JP2011065722A - 光記録媒体の製造方法、光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体の製造方法、光記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011065722A JP2011065722A JP2009216325A JP2009216325A JP2011065722A JP 2011065722 A JP2011065722 A JP 2011065722A JP 2009216325 A JP2009216325 A JP 2009216325A JP 2009216325 A JP2009216325 A JP 2009216325A JP 2011065722 A JP2011065722 A JP 2011065722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- information recording
- recording medium
- film formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 47
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229910021078 Pd—O Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 207
- 239000010408 film Substances 0.000 description 117
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Alternatively Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24035—Recording layers
- G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
【課題】BD−Rディスク等の製造の大幅な効率化及びコスト低減
【解決手段】情報記録層のスパッタリングの際には、同一材料(例えばIn−Sn−Pd−O膜)の単膜形成を行うが、成膜条件を変化させた層を形成し、擬似的な複膜構造とする。例えばO2流量やガス圧の値を変化させて、Pdの酸化を抑えた層を形成する。これにより、耐久性を向上させた膜部分を形成し、情報記録層の全体の耐久性を向上させる。スパッタ装置は、1チャンバーで成膜条件を変えるのみで実現できるため、製造効率の向上やコストダウンを実現できる。
【選択図】図1
【解決手段】情報記録層のスパッタリングの際には、同一材料(例えばIn−Sn−Pd−O膜)の単膜形成を行うが、成膜条件を変化させた層を形成し、擬似的な複膜構造とする。例えばO2流量やガス圧の値を変化させて、Pdの酸化を抑えた層を形成する。これにより、耐久性を向上させた膜部分を形成し、情報記録層の全体の耐久性を向上させる。スパッタ装置は、1チャンバーで成膜条件を変えるのみで実現できるため、製造効率の向上やコストダウンを実現できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、光ディスク等の光記録媒体と、その製造方法に関し、特にその記録層の製法及び構造に関する。
近年、光学的な情報記録方式のメディアの一つである光ディスクは、パーソナルコンピュータの普及や、地上波デジタル放送の開始と普及、ハイビジョンテレビの一般家庭への普及の加速に伴い、高密度記録、大容量化が進んでいる。例えばCD(Compact Disc)からDVD(Digital Versatile Disc)、そしてブルーレイディスク(Blu-ray Disc(登録商標))と、より多くの情報を記録可能とした光ディスク記録媒体が提供されている。
大容量の光ディスク記録媒体としてのブルーレイディスクは、直径が約12cm、厚みは約1.2mmの光ディスクである。その厚み方向の層構造としては、約1.1mmの基板上の凹凸形状に情報記録層を形成する。情報記録層は、例えば反射膜(金属薄膜)、誘電体膜、記録膜、誘電体膜を順に積層するなどして形成される。
そして情報記録層上に、厚み約0.1mmの光透過層(カバー層)が設けられる。
このようなブルーレイディスクは、約25GB(Giga Byte)の記録容量を備える。
記録膜の記録材料に関しては、例えば上記特許文献1に開示されたものが知られている。
そして情報記録層上に、厚み約0.1mmの光透過層(カバー層)が設けられる。
このようなブルーレイディスクは、約25GB(Giga Byte)の記録容量を備える。
記録膜の記録材料に関しては、例えば上記特許文献1に開示されたものが知られている。
ブルーレイディスク(BD)の普及が進むにつれ、ブルーレイディスクの製造工程の効率化やコストダウンは強く求められる。
例えば現行のブルーレイディスクでは、上記のように情報記録層は、記録膜、反射膜、誘電体膜などを有する複膜構造であるが、このため大がかりなスパッタ装置が必要である。即ち多層膜により情報記録層を形成すると、多層膜の成膜に時間を要すると共に、数個の成膜室を備えた高価な成膜装置を必要とする。
製造効率やコストの点を考えると、単膜構造などのシンプルな情報記録層が好ましい。
但し、情報記録層を単膜構造とする場合、その耐久性が不十分となる場合がある。
例えば現行のブルーレイディスクでは、上記のように情報記録層は、記録膜、反射膜、誘電体膜などを有する複膜構造であるが、このため大がかりなスパッタ装置が必要である。即ち多層膜により情報記録層を形成すると、多層膜の成膜に時間を要すると共に、数個の成膜室を備えた高価な成膜装置を必要とする。
製造効率やコストの点を考えると、単膜構造などのシンプルな情報記録層が好ましい。
但し、情報記録層を単膜構造とする場合、その耐久性が不十分となる場合がある。
本発明はこのような点に鑑み、情報記録層をシンプルな層構造としつつ、その耐久性についても良好な光記録媒体の提供を目的とする。
本発明の、基板と、情報記録層と、光透過層とを有する光記録媒体の製造方法は、上記基板を成形する工程と、上記基板上に、同一組成のターゲットを用いて、第1の成膜条件でスパッタリングを行った層と、第2の成膜条件でスパッタリングを行った層を有する積層構造により上記情報記録層を形成する工程と、上記光透過層を形成する工程とを有する。
例えば上記情報記録層は、少なくともPdO及びPdO2を含有する。
また、上記第1の成膜条件と上記第2の成膜条件は、少なくとも、スパッタ時に用いるO2ガスの流量やガス圧が異なるものとする。
例えば上記情報記録層は、少なくともPdO及びPdO2を含有する。
また、上記第1の成膜条件と上記第2の成膜条件は、少なくとも、スパッタ時に用いるO2ガスの流量やガス圧が異なるものとする。
本発明の光記録媒体は、基板と、上記基板上に、同一組成のターゲットを用いて、第1の成膜条件でスパッタリングを行った層と、第2の成膜条件でスパッタリングを行った層を有する積層構造により形成された情報記録層と、光透過層とを有する。
例えば上記情報記録層は、少なくともPdO及びPdO2を含有する。
例えば上記情報記録層は、少なくともPdO及びPdO2を含有する。
即ち本発明では、情報記録層は、同一材料による単膜構造とするものであるが、スパッタ時に、成膜条件を変化させることで、擬似的な複数膜の積層構造となるようにする。
例えばIn、Sn、又はZnの酸化物を主成分としつつ、Pdと、酸素とを含み、酸素の量が、上記In、Sn、又はZnが完全酸化されてIn2O3、SnO2、又はZnOとなった場合の化学量論組成よりも多く含有されているものを考える。
この場合、In、Sn、又はZnが完全酸化された上で、少なくとも一部のPd原子には、酸素原子が結合していることになる。例えばPdO、PdO2となっている。記録のためのレーザ照射によっては、PdO、PdO2という不安定なPd酸化物が反応し、周囲とは反射率の異なる記録マークが形成されるものとなる。
このような完全酸化物にPdO、PdO2を加えた記録膜材料の場合、単層で所要の反射率や透過率が得られ、また記録再生特性も良好とすることができるため、単膜構造とすることに適している。
ところがPdO2の分解等が耐久性を悪化させる要因と考えられる。
そこで、スパッタ時に、例えばO2ガスの流量やガス圧を変化させ、Pdの酸化を減らした層を形成する。これにより情報記録層の界面で耐久性を上げることができる。
例えばIn、Sn、又はZnの酸化物を主成分としつつ、Pdと、酸素とを含み、酸素の量が、上記In、Sn、又はZnが完全酸化されてIn2O3、SnO2、又はZnOとなった場合の化学量論組成よりも多く含有されているものを考える。
この場合、In、Sn、又はZnが完全酸化された上で、少なくとも一部のPd原子には、酸素原子が結合していることになる。例えばPdO、PdO2となっている。記録のためのレーザ照射によっては、PdO、PdO2という不安定なPd酸化物が反応し、周囲とは反射率の異なる記録マークが形成されるものとなる。
このような完全酸化物にPdO、PdO2を加えた記録膜材料の場合、単層で所要の反射率や透過率が得られ、また記録再生特性も良好とすることができるため、単膜構造とすることに適している。
ところがPdO2の分解等が耐久性を悪化させる要因と考えられる。
そこで、スパッタ時に、例えばO2ガスの流量やガス圧を変化させ、Pdの酸化を減らした層を形成する。これにより情報記録層の界面で耐久性を上げることができる。
本発明の光記録媒体の製造方法では、情報記録層のスパッタリングの際には、同一材料の単膜形成を行うが、成膜条件を変化させた層を形成し、擬似的な複数膜の積層構造とする。これにより、耐久性を向上させた膜部分を形成することができ、情報記録層の全体の耐久性を上げることができる。
そしてスパッタ装置は、1チャンバーで成膜条件を変えるのみで実現できるため、製造効率の向上やコストダウンを実現できる。
つまり製造効率向上やコストダウンを実現しつつ、耐久性の良好な光記録媒体を提供できる。
そしてスパッタ装置は、1チャンバーで成膜条件を変えるのみで実現できるため、製造効率の向上やコストダウンを実現できる。
つまり製造効率向上やコストダウンを実現しつつ、耐久性の良好な光記録媒体を提供できる。
以下、本発明の実施の形態を次の順序で説明する。
[1.光ディスク構造]
[2.製造手順]
[3.実験例]
[4.多層ディスクへの適用]
[1.光ディスク構造]
[2.製造手順]
[3.実験例]
[4.多層ディスクへの適用]
[1.光ディスク構造]
図1(a)に実施の形態の光ディスクの層構造を模式的に示している。これは例えばシングルレイヤー(情報記録層が1層)のブルーレイディスクとする場合の構造例である。
本例の光ディスクは、厚みが約1.1mmで、外径が約120mmの円盤状の基板1の一面側に情報記録層2、及び光透過層(カバー層)3が形成されている。
なお図面上、上方が、記録再生時にレーザ光が入射されるレーザ入射面である。
図1(a)に実施の形態の光ディスクの層構造を模式的に示している。これは例えばシングルレイヤー(情報記録層が1層)のブルーレイディスクとする場合の構造例である。
本例の光ディスクは、厚みが約1.1mmで、外径が約120mmの円盤状の基板1の一面側に情報記録層2、及び光透過層(カバー層)3が形成されている。
なお図面上、上方が、記録再生時にレーザ光が入射されるレーザ入射面である。
基板1は、例えばポリカーボネート樹脂の射出成形で形成される。このとき、金型内にマスタリング原盤から、トラッキング用のウォブリンググルーブの凹凸形状が転写されたスタンパが配置されていることで、基板1はスタンパの凹凸が転写された状態で形成される。即ち記録トラックとなるウォブリンググルーブが形成された基板1が、射出成形で形成されるものである。
このような基板1の一面、即ちウォブリンググルーブとしての凹凸が形成された面に対し、情報記録層2が成膜される。
本例の場合、情報記録層2は、In(インジウム)、Sn(スズ)、又はZn(亜鉛)の酸化物のうちのいずれかを主成分とする。そして、さらにPd(パラジウム)と、O(酸素)とを含み、酸素の量が、In、Sn、又はZnが完全酸化されてIn2O3、SnO2、又はZnOとなった場合の化学量論組成よりも多く含有されている。
例えば情報記録層2は、In−Sn−Pd−O記録膜、In−Pd−O記録膜、Sn−Pd−O記録膜、Zn−Pd−O記録膜などとされる。
本例の場合、情報記録層2は、In(インジウム)、Sn(スズ)、又はZn(亜鉛)の酸化物のうちのいずれかを主成分とする。そして、さらにPd(パラジウム)と、O(酸素)とを含み、酸素の量が、In、Sn、又はZnが完全酸化されてIn2O3、SnO2、又はZnOとなった場合の化学量論組成よりも多く含有されている。
例えば情報記録層2は、In−Sn−Pd−O記録膜、In−Pd−O記録膜、Sn−Pd−O記録膜、Zn−Pd−O記録膜などとされる。
この情報記録層2は、例えば図1(b)のような構造とされる(実施の形態例(I))。
例えば、In−Sn−Pd−O記録膜などとしての単膜で40nm厚などとして形成される。但し、破線で分けて示すように、擬似的な3層構造とされている。これは第1成膜条件層2aと、第2成膜条件層2bを有するものとなっている。
この図1(b)の場合、基板1上に5nm厚の第1成膜条件層2aが形成され、その上に30nm厚の第2成膜条件層2bが形成され、さらにその上に5nm厚の第1成膜条件層2aが形成されている。第1成膜条件層2a、第2成膜条件層2bは、共にIn−Sn−Pd−O記録膜である。
そして、30nm厚の第2成膜条件層2bが、記録膜としての主たる機能を負う層であり、上下の各第1成膜条件層2aが、情報記録層2の耐久性を向上させる機能を負う層となる。
例えば、In−Sn−Pd−O記録膜などとしての単膜で40nm厚などとして形成される。但し、破線で分けて示すように、擬似的な3層構造とされている。これは第1成膜条件層2aと、第2成膜条件層2bを有するものとなっている。
この図1(b)の場合、基板1上に5nm厚の第1成膜条件層2aが形成され、その上に30nm厚の第2成膜条件層2bが形成され、さらにその上に5nm厚の第1成膜条件層2aが形成されている。第1成膜条件層2a、第2成膜条件層2bは、共にIn−Sn−Pd−O記録膜である。
そして、30nm厚の第2成膜条件層2bが、記録膜としての主たる機能を負う層であり、上下の各第1成膜条件層2aが、情報記録層2の耐久性を向上させる機能を負う層となる。
また図1(c)の実施の形態例IIとして示すように、基板1上に30nm厚の第2成膜条件層2bが形成され、その上に10nm厚の第1成膜条件層2aが形成される擬似的な2層構造としてもよい。
また図1(d)の実施の形態例IIIとして示すように、基板1上に10nm厚の第1成膜条件層2aが形成され、その上に30nm厚の第2成膜条件層2bが形成される擬似的な2層構造とすることも考えられる。
また図1(d)の実施の形態例IIIとして示すように、基板1上に10nm厚の第1成膜条件層2aが形成され、その上に30nm厚の第2成膜条件層2bが形成される擬似的な2層構造とすることも考えられる。
なお、図1(d)は、比較例として単純な単膜構造とした場合を示している。例えば40nm厚のIn−Sn−Pd−O記録膜を、成膜条件を変化させずにスパッタした場合である。後述の実験例で述べるが、この場合、耐久性が劣る場合がある。
図1では、情報記録層2の膜厚は40nmとしたが、これは一例である。また図1(b)(c)(d)の各例の第1成膜条件層2a、第2成膜条件層2bの厚みも一例にすぎない。
図1(a)のように、情報記録層2の上面(レーザ照射面側)は、光透過層3とされる。
光透過層3は光ディスクの保護を目的として形成される。情報信号の記録再生は、例えば、レーザ光が光透過層3を通じて情報記録層2に集光されることによって行われる。
光透過層3は、例えば紫外腺硬化樹脂のスピンコート及び紫外線照射による硬化によって形成する。又は紫外線硬化樹脂とポリカーボネートシートや、接着層とポリカーボネートシート用いて光透過層3を形成することもできる。
光透過層3は、100μm程度の厚みとされ、約1.1mmの基板1と合わせて光ディスク全体の厚みが約1.2mmとなる。
光透過層3は光ディスクの保護を目的として形成される。情報信号の記録再生は、例えば、レーザ光が光透過層3を通じて情報記録層2に集光されることによって行われる。
光透過層3は、例えば紫外腺硬化樹脂のスピンコート及び紫外線照射による硬化によって形成する。又は紫外線硬化樹脂とポリカーボネートシートや、接着層とポリカーボネートシート用いて光透過層3を形成することもできる。
光透過層3は、100μm程度の厚みとされ、約1.1mmの基板1と合わせて光ディスク全体の厚みが約1.2mmとなる。
なお、図示していないが、光透過層3の表面(レーザ照射面)に、特に光ディスクに対する機械的な衝撃、傷に対する保護、さらには利用者の取り扱い時の指紋の付着などから、情報信号の記録再生品質を保護するためにハードコートを施す場合もある。
ハードコートには、機械的強度を向上させるためにシリカゲルの微粉末を混入したものや、溶剤タイプ、無溶剤タイプなどの紫外線硬化樹脂を用いることが出来る。
機械的強度を有し、指紋などの油脂分をはじくためには、ハードコートは1μmから数μmの厚さを有するようにする。
ハードコートには、機械的強度を向上させるためにシリカゲルの微粉末を混入したものや、溶剤タイプ、無溶剤タイプなどの紫外線硬化樹脂を用いることが出来る。
機械的強度を有し、指紋などの油脂分をはじくためには、ハードコートは1μmから数μmの厚さを有するようにする。
[2.製造手順]
例えば図1(a)(b)に示した構造を例に挙げ、実施の形態の光ディスクの製造手順について説明する。
図2は光ディスク製造過程の各状態の模式図、図3は製造工程を示したフローチャートである。
なお、ここではスタンパを用いて基板1を作成する段階から述べるが、スタンパは、これに先立つ原盤マスタリング、現像、スタンパ生成という工程を経て形成される。
例えば図1(a)(b)に示した構造を例に挙げ、実施の形態の光ディスクの製造手順について説明する。
図2は光ディスク製造過程の各状態の模式図、図3は製造工程を示したフローチャートである。
なお、ここではスタンパを用いて基板1を作成する段階から述べるが、スタンパは、これに先立つ原盤マスタリング、現像、スタンパ生成という工程を経て形成される。
図3(a)のステップF101として、基板1の成形が行われる。例えばポリカーボネート樹脂の射出成形により成形樹脂基板1を成形する。ここで成形される基板1には情報記録層2における記録トラック(ウォブリンググルーブ)となる凹凸パターンが形成される。
図2(a)は基板1を成形する金型を概略的に示している。
この金型は、下キャビティ120と上キャビティ121から成り、下キャビティ120には、情報記録層2についての凹凸パターンを転写するためのスタンパ100が配置される。スタンパ100には、転写のための凹凸パターン100aが形成されている。
図2(a)は基板1を成形する金型を概略的に示している。
この金型は、下キャビティ120と上キャビティ121から成り、下キャビティ120には、情報記録層2についての凹凸パターンを転写するためのスタンパ100が配置される。スタンパ100には、転写のための凹凸パターン100aが形成されている。
このような金型を用いて射出成形で基板1を成形するが、成形される基板1は図2(b)のようになる。
即ちポリカーボネート樹脂による基板1は、その中心はセンターホール20とされるとともに、その一面側は、金型内のスタンパ100に形成された凹凸パターン100aが転写された凹凸パターンとなる。
即ちポリカーボネート樹脂による基板1は、その中心はセンターホール20とされるとともに、その一面側は、金型内のスタンパ100に形成された凹凸パターン100aが転写された凹凸パターンとなる。
続いて図3(a)のステップF102で、情報記録層2の形成が行われる。即ち基板1の凹凸パターン上に、スパッタリングにより例えば40nmの情報記録層2を成膜する。図2(c)に情報記録層2が成膜された状態を示している。
この情報記録層2の形成は、図2(b)のように行われる。
まずステップF102aとして、第1の成膜条件で5nm厚の成膜を行う。即ち図1(b)の第1成膜条件層2aを形成する。
続いてステップF102bで、第2の成膜条件で30nm厚の成膜を行う。即ち図1(b)の第2成膜条件層2bを形成する。
続いてステップF102cで、再び第1の成膜条件とした上で5nm厚の成膜を行う。即ち図1(b)の光透過層3側の第1成膜条件層2aを形成し、図のような擬似的な3層構造を形成する。
まずステップF102aとして、第1の成膜条件で5nm厚の成膜を行う。即ち図1(b)の第1成膜条件層2aを形成する。
続いてステップF102bで、第2の成膜条件で30nm厚の成膜を行う。即ち図1(b)の第2成膜条件層2bを形成する。
続いてステップF102cで、再び第1の成膜条件とした上で5nm厚の成膜を行う。即ち図1(b)の光透過層3側の第1成膜条件層2aを形成し、図のような擬似的な3層構造を形成する。
ここで、第1,第2の成膜条件の違いは、スパッタ時のガス圧や、O2ガスの流量である。
ガス圧は、第1の成膜条件の方が第2の成膜条件より低いものとする。
O2ガスの流量は、第1の成膜条件の方が第2の成膜条件より小さいものとする。
ガス圧は、第1の成膜条件の方が第2の成膜条件より低いものとする。
O2ガスの流量は、第1の成膜条件の方が第2の成膜条件より小さいものとする。
このようにして情報記録層2を形成したら、図3(a)のステップF103で光透過層3を形成する。
例えば図2(c)のように情報記録層2が形成された面に、紫外線硬化型樹脂をスピンコートにより展延させ、紫外線を照射することによって樹脂を硬化させる。これにより図2(d)のように光透過層3を形成する。
例えば図2(c)のように情報記録層2が形成された面に、紫外線硬化型樹脂をスピンコートにより展延させ、紫外線を照射することによって樹脂を硬化させる。これにより図2(d)のように光透過層3を形成する。
その後は、光透過層3の表面にハードコートを行う場合もある。また基板1側の面(レーベル面)に印刷処理を行う。そして検査を経て光ディスク、例えば記録可能型ブルーレイディスク(BD−R)の完成となる。
図3(b)のようにして形成される情報記録層2について説明する。
本実施の形態の光ディスクの情報記録層2は、In、Sn、又はZnの酸化物のうちのいずれかを主成分とする。そして、さらにPdと、酸素とを含み、酸素の量が、In、Sn、又はZnが完全酸化されてIn2O3、SnO2、又はZnOとなった場合の化学量論組成よりも多く含有されている。
つまり、In、Sn、又はZnが完全酸化された上で、少なくとも一部のPd原子には、酸素原子が結合してPdO、PdO2となっている。
これは、In2O3、SnO2、又はZnOというような安定した酸化物に加えてPd,Oが含まれているものであり、レーザ照射を与えた場合、In2O3、SnO2、又はZnOではなくPdO、PdO2が反応するものである。
即ち、レーザ照射によって、PdOはPdとO2に分解し、またPdO2はPdOとO2に分解するように反応する。また構造的にも酸素が表れることで膨れが生ずる。これらにより周囲とは反射率の異なる記録マークが形成される。
本実施の形態の光ディスクの情報記録層2は、In、Sn、又はZnの酸化物のうちのいずれかを主成分とする。そして、さらにPdと、酸素とを含み、酸素の量が、In、Sn、又はZnが完全酸化されてIn2O3、SnO2、又はZnOとなった場合の化学量論組成よりも多く含有されている。
つまり、In、Sn、又はZnが完全酸化された上で、少なくとも一部のPd原子には、酸素原子が結合してPdO、PdO2となっている。
これは、In2O3、SnO2、又はZnOというような安定した酸化物に加えてPd,Oが含まれているものであり、レーザ照射を与えた場合、In2O3、SnO2、又はZnOではなくPdO、PdO2が反応するものである。
即ち、レーザ照射によって、PdOはPdとO2に分解し、またPdO2はPdOとO2に分解するように反応する。また構造的にも酸素が表れることで膨れが生ずる。これらにより周囲とは反射率の異なる記録マークが形成される。
このような記録膜2aによれば、非常に良好な記録再生特性を得ることができた。例えば再生信号のS/N、反射率、透過率、記録感度、記録マージンなどの点で、ブルーレイディスクとして十分な特性が得られた。
また構造的には、反射率、透過率の制御に好適である。記録膜は、酸素の含有量等により、Pdと酸素との結合状態を制御することが可能になるため、Pdと酸素との結合状態を制御して記録層の透過率及び反射率を所望の値に制御することが可能になる。
このとき、記録層中のPd原子には、Pd原子単独で存在して酸素原子と結合していないもの(Pd)と、1つの酸素原子と結合しているもの(PdO)と、2つの酸素原子と結合しているもの(PdO2)の3つの状態がある。そして、酸素の含有量により、これらのうち、1つから3つの状態が存在している。
酸素原子と結合していない状態のPd原子の比率が高いと、金属的な特性が強くなるため、記録層の透過率が低くなり、記録層の反射率が高くなる。一方、酸素原子と結合している状態のPd原子の比率が高いと、酸化物的な特性が強くなるため、記録層の透過率が高くなり、記録層の反射率が低くなる。
このとき、記録層中のPd原子には、Pd原子単独で存在して酸素原子と結合していないもの(Pd)と、1つの酸素原子と結合しているもの(PdO)と、2つの酸素原子と結合しているもの(PdO2)の3つの状態がある。そして、酸素の含有量により、これらのうち、1つから3つの状態が存在している。
酸素原子と結合していない状態のPd原子の比率が高いと、金属的な特性が強くなるため、記録層の透過率が低くなり、記録層の反射率が高くなる。一方、酸素原子と結合している状態のPd原子の比率が高いと、酸化物的な特性が強くなるため、記録層の透過率が高くなり、記録層の反射率が低くなる。
換言すれば、単膜構造の情報記録層2で十分な反射率を得ることができる。例えば17%程度の反射率を容易に得ることができる。
従って、情報記録層2を、反射膜を有する構造としなくてもよく、情報記録層2を単膜構造とすることが可能であり、層構造を著しくシンプルにすることができる。
例えば図1(e)の比較例のような単膜構造で、良好な記録再生特性が得られる。
従って、情報記録層2を、反射膜を有する構造としなくてもよく、情報記録層2を単膜構造とすることが可能であり、層構造を著しくシンプルにすることができる。
例えば図1(e)の比較例のような単膜構造で、良好な記録再生特性が得られる。
ところが、図1(e)のような単純な単膜構造の場合は、耐久性に問題が生じた。PdO2の分解等が耐久性を悪化させる要因と考えられる。
そこで、スパッタ時に、例えばO2ガスの流量やガス圧を変化させ、Pdの酸化を減らした層を形成する。これが第1成膜条件層2aである。
スパッタ時のO2ガスの流量は、Pdの酸化に影響する。O2ガスの流量が少なければ、Pdの酸化が減ることになる。そこで第1成膜条件層2aの成膜時(図3(b)のステップF102a,F102c)には、第2成膜条件層2bの成膜時(ステップF102b)よりも、O2ガスの流量が少なくし、またガス圧を下げる。
すると、図1(b)のように第2成膜条件層2bを上下に挟む各第1成膜条件層2aは、Pdの酸化が減少し、PdO2の含有比率が下がる。これにより情報記録層2の界面で耐久性を上げることができる。これによって結局、情報記録層2の全体の耐久性が向上される。
そこで、スパッタ時に、例えばO2ガスの流量やガス圧を変化させ、Pdの酸化を減らした層を形成する。これが第1成膜条件層2aである。
スパッタ時のO2ガスの流量は、Pdの酸化に影響する。O2ガスの流量が少なければ、Pdの酸化が減ることになる。そこで第1成膜条件層2aの成膜時(図3(b)のステップF102a,F102c)には、第2成膜条件層2bの成膜時(ステップF102b)よりも、O2ガスの流量が少なくし、またガス圧を下げる。
すると、図1(b)のように第2成膜条件層2bを上下に挟む各第1成膜条件層2aは、Pdの酸化が減少し、PdO2の含有比率が下がる。これにより情報記録層2の界面で耐久性を上げることができる。これによって結局、情報記録層2の全体の耐久性が向上される。
なお、図1(c)(d)のように、第1成膜条件層2aを第2成膜条件層2bの片面のみに形成する場合も、耐久性向上効果は得られた。
また、変化させる成膜条件としては、O2ガスの流量やガス圧の他に、スパッタパワーを変えることも考えられる。スパッタパワーを上げると、酸化しにくくなるため、第1成膜条件層2aの成膜時には、第2成膜条件層2bの成膜時よりスパッタパワーを上げるようにする。
また、変化させる成膜条件としては、O2ガスの流量やガス圧の他に、スパッタパワーを変えることも考えられる。スパッタパワーを上げると、酸化しにくくなるため、第1成膜条件層2aの成膜時には、第2成膜条件層2bの成膜時よりスパッタパワーを上げるようにする。
以上のように光記録媒体を製造することにより、製造効率向上やコストダウンを実現しつつ、耐久性の良好な光記録媒体を提供できる。
1つのスパッタチャンバーで作製することにはコストダウンを実現するのに大きな意味がある。
即ち情報記録層2は、材料成分的には単膜構造であり、擬似的な3層構造(又は2層構造)については、スパッタ装置において、1チャンバーで成膜条件を変えるのみで実現できるため、製造効率の向上やコストダウンを実現できる。
その上で、第1成膜条件層2aを、Pdの酸化を抑えた層とすることで、情報記録層2の耐久性を向上させることができる。
1つのスパッタチャンバーで作製することにはコストダウンを実現するのに大きな意味がある。
即ち情報記録層2は、材料成分的には単膜構造であり、擬似的な3層構造(又は2層構造)については、スパッタ装置において、1チャンバーで成膜条件を変えるのみで実現できるため、製造効率の向上やコストダウンを実現できる。
その上で、第1成膜条件層2aを、Pdの酸化を抑えた層とすることで、情報記録層2の耐久性を向上させることができる。
なお、図1(b)(c)(d)の例は、第1成膜条件層2aと第2成膜条件層2bによる擬似的な2層又は3層の例を挙げたが、さらに成膜条件の異なる第3成膜条件層を有するものとしてもよい。例えば図1(b)の3つの層を、それぞれ異なる成膜条件でスパッタするようにする場合である。
[3.実験例]
以下、実験例を述べる。
実験1は、図1(e)の比較例のように、単純な単膜構造で情報記録層2を形成し、実験2は、図1(b)のように単膜構造で有りながら擬似的な3層構造とした。
各実験例では、図1(a)のように情報記録層2が1つのシングルレイヤーディスクの構造の記録可能型ブルーレイディスクを作成し、ブルーレイディスク記録再生装置によりテストデータの記録、再生を行ったものである。
以下、実験例を述べる。
実験1は、図1(e)の比較例のように、単純な単膜構造で情報記録層2を形成し、実験2は、図1(b)のように単膜構造で有りながら擬似的な3層構造とした。
各実験例では、図1(a)のように情報記録層2が1つのシングルレイヤーディスクの構造の記録可能型ブルーレイディスクを作成し、ブルーレイディスク記録再生装置によりテストデータの記録、再生を行ったものである。
<実験1>
ディスク構成は、ポリカーボネートによる基板1、In−Sn−Pd−O膜で40nm厚の情報記録層2、100μm厚のカバー層3とした。
スパッタで作製した情報記録層2は、In−Sn−Pd−O膜の単層である。
ターゲットには、In2O3、SnO2、Pdを用いた。
各ターゲットのスパッタ電力をコントロールすることで組成を調整した。
組成は、
In2O3:SnO2=9:1、
(In2O3+SnO2):Pd=6:4
となるようにした。
スパッタ時には、ArガスとO2ガスを用いた。
ガスの流量は、Ar:70sccm、O2:30sccmとした。
ディスク構成は、ポリカーボネートによる基板1、In−Sn−Pd−O膜で40nm厚の情報記録層2、100μm厚のカバー層3とした。
スパッタで作製した情報記録層2は、In−Sn−Pd−O膜の単層である。
ターゲットには、In2O3、SnO2、Pdを用いた。
各ターゲットのスパッタ電力をコントロールすることで組成を調整した。
組成は、
In2O3:SnO2=9:1、
(In2O3+SnO2):Pd=6:4
となるようにした。
スパッタ時には、ArガスとO2ガスを用いた。
ガスの流量は、Ar:70sccm、O2:30sccmとした。
ディスク評価は、1倍速記録(4.92m/sec)にて、連続5トラックを記録し、中央のトラックのジッターを測定することで行った。
この場合、ジッターの値は5.7%と良好な結果が得られた。
この場合、ジッターの値は5.7%と良好な結果が得られた。
なお、ここでいうジッターは信号評価の指標として一般に用いられているものである。
一般に光ディスクの再生は半導体レーザ光をディスクに照射し、その戻り光を検出する方式を取っている。信号特性は記録されたデジタル信号が正確に再生することで評価される。ブルーレイディスクは再生時、線速度4.92m/secで回転し、1クロック15.15nsと規定されており、2T〜8T(30.30ns〜121.20ns)のピットとスペースで成り立っている(Tはチャネルクロック周期)。
一般に光ディスクの再生は半導体レーザ光をディスクに照射し、その戻り光を検出する方式を取っている。信号特性は記録されたデジタル信号が正確に再生することで評価される。ブルーレイディスクは再生時、線速度4.92m/secで回転し、1クロック15.15nsと規定されており、2T〜8T(30.30ns〜121.20ns)のピットとスペースで成り立っている(Tはチャネルクロック周期)。
ジッターは規定クロックからのズレを標準偏差σと1Tとを用いて、σ/Tで表される。
このジッターの値が大きいほど再生信号は劣化していると言える。
例えばブルーレイディスクでは、ジッターは7%以下であればよいとされているが、もちろん低ければ低いほど良い。
実際の製造では、マージンを考慮して6%以下などとしている。
上記のようにジッターが5.7%となる実験1の光ディスクは、この点では良好であった。
このジッターの値が大きいほど再生信号は劣化していると言える。
例えばブルーレイディスクでは、ジッターは7%以下であればよいとされているが、もちろん低ければ低いほど良い。
実際の製造では、マージンを考慮して6%以下などとしている。
上記のようにジッターが5.7%となる実験1の光ディスクは、この点では良好であった。
次にこの実験1の光ディスクの耐久性を調査するため、高温高湿環境(80℃、85%)に120時間置き、その試験後のジッターを評価した。
その結果、ジッターの値は18%と大きく悪化してしまった。これは、全く実用に適さない値である。
つまり実験1の光ディスクは、記録再生特性的には製造当初は好適であるが、耐久性の面で難があった。
その結果、ジッターの値は18%と大きく悪化してしまった。これは、全く実用に適さない値である。
つまり実験1の光ディスクは、記録再生特性的には製造当初は好適であるが、耐久性の面で難があった。
<実験2>
次に、同様に、ディスク構成を、ポリカーボネートによる基板1、In−Sn−Pd−O膜で40nm厚の情報記録層2、100μm厚のカバー層3とした光ディスクを作製した。
ただし、情報記録層2である「In−Sn−Pd−O膜(40nm)」は、成膜中にガス流量を変化させることで、成膜条件的には3層となるようにした。
最初の5nmの成膜時は、Ar:30sccm、O2:2sccmとした。
次の30nmの成膜時は、Ar:70sccm、O2:30sccmとした。
最後の5nmの成膜時はまたAr:30sccm、O2:2sccmとした。
各ターゲットのスパッタパワーはどれも同じである。
次に、同様に、ディスク構成を、ポリカーボネートによる基板1、In−Sn−Pd−O膜で40nm厚の情報記録層2、100μm厚のカバー層3とした光ディスクを作製した。
ただし、情報記録層2である「In−Sn−Pd−O膜(40nm)」は、成膜中にガス流量を変化させることで、成膜条件的には3層となるようにした。
最初の5nmの成膜時は、Ar:30sccm、O2:2sccmとした。
次の30nmの成膜時は、Ar:70sccm、O2:30sccmとした。
最後の5nmの成膜時はまたAr:30sccm、O2:2sccmとした。
各ターゲットのスパッタパワーはどれも同じである。
ここで、最初と最後の各5nmの層は、上述した第1成膜条件層2aであり、30nmの層が第2成膜条件層2bである。
成膜条件は、O2 ガスの流量でみると、第2成膜条件層2bでは30sccmとしているのに対し、第1成膜条件層2aでは2sccmとしている。つまり第1成膜条件層2aの成膜時に酸素量を減らしている。
またガス圧は、第2成膜条件層2bのAr:70sccm、O2:30sccmに対し、第1成膜条件層2aはAr:30sccm、O2:2sccmとして全体のガス圧を下げている。これは第1成膜条件層2aにおいて膜中に入るO2量を減らすものである。
O2 ガスの流量とガス圧のいずれも、第1成膜条件層2aでは、第2成膜条件層2bよりもPdの酸化を抑えるようにした条件設定である。
成膜条件は、O2 ガスの流量でみると、第2成膜条件層2bでは30sccmとしているのに対し、第1成膜条件層2aでは2sccmとしている。つまり第1成膜条件層2aの成膜時に酸素量を減らしている。
またガス圧は、第2成膜条件層2bのAr:70sccm、O2:30sccmに対し、第1成膜条件層2aはAr:30sccm、O2:2sccmとして全体のガス圧を下げている。これは第1成膜条件層2aにおいて膜中に入るO2量を減らすものである。
O2 ガスの流量とガス圧のいずれも、第1成膜条件層2aでは、第2成膜条件層2bよりもPdの酸化を抑えるようにした条件設定である。
ディスク評価は、実験1と同様に1倍速記録(4.92m/sec)にて、連続5トラックを記録し、中央のトラックのジッターを測定することで行った。
ジッターの値は5.2%と良好な結果が得られた。
さらにこの実験2の光ディスクの耐久性を調査するため、高温高湿環境(80℃、85%)に120時間置き、その試験後のジッターを評価した。
その結果、ジッターの値は5.4%が得られ、この構成のディスクは非常に強い耐久性を持っていることが確認された。
ジッターの値は5.2%と良好な結果が得られた。
さらにこの実験2の光ディスクの耐久性を調査するため、高温高湿環境(80℃、85%)に120時間置き、その試験後のジッターを評価した。
その結果、ジッターの値は5.4%が得られ、この構成のディスクは非常に強い耐久性を持っていることが確認された。
このような実験から、今回の1チャンバーでの成膜時に成膜条件を変えることで作製した情報記録層2は、非常に良好な記録特性を示すとともに、非常に良好な耐久性を持っていることが分かった。
1チャンバーで作製できるため、例えばBD−Rディスク等の製造を大幅に簡易化することができる。
1チャンバーで作製できるため、例えばBD−Rディスク等の製造を大幅に簡易化することができる。
なお、実験2で用いたO2流量やガス圧の値は一例である。必ずしも上記の条件で行わなければならないものではない。
また第1成膜条件層2aにおいてPdの酸化を抑えるという点では、O2流量と全体のガス圧のうちの一方を変化させると言うことも考えられる。
さらに上述のようにスパッタパワーを変えるようにしても良い。
また第1成膜条件層2aにおいてPdの酸化を抑えるという点では、O2流量と全体のガス圧のうちの一方を変化させると言うことも考えられる。
さらに上述のようにスパッタパワーを変えるようにしても良い。
[4.多層ディスクへの適用]
以上はシングルレイヤーディスクの例で述べてきたが、本発明の実施の形態としては、2以上の情報記録層2を備えた多層ディスクも考えられる。
特に情報記録層2は、In、Sn、又はZnの酸化物のうちのいずれかを主成分とし、さらにPdと酸素とを含み、酸素の量が、In、Sn、又はZnが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多く含有されている。この場合、上述のように反射率、透過率を酸素量で制御し易い。反射率、透過率を酸素量で制御できることは、多層ディスクの場合に非常に好適である。
以上はシングルレイヤーディスクの例で述べてきたが、本発明の実施の形態としては、2以上の情報記録層2を備えた多層ディスクも考えられる。
特に情報記録層2は、In、Sn、又はZnの酸化物のうちのいずれかを主成分とし、さらにPdと酸素とを含み、酸素の量が、In、Sn、又はZnが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多く含有されている。この場合、上述のように反射率、透過率を酸素量で制御し易い。反射率、透過率を酸素量で制御できることは、多層ディスクの場合に非常に好適である。
図4(a)(b)(c)に多層ディスクの場合の構造を模式的に示している。
図4(a)は情報記録層2としてL0層、L1層の2つを備えたいわゆるデュアルレイヤーディスクの場合である。
基板1上に第1の情報記録層2(L0)が形成され、さらに中間層4を介して第2の情報記録層2(L1)が形成される。そして第2の情報記録層2(L1)上に光透過層3が形成される。
図4(a)は情報記録層2としてL0層、L1層の2つを備えたいわゆるデュアルレイヤーディスクの場合である。
基板1上に第1の情報記録層2(L0)が形成され、さらに中間層4を介して第2の情報記録層2(L1)が形成される。そして第2の情報記録層2(L1)上に光透過層3が形成される。
図4(b)は情報記録層2としてL0層、L1層、L2層の3つを備える3層ディスクの場合である。この場合も、基板1上に、情報記録層2(L0)、2(L1)、2(L2)がそれぞれ中間層4を介して形成される。
図4(c)は情報記録層2としてL0層、L1層、L2層、L3層の4つを備える4層ディスクの場合である。この場合も、基板1上に、情報記録層2(L0)、2(L1)、2(L2)、2(L3)がそれぞれ中間層4を介して形成される。
図4(c)は情報記録層2としてL0層、L1層、L2層、L3層の4つを備える4層ディスクの場合である。この場合も、基板1上に、情報記録層2(L0)、2(L1)、2(L2)、2(L3)がそれぞれ中間層4を介して形成される。
図4(a)(b)(c)において各中間層4は、例えば紫外線感光性を有する光透過性の材料をスピンコート法で回転塗布され紫外線の照射で硬化して形成される。多層の光ディスク記録媒体から情報信号の記録再生をする場合、この中間層4の配置と膜厚は、層間クロストークを抑制する目的で設定される。
これらの多層ディスクの場合、L0層よりレーザ照射面側の層(L1層〜L3層)は、それぞれ反射率、透過率が適度に設定されていなければならない。
即ち、L0層,L1層,L2層,L3層のそれぞれにおける記録膜12は、情報読み取り時の各層からの信号量が同等となるようにされる必要がある。
ここでL0層〜L3層の各情報記録層2についても、例えばIn−Sn−Pd−O膜として成膜する。その際、図1(b)(c)(d)で説明したような、スパッタ時の成膜条件を変化させた擬似的な3層構造とする。
記録マーク形成のための主たる層である第2成膜条件層2bについては、スパッタリングの際に酸素の量をコントロールすることで、L0層,L1層,L2層,L3層のそれぞれに応じた所望の反射率/透過率を得ることができる。
また各情報記録層2の第1成膜条件層2aについては、第2成膜条件層2bの成膜時よりO2流量やガス圧の値を変化させて、Pdの酸化を抑えるようにする。これによって耐久性のよい情報記録層2(L0層,L1層,L2層,L3層)を形成することができる。
即ち、L0層,L1層,L2層,L3層のそれぞれにおける記録膜12は、情報読み取り時の各層からの信号量が同等となるようにされる必要がある。
ここでL0層〜L3層の各情報記録層2についても、例えばIn−Sn−Pd−O膜として成膜する。その際、図1(b)(c)(d)で説明したような、スパッタ時の成膜条件を変化させた擬似的な3層構造とする。
記録マーク形成のための主たる層である第2成膜条件層2bについては、スパッタリングの際に酸素の量をコントロールすることで、L0層,L1層,L2層,L3層のそれぞれに応じた所望の反射率/透過率を得ることができる。
また各情報記録層2の第1成膜条件層2aについては、第2成膜条件層2bの成膜時よりO2流量やガス圧の値を変化させて、Pdの酸化を抑えるようにする。これによって耐久性のよい情報記録層2(L0層,L1層,L2層,L3層)を形成することができる。
なお、以上の説明は、光ディスクの例で述べてきたが、本発明はディスク形状の光記録媒体に限らず適用できる。例えばカード状の光記録媒体などにも適用できる。
1 基板、2 情報記録層、2a 第1成膜条件層、2b 第2成膜条件層、3 光透過層、4 中間層
Claims (6)
- 基板と、情報記録層と、光透過層とを有する光記録媒体の製造方法として、
上記基板を成形する工程と、
上記基板上に、同一組成のターゲットを用いて、第1の成膜条件でスパッタリングを行った層と、第2の成膜条件でスパッタリングを行った層を有する積層構造により上記情報記録層を形成する工程と、
上記光透過層を形成する工程と、
を有する光記録媒体の製造方法。 - 上記情報記録層が、少なくともPdO及びPdO2を含有する請求項1に記載の光記録媒体の製造方法。
- 上記第1の成膜条件と上記第2の成膜条件は、少なくとも、スパッタ時に用いるO2ガスの流量が異なる請求項2に記載の光記録媒体の製造方法。
- 上記第1の成膜条件と上記第2の成膜条件は、さらに、スパッタ時に用いるガス圧が異なる請求項3に記載の光記録媒体の製造方法。
- 基板と、
上記基板上に、同一組成のターゲットを用いて、第1の成膜条件でスパッタリングを行った層と、第2の成膜条件でスパッタリングを行った層を有する積層構造により形成された情報記録層と、
光透過層と、
を有する光記録媒体。 - 上記情報記録層が、少なくともPdO及びPdO2を含有する請求項5に記載の光記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009216325A JP2011065722A (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 光記録媒体の製造方法、光記録媒体 |
CN2010102817540A CN102024477A (zh) | 2009-09-18 | 2010-09-13 | 用于光学记录介质的制造方法和光学记录介质 |
US12/880,575 US20110069602A1 (en) | 2009-09-18 | 2010-09-13 | Production method for an optical recording medium, and optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009216325A JP2011065722A (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 光記録媒体の製造方法、光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011065722A true JP2011065722A (ja) | 2011-03-31 |
Family
ID=43756527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009216325A Pending JP2011065722A (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 光記録媒体の製造方法、光記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110069602A1 (ja) |
JP (1) | JP2011065722A (ja) |
CN (1) | CN102024477A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8846173B2 (en) | 2012-07-09 | 2014-09-30 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method of optical recording medium |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5726557B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2015-06-03 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
JP5485091B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-05-07 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5770293A (en) * | 1996-04-12 | 1998-06-23 | Eastman Kodak Company | Method of forming recordable optical element using low absorption materials |
JP2002133719A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Pioneer Electronic Corp | 光学式記録媒体 |
JP2006313584A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP4836910B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2011-12-14 | パナソニック株式会社 | 光学的情報記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置 |
-
2009
- 2009-09-18 JP JP2009216325A patent/JP2011065722A/ja active Pending
-
2010
- 2010-09-13 US US12/880,575 patent/US20110069602A1/en not_active Abandoned
- 2010-09-13 CN CN2010102817540A patent/CN102024477A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8846173B2 (en) | 2012-07-09 | 2014-09-30 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method of optical recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110069602A1 (en) | 2011-03-24 |
CN102024477A (zh) | 2011-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI722142B (zh) | 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層 | |
JP5592621B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP5799742B2 (ja) | 光情報記録媒体用記録層、および光情報記録媒体 | |
WO2016129237A1 (ja) | 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法 | |
JP5726557B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP5935234B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2011065722A (ja) | 光記録媒体の製造方法、光記録媒体 | |
TW201405554A (zh) | 光學記錄媒體,及製造光學記錄媒體之方法 | |
JP7180668B2 (ja) | 光記録媒体用記録層、および光記録媒体 | |
JP5793881B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
TWI725285B (zh) | 電介質層、光記錄媒體、濺鍍靶材及氧化物 | |
WO2021132299A1 (ja) | 光記録媒体 | |
US10373641B2 (en) | Optical recording medium | |
JP5485091B2 (ja) | 光記録媒体 | |
CN110603590B (zh) | 只读的光信息记录介质和该光信息记录介质的反射膜形成用溅射靶 | |
JP2011194617A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2007196523A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
JP2006172626A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2014031000A (ja) | 記録媒体、記録媒体の製造方法 |