3-TaO2-ZnO、WO3-CuO-Mn3O4-TaO2-ZnO、WO3-CuO-MnO-TaO2-ZnO、WO3-Cu2O-MnO2-TaO2-ZnO、WO3-Cu2O-Mn2O3-TaO2-ZnO、WO3-Cu2O-Mn3O4-TaO2-ZnO、WO3-Cu2O-MnO-TaO2-ZnO等。或者也可以含氧化钨的马格涅利相。在这些系列中，也可以形成复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物。
如此，记录膜32含多个氧化物，作为氧以外的元素的W、Cu、Mn和M的组成，如果满足下式(1)，则可得到能够确保大容量(例如，每1个盘500GB)的信息的记录再生所需要的S/N的再生光量。
WxCuyMnzM100-x-y-z(原子％) (1)
(式中，x、y和z为，15≤x≤60，0＜y≤30，10≤z≤40，并且，10≤100-x-y-z≤50)
记录膜32中包含的氧的比例，设金属元素和氧的原子数的合计为100原子％时，可以为60原子％以上且80原子％以下。若氧的比例低于60原子％，则记录灵敏度良好，记录功率变小，相应量的再生功率降低，再生光量变小。若氧的比例高于80原子％，则记录灵敏度变得太差，记录需要大功率，高速记录也变得困难。
记录膜32，可以实质上由W、Cu、Mn、氧和元素M构成。在此，所谓“实质上”的这一用语，是考虑到如下情况而使用的，即，记录膜32例如由溅射形成时，来自存在于溅射气氛中的稀有气体(Ar、Kr、Xe)、水分、有机物(C)、空气、配置在溅射室内的夹具和靶中所含杂质的其他元素，会不可避免地被包含。这些不可避免的成分，在将记录膜32中包含的全部原子作为100原子％时，作为上限也可以包含10原子％。这在后述的记录膜22、12中，使用“实质上”这样的用语时也同样适用。
记录膜32，例如是由溅射形成的纳米级的薄膜。因此，记录膜32中包含的氧化物，由于溅射中的氧和/或金属的缺损，以及不可避免的杂质混入，严格来说，并未构成化学计量组成。出于这一理由，在本实施方式和其他的实施方式中，记录膜32中包含的氧化物也不一定是化学计量组成。另外，在本说明书中由化学计量组成表示的材料中，由于氧和/或金属的缺损，以及杂质的混入等，也包括严格来说不是化学计量组成的成分。另外，也可以形成复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物。这些在后述的记录膜22、12中也同样。
本实施方式的第二介电薄膜33，可以配置在记录膜32被激光6照射的这一面侧。
L2层30是第一信息层时，第一信息层，从距被激光6照射的面的远侧朝向近侧，按顺序含有第一介电薄膜31、记录膜32和第二介电薄膜33，第二介电薄膜33中，至少含有Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr、氧、所述元素D1的原子数共计为100原子％时，优选含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有所述元素D1为10原子％以上且43原子％以下。
作为本实施方式的第二介电薄膜33，与第一介电薄膜31同样，可以使用Zr-O-Zn、Zr-O-Sn、Zr-O-Zn-Sn等，优选使用Zr-O-Zn-Sn。O是氧。在此，“-”意思是“混合”。因此，Zr-O-Zn就是Zr和氧和Zn混合的意思。因为Zr矿物中少量包含Hf，所以第二介电薄膜33中也可以包含Hf。
优选第二介电薄膜33，通过含有Zr、氧和元素D1，从而Zr和氧形成Zr的氧化物，元素D1与氧形成元素D1的氧化物。这种情况下，优选含有Zr的氧化物10摩尔％以上且70摩尔％以下，含有元素D1的氧化物30摩尔％以上且90摩尔％以下。
通过含有Zr的氧化物为10摩尔％以上，L2层30能够实现优异的再生耐久性。若含有Zr的氧化物多于70摩尔％，则电阻率值变大，不能进行脉冲DC溅射。另外，成膜速度也显著变慢，因此生产率降低。若Zr的氧化物少于10摩尔％，则再生耐久性恶化。
通过使Zr的氧化物中，还含有元素D1的氧化物为30摩尔％以上，能够降低靶的电阻率值，使之拥有导电性。由此，可以进行脉冲DC溅射。成膜速度比高频溅射法快。通过使元素D1的氧化物进一步含有40摩尔％以上，能够进一步降低靶的电阻率值，将可以进行DC溅射。成膜速度比脉冲DC溅射法快，生产率提高。
元素D1的氧化物可以是Zn的氧化物和Sn的氧化物之中的至少一种。Zn的氧化物具有保持导电性的功能。Sn的氧化物具有提高成膜速度的功能。
作为Zr的氧化物可以含ZrO2。此外，作为元素D1的氧化物可以含有从ZnO、SnO和SnO2中选择的至少一种。Sn的氧化物，更优选含有熔点高而透明的SnO2。
第二介电薄膜33，可以由从这些氧化物中选择的2种以上的氧化物的混合物构成，或者可以由2种以上的氧化物所形成的复合氧化物构成。例如，可以是ZrO2-ZnO。
在Zr矿物中，因为少量包含Hf，所以第二介电薄膜33也可以含有Hf的氧化物。
作为第二介电薄膜33，与第一介电薄膜31同样，可以使用ZrO2-ZnO、ZrO2-SnO2、ZrO2-ZnO-SnO2等。
使元素D1的氧化物含有70摩尔％(ZnO为40摩尔％和SnO2为30摩尔％)时，成为表述为(ZrO2)30(ZnO)40(SnO2)30摩尔％的组成比。
第二介电薄膜33中，也可以还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
作为第二介电薄膜33，可以使用Zr-Y-O-Zn、Zr-Ca-O-Zn、Zr-Mg-O-Zn、Zr-Y-O-Sn、Zr-Ca-O-Sn、Zr-Mg-O-Sn、Zr-Y-O-Zn-Sn、Zr-Ca-O-Zn-Sn、Zr-Mg-O-Zn-Sn、Zr-Si-O-Zn、Zr-Si-O-Sn、Zr-Si-O-Zn-Sn等。
第二介电薄膜33，从生产效率的观点出发，优选含有Mg。第二介电薄膜33，优选含有Zr-Mg-O-Zn、Zr-Mg-O-Sn或Zr-Mg-O-Zn-Sn，更优选含有Zr-Mg-O-Zn-Sn。
第二介电薄膜33，优选通过还含有元素D2，从而元素D2与氧形成元素D2的氧化物。元素D2的氧化物，可以是Si的氧化物、Y的氧化物、Ca的氧化物和Mg的氧化物之中的至少一种。
在第二介电薄膜33中，优选Zr的氧化物和元素D2的氧化物也形成稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆。由此，即使投入大功率进行量产，靶也难以开裂。稀土类元素的氧化物之中，更优选Y的氧化物，但也可以使用Ce的氧化物等其他的稀土类元素的氧化物。作为Y的氧化物可以含Y2O3，作为Ca的氧化物可以含CaO，作为Mg的氧化物可以含MgO。
通过在靶中含有Zr的氧化物而作为稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆，能够抑制溅射中达到高温的靶表面的、伴随相变而来的可逆的体积变化。即使为了提高生产率而投入大功率重复进行DC溅射或脉冲DC溅射，裂纹也难以从靶表面发生，因此能够直到最后将靶用完。在元素D2的氧化物之中，添加有Y2O3的稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆，因为离子传导性优异，所以实施DC溅射或脉冲DC溅射时更优选。
另外，从生产效率的观点出发，优选含有添加了Mg的氧化物的稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆。
在第二介电薄膜33中，可以相对于ZrO2，按1摩尔％至10摩尔％的比例添加元素D2的氧化物。例如，第二介电薄膜33中，相对于ZrO2而含有Y2O3为10摩尔％时，成为表述为(ZrO2)27.3(Y2O3)2.7(ZnO)40(SnO2)30摩尔％的组成比。
例如，第二介电薄膜33中，相对于ZrO2而含有MgO为8.7摩尔％时，成为表述为(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)50(SnO2)25摩尔％的组成比。
作为第二介电薄膜33，可以使用
ZrO2-Y2O3-ZnO、
ZrO2-CaO-ZnO、
ZrO2-MgO-ZnO、
ZrO2-Y2O3-SnO2、
ZrO2-CaO-SnO2、
ZrO2-MgO-SnO2、
ZrO2-Y2O3-ZnO-SnO2、
ZrO2-CaO-ZnO-SnO2、
ZrO2-MgO-ZnO-SnO2、
ZrO2-SiO2-ZnO、
ZrO2-SiO2-SnO2、
ZrO2-SiO2-ZnO-SnO2、
ZrSiO4-ZnO、
ZrSiO4-SnO2、
ZrSiO4-ZnO-SnO2等。
第二介电薄膜33，从生产效率的观点出发，优选含有MgO，第二介电薄膜33，更优选含有ZrO2-MgO-ZnO、ZrO2-MgO-SnO2、或ZrO2-MgO-ZnO-SnO2，进一步优选含有ZrO2-MgO-ZnO-SnO2。
因为Hf与Zr在化学的性质上相似，所以也可以将第二介电薄膜33的ZrO2的一部分或全部置换成HfO2。关于HfO2，因为在第一介电薄膜31中进行过说明，所以省略。
第二介电薄膜33，也可以还含有从Ga和Al中选择的至少一种元素D3，将Zr、氧、元素D1、元素D2和元素D3的原子数共计为100原子％时，也可以含有元素D3为7原子％以下。
作为第二介电薄膜33，所包含的元素，可以使用Zr-O-Zn-Ga、Zr-O-Zn-Al、Zr-O-Sn-Ga、Zr-O-Sn-Al、Zr-O-Zn-Sn-Ga、Zr-O-Zn-Sn-Al、Zr-Y-O-Zn-Ga、Zr-Y-O-Zn-Al、Zr-Ca-O-Zn-Ga、Zr-Ca-O-Zn-Al、Zr-Mg-O-Zn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Al、Zr-Y-O-Sn-Ga、Zr-Y-O-Sn-Al、Zr-Ca-O-Sn-Ga、Zr-Ca-O-Sn-Al、Zr-Mg-O-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Sn-Al、Zr-Y-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Y-O-Zn-Sn-Al、Zr-Ca-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Ca-O-Zn-Sn-Al、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Al、Zr-Si-O-Zn-Ga、Zr-Si-O-Zn-Al、Zr-Si-O-Sn-Ga、Zr-Si-O-Sn-Al、Zr-Si-O-Zn-Sn-Ga、Zr-Si-O-Zn-Sn-Al等。
第二介电薄膜33，从生产效率的观点出发，优选含有Mg，更优选含有Mg和Ga。第二介电薄膜33中，优选含有Zr-Mg-O-Zn-Ga、Zr-Mg-O-Zn-Al、Zr-Mg-O-Sn-Ga、Zr-Mg-O-Sn-Al、Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga、或Zr-Mg-O-Zn-Sn-Al，更优选含有Zr-Mg-O-Zn-Sn-Ga。
本发明的实施方式的第二介电薄膜33，优选通过还含有元素D3，从而元素D3与氧形成元素D3的氧化物。元素D3的氧化物，可以是Ga的氧化物和Al的氧化物之中的至少一种。Ga的氧化物可以是Ga2O3，Al的氧化物可以是Al2O3。
第二介电薄膜33，在含有元素D3为7原子％以下时，将Zr的氧化物、元素D1的氧化物、元素D2的氧化物和元素D3的氧化物的摩尔数共计为100摩尔％时，含有元素D3的氧化物为8摩尔％以下。
若将元素D3添加到Zn的氧化物中，则Zn的氧化物的电阻率值下降。即，元素D3承担着使Zn的氧化物的导电性提高的任务。此外因为系统整体的导电性提高，所以靶容易进行DC溅射。成膜速度变快，生产率提高。可以通过置换Zn的氧化物的一部分的形式进行添加。
作为元素D3的氧化物的添加量，少量即可取得效果，优选为8摩尔％以下。若多于8摩尔％，则电阻率值不会下降。
作为第二介电薄膜33，可以使用
ZrO2-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-ZnO-Al2O3、
ZrO2-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-SnO2-Al2O3、
ZrO2-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-ZnO-Al2O3-SnO2等。
或者，作为第二介电薄膜33，可以与元素D2的氧化物混合，使用
ZrO2-Y2O3-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-Y2O3-ZnO-Al2O3、
ZrO2-CaO-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-CaO-ZnO-Al2O3、
ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-MgO-ZnO-Al2O3、
ZrO2-Y2O3-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-Y2O3-SnO2-Al2O3、
ZrO2-CaO-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-CaO-SnO2-Al2O3、
ZrO2-MgO-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-MgO-SnO2-Al2O3、
ZrO2-Y2O3-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-Y2O3-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrO2-CaO-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-CaO-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-MgO-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrO2-SiO2-ZnO-Ga2O3、
ZrO2-SiO2-ZnO-Al2O3、
ZrO2-SiO2-SnO2-Ga2O3、
ZrO2-SiO2-SnO2-Al2O3、
ZrO2-SiO2-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-SiO2-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrSiO4-ZnO-Ga2O3、
ZrSiO4-ZnO-Al2O3、
ZrSiO4-SnO2-Ga2O3、
ZrSiO4-SnO2-Al2O3、
ZrSiO4-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrSiO4-ZnO-Al2O3-SnO2、
ZrSiO4-SiO2-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrSiO4-ZrO2-ZnO-Ga2O3-SnO2等。
优选第二介电薄膜33含有MgO，更优选含有MgO和Ga2O3。第二介电薄膜33中，更优选含有ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3、ZrO2-MgO-ZnO-Al2O3、ZrO2-MgO-SnO2-Ga2O3、ZrO2-MgO-SnO2-Al2O3、ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2、或ZrO2-MgO-ZnO-Al2O3-SnO2，进一步优选含有ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2。
例如，第二介电薄膜33含有Ga2O3为2摩尔％时，成为表述为(ZrO2)30(ZnO)38(Ga2O3)2(SnO2)30摩尔％的组成比，或者，成为表述为(ZrO2)27.3(Y2O3)2.7(ZnO)38(Ga2O3)2(SnO2)30摩尔％的组成比。
例如，第二介电薄膜33含有Ga2O3为1.1摩尔％时，可以使用表述为(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(Ga2O3)1.1(SnO2)25摩尔％的组成比。
第二介电薄膜33与第一介电薄膜31同样，具有如下作用：调节光学的相位差而控制信号振幅的作用；和控制记录凹坑的隆起而控制信号振幅的作用；控制L2层30的反射率和透射率的作用。
另外，第二介电薄膜33，具有抑制水分从保护层4侧向记录膜32侵入的作用，和抑制记录膜32中的氧向外部逃逸的作用。第二介电薄膜33，另外还一并具有抑制有机物从保护层4向记录膜32的混入，或确保L2层30与保护层4的密接性的功能。
因为第二介电薄膜33由溅射形成于记录膜32的表面，所以从中间分离层3挥发的有机物的量，若与第一介电薄膜31比较则较少。这是由于，按顺序溅射第一介电薄膜31、记录膜32期间，由于真空排气，也排出挥发的有机物。有效在第二介电薄膜33溅射中，以四极质谱仪计计测真空室的气体成分时，碳(C)的量比第一介电薄膜31溅射中少。因此，第二介电薄膜33中，因为有机物的影响少，所以该材料可以与第一介电薄膜31的材料是相同的材料，也可以是不同的材料。
第二介电薄膜33的厚度，例如，优选为5nm以上且40nm以下。更优选为5nm以上且30nm以下。若低于5nm，则保护功能降低，不能抑制水分向记录膜32的侵入。若高于40nm，则L2层30的反射率降低。
例如XMA的情况下，若分析本发明的实施方式的第二介电薄膜33，则能够分析各元素的组成。例如，若以XMA分析下述(e)组成(摩尔％)的第二介电薄膜33，则大体能够得到(f)组成(原子％)。
(ZrO2)25(ZnO)50(SnO2)25摩尔％-(e)，
Zr10Zn20Sn10O60原子％-(f)。
或者若分析(g)组成(摩尔％)，则大体能够得到(h)组成(原子％)。
{(ZrO2)0.95(Y2O3)0.05}25(ZnO)46(Al2O3)4(SnO2)25摩尔％-(g)，
Zr9.0Y0.9Zn17.4Al3.0Sn9.5O60.2原子％-(h)。
或者若分析(t)组成(摩尔％)，则大体得到(u)组成(原子％)。
(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)47.5(Ga2O3)2.5(SnO2)25摩尔％-(t)，Zr9.0Mg0.8Zn18.6Ga2.0Sn9.8O59.8原子％-(u)。
含Zr时，存在也检测出Hf的情况。
非晶态膜的情况下，因为特定所形成的氧化物困难，所以为各元素的组成。在第二介电薄膜33的膜中，也考虑的是形成复合氧化物、混合氧化物、低氧化物和高氧化值氧化物，也存在(f)、(h)和(u)的计算值与实际的分析值不相符的情况。
靶的导电性，不使用现有的In2O3，而是使用元素D1，并根据需要使用元素D3来确保。靶的电阻率值，优选为1Ω·cm以下。这在后述的第二介电薄膜23、13中也同样。
第二介电薄膜33，可以实质上由Zr的氧化物和元素D1形成。这里所说“实质上”的用语，是考虑到如下情况而使用的，即，在第二介电薄膜33例如通过溅射被形成时，来自存在于溅射气氛中的稀有气体(Ar、Kr、Xe)、水分、有机物(C)、空气、配置在溅射室中的夹具和靶中所含杂质的其他元素会不可避免地被包含的情况。这些不可避免的成分，在将第二介电薄膜33所含的全部原子作为100原子％时，作为上限也可以包含10原子％。这也适用于含有元素D2、元素D3的情况。另外，关于后述的第二介电薄膜23、13，使用“实质上”的用语时也同样适用。
第二介电薄膜33也可以使用与第一介电薄膜31不同的材料，这种情况下，优选至少含有Zr和氧和In。如上述，从中间分离层3挥发的有机物的影响，与第一介电薄膜31比较时较小，因此第二介电薄膜33中可以含有In。在Zr矿物中，因为少量包含Hf，所以第二介电薄膜33中也可以含有Hf。
作为第二介电薄膜33可以使用Zr-O-In。
第二介电薄膜33中，优选Zr与氧形成Zr的氧化物，In与氧形成In的氧化物。In的氧化物在用于提高靶的导电性上有用。
Zr的氧化物可以是ZrO2，In的氧化物可以是In2O3。Zr的氧化物和In的氧化物为透明的氧化物，能够提高第二介电薄膜33与保护层4的密接性。因为Zr矿物中少量包含Hf，所以第二介电薄膜33中也可以包含HfO2。
作为第二介电薄膜33，可以使用ZrO2-In2O3。
第二介电薄膜33中，可以还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
作为第二介电薄膜33，可以使用
Zr-O-In-Si、
Zr-O-In-Y、
Zr-O-In-Ca、
Zr-O-In-Mg等。
第二介电薄膜33中，优选形成有元素D2的氧化物。元素D2的氧化物，可以是Si的氧化物、Y的氧化物、Ca的氧化物和Mg的氧化物之中的至少一种。
Si的氧化物可以是SiO2，Y的氧化物可以是Y2O3，Ca的氧化物可以是CaO，Mg的氧化物可以是MgO。
元素D2的氧化物，是从Si的氧化物、Y的氧化物、Ca的氧化物和Mg的氧化物中选择的至少一种氧化物时，优选以添加到Zr的氧化物中的形态，形成稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆。也可以使用Y以外的稀土类金属的氧化物。例如也可以使用CeO2。
作为第二介电薄膜33，可以使用
ZrO2-In2O3-SiO2、
(ZrO2-Y2O3)-In2O3、
(ZrO2-CaO)-In2O3、
(ZrO2-MgO)-In2O3、
(ZrO2-Y2O3)-In2O3-SiO2、
(ZrO2-CaO)-In2O3-SiO2、
(ZrO2-MgO)-In2O3-SiO2等。
例如XMA的情况下，若分析本发明的实施方式的第二介电薄膜33，则能够分析每种元素的组成。例如，若以XMA分析下述(i)组成(摩尔％)的第二介电薄膜33，则大致能够得到(j)组成(原子％)。
(ZrO2)25(In2O3)50(SiO2)25摩尔％-(i)，
Zr6.3In25Si6.3O62.4原子％-(j)。
或若分析(k)组成(摩尔％)，则大体能够得到(m)组成(原子％)。
(ZrO2)22.7(Y2O3)2.3(In2O3)50(SiO2)25摩尔％-(k)，
Zr5.6Y1.1In24.7Si6.2O62.4原子％-(m)。
非晶态膜的情况下，特定所形成的氧化物困难，因此为每种元素的组成。在第二介电薄膜33的膜中，也考虑的是形成有复合氧化物、混合氧化物、低氧化物、和高氧化值氧化物，也有(j)和(m)的计算值与有效的分析值不相符的情况。
通过使第二介电薄膜33中含有In2O3，能够降低靶的电阻率值，提高导电性。或者，也可以减少第二介电薄膜33中包含的In2O3，含有元素D1。
例如，也可以使用
ZrO2-In2O3-ZnO、
ZrO2-In2O3-SnO2、
ZrO2-In2O3-ZnO-SnO2、
ZrO2-In2O3-ZnO-SiO2、
ZrO2-In2O3-SnO2-SiO2、
ZrO2-In2O3-ZnO-SnO2-SiO2等。
或者，第二介电薄膜33可以含有In的氧化物和Sn的氧化物，例如，可以使用In2O3-SnO2、(In2O3)90(SnO2)10重量％(ITO)等。
第二介电薄膜33可以至少含有Zr、氧和In，实质上可以由Zr的氧化物和In的氧化物形成。这也适用于含有元素D2的情况。另外，关于后述的第二介电薄膜23、13也同样适用。
第二介电薄膜33，例如是由溅射的形成的纳米级的薄膜。因此，第二介电薄膜33中包含的氧化物，由于溅射中的氧和/或金属的缺损，以y及不可避免的杂质的混入，严格来说，并非化学计量组成。出于这一理由，在本实施方式和其他的实施方式中，第二介电薄膜33中包含的氧化物也可以未必是化学计量组成。另外，如前述，在本说明书中，由化学计量组成表示的材料中，由于氧和/或金属的缺损，以及杂质的混入等，也包括严格来说不是化学计量组成的。这在与第一介电薄膜31的材料相同的材料中也适用，在不同的材料中也适用。这在后述的第二介电薄膜23、13中也同样。
第一介电薄膜31、记录膜32和第二介电薄膜33的具体的厚度，能够基于矩阵法(例如，久保田広著“波动光学”岩波书店，1971年，参照第3章。)通过计算来设计。通过调整各膜的厚度，可以调整记录膜32在未记录时和记录时的各反射率，以及在记录部-未记录部间的反射光的相位差，使再生信号的信号品质最佳化。
接下来对于L1层20的构成进行说明。L1层20，是通过在中间分离层2的表面上，按顺序至少层叠第一介电薄膜21和记录膜22而形成。此外，也可以在记录膜22的表面上，再层叠第二介电薄膜23。
本发明的实施方式的第一介电薄膜21的功能，与前述的L2层30的第一介电薄膜31的功能同样。另外，第一介电薄膜21，也具有使中间分离层2与L1层20密接的职责。第一介电薄膜21的材料，更优选使用与第一介电薄膜31同样的材料。这是由于，在L1层20中，也是在中间分离层2的表面上以溅射形成第一介电薄膜21，因此第一介电薄膜21受到从中间分离层2挥发的有机物的影响。
因此，第一介电薄膜21，至少含有Zr和氧，还含有元素D1，将Zr和氧和元素D1的原子数共计为100原子％时，也可以含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有元素D1为10原子％以上且43原子％以下。此外，可以含有元素D2，可以再含有元素D3，将Zr、元素D1、元素D2和元素D3的原子数共计为100原子％时，可以含有元素D3为7原子％以下。
据此形态，L1层20也与L2层30同样，在第一介电薄膜21的溅射中，即使有机物从中间分离层2挥发，也能够得到良好的再生耐久性。
第一介电薄膜21的厚度可以为5nm以上且40nm以下。若低于5nm，则与中间分离层2的密接性降低，抑制水分向记录膜22的侵入的保护功能降低。若高于40nm，则L1层20的反射率降低。另外，若第一介电薄膜21的厚度高于40nm，则第一介电薄膜21的成膜所需要的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
记录膜22的功能，与前述的L2层30的记录膜32的功能同样。另外，记录膜22中，优选至少含有W、Cu、Mn和氧，还含有元素M。
记录膜22中，因为至少含有W、Cu、Mn和氧，所以例如通过激光6的照射，氧(O)进行分离，另外，O彼此结合，也可以形成作为记录标记的膨胀部。因为该膨胀部的形成是不可逆的变化，所以具备该记录膜22的L1层20是追记型的。
记录膜22的材料，优选与记录膜32同样。L1层20夹在中间分离层2和3之间，因此两者硬时，记录膜22的记录标记难以膨胀。这种情况下，记录膜22中，更优选作为元素M而含有使记录标记膨胀的功能最佳的Ta。
记录膜22所含的氧的比例，将金属元素和氧的原子数的合计作为100原子％时，例如可以为60原子％以上且80原子％以下。
记录膜22的膜厚，优选为15nm以上且50nm以下，更优选为25nm以上且45nm以下。若膜厚比15nm薄，则记录膜22未充分膨胀，无法形成良好的记录标记，因此d-MLSE恶化。若膜厚高于50nm，则记录灵敏度良好，记录功率变小，相应量的再生功率降低，再生光量变小。另外，若记录膜22的厚度高于50nm，则记录膜22的成膜所需要的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
第二介电薄膜23的功能，与前述的L2层30的第二介电薄膜33的功能同样。第二介电薄膜23的材料，可以使用与第二介电薄膜33同样的材料。另外，也可以使用与第一介电薄膜21相同的材料，也可以使用不同的材料。
第二介电薄膜23的厚度，可以在5nm以上且30nm以下。这是由于，若低于5nm，则保护功能降低，不能抑制水分向记录膜22的侵入，若高于30nm，则L1层20的反射率下降。
接下来，对于L0层10的构成进行说明。L0层10是通过在基板1的表面上，按顺序至少层叠第一介电薄膜11和记录膜12而形成。
此外，在记录膜12的表面上也可以层叠第二介电薄膜13。
第一介电薄膜11，具有调节光学的相位差而控制信号振幅的作用，和调整记录标记的隆起而控制信号振幅的作用。另外，第一介电薄膜11，具有抑制水分向记录膜12侵入的作用，和抑制氧从记录膜12中向外部逃逸的作用。另外，第一介电薄膜11，也具有使基板1与L0层10密接的职责。
第一介电薄膜11，也可以通过溅射形成在基板1的表面上。基板1是成形基板，例如，优选使用聚碳酸酯。聚碳酸酯是热塑性树脂，不含光聚合引发剂。另外，因为低分子成分也少，所以在第一介电薄膜11的溅射中，有挥发可能性的成分少，因此第一介电薄膜11与第一介电薄膜21和31不同，难以受到有机物的影响。因此，第一介电薄膜11，可以使用与第一介电薄膜31相同的材料，也可以使用与第二介电薄膜33相同的材料。
第一介电薄膜11，例如，含Zr和氧和元素D1。
此外，根据本发明者们的研究发现，L0层10，若在第一介电薄膜11中使用含有Zr、氧和元素D1的材料，则与使用含Zr、氧和In的材料的情况相比，再生耐久性将更良好。
例如，第一介电薄膜11，可以使用Zr-O-Zn-Sn等。
材料形成氧化物时，优选第一介电薄膜11使用ZrO2-ZnO-SnO2。
或者，可以含有元素D2，第一介电薄膜11，可以使用Zr-O-Zn-Sn-Y等。
与第一介电薄膜21和31同样，为了能够抑制靶的裂纹发生，所以第一介电薄膜11更优选使用含有Mg的、Zr-O-Zn-Sn-Mg。
材料形成氧化物时，第一介电薄膜11，更优选使用ZrO2-MgO-ZnO-SnO2。
或者，第一介电薄膜11可以含有元素D3，可以使用Zr-O-Zn-Sn-Y-Ga等。
与第一介电薄膜21和31同样，第一介电薄膜11，进一步优选还添加能够提高导电性的Ga，使用Zr-O-Zn-Sn-Mg-Ga。
材料形成氧化物时，第一介电薄膜11，进一步优选使用ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2。
或者，可以含有Zr和氧和In，使用Zr-O-In等。
或者可以含有元素D2，使用
Zr-O-In-Si、
Zr-O-In-Y、
Zr-O-In-Y-Si等。
或者，可以含有Zr、氧、In和元素D1，可以使用
Zr-O-In-Zn、
Zr-O-In-Sn、
Zr-O-In-Zn-Sn等。
或者可以含有SiO2，可以使用
Zr-O-In-Zn-Si、
Zr-O-In-Sn-Si、
Zr-O-In-Zn-Sn-Si等。
第一介电薄膜11也与第一介电薄膜21和31同样，可以在上述的系列中包含Hf。
第一介电薄膜11的厚度，例如，可以为5nm以上且40nm以下。若低于5nm，则保护功能降低，不能抑制水分向记录膜12的侵入。若高于40nm，则L0层10的反射率降低。
处于最远离激光6入射的面(保护层4的表面)的位置的L0层10，处于其再生光量成为最小的倾向。
记录膜12，拥有与记录膜32同样的功能，使用的材料也同样。
记录膜12中的W、Cu、Mn和所述元素M，优选满足下式(1)：
WxCuyMnzM100-x-y-z(原子％) (1)
(所述式(1)中，15≤x＜60、0＜y≤30、10≤z≤40，并且10≤100-x-y-z≤50)。
L0层10，因为处于最远离激光6入射的面(保护层4的表面)的位置，所以与L2层30和L1层20比较，在光学上优先确保更高的反射率和更大的吸收率。因此，L0层10的记录膜12，与L2层30的记录膜32和L1层20的记录膜22相比，以式(1)中的x的值小的组成比形成。
式(1)中，x(W量)更优选为15≤x≤40。如果x在此范围内，则能够调整记录膜12的光吸收，使L0层10的记录功率最佳化。若15≤x，则能够良好地实施DC溅射。另外，记录标记容易形成，能够得到良好的记录再生特性。
若x低于15，则实施DC溅射时，溅射变得不稳定，容易发生异常放电。另外，记录膜12难以膨胀，记录标记的形成困难。若x高于40，则记录膜12的光吸收减少，L0层10的记录需要大的激光功率。
记录膜12的情况下，可以按与记录膜32和记录膜22相比，y的值大的组成比形成。y(Cu量)更优选为10≤y≤30。通过使y为30以下，能够调整记录膜12的光吸收率，使L0层10的记录灵敏度最佳化，以满足标准的再生功率得到良好的再生耐久性。通过使y处于10以上，记录膜12的光吸收增加，能够使记录功率最佳化。若y高于30，则记录灵敏度良好，使再生功率下降，L0层10的再生光量减少。若y小于10，则记录灵敏度恶化，L0层10的记录需要大激光功率。
记录膜12的情况下，可以按与记录膜32和记录膜22相比，z的值大的组成比形成。z(Mn量)更优选为15≤z≤40。如果在此范围，则能够调整L0层10的光吸收率，使记录功率最佳化，确保高反射率，提高再生光量。
100-x-y-z(元素M量)满足10≤100-x-y-z≤50。若10≤100-x-y-z≤50，则L0层10的记录再生特性良好。另外，若10≤100-x-y-z≤50，则记录膜12的折射率与消光系数得到最佳化，能够提高L0层10的反射率，并且使光吸收率最佳化，提高再生光量。元素M使氧更多地分离或使其结合，还具有促进记录膜12的激光6的照射部膨胀的功能。另外，Nb和Ti因为折射率大，所以具有提高反射率的效果。若100-x-y-z大于50，则元素M变得过多，记录膜12的记录标记过度地膨胀，记录标记有可能缩小邻接轨道的记录标记的振幅。其结果是，L0层10的记录再生特性恶化。另外，若100-x-y-z小于10，则元素M的比例变少，记录膜12的记录标记难以膨胀，记录再生特性恶化。
记录膜12所含的氧的比，在将金属元素和氧的原子数的合计作为100原子％时，例如可以为60原子％以上且80原子％以下。
记录膜12的膜厚可以为15nm以上且50nm以下，特别是可以为25nm以上且45nm以下。若比15nm薄，则记录膜12未充分膨胀，无法形成良好的记录标记，因此d-MLSE恶化。若高于50nm，则记录灵敏度良好而记录功率变小，相应量的再生功率降低，再生光量变小。另外，若记录膜12的厚度高于50nm，则记录膜12的成膜所需要的时间(溅射时间)变长，生产率降低。
第二介电薄膜13的功能，与前述的L2层30的第二介电薄膜33的功能同样。第二介电薄膜13的材料，可以使用与第二介电薄膜33同样的材料。另外，也可以是与第一介电薄膜11相同的材料，也可以不同的材料。
第二介电薄膜13的厚度，可以为5nm以上且30nm以下。若低于5nm，则保护功能降低，不能抑制水分向记录膜12的侵入，若高于30nm，则L0层10的反射率下降。
本发明的实施方式的第一介电薄膜31、21、11，记录膜32、22、12，和第二介电薄膜33、23、13，不限于500GB的档案光盘，根据需要，也可以适用于容量比500GB小的300GB、100GB容量的档案光盘。记录膜32、22、12的至少一个，可以使元素M为Zn，使用W-Cu-Mn-Zn-O。
在本发明的实施方式的第一介电薄膜11、21、31，本发明的实施方式的记录膜12、22、32，和本发明的实施方式的第二介电薄膜13、23、33的组合中，除去距激光6的光源最远的L0层10以外，L1层20和L2层30中的至少任意一层是第一信息层即可。含有4个以上的信息层时也同样，除了L0层10，与激光6的光源较近的信息层之中的至少任意一层是第一信息层即可。
本发明的实施方式的第一介电薄膜11、21、31，记录膜12、22、32，和第二介电薄膜13、23、33的组合，在克服从中间分离层2、3挥发的有机物的影响使再生耐久性提高上是有效的。因此，如L1层20和L2层30这样，将中间分离层2和3上所形成的信息层作为第一信息层，由此显示出更优异的效果。
当然，在L0层10的第一介电薄膜11的溅射中，含碳的成分从基板1挥发时，如果L0层10适用本发明的实施方式的第一介电薄膜11，则能够得到优异的再生耐久性。
波长405nm下的、第一介电薄膜31、21、11的折射率，优选为1.90以上且2.30以下，消光系数优选为0.20以下。同样记录膜32、22的折射率，优选为2.00以上且2.40以下，消光系数优选为0.30以下。同样记录膜12的折射率，优选为2.10以上且2.50以下，消光系数优选为0.40以下。第二介电薄膜33、23、13的折射率，优选为1.90以上且2.30以下，消光系数优选为0.20以下。
第一介电薄膜11、21、31，记录膜12、22、32，和第二介电薄膜13、23、33，可以使用混合有构成它们的氧化物的靶，通过RF溅射或DC溅射形成。或者，这些膜可以使用不含氧的合金靶，通过氧导入下的RF溅射、或氧导入下的DC溅射形成。或者另外，将各氧化物的靶分别安装于单独的电源，以同时付之于RF溅射或DC溅射的方法，形成这些膜(多靶溅射法)。RF溅射和DC溅射也可以同时实施。此外作为别的膜形成方法，还可列举将金属的单体或合金所构成的靶、或氧化物的靶，分别安装于单独的电源，根据一边导入氧，一边同时进行RF溅射方法、或同时进行DC溅射的方法。或者，可以使用金属和氧化物混合而成的靶，一边导入氧，一边进行RF溅射或DC溅射，由此方法形成这些膜。
在实施方式1的变形例中，在本实施方式所示的信息记录介质100中，第一信息层以外的任意的信息层的记录膜，可以是Te-O-Pd或Ge-Bi-O等其他的记录膜，即本发明的实施方式的W-O系记录膜以外的记录膜。或者，在其他的变形例中，也可以根据需要，设置反射膜和由上述未例示的材料构成的介电薄膜。本发明的技术性的效果，在这些变形例中也可达成。
信息记录介质100的记录方式，可以是线速度一定的Constant Linear Velocity(CLV)、转速一定的Constant Angular Velocity(CAV)、Zoned CLV和Zoned CAV的任意一种。能够使用的数据位长度是47.7nm。另外，在多值记录方式中也能够使用。
对本实施方式的信息记录介质100的信息的记录和再生，可以用物镜的数值孔径NA为0.91的光学系统实施，或者以NA＞1的光学系统实施。作为光学系统，也可以使用SolidImmersion Lens(SIL)、或Solid Immersion Mirror(SIM)。在此情况下，中间分离层2和3，以及保护层4可以为5μm以下的厚度。或者，也可以使用利用了近场光学的光学系统。
(实施方式2)
接着，作为实施方式2，说明实施方式1中说明的信息记录介质100的制造方法。
本发明的实施方式的信息记录介质的制造方法，是含有2个以上的信息层的信息记录介质的制造方法，其中，
含有分别形成上述2个以上的信息层的工序，
以上述2个以上的信息层之中的至少一个信息层作为第一信息层，形成上述第一信息层的工序中，至少包括形成第一介电薄膜的工序，和形成记录膜的工序，
在上述形成第一介电薄膜的工序中，形成至少含有Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1的第一介电薄膜，
在上述形成记录膜的工序中，形成至少含有W、Cu和Mn，还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M的记录膜，
上述形成第一介电薄膜的工序，和上述形成记录膜的工序，通过使用了DC电源的溅射实施。
构成L0层10的第一介电薄膜11、记录膜12和第二介电薄膜13，能够由作为气相成膜法之一的溅射法(溅射)形成。
本发明的实施方式的信息记录介质100也可以具有基板1。
首先，将基板1(例如，厚0.5mm，直径120mm)配置在成膜装置内。
接着，首先成膜第一介电薄膜11。这时，在基板1上形成有螺旋状的导槽时，在该导槽侧成膜第一介电薄膜11。
第一介电薄膜11，能够使用与想得到的组成相对应的溅射靶，通过在稀有气体气氛、或稀有气体和反应气体(例如，氧气)的混合气体气氛中进行溅射而形成。稀有气体例如是Ar气、Kr气或Xe气，但Ar气在成本方面有利。这在使溅射的气氛气体为稀有气体或其混合气体的任意一种溅射中都适合。
靶可以作为氧化物的形态包含，或者以单体金属或合金的形态包含。使用由金属(含合金)构成的靶时，可以通过在含有氧气的气氛中实施的反应性溅射而形成氧化物。
靶的电阻率值优选为1Ω·cm以下。由此容易实施DC溅射、或脉冲DC溅射。
含元素D1的组成的靶，导电性高，容易由DC溅射而稳定地形成第一介电薄膜11。因此，能够在第一介电薄膜11的形成时期待高成膜速率。
可以按照取得希望的第一介电薄膜11的组成的方式，调整靶的组成。
接着，在第一介电薄膜11上成膜记录膜12。
记录膜12，能够根据其组成，通过使用由金属合金或金属-氧化物的混合物构成的靶，实施在稀有气体气氛中或稀有气体和反应气体的混合气体气氛中的溅射而形成。因为记录膜12的厚度比第一介电薄膜11等的介电薄膜厚，所以考虑生产率，优选记录膜12使用比RF溅射能够期望更高成膜速率的DC溅射、或脉冲DC溅射进行成膜。为了使记录膜12中含有较多的氧，优选在气氛气体中混合大量的氧气。记录膜12可以实施多靶溅射形成。
具体来说，在记录膜12的成膜时，如果使用合金靶或混合物靶，则靶的组成可以是
W-Cu-Mn-Nb、
W-Cu-Mn-Zn、
W-Cu-Mn-Mo、
W-Cu-Mn-Ta、
W-Cu-Mn-Ti、W-Cu-Mn3O4-Nb、
W-Cu-Mn3O4-ZnO、
W-Cu-Mn3O4-Mo、
W-Cu-Mn3O4-Ta、
W-Cu-Mn3O4-Ti、
W-Cu-Mn3O4-Ta、
W-Cu-Mn3O4-Ta-ZnO等。
接着，在记录膜12上成膜第二介电薄膜13。第二介电薄膜13，能够使用与第二介电薄膜13的组成相对应的靶，通过在稀有气体气氛、或稀有气体和反应气体的混合气体气氛中实施溅射而形成。另外，第二介电薄膜13可以实施多靶溅射而形成。
作为用于形成第二介电薄膜13的靶，可以使用形成前述第一介电薄膜11的靶。
接着，在第二介电薄膜13上形成中间分离层2。中间分离层2，能够通过将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)和迟效性热固化型树脂等的树脂(例如丙烯酸系树脂)涂布于L0层10上并旋涂后，使树脂固化而形成。在中间分离层2上设置导槽时，可以通过如下方法形成中间分离层2：使表面形成有特定的形状的沟的转印用基板(模子)与固化前的树脂密接，以此状态旋涂后使树脂固化，其后，再从固化的树脂上剥离转印用基板的方法。另外，中间分离层2可以分二阶段形成，具体来说，可以先以旋涂法形成占据厚度的大部分的部分，其次使旋涂法和转印用基板进行的转印加以组合，由此形成具有导槽的部分。
接着，形成L1层20。具体来说，首先，在中间分离层2之上形成第一介电薄膜21。第一介电薄膜21，能够以与前述第一介电薄膜11同样的方法，使用与想要得到的组成相对应的靶形成。接着，在第一介电薄膜21上形成记录膜22。记录膜22，能够以与前述记录膜12同样的方法，使用与想要得到的组成相对应的靶形成。接着，在记录膜22上形成第二介电薄膜23。第二介电薄膜23，以与前述第二介电薄膜13同样的方法，使用与想要得到的组成相对应的靶形成。接着，在第二介电薄膜23上形成中间分离层3。中间分离层3，能够以与前述中间分离层2同样的方法形成。
接着，形成L2层30。L2层30，基本上能够以与前述L1层20同样的方法形成。首先，在中间分离层3上形成第一介电薄膜31。第一介电薄膜31，能够以与前述第一介电薄膜11同样的方法，使用与想得到的组成相对应的靶形成。
例如，用于形成第一介电薄膜31的靶的组成，优选使用
Zr-O-Zn-Sn、
Zr-O-Zn-Sn-Y、
Zr-O-Zn-Sn-Mg、
Zr-O-Zn-Sn-Ga、
Zr-O-Zn-Sn-Y-Ga、
Zr-O-Zn-Sn-Mg-Ga等。
另外，在形成第一介电薄膜31时，如果投入高溅射功率，实施DC溅射或脉冲DC溅射时，含Mg的氧化物的靶，与含Y的氧化物的靶和含Ca的氧化物的靶相比，即使在更高的溅射功率下，靶表面也难以发生裂纹。靶直到最后用完也难以发生裂纹。在裂纹的抑制上更优选使用Mg的氧化物。
在本实施方式中，作为对应第一介电薄膜31的靶材料，更优选使用添加有Mg的氧化物的含稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆的靶。
在第二介电薄膜33、L1层20的第一介电薄膜21、第二介电薄膜23、L0层10的第一介电薄膜11和第二介电薄膜13中，分别对应的靶材料中也同样，优选添加有Mg的氧化物并含有稳定化氧化锆或部分稳定化氧化锆。
因此，作为用于形成第一介电薄膜31的靶的组成，更优选使用Zr-O-Zn-Sn-Mg，进一步优选使用Zr-O-Zn-Sn-Mg-Ga。
或者优选其在靶中的组织之中，形成有氧化物，
作为用于形成第一介电薄膜31的靶的组成，例如，优选使用
ZrO2-ZnO-SnO2、
ZrO2-Y2O3-ZnO-SnO2、
ZrO2-MgO-ZnO-SnO2、
ZrO2-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-Y2O3-ZnO-Ga2O3-SnO2、
ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2等。
作为用于形成第一介电薄膜31的靶的组成，更优选使用含MgO的ZrO2-MgO-ZnO-SnO2，进一步优选使用含有MgO和Ga2O3的ZrO2-MgO-ZnO-Ga2O3-SnO2。
靶中，如果粉末和烧结体是结晶相，例如，则能够以X射线衍射调查靶中所含的氧化物。另外，可以使靶的组织中，包含复合氧化物、混合氧化物、低氧化物、和高氧化值氧化物。这在用于形成第一介电薄膜11、21，记录膜12、22、32，和第二介电薄膜13、23、33的靶中也同样适用。
接着，在第一介电薄膜31上形成记录膜32。记录膜32，能够以与前述记录膜12同样的方法，使用与想要得到的组成对应的靶形成。接着，在记录膜32上形成第二介电薄膜33。第二介电薄膜33，能够以与前述的第二介电薄膜13同样的方法，使用与想要得到的组成对应的靶形成。
任意的介电薄膜和记录膜12、22、32，都可以使溅射时的供给电力为10W～10kW，使成膜室的压力为0.01Pa～10Pa而形成。
接着，在第二介电薄膜33上形成保护层4。保护层4，能够通过将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等的树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂之后，使树脂固化而形成。或者，保护层4可以通过贴合聚碳酸酯、非晶态聚烯烃、或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的树脂，或玻璃所构成的圆盘状的基板1的方法形成。具体来说，就是能够以如下方法形成保护层4：在第二介电薄膜33上涂布光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等的树脂，使涂布的树脂与基板1密接，在此状态下实施旋涂而使树脂均匀地延展，其后，使树脂固化的方法。
还有，作为各层的成膜方法，除了溅射法以外，也可以使用真空蒸镀法、离子镀法、化学气相沉积法(CVD法：Chemical Vapor Deposition)和分子束外延法(MBE法：MolecularBeam Epitaxy)。
如此能够制造A面信息记录介质101。另外根据需要，也可以使基板1和L0层10中，包含盘的标识码(例如，BCA(Burst Cutting Area))。例如，对聚碳酸酯制的基板1赋予标识码时，在成形基板1后，使用CO2激光器等，使聚碳酸酯熔融、气化，由此能够留下标识码。另外，对L0层10赋予标识码时，使用半导体激光器等，在记录膜12上进行记录，或分解记录膜12，由此能够留下标识码。对L0层10赋予标识码的工序，可以在第二介电薄膜13的形成后、中间分离层2的形成后、保护层4的形成后、或后述的粘合层5的形成后实施。
同样地也可以制造B面信息记录介质102。在B面信息记录介质102的基板1上设置导槽时，螺旋的旋转方向与前述的A面信息记录介质101的基板1的导槽的方向可以是逆向，或也可以是同向。
最后，在A面信息记录介质101中，在与基板1的设有导槽的面的相反面，均匀地涂布光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)，将B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面的相反面，粘贴在涂布的树脂上。其后，通过对树脂光照射而使之固化，形成粘合层5。或者，也可以将迟效性固化型的光固化型树脂，均匀地涂布于A面信息记录介质101后进行照射，其后，粘贴B面信息记录介质102，形成粘合层5。如此，能够制造实施方式1的两面具有信息层的信息记录介质100。
如以上，作为本发明的技术的例示，说明了实施方式。为此，提供附图面和详细的说明。
因此，在附图和详细的说明所述的构成要素之中，不仅包括用于解决课题所需要的必须的构成要素，而且为了例示上述技术，还包括在用于课题解决上非必须的构成要素。因此，这些非必须的构成要素被记述在附图或详细的说明中，不应该据此将这些非必须的构成要素直接认定为必须。
另外，上述的实施方式，是用于例示本发明的技术的，因此能够在权利要求的范围或其均等的范围进行各种变更、置换、附加、省略等。
接下来，使用实施例详细地说明本发明的技术。
实施例
对于本发明的更具体的实施方式，使用实施例更详细地说明。
(实施例1)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。作为基板1，准备形成有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm，厚度0.5mm)。在该基板1上，形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W25Cu21Ta21Zn5Mn28-O构成的靶，使W25Cu21Ta21Zn5Mn28-O成膜34nm，作为第二介电薄膜13，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜10nm。
在此关于记录膜12的表述，作为元素比，以只记述金属元素比(原子％)的形式表述，以后也同样地表述。例如，如果是W19Cu25Zn20Mn36(原子％)的氧化物，则表述为W19Cu25Zn20Mn36-O。
在波长405nm的激光6中，没有L1层20和L2层30时的L0层10的反射率，在未记录状态下是
第一介电薄膜11的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用DC电源(3kW)进行。记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中，使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2，首先旋涂形成母体的厚度的紫外线固化树脂，之后，利用紫外线使树脂固化。其次，旋涂转印导槽的紫外线固化树脂，在其上贴合形成有导槽的由聚碳酸酯构成的压印基板，利用紫外线使树脂固化后，剥离压印基板，形成中间分离层2。中间分离层2的厚度约25μm。
接着，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法，进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用与表1所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式的实质上由W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6下，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下是
透射率约77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上，形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3，首先旋涂形成母体的厚度的紫外线固化树脂，之后由紫外线使树脂固化。其次，旋涂转印导槽的紫外线固化树脂，在其上贴合形成有导槽的由聚碳酸酯构成的压印基板，利用紫外线使树脂固化后，剥离压印基板，形成中间分离层3。中间分离层3的厚度约18μm。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表1所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜15nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态下为
使透射率约80％而设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后，在第二介电薄膜33上涂布紫外线固化树脂，旋涂之后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，说明B面信息记录介质102的构成。作为基板1，准备形成有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的聚碳酸酯基板(厚度0.5mm)。导槽的螺旋的旋转方向，与前述的A面信息记录介质101的基板1为反方向。在该基板1上，形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W25Cu21Ta21Zn5Mn28-O构成的靶，使W25Cu21Ta21Zn5Mn28-O成膜34nm，作为第二介电薄膜13，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜10nm。
在波长405nm的激光6中，没有L1层20和L2层30时的L0层10的反射率，在未记录状态下为
第一介电薄膜11，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用DC电源(3kW)进行。记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中，使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L0层10上，形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的形成方法，与前述的A面信息记录介质101的中间分离层2同样，但导槽的螺旋的旋转方向，与前述的A面信息记录介质101的中间分离层2为反方向。由此可以进行两面的同时再生。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用与表2所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式中的实质上由W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下为
透射率约77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上，形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3，首先旋涂形成母体的厚度的紫外线固化树脂，之后由紫外线使树脂固化。其次，旋涂转印导槽的紫外线固化树脂，在其上贴合形成有导槽的由聚碳酸酯构成的压印基板，利用紫外线使树脂固化后，剥离压印基板，形成中间分离层3。中间分离层3的厚度约18μm。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表2所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜15nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
第一介电薄膜31和第二介电薄膜33的膜厚，基于矩阵法通过计算决定。具体来说，在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态下为
使透射率约为80％而进行设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
其后在第二介电薄膜33上涂布紫外线固化树脂，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
以此方式制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜21和第一介电薄膜31，适用了
Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、
Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、
Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)
和Zr5Si5Zn20Sn10O60(原子％)。这些盘No.分别为1-101～1-106。另外作为比较例，制作了盘No.比较例1-1，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜21和第一介电薄膜31适用了Zr3.4Si3.4In31.8O61.4(原子％)。
在此1-101～1-106和比较例1-1中，进行8倍速的再生耐久性的评价。再生耐久性的评价使用パルステツク(PULSTEC)制评价机(ODU-1000)进行。
评价机的激光6的波长为405nm，物镜的数值孔径NA为0.91，在沟槽和岸台进行信息的记录。以记录的线速度18.06m/s(500GB-8倍速)和再生的线速度18.06m/s(500GB-8倍速)进行。使数据位长为47.7nm，每1个信息层进行83.4GB密度的记录。另外再生光使用按2∶1高频叠加(调制)的激光6。进行随机信号(2T～12T)的记录，信号品质作为d-MLSE(Distribution Derived-Maximum Likelihood Sequence Error Estimation)进行评价。
在L2层30的再生耐久性的评价中，在邻接的沟槽和岸台记录随机信号，以再生功率2.3mW、线速度18.06m/s，再生进行了记录的位于轨道中央的沟槽上的随机信号，根据重复的再生次数中第1次与第100万次的d-MLSE的变化量判定优劣。另外关于L1层20的再生耐久性的评价方法，实施中使再生功率为3.1mW。
具体来说，若将变化量定义为Δd-MLSE，则0.5％以下为A(非常良好)，大于0.5％且在1.0％以下为B(良好)，大于1.0％且在1.5％以下为C(实用水平)，大于1.5％的为D(不能实用)。
还有，之所以进行不基于岸台而只基于沟槽再生的评价，是因为在本实施例中，沟槽一方光吸收率高，再生耐久性变差。另外，在以下的实施例中也同样，进行沟槽的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表1中。
【表1】
在盘No.1-101～1-106中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表2中。
【表2】
在盘No.1-101～1-106中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例2)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上，形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用实质上由(ZrO2)30(SiO2)30(In2O3)40(mol％)构成的靶，使(ZrO2)30(SiO2)30(In2O3)40(mol％)成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式中的实质上由W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下为
透射率约为77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表3、5所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜11～17nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜9～15nm。
第一介电薄膜31和第二介电薄膜33的膜厚，基于矩阵法通过计算决定。具体来说，在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态下为
使透射率约为80％而进行设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用本发明的实施方式中的实质上由(ZrO2)30(SiO2)30(In2O3)40(mol％)构成的靶，使(ZrO2)30(SiO2)30(In2O3)40(mol％)成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实质上由W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，无L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下为
透射率约为77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的形成方法，与前述的A面信息记录介质101的中间分离层3同样，但导槽的螺旋的旋转方向，与前述的A面信息记录介质101的中间分离层3为反方向。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表4、6所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜11～17nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜9～15nm。
第一介电薄膜31和第二介电薄膜33的膜厚，与实施例1同样地基于矩阵法通过计算决定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜31，适用了
Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、
Zr20Zn20O60(原子％)、
Zr16.7Zn16.7O66.6(原子％)、
Zr18.4Y2.3Zn19.5O59.8(原子％)、
Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、
Zr9.5Ca0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Al1.9O60.2(原子％)、
Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)、
Zr5Si5Zn20Sn10O60(含ZrO2和SiO2)(原子％)、和
Zr5Si5Zn20Sn10O60(含ZrSiO4)(原子％)。这些盘No.分别为2-101～2-112。
在此2-101～2-112和比较例1-1中，进行实施例1中说明的再生耐久性的评价。
L2层30的再生耐久性的评价中，在邻接的沟槽和岸台记录随机信号，以再生功率2.3mW、线速度18.06m/s，再生进行了记录的位于轨道中央的沟槽上的随机信号，根据重复的再生次数中第1次与第100万次的d-MLSE的变化量判定优劣。
具体来说，若将变化量定义为Δd-MLSE，则0.5％以下为A(非常良好)，大于0.5％且在1.0％以下为B(良好)，大于1.0％且在1.5％以下为C(实用水平)，大于1.5％的为D(不能实用)。
还有，之所以进行不基于岸台而只基于沟槽再生的评价，是因为在本实施例中，沟槽一方光吸收率高，再生耐久性变差。另外，在以下的实施例中也同样，进行沟槽的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表3中。
【表3】
在盘No.2-101～2-112中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表4中。
【表4】
在盘No.2-101～2-112中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
另外，对用于2-105、2-106和2-107的第一介电薄膜31的成膜的靶，投入更高的溅射功率，进行靶发生裂纹的功率的评价。其结果是，2-107的靶能够投入最高的功率。换言之，含MgO的靶能够投入最高的功率，因此能够得到更高的成膜速度，能够提高信息记录介质的生产率。
此外作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜31，适用了
Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、
Zr7.4Zn23.5Sn10.3O58.8(原子％)、
Zr3.3Sn30.0O66.7(原子％)、
Zr2.3Sn31.0O66.7(原子％)、
Zr17.8Zn6.7Sn11.1O64.4(原子％)、
Zr25.9Zn11.1O63.0(原子％)、
Zr26.5Zn10.3O63.2(原子％)、
Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、
Zr6.7Y1.2Zn23.2Sn10.2O58.7(原子％)、
Zr12.7Y1.1Zn15.2Sn9.5O61.5(原子％)、
Zr17.5Y1.1Zn9.0Sn9.0O63.4(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、
Zr7.2Zn21.8Sn10.0Ga2.0O59.0(原子％)、
Zr13.1Zn140Sn9.4Ga1.9O61.6(原子％)、
Zr17.7Zn8.0Sn8.9Ga1.8O63.7(原子％)、
Zr9.4Zn17.0Sn9.4Ga3.8O60.4(原子％)、
Zr9.1Zn15.3Sn9.1Ga5.8O60.7(原子％)、和
Zr8.9Zn14.0Sn8.9Ga7.5O60.7(原子％)。这些盘No.分别为2-201～2-218。盘No.2-204和2-207是比较例。
在此2-201～2-218中，进行8倍速的再生耐久性的评价。评价的方法与前述的方法相同。
此外，在2-201～2-218中进行500GB密度8倍速记录下的d-MLSE的评价。在d-MLSE的评价中，14.0％以下为A(非常良好)，大于14.0％且在14.5％以下为B(良好)，大于14.5％且在15.0％以下为C(实用水平)，大于15％的为D(不能实用)。
此外，对适用于2-201～2-218的第一介电薄膜31的介电材料的成膜速度进行评价。成膜速度是在玻璃基板上成膜第一介电薄膜31，通过由台阶仪测量膜厚而计算出的。取得在制造信息记录介质100上所制定的制造1张盘的时间内，可成膜第一介电薄膜31的成膜速度的为A，成膜速度不充分的为D(不能实用)。
综合而言，在再生耐久性、d-MLSE、和成膜速度的评价中，包含D的判定为D(不能实用)，不含D但含C的判定为C(实用水平)，没有C和D，B为2个以上的判定为B(良好)，没有C和D，A为2个以上的判定为A(非常良好)。
A面信息记录介质101的结果显示在表5中。
【表5】
在盘No.2-204中，若Zr量少于3原子％，则d-MLSE可见恶化，不能实用，因此Zr量需要为3原子％以上。另外在2-207中，若Zr量多于26原子％，则可见成膜速度降低，不能实用，因此Zr量需要为26原子％以下。
另外在2-218中，若Ga量多于7原子％，则可见d-MLSE恶化，因此优选Ga量为7原子％以下。
B面信息记录介质102的结果显示在表6中。
【表6】
在B面信息记录介质102中，也能够得到A面信息记录介质101同样的结果。
另外作为第一介电薄膜31，若适用Zr16.8Y4.6Zn19.1O59.5(原子％)(＝(ZrO2)44(Y2O3)6(ZnO)50(mol％))，则在第一介电薄膜31的成膜工序中，靶发生开裂，难以稳定的制造。据此，Y2O3量相对于ZrO2量，优选为10％以下的摩尔浓度。
(实施例3)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例2同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用实质上由(ZrO2)25(ZnO)50(SnO2)25(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(ZnO)50(SnO2)25(mol％)成膜15nm，作为记录膜32，使用与表7所述的各个组成对应的靶，成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例2同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用实质上由(ZrO2)25(ZnO)50(SnO2)25(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(ZnO)50(SnO2)25(mol％)成膜15nm，作为记录膜32，使用与表8所述的各个组成对应的靶，成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的记录膜32，适用了
W32Cu17Zn33Mn18(原子％)、
W32Cu17Nb33Mn18(原子％)、
W32Cu17Mo33Mn18(原子％)、
W32Cu17Ta33Mn18(原子％)、
W32Cu17Ti33Mn18(原子％)、
W32Cu17Nb22Zn11Mn18(原子％)、
W32Cu17Ta22Zn11Mn18(原子％)、
W15Cu22Ta40Mn23(原子％)、
W14Cu23Ta40Mn23(原子％)、
W59Cu20Ta10Mn21(原子％)、
W60Cu20Ta10Mn20(原子％)、
W32Ta33Mn35(原子％)、
W32Cu30Ta28Mn10(原子％)、
W32Cu31Ta27Mn10(原子％)、
W32Cu30Ta29Mn9(原子％)、
W29Cu1Ta30Mn40(原子％)、
W29Cu1Ta29Mn41(原子％)、
W55Cu17Ta10Mn18(原子％)、
W56Cu17Ta9Mn18(原子％)、
W15Cu17Zn25Ta25Mn18(原子％)、和
W15Cu17Zn25Ta26Mn17(原子％)。这些盘No.分别为2-301～2-321。盘No.2-312是比较例。
在此2-301～2-321中，进行实施例1中说明的再生耐久性、d-MLSE、成膜速度的评价。
此外，进行透射率的评价。在透射率的评价中，对于厚1.1mm的聚碳酸酯基板上形成适用了各个记录膜材料的L2层30，并形成有保护层4的试样，用分光光度计进行测量。透射率为67％以上的判定为A，60％以上且低于67％的判定为B，50％以上且低于60％的判定为C，低于50％的判定为D(不能实用)。
综合而言，包含D的判定为D(不能实用)，没有D而包含C的判定为C(实用水平)，没有C和D，B为2个以上的判定为B(良好)，除此以外判定为A(非常良好)。
A面信息记录介质101的结果显示在表7中。
【表7】
在盘No.2-309中，若W少，则再生耐久性和透射率恶化，另外在2-311，若W变多，则可见d-MLSE有恶化的倾向。据此，优选W量为15原子％以上，且低于60原子％。
另外，在2-312中，若不包含Cu，则不能稳定的成膜，成膜速度恶化，另外再生耐久性恶化，因此需要Cu包含在记录膜32中。另外在2-314中，若Cu变多，则再生耐久性可见恶化的倾向。由此，优选Cu量为30原子％以下。
另外，在2-315中若Mn变少，则再生耐久性和d-MLSE恶化，另外在2-317中若Mn变多，则再生耐久性和成膜速度可见恶化的倾向。由此，优选Mn量为10原子％以上，且40原子％以下。
B面信息记录介质102的结果显示在表8中。
【表8】
在B面信息记录介质102中，也能够得到与A面信息记录介质101同样的结果。
(实施例4)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例2同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表9和表10所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13～17nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用与表9和表10所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜11～15nm。
第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1，使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例2同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表11和表12所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13～17nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用与表11和表12所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜11～15nm。
第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的实施方式的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜31和第二介电薄膜33，按照(第一介电薄膜31、第二介电薄膜33)的顺序，适用了：
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％))；
(Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％))；
(Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)、Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％))；
(Zr20Zn20O60(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr16.7Zn16.7O66.6(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr18.4Y2.3Zn19.5O59.8(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.5Ca0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.7Zn18.5Sn9.7Al1.9O60.2(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr20Zn20O60(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr16.7Zn16.7O66.6(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr18.4Y2.3Zn19.5O59.8(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.5Ca0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.7Zn18.5Sn9.7Al1.9O60.2(原子％))；
和(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％))。
这些盘No.分别为2-401～2-422。
在这些2-401～2-422、和实施例1所示的比较例1-1中，进行实施例1中说明的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表9和10中。
【表9】
【表10】
在盘No.2-401～2-422中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表11和12中。
【表11】
【表12】
在盘No.2-401～2-422中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例5)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜21，使用与表13、15所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13～19nm，作为记录膜22，使用实质上由W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜9～15nm。
第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用实质上由(ZrO2)30(SiO2)30(In2O3)40(mol％)构成的靶，使(ZrO2)30(SiO2)30(In2O3)40(mol％)成膜14nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜12nm。
第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜21，使用与表12、14所述的各个组成相对应的靶，成膜13～19nm，作为记录膜22，使用实质上由W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta21Zn11Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜9～15nm。
第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用实质上由(ZrO2)30(SiO2)30(In2O3)40(mol％)构成的靶，使(ZrO2)30(SiO2)30(In2O3)40(mol％)成膜14nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜12nm。
第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在与A面信息记录介质101的基板1的设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的L1层20的第一介电薄膜21，适用了
Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、
Zr20Zn20O60(原子％)、
Zr16.7Zn16.7O66.6(原子％)、
Zr18.4Y2.3Zn19.5O59.8(原子％)、
Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、
Zr9.5Ca0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Al1.9O60.2(原子％)、
Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)、
Zr5Si5Zn20Sn10O60(含ZrO2和SiO2)(原子％)、和
Zr5Si5Zn20Sn10O60(含ZrSiO4)(原子％)。这些盘No.分别为3-101～3-112。另外作为比较例，制作A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜21适用了Zr3.4Si3.4In31.8O61.4(原子％)的盘No.比较例2-1。
在此3-101～3-112和比较例2-1中，进行8倍速的再生耐久性的评价。再生耐久性的评价使用パルステツク制评价机(ODU-1000)进行。关于评价方法，使L1层20的再生功率为3.1mW，除此以外，均根据与实施例1同样的方法进行。
A面信息记录介质101的结果显示在表13中。
【表13】
在盘No.3-101～3-112中，相对于比较例2-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表14中。
【表14】
在盘No.3-101～3-112中，相对于比较例2-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
此外作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜21，适用了
Zr10Zn20Sn1O60(原子％)、
Zr7.4Zn23.5Sn10.3O58.8(原子％)、
Zr3.3Sn30.0O66.7(原子％)、
Zr2.3Sn31.0O66.7(原子％)、
Zr17.8Zn6.7Sn11.1O64.4(原子％)、
Zr25.9Zn11.1O63.0(原子％)、
Zr26.5Zn10.3O63.2(原子％)、
Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、
Zr6.7Y1.2Zn23.2Sn10.2O58.7(原子％)、
Zr12.7Y1.1Zn15.2Sn9.5O61.5(原子％)、
Zr17.5Y1.1Zn9.0Sn9.0O63.4(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、
Zr7.2Zn21.8Sn10.0Ga2.0O59.0(原子％)、
Zr13.1Zn14.0Sn9.4Ga1.9O61.6(原子％)、
Zr17.7Zn8.0Sn8.9Ga1.8O63.7(原子％)、
Zr9.4Zn17.0Sn9.4Ga3.8O60.4(原子％)、
Zr9.1Zn15.3Sn9.1Ga5.8O60.7(原子％)、和
Zr8.9Zn14.0Sn8.9Ga7.5O60.7(原子％)。这些盘No.分别为3-201～3-218。盘No.3-204和3-207是比较例。
在此3-201～3-218中，进行8倍速的再生耐久性的评价。评价的方法与前述的方法相同。
此外，在3-201～3-218中，进行500GB密度8倍速记录下的d-MLSE的评价。在d-MLSE的评价中，14.0％以下为A(非常良好)，大于14.0％并在14.5％以下为B(良好)，大于14.5％并在15.0％以下为C(实用水平)，大于15％的为D(不能实用)。
此外，进行适用于3-201～3-218的第一介电薄膜21的介电材料的成膜速度的评价。成膜速度是在玻璃基板上成膜第一介电薄膜21，通过由台阶仪测量膜厚而计算出的。取得在制造信息记录介质100上所制定的制造1张盘的时间内，可成膜第一介电薄膜21的成膜速度的为A，成膜速度不充分的为D(不能实用)。
综合而言，在再生耐久性、d-MLSE、和成膜速度的评价中，包含D的判定为D(不能实用)，没有D而包含C的判定为C(实用水平)，没有C和D，B为2个以上的判定为B(良好)，没有C和D，A为2个以上的判定为A(非常良好)。
A面信息记录介质101的结果显示在表15中。
【表15】
在盘No.3-204中，若Zr量少于3原子％，则d-MLSE可见恶化，不能实用，因此Zr量需要为3原子％以上。另外在3-207中，若Zr量多于26原子％，则可见成膜速度降低，不能实用，因此Zr量需要为26原子％以下。
另外在3-218中，若Ga量多于7原子％，则d-MLSE可见恶化，因此优选Ga量为7原子％以下。
B面信息记录介质102的结果显示在表16中。
【表16】
在B面信息记录介质102中，也能够得到与A面信息记录介质101同样的结果。
(实施例6)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜21，使用与表17和表18所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13～19nm，作为记录膜22，使用实质上由W31Cu17Ta22Zn11Mn19-O构成的靶，使W31Cu17Ta22Zn11Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用与表17和表18所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜11～15nm。
第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例4同样。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜21，使用与表19和表20所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13～19nm，作为记录膜22，使用实质上由W31Cu17Ta22Zn11Mn19-O构成的靶，使W31Cu17Ta22Zn11Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用与表19和表20所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜11～15nm。
第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例5同样。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜21和第二介电薄膜23，按照(第一介电薄膜21、第二介电薄膜23)的顺序，适用了如下：
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))，
(Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％))；
(Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％))；
(Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)、Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％))；
(Zr20Zn20O60(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr16.7Zn16.7O66.6(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr18.4Y2.3Zn19.5O59.8(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.5Ca0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.7Zn18.5Sn9.7Al1.9O60.2(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)、Zr10Zn20Sn10O60(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr20Zn20O60(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr16.7Zn16.7O66.6(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr18.4Y2.3Zn19.5O59.8(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.5Ca0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％))；
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.7Zn18.5Sn9.7Al1.9O60.2(原子％))；和
(Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％))。这些盘No.分别为3-301～3-322。
在这些3-301～3-322，和实施例5所示的比较例2-1中，进行实施例5中说明的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表17和18中。
【表17】
【表18】
在盘No.3-301～3-322中，相对于比较例2-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表19和20中。
【表19】
【表20】
在盘No.3-301～3-322中，相对于比较例2-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例7)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。
接着，在基板1上形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用与表21所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W25Cu21Ta21Zn5Mn28-O构成的靶，使W25Cu21Ta21Zn5Mn28-O成膜35nm，作为第二介电薄膜13，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜10nm。
第一介电薄膜11的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例2同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例5同样。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。
接着，在基板1上形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用与表22所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W25Cu21Ta21Zn5Mn28-O构成的靶，使W25Cu21Ta21Zn5Mn28-O成膜35nm，作为第二介电薄膜13，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜10nm。
第一介电薄膜11的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例2同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例5同样。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的L0层10的第一介电薄膜11，适用了
Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、
Zr20Zn20O60(原子％)、
Zr16.7Zn16.7O66.6(原子％)、
Zr18.4Y2.3Zn19.5O59.8(原子％)、
Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、
Zr9.5Ca0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Al1.9O60.2(原子％)、
Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)、
Zr5Si5Zn20Sn10O60(含ZrO2和SiO2)(原子％)、和
Zr5Si5Zn20Sn10O60(含ZrSiO4)(原子％)。这些盘No.分别为4-101～4-112。另外作为比较例，制作盘No.比较例3-1，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜11，适用了Zr3.4Si3.4In31.8O61.4(原子％)。
在此4-101～4-112和比较例3-1中，进行8倍速的再生耐久性的评价。再生耐久性的评价使用パルステツク制评价机(ODU-1000)进行。在评价方法中，使L0层10的再生功率为3.5mW，除此以外，均按照与实施例2同样的方法进行。
A面信息记录介质101的结果显示在表21中。
【表21】
在盘No.4-101～4-112中，相对于比较例3-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表22中。
【表22】
在盘No.4-101～4-112中，相对于比较例3-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例8)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1，使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例2同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表23所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜17nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm。在本实施例中，不设置第二介电薄膜33。
第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在记录膜32上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例2同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表24所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜17nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm。在本实施例中，不设置第二介电薄膜33。
第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在记录膜32上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜31，适用了
Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、
Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、和
Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)。这些盘No.分别为5-101～5-104。
在这些5-101～5-104中，进行实施例1中说明的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表23中。
【表23】
在盘No.5-101～5-104中，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表24中。
【表24】
在盘No.5-101～5-104中，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例9)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。本实施例的信息记录介质100，是在一面具有L0层10和L1层20这2个信息层的信息记录介质。
首先说明A面信息记录介质101的构成。作为基板1使用与实施例1同样的基板。
接着，在基板1上形成L0层10。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜21，使用与表25所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜16nm，作为记录膜22，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜14nm。
第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源进行。另外，第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛で使用DC电源(2kW)进行。
之后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜23上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约75μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来说明B面信息记录介质102的构成。作为基板1使用与实施例1同样的基板。
接着，在基板1上形成L0层10。L0层10的构成和制造方法与实施例1同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜21，使用与表26所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜16nm，作为记录膜22，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜14nm。
第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。另外，记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。另外，第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛中使用DC电源进行。
之后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜23上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约75μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜21，适用了
Zr10Zn20Sn10O60(原子％)、
Zr9.3Y1.2Zn19.8Sn9.9O59.8(原子％)、
Zr9.7Zn18.5Sn9.7Ga1.9O60.2(原子％)、和
Zr9.0Y1.2Zn18.2Sn9.6Ga1.9O60.1(原子％)。这些盘No.分别为6-101～6-104。
在此6-101～6-104中，进行实施例1中说明的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表25中。
【表25】
在盘No.6-101～6-104中，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表26中。
【表26】
在盘No.6-101～6-104中，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认到本发明的实施方式的电介质带来的再生耐久性提高的效果。
(实施例10)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。作为基板1，准备形成有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm，厚度0.5mm)。在此基板1上，形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用实质上由(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶，使(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O构成的靶，使W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O成膜34nm，作为第二介电薄膜13，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜10nm。
在波长405nm的激光6中，没有L1层20和L2层30时的L0层10的反射率，在未记录状态下是
第一介电薄膜11，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中，使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用实质上由(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶，使(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式中的实质上由W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下为
透射率约77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中，使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上，形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表27所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜15nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态下为
使透射率约为80％而进行设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，说明B面信息记录介质102的构成。作为基板1，准备形成有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的聚碳酸酯基板(厚度0.5mm)。导槽的螺旋的旋转方向，与前述的A面信息记录介质101的基板1为反方向。在此基板1上，形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用实质上由(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶，使(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O构成的靶，使W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O成膜34nm，作为第二介电薄膜13，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜10nm。
在波长405nm的激光6中，没有L1层20和L2层30时的L0层10的反射率，在未记录状态下是
第一介电薄膜11，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用实质上由(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶，使(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式中的实质上由W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下是
透射率约为77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表28所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜15nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
第一介电薄膜31和第二介电薄膜33的膜厚，基于矩阵法通过计算决定。具体来说，在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态下为
使透射率约为80％而进行设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜31，适用了
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)
Zr9.0Mg0.6Zn14.4Sn14.4O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.6Zn18.6Sn9.8Ga2.0O59.8(原子％)
Zr8.8Mg0.6Zn13.0Sn14.0Ga2.0O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr8.8Mg0.8Zn14.0Sn14.3Ga0.8O61.3(原子％)
Zr13.2Mg1.2Zn14.0Sn9.6Ga0.6O61.4(原子％)
Zr7.3Mg0.6Zn19.4Sn11.9Ga0.9O59.9(原子％)
Zr11.0Mg1.0Zn19.5Sn8.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr9.2Ca0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)和
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Al0.9O59.6(原子％)。这些盘No.分别为10-101～10-111。
在此10-101～10-111和比较例1-1中，进行实施例2中说明的8倍速的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表27中。【表27】
在盘No.10-101～10-111中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的电介质带来的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表28中。
【表28】
在盘No.10-101～10-111中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例11)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表29和表30所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜15nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用与表29和表30所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm。
第一介电薄膜31和第二介电薄膜33的膜厚，基于矩阵法通过计算决定。具体来说，在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态下为
使透射率约为80％而进行设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用与表31和表32所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜15nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta22Zn11Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用与表31和表32所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜11nm。
第一介电薄膜31和第二介电薄膜33的膜厚，基于矩阵法通过计算决定。具体来说，在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态为
使透射率约为80％而进行设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜31和第二介电薄膜33，适用了
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)，
Zr9.0Mg0.6Zn14.4Sn14.4O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.6Zn18.6Sn9.8Ga2.0O59.8(原子％)
Zr8.8Mg0.6Zn13.0Sn14.0Ga2.0O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr8.8Mg0.8Zn14.0Sn14.3Ga0.8O61.3(原子％)
Zr13.2Mg1.2Zn14.0Sn9.6Ga0.6O61.4(原子％)
Zr7.3Mg0.6Zn19.4Sn11.9Ga0.9O59.9(原子％)
Zr11.0Mg1.0Zn19.5Sn8.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr9.2Ca0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)和
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Al0.9O59.6(原子％)。这些盘No.分别为10-201～10-211。
在此10-201～10-211和比较例1-1中，进行实施例2中说明的8倍速的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表29和30中。
【表29】
【表30】
在盘No.10-201～10-211中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表31和32中。
【表31】
【表32】
在盘No.10-201～10-211中，相对于比较例1-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例12)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用与表33所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式中的实质上由W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下是
透射率约为77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用实质上由(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶，使(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)成膜15nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态下为
使透射率约为80％而进行设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用与表34所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式中的实质上由W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下是
透射率约为77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜31，使用实质上由(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)构成的靶，使(ZrO2)23(MgO)2(ZnO)48.9(SnO2)25(Ga2O3)1.1(mol％)成膜15nm，作为记录膜32，使用实质上由W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O构成的靶，使W32Cu17Ta16Zn17Mn18-O成膜34nm，作为第二介电薄膜33，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜13nm。
第一介电薄膜31和第二介电薄膜33的膜厚，基于矩阵法通过计算决定。具体来说，在波长405nm的激光6中，使L2层30的反射率，在记录膜32未记录状态下为
使透射率约为80％而进行设定。
另外，第一介电薄膜31的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜32的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+36sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜33的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用DC电源(2kW)进行。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜21，适用了
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)，
Zr9.0Mg0.6Zn14.4Sn14.4O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.6Zn18.6Sn9.8Ga2.0O59.8(原子％)
Zr8.8Mg0.6Zn13.0Sn14.0Ga2.0O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr8.8Mg0.8Zn14.0Sn14.3Ga0.8O61.3(原子％)
Zr13.2Mg1.2Zn14.0Sn9.6Ga0.6O61.4(原子％)
Zr7.3Mg0.6Zn19.4Sn11.9Ga0.9O59.9(原子％)
Zr11.0Mg1.0Zn19.5Sn8.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr9.2Ca0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)和
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Al0.9O59.6(原子％)。这些盘No.分别为11-101～11-111。
在此11-101～11-111和比较例2-1中，进行实施例5中说明的8倍速的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表33中。
【表33】
在盘No.11-101～11-111中，相对于比较例2-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表34中。
【表34】
在盘No.11-101～11-111中，相对于比较例2-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例13)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用与表35和表36所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式的实质上由W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用与表35和表36所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下是
透射率约为77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例12同样。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。L0层10的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。依次通过溅射法进行如下成膜：作为L1层20的第一介电薄膜21，使用与表37和表38所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜17nm，作为记录膜22，使用本发明的实施方式中的实质上由W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O构成的靶，使W31Cu18Ta16Zn16Mn19-O成膜35nm，作为第二介电薄膜23，使用与表37和表38所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm。
在波长405nm的激光6中，没有L2层30时的L1层20的反射率，在记录膜22未记录状态下为
透射率约为77％。
另外，第一介电薄膜21的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜22的成膜，在Ar+O2的混合气体(流量：12+36sccm)气氛中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜23的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中使用脉冲DC电源(3kW)进行。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例12同样。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜21和第二介电薄膜23，适用了
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)
Zr9.0Mg0.6Zn14.4Sn14.4O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.6Zn18.6Sn9.8Ga2.0O59.8(原子％)
Zr8.8Mg0.6Zn13.0Sn14.0Ga2.0O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr8.8Mg0.8Zn14.0Sn14.3Ga0.8O61.3(原子％)
Zr13.2Mg1.2Zn14.0Sn9.6Ga0.6O61.4(原子％)
Zr7.3Mg0.6Zn19.4Sn11.9Ga0.9O59.9(原子％)
Zr11.0Mg1.0Zn19.5Sn8.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr9.2Ca0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)和
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Al0.9O59.6(原子％)。这些盘No.分别为11-201～11-211。
在此11-201～11-211和比较例2-1中，进行实施例5中说明的8倍速的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表35和36中。
【表35】
【表36】
在盘No.11-201～11-211中，相对于比较例2-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表37和38中。
【表37】
【表38】
在盘No.11-201～11-211中，相对于比较例2-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例14)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。
在此基板1上形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用与表39所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O构成的靶，使W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O成膜34nm，作为第二介电薄膜13，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜10nm。
在波长405nm的激光6中，没有L1层20和L2层30时的L0层10的反射率，在未记录状态下为
第一介电薄膜11的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用DC电源(2kW)进行。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L1层20上，形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例12同样。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。
在此基板1上形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用与表40所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O构成的靶，使W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O成膜34nm，作为第二介电薄膜13，使用实质上由(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)构成的靶，使(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50(mol％)成膜10nm。
在波长405nm的激光6中，没有L1层20和L2层30时的L0层10的反射率，在未记录状态下为
第一介电薄膜11的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用DC电源(2kW)进行。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例12同样。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜11，适用了
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)，
Zr9.0Mg0.6Zn14.4Sn14.4O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.6Zn18.6Sn9.8Ga2.0O59.8(原子％)
Zr8.8Mg0.6Zn13.0Sn14.0Ga2.0O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr8.8Mg0.8Zn14.0Sn14.3Ga0.8O61.3(原子％)
Zr13.2Mg1.2Zn14.0Sn9.6Ga0.6O61.4(原子％)
Zr7.3Mg0.6Zn19.4Sn11.9Ga0.9O59.9(原子％)
Zr11.0Mg1.0Zn19.5Sn8.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr9.2Ca0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)和
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Al0.9O59.6(原子％)。这些盘No.分别为12-101～12-111。
在此12-101～12-111和比较例3-1中，进行实施例7中说明的8倍速的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表39中。
【表39】
在盘No.12-101～12-111中，相对于比较例3-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表40中。
【表40】
在盘No.12-101～12-111中，相对于比较例3-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
(实施例15)
在本实施例中，说明图1所示的信息记录介质100的另一例。以下，是本实施例的信息记录介质100的制造方法。
首先说明A面信息记录介质101的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。
在此基板1上，形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用与表41和表42所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O构成的靶，使W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O成膜34nm，作为第二介电薄膜13，使用与表41和表42所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜10nm。
在波长405nm的激光6中，没有L1层20和L2层30时的L0层10的反射率，在未记录状态下为
第一介电薄膜11的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用脉冲DC电源(3kW)进行。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例12同样。
其后，将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，说明B面信息记录介质102的构成。
作为基板1使用与实施例1同样的基板。
在此基板1上形成L0层10。依次通过溅射法进行如下成膜：作为第一介电薄膜11，使用与表43所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜13nm，作为记录膜12，使用实质上由W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O构成的靶，使W31Cu19Ta22Zn5Mn23-O成膜34nm，作为第二介电薄膜13，使用与表44所述的各个组成相对应的靶，使本发明的实施方式的电介质成膜10nm。
在波长405nm的激光6中，没有L1层20和L2层30时的L0层10的反射率，在未记录状态下为
第一介电薄膜11的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用脉冲DC电源(4kW)进行。记录膜12的成膜，在Ar+O2的混合气体气氛(流量：12+30sccm)中使用脉冲DC电源(5kW)进行。第二介电薄膜13的成膜，在Ar气氛(流量：12sccm)中，使用脉冲DC电源(3kW)进行。
接着，在L0层10上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层2。中间分离层2的构成和制造方法与实施例1同样。
其次，在中间分离层2上形成L1层20。L1层20的构成和制造方法与实施例10同样。
接着，在L1层20上形成设有螺旋状的导槽(深度27nm，轨道间距(岸台-沟槽间距离)0.225μm)的中间分离层3。中间分离层3的构成和制造方法与实施例1同样。
在中间分离层3上形成L2层30。L2层30的构成和制造方法与实施例12同样。
其后将紫外线固化树脂涂布在第二介电薄膜33上，旋涂后，利用紫外线使树脂固化，形成约57μm的保护层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101的基板1的与设有导槽的面相反侧的面，均匀地涂布紫外线固化树脂，与B面信息记录介质102的基板1的设有导槽的面为相反侧的面贴合，利用紫外线使树脂固化，形成粘合层5(厚度约35μm)。
如此制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100的一例，所制作的信息记录介质100，其A面信息记录介质101和B面信息记录介质102的第一介电薄膜11和第二介电薄膜13，适用了
Zr9.5Mg0.6Zn20.1Sn10.1O59.7(原子％)
Zr9.0Mg0.6Zn14.4Sn14.4O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.6Zn18.6Sn9.8Ga2.0O59.8(原子％)
Zr8.8Mg0.6Zn13.0Sn14.0Ga2.0O61.6(原子％)
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr8.8Mg0.8Zn14.0Sn14.3Ga0.8O61.3(原子％)
Zr13.2Mg1.2Zn14.0Sn9.6Ga0.6O61.4(原子％)
Zr7.3Mg0.6Zn19.4Sn11.9Ga0.9O59.9(原子％)
Zr11.0Mg1.0Zn19.5Sn8.0Ga0.9O59.6(原子％)
Zr9.2Ca0.8Zn19.5Sn10.0Ga0.9O59.6(原子％)和
Zr9.2Mg0.8Zn19.5Sn10.0Al0.9O59.6(原子％)。这些盘No.分别为12-201～12-211。
在此12-201～12-211和比较例3-1中，进行实施例7中说明的8倍速的再生耐久性的评价。
A面信息记录介质101的结果显示在表41和42中。
【表41】
【表42】
在盘No.12-201～12-211中，相对于比较例3-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
B面信息记录介质102的结果显示在表43和44中。
【表43】
【表44】
在盘No.12-201～12-211中，相对于比较例3-1而言，均能够得到再生耐久性非常良好的结果，能够确认本发明的实施方式的信息记录介质的再生耐久性提高的效果。
在以上的实施例中，记录再生的评价基于数据位长47.7nm的信号进行，但如果在10％左右，则也可以使用数据位长不同的信号，无论在哪个实施例中，都能够得到同样的评价结果。
产业上的可利用性
本发明的信息记录介质及其制造方法，因其构成为，具有给予更高的再生光量进行显示的信息层，所以适合以高记录密度记录信息，对于记录大容量的内容的光盘有用。具体来说，对于按照档案光盘规格，在两面具有3层至4层的信息层的下一代的光盘(例如，记录容量500GB)有用。
详细并参照特定的实施方式说明了本发明，但能够不脱离本发明的精神和范围进行各种变更和修改，这对于从业者来说很清楚。
本申请基于2018年8月9日申请的日本专利申请(特愿2018-150255)，其内容在此作为参照编入。
符号说明
100 信息记录介质
101 A面信息记录介质
102 B面信息记录介质
10 L0层
20 L1层
30 L2层
11、21、31 第一介电薄膜
12、22、32 记录膜
13、23、33 第二介电薄膜
1 基板
2、3 中间分离层
4 保护层
5 粘合层
6 激光
Claims (14)
1.一种信息记录介质，其含2个以上的信息层，通过激光的照射记录或再生信息，其中，
将所述2个以上的信息层之中的至少一个信息层作为第一信息层，所述第一信息层，从距被所述激光照射的面的远侧朝向近侧，按顺序包含第一介电薄膜和记录膜，
所述第一介电薄膜至少含Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr、氧和所述元素D1的原子数共计为100原子％时，含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有所述元素D1为10原子％以上且43原子％以下，
所述记录膜至少含有W、Cu、Mn和氧，还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
所述第一介电薄膜还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
3.根据权利要求1或2所述的信息记录介质，其中，所述第一介电薄膜还含有从Ga和Al中选择的至少一种元素D3，将Zr、氧、所述元素D1、所述元素D2和所述元素D3的原子数共计为100原子％时，含有所述元素D3为7原子％以下。
4.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述第一信息层，从距被所述激光照射的面的远侧朝向近侧，按顺序包含所述第一介电薄膜、所述记录膜和第二介电薄膜，所述第二介电薄膜至少含有Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1，将Zr、氧和所述元素D1的原子数共计为100原子％时，含有Zr为3原子％以上且26原子％以下，含有所述元素D1为10原子％以上且43原子％以下。
5.根据权利要求4所述的信息记录介质，其中，所述第二介电薄膜还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
6.根据权利要求4或5所述的信息记录介质，其中，所述第二介电薄膜还含有从Ga和Al中选择的至少一种元素D3，将Zr、氧、所述元素D1、所述元素D2和所述元素D3的原子数共计为100原子％时，含有所述元素D3为7原子％以下。
7.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述第一信息层，从距被所述激光照射的面的远侧朝向近侧，按顺序包含所述第一介电薄膜、所述记录膜和第二介电薄膜，所述第二介电薄膜至少含有Zr、氧和In。
8.根据权利要求7所述的信息记录介质，其中，所述第二介电薄膜还含有从Si、Y、Ca和Mg中选择的至少一种元素D2。
9.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述记录膜中的W、Cu、Mn和所述元素M，满足下式(1)：
WxCuyMnzM100－x－y－z(原子％) (1)
所述式(1)中，15≤x＜60、0＜y≤30、10≤z≤40，并且，10≤100－x－y－z≤50。
10.根据权利要求1或9所述的信息记录介质，其中，所述记录膜的所述元素M是从Ta和Zn中选择的至少一种。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的信息记录介质，其中，所述第一信息层，与从所述激光照射面看配置在最远位置的信息层相比，被配置在靠近所述激光照射面的位置。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的信息记录介质，其中，所述第一信息层配置在最靠近所述激光照射面的位置。
13.一种信息记录介质的制造方法，是含2个以上的信息层的信息记录介质的制造方法，其中，
包括分别形成所述2个以上的信息层的工序，
在将所述2个以上的信息层之中的至少一个信息层作为第一信息层，形成所述第一信息层的工序中，至少包括形成第一介电薄膜的工序，和形成记录膜的工序，
在形成所述第一介电薄膜的工序中，形成至少含有Zr和氧，还含有从Zn和Sn中选择的至少一种元素D1的第一介电薄膜，
在形成所述记录膜的工序中，形成至少含有W、Cu和Mn，还含有从Zn、Nb、Mo、Ta和Ti中选择的至少一种元素M的记录膜，
形成所述第一介电薄膜的工序和形成所述记录膜工序，通过使用了DC电源的溅射实施。
14.根据权利要求13所述的信息记录介质的制造方法，其中，在形成所述第一介电薄膜的工序中所形成的所述第一介电薄膜，还含有从Si、Y、Ca和Mg选择的至少一种元素D2。
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