CN111788630A - 用于光记录介质的记录层和光记录介质 - Google Patents

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Abstract

一种光记录介质，包括：记录层，所述记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物。金属MA是Mn和Ni中的至少一种，金属MB是W、Mo、Zr和Ta中的至少一种，金属MC是Zn，金属MD是Cu和Ag中的至少一种，并且金属ME是Nb。金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a：金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；b：金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％])，并且金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。

Description

用于光记录介质的记录层和光记录介质
技术领域
本公开内容涉及用于光记录介质的记录层和光记录介质。
背景技术
近年来，为了增加记录容量，在光记录介质中已广泛采用使记录层具有多层的技术。作为多层光记录介质的记录层的材料，已经提出了包含选自由W和Mo构成的群组中的至少一种金属的氧化物和选自由Cu、Mn、Ni和Ag构成的群组中的至少一种金属的氧化物的材料(例如，参见专利文献1)。
引文列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请待审公开第2013-86336号
发明内容
技术问题
在多层光记录介质中，对于位于距光照射表面最远位置处的记录层，期望在保持良好的再现耐久性(热耐久性)的同时提高反射率。
本公开内容的目的是提供一种能够在保持良好的再现耐久性的同时提高反射率的用于光记录介质的记录层、以及包括该记录层的光记录介质。
解决问题的方案
为了实现上述目的，第一公开内容是一种光记录介质，包括：记录层，所述记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物，其中
金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，
金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，
金属MC是Zn，
金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种，
金属ME是Nb，
金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a：金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；b：金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％])，并且
金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。
第二公开内容是用于光记录介质的记录层，包括：
金属MA的氧化物；
金属MB的氧化物；
金属MC的氧化物；
金属MD的氧化物；和
金属ME的氧化物，其中
金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，
金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，
金属MC是Zn，
金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种，
金属ME是Nb，
金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a：金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；b：金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％])，并且
金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。
本发明的有益效果
根据本公开内容，可以在保持良好的再现耐久性的同时提高反射率。应注意，这里描述的效果不一定是限制性的，并且可以是本公开内容中描述的任何效果或不同于它们的效果。
附图说明
图1是示出根据本公开内容的第一实施方式的光记录介质的配置示例的截面图。
图2是示出图1所示的每个信息信号层的配置示例的示意性截面图。
图3是示出根据本公开内容的第二实施方式的光记录介质的配置示例的截面图。
具体实施方式
在本公开内容中，优选的是，在基板上设置多个记录层，并且在记录层上设置覆盖层。覆盖层的厚度没有特别限制。然而，由于在高密度光记录介质中使用具有高NA的物镜，因此优选使用诸如薄片层或涂层之类的薄透光层作为覆盖层，并通过从透光层的侧面照射光来记录和再现信息信号。在这种情况下，也可以采用不透明基板作为基板。根据光记录介质的格式，用于记录或再现信息信号的光的入射表面被适当地设置为覆盖层侧的表面和基板侧的表面中的至少一个。
在本公开内容中，从提高存储可靠性的角度出发，优选的是，光记录介质进一步包括在记录层的至少一个表面上的介电层，并且更优选的是，光记录介质进一步包括在记录层的两个表面上的介电层。从简化层配置和制造设备的角度出发，优选的是单独使用记录层，而不在记录层的任何表面上提供介电层。
在本公开内容中，在光记录介质包括多个信息信号层，该多个信息信号层包括记录层和设置在记录层的至少一个表面侧上的介电层的情况下，从生产率的角度出发，优选的是所有的多个信息信号层具有相同的层配置。在多个信息信号层具有包括第一介电层、记录层和第二介电层的相同层配置的情况下，从生产率的角度出发，优选的是，第一介电层、记录层和第二介电层的每一者在各信息信号层之间包含相同种类的材料。
将按以下顺序描述本公开内容的实施方式。
1第一实施方式
1.1概述
1.2光记录介质的配置
1.3制备光记录介质的方法
1.4效果
2第二实施方式
2.1光记录介质的配置
2.2制备光记录介质的方法
2.3效果
[1.1概述]
本发明人研究了包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物和金属MD的氧化物的记录层。然而，金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，金属MC是Zn，并且金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种。
为了提高上述记录层的反射率，本发明人进行了深入研究，并且发现增加金属MA的含量可以改善反射率，但是记录层变得更加敏感并且再现耐久性(热耐久性)降低。在这一点上，本发明人已经深入研究了能够在保持良好的再现耐久性的同时提高反射率的记录层。结果，本发明人发现了一种配置，其中记录层进一步包含金属ME(其中金属ME为Nb)的氧化物，调整金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量以满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a：金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；b：金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％])，并且金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。在下文中，将描述具有这种配置的光记录介质。
[1.2光记录介质的配置]
如图1所示，根据本公开内容的第一实施方式的光记录介质1是所谓的多层一次写入光记录介质(例如，AD(存档盘))，并且包括：第一盘10；第二盘20；以及设置在第一盘10和第二盘20之间的贴合层30。光记录介质1是使用在沟槽轨道和岸台轨道上记录数据的方法(以下称为“岸台/沟槽记录方法”)的光记录介质，并且具有中心开口的圆盘形状(以下称为“中心大厅”)。注意，光记录介质1的形状不限于圆盘形状，并且可以是任何其他形状。
第一盘10具有以下配置：其中信息信号层L0、间隔层S1、信息信号层L1、……、间隔层Sn、信息信号层Ln和作为覆盖层的透光层12按所述顺序堆叠在基板11的一个主表面上。第二盘20具有以下配置：其中信息信号层L0、间隔层S1、信息信号层L1、……、间隔层Sm、信息信号层Lm和作为覆盖层的透光层22按所述顺序堆叠在基板21的一个主表面上。然而，n和m各自独立地表示大于或等于2的整数。注意，在下面的描述中，在信息信号层L0至Ln和L0至Lm彼此不区分的情况下，它们被称为信息信号层L。
光记录介质1在其两个表面上均具有待被激光照射以记录或再现信息信号的光照射表面。更具体地，光记录介质1具有待被激光照射以记录或再现第一盘10的信息信号的第一光照射表面C1、以及待被激光照射以记录或再现第二盘20的信息信号的第二光照射表面C2。
在第一盘10中，信息信号层L0相对于第一光照射表面C1位于远端，并且信息信号层L1至Ln位于其前面。因此，信息信号层L1至Ln被配置为能够使用于记录或再现的激光透过。同时，在第二盘20中，信息信号层L0相对于第二光照射表面C2位于远端，并且信息信号层L1至Lm位于其前面。因此，信息信号层L1至Lm被配置为能够使用于记录或再现的激光透过。注意，尽管未示出，但是光记录介质1可进一步包括位于透光层12和22的表面(即，第一光照射表面C1和第二光照射表面C2)上的硬涂层。
在光记录介质1中，按以下方式执行第一盘10的信息信号的记录或再现。即，从透光层12侧的第一光照射表面C1向第一盘10中包括的信息信号层L0至Ln施加激光，以记录或再现第一盘10的信息信号。例如，具有350nm以上且410nm以下范围内的波长的激光由具有0.84以上且0.86以下范围内的数值孔径的物镜会聚，并从透光层12侧施加至第一盘10中包括的每个信息信号层L0至Ln，以记录或再现信息信号。
同时，按以下方式执行第二盘20的信息信号的记录或再现。即，从透光层22侧的第二光照射表面C2向第二盘20中包括的信息信号层L0至Lm施加激光，以记录或再现第二盘20的信息信号。例如，具有350nm以上且410nm以下范围内的波长的激光由具有0.84以上且0.86以下范围内的数值孔径的物镜会聚，并从透光层22侧施加至第二盘20中包括的每个信息信号层L0-Lm，以记录或再现信息信号。
在下文中，将按顺序描述构成光记录介质1的基板11和21、贴合层30、信息信号层L0至Ln和L0至Lm、间隔层S1至Sn和S1至Sm、以及透光层12、22。
(基板)
基板11、21例如具有圆盘形状，其中在中央设置有中心孔。基板11、21的一个主表面例如是不平坦表面，并且信息信号层L0沉积在凹凸表面上。下文中，将凹凸表面的凹部称为岸台Ld，并将凸部称为沟槽Gv。
岸台Ld和沟槽Gv的形状示例包括诸如螺旋形和同心圆形状之类的各种形状。此外，可以使岸台Ld和/或沟槽Gv摆动以便稳定线速度、添加地址信息等。
注意，第一盘10和第二盘20的螺旋方向可以彼此相反。在这种情况下，由于可以同时执行其中第一盘10和第二盘20彼此贴合的光记录介质(双面盘)1的记录和再现，因此可以将记录和再现时的数据传输速率增加到原始速率的大约两倍。
基板11、21的外径(直径)选择为例如120mm。基板11、21的内径(直径)选择为例如15mm。基板11的厚度根据刚性来选择，优选为0.3mm以上且0.545mm以下，更优选为0.445mm以上且0.545mm以下。
作为基板11和21的材料，例如，可以使用塑料材料或玻璃，并且从可塑性的角度出发，优选使用塑料材料。作为塑料材料，例如，可以使用聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂、丙烯酸树脂等，从成本的角度出发，优选使用聚碳酸酯树脂。
(贴合层30)
贴合层30由固化的紫外线固化树脂制成。第一盘10和第二盘20通过贴合层30彼此贴合。更具体地，第一盘10的基板11和第二盘20的基板21彼此贴合，使得透光层12和22分别位于表面侧。
贴合层30的厚度例如为0.01mm以上且0.22mm以下。紫外线固化树脂例如是自由基聚合紫外线固化树脂。
(信息信号层)
信息信号层L包括凹陷的轨道(在下文中，被称为“岸台轨道”)和凸出的轨道(在下文中，被称为“沟槽轨道”)。根据本实施方式的光记录介质1被配置为能够在岸台轨道和沟槽轨道两者上记录信息信号。从高记录密度的角度出发，岸台轨道和沟槽轨道之间的轨道间距Tp优选为0.225μm或以下。
如图2所示，信息信号层L0至Ln分别包括具有上表面(第一主表面)和下表面(第二主表面)的无机记录层(以下简称为“记录层”)41、邻近记录层41的上表面设置的介电层42、和邻近记录层41的下表面设置的介电层43。通过这种配置，可以改善记录层的耐久性41。在此，上表面是指记录层41的两个主表面中的待被激光照射以记录或再现信息信号的主表面，并且下表面是指与待被上述激光照射的一侧相对的一侧上的主表面，即基板11侧上的主表面。注意，信息信号层L0至Lm的配置可以与信息信号层L0至Ln的配置相同，因此省略其描述。
(记录层)
包括在信息信号层L0中的记录层41包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物。金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种。金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种。金属MC是Zn。金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种。金属ME为Nb。
金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71，优选地0.43≤a/(b+e)≤0.71(其中a：金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；b：金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％])。此外，金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下，优选地为20原子％以上且30原子％以下。
在如上所述的金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71，并且金属ME的原子比在5原子％以上且30原子％以下的范围内的情况下，可以在维持良好的再现耐久性的同时提高反射率。
金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比例如为11原子％以上且22原子％以下。金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比例如为7原子％以上且26原子％以下。金属MC相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比例如为22原子％以上且25原子％以下。金属MD相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比例如为22原子％以上且33原子％以下。
除信息信号层L0之外的每个信息信号层L1至Ln的记录层41包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物和金属MD的氧化物。根据每个信息信号层L所需的特性适当地选择金属MA、MB、MC和MD中的每一种金属的原子比。
记录层41的厚度优选地在25nm以上且60nm以下的范围内，更优选地在30nm以上且50nm以下的范围内。在记录层41的厚度为25nm以上的情况下，可以获得优异的信号特性。同时，在记录层41的厚度为60nm以下的情况下，可以确保较宽的记录功率裕度。
首先，在第一盘10和第二盘20的信息信号层L的层数为三层的情况下，从确保良好的记录信号的角度出发，信息信号层L0的反射率优选地为3.0％以上且4.5％以下，更优选地为3.5％以上且4.5％以下。此外，从确保高的重复再现耐久性的角度出发，信息信号层L0的最佳记录功率的下限值优选地为23mW以上，更优选地为27mW以上。从现有的用户驱动器中的记录Pw的上限值的角度出发，信息信号层L0的最佳记录功率的上限值优选地为38.0mW以下。
(介电层)
介电层42、43用作氧阻挡层。结果，可以提高记录层41的耐久性。此外，介电层42、43具有抑制记录层41的氧逸出的功能。结果，可以抑制记录层41的膜质量的变化(主要检测为反射率的降低)并确保作为记录层41的良好的膜质量。此外，介电层42、43还具有改善记录特性的功能。假定表示该功能是因为进入介电层42、43的激光的热扩散率得到适当地控制，以防止记录部分的形状变化太大并且防止变化的形状由于Mn氧化物的分解而塌陷，从而可以改善记录时的形状变化。
介电层42、43的材料例如包含选自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物和氟化物构成的群组中的至少一种。作为介电层42、43的材料，可以使用相同或不同的材料。氧化物的实例包括选自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi和Mg构成的群组中的至少一种元素的氧化物。氮化物的实例包括选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta和Zn构成的群组中的至少一种元素的氮化物，优选地是选自由Si、Ge和Ti构成的群组中的至少一种元素的氮化物。硫化物的实例包括硫化锌。碳化物的实例包括选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta和W构成的群组中的至少一种元素的碳化物，优选地是选自由Si、Ti和W构成的群组中的至少一种元素的碳化物。氟化物的实例包括选自由Si、Al、Mg、Ca和La构成的群组中的至少一种元素的氟化物。这些混合物的具体实例包括ZnS-SiO2、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(ITO)、In2O3-CeO2(ICO)、In2O3-Ga2O3(IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2、Al2O3-ZnO、Al2O3-BaO。
介电层43的厚度优选地在2nm以上且30nm以下的范围内。在介电层43的厚度小于2nm的情况下，存在势垒效应减小的趋势。同时，在介电层43的厚度超过30nm的情况下，记录功率裕度趋于减小(劣化)。
介电层42的厚度优选地在2nm以上且50nm以下的范围内。在介电层42的厚度小于2nm的情况下，存在势垒效应减小的趋势。同时，在介电层42的厚度超过50nm的情况下，记录功率裕度趋于减小(劣化)。
(间隔层)
间隔层S1至Sn和S1至Sm分别具有以物理和光学上足够的距离分离信息信号层L0至Ln和L0至Lm的作用，并且具有设置有凹凸表面的表面。所述凹凸表面例如形成具有同心或螺旋形状的岸台Ld和沟槽Gv。间隔层S1至Sn和S1至Sm的厚度优选地为9μm以上且50μm以下。间隔层S1至Sn和S1至Sm的每一者的材料没有特别限制，但优选地使用紫外线固化丙烯酸树脂。此外，由于间隔层S1至Sn和S1至Sm各自形成用于在远层上和从远层记录和再现数据的激光的光路，因此优选的是，间隔层S1至Sn和S1至Sm均具有足够高的光学透明度。
(透光层)
透光层12、22例如是通过使感光树脂(诸如紫外线固化树脂)固化而形成的树脂层。这种树脂层的材料的实例包括紫外线固化型丙烯酸树脂。此外，透光层12、22可包括具有环形形状的透光片和用于将透光片贴合至信息信号层Ln、Lm的粘合层。优选的是，透光片由相对于用于记录和再现的激光具有低吸收能力的材料制成。具体地，优选的是，透光片由具有90％以上的透射率的材料制成。作为透光片的材料，例如，可以使用聚碳酸酯树脂或聚烯烃树脂(例如，ZEONEX(注册商标))。作为粘合层的材料，例如，可以使用紫外线固化树脂或压敏粘合剂(PSA)等。
透光层12、22的厚度优选地选自10μm以上且177μm以下的范围，例如57μm。通过将这种薄的透光层12、22与具有例如大约0.85的高NA(数值孔径)的物镜组合，可以实现高密度记录。
(硬涂层)
硬涂层用于赋予第一光照射表面C1和第二光照射表面C2耐刮擦性等。作为硬涂层的材料，例如，可以使用丙烯酸树脂、硅树脂、氟树脂或有机-无机杂化树脂。为了提高机械强度，硬涂层可包含硅胶的细粉。
在具有上述配置的光记录介质1中，当向记录层41施加激光时，Mn氧化物被激光加热并分解以释放氧气，并且在用激光照射的部分中产生气泡。这使得可以执行信息信号的不可逆记录。
[1.3光记录介质的制备方法]
接下来，将描述根据本公开内容的第一实施方式的光记录介质1的制备方法的示例。
(制备第一盘的步骤)
如下制备第一盘10。
(模制基板的步骤)
首先，模制在其一个主表面上形成有凹凸表面的基板11。作为模制基板11的方法，例如，可以使用注射成型(注入)法或感光聚合物法(2P法：光聚合)。
(沉积信息信号层的步骤)
接下来，通过例如溅射法在基板11上顺序地堆叠介电层43、记录层41和介电层42来沉积信息信号层L0。在下文中，将具体描述沉积介电层43、记录层41和介电层42的步骤。
(沉积介电层的步骤)
首先，将基板11输送到设置有以介电材料为主要成分的靶的真空腔室内，并将该真空腔室抽真空至预定压力。之后，在将诸如Ar气和O2气之类的处理气体引入真空腔室中的同时溅射靶，以在基板11上沉积介电层43。
(沉积记录层的步骤)
接下来，将基板11输送到具有用于沉积记录层的靶的真空腔室中，并将该真空腔室抽真空至预定压力。之后，在将诸如Ar气和O2气之类的处理气体引入真空腔室中的同时溅射靶，以在介电层43上沉积记录层41。
在此，作为用于沉积记录层的靶，具有与包括在信息信号层L0中的记录层41的组成相似的组成的靶是优选的。然而，可以通过与氧的反应溅射来沉积记录层41。在这种情况下，作为沉积记录层的靶，使用包含金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的合金靶。然而，金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71，优选地为0.43≤a/(b+e)≤0.71，并且金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下，优选地为20原子％以上且30原子％以下。
(沉积介电层的步骤)
接下来，将基板11输送到设置有以介电材料为主要成分的靶的真空腔室内，并将该真空腔室抽真空至预定压力。之后，在将诸如Ar气和O2气之类的处理气体引入真空腔室中的同时溅射靶，以在记录层41上沉积介电层42。以这种方式，在基板11上沉积信息信号层L0。
(形成间隔层的步骤)
接下来，通过例如旋涂法将紫外线固化树脂均匀地施加到信息信号层L0上。之后，将压模的凹凸图案压在均匀地施加在信息信号层L0上的紫外线固化树脂上，将紫外线施加至该紫外线固化树脂上以进行固化，然后将压模剥离。结果，将压模的凹凸图案转印到紫外线固化树脂上，并且在信息信号层L0上形成具有例如岸台Ld和沟槽Gv的间隔层S1。
(沉积信息信号层的步骤和形成间隔层的步骤)
接下来，以与上述“沉积信息信号层的步骤”和“形成间隔层的步骤”相似的方式在间隔层S1上依序堆叠信息信号层L1、间隔层S2、信息信号层L3、……、间隔层Sn和信息信号层Ln。
在此，作为用于沉积记录层的靶，具有与包括在各个信息信号层L1至Ln中的记录层41的组成相似的组成的靶是优选的。然而，可以通过与氧的反应溅射来沉积记录层41。在这种情况下，作为沉积记录层的靶，使用包含金属MA、金属MB、金属MC和金属MD的合金靶。
(形成透光层的步骤)
接下来，通过例如旋涂法在信息信号层Ln上旋涂诸如紫外线固化树脂(UV树脂)之类的感光树脂，然后将诸如紫外线之类的光施加至感光树脂上以进行固化。结果，在信息信号层Ln上形成透光层12。以这种方式，制备了第一盘10。
(制备第二盘的步骤)
由于“制备第二盘的步骤”与上述的“制备第一盘的步骤”相似，因此省略其描述。
(贴合步骤)
接下来，以如下方式通过例如旋涂法将作为粘合剂的紫外线固化树脂在如上所述制备的第一盘10和第二盘20之间拉伸。首先，将紫外线固化树脂沿着中心孔的周缘以环状施加到第二盘20的两个主表面中的与第二光照射表面C2相对的主表面。接着，将第一盘10经由紫外线固化树脂压在第二盘20上，使得第一盘10的两个主表面中的与第一光照射表面C1相对的主表面以及第二盘20的两个主表面中的与第二光照射表面C2相对的主表面彼此面对。
接下来，使第一盘10和第二盘20旋转以沿第一盘10和第二盘20的径向方向拉伸位于第一盘10和第二盘20之间的紫外线固化树脂。此时，通过旋转速度将紫外线固化树脂的厚度调整为预定的厚度。结果，在第一盘10和第二盘20之间，紫外线固化树脂从第一盘10和第二盘20的内周部分扩展到外周部分。以这种方式，获得包括未固化的贴合层30的光记录介质1。
注意，在上述拉伸紫外线固化树脂的步骤中，优选的是将紫外线施加到第一盘10和第二盘20的外周部分，以暂时固化拉伸到外周部分的紫外线固化树脂。结果，可以抑制第一盘10和第二盘20的外周部分的开口。
接下来，通过紫外线灯从光记录介质1的两个表面侧施加紫外线以使贴合层30固化。结果，获得了目标光记录介质1。
[1.4效果]
根据上述第一实施方式的光记录介质1包括多个信息信号层L0至Ln。在多个信息信号层L0至Ln中，离第一光照射表面C1和第二光照射表面C2最远的信息信号层L0包括记录层41，该记录层41包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物。金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，金属MC是Zn，金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种，并且金属ME是Nb。此外，金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71，并且金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。这使得可以在保持良好的再现耐久性的同时提高反射率。
<2第二实施方式>
[2.1光记录介质的配置]
如图3所示，根据本公开内容的第二实施方式的光记录介质1A是所谓的多层一次写入型光记录介质，并且具有以下配置：其中信息信号层L0、间隔层S1、信息信号层L1、……、间隔层Sn、信息信号层Ln和作为覆盖层的透光层12按所述顺序堆叠在基板11的一个主表面上。然而，n表示例如大于或等于2的整数，优选地为三个或更多个、或者为四个或更多个。注意，在第二实施方式中，与第一实施方式中相同的部分由相同的附图标记表示，并且省略其描述。
光记录介质1A的一侧具有待被光照射以记录或再现信息信号的光照射表面C。信息信号层L0位于相对于光照射表面C最远的位置，并且信息信号层L1至Ln位于其前面。因此，信息信号层L1至Ln被配置为能够使用于记录或再现的激光透过。
在根据第二实施方式的光记录介质1A中，通过将来自透光层12侧的光照射表面C的激光施加至信息信号层L0至Ln来记录或再现信息信号。例如，具有400nm以上且410nm以下范围内的波长的激光由具有0.84以上且0.86以下范围内的数值孔径的物镜会聚，并从透光层12侧施加至信息信号层L0至Ln，从而记录或再现信息信号。这种光记录介质1A的示例包括多层蓝光光盘(BD：蓝光(注册商标)光盘)。
光记录介质1A通常是沟槽记录方法的光记录介质，但是可以是岸台/沟槽记录方法或相似方法的光记录介质。
基板11A的直径例如选择为120mm。基板11的厚度根据刚性来选择，优选为0.3mm以上且1.3mm以下，更优选为0.6mm以上且1.3mm以下，并且例如选择为1.1mm。此外，中心孔的直径例如选择为15mm。基板11A的材料与上述第一实施方式中的基板11的材料相似。
在信息信号层L的层数为三层的情况下，从确保良好的记录信号的角度出发，信息信号层L0的反射率优选地为3.0％以上且4.5％以下，更优选地为3.5％以上且4.5％以下。此外，从确保高的重复再现耐久性的角度出发，信息信号层L0的最佳记录功率的下限值优选地为26mW以上，更优选地为30mW以上。考虑到现有的用户驱动器中的记录Pw的上限值，信息信号层L0的最佳记录功率的上限值优选地为38.0mW以下。
[2.2光记录介质的制造方法]
根据本公开内容的第二实施方式的光记录介质1A的制造方法与上述第一实施方式中的“制备第一盘的步骤”类似。
[2.3效果]
在上述根据第二实施方式的光记录介质1A中，与根据第一实施方式的光记录介质1相似，可以在保持良好的再现耐久性的同时提高反射率。
[实施例]
在下文中，将通过实施例的方式具体地描述本公开内容，但是本公开内容不仅仅限于这些实施例。
[实施例1至12以及比较例3和4]
首先，通过注射成型来模制厚度为1.1mm的聚碳酸酯基板。注意，该聚碳酸酯基板的一个主表面形成为具有包括岸台和沟槽的凹凸表面。岸台和沟槽之间的轨道间距Tp为0.225μm。接下来，通过溅射法在聚碳酸酯基板的凹凸表面上顺序地堆叠第一介电层、记录层和第二介电层，以沉积L0层。
下面将描述L0层的具体配置。
第二介电层(间隔层侧)
材料：SIZ
厚度：10nm
记录层
材料：包含表1中所示的金属MA、MB、MC、MD和ME的氧化物(金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物)
厚度：36nm
第一介电层(基板侧)
材料：SIZ
厚度：14nm
接下来，通过旋涂法将紫外线固化树脂均匀地施加到L0层上，将压模的凹凸图案压在施加到L0层上的紫外线固化树脂上，将紫外线施加至该紫外线固化树脂上以进行固化，然后将压模剥离。结果，形成了厚度为25μm并且具有包括岸台和沟槽的凹凸表面的间隔层。注意，岸台和沟槽之间的轨道间距Tp为0.225μm。
接下来，通过溅射法在上述间隔层的凹凸表面上顺序地堆叠第一介电层、记录层和第二介电层，以沉积具有81％的透射率的L1层。
接下来，通过旋涂法将紫外线固化树脂均匀地施加到L1层上，将压模的凹凸图案压在施加到L1层上的紫外线固化树脂上，将紫外线施加至该紫外线固化树脂上以进行固化，然后将压模剥离。结果，形成了厚度为18μm并且具有包括岸台和沟槽的凹凸表面的间隔层。注意，岸台和沟槽之间的轨道间距Tp为0.225μm。
接下来，通过溅射法在上述间隔层的凹凸表面上顺序地堆叠第一介电层、记录层和第二介电层，以沉积具有85％的透射率的L2层。
接下来，通过旋涂法将紫外线固性树脂均匀地施加到L2层上，并对其施加紫外线以进行固化，从而形成厚度为57μm的透光层。以这种方式，获得了目标岸台/沟槽记录方法的三层光记录介质。
[比较例1和2]
以与实施例1类似的方式获得光记录介质，不同之处在于：形成由包含表1中所示的金属MA、MB、MC、MD和ME的氧化物(金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物)制成的记录层L0层。
(反射率的评估)
首先，使用AD标准评估装置在沟槽的未记录部分中测量如上所述获得的光记录介质的L0层的反射率R。接下来，根据以下标准评估测得的反射率。结果在表1和表2中示出。
反射率非常好：反射率为3.5％以上且4.5％以下。
反射率良好：反射率为3.0％以上且小于3.5％。
反射率差：反射率小于3.0％。
注意，在表1和表2中，符号“◎”、“○”和“╳”分别表示作为评估结果的“反射率非常好”、“反射率良好”和“反射率差”。
此外，在反射率在3.5％以上且4.5％以下的范围内的情况下，即，如上所述的反射率非常好，可以获得非常好的记录信号。在反射率为3.0％以上且小于3.5％的情况下，即，反射率良好，可以获得良好的记录信号。在反射率小于3.0％的情况下，即，反射率差，难以获得良好的记录信号。
(再现耐久性的评估(1))
首先，通过使用AD标准评估装置将信号记录在如上所述获得的光记录介质的L0层的沟槽10条沟槽轨道上，然后，将信号记录在与各沟槽相邻的10条岸台轨道上。接下来，再现记录在沟槽上的信号，获得i-MLSE(再现特性)，并且将i-MLSE最小的记录功率(最佳记录功率)用作记录灵敏度。注意，记录和再现是根据AD1标准进行的。具体地，将记录速率设置为4×，将再现速率设置为4×，并且将记录密度设置为300GB。接下来，根据获得的记录灵敏度，根据以下标准评估再现耐久性。结果在表1中示出。
再现耐久性非常好：记录灵敏度为27mW以上。
再现耐久性良好：记录灵敏度为23mW以上且小于27mW。
再现耐久性差：记录灵敏度小于23mW。
在此，能够通过记录灵敏度来评估再现耐久性的原因是，在记录灵敏度(记录功率)和再现耐久性(热耐久性)之间存在相关性，并且存在通过降低记录层的灵敏度来提高再现耐久性的关系。
注意，表1中的符号“◎”、“○”和“╳”分别表示评估结果“再现耐久性非常好”、“再现耐久性良好”和“再现耐久性差”。
(再现耐久性的评估(2))
首先，通过使用BD标准评估装置将信号记录在如上所述获得的光记录介质的L0层的沟槽10条沟槽轨道上。接下来，再现记录在沟槽上的信号，获得i-MLSE(再现特性)，并且将i-MLSE最小的记录功率(最佳记录功率)用作记录灵敏度。注意，记录和再现是根据BDXL标准进行的。具体地，将记录速率设置为4×，将再现速率设置为4×，并且将记录密度设置为32GB。接下来，根据获得的记录灵敏度，根据以下标准评估再现耐久性。结果在表2中示出。
再现耐久性非常好：记录灵敏度为30mW以上。
再现耐久性良好：记录灵敏度为26mW以上且小于30mW。
再现耐久性差：记录灵敏度小于26mW。
注意，表2中的符号“◎”、“○”和“╳”分别表示作为评估结果的“再现耐久性非常好”、“再现耐久性良好”和“再现耐久性差”。
在再现耐久性的评估(1)和(2)中，“再现耐久性非常好”具体是指在经过100万次再现之后，底部特性几乎不会劣化。“再现耐久性良好”具体是指即使在再现一百万次之后，也可以进行再现。“再现耐久性差”具体是指在再现一百万次之后，再现变得困难。
表1示出了根据实施例1至12和比较例1至4的光记录介质的配置和评估结果。
(表1)
Figure BDA0002656289140000181
表2示出了根据实施例1至12和比较例1至4的光记录介质的配置和评估结果。
(表2)
Figure BDA0002656289140000191
从表1中可以看出以下内容。
在金属MA的含量、金属MB的含量、和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71并且金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下的情况下，无论是AD1标准的光记录介质还是BDXL标准的光记录介质，都可以在维持良好的再现耐久性的同时提高反射率。
此外，从高反射率和低灵敏度的角度出发，在AD1标准的光记录介质或BDXL标准的光记录介质中，金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比优选为20原子％以上且30原子％以下。
[变形例]
尽管上面已经具体描述了本公开内容的第一实施方式和第二实施方式，但是本公开内容不限于上述第一实施方式和第二实施方式，并且可以基于本公开内容的技术构思进行各种修改。
例如，在第一和第二实施方式中描述的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等仅仅是示例，并且可以根据需要使用不同的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等。
此外，在第一和第二实施方式中，除信息信号层L0以外的信息信号层L1至Ln的记录层41可具有与信息信号层L0的记录层41相似的组成。
此外，在第一和第二实施方式中，信息信号层L1至Ln的记录层41可以是包含Mn氧化物的已知记录层或包含Pd氧化物的已知记录层。然而，为了降低光记录介质1、1A的成本，优选的是记录层41不包含作为贵金属的Pd。
此外，在上述第一和第二实施方式中，已经描述了其中信息信号层L包括记录层41、与记录层41的上表面相邻设置的介电层42、以及与记录层41的下表面相邻设置的介电层43。然而，信息信号层L的配置不限于此。例如，可以仅在记录层41的上表面和记录层41的下表面之一上设置介电层。此外，信息信号层L可仅包括记录层41的单层。利用这种简单的配置，可以降低光记录介质1、1A的成本，并且可以提高其生产率。随着信息信号层L的层数的增加，该效果变得更加显著。
此外，在上述第一和第二实施方式中已经描述了通过溅射法形成光记录介质1、1A的各个层的情况。然而，沉积方法不限于此，而是还可以使用其他沉积方法。作为另一种沉积方法，例如，除了CVD方法(Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积法)：一种利用化学反应从气相沉积薄膜的技术)诸如热CVD、等离子体CVD和光CVD之外，可以使用PVD方法(Physical Vapor Deposition(物理气相沉积法)：一种使在真空中物理汽化的材料凝集在基板上而形成薄膜的技术)，诸如真空沉积、等离子体辅助沉积、溅射和离子镀等。
此外，在上述第一和第二实施方式中已经描述了所有多层信息信号层L具有相同的层配置(三层结构)的情况。然而，可以根据每个信息信号层L所需的特性(例如，光学特性或耐久性)来改变层配置。但是，从生产率的角度出发，优选的是所有信息信号层L具有相同的层配置。
此外，可应用本公开内容的光记录介质不限于具有第一或第二实施方式中的配置的那些。例如，本公开内容还适用于具有以下配置的光记录介质(例如，CD(光盘))：其中多个信息信号层和保护层按所述顺序堆叠在基板上，并通过将来自基板侧的激光施加至多个信息信号层来记录或再现信息信号，或者适用于具有以下配置的光记录介质(例如，DVD(数字多功能光盘))：其中在两个基板之间提供多个信息信号层，并通过将来自至少一个基板侧的激光施加至多个信息信号层上来记录或再现信息信号。
应注意，本公开内容可以采用以下配置。
(1)一种光记录介质，包括：记录层，所述记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物，其中
金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，
金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，
金属MC是Zn，
金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种，
金属ME是Nb，
金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a：金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；b：金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％])，并且
金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。
(2)根据(1)所述的光记录介质，其中
金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为20原子％以上且30原子％以下。
(3)根据(1)或(2)所述的光记录介质，其中
金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.43≤a/(b+e)≤0.71。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的光记录介质，其中
金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比例如为11原子％以上且22原子％以下，
金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比例如为7原子％以上且26原子％以下，
金属MC相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比例如为22原子％以上且25原子％以下，并且
金属MD相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比例如为22原子％以上且33原子％以下。
(5)根据(1)至(4)中任一项所述的光记录介质，其中
所述记录层位于距光照射表面最远的位置处。
(6)根据(1)至(5)中任一项所述的光记录介质，进一步包括：
第一介电层，所述第一介电层设置在所述记录层的第一表面侧上；和
第二介电层，所述第二介电层设置在所述记录层的第二表面侧上。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的光记录介质，进一步包括：
第一盘；和
第二盘，其中
所述第一盘和所述第二盘分别包括
具有第一表面和第二表面的基板，
设置在所述第一表面侧上的两个或更多个信息信号层，和
覆盖所述两个或多个信息信号层的覆盖层，
所述第一盘的基板的第二表面和所述第二盘的基板的第二表面彼此贴合，并且
所述两个或更多个信息信号层中的距光照射表面最远的信息信号层包括记录层。
(8)根据(7)所述的光记录介质，其中
设置在所述第一表面侧上的信息信号层的数量为三个，
位于距所述光照射表面最远处的信息信号层的反射率为3.0％以上且4.5％以下，并且
距所述光照射表面最远的信息信号层的最佳记录功率为23mW以上。
(9)根据(8)所述的光记录介质，其中
位于距所述光照射表面最远处的信息信号层的反射率为3.5％以上且4.5％以下，并且
距所述光照射表面最远的信息信号层的最佳记录功率为27mW以上。
(10)一种用于光记录介质的记录层，包括：
金属MA的氧化物；
金属MB的氧化物；
金属MC的氧化物；
金属MD的氧化物；和
金属ME的氧化物，其中
金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，
金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，
金属MC是Zn，
金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种，
金属ME是Nb，
金属MA的含量、金属MB的含量和金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a：金属MA相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；b：金属MB相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比[原子％])，并且
金属ME相对于金属MA、金属MB、金属MC、金属MD和金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。
附图标记列表
1、1A 光记录介质
10 第一盘
20 第二盘
30 贴合层
11、11A、21 基板
12、22 透光层
41 记录层
42、43 介电层
L0至Ln、L0至Lm 信息信号层
S1至Sn、S1至Sm 间隔层
C 光照射表面
C1 第一光照射表面
C2 第二光照射表面
Gv 沟槽
Ld 岸台
Tp 间距

Claims (10)

1.一种光记录介质，包括：记录层，所述记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物、金属MC的氧化物、金属MD的氧化物和金属ME的氧化物，其中
所述金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，
所述金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，
所述金属MC是Zn，
所述金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种，
所述金属ME是Nb，
所述金属MA的含量、所述金属MB的含量和所述金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a：所述金属MA相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子％]；b：所述金属MB相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：所述金属ME相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子％])，并且
所述金属ME相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。
2.根据权利要求1所述的光记录介质，其中
所述金属ME相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为20原子％以上且30原子％以下。
3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中
所述金属MA的含量、所述金属MB的含量和所述金属ME的含量满足下式表示的关系：0.43≤a/(b+e)≤0.71。
4.根据权利要求1所述的光记录介质，其中
所述金属MA相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比例如为11原子％以上且22原子％以下，
所述金属MB相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比例如为7原子％以上且26原子％以下，
所述金属MC相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比例如为22原子％以上且25原子％以下，并且
所述金属MD相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比例如为22原子％以上且33原子％以下。
5.根据权利要求1所述的光记录介质，其中
所述记录层距光照射表面最远。
6.根据权利要求1所述的光记录介质，进一步包括：
第一介电层，所述第一介电层设置在所述记录层的第一表面侧上；和
第二介电层，所述第二介电层设置在所述记录层的第二表面侧上。
7.根据权利要求1所述的光记录介质，进一步包括：
第一盘；和
第二盘，其中
所述第一盘和所述第二盘包括
具有第一表面和第二表面的基板，
设置在所述第一表面侧上的两个或更多个信息信号层，和
覆盖所述两个或多个信息信号层的覆盖层，
所述第一盘的所述基板的所述第二表面和所述第二盘的所述基板的所述第二表面彼此贴合，并且
所述两个或更多个信息信号层中距光照射表面最远的信息信号层包括所述记录层。
8.根据权利要求7所述的光记录介质，其中
设置在所述第一表面侧上的所述信息信号层的层数为三层，
距所述光照射表面最远的所述信息信号层的反射率为3.0％以上且4.5％以下，并且
距所述光照射表面最远的所述信息信号层的最佳记录功率为23mW以上。
9.根据权利要求8所述的光记录介质，其中
距所述光照射表面最远的所述信息信号层的反射率为3.5％以上且4.5％以下，并且
距所述光照射表面最远的所述信息信号层的最佳记录功率为27mW以上。
10.一种用于光记录介质的记录层，包括：
金属MA的氧化物；
金属MB的氧化物；
金属MC的氧化物；
金属MD的氧化物；和
金属ME的氧化物，其中
所述金属MA是选自由Mn和Ni构成的群组中的至少一种，
所述金属MB是选自由W、Mo、Zr和Ta构成的群组中的至少一种，
所述金属MC是Zn，
所述金属MD是选自由Cu和Ag构成的群组中的至少一种，
所述金属ME是Nb，
所述金属MA的含量、所述金属MB的含量和所述金属ME的含量满足下式表示的关系：0.30≤a/(b+e)≤0.71(其中a：所述金属MA相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子％]；b：所述金属MB相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子％]；以及e：所述金属ME相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比[原子％])，并且
所述金属ME相对于所述金属MA、所述金属MB、所述金属MC、所述金属MD和所述金属ME的总量的原子比为5原子％以上且30原子％以下。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202141472A (zh) 2019-12-26 2021-11-01 日商索尼股份有限公司 光記錄媒體

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040202097A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Tdk Corporation Optical recording disk
CN1839052A (zh) * 2003-08-21 2006-09-27 三菱化学媒体股份有限公司 记录介质
US20080170484A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-17 Tdk Corporation Optical recording medium
CN101884067A (zh) * 2007-12-06 2010-11-10 松下电器产业株式会社 记录再生装置、记录再生方法和信息记录媒体
CN104123953A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 索尼公司 光学记录介质
WO2016129237A1 (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005190647A (ja) * 2003-12-03 2005-07-14 Ricoh Co Ltd 相変化型光記録媒体
JP2011034611A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Tdk Corp 光記録媒体
JP2014017031A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Sony Corp 光情報記録媒体
BR112017001380A2 (pt) * 2014-07-23 2017-11-21 Corob S P A Con Socio Unico aparelho para mover receptáculos
US10176839B2 (en) * 2015-02-10 2019-01-08 Sony Corporation Optical recording medium
TWI722142B (zh) * 2016-04-08 2021-03-21 日商新力股份有限公司 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040202097A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Tdk Corporation Optical recording disk
CN1839052A (zh) * 2003-08-21 2006-09-27 三菱化学媒体股份有限公司 记录介质
US20080170484A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-17 Tdk Corporation Optical recording medium
CN101884067A (zh) * 2007-12-06 2010-11-10 松下电器产业株式会社 记录再生装置、记录再生方法和信息记录媒体
CN104123953A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 索尼公司 光学记录介质
WO2016129237A1 (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 情報記録媒体、並びに情報記録媒体の製造方法

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