JP2014216038A - 光記録媒体 - Google Patents

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Abstract

【課題】良好な記録特性を有し、かつ、欠陥の発生を抑制できる光記録媒体を提供する。【解決手段】光記録媒体は、反射層と、２層の誘電体層と、相変化記録層とを含む記録層を含んでいる。２層の誘電体層のうち相変化記録層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含んでいる。２層の誘電体層のうち反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる。【選択図】図１

Description

本技術は、相変化記録層を含む光記録媒体に関する。
近年では、光記録媒体においては、記録容量をさらに増大させるために、記録層を多層化する技術が広く採用されている。このような多層化技術について、再生専用型、追記型、および書換型の各種光記録媒体でそれぞれ検討が進められている。
書換型の多層光記録媒体としては、基板上に、第１記録層（Ｌ０層）、中間層、第２記録層（Ｌ１層）、光透過層がこの順序で積層された２層構造の記録層を有するものが提案されている。この２層構造の光記録媒体では、第２記録層としては、第１記録層の記録再生に用いられるレーザー光を透過可能な記録層（以下「半透過記録層」と適宜称する。）が用いられる。
第２記録層は、記録再生性能が発揮できるように誘電体、金属、相変化記録材料などを積層して構成される。典型的には、基板上に、第１誘電体層、金属反射層、第２誘電体層、相変化記録層、第３誘電体層をこの順序で積層した構造を有している（例えば特許文献１参照）。
国際公開第２００８／０１８２２５号
本技術の目的は、良好な記録特性を有し、かつ、欠陥の発生を抑制できる光記録媒体を提供することにある。
上述の課題を解決するために、第１の技術は、
反射層と、２層の誘電体層と、相変化記録層とを含む記録層を含み、
２層の誘電体層のうち相変化記録層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含み、
２層の誘電体層のうち反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる光記録媒体である。
第２の技術は、
第１誘電体層と、反射層と、第２誘電体層と、相変化記録層と、第３誘電体層とを含む記録層を含み、
第２誘電体層は、２層の誘電体層を含み、
２層の誘電体層のうち相変化記録層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含み、
２層の誘電体層のうち反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる光記録媒体である。
本技術において、記録層は基板上に設けられ、その記録層上にカバー層が設けられていることが好ましい。このカバー層の厚さは特に限定されるものではなく、カバー層には、基板、シート、コーティング層などが含まれる。高密度の光記録媒体としては、高ＮＡの対物レンズを用いることを考慮すると、カバー層としてシートまたはコーティング層などの薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録または再生が行われる構成を有するものが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、光記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。
光記録媒体は、複数の記録層を有し、それらの記録層のうちの少なくとも一層が上記構成の記録層であることが好ましい。
本技術において、上記構成の記録層は、透過型記録層であることが好ましい。透過型記録層とは、この透過型記録層よりも光照射面から見て奥側の記録層の記録または再生が可能なように、情報信号の記録または再生を行うための光を透過可能に構成されている記録層のことをいう。ここで、光照射面とは、光記録媒体の面のうち、情報信号の記録または再生を行うための光が照射される面を意味する。したがって、記録層が透過型記録層である場合には、その記録層は、情報信号の記録または再生を行うための光が照射される照射面から見て、最も奥側となる記録層よりも手前側に設けられる。
２層の誘電体層のうち記録層側となる誘電体層は、透過率向上の観点からすると、酸化タンタルを含んでいることが好ましい。この構成を有する透過型記録層は、特に３層以上の多層の光記録媒体に適用することが好ましい。これにより、良好な光学特性や記録特性などが得られる。
本技術では、２層の誘電体層のうち相変化記録層側となる誘電体層が、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含んでいるので、相変化記録層に良好な結晶化促進作用を与えることができる。また、２層の誘電体層のうち反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいるので、欠陥の発生を抑制できる。
以上説明したように、本技術によれば、良好な記録特性を有し、かつ、欠陥の発生を抑制できる光記録媒体を提供できる。
図１Ａは、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の外観の一例を示す斜視図である。図１Ｂは、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の構成の一例を示す概略断面図である。 図２Ａは、図１Ｂに示した記録層Ｌ０の構成の一例を示す概略図である。図２Ｂは、図１Ｂに示した記録層Ｌ１の構成の一例を示す概略図である。図２Ｃは、図１Ｂに示した記録層Ｌ２の構成の一例を示す概略図である。 図３は、参考例１−１〜１−３の光記録媒体の記録層のＤＯＷ特性の評価結果を示す図である。 図４Ａは、参考例２−１〜２−３の光記録媒体のＤＯＷ特性の評価結果を示す図である。図４Ｂは、参考例２−１〜２−３の光記録媒体のｉ−ＭＬＳＥおよび変調度の記録パワー依存性を示す図である。 図５は、参考例２−４〜２−７の光記録媒体のＤＯＷ特性の評価結果を示す図である。 図６Ａは、実施例２−１〜２−４の光記録媒体１０のＤＯＷ特性の評価結果を示す図である。図６Ｂは、実施例２−１〜２−４のＤＯＷ（１０００）のｉ−ＭＬＳＥおよびΔｉＭＬＳＥの評価結果を示す図である。 図７Ａは、実施例２−５の光記録媒体のＤＯＷ特性の評価結果を示す図である。図７Ｂは、実施例２−６の光記録媒体のＤＯＷ特性の評価結果を示す図である。 図８Ａは、実施例３−１〜３−５の光記録媒体のＤＯＷ特性の評価結果を示す図である。図８Ｂは、実施例３−１〜３−５の光記録媒体１０のＤＯＷ（１０００）のｉ−ＭＬＳＥおよびΔｉＭＬＳＥの評価結果を示す図である。 図９は、実施例５−１〜５−３の光記録媒体のｉ−ＭＬＳＥおよび変調度の記録パワー依存性を示す図である。
本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１ 概要
２ 光記録媒体の構成
３ 光記録媒体の製造方法
［１ 概要］
半透過反射層、誘電体層および相変化記録層の積層膜を透過型記録層に含む光記録媒体では、透過型記録層（半透過記録層）に良好な記録特性を与えるには、誘電体層の材料選択が重要となる。相変化記録層と接する誘電体層の材料としては、相変化記録層に結晶化促進作用を与える酸化物材料が用いられる。本発明者らの知見によれば、このような酸化物材料としては、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを用いることが好ましい。
本発明者らが実験により得た知見によれば、上述の酸化物材料をスパッタリング法などで成膜する際に、成膜ガスに酸素を添加すると、相変化記録層の結晶化促進性能をより高め、記録特性（例えばパワーマージンやＤＯＷ（Direct Over Write）特性など）を改善することができる。
しかし、上述のように成膜ガスに酸素を添加してスパッタリング法などで誘電体層を成膜すると、この誘電体層と接する半透過反射層（例えばＡｇ合金層）の特に外周部で変質が発生し、光記録媒体の全面にわたって良好な記録特性を得ることができなくなる。
そこで、本発明者らは、相変化記録層に優れた結晶化促進性能を与え、かつ、光記録媒体の全面にわたって良好な記録特性を得ることができる技術について検討した。その結果、半透過反射層に接する誘電体層を２層化し、半透過反射層側となる下側誘電体層を成膜する際には、成膜ガスに酸素を添加しないのに対して、相変化記録層側となる上側誘電体層を成膜する際には、成膜ガスに酸素を添加する技術を見出すに至った。
しかし、本発明者らが、上述のように誘電体層を２層化した光記録媒体に対して信頼性試験を実施して、光記録媒体の特性について検討したところ、以下のことを見出すに至った。すなわち、下側誘電体層の材料として、インジウム酸化物およびスズ酸化物の複合酸化物（ＩＴＯ）、または窒化シリコン（ＳｉＮ）を選択すると、透過型記録層に欠陥が発生することを見出すに至った。
そこで、本発明者らは、このような欠陥の発生を抑制すべく、鋭意検討を行った。その結果、下側誘電体層の材料として、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を用いることで、欠陥の発生を抑制できることを見出すに至った。
［２ 光記録媒体の構成］
図１Ａに示すように、本技術の一実施形態に係る光記録媒体１０は、中央に開口（以下センターホールと称する）が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体１０の形状はこの例に限定されるものではなく、カード状などとすることも可能である。
図１Ｂに示すように、光記録媒体１０は、記録層Ｌ０、中間層Ｓ１、記録層Ｌ１、中間層Ｓ２、記録層Ｌ２、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１の一主面に積層された構成を有する。光記録媒体１０は、データの消去や書換が可能である３層の書換型光記録媒体である。
光記録媒体１０では、光透過層１２側の表面Ｃからレーザー光を各記録層Ｌ０〜Ｌ２に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザー光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層１２の側から各記録層Ｌ０〜Ｌ２に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光記録媒体１０としては、例えば３層のＢＤ−ＲＥ（Blu-ray Disk ReWritable）が挙げられる。以下では、記録層Ｌ０〜Ｌ２に情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される表面Ｃを光照射面Ｃという。
以下、光記録媒体１０を構成する基板１１、記録層Ｌ０〜Ｌ２、中間層Ｓ１、Ｓ２、および光透過層１２について順次説明する。
（基板１１）
基板１１は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板１１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に記録層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、線速度の安定化やアドレス情報付加などのためにウォブル（蛇行）されている。
基板１１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センターホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
基板１１の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。
（記録層Ｌ０）
図２Ａに示すように、記録層Ｌ０は、例えば、反射層２１、第１誘電体層２２、相変化記録層２３、第２誘電体層２４をこの順序で基板１１上に積層した積層膜である。第１誘電体層２２は、下側誘電体層２２ａおよび上側誘電体層２２ｂを積層した２層構造を有する。下側誘電体層２２ａが反射層２１の側に設けられ、上側誘電体層２２ｂが相変化記録層２３の側に設けられる。第２誘電体層２４は、下側誘電体層２４ａおよび上側誘電体層２４ｂを積層した２層構造を有する。下側誘電体層２４ａが相変化記録層２３の側に設けられ、上側誘電体層２４ｂが中間層Ｓ１の側に設けられる。
反射層２１を構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらの合金を主成分とするものを挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂなどが好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、短波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系の材料を用いることが好ましい。
下側誘電体層２２ａ、上側誘電体層２２ｂ、下側誘電体層２４ａおよび上側誘電体層２４ｂは、相変化記録層２３を保護するとともに、光学的特性および熱的安定性などを制御する層である。これらの誘電体層２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂを構成する誘電体材料としては、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含むものが挙げられる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、およびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＩＺ）、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＣＺ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＣｅＯ2（ＩＣＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3（ＩＧＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3−ＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、Ｓｎ2Ｏ3−Ｔａ2Ｏ5（ＴＴＯ）、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3−ＢａＯなどが挙げられる。
相変化記録層２３は、例えば、レーザー光の照射により情報信号を繰り返し記録可能な記録層である。具体的には、相変化記録層２３は、例えば、レーザー光の照射により非晶質相と結晶相との間を可逆的に変化させることにより、情報信号の記録および書き換えが行われる記録層である。この相変化記録層２３の材料としては、例えば、共晶系相変化材料または化合物系相変化材料を用いることができる。具体的には、相変化材料としては、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ＳｂＴｅ、ＢｉＧｅＴｅ、ＢｉＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅまたはＧｅＳｎＳｂＴｅなどを主成分とした相変化材料が挙げられる。これらを主成分とした相変化材料に、必要に応じて、Ａｇ、Ｉｎ、ＣｒおよびＭｎなどの金属材料を１種以上添加するようにしてもよい。
（記録層Ｌ１）
図２Ｂに示すように、記録層Ｌ１は、透過型記録層の一例であり、例えば、第１誘電体層３１、半透過反射層３２、第２誘電体層３３、相変化記録層３４、第３誘電体層３５をこの順序で中間層Ｓ１上に積層した積層膜である。
第２誘電体層３３は、下側誘電体層３３ａおよび上側誘電体層３３ｂを積層した２層構造を有する。下側誘電体層３３ａが半透過反射層３２の側に設けられ、上側誘電体層３３ｂが相変化記録層３４の側に設けられる。
第３誘電体層３５は、例えば、下側誘電体層３５ａ、中間誘電体層３５ｂおよび上側誘電体層３５ｃを積層した３層構造を有する。下側誘電体層３５ａが相変化記録層３４の側に設けられ、上側誘電体層３５ｃが中間層Ｓ２の側に設けられ、下側誘電体層３５ａと上側誘電体層３５ｃとの間に中間誘電体層３５ｂが設けられる。
第１誘電体層３１は、半透過反射層３２を保護する層である。第１誘電体層３１を構成する誘電体材料としては、上述の下側誘電体層２２ａなどと同様の材料を例示することができる。
半透過反射層３２は、情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光を透過可能に構成されている。具体的には、半透過反射層３２は、レーザー光を用いて、この半透過反射層３２を含む記録層Ｌ１よりも光照射面Ｃから見て奥側の記録層Ｌ０に対して情報信号の記録、もしくはその記録層Ｌ０からの情報信号の再生が可能な程度の透過率を有している。
相変化記録層３４は、上述の相変化記録層２３と同様である。但し、相変化記録層３４の膜厚や組成などは、所望とする特性に応じて、上述の相変化記録層２３とは異なるものを選ぶようにしてもよい。
相変化記録層３４がビスマス、ゲルマニウム、テルルおよび銀を含む場合には、ビスマス、ゲルマニウム、テルルおよび銀の総量に対する銀の含有量は、２．０at.％以上３．５at.％以下の範囲内であることが好ましい。銀の含有量が２．０at.％以上であると、良好な保存信頼性を得ることができる。一方、銀の含有量が３．５at.％以下であると、良好な記録特性を得ることができる。
下側誘電体層３３ａ、上側誘電体層３３ｂ、下側誘電体層３５ａ、中間誘電体層３５ｂおよび上側誘電体層３５ｃは、相変化記録層３４を保護するとともに、光学的特性および熱的安定性などを制御する層である。
下側誘電体層３３ａは、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる。これにより、欠陥の発生を抑制できる。
下側誘電体層３３ａの材料としては、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物を用いる場合には、シリコン、インジウムおよびジルコニウムの総量に対するインジウムの含有量は、６６．７at.％（atomic％（原子％））以上９４．７at.％以下の範囲内であることが好ましく、例えば８２at.％程度に選ばれる。インジウムの含有量がこの範囲内であると、良好な記録特性を得ることができる。
下側誘電体層３３ａの厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。下側誘電体層３３ａの厚さが３ｎｍ以上であると、良好な記録特性を得ることができる。一方、下側誘電体層３３ａの厚さが２０ｎｍ以下であると、生産性（タクト）の低下や材料コストの増加などを抑制することができる。
上側誘電体層３３ｂは、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含んでいる。これらの誘電体材料を含んでいることで、良好な結晶化促進性能を得ることができる。透過率向上の観点からすると、これらの誘電体材料のうちでも、酸化タンタルを含んでいることが好ましい。
下側誘電体層３５ａ、中間誘電体層３５ｂおよび上側誘電体層３５ｃを構成する誘電体材料としては、上述の下側誘電体層２２ａなどと同様の材料を例示することができる。
下側誘電体層３５ａの材料としては、酸化シリコン、酸化クロムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物を用いることが好ましい。良好な記録特性を得ることができるからである。
（記録層Ｌ２）
図２Ｃに示すように、記録層Ｌ２は、透過型記録層の一例であり、例えば、第１誘電体層４１、半透過反射層４２、第２誘電体層４３、相変化記録層４４、第３誘電体層４５をこの順序で中間層Ｓ２上に積層した積層膜である。
第２誘電体層４３は、下側誘電体層４３ａおよび上側誘電体層４３ｂを積層した２層構造を有する。下側誘電体層４３ａが半透過反射層４２の側に設けられ、上側誘電体層４３ｂが相変化記録層４４の側に設けられる。
第３誘電体層４５は、例えば、下側誘電体層４５ａ、中間誘電体層４５ｂおよび上側誘電体層４５ｃを積層した３層構造を有する。下側誘電体層４５ａが相変化記録層４４の側に設けられ、上側誘電体層４５ｃが光透過層１２の側に設けられ、下側誘電体層４５ａと上側誘電体層４５ｃとの間に中間誘電体層４５ｂが設けられる。
第１誘電体層４１は、半透過反射層４２を保護する層である。第１誘電体層４１を構成する誘電体材料としては、上述の下側誘電体層２２ａなどと同様の材料を例示することができる。
半透過反射層４２は、情報信号の記録または再生を行うためのレーザー光を透過可能に構成されている。具体的には、半透過反射層４２は、レーザー光を用いて、この半透過反射層４２を含む記録層Ｌ２よりも光照射面Ｃから見て奥側の記録層Ｌ０、Ｌ１に対して情報信号の記録、もしくはそれらの記録層Ｌ０、Ｌ１からの情報信号の再生が可能な程度の透過率を有している。
相変化記録層４４は、上述の相変化記録層３４と同様である。但し、相変化記録層４４の膜厚や組成などは、所望とする特性に応じて、上述の相変化記録層３４とは異なるものを選ぶようにしてもよい。
下側誘電体層４３ａ、上側誘電体層４３ｂ、下側誘電体層４５ａ、中間誘電体層４５ｂおよび上側誘電体層４５ｃは、相変化記録層４４を保護するとともに、光学的特性および熱的安定性などを制御する層である。
下側誘電体層４３ａは、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる。これにより、欠陥の発生を抑制できる。
下側誘電体層４３ａの材料としては、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物を用いる場合には、シリコン、インジウムおよびジルコニウムの総量に対するインジウムの含有量は、６６．７at.％以上９４．７at.％以下の範囲内であることが好ましく、例えば８２at.％程度に選ばれる。インジウムの含有量がこの範囲内であると、良好な記録特性を得ることができる。
下側誘電体層４３ａの厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。下側誘電体層４３ａの厚さが３ｎｍ以上であると、良好な記録特性を得ることができる。一方、下側誘電体層４３ａの厚さが２０ｎｍ以下であると、生産性（タクト）の低下や材料コストの増加などを抑制することができる。
上側誘電体層４３ｂは、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含んでいる。これらの誘電体材料を含んでいることで、良好な結晶化促進性能を得ることができる。透過率向上の観点からすると、これらの誘電体材料のうちでも、酸化タンタルを含んでいることが好ましい。
下側誘電体層４５ａ、中間誘電体層４５ｂおよび上側誘電体層４５ｃを構成する誘電体材料としては、上述の下側誘電体層２２ａなどと同様の材料を例示することができる。
下側誘電体層４５ａの材料としては、酸化シリコン、酸化クロム、および酸化ジルコニウムの複合酸化物を用いることが好ましい。良好な記録特性を得ることができるからである。
（中間層Ｓ１、Ｓ２）
中間層Ｓ１、Ｓ２は、記録層Ｌ０〜Ｌ２を物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のグルーブ（イングルーブＧinおよびオングルーブＧon）を形成している。中間層Ｓ１、Ｓ２の厚みは、９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましい。中間層Ｓ１、Ｓ２の材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、中間層Ｓ１、Ｓ２は、奥側の層への情報信号の記録または再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
（光透過層１２）
光透過層１２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層１２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。
光透過層１２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層１２と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
（ハードコート層）
なお、図示しないが、光透過層１２の表面（レーザー照射面）に、例えば機械的な衝撃や傷に対する保護、また利用者の取り扱い時の塵埃や指紋の付着などから、情報信号の記録再生品質を保護するためのハードコート層をさらに設けてもよい。ハードコート層には、機械的強度を向上させるためにシリカゲルの微粉末を混入したものや、溶剤タイプ、無溶剤タイプなどの紫外線硬化樹脂を用いることができる。機械的強度を有し、撥水性や撥油性を持たせるには、厚さを１μｍから数μｍ程度とすることが好ましい。
［３ 光記録媒体の製造方法］
次に、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
（基板１１の成形工程）
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１１を成形する。基板１１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
（記録層Ｌ０の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、反射層２１、下側誘電体層２２ａ、上側誘電体層２２ｂ、相変化記録層２３、下側誘電体層２４ａ、上側誘電体層２４ｂをこの順序で基板１１上に積層する。これにより、記録層Ｌ０が基板１１上に形成される。
（中間層Ｓ１の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を記録層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ１が記録層Ｌ０上に形成される。
（記録層Ｌ１の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、第１誘電体層３１、半透過反射層３２、下側誘電体層３３ａ、上側誘電体層３３ｂ、相変化記録層３４、下側誘電体層３５ａ、中間誘電体層３５ｂ、上側誘電体層３５ｃをこの順序で中間層Ｓ１上に積層する。これにより、記録層Ｌ１が中間層Ｓ１上に形成される。
下側誘電体層３３ａおよび上側誘電体層３３ｂは、以下のようにして成膜することが好ましい。まず、Ａｒガスなどの希ガスをプロセスガスとして導入しながら、ターゲットをスパッタして、半透過反射層３２上に下側誘電体層３３ａを成膜する。次に、Ａｒガスなどの希ガスと酸素ガスとをプロセスガスとして導入しながら、ターゲットをスパッタして、下側誘電体層３３ａ上に上側誘電体層３３ｂを成膜する。このように成膜することで、記録層Ｌ１の全面にわたって良好な記録特性を得ることができる。
（中間層Ｓ２の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を記録層Ｌ１上に均一に塗布する。その後、均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ２が記録層Ｌ１上に形成される。
（記録層Ｌ１の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、第１誘電体層４１、半透過反射層４２、下側誘電体層４３ａ、上側誘電体層４３ｂ、相変化記録層４４、下側誘電体層４５ａ、中間誘電体層４５ｂ、上側誘電体層４５ｃをこの順序で中間層Ｓ２上に積層する。これにより、記録層Ｌ２が中間層Ｓ２上に形成される。
下側誘電体層４３ａおよび上側誘電体層４３ｂは、上述の下側誘電体層３３ａおよび上側誘電体層３３ｂと同様にして成膜することが好ましい。このように成膜することで、記録層Ｌ２の全面にわたって良好な記録特性を得ることができる。
（光透過層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を記録層Ｌ２上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、記録層Ｌ２上に光透過層１２が形成される。
以上の工程により、目的とする光記録媒体１０が得られる。
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の実施例においては、上述の実施形態と対応する部分には同一の符号を付す（図１Ｂ、図２Ａ〜図２Ｃ参照）。
以下に、本実施例における表記について説明する。
（ＳｉＯ2）x1−（Ｉｎ2Ｏ3）y1−（ＺｒＯ2）z1の下付の添え字ｘ１、ｙ１、ｚ１は、mol％（但し、ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１００［mol％］）を意味する。
（ＺｎＳ）x2−（ＳｉＯ2）y2の下付の添え字ｘ２、ｙ２は、mol％（但し、ｘ２＋ｙ２＝１００［mol％］）を意味する。
Ｇｅx3−Ｓｂy3−Ｔｅz3の下付の添え字ｘ３、ｙ３、ｚ３は、at.％（但し、ｘ３＋ｙ３＋ｚ３＝１００［at.％］）を意味する。
Ｂｉx4−Ｇｅy4−Ｔｅz4の下付の添え字ｘ４、ｙ４、ｚ４は、at.％（但し、ｘ４＋ｙ４＋ｚ４＝１００［at.％］）を意味する。
Ｂｉx5−Ｇｅy5−Ｔｅz5−Ａｇw5の添え字ｘ５、ｙ５、ｚ５、ｗ５は、at.％（但し、ｘ５＋ｙ５＋ｚ５＋ｗ５＝１００［at.％］）を意味する。
ＤＯＷ（ｎ）は、光記録媒体１０に対してDirect Over Writeをｎ回行ったことを意味する。
本実施例について以下の順序で説明する。
Ｉ．第２誘電体層の材料とＤＯＷ特性との関係
II．酸素含有のプロセスガスを用いることによる信号特性の向上
III．記録信号品質および保存信頼性のＡｇ添加量依存性
IV．第２誘電体層の下側誘電体層の組成
Ｖ．第２誘電体層の下側誘電体層の膜厚
VI．第２誘電体層の下側誘電体層の組成と保存信頼性との関係
VII．第２誘電体層の上側誘電体層の組成と信号特性との関係
＜Ｉ．第２誘電体層の材料とＤＯＷ特性との関係＞
（参考例１−１〜１−３）
（基板１１の成形工程）
まず、直径φ１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ、トラックピッチ０．３２μｍの溝を有するポリカーボネート基板１１を形成した。
（記録層Ｌ０の形成工程）
次に、スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する反射層２１、下側誘電体層２２ａ、上側誘電体層２２ｂ、相変化記録層２３、下側誘電体層２４ａ、上側誘電体層２４ｂをポリカーボネート基板１１上に順次積層した。これにより、記録層Ｌ０が基板上に形成された。
上側誘電体層２４ｂ：ＳｉＮ、６０ｎｍ
下側誘電体層２４ａ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、１８ｎｍ
相変化記録層２３：Ｇｅ5.5−Ｓｂ74.4−Ｔｅ20.1、９ｎｍ
上側誘電体層２２ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、１１．５ｎｍ
下側誘電体層２２ａ：ＳｉＮ、３ｎｍ
反射層２１：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、８０ｎｍ
（中間層Ｓ１の形成工程）
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を記録層Ｌ０上に均一に塗布した。その後、均一に塗布した紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、厚さ２５μｍ、トラックピッチ０．３２μｍの溝を有する中間層Ｓ１が形成された。
（記録層Ｌ１の形成工程）
次に、スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する誘電体層３１、半透過反射層３２、誘電体層３３、相変化記録層３４、下側誘電体層３５ａ、中間誘電体層３５ｂ、上側誘電体層３５ｃを中間層Ｓ１上に順次積層した。これにより、記録層Ｌ１が中間層Ｓ１上に形成された。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ ３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：Ｂｉ5.0−Ｇｅ42.5−Ｔｅ50.0、６．５ｎｍ
誘電体層３３：表１に示すようにサンプル毎に組成を変更した単層構造の誘電体層、６ｎｍ
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１１ｎｍ
表１は、参考例１−１〜１−３の光記録媒体１０の記録層Ｌ１の誘電体層３３の組成および膜厚を示す。
Figure 2014216038
（中間層Ｓ２の形成工程）
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を記録層Ｌ１上に均一に塗布した。その後、均一に塗布した紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、厚さ１８μｍ、トラックピッチ０．３２μｍの溝を有する中間層Ｓ２が形成された。
（記録層Ｌ２の形成工程）
次に、スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する誘電体層４１、半透過反射層４２、下側誘電体層４３ａ、上側誘電体層４３ｂ、相変化記録層４４、下側誘電体層４５ａ、中間誘電体層４５ｂ、上側誘電体層４５ｃを中間層Ｓ２上に順次積層した。これにより、記録層Ｌ２が中間層Ｓ２上に形成された。
上側誘電体層４５ｃ：ＳｉＮ、１８ｎｍ
中間誘電体層４５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２２ｎｍ
下側誘電体層４５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層４４：Ｂｉ5.05−Ｇｅ42.94−Ｔｅ50.51−Ａｇ1.5、６．５ｎｍ
上側誘電体層４３ｂ：（ＳｉＯ2）35−（Ｉｎ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）35、２ｎｍ
下側誘電体層４３ａ：（ＳｉＯ2）15−（Ｉｎ2Ｏ3）70−（ＺｒＯ2）15、４ｎｍ
半透過反射層４２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層４１：ＴｉＯ2、１２ｎｍ
（光透過層１２の形成工程）
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を記録層Ｌ２上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ５７μｍを有する光透過層１２を形成した。
以上により、目的とする３層の光記録媒体１０が得られた。
［評価］
上述のようにして得られた参考例１−１〜１−３の光記録媒体１０の記録層Ｌ１のＤＯＷ特性を以下のようにして評価した。
（ＤＯＷ特性）
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、開口数ＮＡ＝０．８５、記録波長λ＝４０５ｎｍ、記録線速ｖ＝７．６９ｍ／ｓで１層あたり３３ＧＢ密度の１−７変調データを繰り返し記録再生すとともに、記録再生回ごとにｉ−ＭＬＳＥを求めた。その結果を図３に示す。
図３から以下のことがわかる。
誘電体層３３の材料としてＴａ2Ｏ5を用いた場合には、ｉ−ＭＬＳＥは、記録回数の増加に依らず、ほぼ一定である。これに対して、誘電体層３３の材料として（ＳｉＯ2）−（Ｉｎ2Ｏ3）−（ＺｒＯ2）を用いた場合には、ｉ−ＭＬＳＥは、記録回数の増加に伴って増加する傾向を示す。
誘電体層３３の材料として（ＳｉＯ2）−（Ｉｎ2Ｏ3）−（ＺｒＯ2）を用いた場合には、（Ｉｎ2Ｏ3）の含有量を増加させると、ＤＯＷ特性が向上する傾向にある。
＜II．酸素含有のプロセスガスを用いることによる信号特性の向上＞
（参考例２−１〜２−３）
記録層Ｌ１の誘電体層３３の形成工程において、表２に示すように、プロセスガスにおけるアルゴンおよび酸素の含有量をサンプル毎に変化させた。また、記録層Ｌ１の相変化記録層３４の形成工程において、相変化記録層３４をＢｉＧｅＴｅ−Ａｇにより形成した。添加剤であるＡｇの含有量は、２．０at.％とした。さらに、中間層Ｓ２および記録層Ｌ２の形成を省略した。上記以外のことは参考例１−１と同様にして、２層の光記録媒体１０を得た。
表２は、参考例２−１〜２−３の光記録媒体１０の記録層Ｌ１の誘電体層３３の構成および成膜条件を示す。なお、表２において、アルゴンおよび酸素の含有量［％］は、流量比である。
Figure 2014216038
（参考例２−４〜２−７）
記録層Ｌ１の誘電体層３３の形成工程において、表３に示すように、プロセスガスにおけるアルゴンおよび酸素の含有量をサンプル毎に変化させた。また、記録層Ｌ１の相変化記録層３４の形成工程において、相変化記録層３４をＢｉＧｅＴｅ−Ａｇにより形成した。添加剤であるＡｇの含有量は、３．０at.％とした。上記以外のことは参考例１−１と同様にして３層の光記録媒体１０を得た。
なお、参考例２−１〜２−７において、Ａｇの含有量［at.％］は、相変化記録層３４に含まれるＢｉ、Ｇｅ、ＴｅおよびＡｇの総量に対するＡｇの含有量を意味する。また、相変化記録層３４の母剤であるＢｉＧｅＴｅ合金は、ＧｅＴｅ化合物とＢｉ2Ｔｅ3化合物とをモル比１７：１（＝ＧｅＴｅ：Ｂｉ2Ｔｅ3）の割合で含む材料組成とした。
表３は、参考例２−４〜２−７の光記録媒体１０の記録層Ｌ１の誘電体層３３の構成および成膜条件を示す。なお、表２において、アルゴンおよび酸素の含有量［％］は、流量比である。
Figure 2014216038
［評価］
上述のようにして得られた参考例２−１〜２−７の光記録媒体１０のＤＯＷ特性と、ｉ−ＭＬＳＥおよび変調度（信号振幅比）の記録パワーＰｗ依存性とを以下のようにして評価した。
（ＤＯＷ特性）
光記録媒体１０の記録層Ｌ２のＤＯＷ特性を参考例１−１〜１−３と同様にして評価した。その結果を図４Ａおよび図５に示す。
（ｉ−ＭＬＳＥおよび変調度の記録パワーＰｗ依存性）
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、開口数ＮＡ＝０．８５、記録波長λ＝４０５ｎｍ、記録線速ｖ＝７．６９ｍ／ｓで１層あたり３３ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、記録パワーＰｗに対するｉ−ＭＬＳＥの変化および変調度を求めた。その結果を図４Ｂに示す。
図４Ａ、図４Ｂから以下のことがわかる。
誘電体層３３を成膜する際に、プロセスガスに酸素を添加することで、記録特性（ＤＯＷ特性やパワーマージンなど）を向上できる。その向上の度合いは、酸素の添加量を増加させるに従って大きくなる。このような効果の発現は、プロセスガスに対して酸素を添加して誘電体層３３を成膜すると、相変化記録層３４の結晶化促進性能が高まるためと考えられる。
図５でも、図４Ａと同様の傾向が見られることがわかる。
＜III．記録信号品質および保存信頼性のＡｇ添加量依存性＞
（実施例１−１〜１−８）
スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する積層膜からなる記録層Ｌ１を中間層Ｓ１上に形成する以外は、参考例１−１と同様にして３層の光記録媒体１０を得た。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ ３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：ＢｉＧｅＴｅ−Ａｇ、６．５ｎｍ
上側誘電体層３３ｂ：Ｔａ2Ｏ5、２ｎｍ
下側誘電体層３３ａ：（ＳｉＯ2）15−（Ｉｎ2Ｏ3）70−（ＺｒＯ2）15、４ｎｍ
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１１ｎｍ
なお、相変化記録層３４において、添加剤であるＡｇの含有量を、表４に示すように０〜４．０at.％の範囲で変更した。ここで、Ａｇの含有量［at.％］は、相変化記録層３４に含まれるＢｉ、Ｇｅ、ＴｅおよびＡｇの総量に対するＡｇの含有量を意味する。また、相変化記録層３４の母剤であるＢｉＧｅＴｅ合金は、ＧｅＴｅ化合物とＢｉ2Ｔｅ3化合物とをモル比１７：１（＝ＧｅＴｅ：Ｂｉ2Ｔｅ3）の割合で含む材料組成とした。
［評価］
上述のようにして得られた実施例１−１〜１−８の光記録媒体１０の記録層Ｌ２の記録信号品質（初期特性）および保存信頼性を以下のように評価した。
（記録信号品質）
上述のようにして得られた実施例１−１〜１−８の光記録媒体１０のｉ−ＭＬＳＥおよび変調度を以下のようにして求めて、初期特性としての記録信号品質を評価した。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、開口数ＮＡ＝０．８５、記録波長λ＝４０５ｎｍ、記録線速ｖ＝７．６９ｍ／ｓで１層あたり３３ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、記録パワーＰｗに対するｉ−ＭＬＳＥの変化および変調度を求めた。その結果を図６Ａ〜図９Ｂに示す。なお、図６Ａ〜図９Ｂでは、記録パワーＰｗを最適記録パワーＰｗｏで規格化した値（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を横軸とした。ここで、最適記録パワーＰｗｏは、ｉ−ＭＬＳＥがボトムとなる記録パワー、すなわちｉ−ＭＬＳＥが最も良好になる記録パワーである。このｉ−ＭＬＳＥのボトム値を表４に示す。
（保存信頼性）
上述の初期特性の評価に用いた実施例１−１〜１−８の光記録媒体１０の保存信頼性を以下のようにして評価した。まず、光記録媒体１０に最適記録パワーＰｗｏにて情報信号の記録および再生を行い、ｉ−ＭＬＳＥを測定した。次に、情報信号を記録した光記録媒体１０を８０℃８５％の温室環境下に１５時間投入した。次に、温室環境から光記録媒体１０を取り出し後、再度記録した情報信号のｉ−ＭＬＳＥを測定し、以下の式を用いて保存前後のｉ−ＭＬＳＥの変化量（以下、「ΔｉＭＬＳＥ（保存）」という。）を求めた。その結果を表４に示す。
ΔｉＭＬＳＥ（保存）＝［規格値（Ｐｗ／Ｐｗｏ）＝１における保存試験後のｉ−ＭＬＳＥ］−［規格値（Ｐｗ／Ｐｗｏ）＝１における保存試験前のｉ−ＭＬＳＥ］
表４は、実施例１−１〜１−８の光記録媒体１０の下側誘電体層３３ａ、上側誘電体層３３ｂ、相変化記録層３４の構成および評価結果を示す。
Figure 2014216038
表４から以下のことがわかる。
Ａｇ添加量を２．０at.％以上にすると、ΔｉＭＬＳＥ（保存）を１．０％以下にすることができる。なお、ΔｉＭＬＳＥ（保存）が１．０％を超えると、長期保存における情報信号の消失が顕著となる。
Ａｇ添加量を３．５at.％以下にすると、ｉ−ＭＬＳＥのボトム値を１３．５％以下にすることができる。なお、ΔｉＭＬＳＥ（保存）のボトム値が１３．５％を超えると、良好な記録信号が得られない。
したがって、Ａｇ添加量は、２．０at.％以上３．５at.％以下の範囲内であることが好ましい。
＜IV．第２誘電体層の下側誘電体層の組成＞
（実施例２−１〜２−６）
スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する積層膜からなる記録層Ｌ１を中間層Ｓ１上に形成する以外は、参考例１−１と同様にして３層の光記録媒体１０を得た。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ ３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：Ｂｉ5.0−Ｇｅ42.5−Ｔｅ50.0−Ａｇ2.5、６．５ｎｍ
上側誘電体層３３ｂ：Ｔａ2Ｏ5、２ｎｍ
下側誘電体層３３ａ：表５に示すようにサンプル毎に組成を変更した誘電体層、４ｎｍ
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１１ｎｍ
［評価］
上述のようにして得られた実施例２−１〜２−６の光記録媒体１０のＤＯＷ特性を、参考例１−１〜１−３と同様にして評価した。その結果を図６Ａ〜図７Ｂおよび表５に示す。次に、以下の式を用いて、ｉ−ＭＬＳＥの変化量（以下「ΔｉＭＬＳＥ（ＤＯＷ）」という。）を求めた。その結果を図６Ｂおよび表５に示す。
ΔｉＭＬＳＥ（ＤＯＷ）＝［ＤＯＷ（１０００）のｉ−ＭＬＳＥ］−［ＤＯＷ（０）のｉ−ＭＬＳＥ］
ここで、ＤＯＷ（１０００）、ＤＯＷ（０）のｉ−ＭＬＳＥは、最適記録パワーＰｗｏで評価した値である。
表５は、実施例２−１〜２−６の光記録媒体１０の記録層Ｌ１の第２誘電体層３３の構成および評価結果を示す。
Figure 2014216038
図６Ａ、図６Ｂおよび表５から以下のことがわかる。
下側誘電体層３３ａの材料としてＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2を用いた場合には、Ｉｎの含有量を多くすると、ＤＯＷ特性が向上する傾向がある。これは、Ｉｎの含有量が多くなると、下側誘電体層３３ａの熱伝導率が高くなるためと考えられる。
Ｉｎの含有量を６６．７at.％以上９４．７at.％以下の範囲内にすると、ｉ−ＭＬＳＥを基準値１３．５％以下にすることができる。なお、ｉ−ＭＬＳＥが基準値１３．５％以下であると、民生用ドライブの再生系にばらつきがあっても良好な再生特性を得ることができる。なお、Ｉｎの含有量［at.％］の範囲をＩｎ2Ｏ3の含有量［mol％］の範囲に変換して表すと、５０mol％以上９０mol％以下の範囲となる。ここで、Ｉｎの含有量とは、Ｓｉ、ＩｎおよびＺｒの３成分の総和に対するＩｎの含有量を意味する。また、Ｉｎ2Ｏ3の含有量とは、ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3およびＺｒＯ2の３成分の総和に対するＩｎ2Ｏ3の含有量を意味する。
Ｉｎの含有量を３３．３at.％以上にすると、変化量ΔｉＭＬＳＥ（ＤＯＷ）を基準値２％以下にすることができる。なお、変化量ΔｉＭＬＳＥ（ＤＯＷ）が基準値２％以下であると、民生用ドライブの記録系のばらつきがあっても安定した繰り返し記録が可能となる。
図７Ａ、図７Ｂおよび表５から以下のことがわかる。
第２誘電体層３３の下側誘電体層３３ａの材料としてＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2以外に、酸化インジウムを含むＩｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3、導電性材料であり熱伝導性が高いと考えられるＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3を用いても、良好なＤＯＷ特性を得ることができる。
＜Ｖ．第２誘電体層の下側誘電体層の膜厚＞
（実施例３−１〜３−５）
スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する積層膜からなる記録層Ｌ１を中間層Ｓ１上に形成する以外は、参考例１−１と同様にして３層の光記録媒体１０を得た。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ ３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：Ｂｉ5.0Ｇｅ42.5Ｔｅ50.0−Ａｇ2.5、６．５ｎｍ
上側誘電体層３３ｂ：Ｔａ2Ｏ5、２ｎｍ
下側誘電体層３３ａ：（ＳｉＯ2）15−（Ｉｎ2Ｏ3）70−（ＺｒＯ2）15、表６に示すように２〜６ｎｍの範囲内でサンプル毎に変更した膜厚
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１１ｎｍ
［評価］
上述のようにして得られた実施例３−１〜３−５の光記録媒体１０のＤＯＷ特性およびΔｉＭＬＳＥ（ＤＯＷ）を、実施例２−１〜２−６と同様にして評価した。その結果を図８Ａ、図８Ｂおよび表６に示す。
表６は、実施例４−１〜４−５の光記録媒体１０の記録層Ｌ１の第２誘電体層３３の構成および評価結果を示す。
Figure 2014216038
下側誘電体層３３ａの材料としてＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2を用いた場合には、下側誘電体層３３ａの膜厚が薄いほどＤＯＷ特性が劣化する傾向がある。
下側誘電体層３３ａの膜厚を３ｎｍ以上とすることで、ＤＯＷ（１０００）のｉ−ＭＬＳＥを１３．５％以下の良好な値とすることができる。
下側誘電体層３３ａの膜厚を４ｎｍ以上とすることで、ＤＯＷ（１０００）のｉ−ＭＬＳＥを１３．５％以下の良好な値とすることができ、かつ、ＤＯＷ（１０００）の変化量ΔｉＭＬＳＥ（ＤＯＷ）を２％以下とすることができる。
なお、下側誘電体層３３ａ膜厚を６ｎｍを超えて厚くしても、光学特性や記録特性の弊害はない。但し、生産性（タクト）や材料コストの観点からすると、下側誘電体層３３ａ膜厚を２０ｎｍ以下にすることが好ましい。
したがって、下側誘電体層３３ａの膜厚は、好ましくは３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは４ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内である。
＜VI．第２誘電体層の下側誘電体層の組成と保存信頼性との関係＞
（参考例４−１〜４−４）
スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する積層膜からなる記録層Ｌ１を中間層Ｓ１上に形成する以外は、参考例１−１と同様にして３層の光記録媒体１０を得た。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ、３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：Ｂｉ5.55Ｇｅ43.06Ｔｅ51.39、６．５ｎｍ
誘電体層３３：表７に示すようにサンプル毎に組成を変更した誘電体層、４ｎｍ
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１１ｎｍ
（実施例４−１〜４−６、参考例４−５〜４−７）
スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する積層膜からなる記録層Ｌ１を中間層Ｓ１上に形成する以外は、参考例１−１と同様にして３層の光記録媒体１０を得た。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ、３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：Ｂｉ5.55Ｇｅ43.06Ｔｅ51.39、６．５ｎｍ
上側誘電体層３３ｂ：表７に示すようにサンプル毎に組成を変更した誘電体層、２ｎｍ
下側誘電体層３３ａ：表７に示すようにサンプル毎に組成を変更した誘電体層、４ｎｍ
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１１ｎｍ
［評価］
上述のようにして得られた実施例４−１〜４−６、参考例４−１〜４−７の光記録媒体１０を、８０℃／８５％の恒温槽にて２００時間保管した前後の欠陥増加数を評価した。欠陥数は、ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＤＤＵ−１０００）にて、半径３０ｍｍから３５ｍｍの範囲でＲＦ信号を観察し、ドロップアウト信号のカウント数で評価した。その結果を表７に示す。
表７は、実施例４−１〜４−６、参考例４−１〜４−７の光記録媒体１０の記録層Ｌ１の第２誘電体層３３の構成および評価結果を示す。
Figure 2014216038
表７から以下のことがわかる。
参考例４−１：第２誘電体層３３としてＩＴＯを含む単層構造のものを用いた場合には、欠陥増加数が３０個を超えてしまう。なお、欠陥増加数が３０個以下であると、エラーレートの悪化が抑えられ、良好な長期保存性能が得られる。
参考例４−２、４−３、４−４：第２誘電体層３３としてＴａ2Ｏ5、または（ＳｉＯ2）−（Ｉｎ2Ｏ3）−（ＺｒＯ2）を用いた場合には、欠陥増加数を３０個以下とし、良好な保存信頼性を得ることができる。しかしながら、この構成を用いた場合には、良好な記録特性を得ることができない。
実施例４−１〜４−６：第２誘電体層３３を２層構造として、下側誘電体層３３ａの材料として（ＳｉＯ2）−（Ｉｎ2Ｏ3）−（ＺｒＯ2）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3またはＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3を用いた場合には、欠陥増加数を３０個以下とすることができる。
Ｉｎの含有量が少ないと、結晶化促進作用は大きくなるが、熱伝導率が低いため、ＤＯＷ特性の悪化が顕著になる傾向がある。一方、Ｉｎの含有量が大きいと、熱伝導率は高くなるものの、結晶化促進作用が小さくなり、情報信号の記録に影響が生じる虞がある。
比較例４−５〜４−７：第２誘電体層３３を２層構造として、下側誘電体層３３ａの材料としてＩＴＯまたはＳｉＮを用いた場合には、欠陥増加数が３０個を超えてしまう。
したがって、保存信頼性の観点からすると、第２誘電体層３３を２層構造として、下側誘電体層３３ａの材料として（ＳｉＯ2）−（Ｉｎ2Ｏ3）−（ＺｒＯ2）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3またはＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3を用いることが好ましい。
＜VII．第２誘電体層の上側誘電体層の組成と信号特性との関係＞
（実施例５−１）
スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する積層膜からなる記録層Ｌ１を中間層Ｓ１上に形成した。また、中間層Ｓ２および記録層Ｌ２の形成を省略した。これ以外のことは、参考例１−１と同様にして２層の光記録媒体１０を得た。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ ３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：Ｂｉ5.05−Ｇｅ42.94−Ｔｅ50.51−Ａｇ1.5、６．８ｎｍ
上側誘電体層３３ｂ：（ＳｉＯ2）35−（Ｉｎ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）35、４ｎｍ
下側誘電体層３３ａ：（ＳｉＯ2）15−（Ｉｎ2Ｏ3）70−（ＺｒＯ2）15、４ｎｍ
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１２．５ｎｍ
（実施例５−２）
スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する積層膜からなる記録層Ｌ１を中間層Ｓ１上に形成した。また、中間層Ｓ２および記録層Ｌ２の形成を省略した。これ以外のことは、参考例１−１と同様にして２層の光記録媒体１０を得た。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ ３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：Ｂｉ5.0Ｇｅ42.5Ｔｅ50.0−Ａｇ2.5、６．５ｎｍ
上側誘電体層３３ｂ：Ｔａ2Ｏ5、２ｎｍ
下側誘電体層３３ａ：（ＳｉＯ2）15−（Ｉｎ2Ｏ3）70−（ＺｒＯ2）15、４ｎｍ
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１１ｎｍ
（実施例５−３）
スパッタリング法により、以下の組成および膜厚を有する積層膜からなる記録層Ｌ１を中間層Ｓ１上に形成した。また、中間層Ｓ２および記録層Ｌ２の形成を省略した。これ以外のことは、参考例１−１と同様にして２層の光記録媒体１０を得た。
上側誘電体層３５ｃ：ＳｉＮ ３０ｎｍ
中間誘電体層３５ｂ：（ＺｎＳ）80−（ＳｉＯ2）20、２０ｎｍ
下側誘電体層３５ａ：（ＳｉＯ2）20−（Ｃｒ2Ｏ3）30−（ＺｒＯ2）50、２ｎｍ
相変化記録層３４：Ｂｉ5.0Ｇｅ42.5Ｔｅ50.0−Ａｇ2.5、６．８ｎｍ
上側誘電体層３３ｂ：Ｔａ2Ｏ5、４ｎｍ
下側誘電体層３３ａ：（ＳｉＯ2）15−（Ｉｎ2Ｏ3）70−（ＺｒＯ2）15、４ｎｍ
半透過反射層３２：Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕ）、９．５ｎｍ
誘電体層３１：ＴｉＯ2、１２．５ｎｍ
［評価］
上述のようにして得られた実施例５−１〜５−３の光記録媒体１０の光学特性および記録信号品質を以下のようにして評価した。
（光学特性）
＜透過率＞
分光高度計（日本分光（株）製、商品名：Ｖ−５３０）を用いて、記録波長４０５ｎｍに対する記録層Ｌ１の透過率を測定した。その結果を表８に示す。
＜反射率＞
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍで記録層Ｌ０の反射率を測定した。その結果を表８に示す。
（記録信号品質）
光記録媒体１０の記録層Ｌ１の記録信号品質を実施例２−１〜２−８と同様にして評価した。その結果を図９に示す
表８は、実施例５−１〜５−３の光記録媒体１０の光学特性の評価結果を示す。
Figure 2014216038
図９および表８から以下のことがわかる。
上側誘電体層３３ｂの材料として（ＳｉＯ2）−（Ｉｎ2Ｏ3）−（ＺｒＯ2）およびＴａ2Ｏ5のいずれを用いた場合にも、ｉ−ＭＬＳＥのボトム値を低減することができる。また、パワーマージンを改善することができる。
上側誘電体層３３ｂの材料としてＴａ2Ｏ5を用いた場合には、上側誘電体層３３ｂの材料として（ＳｉＯ2）−（Ｉｎ2Ｏ3）−（ＺｒＯ2）を用いた場合に比して記録層Ｌ１の透過率、および記録層Ｌ０の反射率を向上することができる。
以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、上述の実施形態では、基板上に３層の記録層、光透過層がこの順序で積層された構成を有し、この光透過層側からレーザー光を３層の記録層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対して本技術を適用した場合を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に３層の記録層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザー光を３層の記録層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体、または２枚の基板の間に３層の記録層が設けられた構成を有し、少なくとも一方の基板の側からレーザー光を３層の記録層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対しても本技術は適用可能である。
また、上述の実施形態では、３層の記録層を有する光記録媒体に対して本技術を適用した場合を例として説明したが、３層以外の複数層を有する光記録媒体に対しても本技術は適用可能である。
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
反射層と、２層の誘電体層と、相変化記録層とを含む記録層を含み、
上記２層の誘電体層のうち上記相変化記録層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含み、
上記２層の誘電体層のうち上記反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる光記録媒体。
（２）
上記相変化記録層は、ビスマス、ゲルマニウム、テルルおよび銀を含んでいる（１）に記載の光記録媒体。
（３）
上記ビスマス、ゲルマニウム、テルルおよび銀の総量に対する銀の含有量は、２．０原子％以上３．５原子％以下の範囲内である（２）に記載の光記録媒体。
（４）
上記２層の誘電体層のうち上記反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物を含み、
シリコン、インジウムおよびジルコニウムの総量に対するインジウムの含有量は、６６．７原子％以上９４．７原子％以下の範囲内である（１）から（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（５）
上記２層の誘電体層のうち上記反射層側となる誘電体層の厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内である（１）から（４）のいずれかに記載の光記録媒体。
（６）
上記２層の誘電体層のうち上記相変化記録層側となる誘電体層は、酸化タンタルを含んでいる（１）から（５）のいずれかに記載の光記録媒体。
（７）
上記反射層は、銀を含んでいる（１）から（６）のいずれかに記載の光記録媒体。
（８）
上記相変化記録層は、透過型記録層である（１）から（７）のいずれかに記載の光記録媒体。
（９）
第１誘電体層と、反射層と、第２誘電体層と、相変化記録層と、第３誘電体層とを含む記録層を含み、
上記第２誘電体層は、２層の誘電体層を含み、
上記２層の誘電体層のうち上記相変化記録層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含み、
上記２層の誘電体層のうち上記反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる光記録媒体。
１０ 光記録媒体
１１ 基板
１２ 光透過層
Ｌ０、Ｌ１、Ｌ２ 記録層
２１ 反射層
２２ 第１誘電体層
２２ａ 下側誘電体層
２２ｂ 上側誘電体層
２３ 相変化記録層
２４ 第２誘電体層
２４ａ 下側誘電体層
２４ｂ 上側誘電体層
３１、４１ 第１誘電体層
３２、４２ 半透過反射層
３３、４３ 第２誘電体層
３３ａ、４３ａ 下側誘電体層
３３ｂ、４３ｂ 上側誘電体層
３４、４４ 相変化記録層
３５、４５ 第３誘電体層
３５ａ、４５ａ 下側誘電体層
３５ｂ、４５ｂ 中間誘電体層
３５ｃ、４５ｃ 上側誘電体層
Ｓ１、Ｓ２ 中間層
Ｇin イングルーブ
Ｇon オングルーブ
Ｃ 光照射面

Claims (9)

  1. 反射層と、２層の誘電体層と、相変化記録層とを含む記録層を含み、
    上記２層の誘電体層のうち上記相変化記録層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含み、
    上記２層の誘電体層のうち上記反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる光記録媒体。
  2. 上記相変化記録層は、ビスマス、ゲルマニウム、テルルおよび銀を含んでいる請求項１に記載の光記録媒体。
  3. 上記ビスマス、ゲルマニウム、テルルおよび銀の総量に対する銀の含有量は、２．０原子％以上３．５原子％以下の範囲内である請求項２に記載の光記録媒体。
  4. 上記２層の誘電体層のうち上記反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物を含み、
    シリコン、インジウムおよびジルコニウムの総量に対するインジウムの含有量は、６６．７原子％以上９４．７原子％以下の範囲内である請求項１に記載の光記録媒体。
  5. 上記２層の誘電体層のうち上記反射層側となる誘電体層の厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内である請求項１に記載の光記録媒体。
  6. 上記２層の誘電体層のうち上記相変化記録層側となる誘電体層は、酸化タンタルを含んでいる請求項１に記載の光記録媒体。
  7. 上記反射層は、銀を含んでいる請求項１に記載の光記録媒体。
  8. 上記記録層は、透過型記録層である請求項１に記載の光記録媒体。
  9. 第１誘電体層と、反射層と、第２誘電体層と、相変化記録層と、第３誘電体層とを含む記録層を含み、
    上記第２誘電体層は、２層の誘電体層を含み、
    上記２層の誘電体層のうち上記相変化記録層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、または酸化タンタルを含み、
    上記２層の誘電体層のうち上記反射層側となる誘電体層は、酸化シリコン、酸化インジウムおよび酸化ジルコニウムの複合酸化物、酸化インジウムおよび酸化ガリウムの複合酸化物、または酸化亜鉛および酸化アルミニウムの複合酸化物を含んでいる光記録媒体。
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