TWI725285B

TWI725285B - 電介質層、光記錄媒體、濺鍍靶材及氧化物

Info

Publication number: TWI725285B
Application number: TW107102601A
Authority: TW
Inventors: 田内裕基
Original assignee: 日商神戶製鋼所股份有限公司
Priority date: 2017-02-22
Filing date: 2018-01-25
Publication date: 2021-04-21
Also published as: JP2018137025A; WO2018154997A1; TW201831710A; CN110337693B; CN110337693A; JP6431940B2; US10971183B2; US20190355389A1

Abstract

本發明的電介質層由含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一種元素的氧化物形成，於相對於氧化物的氧以外的所有元素而將Sn元素的含有率設為a莫耳%、Zn元素的含有率設為b莫耳%、Zr元素的含有率設為c莫耳%、Si元素的含有率設為d莫耳%、及Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，滿足下述式(1)~式(7)。

0≦b/(a+b)≦0.6．．．(1)

0≦(c+d)/(a+b+c+d+e)≦0.5．．．(2)

0≦b≦50．．．(3)

0≦c≦40．．．(4)

0≦d≦45．．．(5)

0≦e≦40．．．(6)

20≦b+c+d+e≦80．．．(7)

Description

電介質層、光記錄媒體、濺鍍靶材及氧化物

本發明是有關於一種電介質層、光記錄媒體、濺鍍靶材及氧化物。

光記錄媒體以光碟（Compact Disc，CD）、數位視訊光碟（Digital Video Disc，DVD）等光碟為代表，可分為撥放專用、一次寫入型及可重寫型三種。另外，作為光記錄媒體的記錄方式，已知有記錄層的構成材料發生相位轉化的方式、進行了多層化的記錄層發生層間反應的方式、以及記錄層的構成材料發生分解的方式等。作為一次寫入型的光碟的記錄層材料，至今為止廣泛使用有機色素材料，但近年來記錄的高密度化得到推進，亦開始使用無機材料。

提出了採用金屬氧化物來作為記錄層的無機材料的一次寫入型的光記錄媒體（專利文獻1）。專利文獻1的光記錄媒體是在記錄層中包含氧化In與氧化Pd，從而在雷射照射時記錄層放出氧的分解方式。於在記錄層中使用氧化物的情況下，藉由氧化物的分解進行資訊的記錄，但為了抑制記錄層的經時變化所帶來的劣化或者使記錄層的信號特性良好，提出了在記錄層的正反面直接積層電介質層。

專利文獻1提出了使用In氧化物或硫化物等作為光記錄媒體的電介質層的材料。然而，包含In的氧化物可確保濺鍍靶材的導電性，因此可提高成膜速度並縮短步驟作業時間，另一方面，In被指定為特定化學物質，因此需要採取預防健康問題的措施。另外，硫化物藉由經時變化而使鄰接的層硫化，因此有光記錄媒體的可靠性下降之虞。

另外，對於光記錄媒體具有如下要求：欲提高記錄層的記錄特性（功率裕度（Power Margin））以可廣泛地應對記錄用雷射的強度的不同。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-137545號公報

[發明所欲解決之課題] 本發明是基於所述情況而成者，目的在於提供在直接積層的氧化物系記錄層中可進行良好的資訊記錄且無需預防健康問題的措施、耐久性高的電介質層，具備所述電介質層的光記錄媒體，用以形成所述電介質層的濺鍍靶材，以及可製造所述電介質層的氧化物。

[解決課題之手段] 用以解決所述課題而成的第一發明是一種電介質層，其直接積層於藉由光的照射而進行記錄的記錄層，且所述電介質層由含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一種元素的氧化物形成，於相對於所述氧化物的氧以外的所有元素而將所述Sn元素的含有率設為a莫耳%、所述Zn元素的含有率設為b莫耳%、所述Zr元素的含有率設為c莫耳%、所述Si元素的含有率設為d莫耳%、及所述Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，滿足下述式（1）～式（7）。 0≦b/（a+b）≦0.6 ···（1） 0≦（c+d）/（a+b+c+d+e）≦0.5 ···（2） 0≦b≦50 ···（3） 0≦c≦40 ···（4） 0≦d≦45 ···（5） 0≦e≦40 ···（6） 20≦b+c+d+e≦80 ···（7）

所述電介質層是由含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一種元素的氧化物形成，且為滿足式（1）～式（7）的組成，因此在直接積層的氧化物系記錄層中可進行良好的資訊記錄。另外，所述電介質層不含In元素，因此無需預防健康問題的措施。另外，所述電介質層由於為所述組成，因此對於劣化的耐久性高。

所述電介質層的體積電阻率可為10 MΩ·cm以下。藉此，所述電介質層可防止光記錄媒體帶電，且抑制空氣中的粒子附著所引起的缺陷的產生。再者，所謂體積電阻率是依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）-C2139（2008）測定而得的值。

用以解決所述課題而成的第二發明是一種光記錄媒體，其包括：藉由光的照射而進行記錄的記錄層、以及直接積層於所述記錄層的所述電介質層。

所述光記錄媒體如上所述在氧化物系記錄層中可進行良好的資訊記錄，在電介質層中不含In元素，因此無需預防健康問題的措施。另外，所述光記錄媒體即便經時劣化，耐久性亦高。

用以解決所述課題而成的第三發明是一種濺鍍靶材，其用於形成直接積層於藉由光的照射而進行記錄的記錄層的電介質層，且所述濺鍍靶材具有含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一種元素的組成，於相對於所述組成的所有元素而將所述Sn元素的含有率設為a莫耳%、所述Zn元素的含有率設為b莫耳%、所述Zr元素的含有率設為c莫耳%、所述Si元素的含有率設為d莫耳%、及所述Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，滿足下述式（1）～式（7）。 0≦b/（a+b）≦0.6 ···（1） 0≦（c+d）/（a+b+c+d+e）≦0.5 ···（2） 0≦b≦50 ···（3） 0≦c≦40 ···（4） 0≦d≦45 ···（5） 0≦e≦40 ···（6） 20≦b+c+d+e≦80 ···（7）

所述濺鍍靶材可用於藉由濺鍍法來形成所述電介質層。

用以解決所述課題而成的第四發明是一種氧化物，其含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一種元素，且於相對於氧以外的所有元素而將所述Sn元素的含有率設為a莫耳%、所述Zn元素的含有率設為b莫耳%、所述Zr元素的含有率設為c莫耳%、所述Si元素的含有率設為d莫耳%、及所述Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，滿足下述式（1）～式（7）。 0≦b/（a+b）≦0.6 ···（1） 0≦（c+d）/（a+b+c+d+e）≦0.5 ···（2） 0≦b≦50 ···（3） 0≦c≦40 ···（4） 0≦d≦45 ···（5） 0≦e≦40 ···（6） 20≦b+c+d+e≦80 ···（7）

所述氧化物可在製造所述電介質層時利用。

[發明的效果] 本發明可提供在直接積層的氧化物系記錄層中可進行良好的資訊記錄且無需預防健康問題的措施、耐久性高的電介質層，具備所述電介質層的光記錄媒體，用以形成所述電介質層的濺鍍靶材，以及可製造所述電介質層的氧化物。

以下，參照圖式對本發明的電介質層、光記錄媒體、濺鍍靶材及氧化物的實施形態進行詳細說明。

[光記錄媒體] 圖1的光記錄媒體1是基板2、電介質層3、記錄層4、電介質層5及透光保護層6依次積層而得的結構的光碟。光記錄媒體1包括：藉由光的照射而進行記錄的記錄層4、以及直接積層於所述記錄層4的兩面的電介質層3及電介質層5。再者，所述光記錄媒體1例如可以適合於作為公知的大容量光碟的藍光光碟（藍光（Blu-ray）（註冊商標）光碟（Disc））的規格的方式構成，但並無特別限定。另外，光記錄媒體1並不限定於僅具備一個記錄層4的光記錄媒體，亦可為具備兩個以上記錄層，且在基板及記錄層間、兩個以上的記錄層間、以及記錄層及透光保護層間分別具備電介質層者。

＜基板＞基板2是形成光記錄媒體1的其中一面的基材，且防止自基板2側朝記錄層4的損傷。作為基板2的材料，例如可使用聚碳酸酯或丙烯酸系樹脂等。基板2並無特別限定，例如可藉由射出成形而形成。

＜電介質層＞電介質層3具有：防止記錄層4的氧化物分解時所放出的氧自記錄層4中脫離的功能、保持記錄層4的耐久性的功能、以及調整透過光的量的功能。

電介質層3是直接積層於藉由光的照射而進行記錄的記錄層4的層，且是由含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一種元素的氧化物形成。電介質層3並無特別限定，可使用濺鍍法形成。

電介質層3的體積電阻率的下限越低越佳，例如為0.01 MΩ·cm，更佳為0.05 MΩ·cm，進而佳為0.1 MΩ·cm。另一方面，電介質層3的體積電阻率的上限為10 MΩ·cm，更佳為7 MΩ·cm，進而佳為5 MΩ·cm。若電介質層3的體積電阻率為所述範圍內，可使電介質層3具有充分的抗靜電功能，因此電介質層3可防止光記錄媒體1帶電，且抑制空氣中的粒子附著所引起的缺陷的產生。

（氧化物）關於形成電介質層3的氧化物，於相對於氧以外的所有元素而將Sn元素的含有率設為a莫耳%、Zn元素的含有率設為b莫耳%、Zr元素的含有率設為c莫耳%、Si元素的含有率設為d莫耳%、及Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，成為滿足下述式（1）～式（7）的組成。 0≦b/（a+b）≦0.6 ···（1） 0≦（c+d）/（a+b+c+d+e）≦0.5 ···（2） 0≦b≦50 ···（3） 0≦c≦40 ···（4） 0≦d≦45 ···（5） 0≦e≦40 ···（6） 20≦b+c+d+e≦80 ···（7）

Sn（錫）元素是用以使電介質層具有防止記錄層的分解的阻氧功能的元素。相對於氧化物中的氧以外的所有元素而言的、Sn元素的含有率的下限為20莫耳%，更佳為30莫耳%，進而佳為40莫耳%。另一方面，Sn元素的含有率的上限為80莫耳%，更佳為75莫耳%，進而佳為70莫耳%。

Zn（鋅）元素是藉由與Sn同時添加於電介質層中而用於抑制記錄層中所形成的記錄標記的形狀或尺寸的不均且使抖動（jitter）下降的元素。相對於氧化物中的氧以外的所有元素而言的、Zn元素的含有率的下限為0莫耳%，更佳為20莫耳%，進而佳為30莫耳%。另一方面，Zn元素的含有率的上限為55莫耳%，更佳為50莫耳%，進而佳為45莫耳%。

Zr（鋯）元素是用以提高電介質層的阻氧功能且抑制記錄層的記錄信號的劣化的元素。相對於氧化物中的氧以外的所有元素而言的、Zr元素的含有率的下限為0莫耳%，更佳為5莫耳%，進而佳為10莫耳%。另一方面，Zr元素的含有率的上限為40莫耳%，更佳為35莫耳%，進而佳為30莫耳%。

Si（矽）元素是用以提高電介質層的阻氧功能且抑制記錄層的記錄信號的劣化的元素。相對於氧化物中的氧以外的所有元素而言的、Si元素的含有率的下限為0莫耳%，更佳為10莫耳%，進而佳為20莫耳%。另一方面，Si元素的含有率的上限為45莫耳%，更佳為40莫耳%，進而佳為35莫耳%。

Ga（鎵）元素是用以提高電介質層的阻氧功能且抑制記錄層的記錄信號的劣化的元素。相對於氧化物中的氧以外的所有元素而言的、Ga元素的含有率的下限為0莫耳%，更佳為5莫耳%，進而佳為10莫耳%。另一方面，Ga元素的含有率的上限為40莫耳%，更佳為35莫耳%，進而佳為30莫耳%。

相對於氧化物中的氧以外的所有元素而言的、Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素的合計含有率的下限為20莫耳%，更佳為25莫耳%，進而佳為30莫耳%。另一方面，Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素的合計含有率的上限為80莫耳%，更佳為75莫耳%，進而佳為70莫耳%。

b/（a+b）的值的下限為0，更佳為0.1，進而佳為0.2。另一方面，b/（a+b）的值的上限為0.6，更佳為0.5，進而佳為0.4。

（c+d）/（a+b+c+d+e）的值的下限為0，更佳為0.05，進而佳為0.1。另一方面，（c+d）/（a+b+c+d+e）的值的上限為0.5，更佳為0.45，進而佳為0.4。

相對於氧化物中的氧以外的所有元素而言的、Sn元素、Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素的含有率的合計為95莫耳%以上，更佳為98莫耳%，進而佳為100莫耳%。作為剩餘部分，容許In（銦）元素等不可避免的雜質的混入。其中，如上所述，由於In元素被指定為特定化學物質，因此較佳為氧化物不含In元素。

若Sn元素、Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素的含有率為所述範圍內，則可形成在記錄層4中可進行良好的資訊記錄且無需預防健康問題的措施的電介質層3。另外，可使電介質層具有阻氧功能，且可適當地調整電介質層的透光率及耐久性。

再者，電介質層5與電介質層3同樣地構成，但形成電介質層5的氧化物的組成可與形成電介質層3的氧化物的組成相同，亦可與形成電介質層3的氧化物的組成不同。

＜記錄層＞記錄層4由氧化物形成，藉由在照射記錄用雷射時氧化物被分解而記錄資訊。作為形成記錄層4的氧化物，可使用Mn、Zn、Sn、Cu、Pd、Ag或Bi等的氧化物。記錄層4並無特別限定，可使用濺鍍法而形成。

＜透光保護層＞透光保護層6是形成光記錄媒體1的另一面的保護材，防止自透光保護層6側朝記錄層4的損傷。透光保護層6使用透光性高且硬質的材料。作為所述材料，可使用聚碳酸酯或丙烯酸系樹脂等。透光保護層6並無特別限定，可使用旋塗法形成。於使用旋塗法形成透光保護層6的情況下，透光保護層6的材料較佳為紫外線硬化樹脂。

[光記錄媒體的製造方法] 所述光記錄媒體1例如可藉由如下製造方法而獲得，所述製造方法包括：準備基板2的步驟；於基板2的單面積層電介質層3的步驟；於電介質層3的露出面積層記錄層4的步驟；於記錄層4的露出面積層電介質層5的步驟；以及於電介質層5的露出面積層透光保護層6的步驟。

＜基板準備步驟＞於基板準備步驟中，使用聚碳酸酯或丙烯酸系樹脂等材料，例如藉由射出成形而形成基板2。基板2只要為可於單面形成電介質層3的形狀即可，例如形成為圓盤狀。

＜第1電介質層積層步驟＞於第1電介質層積層步驟中，使用公知的濺鍍法而於基板2的單面形成電介質層3。濺鍍使用以下的濺鍍靶材與含氧氣體。

（濺鍍靶材）濺鍍靶材是用以形成直接積層於藉由光的照射而進行記錄的記錄層中的電介質層者，且具有含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一種元素的組成，於相對於組成的所有元素而將Sn元素的含有率設為a莫耳%、Zn元素的含有率設為b莫耳%、Zr元素的含有率設為c莫耳%、Si元素的含有率設為d莫耳%、及Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，滿足下述式（1）～式（7）。 0≦b/（a+b）≦0.6 ···（1） 0≦（c+d）/（a+b+c+d+e）≦0.5 ···（2） 0≦b≦50 ···（3） 0≦c≦40 ···（4） 0≦d≦45 ···（5） 0≦e≦40 ···（6） 20≦b+c+d+e≦80 ···（7）

關於式（1）～式（7）的說明，除了濺鍍靶材並非氧化物以外，與所述電介質層3的氧化物的式（1）～式（7）的說明相同，因此省略重覆的說明。再者，作為濺鍍靶材，亦可使用含有所述元素的氧化物。

＜記錄層積層步驟＞於記錄層積層步驟中，使用公知的濺鍍法而於電介質層3的露出面形成記錄層4。濺鍍使用含有Mn、Zn、Sn、Cu、Pd、Ag或Bi等的濺鍍靶材與含氧氣體。

＜第2電介質層積層步驟＞於第2電介質層積層步驟中，使用公知的濺鍍法而於記錄層4的露出面形成電介質層5。第2電介質層積層步驟與第1電介質層積層步驟相同，濺鍍使用所述濺鍍靶材與含氧氣體。再者，第1電介質層積層步驟中使用的濺鍍靶材的組成與第2電介質層積層步驟中使用的濺鍍靶材的組成不同。

＜透光保護層積層步驟＞於透光保護層積層步驟中，使用公知的旋塗法而於電介質層5的露出面形成透光保護層6。透光保護層6的形成可使用丙烯酸系的紫外線硬化樹脂等。 [實施例]

以下，藉由實施例來對本發明進行更詳細的說明，但本發明並不限定於該些實施例。

準備於表面刻有磁軌間距約0.32 μm的導槽的直徑約120 mm、厚度約1.1 mm的聚碳酸酯製的圓盤狀的基板。

其次，使用濺鍍法，於所述基板的表面上形成厚度為10 nm的電介質層。濺鍍使用由複合氧化物形成的濺鍍靶材、以及以10：1混合氬及氧而成的約0.3 Pa的氣體。於表1中示出各元素相對於所形成的電介質層的氧以外的所有元素的元素比率。

繼而，使用濺鍍法，於電介質層上形成厚度40 nm的記錄層。濺鍍使用含有Zn元素、Cu元素及Mn元素的濺鍍靶材、以及以1：1混合氬及氧而成的約0.3 Pa的氣體。另外，各元素相對於所形成的記錄層的所有元素的元素比率是Zn元素的含有率為20莫耳%，Cu元素的含有率為20莫耳%，Mn元素的含有率為30莫耳%。

進而，使用濺鍍法，於記錄層上形成厚度10 nm的電介質層。關於濺鍍的條件，設為與所述電介質層的形成條件相同。

最後，藉由旋塗法將丙烯酸系的紫外線硬化樹脂塗佈於電介質層上，藉由紫外線照射而使紫外線硬化樹脂硬化，從而形成厚度約0.1 mm的透光保護層。

對所得的光碟（光記錄媒體）測定光碟的抖動值。抖動值的測定使用光碟評價裝置ODU-1000（帕魯斯泰科（pulstec）工業公司製造）。將測定中的記錄雷射的中心波長設為405 nm，使用數值孔徑（numerical aperture，NA）（開口數）為0.85的棱鏡。在線速為4.92 m/s、基準時鐘為66 MHz的條件下將藍光（Blu-ray）（註冊商標）規格的無規信號記錄於光碟中，根據與所記錄的信號的基準時鐘的誤差值的標准偏差而求出光碟的抖動值。

其次，變更雷射的強度而測定抖動值，測定抖動值成為最小的雷射強度、以及抖動值成為8.5%以下的雷射強度的寬度。而且，獲取將抖動值成為8.5%以下的雷射強度的寬度除以抖動值成為最小的雷射強度而得的值來作為相對於可獲得底部抖動的雷射強度的功率裕度。將測定中所得的功率裕度及最小的抖動值（加速劣化試驗前的抖動值）示於表1中。再者，No.18是不設置電介質層的例子。

進而，關於光碟，在溫度為80℃、相對濕度為85%、保持時間為96小時的條件下進行加速劣化試驗。所述加速劣化試驗後，再次變更雷射的強度而測定抖動值，獲取最小的抖動值。將所獲取的抖動值（加速劣化試驗後的抖動值）示於表1中。再者，關於No.18，未進行測定。

另外，對與光碟的電介質層為相同組成的電介質膜進行體積電阻率的測定。體積電阻率的測定中使用的電介質膜使用濺鍍法，以厚度成為50 nm～100 nm的方式形成於玻璃基板上。體積電阻率的測定是使用高電阻電阻率計海斯特（Hiresta）-UX MCP-HT450（三菱化學分析技術（Mitsubishi Chemical Analytech）公司製造），基於JIS-K6911（2006）的試驗方法進行。將測定的體積電阻率示於表1中。再者，關於No.17及No.18，未進行測定。

關於功率裕度為40%以上、加速劣化試驗前的抖動值為6.5%以下且加速劣化試驗後的抖動值為7%以下者，將體積電阻率為10 MΩ·cm以下者設為評價A，將體積電阻率超過10 MΩ·cm者設為評價B。另外，將功率裕度、加速劣化試驗前的抖動值或加速劣化試驗後的抖動值為所述範圍外者設為評價C。

[表1]

如表1所示，關於No.1～No.12，確認了功率裕度、加速劣化試驗前的抖動值及加速劣化試驗後的抖動值優異。尤其，關於No.1～No.3，確認了體積電阻率為10 MΩ·cm以下。

No.13是Zn元素的含有率為80莫耳%的例子。No.14是Zn元素的含有率為60莫耳%的例子。No.15是Si元素的含有率為50莫耳%的例子。No.16是Zn元素的含有率為100莫耳%且不含Sn元素的例子。No.17是In元素的含有率為91莫耳%且Sn元素的含有率為9莫耳%的例子。No.18是不設置電介質層的例子。

關於No.16～No.18，確認了功率裕度未滿40%，記錄層的記錄特性並不充分。關於No.15、No.16及No.18，確認了加速劣化試驗前的抖動值超過6.5%，對於記錄層的資訊記錄並非良好。關於No.13～No.17，確認了加速劣化試驗後的抖動值超過7%，耐久性並不充分。 [產業上之可利用性]

本發明的電介質層及具備所述電介質層的光記錄媒體在直接積層的氧化物系記錄層中可進行良好的資訊記錄，無須預防健康問題的措施且耐久性高。另外，本發明的濺鍍靶材及氧化物可形成所述電介質層。

1‧‧‧光記錄媒體2‧‧‧基板3、5‧‧‧電介質層4‧‧‧記錄層6‧‧‧透光保護層

圖1為表示本發明的一實施形態的光記錄媒體的示意性部分擴大剖面圖。

1:光記錄媒體

2:基板

3、5:電介質層

4:記錄層

6:透光保護層

Claims

一種電介質層，其直接積層於藉由光的照射而進行記錄的記錄層，且所述電介質層由含有Sn元素、Zn元素與Zr元素、以及Si元素及Ga元素中的至少一種元素的氧化物形成，於相對於所述氧化物的氧以外的所有元素，所述Sn元素、所述Zn元素、所述Zr元素、所述Si元素及所述Ga元素的含有率的合計為95莫耳%以上，而將所述Sn元素的含有率設為a莫耳%、所述Zn元素的含有率設為b莫耳%、所述Zr元素的含有率設為c莫耳%、所述Si元素的含有率設為d莫耳%、及所述Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，滿足下述式(1)~式(7)，0.1≦b/(a+b)≦0.6．．．(1) 0≦(c+d)/(a+b+c+d+e)≦0.5．．．(2) 20≦b≦50．．．(3) 5≦c≦40．．．(4) 0≦d≦45．．．(5) 0≦e≦40．．．(6) 20≦b+c+d+e≦80．．．(7)。
如申請專利範圍第1項所述的電介質層，其中體積電阻率為10MΩ．cm以下。
一種光記錄媒體，其包括：藉由光的照射而進行記錄的記錄層、以及直接積層於所述記錄層的如申請專利範圍第1項或第2項所述的電介質層。
一種濺鍍靶材，其用於形成直接積層於藉由光的照射而進行記錄的記錄層的電介質層，且所述濺鍍靶材具有含有Sn元素、Zn元素與Zr元素、以及Si元素及Ga元素中的至少一種元素的組成，於相對於所述組成的所有元素，所述Sn元素、所述Zn元素、所述Zr元素、所述Si元素及所述Ga元素的含有率的合計為95莫耳%以上，而將所述Sn元素的含有率設為a莫耳%、所述Zn元素的含有率設為b莫耳%、所述Zr元素的含有率設為c莫耳%、所述Si元素的含有率設為d莫耳%、及所述Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，滿足下述式(1)~式(7)，0.1≦b/(a+b)≦0.6．．．(1) 0≦(c+d)/(a+b+c+d+e)≦0.5．．．(2) 20≦b≦50．．．(3) 5≦c≦40．．．(4) 0≦d≦45．．．(5) 0≦e≦40．．．(6) 20≦b+c+d+e≦80．．．(7)。
一種氧化物，其含有Sn元素、Zn元素與Zr元素、以及Si元素及Ga元素中的至少一種元素，且於相對於氧以外的所有元素，所述Sn元素、所述Zn元素、所述Zr元素、所述Si元素及所述Ga元素的含有率的合計為95莫耳%以上，而將所述Sn元素的含有率設為a莫耳%、所述Zn元素的含有率設為b莫耳%、所述Zr元素的含有率設為c莫耳%、所述Si元素的含有率設為d莫耳%、及所述Ga元素的含有率設為e莫耳%的情況下，滿足下述式(1)~式(7)，0.1≦b/(a+b)≦0.6．．．(1) 0≦(c+d)/(a+b+c+d+e)≦0.5．．．(2) 20≦b≦50．．．(3) 5≦c≦40．．．(4) 0≦d≦45．．．(5) 0≦e≦40．．．(6) 20≦b+c+d+e≦80．．．(7)。