WO2016129237A1 - 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

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WO2016129237A1
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sno
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film
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晶夫 槌野
理恵 児島
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Definitions

  • the present disclosure relates to a high-density information recording medium for recording or reproducing information by optical means and a method for manufacturing the same.
  • Optical information recording media that have been commercialized so far include CD (Compact Disk), DVD (Digital Versatile Disk), and BD (Blu-ray (registered trademark) Disc).
  • CD Compact Disk
  • DVD Digital Versatile Disk
  • BD Blu-ray (registered trademark) Disc
  • the BD-XL standard media As one of the BDs, media with a capacity of 100 GB conforming to the BD-XL standard has been commercialized.
  • the BD-XL standard media three information layers are provided, and the recording density per information layer is 33.4 GB, thereby achieving a high density of 100 GB.
  • the capacity per medium is 300 GB or more by further increasing the linear density and adopting Land / Groove recording.
  • the above-described large-capacity medium is an optimal medium for data archiving that stores important large-capacity data such as official documents, medical images, and video images for a long period of time.
  • a write-once information recording medium is suitable as a medium used for such data archiving.
  • Various recording film materials are applied to write-once information recording media. For example, Te—O—Pd using a crystal-amorphous phase change (see Patent Document 1) and a mark (pit) are formed by bubbles. And W—O (see Patent Document 2) and Ge—Bi—O (see Patent Document 3).
  • a dielectric film is provided to optimize the optical design such as recording sensitivity and modulation degree, or to protect the recording film material from the influence of moisture and the like. ing.
  • the material constituting the dielectric film include ZnS—SiO 2 and ITO (Indium Tin Oxide).
  • Japanese Patent No. 3752177 JP 2012-161941 A Japanese Patent No. 3802040
  • An object of the present disclosure is an optical information recording medium provided with an information layer having a recording film containing tungsten (W) and oxygen (O), and an optical with improved recording characteristics (shelf characteristics) after long-term storage It is to provide an information recording medium.
  • An information recording medium is a write-once information recording medium that includes a substrate and a plurality of information layers, and records or reproduces information by irradiation with laser light, and the recording film of at least one information layer includes A dielectric film A that is a WO recording film containing at least tungsten (W) and oxygen (O), and is in contact with the WO recording film and contains 30 mol% or more of tin oxide. This is an information recording medium.
  • the method of manufacturing the information recording medium according to the present disclosure includes two or more steps of forming an information layer, and the step of forming at least one information layer includes W— containing tungsten (W) and oxygen (O).
  • the information recording medium of the present disclosure has good shelf characteristics as well as good signal characteristics and good signal storage stability.
  • an information recording medium that exhibits good signal characteristics, good signal storage stability, and good shelf characteristics can be manufactured.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an information recording medium according to Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the information recording medium in the second embodiment of the present disclosure.
  • the present inventors have found a problem in recording characteristics (shelf characteristics) after long-term storage in an information recording medium having a recording film containing tungsten (W) and oxygen (O).
  • W tungsten
  • O oxygen
  • the portion where the bubble is formed in the recording film changes optically and the volume also changes in the expansion direction, so that a very large modulation degree can be generated as a signal characteristic.
  • the formation of bubbles is an irreversible change, it is excellent in long-term pit storage.
  • the bonding state of each element in the recording film changes in an unrecorded portion, resulting in a change in optical characteristics and / or physical hardness.
  • the characteristics obtained immediately after the fabrication may not be obtained.
  • the recording sensitivity of the shelf characteristics may deteriorate and / or i-MLSE (Integrated-Maximum Likelihood Sequence Estimation) may deteriorate.
  • the degree of deterioration of this shelf characteristic tends to increase as the amount of W in the recording film increases.
  • the information layer close to the laser irradiation side transmits a laser to the back information layer, and in order to ensure highly sensitive recording and reproduction in the back information layer, Need to have a rate.
  • the deterioration of shelf characteristics becomes larger as the information layer is closer to the laser irradiation side.
  • the present inventors have devised a dielectric material that hardly changes the structure of the recording film containing W and O even when stored for a long period of time, or promotes bubble formation during recording. Specifically, the present inventors can obtain good shelf characteristics by providing a dielectric film made of a dielectric material containing 30 mol% or more of tin oxide in contact with a recording film containing W and O. I found.
  • a first aspect of the present disclosure is a write-once information recording medium that includes a substrate and a plurality of information layers, and records or reproduces information by irradiation with laser light, and records at least one information layer
  • the film is a WO recording film containing at least tungsten (W) and oxygen (O), and a dielectric film A containing 30 mol% or more of tin oxide is provided in contact with the WO recording film. It is an information recording medium.
  • the second aspect of the present disclosure is the information recording medium according to the first aspect, in which the tin oxide is SnO 2 .
  • the tin oxide is SnO 2
  • the transmittance of the information layer tends to be higher, and better shelf characteristics tend to be obtained.
  • the dielectric film A includes the element M0 (where M0 is Si, Ge, Al, Ga, In, Zn, Sb, Bi, Cr, V, Nb, Ta, Ti, Zr). , At least one element selected from Hf and Y).
  • M0 is Si, Ge, Al, Ga, In, Zn, Sb, Bi, Cr, V, Nb, Ta, Ti, Zr.
  • Hf and Y At least one element selected from Hf and Y.
  • the WO recording film has an element M1 (where M1 is Ge, Al, Zn, Bi, Te, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Mn , At least one element selected from Ta, Cr and Mo).
  • M1 is Ge, Al, Zn, Bi, Te, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Mn , At least one element selected from Ta, Cr and Mo.
  • the information recording medium according to any one of the first to fourth aspects is provided with an In 2 O 3 —SnO 2 dielectric film that is contained at a ratio of less than%. In this embodiment, there is a tendency that a higher modulation degree and higher recording sensitivity can be obtained.
  • an information layer that has N (where N is a positive integer) information layers and is closest to the surface of the information recording medium irradiated with the laser light is an Nth information layer, a substrate Any one of the first to fifth aspects in which at least the Nth information layer has a WO recording film and a dielectric film A when the information layer closest to is the first information layer. It is an information recording medium of one mode. Shelf characteristics tend to deteriorate in the information layer close to the laser irradiation side. Therefore, by providing at least the Nth information layer with the dielectric film A, the shelf characteristics of the Nth information layer are not greatly deteriorated compared with those of the other information layers, and the overall shelf characteristics are good. A medium can be obtained.
  • a seventh aspect of the present disclosure is the information recording medium according to any one of the first to sixth aspects, which has information layers on both sides through a substrate. According to this configuration, the capacity of the information recording medium can be increased.
  • a plurality of information layers have guide grooves, a groove on the side close to the surface irradiated with laser light is defined as a groove, and a gap between grooves on the side far from the surface irradiated with laser light is defined.
  • the information recording medium according to any one of the first to seventh aspects, wherein information is recorded at positions corresponding to both the groove and the land in each recording film of the plurality of information layers. . According to this configuration, the capacity of the information recording medium can be increased.
  • a ninth aspect of the present disclosure is a method for manufacturing an information recording medium, which includes two or more steps of forming an information layer, and the step of forming at least one information layer includes tungsten (W) and oxygen (O). And a step (i) of forming a dielectric film A containing 30 mol% or more of tin oxide, wherein the step (i) includes W and O.
  • the method of manufacturing an information recording medium includes performing sputtering using a target including, and step (ii) includes performing sputtering using a target including Sn and O. According to this aspect, the information recording medium of the first aspect can be obtained.
  • a tenth aspect of the present disclosure is the method for manufacturing an information recording medium according to the ninth aspect, in which a DC reactive sputtering method to which oxygen is added is used in step (i). Since the DC (Direct Current) reactive sputtering method to which oxygen is added can be expected to have a high film formation rate, according to this aspect, the production tact of the information recording medium can be shortened and the manufacturing cost can be reduced.
  • a DC reactive sputtering method to which oxygen is added is used in step (i). Since the DC (Direct Current) reactive sputtering method to which oxygen is added can be expected to have a high film formation rate, according to this aspect, the production tact of the information recording medium can be shortened and the manufacturing cost can be reduced.
  • the eleventh aspect of the present disclosure is the method for manufacturing an information recording medium according to the ninth or tenth aspect, using a DC sputtering method in step (ii).
  • a DC sputtering method that can be expected to have a high deposition rate, the production tact of the information recording medium can be shortened and the manufacturing cost can be reduced.
  • FIG. 1 shows a cross section of the optical information recording medium.
  • information layers for recording and reproducing information are provided on the both sides of the substrate 1 with three layers in total, for a total of six layers, and the laser beam 6 is irradiated from the cover layer 4 side.
  • a multilayer optical information recording medium capable of recording and reproducing information in each information layer.
  • the laser beam 6 is a blue-violet laser beam having a wavelength of about 405 nm.
  • the information recording medium 100 is a double-sided information recording medium in which an A-side information recording medium 101 called A-side and a B-side information recording medium 102 called B-side are bonded together. Two information recording media, the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102, are bonded by the bonding layer 5 on the back surface of the substrate 1 (the side opposite to the surface having the information layer). .
  • the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 are respectively a first information layer 10, a second information layer 20, and a third information that are sequentially stacked on the substrate 1 via the intermediate separation layers 2 and 3. It has a layer 30 and further has a cover layer 4 provided in contact with the third information layer 30.
  • the second information layer 20 and the third information layer 30 are transmissive information layers.
  • the information recording medium 100 when the guide grooves are formed on the substrate 1, in this specification, between the grooves near the surface irradiated with the laser light 6, that is, on the surface side of the A-side information recording medium 101,
  • the space between the grooves and the groove on the surface side of the B-side information recording medium 102 are called “grooves” for the sake of convenience.
  • the groove on the side and the groove on the surface side of the B-side information recording medium 102 are called “land” for convenience. If pits are formed in the recording film at positions corresponding to both the groove and land, that is, if land-groove recording is performed, for example, the capacity per information layer can be reduced to 50 GB.
  • the information recording medium 100 can record and reproduce information in six information layers, the information recording medium 100 can be provided with a capacity of 300 GB.
  • the guide groove may also be formed in the intermediate separation layers 2 and 3 as described later. In particular, when land-groove recording is performed in the second information layer 20 and the third information layer 30, it is preferable to form guide grooves in the intermediate separation layers 2 and 3.
  • the effective reflectances of the three information layers adjust the reflectances of the first information layer 10, the second information layer 20, and the third information layer 30, and the transmittances of the second information layer 20 and the third information layer 30, respectively. Can be controlled.
  • the reflectance of each information layer measured in a state where three information layers are stacked is defined as an effective reflectance. Unless stated otherwise, unless stated as “effective”, it refers to the reflectance measured without lamination.
  • Rg represents the groove reflectance in the unrecorded state of the groove
  • Rl represents the groove reflectance in the unrecorded state of the land.
  • the effective Rg of the first information layer 10 is 3.5%
  • the effective Rl is 3.7%
  • the effective Rg of the second information layer 20 is 5.0%
  • the effective Rl is 5.
  • a configuration designed so that the effective Rg of the third information layer 30 is 6.5% and the effective Rl is 6.8% will be described.
  • the transmittance of the third information layer 30 is 79% and the transmittance of the second information layer 20 is 75%
  • the first information layer 10 has an Rg of 10.0%, an Rl of 10.5%
  • the layer 20 is designed so that Rg is 8.0%, Rl is 8.4%
  • the third information layer 30 is designed so that Rg is 6.5% and Rl is 6.8%
  • the above-described reflectance is obtained. be able to.
  • the transmittance indicates an average value in the groove portion and the land portion when the recording film is in an unrecorded state.
  • the substrate 1 is a disc-shaped transparent substrate.
  • a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA (Poly Methyl Methacrylate), or glass can be used.
  • An uneven guide groove for guiding the laser beam may be formed on the surface of the substrate 1 on the first information layer 10 side as necessary.
  • the thickness of the substrate 1 is about 0.5 mm, for example, and the diameter is about 120 mm, for example.
  • the groove near the laser beam 6 is called “groove”, and the gap between the grooves far from the laser beam 6 is called “land”.
  • the level difference between the groove surface and the land surface is, for example, not less than 10 nm and not more than 30 nm.
  • the distance between the groove and the land (the distance between the center in the width direction of the groove and the center in the width direction of the land adjacent to the groove) is about 0.225 ⁇ m. It is not limited to.
  • the intermediate separation layers 2 and 3 are made of a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric. If the intermediate separation layers 2 and 3 have a small light absorption with respect to the laser beam having the wavelength ⁇ used for recording and reproduction, the laser beam 6 efficiently reaches the first information layer 10 and the second information layer 20. be able to.
  • a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric.
  • an uneven guide groove may be formed on the laser beam incident side.
  • the steps of the guide grooves provided in the intermediate separation layers 2 and 3 and the distance between the grooves and lands are as described for the guide grooves provided in the substrate 1.
  • the distance between the grooves and lands is about Although it is 0.225 ⁇ m, it is not limited to this.
  • the cover layer 4 is made of, for example, a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin), a resin such as a slow-acting thermosetting resin, or a dielectric.
  • the cover layer 4 may have a small light absorption with respect to the laser light to be used. More specifically, the cover layer 4 may be formed using a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA, or glass.
  • the cover layer 4 is made of, for example, a plate-like member using a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin as an adhesive. It may be formed by bonding to the second dielectric film 33 in the information layer 30.
  • the bonding layer 5 is made of, for example, a resin such as a photo-curing resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, and the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 are bonded to each other. .
  • a film for shielding the laser beam 6 may be provided on the bonding layer 5.
  • the total thickness of the intermediate separation layers 2 and 3 and the cover layer 4 may be set to 100 ⁇ m.
  • the intermediate separation layer 2 may be set to have a thickness of about 25 ⁇ m
  • the intermediate separation layer 3 may have a thickness of about 18 ⁇ m
  • the cover layer 4 may have a thickness of about 57 ⁇ m
  • the bonding layer 5 may have a thickness of about 1 ⁇ m.
  • the first information layer 10 is formed on the surface of the substrate 1 by laminating at least a first dielectric film 11, a recording film 12, and a second dielectric film 13 in this order.
  • the first dielectric film 11 functions to increase the light absorption rate of the recording film 12 by adjusting the optical distance, to increase the change rate of the reflected light amount before and after recording, to increase the signal amplitude, and to record pits. It has the function of increasing the signal amplitude by controlling the swelling. Further, the first dielectric film 11 has a function of suppressing moisture intrusion into the recording film 12 and a function of suppressing escape of oxygen in the recording film to the outside.
  • the first dielectric film 11 is a dielectric film A containing tin (Sn) and oxygen (O) in the form of tin oxide and containing 30 mol% or more of tin oxide. Details of the dielectric film A will be described later in relation to the second dielectric film 23 of the second information layer 20.
  • the first information layer 10 located farthest from the surface on which the laser light enters (the surface of the cover layer 4) has the shelf characteristics of the second and third information layers 20 and 30. It tends to be better than that. It has also been found that the effect of providing the dielectric film A becomes more prominent when the dielectric film A is provided on the side closer to the laser light incident surface.
  • the first dielectric film 11 does not necessarily need to be the dielectric film A, and may be made of an oxide other than tin oxide or another compound. Alternatively, even if the first dielectric film 11 contains tin or tin oxide, the ratio of tin or the ratio of tin oxide may be lower than the ratio defined above.
  • Examples of the material of the first dielectric film 11 include SiO 2 , ZnO, SnO 2 , Cr 2 O 3 , In 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Bi 2 O 3, Ga 2 O 3 , and Al 2 O 3. , TiO 2, Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5, Y 2 O 3, ZrO 2, oxides such as HfO 2 and Dy 2 O 3, CN, TiN , ZrN, Si 3 N 4, GeN, AlN, Ge Nitride such as —Si—N and Ge—Cr—N, carbide such as SiC, sulfide such as ZnS, and fluoride such as LaF 3 , CeF 3 and YF 3 can be used.
  • the first dielectric film 11 may be made of a mixture of two or more compounds selected from these compounds.
  • ITO In 2 O 3 —SnO 2
  • ZnO—SnO 2 ZrO 2 —Y 2 O 3
  • ZrO 2 —SiO 2 —ZnO ZrO 2 —In 2 O 3
  • ZrO 2 —SiO ZrO 2 —SiO.
  • those having conductivity when manufactured as a sputtering target enable film formation by DC sputtering, and a high film formation rate can be expected when the first dielectric film 11 is formed. This can lead to cost reduction of the recording medium.
  • the compound having conductivity is, for example, In 2 O 3 and SnO 2 .
  • the thickness of the first dielectric film 11 may be, for example, 5 nm to 50 nm.
  • the composition of the first dielectric film 11 is, for example, an X-ray microanalyzer (XMA: X-ray MicroAnalyser), an electron beam microanalyzer (EPMA: Electron Probe MicroAnalyzer), or Rutherford Backscattering Spectrometer (RBS). Can be analyzed.
  • XMA X-ray MicroAnalyser
  • EPMA Electron Probe MicroAnalyzer
  • RBS Rutherford Backscattering Spectrometer
  • the first dielectric film 11 formed by sputtering includes a rare gas (Ar, Kr, Xe), moisture (O—H), organic matter (C), air (N, O), and a sputtering chamber present in the sputtering atmosphere.
  • the components (metals) of the jig arranged in the metal and impurities (metals, metalloids, semiconductors, dielectrics) contained in the sputtering target are inevitably contained, and the unavoidable components may be detected by these analysis methods. .
  • These inevitable components may be included with 10 atom% as the upper limit when all atoms contained in the first dielectric film 11 are 100 atom%.
  • the first dielectric film 11 only needs to satisfy a predetermined composition ratio except for components inevitably included. This is similarly applied to the first dielectric films 21 and 31 and the second dielectric films 13, 23 and 33 which are other dielectric films described later.
  • the recording film 12 is a W—O type recording film that contains W and O, and is made of a material that forms bubbles by O being separated and combined by laser light irradiation, for example. It is preferable that W is contained in 3 atomic% or more (10 atomic% in the ratio of metal elements excluding O) and O is contained in 40 atomic% or more.
  • the recording film 12 is further selected from the element M1 (where M1 is selected from Ge, Al, Zn, Bi, Te, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Mn, Ta, Cr, and Mo). At least one element), whereby better signal characteristics can be obtained.
  • M1 is selected from Ge, Al, Zn, Bi, Te, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Mn, Ta, Cr, and Mo. At least one element), whereby better signal characteristics can be obtained.
  • Zn can maintain good signal characteristics and improve transmittance.
  • light can be efficiently absorbed in the recording film 12 to facilitate bubble formation, thereby improving the degree of signal modulation. .
  • At least one element selected from Cu and Ag enables light to be efficiently absorbed in the recording film 12 and has high conductivity, so that the recording film 12 is formed by DC sputtering. High stability (sustainability) can be brought about.
  • the thickness of the recording film 12 may be, for example, 15 nm to 50 nm.
  • composition of the recording film 12 can be analyzed by, for example, an X-ray microanalyzer (XMA), an electron beam microanalyzer (EPMA), or Rutherford backscattering analysis (RBS).
  • XMA X-ray microanalyzer
  • EPMA electron beam microanalyzer
  • RBS Rutherford backscattering analysis
  • the recording film 12 formed by sputtering is disposed in a sputtering chamber in which noble gases (Ar, Kr, Xe), moisture (O—H), organic matter (C), air (N, O) are present in the sputtering atmosphere.
  • noble gases Ar, Kr, Xe
  • moisture O—H
  • organic matter C
  • air N, O
  • Components (metals) and impurities metal, semi-metals, semiconductors, dielectrics) contained in the sputtering target are inevitably included. These inevitable components are ICP (Inductivity Coupled Plasma) emission spectroscopic analysis, XMA And may be detected by analysis such as EPMA.
  • ICP Inductivity Coupled Plasma
  • XMA Inductivity Coupled Plasma
  • the recording film 12 only needs to satisfy a predetermined composition ratio except for components inevitably included. This applies similarly to recording films 22 and 32 described later.
  • the second dielectric film 13 functions to increase the light absorption rate of the recording film 12 by adjusting the optical distance, and to increase the rate of change in the amount of reflected light before and after recording, thereby increasing the signal amplitude. And the function of increasing the signal amplitude by controlling the swelling of the recording pits.
  • the second dielectric film 13 has a function of suppressing moisture intrusion into the recording film 12 and a function of suppressing escape of oxygen in the recording film to the outside.
  • the second dielectric film 13 may be the dielectric film A, or may be made of an oxide other than tin oxide or another compound. Alternatively, even if the second dielectric film 13 contains tin or tin oxide, the ratio of tin or the ratio of tin oxide may be lower than those in the dielectric film A.
  • the second dielectric film 13 like the first dielectric film 11, constitutes the first information layer 10 having relatively good shelf characteristics, and therefore does not necessarily need to be the dielectric film A. Since the compound suitable for constituting the second dielectric film 13 and the combination thereof are as described above in relation to the first dielectric film 11, the details thereof are omitted here.
  • the thickness of the second dielectric film 13 may be, for example, 5 nm to 50 nm.
  • Specific thicknesses of the first dielectric film 11, the recording film 12, and the second dielectric film 13 can be designed by calculation based on a matrix method. By adjusting the thickness of each film, the rate of change in the amount of reflected light between when the recording film 12 is not recorded and when it is recorded is increased, and / or the reflected light between the recorded part and the unrecorded part is increased. It is possible to adjust the phase difference to optimize the signal quality of the reproduced signal.
  • the second information layer 20 is formed by laminating at least a first dielectric film 21, a recording film 22, and a second dielectric film 23 in this order on the surface of the intermediate separation layer 2.
  • the function and shape of the first dielectric film 21 are the same as those of the first dielectric film 11 of the first information layer 10 described above, and are similar to the materials exemplified in relation to the first dielectric film 11. Can be used.
  • the shelf characteristics tend to be lower than that of the first information layer 10. Therefore, by using the first dielectric film 21 as the dielectric film A, it is possible to further improve the shelf characteristics of the second information layer 20.
  • the shelf characteristics of the second information layer 20 are more easily affected by the second dielectric film 23 than the first dielectric film 21, and if the second dielectric film 23 is a dielectric film A as described later, The first dielectric film 21 is not necessarily required to be the dielectric film A.
  • the function and shape of the recording film 22 are the same as those of the recording film 12 of the first information layer 10 described above, and can be formed using the same material as that exemplified in relation to the recording film 12.
  • the second information layer 20 needs to pass a laser beam when recording and reproducing on the first information layer 10. Therefore, the amount of W in the recording film 22 may be increased from the amount of W in the recording film 12 to increase the transmittance of the laser light. Specifically, the W amount in the recording film 22 may be 6 atomic% or more (20 atomic% in the ratio of metal elements excluding O).
  • the second dielectric film 23 may be a dielectric film A.
  • the shelf characteristics of the information layer tend to deteriorate. Further, the shelf characteristics are easily influenced by the dielectric film on the side close to the incident surface of the laser light, out of the two dielectric films provided in contact with the recording film. Therefore, the deterioration of the shelf characteristics of the second information layer 20 can be more effectively suppressed by applying the dielectric film A containing tin or tin oxide at a high ratio to the second dielectric film 23.
  • Dielectric film A contains 30 mol% or more of tin oxide. In order to obtain better shelf characteristics, the dielectric film A may contain 50 mol% or more of tin oxide.
  • the tin oxide may be any of SnO, SnO 2 and Sn 3 O 4 . In particular, SnO 2 is stable and has high transparency to laser light.
  • the second dielectric film 23 When the second dielectric film 23 is the dielectric film A, the second dielectric film 23 has an element M0 (where M0 is Si, Ge, Al, Ga, In, etc.) in order to improve transmittance and recording sensitivity. Zn, Sb, Bi, Cr, V, Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, and Y.
  • the element M0 may be included in the form of an oxide.
  • the second dielectric film 23 can be formed at a high film formation rate by DC sputtering.
  • the sputtering target (and hence the dielectric film A formed using the target) is selected from In 2 O 3 , ZnO, and Nb 2 O 5 in addition to tin oxide. One or more oxides may be included.
  • the element M0 is in the form of one or more oxides selected from SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , and ZrO 2 , and the second dielectric It may be included in the membrane 23.
  • the ratio of the oxide of element M0 in the dielectric film is not particularly limited as long as the ratio of tin oxide is within the above range, and may be, for example, 20 mol% to 70 mol%.
  • the ratio of the oxide is, for example, 20 mol% to 70 mol. By setting the ratio to%, better conductivity can be obtained.
  • the ratio is set to 20 mol% to 70 mol%, for example.
  • the rate can be higher.
  • the second dielectric film 23 is the dielectric film A
  • specific examples of combinations of oxides forming the dielectric film A are SnO 2 —SiO 2 , SnO 2 —GeO 2 , SnO 2 —Al 2.
  • O 3 SnO 2 -Ga 2 O 3, SnO 2 -In 2 O 3, SnO 2 -ZnO, SnO 2 -Sb 2 O 3, SnO 2 -Bi 2 O 3, SnO 2 -Cr 2 O 3, SnO 2 -V 2 O 5, SnO 2 -Nb 2 O 5, SnO 2 -Ta 2 O 5, SnO 2 -TiO 2, SnO 2 -ZrO 2, SnO 2 -HfO 2, SnO 2 -Y 2 O 3, SnO 2 —In 2 O 3 —SiO 2 , SnO 2 —In 2 O 3 —GeO 2 , SnO 2 —In 2 O 3 —Al 2 O
  • the second dielectric film 23 is not necessarily the dielectric film A. If the dielectric film A is provided in contact with the recording film containing W and O in the other information layers, the second dielectric film 23 is used.
  • the body film 23 may be formed of one compound selected from the oxides, carbides, sulfides and fluorides described in relation to the first dielectric film 11 of the first information layer 10, or a mixture thereof.
  • the specific examples of the compound suitable for forming the dielectric film A and the combination thereof are as described above with reference to the first dielectric film 11. The details are omitted here.
  • the first dielectric film 21 is In 2 O 3 —SnO 2 (ITO) (provided that the proportion of SnO 2 is less than 30 mol%, for example, 15 mol% to 20 mol%). ). Since ITO contains a high proportion of In 2 O 3 having high conductivity, it can be efficiently formed by DC sputtering.
  • the third information layer 30 is formed by laminating at least a first dielectric film 31, a recording film 32, and a second dielectric film 33 in this order on the surface of the intermediate separation layer 3.
  • the configuration of the third information layer 30 is basically the same as that of the second information layer 20.
  • the first dielectric film 31 has the same function and shape as the first dielectric film 21 of the second information layer 20. Further, the first dielectric film 21 can be formed using the same material as that exemplified in relation to the first dielectric film 11 of the first information layer 10, similarly to the first dielectric film 21. .
  • the function and shape of the recording film 32 are the same as those of the recording film 22 of the second information layer 20, and are the same as the materials exemplified in relation to the recording film 12 of the first information layer 10, similar to the recording film 22. It can be formed using a material.
  • the third information layer 30 needs to pass a laser beam when recording and reproducing on the first and second information layers 10 and 20. Therefore, the W amount of the recording film 32 may be further increased than the W amount of the recording film 22 of the second information layer 20 to increase the laser beam transmittance of the recording film 32. Specifically, the W amount in the recording film 32 may be 8 atomic% or more (25 atomic% in the ratio of metal elements excluding O).
  • the second dielectric film 33 has the same function and shape as the second dielectric film 23 of the second information layer 20.
  • the second dielectric film 33 can be formed using a material similar to the material exemplified in relation to the second dielectric film 23 of the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is closest to the laser light irradiation surface (the surface of the cover layer 4), and is often designed so that the W amount of the recording film 32 is larger than that of other recording films.
  • the shelf characteristics tend to be the lowest. Therefore, in the first embodiment, by using at least the second dielectric film 33 as the dielectric film A, the effect (suppression of the reduction in shelf characteristics) by the dielectric film A can be achieved significantly.
  • the first dielectric film 31 is an In 2 O 3 —SnO 2 (ITO) dielectric film (provided that SnO 2 is contained at a ratio of less than 30 mol%). It may be. As described above, the ITO film can be efficiently formed by DC sputtering.
  • ITO In 2 O 3 —SnO 2
  • the second dielectric film 33 may not be the dielectric film A.
  • the dielectric film A is provided in contact with the recording film containing W and O in the other information layers, the second dielectric film 33 may not be the dielectric film A.
  • the second dielectric film 33 is made of the oxide, carbide, sulfide, and fluoride described in relation to the first dielectric film 11 of the first information layer 10. It may be formed of one selected compound, or a mixture thereof.
  • the second dielectric film 33 is not the dielectric film A
  • the specific examples of the compound suitable for constituting the dielectric film A and the combination thereof are as described above with reference to the first dielectric film 11. The details are omitted here.
  • the recording film of any information layer is another recording film such as Te—O—Pd or Ge—Bi—O, That is, it may be a recording film other than the W—O type recording film.
  • a reflective film and a dielectric film made of a material not exemplified above may be provided as necessary.
  • the effects of the technology according to the present disclosure are also achieved in these modified examples.
  • one or more information layers may be included.
  • the dielectric film A is provided at least in the Nth information layer (N is a positive integer corresponding to the number of information layers)
  • the effect of the present embodiment is remarkably achieved.
  • the effect of the present embodiment can be achieved more remarkably when the dielectric film A is provided at least in the Nth information layer and the (N ⁇ 1) th information layer regardless of the number of N. Since the shelf characteristics are likely to deteriorate in the information layer closer to the laser beam, the difference in the shelf characteristics between the information layers can be easily reduced by providing the dielectric film A on the two information layers close to the laser beam.
  • the recording method of the information recording medium 100 may be any one of Constant Linear Velocity (CLV) having a constant linear velocity, Constant Angular Velocity (CAV) having a constant rotation speed, Zoned CLV, and Zoned CAV.
  • CLV Constant Linear Velocity
  • CAV Constant Angular Velocity
  • Zoned CLV Zoned CAV
  • Zoned CAV Zoned CAV
  • Information recording and reproduction on the information recording medium 100 of the present embodiment may be performed by an optical system having a numerical aperture NA of the objective lens of 0.85, or may be performed by an optical system with NA> 1. .
  • Solid Immersion Lens SIL
  • SIM Solid Immersion Mirror
  • the intermediate separation layers 2 and 3 and the cover layer 4 may have a thickness of 5 ⁇ m or less.
  • an optical system using near-field light may be used.
  • the first dielectric film 11, the recording film 12, and the second dielectric film 13 constituting the first information layer 10 can be formed by a sputtering method which is one of vapor deposition methods.
  • a substrate 1 for example, a thickness of 0.5 mm
  • a film forming apparatus for example, a sputtering method which is one of vapor deposition methods.
  • the first dielectric film 11 is first formed.
  • the first dielectric film 11 is formed of a rare gas atmosphere or a rare gas and a reactive gas, for example, oxygen gas or nitrogen gas, using a sputtering target made of a dielectric or mixed dielectric constituting the first dielectric film 11. It is formed by performing sputtering in the mixed gas atmosphere.
  • the rare gas is, for example, Ar gas, Kr gas, or Xe gas, but Ar gas is advantageous in terms of cost. This applies to any sputtering in which the sputtering atmosphere gas is a rare gas or a mixed gas thereof.
  • DC Direct Current
  • RF Radio Frequency
  • the first dielectric film 11 is formed of a plurality of dielectric materials
  • multi-sputtering in which the dielectric materials are simultaneously deposited from a plurality of cathodes may be performed using the sputtering target of each dielectric material.
  • the recording film 12 can be formed by performing sputtering in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas using a sputtering target made of a W alloy or a W—O alloy depending on the composition.
  • the recording film 12 may be formed by multi-sputtering in which elements are simultaneously deposited from a plurality of cathodes using sputtering targets of respective constituent elements.
  • a second dielectric film 13 is formed on the recording film 12.
  • the second dielectric film 13 is sputtered in a rare gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of a rare gas and a reactive gas by using a sputtering target made of a dielectric or a mixed dielectric constituting the second dielectric film 13. Can be formed.
  • the second dielectric film 13 is formed of a plurality of dielectric materials, multi-sputtering may be performed.
  • the intermediate separation layer 2 is formed on the second dielectric film 13.
  • the intermediate separation layer 2 can be formed by applying a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the first information layer 10 and spin-coating the resin, and then curing the resin. .
  • the resin is cured after spin-coating in a state where the transfer substrate mold having a groove of a predetermined shape formed on the surface is in close contact with the resin before curing, and then
  • the intermediate separation layer 2 may be formed by peeling the transfer substrate from the cured resin.
  • the second information layer 20 is formed. Specifically, first, the first dielectric film 21 is formed on the intermediate separation layer 2.
  • the first dielectric film 21 can be formed by the same method as the first dielectric film 11 described above.
  • the recording film 22 is formed by the same method as the recording film 12 described above.
  • a second dielectric film 23 is formed on the recording film 22.
  • the second dielectric film 23 can be formed by the same method as the second dielectric film 13 described above.
  • the intermediate separation layer 3 is formed on the second dielectric film 23.
  • the intermediate separation layer 3 can be formed by the same method as the intermediate separation layer 2 described above.
  • the third information layer 30 is formed.
  • the third information layer 30 can be basically formed by the same method as the second information layer 20 described above.
  • the first dielectric film 31 is formed on the intermediate separation layer 3.
  • the first dielectric film 31 can be formed by the same method as the first dielectric film 11 described above.
  • the recording film 32 is formed by the same method as the recording film 12 described above.
  • a second dielectric film 33 is formed on the recording film 32.
  • the second dielectric film 33 can be formed by the same method as the second dielectric film 13 described above.
  • any of the dielectric film and the recording film may be formed with a supply power of 100 W to 10 kW and a pressure in the film formation chamber of 0.01 Pa to 10 Pa.
  • the cover layer 4 is formed on the second dielectric film 33.
  • the cover layer 4 is formed by applying a resin such as a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin on the second dielectric film 33, spin-coating, and then curing the resin. it can.
  • the cover layer 4 may be formed by a method of bonding together a disk-shaped substrate made of a resin such as polycarbonate, amorphous polyolefin, or PMMA, or glass.
  • the second dielectric film 33 is coated with a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin, and the substrate is in close contact with the applied resin by spin coating.
  • a resin such as a photocurable resin (particularly, an ultraviolet curable resin) or a slow-acting thermosetting resin
  • the cover layer 4 can be formed by a method in which the resin is uniformly extended and then the resin is cured.
  • the film formation time of each film in each information layer may be 10 seconds or less per film, particularly 5 seconds or less in order to increase the mass productivity of the information recording medium and reduce the manufacturing cost.
  • a vacuum deposition method As a method for forming each layer, in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method (CVD method: Chemical Vapor Deposition) and a molecular beam epitaxy method (MBE method: Molecular Beam Epitaxy) are used. It is also possible to use it.
  • CVD method Chemical Vapor Deposition
  • MBE method molecular beam epitaxy method
  • the A-side information recording medium 101 can be manufactured.
  • the B-side information recording medium 102 can be manufactured.
  • a photo-curing resin (particularly, an ultraviolet-curing resin) is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface on which the guide grooves of the substrate 1 are provided.
  • the surface opposite to the surface provided with the 1 guide groove is affixed to the applied resin.
  • the bonding layer 5 is formed by curing the resin by irradiating light.
  • the laminating curable photocurable resin may be uniformly applied to the A-side information recording medium 101 and then irradiated with light, and then the B-side information recording medium 102 may be attached to form the bonding layer 5. Good.
  • the information recording medium 100 having the information layers on both sides according to the first embodiment can be manufactured.
  • Embodiment 2 As Embodiment 2, another example of the information recording medium of the present disclosure will be described. As Embodiment 2, an example of an information recording medium that records and reproduces information using laser light will be described.
  • FIG. 2 shows a cross section of the optical information recording medium.
  • the information recording medium 200 of the present embodiment three information layers for recording and reproducing information are provided on the substrate 1, and a laser beam 6 is irradiated from the cover layer 4 side, so that information is recorded on each information layer.
  • the laser beam 6 is a blue-violet laser beam having a wavelength of about 405 nm.
  • the information recording medium 200 of Embodiment 2 is a medium having an information layer only on one side.
  • the information recording medium 200 includes a first information layer 10, a second information layer 20, and a third information layer 30 that are sequentially stacked on the substrate 1 via intermediate separation layers 2 and 3 and the like.
  • the cover layer 4 is provided in contact with the information layer.
  • the second information layer 20 and the third information layer 30 are transmissive information layers.
  • the information recording medium 200 when the guide groove is formed on the substrate 1, if a pit is formed on the recording film at a position corresponding to the groove, that is, if the groove recording is performed, for example, according to the BD-XL standard, 1
  • the capacity per information layer can be 33.4 GB. Since the information recording medium 200 can record and reproduce information in three information layers, according to the present embodiment, an information recording medium having a capacity of 100 GB can be obtained.
  • the effective reflectivity of the three information layers can be controlled by adjusting the reflectivity of the first, second and third information layers 10, 20 and 30 and the transmittance of the second and third information layers 20 and 30, respectively.
  • the effective Rg of the first information layer 10 is 3.3%
  • the effective Rg of the second information layer 20 is 3.3%
  • the effective Rg of the third information layer 30 is 3.3%.
  • the transmittance of the third information layer 30 is 79% and the transmittance of the second information layer 20 is 75%
  • the first information layer 10 has an Rg of 9.2%
  • the second information layer 20 has an Rg of 5. If the third information layer 30 is designed so that the Rg is 3.3%, the above-described reflectance can be obtained.
  • the substrate 1 is a disc-shaped transparent substrate.
  • the same material as that of the substrate 1 in Embodiment 1 can be used.
  • the thickness of the substrate is about 1.1 mm and the distance between the grooves is about 0.32 ⁇ m, but the thickness and the distance between the grooves are not limited to these.
  • Intermediate separation layers 2 and 3 can be formed using the same material as intermediate separation layers 2 and 3 in the first embodiment, and the thickness is similar to that of intermediate separation layers 2 and 3 in the first embodiment. Can design.
  • the intermediate separation layers 2 and 3 may be provided with guide grooves.
  • the distance between the grooves is about 0.32 ⁇ m, but is not limited to this.
  • the cover layer 4 can be formed using the same material as the cover layer 4 in the first embodiment. Also, the thickness can be designed in the same manner as the cover layer 4 of the first embodiment.
  • the sum of the thicknesses of the intermediate separation layers 2 and 3 and the thickness of the cover layer 4 may be set to 100 ⁇ m.
  • the intermediate separation layer 2 may be set to a thickness of about 25 ⁇ m
  • the intermediate separation layer 3 may be set to a thickness of about 18 ⁇ m
  • the cover layer 4 may be set to a thickness of about 57 ⁇ m.
  • the first information layer 10 is formed by laminating at least a first dielectric film 11, a recording film 12, and a second dielectric film 13 in this order on the surface of the substrate 1.
  • the first information layer 10 can be formed by the same method as the first information layer 10 in the first embodiment.
  • the second information layer 20 is formed by laminating at least a first dielectric film 21, a recording film 22, and a second dielectric film 23 in this order on the surface of the intermediate separation layer 2.
  • the second information layer 20 can be formed by the same method as the second information layer 20 in the first embodiment.
  • the third information layer 30 is formed by laminating at least a first dielectric film 31, a recording film 32, and a second dielectric film 33 in this order on the surface of the intermediate separation layer 3.
  • the third information layer 30 can be formed by the same method as the third information layer 30 in the first embodiment.
  • the information recording medium 200 having the information layer on one side according to the second embodiment can be manufactured.
  • Example 1 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described together with a manufacturing method thereof.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm) on which a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is prepared.
  • a 30 nm thick W 20 Cu 25 Zn 20 Mn as the recording film 12.
  • a film made of 35 (atomic%) oxide and an (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film having a thickness of 11 nm are sequentially formed as the second dielectric film 13 by sputtering.
  • the composition of the recording film is expressed as W 20 Cu 25 Zn 20 Mn 35 —O.
  • the element ratios of other recording films are similarly expressed in a form describing only the metal element ratio (atomic%).
  • the recording film is made of oxides of tungsten (W), copper (Cu), zinc (Zn), and manganese (M), and the total of these four metal elements is 100 atomic%, the ratio of W Is 25% atomic, Cu is 25 atomic%, Zn is 25 atomic%, and Mn is 25 atomic%
  • the composition of the recording film is expressed as W 25 Cu 25 Zn 25 Mn 25 —O. .
  • (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) is a commonly used In 2 O 3 —SnO 2 (ITO) -based transparent conductive film, and (In 2 O 3 ) 90 It is often indicated by (SnO 2 ) 10 (wt%).
  • the composition of the dielectric film composed of two or more oxides is expressed in mol%. Therefore, in order to facilitate the comparison of the composition with these dielectric films, (In 2 O 3 ) 90 (SnO 2 ) 10 (wt%) is referred to as (In 2 O 3 ) 83 (SnO) in this specification. 2 ) Described as 17 (mol%).
  • the thickness of the film constituting the first information layer 10 is such that when the second information layer 20 and the third information layer 30 are not present, the reflectance of the first information layer 10 is Rg ⁇ 10.0% in an unrecorded state, Rl ⁇ 10.5% is determined.
  • the reflectance is that when irradiating a laser beam having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 are formed using a DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • the recording film 12 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10. Then, the second information layer 20 is formed.
  • a 15 nm thick (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film is used as the first dielectric film 21, and a 30 nm thick W 35 Cu 15 Zn film is used as the recording film 22.
  • a film made of an oxide dielectric material containing 30 mol% or more of SnO 2 is sequentially formed by sputtering, and the second The information layer 20 is formed.
  • the thickness of the second dielectric film 23 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, the reflectance of the second information layer 20 in the absence of the third information layer 30 is Rg ⁇ 8.0%, Rl ⁇ 8.3%, and the transmittance is 64 to 68% in an unrecorded state. Set as follows. The reflectance and transmittance are those when irradiating laser light having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 21 is formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 22 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 23 is formed using a DC power source or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • a 15 nm thick (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film is used as the first dielectric film 31, and a 30 nm thick W 40 Cu 5 Zn film is used as the recording film 32.
  • a 40 Mn 15 -O film as the second dielectric film 33, a film made of an oxide dielectric material containing 30 mol% or more of SnO 2 (dielectric film A) is sequentially formed by sputtering to form a third The information layer 30 is formed.
  • the thickness of the second dielectric film 33 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, the reflectance of the third information layer 30 is set such that Rg ⁇ 6.5%, Rl ⁇ 6.8%, and the transmittance 67 to 72% in an unrecorded state. The reflectance and transmittance are those when irradiating laser light having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 31 is formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 33 is formed using a DC power source or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin is cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby completing the preparation of the A-side information recording medium 101.
  • the configuration of the B-side information recording medium 102 will be described.
  • a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm) on which a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is prepared.
  • the rotation direction of the spiral of the guide groove is opposite to that of the guide groove formed on the substrate 1 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • the first information layer 10 the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30, and the cover layer 4 are formed.
  • each information layer (the composition and thickness of each film, the reflectance and transmittance of each information layer, etc.) is the same as the configuration of each information layer in the A-side information recording medium 101 In this way, films (first dielectric film, recording film, second dielectric film) constituting each information layer are formed. Each film is formed by the same method as that used for forming the A-side information recording medium 101.
  • the cover layer 4 has the same configuration as the cover layer 4 of the A-side information recording medium 101 and is formed by the same method.
  • the intermediate separation layers 2 and 3 also have the same configuration as those of the A-side information recording medium 101.
  • the rotation direction of the spiral guide grooves provided in the intermediate separation layers 2 and 3 is the rotation direction of the guide groove spiral provided in the intermediate separation layers 2 and 3 of the A-side information recording medium 101. The opposite is true.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface on which the guide grooves of the substrate 1 are formed, and the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 is applied to the applied resin.
  • a surface opposite to the surface on which the guide groove is formed is pasted.
  • the bonding layer 5 is formed by curing the resin with ultraviolet rays. In this way, the information recording medium 100 of this example is manufactured.
  • the second dielectric film 23 of the second information layer 20 and the second dielectric film 33 of the third information layer 30 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 are provided.
  • the second dielectric film 23 and the second dielectric film 33 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 in the information recording medium 100 are (In 2 O 3 ) 90 (SnO 2 ).
  • Disc No. of this medium Is 1-001.
  • the recording sensitivity and shelf characteristics of the second information layer 20 and the third information layer 30 are evaluated. .
  • the wavelength of the laser beam of the evaluation apparatus for signal evaluation is 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens is 0.85
  • information is recorded in the groove and land.
  • the recording linear velocity is 14.00 m / s (4 ⁇ speed)
  • the reproducing linear velocity is 7.00 m / s (2 ⁇ speed).
  • the data bit length is 79.5 nm, and recording is performed at a density of 50 GB per information layer.
  • the reproduction power was 1.4 mW for the first information layer and the second information layer, and 1.1 mW for the third information layer.
  • the reproduction light was high-frequency superimposed (modulated) 2: 1 as reproduction light.
  • Laser light is used. Random signals (2T to 8T) are recorded, and the signal quality is PR (12333321) ML (Pattern Recognition and Machine Learning) signal processing, data evaluation is performed as i-MLSE, and the recording sensitivity is i-MLSE.
  • the laser power is the best value.
  • the shelf characteristics are evaluated by subjecting the disk to an acceleration test under the conditions of 85 ° C., 80% RH and 100 hours, and the change in recording sensitivity and i-MLSE before and after the acceleration test.
  • the amount of change in recording sensitivity is ((Recording sensitivity after acceleration test)-(Initial recording sensitivity)) ⁇ (Initial recording sensitivity) x 100% Calculated by
  • the amount of change in i-MLSE is (i-MLSE after acceleration test)-(initial i-MLSE) Calculated by
  • the evaluation result for the second information layer 20 of the A-side information recording medium 101 is shown in Table 1
  • the evaluation result for the third information layer 30 of 101 is shown in Table 2
  • the B-side information recording medium is shown in Table 2.
  • Table 3 shows the evaluation results for the second information layer 20 of 102
  • Table 4 shows the evaluation results for the third information layer 30 of the B-side information recording medium 102.
  • the disk No. of the comparative example As shown in these tables, in any information recording medium 100 of the present example, the disk No. of the comparative example. Compared with 1-001, the recording sensitivity after acceleration test and the amount of change in i-MLSE are small, and good shelf characteristics are obtained. It is preferable that the change amount of the recording sensitivity is approximately + 15% or less, and the change amount of i-MLSE is approximately less than + 1.5%.
  • Disc No. From 1-101 to 104 it can be seen that as the amount of SnO 2 increases, the shelf characteristics tend to be better. Also, the disc No. From 1 to 105 to 107, the disk transmittance tends to be improved by adding ZrO 2 , Al 2 O 3 , or TiO 2 . Also, the disc No. From 1 to 108 to 109, the recording sensitivity tends to be improved by the addition of Sb 2 O 3 or Ta 2 O 5 .
  • Example 2 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described together with a manufacturing method thereof.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • the configurations and manufacturing methods of the substrate 1 and the first information layer 10 are the same as those in the first embodiment.
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the first information layer 10. Then, the second information layer 20 is formed.
  • a 15 nm thick (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film is used as the first dielectric film 21, and a 30 nm thick W 35 Cu 15 Zn film is used as the recording film 22.
  • a (SnO 2 ) 50 (In 2 O 3 ) 50 (mol%) film which is a dielectric film A having a thickness of 15 nm, is sequentially formed by a sputtering method. Film.
  • each film is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, when the third information layer 30 is not provided, the reflectance of the second information layer 20 is Rg ⁇ 8.0%, Rl ⁇ 8.3%, and the transmittance is about 66% in an unrecorded state. Set to. The reflectance and transmittance are those when irradiating laser light having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 21 is formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 22 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 23 is formed using a DC power source in an Ar atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • a film made of an oxide dielectric material having 30 mol% or more of SnO 2 (dielectric film A) is used as the first dielectric film 31, and W 40 Cu 5 Zn having a thickness of 30 nm is used as the recording film 32.
  • a film (dielectric film A) made of an oxide dielectric material having 30 mol% or more of SnO 2 is sequentially formed by sputtering.
  • the thickness of the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, the reflectance of the third information layer 30 is set so that Rg ⁇ 6.5%, Rl ⁇ 6.8%, and the transmittance 67 to 72% in an unrecorded state. The reflectance is that when laser light having a wavelength of 405 nm is irradiated.
  • the first dielectric film 31 is formed using a DC power source or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 33 is formed using a DC power source or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin is applied onto the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin is cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the configuration of the B-side information recording medium 102 will be described.
  • the configurations and manufacturing methods of the substrate 1 and the first information layer 10 are the same as those of the B-side information recording medium 102 of Example 1.
  • the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30, and the cover layer 4 are formed.
  • the configuration of each information layer (the composition and thickness of each film, the reflectance and transmittance of each information layer, etc.) is the same as the configuration of each information layer in the A-side information recording medium 101.
  • the films (first dielectric film, recording film, second dielectric film) constituting each information layer are formed.
  • Each film is formed by the same method as that used for forming the A-side information recording medium 101.
  • the cover layer 4 has the same configuration as the cover layer 4 of the A-side information recording medium 101 and is formed by the same method.
  • the intermediate separation layers 2 and 3 also have the same configuration as those of the A-side information recording medium 101.
  • the spiral guide grooves provided in the intermediate separation layers 2 and 3 are arranged so that the rotation direction of the spiral is that of the guide grooves provided in the intermediate separation layers 2 and 3 of the A-side information recording medium 101.
  • the direction of rotation of the spiral is reversed.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface on which the guide grooves of the substrate 1 are formed, and the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 is applied to the applied resin.
  • a surface opposite to the surface on which the guide groove is formed is pasted.
  • the bonding layer 5 is formed by curing the resin with ultraviolet rays. In this way, the information recording medium 100 of this example is manufactured.
  • the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 of the third information layer 30 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 are both SnO 2 , ( SnO 2 ) 70 (In 2 O 3 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 50 (In 2 O 3 ) 50 (mol%), (SnO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 70 (mol%), (SnO 2 ) 70 (ZrO 2 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 70 (Al 2 O 3 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 70 (TiO 2 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 70 (Sb 2 O 3 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 70 (Ta 2 O 5 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 50 (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 25 (mol) %) And (SnO 2)
  • Example 2 the medium (disc No. 1-001) used for comparison in Example 1 is used for comparison.
  • Table 5 shows the evaluation results for the third information layer 30 of the A-side information recording medium 101
  • Table 6 shows the evaluation results for the third information layer 30 of the B-side information recording medium 102.
  • the disk No. of the comparative example As shown in these tables, in any information recording medium 100 of the present example, the disk No. of the comparative example. Compared with 1-001, the recording sensitivity after acceleration test and the amount of change in i-MLSE are small, and good shelf characteristics are obtained.
  • Disc No. 1-112 to 115 and the disk No. of the comparative example When compared with 1-001, the shelf characteristics tend to be better as the amount of SnO 2 increases. Also, the disc No. From 1-116 to 118, the disk transmittance tends to be improved by adding ZrO 2 , Al 2 O 3 , or TiO 2 . Also, the disc No. From 1-119 to 120, the recording sensitivity tends to be improved by the addition of Sb 2 O 3 or Ta 2 O 5 .
  • Example 3 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described together with a manufacturing method thereof.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • the substrate 1 a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm) on which a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is prepared.
  • an 11 nm thick (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film is used as the first dielectric film 11
  • a 30 nm thick W 20 Cu 25 film is used as the recording film 12.
  • a film (dielectric film A) made of an oxide dielectric material having 30 mol% or more of SnO 2 as the second dielectric film 13 is sequentially formed by sputtering as a Zn 20 Mn 35 —O film.
  • the thickness of the second dielectric film 13 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the absence of the second information layer 20 and the third information layer 30, the reflectance of the first information layer 10 (unrecorded state) is Rg ⁇ 10.0% and Rl ⁇ 10.5 in the unrecorded state. Set to be%. The reflectance is that when irradiating a laser beam having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 11 is formed using a DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • the recording film 12 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 13 is formed using a DC power source or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30, and the cover layer 4 are formed on the first information layer 10 in this order.
  • the structure and manufacturing method of these layers are the same as those of the A-side information recording medium 101 of the medium produced in Example 1.
  • the configuration of the B-side information recording medium 102 will be described.
  • the substrate 1 a polycarbonate substrate (thickness 0.5 mm) on which a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is prepared.
  • the rotation direction of the spiral of the guide groove is opposite to that of the guide groove formed on the substrate 1 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • an 11 nm thick (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film is used as the first dielectric film 11
  • a 30 nm thick W 20 Cu 25 film is used as the recording film 12.
  • a film (dielectric film A) made of an oxide dielectric material having 30 mol% or more of SnO 2 is sequentially formed by sputtering.
  • the thickness of the second dielectric film 13 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the absence of the second information layer 20 and the third information layer 30, the reflectance of the first information layer 10 (unrecorded state) is Rg ⁇ 10.0% and Rl ⁇ 10.5 in the unrecorded state. Set to be%. The reflectance is that when irradiating a laser beam having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 11 is formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 12 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 13 is formed using a DC power source or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the intermediate separation layer 2, the second information layer 20, the intermediate separation layer 3, the third information layer 30, and the cover layer 4 are formed on the first information layer 10 in this order.
  • the structure and manufacturing method of these layers are the same as those of the A-side information recording medium 101 of the medium produced in Example 1.
  • the rotation direction of the spiral guide grooves provided in the intermediate separation layers 2 and 3 is opposite to the rotation direction of the guide groove spirals provided in the intermediate separation layers 2 and 3 of the A-side information recording medium 101.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface on which the guide grooves of the substrate 1 are formed, and the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 is applied to the applied resin.
  • a surface opposite to the surface on which the guide groove is formed is pasted.
  • the bonding layer 5 is formed by curing the resin with ultraviolet rays. In this way, the information recording medium 100 of this example is manufactured.
  • the second dielectric film 13 of the first information layer 10 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102, the second dielectric film 23 of the second information layer 20, And the second dielectric film 33 of the third information layer 30 includes (SnO 2 ) 70 (In 2 O 3 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 50 (In 2 O 3 ) 50 (mol%) and ( A medium composed of SnO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 70 (mol%) is prepared. Disc No. of these media Are 1-123 to 1-125, respectively.
  • Example 3 the medium (disc No. 1-001) used for comparison in Example 1 is used for comparison.
  • Table 7 shows the evaluation results of the first information layer 10 of the A-side information recording medium 101
  • Table 8 shows the results of the first information layer 10 of the B-side information recording medium 102.
  • the evaluation result of 1-123 is the disk No. 1-102 and the disk No.
  • the evaluation result of 1-124 is the disk No. 1-103 and the disk No.
  • the evaluation result of 1-125 is the disk No. It is equivalent to that of 1-104, and all are good, so that they are not shown in the table.
  • the disk No. of the comparative example As shown in these tables, in any information recording medium 100 of the present example, the disk No. of the comparative example. Compared with 1-001, the recording sensitivity after acceleration test and the amount of change in i-MLSE are small, and good shelf characteristics are obtained.
  • Example 4 In this embodiment, an example of the information recording medium 200 shown in FIG. 2 will be described together with a manufacturing method thereof.
  • a polycarbonate substrate (thickness: 1.1 mm) on which a spiral guide groove (depth 20 nm, track pitch (groove-to-groove distance) 0.32 ⁇ m) is prepared.
  • a 10 nm thick (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film is used as the first dielectric film 11
  • a 30 nm thick W 20 Cu 25 film is used as the recording film 12.
  • a Zn 20 Mn 35 —O film is used as the second dielectric film 13
  • an (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film having a thickness of 15 nm is sequentially formed by sputtering.
  • the thickness of the film constituting the first information layer 10 is such that the reflectance of the first information layer 10 without the second information layer 20 and the third information layer 30 is Rg ⁇ 9.2% in an unrecorded state. Decide to be.
  • the reflectance is that when irradiating a laser beam having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 11 and the second dielectric film 13 are formed using a DC power source in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 .
  • the recording film 12 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 2 provided with a spiral guide groove (depth 20 nm, track pitch (groove-to-groove distance) 0.32 ⁇ m) is formed on the first information layer 10. Then, the second information layer 20 is formed.
  • a (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film having a thickness of 13 nm is used as the first dielectric film 21, and a W 35 Cu 15 Zn film having a thickness of 30 nm is used as the recording film 22.
  • a film made of an oxide dielectric material containing 30 mol% or more of SnO 2 is sequentially formed by sputtering, and the second The information layer 20 is formed.
  • the thickness of the second dielectric film 23 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, in the laser beam of 405 nm, the reflectance of the second information layer 20 without the third information layer 30 is Rg ⁇ 5.3% and the transmittance is 64 to 68% in an unrecorded state. Set to. The reflectance and transmittance are those when irradiating laser light having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 21 is formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 22 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 23 is formed using a DC power source or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 20 nm, track pitch (groove-to-groove distance) 0.32 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • a 14 nm thick (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film is used as the first dielectric film 31, and a 30 nm thick W 40 Cu 5 Zn film is used as the recording film 32.
  • a 40 Mn 15 -O film as the second dielectric film 33, a film made of an oxide dielectric material containing 30 mol% or more of SnO 2 (dielectric film A) is sequentially formed by sputtering to form a third The information layer 30 is formed.
  • the thickness of the second dielectric film 33 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, the reflectance of the third information layer 30 is set so that Rg ⁇ 3.3% and the transmittance is 67 to 72% in an unrecorded state. The reflectance is that when laser light having a wavelength of 405 nm is irradiated.
  • the first dielectric film 31 is formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 33 is formed using a DC power source or an RF power source in an Ar atmosphere or an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin is applied on the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin is cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby completing the production of the information recording medium 200 of the present embodiment.
  • the second dielectric film 23 and the second dielectric film 33 are SnO 2 , (SnO 2 ) 70 (In 2 O 3 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 50 ( In 2 O 3 ) 50 (mol%), (SnO 2 ) 30 (In 2 O 3 ) 70 (mol%), (SnO 2 ) 70 (ZrO 2 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 70 (Al 2 O 3 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 70 (TiO 2 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 70 (Sb 2 O 3 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 70 (Ta 2 ) O 5 ) 30 (mol%), (SnO 2 ) 50 (ZrO 2 ) 25 (In 2 O 3 ) 25 (mol%) and (SnO 2 ) 50 (ZrO 2 ) 15 (SiO 2 ) 15 (In 2 O 3 Producing medium
  • the recording sensitivity and shelf characteristics of the second information layer 20 and the third information layer 30 are set to Blu-ray. (Registered trademark) Evaluation is performed according to the “BD-XL” standard, which is one of the Disc standards.
  • the wavelength of the laser beam of the evaluation apparatus for signal evaluation is 405 nm
  • the numerical aperture NA of the objective lens is 0.85
  • information is recorded in the groove.
  • the recording linear velocity is 14.72 m / s (4 ⁇ speed)
  • the reproducing linear velocity is 7.36 m / s (2 ⁇ speed).
  • the shortest mark length (2T) is 0.111 ⁇ m, and recording is performed at a density of 33.4 GB per information layer.
  • Reproduction power is 1.4 mW for the first and second information layers and 1.1 mW for the third information layer.
  • laser light superposed (modulated) at a high frequency of 2: 1 is used as the reproduction light.
  • the signal quality is obtained by combining data by PR (1222221) ML signal processing and evaluated as i-MLSE, and the recording sensitivity is the laser power at which i-MLSE is the best value.
  • the shelf characteristics are evaluated by subjecting the disk to an acceleration test under conditions of 85 ° C., 85% RH and 100 hours, and the change in the recording sensitivity and i-MLSE before and after the acceleration test.
  • the amount of change in recording sensitivity is ((Recording sensitivity after acceleration test)-(Initial recording sensitivity)) ⁇ (Initial recording sensitivity) x 100%
  • the change in i-MLSE is (I-MLSE after accelerated test)-(early i-MLSE) Calculated by
  • the evaluation results for the second information layer 20 are shown in Table 9, and the evaluation results for the third information layer 30 are shown in Table 10.
  • the recording sensitivity after the acceleration test and the amount of change in i-MLSE are small, and a good shelf Characteristics are obtained. It is preferable that the change amount of the recording sensitivity is approximately + 15% or less, and the change amount of i-MLSE is approximately less than + 1.5%.
  • Disc No. From 2-101 to 104 it can be seen that as the amount of SnO 2 increases, the shelf characteristics tend to be better. Also, the disc No. From 2-105 to 107, the disk transmittance tends to be improved by adding ZrO 2 , Al 2 O 3 , or TiO 2 . Also, the disc No. From 2-108 to 109, the recording sensitivity tends to be improved by the addition of Sb 2 O 3 or Ta 2 O 5 .
  • Example 5 In this embodiment, an example of the information recording medium 100 shown in FIG. 1 will be described together with a manufacturing method thereof.
  • the configuration of the A-side information recording medium 101 will be described.
  • the configurations and manufacturing methods of the substrate 1, the first information layer 10, the intermediate separation layer 2, and the second information layer 20 are the same as those in the second embodiment.
  • an intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) is formed on the second information layer 20.
  • the third information layer 30 is formed.
  • a (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film having a thickness of 15 nm is used as the first dielectric film 31, and a composition shown in Table 11 having a thickness of 30 nm is used as the recording film 32.
  • a (SnO 2 ) 50 (In 2 o 3 ) 50 (mol%) film (dielectric film A) having a thickness of 15 nm was sequentially formed by sputtering, Three information layers 30 are formed.
  • the thickness of the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, these thicknesses are set so that the reflectance of the third information layer 30 is Rg ⁇ 6.5%, Rl ⁇ 6.8%, and the transmittance is 67 to 72% in an unrecorded state. To do.
  • the reflectance and transmittance are those when irradiating laser light having a wavelength of 405 nm.
  • the first dielectric film 31 is formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 33 is formed using a DC power supply in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin is applied onto the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin is cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the A-side information recording medium 101.
  • the configuration of the B-side information recording medium 102 will be described.
  • the configurations and manufacturing methods of the substrate 1, the first information layer 10, the intermediate separation layer 2, and the second information layer 20 are the same as those in the second embodiment.
  • the intermediate separation layer 3 provided with a spiral guide groove (depth 17 nm, track pitch (land-groove distance) 0.225 ⁇ m) on the second information layer 20 is formed.
  • the direction of spiral rotation of the guide groove is opposite to that of the intermediate separation layer 3 of the A-side information recording medium 101 described above.
  • a third information layer 30 is formed on the intermediate separation layer 3. Specifically, as the first dielectric film 31, a (In 2 O 3 ) 83 (SnO 2 ) 17 (mol%) film having a thickness of 15 nm is used as the recording film 32 and the composition shown in Table 12 having a thickness of 30 nm is used. As a second dielectric film 33, a (SnO 2 ) 50 (In 2 o 3 ) 50 (mol%) film (dielectric film A) having a thickness of 15 nm is sequentially formed by sputtering. A third information layer 30 is formed.
  • the thickness of the first dielectric film 31 and the second dielectric film 33 is determined by calculation based on the matrix method. Specifically, these thicknesses are set so that the reflectance of the third information layer 30 is Rg ⁇ 6.5%, Rl ⁇ 6.8%, and the transmittance is 67 to 72% in an unrecorded state. To do.
  • the reflectance is that when laser light having a wavelength of 405 nm is irradiated.
  • the first dielectric film 31 is formed using a DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the recording film 32 is formed using a pulsed DC power source in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • the second dielectric film 33 is formed using a DC power supply in an Ar + O 2 mixed gas atmosphere.
  • an ultraviolet curable resin is applied onto the second dielectric film 33 and spin-coated, and then the resin is cured by ultraviolet rays to form the cover layer 4, thereby producing the B-side information recording medium 102.
  • an ultraviolet curable resin is uniformly applied to the surface of the A-side information recording medium 101 opposite to the surface on which the guide grooves of the substrate 1 are formed, and the substrate 1 of the B-side information recording medium 102 is applied to the applied resin.
  • a surface opposite to the surface on which the guide groove is formed is pasted.
  • the bonding layer 5 is formed by curing the resin with ultraviolet rays. In this way, the information recording medium 100 of this example is manufactured.
  • the recording film 32 of the third information layer 30 of the A-side information recording medium 101 and the B-side information recording medium 102 is W 40 Zn 40 Mn 20 —O, W 40 Zn 40 Pd 20. -O, W 40 Cu 5 Zn 40 Pd 15 -O, W 40 Cu 5 Zn 40 Au 15 -O, W 40 Cu 5 Zn 40 Ni 15 -O, W 40 Cu 5 Zn 40 Co 15 -O, W 40 Cu 5 Zn 40 Fe 15 —O, W 40 Cu 5 Zn 40 Mn 10 Al 5 —O, W 40 Cu 5 Zn 40 Mn 10 Ag 5 —O and W 40 Cu 5 Zn 40 Mn 10 Bi 5 —O Make it. Disc No. of these media Are 1-126 to 1-135, respectively.
  • the shelf characteristics of the information recording media 1-126 to 1-135 are evaluated in the same manner as in the first embodiment. Also, the degree of modulation of the random signal at the initial recording sensitivity is evaluated. Table 11 shows the evaluation results for the third information layer 30 of the A-side information recording medium 101, and Table 12 shows the evaluation results for the third information layer 30 of the B-side information recording medium 102.
  • the initial modulation degree is as good as 40% or more, and good shelf characteristics are obtained.
  • a dielectric film (dielectric film A) containing 30 mol% or more of tin oxide to an information layer having a recording film containing tungsten and oxygen, an information recording medium having good shelf characteristics is obtained. It is done.
  • the information recording medium and the manufacturing method thereof of the present disclosure exhibit good recording and reproduction characteristics even after long-term storage of the information recording medium, and have high reliability, so that a multilayer additional recording for recording and storing a large volume of content This is useful for optical discs.
  • optical disc capacity 100 GB
  • next-generation optical disc capacity 300 GB or 500 GB, etc.

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Abstract

 本開示の情報記録媒体は、基板と、複数の情報層とを含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する追記型の情報記録媒体であり、少なくとも一つの情報層の記録膜が、少なくともタングステン(W)と酸素(O)とを含むW-O系記録膜であり、W-O系記録膜に接して、酸化スズを30mol%以上含む、誘電体膜Aが設けられている。

Description

情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法
 本開示は光学的手段によって情報を記録または再生する高密度な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
 これまで商品化されてきた光学的情報記録媒体として、CD(Compact Disk)やDVD(Digital Versatile Disk)やBD(Blu-ray(登録商標) Disc)がある。
 BDの一つとして、BD-XL規格に準じた100GB容量のメディアが製品化されている。このBD-XL規格のメディアにおいては、情報層が3層設けられ、また1情報層あたりの記録密度が33.4GBであり、それにより100GBという高密度化が実現できた。また、最近では、さらに線密度を高くすること、およびランド/グルーブ(Land/Groove)記録を採用することによって、メディアあたりの容量を300GB容量以上とすることも提案されている。
 光学的情報記録媒体の特長の一つとして、優れた長期保存性が挙げられる。そのため、前述した大容量のメディアは、公文書、医療画像および動画映像などの重要な大容量データを長期間保存しておくデータアーカイブに最適なメディアである。このようなデータアーカイブ用途として使用するメディアとしては、追記型の情報記録媒体が適している。追記型の情報記録媒体には、様々な記録膜材料が適用され、例えば、結晶-アモルファスの相変化を利用したTe-O-Pd(特許文献1参照)、ならびにバブルによりマーク(ピット)を形成するW-O(特許文献2参照)およびGe-Bi-O(特許文献3参照)などが挙げられる。
 前述した追記型の情報記録媒体においては、記録感度および変調度などの光学的な設計を最適化するために、あるいは記録膜材料を水分などの影響から保護するために、誘電体膜が設けられている。この誘電体膜を構成する材料の例としては、ZnS-SiOおよびITO(Indium Tin Oxide)などが挙げられる。
日本国特許第3752177号公報 特開2012-161941公報 日本国特許第3802040号公報
 本開示の目的は、タングステン(W)と酸素(O)を含む記録膜を有する情報層を備えた光学的情報記録媒体であって、長期保存後の記録特性(シェルフ特性)がより向上した光学的情報記録媒体を提供することである。
 本開示に係る情報記録媒体は、基板と、複数の情報層とを含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する追記型の情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層の記録膜が、少なくともタングステン(W)と酸素(O)とを含むW-O系記録膜であり、W-O系記録膜に接して、酸化スズを30mol%以上含む、誘電体膜Aが設けられている、情報記録媒体である。
 また、本開示に係る情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を2以上含み、少なくとも1つの情報層を形成する工程が、タングステン(W)と酸素(O)とを含むW-O系記録膜を形成する工程(i)、および酸化スズを30mol%以上含む、誘電体膜Aを形成する工程(ii)を含み、工程(i)が、WおよびOを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含み、工程(ii)が、SnおよびOを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含む。
 本開示の情報記録媒体は、良好な信号特性、および良好な信号保存性を示すとともに、良好なシェルフ特性を有するものである。また、本開示の情報記録媒体の製造方法によれば、良好な信号特性、良好な信号保存性、および良好なシェルフ特性を示す情報記録媒体を作製することができる。
図1は、本開示の実施の形態1における情報記録媒体の断面図である。 図2は、本開示の実施の形態2における情報記録媒体の断面図である。
 (本開示に至った経緯)
 本発明者らは、タングステン(W)と酸素(O)を含む記録膜を有する情報記録媒体において、長期保存後の記録特性(シェルフ特性)に課題を見出した。WとOを含む記録膜にレーザ等の照射により熱を加えて一定以上の温度に昇温させると、膜中の酸素が分離および結合し、マーク(ピット)となるバブルが形成される。記録膜においてバブルが形成された部分は、光学的に変化するとともに、体積も膨張方向に変化するため、信号特性として非常に大きな変調度を生じさせることができる。また、バブルの形成は非可逆的な変化であるため、ピットの長期保存性にも優れている。
 一方で、ピットを形成した情報記録媒体を長期保存した場合、未記録部において、記録膜中の各元素の結合状態が変わり、光学的特性および/または物理的硬度の変化が生じ、情報記録媒体の作製直後に得られた特性が得られなくなることがある。具体的には、情報記録媒体の記録・再生性能において、シェルフ特性の記録感度の悪化、および/またはi-MLSE(Integrated-Maximum Likelihood Sequence Estimation)の悪化が生じることがある。
 このシェルフ特性の劣化の程度は、記録膜中のW量が多くなるほど、大きくなる傾向がある。複数の情報層を有する情報記録媒体において、レーザ照射側に近い情報層は、奥の情報層までレーザを透過させて、奥の情報層において高感度の記録および再生を確保するために、高い透過率を有する必要がある。WとOを含む記録膜材料において、高い透過率を得るためは、W量を増やす必要があり、そのためシェルフ特性の劣化は、レーザ照射側に近い情報層ほど大きくなる。
 本発明者らは、長期保存してもWとOを含む記録膜の構造変化が生じにくい、または記録時のバブル形成を促進する誘電体材料を案出した。本発明者らは、具体的には、酸化スズを30mol%以上含む誘電体材料からなる誘電体膜を、WとOを含む記録膜に接して設けると、良好なシェルフ特性を得ることができることを見出した。
 すなわち、本開示の第1の態様は、基板と、複数の情報層とを含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する追記型の情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層の記録膜が、少なくともタングステン(W)と酸素(O)とを含むW-O系記録膜であり、W-O系記録膜に接して、酸化スズを30mol%以上含む、誘電体膜Aが設けられている、情報記録媒体である。
 本開示の第2の態様は、酸化スズがSnOである、第1の態様の情報記録媒体である。酸化スズがSnOであると、情報層の透過率をより高くできる傾向にあり、かつより良好なシェルフ特性が得られる傾向にある。
 本開示の第3の態様は、誘電体膜Aが、元素M0(但し、M0は、Si、Ge、Al、Ga、In、Zn、Sb、Bi、Cr、V、Nb、Ta、Ti、Zr、HfおよびYより選ばれる少なくとも一つの元素)の酸化物をさらに含む、第1または第2の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。これらの元素を含むことにより、情報層の透過率、または記録感度をより高くできる傾向にある。
 本開示の第4の態様は、W-O系記録膜が元素M1(但し、M1はGe、Al、Zn、Bi、Te、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Mn、Ta、CrおよびMoより選ばれる少なくとも一つの元素)をさらに含む、第1から第3の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。この態様においては、より高い変調度を得られる傾向にある。
 本開示の第5の態様は、少なくとも一つの情報層において、情報記録媒体のレーザ光が照射される面に近い側から順に、誘電体膜A、W-O系記録膜、およびSnOを30mol%未満の割合で含むIn-SnO誘電体膜が設けられている、第1から第4の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。この態様においては、より高い変調度とより高い記録感度を得られる傾向にある。
 本開示の第6の態様は、N(但し、Nは正の整数)個の情報層を有し、情報記録媒体のレーザ光が照射される面に最も近い情報層を第N情報層、基板に最も近い情報層を第1情報層とした場合に、少なくとも第N情報層が、W-O系記録膜および誘電体膜Aを有している、第1から第5の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。シェルフ特性はレーザ照射側に近い情報層で劣化しやすい。したがって、少なくとも第N情報層を誘電体膜Aを備える構成とすることにより、第N情報層のシェルフ特性が他の情報層のそれと比較して大きく低下せず、全体として良好なシェルフ特性を示す媒体を得ることができる。
 本開示の第7の態様は、基板を介し、両面に情報層を有する、第1から第6の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。この構成によれば、情報記録媒体の大容量化が可能である。
 本開示の第8の態様は、複数の情報層が案内溝を有し、レーザ光が照射される面に近い側の溝をグルーブとし、レーザ光が照射される面に遠い側の溝間をランドとした場合に、複数の情報層の各記録膜において、グルーブおよびランドの両方に対応する位置に情報を記録する、第1から第7の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。この構成によれば、情報記録媒体の大容量化が可能である。
 本開示の第9の態様は、情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を2以上含み、少なくとも1つの情報層を形成する工程が、タングステン(W)と酸素(O)とを含むW-O系記録膜を形成する工程(i)、および酸化スズを30mol%以上含む、誘電体膜Aを形成する工程(ii)を含み、工程(i)が、WおよびOを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含み、工程(ii)が、SnおよびOを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含む、情報記録媒体の製造方法である。この態様により、第1の態様の情報記録媒体を得ることができる。
 本開示の第10の態様は、工程(i)において、酸素を添加したDC反応性スパッタリング法を用いる、第9の態様の情報記録媒体の製造方法である。酸素を添加したDC(Direct Current)反応性スパッタリング法は、高い成膜レートが期待できるので、この態様によれば、情報記録媒体の生産タクトを短縮し、製造コストを下げることができる。
 本開示の第11の態様は、工程(ii)において、DCスパッタリング法を用いる、第9または第10の態様の情報記録媒体の製造方法である。誘電体膜Aを形成する工程において、高い成膜レートが期待できるDCスパッタリング法を用いることにより、情報記録媒体の生産タクトを短縮し、製造コストを下げることができる。
 以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
 なお、添付図面および以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために、提供されるのであって、これらにより特許請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
 (実施の形態1)
 実施の形態1として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図1に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体100は、情報を記録および再生する情報層を、基板1を介して両側にそれぞれ3層ずつ合計6層設けており、カバー層4側よりレーザ光6を照射し、各情報層での情報の記録および再生が可能である多層光学的情報記録媒体である。レーザ光6は波長405nm付近の青紫色域のレーザ光である。
 情報記録媒体100は、A面と称するA面情報記録媒体101とB面と称するB面情報記録媒体102を貼り合わせた、両面の情報記録媒体である。二つの情報記録媒体であるA面情報記録媒体101およびB面情報記録媒体102は、それらの基板1の裏面(情報層を有する面とは逆側)にて貼り合わせ層5により貼り合わされている。A面情報記録媒体101およびB面情報記録媒体102は各々、基板1上に中間分離層2および3などを介して、順次積層された第1情報層10、第2情報層20および第3情報層30を有し、さらに、第3情報層30に接して設けられたカバー層4を有する。第2情報層20および第3情報層30は透過型の情報層である。
 情報記録媒体100において、案内溝を基板1に形成した場合、本明細書においては、レーザ光6が照射される面に近い側にある溝間、すなわち、A面情報記録媒体101の表面側の溝間およびB面情報記録媒体102の表面側の溝間を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光6が照射される面から遠い側にある溝、すなわち、A面情報記録媒体101の表面側の溝およびB面情報記録媒体102の表面側の溝を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に対応する位置で記録膜にピットを形成すれば、すなわち、ランド-グルーブ記録を実施すれば、例えば1情報層あたりの容量を50GBにすることができる。情報記録媒体100においては6つの情報層で情報の記録および再生が可能であるから、情報記録媒体100は300GBの容量を有するものとして提供できる。案内溝は、後述するとおり、中間分離層2および3にも形成してよい。特に、第2情報層20および第3情報層30において、ランド-グルーブ記録を実施する場合には、中間分離層2および3に案内溝を形成することが好ましい。
 3つの情報層の実効反射率は、第1情報層10、第2情報層20および第3情報層30の反射率と、第2情報層20および第3情報層30の透過率を各々調整することにより制御できる。
 本明細書中では、3つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、Rgはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、Rlはランド部の未記録状態での溝間部反射率を示す。
 本実施の形態では、一例として、第1情報層10の実効Rgが3.5%、実効Rlが3.7%、第2情報層20の実効Rgが5.0%、実効Rlが5.2%、第3情報層30の実効Rgが6.5%、実効Rlが6.8%となるように設計した構成を説明する。
 第3情報層30の透過率が79%、第2情報層20の透過率が75%である場合、第1情報層10はRgが10.0%、Rlが10.5%、第2情報層20はRgが8.0%、Rlが8.4%、第3情報層30はRgが6.5%、Rlが6.8%となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜が未記録状態であるときのグルーブ部およびランド部での平均値を示している。
 次に、基板1、中間分離層2、中間分離層3、カバー層4および貼り合わせ層5の機能、材料および厚さについて説明する。
 基板1は円盤状の透明な基板である。基板1の材料として、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはPMMA(Poly Methyl Methacrylate:ポリメチルメタクリレート)等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板1の第1情報層10側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。なお、実施の形態1において、基板1の厚さは例えば約0.5mmであり、直径は例えば約120mmである。
 また、案内溝を基板1に形成した場合、前述した通り、レーザ光6に近い側の溝を「グルーブ」と呼び、レーザ光6から遠い側の溝間を「ランド」と呼ぶ。グルーブ面とランド面の段差は、例えば10nm以上30nm以下である。
 また、実施の形態1ではグルーブ-ランド間の距離(グルーブの幅方向の中心と、このグルーブに隣接するランドの幅方向の中心との間の距離)は、約0.225μmであるが、これに限定されるものではない。
 中間分離層2および3は、光硬化型樹脂(特に紫外線硬化型樹脂)、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。中間分離層2および3は、記録および再生に用いる波長λのレーザ光に対して光吸収が小さいものであると、レーザ光6を効率よく第1情報層10および第2情報層20に到達させることができる。
 中間分離層2および3は、第1情報層10、第2情報層20および第3情報層30のフォーカス位置を区別するために設けられるものである。したがって、中間分離層2および3の厚さは、例えば、対物レンズの開口数(NA)とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔZ以上としてよい。焦点の光強度の基準を無収差の場合の80%と仮定した場合、ΔZは、
ΔZ=λ/{2(NA)
で近似できる。また、第2情報層20における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層2と中間分離層3の厚さは異なる値としてよい。
 中間分離層2および3などにおいて、レーザ光の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。中間分離層2および3に設ける案内溝の段差、およびグルーブ-ランド間の距離は、基板1に設けられる案内溝に関して説明したとおりであり、実施の形態1ではグルーブ-ランド間の距離は、約0.225μmとしているが、これに限定されるものではない。
 カバー層4は、例えば、光硬化型樹脂(特に紫外線硬化型樹脂)、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。カバー層4は、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいものであってよい。より具体的には、カバー層4は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはPMMA等の樹脂、あるいはガラスを用いて形成してよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層4は、例えば、光硬化型樹脂(特に紫外線硬化型樹脂)または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を接着剤として、板状の部材を、第3情報層30における第2誘電体膜33に貼り合わせることにより形成してよい。カバー層4の厚さは、例えば、NA=0.85で良好な記録および再生が可能な厚さである40μm~80μm程度としてよく、特に、50μm~65μm程度としてよい。
 貼り合わせ層5は、例えば、光硬化型樹脂(特に紫外線硬化型樹脂)または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、A面情報記録媒体101とB面情報記録媒体102を接着させている。貼り合わせ層5にはレーザ光6を遮光する膜を設けてもよい。
 情報記録媒体100の厚さをBD規格の情報記録媒体と同等の厚さとする場合、中間分離層2および3ならびにカバー層4の厚さの総和は100μmに設定してよい。例えば、中間分離層2を約25μm厚、中間分離層3を約18μm厚、カバー層4を約57μm厚、貼り合わせ層5を約1μm厚のように設定してよい。
 次に、第1情報層10の構成について説明する。第1情報層10は基板1の表面上に、少なくとも第1誘電体膜11、記録膜12、および第2誘電体膜13がこの順に積層されることにより形成されている。
 第1誘電体膜11は、光学的距離を調節して記録膜12の光吸収率を高める働き、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働き、および記録ピットの膨らみを制御して信号振幅を大きくする働きを有する。また、第1誘電体膜11は、記録膜12への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。
 第1誘電体膜11は、スズ(Sn)および酸素(O)を酸化スズの形態で含み、かつ酸化スズを30mol%以上含む、誘電体膜Aである。誘電体膜Aの詳細は、第2情報層20の第2誘電体膜23に関連して後で説明する。
 本発明者らの知見によれば、レーザ光が入射する面(カバー層4の表面)から最も遠い位置にある第1情報層10は、そのシェルフ特性が第2および第3情報層20および30のそれよりも良好となる傾向にある。また、誘電体膜Aを設けることによる効果は、誘電体膜Aをレーザ光の入射面に近い側に設ける場合に、より顕著となることも分かっている。
 したがって、実施の形態1において、第1誘電体膜11は必ずしも誘電体膜Aである必要はなく、酸化スズ以外の酸化物もしくは他の化合物からなるものであってよい。あるいは、第1誘電体膜11は、スズまたは酸化スズを含むとしても、スズの割合または酸化スズの割合が上記において規定する割合よりも低くてもよい。
 第1誘電体膜11の材料としては、例えば、SiO、ZnO、SnO、Cr、In、Sb、Bi3、Ga、Al、TiO、Ta、Nb、Y、ZrO、HfOおよびDy等の酸化物、CN、TiN、ZrN、Si、GeN、AlN、Ge-Si-NおよびGe-Cr-N等の窒化物、SiC等の炭化物、ZnS等の硫化物、ならびにLaF、CeFおよびYF等のフッ化物を用いることができる。第1誘電体膜11は、これらの化合物から選択される2以上の化合物の混合物から成ってよい。
 具体的な例として、In-SnO(ITO)、ZnO-SnO、ZrO-Y、ZrO-SiO-ZnO、ZrO-In、ZrO-SiO-In、ZrO-SiO-In-SnO、ZrO-Y-In、ZrO-Cr、ZrO-SiO-Cr、ZrO-Ga、ZrO-SiO-Ga、Ga-Al、Ga-ZnO-Al、SnO-Sb、SiO-TiO、TiO-Nb、ZrO-SiO-Al、In-Dy、Bi-SiO、Al-AlN、ZrO-SiO-ZnS、SiO-ZnSおよびZrO-SiO-LaF等が挙げられる。これら例示した組み合わせにおいて、二以上の酸化物は複酸化物を形成していてよい。酸化スズが含まれている組み合わせにおいて、酸化スズの割合が30mol%以上である場合、その組み合わせにより形成される膜は誘電体膜Aである。
 上記において列挙した化合物のうち、スパッタリングターゲットとして作製したときに導電性を有するものは、DCスパッタリングによる膜形成を可能とし、第1誘電体膜11の作成時に高い成膜レートが期待できるため、情報記録媒体の低コスト化につなげることができる。
 導電性を有する化合物は、例えば、In、およびSnOである。第1誘電体膜11の厚さは、例えば、5nm~50nmであってよい。
 第1誘電体膜11の組成は、例えば、X線マイクロアナライザー(XMA:X-ray MicroAnalyser)、電子線マイクロアナライザー(EPMA:Electron Probe MicroAnalyser)、またはラザフォード後方散乱分析法(RBS:Rutherford Backscattering Spectrometry)で分析することができる。
 スパッタリングで形成された第1誘電体膜11には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス(Ar、Kr、Xe)、水分(O-H)、有機物(C)、空気(N、O)、スパッタ室に配置された冶具の成分(金属)およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物(金属、半金属、半導体、誘電体)などが不可避に含まれ、不可避の成分はこれらの分析方法で検出されることがある。これら不可避の成分は第1誘電体膜11に含まれる全原子を100原子%とした場合、10原子%を上限として含まれていてもよい。
 また、第1誘電体膜11は、不可避的に含まれる成分を除いて、所定の組成比を満足していればよい。これは、後述するその他の誘電体膜である第1誘電体膜21、31および第2誘電体膜13、23、33にも同様に適用される。
 記録膜12は、WとOを含み、例えば、レーザ光の照射によってOが分離および結合して、バブルを形成する材料からなる、W-O系記録膜である。Wは3原子%以上(Oを除く金属元素比では10原子%)、Oは40原子%以上含まれていることが好ましい。
 また、記録膜12はさらに元素M1(但し、M1はGe、Al、Zn、Bi、Te、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Mn、Ta、CrおよびMoより選ばれる少なくとも一つの元素)を含んでよく、それによりさらに良好な信号特性を得ることができる。
 Znは良好な信号特性を維持し、透過率を向上させることができる。PdおよびMnから選ばれる少なくとも一つの元素を添加することにより、記録膜12において効率よく光を吸収させて、バブル形成をしやすくすることができ、それにより信号の変調度を向上することができる。
 また、CuおよびAgから選ばれる少なくとも一つの元素は、記録膜12において効率よく光が吸収されることを可能にするとともに、高い導電性を有するので、記録膜12をDCスパッタリングで形成する場合に高い安定性(持続性)をもたらし得る。
 記録膜12の厚さは、例えば、15nm~50nmとしてよい。
 記録膜12の組成は、例えば、X線マイクロアナライザー(XMA)、電子線マイクロアナライザー(EPMA)、またはラザフォード後方散乱分析法(RBS)で分析することができる。
 スパッタリングで形成された記録膜12には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス(Ar、Kr、Xe)、水分(O-H)、有機物(C)、空気(N、O)、スパッタ室に配置された冶具の成分(金属)およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物(金属、半金属、半導体、誘電体)などが不可避に含まれ、これらの不可避の成分は、ICP(Inductivity Coupled Plasma)発光分光分析、XMA、およびEPMAなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録膜12に含まれる全原子を100原子%とした場合、10原子%を上限として含まれていてもよい。
 また、記録膜12は、不可避的に含まれる成分を除いて、所定の組成比を満足していればよい。これは、後述する記録膜22、および32にも同様に適用される。
 第2誘電体膜13は第1誘電体膜11と同様に、光学的距離を調節して記録膜12の光吸収率を高める働き、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働き、および記録ピットの膨らみを制御して信号振幅を大きくする働きを有する。
 また、第2誘電体膜13は、記録膜12への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。
 第2誘電体膜13は、第1誘電体膜11と同様、誘電体膜Aであってよく、あるいは酸化スズ以外の酸化物もしくは他の化合物からなるものであってよい。あるいは、第2誘電体膜13は、スズまたは酸化スズを含むとしても、スズの割合または酸化スズの割合が誘電体膜Aにおけるそれらよりも低いものであってよい。
 第2誘電体膜13は、第1誘電体膜11と同様、シェルフ特性が比較的良好な第1情報層10を構成するものであるため、誘電体膜Aである必要は必ずしもない。第2誘電体膜13を構成するのに適した化合物およびその組み合わせは、先に第1誘電体膜11に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。
 第2誘電体膜13の厚さは、例えば、5nm~50nmであってよい。
 第1誘電体膜11、記録膜12、および第2誘電体膜13の具体的な厚さはマトリクス法に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜12が未記録の場合と記録の場合との反射光量の変化率を大きくすること、および/または記録部-未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を好適化することが可能である。
 次に、第2情報層20の構成について説明する。第2情報層20は、中間分離層2の表面上に、少なくとも第1誘電体膜21、記録膜22、および第2誘電体膜23がこの順に積層されることにより形成されている。
 第1誘電体膜21の機能および形状は、前述した第1情報層10の第1誘電体膜11のそれらと同様であり、第1誘電体膜11に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
 第2情報層20は、第1情報層10よりもレーザ光6の入射面に近い側にあるため、そのシェルフ特性は第1情報層10のそれよりも低下する傾向にある。したがって、第1誘電体膜21を誘電体膜Aとすることにより、第2情報層20のシェルフ特性をより向上させることが可能である。
 尤も、第2情報層20のシェルフ特性は、第1誘電体膜21よりは第2誘電体膜23による影響を受けやすく、第2誘電体膜23を後述するとおり誘電体膜Aとすれば、第1誘電体膜21を誘電体膜Aとする必要は必ずしもない。
 記録膜22の機能および形状は、前述した第1情報層10の記録膜12のそれらと同様であり、記録膜12に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
 第2情報層20は、第1情報層10での記録および再生に際してはレーザ光を通過させる必要がある。そのため、記録膜22おけるW量を記録膜12におけるW量よりも増やして、レーザ光の透過率を高めてよい。具体的には、記録膜22におけるW量は6原子%以上(Oを除く金属元素比では20原子%)であってよい。
 第2誘電体膜23は、誘電体膜Aとしてよい。前述したように記録膜のW量が多くなると、情報層のシェルフ特性は悪化する傾向にある。また、シェルフ特性は、記録膜に接して設けられる2つの誘電体膜のうち、レーザ光の入射面に近い側の誘電体膜による影響を受けやすい。そのため、スズまたは酸化スズを高い割合で含む誘電体膜Aを第2誘電体膜23に適用することで、第2情報層20のシェルフ特性の悪化をより効果的に抑制できる。
 誘電体膜Aは、酸化スズを30mol%以上含む。より良好なシェルフ特性を得るため、誘電体膜Aは酸化スズを50mol%以上含んでよい。酸化スズは、SnO、SnOおよびSnのいずれであってよい。特に、SnOは安定であり、レーザ光に対する透過性も高い。
 第2誘電体膜23が誘電体膜Aである場合、第2誘電体膜23は透過率および記録感度を向上させるために、元素M0(但し、M0はSi、Ge、Al、Ga、In、Zn、Sb、Bi、Cr、V、Nb、Ta、Ti、Zr、HfおよびYより選ばれる少なくとも一つの元素である)を含んでもよい。元素M0は、酸化物の形態で含まれていてよい。
 第2誘電体膜23は、スパッタリングターゲットが導電性を有する場合には、DCスパッタにより高い成膜レートで形成することができる。スパッタリングターゲットの導電性を高くするために、スパッタリングターゲット(ひいては当該ターゲットを用いて形成される誘電体膜A)は、酸化スズに加えて、In、ZnO、およびNbから選択される1または複数の酸化物を含んでよい。
 また、情報層の透過率をより高くするために、元素M0は、SiO、Al、TiO、およびZrOから選択される1または複数の酸化物の形態で、第2誘電体膜23に含まれていてよい。
 誘電体膜における元素M0の酸化物の割合は、酸化スズの割合が上記範囲内である限りにおいて特に限定されず、例えば20mol%~70mol%であってよい。例えば、スパッタリングターゲットの導電率を高くするために、In、ZnO、およびNbから選択される1または複数の酸化物を用いる場合、当該酸化物の割合を例えば20mol%~70mol%とすることにより、より良好な導電性を得ることができる。
 また、例えば、SiO、Al、TiO、およびZrOから選択される1または複数の酸化物を用いる場合、その割合を例えば20mol%~70mol%とすることにより、情報層の透過率をより高くし得る。
 第2誘電体膜23が誘電体膜Aである場合、誘電体膜Aを形成する酸化物の組み合わせとして、具体的には、SnO-SiO、SnO-GeO、SnO-Al、SnO-Ga、SnO-In、SnO-ZnO、SnO-Sb、SnO-Bi、SnO-Cr、SnO-V、SnO-Nb、SnO-Ta、SnO-TiO、SnO-ZrO、SnO-HfO、SnO-Y、SnO-In-SiO、SnO-In-GeO、SnO-In-Al、SnO-In-Ga、SnO-In-ZnO、SnO-In-Sb、SnO-In-Bi、SnO-In-Cr、SnO-In-V、SnO-In-Nb、SnO-In-Ta、SnO-In-TiO、SnO-In-ZrO、SnO-In-HfO、SnO-In-Y、SnO-SiO-GeO、SnO-SiO-Al、SnO-SiO-Ga、SnO-SiO-ZnO、SnO-SiO-Sb、SnO-SiO-Bi、SnO-SiO-Cr、SnO-SiO-V、SnO-SiO-Nb、SnO-SiO-Ta、SnO-SiO-TiO、SnO-SiO-ZrO、SnO-SiO-HfO、SnO-SiO-Y、SnO-Al-GeO、SnO-Al-Ga、SnO-Al-ZnO、SnO-Al-Sb、SnO-Al-Bi、SnO-Al-Cr、SnO-Al-V、SnO-Al-Nb、SnO-Al-Ta、SnO-Al-TiO、SnO-Al-ZrO、SnO-Al-HfO、SnO-Al-Y、SnO-ZnO-GeO、SnO-ZnO-Ga、SnO-ZnO-Sb、SnO-ZnO-Bi、SnO-ZnO-Cr、SnO-ZnO-V、SnO-ZnO-Nb、SnO-ZnO-Ta、SnO-ZnO-TiO、SnO-ZnO-ZrO、SnO-ZnO-HfO、SnO-ZnO-Y、SnO-In-SiO-GeO、SnO-In-SiO-Al、SnO-In-SiO-Ga、SnO-In-SiO-ZnO、SnO-In-SiO-Sb、SnO-In-SiO-Bi、SnO-In-SiO-Cr、SnO-In-SiO-V、SnO-In-SiO-Ta、SnO-In-SiO-TiO、SnO-In-SiO-ZrO、SnO-In-SiO-HfO、SnO-In-SiO-Y、SnO-SiO-ZrO-GeO、SnO-SiO-ZrO-Al、SnO-SiO-ZrO-Ga、SnO-SiO-ZrO-ZnO、SnO-SiO-ZrO-Sb、SnO-SiO-ZrO-Bi、SnO-SiO-ZrO-Cr、SnO-SiO-ZrO-V、SnO-SiO-ZrO-Nb、SnO-SiO-ZrO-Ta、SnO-SiO-ZrO-TiO、SnO-SiO-ZrO-HfO、SnO-SiO-ZrO-Y、SnO-In-SiO-ZrO-GeO、SnO-In-SiO-ZrO-Al、SnO-In-SiO-ZrO-Ga、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO、SnO-In-SiO-ZrO-Sb、SnO-In-SiO-ZrO-Bi、SnO-In-SiO-ZrO-Cr、SnO-In-SiO-ZrO-V、SnO-In-SiO-ZrO-Nb、SnO-In-SiO-ZrO-Ta、SnO-In-SiO-ZrO-TiO、SnO-In-SiO-ZrO-HfO、SnO-In-SiO-ZrO-Y、SnO-In-SiO-ZnO-GeO、SnO-In-SiO-ZnO-Al、SnO-In-SiO-ZnO-Ga、SnO-In-SiO-ZnO-Sb、SnO-In-SiO-ZnO-Bi、SnO-In-SiO-ZnO-Cr、SnO-In-SiO-ZnO-V、SnO-In-SiO-ZnO-Nb、SnO-In-SiO-ZnO-Ta、SnO-In-SiO-ZnO-TiO、SnO-In
-SiO-ZnO-HfO、SnO-In-SiO-ZnO-Y、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-GeO、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-Al、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-Ga、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-Sb、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-Bi、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-Cr、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-V、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-Nb、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-Ta、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-TiO、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-HfO、SnO-In-SiO-ZrO-ZnO-Y、SnO-AlTiO、SnO-ZnAl、SnO-ZnCr、SnO-ZnSiO、SnO-BiSn、SnO-BiTi12、SnO-ZrSiO、SnO-YAl12、SnO-In-AlTiO、SnO-In-ZnAl、SnO-In-ZnCr、SnO-In-ZnSiO、SnO-In-BiSn、SnO-In-BiTi12、SnO-In-ZrSiO、SnO-In-YAl12、SnO-SiO-AlTiO、SnO-SiO-ZnAl、SnO-SiO-ZnCr、SnO-SiO-BiSn、SnO-SiO-BiTi12、SnO-SiO-YAl12、SnO-ZnO-AlTiO、SnO-ZnO-BiSn、SnO-ZnO-BiTi12、SnO-ZnO-ZrSiO、SnO-ZnO-YAl12、SnO-In-SiO-AlTiO、SnO-In-SiO-ZnAl、SnO-In-SiO-ZnCr、SnO-In-SiO-BiSn、SnO-In-SiO-BiTi12、SnO-In-SiO-YAl12、SnO-In-SiO-ZrO-AlTiO、SnO-In-SiO-ZrO-ZnAl、SnO-In-SiO-ZrO-ZnCr、SnO-In-SiO-ZrO-ZnSiO、SnO-In-SiO-ZrO-BiSn、SnO-In-SiO-ZrO-BiTi12、SnO-In-SiO-ZrO-YAl12、SnO-ZrSiO-AlTiO、SnO-ZrSiO-ZnAl、SnO-ZrSiO-ZnCr、SnO-ZrSiO-ZnSiO、SnO-ZrSiO-BiSn、SnO-ZrSiO-BiTi12およびSnO-ZrSiO-YAl12等が挙げられる。これら例示した組み合わせにおいて、二以上の酸化物は混合物を形成していてよく、あるいは複酸化物を形成していてよい。
 第2誘電体膜23は必ずしも誘電体膜Aである必要はなく、他の情報層において、WとOを含む記録膜に接して誘電体膜Aが設けられている場合には、第2誘電体膜23は第1情報層10の第1誘電体膜11に関連して説明した酸化物、炭化物、硫化物およびフッ化物から選択される1つの化合物、またはそれらの混合物で形成されてよい。
 第2誘電体膜23が誘電体膜Aでない場合に、それを構成するのに適した化合物およびその組み合わせの具体例は、先に第1誘電体膜11に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。
 第2誘電体膜23が誘電体膜Aである場合、第1誘電体膜21はIn-SnO(ITO)(但し、SnOの割合は30mol%未満、例えば15mol%~20mol%)であってよい。ITOは導電性の高いInを高い割合で含むので、DCスパッタリングにより効率的に成膜可能である。
 次に、第3情報層30の構成について説明する。第3情報層30は、中間分離層3の表面上に、少なくとも第1誘電体膜31、記録膜32、および第2誘電体膜33がこの順に積層されることにより形成されている。
 第3情報層30の構成は基本的には第2情報層20と同様である。
 第1誘電体膜31は、第2情報層20の第1誘電体膜21と同様の機能および形状を有する。また、第1誘電体膜21は、第1誘電体膜21と同様、第1情報層10の第1誘電体膜11に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
 記録膜32の機能および形状は、第2情報層20の記録膜22のそれらと同様であり、記録膜22と同様、第1情報層10の記録膜12に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
 第3情報層30は、第1および第2情報層10および20での記録および再生に際してはレーザ光を通過させる必要がある。そのため記録膜32のW量を第2情報層20の記録膜22におけるW量よりもさらに増やして、記録膜32のレーザ光の透過率を高めてよい。具体的には、記録膜32におけるW量は8原子%以上(Oを除く金属元素比では25原子%)であってよい。
 第2誘電体膜33は、第2情報層20の第2誘電体膜23と同様の機能および形状を有する。また、第2誘電体膜33は、第2情報層20の第2誘電体膜23に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
 第3情報層30はレーザ光の照射面(カバー層4の表面)に最も近く、記録膜32のW量が他の記録膜のそれよりも大きくなるように設計されることが多いため、3つの情報層のうちシェルフ特性が最も低くなる傾向にある。したがって、実施の形態1においては、少なくとも第2誘電体膜33を誘電体膜Aとすることにより、誘電体膜Aによる効果(シェルフ特性の低下抑制)を顕著に達成できる。
 誘電体膜Aの具体的な構成は、第2情報層20の第2誘電体膜33に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。
 第2誘電体膜33が誘電体膜Aである場合、第1誘電体膜31は、In-SnO(ITO)誘電体膜(但し、SnOを30mol%未満の割合で含む)であってよい。前述のとおり、ITO膜はDCスパッタリングにより効率的に成膜可能である。
 第1誘電体膜31が誘電体膜Aである場合には、第2誘電体膜33は誘電体膜Aでなくてもよい。あるいは、他の情報層において、WとOを含む記録膜に接して誘電体膜Aが設けられている場合には、第2誘電体膜33は誘電体膜Aでなくてもよい。
 第2誘電体膜33が誘電体膜Aでない場合、第2誘電体膜33は第1情報層10の第1誘電体膜11に関連して説明した酸化物、炭化物、硫化物およびフッ化物から選択される1つの化合物、またはそれらの混合物で形成されてよい。
 第2誘電体膜33が誘電体膜Aでない場合に、それを構成するのに適した化合物およびその組み合わせの具体例は、先に第1誘電体膜11に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。
 実施の形態1の変形例においては、本実施の形態に示す情報記録媒体100において、いずれかの情報層の記録膜が、Te-O-PdまたはGe-Bi-O等の他の記録膜、すなわちW-O系記録膜以外の記録膜であってもよい。
 あるいは、他の変形例においては、必要に応じて、反射膜および上記において例示していない材料から成る誘電体膜を設けてもよい。本開示に係る技術の効果は、これらの変形例においても達成される。
 さらに別の変形例の情報記録媒体においては、片面(A面およびB面)4つ以上の情報層を含んでよい。その場合、誘電体膜Aが、少なくとも第N情報層(Nは情報層の数に相当する正の整数)に設けられると、本実施の形態の効果が顕著に達成される。
 本実施の形態の効果は、Nの数によらず、誘電体膜Aが少なくとも第N情報層および第(N-1)情報層において設けられると、より顕著に達成される。レーザ光に近い側の情報層においてシェルフ特性が劣化しやすいため、レーザ光に近い2つの情報層に誘電体膜Aを設けると、情報層間のシェルフ特性の差を小さくしやすい。
 情報記録媒体100の記録方式は、線速度一定のConstant Linear Velocity(CLV)、回転数一定のConstant Angular Velocity(CAV)、Zoned CLVおよびZoned CAVのいずれであってよい。使用できるデータビット長は79.5nmである。
 本実施の形態の情報記録媒体100への情報の記録および再生は、対物レンズの開口数NAが0.85である光学系で実施してよく、あるいはNA>1の光学系で実施してよい。
 光学系としてはSolid Immersion Lens(SIL)、またはSolid Immersion Mirror(SIM)を使用してもよい。この場合、中間分離層2および3、ならびにカバー層4は5μm以下の厚さとしてよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
 次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体100の製造方法について説明する。
 まずA面情報記録媒体101の製造方法を説明する。
 第1情報層10を構成する第1誘電体膜11、記録膜12および第2誘電体膜13は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板1(例えば、厚さ0.5mm)を成膜装置内に配置する。
 続けて、まず第1誘電体膜11を成膜する。このとき、基板1に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に第1誘電体膜11を成膜する。第1誘電体膜11は、第1誘電体膜11を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス、例えば、酸素ガスや窒素ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成される。
 希ガスは、例えば、Arガス、Krガス、またはXeガスであるが、コスト面ではArガスが有利である。これはスパッタリングの雰囲気ガスを希ガスまたはその混合ガスとする、いずれのスパッタリングについてもあてはまる。
 スパッタリングターゲットが導電性を有する場合、RF(RF:Radio Frequency)スパッタリングよりも、DC(DC:Direct Current)スパッタリング、またはパルスDCスパッタリングを用いることにより、より高い成膜レートを達成できる。
 また、第1誘電体膜11を複数の誘電体材料で形成する場合、誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードから誘電体材料を同時に堆積させるマルチスパッタリングを実施してよい。
 続いて、第1誘電体膜11上に記録膜12を成膜する。記録膜12は、その組成に応じて、W合金またはW-O合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。
 上記のW合金ターゲットは導電性を有しているため、RFスパッタリングよりも、DCスパッタリング、またはパルスDCスパッタリングを用いることにより、より高い成膜レートを達成できる。混合ガス雰囲気に多量の酸素ガスを混合することにより、記録膜12中により多くの酸素を取り入れることができる。
 記録膜12は、構成する元素それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードから元素を同時に堆積させるマルチスパッタリングにより形成してもよい。
 続いて、記録膜12上に第2誘電体膜13を成膜する。第2誘電体膜13は、第2誘電体膜13を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。
 また、第2誘電体膜13を複数の誘電体材料で形成する場合、マルチスパッタリングを実施してよい。
 続いて、第2誘電体膜13上に中間分離層2を形成する。中間分離層2は、光硬化型樹脂(特に紫外線硬化型樹脂)または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第1情報層10上に塗布しスピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。
 なお、中間分離層2に案内溝を設ける場合、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板型を硬化前の樹脂に密着させた状態でスピンコートした後に樹脂を硬化させ、さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がす方法で中間分離層2を形成してよい。
 続いて、第2情報層20を形成する。具体的には、まず、第1誘電体膜21を中間分離層2の上に形成する。第1誘電体膜21は、前述した第1誘電体膜11と同様の方法で形成できる。
 続いて、第1誘電体膜21上に記録膜22を形成する。記録膜22は、前述した記録膜12と同様の方法で形成できる。
 続いて、記録膜22上に第2誘電体膜23を形成する。第2誘電体膜23は、前述した第2誘電体膜13と同様の方法で形成できる。
 続いて、第2誘電体膜23上に中間分離層3を形成する。中間分離層3は、前述した中間分離層2と同様の方法で形成できる。
 続いて、第3情報層30を形成する。第3情報層30は、基本的には前述した第2情報層20と同様の方法で形成できる。
 まず、中間分離層3上に第1誘電体膜31を形成する。第1誘電体膜31は、前述した第1誘電体膜11と同様の方法で形成できる。
 続いて、第1誘電体膜31上に記録膜32を形成する。記録膜32は、前述した記録膜12と同様の方法で形成できる。
 続いて、記録膜32上に第2誘電体膜33を形成する。第2誘電体膜33は、前述した第2誘電体膜13と同様の方法で形成できる。
 いずれの誘電体膜および記録膜も、供給電力を100W~10kWとし、成膜室の圧力を0.01Pa~10Paとして、形成してよい。
 続いて、第2誘電体膜33上にカバー層4を形成する。カバー層4は、光硬化型樹脂(特に紫外線硬化型樹脂)または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第2誘電体膜33上に塗布し、スピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。あるいは、カバー層4は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、もしくはPMMA等の樹脂、またはガラスから成る円盤状の基板を貼り合わせる方法で形成してよい。
 具体的には、第2誘電体膜33に光硬化型樹脂(特に紫外線硬化型樹脂)または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、塗布した樹脂に基板を密着させた状態でスピンコートを実施して樹脂を均一に延ばし、その後、樹脂を硬化させる方法でカバー層4を形成できる。
 各情報層における各膜の成膜時間は、情報記録媒体の量産性を上げて、製造コストを下げるため、1つの膜あたり10秒以下であってよく、特に5秒以下であってよい。
 なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法(CVD法:Chemical Vapor Deposition)および分子線エピタキシー法(MBE法:Molecular Beam Epitaxy)を用いることも可能である。
 このようにしてA面情報記録媒体101を製造することができる。
 同様にしてB面情報記録媒体102の製造も可能である。
 最後に、A面情報記録媒体101において基板1の案内溝が設けられた面とは反対の面に光硬化型樹脂(特に紫外線硬化型樹脂)を均一に塗布し、B面情報記録媒体の基板1の案内溝が設けられた面とは反対の面を塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層5を形成する。
 あるいは、遅行性硬化型の光硬化型樹脂をA面情報記録媒体101に均一に塗布した後に光を当て、その後、B面情報記録媒体102を貼り付けて、貼り合わせ層5を形成してもよい。
 このようにして、実施の形態1に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体100を製造することができる。
 (実施の形態2)
 実施の形態2として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。実施の形態2として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。
 図2に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体200は、情報を記録および再生する情報層を、基板1上に3層設けており、カバー層4側よりレーザ光6を照射し、各情報層に対して情報を記録および再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光6は波長405nm付近の青紫色域のレーザ光である。
 実施の形態1と異なり、実施の形態2の情報記録媒体200は、片面にのみ情報層を有する媒体である。
 情報記録媒体200は、基板1上に中間分離層2および3などを介して、順次積層された第1情報層10、第2情報層20および第3情報層30を有し、さらに、第3情報層に接して設けられたカバー層4を有する。第2情報層20および第3情報層30は透過型の情報層である。
 情報記録媒体200においては、案内溝を基板1に形成した場合、グルーブに対応する位置で記録膜にピットを形成すれば、すなわち、グルーブ記録を実施すれば、例えばBD-XL規格に準じ、1情報層あたりの容量を33.4GBにすることができる。情報記録媒体200においては3つの情報層で情報の記録および再生が可能であるから、本実施の形態によれば、100GBの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
 3つの情報層の実効反射率は第1、第2および第3情報層10、20および30の反射率と、第2および第3情報層20および30の透過率を各々調整することにより制御できる。
 本実施の形態では、一例として、第1情報層10の実効Rgが3.3%、第2情報層20の実効Rgが3.3%、第3情報層30の実効Rgが3.3%となるように設計した構成を説明する。
 第3情報層30の透過率が79%、第2情報層20の透過率が75%である場合、第1情報層10はRgが9.2%、第2情報層20はRgが5.3%、第3情報層30はRgが3.3%となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。
 次に、基板1、中間分離層2、中間分離層3およびカバー層4の機能、材料および厚さについて説明する。
 基板1は円盤状の透明な基板である。基板1の材料として、実施の形態1における基板1と同様の材料を用いることができる。本実施の形態において、基板の厚さは約1.1mmであり、グルーブ間の距離は約0.32μmであるが、厚さおよびグルーブ間の距離はこれらに限定されるものではない。
 中間分離層2および3は、実施の形態1における中間分離層2および3と同様の材料を用いて形成することができ、また、厚さも実施の形態1の中間分離層2および3と同様に設計できる。
 本実施の形態においても、中間分離層2および3には案内溝を設けてよい。本実施の形態では、グルーブ間の距離は、約0.32μmとしているが、これに限定されるものではない。
 カバー層4は、実施の形態1におけるカバー層4と同様の材料を用いて形成することができる。また、厚さも実施の形態1のカバー層4と同様に設計できる。
 BD規格に準じる場合には、中間分離層2および3の厚さとカバー層4の厚さとの総和が100μmとなるように設定してよい。例えば、中間分離層2を約25μm厚、中間分離層3を約18μm厚、カバー層4を約57μm厚のように設定してよい。
 第1情報層10は、基板1の表面上に、少なくとも第1誘電体膜11、記録膜12、および第2誘電体膜13がこの順に積層されることにより形成されている。第1情報層10は、実施の形態1における第1情報層10と同様の方法により形成できる。
 第2情報層20は、中間分離層2の表面上に、少なくとも第1誘電体膜21、記録膜22、および第2誘電体膜23がこの順に積層されることにより形成されている。第2情報層20は、実施の形態1における第2情報層20と同様の方法により形成できる。
 第3情報層30は、中間分離層3の表面上に、少なくとも第1誘電体膜31、記録膜32、および第2誘電体膜33がこの順に積層されることにより形成されている。第3情報層30は、実施の形態1における第3情報層30と同様の方法により形成できる。
 このようにして、実施の形態2に係る、片面に情報層を有する情報記録媒体200を製造することができる。
 以上のように、本開示に係る技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
 したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必要な必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面または詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
 また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
 次に、実施例を用いて本開示の技術を詳細に説明する。
 本開示のより具体的な実施の形態を、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
 (実施例1)
 本実施例では図1に示す情報記録媒体100の一例を、その製造方法とともに説明する。
 まずA面情報記録媒体101の構成を説明する。基板1として、螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が形成されたポリカーボネート基板(厚さ0.5mm)を用意する。その基板1上に、第1誘電体膜11として厚さ11nmの(In83(SnO17(mol%)膜、記録膜12として厚さ30nmのW20Cu25Zn20Mn35(原子%)の酸化物から成る膜、第2誘電体膜13として厚さ11nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、順次スパッタリング法により成膜する。
 ここで記録膜の組成は、W20Cu25Zn20Mn35-Oと表記する。以降、他の記録膜についても同様に、元素比は金属元素比(原子%)のみを記載した形で表記する。例えば、記録膜がタングステン(W)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)およびマンガン(M)の酸化物から成り、これらの4つの金属元素を合わせて100原子%としたときに、Wの割合が25%原子、Cuの割合が25原子%、Znの割合が25原子%、Mnの割合が25原子%である場合、記録膜の組成はW25Cu25Zn25Mn25-Oと表記する。
 また、(In83(SnO17(mol%)は一般的に使用されているIn-SnO(ITO)系透明導電膜であり、(In90(SnO10(wt%)で示されることが多い。本明細書においては、二以上の酸化物からなる誘電体膜の組成はいずれもmol%で表記している。したがって、これらの誘電体膜との組成の比較を容易にするために、(In90(SnO10(wt%)は、本明細書では(In83(SnO17(mol%)と表記する。
 第1情報層10を構成する膜の厚さは、第2情報層20および第3情報層30がない場合に第1情報層10の反射率が、未記録状態でRg≒10.0%、Rl≒10.5%になるように決定する。反射率は波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 第1誘電体膜11および第2誘電体膜13の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜12の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。
 続けて、第1情報層10上に螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が設けられた中間分離層2を形成し、中間分離層2上に第2情報層20を形成する。
 具体的には、第1誘電体膜21として、厚さ15nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜22として、厚さ30nmのW35Cu15Zn35Mn15-O膜を、第2誘電体膜23として、SnOを30mol%以上有する酸化物誘電体材料から成る膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜して、第2情報層20を形成する。
 第2誘電体膜23の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第3情報層30がない場合の第2情報層20の反射率が未記録状態でRg≒8.0%、Rl≒8.3%、透過率が64~68%となるように設定する。反射率および透過率は、波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 また、第1誘電体膜21の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜22の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜23の成膜は、Ar雰囲気またはAr+Oの混合ガス雰囲気で、DC電源またはRF電源を用いて行う。
 続けて、第2情報層20上に螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が設けられた中間分離層3を形成し、中間分離層3上に第3情報層30を形成する。
 具体的には、第1誘電体膜31として、厚さ15nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜32として、厚さ30nmのW40CuZn40Mn15-O膜を、第2誘電体膜33として、SnOを30mol%以上有する酸化物誘電体材料から成る膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜して、第3情報層30を形成する。
 第2誘電体膜33の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第3情報層30の反射率が未記録状態でRg≒6.5%、Rl≒6.8%、透過率が67~72%となるように設定する。反射率および透過率は、波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 また、第1誘電体膜31の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜32の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜33の成膜は、Ar雰囲気またはAr+Oの混合ガス雰囲気で、DC電源またはRF電源を用いて行う。
 その後に紫外線硬化型樹脂を第2誘電体膜33上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、カバー層4を形成し、A面情報記録媒体101の作製を完了する。
 次に、B面情報記録媒体102の構成を説明する。基板1として、螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が形成されたポリカーボネート基板(厚さ0.5mm)を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したA面情報記録媒体101の基板1に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。その基板1上に、第1情報層10、中間分離層2、第2情報層20、中間分離層3、第3情報層30およびカバー層4を形成する。
 B面情報記録媒体102は、各情報層の構成(各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等)が、A面情報記録媒体101の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜(第1誘電体膜、記録膜、第2誘電体膜)を形成する。各膜は、A面情報記録媒体101の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層4も、A面情報記録媒体101のカバー層4と同じ構成とし、同じ方法で形成する。
 中間分離層2および3も、A面情報記録媒体101のそれらと同じ構成である。但し、B面情報記録媒体102において、中間分離層2および3に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、A面情報記録媒体101の中間分離層2および3に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。
 最後に、A面情報記録媒体101の基板1の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にB面情報記録媒体102の基板1の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層5を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体100を作製する。
 本実施例の情報記録媒体100として、A面情報記録媒体101とB面情報記録媒体102の第2情報層20の第2誘電体膜23および第3情報層30の第2誘電体膜33が、SnO、(SnO70(In30(mol%)、(SnO50(In50(mol%)、(SnO30(In70(mol%)、(SnO70(ZrO30(mol%)、(SnO70(Al30(mol%)、(SnO70(TiO30(mol%)、(SnO70(Sb30(mol%)、(SnO70(Ta30(mol%)、(SnO50(ZrO25(In25(mol%)および(SnO50(ZrO15(SiO15(In20(mol%)から成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクNo.をそれぞれ1-101~1-111とする。
 比較のために、情報記録媒体100における、A面情報記録媒体101とB面情報記録媒体102の第2誘電体膜23および第2誘電体膜33が(In90(SnO10(wt%)(=(In83(SnO17(mol%))から成る媒体を作製する。この媒体のディスクNo.を1-001とする。
 実施例(ディスクNo.1-101~1-111)および比較例(ディスクNo.1-001)のそれぞれについて、第2情報層20および第3情報層30の記録感度およびシェルフ特性の評価を行う。
 信号評価のための評価装置のレーザ光の波長は405nm、対物レンズの開口数NAは0.85であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行う。記録の線速度は14.00m/s(4倍速)および再生の線速度は7.00m/s(2倍速)とする。データビット長を79.5nmとし、1情報層あたり50GB密度の記録を行う。
 再生パワーは、第1情報層および第2情報層に対しては1.4mW、第3情報層に対しては1.1mWとする、再生光として、2:1で高周波重畳(変調)されたレーザ光を用いる。ランダム信号(2T~8T)による記録を行い、信号品質は、PR(1233321)ML(Pattern Recognition and Machine Learning)信号処理によりデータ複合を行い、i-MLSEとして評価し、記録感度はi-MLSEの最もよい値となるレーザパワーとする。
 シェルフ特性は、ディスクを85℃、80%RH、100時間の条件で加速試験に付し、加速試験前後の記録感度およびi-MLSEの変化量により評価する。記録感度の変化量は、
((加速試験後の記録感度)-(初期の記録感度))÷(初期の記録感度)×100%
により算出する。i-MLSEの変化量は
(加速試験後のi-MLSE)-(初期のi-MLSE)
により算出する。
 A面情報記録媒体101の第2情報層20についての評価結果を表1に示し、A面情報記録媒体に101の第3情報層30についての評価結果を表2に示し、B面情報記録媒体102の第2情報層20についての評価結果を表3に示し、B面情報記録媒体102の第3情報層30についての評価結果を表4に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体100においても、比較例のディスクNo.1-001と比較して、加速試験後の記録感度およびi-MLSEの変化量が少なく、良好なシェルフ特性が得られている。記録感度の変化量は概ね+15%以下、i-MLSEの変化量は概ね+1.5%未満であることが好ましい。
 ディスクNo.1-101~104より、SnO量が多くなるほどシェルフ特性が良好となる傾向が見られる。また、ディスクNo.1-105~107より、ZrO、Al、またはTiOの添加により、ディスク透過率が向上する傾向が見られる。また、ディスクNo.1-108~109より、SbまたはTaの添加により、記録感度が向上する傾向が見られる。
 (実施例2)
 本実施例では図1に示す情報記録媒体100の一例を、その製造方法とともに説明する。
 まずA面情報記録媒体101の構成を説明する。基板1および第1情報層10の構成および作製方法は実施例1と同様である。
 続けて、第1情報層10上に螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が設けられた中間分離層2を形成し、中間分離層2上に第2情報層20を形成する。
 具体的には、第1誘電体膜21として、厚さ15nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜22として、厚さ30nmのW35Cu15Zn35Mn15-O膜を、第2誘電体膜23として、厚さ15nmの誘電体膜Aである(SnO50(In50(mol%)膜を、順次スパッタリング法により成膜する。
 各膜の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第3情報層30がない場合の第2情報層20の反射率が未記録状態でRg≒8.0%、Rl≒8.3%、透過率が約66%となるように設定する。反射率および透過率は、波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 また、第1誘電体膜21の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜22の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜23の成膜は、Ar雰囲気で、DC電源を用いて行う。
 続けて、第2情報層20上に螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が設けられた中間分離層3を形成し、中間分離層3上に第3情報層30を形成する。
 具体的には、第1誘電体膜31として、SnOを30mol%以上有する酸化物誘電体材料から成る膜(誘電体膜A)を、記録膜32として、厚さ30nmのW40CuZn40Mn15-O膜を、第2誘電体膜33として、SnOを30mol%以上有する酸化物誘電体材料から成る膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜する。
 第1誘電体膜31および第2誘電体膜33の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第3情報層30の反射率が、未記録状態でRg≒6.5%、Rl≒6.8%、透過率が67~72%となるように設定する。反射率は、波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 また、第1誘電体膜31の成膜は、Ar雰囲気またはAr+Oの混合ガス雰囲気でDC電源またはRF電源を用いて行う。記録膜32の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜33の成膜は、Ar雰囲気またはAr+Oの混合ガス雰囲気で、DC電源またはRF電源を用いて行う。
 その後に紫外線硬化型樹脂を第2誘電体膜33上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層4を形成し、A面情報記録媒体101を作製する。
 次に、B面情報記録媒体102の構成を説明する。基板1および第1情報層10の構成および作製方法は実施例1のB面情報記録媒体102のそれらと同様である。
 続けて、中間分離層2、第2情報層20、中間分離層3、第3情報層30およびカバー層4を形成する。B面情報記録媒体102は、各情報層の構成(各膜の組成、厚さ、ならびに各情報層の反射率および透過率等)が、A面情報記録媒体101の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜(第1誘電体膜、記録膜、第2誘電体膜)を形成する。各膜は、A面情報記録媒体101の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。
 カバー層4も、A面情報記録媒体101のカバー層4と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層2および3も、A面情報記録媒体101のそれらと同じ構成である。
 但し、B面情報記録媒体102において、中間分離層2および3に設ける螺旋状の案内溝は、螺旋の回転方向が、A面情報記録媒体101の中間分離層2および3に設けた案内溝の螺旋の回転方向とは逆となるようにする。
 最後に、A面情報記録媒体101の基板1の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にB面情報記録媒体102の基板1の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層5を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体100を作製する。
 本実施例の情報記録媒体100として、A面情報記録媒体101とB面情報記録媒体102の第3情報層30の第1誘電体膜31および第2誘電体膜33がともに、SnO、(SnO70(In30(mol%)、(SnO50(In50(mol%)、(SnO30(In70(mol%)、(SnO70(ZrO30(mol%)、(SnO70(Al30(mol%)、(SnO70(TiO30(mol%)、(SnO70(Sb30(mol%)、(SnO70(Ta30(mol%)、(SnO50(ZrO25(In25(mol%)および(SnO50(ZrO15(SiO15(In20(mol%)から成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクNo.をそれぞれ1-112~1-122とする。
 実施例2においても、比較のために、実施例1で比較のために用いた媒体(ディスクNo.1-001)を用いる。
 実施例および比較例の情報記録媒体の信号評価は、実施例1と同様に行う。
 A面情報記録媒体101の第3情報層30についての評価結果を表5に示し、B面情報記録媒体102の第3情報層30についての評価結果を表6に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体100においても、比較例のディスクNo.1-001と比較して、加速試験後の記録感度およびi-MLSEの変化量が少なく、良好なシェルフ特性が得られている。
 またディスクNo.1-112~115と比較例のディスクNo.1-001とを比べると、SnO量が多くなるほどシェルフ特性が良好となる傾向がある。また、ディスクNo.1-116~118より、ZrO、Al、またはTiOの添加により、ディスク透過率が向上する傾向が見られる。また、ディスクNo.1-119~120より、SbまたはTaの添加により、記録感度が向上する傾向が見られる。
 (実施例3)
 本実施例では図1に示す情報記録媒体100の一例を、その製造方法とともに説明する。
 まず、A面情報記録媒体101の構成を説明する。基板1として、螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が形成されたポリカーボネート基板(厚さ0.5mm)を用意する。
 その基板1上に、第1誘電体膜11として、厚さ11nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜12として、厚さ30nmのW20Cu25Zn20Mn35-O膜を、第2誘電体膜13としてSnOを30mol%以上有する酸化物誘電体材料から成る膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜する。
 第2誘電体膜13の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第2情報層20および第3情報層30がない場合の第1情報層10(未記録状態)の反射率が未記録状態でRg≒10.0%、Rl≒10.5%となるように設定する。反射率は波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 第1誘電体膜11は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜12の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜13の成膜は、Ar雰囲気またはAr+Oの混合ガス雰囲気で、DC電源またはRF電源を用いて行う。
 続けて、第1情報層10上に中間分離層2、第2情報層20、中間分離層3、第3情報層30およびカバー層4をこの順に形成する。これらの層の構成および製造方法は、実施例1で作製する媒体のA面情報記録媒体101のそれらと同様である。
 次に、B面情報記録媒体102の構成を説明する。基板1として、螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が形成されたポリカーボネート基板(厚さ0.5mm)を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は前述したA面情報記録媒体101の基板1に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。
 その基板1上に、第1誘電体膜11として、厚さ11nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜12として、厚さ30nmのW20Cu25Zn20Mn35-O膜を、第2誘電体膜13として、SnOを30mol%以上有する酸化物誘電体材料から成る膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜する。
 第2誘電体膜13の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第2情報層20および第3情報層30がない場合の第1情報層10(未記録状態)の反射率が未記録状態でRg≒10.0%、Rl≒10.5%となるように設定する。反射率は波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 また、第1誘電体膜11の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜12の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜13の成膜は、Ar雰囲気またはAr+Oの混合ガス雰囲気で、DC電源またはRF電源を用いて行う。
 続けて、第1情報層10上に、中間分離層2、第2情報層20、中間分離層3、第3情報層30およびカバー層4をこの順に形成する。これらの層の構成および製造方法は、実施例1で作製する媒体のA面情報記録媒体101のそれらと同様である。
 但し、中間分離層2および3に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、A面情報記録媒体101の中間分離層2および3に設けた案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。
 最後に、A面情報記録媒体101の基板1の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にB面情報記録媒体102の基板1の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層5を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体100を作製する。
 本実施例の情報記録媒体100として、A面情報記録媒体101とB面情報記録媒体102の第1情報層10の第2誘電体膜13、第2情報層20の第2誘電体膜23、および第3情報層30の第2誘電体膜33が、(SnO70(In30(mol%)、(SnO50(In50(mol%)および(SnO30(In70(mol%)から成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクNo.をそれぞれ1-123~1-125とする。
 実施例3においても、比較のために、実施例1で比較のために用いた媒体(ディスクNo.1-001)を用いる。
 実施例および比較例の情報記録媒体の信号評価は、実施例1と同様に行う。
 A面情報記録媒体101の第1情報層10の評価結果を表7に示し、B面情報記録媒体102の第1情報層10の結果を表8に示す。第2情報層20および第3情報層30を評価すると、ディスクNo.1-123の評価結果はディスクNo.1-102のそれと、ディスクNo.1-124の評価結果はディスクNo.1-103のそれと、ディスクNo.1-125の評価結果はディスクNo.1-104のそれと同等であり、いずれも良好であるので、表に示すことは省略する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
 これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体100においても、比較例のディスクNo.1-001と比較して、加速試験後の記録感度およびi-MLSEの変化量が少なく、良好なシェルフ特性が得られている。
 (実施例4)
 本実施例では図2に示す情報記録媒体200の一例を、その製造方法とともに説明する。
 基板1として、螺旋状の案内溝(深さ20nm、トラックピッチ(グルーブ-グルーブ間距離)0.32μm)が形成されたポリカーボネート基板(厚さ1.1mm)を用意する。その基板1上に、第1誘電体膜11として、厚さ10nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜12として、厚さ30nmのW20Cu25Zn20Mn35-O膜を、第2誘電体膜13として、厚さ15nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、順次スパッタリング法により成膜する。
 第1情報層10を構成する膜の厚さは、第2情報層20および第3情報層30がない場合の第1情報層10の反射率が、未記録状態でRg≒9.2%になるように決定する。反射率は波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 第1誘電体膜11および第2誘電体膜13の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜12の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。
 続けて、第1情報層10上に螺旋状の案内溝(深さ20nm、トラックピッチ(グルーブ-グルーブ間距離)0.32μm)が設けられた中間分離層2を形成し、中間分離層2上に第2情報層20を形成する。
 具体的には、第1誘電体膜21として、厚さ13nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜22として、厚さ30nmのW35Cu15Zn35Mn15-O膜を、第2誘電体膜23として、SnOを30mol%以上有する酸化物誘電体材料から成る膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜して、第2情報層20を形成する。
 第2誘電体膜23の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、405nmのレーザ光において、第3情報層30がない場合の第2情報層20の反射率が未記録状態でRg≒5.3%、透過率が64~68%となるように設定する。反射率および透過率は、波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 また、第1誘電体膜21の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜22の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜23の成膜は、Ar雰囲気またはAr+Oの混合ガス雰囲気で、DC電源またはRF電源を用いて行う。
 続けて、第2情報層20上に螺旋状の案内溝(深さ20nm、トラックピッチ(グルーブ-グルーブ間距離)0.32μm)が設けられた中間分離層3を形成し、中間分離層3上に第3情報層30を形成する。
 具体的には、第1誘電体膜31として、厚さ14nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜32として、厚さ30nmのW40CuZn40Mn15-O膜を、第2誘電体膜33として、SnOを30mol%以上有する酸化物誘電体材料から成る膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜して、第3情報層30を形成する。
 第2誘電体膜33の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第3情報層30の反射率が未記録状態でRg≒3.3%、透過率が67~72%となるように設定する。反射率は、波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 第1誘電体膜31の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜32の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜33の成膜は、Ar雰囲気またはAr+Oの混合ガス雰囲気で、DC電源またはRF電源を用いて行う。
 その後に紫外線硬化型樹脂を第2誘電体膜33上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層4を形成し、本実施例の情報記録媒体200の作製を完了する。
 本実施例の情報記録媒体200として、第2誘電体膜23および第2誘電体膜33がSnO、(SnO70(In30(mol%)、(SnO50(In50(mol%)、(SnO30(In70(mol%)、(SnO70(ZrO30(mol%)、(SnO70(Al30(mol%)、(SnO70(TiO30(mol%)、(SnO70(Sb30(mol%)、(SnO70(Ta30(mol%)、(SnO50(ZrO25(In25(mol%)および(SnO50(ZrO15(SiO15(In20(mol%)から成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクNo.をそれぞれ2-101~2-111とする。
 比較のために、情報記録媒体200における第2誘電体膜23および第2誘電体膜33が(In90(SnO10(wt%)(=(In83(SnO17(mol%))から成る媒体を作製する。この媒体のディスクNo.を2-001とする。
 実施例(ディスクNo.2-101~2-111)および比較例(ディスクNo.2-001)のそれぞれについて、第2情報層20および第3情報層30の記録感度およびシェルフ特性をBlu-ray(登録商標) Disc規格の一つである「BD-XL」規格に準じて評価する。
 信号評価のための評価装置のレーザ光の波長は405nm、対物レンズの開口数NAは0.85であり、グルーブに情報の記録を行う。記録の線速度は14.72m/s(4倍速)および再生の線速度は7.36m/s(2倍速)とする。最短マーク長(2T)は0.111μmで、1情報層あたり33.4GB密度の記録を行う。
 再生パワーは第1および第2情報層に対しては1.4mW、第3情報層に対しては1.1mWとする。再生光として、2:1で高周波重畳(変調)されたレーザ光を用いる。
 信号品質は、PR(1222221)ML信号処理によりデータ複合を行い、i-MLSEとして評価し、記録感度はi-MLSEの最もよい値となるレーザパワーとする。
 またシェルフ特性は、ディスクを85℃、85%RH、100時間の条件で加速試験に付し、加速試験前後の記録感度およびi-MLSEの変化量により評価する。記録感度の変化量は、
((加速試験後の記録感度)-(初期の記録感度))÷(初期の記録感度)×100%
により算出し、i-MLSEの変化量は、
(加速試験後のi-MLSE)-(初期のi-MLSE)
により算出する。
 第2情報層20についての評価結果を表9に示し、第3情報層30についての評価結果を表10に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
 これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体200においても、比較例2-001と比較して、加速試験後の記録感度およびi-MLSEの変化量が少なく、良好なシェルフ特性が得られている。記録感度の変化量は概ね+15%以下、i-MLSEの変化量は概ね+1.5%未満であることが好ましい。
 ディスクNo.2-101~104より、SnO量が多くなるほどシェルフ特性が良好となる傾向が見られる。また、ディスクNo.2-105~107より、ZrO、Al、またはTiOの添加により、ディスク透過率が向上する傾向が見られる。また、ディスクNo.2-108~109より、SbまたはTaの添加により、記録感度が向上する傾向が見られる。
 (実施例5)
 本実施例では図1に示す情報記録媒体100の一例を、その製造方法とともに説明する。
 まずA面情報記録媒体101の構成を説明する。基板1、第1情報層10、中間分離層2および第2情報層20の構成および作製方法は、実施例2のそれらと同様である。
 続けて、第2情報層20上に螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が設けられた中間分離層3を形成し、中間分離層3上に第3情報層30を形成する。
 具体的には、第1誘電体膜31として、厚さ15nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜32として厚さ30nmの表11に示す組成の膜を、第2誘電体膜33として、厚さ15nmの(SnO50(In50(mol%)膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜して、第3情報層30を形成する。
 第1誘電体膜31および第2誘電体膜33の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第3情報層30の反射率が未記録状態でRg≒6.5%、Rl≒6.8%、透過率が67~72%となるように、これらの厚さを設定する。反射率および透過率は、波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 第1誘電体膜31の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜32の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜33の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。
 その後に紫外線硬化型樹脂を第2誘電体膜33上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層4を形成し、A面情報記録媒体101を作製する。
 次にB面情報記録媒体102の構成を説明する。基板1、第1情報層10、中間分離層2および第2情報層20の構成および作製方法は、実施例2のそれらと同様である。
 続けて、第2情報層20上に螺旋状の案内溝(深さ17nm、トラックピッチ(ランド-グルーブ間距離)0.225μm)が設けられた中間分離層3を形成する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したA面情報記録媒体101の中間分離層3のそれとは逆の方向とする。
 中間分離層3上に第3情報層30を形成する。具体的には、第1誘電体膜31として、厚さ15nmの(In83(SnO17(mol%)膜を、記録膜32として、厚さ30nmの表12に示す組成の膜を、第2誘電体膜33として、厚さ15nmの(SnO50(In50(mol%)膜(誘電体膜A)を、順次スパッタリング法により成膜して、第3情報層30を形成する。
 第1誘電体膜31および第2誘電体膜33の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第3情報層30の反射率が未記録状態でRg≒6.5%、Rl≒6.8%、透過率が67~72%となるように、これらの厚さを設定する。反射率は、波長405nmのレーザ光を照射するときのものである。
 第1誘電体膜31の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。記録膜32の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でパルスDC電源を用いて行う。第2誘電体膜33の成膜は、Ar+Oの混合ガス雰囲気でDC電源を用いて行う。
 その後に紫外線硬化型樹脂を第2誘電体膜33上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層4を形成し、B面情報記録媒体102を作製する。
 最後に、A面情報記録媒体101の基板1の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にB面情報記録媒体102の基板1の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層5を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体100を作製する。
 本実施例の情報記録媒体100として、A面情報記録媒体101とB面情報記録媒体102の第3情報層30の記録膜32が、W40Zn40Mn20-O、W40Zn40Pd20-O、W40CuZn40Pd15-O、W40CuZn40Au15-O、W40CuZn40Ni15-O、W40CuZn40Co15-O、W40CuZn40Fe15-O、W40CuZn40Mn10Al-O、W40CuZn40Mn10Ag-OおよびW40CuZn40Mn10Bi-Oから成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクNo.をそれぞれ1-126~1-135とする。
 ディスクNo.1-126~1-135の情報記録媒体のシェルフ特性を、実施例1と同様に評価する。また、初期の記録感度におけるランダム信号の変調度の評価も行う。A面情報記録媒体101の第3情報層30についての評価結果を表11に示し、B面情報記録媒体102の第3情報層30についての評価結果を表12に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
 これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体100においても、初期の変調度が40%以上と良好であり、また、良好なシェルフ特性が得られている。このように、タングステンと酸素を含む記録膜を有する情報層に、酸化スズを30mol%以上含む誘電体膜(誘電体膜A)を適用することにより、良好なシェルフ特性を有する情報記録媒体が得られる。
 本開示の情報記録媒体とその製造方法は、情報記録媒体の長期保存後も良好な記録および再生特性を示し、高い信頼性を有しているため、大容量のコンテンツを記録および保存する多層追記型光ディスクに有用である。具体的には、例えばBD-XL規格に準じる片面に3層の情報層を有する光ディスク(容量100GB)、および両面にそれぞれ3層の情報層を有する次世代の光ディスク(容量300GBまたは500GB等)に有用である。
 100,200 情報記録媒体
 101 A面情報記録媒体
 102 B面情報記録媒体
 10,20,30 情報層
 12,22,32 記録膜
 11,21,31 第1誘電体膜
 13,23,33 第2誘電体膜
 1 基板
 2,3 中間分離層
 4 カバー層
 5 貼り合わせ層
 6 レーザ光

Claims (11)

  1.  基板と、複数の情報層とを含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する追記型の情報記録媒体であって、
     少なくとも一つの情報層の記録膜が、少なくともタングステン(W)と酸素(O)とを含むW-O系記録膜であり、
     前記W-O系記録膜に接して、酸化スズを30mol%以上含む、誘電体膜Aが設けられている、
    情報記録媒体。
  2.  前記酸化スズがSnOである、請求項1に記載の情報記録媒体。
  3.  前記誘電体膜Aが、元素M0(但し、M0は、Si、Ge、Al、Ga、In、Zn、Sb、Bi、Cr、V、Nb、Ta、Ti、Zr、HfおよびYより選ばれる少なくとも一つの元素)の酸化物をさらに含む、請求項1に記載の情報記録媒体。
  4.  前記W-O系記録膜が元素M1(但し、M1はGe、Al、Zn、Bi、Te、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Mn、Ta、CrおよびMoより選ばれる少なくとも一つの元素)をさらに含む、請求項1に記載の情報記録媒体。
  5.  前記少なくとも一つの情報層において、前記情報記録媒体の前記レーザ光が照射される面に近い側から順に、前記誘電体膜A、前記W-O系記録膜、およびSnOを30mol%未満の割合で含むIn-SnO誘電体膜が設けられている、請求項1に記載の情報記録媒体。
  6.  N(但し、Nは正の整数)個の情報層を有し、前記情報記録媒体の前記レーザ光が照射される面に最も近い情報層を第N情報層、前記基板に最も近い情報層を第1情報層とした場合に、少なくとも第N情報層が、前記W-O系記録膜および前記誘電体膜Aを有している、請求項1に記載の情報記録媒体。
  7.  前記情報記録媒体が、前記基板を介し、両面に前記情報層を有する、請求項1に記載の情報記録媒体。
  8.  前記複数の情報層が案内溝を有し、前記レーザ光が照射される面に近い側の溝をグルーブとし、前記レーザ光が照射される面に遠い側の溝間をランドとした場合に、前記複数の情報層の各記録膜において、前記グルーブおよび前記ランドの両方に対応する位置に情報を記録する、請求項1に記載の情報記録媒体。
  9.  情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を2以上含み、少なくとも1つの前記情報層を形成する工程が、
     タングステン(W)と酸素(O)とを含むW-O系記録膜を形成する工程(i)、および
     酸化スズを30mol%以上含む、誘電体膜Aを形成する工程(ii)
    を含み、
     前記工程(i)が、WおよびOを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含み、
     前記工程(ii)が、SnおよびOを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含む、
    情報記録媒体の製造方法。
  10.  前記工程(i)において、酸素を添加したDC反応性スパッタリング法を用いる、請求項9に記載の情報記録媒体の製造方法。
  11.  前記工程(ii)において、DCスパッタリング法を用いる、請求項9に記載の情報記録媒体の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018155070A1 (ja) * 2017-02-24 2018-08-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット
WO2018154997A1 (ja) * 2017-02-22 2018-08-30 株式会社神戸製鋼所 誘電体層、光記録媒体、スパッタリングターゲット及び酸化物
JP2019050072A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 株式会社神戸製鋼所 記録層及び光情報記録媒体
WO2019235226A1 (ja) * 2018-06-07 2019-12-12 株式会社神戸製鋼所 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
JP2019215948A (ja) * 2018-06-07 2019-12-19 株式会社神戸製鋼所 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
WO2020031498A1 (ja) * 2018-08-09 2020-02-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 情報記録媒体およびその製造方法
CN111788630A (zh) * 2018-03-05 2020-10-16 索尼公司 用于光记录介质的记录层和光记录介质

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI722142B (zh) * 2016-04-08 2021-03-21 日商新力股份有限公司 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006109534A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 情報記録媒体とその製造方法
JP2012022758A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Sony Corp 光記録媒体
JP2013086336A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 Sony Corp 光情報記録媒体用記録層、および光情報記録媒体
JP2013232252A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Sony Dadc Corp 記録媒体製造方法、記録媒体
WO2013183277A1 (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 ソニー株式会社 記録層、情報記録媒体およびターゲット
WO2013190626A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 パイオニア株式会社 記録媒体及び記録再生装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000163804A (ja) 1998-11-24 2000-06-16 Ricoh Co Ltd 追記型の光記録媒体
US6768710B2 (en) 2000-12-18 2004-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, method for producing the same, and method and apparatus for recording information thereon
JP3752177B2 (ja) 2000-12-18 2006-03-08 松下電器産業株式会社 追記型光学的情報記録媒体、その製造方法
US7399511B2 (en) 2004-04-22 2008-07-15 Tdk Corporation Optical recording medium
CN100351933C (zh) 2004-04-22 2007-11-28 Tdk股份有限公司 光记录媒体
JP3802040B1 (ja) 2004-05-13 2006-07-26 Tdk株式会社 光記録媒体
US7864656B2 (en) 2007-05-09 2011-01-04 Victor Company Of Japan, Ltd. Optical storage medium and method of producing optical storage medium
JP2008305529A (ja) 2007-05-09 2008-12-18 Victor Co Of Japan Ltd 光情報記録媒体及び光情報記録媒体の製造方法
JP5935234B2 (ja) 2011-02-03 2016-06-15 ソニー株式会社 光情報記録媒体
JP5772022B2 (ja) 2011-02-03 2015-09-02 ソニー株式会社 光情報記録媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006109534A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 情報記録媒体とその製造方法
JP2012022758A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Sony Corp 光記録媒体
JP2013086336A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 Sony Corp 光情報記録媒体用記録層、および光情報記録媒体
JP2013232252A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Sony Dadc Corp 記録媒体製造方法、記録媒体
WO2013183277A1 (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 ソニー株式会社 記録層、情報記録媒体およびターゲット
WO2013190626A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 パイオニア株式会社 記録媒体及び記録再生装置

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018154997A1 (ja) * 2017-02-22 2018-08-30 株式会社神戸製鋼所 誘電体層、光記録媒体、スパッタリングターゲット及び酸化物
JP2018137025A (ja) * 2017-02-22 2018-08-30 株式会社神戸製鋼所 誘電体層、光記録媒体、スパッタリングターゲット及び酸化物
CN110337693A (zh) * 2017-02-22 2019-10-15 株式会社神户制钢所 电介质层、光记录媒体、溅镀靶材及氧化物
CN110337693B (zh) * 2017-02-22 2021-04-30 株式会社神户制钢所 电介质层、光记录媒体、溅镀靶材及氧化物
WO2018155070A1 (ja) * 2017-02-24 2018-08-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット
CN110313032A (zh) * 2017-02-24 2019-10-08 松下知识产权经营株式会社 信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶
JP2019050072A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 株式会社神戸製鋼所 記録層及び光情報記録媒体
JP7180668B2 (ja) 2018-03-05 2022-11-30 ソニーグループ株式会社 光記録媒体用記録層、および光記録媒体
JPWO2019172081A1 (ja) * 2018-03-05 2021-03-04 ソニー株式会社 光記録媒体用記録層、および光記録媒体
CN111788630A (zh) * 2018-03-05 2020-10-16 索尼公司 用于光记录介质的记录层和光记录介质
CN111771242A (zh) * 2018-06-07 2020-10-13 株式会社神户制钢所 记录层、光信息记录介质及溅射靶
TWI698541B (zh) * 2018-06-07 2020-07-11 日商神戶製鋼所股份有限公司 記錄層、光資訊記錄媒體及濺鍍靶
JP2019215948A (ja) * 2018-06-07 2019-12-19 株式会社神戸製鋼所 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
CN111771242B (zh) * 2018-06-07 2021-10-22 株式会社神户制钢所 记录层、光信息记录介质及溅射靶
WO2019235226A1 (ja) * 2018-06-07 2019-12-12 株式会社神戸製鋼所 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
WO2020031498A1 (ja) * 2018-08-09 2020-02-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 情報記録媒体およびその製造方法
CN112543973A (zh) * 2018-08-09 2021-03-23 松下知识产权经营株式会社 信息记录介质及其制造方法
JPWO2020031498A1 (ja) * 2018-08-09 2021-08-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 情報記録媒体およびその製造方法
US11545179B2 (en) 2018-08-09 2023-01-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Information storage medium having multiple recording layers
JP7209228B2 (ja) 2018-08-09 2023-01-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 情報記録媒体およびその製造方法
CN112543973B (zh) * 2018-08-09 2023-03-10 松下知识产权经营株式会社 信息记录介质及其制造方法

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