WO2016129237A1 - 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

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Abstract

　本開示の情報記録媒体は、基板と、複数の情報層とを含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する追記型の情報記録媒体であり、少なくとも一つの情報層の記録膜が、少なくともタングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むＷ－Ｏ系記録膜であり、Ｗ－Ｏ系記録膜に接して、酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む、誘電体膜Ａが設けられている。

Description

情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法
　本開示は光学的手段によって情報を記録または再生する高密度な情報記録媒体とその製造方法に関するものである。
　これまで商品化されてきた光学的情報記録媒体として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｋ）やＢＤ（Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標）　Ｄｉｓｃ）がある。
　ＢＤの一つとして、ＢＤ－ＸＬ規格に準じた１００ＧＢ容量のメディアが製品化されている。このＢＤ－ＸＬ規格のメディアにおいては、情報層が３層設けられ、また１情報層あたりの記録密度が３３．４ＧＢであり、それにより１００ＧＢという高密度化が実現できた。また、最近では、さらに線密度を高くすること、およびランド／グルーブ（Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ）記録を採用することによって、メディアあたりの容量を３００ＧＢ容量以上とすることも提案されている。
　光学的情報記録媒体の特長の一つとして、優れた長期保存性が挙げられる。そのため、前述した大容量のメディアは、公文書、医療画像および動画映像などの重要な大容量データを長期間保存しておくデータアーカイブに最適なメディアである。このようなデータアーカイブ用途として使用するメディアとしては、追記型の情報記録媒体が適している。追記型の情報記録媒体には、様々な記録膜材料が適用され、例えば、結晶－アモルファスの相変化を利用したＴｅ－Ｏ－Ｐｄ（特許文献１参照）、ならびにバブルによりマーク（ピット）を形成するＷ－Ｏ（特許文献２参照）およびＧｅ－Ｂｉ－Ｏ（特許文献３参照）などが挙げられる。
　前述した追記型の情報記録媒体においては、記録感度および変調度などの光学的な設計を最適化するために、あるいは記録膜材料を水分などの影響から保護するために、誘電体膜が設けられている。この誘電体膜を構成する材料の例としては、ＺｎＳ－ＳｉＯ２およびＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。
日本国特許第３７５２１７７号公報 特開２０１２－１６１９４１公報 日本国特許第３８０２０４０号公報
　本開示の目的は、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）を含む記録膜を有する情報層を備えた光学的情報記録媒体であって、長期保存後の記録特性（シェルフ特性）がより向上した光学的情報記録媒体を提供することである。
　本開示に係る情報記録媒体は、基板と、複数の情報層とを含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する追記型の情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層の記録膜が、少なくともタングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むＷ－Ｏ系記録膜であり、Ｗ－Ｏ系記録膜に接して、酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む、誘電体膜Ａが設けられている、情報記録媒体である。
　また、本開示に係る情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を２以上含み、少なくとも１つの情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むＷ－Ｏ系記録膜を形成する工程（ｉ）、および酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む、誘電体膜Ａを形成する工程（ii）を含み、工程（ｉ）が、ＷおよびＯを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含み、工程（ii）が、ＳｎおよびＯを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含む。
　本開示の情報記録媒体は、良好な信号特性、および良好な信号保存性を示すとともに、良好なシェルフ特性を有するものである。また、本開示の情報記録媒体の製造方法によれば、良好な信号特性、良好な信号保存性、および良好なシェルフ特性を示す情報記録媒体を作製することができる。
図１は、本開示の実施の形態１における情報記録媒体の断面図である。 図２は、本開示の実施の形態２における情報記録媒体の断面図である。
　（本開示に至った経緯）
　本発明者らは、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）を含む記録膜を有する情報記録媒体において、長期保存後の記録特性（シェルフ特性）に課題を見出した。ＷとＯを含む記録膜にレーザ等の照射により熱を加えて一定以上の温度に昇温させると、膜中の酸素が分離および結合し、マーク（ピット）となるバブルが形成される。記録膜においてバブルが形成された部分は、光学的に変化するとともに、体積も膨張方向に変化するため、信号特性として非常に大きな変調度を生じさせることができる。また、バブルの形成は非可逆的な変化であるため、ピットの長期保存性にも優れている。
　一方で、ピットを形成した情報記録媒体を長期保存した場合、未記録部において、記録膜中の各元素の結合状態が変わり、光学的特性および／または物理的硬度の変化が生じ、情報記録媒体の作製直後に得られた特性が得られなくなることがある。具体的には、情報記録媒体の記録・再生性能において、シェルフ特性の記録感度の悪化、および／またはｉ－ＭＬＳＥ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ－Ｍａｘｉｍｕｍ　Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ　Ｓｅｑｕｅｎｃｅ　Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎ）の悪化が生じることがある。
　このシェルフ特性の劣化の程度は、記録膜中のＷ量が多くなるほど、大きくなる傾向がある。複数の情報層を有する情報記録媒体において、レーザ照射側に近い情報層は、奥の情報層までレーザを透過させて、奥の情報層において高感度の記録および再生を確保するために、高い透過率を有する必要がある。ＷとＯを含む記録膜材料において、高い透過率を得るためは、Ｗ量を増やす必要があり、そのためシェルフ特性の劣化は、レーザ照射側に近い情報層ほど大きくなる。
　本発明者らは、長期保存してもＷとＯを含む記録膜の構造変化が生じにくい、または記録時のバブル形成を促進する誘電体材料を案出した。本発明者らは、具体的には、酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む誘電体材料からなる誘電体膜を、ＷとＯを含む記録膜に接して設けると、良好なシェルフ特性を得ることができることを見出した。
　すなわち、本開示の第１の態様は、基板と、複数の情報層とを含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する追記型の情報記録媒体であって、少なくとも一つの情報層の記録膜が、少なくともタングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むＷ－Ｏ系記録膜であり、Ｗ－Ｏ系記録膜に接して、酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む、誘電体膜Ａが設けられている、情報記録媒体である。
　本開示の第２の態様は、酸化スズがＳｎＯ２である、第１の態様の情報記録媒体である。酸化スズがＳｎＯ２であると、情報層の透過率をより高くできる傾向にあり、かつより良好なシェルフ特性が得られる傾向にある。
　本開示の第３の態様は、誘電体膜Ａが、元素Ｍ０（但し、Ｍ０は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＹより選ばれる少なくとも一つの元素）の酸化物をさらに含む、第１または第２の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。これらの元素を含むことにより、情報層の透過率、または記録感度をより高くできる傾向にある。
　本開示の第４の態様は、Ｗ－Ｏ系記録膜が元素Ｍ１（但し、Ｍ１はＧｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔａ、ＣｒおよびＭｏより選ばれる少なくとも一つの元素）をさらに含む、第１から第３の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。この態様においては、より高い変調度を得られる傾向にある。
　本開示の第５の態様は、少なくとも一つの情報層において、情報記録媒体のレーザ光が照射される面に近い側から順に、誘電体膜Ａ、Ｗ－Ｏ系記録膜、およびＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％未満の割合で含むＩｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２誘電体膜が設けられている、第１から第４の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。この態様においては、より高い変調度とより高い記録感度を得られる傾向にある。
　本開示の第６の態様は、Ｎ（但し、Ｎは正の整数）個の情報層を有し、情報記録媒体のレーザ光が照射される面に最も近い情報層を第Ｎ情報層、基板に最も近い情報層を第１情報層とした場合に、少なくとも第Ｎ情報層が、Ｗ－Ｏ系記録膜および誘電体膜Ａを有している、第１から第５の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。シェルフ特性はレーザ照射側に近い情報層で劣化しやすい。したがって、少なくとも第Ｎ情報層を誘電体膜Ａを備える構成とすることにより、第Ｎ情報層のシェルフ特性が他の情報層のそれと比較して大きく低下せず、全体として良好なシェルフ特性を示す媒体を得ることができる。
　本開示の第７の態様は、基板を介し、両面に情報層を有する、第１から第６の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。この構成によれば、情報記録媒体の大容量化が可能である。
　本開示の第８の態様は、複数の情報層が案内溝を有し、レーザ光が照射される面に近い側の溝をグルーブとし、レーザ光が照射される面に遠い側の溝間をランドとした場合に、複数の情報層の各記録膜において、グルーブおよびランドの両方に対応する位置に情報を記録する、第１から第７の態様のいずれか一つの態様の情報記録媒体である。この構成によれば、情報記録媒体の大容量化が可能である。
　本開示の第９の態様は、情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を２以上含み、少なくとも１つの情報層を形成する工程が、タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むＷ－Ｏ系記録膜を形成する工程（ｉ）、および酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む、誘電体膜Ａを形成する工程（ii）を含み、工程（ｉ）が、ＷおよびＯを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含み、工程（ii）が、ＳｎおよびＯを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含む、情報記録媒体の製造方法である。この態様により、第１の態様の情報記録媒体を得ることができる。
　本開示の第１０の態様は、工程（ｉ）において、酸素を添加したＤＣ反応性スパッタリング法を用いる、第９の態様の情報記録媒体の製造方法である。酸素を添加したＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）反応性スパッタリング法は、高い成膜レートが期待できるので、この態様によれば、情報記録媒体の生産タクトを短縮し、製造コストを下げることができる。
　本開示の第１１の態様は、工程（ii）において、ＤＣスパッタリング法を用いる、第９または第１０の態様の情報記録媒体の製造方法である。誘電体膜Ａを形成する工程において、高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング法を用いることにより、情報記録媒体の生産タクトを短縮し、製造コストを下げることができる。
　以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
　なお、添付図面および以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために、提供されるのであって、これらにより特許請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
　（実施の形態１）
　実施の形態１として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録および再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれ３層ずつ合計６層設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層での情報の記録および再生が可能である多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
　情報記録媒体１００は、Ａ面と称するＡ面情報記録媒体１０１とＢ面と称するＢ面情報記録媒体１０２を貼り合わせた、両面の情報記録媒体である。二つの情報記録媒体であるＡ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は、それらの基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）にて貼り合わせ層５により貼り合わされている。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は各々、基板１上に中間分離層２および３などを介して、順次積層された第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、さらに、第３情報層３０に接して設けられたカバー層４を有する。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
　情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６が照射される面に近い側にある溝間、すなわち、Ａ面情報記録媒体１０１の表面側の溝間およびＢ面情報記録媒体１０２の表面側の溝間を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６が照射される面から遠い側にある溝、すなわち、Ａ面情報記録媒体１０１の表面側の溝およびＢ面情報記録媒体１０２の表面側の溝を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に対応する位置で記録膜にピットを形成すれば、すなわち、ランド－グルーブ記録を実施すれば、例えば１情報層あたりの容量を５０ＧＢにすることができる。情報記録媒体１００においては６つの情報層で情報の記録および再生が可能であるから、情報記録媒体１００は３００ＧＢの容量を有するものとして提供できる。案内溝は、後述するとおり、中間分離層２および３にも形成してよい。特に、第２情報層２０および第３情報層３０において、ランド－グルーブ記録を実施する場合には、中間分離層２および３に案内溝を形成することが好ましい。
　３つの情報層の実効反射率は、第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０の反射率と、第２情報層２０および第３情報層３０の透過率を各々調整することにより制御できる。
　本明細書中では、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、Ｒｇはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、Ｒｌはランド部の未記録状態での溝間部反射率を示す。
　本実施の形態では、一例として、第１情報層１０の実効Ｒｇが３．５％、実効Ｒｌが３．７％、第２情報層２０の実効Ｒｇが５．０％、実効Ｒｌが５．２％、第３情報層３０の実効Ｒｇが６．５％、実効Ｒｌが６．８％となるように設計した構成を説明する。
　第３情報層３０の透過率が７９％、第２情報層２０の透過率が７５％である場合、第１情報層１０はＲｇが１０．０％、Ｒｌが１０．５％、第２情報層２０はＲｇが８．０％、Ｒｌが８．４％、第３情報層３０はＲｇが６．５％、Ｒｌが６．８％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜が未記録状態であるときのグルーブ部およびランド部での平均値を示している。
　次に、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚さについて説明する。
　基板１は円盤状の透明な基板である。基板１の材料として、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙ　Ｍｅｔｈｙｌ　Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：ポリメチルメタクリレート）等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の第１情報層１０側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。なお、実施の形態１において、基板１の厚さは例えば約０．５ｍｍであり、直径は例えば約１２０ｍｍである。
　また、案内溝を基板１に形成した場合、前述した通り、レーザ光６に近い側の溝を「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側の溝間を「ランド」と呼ぶ。グルーブ面とランド面の段差は、例えば１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
　また、実施の形態１ではグルーブ－ランド間の距離（グルーブの幅方向の中心と、このグルーブに隣接するランドの幅方向の中心との間の距離）は、約０．２２５μｍであるが、これに限定されるものではない。
　中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。中間分離層２および３は、記録および再生に用いる波長λのレーザ光に対して光吸収が小さいものであると、レーザ光６を効率よく第１情報層１０および第２情報層２０に到達させることができる。
　中間分離層２および３は、第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０のフォーカス位置を区別するために設けられるものである。したがって、中間分離層２および３の厚さは、例えば、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上としてよい。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺは、
ΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝
で近似できる。また、第２情報層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の厚さは異なる値としてよい。
　中間分離層２および３などにおいて、レーザ光の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。中間分離層２および３に設ける案内溝の段差、およびグルーブ－ランド間の距離は、基板１に設けられる案内溝に関して説明したとおりであり、実施の形態１ではグルーブ－ランド間の距離は、約０．２２５μｍとしているが、これに限定されるものではない。
　カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。カバー層４は、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいものであってよい。より具体的には、カバー層４は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いて形成してよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を接着剤として、板状の部材を、第３情報層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成してよい。カバー層４の厚さは、例えば、ＮＡ＝０．８５で良好な記録および再生が可能な厚さである４０μｍ～８０μｍ程度としてよく、特に、５０μｍ～６５μｍ程度としてよい。
　貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。
　情報記録媒体１００の厚さをＢＤ規格の情報記録媒体と同等の厚さとする場合、中間分離層２および３ならびにカバー層４の厚さの総和は１００μｍに設定してよい。例えば、中間分離層２を約２５μｍ厚、中間分離層３を約１８μｍ厚、カバー層４を約５７μｍ厚、貼り合わせ層５を約１μｍ厚のように設定してよい。
　次に、第１情報層１０の構成について説明する。第１情報層１０は基板１の表面上に、少なくとも第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。
　第１誘電体膜１１は、光学的距離を調節して記録膜１２の光吸収率を高める働き、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働き、および記録ピットの膨らみを制御して信号振幅を大きくする働きを有する。また、第１誘電体膜１１は、記録膜１２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。
　第１誘電体膜１１は、スズ（Ｓｎ）および酸素（Ｏ）を酸化スズの形態で含み、かつ酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む、誘電体膜Ａである。誘電体膜Ａの詳細は、第２情報層２０の第２誘電体膜２３に関連して後で説明する。
　本発明者らの知見によれば、レーザ光が入射する面（カバー層４の表面）から最も遠い位置にある第１情報層１０は、そのシェルフ特性が第２および第３情報層２０および３０のそれよりも良好となる傾向にある。また、誘電体膜Ａを設けることによる効果は、誘電体膜Ａをレーザ光の入射面に近い側に設ける場合に、より顕著となることも分かっている。
　したがって、実施の形態１において、第１誘電体膜１１は必ずしも誘電体膜Ａである必要はなく、酸化スズ以外の酸化物もしくは他の化合物からなるものであってよい。あるいは、第１誘電体膜１１は、スズまたは酸化スズを含むとしても、スズの割合または酸化スズの割合が上記において規定する割合よりも低くてもよい。
　第１誘電体膜１１の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２およびＤｙ２Ｏ３等の酸化物、ＣＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｇｅ－Ｓｉ－ＮおよびＧｅ－Ｃｒ－Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＺｎＳ等の硫化物、ならびにＬａＦ３、ＣｅＦ３およびＹＦ３等のフッ化物を用いることができる。第１誘電体膜１１は、これらの化合物から選択される２以上の化合物の混合物から成ってよい。
　具体的な例として、Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２（ＩＴＯ）、ＺｎＯ－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２、ＴｉＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３－Ｄｙ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３－ＡｌＮ、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＳ、ＳｉＯ２－ＺｎＳおよびＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＬａＦ３等が挙げられる。これら例示した組み合わせにおいて、二以上の酸化物は複酸化物を形成していてよい。酸化スズが含まれている組み合わせにおいて、酸化スズの割合が３０ｍｏｌ％以上である場合、その組み合わせにより形成される膜は誘電体膜Ａである。
　上記において列挙した化合物のうち、スパッタリングターゲットとして作製したときに導電性を有するものは、ＤＣスパッタリングによる膜形成を可能とし、第１誘電体膜１１の作成時に高い成膜レートが期待できるため、情報記録媒体の低コスト化につなげることができる。
　導電性を有する化合物は、例えば、Ｉｎ２Ｏ３、およびＳｎＯ２である。第１誘電体膜１１の厚さは、例えば、５ｎｍ～５０ｎｍであってよい。
　第１誘電体膜１１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ：Ｘ－ｒａｙ　ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｓｅｒ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｒｏｂｅ　ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｓｅｒ）、またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ　Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で分析することができる。
　スパッタリングで形成された第１誘電体膜１１には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ－Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、不可避の成分はこれらの分析方法で検出されることがある。これら不可避の成分は第１誘電体膜１１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。
　また、第１誘電体膜１１は、不可避的に含まれる成分を除いて、所定の組成比を満足していればよい。これは、後述するその他の誘電体膜である第１誘電体膜２１、３１および第２誘電体膜１３、２３、３３にも同様に適用される。
　記録膜１２は、ＷとＯを含み、例えば、レーザ光の照射によってＯが分離および結合して、バブルを形成する材料からなる、Ｗ－Ｏ系記録膜である。Ｗは３原子％以上（Ｏを除く金属元素比では１０原子％）、Ｏは４０原子％以上含まれていることが好ましい。
　また、記録膜１２はさらに元素Ｍ１（但し、Ｍ１はＧｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔａ、ＣｒおよびＭｏより選ばれる少なくとも一つの元素）を含んでよく、それによりさらに良好な信号特性を得ることができる。
　Ｚｎは良好な信号特性を維持し、透過率を向上させることができる。ＰｄおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素を添加することにより、記録膜１２において効率よく光を吸収させて、バブル形成をしやすくすることができ、それにより信号の変調度を向上することができる。
　また、ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも一つの元素は、記録膜１２において効率よく光が吸収されることを可能にするとともに、高い導電性を有するので、記録膜１２をＤＣスパッタリングで形成する場合に高い安定性（持続性）をもたらし得る。
　記録膜１２の厚さは、例えば、１５ｎｍ～５０ｎｍとしてよい。
　記録膜１２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。
　スパッタリングで形成された記録膜１２には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分（Ｏ－Ｈ）、有機物（Ｃ）、空気（Ｎ、Ｏ）、スパッタ室に配置された冶具の成分（金属）およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物（金属、半金属、半導体、誘電体）などが不可避に含まれ、これらの不可避の成分は、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）発光分光分析、ＸＭＡ、およびＥＰＭＡなどの分析で検出されることがある。これら不可避の成分は記録膜１２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。
　また、記録膜１２は、不可避的に含まれる成分を除いて、所定の組成比を満足していればよい。これは、後述する記録膜２２、および３２にも同様に適用される。
　第２誘電体膜１３は第１誘電体膜１１と同様に、光学的距離を調節して記録膜１２の光吸収率を高める働き、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働き、および記録ピットの膨らみを制御して信号振幅を大きくする働きを有する。
　また、第２誘電体膜１３は、記録膜１２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。
　第２誘電体膜１３は、第１誘電体膜１１と同様、誘電体膜Ａであってよく、あるいは酸化スズ以外の酸化物もしくは他の化合物からなるものであってよい。あるいは、第２誘電体膜１３は、スズまたは酸化スズを含むとしても、スズの割合または酸化スズの割合が誘電体膜Ａにおけるそれらよりも低いものであってよい。
　第２誘電体膜１３は、第１誘電体膜１１と同様、シェルフ特性が比較的良好な第１情報層１０を構成するものであるため、誘電体膜Ａである必要は必ずしもない。第２誘電体膜１３を構成するのに適した化合物およびその組み合わせは、先に第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。
　第２誘電体膜１３の厚さは、例えば、５ｎｍ～５０ｎｍであってよい。
　第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３の具体的な厚さはマトリクス法に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜１２が未記録の場合と記録の場合との反射光量の変化率を大きくすること、および／または記録部－未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を好適化することが可能である。
　次に、第２情報層２０の構成について説明する。第２情報層２０は、中間分離層２の表面上に、少なくとも第１誘電体膜２１、記録膜２２、および第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。
　第１誘電体膜２１の機能および形状は、前述した第１情報層１０の第１誘電体膜１１のそれらと同様であり、第１誘電体膜１１に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
　第２情報層２０は、第１情報層１０よりもレーザ光６の入射面に近い側にあるため、そのシェルフ特性は第１情報層１０のそれよりも低下する傾向にある。したがって、第１誘電体膜２１を誘電体膜Ａとすることにより、第２情報層２０のシェルフ特性をより向上させることが可能である。
　尤も、第２情報層２０のシェルフ特性は、第１誘電体膜２１よりは第２誘電体膜２３による影響を受けやすく、第２誘電体膜２３を後述するとおり誘電体膜Ａとすれば、第１誘電体膜２１を誘電体膜Ａとする必要は必ずしもない。
　記録膜２２の機能および形状は、前述した第１情報層１０の記録膜１２のそれらと同様であり、記録膜１２に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
　第２情報層２０は、第１情報層１０での記録および再生に際してはレーザ光を通過させる必要がある。そのため、記録膜２２おけるＷ量を記録膜１２におけるＷ量よりも増やして、レーザ光の透過率を高めてよい。具体的には、記録膜２２におけるＷ量は６原子％以上（Ｏを除く金属元素比では２０原子％）であってよい。
　第２誘電体膜２３は、誘電体膜Ａとしてよい。前述したように記録膜のＷ量が多くなると、情報層のシェルフ特性は悪化する傾向にある。また、シェルフ特性は、記録膜に接して設けられる２つの誘電体膜のうち、レーザ光の入射面に近い側の誘電体膜による影響を受けやすい。そのため、スズまたは酸化スズを高い割合で含む誘電体膜Ａを第２誘電体膜２３に適用することで、第２情報層２０のシェルフ特性の悪化をより効果的に抑制できる。
　誘電体膜Ａは、酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む。より良好なシェルフ特性を得るため、誘電体膜Ａは酸化スズを５０ｍｏｌ％以上含んでよい。酸化スズは、ＳｎＯ、ＳｎＯ２およびＳｎ３Ｏ４のいずれであってよい。特に、ＳｎＯ２は安定であり、レーザ光に対する透過性も高い。
　第２誘電体膜２３が誘電体膜Ａである場合、第２誘電体膜２３は透過率および記録感度を向上させるために、元素Ｍ０（但し、Ｍ０はＳｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＹより選ばれる少なくとも一つの元素である）を含んでもよい。元素Ｍ０は、酸化物の形態で含まれていてよい。
　第２誘電体膜２３は、スパッタリングターゲットが導電性を有する場合には、ＤＣスパッタにより高い成膜レートで形成することができる。スパッタリングターゲットの導電性を高くするために、スパッタリングターゲット（ひいては当該ターゲットを用いて形成される誘電体膜Ａ）は、酸化スズに加えて、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、およびＮｂ２Ｏ５から選択される１または複数の酸化物を含んでよい。
　また、情報層の透過率をより高くするために、元素Ｍ０は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、およびＺｒＯ２から選択される１または複数の酸化物の形態で、第２誘電体膜２３に含まれていてよい。
　誘電体膜における元素Ｍ０の酸化物の割合は、酸化スズの割合が上記範囲内である限りにおいて特に限定されず、例えば２０ｍｏｌ％～７０ｍｏｌ％であってよい。例えば、スパッタリングターゲットの導電率を高くするために、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、およびＮｂ２Ｏ５から選択される１または複数の酸化物を用いる場合、当該酸化物の割合を例えば２０ｍｏｌ％～７０ｍｏｌ％とすることにより、より良好な導電性を得ることができる。
　また、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、およびＺｒＯ２から選択される１または複数の酸化物を用いる場合、その割合を例えば２０ｍｏｌ％～７０ｍｏｌ％とすることにより、情報層の透過率をより高くし得る。
　第２誘電体膜２３が誘電体膜Ａである場合、誘電体膜Ａを形成する酸化物の組み合わせとして、具体的には、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２、ＳｎＯ２－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＺｎＯ、ＳｎＯ２－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－ＺｒＯ２、ＳｎＯ２－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｒＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＺｎＯ、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－ＺｒＯ２、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２
Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＧｅＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＨｆＯ２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２－Ａｌ２ＴｉＯ５、ＳｎＯ２－ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＳｎＯ２－ＺｎＣｒ２Ｏ４、ＳｎＯ２－Ｚｎ２ＳｉＯ４、ＳｎＯ２－Ｂｉ２Ｓｎ２Ｏ７、ＳｎＯ２－Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｎＯ２－ＺｒＳｉＯ４、ＳｎＯ２－Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ａｌ２ＴｉＯ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＣｒ２Ｏ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｚｎ２ＳｉＯ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｂｉ２Ｓｎ２Ｏ７、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｒＳｉＯ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ａｌ２ＴｉＯ５、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＣｒ２Ｏ４、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｂｉ２Ｓｎ２Ｏ７、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｎＯ２－ＳｉＯ２－Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２ＴｉＯ５、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｓｎ２Ｏ７、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－ＺｒＳｉＯ４、ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２ＴｉＯ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｎＣｒ２Ｏ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｂｉ２Ｓｎ２Ｏ７、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ａｌ２ＴｉＯ５、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－ＺｎＣｒ２Ｏ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｚｎ２ＳｉＯ４、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｂｉ２Ｓｎ２Ｏ７、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＺｒＯ２－Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、ＳｎＯ２－ＺｒＳｉＯ４－Ａｌ２ＴｉＯ５、ＳｎＯ２－ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＳｎＯ２－ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＣｒ２Ｏ４、ＳｎＯ２－ＺｒＳｉＯ４－Ｚｎ２ＳｉＯ４、ＳｎＯ２－ＺｒＳｉＯ４－Ｂｉ２Ｓｎ２Ｏ７、ＳｎＯ２－ＺｒＳｉＯ４－Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２およびＳｎＯ２－ＺｒＳｉＯ４－Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２等が挙げられる。これら例示した組み合わせにおいて、二以上の酸化物は混合物を形成していてよく、あるいは複酸化物を形成していてよい。
　第２誘電体膜２３は必ずしも誘電体膜Ａである必要はなく、他の情報層において、ＷとＯを含む記録膜に接して誘電体膜Ａが設けられている場合には、第２誘電体膜２３は第１情報層１０の第１誘電体膜１１に関連して説明した酸化物、炭化物、硫化物およびフッ化物から選択される１つの化合物、またはそれらの混合物で形成されてよい。
　第２誘電体膜２３が誘電体膜Ａでない場合に、それを構成するのに適した化合物およびその組み合わせの具体例は、先に第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。
　第２誘電体膜２３が誘電体膜Ａである場合、第１誘電体膜２１はＩｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２（ＩＴＯ）（但し、ＳｎＯ２の割合は３０ｍｏｌ％未満、例えば１５ｍｏｌ％～２０ｍｏｌ％）であってよい。ＩＴＯは導電性の高いＩｎ２Ｏ３を高い割合で含むので、ＤＣスパッタリングにより効率的に成膜可能である。
　次に、第３情報層３０の構成について説明する。第３情報層３０は、中間分離層３の表面上に、少なくとも第１誘電体膜３１、記録膜３２、および第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。
　第３情報層３０の構成は基本的には第２情報層２０と同様である。
　第１誘電体膜３１は、第２情報層２０の第１誘電体膜２１と同様の機能および形状を有する。また、第１誘電体膜２１は、第１誘電体膜２１と同様、第１情報層１０の第１誘電体膜１１に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
　記録膜３２の機能および形状は、第２情報層２０の記録膜２２のそれらと同様であり、記録膜２２と同様、第１情報層１０の記録膜１２に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
　第３情報層３０は、第１および第２情報層１０および２０での記録および再生に際してはレーザ光を通過させる必要がある。そのため記録膜３２のＷ量を第２情報層２０の記録膜２２におけるＷ量よりもさらに増やして、記録膜３２のレーザ光の透過率を高めてよい。具体的には、記録膜３２におけるＷ量は８原子％以上（Ｏを除く金属元素比では２５原子％）であってよい。
　第２誘電体膜３３は、第２情報層２０の第２誘電体膜２３と同様の機能および形状を有する。また、第２誘電体膜３３は、第２情報層２０の第２誘電体膜２３に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。
　第３情報層３０はレーザ光の照射面（カバー層４の表面）に最も近く、記録膜３２のＷ量が他の記録膜のそれよりも大きくなるように設計されることが多いため、３つの情報層のうちシェルフ特性が最も低くなる傾向にある。したがって、実施の形態１においては、少なくとも第２誘電体膜３３を誘電体膜Ａとすることにより、誘電体膜Ａによる効果（シェルフ特性の低下抑制）を顕著に達成できる。
　誘電体膜Ａの具体的な構成は、第２情報層２０の第２誘電体膜３３に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。
　第２誘電体膜３３が誘電体膜Ａである場合、第１誘電体膜３１は、Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２（ＩＴＯ）誘電体膜（但し、ＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％未満の割合で含む）であってよい。前述のとおり、ＩＴＯ膜はＤＣスパッタリングにより効率的に成膜可能である。
　第１誘電体膜３１が誘電体膜Ａである場合には、第２誘電体膜３３は誘電体膜Ａでなくてもよい。あるいは、他の情報層において、ＷとＯを含む記録膜に接して誘電体膜Ａが設けられている場合には、第２誘電体膜３３は誘電体膜Ａでなくてもよい。
　第２誘電体膜３３が誘電体膜Ａでない場合、第２誘電体膜３３は第１情報層１０の第１誘電体膜１１に関連して説明した酸化物、炭化物、硫化物およびフッ化物から選択される１つの化合物、またはそれらの混合物で形成されてよい。
　第２誘電体膜３３が誘電体膜Ａでない場合に、それを構成するのに適した化合物およびその組み合わせの具体例は、先に第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。
　実施の形態１の変形例においては、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜が、Ｔｅ－Ｏ－ＰｄまたはＧｅ－Ｂｉ－Ｏ等の他の記録膜、すなわちＷ－Ｏ系記録膜以外の記録膜であってもよい。
　あるいは、他の変形例においては、必要に応じて、反射膜および上記において例示していない材料から成る誘電体膜を設けてもよい。本開示に係る技術の効果は、これらの変形例においても達成される。
　さらに別の変形例の情報記録媒体においては、片面（Ａ面およびＢ面）４つ以上の情報層を含んでよい。その場合、誘電体膜Ａが、少なくとも第Ｎ情報層（Ｎは情報層の数に相当する正の整数）に設けられると、本実施の形態の効果が顕著に達成される。
　本実施の形態の効果は、Ｎの数によらず、誘電体膜Ａが少なくとも第Ｎ情報層および第（Ｎ－１）情報層において設けられると、より顕著に達成される。レーザ光に近い側の情報層においてシェルフ特性が劣化しやすいため、レーザ光に近い２つの情報層に誘電体膜Ａを設けると、情報層間のシェルフ特性の差を小さくしやすい。
　情報記録媒体１００の記録方式は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔ　Ｌｉｎｅａｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ　Ａｎｇｕｌａｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、Ｚｏｎｅｄ　ＣＬＶおよびＺｏｎｅｄ　ＣＡＶのいずれであってよい。使用できるデータビット長は７９．５ｎｍである。
　本実施の形態の情報記録媒体１００への情報の記録および再生は、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５である光学系で実施してよく、あるいはＮＡ＞１の光学系で実施してよい。
　光学系としてはＳｏｌｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）、またはＳｏｌｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用してもよい。この場合、中間分離層２および３、ならびにカバー層４は５μｍ以下の厚さとしてよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
　次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１００の製造方法について説明する。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の製造方法を説明する。
　第１情報層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。まず、基板１（例えば、厚さ０．５ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
　続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜１１を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス、例えば、酸素ガスや窒素ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成される。
　希ガスは、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、またはＸｅガスであるが、コスト面ではＡｒガスが有利である。これはスパッタリングの雰囲気ガスを希ガスまたはその混合ガスとする、いずれのスパッタリングについてもあてはまる。
　スパッタリングターゲットが導電性を有する場合、ＲＦ（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタリングよりも、ＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることにより、より高い成膜レートを達成できる。
　また、第１誘電体膜１１を複数の誘電体材料で形成する場合、誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードから誘電体材料を同時に堆積させるマルチスパッタリングを実施してよい。
　続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、Ｗ合金またはＷ－Ｏ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。
　上記のＷ合金ターゲットは導電性を有しているため、ＲＦスパッタリングよりも、ＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いることにより、より高い成膜レートを達成できる。混合ガス雰囲気に多量の酸素ガスを混合することにより、記録膜１２中により多くの酸素を取り入れることができる。
　記録膜１２は、構成する元素それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードから元素を同時に堆積させるマルチスパッタリングにより形成してもよい。
　続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３を構成する誘電体または混合誘電体からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。
　また、第２誘電体膜１３を複数の誘電体材料で形成する場合、マルチスパッタリングを実施してよい。
　続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１情報層１０上に塗布しスピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。
　なお、中間分離層２に案内溝を設ける場合、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板型を硬化前の樹脂に密着させた状態でスピンコートした後に樹脂を硬化させ、さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がす方法で中間分離層２を形成してよい。
　続いて、第２情報層２０を形成する。具体的には、まず、第１誘電体膜２１を中間分離層２の上に形成する。第１誘電体膜２１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で形成できる。
　続いて、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、前述した記録膜１２と同様の方法で形成できる。
　続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で形成できる。
　続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
　続いて、第３情報層３０を形成する。第３情報層３０は、基本的には前述した第２情報層２０と同様の方法で形成できる。
　まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で形成できる。
　続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜１２と同様の方法で形成できる。
　続いて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で形成できる。
　いずれの誘電体膜および記録膜も、供給電力を１００Ｗ～１０ｋＷとし、成膜室の圧力を０．０１Ｐａ～１０Ｐａとして、形成してよい。
　続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。あるいは、カバー層４は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、もしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスから成る円盤状の基板を貼り合わせる方法で形成してよい。
　具体的には、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、塗布した樹脂に基板を密着させた状態でスピンコートを実施して樹脂を均一に延ばし、その後、樹脂を硬化させる方法でカバー層４を形成できる。
　各情報層における各膜の成膜時間は、情報記録媒体の量産性を上げて、製造コストを下げるため、１つの膜あたり１０秒以下であってよく、特に５秒以下であってよい。
　なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
　このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。
　同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体の基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面を塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層５を形成する。
　あるいは、遅行性硬化型の光硬化型樹脂をＡ面情報記録媒体１０１に均一に塗布した後に光を当て、その後、Ｂ面情報記録媒体１０２を貼り付けて、貼り合わせ層５を形成してもよい。
　このようにして、実施の形態１に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。
　（実施の形態２）
　実施の形態２として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。
　図２に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体２００は、情報を記録および再生する情報層を、基板１上に３層設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層に対して情報を記録および再生できる多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
　実施の形態１と異なり、実施の形態２の情報記録媒体２００は、片面にのみ情報層を有する媒体である。
　情報記録媒体２００は、基板１上に中間分離層２および３などを介して、順次積層された第１情報層１０、第２情報層２０および第３情報層３０を有し、さらに、第３情報層に接して設けられたカバー層４を有する。第２情報層２０および第３情報層３０は透過型の情報層である。
　情報記録媒体２００においては、案内溝を基板１に形成した場合、グルーブに対応する位置で記録膜にピットを形成すれば、すなわち、グルーブ記録を実施すれば、例えばＢＤ－ＸＬ規格に準じ、１情報層あたりの容量を３３．４ＧＢにすることができる。情報記録媒体２００においては３つの情報層で情報の記録および再生が可能であるから、本実施の形態によれば、１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
　３つの情報層の実効反射率は第１、第２および第３情報層１０、２０および３０の反射率と、第２および第３情報層２０および３０の透過率を各々調整することにより制御できる。
　本実施の形態では、一例として、第１情報層１０の実効Ｒｇが３．３％、第２情報層２０の実効Ｒｇが３．３％、第３情報層３０の実効Ｒｇが３．３％となるように設計した構成を説明する。
　第３情報層３０の透過率が７９％、第２情報層２０の透過率が７５％である場合、第１情報層１０はＲｇが９．２％、第２情報層２０はＲｇが５．３％、第３情報層３０はＲｇが３．３％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。
　次に、基板１、中間分離層２、中間分離層３およびカバー層４の機能、材料および厚さについて説明する。
　基板１は円盤状の透明な基板である。基板１の材料として、実施の形態１における基板１と同様の材料を用いることができる。本実施の形態において、基板の厚さは約１．１ｍｍであり、グルーブ間の距離は約０．３２μｍであるが、厚さおよびグルーブ間の距離はこれらに限定されるものではない。
　中間分離層２および３は、実施の形態１における中間分離層２および３と同様の材料を用いて形成することができ、また、厚さも実施の形態１の中間分離層２および３と同様に設計できる。
　本実施の形態においても、中間分離層２および３には案内溝を設けてよい。本実施の形態では、グルーブ間の距離は、約０．３２μｍとしているが、これに限定されるものではない。
　カバー層４は、実施の形態１におけるカバー層４と同様の材料を用いて形成することができる。また、厚さも実施の形態１のカバー層４と同様に設計できる。
　ＢＤ規格に準じる場合には、中間分離層２および３の厚さとカバー層４の厚さとの総和が１００μｍとなるように設定してよい。例えば、中間分離層２を約２５μｍ厚、中間分離層３を約１８μｍ厚、カバー層４を約５７μｍ厚のように設定してよい。
　第１情報層１０は、基板１の表面上に、少なくとも第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。第１情報層１０は、実施の形態１における第１情報層１０と同様の方法により形成できる。
　第２情報層２０は、中間分離層２の表面上に、少なくとも第１誘電体膜２１、記録膜２２、および第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。第２情報層２０は、実施の形態１における第２情報層２０と同様の方法により形成できる。
　第３情報層３０は、中間分離層３の表面上に、少なくとも第１誘電体膜３１、記録膜３２、および第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。第３情報層３０は、実施の形態１における第３情報層３０と同様の方法により形成できる。
　このようにして、実施の形態２に係る、片面に情報層を有する情報記録媒体２００を製造することができる。
　以上のように、本開示に係る技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
　したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必要な必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面または詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
　また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
　次に、実施例を用いて本開示の技術を詳細に説明する。
　本開示のより具体的な実施の形態を、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
　（実施例１）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を、その製造方法とともに説明する。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意する。その基板１上に、第１誘電体膜１１として厚さ１１ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜、記録膜１２として厚さ３０ｎｍのＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５（原子％）の酸化物から成る膜、第２誘電体膜１３として厚さ１１ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜する。
　ここで記録膜の組成は、Ｗ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５－Ｏと表記する。以降、他の記録膜についても同様に、元素比は金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記する。例えば、記録膜がタングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）およびマンガン（Ｍ）の酸化物から成り、これらの４つの金属元素を合わせて１００原子％としたときに、Ｗの割合が２５％原子、Ｃｕの割合が２５原子％、Ｚｎの割合が２５原子％、Ｍｎの割合が２５原子％である場合、記録膜の組成はＷ２５Ｃｕ２５Ｚｎ２５Ｍｎ２５－Ｏと表記する。
　また、（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）は一般的に使用されているＩｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２（ＩＴＯ）系透明導電膜であり、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＳｎＯ２）１０（ｗｔ％）で示されることが多い。本明細書においては、二以上の酸化物からなる誘電体膜の組成はいずれもｍｏｌ％で表記している。したがって、これらの誘電体膜との組成の比較を容易にするために、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＳｎＯ２）１０（ｗｔ％）は、本明細書では（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）と表記する。
　第１情報層１０を構成する膜の厚さは、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合に第１情報層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒１０．０％、Ｒｌ≒１０．５％になるように決定する。反射率は波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。
　具体的には、第１誘電体膜２１として、厚さ１５ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜２２として、厚さ３０ｎｍのＷ３５Ｃｕ１５Ｚｎ３５Ｍｎ１５－Ｏ膜を、第２誘電体膜２３として、ＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％以上有する酸化物誘電体材料から成る膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜して、第２情報層２０を形成する。
　第２誘電体膜２３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が６４～６８％となるように設定する。反射率および透過率は、波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。
　具体的には、第１誘電体膜３１として、厚さ１５ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜３２として、厚さ３０ｎｍのＷ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｍｎ１５－Ｏ膜を、第２誘電体膜３３として、ＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％以上有する酸化物誘電体材料から成る膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜して、第３情報層３０を形成する。
　第２誘電体膜３３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第３情報層３０の反射率が未記録状態でＲｇ≒６．５％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が６７～７２％となるように設定する。反射率および透過率は、波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。
　その後に紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１の作製を完了する。
　次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。その基板１上に、第１情報層１０、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４を形成する。
　Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体１０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体１０１の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体１０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。
　中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体１０１のそれらと同じ構成である。但し、Ｂ面情報記録媒体１０２において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設ける案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製する。
　本実施例の情報記録媒体１００として、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第２情報層２０の第２誘電体膜２３および第３情報層３０の第２誘電体膜３３が、ＳｎＯ２、（ＳｎＯ２）７０（Ｉｎ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（ＺｒＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ａｌ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（ＴｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ｓｂ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ｔａ２Ｏ５）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）５０（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）および（ＳｎＯ２）５０（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ｍｏｌ％）から成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ１－１０１～１－１１１とする。
　比較のために、情報記録媒体１００における、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第２誘電体膜２３および第２誘電体膜３３が（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＳｎＯ２）１０（ｗｔ％）（＝（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％））から成る媒体を作製する。この媒体のディスクＮｏ．を１－００１とする。
　実施例（ディスクＮｏ．１－１０１～１－１１１）および比較例（ディスクＮｏ．１－００１）のそれぞれについて、第２情報層２０および第３情報層３０の記録感度およびシェルフ特性の評価を行う。
　信号評価のための評価装置のレーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行う。記録の線速度は１４．００ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．００ｍ／ｓ（２倍速）とする。データビット長を７９．５ｎｍとし、１情報層あたり５０ＧＢ密度の記録を行う。
　再生パワーは、第１情報層および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷとする、再生光として、２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光を用いる。ランダム信号（２Ｔ～８Ｔ）による記録を行い、信号品質は、ＰＲ（１２３３３２１）ＭＬ（Ｐａｔｔｅｒｎ　Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｍａｃｈｉｎｅ　Ｌｅａｒｎｉｎｇ）信号処理によりデータ複合を行い、ｉ－ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ－ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーとする。
　シェルフ特性は、ディスクを８５℃、８０％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験に付し、加速試験前後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量により評価する。記録感度の変化量は、
（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％
により算出する。ｉ－ＭＬＳＥの変化量は
（加速試験後のｉ－ＭＬＳＥ）－（初期のｉ－ＭＬＳＥ）
により算出する。
　Ａ面情報記録媒体１０１の第２情報層２０についての評価結果を表１に示し、Ａ面情報記録媒体に１０１の第３情報層３０についての評価結果を表２に示し、Ｂ面情報記録媒体１０２の第２情報層２０についての評価結果を表３に示し、Ｂ面情報記録媒体１０２の第３情報層３０についての評価結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体１００においても、比較例のディスクＮｏ．１－００１と比較して、加速試験後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量が少なく、良好なシェルフ特性が得られている。記録感度の変化量は概ね＋１５％以下、ｉ－ＭＬＳＥの変化量は概ね＋１．５％未満であることが好ましい。
　ディスクＮｏ．１－１０１～１０４より、ＳｎＯ２量が多くなるほどシェルフ特性が良好となる傾向が見られる。また、ディスクＮｏ．１－１０５～１０７より、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、またはＴｉＯ２の添加により、ディスク透過率が向上する傾向が見られる。また、ディスクＮｏ．１－１０８～１０９より、Ｓｂ２Ｏ３またはＴａ２Ｏ５の添加により、記録感度が向上する傾向が見られる。
　（実施例２）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を、その製造方法とともに説明する。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成および作製方法は実施例１と同様である。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。
　具体的には、第１誘電体膜２１として、厚さ１５ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜２２として、厚さ３０ｎｍのＷ３５Ｃｕ１５Ｚｎ３５Ｍｎ１５－Ｏ膜を、第２誘電体膜２３として、厚さ１５ｎｍの誘電体膜Ａである（ＳｎＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜する。
　各膜の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．３％、透過率が約６６％となるように設定する。反射率および透過率は、波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気で、ＤＣ電源を用いて行う。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。
　具体的には、第１誘電体膜３１として、ＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％以上有する酸化物誘電体材料から成る膜（誘電体膜Ａ）を、記録膜３２として、厚さ３０ｎｍのＷ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｍｎ１５－Ｏ膜を、第２誘電体膜３３として、ＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％以上有する酸化物誘電体材料から成る膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜する。
　第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第３情報層３０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒６．５％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が６７～７２％となるように設定する。反射率は、波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。
　その後に紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製する。
　次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１および第１情報層１０の構成および作製方法は実施例１のＢ面情報記録媒体１０２のそれらと同様である。
　続けて、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４を形成する。Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、ならびに各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体１０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成する。各膜は、Ａ面情報記録媒体１０１の形成で採用する方法と同じ方法で形成する。
　カバー層４も、Ａ面情報記録媒体１０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成する。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体１０１のそれらと同じ構成である。
　但し、Ｂ面情報記録媒体１０２において、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝は、螺旋の回転方向が、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設けた案内溝の螺旋の回転方向とは逆となるようにする。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製する。
　本実施例の情報記録媒体１００として、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第３情報層３０の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３がともに、ＳｎＯ２、（ＳｎＯ２）７０（Ｉｎ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（ＺｒＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ａｌ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（ＴｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ｓｂ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ｔａ２Ｏ５）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）５０（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）および（ＳｎＯ２）５０（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ｍｏｌ％）から成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ１－１１２～１－１２２とする。
　実施例２においても、比較のために、実施例１で比較のために用いた媒体（ディスクＮｏ．１－００１）を用いる。
　実施例および比較例の情報記録媒体の信号評価は、実施例１と同様に行う。
　Ａ面情報記録媒体１０１の第３情報層３０についての評価結果を表５に示し、Ｂ面情報記録媒体１０２の第３情報層３０についての評価結果を表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体１００においても、比較例のディスクＮｏ．１－００１と比較して、加速試験後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量が少なく、良好なシェルフ特性が得られている。
　またディスクＮｏ．１－１１２～１１５と比較例のディスクＮｏ．１－００１とを比べると、ＳｎＯ２量が多くなるほどシェルフ特性が良好となる傾向がある。また、ディスクＮｏ．１－１１６～１１８より、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、またはＴｉＯ２の添加により、ディスク透過率が向上する傾向が見られる。また、ディスクＮｏ．１－１１９～１２０より、Ｓｂ２Ｏ３またはＴａ２Ｏ５の添加により、記録感度が向上する傾向が見られる。
　（実施例３）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を、その製造方法とともに説明する。
　まず、Ａ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意する。
　その基板１上に、第１誘電体膜１１として、厚さ１１ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜１２として、厚さ３０ｎｍのＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５－Ｏ膜を、第２誘電体膜１３としてＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％以上有する酸化物誘電体材料から成る膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜する。
　第２誘電体膜１３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０（未記録状態）の反射率が未記録状態でＲｇ≒１０．０％、Ｒｌ≒１０．５％となるように設定する。反射率は波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　第１誘電体膜１１は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。
　続けて、第１情報層１０上に中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４をこの順に形成する。これらの層の構成および製造方法は、実施例１で作製する媒体のＡ面情報記録媒体１０１のそれらと同様である。
　次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意する。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とする。
　その基板１上に、第１誘電体膜１１として、厚さ１１ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜１２として、厚さ３０ｎｍのＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５－Ｏ膜を、第２誘電体膜１３として、ＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％以上有する酸化物誘電体材料から成る膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜する。
　第２誘電体膜１３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０（未記録状態）の反射率が未記録状態でＲｇ≒１０．０％、Ｒｌ≒１０．５％となるように設定する。反射率は波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　また、第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。
　続けて、第１情報層１０上に、中間分離層２、第２情報層２０、中間分離層３、第３情報層３０およびカバー層４をこの順に形成する。これらの層の構成および製造方法は、実施例１で作製する媒体のＡ面情報記録媒体１０１のそれらと同様である。
　但し、中間分離層２および３に設ける螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設けた案内溝の螺旋の回転方向とは逆である。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製する。
　本実施例の情報記録媒体１００として、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０の第２誘電体膜１３、第２情報層２０の第２誘電体膜２３、および第３情報層３０の第２誘電体膜３３が、（ＳｎＯ２）７０（Ｉｎ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）および（ＳｎＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）から成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ１－１２３～１－１２５とする。
　実施例３においても、比較のために、実施例１で比較のために用いた媒体（ディスクＮｏ．１－００１）を用いる。
　実施例および比較例の情報記録媒体の信号評価は、実施例１と同様に行う。
　Ａ面情報記録媒体１０１の第１情報層１０の評価結果を表７に示し、Ｂ面情報記録媒体１０２の第１情報層１０の結果を表８に示す。第２情報層２０および第３情報層３０を評価すると、ディスクＮｏ．１－１２３の評価結果はディスクＮｏ．１－１０２のそれと、ディスクＮｏ．１－１２４の評価結果はディスクＮｏ．１－１０３のそれと、ディスクＮｏ．１－１２５の評価結果はディスクＮｏ．１－１０４のそれと同等であり、いずれも良好であるので、表に示すことは省略する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体１００においても、比較例のディスクＮｏ．１－００１と比較して、加速試験後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量が少なく、良好なシェルフ特性が得られている。
　（実施例４）
　本実施例では図２に示す情報記録媒体２００の一例を、その製造方法とともに説明する。
　基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ－グルーブ間距離）０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意する。その基板１上に、第１誘電体膜１１として、厚さ１０ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜１２として、厚さ３０ｎｍのＷ２０Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３５－Ｏ膜を、第２誘電体膜１３として、厚さ１５ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、順次スパッタリング法により成膜する。
　第１情報層１０を構成する膜の厚さは、第２情報層２０および第３情報層３０がない場合の第１情報層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒９．２％になるように決定する。反射率は波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。
　続けて、第１情報層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ－グルーブ間距離）０．３２μｍ）が設けられた中間分離層２を形成し、中間分離層２上に第２情報層２０を形成する。
　具体的には、第１誘電体膜２１として、厚さ１３ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜２２として、厚さ３０ｎｍのＷ３５Ｃｕ１５Ｚｎ３５Ｍｎ１５－Ｏ膜を、第２誘電体膜２３として、ＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％以上有する酸化物誘電体材料から成る膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜して、第２情報層２０を形成する。
　第２誘電体膜２３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光において、第３情報層３０がない場合の第２情報層２０の反射率が未記録状態でＲｇ≒５．３％、透過率が６４～６８％となるように設定する。反射率および透過率は、波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ－グルーブ間距離）０．３２μｍ）が設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。
　具体的には、第１誘電体膜３１として、厚さ１４ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜３２として、厚さ３０ｎｍのＷ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｍｎ１５－Ｏ膜を、第２誘電体膜３３として、ＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％以上有する酸化物誘電体材料から成る膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜して、第３情報層３０を形成する。
　第２誘電体膜３３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第３情報層３０の反射率が未記録状態でＲｇ≒３．３％、透過率が６７～７２％となるように設定する。反射率は、波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気またはＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気で、ＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行う。
　その後に紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、本実施例の情報記録媒体２００の作製を完了する。
　本実施例の情報記録媒体２００として、第２誘電体膜２３および第２誘電体膜３３がＳｎＯ２、（ＳｎＯ２）７０（Ｉｎ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）５０（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）７０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（ＺｒＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ａｌ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（ＴｉＯ２）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ｓｂ２Ｏ３）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）７０（Ｔａ２Ｏ５）３０（ｍｏｌ％）、（ＳｎＯ２）５０（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）２５（ｍｏｌ％）および（ＳｎＯ２）５０（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（Ｉｎ２Ｏ３）２０（ｍｏｌ％）から成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ２－１０１～２－１１１とする。
　比較のために、情報記録媒体２００における第２誘電体膜２３および第２誘電体膜３３が（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＳｎＯ２）１０（ｗｔ％）（＝（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％））から成る媒体を作製する。この媒体のディスクＮｏ．を２－００１とする。
　実施例（ディスクＮｏ．２－１０１～２－１１１）および比較例（ディスクＮｏ．２－００１）のそれぞれについて、第２情報層２０および第３情報層３０の記録感度およびシェルフ特性をＢｌｕ－ｒａｙ（登録商標）　Ｄｉｓｃ規格の一つである「ＢＤ－ＸＬ」規格に準じて評価する。
　信号評価のための評価装置のレーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、グルーブに情報の記録を行う。記録の線速度は１４．７２ｍ／ｓ（４倍速）および再生の線速度は７．３６ｍ／ｓ（２倍速）とする。最短マーク長（２Ｔ）は０．１１１μｍで、１情報層あたり３３．４ＧＢ密度の記録を行う。
　再生パワーは第１および第２情報層に対しては１．４ｍＷ、第３情報層に対しては１．１ｍＷとする。再生光として、２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光を用いる。
　信号品質は、ＰＲ（１２２２２２１）ＭＬ信号処理によりデータ複合を行い、ｉ－ＭＬＳＥとして評価し、記録感度はｉ－ＭＬＳＥの最もよい値となるレーザパワーとする。
　またシェルフ特性は、ディスクを８５℃、８５％ＲＨ、１００時間の条件で加速試験に付し、加速試験前後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量により評価する。記録感度の変化量は、
（（加速試験後の記録感度）－（初期の記録感度））÷（初期の記録感度）×１００％
により算出し、ｉ－ＭＬＳＥの変化量は、
（加速試験後のｉ－ＭＬＳＥ）－（初期のｉ－ＭＬＳＥ）
により算出する。
　第２情報層２０についての評価結果を表９に示し、第３情報層３０についての評価結果を表１０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
　これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体２００においても、比較例２－００１と比較して、加速試験後の記録感度およびｉ－ＭＬＳＥの変化量が少なく、良好なシェルフ特性が得られている。記録感度の変化量は概ね＋１５％以下、ｉ－ＭＬＳＥの変化量は概ね＋１．５％未満であることが好ましい。
　ディスクＮｏ．２－１０１～１０４より、ＳｎＯ２量が多くなるほどシェルフ特性が良好となる傾向が見られる。また、ディスクＮｏ．２－１０５～１０７より、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、またはＴｉＯ２の添加により、ディスク透過率が向上する傾向が見られる。また、ディスクＮｏ．２－１０８～１０９より、Ｓｂ２Ｏ３またはＴａ２Ｏ５の添加により、記録感度が向上する傾向が見られる。
　（実施例５）
　本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を、その製造方法とともに説明する。
　まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１、第１情報層１０、中間分離層２および第２情報層２０の構成および作製方法は、実施例２のそれらと同様である。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成し、中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。
　具体的には、第１誘電体膜３１として、厚さ１５ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜３２として厚さ３０ｎｍの表１１に示す組成の膜を、第２誘電体膜３３として、厚さ１５ｎｍの（ＳｎＯ２）５０（Ｉｎ２ｏ３）５０（ｍｏｌ％）膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜して、第３情報層３０を形成する。
　第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第３情報層３０の反射率が未記録状態でＲｇ≒６．５％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が６７～７２％となるように、これらの厚さを設定する。反射率および透過率は、波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。
　その後に紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製する。
　次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１、第１情報層１０、中間分離層２および第２情報層２０の構成および作製方法は、実施例２のそれらと同様である。
　続けて、第２情報層２０上に螺旋状の案内溝（深さ１７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成する。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３のそれとは逆の方向とする。
　中間分離層３上に第３情報層３０を形成する。具体的には、第１誘電体膜３１として、厚さ１５ｎｍの（Ｉｎ２Ｏ３）８３（ＳｎＯ２）１７（ｍｏｌ％）膜を、記録膜３２として、厚さ３０ｎｍの表１２に示す組成の膜を、第２誘電体膜３３として、厚さ１５ｎｍの（ＳｎＯ２）５０（Ｉｎ２ｏ３）５０（ｍｏｌ％）膜（誘電体膜Ａ）を、順次スパッタリング法により成膜して、第３情報層３０を形成する。
　第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の厚さは、マトリクス法に基づく計算により決定する。具体的には、第３情報層３０の反射率が未記録状態でＲｇ≒６．５％、Ｒｌ≒６．８％、透過率が６７～７２％となるように、これらの厚さを設定する。反射率は、波長４０５ｎｍのレーザ光を照射するときのものである。
　第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行う。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気でＤＣ電源を用いて行う。
　その後に紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製する。
　最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付ける。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成する。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製する。
　本実施例の情報記録媒体１００として、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の第３情報層３０の記録膜３２が、Ｗ４０Ｚｎ４０Ｍｎ２０－Ｏ、Ｗ４０Ｚｎ４０Ｐｄ２０－Ｏ、Ｗ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｐｄ１５－Ｏ、Ｗ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ａｕ１５－Ｏ、Ｗ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｎｉ１５－Ｏ、Ｗ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｃｏ１５－Ｏ、Ｗ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｆｅ１５－Ｏ、Ｗ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｍｎ１０Ａｌ５－Ｏ、Ｗ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｍｎ１０Ａｇ５－ＯおよびＷ４０Ｃｕ５Ｚｎ４０Ｍｎ１０Ｂｉ５－Ｏから成る媒体を作製する。これらの媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ１－１２６～１－１３５とする。
　ディスクＮｏ．１－１２６～１－１３５の情報記録媒体のシェルフ特性を、実施例１と同様に評価する。また、初期の記録感度におけるランダム信号の変調度の評価も行う。Ａ面情報記録媒体１０１の第３情報層３０についての評価結果を表１１に示し、Ｂ面情報記録媒体１０２の第３情報層３０についての評価結果を表１２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　これらの表に示すように、本実施例のいずれの情報記録媒体１００においても、初期の変調度が４０％以上と良好であり、また、良好なシェルフ特性が得られている。このように、タングステンと酸素を含む記録膜を有する情報層に、酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む誘電体膜（誘電体膜Ａ）を適用することにより、良好なシェルフ特性を有する情報記録媒体が得られる。
　本開示の情報記録媒体とその製造方法は、情報記録媒体の長期保存後も良好な記録および再生特性を示し、高い信頼性を有しているため、大容量のコンテンツを記録および保存する多層追記型光ディスクに有用である。具体的には、例えばＢＤ－ＸＬ規格に準じる片面に３層の情報層を有する光ディスク（容量１００ＧＢ）、および両面にそれぞれ３層の情報層を有する次世代の光ディスク（容量３００ＧＢまたは５００ＧＢ等）に有用である。
　１００，２００　情報記録媒体
　１０１　Ａ面情報記録媒体
　１０２　Ｂ面情報記録媒体
　１０，２０，３０　情報層
　１２，２２，３２　記録膜
　１１，２１，３１　第１誘電体膜
　１３，２３，３３　第２誘電体膜
　１　基板
　２，３　中間分離層
　４　カバー層
　５　貼り合わせ層
　６　レーザ光

Claims (11)

  1. 　基板と、複数の情報層とを含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する追記型の情報記録媒体であって、
    　少なくとも一つの情報層の記録膜が、少なくともタングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むＷ－Ｏ系記録膜であり、
    　前記Ｗ－Ｏ系記録膜に接して、酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む、誘電体膜Ａが設けられている、
    情報記録媒体。
  2. 　前記酸化スズがＳｎＯ２である、請求項１に記載の情報記録媒体。
  3. 　前記誘電体膜Ａが、元素Ｍ０（但し、Ｍ０は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＹより選ばれる少なくとも一つの元素）の酸化物をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
  4. 　前記Ｗ－Ｏ系記録膜が元素Ｍ１（但し、Ｍ１はＧｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔａ、ＣｒおよびＭｏより選ばれる少なくとも一つの元素）をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
  5. 　前記少なくとも一つの情報層において、前記情報記録媒体の前記レーザ光が照射される面に近い側から順に、前記誘電体膜Ａ、前記Ｗ－Ｏ系記録膜、およびＳｎＯ２を３０ｍｏｌ％未満の割合で含むＩｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２誘電体膜が設けられている、請求項１に記載の情報記録媒体。
  6. 　Ｎ（但し、Ｎは正の整数）個の情報層を有し、前記情報記録媒体の前記レーザ光が照射される面に最も近い情報層を第Ｎ情報層、前記基板に最も近い情報層を第１情報層とした場合に、少なくとも第Ｎ情報層が、前記Ｗ－Ｏ系記録膜および前記誘電体膜Ａを有している、請求項１に記載の情報記録媒体。
  7. 　前記情報記録媒体が、前記基板を介し、両面に前記情報層を有する、請求項１に記載の情報記録媒体。
  8. 　前記複数の情報層が案内溝を有し、前記レーザ光が照射される面に近い側の溝をグルーブとし、前記レーザ光が照射される面に遠い側の溝間をランドとした場合に、前記複数の情報層の各記録膜において、前記グルーブおよび前記ランドの両方に対応する位置に情報を記録する、請求項１に記載の情報記録媒体。
  9. 　情報記録媒体の製造方法であって、情報層を形成する工程を２以上含み、少なくとも１つの前記情報層を形成する工程が、
    　タングステン（Ｗ）と酸素（Ｏ）とを含むＷ－Ｏ系記録膜を形成する工程（ｉ）、および
    　酸化スズを３０ｍｏｌ％以上含む、誘電体膜Ａを形成する工程（ii）
    を含み、
    　前記工程（ｉ）が、ＷおよびＯを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含み、
    　前記工程（ii）が、ＳｎおよびＯを含むターゲットを用いてスパッタリングを実施することを含む、
    情報記録媒体の製造方法。
  10. 　前記工程（ｉ）において、酸素を添加したＤＣ反応性スパッタリング法を用いる、請求項９に記載の情報記録媒体の製造方法。
  11. 　前記工程（ii）において、ＤＣスパッタリング法を用いる、請求項９に記載の情報記録媒体の製造方法。
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