JP2008305529A - 光情報記録媒体及び光情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上には、反射膜2,界面膜3,第1誘電体膜4,記録膜5,第2誘電体膜6,防湿膜7,保護膜8,カバー層9が順に積層されている。カバー層9には情報の記録または再生のためのレーザ光Lが入射される。防湿膜7は、インジウム酸化物を含み、少なくとも一部がアモルファスとなっている。防湿膜7は、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物との少なくとも1つを含む。スズ酸化物の場合は20mol%以上80mol%未満含むことが好ましい。
【選択図】図1
Description
ここで、前記防湿膜は、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物の内の少なくとも1つを含むことが好ましい。
また、前記防湿膜は、20mol%以上80mol%未満のスズ酸化物を含むことが好ましい。
さらに、以上の構成において、前記第2誘電体膜と前記カバー層との間に保護膜を有し、前記防湿膜は前記第2誘電体膜と前記保護膜との間に設けられていることが好ましい。
また、基板(1)上に、スパッタリングによって少なくとも反射膜(2),第1誘電体膜(4),記録膜(5),第2誘電体膜(6)をこの順に積層する工程と、前記第2誘電体膜上に、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物の内の少なくとも1つを添加したインジウム酸化物のターゲットを用いたスパッタリングによって防湿膜(7)を積層する工程と、前記防湿膜上にスピンコートによってカバー層としての樹脂層(9)を形成する工程とを含むことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法を提供する。
さらに、基板(1)上に、スパッタリングによって少なくとも反射膜(2),第1誘電体膜(4),記録膜(5),第2誘電体膜(6)をこの順に積層する工程と、前記第2誘電体膜上に、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物の内の少なくとも1つを添加したインジウム酸化物のターゲットを用いたスパッタリングによって防湿膜(7)を積層する工程と、前記防湿膜上にスピンコートによって紫外線硬化樹脂の保護膜(8)を形成する工程と、前記保護膜上にカバー層(9)を載置する工程と、前記カバー層側から紫外線を照射することにより前記保護膜を硬化させて、前記カバー層を前記保護膜に貼付する工程とを含むことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法を提供する。
以下、本発明の光情報記録媒体及び光情報記録媒体の製造方法について、添付図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態に係る光情報記録媒体を示す拡大断面図である。図1に示すように、一実施形態の光情報記録媒体100は、厚さ1.1mmの基板1上に、反射膜2,界面膜3,第1誘電体膜4,記録膜5,第2誘電体膜6,防湿膜7,保護膜8,カバー層9をこの順に積層したものである。反射膜2〜カバー層9の合計で厚さ0.1mmである。記録または再生のためのレーザ光Lはカバー層9側より光情報記録媒体100に照射される。
次に、光情報記録媒体100の製造方法について説明する。上述した反射膜2,界面膜3,第1誘電体膜4,記録膜5,第2誘電体膜6,防湿膜7は基板1上に公知の真空中での薄膜形成法を用いて成膜する。薄膜形成法としては、例えば、抵抗加熱型や電子ビーム型の真空蒸着法やオンプレーティング法、直流もしくは交流スパッタリングまたは反応性スパッタリングのスパッタリング法を用いることができ、特に、組成及び膜厚の制御が容易であるからスパッタリング法を用いることが好ましい。
本発明者は、光情報記録媒体の長期信頼性を優れたものとするには、第2誘電体膜6と保護膜8の間に防湿膜7を設け、さらに防湿膜7としてはIn酸化物を含むアモルファスが好適であると推定し、下記の実施例1〜3及び比較例1〜6に基づいてその推定が正しく、長期信頼性が従来の光情報記録媒体よりも優れることを見出した。
以下の各実施例及び各比較例においては、波長が405nmのレーザダイオード、NA=0.85の光学レンズを搭載したパルステック社製光ディスクドライブテスタ(ODU1000)を用いて、80℃85%RHの環境下で96時間保存した後の平均SERを測定した。
直径が120mm、板厚が1.1mmのポリカーボネート製の基板1上に、後述する各膜を形成した。基板1にはトラックピッチが0.32μmで空溝が形成されている。この溝深さは25nmであり、グルーブとランドの幅の比はおよそ50:50であった。
さらに、ArガスとN2ガスの混合雰囲気中でGeBi(元素比50:50)合金ターゲットを用いてGeBiNの記録膜5を厚さ25nmで形成した。続いて、記録膜5上に第2誘電体膜6を第1誘電体膜4と同じ材料により厚さ50nmで形成した。また、第2誘電体膜6上にSnO2を40mol%添加したIn2O3ターゲットを用いて防湿膜7を厚さ20nmで形成した。
防湿膜7の材料としてW2O5を20mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして実施例2の光情報記録媒体100を作成した。W2O5を20mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜もアモルファスであることを確認した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表1に示すように、平均SERは9.1×10−5と良好な結果が得られた。なお、表1中のIWOとはインジウム・タングステン酸化物を意味する。
防湿膜7の材料としてCeO2(酸化セリウム)を20mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして実施例3の光情報記録媒体100を作成した。CeO2を20mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜もアモルファスであることを確認した。表1に示すように、平均SERは6.8×10−5と良好な結果が得られた。なお、表1中のICOとはインジウム・セリウム酸化物を意味する。
防湿膜7を成膜しなかった他は、実施例1と同様にして比較例1の光情報記録媒体を作成した。表1に示すように、平均SERは3.2×10−3と良好でない結果であった。
防湿膜7の材料としてIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして比較例2の光情報記録媒体を作成した。実施例1と同様に測定したところ、In2O3のスパッタリング膜は結晶質であり、表1に示すように、平均SERは2.1×10−3と良好でない結果であった。
防湿膜7の材料としてSi3N4ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして比較例3の光情報記録媒体を作成した。実施例1と同様に測定したところ、Si3N4のスパッタリング膜はアモルファスであった。80℃85%RHの環境下で96時間保存後に平均SERを測定しようと試みたが、ディフェクトの発生が多く平均SERを測定することができなかった。
防湿膜7の材料としてSiO2を50mol%添加したSi3N4ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして比較例4の光情報記録媒体を作成した。SiO2を50mol%添加したSi3N4のスパッタリング膜はアモルファスであった。表1に示すように、平均SERは1.8×10−2と良好でない結果であった。
防湿膜7の材料としてAl2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして比較例5の光情報記録媒体を作成した。Al2O3のスパッタリング膜はアモルファスであった。比較例3と同様、ディフェクトの発生が多く平均SERを測定することができなかった。
防湿膜7の材料としてSiCターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして比較例6の光情報記録媒体を作成した。SiCのスパッタリング膜はアモルファスであった。表1に示すように、平均SERは1.6×10−3と良好でない結果であった。
さらに本発明者は、防湿膜7をアモルファスとするのに好適なITO中のSnO2の含有比率がどの程度であるかを、上述した実施例1及び比較例2に加えて以下の実施例4〜7及び比較例7〜9により検討した。
防湿膜7の材料としてSnO2を20mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして実施例4の光情報記録媒体100を作成した。SnO2を20mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜はアモルファスであることを確認した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表2に示すように、平均SERは7.2×10−5と良好な結果が得られた。表2には上述した実施例1と比較例2のデータも示す。
防湿膜7の材料としてSnO2を30mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして実施例5の光情報記録媒体100を作成した。SnO2を30mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜はアモルファスであることを確認した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表2に示すように、平均SERは6.9×10−5と良好な結果が得られた。
防湿膜7の材料としてSnO2を60mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして実施例6の光情報記録媒体100を作成した。SnO2を60mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜はアモルファスであることを確認した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表2に示すように、平均SERは5.3×10−5と良好な結果が得られた。
防湿膜7の材料としてSnO2を70mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして実施例7の光情報記録媒体100を作成した。SnO2を70mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜はアモルファスであることを確認した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表2に示すように、平均SERは1.8×10−4と良好な結果が得られた。
防湿膜7の材料としてSnO2を5mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして比較例7の光情報記録媒体を作成した。SnO2を5mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜はアモルファスではなく結晶質であることを確認した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表2に示すように、平均SERは1.1×10−3と良好でない結果であった。
防湿膜7の材料としてSnO2を10mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして比較例8の光情報記録媒体を作成した。SnO2を10mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜はアモルファスではなく結晶質であることを確認した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表2に示すように、平均SERは7.8×10−4と良好でない結果であった。
防湿膜7の材料としてSnO2を80mol%添加したIn2O3ターゲットへ変更した他は、実施例1と同様にして比較例9の光情報記録媒体を作成した。SnO2を80mol%添加したIn2O3のスパッタリング膜はアモルファスであることを確認した。しかしながら、実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表2に示すように、平均SERは9.5×10−4と良好ではない結果であった。
さらに本発明者は、防湿膜7を基板1上のどの位置に設けるべきかについて検討した。防湿膜7を設ける位置としては、図1に示すように第2誘電体膜6と保護膜8との間に設ける他、記録膜5と第2誘電体膜6との間に設けることも考えられる。浸透した水分が反射膜2に影響を及ぼすとすれば、防湿層7を第1誘電体膜4と界面膜と3の間か、界面膜3と反射膜2との間のいずれかに設けることも考えられる。そこで、実施例1と膜構成の順序が異なる比較例10〜12の光情報記録媒体を作成して実施例1と比較検討した。
実施例1と膜構成の順序のみを変更し、基板1上に反射膜2,界面膜3,第1誘電体膜4,記録膜5,防湿膜7,第2誘電体膜6の順に成膜した比較例10の光情報記録媒体を作成した。実施例1と同様に平均SERを測定しようと試みたが、表3に示すように、平均SERを測定することができなかった。これは防湿膜7中のSnとGeBiNよりなる記録膜5との間でイオンマイグレーションを生じ、腐食を生じていることが原因と考えられる。
実施例1と膜構成の順序のみを変更し、基板1上に反射膜2,界面膜3,防湿膜7,第1誘電体膜4,記録膜5,第2誘電体膜6の順に成膜した比較例11の光情報記録媒体を作成した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表3に示すように、平均SERは2.3×10−3と良好ではない結果であった。これは記録膜5が防湿膜7で保護されないために記録膜5が水分の浸透の影響を受けたことが原因と考えられる。
実施例1と膜構成の順序のみを変更し、基板1上に反射膜2,防湿膜7,界面膜3,第1誘電体膜4,記録膜5,第2誘電体膜6の順に成膜した比較例12の光情報記録媒体を作成した。実施例1と同様に平均SERを測定したところ、表3に示すように、平均SERは2.5×10−3と良好ではない結果であった。これは比較例11と同様、記録膜5が防湿膜7で保護されないために記録膜5が水分の浸透の影響を受けたことが原因と考えられる。
2 反射膜
3 界面膜
4 第1誘電体膜
5 記録膜
6 第2誘電体膜
7 防湿膜
8 保護膜
9 カバー層
100 光情報記録媒体
Claims (7)
- 基板と、
情報の記録または再生のための光が入射されるカバー層と、
前記基板と前記カバー層との間に前記基板側からこの順に積層された反射膜,第1誘電体膜,記録膜,第2誘電体膜と、
前記第2誘電体膜と前記カバー層との間に設けられ、インジウム酸化物を含む少なくとも一部がアモルファスとなっている防湿膜と
を備えることを特徴とする光情報記録媒体。 - 前記防湿膜は、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物の内の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1記載の光情報記録媒体。
- 前記防湿膜は、20mol%以上80mol%未満のスズ酸化物を含むことを特徴とする請求項1記載の光情報記録媒体。
- 前記第2誘電体膜と前記カバー層との間に保護膜を有し、前記防湿膜は前記第2誘電体膜と前記保護膜との間に設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光情報記録媒体。
- 基板上に、スパッタリングによって少なくとも反射膜,第1誘電体膜,記録膜,第2誘電体膜をこの順に積層する工程と、
前記第2誘電体膜上に、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物の内の少なくとも1つを添加したインジウム酸化物のターゲットを用いたスパッタリングによって防湿膜を積層する工程と、
前記防湿膜上にスピンコートによって保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上にカバー層を貼付する工程と
を含むことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - 基板上に、スパッタリングによって少なくとも反射膜,第1誘電体膜,記録膜,第2誘電体膜をこの順に積層する工程と、
前記第2誘電体膜上に、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物の内の少なくとも1つを添加したインジウム酸化物のターゲットを用いたスパッタリングによって防湿膜を積層する工程と、
前記防湿膜上にスピンコートによってカバー層としての樹脂層を形成する工程と
を含むことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - 基板上に、スパッタリングによって少なくとも反射膜,第1誘電体膜,記録膜,第2誘電体膜をこの順に積層する工程と、
前記第2誘電体膜上に、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物の内の少なくとも1つを添加したインジウム酸化物のターゲットを用いたスパッタリングによって防湿膜を積層する工程と、
前記防湿膜上にスピンコートによって紫外線硬化樹脂の保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上にカバー層を載置する工程と、
前記カバー層側から紫外線を照射することにより前記保護膜を硬化させて、前記カバー層を前記保護膜に貼付する工程と
を含むことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130205 |