JP2005267779A - 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 - Google Patents

多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005267779A
JP2005267779A JP2004080324A JP2004080324A JP2005267779A JP 2005267779 A JP2005267779 A JP 2005267779A JP 2004080324 A JP2004080324 A JP 2004080324A JP 2004080324 A JP2004080324 A JP 2004080324A JP 2005267779 A JP2005267779 A JP 2005267779A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
information
phase change
recording medium
recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004080324A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4136980B2 (ja
Inventor
Masaru Magai
勝 真貝
Michiaki Shinozuka
道明 篠塚
Hiroyuki Iwasa
博之 岩佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2004080324A priority Critical patent/JP4136980B2/ja
Priority to US11/083,298 priority patent/US7601481B2/en
Publication of JP2005267779A publication Critical patent/JP2005267779A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4136980B2 publication Critical patent/JP4136980B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035—Recording layers
    • G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Abstract

【課題】 オーバーライト特性に優れ、青紫色レーザーを用いた場合でも片面多層記録が可能な大容量の多層相変化型情報記録媒体等の提供。
【解決手段】 光の入射により結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録する記録層を少なくとも有する情報層がＮ層（ただし、Ｎは２以上の整数を表す）設けられた多層相変化型情報記録媒体において、前記情報層が、光の入射側から、第１情報層、第２情報層、・・・第Ｎ情報層であるとき、第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層が、少なくとも下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、及び熱拡散層をこの順に積層してなり、該熱拡散層がインジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、更にチタン（Ｔｉ）及びジルコニア（Ｚｒ）の少なくともいずれかを含有することを特徴とする多層相変化型情報記録媒体である。
【選択図】 なし

Description

本発明は、レーザー光の照射により情報の記録又は再生などを行うのに用いられる多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法に関する。
ＣＤ−ＲＷ等の相変化型光ディスク（以下、「相変化型情報記録媒体」、「光情報記録媒体」、「光記録媒体」と称することもある）は、一般的にプラスチックス基板上に、相変化型材料からなる記録層を設け、該記録層上に光吸収率を向上させ、かつ熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とするものであり、基板面側からレーザー光を入射して、情報の記録、再生を行うものである。
前記相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間を相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型情報記録媒体は、この性質を情報の記録と再生に応用したものである。
また、光照射による加熱によって生じる記録層の酸化、蒸散、又は変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層の間に下部保護層（以下、「下部誘電体層」と称することもある）、及び記録層と反射層の間に上部保護層（以下、「上部誘電体層」と称することもある）が設けられている。更に、これらの保護層は、その膜厚を調節することによって、情報記録媒体の光学特性の調節機能を有するものである。また、前記下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
近年、コンピューター等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度であり、また、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後、さらに高記録密度化の要求が高まることが予想される。
このような相変化型情報記録媒体を用いて高記録密度化する方法としては、例えば、使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化すること、あるいは記録再生を行うピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、情報記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さくすることが試みられている。
また、情報記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法として、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を積層し、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着して作製される２層相変化型情報記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、及び特許文献４等参照）。
前記情報層間の接着部分である分離層（以下、「中間層」と称することもある）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生に用いるレーザー光がなるべく奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザー光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
前記２層相変化型情報記録媒体は、いずれも第１情報層に特徴を有するものであり、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様に、第１保護層と第２保護層が設けられている。この２層相変化型情報記録媒体は、非特許文献１にも発表されているが、未だ多くの課題が存在している。例えば、レーザー光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザー光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録しそれを再生できないために、第１情報層を構成する反射層をなくすか、極薄にするか、また、第１情報層を構成する記録層を極薄に形成することが考えられる。
前記相変化型情報記録媒体による記録は、記録層の相変化型材料にレーザー光を照射させて急冷することによって、結晶を非晶質に変化させてマークを形成して行われるため、反射層をなくすか、又は１０ｎｍ程度に非常に薄くすると、熱拡散効果が小さくなるため、非晶質マークを形成することが困難になるという問題がある。特に、ＣＤ−ＲＷ等の相変化型情報記録媒体に一般的に用いられている材料の１つであるＳｂ−Ｔｅ共晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系記録材料と比べて、消去比が優れ、また、高感度であるため、記録マークのアモルファス部の輪郭が明確であるという点で優れたものとして知られている。
しかしながら、前記Ｓｂ−Ｔｅ共晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系記録材料に比べて材料の結晶化速度が速いので、非晶質化するには、より単時間で急冷しなければならない急冷構造をとることが必要な材料であり、反射層の薄い構造では、マーク形成が困難になるという問題がある。
一方、比較的熱伝導率の大きく光吸収率の小さな窒化物又は炭化物等を用いて、反射層が担っていた熱拡散機能を補助する層（以下、「熱拡散層」と称することがある）を反射層の上に更に設ける方法が、単層相変化型情報記録媒体（特許文献５参照）、及び２層相変化型情報記録媒体（特許文献６参照）などに提案されている。これらの方法は、第１情報層を構成する反射層を薄く形成した場合に発生する前記のような欠点を解消するのに有効な方法であると考えられる。
しかしながら、これら窒化物又は炭化物等の材料は応力が大きいため、形成された熱拡散層はクラックが生じやすい。その結果、熱拡散層を設けた光ディスク自体充分なオーバーライト特性が得らないという問題が生じる。また、炭化物材料は、特に短波長側での吸収が大きく、青紫色レーザーを用いるＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｋシステムのような次世代光ディスクでは第１情報層の光透過率を大きくすることができないという問題がある。
したがって、短波長領域でも高透過率を維持でき、３層以上の記録層も可能であり、２層の場合でも感度の改良された多層相変化型情報記録媒体は未だ得られておらず、その速やかな提供が望まれているのが現状である。
特許第２７０２９０５号公報 特開２０００−２１５５１６号公報 特開２０００−２２２７７７号公報 特開２００１−２４３６５５号公報 特開平８−５０７３９号公報 特開２０００−２２２７７７号公報 １ＯＤＳ２００１ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ Ｐ２２
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、オーバーライト特性に優れ、青紫色レーザーを用いた場合でも片面多層記録が可能な大容量の多層相変化型情報記録媒体及び該多層相変化型情報記録媒体を用いた情報の記録再生方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 光の入射により結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録する記録層を少なくとも有する情報層がＮ層（ただし、Ｎは２以上の整数を表す）設けられた多層相変化型情報記録媒体において、
前記情報層が、光の入射側から、第１情報層、第２情報層、・・・第Ｎ情報層であるとき、第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層が、少なくとも下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、及び熱拡散層をこの順に積層してなり、該熱拡散層がインジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、更にチタン（Ｔｉ）及びジルコニア（Ｚｒ）の少なくともいずれかを含有することを特徴とする多層相変化型情報記録媒体である。該＜１＞に記載の多層相変化型情報記録媒体においては、基板上にＮ層（ただし、Ｎは２以上の整数を表す）の情報層が設けられ、該情報層が光照射によって結晶状態と非晶質状態との間を相変化する材料からなる記録層を有し、かつ各情報層の間に中間層を設けてなる、情報の記録再生が可能な多層相変化型情報記録媒体であって、記録再生のために光が入射される側からみて、最も奥側に形成された情報層以外の、少なくとも１つの情報層が、順に下部保護層、記録層、上部保護層、反射層及び熱拡散層で構成され、熱拡散層がインジウム、チタン又はジルコニウム、酸素を必須構成元素とすることによって、オーバーライト特性が優れ、３５０〜７００ｎｍの波長のレーザーを用いた場合でも、感度の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
＜２＞ 熱拡散層におけるＩｎの全金属元素に対する原子比（Ｉｎ／全金属元素）が０．７５〜０．９である前記＜１＞に記載の多層相変化型情報記録媒体である。
＜３＞ 熱拡散層が、ＩＮ２Ｏ３と、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＳｎＯ２の少なくともいずれかを含むターゲットを用いたスパッタ法により成膜された前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。
＜４＞ 熱拡散層の膜厚が１０〜２００ｎｍである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。
＜５＞ 熱拡散層を有する情報層の記録層がＳｂ及びＴｅを含み、更にＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ及びＰから選択される少なくとも１種を含有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。
＜６＞ 記録層の膜厚が３〜１５ｎｍである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。
＜７＞ 熱拡散層を有する情報層の反射層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ及びＴａから選択される少なくとも１種を含有する前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。
＜８＞ 反射層の膜厚が３〜２０ｎｍである前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。
＜９＞ 下部保護層及び上部保護層がＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を含有する前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。
前記＜３＞から＜９＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体においては、それぞれの層の反射率、記録感度、及び透過率（第Ｎ層をのぞく）を、記録、再生条件に合わせて最適化することができ、全情報層に対して記録再生特性の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
＜１０＞ 第１基板と第２基板との間に、第１情報層及び第２情報層を中間層を介して設けてなり、記録・再生のための光が入射される側から、前記第１情報層として少なくとも第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、及び第１熱拡散層をこの順に積層し、前記第２情報層として少なくとも第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、及び第２反射層をこの順に積層してなる前記＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。該＜１０＞に記載の多層相変化型情報記録媒体においては、中間層によって、第１情報層と第２情報層とを光学的に分離することができる２層相変化型情報記録媒体が提供できる。
＜１１＞ 第１情報層の光透過率が、波長３５０〜７００ｎｍの光に対し４０〜７０％である前記＜１０＞に記載の多層相変化型情報記録媒体である。該＜１１＞に記載の多層相変化型情報記録媒体においては、第１情報層、第２情報層ともに感度がよく、記録再生特性の優れた２層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
＜１２＞ 第１基板と第１下部保護層との間に透明層を設けた前記＜１０＞から＜１１＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。該＜１２＞に記載の多層相変化型情報記録媒体においては、第１基板の厚さが薄い場合でも容易に製造可能な２層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
＜１３＞ 第１上部保護層と第１反射層との間、及び第２上部保護層と第２反射層との間の少なくともいずれかにバリア層を設けた前記＜１０＞から＜１２＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。該＜１３＞に記載の多層相変化型情報記録媒体においては、反射層の腐食を抑えた保存信頼性の優れた２層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
＜１４＞ 第１基板の厚みが１０〜６００μｍである前記＜１０＞から＜１３＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体である。該＜１４＞に記載の多層相変化型情報記録媒体においては、対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも、良好に記録・再生を行うことができる。
＜１５＞ 前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体における各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜７００ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録・再生を行うことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法である。該＜１５＞に記載の多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法においては、前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体を用いて大容量の記録・再生を行うことができる。
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、オーバーライト特性が優れ、３５０〜７００ｎｍの波長のレーザーを用いた場合でも、感度の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
（多層相変化型情報記録媒体）
本発明の多層相変化型情報記録媒体は、光の入射により結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録する記録層を少なくとも有する情報層がＮ層（ただし、Ｎは２以上の整数を表す）設けられ、前記情報層が、光の入射側から、第１情報層、第２情報層、・・・第Ｎ情報層であるとき、第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層が、少なくとも下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、及び熱拡散層をこの順に積層してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
前記第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層における熱拡散層は、インジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、更にチタン（Ｔｉ）及びジルコニア（Ｚｒ）の少なくともいずれかを含有してなり、必要に応じてその他の元素を含有してなる。
これは、前記熱拡散層が、インジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、更にチタン（Ｔｉ）及びジルコニア（Ｚｒ）の少なくともいずれかを含有することによって、オーバーライト特性を向上させることができ、とりわけ短波長領域での十分な光透過率を確保できるからである。
従来より、光透過性が有り、熱伝導の良い材料としては、透明導電膜として知られているＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、さらにＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２を混合したＩＴＯ(一番良く使われるのはＩｎ２Ｏ３に５〜１０質量％のＳｎＯ２を混合)がある。これらの材料が、液晶ディスプレイ関係等で用いられているのは、比抵抗が小さいことに加え、エッチングによるパターンニング性の良さから実用化されるに至っている。しかし、情報記録媒体のように、レーザー光による繰り返しの熱履歴が付加されるデバイスにおいては、比抵抗が小さいこと以外に、用いられる特定波長の透過性が良好であること、及び、熱的な特性に優れていて熱履歴に対する強靭性が必要となる。このような観点から、Ｉｎ２Ｏ３に加え、短波長における吸収の少ないワイドバンドギャップの材料であり、かつ、融点が高く熱的特性が優れた材料の組み合わせとして、Ｔｉ及びＺｒを含めることによって、Ｔｉ又はＺｒがドナーレベルを形成しているか、又は格子間に入ったＴｉ又はＺｒにより酸素の空孔が生じたためであると推測される。
ここで、前記複数ある情報層のうち、光入射側からみて最も奥側に形成される情報層（第Ｎ情報層）については、光を透過させる必要はなく、したがって反射層を厚くできるので熱拡散層を設ける必要はないが、仮に最も奥側の記録層に熱拡散層を設ける場合には、熱拡散層を構成する材料は上記のようなインジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、更にチタン（Ｔｉ）及びジルコニア（Ｚｒ）の少なくともいずれかを含有する必要はない。
前記熱拡散層におけるＩｎの全金属元素に対する原子比（Ｉｎ／全金属元素、例えば、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｒ）、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｚｒ））は０．７５〜０．９が好ましく、０．８５〜０．９がより好ましい。前記原子比が、０．７５未満であると、熱伝導率の低下によってオーバーライト特性が低下してしまうことがあり、０．９を超えると、耐熱性が低下することによりオーバーライト特性が劣化することがある。
また、前記熱拡散層としては、レーザー照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層を記録再生できるように、レーザー波長での吸収率が小さいことも望まれる。情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数は０．５以下が好ましく、０．３以下がより好ましい。０．５より大きいと第１情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録再生が困難になる。
前記熱拡散層の膜厚は１０〜２００ｎｍが好ましく、２０〜９０ｎｍがより好ましい。前記膜厚が１０ｎｍ未満であると、放熱効果が得られなくなることがあり、２００ｎｍを超えると、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じることがある。
前記熱拡散層を有する情報層の記録層がＳｂ及びＴｅを含み、更にＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ及びＰから選択される少なくとも１種を含有することが好ましい。
前記記録層の膜厚は３〜１５ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍがより好ましい。前記厚みが３ｎｍ未満であると、均一な膜にするのが困難となることがあり、１５ｎｍを超えると、透過率が低下してしまう傾向がある。
前記熱拡散層を有する情報層の反射層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ及びＴａから選択される少なくとも１種を含有することが好ましい。
前記反射層の膜厚は３〜２０ｎｍが好ましく、６〜１０ｎｍがより好ましい。
下部保護層及び上部保護層は、前記記録層の劣化変質を防ぎ、記録層の接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用効果を有し、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物が挙げられる。これらの中でも、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が好ましい。前記ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物は、耐熱性、低熱伝導率性、化学的安定性に優れており、膜の残留応力が小さく、記録／消去の繰り返しによっても記録感度、消去比などの特性劣化が起きにくく、記録層との密着性にも優れている点で好ましい。
ここで、図１は、本発明の一実施形態に係る２層情報記録媒体の概略断面図であり、この情報記録媒体は、第１基板３の上に、第１情報層１、中間層４、第２情報層２、及び第２基板５をこの順に積層してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
前記第１情報層１は、第１下部保護層１１、第１記録層１２、第１上部保護層１３、第１反射層１４、及び第１熱拡散層１５からなる。
前記第２情報層２は、第２下部護層２１、第２記録層２２、第２上部保護層２３、及び第２反射層２４からなる。
なお、第１上部保護層１３と第１反射層１４との間、及び第２上部保護層２３と第２反射層２４との間にバリア層１６,２５を設けても構わない。
また、図２に示すように、第１基板３と第１下部保護層１１との間に透明層６を設けてもよい。このような透明層は、第１基板３に厚さの薄いシート状物が用いられ、製造方法が図１の情報記録媒体とは相違するときに設けられる。
−第１基板−
前記第１基板３は、記録再生のために照射する光を十分透過するものであることが必要であり、当該技術分野において従来知られているものの中から適宜選択して用いることができる。
前記第１基板の材料としては、通常、ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、成形性、コストの点で樹脂が好適である。
前記樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂、などが挙げられ、これらの中でも、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
前記第１基板３の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザー光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって、通常グルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形される。
前記第１基板３の厚さは、１０〜６００μｍ程度が好ましい。
前記第２基板５の材料としては、第１基板３と同様の材料を用いても良いが、記録再生光に対して不透明な材料を用いても良く、第１基板３とは、材質、溝形状が異なっても良い。前記第２基板５の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、第１基板の厚さとの合計が１．２ｍｍになるように第２基板５の厚さを選択することが好ましい。
−中間層及び透明層−
前記中間層４、及び透明層６は、記録再生のために照射する光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては、樹脂が成形性、コストの点で好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
第２基板５、中間層４には、第１基板３と同様な、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されてもよい。
前記中間層４は、記録再生を行う際に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍより薄いと、層間クロストークが生じ、また７０μｍより厚いと、第２情報記録層を記録再生する際に、球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
また、前記透明層６の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、図１に示すような透明層６を設けない製造方法により作製した光情報記録媒体の最適な第１基板３の厚さと、製造方法の異なる図２のような光情報記録媒体の基板３と透明層６の厚さの合計が、同程度となるように、第１基板３と透明層６との厚さを調整する必要がある。例えば、ＮＡ=０．８５の場合であって、図１の光情報記録媒体の第１基板３の厚さが１００μｍで良好な記録・消去性能が得られたとすると、図２の光情報記録媒体の第１基板３の厚さが５０μｍならば、透明層の厚さを５０μｍとすることが好ましい。
−第１記録層及び第２記録層−
第１記録層１２と第２記録層２２の材料としては、光照射による加熱と冷却によって、結晶と非晶質の間を層変化する材料から構成され、特に制限はなく、当該技術分野において従来知られているものの中から適宜選択することができ、例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系などのカルコゲン系合金、及びＳｂ−Ｔｅ共晶系材料薄膜を挙げることができるが、これらの中でも、記録（非晶質化）感度・速度、及び消去比の点で、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料が特に好ましい。
これらの記録層材料には、さらなる性能向上、信頼性向上などを目的として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐなど他の元素や不純物を添加することが好ましい。
これらの記録層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できるが、これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記第１記録層１２の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、３〜１５ｎｍが好ましい。前記厚みが３ｎｍ未満であると、均一な膜にするのが困難となることがあり、１５ｎｍを超えると、透過率が低下してしまう傾向がある。
前記第２記録層２２の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、３〜２５ｎｍが好ましい。前記厚みが３ｎｍ未満であると、均一な膜にするのが困難となることがあり、２５ｎｍを超えると、記録感度が低下してしまう傾向があるので好ましくない。
−第１反射層及び第２反射層−
前記第１反射層１４、及び第２反射層２４は、入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化しやすくするなどの機能を有するものであり、そのために通常熱伝導率の高い金属が用いられ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、又はそれらの合金などが挙げられ、更に必要に応じて多の元素を添加することができる。添加元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｚｎなどが好適である。
これらの中でも、Ａｇ系材料は、青色波長領域でも屈折率が小さくｎが０．５以下で、光吸収を小さく抑えることができるので、本発明のような多層の情報記録媒体の、特に第１情報層の反射層に用いる材料として好ましいものである。
前記反射層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
この場合、前記第１情報層１は、高い透過率が必要とされるため、第１反射層１４は、屈折率の低く、熱伝導率の高いＡｇ又はその合金を用いることが好ましい。
前記第１情報層１を構成する第１反射層１４の膜厚は、３〜２０ｎｍが好ましい。前記膜厚が、３ｎｍ未満であると、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になることがあり、２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し、第２情報層２の記録再生が困難になることがある。
また、第２情報層２を構成する第２反射層２４の膜厚は、５０〜２００ｎｍが好ましく、８０〜１５０ｎｍがより好ましい。前記膜厚が５０ｎｍ未満であると、繰り返し記録特性が低下することがあり、２００ｎｍより厚くなると、感度の低下を生じる傾向があるので、好ましくない。
−第１下部保護層及び第２下部保護層−
前記第１下部保護層１１及び第２下部保護層２１、並びに第１上部保護層１３及び第２上部保護層２３の機能と材質は、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様であり、第１記録層（１２）と第２記録層２２の劣化変質を防ぎ、接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するものであり、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、又はそれらの混合物が挙げられる。
これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。
これら保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。具体的には、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物が最も好ましい。
前記保護層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記第１下部保護層１１と第２下部保護層２１の厚さは、３０〜２００ｎｍが好ましい。これらの範囲で、最適な反射率になるように、膜厚の設計を行うことができる。前記厚さが３０ｎｍ未満であると、記録時の熱によって、第１基板又は中間層が変形してしまう恐れがあり、２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じてくる傾向がある。
また、前記第１上部保護層１３と第２上部保護層２３の膜厚は、３〜４０ｎｍが好ましい。前記膜厚が３ｎｍ未満になると、記録感度が低下することがあり、４０ｎｍより厚くなると放熱効果が得られなくなる傾向がある。
本発明の多層相変化型情報記録媒体は、上部保護層と反射層との間にバリア層を設けていても構わない。前記反射層としては、Ａｇ合金、前記上部保護層としては、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物が最も好ましいが、この２層が隣接した場合、保護層中の硫黄が反射層のＡｇを腐食させる可能性があり、保存信頼性が低下するおそれがある。この不具合をなくすために、反射層にＡｇ系を用いた場合には、バリア層を設けるのが好ましい。バリア層は、硫黄を含まず、かつ融点は記録層よりも高い必要があり、具体的には、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、あるいは、それらの混合物が挙げられる。これらのバリア層は、レーザー波長での吸収率が小さいことが望まれる。
前記バリア層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記バリア層の膜厚は、２〜１０ｎｍが好ましい。前記膜厚が２ｎｍ未満であると、Ａｇの腐食を防止する効果が得られなくなることがあり、保存信頼性が低下する。一方、１０ｎｍより厚くなると、放熱効果が得られなくなったり、透過率が低下する傾向がある。
−第１熱拡散層−
前記第１熱拡散層１５としては、レーザー照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層を記録再生できるように、レーザー波長での吸収率が小さいことも望まれる。情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数は０．５以下が好ましく、０．３以下がより好ましい。前記消衰係数が０．５を超えると、第１情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録再生が困難になる。
前記熱拡散層は、上述したように、インジウム、チタン又はジルコニウム、酸素を主体とした材料を用いることによって、熱拡散層としての上記の機能を有し、オーバーライト特性を向上させることができ、とりわけ短波長領域での十分な光透過率を確保することができる。
前記熱拡散層におけるＩｎの全金属元素に対する原子比（Ｉｎ／全金属元素）は、上述したように、０．７５〜０．９が好ましく、０．８５〜０．９がより好ましい。
前記熱拡散層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記第１熱拡散層１５の膜厚は、１０〜２００ｎｍが好ましい。前記膜厚が１０ｎｍ未満であると、放熱効果が得られなくなることがあり、２００ｎｍを超えると、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じることがある。
なお、本発明の熱拡散層を、第１下部保護層と第１基板との間に更に設けて、熱拡散効果の更なる向上をはかってもなんら問題ない。
また、本発明の２層相変化型情報記録媒体の第１情報層１は、記録・再生に用いるレーザー光波長（例えば、波長３５０〜７００ｎｍ）での光透過率は４０〜７０％が好ましく、４０〜６０％がより好ましい。前記光透過率が４０％未満であると、半透過記録層１２へのレーザ光エネルギーの吸収は増大するため半透過記録層１２の記録特性確保はできるが、第２記録層２２へのレーザ光エネルギーの入射が減少するため第２記録層２２の記録特性の確保が困難となり、７０％を超えると第２記録層２２へのレーザ光エネルギーの入射が増大するため第２記録層２２の記録特性の確保は容易となるが、半透過記録層１２へのレーザ光エネルギーの吸収が減少するため半透過記録層１２の記録特性の確保が困難となることがある。
なお、初期化後に、記録を行った２層相変化型情報記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファスでの光透過率は結晶状態での光透過率よりも小さくても構わない。
（多層相変化型情報記録媒体の製造方法）
以下、本発明の相変化型情報記録媒体の製造方法について図面を参照して説明する。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法は、第一の形態では、成膜工程、初期化工程、密着工程を含み、基本的にはこの順に各工程を行う。図３は、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、第１基板３、第２基板５にはグルーブが形成されている。
前記成膜工程としては、第１基板３のグルーブが設けられた面に第１情報層１を形成したものと、第２基板５のグルーブが設けられた面に第２情報層２を形成したものを別途作製する。
前記第１情報層１、及び第２情報層２のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行うが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
前記初期化工程として、第１情報層１、及び第２情報層２に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより全面を初期化、即ち、記録層を結晶化させる。
前記初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてしまうおそれがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層及び第２情報層の上に、ＵＶ樹脂などをスピンコートし紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行った後に、第１基板側から、第１情報層、第２情報層を初期化させても構わない。
次に、以上のようにして初期化された、第１基板３の面上に第１情報層１を形成したものと、第２基板５の面上に第２情報層２を形成したものとを、第１情報層１と第２情報層２とを向かい合わせながら、中間層４を介して貼り合わせる。例えば、いずれか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法は、第二の形態では、第一成膜工程、中間層形成工程、第ニ成膜工程、基板貼り合わせ工程及び初期化工程を含み、基本的にこの順に各工程を行う。図４は、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、中間層４、第２基板５にグルーブが形成されている。
前記第一成膜工程は、第２基板５上の案内溝の設けられた面に第２情報層２を成膜する工程である。成膜方法は、前述の通りである。
前記中間層形成工程は、第２情報層２上に案内溝を有する中間層４を形成する工程である。例えば、第２情報層２上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料でつくられたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させて、溝を形成することができる。
前記第二成膜工程は、中間層４上に第１情報層１を成膜する工程である。成膜方法は、前述の通りである。
前記基板貼り合わせ工程は、第１情報層１と第１基板３を、透明層６を介して貼り合わせる工程である。例えば、第１情報層１上、又は第１基板３上に、透明層６の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第１情報層１と第１基板３とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させて形成することができる。また、透明層６を形成せずに、第１基板３の材料である樹脂を第１情報層１上に塗布し、硬化させることによって、第１基板３を形成してもよい。
前記初期化工程は、第１基板３側から、第１情報層１、第２情報層２に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより全面を初期化、即ち記録層を結晶化させる。第２情報層２に対しては、中間層４形成工程直後に初期化を行っても構わない。
また、図５に示すような、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、第一成膜工程、中間層形成工程、第一成膜工程、密着工程、及び初期化工程を含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
前記第一成膜工程は、第１基板３に第１情報層１、第２基板５に第３情報層７を成膜する工程である。前記中間層形成工程は、第２基板５の第３情報層７の上に第２中間層２６を形成する工程である。前記第一成膜工程は、第２基板５の第２中間層２６の上に第２情報層２を成膜する工程である。前記密着工程は、第１基板３と第２基板５を第１情報層１と第２情報層２を向かい合わせながら、第１中間層１６を介して貼り合わせる工程である。前記初期化工程は、第１情報層１、第２情報層２、及び第３情報層７に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより全面を初期化、即ち、記録層を結晶化させる。なお初期化工程は、各情報層を成膜した直後でもよい。
また、図６に示す、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、第一成膜工程、第一中間層形成工程、第二成膜工程、第二中間層形成工程、第三成膜工程、第１基板貼り合わせ工程、及び初期化工程を含んでなり、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
前記第一成膜工程は、第３情報層７を成膜する工程である。前記第一中間層形成工程は、第２中間層２６を形成する工程である。前記第二成膜工程は第２情報層２を成膜する工程である。前記第二中間層形成工程は、第１中間層１６を形成する工程である。前記第三成膜工程は第１情報層１を成膜する工程である。前記第１基板貼り合わせ工程は、透明層６を介して貼り合わせる工程である。前記初期化工程は、第３情報層７は第一成膜工程後又は第二中間層形成直後、第２情報層２は第二成膜工程後又は第一中間層形成直後、第１情報層１は第三成膜工程後でもよい。
（多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法）
本発明の多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法は、前記本発明のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体における各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜７００ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録・再生を行う。
この場合、前記情報層が、光が入射される側からみて、第１情報層、第２情報層、・・・第Ｎ情報層であるとき、第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、及び熱拡散層の順に積層されてなり、該熱拡散層がインジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、更にチタン（Ｔｉ）及びジルコニア（Ｚｒ）の少なくともいずれかを含有することが好ましい。
本発明の記録再生方法によれば、前記本発明の多層相変化型情報記録媒体を用いて大容量の記録・再生を行うことができる。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
まず、予備実験として、ポリカーボネート樹脂基板上に、ＴｉＯ２及びＩｎ２Ｏ３を燒結させたターゲット、Ａｒガスを成膜ガスとして用い、枚葉スパッタ装置（Ｂａｌｚｅｒｓ社製）を用いてスパッタし、厚みが約２００ｎｍの熱拡散層を設けた。この熱拡散層におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）を測定した。測定方法は、熱拡散層の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）により求め、その結果からＩｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）を算出した。結果を表１に示す。
枚葉スパッタ装置（Ｂａｌｚｅｒｓ社製）を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法により、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１下部保護層を厚みが１２０ｎｍとなるように成膜した。第１下部保護層上にＧｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層を厚み６ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。第１記録層上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１上部保護層を厚みが１５ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。第１上部保護層上にＡｇ−Ｚｎ−Ａｌからなる第１反射層を厚みが１０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。第１反射層上に予備実験で使用したターゲットを用いて第１熱拡散層を厚みが１２０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。
次に、Ａｒガス雰囲気中のスパッタ法により、第１基板と同様の第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層を厚みが１２０ｎｍとなるように成膜した。第２反射層上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２上部保護層を厚みが２０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。第２上部保護層上にＧｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層を厚みが１２ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。第２記録層上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２下部保護層を厚みが１３０ｎｍとなるようにスパッタ法により成膜した。
ここで、第１情報層の波長４０５ｎｍでの光透過率を、分光光度計（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製 型式８１１０ａ）を用いて第１基板側から測定した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射させ、初期化処理を行った。また、第１情報層の波長４０５ｎｍでの透過率を分光光度計（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製 型式８１１０ａ）を用いて測定した。
次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて厚さ３５μｍの中間層とを形成した。以上により、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作製された２層相変化型情報記録媒体について、レーザー波長が４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、線速＝６．０ｍ／ｓ、トラックピッチ＝０．４３μｍ、線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、及び第２情報層のジッター、並びに１００回オーバーライト後の第１情報層、及び第２情報層のジッターを測定した。また、第２情報層のジッター値が９％以下となる記録パワー（Ｐｗ）も測定した。測定結果を表１に示す。
（実施例２）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
実施例１において、熱拡散層として、ＺｒＯ２及びＩｎ２Ｏ３とを焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスと酸素ガスとの混合ガス（Ａｒ：Ｏ２＝１０：０．２(体積比)）を成膜ガスとして用いた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
なお、予備実験として、ポリカーボネート樹脂基板上にＺｒＯ２及びＩｎ２Ｏ３とを焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスと酸素ガスとの混合ガス（Ａｒ：Ｏ２＝１０：０．２(体積比)）を成膜ガスとして用い、枚葉スパッタ装置（Ｂａｌｚｅｒｓ社製）を用いてスパッタし、厚みが約２００ｎｍの熱拡散層を設けた。この熱拡散層におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｒ）を測定した。測定方法は、熱拡散層の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）により求め、その結果からＩｎ／（Ｉｎ＋Ｚｒ）を算出した。結果を表１に示す。
得られた情報記録媒体について、実施例１と同様に、レーザー波長が４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、線速＝６．０ｍ／ｓ、トラックピッチ＝０．４３μｍ、線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、及び第２情報層のジッター、並びに１００回オーバーライト後の第１情報層、及び第２情報層のジッターを測定した。また、第２情報層のジッター値が９％以下となる記録パワー（Ｐｗ）も測定した。測定結果を表１に示す。
（実施例３）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
実施例１において、熱拡散層としてＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２を焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスと酸素ガスとの混合ガス（Ａｒ：Ｏ２＝１０：０．２（体積比））を成膜ガスとした以外は、実施例１と同様にして、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
なお、予備実験として、ポリカーボネート樹脂基板上にＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２を焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスと酸素ガスとの混合ガス（Ａｒ：Ｏ２=１０：０．２（体積比））を成膜ガスとして用い、枚葉スパッタ装置（Ｂａｌｚｅｒｓ社製）を用いてスパッタし、厚みが約２００ｎｍの熱拡散層を設けた。この熱拡散層におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）を測定した。測定方法は、熱拡散層の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）により求め、その結果からＩｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｓｎ）を算出した。結果を表１に示す。
得られた情報記録媒体について、実施例１と同様に、レーザー波長が４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、線速＝６．０ｍ／ｓ、トラックピッチ＝０．４３μｍ、線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、及び第２情報層のジッター、並びに１００回オーバーライト後の第１情報層、及び第２情報層のジッターを測定した。また、第２情報層のジッター値が９％以下となる記録パワー（Ｐｗ）も測定した。測定結果を表１に示す。
（実施例４）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
実施例１において、第１反射層にＡｇを用い、第１上部保護層と第１反射層との間にバリア層として膜厚３ｎｍのＳｉＣを設けた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作製された各サンプルについて、実施例１と同条件で記録し、第１情報層、及び第２情報層のジッターを測定した。
また、保存信頼性を調べるために、初期記録した各メディアを８０℃−８５％ＲＨで３００時間保存した後の初期記録マークの３Ｔ再生信号単体のジッターを測定した。ジッター値は６．５％であった。その結果、第１反射層にＡｇを用いた場合、バリア層を設けた実施例４のサンプルは、保存後のジッターも６．７％と良好で、光ディスクとして優れていることがわかった。
（実施例５）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層を厚みが１２０ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。第２反射層上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２上部保護層を厚みが２０ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。第２上部保護層上にＧｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層を厚みが１２ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。第２記録層上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２下部保護膜を厚みが１３０ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜し、第２情報層を形成した。
このようにして形成した第２情報層上に、樹脂を塗布し、２Ｐ(ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ)法によって、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ厚味３０μの中間層を形成した。中間層上に実施例１と同様のターゲット（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）＝０．８５とした酸化物ターゲット）による熱拡散層を厚みが１２０ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。熱拡散層上にＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕからなる第１反射層を厚みが１０ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。第１反射層上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１上部保護層を厚みが１５ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。第１上部保護層上にＧｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層を厚みが６ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。第１記録層上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１下部保護層を厚みが１２０ｎｍとなるようにＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜し、第１情報層を形成した。さらに第１情報層膜面上に直径１２ｃｍ、厚さ５０μｍのポリカーボネート樹脂フィルムからなる第１基板を、４５μｍの厚さの両面粘着シートからなる透明層を介して貼り合わせて、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
また、これとは別に、透過率測定用として、厚さ１．１ｍｍの基板に第１情報層と透明層、及び第１基板を同様に設け、第１基板側からの光透過率を測定した。
得られた実施例５の第１情報層の初期化前の波長４０５ｎｍでの透過率は４８％、初期化後の透過率は５５％であった。なお、透過率は分光光度計（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製 型式８１１０ａ）を用いて測定した。
作製された光記録媒体について、レーザー波長が４０５ｎｍ、ＮＡが０．８５、線速が６．５ｍ／ｓ、トラックピッチが０．３２μｍ、線密度０．１６μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、及び第２情報層のジッター、並びに１００回オーバーライト後の第１情報層、及び第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、及び第２情報層ともに良好に記録再生を行うことができた。
また、その他の試作実験からも、ＮＡ＝０．８５ピックアップで記録再生を行う場合でも、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
以上のことから、本発明の光ディスクは、記録再生を行う対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも、第１基板の厚さを１０〜６００μｍの範囲で調整することによって、良好に記録再生を行うことができる。
また、その他の試作実験からも、第１情報層の記録層膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層が３〜２０ｎｍ、熱拡散層の膜厚が１０〜２００ｎｍの範囲であると、第１情報層、第２情報層ともに良好に記録再生ができた。
（実施例６）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に、枚葉スパッタ装置（Ｂａｌｚｅｒｓ社製）を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法でＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１下部保護層を厚みが５０ｎｍとなるように成膜した。第１下部保護層上にＧｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層を厚みが６ｎｍとなるようにスパッタ法にて成膜した。第１記録層上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１上部保護層を厚みが１５ｎｍとなるようにスパッタ法にて成膜した。第１上部保護層上にＡｇ−Ｚｎ−Ａｌからなる第１反射層を厚みが１０ｎｍとなるようにスパッタ法にて成膜した。第１反射層上に実施例１の予備実験で使用したターゲットを用いて第１熱拡散層を厚みが１００ｎｍとなるようにスパッタ法にて成膜した。
また、同様の基板を第２基板として、第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層（８０ｎｍ）、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２上部保護層（２０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ６７Ｔｅ２５からなる第２記録層（１２ｎｍ）、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２下部保護層（８０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。
ここで、第１情報層の波長６６０ｎｍでの光透過率を、分光光度計（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製 型式８１１０ａ）を用いて第１基板側から測定した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射させ、初期化処理を行った。ここで、第１情報層の波長６６０ｎｍでの透過率を測定した。次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作製した。中間層の厚さは５５μｍとした。
この実施例５の第１情報層の初期化前の波長６６０ｎｍでの透過率は５６％、初期化後の透過率は５０％であった。
作製された光記録媒体について、レーザー波長が６６０ｎｍ、ＮＡが０．６５、線速が３．４９ｍ／ｓ、トラックピッチが０．７４μｍ、線密度が０．２６７μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、及び第２情報層のジッター、並びに１００回オーバーライト後の第１情報層、及び第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層ともに良好に記録再生を行うことができた。
（比較例１）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
実施例１において、熱拡散層としてＳｎＯ２及びＩｎ２Ｏ３とを焼結させたターゲット(Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２=９５：５)を用いた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作製された情報記録媒体について、レーザー波長が４０５ｎｍ、ＮＡが０．６５、線速が６．０ｍ／ｓ、トラックピッチが０．４３μｍ、線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、及び第２情報層のジッター、並びに１００回オーバーライト後の第１情報層、及び第２情報層のジッターを測定した。また、第２情報層のジッター値が９％以下となる記録パワー（Ｐｗ）も測定した。測定結果を表１に示す。
さらに、機械特性を測定したところ、ラジアルチルトが半径３５ｍｍの位置で２．０°を超え、実施例１〜６におけるラジアルチルトの値１．５未満と比較し大きな値となった。これは、ＳｎＯ２およびＩｎ２Ｏ３とを焼結させた誘電体材料の内部応力が大きいことを示すと考えられる。
（比較例２）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
実施例１において、熱拡散層としてＩｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）が０．５０となるＩｎ２Ｏ３とＴｉＯ２の混合物をターゲットとして用いた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作製した情報記録媒体について、実施例１と同様にして実験を行ったところ、ジッタ-値が９．３％と悪化し、さらに書き換え回数１００回でジッター値が１０％を超え、書き換え回数１０００回ではジッタ-値を測定することもできなかった。これは、熱拡散層の導電性が低下したことによって急冷効果が低下したものと予想し、膜厚１００ｎｍの単膜を製作して比抵抗を評価したところ一桁値が高かった。また、このときの第１情報層の透過率は５５％であった。
（比較例３）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
実施例１において、熱拡散層としてＩｎ／（Ｉｎ＋Ｚｒ）が０．５０となるＩｎ２Ｏ３とＺｒＯ２の混合物をターゲットとして用いた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作製した情報記録媒体について、実施例１と同様にして実験を行ったところ、ジッタ-値が９．８％と悪化し、さらに書き換え回数１００回でジッター値が１０％を超え、書き換え回数１０００回ではジッター値を測定することもできなかった。これは、熱拡散層の導電性が低下したことによって急冷効果が低下したものと予想し、膜厚１００ｎｍの単膜を製作して比抵抗を評価したところ一桁値が高かった。また、このときの第１情報層の透過率は５６％であった。
（比較例４）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
実施例１において、熱拡散層としてＩｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）が０．９５となるＩｎ２Ｏ３とＴｉＯ２の混合物をターゲットとして用いた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作製された情報記録媒体について、実施例１と同じ実験を行ったところ、初期ジッター値は７．６％と良好であったが、さらに書き換え回数１００回でジッター値が９％となり、書き換え回数１０００回ではジッター値を測定することもできなかった。これは、耐熱性が低下することによりオーバーライト特性が劣化した結果と予想した。また、このときの第１情報層の透過率は５２％であった。
（比較例５）
−２層相変化型情報記録媒体の作製−
実施例１において、熱拡散層としてＩｎ／（Ｉｎ＋Ｚｒ）が０．９５となるＩｎ２Ｏ３とＺｒＯ２の混合物をターゲットとして用いた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作製された情報記録媒体について、実施例１と同じ実験を行ったところ、初期ジッター値は７．６％と良好であったが、さらに書き換え回数１００回でジッター値が９％を超え、書き換え回数１０００回ではジッター値を測定することもできなかった。これは、耐熱性が低下することによりオーバーライト特性が劣化した結果と予想した。また、このときの第１情報層の透過率は５４％であった。
Figure 2005267779
 表１の結果から、本発明に係る実施例１〜３の２層相変化型情報記録媒体は、光透過率は５４％以上であり、１回記録後のジッター値は第１情報層、第２情報層ともに９％以下となり、光ディスクとして優れていることがわかった。また、第１記録層及び第２記録層ともに問題なく記録・再生することができた。
比較例１の２層相変化型情報記録媒体は、透過率は５０％であるが、第２情報層の記録パワーは１２ｍＷ以上必要となり、実施例１〜３よりも劣っていることがわかった。
本発明の多層相変化型情報記録媒体は、オーバーライト特性に優れ、青紫色レーザーを用いた場合でも片面多層記録が可能な大容量であり、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどに幅広く用いることができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る２層相変化型情報記録媒体の概略断面図である。 図２は、本発明の他の実施形態に係る２層相変化型情報記録媒体の概略断面図である。 図３は、第１基板及び第２基板にグルーブが設けられた２層相変化型情報記録媒体の概略断面図である。 図４は、第１基板及び中間層にグルーブが設けられた２層相変化型情報記録媒体の概略断面図である。 図５は、本発明に係る３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体を示す図である。 図６は、本発明に係る他の３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体を示す図である。
符号の説明
１ 第１情報層
２ 第２情報層
３ 第１基板
４ 中間層
５ 第２基板
６ 透明層
７ 第３情報層
１１ 第１下部保護層
１２ 第１記録層
１３ 第１上部保護層
１４ 第１反射層
１５ 第１熱拡散層
１６ 第１中間層
２１ 第２下部保護層
２２ 第２記録層
２３ 第２上部保護層
２４ 第２反射層
２６ 第２中間層

Claims (15)

  1. 光の入射により結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録する記録層を少なくとも有する情報層がＮ層（ただし、Ｎは２以上の整数を表す）設けられた多層相変化型情報記録媒体において、
    前記情報層が、光の入射側から、第１情報層、第２情報層、・・・第Ｎ情報層であるとき、第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層が、少なくとも下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、及び熱拡散層をこの順に積層してなり、該熱拡散層がインジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、更にチタン（Ｔｉ）及びジルコニア（Ｚｒ）の少なくともいずれかを含有することを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
  2. 熱拡散層におけるＩｎの全金属元素に対する原子比（Ｉｎ／全金属元素）が０．７５〜０．９である請求項１に記載の多層相変化型情報記録媒体。
  3. 熱拡散層が、Ｉｎ２Ｏ３と、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＳｎＯ２の少なくともいずれかを含むターゲットを用いたスパッタ法により成膜された請求項１から２のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  4. 熱拡散層の膜厚が１０〜２００ｎｍである請求項１から３のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  5. 熱拡散層を有する情報層の記録層がＳｂ及びＴｅを含み、更にＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ及びＰから選択される少なくとも１種を含有する請求項１から４のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  6. 記録層の膜厚が３〜１５ｎｍである請求項１から５のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  7. 熱拡散層を有する情報層の反射層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ及びＴａから選択される少なくとも１種を含有する請求項１から６のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  8. 反射層の膜厚が３〜２０ｎｍである請求項１から７のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  9. 下部保護層及び上部保護層がＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を含有する請求項１から８のいずれかに記載の相変化型光記録媒体。
  10. 第１基板と第２基板との間に、第１情報層及び第２情報層を中間層を介して設けてなり、記録・再生のための光が入射される側から、前記第１情報層として少なくとも第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、及び第１熱拡散層をこの順に積層し、前記第２情報層として少なくとも第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、及び第２反射層をこの順に積層してなる請求項１から９のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  11. 第１情報層の光透過率が、波長３５０〜７００ｎｍの光に対し４０〜７０％である請求項１０に記載の多層相変化型情報記録媒体。
  12. 第１基板と第１下部保護層との間に透明層を設けた請求項１０から１１のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  13. 第１上部保護層と第１反射層との間、及び第２上部保護層と第２反射層との間の少なくともいずれかにバリア層を設けた請求項１０から１２のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  14. 第１基板の厚みが１０〜６００μｍである請求項１０から１３のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
  15. 請求項１から１４のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体における各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜７００ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録・再生を行うことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法。
JP2004080324A 2004-03-19 2004-03-19 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 Expired - Fee Related JP4136980B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004080324A JP4136980B2 (ja) 2004-03-19 2004-03-19 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法
US11/083,298 US7601481B2 (en) 2004-03-19 2005-03-17 Multilayer phase-change information recording medium, and method for recording and reproducing using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004080324A JP4136980B2 (ja) 2004-03-19 2004-03-19 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005267779A true JP2005267779A (ja) 2005-09-29
JP4136980B2 JP4136980B2 (ja) 2008-08-20

Family

ID=34986155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004080324A Expired - Fee Related JP4136980B2 (ja) 2004-03-19 2004-03-19 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7601481B2 (ja)
JP (1) JP4136980B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009031670A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Mitsubishi Materials Corporation ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010186516A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Sony Corp 光記録媒体
JP4970550B2 (ja) * 2007-12-18 2012-07-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 酸化チタンを主成分とする薄膜、酸化チタンを主成分とする薄膜の製造に適した焼結体スパッタリングターゲット及び酸化チタンを主成分とする薄膜の製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0639642U (ja) * 1992-10-31 1994-05-27 西川ゴム工業株式会社 前ドアガラス曇り止め構造
TWI252486B (en) * 2004-03-25 2006-04-01 Prodisc Technology Inc Optical information storage medium and method for manufacturing thereof
JP2007095235A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Victor Co Of Japan Ltd 光記録媒体
US8675464B2 (en) * 2005-11-03 2014-03-18 Cinram Group, Inc. Dual sided optical storage media and method for making same
US8224018B2 (en) 2006-01-23 2012-07-17 Digimarc Corporation Sensing data from physical objects
JP5394071B2 (ja) * 2006-01-23 2014-01-22 ディジマーク コーポレイション 物理的な物品で有用な方法
JP4871062B2 (ja) * 2006-03-01 2012-02-08 株式会社リコー スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに追記型光記録媒体
KR100856326B1 (ko) * 2006-07-19 2008-09-03 삼성전기주식회사 레이저 리프트 오프를 이용한 유전체 박막을 갖는 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 제조방법, 및 이로부터 제조된 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판
US8215553B2 (en) * 2006-11-15 2012-07-10 Digimarc Corporation Physical credentials and related methods
US20080170485A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-17 Tdk Corporation Optical recording medium
US20080170484A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-17 Tdk Corporation Optical recording medium
CN102171381A (zh) * 2008-09-12 2011-08-31 布莱阿姆青年大学 包含了注入的氧合气体的膜及其制备方法
BRPI0918786A2 (pt) * 2008-09-12 2015-12-01 Univ Brigham Young meios de armazenamento de dados contendo camadas de carbono e metal
JP5485091B2 (ja) * 2010-09-16 2014-05-07 ソニー株式会社 光記録媒体
CN109904311B (zh) * 2017-12-08 2022-12-23 江苏理工学院 一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3207230B2 (ja) * 1992-01-08 2001-09-10 株式会社リコー 相変化型情報記録媒体
JP3313246B2 (ja) 1994-08-08 2002-08-12 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体
JP2702905B2 (ja) 1994-12-28 1998-01-26 松下電器産業株式会社 光ディスク
US5736657A (en) * 1995-03-31 1998-04-07 Ricoh Company, Ltd. Sputtering target
JP3525197B2 (ja) * 1996-02-27 2004-05-10 株式会社リコー 相変化型光記録媒体
JPH1049916A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Hitachi Ltd 情報記録媒体および情報メモリー装置
DE69841753D1 (de) * 1997-04-09 2010-08-12 Ricoh Kk Spurführungregelverfahren
US6096398A (en) * 1997-11-28 2000-08-01 Ricoh Company, Ltd. Phase-change optical recording medium
US6426936B1 (en) * 1998-01-27 2002-07-30 Ricoh Company, Ltd. Phase-change medium usable in phase-difference tracking
JP3853543B2 (ja) 1998-08-05 2006-12-06 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体とその製造方法、その記録再生方法および記録再生装置
JP2000222777A (ja) 1998-11-25 2000-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録媒体
JP2001209981A (ja) * 1999-02-09 2001-08-03 Ricoh Co Ltd 光ディスク基板成膜装置、光ディスク基板成膜方法、基板ホルダーの製造方法、基板ホルダー、光ディスクおよび相変化記録型光ディスク
JP4339999B2 (ja) 1999-12-20 2009-10-07 パナソニック株式会社 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置
JP2001355065A (ja) * 2000-06-13 2001-12-25 Mitsubishi Materials Corp 直流スパッタ条件下で優れた耐割損性を発揮する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
US6652948B2 (en) * 2000-12-21 2003-11-25 Ricoh Company, Ltd. Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium
US6846611B2 (en) * 2001-02-28 2005-01-25 Ricoh Company, Ltd. Phase-change optical recording medium
JP3639218B2 (ja) 2001-03-30 2005-04-20 株式会社東芝 相変化光記録媒体
EP1249834B1 (en) * 2001-04-12 2012-09-12 Ricoh Company, Ltd. Information recording with effective pulse control scheme
US7042830B2 (en) * 2001-07-09 2006-05-09 Ricoh Company, Ltd. Phase-change optical information recording medium, and optical information recording and reproducing apparatus and method for the same
US7241549B2 (en) * 2001-09-18 2007-07-10 Ricoh Company, Ltd. Information recording medium
JP2003242687A (ja) 2002-02-13 2003-08-29 Ricoh Co Ltd 多層相変化型情報記録媒体
JP4198918B2 (ja) * 2002-02-14 2008-12-17 日鉱金属株式会社 硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットの製造方法
ES2252567T3 (es) * 2002-03-22 2006-05-16 Ricoh Company, Ltd. Soporte optico de grabacion y procedimiento de grabacion optica que lo utiliza.
US7260053B2 (en) * 2002-04-02 2007-08-21 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium, process for manufacturing the same, sputtering target for manufacturing the same, and optical recording process using the same
JP2004005938A (ja) 2002-04-19 2004-01-08 Ricoh Co Ltd ２層構成型光記録媒体
JP2004030843A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Pioneer Electronic Corp 情報記録再生媒体
JP4082572B2 (ja) 2002-07-01 2008-04-30 株式会社リコー 多層相変化型情報記録媒体
JP2004047034A (ja) 2002-07-16 2004-02-12 Ricoh Co Ltd 多層相変化型情報記録媒体およびそれを用いた情報の記録再生方法
JP4071060B2 (ja) 2002-07-16 2008-04-02 株式会社リコー 多層相変化型情報記録媒体とそれを用いた情報の記録再生方法
JP2004071079A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Hitachi Ltd 情報記録媒体
JP4249590B2 (ja) * 2002-11-18 2009-04-02 株式会社リコー 光情報記録媒体およびその製造方法
JP3977740B2 (ja) * 2002-12-27 2007-09-19 株式会社リコー 相変化型光記録媒体とその記録方法
TW200534235A (en) * 2004-03-10 2005-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Information recording medium and method for manufacturing the same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009031670A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Mitsubishi Materials Corporation ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2009062585A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Mitsubishi Materials Corp 耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
US8466077B2 (en) 2007-09-06 2013-06-18 Mitsubishi Material Corporation Sputtering target for forming ZrO2-In2O3 based protective film for optical storage medium
JP4970550B2 (ja) * 2007-12-18 2012-07-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 酸化チタンを主成分とする薄膜、酸化チタンを主成分とする薄膜の製造に適した焼結体スパッタリングターゲット及び酸化チタンを主成分とする薄膜の製造方法
JP2010186516A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Sony Corp 光記録媒体
JP4702461B2 (ja) * 2009-02-12 2011-06-15 ソニー株式会社 光記録媒体
US8283014B2 (en) 2009-02-12 2012-10-09 Sony Corporation Optical recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
US7601481B2 (en) 2009-10-13
JP4136980B2 (ja) 2008-08-20
US20050207331A1 (en) 2005-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7601481B2 (en) Multilayer phase-change information recording medium, and method for recording and reproducing using the same
WO2005029482A1 (ja) ２層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法
JP3679107B2 (ja) ２層相変化型情報記録媒体とその記録方法
JP4125566B2 (ja) 多層相変化型光情報記録媒体及びその記録再生方法
JP4331657B2 (ja) 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法
JP2003045085A (ja) 多層相変化型情報記録媒体
JP4397838B2 (ja) 多層相変化型光記録媒体
JP4071060B2 (ja) 多層相変化型情報記録媒体とそれを用いた情報の記録再生方法
JP5298623B2 (ja) 追記型光記録媒体
JP4216178B2 (ja) 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法
JP4086689B2 (ja) 光学的情報記録媒体とその製造方法
JP4350326B2 (ja) 多層相変化型光記録媒体
JP2004047034A (ja) 多層相変化型情報記録媒体およびそれを用いた情報の記録再生方法
KR20080033528A (ko) 다층 광 기록 매체 및 광 기록 방법
JP4082572B2 (ja) 多層相変化型情報記録媒体
JP2008090964A (ja) 追記型２層構成光記録媒体
JP2003335064A (ja) 相変化型光情報記録媒体
JP4322719B2 (ja) 光情報記録媒体及びその製造方法とスパッタリングターゲット
JP4533276B2 (ja) ２層相変化型情報記録媒体
JP2004259382A (ja) 多層相変化型情報記録媒体およびその記録再生方法
JP2004110911A (ja) ２層相変化型情報記録媒体およびその製造方法
JP2006107579A (ja) 多層相変化型情報記録媒体とその初期化装置、初期化方法、記録再生方法及び記録再生装置
JP2006085831A (ja) 相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法
JP2004185744A (ja) 多層相変化型情報記録媒体およびその製造方法
JP2007118557A (ja) 多層相変化型光記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051205

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060223

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20060428

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees