JP7180668B2 - 光記録媒体用記録層、および光記録媒体 - Google Patents
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Description
本開示は、光記録媒体用記録層、および光記録媒体に関する。
近年では、光記録媒体においては、記録容量を増大させるために、記録層を多層化する技術が広く採用されている。多層光記録媒体の記録層の材料としては、WおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物と、Cu、Mn、NiおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物とを含むものが提案されている(例えば特許文献1参照)。
多層光記録媒体では、光照射面から最も奥側に位置する記録層に関して、良好な再生耐久性(熱耐久性)を保持しつつ、反射率を向上することが望まれている。
本開示の目的は、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる光記録媒体用記録層、およびそれを備える光記録媒体を提供することにある。
上述の課題を解決するために、第1の開示は、
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む記録層を備え、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体である。
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む記録層を備え、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体である。
第2の開示は、
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含み、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体用録媒層である。
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含み、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体用録媒層である。
本開示によれば、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。
本開示では、複数の記録層が基板上に設けられ、その記録層上にカバー層が設けられていることが好ましい。このカバー層の厚さは特に限定されるものではないが、高密度の光記録媒体では、高NAの対物レンズが用いられるため、カバー層としてシート、コーティング層等の薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録および再生を行うことが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、光記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。
本開示において、保存信頼性向上の観点からすると、光記録媒体は、記録層の少なくとも一方の表面に誘電体層をさらに備えることが好ましく、記録層の両方の表面に誘電体層を備えることがより好ましい。層構成や製造設備の簡略化の観点からすると、記録層のいずれの表面にも誘電体層を設けずに、記録層を単独で用いることが好ましい。
本開示において、光記録媒体が、記録層と、この記録層の少なくとも一方の面側に設けられた誘電体層とを備える複数の情報信号層を有する場合、生産性の観点からすると、複数の情報信号層がすべて同一の層構成を有していることが好ましい。複数の情報信号層が第1の誘電体層と、記録層と、第2の誘電体層とを備える同一の層構成を有する場合、生産性の観点からすると、第1の誘電体層、記録層および第2の誘電体層それぞれが、各情報信号層にて同一種の材料を含むものであることが好ましい。
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
1 第1の実施形態
1.1 概要
1.2 光記録媒体の構成
1.3 光記録媒体の製造方法
1.4 効果
2 第2の実施形態
2.1 光記録媒体の構成
2.2 光記録媒体の製造方法
2.3 効果
1 第1の実施形態
1.1 概要
1.2 光記録媒体の構成
1.3 光記録媒体の製造方法
1.4 効果
2 第2の実施形態
2.1 光記録媒体の構成
2.2 光記録媒体の製造方法
2.3 効果
[1.1 概要]
本発発明者は、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物とを含む記録層について検討している。但し、金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MCは、Znであり、金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種である。
本発発明者は、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物とを含む記録層について検討している。但し、金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MCは、Znであり、金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種である。
本発明者が上記記録層の反射率を向上すべく鋭意検討したところ、金属MAの含有量を増加させると、反射率を向上することができるが、記録層の感度が高くなり、再生耐久性(熱耐久性)が低下してしまうことを見出すに至った。そこで、本発明者らは、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる記録層について鋭意検討した。その結果、記録層に金属ME(但し、金属MEはNbである。)の酸化物をさらに含ませ、金属MA、金属MBおよび金属MEの含有量を0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MAの原子比率[原子%]、b:金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MBの原子比率[原子%]、e:金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たすように調整し、かつ、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率を5原子%以上30原子%以下とする構成を見出すに至った。以下、このような構成を有する光記録媒体について説明する。
[1.2 光記録媒体の構成]
図1に示すように、本開示の第1の実施形態に係る光記録媒体1は、いわゆる多層の追記型光記録媒体(例えばAD(Archival Disc))であり、第1のディスク10と、第2のディスク20と、第1、第2のディスク10、20の間に設けられた貼合層30とを備える。光記録媒体1は、グルーブトラックおよびランドトラックの両方にデータを記録する方式(以下「ランド/グルーブ記録方式」という。)の光記録媒体であり、中央に開口(以下「センターホール」という。)が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体1の形状は円盤形状に限定されるものではなく、これ以外の形状であってもよい。
図1に示すように、本開示の第1の実施形態に係る光記録媒体1は、いわゆる多層の追記型光記録媒体(例えばAD(Archival Disc))であり、第1のディスク10と、第2のディスク20と、第1、第2のディスク10、20の間に設けられた貼合層30とを備える。光記録媒体1は、グルーブトラックおよびランドトラックの両方にデータを記録する方式(以下「ランド/グルーブ記録方式」という。)の光記録媒体であり、中央に開口(以下「センターホール」という。)が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体1の形状は円盤形状に限定されるものではなく、これ以外の形状であってもよい。
第1のディスク10は、情報信号層L0、スペーサ層S1、情報信号層L1、・・・、スペーサ層Sn、情報信号層Ln、カバー層である光透過層12がこの順序で基板11の一主面に積層された構成を有する。第2のディスク20は、情報信号層L0、スペーサ層S1、情報信号層L1、・・・、スペーサ層Sm、情報信号層Lm、カバー層である光透過層22がこの順序で基板21の一主面に積層された構成を有する。但し、n、mはそれぞれ独立して2以上の整数である。なお、以下の説明において、情報信号層L0~Ln、L0~Lmを特に区別しない場合には、情報信号層Lという。
光記録媒体1は、情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される光照射面を両面に有する。より具体的には、第1のディスク10の情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第1の光照射面C1と、第2のディスク20の情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光が照射される第2の光照射面C2とを有する。
第1のディスク10では、情報信号層L0が第1の光照射面C1を基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層L1~Lnが位置している。このため、情報信号層L1~Lnは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。一方、第2のディスク20では、情報信号層L0が第2の光照射面C2を基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層L1~Lmが位置している。このため、情報信号層L1~Lmは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。なお、図示しないが、光記録媒体1が、光透過層12、22の表面(すなわち第1、第2の光照射面C1、C2)にハードコート層をさらに備えていてもよい。
光記録媒体1では、第1のディスク10の情報信号の記録または再生は以下のようにして行われる。すなわち、光透過層12側の第1の光照射面C1からレーザー光を、第1のディスク10に含まれる各情報信号層L0~Lnに照射することにより、第1のディスク10の情報信号の記録または再生が行われる。例えば、350nm以上410nm以下の範囲の波長を有するレーザー光を、0.84以上0.86以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層12の側から、第1のディスク10に含まれる各情報信号層L0~Lnに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。
一方、第2のディスク20の情報信号の記録または再生は以下のようにして行われる。すなわち、光透過層22側の第2の光照射面C2からレーザー光を、第2のディスク20に含まれる各情報信号層L0~Lmに照射することにより、第2のディスク20の情報信号の記録または再生が行われる。例えば、350nm以上410nm以下の範囲の波長を有するレーザー光を、0.84以上0.86以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層22の側から、第2のディスク20に含まれる各情報信号層L0~Lmに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。
以下、光記録媒体1を構成する基板11、21、貼合層30、情報信号層L0~Ln、L0~Lm、スペーサ層S1~Sn、S1~Smおよび光透過層12、22について順次説明する。
(基板)
基板11、21は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板11、21の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層L0が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をランドLdといい、凸部をグルーブGvという。
基板11、21は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板11、21の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層L0が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をランドLdといい、凸部をグルーブGvという。
ランドLdおよびグルーブGvの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状等の各種形状が挙げられる。また、ランドLdおよび/またはグルーブGvが、線速度の安定化やアドレス情報付加等のためにウォブル(蛇行)されていてもよい。
なお、第1のディスク10と第2のディスク20のスパイラル方向は逆であってもよい。この場合、第1のディスク10と第2のディスク20を貼り合わせた光記録媒体(両面ディスク)1の同時記録再生が可能となるため、記録や再生時のデータ転送速度を約2倍に高めることができる。
基板11、21の外径(直径)は、例えば120mmに選ばれる。基板11、21の内径(直径)は、例えば15mmに選ばれる。基板11の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは0.3mm以上0.545mm以下、より好ましくは0.445mm以上0.545mm以下である。
基板11、21の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、成形性の観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂またはアクリル系樹脂等を用いることができ、コストの観点からすると、ポリカーボネート系樹脂を用いることが好ましい。
(貼合層)
貼合層30は、硬化した紫外線硬化樹脂により構成されている。この貼合層30により、第1のディスク10と第2のディスク20とが貼り合わされる。より具体的には、光透過層12、22がそれぞれ表面側となるようにして、第1のディスク10の基板11と第2のディスク基板の基板21とが貼り合わされる。
貼合層30は、硬化した紫外線硬化樹脂により構成されている。この貼合層30により、第1のディスク10と第2のディスク20とが貼り合わされる。より具体的には、光透過層12、22がそれぞれ表面側となるようにして、第1のディスク10の基板11と第2のディスク基板の基板21とが貼り合わされる。
貼合層30の厚さは、例えば0.01mm以上0.22mm以下である。紫外線硬化樹脂は、例えばラジカル重合紫外線硬化樹脂である。
(情報信号層)
情報信号層Lは、凹状のトラック(以下「ランドトラック」という。)および凸状のトラック(以下「グルーブトラック」という。)を有している。本実施形態に係る光記録媒体1は、ランドトラックおよびグルーブトラックの両方に情報信号を記録可能に構成されている。ランドトラックとグルーブトラックとのトラックピッチTpが、高記録密度の観点からすると、0.225μm以下であることが好ましい。
情報信号層Lは、凹状のトラック(以下「ランドトラック」という。)および凸状のトラック(以下「グルーブトラック」という。)を有している。本実施形態に係る光記録媒体1は、ランドトラックおよびグルーブトラックの両方に情報信号を記録可能に構成されている。ランドトラックとグルーブトラックとのトラックピッチTpが、高記録密度の観点からすると、0.225μm以下であることが好ましい。
図2に示すように、情報信号層L0~Lnは、上面(第1の主面)および下面(第2の主面)を有する無機記録層(以下単に「記録層」という。)41と、記録層41の上面に隣接して設けられた誘電体層42と、記録層41の下面に隣接して設けられた誘電体層43とを備える。このような構成とすることで、記録層41の耐久性を向上することができる。ここで、上面とは、記録層41の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される側の主面をいい、下面とは、上述のレーザー光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板11側の主面をいう。なお、情報信号層L0~Lmの構成は、情報信号層L0~Lnと同様とすることができるので、説明を省略する。
(記録層)
情報信号層L0に含まれる記録層41は、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む。金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種である。金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種である。金属MCは、Znである。金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種である。金属MEは、Nbである。
情報信号層L0に含まれる記録層41は、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む。金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種である。金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種である。金属MCは、Znである。金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種である。金属MEは、Nbである。
金属MA、金属MBおよび金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71、好ましくは0.43≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MAの原子比率[原子%]、b:金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MBの原子比率[原子%]、e:金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たす。また、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下、好ましくは20原子%以上30原子%以下の範囲内である。
上述のように、金属MA、金属MBおよび金属MEの含有量が0.30≦a/(b+e)≦0.71の関係を満たし、かつ金属MEの原子比率が5原子%以上30原子%以下の範囲内あることで、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる。
金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MAの原子比率は、例えば11原子%以上22原子%以下である。金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MBの原子比率は、例えば7原子%以上26原子%以下である。金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MCの原子比率は、例えば22原子%以上25原子%以下である。金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MDの原子比率は、例えば22原子%以上33原子%以下である。
情報信号層L0以外の情報信号層L1~Lnの記録層41は、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物とを含む。金属MA、MB、MCおよびMDそれぞれの原子比率は、各情報信号層Lに要求される特性に応じて適宜選択される。
記録層41の厚さは、好ましくは25nm以上60nm以下、より好ましくは30nm以上50nm以下の範囲内である。記録層41の厚さが25nm以上であると、優れた信号特性を得ることが可能である。一方、記録層41の厚さが60nm以下であると、広い記録パワーマージンを確保することができる。
第1、第2のディスク10、20の情報信号層Lの層数が3層である場合、情報信号層L0の反射率は、良好な記録信号の確保の観点から、好ましくは3.0%以上4.5%以下、より好ましくは3.5%以上4.5%以下である。また、情報信号層L0の最適記録パワーの下限値は、繰り返し再生耐久性の確保の観点から、好ましくは23mW以上、より好ましくは27mW以上である。情報信号層L0の最適記録パワーの上限値は、既存の民生用ドライブにおける記録Pwの上限値の観点から、好ましくは38.0mW以下である。
(誘電体層)
誘電体層42、43は、酸素バリア層として機能を有する。これにより、記録層41の耐久性を向上することができる。また、誘電体層42、43は、記録層41の酸素の逃避を抑制する機能を有する。これにより、記録層41の膜質の変化(主に反射率の低下として検出)を抑制することができ、記録層41として好ましい膜質を確保することができる。また、誘電体層42、43は、記録特性を向上させる機能も有する。この機能の発現は、誘電体層42、43に入射したレーザー光の熱拡散が適度に制御されて、記録部分における形状変化が大きくなりすぎたり、Mn酸化物の分解が進みすぎて、変化した形状がつぶれるといったことが抑制され、記録時の形状変化を良好にすることができるためと考えられる。
誘電体層42、43は、酸素バリア層として機能を有する。これにより、記録層41の耐久性を向上することができる。また、誘電体層42、43は、記録層41の酸素の逃避を抑制する機能を有する。これにより、記録層41の膜質の変化(主に反射率の低下として検出)を抑制することができ、記録層41として好ましい膜質を確保することができる。また、誘電体層42、43は、記録特性を向上させる機能も有する。この機能の発現は、誘電体層42、43に入射したレーザー光の熱拡散が適度に制御されて、記録部分における形状変化が大きくなりすぎたり、Mn酸化物の分解が進みすぎて、変化した形状がつぶれるといったことが抑制され、記録時の形状変化を良好にすることができるためと考えられる。
誘電体層42、43の材料としては、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含んでいる。誘電体層42、43の材料としては、互いに同一または異なる材料を用いることができる。酸化物としては、例えば、In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、BiおよびMgからなる群から選ばれる1種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、TaおよびZnからなる群から選ばれる1種以上の元素の窒化物、好ましくはSi、GeおよびTiからなる群から選ばれる1種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Zn硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、TaおよびWからなる群より選ばれる1種以上の元素の炭化物、好ましくはSi、TiおよびWからなる群より選ばれる1種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Si、Al、Mg、CaおよびLaからなる群より選ばれる1種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物の具体例としては、ZnS-SiO2、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(ITO)、In2O3-CeO2(ICO)、In2O3-Ga2O3(IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2、Al2O3-ZnO、Al2O3-BaO等が挙げられる。
誘電体層43の厚さは、好ましくは2nm以上30nm以下の範囲内である。誘電体層43の厚さが2nm未満であると、バリア効果が小さくなる傾向がある。一方、誘電体層43の厚さが30nmを超えると、記録パワーマージン減少(悪化)する傾向がある。
誘電体層42の厚さは、好ましくは2nm以上50nm以下の範囲内である。誘電体層42の厚さが2nm未満であると、バリア効果が小さくなる傾向がある。一方、誘電体層42の厚さが50nmを超えると、記録パワーマージン減少(悪化)する傾向がある。
(スペーサ層)
スペーサ層S1~Sn、S1~Smはそれぞれ、情報信号層L0~Ln、L0~Lmを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を有し、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のランドLdおよびグルーブGvを形成している。スペーサ層S1~Sn、S1~Smの厚みは、好ましくは9μm以上50μm以下である。スペーサ層S1~Sn、S1~Smの材料としては特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、スペーサ層S1~Sn、S1~Smは奥層へのデータの記録および再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
スペーサ層S1~Sn、S1~Smはそれぞれ、情報信号層L0~Ln、L0~Lmを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を有し、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のランドLdおよびグルーブGvを形成している。スペーサ層S1~Sn、S1~Smの厚みは、好ましくは9μm以上50μm以下である。スペーサ層S1~Sn、S1~Smの材料としては特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、スペーサ層S1~Sn、S1~Smは奥層へのデータの記録および再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
(光透過層)
光透過層12、22は、例えば、紫外線硬化樹脂等の感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを情報信号層Ln、Lmに対して貼り合わせるための接着層とから光透過層12、22を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率90パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂またはポリオレフィン系樹脂(例えばゼオネックス(登録商標))等を用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤(PSA:Pressure Sensitive Adhesive)等を用いることができる。
光透過層12、22は、例えば、紫外線硬化樹脂等の感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを情報信号層Ln、Lmに対して貼り合わせるための接着層とから光透過層12、22を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率90パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂またはポリオレフィン系樹脂(例えばゼオネックス(登録商標))等を用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤(PSA:Pressure Sensitive Adhesive)等を用いることができる。
光透過層12、22の厚さは、好ましくは10μm以上177μm以下の範囲内から選ばれ、例えば57μmに選ばれる。このような薄い光透過層12、22と、例えば0.85程度の高NA(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
(ハードコート層)
ハードコート層は、第1、第2の光照射面C1、C2に耐擦傷性等を付与するためのものである。ハードコート層の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂または有機無機ハイブリッド系樹脂等を用いることができる。ハードコート層が、機械的強度の向上のために、シリカゲルの微粉末を含んでいてもよい。
ハードコート層は、第1、第2の光照射面C1、C2に耐擦傷性等を付与するためのものである。ハードコート層の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂または有機無機ハイブリッド系樹脂等を用いることができる。ハードコート層が、機械的強度の向上のために、シリカゲルの微粉末を含んでいてもよい。
上述の構成を有する光記録媒体1では、記録層41にレーザー光が照射されると、Mn酸化物がレーザー光により加熱され、分解して酸素を放出し、レーザー光が照射された部分に気泡が生成される。これにより、情報信号の不可逆的な記録を行うことができる。
[1.3 光記録媒体の製造方法]
次に、本開示の第1の実施形態に係る光記録媒体1の製造方法の一例について説明する。
次に、本開示の第1の実施形態に係る光記録媒体1の製造方法の一例について説明する。
(第1のディスクの作製工程)
第1のディスク10を以下のようにして作製する。
第1のディスク10を以下のようにして作製する。
(基板の成形工程)
まず、一主面に凹凸面が形成された基板11を成形する。基板11の成形の方法としては、例えば、射出成形(インジェクション)法またはフォトポリマー法(2P法:Photo Polymerization)等を用いることができる。
まず、一主面に凹凸面が形成された基板11を成形する。基板11の成形の方法としては、例えば、射出成形(インジェクション)法またはフォトポリマー法(2P法:Photo Polymerization)等を用いることができる。
(情報信号層の成膜工程)
次に、例えばスパッタリング法により、基板11上に、誘電体層43、記録層41、誘電体層42を順次積層することにより、情報信号層L0を成膜する。以下に、誘電体層43、記録層41および誘電体層42の成膜工程について具体的に説明する。
次に、例えばスパッタリング法により、基板11上に、誘電体層43、記録層41、誘電体層42を順次積層することにより、情報信号層L0を成膜する。以下に、誘電体層43、記録層41および誘電体層42の成膜工程について具体的に説明する。
(誘電体層の成膜工程)
まず、基板11を、誘電体材料を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやO2ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板11上に誘電体層43を成膜する。
まず、基板11を、誘電体材料を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやO2ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板11上に誘電体層43を成膜する。
(記録層の成膜工程)
次に、基板11を、記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやO2ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、誘電体層43上に記録層41を成膜する。
次に、基板11を、記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやO2ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、誘電体層43上に記録層41を成膜する。
ここで、記録層成膜用のターゲットとしては、情報信号層L0が含む記録層41と同様の組成を有するものが好ましい。但し、酸素との反応性スパッタリングにより記録層41を成膜するようにしてもよい。この場合、記録層成膜用のターゲットとしては、金属MAと、金属MBと、金属MCと、金属MDと、金属MEとを含む合金ターゲットが用いられる。但し、金属MA、金属MBおよび金属MEが、0.30≦a/(b+e)≦0.71、好ましくは0.43≦a/(b+e)≦0.71の関係を満たし、かつ、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下、好ましくは20原子%以上30原子%以下である。
(誘電体層の成膜工程)
次に、基板11を、誘電体材料を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやO2ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、記録層41上に誘電体層42を成膜する。
以上により、基板11上に情報信号層L0が成膜される。
次に、基板11を、誘電体材料を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にArガスやO2ガス等のプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、記録層41上に誘電体層42を成膜する。
以上により、基板11上に情報信号層L0が成膜される。
(スペーサ層の形成工程)
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層L0上に均一に塗布する。その後、情報信号層L0上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばランドLdおよびグルーブGvが設けられたスペーサ層S1が情報信号層L0上に形成される。
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層L0上に均一に塗布する。その後、情報信号層L0上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばランドLdおよびグルーブGvが設けられたスペーサ層S1が情報信号層L0上に形成される。
(情報信号層の成膜工程およびスペーサ層の形成工程)
次に、上述の“情報信号層の成膜工程”および“スペーサ層の形成工程”と同様にして、情報信号層L1、スペーサ層S2、情報信号層L3、・・・、スペーサ層Sn、情報信号層Lnをこの順序でスペーサ層S1上に積層する。
次に、上述の“情報信号層の成膜工程”および“スペーサ層の形成工程”と同様にして、情報信号層L1、スペーサ層S2、情報信号層L3、・・・、スペーサ層Sn、情報信号層Lnをこの順序でスペーサ層S1上に積層する。
ここで、記録層成膜用のターゲットとしては、情報信号層L1~Lnがそれぞれ含む記録層41と同様の組成を有するものが好ましい。但し、酸素との反応性スパッタリングにより記録層41を成膜するようにしてもよい。この場合、記録層成膜用のターゲットとしては、金属MAと、金属MBと、金属MCと、金属MDとを含む合金ターゲットが用いられる。
(光透過層の形成工程)
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂(UVレジン)等の感光性樹脂を情報信号層Ln上にスピンコートした後、紫外線等の光を感光性樹脂に照射し硬化する。これにより、情報信号層Ln上に光透過層12が形成される。以上により、第1のディスク10が作製される。
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂(UVレジン)等の感光性樹脂を情報信号層Ln上にスピンコートした後、紫外線等の光を感光性樹脂に照射し硬化する。これにより、情報信号層Ln上に光透過層12が形成される。以上により、第1のディスク10が作製される。
(第2のディスクの作製工程)
“第2のディスクの作製工程”は、上述の“第1のディスクの作製工程”と同様であるので、説明を省略する。
“第2のディスクの作製工程”は、上述の“第1のディスクの作製工程”と同様であるので、説明を省略する。
(貼り合わせ工程)
次に、以下のようにして、例えばスピンコート法により、上述のようにして作製された第1、第2のディスク10、20の間に接着剤としての紫外線硬化樹脂を延伸させる。まず、第2のディスク20の両主面のうち第2の光照射面C2とは反対側の主面に、センターホールの周縁に沿って紫外線硬化樹脂をリング状に塗布する。次に、第1のディスク10の両主面のうち第1の光照射面C1とは反対側の主面と、第2のディスク20の両主面のうち第2の光照射面C2とは反対側の主面とが対向するようにして、第1のディスク10を紫外線硬化樹脂を介して第2のディスク20に対して押し付ける。
次に、以下のようにして、例えばスピンコート法により、上述のようにして作製された第1、第2のディスク10、20の間に接着剤としての紫外線硬化樹脂を延伸させる。まず、第2のディスク20の両主面のうち第2の光照射面C2とは反対側の主面に、センターホールの周縁に沿って紫外線硬化樹脂をリング状に塗布する。次に、第1のディスク10の両主面のうち第1の光照射面C1とは反対側の主面と、第2のディスク20の両主面のうち第2の光照射面C2とは反対側の主面とが対向するようにして、第1のディスク10を紫外線硬化樹脂を介して第2のディスク20に対して押し付ける。
次に、第1、第2のディスク10、20を回転させて、第1、第2のディスク10、20間において、紫外線硬化樹脂を第1、第2のディスク10、20の半径方向に延伸する。この際、回転速度により紫外線硬化樹脂の厚さが所定の厚さになるように調整される。これにより、第1、第2のディスク10、20間において、紫外線硬化樹脂が第1、第2のディスク10、20の内周部から外周部まで行き渡される。以上により、未硬化状態の貼合層30を有する光記録媒体1が得られる。
なお、上記の紫外線硬化樹脂の延伸工程において、第1、第2のディスク10、20の外周部に対して紫外線を照射し、外周部まで延伸された紫外線硬化樹脂を仮硬化させることが好ましい。これにより、第1、第2のディスク10、20の外周部における開きの発生を抑制できる。
次に、紫外線ランプにより、光記録媒体1の両面側から紫外線を照射して、貼合層30を硬化する。これにより、目的とする光記録媒体1が得られる。
[1.4 効果]
上述の第1の実施形態に係る光記録媒体1は、複数の情報信号層L0~Lnを備える。複数の情報信号層L0~Lnのうち、第1、第2の光照射面C1、C2から最も奥側に位置する情報信号層L0は、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む記録層41を備える。金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MCは、Znであり、金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MEは、Nbである。また、金属MA、金属MBおよび金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71の関係を満たし、かつ、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である。これにより、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる。
上述の第1の実施形態に係る光記録媒体1は、複数の情報信号層L0~Lnを備える。複数の情報信号層L0~Lnのうち、第1、第2の光照射面C1、C2から最も奥側に位置する情報信号層L0は、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む記録層41を備える。金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MCは、Znであり、金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、金属MEは、Nbである。また、金属MA、金属MBおよび金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71の関係を満たし、かつ、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である。これにより、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる。
<2 第2の実施形態>
[2.1 光記録媒体の構成]
図3に示すように、本開示の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aは、いわゆる多層の追記型光記録媒体であり、情報信号層L0、スペーサ層S1、情報信号層L1、・・・、スペーサ層Sn、情報信号層Ln、カバー層である光透過層12がこの順序で基板11の一主面に積層された構成を有する。但し、nは、例えば2以上の整数、好ましくは3以上または4以上の整数である。なお、第2の実施形態において第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
[2.1 光記録媒体の構成]
図3に示すように、本開示の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aは、いわゆる多層の追記型光記録媒体であり、情報信号層L0、スペーサ層S1、情報信号層L1、・・・、スペーサ層Sn、情報信号層Ln、カバー層である光透過層12がこの順序で基板11の一主面に積層された構成を有する。但し、nは、例えば2以上の整数、好ましくは3以上または4以上の整数である。なお、第2の実施形態において第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
光記録媒体1Aは、情報信号を記録または再生するための光が照射される光照射面Cを片面に有する。情報信号層L0が光照射面Cを基準として最も奥に位置し、その手前に情報信号層L1~Lnが位置している。このため、情報信号層L1~Lnは、記録または再生に用いられるレーザー光を透過可能に構成されている。
この第2の実施形態に係る光記録媒体1Aでは、光透過層12側の光照射面Cからレーザー光を各情報信号層L0~Lnに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、400nm以上410nm以下の範囲の波長を有するレーザー光を、0.84以上0.86以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層12の側から各情報信号層L0~Lnに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光記録媒体1Aとしては、例えば多層のブルーレイディスク(BD:Blu-ray(登録商標) Disc)が挙げられる。
光記録媒体1Aは、典型的には、グルーブ記録方式の光記録媒体であるが、ランド/グルーブ記録方式等の光記録媒体であってもよい。
基板11Aの径(直径)は、例えば120mmに選ばれる。基板11の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは0.3mm以上1.3mm以下、より好ましくは0.6mm以上1.3mm以下、例えば1.1mmに選ばれる。また、センターホールの径(直径)は、例えば15mmに選ばれる。基板11Aの材料は、上述の第1の実施形態における基板11と同様である。
情報信号層Lの層数が3層である場合、情報信号層L0の反射率は、良好な記録信号の確保の観点から、好ましくは3.0%以上4.5%以下、より好ましくは3.5%以上4.5%以下である。また、情報信号層L0の最適記録パワーの下限値は、繰り返し再生耐久性の確保の観点から、好ましくは26mW以上、より好ましくは30mW以上である。情報信号層L0の最適記録パワーの上限値は、既存の民生用ドライブにおける記録Pwの上限値の観点から、好ましくは38.0mW以下である。
[2.2 光記録媒体の製造方法]
本開示の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aの製造方法は、上述の第1の実施形態における“第1のディスクの作製工程”と同様である。
本開示の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aの製造方法は、上述の第1の実施形態における“第1のディスクの作製工程”と同様である。
[2.3 効果]
上述の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aでは、第1の実施形態に係る光記録媒体1と同様に、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる。
[実施例]
上述の第2の実施形態に係る光記録媒体1Aでは、第1の実施形態に係る光記録媒体1と同様に、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる。
[実施例]
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
[実施例1~12、比較例3、4]
まず、射出成形により、厚さ1.1mmのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板の一主面を、ランドおよびグルーブからなる凹凸面とした。また、ランド-グルーブ間のトラックピッチTpを0.225μmとした。次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板の凹凸面上に第1の誘電体層、記録層、第2の誘電体層を順次積層することにより、L0層を成膜した。
まず、射出成形により、厚さ1.1mmのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板の一主面を、ランドおよびグルーブからなる凹凸面とした。また、ランド-グルーブ間のトラックピッチTpを0.225μmとした。次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板の凹凸面上に第1の誘電体層、記録層、第2の誘電体層を順次積層することにより、L0層を成膜した。
以下に、具体的なL0層の構成を示す。
第2の誘電体層(スペーサ層側)
材料:SIZ
厚さ:10nm
記録層
材料:表1に示す金属MA、MB、MC、MDおよびMEを含む酸化物(金属MAの酸化物、金属MBの酸化物、金属MCの酸化物、金属MDの酸化物および金属MEの酸化物)
厚さ:36nm
第1の誘電体層(基板側)
材料:SIZ
厚さ:14nm
第2の誘電体層(スペーサ層側)
材料:SIZ
厚さ:10nm
記録層
材料:表1に示す金属MA、MB、MC、MDおよびMEを含む酸化物(金属MAの酸化物、金属MBの酸化物、金属MCの酸化物、金属MDの酸化物および金属MEの酸化物)
厚さ:36nm
第1の誘電体層(基板側)
材料:SIZ
厚さ:14nm
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂をL0層上に均一に塗布し、L0層上に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これにより、ランドおよびグルーブからなる凹凸面を有する、厚さ25μmのスペーサ層が形成された。なお、ランド-グルーブ間のトラックピッチTpを0.225μmとした。
次に、スパッタリング法により、上記のスペーサ層の凹凸面上に第1の誘電体層、記録層、第2の誘電体層を順次積層することにより、透過率81%を有するL1層を成膜した。
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂をL1層上に均一に塗布し、L1層上に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これにより、ランドおよびグルーブからなる凹凸面を有する、厚さ18μmのスペーサ層が形成された。なお、ランド-グルーブ間のトラックピッチTpを0.225μmとした。
次に、スパッタリング法により、上記のスペーサ層の凹凸面上に第1の誘電体層、記録層、第2の誘電体層を順次積層することにより、透過率85%を有するL2層を成膜した。
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂をL2層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ57μmを有する光透過層を形成した。以上により、目的とするランド/グルーブ記録方式の3層の光記録媒体を得た。
[比較例1、2]
表1に示す金属MA、MB、MCおよびMDを含む酸化物(金属MAの酸化物、金属MBの酸化物、金属MCの酸化物、金属MDの酸化物および金属MEの酸化物)からなるL0層の記録層を形成したこと以外は実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
表1に示す金属MA、MB、MCおよびMDを含む酸化物(金属MAの酸化物、金属MBの酸化物、金属MCの酸化物、金属MDの酸化物および金属MEの酸化物)からなるL0層の記録層を形成したこと以外は実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
(反射率の評価)
まず、上述のようにして得られた光記録媒体のL0層の反射率Rを、AD標準評価機を用いてグルーブの未記録部で測定した。次に、測定した反射率を以下の基準で評価した。その結果を表1、2に示す。
反射率が非常に良好:反射率が3.5%以上4.5%以下である。
反射率が良好:反射率が3.0%以上3.5%未満である。
反射率が不良:反射率が3.0%未満である。
なお、表1、2において記号“◎”、“○”、“×”はそれぞれ、評価結果として“反射率が非常に良好”、“反射率が良好”、“反射率が不良”を意味する。
また、上述のように、反射率が3.5%以上4.5%以下の範囲内であり、反射率が非常に良好であると、非常に良好な記録信号を得ることができる。反射率が3.0%以上3.5%未満であり、反射率が良好であると、良好な記録信号を得ることができる。反射率が3.0%未満であり、反射率が不良であると、良好な記録信号を得ることが困難となる。
まず、上述のようにして得られた光記録媒体のL0層の反射率Rを、AD標準評価機を用いてグルーブの未記録部で測定した。次に、測定した反射率を以下の基準で評価した。その結果を表1、2に示す。
反射率が非常に良好:反射率が3.5%以上4.5%以下である。
反射率が良好:反射率が3.0%以上3.5%未満である。
反射率が不良:反射率が3.0%未満である。
なお、表1、2において記号“◎”、“○”、“×”はそれぞれ、評価結果として“反射率が非常に良好”、“反射率が良好”、“反射率が不良”を意味する。
また、上述のように、反射率が3.5%以上4.5%以下の範囲内であり、反射率が非常に良好であると、非常に良好な記録信号を得ることができる。反射率が3.0%以上3.5%未満であり、反射率が良好であると、良好な記録信号を得ることができる。反射率が3.0%未満であり、反射率が不良であると、良好な記録信号を得ることが困難となる。
(再生耐久性の評価(1))
まず、上述のようにして得られた光記録媒体のL0層に対し、AD標準評価機を用いて10トラックのグルーブに信号を記録したのち、それらのグルーブにそれぞれ隣接する10トラックのランドに信号を記録した。次に、グルーブに記録された信号を再生し、i-MLSE(再生特性)を求め、i-MLSEが最小値となる記録パワー(最適記録パワー)を記録感度とした。なお、記録および再生は、AD1規格に準拠して行われた。具体的には、記録速度を4倍速、再生速度を4倍速、記録密度を300GB相当とした。次に、求めた記録感度に基づき、以下の基準で再生耐久性を評価した。その結果を表1に示す。
再生耐久性が非常に良好:記録感度が27mW以上である。
再生耐久性が良好:記録感度が23mW以上27mW未満である。
再生耐久性が不良:記録感度が23mW未満である。
ここで、記録感度により再生耐久性を評価可能なのは、記録感度(記録パワー)と再生耐久性(熱耐久性)との間には相関関係があり、記録層を低感度化することで、再生耐久性が向上するという関係があるからである。
なお、表1において記号“◎”、“○”、“×”はそれぞれ、評価結果として“再生耐久性が非常に良好”、“再生耐久性が良好”、“再生耐久性が不良”を意味する。
まず、上述のようにして得られた光記録媒体のL0層に対し、AD標準評価機を用いて10トラックのグルーブに信号を記録したのち、それらのグルーブにそれぞれ隣接する10トラックのランドに信号を記録した。次に、グルーブに記録された信号を再生し、i-MLSE(再生特性)を求め、i-MLSEが最小値となる記録パワー(最適記録パワー)を記録感度とした。なお、記録および再生は、AD1規格に準拠して行われた。具体的には、記録速度を4倍速、再生速度を4倍速、記録密度を300GB相当とした。次に、求めた記録感度に基づき、以下の基準で再生耐久性を評価した。その結果を表1に示す。
再生耐久性が非常に良好:記録感度が27mW以上である。
再生耐久性が良好:記録感度が23mW以上27mW未満である。
再生耐久性が不良:記録感度が23mW未満である。
ここで、記録感度により再生耐久性を評価可能なのは、記録感度(記録パワー)と再生耐久性(熱耐久性)との間には相関関係があり、記録層を低感度化することで、再生耐久性が向上するという関係があるからである。
なお、表1において記号“◎”、“○”、“×”はそれぞれ、評価結果として“再生耐久性が非常に良好”、“再生耐久性が良好”、“再生耐久性が不良”を意味する。
(再生耐久性の評価(2))
まず、上述のようにして得られた光記録媒体のL0層に対し、BD標準評価機を用いて10トラックのグルーブに信号を記録した。次に、グルーブに記録された信号を再生し、i-MLSE(再生特性)を求め、i-MLSEが最小値となる記録パワー(最適記録パワー)を記録感度とした。なお、記録および再生は、BDXL規格に準拠して行われた。具体的には、記録速度を4倍速、再生速度を4倍速、記録密度を32GB相当とした。次に、求めた記録感度に基づき、以下の基準で再生耐久性を評価した。その結果を表2に示す。
再生耐久性が非常に良好:記録感度が30mW以上である。
再生耐久性が良好:記録感度が26mW以上30mW未満である。
再生耐久性が不良:記録感度が26mW未満である。
なお、表2において記号“◎”、“○”、“×”はそれぞれ、評価結果として“再生耐久性が非常に良好”、“再生耐久性が良好”、“再生耐久性が不良”を意味する。
まず、上述のようにして得られた光記録媒体のL0層に対し、BD標準評価機を用いて10トラックのグルーブに信号を記録した。次に、グルーブに記録された信号を再生し、i-MLSE(再生特性)を求め、i-MLSEが最小値となる記録パワー(最適記録パワー)を記録感度とした。なお、記録および再生は、BDXL規格に準拠して行われた。具体的には、記録速度を4倍速、再生速度を4倍速、記録密度を32GB相当とした。次に、求めた記録感度に基づき、以下の基準で再生耐久性を評価した。その結果を表2に示す。
再生耐久性が非常に良好:記録感度が30mW以上である。
再生耐久性が良好:記録感度が26mW以上30mW未満である。
再生耐久性が不良:記録感度が26mW未満である。
なお、表2において記号“◎”、“○”、“×”はそれぞれ、評価結果として“再生耐久性が非常に良好”、“再生耐久性が良好”、“再生耐久性が不良”を意味する。
再生耐久性の評価(1)、(2)において、“再生耐久性が非常に良好”とは、具体的には100万回再生後にもボトム特性に殆ど劣化が見られないことを意味する。“再生耐久性が良好”とは、具体的には100万回再生後にも再生可能であることを意味する。“再生耐久性が不良”とは、具体的には100万回再生後に再生が困難となることを意味する。
表1から以下のことがわかる。
AD1規格およびBDXL規格のいずれの光記録媒体においても、金属MA、金属MBおよび金属MEの含有量が0.30≦a/(b+e)≦0.71の関係を満たし、かつ、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率が5原子%以上30原子%以下であると、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる。
また、高反射率および低感度化の観点からすると、AD1規格およびBDXL規格のいずれの光記録媒体においても、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率を20原子%以上30原子%以下とすること好ましい。
AD1規格およびBDXL規格のいずれの光記録媒体においても、金属MA、金属MBおよび金属MEの含有量が0.30≦a/(b+e)≦0.71の関係を満たし、かつ、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率が5原子%以上30原子%以下であると、良好な再生耐久性を保持しつつ、反射率を向上することができる。
また、高反射率および低感度化の観点からすると、AD1規格およびBDXL規格のいずれの光記録媒体においても、金属MA、金属MB、金属MC、金属MDおよび金属MEの合計に対する金属MEの原子比率を20原子%以上30原子%以下とすること好ましい。
[変形例]
以上、本開示の第1、第2の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の第1、第2の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
以上、本開示の第1、第2の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の第1、第2の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第1、第2の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
また、第1、第2の実施形態において、情報信号層L0以外の情報信号層L1~Lnの記録層41は、情報信号層L0の記録層41と同様の組成を有していてもよい。
また、第1、第2の実施形態において、情報信号層L1~Lnの記録層41は、Mn酸化物を含む公知の記録層であってもよいし、Pd酸化物を含む公知の記録層であってもよい。但し、光記録媒体1、1Aの低コスト化のためには、記録層41が、貴金属であるPdを含まないことが好ましい。
また、上述の第1、第2の実施形態では、情報信号層Lが、記録層41と、記録層41の上面に隣接して設けられた誘電体層42と、記録層41の下面に隣接して設けられた誘電体層43とを備える構成について説明したが、情報信号層Lの構成はこれに限定されるものではない。例えば、記録層41の上面および下面のいずれか一方にのみ誘電体層を設けるようにしてもよい。また、情報信号層Lを記録層41単層のみから構成するようにしてもよい。このような単純な構成とすることで、光記録媒体1、1Aを低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。この効果は、情報信号層Lの層数が多い媒体ほど、顕著となる。
また、上述の第1、第2の実施形態では、スパッタリング法により光記録媒体1、1Aの各層を形成する場合を例として説明したが、成膜方法はこれに限定されるものではなく、他の成膜方法を用いてもよい。他の成膜方法としては、例えば、熱CVD、プラズマCVD、光CVD等のCVD法(Chemical Vapor Deposition(化学蒸着法):化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術)のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD法(Physical Vapor Deposition(物理蒸着法):真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術)等を用いることができる。
また、上述の第1、第2の実施形態では、多層の情報信号層Lがすべて、同一の層構成(3層構成)を有する場合について説明したが、情報信号層Lごとに求められる特性(例えば光学特性や耐久性等)に応じて層構成を変えるようにしてもよい。但し、生産性の観点からすると、全ての情報信号層Lを同一の層構成とすることが好ましい。
また、本開示を適用可能な光記録媒体は、第1、第2の実施形態における構成を有するものに限定されるわけではない。例えば、基板上に複数層の情報信号層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体(例えばCD(Compact Disc))、または2枚の基板の間に複数層の情報信号層が設けられた構成を有し、少なくとも一方の基板の側からレーザー光を複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体(例えばDVD(Digital Versatile Disc))に対しても本開示は適用可能である。
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
(1)
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む記録層を備え、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体。
(2)
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、20原子%以上30原子%以下である(1)に記載の光記録媒体。
(3)
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.43≦a/(b+e)≦0.71である(1)または(2)に記載の光記録媒体。
(4)
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率は、例えば11原子%以上22原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率は、例えば7原子%以上26原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MCの原子比率は、例えば22原子%以上25原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MDの原子比率は、例えば22原子%以上33原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(5)
前記記録層は、光照射面から最も奥側に位置している(1)から(4)のいずれかに記載の光記録媒体。
(6)
前記記録層の第1の面側に設けられた第1の誘電体層と、
前記記録層の第2の面側に設けられた第2の誘電体層と
をさらに備える(1)から(5)のいずれかに記載の光記録媒体。
(7)
第1のディスクと、
第2のディスクと
を備え、
前記第1のディスクおよび前記第2のディスクは、
第1の面と第2の面とを有する基板と、
前記第1の面側に設けられた2層以上の情報信号層と、
2層以上の前記情報信号層を覆うカバー層と
を備え、
前記第1のディスクが備える前記基板の前記第2の面と、前記第2のディスクが備える前記基板の前記第2の面とが貼り合わされており、
2層以上の前記情報信号層のうち、光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層は、前記記録層を備える(1)から(6)のいずれかに記載の光記録媒体。
(8)
前記第1の面側に設けられた前記情報信号層の層数が3層であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の反射率は、3.0%以上4.5%以下であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の最適記録パワーは、23mW以上である(7)に記載の光記録媒体。
(9)
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の反射率は、3.5%以上4.5%以下であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の最適記録パワーは、27mW以上である(8)に記載の光記録媒体。
(10)
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含み、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体用録媒層。
(1)
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む記録層を備え、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体。
(2)
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、20原子%以上30原子%以下である(1)に記載の光記録媒体。
(3)
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.43≦a/(b+e)≦0.71である(1)または(2)に記載の光記録媒体。
(4)
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率は、例えば11原子%以上22原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率は、例えば7原子%以上26原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MCの原子比率は、例えば22原子%以上25原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MDの原子比率は、例えば22原子%以上33原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(5)
前記記録層は、光照射面から最も奥側に位置している(1)から(4)のいずれかに記載の光記録媒体。
(6)
前記記録層の第1の面側に設けられた第1の誘電体層と、
前記記録層の第2の面側に設けられた第2の誘電体層と
をさらに備える(1)から(5)のいずれかに記載の光記録媒体。
(7)
第1のディスクと、
第2のディスクと
を備え、
前記第1のディスクおよび前記第2のディスクは、
第1の面と第2の面とを有する基板と、
前記第1の面側に設けられた2層以上の情報信号層と、
2層以上の前記情報信号層を覆うカバー層と
を備え、
前記第1のディスクが備える前記基板の前記第2の面と、前記第2のディスクが備える前記基板の前記第2の面とが貼り合わされており、
2層以上の前記情報信号層のうち、光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層は、前記記録層を備える(1)から(6)のいずれかに記載の光記録媒体。
(8)
前記第1の面側に設けられた前記情報信号層の層数が3層であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の反射率は、3.0%以上4.5%以下であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の最適記録パワーは、23mW以上である(7)に記載の光記録媒体。
(9)
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の反射率は、3.5%以上4.5%以下であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の最適記録パワーは、27mW以上である(8)に記載の光記録媒体。
(10)
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含み、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体用録媒層。
1、1A 光記録媒体
10 第1のディスク
20 第2のディスク
30 貼合層
11、11A、21 基板
12、22 光透過層
41 記録層
42、43 誘電体層
L0~Ln、L0~Lm 情報信号層
S1~Sn、S1~Sm スペーサ層
C 光照射面
C1 第1の光照射面
C2 第2の光照射面
Gv グルーブ
Ld ランド
Tp ピッチ
10 第1のディスク
20 第2のディスク
30 貼合層
11、11A、21 基板
12、22 光透過層
41 記録層
42、43 誘電体層
L0~Ln、L0~Lm 情報信号層
S1~Sn、S1~Sm スペーサ層
C 光照射面
C1 第1の光照射面
C2 第2の光照射面
Gv グルーブ
Ld ランド
Tp ピッチ
Claims (10)
- 金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含む記録層を備え、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体。 - 前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、20原子%以上30原子%以下である請求項1に記載の光記録媒体。
- 前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.43≦a/(b+e)≦0.71である請求項1に記載の光記録媒体。
- 前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率は、例えば11原子%以上22原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率は、例えば7原子%以上26原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MCの原子比率は、例えば22原子%以上25原子%以下であり、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MDの原子比率は、例えば22原子%以上33原子%以下である請求項1に記載の光記録媒体。 - 前記記録層は、光照射面から最も奥側に位置している請求項1に記載の光記録媒体。
- 前記記録層の第1の面側に設けられた第1の誘電体層と、
前記記録層の第2の面側に設けられた第2の誘電体層と
をさらに備える請求項1に記載の光記録媒体。 - 第1のディスクと、
第2のディスクと
を備え、
前記第1のディスクおよび前記第2のディスクは、
第1の面と第2の面とを有する基板と、
前記第1の面側に設けられた2層以上の情報信号層と、
2層以上の前記情報信号層を覆うカバー層と
を備え、
前記第1のディスクが備える前記基板の前記第2の面と、前記第2のディスクが備える前記基板の前記第2の面とが貼り合わされており、
2層以上の前記情報信号層のうち、光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層は、前記記録層を備える請求項1に記載の光記録媒体。 - 前記第1の面側に設けられた前記情報信号層の層数が3層であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の反射率は、3.0%以上4.5%以下であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の最適記録パワーは、23mW以上である請求項7に記載の光記録媒体。 - 前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の反射率は、3.5%以上4.5%以下であり、
前記光照射面から最も奥側に位置している前記情報信号層の最適記録パワーは、27mW以上である請求項8に記載の光記録媒体。 - 金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物と、金属MDの酸化物と、金属MEの酸化物とを含み、
前記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MBは、W、Mo、ZrおよびTaからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MCは、Znであり、
前記金属MDは、CuおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属MEは、Nbであり、
前記金属MA、前記金属MBおよび前記金属MEの含有量が、0.30≦a/(b+e)≦0.71(但し、a:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MAの原子比率[原子%]、b:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MBの原子比率[原子%]、e:前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率[原子%])の関係を満たし、
前記金属MA、前記金属MB、前記金属MC、前記金属MDおよび前記金属MEの合計に対する前記金属MEの原子比率が、5原子%以上30原子%以下である光記録媒体用録媒層。
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